JP2002194215A - Sealing material, method of sealing semiconductor or the like, process for producing semiconductor device, and semiconductor device - Google Patents

Sealing material, method of sealing semiconductor or the like, process for producing semiconductor device, and semiconductor device

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JP2002194215A
JP2002194215A JP2000394823A JP2000394823A JP2002194215A JP 2002194215 A JP2002194215 A JP 2002194215A JP 2000394823 A JP2000394823 A JP 2000394823A JP 2000394823 A JP2000394823 A JP 2000394823A JP 2002194215 A JP2002194215 A JP 2002194215A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sealing material having high reliability because of low moisture absorbency, having high utility because of low viscosity and rapid curability, and excellent in high-frequency characteristics with low permittivity and low dielectric dissipation factor, a method for sealing electronic parts, an electric circuit, an electric contact point or a semiconductor, with high reliability, high utility and excellent high-frequency characteristics, a process for producing a semiconductor device, and a semiconductor device having high reliability, high utility and excellent high-frequency characteristics. SOLUTION: The sealing material contains as the essential constituents (A) an organic compound having at least two carbon-carbon double bonds reactive with an SiH group in the molecule, (B) a silicon compound having at least two SiH groups in the molecule, and (C) a hydrosilylation catalyst.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は封止剤に関するもの
であり、更に詳しくは低吸湿性であって信頼性が高く、
低粘度、低温速硬化性であり実用性の高く、かつ低誘電
率、低誘電正接であって高周波特性に優れた封止剤、そ
れによって電子部品、電気回路、電気接点あるいは半導
体を封止する電子部品、電気回路あるいは半導体等の封
止方法あるいは半導体装置の製造方法、およびそれによ
って半導体が封止されてなる半導体装置に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sealant, and more particularly, to a sealant having low hygroscopicity and high reliability.
A sealant with low viscosity, low-temperature fast-curing, high practicality, low dielectric constant, low dielectric loss tangent, and excellent high-frequency characteristics, thereby sealing electronic components, electric circuits, electric contacts or semiconductors. The present invention relates to a method for sealing an electronic component, an electric circuit, a semiconductor, or the like or a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device in which a semiconductor is sealed by the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】封止剤、特に半導体用の封止剤として
は、多官能エポキシ化合物、フェノールノボラック系硬
化剤、無機質充填剤を主成分としたエポキシ樹脂組成物
が、広く用いられている。また、近年、半導体パッケー
ジの小型化要求等に伴い、TAB封止、フリップチップ
接続用のアンダーフィル封止等をはじめとして液状の封
止剤が用いられるようになっており、これら液状封止剤
には主としてエポキシ化合物、酸無水物系硬化剤、無機
質充填剤を主成分としたエポキシ樹脂組成物が、広く用
いられている。これらの封止剤に要求される基本的な特
性は、はんだリフロー等の熱履歴によっても部品に不具
合を生じさせない耐熱性、接着性等である。
2. Description of the Related Art As a sealing agent, particularly a sealing agent for semiconductors, an epoxy resin composition containing a polyfunctional epoxy compound, a phenol novolak-based curing agent and an inorganic filler as main components has been widely used. In recent years, with the demand for miniaturization of semiconductor packages, liquid sealing agents such as TAB sealing and underfill sealing for flip-chip connection have been used. An epoxy resin composition mainly containing an epoxy compound, an acid anhydride-based curing agent, and an inorganic filler is widely used. The basic characteristics required of these sealants are heat resistance, adhesiveness, and the like that do not cause a component to fail due to heat history such as solder reflow.

【0003】しかし近年では、半導体の高密度化および
大型化ならびに電子部品の実装方式の変化により、従来
にも増して耐吸湿クラック性が強く求められるようにな
っている。特に液状封止剤では酸無水物系硬化剤を用い
ることによる吸湿性低下の困難さから重要な問題となっ
ている。
However, in recent years, due to the increase in the density and size of semiconductors and the change in the mounting method of electronic components, there has been a stronger demand for resistance to moisture-absorbing cracks than ever before. In particular, in the case of a liquid sealant, it is an important problem because of the difficulty in lowering the hygroscopicity due to the use of an acid anhydride-based curing agent.

【0004】また、一般にエポキシ樹脂組成物は硬化に
高温、長時間を要し、半導体パッケージ等の製造が困難
であり製造サイクルが長くなる。製造を容易にしサイク
ルを速くして製造コストを軽減するために、低温速硬化
性が要求されている。液状封止剤では半導体の大型化に
よる流動性のさらなる向上が求められている。さらに、
近年半導体回路の駆動周波数の高周波化、通信周波数の
高周波化等により、半導体、および電気回路の封止剤に
も高周波特性の良好なもの、すなわち低誘電率、低誘電
正接である材料が求められている。
In general, the epoxy resin composition requires a high temperature and a long time for curing, and it is difficult to produce a semiconductor package or the like, and the production cycle becomes long. In order to facilitate manufacturing, shorten the cycle, and reduce manufacturing costs, low-temperature fast-curing properties are required. In liquid sealants, further improvement in fluidity due to enlargement of semiconductors is required. further,
In recent years, as the driving frequency of semiconductor circuits has become higher and the communication frequency has become higher, semiconductors and sealants for electric circuits have been required to have good high-frequency characteristics, that is, materials having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent. ing.

【0005】以上のような問題から、シリコーン樹脂で
変成するなどエポキシ樹脂組成物でも改良が試みられて
いるが、本質的にエポキシ樹脂に由来する吸湿性、誘電
特性等の問題により必ずしも十分な解決に至っていな
い。また、PPS等の熱可塑性樹脂を用いる封止剤も提
案されているが、熱可塑性樹脂であることから低粘度化
には限界があり、液状封止方式まで含めた汎用性に欠け
るものである。
[0005] From the above problems, attempts have been made to improve epoxy resin compositions such as denaturation with a silicone resin, but they are not necessarily sufficiently solved due to problems such as hygroscopicity and dielectric properties inherently derived from epoxy resins. Has not been reached. Also, a sealant using a thermoplastic resin such as PPS has been proposed, but since it is a thermoplastic resin, there is a limit to lowering the viscosity, and it lacks versatility including a liquid sealing method. .

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、低吸湿性であって信頼性が高く、低粘度、速硬化性
であり実用性の高く、かつ低誘電率、低誘電正接であっ
て高周波特性に優れた封止剤を提供することである。ま
た、高信頼性、高実用性、高周波数特性を有する電子部
品、電気回路、電気接点あるいは半導体の封止方法、お
よび、半導体装置の製造方法を提供することである。さ
らに、高信頼性、高実用性、高周波数特性を有する半導
体装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a low moisture absorption, high reliability, low viscosity, fast curing property, high practicality, a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent. The purpose of the present invention is to provide a sealant excellent in high frequency characteristics. Another object of the present invention is to provide a method for sealing an electronic component, an electric circuit, an electric contact, or a semiconductor having high reliability, high practicality, and high frequency characteristics, and a method for manufacturing a semiconductor device. Another object is to provide a semiconductor device having high reliability, high practicality, and high frequency characteristics.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに本発明者らは鋭意研究の結果、SiH基と反応性を
有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個
含有する有機化合物と、1分子中に少なくとも2個のS
iH基を含有するケイ素化合物を必須成分として封止剤
とすることにより、上記課題を解決できることを見出
し、本発明に至った。すなわち、本発明は、(A)Si
H基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に
少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に
少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物、お
よび(C)ヒドロシリル化触媒、を必須成分として含有
する封止剤である。また本発明は、上記封止剤によって
電子部品、電気回路、電気接点あるいは半導体を封止す
る、電子部品、電気回路、電気接点あるいは半導体の封
止方法でもある。さらに本発明は、上記封止剤によって
半導体を封止する、半導体装置の製造方法でもある。さ
らにまた本発明は、上記封止剤によって半導体が封止さ
れてなる半導体装置でもある。以下、本発明を詳細に説
明する。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present inventors have made intensive studies and found that an organic compound containing at least two carbon-carbon double bonds having a reactivity with a SiH group in one molecule. A compound and at least two S
The present inventors have found that the above problem can be solved by using a silicon compound containing an iH group as an essential component as a sealing agent, and have accomplished the present invention. That is, the present invention relates to (A) Si
An organic compound containing at least two carbon-carbon double bonds in one molecule reactive with an H group, (B) a silicon compound containing at least two SiH groups in one molecule, and (C) hydrosilyl It is a sealant containing a chemical conversion catalyst as an essential component. The present invention is also a method for sealing an electronic component, an electric circuit, an electric contact or a semiconductor, wherein the electronic component, the electric circuit, the electric contact or the semiconductor is sealed with the above-mentioned sealing agent. Furthermore, the present invention is also a method for manufacturing a semiconductor device, in which a semiconductor is sealed with the above sealing agent. Furthermore, the present invention is also a semiconductor device in which a semiconductor is sealed with the above-mentioned sealing agent. Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0008】まず、本発明における(A)成分について
説明する。(A)成分はSiH基と反応性を有する炭素
−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有
機化合物である。このような化合物としては、ポリシロ
キサン−有機ブロックコポリマーやポリシロキサン−有
機グラフトコポリマーのようなシロキサン単位(Si−
O−Si)を含むものではなく、構成元素としてC、
H、N、O、Sおよびハロゲンのみからなるものが好ま
しい。シロキサン単位を含むものの場合は、ガス透過性
やはじきの問題があるからである。Nおよび/またはS
を含むものの場合は硬化性が低くなる傾向があるため、
より好ましくはC、H、Oおよびハロゲンのみからなる
ものである。ハロゲンを含むものの場合は燃焼時に毒性
物質を発生する恐れがあるため、さらに好ましくはC、
HおよびOのみからなるものである。
First, the component (A) in the present invention will be described. The component (A) is an organic compound containing at least two carbon-carbon double bonds reactive with a SiH group in one molecule. Examples of such a compound include siloxane units (Si-organic block copolymers and polysiloxane-organic graft copolymers).
O-Si), but containing C,
Those consisting only of H, N, O, S and halogen are preferred. This is because those containing a siloxane unit have problems of gas permeability and repellency. N and / or S
In the case of containing, since the curability tends to be low,
More preferably, it is composed of only C, H, O and halogen. In the case of a substance containing halogen, a toxic substance may be generated during combustion.
It consists only of H and O.

【0009】(A)成分の構造を、骨格部分と、その骨
格に共有結合によって(場合によっては2価以上の置換
基を介して)結合していてかつSiH基と反応性を有す
る炭素−炭素二重結合を有する基(アルケニル基)とに
分けて表した場合、アルケニル基は分子内のどこに存在
してもよい。有機化合物である(A)成分の骨格として
は、特に限定はなく有機重合体骨格または有機単量体骨
格を用いればよい。
The structure of the component (A) is a carbon-carbon which is bonded to the skeleton by a covalent bond (possibly through a divalent or higher valent substituent) to the skeleton and has reactivity with the SiH group. When represented separately from a group having a double bond (alkenyl group), the alkenyl group may be present anywhere in the molecule. The skeleton of the component (A), which is an organic compound, is not particularly limited, and an organic polymer skeleton or an organic monomer skeleton may be used.

【0010】有機重合体骨格の例としては、ポリエーテ
ル系、ポリエステル系、ポリアリレート系、ポリカーボ
ネート系、飽和炭化水素系、ポリアクリル酸エステル
系、ポリアミド系、フェノール−ホルムアルデヒド系
(フェノール樹脂系)、ポリイミド系の骨格を用いるこ
とができる。このような骨格は線状であってよいし、枝
分かれ状であってもよい。また有機単量体骨格としては
例えばフェノール系、ビスフェノール系、ベンゼン、ナ
フタレンなどの芳香族炭化水素系、脂肪族炭化水素系、
およびこれらの混合物が挙げられる。(A)成分のアル
ケニル基としてはSiH基と反応性を有するものであれ
ば特に制限されないが、下記一般式(I)
Examples of the organic polymer skeleton include polyether type, polyester type, polyarylate type, polycarbonate type, saturated hydrocarbon type, polyacrylate type, polyamide type, phenol-formaldehyde type (phenol resin type), A polyimide skeleton can be used. Such a skeleton may be linear or branched. As the organic monomer skeleton, for example, phenol, bisphenol, benzene, aromatic hydrocarbons such as naphthalene, aliphatic hydrocarbons,
And mixtures thereof. The alkenyl group of the component (A) is not particularly limited as long as it has reactivity with a SiH group.

【0011】[0011]

【化1】 Embedded image

【0012】(式中Rは水素原子あるいはメチル基を
表す。)で示されるアルケニル基が反応性の点から好適
である。また、原料の入手の容易さからは、
An alkenyl group represented by the formula (wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group) is preferred from the viewpoint of reactivity. Also, from the availability of raw materials,

【0013】[0013]

【化2】 Embedded image

【0014】が特に好ましい。また、(A)成分のアル
ケニル基としては、下記一般式(II)
Is particularly preferred. The alkenyl group of the component (A) is represented by the following general formula (II)

【0015】[0015]

【化3】 Embedded image

【0016】(式中Rは水素原子あるいはメチル基を
表す。)で示されるアルケニル基が、硬化物の耐熱性が
高いという点から好適である。また、原料の入手の容易
さからは、
An alkenyl group represented by the formula (wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group) is preferable from the viewpoint that the cured product has high heat resistance. Also, from the availability of raw materials,

【0017】[0017]

【化4】 Embedded image

【0018】が特に好ましい。アルケニル基は2価以上
の置換基を介して(A)成分の骨格部分に共有結合して
いても良く、このような2価以上の置換基としては炭素
数0〜10の置換基であれば特に制限はないが、構成元
素としてC、H、N、O、Sおよびハロゲンのみからな
るものが好ましい。これらの置換基の例としては、
Is particularly preferred. The alkenyl group may be covalently bonded to the skeleton portion of the component (A) via a divalent or higher valent substituent. Such a divalent or higher valent substituent may be a substituent having 0 to 10 carbon atoms. Although there is no particular limitation, it is preferable that the element be composed of only C, H, N, O, S and halogen. Examples of these substituents include

【0019】[0019]

【化5】 Embedded image

【0020】[0020]

【化6】 Embedded image

【0021】等が挙げられる。また、これらの2価以上
の置換基の2つ以上が共有結合によりつながって1つの
2価以上の置換基を構成していてもよい。以上のような
骨格部分に共有結合する基の例としては、ビニル基、ア
リル基、メタリル基、アクリル基、メタクリル基、2−
ヒドロキシ−3−(アリルオキシ)プロピル基、2−ア
リルフェニル基、3−アリルフェニル基、4−アリルフ
ェニル基、2−(アリルオキシ)フェニル基、3−(ア
リルオキシ)フェニル基、4−(アリルオキシ)フェニ
ル基、2−(アリルオキシ)エチル基、2,2−ビス
(アリルオキシメチル)ブチル基、3−アリルオキシ−
2,2−ビス(アリルオキシメチル)プロピル基、
And the like. Also, two or more of these divalent or more substituents may be connected by a covalent bond to form one divalent or more substituent. Examples of the group covalently bonded to the skeleton as described above include a vinyl group, an allyl group, a methallyl group, an acryl group, a methacryl group,
Hydroxy-3- (allyloxy) propyl, 2-allylphenyl, 3-allylphenyl, 4-allylphenyl, 2- (allyloxy) phenyl, 3- (allyloxy) phenyl, 4- (allyloxy) phenyl Group, 2- (allyloxy) ethyl group, 2,2-bis (allyloxymethyl) butyl group, 3-allyloxy-
2,2-bis (allyloxymethyl) propyl group,

【0022】[0022]

【化7】 Embedded image

【0023】等が挙げられる。(A)成分としては、上
記のように骨格部分とアルケニル基とに分けて表現しが
たい、低分子量化合物も用いることができる。これらの
低分子量化合物の具体例としては、ブタジエン、イソプ
レン、オクタジエン、デカジエンなどの脂肪族鎖状ポリ
エン化合物系、シクロペンタジエン、シクロオクタジエ
ン、ジシクロペンタジエン、トリシクロペンタジエン、
ノルボルナジエンなどの脂肪族環状ポリエン化合物系、
ビニルシクロペンテン、ビニルシクロヘキセンなどの置
換脂肪族環状オレフィン化合物系などが挙げられる。
And the like. As the component (A), a low-molecular-weight compound which is difficult to be divided into a skeleton portion and an alkenyl group as described above can also be used. Specific examples of these low-molecular weight compounds include aliphatic chain polyene compounds such as butadiene, isoprene, octadiene, and decadiene, cyclopentadiene, cyclooctadiene, dicyclopentadiene, tricyclopentadiene,
Aliphatic cyclic polyene compounds such as norbornadiene,
Substituted aliphatic cyclic olefin compounds such as vinylcyclopentene and vinylcyclohexene are exemplified.

【0024】上記した(A)成分としては、耐熱性をよ
り向上し得るという観点からは、SiH基と反応性を有
する炭素−炭素二重結合を(A)成分1gあたり0.0
01mol以上含有するものが好ましく、1gあたり
0.005mol以上含有するものがより好ましく、
0.008mol以上含有するものが特に好ましい。具
体的な例としては、ブタジエン、イソプレン、ビニルシ
クロヘキセン、シクロペンタジエン、ジシクロペンタジ
エン、シクロヘキサジエン、デカジエン、ジアリルフタ
レート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、ペ
ンタエリスリトールトリアリルエーテル、ジビニルベン
ゼン類(純度50〜100%のもの、好ましくは純度8
0〜100%のもの)、1,3−ジイソプロペニルベン
ゼン、1,4−ジイソプロペニルベンゼン、およびそれ
らのオリゴマー、1,2−ポリブタジエン(1,2比率
10〜100%のもの、好ましくは1,2比率50〜1
00%のもの)、
From the viewpoint that the heat resistance can be further improved, the component (A) contains a carbon-carbon double bond having a reactivity with a SiH group in an amount of 0.0 / g of the component (A).
Those containing at least 01 mol are preferable, and those containing at least 0.005 mol per 1 g are more preferable.
Those containing 0.008 mol or more are particularly preferred. Specific examples include butadiene, isoprene, vinylcyclohexene, cyclopentadiene, dicyclopentadiene, cyclohexadiene, decadien, diallyl phthalate, trimethylolpropane diallyl ether, pentaerythritol triallyl ether, and divinylbenzenes (purity of 50 to 100%). Of, preferably a purity of 8
0-100%), 1,3-diisopropenylbenzene, 1,4-diisopropenylbenzene, and their oligomers, 1,2-polybutadiene (1,2-polybutadiene having a 1,2 ratio of 10 to 100%, preferably 1,2 ratio 50-1
00%),

【0025】[0025]

【化8】 Embedded image

【0026】などが挙げられる。(A)成分のSiH基
と反応性を有する炭素−炭素二重結合の数は、平均して
1分子当たり少なくとも2個あればよいが、耐熱性をよ
り向上し得るという観点から、2を超えることが好まし
く、3個以上であることがより好ましく、4個以上であ
ることが特に好ましい。(A)成分のSiH基と反応性
を有する炭素−炭素二重結合の数が1分子内当たり1個
以下の場合は、(B)成分と反応してもグラフト構造と
なるのみで架橋構造とならない。
And the like. The number of carbon-carbon double bonds reactive with the SiH group of the component (A) may be at least two per molecule on average, but exceeds 2 from the viewpoint that heat resistance can be further improved. The number is more preferably three or more, and particularly preferably four or more. When the number of carbon-carbon double bonds having reactivity with the SiH group of the component (A) is 1 or less per molecule, when the reaction with the component (B) occurs, only a graft structure is formed and a crosslinked structure is formed. No.

【0027】(A)成分としては、他の成分との均一な
混合、および良好な作業性を得るためには100℃以下
の温度において流動性があるものが好ましい。具体的に
は23℃における粘度が200Pa・s以下のものが好
ましく、50Pa・s以下のものがより好ましく、20
Pa・s以下であるものがさらに好ましい。
As the component (A), those which have fluidity at a temperature of 100 ° C. or less are preferable in order to obtain uniform mixing with other components and good workability. Specifically, the viscosity at 23 ° C. is preferably 200 Pa · s or less, more preferably 50 Pa · s or less, and 20 Pa · s or less.
More preferably, it is Pa · s or less.

【0028】(A)成分の分子量は特に制約はなく任意
のものが好適に使用できるが、より流動性を発現しやす
いという観点からは低分子量のものが好ましく用いられ
る。具体的には、分子量が50〜100,000のもの
が好ましく、50〜1,000のものがより好ましく、
50〜500のものがさらに好ましい。
The molecular weight of the component (A) is not particularly limited, and any one can be suitably used. However, a low molecular weight one is preferably used from the viewpoint that fluidity is more easily developed. Specifically, those having a molecular weight of 50 to 100,000 are preferable, those having a molecular weight of 50 to 1,000 are more preferable,
Those having 50 to 500 are more preferable.

【0029】さらに(B)成分との反応性を高めるた
め、(A)成分としては、SiH基と反応性を有するビ
ニル基を1分子中に少なくとも1個含有する有機化合物
であることが好ましく、さらに好ましくはビニル基を1
分子中に少なくとも2個含有する有機化合物であること
が好ましい。
In order to further enhance the reactivity with the component (B), the component (A) is preferably an organic compound containing at least one vinyl group reactive with a SiH group in one molecule. More preferably, one vinyl group
It is preferable that the organic compound contains at least two organic compounds in the molecule.

【0030】また、(B)成分との反応性をさらに高め
るため、(A)成分としては、SiH基と反応性を有す
るアリル基を1分子中に少なくとも1個含有する有機化
合物であることが好ましく、さらに好ましくはアリル基
を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物である
ことが好ましい。また、その工業的入手性の容易さか
ら、好ましい(A)成分の具体例としてポリブタジエ
ン、ビニルシクロヘキセン、シクロペンタジエン、ジシ
クロペンタジエン、ジビニルビフェニル、またはビスフ
ェノールAジアリルエーテルを挙げることが出来る。
In order to further increase the reactivity with the component (B), the component (A) may be an organic compound containing at least one allyl group reactive with a SiH group in one molecule. It is preferable that the organic compound has at least two allyl groups in one molecule. Further, specific examples of preferred component (A) include polybutadiene, vinylcyclohexene, cyclopentadiene, dicyclopentadiene, divinylbiphenyl, and bisphenol A diallyl ether because of their industrial availability.

【0031】また、(B)成分と良好な相溶性を有する
という観点からは、炭素−炭素二重結合を有する有機化
合物から選ばれた1種以上の化合物と、SiH基を有す
る鎖状及び/又は環状オルガノポリシロキサンとの反応
物も好ましい。この場合、反応物の(B)成分との相溶
性をさらに高めるために、反応物から未反応の炭素−炭
素二重結合を有する有機化合物などを脱揮などにより除
去したものを用いることもできる。
Further, from the viewpoint of having good compatibility with the component (B), one or more compounds selected from organic compounds having a carbon-carbon double bond and a chain having SiH groups and / or Alternatively, a reaction product with a cyclic organopolysiloxane is also preferable. In this case, in order to further increase the compatibility of the reactant with the component (B), a product obtained by removing an unreacted organic compound having a carbon-carbon double bond from the reactant by devolatilization or the like can be used. .

【0032】このような反応物である(A)成分の例と
しては、ビスフェノールAジアリルエーテルと1,3,
5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンの反応
物、ビニルシクロヘキセンと1,3,5,7−テトラメ
チルシクロテトラシロキサンの反応物、ジビニルベンゼ
ンと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキ
サンの反応物、ジシクロペンタジエンと1,3,5,7
−テトラメチルシクロテトラシロキサンの反応物などを
挙げることができる。上記したような各種(A)成分は
単独もしくは2種以上のものを混合して用いることが可
能である。
Examples of the component (A) which is such a reactant include bisphenol A diallyl ether and 1,3,3
Reaction product of 5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, reaction product of vinylcyclohexene and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, reaction product of divinylbenzene and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane Reactants, dicyclopentadiene and 1,3,5,7
A reaction product of -tetramethylcyclotetrasiloxane; The various components (A) as described above can be used alone or as a mixture of two or more.

【0033】次に、(B)成分である1分子中に少なく
とも2個のSiH基を有する化合物について説明する。
本発明に使用できるSiH基を有する化合物については
特に制限がなく、例えば国際公開WO96/15194
に記載される化合物で、1分子中に少なくとも2個のS
iH基を有するものなどが使用できる。これらのうち、
入手性の面からは、1分子中に少なくとも2個のSiH
基を有する鎖状及び/又は環状オルガノポリシロキサン
が好ましく、(A)成分との相溶性が良いという観点か
ら、さらに、下記一般式(III)
Next, the compound (B) having at least two SiH groups in one molecule will be described.
There is no particular limitation on the compound having a SiH group that can be used in the present invention. For example, International Publication WO 96/15194.
And at least two S in a molecule
Those having an iH group can be used. Of these,
In terms of availability, at least two SiHs per molecule
A chain and / or cyclic organopolysiloxane having a group is preferable, and from the viewpoint of good compatibility with the component (A), further, a compound represented by the following general formula (III):

【0034】[0034]

【化9】 Embedded image

【0035】(式中、Rは炭素数1〜6の有機基を表
し、nは3〜10の数を表す。)で表される、1分子中
に少なくとも2個のSiH基を有する環状オルガノポリ
シロキサンが好ましい。なお、一般式(III)で表さ
れる化合物中の置換基Rは、C、HおよびOから構成
されるものであることが好ましく、炭化水素基であるこ
とがより好ましい。
(Wherein R 2 represents an organic group having 1 to 6 carbon atoms, and n represents a number of 3 to 10), and a cyclic group having at least two SiH groups in one molecule. Organopolysiloxanes are preferred. In general formula (III) the substituent R 2 in the compound represented by, C, is preferably those composed of H and O, more preferably a hydrocarbon group.

【0036】(B)成分の分子量は特に制約はなく任意
のものが好適に使用できるが、より流動性を発現しやす
いという観点からは低分子量のものが好ましく用いられ
る。具体的には、分子量が50〜100,000のもの
が好ましく、50〜1,000のものがより好ましく、
50〜700のものがさらに好ましい。
The molecular weight of the component (B) is not particularly limited, and any one can be suitably used. However, a low molecular weight one is preferably used from the viewpoint of easier development of fluidity. Specifically, those having a molecular weight of 50 to 100,000 are preferable, those having a molecular weight of 50 to 1,000 are more preferable,
Those having 50 to 700 are more preferable.

【0037】また、前記(A)成分と良好な相溶性を有
するという観点からは、(B)成分としては、鎖状及び
/又は環状のハイドロジェンオルガノポリシロキサン
と、炭素−炭素二重結合を有する有機化合物から選ばれ
た1種以上の化合物(以降(E)成分と称する)との反
応物(この反応物は反応後も1分子中に少なくとも2個
のSiH基を含有する。例えば、ハイドロジェンポリシ
ロキサンと、そのハイドロジェンポリシロキサンに含有
されるSiH基のモル数より少ないモル数の炭素−炭素
二重結合を含有する有機化号物との反応物)も好まし
い。この場合、反応物の(A)成分との相溶性をさらに
高めるために、該反応物から未反応のハイドロジェンポ
リシロキサン類などを脱揮などにより除去したものを用
いることもできる。
From the viewpoint of having good compatibility with the component (A), as the component (B), a chain and / or cyclic hydrogen organopolysiloxane and a carbon-carbon double bond may be used. A reaction product with at least one compound selected from organic compounds having the same (hereinafter referred to as component (E)) (this reaction product still contains at least two SiH groups in one molecule even after the reaction. A reaction product of genpolysiloxane and an organic compound having a number of moles of carbon-carbon double bonds smaller than the number of moles of SiH groups contained in the hydrogenpolysiloxane is also preferable. In this case, in order to further increase the compatibility of the reactant with the component (A), an unreacted hydrogen polysiloxane or the like may be removed from the reactant by devolatilization or the like.

【0038】(E)成分はSiH基と反応性を有する炭
素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも1個含有する
有機化合物であって、前記(A)成分と同じ説明のもの
も使用できる。(B)成分の(A)成分に対する相溶性
が高くし得るという観点からは、(E)成分の好ましい
具体例として、ノボラックフェノールのアリルエーテル
およびビスフェノールAジアリルエーテル、2,2′−
ジアリルビスフェノールA、ジアリルフタレート、フタ
ル酸のビス(2−アリルオキシエチル)エステル、スチ
レン、α−メチルスチレン、アリル末端ポリプロピレン
オキシド及びポリエチレンオキシドなどが挙げられる。
(E)成分の有機化合物は、単独もしくは2種以上のも
のを混合して用いることが可能である。
The component (E) is an organic compound containing at least one carbon-carbon double bond having reactivity with a SiH group in one molecule, and the same explanation as the component (A) can be used. . From the viewpoint that the compatibility of the component (B) with the component (A) can be increased, preferred specific examples of the component (E) include allyl ether of novolac phenol and diallyl ether of bisphenol A, and 2,2′-.
Diallyl bisphenol A, diallyl phthalate, bis (2-allyloxyethyl) ester of phthalic acid, styrene, α-methylstyrene, allyl-terminated polypropylene oxide, polyethylene oxide and the like.
The organic compound (E) can be used alone or in combination of two or more.

【0039】(B)成分としては、他の成分との均一な
混合、および良好な作業性を得るためには100℃以下
の温度において流動性があるものが好ましい。具体的に
は23℃における粘度が200Pa・s以下のものが好
ましく、50Pa・s以下のものがより好ましく、20
Pa・s以下であるものがさらに好ましい。
As the component (B), those having fluidity at a temperature of 100 ° C. or less are preferable in order to obtain a uniform mixture with other components and good workability. Specifically, the viscosity at 23 ° C. is preferably 200 Pa · s or less, more preferably 50 Pa · s or less, and 20 Pa · s or less.
More preferably, it is Pa · s or less.

【0040】上記したような(B)成分の具体例として
は、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキ
サン、1,3,5,7,9−ペンタメチルシクロペンタ
シロキサン、ポリメチルハイドロジェンシロキサン、
1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン
とビスフェノールAジアリルエーテルの反応物、1,
3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとビ
ニルシクロヘキセンの反応物、1,3,5,7−テトラ
メチルシクロテトラシロキサンとジビニルベンゼンの反
応物、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロ
キサンとジシクロペンタジエンの反応物などを挙げるこ
とができる。上記したような各種(B)成分は単独もし
くは2種以上のものを混合して用いることが可能であ
る。
Specific examples of the above component (B) include 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, 1,3,5,7,9-pentamethylcyclopentasiloxane, polymethylhydro Gensiloxane,
A reaction product of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and bisphenol A diallyl ether,
Reaction product of 3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and vinylcyclohexene, reaction product of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and divinylbenzene, 1,3,5,7-tetramethylcyclotetra A reaction product of siloxane and dicyclopentadiene can be used. The various (B) components as described above can be used alone or in combination of two or more.

【0041】上記したような(A)成分/(B)成分の
組み合わせとしては、例えばビスフェノールAジアリル
エーテル/1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラ
シロキサン、ビスフェノールAジアリルエーテル/1,
3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとビ
スフェノールAジアリルエーテルの反応物、ビスフェノ
ールAジアリルエーテル/1,3,5,7−テトラメチ
ルシクロテトラシロキサンとビニルシクロヘキセンの反
応物、ビスフェノールAジアリルエーテル/1,3,
5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとジビニ
ルベンゼンの反応物、ビスフェノールAジアリルエーテ
ル/1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキ
サンとジシクロペンタジエンの反応物、1,2−ポリブ
タジエン/1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラ
シロキサン、1,2−ポリブタジエン/1,3,5,7
−テトラメチルシクロテトラシロキサンとビスフェノー
ルAジアリルエーテルの反応物、1,2−ポリブタジエ
ン/1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキ
サンとビニルシクロヘキセンの反応物、1,2−ポリブ
タジエン/1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラ
シロキサンとジビニルベンゼンの反応物、1,2−ポリ
ブタジエン/1,3,5,7−テトラメチルシクロテト
ラシロキサンとジシクロペンタジエンの反応物、ビスフ
ェノールAジアリルエーテルと1,2−ポリブタジエン
の混合物/1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラ
シロキサン、ビスフェノールAジアリルエーテルと1,
2−ポリブタジエンの混合物/1,3,5,7−テトラ
メチルシクロテトラシロキサンとビスフェノールAジア
リルエーテルの反応物、ビスフェノールAジアリルエー
テルと1,2−ポリブタジエンの混合物/1,3,5,
7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとビニルシク
ロヘキセンの反応物、ビスフェノールAジアリルエーテ
ルと1,2−ポリブタジエンの混合物/1,3,5,7
−テトラメチルシクロテトラシロキサンとジビニルベン
ゼンの反応物、ビスフェノールAジアリルエーテルと
1,2−ポリブタジエンの混合物/1,3,5,7−テ
トラメチルシクロテトラシロキサンとジシクロペンタジ
エンの反応物、2,2′−ジアリルビスフェノールAジ
アリルエーテル/1,3,5,7−テトラメチルシクロ
テトラシロキサン、2,2′−ジアリルビスフェノール
Aジアリルエーテル/1,3,5,7−テトラメチルシ
クロテトラシロキサンとビスフェノールAジアリルエー
テルの反応物、2,2′−ジアリルビスフェノールAジ
アリルエーテル/1,3,5,7−テトラメチルシクロ
テトラシロキサンとビニルシクロヘキセンの反応物、
2,2′−ジアリルビスフェノールAジアリルエーテル
/1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサ
ンとジビニルベンゼンの反応物、2,2′−ジアリルビ
スフェノールAジアリルエーテル/1,3,5,7−テ
トラメチルシクロテトラシロキサンとジシクロペンタジ
エンの反応物、ジビニルベンゼンと1,3,5,7−テ
トラメチルシクロテトラシロキサンの反応物/1,3,
5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとビスフ
ェノールAジアリルエーテルの反応物、ジビニルベンゼ
ンと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキ
サンの反応物/1,3,5,7−テトラメチルシクロテ
トラシロキサンとビニルシクロヘキセンの反応物、ジビ
ニルベンゼンと1,3,5,7−テトラメチルシクロテ
トラシロキサンの反応物/1,3,5,7−テトラメチ
ルシクロテトラシロキサンとジビニルベンゼンの反応
物、ジビニルベンゼンと1,3,5,7−テトラメチル
シクロテトラシロキサンの反応物/1,3,5,7−テ
トラメチルシクロテトラシロキサンとジシクロペンタジ
エンの反応物、などをはじめとして、(A)成分の具体
例として挙げたものおよびそれらの各種混合物/(B)
成分の具体例として挙げたものおよびそれらの各種混合
物、の各種組み合わせを挙げることができる。
Examples of the combination of component (A) / component (B) include bisphenol A diallyl ether / 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, bisphenol A diallyl ether / 1,
Reaction product of 3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and bisphenol A diallyl ether, bisphenol A diallyl ether / reaction product of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and vinylcyclohexene, bisphenol A diallyl ether / 1,3,3
Reaction product of 5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and divinylbenzene, bisphenol A diallyl ether / 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and reaction product of dicyclopentadiene, 1,2-polybutadiene / 1, 3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, 1,2-polybutadiene / 1,3,5,7
A reaction product of tetramethylcyclotetrasiloxane and bisphenol A diallyl ether, a reaction product of 1,2-polybutadiene / 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and vinylcyclohexene, 1,2-polybutadiene / 1,3 Reaction product of 1,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and divinylbenzene, reaction product of 1,2-polybutadiene / 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and dicyclopentadiene, bisphenol A diallyl ether and 1 Mixture of 1,2-polybutadiene / 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, bisphenol A diallyl ether and 1,
Mixture of 2-polybutadiene / 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and reaction product of bisphenol A diallyl ether, mixture of bisphenol A diallyl ether and 1,2-polybutadiene / 1,3,5,5
Reaction product of 7-tetramethylcyclotetrasiloxane and vinylcyclohexene, mixture of bisphenol A diallyl ether and 1,2-polybutadiene / 1,3,5,7
Reaction product of tetramethylcyclotetrasiloxane and divinylbenzene, mixture of bisphenol A diallyl ether and 1,2-polybutadiene / 1,3,5,7-reaction product of tetramethylcyclotetrasiloxane and dicyclopentadiene, 2,2 '-Diallylbisphenol A diallyl ether / 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, 2,2'-diallylbisphenol A diallyl ether / 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and bisphenol A diallyl A reactant of ether, a reactant of 2,2'-diallylbisphenol A diallyl ether / 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and vinylcyclohexene,
Reaction product of 2,2'-diallylbisphenol A diallyl ether / 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and divinylbenzene, 2,2'-diallylbisphenol A diallyl ether / 1,3,5,7- Reaction product of tetramethylcyclotetrasiloxane and dicyclopentadiene, reaction product of divinylbenzene and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane / 1,3,3
Reaction product of 5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and bisphenol A diallyl ether, reaction product of divinylbenzene and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane / 1,3,5,7-tetramethylcyclotetra Reaction product of siloxane and vinylcyclohexene, reaction product of divinylbenzene and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane / reaction product of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and divinylbenzene, divinylbenzene And the reaction product of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane / the reaction product of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and dicyclopentadiene. Examples and their various mixtures / (B)
Various combinations of those listed as specific examples of the components and various mixtures thereof can be given.

【0042】上記したような(A)成分と(B)成分の
混合比率は、必要な強度を失わない限りは特に限定され
ないが、一般に前記(A)成分中のSiH基と反応性を
有する炭素−炭素二重結合の数(X)と、前記(B)成
分中のSiH基の数(Y)との比が、2≧Y/X≧0.
5であることが好ましく。Y/X>2、あるいは0.5
>Y/Xの場合は、十分な硬化性が得られず、充分な強
度が得られない場合があり、耐熱性も低くなりうる。さ
らに、非着体との接着性が良好になり得るという観点か
ら、Y/X>1であることが好ましく、Y/X≧1.2
であることがより好ましい。
The mixing ratio of component (A) and component (B) as described above is not particularly limited as long as the required strength is not lost, but in general, carbon having reactivity with the SiH group in component (A) is used. -The ratio of the number of carbon double bonds (X) to the number of SiH groups (Y) in the component (B) is 2 ≧ Y / X ≧ 0.
It is preferably 5. Y / X> 2 or 0.5
If> Y / X, sufficient curability cannot be obtained, sufficient strength may not be obtained, and heat resistance may be low. Further, from the viewpoint that the adhesion to the non-adhered body can be improved, it is preferable that Y / X> 1 and Y / X ≧ 1.2.
Is more preferable.

【0043】次に(C)成分であるヒドロシリル化触媒
について説明する。ヒドロシリル化触媒としては、ヒド
ロシリル化反応の触媒活性があれば特に限定されない
が、例えば、白金の単体、アルミナ、シリカ、カーボン
ブラックなどの担体に固体白金を担持させたもの、塩化
白金酸、塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、ケトン
などとの錯体、白金−オレフィン錯体(例えば、Pt
(CH=CH(PPh、Pt(CH
CHCl)、白金−ビニルシロキサン錯体(例
えば、Pt(ViMeSiOSiMeVi)、P
t[(MeViSiO))、白金−ホスフィン錯
体(例えば、Pt(PPh、Pt(PB
)、白金−ホスファイト錯体(例えば、Pt
[P(OPh)、Pt[P(OBu)
(式中、Meはメチル基、Buはブチル基、Viはビニ
ル基、Phはフェニル基を表し、n、mは、整数を示
す。)、ジカルボニルジクロロ白金、カールシュテト
(Karstedt)触媒、また、アシュビー(Ash
by)の米国特許第3159601号および31596
62号明細書中に記載された白金−炭化水素複合体、な
らびにラモロー(Lamoreaux)の米国特許第3
220972号明細書中に記載された白金アルコラート
触媒が挙げられる。さらに、モディック(Modic)
の米国特許第3516946号明細書中に記載された塩
化白金−オレフィン複合体も本発明において有用であ
る。
Next, the hydrosilylation catalyst as the component (C) will be described. The hydrosilylation catalyst is not particularly limited as long as it has the catalytic activity of the hydrosilylation reaction, and examples thereof include a simple substance of platinum, alumina, silica, carbon black and the like on which solid platinum is supported, chloroplatinic acid, platinum chloride Complexes of acids with alcohols, aldehydes, ketones, etc., platinum-olefin complexes (for example, Pt
(CH 2 = CH 2) 2 (PPh 3) 2, Pt (CH 2 =
CH 2 ) 2 Cl 2 ), a platinum-vinylsiloxane complex (for example, Pt (ViMe 2 SiOSiMe 2 Vi) n , P
t [(MeViSiO) 4 ] m ), a platinum-phosphine complex (for example, Pt (PPh 3 ) 4 , Pt (PB
u 3 ) 4 ), a platinum-phosphite complex (for example, Pt
[P (OPh) 3 ] 4 , Pt [P (OBu) 3 ] 4 )
(In the formula, Me is a methyl group, Bu is a butyl group, Vi is a vinyl group, Ph is a phenyl group, and n and m are integers.), Dicarbonyldichloroplatinum, Karstedt's catalyst, Ashby (Ash
by) US Patents 3,159,601 and 31,596
No. 62, as well as the platinum-hydrocarbon complex described in Lamoreaux.
Platinum alcoholate catalysts described in U.S. Pat. No. 2,209,72. In addition, Modic
Platinum chloride-olefin complexes described in U.S. Pat. No. 3,516,946 are also useful in the present invention.

【0044】また、白金化合物以外の触媒の例として
は、RhCl(PPh)、RhCl、RhAl
、RuCl、IrCl、FeCl、AlC
、PdCl・2HO、NiCl、TiC
、などが挙げられる。これらの中では、触媒活性の
点から塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−ビニ
ルシロキサン錯体などが好ましい。また、これらの触媒
は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。
Examples of catalysts other than platinum compounds include RhCl (PPh) 3 , RhCl 3 , and RhAl 2 O
3 , RuCl 3 , IrCl 3 , FeCl 3 , AlC
l 3 , PdCl 2 .2H 2 O, NiCl 2 , TiC
l 4, and the like. Among these, chloroplatinic acid, a platinum-olefin complex, a platinum-vinylsiloxane complex and the like are preferable from the viewpoint of catalytic activity. These catalysts may be used alone or in combination of two or more.

【0045】ヒドロシリル化触媒の添加量は特に限定さ
れないが、十分な硬化性を有し、かつ封止剤のコストを
比較的低く抑えるために、(B)成分中のSiH基1モ
ルに対して、10−1〜10−8モルの範囲が好まし
く、より好ましくは、10−2〜10−6モルの範囲で
ある。また、上記触媒には助触媒を併用することが可能
であり、例としてトリフェニルホスフィンなどのリン系
化合物、ジメチルマレエートなどの1,2−ジエステル
系化合物、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−ブチンな
どのアセチレンアルコール系化合物、単体の硫黄などの
硫黄系化合物、トリエチルアミンなどのアミン系化合物
などが挙げられる。助触媒の添加量は特に限定されない
が、触媒1モルに対して、10−2〜10モルの範囲
が好ましく、より好ましくは10−1〜10モルの範囲
である。
The amount of the hydrosilylation catalyst to be added is not particularly limited. However, in order to have sufficient curability and keep the cost of the sealing agent relatively low, 1 mol of the SiH group in the component (B) is used. The range is preferably from 10 -1 to 10 -8 mol, more preferably from 10 -2 to 10 -6 mol. Further, a co-catalyst can be used in combination with the above-mentioned catalyst, and examples thereof include a phosphorus-based compound such as triphenylphosphine, a 1,2-diester-based compound such as dimethyl maleate, and 2-hydroxy-2-methyl-1. -Acetylene alcohol-based compounds such as butyne, sulfur-based compounds such as simple sulfur, and amine-based compounds such as triethylamine. The addition amount of the co-catalyst is not particularly limited, the catalyst 1 mol, preferably 10-2 to 2 mols, more preferably from 10 -1 to 10 mol.

【0046】さらに本発明の封止剤の保存安定性を改良
する目的、あるいは製造過程でのヒドロシリル化反応の
反応性を調整する目的で、硬化遅延剤を使用することが
できる。硬化遅延剤としては、脂肪族不飽和結合を含有
する化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物、窒素
含有化合物、スズ系化合物、有機過酸化物などが挙げら
れ、これらを併用してもかまわない。脂肪族不飽和結合
を含有する化合物として、プロパギルアルコール類、エ
ン−イン化合物類、マレイン酸エステル類などが例示さ
れる。有機リン化合物としては、トリオルガノフォスフ
ィン類、ジオルガノフォスフィン類、オルガノフォスフ
ォン類、トリオルガノフォスファイト類などが例示され
る。有機イオウ化合物としては、オルガノメルカプタン
類、ジオルガノスルフィド類、硫化水素、チアゾール、
ベンゾチアゾール、ベンゾチアゾールジサルファイドな
どが例示される。窒素含有化合物としては、アンモニ
ア、テトラメチルエチレンジアミンなどの1〜3級アル
キルアミン類、アリールアミン類、尿素、ヒドラジンな
どが例示される。スズ系化合物としては、ハロゲン化第
一スズ2水和物、カルボン酸第一スズなどが例示され
る。有機過酸化物としては、ジ−t−ブチルペルオキシ
ド、ジクミルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、
過安息香酸t−ブチルなどが例示される。
Further, a curing retarder can be used for the purpose of improving the storage stability of the sealant of the present invention or for adjusting the reactivity of the hydrosilylation reaction in the production process. Examples of the curing retarder include a compound containing an aliphatic unsaturated bond, an organic phosphorus compound, an organic sulfur compound, a nitrogen-containing compound, a tin-based compound, and an organic peroxide. These may be used in combination. Examples of the compound containing an aliphatic unsaturated bond include propargyl alcohols, ene-yne compounds, and maleic esters. Examples of the organic phosphorus compound include triorganophosphines, diorganophosphines, organophosphones, and triorganophosphites. Examples of the organic sulfur compound include organomercaptans, diorganosulfides, hydrogen sulfide, thiazole,
Benzothiazole, benzothiazole disulfide and the like are exemplified. Examples of the nitrogen-containing compound include ammonia, primary and secondary alkylamines such as tetramethylethylenediamine, arylamines, urea, and hydrazine. Examples of the tin compound include stannous halide dihydrate, stannous carboxylate, and the like. Organic peroxides include di-t-butyl peroxide, dicumyl peroxide, benzoyl peroxide,
Examples are t-butyl perbenzoate and the like.

【0047】これらの硬化遅延剤のうち、遅延活性が良
好で原料入手性がよいという観点からは、ベンゾチアゾ
ール、チアゾール、ジメチルマレート、3−ヒドロキシ
−3−メチル−1−ブチンが好ましい。高温での遅延活
性が良好であるという観点からはテトラメチルエチレン
ジアミン等のアルキルアミン類が好ましい。これらの硬
化遅延剤は単独で用いることもできるし、いくつかのも
のを併用することもできる。硬化遅延剤の添加量は、使
用するヒドロシリル化触媒1molに対し、10−1
10モルの範囲が好ましく、より好ましくは1〜50
モルの範囲である。
Among these curing retarders, benzothiazole, thiazole, dimethylmalate and 3-hydroxy-3-methyl-1-butyne are preferred from the viewpoint of good retarding activity and good raw material availability. Alkylamines such as tetramethylethylenediamine are preferred from the viewpoint of good delay activity at high temperatures. These curing retarders can be used alone or in combination. The amount of the curing retarder to be added is 10 -1 to 1 mol of the hydrosilylation catalyst used.
10 3 mols, more preferably from 1 to 50
Range of moles.

【0048】本発明の封止剤には必要に応じて無機フィ
ラーを添加してもよい。無機フィラーを添加すると、線
膨張係数の低減化、材料の高強度化に効果がある。無機
フィラーとしては、溶融シリカ、結晶性シリカ、超微粉
無定型シリカ、疎水性超微粉シリカ、球状シリカなどの
シリカ類、アルミナ、水酸化アルミニウム、タルク、硫
酸バリウムなどを挙げることができる。これらのうち硬
化反応を阻害し難く、線膨張係数の低減化効果が大きい
という観点からシリカ類が好ましく、添加した場合の粘
度が低くなるという観点から球状シリカがさらに好まし
い。これらの無機フィラーは低放射線性であることが好
ましい。無機フィラーの添加量はとくに限定されない
が、線膨張係数の低減化効果が高く、かつ封止剤の流動
性が良好であるという観点から、全封止剤中の50〜8
0重量%であることが好ましい。
The sealant of the present invention may optionally contain an inorganic filler. The addition of the inorganic filler is effective in reducing the coefficient of linear expansion and increasing the strength of the material. Examples of the inorganic filler include silica such as fused silica, crystalline silica, ultrafine amorphous silica, hydrophobic ultrafine silica, and spherical silica, alumina, aluminum hydroxide, talc, and barium sulfate. Among these, silicas are preferred from the viewpoint that they hardly inhibit the curing reaction and the effect of reducing the linear expansion coefficient is large, and spherical silica is more preferred from the viewpoint that the viscosity when added is low. It is preferable that these inorganic fillers have low radiation properties. The addition amount of the inorganic filler is not particularly limited, but from the viewpoint that the effect of reducing the linear expansion coefficient is high and the fluidity of the sealant is good, 50 to 8 of the total sealant is used.
It is preferably 0% by weight.

【0049】また更に、本発明の封止剤の特性を改質す
る目的で、種々の樹脂を添加することも可能である。樹
脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスル
ホン樹脂、ポリアリレート樹脂、エポキシ樹脂、シアナ
ート樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂及びポ
リエステル樹脂シリコーン樹脂などが例示されるがこれ
に限定されるものではない。樹脂としては各種エラスト
マーも添加することができる。
Further, various resins can be added for the purpose of modifying the properties of the sealant of the present invention. Examples of the resin include a polycarbonate resin, a polyether sulfone resin, a polyarylate resin, an epoxy resin, a cyanate resin, a phenol resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a polyvinyl acetal resin, a urethane resin, and a polyester resin silicone resin. It is not limited. Various elastomers can be added as the resin.

【0050】本発明の封止剤は上記各成分のみからなる
ものでも可能であるが、低粘度化などの目的で溶剤を配
合することもできる。使用できる溶剤は特に限定される
ものではなく、具体的に例示すれば、ベンゼン、トルエ
ン、ヘキサン、ヘプタンなどの炭化水素系溶媒、テトラ
ヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジエチルエーテル
などのエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン
などのケトン系溶媒、クロロホルム、塩化メチレン、
1,2−ジクロロエタンなどのハロゲン系溶媒を好適に
用いることができる。溶媒は2種類以上の混合溶媒とし
て用いることもできる。溶媒としては、トルエン、テト
ラヒドロフラン、クロロホルムが好ましい。使用する溶
媒量は、用いる反応性(A)成分1gに対し、0〜10
mLの範囲で用いるのが好ましく、0.5〜5mLの範
囲で用いるのがさらに好ましく、1〜3mLの範囲で用
いるのが特に好ましい。使用量が少ないと、低粘度化な
どの溶媒を用いることの効果が得られにくく、また、使
用量が多いと、材料に溶剤が残留して熱クラックなどの
問題となり易く、またコスト的にも不利になり工業的利
用価値が低下する。
The sealant of the present invention may be composed of only the above-mentioned components, but may also contain a solvent for the purpose of lowering the viscosity. Solvents that can be used are not particularly limited, and specific examples include hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, hexane, and heptane; ether solvents such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, and diethyl ether; and acetone. , Ketone solvents such as methyl ethyl ketone, chloroform, methylene chloride,
A halogen-based solvent such as 1,2-dichloroethane can be suitably used. The solvent can be used as a mixed solvent of two or more kinds. As the solvent, toluene, tetrahydrofuran and chloroform are preferred. The amount of the solvent used is 0 to 10 with respect to 1 g of the reactive (A) component used.
It is preferably used in the range of mL, more preferably in the range of 0.5 to 5 mL, and particularly preferably in the range of 1 to 3 mL. If the amount used is small, it is difficult to obtain the effect of using a solvent such as lowering the viscosity, and if the amount used is large, the solvent tends to remain in the material, easily causing problems such as thermal cracks, and also in terms of cost. It is disadvantageous and reduces the industrial use value.

【0051】本発明の封止剤には、接着性を付与するな
どの目的のためカップリング剤を添加することもでき
る。カップリング剤としては、例えば分子中にエポキシ
基、メタクリル基、アクリル基、イソシアネート基、イ
ソシアヌレート基、ビニル基、カルバメート基、SiH
基からなる群より選択される少なくとも1個の官能基
と、ケイ素原子結合アルコキシ基を有するシランカップ
リング剤を用いることができる。前記官能基について
は、中でも、硬化性及び接着性の点から、分子中にエポ
キシ基、メタクリル基、アクリル基が特に好ましい。具
体的に例示すると、エポキシ官能基とケイ素原子結合ア
ルコキシ基を有する有機ケイ素化合物としては3−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキ
シプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキ
シシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−
(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキ
シシランが挙げられる。また、メタクリル基あるいはア
クリル基とケイ素原子結合アルコキシ基を有する有機ケ
イ素化合物としては3−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキ
シシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メ
タクリロキシメチルトリメトキシシラン、メタクリロキ
シメチルトリエトキシシラン、アクリロキシメチルトリ
メトキシシラン、アクリロキシメチルトリエトキシシラ
ンが挙げられる。これらのうち硬化性を特に阻害せず接
着性付与効果が高いという観点から、エポキシ官能基と
ケイ素原子結合アルコキシ基を有するシランカップリン
グ剤が好ましく用いられる。具体的には、3−グリシド
キシプロピルトリメトキシシランが特に好ましく用いら
れる。これらのカップリング剤は、単独で使用してもよ
いし、2種類以上を混合して使用することもできる。
A coupling agent can be added to the sealant of the present invention for the purpose of imparting adhesiveness. As the coupling agent, for example, an epoxy group, a methacryl group, an acryl group, an isocyanate group, an isocyanurate group, a vinyl group, a carbamate group, SiH
A silane coupling agent having at least one functional group selected from the group consisting of groups and a silicon-bonded alkoxy group can be used. Among the above functional groups, an epoxy group, a methacryl group, and an acryl group are particularly preferable in the molecule from the viewpoint of curability and adhesiveness. Specifically, examples of the organosilicon compound having an epoxy functional group and a silicon-bonded alkoxy group include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, and 2- (3,4-epoxy). Cyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2-
(3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane. Examples of the organosilicon compound having a methacryl group or an acrylic group and a silicon-bonded alkoxy group include 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, and 3-acryloxy. Roxypropyltriethoxysilane, methacryloxymethyltrimethoxysilane, methacryloxymethyltriethoxysilane, acryloxymethyltrimethoxysilane, acryloxymethyltriethoxysilane. Of these, a silane coupling agent having an epoxy functional group and a silicon-bonded alkoxy group is preferably used from the viewpoint that the curability is not particularly hindered and the adhesion-imparting effect is high. Specifically, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane is particularly preferably used. These coupling agents may be used alone or in combination of two or more.

【0052】本発明の封止剤には、その他、老化防止
剤、ラジカル禁止剤、紫外線吸収剤、接着性改良剤、難
燃剤、界面活性剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止
剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、酸化防止剤、熱安定
剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、
リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、
物性調整剤などを本発明の目的および効果を損なわない
範囲において添加することができる。
The sealant of the present invention further includes an antioxidant, a radical inhibitor, an ultraviolet absorber, an adhesion improver, a flame retardant, a surfactant, a storage stability improver, an ozone deterioration inhibitor, a light stabilizer. Agents, thickeners, plasticizers, antioxidants, heat stabilizers, conductivity-imparting agents, antistatic agents, radiation blocking agents, nucleating agents,
Phosphorus peroxide decomposers, lubricants, pigments, metal deactivators,
A physical property modifier and the like can be added within a range that does not impair the purpose and effect of the present invention.

【0053】本発明の封止剤としては上記したように各
種組み合わせのものが使用できるが、耐熱性が良好であ
るという観点から、封止剤を硬化させて得られる硬化物
のTg(粘弾性測定のtanδのピーク温度)が50℃
以上となるものが好ましく、100℃以上となるものが
さらに好ましく、150℃以上となるものが特に好まし
い。
As the sealant of the present invention, various combinations can be used as described above. From the viewpoint of good heat resistance, the Tg (viscoelasticity) of the cured product obtained by curing the sealant is used. (Tan δ peak temperature) 50 ° C
It is preferable that the temperature is at least 100 ° C., more preferably at least 100 ° C., and particularly preferable is at least 150 ° C.

【0054】本発明の封止剤としては、良好な作業性を
得るためには100℃以下の温度において流動性がある
ものが好ましい。具体的には23℃における粘度が10
00Pa・s以下のものが好ましく、500Pa・s以
下のものがより好ましく、100Pa・s以下であるも
のがさらに好ましい。
The sealant of the present invention preferably has fluidity at a temperature of 100 ° C. or lower in order to obtain good workability. Specifically, the viscosity at 23 ° C. is 10
It is preferably at most 00 Pa · s, more preferably at most 500 Pa · s, even more preferably at most 100 Pa · s.

【0055】本発明の封止剤を用いて各種電子部品、電
気回路、電気接点あるいは半導体を封止することができ
る。ここでいう封止される各種電子部品、電気回路、電
気接点あるいは半導体については特に限定されないが、
電子部品としては例えばイグニッションコイルなどの自
動車電装品、フライバックトランス、コンデンサなどが
挙げられる。電気回路としては、各種基板が挙げられ
る。電気接点としては基板とケーブルの接続点、ケーブ
ルとケーブルの接続点あるいは基板同士の接続点、基板
と素子の接続点、ケーブルと素子の接続点などが挙げら
れる。半導体としてはトランジスタ、発光ダイオード、
ダイオードなどの他、メモリー、論理回路などの各種I
C、LSIが挙げられる。
Various electronic parts, electric circuits, electric contacts, or semiconductors can be sealed using the sealing agent of the present invention. There are no particular restrictions on the various electronic components, electrical circuits, electrical contacts or semiconductors to be sealed here,
The electronic components include, for example, automotive electrical components such as ignition coils, flyback transformers, capacitors, and the like. Various substrates can be used as the electric circuit. Examples of the electrical contact include a connection point between a board and a cable, a connection point between a cable and a cable or a connection point between boards, a connection point between a board and an element, a connection point between a cable and an element, and the like. Semiconductors include transistors, light-emitting diodes,
Diodes, memory, logic circuits, etc.
C and LSI.

【0056】具体的には、コンデンサ、トランジスタ、
ダイオード、発光ダイオード、IC、LSIなどのポッ
ティング、ディッピング、トランスファーモールド封
止、IC、LSI類のCOB、COF、TABなどとい
ったポッティング封止、フリップチップなどのアンダー
フィル、BGA、CSPなどのICパッケージ類実装時
の封止(アンダーフィル)などを挙げることができる。
Specifically, capacitors, transistors,
Potting, dipping, transfer mold sealing of diodes, light emitting diodes, ICs, LSIs, etc., potting sealing of ICs, LSIs such as COB, COF, TAB, underfills such as flip chips, IC packages such as BGA, CSP Sealing (underfill) at the time of mounting can be exemplified.

【0057】本発明の封止剤は、あらかじめ混合し、封
止剤中のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合
とSiH基の一部または全部を反応させることによって
硬化させて封止することができる。混合の方法として
は、各種方法をとることができるが、(A)成分に
(C)成分を混合したものと、(B)成分を混合する方
法が好ましい。(A)成分と(B)成分との混合物に
(C)成分を混合する方法だと反応の制御が困難であ
る。(B)成分に(C)成分を混合したものに(A)成
分を混合する方法をとる場合は、(C)成分の存在下
(B)成分が水分と反応性を有するため、貯蔵中などに
変質することもある。
The sealant of the present invention is mixed in advance, cured by reacting a carbon-carbon double bond having a reactivity with a SiH group in the sealant and part or all of the SiH group, and then cured and sealed. Can be stopped. Various methods can be used as the mixing method, but a method of mixing the component (A) with the component (C) and the component (B) is preferable. When the method of mixing the component (C) with the mixture of the component (A) and the component (B), it is difficult to control the reaction. When the method of mixing the component (A) with the mixture of the component (B) with the component (B) is used, the component (B) has a reactivity with moisture in the presence of the component (C), so that it is stored. It may be transformed into

【0058】封止剤を反応させて硬化させる場合におい
て、(A)、(B)、(C)各成分それぞれの必要量を
一度に混合して反応させてもよいが、一部を混合して反
応させた後残量を混合してさらに反応させる方法や、混
合した後反応条件の制御や置換基の反応性の差の利用に
より封止剤中の官能基の一部のみを反応(Bステージ
化)させてから成形などの処理を行いさらに硬化させる
方法をとることもできる。これらの方法によれば成形時
の粘度調整が容易となる。
In the case of curing by reacting the sealing agent, the necessary amounts of each of the components (A), (B) and (C) may be mixed and reacted at a time. And reacting only a part of the functional groups in the encapsulant by controlling the reaction conditions and utilizing the difference in the reactivity of the substituents after mixing. Stage), and then a process such as molding is performed to further cure. According to these methods, viscosity adjustment at the time of molding becomes easy.

【0059】以上のような混合物、あるいはBステージ
化物は室温、あるいは低温で実質的に硬化反応を進行さ
せずに保存すること(いわゆる一液化)も可能である。
そのために貯蔵安定性改良剤を必要に応じ添加すること
もできる。貯蔵安定性改良剤としては硬化遅延剤を用い
ることができ、硬化遅延剤の好ましい例、好ましい使用
量は前記のとおりである。
The above mixture or B-staged product can be stored at room temperature or low temperature without substantially proceeding the curing reaction (so-called one-pack).
Therefore, a storage stability improver can be added as needed. As the storage stability improver, a curing retarder can be used, and preferred examples and preferred amounts of the curing retarder are as described above.

【0060】硬化させる方法としては、単に混合するだ
けで反応させることもできるし、加熱して反応させるこ
ともできる。反応が速く、一般に耐熱性の高い材料が得
られやすいという観点から加熱して反応させる方法が好
ましい。
As a curing method, the reaction can be carried out simply by mixing, or the reaction can be carried out by heating. From the viewpoint that the reaction is fast and a material having high heat resistance is generally easily obtained, a method of performing the reaction by heating is preferable.

【0061】反応温度としては種々設定できるが、例え
ば30〜300℃の温度が適用でき、100〜250℃
がより好ましく、150〜200℃がさらに好ましい。
反応温度が低いと十分に反応させるための反応時間が長
くなり、反応温度が高いと成形加工が困難となりやす
い。反応は一定の温度で行ってもよいが、必要に応じて
多段階あるいは連続的に温度を変化させてもよい。反応
時間も種々設定できる。反応時の圧力も必要に応じ種々
設定でき、常圧、高圧、あるいは減圧状態で反応させる
こともできる。
The reaction temperature can be variously set, for example, a temperature of 30 to 300 ° C. can be applied, and a temperature of 100 to 250 ° C.
Is more preferable, and 150 to 200C is further preferable.
When the reaction temperature is low, the reaction time for causing a sufficient reaction is prolonged, and when the reaction temperature is high, molding tends to be difficult. The reaction may be performed at a constant temperature, but the temperature may be changed in multiple stages or continuously as needed. The reaction time can also be set variously. The pressure during the reaction can be variously set as required, and the reaction can be performed at normal pressure, high pressure, or reduced pressure.

【0062】封止する方法も従来の封止剤に用いられる
方法をはじめとして種々の方法をとることができる。例
えば、ポッティング、ディッピング、あるいはスクリー
ン印刷によって封止することもできるし、トランスファ
ーモールドなどのようにモールディング封止することも
できる。また、ディスペンスした後隙間に浸透させる方
法(アンダーフィル)によっても封止することができ
る。
Various methods can be used for sealing, including a method used for a conventional sealing agent. For example, it can be sealed by potting, dipping, or screen printing, or can be sealed by molding such as transfer molding. Alternatively, sealing can be performed by a method (underfill) of dispensing into a gap after dispensing.

【0063】成形時に必要に応じ各種処理を施すことも
できる。例えば、成形時に発生するボイドの抑制のため
に封止剤あるいは一部反応させた封止剤を遠心、減圧な
どにより脱泡する処理などを適用することもできる。本
発明の封止剤を用いて上記したような方法によって半導
体を封止することによって半導体装置を製造することが
できる。
Various processes can be performed as necessary during molding. For example, a treatment for removing bubbles by centrifuging, depressurizing, or the like can be applied to the sealing agent or a partially reacted sealing agent to suppress voids generated during molding. A semiconductor device can be manufactured by sealing a semiconductor by the method described above using the sealing agent of the present invention.

【0064】[0064]

【実施例】以下に、本発明の実施例および比較例を示す
が、本発明は以下によって限定されるものではない。 (合成例1)1Lの3つ口フラスコに、撹拌装置、冷却
管をセットした。このフラスコに、ビスフェノールA1
14g、炭酸カリウム145g、アリルブロマイド14
0g、アセトン250mLを入れ、60℃で12時間撹
拌した。上澄み液をとり、分液ロートで水酸化ナトリウ
ム水溶液により洗浄し、その後水洗した。油層を硫酸ナ
トリウムで乾燥させた後、エバポレーターで溶媒を留去
したところ、淡黄色の液体126gが得られた。H−
NMRにより、ビスフェノールAのOH基がアリルエー
テル化したビスフェノールAジアリルエーテルであるこ
とがわかった。収率は82%であり純度は95%以上で
あった。この化合物の粘度は0.05Pa・sであっ
た。
EXAMPLES Examples and comparative examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited by the following. (Synthesis Example 1) A stirrer and a condenser were set in a 1 L three-necked flask. In this flask, add bisphenol A1
14 g, potassium carbonate 145 g, allyl bromide 14
0 g and acetone (250 mL) were added, and the mixture was stirred at 60 ° C. for 12 hours. The supernatant was taken, washed with an aqueous sodium hydroxide solution using a separating funnel, and then washed with water. After the oil layer was dried over sodium sulfate, the solvent was distilled off using an evaporator, and 126 g of a pale yellow liquid was obtained. 1 H-
NMR revealed that bisphenol A was diallyl ether in which the OH group of bisphenol A was allyl etherified. The yield was 82% and the purity was 95% or more. The viscosity of this compound was 0.05 Pa · s.

【0065】(合成例2)1Lの3つ口フラスコに、撹
拌装置、冷却管をセットした。このフラスコに、合成例
1で合成したビスフェノールAジアリルエーテル500
gを入れ、200℃で4時間加熱撹拌し、淡黄色の液体
を得た。H−NMRにより、ビスフェノールAジアリ
ルエーテルのアリル基が転位した2,2′−ジアリルビ
スフェノールAであることがわかった。1Lの3つ口フ
ラスコに、撹拌装置、冷却管をセットした。このフラス
コにここで合成した2,2′−ジアリルビスフェノール
A154g、炭酸カリウム145g、アリルブロマイド
140g、アセトン250mLを入れ、60℃で12時
間撹拌した。上澄み液をとり、分液ロートで水酸化ナト
リウム水溶液により洗浄し、その後水洗した。油層を硫
酸ナトリウムで乾燥させた後、エバポレーターで溶媒を
留去したところ、淡黄色の液体170gが得られた。
H−NMRにより、2,2′−ジアリルビスフェノール
AのOH基がアリルエーテル化した2,2′−ジアリル
ビスフェノールAジアリルエーテルであることがわかっ
た。この化合物の粘度は19.5Pa・sであった。
(Synthesis Example 2) A stirrer and a condenser were set in a 1 L three-necked flask. In this flask, bisphenol A diallyl ether 500 synthesized in Synthesis Example 1 was added.
g was added and stirred at 200 ° C. for 4 hours to obtain a pale yellow liquid. 1 H-NMR revealed that the allyl group of bisphenol A diallyl ether was 2,2′-diallyl bisphenol A, which was rearranged. A stirrer and a condenser were set in a 1 L three-necked flask. In this flask, 154 g of 2,2'-diallylbisphenol A synthesized here, 145 g of potassium carbonate, 140 g of allyl bromide, and 250 mL of acetone were added and stirred at 60 ° C for 12 hours. The supernatant was taken, washed with an aqueous sodium hydroxide solution using a separating funnel, and then washed with water. After the oil layer was dried over sodium sulfate, the solvent was distilled off using an evaporator, and 170 g of a pale yellow liquid was obtained. 1
By H-NMR, it was found that the 2,2'-diallylbisphenol A diallyl ether was an allyl etherified 2,2'-diallylbisphenol A OH group. The viscosity of this compound was 19.5 Pa · s.

【0066】(合成例3)1Lの3つ口フラスコに、撹
拌装置、冷却管をセットした。このフラスコに、合成例
2で合成した2,2′−ジアリルビスフェノールAジア
リルエーテル100gを入れ、200℃で4時間加熱撹
拌し、淡黄色の液体を得た。H−NMRにより、2,
2′−ジアリルビスフェノールAジアリルエーテルのア
リル基が転位した2,2,2′,2′−テトラアリルビ
スフェノールAであることがわかった。この化合物の粘
度は10Pa・s未満であった。
(Synthesis Example 3) A stirrer and a condenser were set in a 1 L three-necked flask. 100 g of 2,2'-diallylbisphenol A diallyl ether synthesized in Synthesis Example 2 was placed in this flask, and heated and stirred at 200 ° C. for 4 hours to obtain a pale yellow liquid. According to 1 H-NMR, 2,
It was found that 2,2,2 ', 2'-tetraallylbisphenol A in which the allyl group of 2'-diallylbisphenol A diallyl ether was rearranged. The viscosity of this compound was less than 10 Pa · s.

【0067】(合成例4)1Lの4つ口フラスコに、攪
拌装置、冷却管、滴下漏斗をセットした。このフラスコ
にトルエン150g、白金ビニルシロキサン錯体のキシ
レン溶液(白金として3wt%含有)15.6μL、
1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン
500gを加えてオイルバス中で70℃に加温、攪拌し
た。合成例1で製造したビスフェノールAジアリルエー
テル64gをトルエン40gで希釈して滴下漏斗から滴
下した。同温で60分攪拌後放冷し、ベンゾチアゾール
4.74mgを添加した。未反応の1,3,5,7−テ
トラメチルシクロテトラシロキサンおよびトルエンを減
圧留去し、やや粘ちょうな液体を得た。H−NMRに
よりこのものは1,3,5,7−テトラメチルシクロテ
トラシロキサンのSiH基の一部がビスフェノールAジ
アリルエーテルと反応したもの(部分反応物Aと称す)
であることがわかった。この化合物の粘度は0.7Pa
・sであった。
(Synthesis Example 4) A stirrer, a condenser, and a dropping funnel were set in a 1 L four-necked flask. In this flask, 150 g of toluene, 15.6 μL of a xylene solution of platinum vinylsiloxane complex (containing 3 wt% as platinum),
500 g of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane was added, and the mixture was heated to 70 ° C. and stirred in an oil bath. 64 g of bisphenol A diallyl ether produced in Synthesis Example 1 was diluted with 40 g of toluene and added dropwise from a dropping funnel. After stirring at the same temperature for 60 minutes, the mixture was allowed to cool, and 4.74 mg of benzothiazole was added. Unreacted 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and toluene were distilled off under reduced pressure to obtain a slightly viscous liquid. According to 1 H-NMR, this was obtained by reacting a part of the SiH group of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane with bisphenol A diallyl ether (referred to as a partial reactant A)
It turned out to be. The viscosity of this compound is 0.7 Pa
-It was s.

【0068】(合成例5)100mLのナス型フラスコ
に、磁気攪拌子、冷却管をセットした。このフラスコに
1,3−ジオキソラン25g、トリアリルイソシアヌレ
ート2.5g、1,3,5,7−テトラメチルシクロテ
トラシロキサン19g、白金ビニルシロキサン錯体のキ
シレン溶液(白金として3wt%含有)45.4μL、
を加えてオイルバス中で80℃で3時間加温、攪拌し
た。放冷し、ベンゾチアゾール250mgを添加した。
未反応の1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシ
ロキサンおよびトルエンを減圧留去し、粘ちょうな液体
を得た(部分反応物Bと称す)。この化合物の粘度は1
Pa・s未満であった。
(Synthesis Example 5) A magnetic stirrer and a cooling tube were set in a 100 mL eggplant-shaped flask. In this flask, 25 g of 1,3-dioxolane, 2.5 g of triallyl isocyanurate, 19 g of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, 45.4 μL of a xylene solution of platinum vinylsiloxane complex (containing 3 wt% as platinum) ,
Was added and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 3 hours in an oil bath. The mixture was allowed to cool, and 250 mg of benzothiazole was added.
Unreacted 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and toluene were distilled off under reduced pressure to obtain a viscous liquid (referred to as partial reactant B). The viscosity of this compound is 1
It was less than Pa · s.

【0069】(実施例1)合成例1で合成したビスフェ
ノールAジアリルエーテル15.4g、1,3,5,7
−テトラメチルシクロテトラシロキサン(粘度は0.1
Pa・s未満)6.0g、白金ビニルシロキサン錯体の
キシレン溶液(白金として3wt%含有)2.65μL
とを混合して本発明の封止剤とした。この封止剤は粘度
を測定すると1.2Pa・sと非常に低粘度であった。
この封止剤をポリイミドフィルムをひいた金属缶中に入
れ室温で放置した。約10分後に発熱を伴って反応し硬
化した。さらにオーブン中で150℃/2時間硬化させ
ることにより十分硬化し低温速硬化性を示した。得られ
たサンプルの吸水性を測定した。測定はサンプルを純水
に23℃/24時間あるいは100℃/1時間浸漬した
後の重量変化を求めることによって行った。得られた吸
水率(23℃/24時間)は0.04%、吸水率(10
0℃/1時間)は0.2%と低い値であった。さらに得
られたサンプルの誘電特性を測定した。得られた値は誘
電率2.7、誘電正接0.01と良好な誘電特性を示し
た。得られたサンプルの耐熱性を測定した。粘弾性測定
によって行ったところ、tanδのピーク温度は80℃
であった。
Example 1 15.4 g of bisphenol A diallyl ether synthesized in Synthesis Example 1, 1, 3, 5, 7
-Tetramethylcyclotetrasiloxane (viscosity of 0.1
6.0 g, xylene solution of platinum vinyl siloxane complex (containing 3 wt% as platinum) 2.65 μL
Were mixed to form a sealant of the present invention. The viscosity of this sealant was very low at 1.2 Pa · s when the viscosity was measured.
This sealant was placed in a metal can covered with a polyimide film and left at room temperature. After about 10 minutes, the reaction was exothermic and cured. Further, by curing at 150 ° C. for 2 hours in an oven, the composition was sufficiently cured, and showed low-temperature rapid curing property. The water absorption of the obtained sample was measured. The measurement was performed by determining the weight change after immersing the sample in pure water at 23 ° C./24 hours or 100 ° C./1 hour. The obtained water absorption (23 ° C./24 hours) was 0.04%, and the water absorption (10
(0 ° C./1 hour) was as low as 0.2%. Further, the dielectric properties of the obtained sample were measured. The obtained values showed a good dielectric property of a dielectric constant of 2.7 and a dielectric loss tangent of 0.01. The heat resistance of the obtained sample was measured. According to the viscoelasticity measurement, the peak temperature of tan δ was 80 ° C.
Met.

【0070】(実施例2)1,2−ポリブタジエン(日
本曹達、B−1000、粘度は20Pa・s未満)6.
0g、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロ
キサン6.0g、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン
溶液(白金として3wt%含有)52.9μLとを混合
して本発明の封止剤とした。この封止剤は粘度を測定す
ると3.3Pa・sと非常に低粘度であった。この封止
剤をポリイミドフィルムをひいた金属缶中に入れ、オー
ブン中で150℃/2時間硬化させることにより十分硬
化し低温速硬化性を示した。実施例1と同様の方法によ
って得られたサンプルの吸水性および誘電特性を測定し
た。得られた吸水率(23℃/24時間)は0.04
%、吸水率(100℃/1時間)は0.2%と低い値で
あり、誘電率は2.4、誘電正接は0.003と良好な
誘電特性を示した。得られたサンプルの耐熱性を測定し
た。測定は粘弾性測定によって行った。400℃までの
測定で、弾性率の低下、tanδのピークとも観測され
ず、高い耐熱性を示した。
Example 2 1,2-polybutadiene (Nippon Soda, B-1000, viscosity less than 20 Pa · s)
0 g, 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, 6.0 g, and 52.9 μL of a xylene solution of platinum vinylsiloxane complex (containing 3 wt% as platinum) were used as a sealant of the present invention. The viscosity of this sealant was very low at 3.3 Pa · s when measured for viscosity. This sealant was placed in a metal can covered with a polyimide film and cured in an oven at 150 ° C. for 2 hours to sufficiently cure and exhibit low-temperature rapid curing. The water absorption and the dielectric properties of the sample obtained in the same manner as in Example 1 were measured. The obtained water absorption (23 ° C./24 hours) is 0.04
%, The water absorption (100 ° C./1 hour) was a low value of 0.2%, and the dielectric constant was 2.4, and the dielectric loss tangent was 0.003, showing good dielectric properties. The heat resistance of the obtained sample was measured. The measurement was performed by viscoelasticity measurement. In the measurement up to 400 ° C., neither a decrease in the elastic modulus nor a peak of tan δ was observed, indicating high heat resistance.

【0071】(実施例3)合成例2で合成した2,2′
−ジアリルビスフェノールAジアリルエーテル9.7g
と、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキ
サン6.0gと、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン
溶液(白金として3wt%含有)2.65μLとを混合
して本発明の封止剤とした。この封止剤の粘度は20P
a・s以下であった。この封止剤をポリイミドフィルム
をひいた金属缶中に入れ、オーブン中で150℃/2時
間硬化させることにより十分硬化し低温速硬化性を示し
た。実施例1と同様の方法によって得られたサンプルの
吸水性を測定した。得られた吸水率(100℃/1時
間)は0.2%と低い値であった。得られたサンプルの
耐熱性を測定した。粘弾性測定によって行ったところ、
tanδのピーク温度は105℃であった。
(Example 3) 2,2 'synthesized in Synthesis Example 2
-9.7 g of diallyl bisphenol A diallyl ether
And 6.0 g of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and 2.65 μL of a xylene solution of platinum vinylsiloxane complex (containing 3 wt% as platinum) to obtain a sealant of the present invention. . The viscosity of this sealant is 20P
a · s or less. This sealant was placed in a metal can covered with a polyimide film and cured in an oven at 150 ° C. for 2 hours to sufficiently cure and exhibit low-temperature rapid curing. The water absorption of the sample obtained in the same manner as in Example 1 was measured. The obtained water absorption (100 ° C./1 hour) was a low value of 0.2%. The heat resistance of the obtained sample was measured. According to the viscoelasticity measurement,
The peak temperature of tan δ was 105 ° C.

【0072】(実施例4〜12)表1に示すとおり
(A)成分、(B)成分、(C)成分を混合し、本発明
の封止剤とした(合成例で示したように部分反応物Aお
よびBは本発明の(C)成分としての白金ビニルシロキ
サン錯体を含有している。)。封止剤の粘度は各表に示
す通りであった。なお、表中、上記ビニルベンゼン、ジ
ビニルビフェニル、4−ビニルシクロヘキセン、トリア
リルイソシアヌレート及びトリビニルシクロヘキサンの
粘度は、いずれも0.1Pa・s未満であった。
(Examples 4 to 12) As shown in Table 1, component (A), component (B) and component (C) were mixed to obtain a sealant of the present invention. Reactants A and B contain the platinum vinyl siloxane complex as component (C) of the present invention.) The viscosity of the sealant was as shown in each table. In the table, the viscosities of the above-mentioned vinylbenzene, divinylbiphenyl, 4-vinylcyclohexene, triallyl isocyanurate and trivinylcyclohexane were all less than 0.1 Pa · s.

【0073】[0073]

【表1】 [Table 1]

【0074】これらの封止剤をポリイミドフィルムをひ
いた金属缶中に入れ、オーブン中で200℃/2時間硬
化させることにより十分硬化し、透明均一な硬化物を与
えた。得られたサンプルの耐熱性を測定した。測定は粘
弾性測定によって行った。実施例4の場合、400℃ま
での測定で、弾性率の低下、tanδのピークとも観測
されず、高い耐熱性を示した。実施例5の場合、tan
δのピーク温度は110℃であった。実施例7の場合、
tanδのピーク温度は150℃であった。
These sealants were placed in a metal can covered with a polyimide film and cured in an oven at 200 ° C. for 2 hours to sufficiently cure to give a transparent and uniform cured product. The heat resistance of the obtained sample was measured. The measurement was performed by viscoelasticity measurement. In the case of Example 4, no decrease in elastic modulus and no peak of tan δ were observed in the measurement up to 400 ° C., indicating high heat resistance. In the case of Example 5, tan
The peak temperature of δ was 110 ° C. In the case of Example 7,
The peak temperature of tan δ was 150 ° C.

【0075】(比較例1)ビスフェノールA型エポキシ
樹脂(油化シェルエポキシ、エピコート828)10.
0g、酸無水物型硬化剤(油化シェルエポキシ、エピキ
ュアYH306)12.0g、硬化促進剤(油化シェル
エポキシ、エピキュア3010)1.0gを混合し封止
剤とした。この封止剤をポリイミドフィルムをひいた金
属缶中に入れ、オーブン中で150℃/12時間硬化さ
せた。実施例1と同様の方法によって得られたサンプル
の吸水性を測定した。得られた吸水率(23℃/24時
間)は0.7%、吸水率(100℃/1時間)は3.7
%と高い値であった。
(Comparative Example 1) Bisphenol A type epoxy resin (oiled shell epoxy, Epikote 828)
0 g, an acid anhydride type curing agent (oiled shell epoxy, Epicure YH306) 12.0 g, and a curing accelerator (oiled shell epoxy, Epicure 3010) 1.0 g were mixed to form a sealant. This sealant was placed in a metal can covered with a polyimide film and cured in an oven at 150 ° C. for 12 hours. The water absorption of the sample obtained in the same manner as in Example 1 was measured. The obtained water absorption (23 ° C./24 hours) is 0.7%, and the water absorption (100 ° C./1 hour) is 3.7.
%.

【0076】(実施例13)合成例1で合成したビスフ
ェノールAジアリルエーテル6.2gと、合成例4で合
成した部分反応物A5.2g、球状シリカ(日本化学、
シルスターMF−10)11.4gを混合し、本発明の
封止剤として真空下で2時間脱揮した。(合成例1で示
したように部分反応物Aは本発明の(C)成分としての
白金ビニルシロキサン錯体を含有している。)この封止
剤は粘度を測定すると、5Pa・sであった。本封止剤
を用いてエポキシFRPおよびアルミ基材を接着し、J
ISK6850に従ってせん断接着力を測定した。得ら
れた値はエポキシFRP被着体に対して5.2MPa、
アルミ被着体に対して3.8MPaであり十分な接着力
を示した。
Example 13 6.2 g of bisphenol A diallyl ether synthesized in Synthesis Example 1, 5.2 g of the partially reacted product A synthesized in Synthesis Example 4, spherical silica (Nippon Chemical,
11.4 g of SILSTAR MF-10) was mixed and devolatilized under vacuum for 2 hours as a sealant of the present invention. (As shown in Synthesis Example 1, partial reactant A contains a platinum vinyl siloxane complex as component (C) of the present invention.) The viscosity of this sealant was 5 Pa · s when measured. . Adhesion of epoxy FRP and aluminum substrate using this sealant, J
Shear adhesion was measured according to ISK6850. The value obtained was 5.2 MPa for the epoxy FRP adherend,
It was 3.8 MPa with respect to the aluminum adherend, indicating a sufficient adhesive strength.

【0077】(実施例14〜21)合成例1で合成した
ビスフェノールAジアリルエーテル15.4g、合成例
4で合成した部分反応物A13.1g、および表2に示
した添加剤を混合し、本発明の封止剤とした。(合成例
で示したように部分反応物Aは本発明の(C)成分とし
ての白金ビニルシロキサン錯体を含有している。)この
封止剤をガラス基材上に塗布し、オーブン中で200℃
/2時間硬化させることにより十分硬化し、透明均一な
塗膜を与えた。得られた塗膜の密着性をJISK540
0に従って碁盤目テープ法で評価した。
(Examples 14 to 21) 15.4 g of bisphenol A diallyl ether synthesized in Synthesis Example 1, 13.1 g of the partially reacted product A synthesized in Synthesis Example 4, and the additives shown in Table 2 were mixed. The sealing agent of the present invention was used. (As shown in the synthesis example, the partial reactant A contains the platinum vinyl siloxane complex as the component (C) of the present invention.) This sealing agent is applied on a glass substrate, and is placed in an oven for 200 hours. ° C
/ 2 hours to sufficiently cure to give a transparent and uniform coating film. The adhesion of the obtained coating film was measured according to JIS K540.
According to 0, evaluation was made by the crosscut tape method.

【0078】[0078]

【表2】 [Table 2]

【0079】以上から本発明の封止剤にカップリング
剤、フィラー等の添加剤の添加が可能であり、これらの
添加により接着性その他の物性が改良可能であることが
わかる。
From the above, it can be seen that additives such as a coupling agent and a filler can be added to the sealant of the present invention, and the adhesion and other physical properties can be improved by these additions.

【0080】(実施例22〜24)合成例1で合成した
ビスフェノールAジアリルエーテルおよび合成例4で合
成した部分反応物Aを表3に示すとおり混合し、本発明
の封止剤とした。(合成例で示したように部分反応物A
は本発明の(C)成分としての白金ビニルシロキサン錯
体を含有している。)この封止剤をガラス基材および銅
基材上に塗布し、オーブン中で200℃/2時間硬化さ
せることにより十分硬化し、透明均一な塗膜を与えた。
得られた塗膜の密着性をJISK5400に従って碁盤
目テープ法で評価した。
(Examples 22 to 24) Bisphenol A diallyl ether synthesized in Synthesis Example 1 and partial reactant A synthesized in Synthesis Example 4 were mixed as shown in Table 3 to obtain a sealant of the present invention. (As shown in the synthesis example, partial reactant A
Contains a platinum vinyl siloxane complex as the component (C) of the present invention. ) This sealant was applied on a glass substrate and a copper substrate, and was sufficiently cured by curing in an oven at 200 ° C for 2 hours to give a transparent and uniform coating film.
The adhesiveness of the obtained coating film was evaluated by a grid tape method according to JIS K5400.

【0081】[0081]

【表3】 [Table 3]

【0082】以上から本発明の封止剤は封止剤中の炭素
−炭素二重結合とSiH基との比率を変化させても硬化
可能であり、これにより接着性その他の物性が改良可能
であることがわかる。
As described above, the sealant of the present invention can be cured even when the ratio of the carbon-carbon double bond to the SiH group in the sealant is changed, whereby the adhesion and other physical properties can be improved. You can see that there is.

【0083】[0083]

【発明の効果】本発明の封止剤は、低吸湿性、低粘度、
低温速硬化性、低誘電率、低誘電正接を示す。また本発
明の封止剤は十分な接着性を有しており、本発明の封止
剤によって良好に電子部品、電気回路あるいは半導体等
を実用的に封止することが可能であり、信頼性、高周波
特性の高い半導体装置を製造可能である。
The sealant of the present invention has low hygroscopicity, low viscosity,
Shows low-temperature fast curing, low dielectric constant, and low dielectric loss tangent. Further, the sealant of the present invention has sufficient adhesiveness, and can effectively seal electronic components, electric circuits, semiconductors, and the like with the sealant of the present invention, and has high reliability. In addition, a semiconductor device having high high-frequency characteristics can be manufactured.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4H017 AA04 AB16 AC19 AD06 AE05 4J002 CP04X GQ05 4M109 AA01 CA04 CA07 CA12 CA21 CA26 EA20 EC01 EC05 EC20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4H017 AA04 AB16 AC19 AD06 AE05 4J002 CP04X GQ05 4M109 AA01 CA04 CA07 CA12 CA21 CA26 EA20 EC01 EC05 EC20

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)SiH基と反応性を有する炭素−
炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機
化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を
含有するケイ素化合物、および(C)ヒドロシリル化触
媒、を必須成分として含有することを特徴とする封止
剤。
(A) a carbon having a reactivity with a SiH group;
Organic compounds containing at least two carbon double bonds in one molecule, (B) a silicon compound containing at least two SiH groups in one molecule, and (C) a hydrosilylation catalyst as essential components. A sealant characterized by the above-mentioned.
【請求項2】 上記(A)成分が、SiH基と反応性を
有する炭素−炭素二重結合を(A)成分1gあたり0.
001mol以上含有するものであることを特徴とす
る、請求項1に記載の封止剤。
2. The component (A) has a carbon-carbon double bond reactive with a SiH group in an amount of 0.1 g / g of the component (A).
The sealant according to claim 1, wherein the sealant is contained in an amount of 001 mol or more.
【請求項3】 上記(A)成分が、構成元素としてC、
H、Oおよびハロゲンのみからなるものであることを特
徴とする、請求項1または2に記載の封止剤。
3. The composition according to claim 1, wherein the component (A) is C,
The sealant according to claim 1, comprising only H, O, and halogen.
【請求項4】 上記(A)成分が、SiH基と反応性を
有するビニル基を1分子中に少なくとも1個含有する有
機化合物であることを特徴とする、請求項1〜3のいず
れか1項に記載の封止剤。
4. The method according to claim 1, wherein the component (A) is an organic compound containing at least one vinyl group reactive with a SiH group in one molecule. The sealant according to item.
【請求項5】 上記(B)成分の分子量が50〜700
であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項
に記載の封止剤。
5. The molecular weight of the component (B) is from 50 to 700.
The sealant according to any one of claims 1 to 4, wherein
【請求項6】 23℃における粘度が1000Pa・s
以下であり、23℃で液状であることを特徴とする、請
求項1〜5のいずれか1項に記載の封止剤。
6. A viscosity at 23 ° C. of 1000 Pa · s
The sealant according to any one of claims 1 to 5, wherein the sealant is liquid at 23 ° C.
【請求項7】 半導体を封止するために用いられる請求
項6に記載の封止剤。
7. The sealant according to claim 6, which is used for sealing a semiconductor.
【請求項8】 請求項1〜6のいずれか1項に記載の封
止剤によって電子部品、電気回路、電気接点あるいは半
導体を封止することを特徴とする、電子部品、電気回
路、電気接点あるいは半導体の封止方法。
8. An electronic component, an electric circuit, an electric contact, wherein an electronic component, an electric circuit, an electric contact or a semiconductor is sealed with the encapsulant according to any one of claims 1 to 6. Or a semiconductor sealing method.
【請求項9】 請求項7に記載の封止剤によって半導体
を封止することを特徴とする、半導体の封止方法。
9. A method for sealing a semiconductor, comprising sealing the semiconductor with the sealing agent according to claim 7.
【請求項10】 請求項1〜7のいずれか1項に記載の
封止剤によって半導体を封止することを特徴とする、半
導体装置の製造方法。
10. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: sealing a semiconductor with the sealing agent according to claim 1. Description:
【請求項11】 請求項1〜7のいずれか1項に記載の
封止剤によって半導体が封止されてなる半導体装置。
11. A semiconductor device in which a semiconductor is sealed by the sealant according to claim 1.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003091338A1 (en) * 2002-04-26 2003-11-06 Kaneka Corporation Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product
US7785715B2 (en) 2003-02-25 2010-08-31 Kaneka Corporation Curable composition and method of preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method of forming same, light-emitting diode package and semiconductor device
US7799887B2 (en) 2005-02-24 2010-09-21 Adeka Corporation Silicon-containing curable composition and its cured product
JP2011527356A (en) * 2008-07-09 2011-10-27 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン Polymerizable composition
US8273842B2 (en) 2007-11-09 2012-09-25 Kaneka Corporation Process for production of cyclic polyorganosiloxane, curing agent, curable composition, and cured product of the curable composition
US8809414B2 (en) 2008-10-02 2014-08-19 Kaneka Corporation Photocurable composition and cured product
US9464172B2 (en) 2007-12-10 2016-10-11 Kaneka Corporation Alkali-developable curable composition, insulating thin film using the same, and thin film transistor
JP2017008312A (en) * 2015-06-22 2017-01-12 味の素株式会社 Resin composition for mold underfill
WO2023276760A1 (en) * 2021-06-30 2023-01-05 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 Allyl ether compound, resin composition thereof, cured product thereof, and method for producing allyl ether compound

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003091338A1 (en) * 2002-04-26 2003-11-06 Kaneka Corporation Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product
US7371462B2 (en) 2002-04-26 2008-05-13 Kaneka Corporation Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product
US7785715B2 (en) 2003-02-25 2010-08-31 Kaneka Corporation Curable composition and method of preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method of forming same, light-emitting diode package and semiconductor device
US7799887B2 (en) 2005-02-24 2010-09-21 Adeka Corporation Silicon-containing curable composition and its cured product
US8273842B2 (en) 2007-11-09 2012-09-25 Kaneka Corporation Process for production of cyclic polyorganosiloxane, curing agent, curable composition, and cured product of the curable composition
US9464172B2 (en) 2007-12-10 2016-10-11 Kaneka Corporation Alkali-developable curable composition, insulating thin film using the same, and thin film transistor
JP2011527356A (en) * 2008-07-09 2011-10-27 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン Polymerizable composition
US8809414B2 (en) 2008-10-02 2014-08-19 Kaneka Corporation Photocurable composition and cured product
JP2017008312A (en) * 2015-06-22 2017-01-12 味の素株式会社 Resin composition for mold underfill
WO2023276760A1 (en) * 2021-06-30 2023-01-05 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 Allyl ether compound, resin composition thereof, cured product thereof, and method for producing allyl ether compound

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