JP2002189058A - Semiconductor device testing apparatus - Google Patents

Semiconductor device testing apparatus

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JP2002189058A
JP2002189058A JP2000386298A JP2000386298A JP2002189058A JP 2002189058 A JP2002189058 A JP 2002189058A JP 2000386298 A JP2000386298 A JP 2000386298A JP 2000386298 A JP2000386298 A JP 2000386298A JP 2002189058 A JP2002189058 A JP 2002189058A
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under test
test pattern
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Hideji Goto
秀児 後藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device testing apparatus, capable of simultaneously testing a plurality of semiconductor devices, when the timing of a test pattern signal applied on a specied pin by each semiconductor device to be tested must be selected to timing which is suitable for each device. SOLUTION: A changeover means 16 is provided on the partial channel of the supply system path of the test pattern signal applied on each semiconductor device, and the test pattern signal of the other channel is selected by the changeover means to be applied on the specied pin of the semiconductor device to be tested.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は例えば演算処理装
置(CPU)のようなロジック回路で構成される半導体
デバイスを試験する半導体デバイス試験装置に関し、特
に各被試験半導体デバイス毎に異なるタイミングの試験
パターン信号を印加しなければならない場合でも同時に
複数の被試験半導体デバイスを試験することができる構
成を付加した半導体デバイス試験装置を提供しようとす
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device test apparatus for testing a semiconductor device constituted by a logic circuit such as an arithmetic processing unit (CPU), and more particularly to a test pattern having a different timing for each semiconductor device under test. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device test apparatus having a configuration capable of simultaneously testing a plurality of semiconductor devices under test even when a signal must be applied.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3に一般に用いられている半導体デバ
イス試験装置の概要を示す。一般に半導体デバイス試験
装置はタイミング発生器11と、パターン発生器12
と、波形整形器13、論理比較器14とによって構成さ
れ、被試験半導体デバイスDUTが正常に動作するか否
かを試験する。つまり、タイミング発生器11で発生す
る基準クロックに従ってパターン発生器12は被試験半
導体デバイスDUTに対してアドレス信号、試験パター
ンデータ、制御信号から成る試験パターン信号を発生す
る。これらの試験パターン信号は波形整形器13に与え
られ、試験に必要な波形に整形して被試験半導体デバイ
スDUTに印加される。
2. Description of the Related Art FIG. 3 shows an outline of a generally used semiconductor device test apparatus. Generally, a semiconductor device test apparatus includes a timing generator 11 and a pattern generator 12.
, A waveform shaper 13 and a logic comparator 14 for testing whether the semiconductor device under test DUT operates normally. That is, the pattern generator 12 generates a test pattern signal including an address signal, test pattern data, and a control signal for the semiconductor device under test DUT according to the reference clock generated by the timing generator 11. These test pattern signals are applied to the waveform shaper 13, shaped into a waveform required for the test, and applied to the semiconductor device under test DUT.

【0003】被試験半導体デバイスDUTは制御信号に
よって試験パターン信号の書き込み、読み出しの制御が
行われる。被試験デバイスDUTから読み出された試験
パターン信号は論理比較器14に与えられ、この論理比
較器14でパターン発生器12から出力される期待値デ
ータと読出データとが比較され、その一致、不一致によ
り被試験半導体デバイスDUTの良否判定が行われる。
波形整形器13は、例えば1024チャンネルの試験パ
ターン信号の供給系路を具備し、この1024チャンネ
ルの試験パターン信号供給系路を例えば32チャンネル
毎に仕分けし、32ピンの被試験メモリを32個(32
×32=1024)ずつ同時に試験を行ったり、或いは
ロジック系のデバイスの場合はピン数が200乃至50
0ピンと多いため、例えば512ピンの半導体デバイス
の場合は一度に試験することができる半導体デバイスの
個数は2個となる。
The semiconductor device under test DUT controls writing and reading of a test pattern signal by a control signal. The test pattern signal read from the device under test DUT is supplied to a logical comparator 14, where the expected value data output from the pattern generator 12 and the read data are compared with each other. As a result, the quality of the semiconductor device under test DUT is determined.
The waveform shaper 13 includes, for example, a 1024-channel test pattern signal supply path, sorts the 1024-channel test pattern signal supply path, for example, for every 32 channels, and has 32 memories to be tested having 32 pins (32 pins). 32
× 32 = 1024) at the same time, or in the case of a logic device, the number of pins is 200 to 50
Since there are as many as 0 pins, for example, in the case of a 512-pin semiconductor device, the number of semiconductor devices that can be tested at one time is two.

【0004】このように、半導体デバイス試験装置に装
備されている試験パターン信号の供給系路のチャンネル
数は限られているから同時に試験することができる半導
体デバイスの個数はそれぞれのピン数に応じて制限され
る。これを解消する方法の一つとしてテストステーショ
ンを複数設けることが実用されている。図4はその様子
を示す。図4において10は半導体デバイス試験装置、
13は図3に示した波形整形器を示す。図4に示す例で
は1台のテストステーション15Aだけでは2個の半導
体デバイスだけしか試験できない場合に、テストステー
ション15Bを増設し、これら2台のテストステーショ
ン15Aと15Bによって合わせて4個の半導体デバイ
スDUT1〜DUT4を試験することができるようにし
た場合を示す。
As described above, since the number of channels of a test pattern signal supply system provided in a semiconductor device test apparatus is limited, the number of semiconductor devices that can be tested simultaneously depends on the number of pins. Limited. Providing a plurality of test stations has been practically used as one method of solving this. FIG. 4 shows this state. In FIG. 4, reference numeral 10 denotes a semiconductor device test apparatus,
Reference numeral 13 denotes the waveform shaper shown in FIG. In the example shown in FIG. 4, when only one test station 15A can test only two semiconductor devices, a test station 15B is added, and a total of four semiconductor devices are used by these two test stations 15A and 15B. This shows a case where DUT1 to DUT4 can be tested.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで半導体デバイ
スの中には各デバイス毎に印加する信号のタイミングを
最適なタイミングに設定して動作させる必要がある。例
えば一般にCPUと呼ばれている半導体デバイスではク
ロック入力端子に与えるクロックの位相が各デバイス毎
に最適な位相を持っている。従って、この種の半導体デ
バイスを試験をする場合には、試験の初期に予め、例え
ば印加すべきクロックの最適な位相を測定し、その測定
された位相を持つクロックが発生されるように、波形整
形器13のクロック発生チャンネルに設定して試験を行
っている。
However, it is necessary to operate some semiconductor devices by setting the timing of a signal applied to each device to an optimum timing. For example, in a semiconductor device generally called a CPU, the phase of a clock applied to a clock input terminal has an optimum phase for each device. Therefore, when testing this kind of semiconductor device, at the beginning of the test, for example, an optimal phase of a clock to be applied is measured in advance, and a waveform having the measured phase is generated. The test is performed by setting the clock generation channel of the shaper 13.

【0006】増設したテストステーション15Bに装着
する被試験半導体デバイスDUT3とDUT4には、元
から存在するテストステーション15Aに装着した被試
験半導体デバイスDUT1とDUT2に供給するクロッ
クと同一位相のクロックしか印加することができない。
増設したテストステーション15Bに装着した被試験半
導体デバイスDUT3とDUT4は他方のテストステー
ション15Aに装着した被試験半導体デバイスDUT1
とDUT2との間でDUT1とDUT3及びDUT2と
DUT4はそれぞれ並列接続された関係にあるから、こ
れら並列接続された関係にある被試験半導体デバイスD
UT1とDUT3及びDUT2とDUT4には同一のタ
イミングを持つ試験パターン信号しか供給することがで
きないことになる。
[0006] To the semiconductor devices DUT3 and DUT4 to be mounted on the expanded test station 15B, only clocks having the same phase as the clock supplied to the semiconductor devices DUT1 and DUT2 mounted on the test station 15A originally existing are applied. Can not do.
The semiconductor devices under test DUT3 and DUT4 mounted on the added test station 15B are the semiconductor devices under test DUT1 mounted on the other test station 15A.
DUT1 and DUT3 and DUT2 and DUT4 are connected in parallel between DUT2 and DUT2.
Only test pattern signals having the same timing can be supplied to UT1 and DUT3 and DUT2 and DUT4.

【0007】このために、DUT1とDUT3及びDU
T2とDUT4は共に同一タイミングで動作する半導体
デバイスの場合に限って同時に試験できることになり、
異なるタイミングで動作するデバイスの場合は同時に試
験することができない不都合が生じる。このため、従来
は2台のテストステーション15A、15Bを設けたと
しても、被試験半導体デバイスDUT1及びDUT2を
試験した後に、波形整形器13(図3参照)の設定を変
更してクロックのタイミング(位相)を変更させ、被試
験半導体デバイスDUT3とDUT4の試験を行うよう
にして、テストステーション15Aと15Bを交互に用
いて試験を行っている。このように、2台のテストステ
ーション15A、15Bを交互に用いて試験を行う場合
の利点としては、一方の被試験半導体デバイスDUT1
とDUT2の試験が終了した直後に被試験半導体デバイ
スDUT3とDUT4の試験を開始することができ、被
試験デバイスDUT3とDUT4の試験中に他方のテス
トステーション15Aではデバイスの交換作業を行うこ
とができることから、多少の高速化には貢献することが
できる。
For this purpose, DUT1, DUT3 and DU
Both T2 and DUT4 can be tested at the same time only if they are semiconductor devices that operate at the same timing.
In the case of devices operating at different timings, there is a disadvantage that the devices cannot be tested simultaneously. Therefore, even if two test stations 15A and 15B are conventionally provided, after the semiconductor devices under test DUT1 and DUT2 are tested, the setting of the waveform shaper 13 (see FIG. 3) is changed to change the clock timing (see FIG. 3). The test is performed using the test stations 15A and 15B alternately by changing the phase) and testing the semiconductor devices DUT3 and DUT4 under test. As described above, when the test is performed by alternately using the two test stations 15A and 15B, one of the semiconductor devices DUT1 to be tested has an advantage.
Test of the semiconductor devices under test DUT3 and DUT4 can be started immediately after the test of the DUT2 and the test of the DUT2 are completed, and the other test station 15A can perform the device replacement work during the test of the devices under test DUT3 and DUT4. Therefore, it can contribute to speeding up a little.

【0008】然し乍ら、テストステーションを複数設け
たことによる本来の「同時に多数の被試験半導体デバイ
スを試験し、試験の効率を向上させようとする」目的は
達していないことになる。この発明の目的は各デバイス
毎に異なるタイミングを設定して試験を行わなくてはな
らない半導体デバイスでも同時に試験を行うことができ
る半導体デバイス試験装置を提供しようとするものであ
る。
However, the original purpose of "testing a large number of semiconductor devices under test at the same time and improving the test efficiency" by providing a plurality of test stations has not been achieved. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device test apparatus capable of simultaneously performing a test on a semiconductor device in which a test must be performed by setting different timings for each device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この発明の請求項1で
は、複数の被試験半導体デバイスにパターン発生器から
同一試験パターン信号を印加し、被試験半導体デバイス
からの応答信号と期待値とを比較して被試験半導体デバ
イスの良否を判定する半導体デバイス試験装置におい
て、各半導体デバイスに印加する複数チャンネルで構成
される試験パターン信号の供給系路の一部のチャンネル
に切換手段を設け、この切換手段により他のチャンネル
の試験パターン信号を選択して被試験半導体デバイスの
一部のピンに印加する構成を付加した半導体デバイス試
験装置を提案する。
According to a first aspect of the present invention, the same test pattern signal is applied from a pattern generator to a plurality of semiconductor devices under test, and a response signal from the semiconductor device under test is compared with an expected value. In a semiconductor device test apparatus for determining the quality of a semiconductor device under test, switching means is provided in some channels of a supply path of a test pattern signal composed of a plurality of channels to be applied to each semiconductor device. Proposes a semiconductor device test apparatus in which a test pattern signal of another channel is selected and applied to some pins of the semiconductor device under test.

【0010】この発明の請求項2では、請求項1記載の
半導体デバイス試験装置において、複数の被試験半導体
デバイスはそれぞれ異なるテストステーションに装着さ
れ、各テストステーションに装着した被試験半導体デバ
イスに並列に同一試験パターン信号を印加すると共に、
この試験パターン信号の供給系路の一部のチャンネルに
切換手段を設け、この切換手段により予め特定した被試
験半導体デバイスの特定のピンに他の試験パターン信号
の供給系路を通じて得られる試験パターン信号を印加す
る構成を付加した半導体デバイス試験装置を提案する。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor device test apparatus according to the first aspect, the plurality of semiconductor devices under test are mounted on different test stations, respectively, and are arranged in parallel with the semiconductor devices under test mounted on each test station. While applying the same test pattern signal,
Switching means is provided in some channels of the supply path of the test pattern signal, and the test pattern signal obtained through a supply path of another test pattern signal to a specific pin of the semiconductor device under test specified in advance by the switching means. A semiconductor device test apparatus to which a configuration for applying a voltage is applied is proposed.

【0011】作用 この発明による構成によれば異なるテストステーション
に装着された半導体デバイスの特定のピンに他の試験パ
ターン信号の供給系路から、この試験パターン信号の供
給系路に設定されたタイミング(位相)を持った試験パ
ターン信号を印加することができる。この結果、例えば
クロックの最適位相が互いに異なる半導体デバイス同士
であっても、一方の半導体デバイスに印加するクロック
の位相と、他方の半導体デバイスに印加するクロックの
位相を異ならせて試験を行うことができる。
[0011] acting from supply line of the other test pattern signals to a specific pin of the semiconductor device attached to a different test stations according to the construction according to the invention, which is set to supply line of the test pattern signal timing ( Phase). As a result, for example, even if the semiconductor devices have different optimal phases of the clock, the test can be performed by making the phase of the clock applied to one semiconductor device different from the phase of the clock applied to the other semiconductor device. it can.

【0012】従って、この発明によれば複数のテストス
テーションを設け、同時に多数の半導体デバイスを試験
しようとする目的を上述した異なるタイミングで動作さ
せなくてはならない半導体デバイスに対しても実現する
ことができる効果が得られる。
Therefore, according to the present invention, the purpose of providing a plurality of test stations and simultaneously testing a large number of semiconductor devices can be realized for a semiconductor device which must be operated at different timings as described above. The effect that can be obtained is obtained.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】図1にこの発明の要部の実施例を
示す。図4と対応する部分には同一符号を付して示す。
尚、図1では説明を簡素化するために各テストステーシ
ョン15Aと15Bのそれぞれに1個の半導体デバイス
をDUT1及びDUT2を装着した状態を示す。この発
明の特徴とする構成は複数のテストステーション15
A、15Bに装着される被試験半導体デバイスDUT1
とDUT2の何れか一方の予め特定したピンに印加する
試験パターン信号の供給系路に切換手段16を設けた構
成とした点である。
FIG. 1 shows an embodiment of a main part of the present invention. Parts corresponding to those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals.
FIG. 1 shows a state in which one DUT 1 and a DUT 2 are mounted on each of the test stations 15A and 15B with one semiconductor device in order to simplify the description. The feature of the present invention is that a plurality of test stations 15
A, semiconductor device under test DUT1 mounted on 15B
And DUT 2 in that a switching means 16 is provided on a supply path of a test pattern signal to be applied to one of the pins specified in advance.

【0014】図1に示す例ではテストステーション15
Bに装着した被試験半導体デバイスDUT2のクロック
ピンCLKに配線される試験パターン信号供給系路に切
換手段16を設けた場合を示す。切換手段16は例えば
リードリレーによって構成することができ、リードリレ
ーによって構成した切換手段16の端子Aには波形整形
器13のチャンネルCHmから波形整形器13で生成し
た試験パターン信号の中のクロックCP1を印加する。
このクロックCP1のタイミングはテストステーション
15Aに装着した被試験デバイスDUT1のクロック端
子CLKに印加して被試験半導体デバイスDUT1が最
適な状態で動作することができる位相を持つものとす
る。
In the example shown in FIG.
A case is shown in which a switching means 16 is provided in a test pattern signal supply path wired to a clock pin CLK of a semiconductor device under test DUT2 mounted on B. Switching means 16 may be constituted by, for example, reed relays, clocks in the test pattern signal to the terminal A of the switching means 16 constituted generated by the waveform shaper 13 from the channel CH m of the waveform shaper 13 by reed relays Apply CP1.
The timing of the clock CP1 is applied to the clock terminal CLK of the device under test DUT1 mounted on the test station 15A and has a phase that allows the semiconductor device under test DUT1 to operate in an optimal state.

【0015】切換手段16の他方の端子Bには波形整形
器13の他のチャンネルCHn-1からクロックCP1と
は異なる位相を持つクロックCP2を印加する。このク
ロックCP2は被試験半導体デバイスDUT2の最適位
相を持つクロックである。このクロックCP2を切換手
段16の接点Bに印加することにより、切換手段16を
接点Bに切り替ることにより被試験半導体デバイスDU
T2にはこの被試験半導体デバイスDUT2に最適な位
相を持つクロックCP2を印加することができる。
A clock CP2 having a phase different from that of the clock CP1 is applied to the other terminal B of the switching means 16 from another channel CH n-1 of the waveform shaper 13. This clock CP2 is a clock having the optimum phase of the semiconductor device under test DUT2. By applying the clock CP2 to the contact B of the switching means 16, the switching means 16 is switched to the contact B, whereby the semiconductor device under test DU is switched.
A clock CP2 having an optimum phase for the semiconductor device under test DUT2 can be applied to T2.

【0016】この結果、2台のテストステーション15
Aと15Bに装着した2個の被試験半導体デバイスDU
T1とDUT2を同時に試験することができることにな
る。図2は2台以上のテストステーションを設けた場合
を示す。この場合には基準となるテストステーション1
5A以外のテストステーション15B…15Nの各クロ
ックピンCLKに配線される試験パターン供給系路に切
換手段16を設け、この切換手段16でそれぞれ別々に
出力されるクロックCP2、CP3…CPnを選択でき
るように構成される。
As a result, the two test stations 15
A and two semiconductor devices under test DU mounted on 15B
T1 and DUT2 can be tested simultaneously. FIG. 2 shows a case where two or more test stations are provided. In this case, the reference test station 1
The switching means 16 provided on the test pattern supply line that is wired to the clock pin CLK of the test station 15B ... 15N other than 5A, it selects the clock CP2, CP3 ... CP n, each output separately in this switching means 16 It is configured as follows.

【0017】図2に示すように構成することによりN台
のテストステーションにより各テストステーション当た
りM個の半導体デバイスを試験するものとした場合には
同時にM×n個の半導体デバイスを試験することができ
ることになる。
If the configuration shown in FIG. 2 is used to test M semiconductor devices per test station by N test stations, M × n semiconductor devices can be tested simultaneously. You can do it.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
半導体デバイスの特定のピンに印加する試験パターン信
号の位相を、各半導体デバイス毎に異ならせなくてはな
らない性質を持つ半導体デバイスでも、同時に多数個を
試験することができることになり、試験の効率を向上す
ることができる利点が得られる。尚、上述では各半導体
デバイス毎にタイミングを異ならせる被試験パターン信
号としてクロックを例示したが、必ずしもクロックに限
定されるものでなく、他の各種の制御信号にも適用でき
ることは容易に理解できよう。
As described above, according to the present invention, even if the semiconductor device has a property that the phase of the test pattern signal applied to a specific pin of the semiconductor device must be different for each semiconductor device, Since a large number of devices can be tested at the same time, there is an advantage that the efficiency of the test can be improved. In the above description, a clock is exemplified as the pattern signal under test for making the timing different for each semiconductor device. However, the present invention is not necessarily limited to the clock, and it can be easily understood that the present invention can be applied to other various control signals. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施例を示すブロック図。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.

【図2】この発明の変形実施例を説明するためのブロッ
ク図。
FIG. 2 is a block diagram for explaining a modified embodiment of the present invention.

【図3】半導体デバイス試験装置の概要を説明するため
のブロック図。
FIG. 3 is a block diagram illustrating an outline of a semiconductor device test apparatus.

【図4】従来の技術を説明するためのブロック図。FIG. 4 is a block diagram for explaining a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体デバイス試験装置 11 タイミング発生器 12 パターン発生器 13 波形整形器 14 論理比較器 15A、15B テストステーション 16 切換手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor device test apparatus 11 Timing generator 12 Pattern generator 13 Waveform shaper 14 Logic comparator 15A, 15B Test station 16 Switching means

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の被試験半導体デバイスにパターン発
生器から同一試験パターン信号を印加し、被試験半導体
デバイスからの応答信号と期待値とを比較して被試験半
導体デバイスの良否を判定する半導体デバイス試験装置
において、 上記各半導体デバイスに印加する複数チャンネルで構成
される試験パターン信号の供給系路の一部のチャンネル
に切換手段を設け、この切換手段により他のチャンネル
の試験パターン信号を選択して被試験半導体デバイスの
一部のピンに印加する構成を付加したことを特徴とする
半導体デバイス試験装置。
1. A semiconductor for applying the same test pattern signal from a pattern generator to a plurality of semiconductor devices under test and comparing a response signal from the semiconductor device under test with an expected value to judge pass / fail of the semiconductor device under test. In the device test apparatus, switching means is provided in some channels of a supply path of a test pattern signal composed of a plurality of channels applied to each of the semiconductor devices, and the switching means selects a test pattern signal of another channel. A device for applying a voltage to some pins of a semiconductor device under test.
【請求項2】請求項1記載の半導体デバイス試験装置に
おいて、上記複数の被試験半導体デバイスはそれぞれ異
なるテストステーションに装着され、各テストステーシ
ョンに装着した被試験半導体デバイスに並列に同一試験
パターン信号を印加すると共に、この試験パターン信号
の供給系路の一部のチャンネルに切換手段を設け、この
切換手段により予め特定した被試験半導体デバイスの特
定のピンに他の試験パターン信号の供給系路を通じて得
られる試験パターン信号を印加する構成を付加したこと
を特徴とする半導体デバイス試験装置。
2. The semiconductor device test apparatus according to claim 1, wherein the plurality of semiconductor devices under test are mounted on different test stations, respectively, and the same test pattern signal is supplied in parallel to the semiconductor devices under test mounted on each test station. In addition to applying the test pattern signal, a switching means is provided in some of the channels of the supply path of the test pattern signal, and the switching means supplies a predetermined pin of the semiconductor device under test through a supply path of another test pattern signal. A device for applying a test pattern signal to the semiconductor device.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6954079B2 (en) 2002-12-17 2005-10-11 Renesas Technology Corp. Interface circuit coupling semiconductor test apparatus with tested semiconductor device
CN102565576A (en) * 2010-12-14 2012-07-11 三星电子株式会社 Method of testing an object and apparatus for performing the same
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