JP2002185209A

JP2002185209A - バンドパスフィルタ

Info

Publication number: JP2002185209A
Application number: JP2000374859A
Authority: JP
Inventors: Chandra Kundyu Arun; アルン・チャンドラ・クンデュ
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-12-08
Filing date: 2000-12-08
Publication date: 2002-06-28
Also published as: US20020070823A1; EP1213785A1; CN1156192C; US6661314B2; CN1356844A

Abstract

(57)【要約】【課題】十分な機械的強度を確保しつつそのサイズが
小型化されたバンドパスフィルタを提供する。【解決手段】断面からこれと平行な他の断面までの領
域に属する第１の部分並びに第１の部分によって分断さ
れる第２及び第３の部分からなる実質的に直方体である
誘電体ブロック２と、誘電体ブロック２の表面に形成さ
れたメタライズとを有し、これにより、第１の部分によ
って遮断導波管１４が構成され、第２及び第３の部分に
よって第１及び第２の共振器１５、１６がそれぞれ構成
されるバンドパスフィルタであって、メタライズが、前
記断面と実質的に直交する誘電体ブロック２の第１の表
面上に形成された容量性電極片を含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バンドパスフィル
タに関し、さらに詳細には、十分な機械的強度を確保し
つつそのサイズが小型化されたバンドパスフィルタに関
する。

【０００２】

【従来の技術】今日、携帯電話に代表される情報通信端
末の小型化にはめざましいものがあり、これには情報通
信端末に組み込まれる各種部品の小型化が大きく寄与し
ている。情報通信端末に組み込まれる最も重要な部品の
一つにフィルタ部品がある。

【０００３】この種のフィルタ部品としては、例えば、
特開２０００−６８７１１号公報や特開２０００−１８
３６１６号公報に記載されているように、誘電体からな
るブロックに複数の貫通孔が形成され、これらの内壁に
メタライズが施されたタイプのフィルタ部品が知られて
いる。また、別のタイプのフィルタ部品として、「Nove
l Dielectric Waveguide Components - Microwave Appl
ications of New Ceramic Materials（PROCEEDINGS OF
THE IEEE, VOL.79, NO.6, JUNE 1991）、p734,Fig.31」
に記載されているように、凹凸を有する誘電体ブロック
の表面にメタライズが施されたタイプのフィルタ部品が
知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、携帯電話に代表
される情報通信端末にはさらなる小型化が求められてお
り、このため、これに組み込まれるフィルタ部品、例え
ばバンドパスフィルタにもさらなる小型化が要求されて
いる。

【０００５】しかしながら、上述したような各タイプの
フィルタ部品は、本体である誘電体ブロックの内部に貫
通孔が形成されていたり、表面に凹凸が形成されている
ことから機械的強度が低く、これがフィルタ部品の小型
化を妨げる大きな要因となっていた。すなわち、誘電体
ブロックの内部に貫通孔を形成するタイプのフィルタ部
品においては、誘電体ブロックのうち貫通孔が形成され
ている部分において機械的強度が不足し、誘電体ブロッ
クの表面に凹凸を形成するタイプのフィルタ部品におい
ては、誘電体ブロックのうち凹部において機械的強度が
不足するため、フィルタ部品のサイズとしては、このよ
うな部分おいても十分な機械的強度が確保されるような
サイズに制限される。

【０００６】このように、従来のフィルタ部品において
は、十分な機械的強度を確保しつつそのサイズを小型化
することは困難であった。このため、十分な機械的強度
が確保され、且つ、サイズが小型化されたフィルタ部品
が望まれていた。

【０００７】したがって、本発明の目的は、十分な機械
的強度を確保しつつそのサイズが小型化されたバンドパ
スフィルタを提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
一断面からこれと平行な他の断面までの領域に属する第
１の部分並びに前記第１の部分によって分断される第２
及び第３の部分からなる実質的に直方体である誘電体ブ
ロックと、前記誘電体ブロックの表面に形成されたメタ
ライズとを有し、これにより、前記第１の部分によって
遮断導波管が構成され、前記第２及び第３の部分によっ
て第１及び第２の共振器がそれぞれ構成されるバンドパ
スフィルタであって、前記メタライズが、前記断面と実
質的に直交する前記誘電体ブロックの第１の表面上に形
成された容量性電極片を含むことを特徴とするバンドパ
スフィルタによって達成される。

【０００９】本発明によれば、誘電体ブロックの第１の
表面上に形成された容量性電極片により、第１及び第２
の共振器間に所定の結合係数が与えられるので、直方体
である誘電体ブロックによってバンドパスフィルタを構
成することが可能となる。このように、本発明にかかる
バンドパスフィルタは直方体であることから、その機械
的強度が非常に高い。したがって、十分な機械的強度を
確保しつつそのサイズを小型化することが可能となる。

【００１０】本発明の好ましい実施態様においては、前
記容量性電極片が、前記誘電体ブロックの少なくとも前
記第２及び第３の部分に形成されている。

【００１１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記容量性電極片が、前記誘電体ブロックの前記第
１の部分にも形成されており、これにより、前記第１乃
至第３の部分に形成された容量性電極片が一体的となっ
ている。

【００１２】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記容量性電極片のうち、前記第２の部分に形成さ
れている部分と前記第３の部分に形成されている部分と
は、互いに同一形状を有する。

【００１３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記メタライズが、前記断面と実質的に平行である
前記誘電体ブロックの第２の表面上に形成された第１の
信号電極と、前記断面と実質的に平行である前記誘電体
ブロックの第３の表面上に形成された第２の信号電極と
をさらに含む。

【００１４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記誘電体ブロックの前記第２の部分と前記第３の
部分とが、互いに同一形状を有する。

【００１５】本発明の前記目的はまた、ほぼ全面に導体
層が形成された上面及び底面と、前記上面及び底面に形
成された導体層を短絡する短絡面と、前記短絡面と対向
する第１の開放面と、前記短絡面と直交する第２の開放
面と、前記第２の開放面と対向する第３の開放面とをそ
れぞれ備える第１及び第２の平板状共振器と、前記第１
の平板状共振器の前記第２の開放面の全面及び前記第２
の平板状共振器の前記第２の開放面の全面に接するよう
に前記第１及び第２の平板状共振器間に設けられた遮断
導波管と、前記第１の平板状共振器の前記第１の開放面
に設けられた第１の容量性電極片と、前記第２の平板状
共振器の前記第１の開放面に設けられた第２の容量性電
極片と、前記第１の平板状共振器の前記第３の開放面に
設けられた第１の信号電極と、前記第２の平板状共振器
の前記第３の開放面に設けられた第２の信号電極とを備
えるバンドパスフィルタによって達成される。

【００１６】本発明によれば、第１及び第２の容量性電
極片により、第１及び第２の平板状共振器間に所定の結
合係数が与えられるので、全体として凹部がない形状に
よってバンドパスフィルタを構成することが可能とな
る。このように、本発明にかかるバンドパスフィルタは
凹部のない形状であることから、その機械的強度が非常
に高い。したがって、十分な機械的強度を確保しつつそ
のサイズを小型化することが可能となる。

【００１７】本発明の好ましい実施態様においては、外
形が実質的に直方体である。

【００１８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第１の平板状共振器と前記第２の平板状共振器
とが、互いに同一形状を有する。

【００１９】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第１の平板状共振器の前記第１の開放面と、前
記第２の平板状共振器の前記第１の開放面とが、互いに
同一平面上に存在する。

【００２０】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第１の平板状共振器の前記底面に形成された前
記導体層と、前記第２の平板状共振器の前記底面に形成
された前記導体層とが、前記遮断導波管の底面に形成さ
れた導体層によって短絡されている。

【００２１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第１の容量性電極片と前記第２の容量性電極片
とが、前記遮断導波管の側面に形成された導体層によっ
て短絡されている。

【００２２】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第１の容量性電極片が、前記第１の平板状共振
器の前記底面に形成された前記導体層と短絡されてお
り、前記第２の容量性電極片が、前記第２の平板状共振
器の前記底面に形成された前記導体層と短絡されてい
る。

【００２３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第１の信号電極が、前記第１の平板状共振器の
前記第３の開放面のうち前記第１の開放面に近い側に形
成されており、前記第２の信号電極が、前記第２の平板
状共振器の前記第３の開放面のうち前記第１の開放面に
近い側に形成されており、前記第１の信号電極と前記第
１の平板状共振器の前記上面及び底面に形成された前記
導体層との短絡が防止されており、前記第２の信号電極
と前記第２の平板状共振器の前記上面及び底面に形成さ
れた前記導体層との短絡が防止されている。

【００２４】本発明の別の好ましい実施態様において
は、前記第１の信号電極が、前記第１の平板状共振器の
前記第３の開放面のうち前記短絡面に近い側に形成され
ており、前記第２の信号電極が、前記第２の平板状共振
器の前記第３の開放面のうち前記短絡面に近い側に形成
されており、前記第１の信号電極と前記第１の平板状共
振器の前記底面に形成された前記導体層との短絡が防止
されている一方、前記第１の信号電極と前記第１の平板
状共振器の前記上面に形成された前記導体層とが短絡さ
れており、前記第２の信号電極と前記第２の平板状共振
器の前記底面に形成された前記導体層との短絡が防止さ
れている一方、前記第２の信号電極と前記第２の平板状
共振器の前記上面に形成された前記導体層とが短絡され
ている。

【００２５】本発明の前記目的はまた、ほぼ全面に導体
層が形成された上面及び底面と、前記上面及び底面に形
成された導体層を短絡する短絡面と、前記短絡面と対向
する第１の開放面と、前記短絡面と直交する第２の開放
面と、前記第２の開放面と対向する第３の開放面とをそ
れぞれ備える第１及び第２の平板状共振器と、前記第１
の平板状共振器の前記第２の開放面の全面及び前記第２
の平板状共振器の前記第２の開放面の全面に接するよう
に前記第１及び第２の平板状共振器間に設けられた遮断
導波管と、前記第１の平板状共振器の前記第３の開放面
に設けられた第１の信号電極と、前記第２の平板状共振
器の前記第３の開放面に設けられた第２の信号電極とを
備え、これにより前記第１の信号電極と前記導体層との
間に第１の共振回路が構成され、前記第２の信号電極と
前記導体層との間に第２の共振回路が構成され、前記第
１の共振回路と前記第２の共振回路との間に結合共振回
路が与えられたバンドパスフィルタであって、前記第１
の共振回路に並列な付加キャパシタンス及び前記第２の
共振回路に並列な付加キャパシタンスを与える手段がさ
らに備えられていることを特徴とするバンドパスフィル
タによって達成される。

【００２６】本発明の好ましい実施態様においては、外
形が実質的に直方体である。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき、本発明
の好ましい実施態様について詳細に説明する。

【００２８】図１は、本発明の好ましい実施態様にかか
るバンドパスフィルタ１を一方向から見た略斜視図であ
り、図２は、バンドパスフィルタ１を逆方向から見た略
斜視図である。

【００２９】図１及び図２に示されるように、本実施態
様にかかるバンドパスフィルタ１は、誘電体ブロック２
及びその表面に施された各種のメタライズによって構成
される。誘電体ブロック２は、ε_ｒ＝９３という比較的
高い比誘電率の誘電体材料で形成されており、図１に示
されるように、その外形は、長さが５．０ｍｍ、幅が
３．４ｍｍ、厚さが１．０ｍｍの直方体である。すなわ
ち、誘電体ブロック２は、貫通孔や凹凸を有していな
い。

【００３０】また、誘電体ブロック２は、その一断面か
らこれと平行な他の断面までの領域に属する第１の部分
と、第１の部分によって分断される第２及び第３の部分
とからなる。但し、誘電体ブロック２は、物理的に別個
である第１乃至第３の部分の結合によって構成されてい
るのではなく、あくまで誘電体ブロック２は物理的に単
体であって、その各部分を便宜上、第１乃至第３の部分
と呼んでいるにすぎない。

【００３１】誘電体ブロック２の第１の部分は、直方体
である誘電体ブロック２の中央に位置し、その大きさ
は、長さが０．２ｍｍ、幅が３．４ｍｍ、厚さが１．０
ｍｍである。また、誘電体ブロック２の第２の部分と第
３の部分とは互いに対称形であり、その大きさは、いず
れも長さが２．４ｍｍ、幅が３．４ｍｍ、厚さが１．０
ｍｍである。尚、第１乃至第３の部分の「長さ」、
「幅」及び「厚さ」を規定する方向の定義は、誘電体ブ
ロック２の「長さ」、「幅」及び「厚さ」を規定する方
向の定義と同じである。

【００３２】また、誘電体ブロック２は、上面、底面及
び４つの側面を有し、これら４つの側面のうち、第２の
部分の端面となる面を「第１の側面」と定義し、第３の
部分の端面となる面を「第２の側面」と定義し、残りの
２つの面を「第３の側面」及び「第４の側面」と定義す
る。したがって、誘電体ブロック２の上面及び底面は、
いずれも５．０ｍｍ（長さ）×３．４ｍｍ（幅）の面積
を有し、第１及び第２の側面は、いずれも１．０ｍｍ
（厚さ）×３．４ｍｍ（幅）の面積を有し、第３及び第
４の側面は、いずれも５．０ｍｍ（長さ）×１．０ｍｍ
（厚さ）の面積を有することになる。

【００３３】図１及び図２に示されるように、誘電体ブ
ロック２の上面のうち第２及び第３の部分に対応する領
域の全面には、金属層３、４がそれぞれ設けられ、誘電
体ブロック２の第３の側面のうち第２及び第３の部分に
対応する領域の全面には、金属層５、６がそれぞれ設け
られ、誘電体ブロック２の底面には、切り欠き部７、８
を除く全面に金属層９が設けられており、これら金属層
３、４、５、６、９は互いに短絡されている。これら金
属層３、４、５、６、９には、接地電位が与えられる。

【００３４】また、図１及び図２に示されるように、誘
電体ブロック２の第１の側面には、高さが０．９ｍｍ、
幅が１．２ｍｍの励振電極１０が形成されている。かか
る励振電極１０は、切り欠き部７によって底面に設けら
れた金属層９との接触が妨げられている。同様に、誘電
体ブロック２の第２の側面には、高さが０．９ｍｍ、幅
が１．２ｍｍの励振電極１１が形成されている。かかる
励振電極１１は、切り欠き部８によって底面に設けられ
た金属層９との接触が妨げられている。これら励振電極
１０、１１は、一方が入力電極、他方が出力電極として
用いられる。

【００３５】さらに、図１に示されるように、誘電体ブ
ロック２の第４の側面のうち第２の部分に対応する領域
には、高さが０．３５ｍｍ、幅が１．６ｍｍの第１の容
量性電極片１２が形成されており、誘電体ブロック２の
第４の側面のうち第３の部分に対応する領域には、高さ
が０．３５ｍｍ、幅が１．６ｍｍの第２の容量性電極片
１３が形成されている。第１及び第２の容量性電極片１
２、１３は、誘電体ブロック２の底面に設けられた金属
層９と接触している。尚、第１及び第２の容量性電極片
１２、１３の「幅」を定義する方向は、誘電体ブロック
２の長さを定義する方向に対応している。

【００３６】上記金属層３、４、５、６、９、励振電極
１０、１１、第１及び第２の容量性電極片１２、１３
は、いずれも銀からなる。但し、本発明においてこれら
を銀によって構成することは必須ではなく、他の金属を
用いても構わない。また、上記金属層３、４、５、６、
９、励振電極１０、１１、第１及び第２の容量性電極片
１２、１３を誘電体ブロック２の表面に形成する方法と
しては、スクリーン印刷法を用いることが好ましい。

【００３７】また、誘電体ブロック２の他の表面には金
属層や電極は形成されておらず、開放面となっている。

【００３８】以上の構成により、誘電体ブロック２のう
ち、第１の部分及びその表面に形成された金属層は遮断
導波管１４を構成し、誘電体ブロック２のうち、第２の
部分及びその表面に形成された金属層等は第１の共振器
１５を構成し、誘電体ブロック２のうち、第３の部分及
びその表面に形成された金属層等は第２の共振器１６を
構成する。遮断導波管１４は、エバネセントなＥモード
の導波管であり、第１の共振器１５及び第２の共振器１
６は、いずれもλ／４誘電体共振器である。

【００３９】ここで、第１の共振器１５及び第２の共振
器１６により構成されるλ／４誘電体共振器の原理につ
いて説明する。

【００４０】図３は、一般的なλ／２誘電体共振器の構
成を示す略斜視図である。

【００４１】図３に示されるように、一般的なλ／２誘
電体共振器は、誘電体ブロック２０と、誘電体ブロック
２０の上面にコーティングされた金属層２１と、誘電体
ブロック２０下面にコーティングされた金属層２２とを
備える。誘電体ブロック２０の上面に形成された金属層
２１はフローティングされており、誘電体ブロック２０
の下面に形成された金属層２２は接地されている。誘電
体ブロック２０の４つの側面は、全て開放面となってい
る。図３においては、λ／２誘電体共振器を構成する誘
電体ブロック２０の一辺の長さがａ、厚さがｔで示され
ている。

【００４２】このλ／２誘電体共振器において、ｚ軸方
向のＴＥＭモードを想定すると、同図の矢印２３で示す
ように、負の最大電界はｚ＝０の平面にあり、正の最大
電界はｚ＝ａの平面にある。最小（ゼロ）電界は、明ら
かに、共振器の対称面であるｚ＝ａ／２の平面２４内に
ある。

【００４３】このようなλ／２誘電体共振器をこの対称
面２４に沿って分割すれば、２つのλ／４誘電体共振器
を得ることができる。このようにして得られたλ／４誘
電体共振器では、ｚ＝ａ／２の平面は完全な電気導体
（ＰＥＣ）として動作する。

【００４４】図４は、このようにして得られたλ／４誘
電体共振器の構成を示す略斜視図である。

【００４５】図４に示されるように、λ／４誘電体共振
器は、誘電体ブロック３０と、誘電体ブロック３０の上
面にコーティングされた金属層３１と、誘電体ブロック
３０下面にコーティングされた金属層３２と、誘電体ブ
ロック３０の一つの側面にコーティングされた金属層３
４とを備える。誘電体ブロック３０の他の３つの側面は
開放面となっている。誘電体ブロック３０の下面に形成
された金属層３２は接地されている。誘電体ブロック３
０の一側面に形成された金属層３４は、λ／２共振器の
完全な電気導体（ＰＥＣ）に相当し、上面に形成された
金属層３１と下面の金属層３２とを短絡している。な
お、同図において、矢印３３は電界、矢印３５は電流を
それぞれ示している。

【００４６】図４に示されるλ／４誘電体共振器の共振
周波数は、図３に示されるλ／２誘電体共振器の共振周
波数と原理的には同じである。誘電体ブロック３０の材
料として比較的に比誘電率の高い材料を用いれば、電磁
界閉じ込め特性は十分に強く、しかも、λ／４誘電体共
振器の電磁界分布は、λ／２誘電体共振器の対称面２４
に沿って分割して考えたλ／２誘電体共振器の電磁界分
布とほぼ同じである。図３及び図４に示されるように、
λ／４誘電体共振器の容積はλ／２誘電体共振器の半分
である。その結果、λ／４誘電体共振器の総エネルギ量
もλ／２誘電体共振器の半分となる。それにもかかわら
ず、エネルギ損失がλ／２誘電体共振器の約５０％に減
少するため、λ／４誘電体共振器の無負荷Ｑ値（Ｑ_０）
は、λ／２誘電体共振器とほぼ一定となる。即ち、λ／
４誘電体共振器は、共振周波数及び無負荷Ｑ値（Ｑ_０）
を大きく変えることなく、寸法を大幅に小型化すること
ができる。

【００４７】図５は、λ／４誘電体共振器が発生する電
界及び磁界を説明ための図である。

【００４８】図５に示されるように、λ／４誘電体共振
器の磁界３６は、誘電体ブロック３０の一側面に形成さ
れた金属層３４の部分で最大となり、金属層３４をリン
クすることによって付加的な直列インダクタンスの影響
を共振周波数に与えることとなる。このため、通常、λ
／４誘電体共振器の共振周波数は、λ／２誘電体共振器
の共振周波数よりやや低くなる。

【００４９】また、この種のλ／４誘電体共振器におい
ては、その無負荷Ｑ値（Ｑ_０）が誘電体ブロックの厚さ
及び長さに依存する。具体的には、λ／４誘電体共振器
の無負荷Ｑ値（Ｑ_０）は、誘電体ブロックの厚さがある
値以下である第１の領域においては、誘電体ブロックが
厚くなるにつれて増大し、誘電体ブロックの厚さがある
値以上である第２の領域においては、誘電体ブロックが
厚くなるにつれて減少する。さらに、λ／４誘電体共振
器の無負荷Ｑ値（Ｑ_０）は、誘電体ブロックの長さがあ
る値以下である第１の領域においては、誘電体ブロック
の幅に比例して増大し、誘電体ブロックの長さがある値
以上である第２の領域においては、誘電体ブロックの長
さとは無関係にほぼ一定の値となる。ここで、第１の領
域と第２の領域を画定する誘電体ブロックの厚さや幅
は、共振周波数によって異なる。したがって、λ／４誘
電体共振器の無負荷Ｑ値（Ｑ_０）を所望の値とするため
には、λ／４誘電体共振器を構成する誘電体ブロックの
厚さ及び長さを最適化すれば良い。

【００５０】さらに、この種のλ／４誘電体共振器にお
いては、その最低次モード（ＴＥＭモード）における共
振周波数が誘電体ブロックの幅に依存し、その厚みや長
さにはほとんど依存しない。具体的には、誘電体ブロッ
クの幅が短くなるにつれてその共振周波数は高くなる。
したがって、λ／４誘電体共振器の共振周波数を所望の
値とするためには、λ／４誘電体共振器を構成する誘電
体ブロックの幅を最適化すれば良い。

【００５１】以上がλ／４誘電体共振器の原理であり、
本実施態様にかかるバンドパスフィルタ１は、このよう
なλ／４誘電体共振器が２つ用られ、これらの間に、エ
バネセントなＥモードの導波管を構成する遮断導波管１
４が配置されてなる。

【００５２】図６は、本実施態様にかかるバンドパスフ
ィルタ１の等価回路図である。

【００５３】図６において、遮断導波管１４はＬ−Ｃ並
列回路４０で表されており、第１の共振器１５及び第２
の共振器１６は、２つのＬ−Ｃ並列回路４１及び４２で
それぞれ表されている。Ｌ−Ｃ並列回路４１及び４２に
含まれるＣ_ｐは、それぞれ第１及び第２の容量性電極片
１２及び１３によるものである。励振電極１０及び１１
は、２つのキャパシタＣ_ｅで表されている。

【００５４】図７は、バンドパスフィルタ１の周波数特
性を示すグラフである。

【００５５】図７においては、反射係数がＳ１１で示さ
れており、透過係数がＳ２１で示されている。図７に示
されるように、バンドパスフィルタ１の共振周波数は約
２．４５ＧＨｚであり、３ｄＢ通過帯域幅は約１２０Ｍ
Ｈｚである。

【００５６】次に、バンドパスフィルタ１に設けられた
第１及び第２の容量性電極片１２及び１３の機能につい
て説明する。

【００５７】バンドパスフィルタ１に設けられた第１及
び第２の容量性電極片１２及び１３の機能を説明するに
当たり、まず、バンドパスフィルタ１から第１及び第２
の容量性電極片１２、１３を削除したモデルについて説
明する。

【００５８】図８は、バンドパスフィルタ１から第１及
び第２の容量性電極片１２、１３を削除したモデルを一
方向から見た略斜視図であり、図９は、このモデルを逆
方向から見た略斜視図である。

【００５９】かかるモデルは、遮断導波管１４、第１の
共振器４３及び第２の共振器４４によって構成される。
第１の共振器４３及び第２の共振器４４は、いずれもλ
／４誘電体共振器である。

【００６０】図１０は、図８及び図９に示されるモデル
の等価回路図である。

【００６１】図１０において、遮断導波管１４はＬ−Ｃ
並列回路４０で表されており、第１の共振器４３及び第
２の共振器４４は、２つのＬ−Ｃ並列回路４５及び４６
でそれぞれ表されている。第１の共振器４３及び第２の
共振器４４には第１及び第２の容量性電極片１２、１３
が設けられていないことから、Ｌ−Ｃ並列回路４５及び
４６には、Ｌ−Ｃ並列回路４１及び４２とは異なりＣ_ｐ
が含まれていない。

【００６２】ここで、遮断導波管１４による２つ共振器
の結合係数Ｋ_{ｔｏｔａｌ}は、次式によって表される。

【００６３】Ｋ_{ｔｏｔａｌ}＝Ｋ_ｃ＋Ｋ_ｉここで、Ｋ_ｃは容量性結合係数、Ｋ_ｉは誘導性結合係数
を示し、それぞれ次式によって表される。

【００６４】Ｋ_ｃ＝（共振器間の結合キャパシタンス）／（各共振器
のキャパシタンス）Ｋ_ｉ＝（共振器間の結合インダクタンス）／（各共振器
のインダクタンス）したがって、図８及び図９に示されるモデルの容量性結
合係数Ｋ_ｃはＣ_ｍ／Ｃ、誘導性結合係数Ｋ_ｉはＬ_ｍ／Ｌ
で表され、この場合、Ｃ_ｍ／Ｃ＝−Ｌ_ｍ／Ｌであるから、結合係数Ｋ_{ｔｏｔａｌ}はゼロとなる。すな
わち、図８及び図９に示されるモデルは、フィルタとし
て機能しない。

【００６５】このように、本実施態様にかかるバンドパ
スフィルタ１から第１及び第２の容量性電極片１２、１
３を削除すると、フィルタとしての機能が失われること
が分かる。

【００６６】これに対し、本実施態様にかかるバンドパ
スフィルタ１においては、第１及び第２の容量性電極片
１２、１３によって、Ｌ−Ｃ並列回路４１及び４２に並
列なキャパシタＣ_ｐが与えれているので、その容量性結
合係数Ｋ_ｃはＣ_ｍ／（Ｃ＋Ｃ _ｐ）、誘導性結合係数Ｋ_ｉ
はＬ_ｍ／Ｌで表されることになる。この場合、Ｃ_ｍ／（Ｃ＋Ｃ_ｐ）≠−Ｌ_ｍ／Ｌであるから、結合係数Ｋ_{ｔｏｔａｌ}はゼロではない値を
とる。これにより、本実施態様にかかるバンドパスフィ
ルタ１には所望のフィルタ機能が与えられる。

【００６７】このように、第１及び第２の容量性電極片
１２、１３は、第１及び第２の共振器１５、１６間に所
定の結合係数Ｋ_{ｔｏｔａｌ}を与える役割を果たしている
ことが分かる。

【００６８】図１１は、第１及び第２の容量性電極片１
２、１３の高さｈと偶数モードの共振周波数ｆ_ｅｖｅｎ
及び奇数モードの共振周波数ｆ_ｏｄｄとの関係を示すグ
ラフである。第１及び第２の容量性電極片１２、１３の
幅は１．６ｍｍに固定されている。

【００６９】図１１に示されるように、偶数モードの共
振周波数ｆ_ｅｖｅｎ及び奇数モードの共振周波数ｆ
_ｏｄｄは、第１及び第２の容量性電極片１２、１３の高
さｈが０ｍｍである場合、すなわち第１及び第２の容量
性電極片１２、１３がない場合において互いに等しく、
第１及び第２の容量性電極片１２、１３の高さｈが増す
につれて、いずれも低下する。この場合、共振周波数の
低下は奇数モードにおいて著しく、これにより、第１及
び第２の容量性電極片１２、１３の高さｈが増すにつれ
て、偶数モードの共振周波数ｆ_ｅｖｅｎと奇数モードの
共振周波数ｆ_ｏｄｄとの差は大きくなっていることが確
認できる。これにより、第１及び第２の容量性電極片１
２、１３の高さｈを高くすれば高くするほど、第１の共
振器１５と第２の共振器１６との結合係数Ｋ_{ｔｏｔａｌ}
が増大することが推察される。

【００７０】図１２は、第１及び第２の容量性電極片１
２、１３の高さｈと結合係数Ｋ_ｔｏ _ｔａｌとの関係を示
すグラフである。第１及び第２の容量性電極片１２、１
３の幅は１．６ｍｍに固定されている。

【００７１】図１２に示されるように、結合係数Ｋ
_{ｔｏｔａｌ}は、第１及び第２の容量性電極片１２、１３
の高さｈが増大するにつれて曲線的に増大していること
が明確に確認できる。また、本実施態様にかかるバンド
パスフィルタ１のように、第１及び第２の容量性電極片
１２及び１３の高さｈを０．３５ｍｍに設定すれば、図
１２に示されるように、結合係数Ｋ_{ｔｏｔａｌ}は約０．
０３４となる。

【００７２】このように、第１及び第２の容量性電極片
１２及び１３は、バンドパスフィルタ１にフィルタとし
ての機能を与えるとともに、その高さｈを選択すること
によって所望の結合係数Ｋ_{ｔｏｔａｌ}を得ることができ
るという効果をもたらす。尚、結合係数Ｋ
_{ｔｏｔａｌ}は、第１及び第２の容量性電極片１２、１３
の幅を大きくすることによっても増大するため、第１及
び第２の容量性電極片１２及び１３の幅を選択すること
によって所望の結合係数Ｋ_{ｔｏｔａｌ}を得ることもでき
る。

【００７３】図１３は、バンドパスフィルタ１にて生じ
る電界と第１及び第２の容量性電極片１２、１３との関
係を説明するための略斜視図である。

【００７４】図１３に示されるように、第１及び第２の
容量性電極片１２、１３は、誘電体ブロック２の第４の
側面のうち、電界１８が最も強い部分に設けられている
ことが分かる。これにより、誘電体ブロック２の第４の
側面における輻射損は少ない。また、図１３に示される
ように、励振電極１０（１１）は、誘電体ブロック２の
第１の側面（第２の側面）のうち、電界１８が比較的強
い部分に設けられている。上述のとおり、励振電極１
０、１１の幅は１．２ｍｍであり、高さは０．９ｍｍで
あるため、得られる外部Ｑ値は２９となる。

【００７５】以上説明したように、本実施態様にかかる
バンドパスフィルタ１は、貫通孔や凹凸を有さない直方
体からなる誘電体ブロック２と、その表面に形成された
金属層３、４、５、６、９、励振電極１０、１１、第１
及び第２の容量性電極片１２、１３によって構成されて
いることから、従来のフィルタと比べて機械的強度が極
めて強い。このため、バンドパスフィルタ１を小型化し
ても十分な機械的強度を確保することが可能となる。

【００７６】また、本実施態様にかかるバンドパスフィ
ルタ１は、直方体である誘電体ブロック２の表面に上記
金属層等を形成するだけで作製することができ、従来の
フィルタのように貫通孔を形成したり、凹凸を形成した
りする工程が不要となることから、製造コストを大幅に
削減することが可能となる。

【００７７】次に、本発明の好ましい他の実施態様につ
いて説明する。

【００７８】図１４は、本発明の好ましい他の実施態様
にかかるバンドパスフィルタ４７を一方向から見た略斜
視図であり、図１５は、バンドパスフィルタ４７を逆方
向から見た略斜視図である。

【００７９】図１４及び図１５に示されるように、本実
施態様にかかるバンドパスフィルタ４７は、上記実施態
様にかかるバンドパスフィルタ１と類似の構成を有し、
容量性電極片が一体的に形成されている点が異なる。

【００８０】すなわち、本実施態様にかかるバンドパス
フィルタ４７は、ε_ｒ＝９３である直方体の誘電体ブロ
ック４８と、誘電体ブロック４８の上面のうち第２及び
第３の部分に対応する領域の全面に形成された金属層４
９、５０と、誘電体ブロック４８の第３の側面のうち第
２及び第３の部分に対応する領域の全面に形成された金
属層５１、５２と、誘電体ブロック４８の底面の切り欠
き部５３、５４を除く全面に形成された金属層５５と、
誘電体ブロック４８の第１の側面に形成された励振電極
５６と、誘電体ブロック４８の第２の側面に形成された
励振電極５７と、誘電体ブロック４８の第４の側面に、
第１〜第３の部分に亘って形成された容量性電極片５８
によって構成される。

【００８１】図１４に示されるように、励振電極５６、
５７は、それぞれ切り欠き部５３、５４によって誘電体
ブロック４８の底面に形成された金属層５５との接触が
妨げられており、容量性電極片５８は、金属層５５と接
触している。これら励振電極５６、５７は、一方が入力
電極、他方が出力電極として用いられる。また、容量性
電極片５８は、誘電体ブロック４８の中心からみて左右
対称となるように形成されており、これにより、容量性
電極片５８のうち、第２の部分に形成された部分と第３
の部分に形成された部分とは、互いに同一形状を有して
いる。

【００８２】ここで、誘電体ブロック４８の第１〜第３
の部分の定義は、上記実施態様における誘電体ブロック
２の第１〜第３の部分の定義と同様である。また、誘電
体ブロック４８の上面、底面及び第１〜第４の側面の定
義は、上記実施態様における誘電体ブロック２の上面、
底面及び第１〜第４の側面の定義と同様である。さら
に、長さ、幅、厚さの定義も、上記実施態様におけるこ
れらの定義と同様である。

【００８３】以上の構成により、誘電体ブロック４８の
うち、第１の部分及びその表面に形成された金属層等は
遮断導波管５９を構成し、誘電体ブロック４８のうち、
第２の部分及びその表面に形成された金属層等は第１の
共振器６０を構成し、誘電体ブロック４８のうち、第３
の部分及びその表面に形成された金属層等は第２の共振
器６１を構成する。遮断導波管５９は、エバネセントな
Ｅモードの導波管であり、第１の共振器６０及び第２の
共振器６１は、いずれもλ／４誘電体共振器である。

【００８４】かかる構成からなるバンドパスフィルタ４
７も、上記実施態様にかかるバンドパスフィルタ１と同
様の効果を有する。すなわち、従来のフィルタと比べて
機械的強度が極めて強く、バンドパスフィルタ４７を小
型化しても十分な機械的強度を確保することが可能とな
る。さらに、本実施態様においては、容量性電極片５８
が誘電体ブロック４８の第１〜第３の部分に亘って形成
されていることから、容量性電極片５８の面積が広く、
このため、容量性電極片５８の上記機能をより効果的に
得ることが可能となる。

【００８５】次に、本発明の好ましいさらに他の実施態
様について説明する。

【００８６】図１６は、本発明の好ましいさらに他の実
施態様にかかるバンドパスフィルタ６２を一方向から見
た略斜視図であり、図１７は、バンドパスフィルタ６２
を逆方向から見た略斜視図である。

【００８７】図１６及び図１７に示されるように、本実
施態様にかかるバンドパスフィルタ４７は、上記実施態
様にかかるバンドパスフィルタ１と類似の構成を有し、
励振電極が誘導性である点が異なる。

【００８８】すなわち、本実施態様にかかるバンドパス
フィルタ６２は、ε_ｒ＝９３である直方体の誘電体ブロ
ック６３と、誘電体ブロック６３の上面のうち第２及び
第３の部分に対応する領域の全面に形成された金属層６
４、６５と、誘電体ブロック６３の第３の側面のうち第
２及び第３の部分に対応する領域の全面に形成された金
属層６６、６７と、誘電体ブロック６３の底面の切り欠
き部６８、６９を除く全面に形成された金属層７０と、
誘電体ブロック６３の第１の側面に形成された励振電極
７１と、誘電体ブロック６３の第２の側面に形成された
励振電極７２と、誘電体ブロック６３の第４の側面のう
ち第２の部分に対応する領域に形成された第１の容量性
電極片７３と、誘電体ブロック６３の第４の側面のうち
第３の部分に対応する領域に形成された第２の容量性電
極片７４によって構成される。

【００８９】図１６に示されるように、励振電極７１、
７２は、それぞれ誘電体ブロック６３の上面に形成され
た金属層６４、６５と接している一方、それぞれ切り欠
き部６８、６９によって誘電体ブロック６３の底面に形
成された金属層７０との接触が妨げられている。また、
第１及び第２の容量性電極片７３、７４は、金属層７０
と接触している。これら励振電極７１、７２は、図１６
及び図１７に示されるように、誘電体ブロック６３の第
１及び第２の側面のうち、電界が比較的弱い部分（磁界
が比較的強い部分）にそれぞれ設けられており、一方が
入力電極、他方が出力電極として用いられる。

【００９０】ここで、誘電体ブロック６３の第１〜第３
の部分の定義は、上記実施態様における誘電体ブロック
２の第１〜第３の部分の定義と同様である。また、誘電
体ブロック６３の上面、底面及び第１〜第４の側面の定
義は、上記実施態様における誘電体ブロック２の上面、
底面及び第１〜第４の側面の定義と同様である。さら
に、長さ、幅、厚さの定義も、上記実施態様におけるこ
れらの定義と同様である。

【００９１】以上の構成により、誘電体ブロック６３の
うち、第１の部分及びその表面に形成された金属層等は
遮断導波管７５を構成し、誘電体ブロック６３のうち、
第２の部分及びその表面に形成された金属層等は第１の
共振器７６を構成し、誘電体ブロック６３のうち、第３
の部分及びその表面に形成された金属層等は第２の共振
器７７を構成する。遮断導波管７５は、エバネセントな
Ｅモードの導波管であり、第１の共振器７６及び第２の
共振器７７は、いずれもλ／４誘電体共振器である。

【００９２】かかる構成からなるバンドパスフィルタ６
２も、上記実施態様にかかるバンドパスフィルタ１と同
様の効果を有する。すなわち、従来のフィルタと比べて
機械的強度が極めて強く、バンドパスフィルタ６２を小
型化しても十分な機械的強度を確保することが可能とな
る。

【００９３】次に、本発明の好ましいさらに他の実施態
様について説明する。

【００９４】図１８は、本発明の好ましいさらに他の実
施態様にかかるバンドパスフィルタ７８を一方向から見
た略斜視図であり、図１９は、バンドパスフィルタ７８
を逆方向から見た略斜視図である。

【００９５】図１８及び図１９に示されるように、本実
施態様にかかるバンドパスフィルタ７８は、上記実施態
様にかかるバンドパスフィルタ４７と類似の構成を有
し、励振電極が誘導性である点が異なる。

【００９６】すなわち、本実施態様にかかるバンドパス
フィルタ７８は、ε_ｒ＝９３である直方体の誘電体ブロ
ック７９と、誘電体ブロック７９の上面のうち第２及び
第３の部分に対応する領域の全面に形成された金属層８
０、８１と、誘電体ブロック７９の第３の側面のうち第
２及び第３の部分に対応する領域の全面に形成された金
属層８２、８３と、誘電体ブロック７９の底面の切り欠
き部８４、８５を除く全面に形成された金属層８６と、
誘電体ブロック７９の第１の側面に形成された励振電極
８７と、誘電体ブロック７９の第２の側面に形成された
励振電極８８と、誘電体ブロック７９の第４の側面に、
第１〜第３の部分に亘って形成された容量性電極片８９
によって構成される。

【００９７】図１８に示されるように、励振電極８７、
８８は、それぞれ誘電体ブロック７９の上面に形成され
た金属層８０、８１と接している一方、それぞれ切り欠
き部８４、８５によって誘電体ブロック７９の底面に形
成された金属層８６との接触が妨げられている。これら
励振電極８７、８８は、図１８及び図１９に示されるよ
うに、誘電体ブロック７９の第１及び第２の側面のう
ち、電界が比較的弱い部分（磁界が比較的強い部分）に
それぞれ設けられており、一方が入力電極、他方が出力
電極として用いられる。また、容量性電極片８９は、誘
電体ブロック７９の中心からみて左右対称となるように
形成されており、これにより、容量性電極片８９のう
ち、第２の部分に形成された部分と第３の部分に形成さ
れた部分とは、互いに同一形状を有している。

【００９８】ここで、誘電体ブロック７９の第１〜第３
の部分の定義は、上記実施態様における誘電体ブロック
２の第１〜第３の部分の定義と同様である。また、誘電
体ブロック７９の上面、底面及び第１〜第４の側面の定
義は、上記実施態様における誘電体ブロック２の上面、
底面及び第１〜第４の側面の定義と同様である。さら
に、長さ、幅、厚さの定義も、上記実施態様におけるこ
れらの定義と同様である。

【００９９】以上の構成により、誘電体ブロック７９の
うち、第１の部分及びその表面に形成された金属層等は
遮断導波管９０を構成し、誘電体ブロック７９のうち、
第２の部分及びその表面に形成された金属層等は第１の
共振器９１を構成し、誘電体ブロック７９のうち、第３
の部分及びその表面に形成された金属層等は第２の共振
器９２を構成する。遮断導波管９０は、エバネセントな
Ｅモードの導波管であり、第１の共振器９１及び第２の
共振器９２は、いずれもλ／４誘電体共振器である。

【０１００】かかる構成からなるバンドパスフィルタ７
８も、上記実施態様にかかるバンドパスフィルタ４７と
同様の効果を有する。すなわち、従来のフィルタと比べ
て機械的強度が極めて強く、バンドパスフィルタ６２を
小型化しても十分な機械的強度を確保することが可能と
なり、また、容量性電極片８９が誘電体ブロック７９の
第１〜第３の部分に亘って形成されていることから、容
量性電極片８９の面積が広く、このため、容量性電極片
８９の上記機能をより効果的に得ることが可能となる。

【０１０１】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。

【０１０２】例えば、上記各実施態様においては、共振
器や遮断導波管を構成する誘電体ブロックとして、比誘
電率ε_ｒが９３である材料を用いているが、目的に応
じ、これと異なる比誘電率をもつ材料を用いても構わな
い。

【０１０３】また、上記各実施態様において特定した誘
電体ブロックや各電極のサイズは、一例であり、目的に
応じ、これと異なるサイズを持つ誘電体ブロックや電極
を用いても構わない。

【０１０４】さらに、上記各実施態様においては、各容
量性電極片が誘電体ブロックの底面に形成された金属層
に接して設けられているが、本発明において、容量性電
極片とかかる金属層とが接していることは必須ではな
く、両者が分離していても構わない。バンドパスフィル
タ１において、容量性電極片１２、１３と金属層９とを
分離した例を図２０に、バンドパスフィルタ７８におい
て、容量性電極片８９と金属層８６とを分離した例を図
２１に示す。このような構成によっても、容量性電極片
により所定の結合係数Ｋ_{ｔｏｔａｌ}が与えられ、フィル
タとして機能させることができる。但し、容量性金属片
による効果を十分に得るためには、容量性電極片と上記
金属層とは接している方が好ましい。

【０１０５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
十分な機械的強度を確保しつつそのサイズが小型化され
たバンドパスフィルタを提供することが可能となる。

【０１０６】これにより、本発明によれば、携帯電話等
の情報通信端末や、ＷｉｒｅｌｅｓｓＬＡＮ（Ｌｏ
ｃａｌＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）、高度道路交通シ
ステム（ＩＴＳ＝ＩｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔＴｒａｎｓ
ｐｏｒｔＳｙｓｔｅｍ）等に用いられる各種通信機器
への適用が好適なバンドパスフィルタが提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかるバ
ンドパスフィルタ１を一方向から見た略斜視図である。

【図２】図２は、本発明の好ましい実施態様にかかるバ
ンドパスフィルタ１を逆方向から見た略斜視図である。

【図３】図３は、一般的なλ／２誘電体共振器の構成を
示す略斜視図である。

【図４】図４は、一般的なλ／４誘電体共振器の構成を
示す略斜視図である。

【図５】図５は、λ／４誘電体共振器が発生する電界及
び磁界を説明ための図である。

【図６】図６は、本発明の好ましい実施態様にかかるバ
ンドパスフィルタ１の等価回路図である。

【図７】図７は、本発明の好ましい実施態様にかかるバ
ンドパスフィルタ１の周波数特性を示すグラフである。

【図８】図８は、バンドパスフィルタ１から第１及び第
２の容量性電極片１２、１３を削除したモデルを一方向
から見た略斜視図である。

【図９】図９は、バンドパスフィルタ１から第１及び第
２の容量性電極片１２、１３を削除したモデルを逆方向
から見た略斜視図である。

【図１０】図１０は、バンドパスフィルタ１から第１及
び第２の容量性電極片１２、１３を削除したモデルの等
価回路図である。

【図１１】図１１は、第１及び第２の容量性電極片１
２、１３の高さｈと偶数モードの共振周波数ｆ_ｅｖｅｎ
及び奇数モードの共振周波数ｆ_ｏｄｄとの関係を示すグ
ラフである。

【図１２】図１２は、第１及び第２の容量性電極片１
２、１３の高さｈと結合係数Ｋ_ｔｏ _ｔａｌとの関係を示
すグラフである。

【図１３】図１３は、バンドパスフィルタ１にて生じる
電界と第１及び第２の容量性電極片１２、１３との関係
を説明するための略斜視図である。

【図１４】図１４は、本発明の好ましい他の実施態様に
かかるバンドパスフィルタ４７を一方向から見た略斜視
図である。

【図１５】図１５は、本発明の好ましい他の実施態様に
かかるバンドパスフィルタ４７を逆方向から見た略斜視
図である。

【図１６】図１６は、本発明の好ましいさらに他の実施
態様にかかるバンドパスフィルタ６２を一方向から見た
略斜視図である。

【図１７】図１７は、本発明の好ましいさらに他の実施
態様にかかるバンドパスフィルタ６２を逆方向から見た
略斜視図である。

【図１８】図１８は、本発明の好ましいさらに他の実施
態様にかかるバンドパスフィルタ７８を一方向から見た
略斜視図である。

【図１９】図１９は、本発明の好ましいさらに他の実施
態様にかかるバンドパスフィルタ７８を逆方向から見た
略斜視図である。

【図２０】図２０は、バンドパスフィルタ１において、
容量性電極片１２、１３と、誘電体ブロック２の底面に
形成された金属層９とを分離した例を示す略斜視図であ
る。

【図２１】図２１は、バンドパスフィルタ７８におい
て、容量性電極片８９と、誘電体ブロック７９の底面に
形成された金属層８６とを分離した例を示す略斜視図で
ある。

【符号の説明】

１バンドパスフィルタ２誘電体ブロック３，４，５，６，９金属層７，８切り欠き部１０，１１励振電極１２第１の容量性電極片１３第２の容量性電極片１４遮断導波管１５第１の共振器１６第２の共振器１８電界２０誘電体ブロック２１，２２金属層２３電界２４対称面３０誘電体ブロック３１，３２，３４金属層３３電界３５電流３６磁界４０，４１，４２，４５，４６Ｌ−Ｃ並列回路４３第１の共振器４４第２の共振器４７バンドパスフィルタ４８誘電体ブロック４９，５０，５１，５２，５５金属層５３，５４切り欠き部５６，５７励振電極５８容量性電極片５９遮断導波管６０第１の共振器６１第２の共振器６２バンドパスフィルタ６３誘電体ブロック６４，６５，６６，６７，７０金属層６８，６９切り欠き部７１，７２励振電極７３第１の容量性電極片７４第２の容量性電極片７５遮断導波管７６第１の共振器７７第２の共振器７８バンドパスフィルタ７９誘電体ブロック８０，８１，８２，８３，８６金属層８４，８５切り欠き部８７，８８励振電極８９容量性電極片９０遮断導波管９１第１の共振器９２第２の共振器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一断面からこれと平行な他の断面までの
領域に属する第１の部分並びに前記第１の部分によって
分断される第２及び第３の部分からなる実質的に直方体
である誘電体ブロックと、前記誘電体ブロックの表面に
形成されたメタライズとを有し、これにより、前記第１
の部分によって遮断導波管が構成され、前記第２及び第
３の部分によって第１及び第２の共振器がそれぞれ構成
されるバンドパスフィルタであって、前記メタライズ
が、前記断面と実質的に直交する前記誘電体ブロックの
第１の表面上に形成された容量性電極片を含むことを特
徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項２】前記容量性電極片が、前記誘電体ブロッ
クの少なくとも前記第２及び第３の部分に形成されてい
ることを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィル
タ。
【請求項３】前記容量性電極片が、前記誘電体ブロッ
クの前記第１の部分にも形成されており、これにより、
前記第１乃至第３の部分に形成された容量性電極片が一
体的となっていることを特徴とする請求項２ｓに記載の
バンドパスフィルタ。
【請求項４】前記容量性電極片のうち、前記第２の部
分に形成されている部分と前記第３の部分に形成されて
いる部分とは、互いに同一形状を有することを特徴とす
る請求項２または３に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項５】前記メタライズが、前記断面と実質的に
平行である前記誘電体ブロックの第２の表面上に形成さ
れた第１の信号電極と、前記断面と実質的に平行である
前記誘電体ブロックの第３の表面上に形成された第２の
信号電極とをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至
４のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項６】前記誘電体ブロックの前記第２の部分と
前記第３の部分とが、互いに同一形状を有することを特
徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のバンド
パスフィルタ。
【請求項７】ほぼ全面に導体層が形成された上面及び
底面と、前記上面及び底面に形成された導体層を短絡す
る短絡面と、前記短絡面と対向する第１の開放面と、前
記短絡面と直交する第２の開放面と、前記第２の開放面
と対向する第３の開放面とをそれぞれ備える第１及び第
２の平板状共振器と、前記第１の平板状共振器の前記第
２の開放面の全面及び前記第２の平板状共振器の前記第
２の開放面の全面に接するように前記第１及び第２の平
板状共振器間に設けられた遮断導波管と、前記第１の平
板状共振器の前記第１の開放面に設けられた第１の容量
性電極片と、前記第２の平板状共振器の前記第１の開放
面に設けられた第２の容量性電極片と、前記第１の平板
状共振器の前記第３の開放面に設けられた第１の信号電
極と、前記第２の平板状共振器の前記第３の開放面に設
けられた第２の信号電極とを備えるバンドパスフィル
タ。
【請求項８】外形が実質的に直方体であることを特徴
とする請求項７に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項９】前記第１の平板状共振器と前記第２の平
板状共振器とが、互いに同一形状を有することを特徴と
する請求項７または８に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１０】前記第１の平板状共振器の前記第１の
開放面と、前記第２の平板状共振器の前記第１の開放面
とが、互いに同一平面上に存在することを特徴とする請
求項７乃至９のいずれか１項に記載のバンドパスフィル
タ。
【請求項１１】前記第１の平板状共振器の前記底面に
形成された前記導体層と、前記第２の平板状共振器の前
記底面に形成された前記導体層とが、前記遮断導波管の
底面に形成された導体層によって短絡されていることを
特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載のバ
ンドパスフィルタ。
【請求項１２】前記第１の容量性電極片と前記第２の
容量性電極片とが、前記遮断導波管の側面に形成された
導体層によって短絡されていることを特徴とする請求項
７乃至１１のいずれか１項に記載のバンドパスフィル
タ。
【請求項１３】前記第１の容量性電極片が、前記第１
の平板状共振器の前記底面に形成された前記導体層と短
絡されており、前記第２の容量性電極片が、前記第２の
平板状共振器の前記底面に形成された前記導体層と短絡
されていることを特徴とする請求項７乃至１２のいずれ
か１項に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１４】前記第１の信号電極が、前記第１の平
板状共振器の前記第３の開放面のうち前記第１の開放面
に近い側に形成されており、前記第２の信号電極が、前
記第２の平板状共振器の前記第３の開放面のうち前記第
１の開放面に近い側に形成されており、前記第１の信号
電極と前記第１の平板状共振器の前記上面及び底面に形
成された前記導体層との短絡が防止されており、前記第
２の信号電極と前記第２の平板状共振器の前記上面及び
底面に形成された前記導体層との短絡が防止されている
ことを特徴とする請求項７乃至１３のいずれか１項に記
載のバンドパスフィルタ。
【請求項１５】前記第１の信号電極が、前記第１の平
板状共振器の前記第３の開放面のうち前記短絡面に近い
側に形成されており、前記第２の信号電極が、前記第２
の平板状共振器の前記第３の開放面のうち前記短絡面に
近い側に形成されており、前記第１の信号電極と前記第
１の平板状共振器の前記底面に形成された前記導体層と
の短絡が防止されている一方、前記第１の信号電極と前
記第１の平板状共振器の前記上面に形成された前記導体
層とが短絡されており、前記第２の信号電極と前記第２
の平板状共振器の前記底面に形成された前記導体層との
短絡が防止されている一方、前記第２の信号電極と前記
第２の平板状共振器の前記上面に形成された前記導体層
とが短絡されていることを特徴とする請求項７乃至１３
のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１６】ほぼ全面に導体層が形成された上面及
び底面と、前記上面及び底面に形成された導体層を短絡
する短絡面と、前記短絡面と対向する第１の開放面と、
前記短絡面と直交する第２の開放面と、前記第２の開放
面と対向する第３の開放面とをそれぞれ備える第１及び
第２の平板状共振器と、前記第１の平板状共振器の前記
第２の開放面の全面及び前記第２の平板状共振器の前記
第２の開放面の全面に接するように前記第１及び第２の
平板状共振器間に設けられた遮断導波管と、前記第１の
平板状共振器の前記第３の開放面に設けられた第１の信
号電極と、前記第２の平板状共振器の前記第３の開放面
に設けられた第２の信号電極とを備え、これにより前記
第１の信号電極と前記導体層との間に第１の共振回路が
構成され、前記第２の信号電極と前記導体層との間に第
２の共振回路が構成され、前記第１の共振回路と前記第
２の共振回路との間に結合共振回路が与えられたバンド
パスフィルタであって、前記第１の共振回路に並列な付
加キャパシタンス及び前記第２の共振回路に並列な付加
キャパシタンスを与える手段がさらに備えられているこ
とを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項１７】外形が実質的に直方体であることを特
徴とする請求項１６に記載のバンドパスフィルタ。