JP2002176163A - Ｃｍｏｓアクティブピクセル画像センサ - Google Patents

Ｃｍｏｓアクティブピクセル画像センサ

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JP2002176163A
JP2002176163A JP2001270195A JP2001270195A JP2002176163A JP 2002176163 A JP2002176163 A JP 2002176163A JP 2001270195 A JP2001270195 A JP 2001270195A JP 2001270195 A JP2001270195 A JP 2001270195A JP 2002176163 A JP2002176163 A JP 2002176163A
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image sensor
voltage
pixel
diode
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Robert Michael Guidash
マイケル ガイダッシュ ロバート
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Eastman Kodak Co
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＭＯＳアクティブピクセル画像センサにお
いて、光検出器の外にある分離領域内で発生した電子
が、光検出器に移動することを防止し、また、一つの光
検出器からあふれる光電子が、隣合う光検出器に移動す
ることも防止する。 【解決手段】 ＣＭＯＳアクティブピクセル画像センサ
を成すピクセルのアレイにおいて、少なくとも一つのピ
クセルが、光検出器１２と、光検出器に電圧を供給する
ための電圧源２１と、光検出器と隣合い、電圧源に接続
可能な清掃ダイオード４０と、を備える。清掃ダイオー
ド４０は、隣合うピクセル間に配置され、光検出器の外
の電子が光検出器に移動することを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＭＯＳアクティ
ブピクセル光検出器に関し、より詳しくは、隣合う光検
出器の間に清掃ダイオードを備え、隣合う光検出器間の
クロストークを防止し、熱によって発生した電子が分離
領域から光検出器へと拡散することを防止する、改善さ
れたＣＭＯＳアクティブピクセル光検出器アレイに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤを基にした画像回路の制限を克服
するため、より新しい画像回路においては、相補型金属
酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）アクティブピクセルセンサ
（ＡＰＳ）セルが使われ、光エネルギのピクセルを電気
信号に変換する。アクティブピクセルセンサセルを有す
ることにより、従来のフォトダイオードは典型的には、
数々のトランジスタと組み合わされる。これらのトラン
ジスタは、電気信号を形成することに加え、増幅、読み
出し制御、及びリセット制御を可能にする。
【０００３】図１（米国特許第５，９７０，３１６号か
ら。この文献をここに参照し組み入れる）は、従来のＣ
ＭＯＳアクティブピクセルセンサセル１０を示す概略図
である。図１に示すように、セル１０は、フォトダイオ
ード１２と、そのソースがフォトダイオード１２に接続
されているリセットトランジスタ１４と、そのゲートが
フォトダイオード１２に接続されているソースフォロア
トランジスタ１６と、そのドレインがソースフォロアト
ランジスタのソースと直列で接続されている行選択トラ
ンジスタ１８と、を含む。
【０００４】アクティブピクセルセンサセル１０の動作
は、三つのステップによって実行される。セル１０が以
前の集積サイクルからリセットされるリセットステップ
と、光エネルギが収集され電気信号に変換される画像集
積ステップと、信号が読み出される信号読み出しステッ
プと、である。
【０００５】図１に示すように、リセットステップの際
には、リセットトランジスタ１４のゲートに、リセット
電圧ＶＲ（５ボルト）のパルスが短期間与えられる。リ
セット電圧ＶＲは、リセットトランジスタ１４をオン状
態にし、これにより、フォトダイオード１２及びソース
フォロアトランジスタ１６のゲートの電圧を、初期リセ
ット電圧にまで引き上げる。ソースフォロアトランジス
タ１６のゲートに与えられた初期リセット電圧はまた、
ソースフォロアトランジスタ１６のソースへの初期中間
電圧を定義し、これは、初期転送電圧よりも閾値電圧降
下一つ分だけ低い。リセットトランジスタ１４のゲート
にパルスが与えられた直後、行選択トランジスタ１８の
ゲートに行選択電圧ＶＲＳがパルスとして与えられる。
行選択トランジスタ１８のゲート上の行選択電圧ＶＲＳ
は、ソースフォロアトランジスタ１６のソース上の初期
中間電圧が、初期集積電圧として行選択トランジスタ１
８のソースに現れるようにする。この初期集積電圧が、
画像システムによって読み出され、記憶される。
【０００６】集積の際には、光子の形の光エネルギがフ
ォトダイオード１２に衝突し、いくつかの電子−正孔対
を作りだす。フォトダイオード１２は、新しく形成され
た電子−正孔対間の再結合を制限するように設計され
る。この結果、光によって発生した正孔は、フォトダイ
オード１２のアース端子に引き寄せられ、同時に、光に
よって発生した電子は、フォトダイオード１２の正の端
子に引き寄せられる。正の端子では、追加の電子の各々
によりフォトダイオード１２の電圧が下げられる。よっ
て、集積ステップの終了時には、フォトダイオード１２
及びソースフォロアトランジスタ１６のゲートの電位
は、最終集積電圧にまで低減されており、この低減され
た量が、受けた光エネルギの強度を表す。上述と同様
に、ソースフォロアトランジスタ１６のゲート上の最終
集積電圧は、ソースフォロアトランジスタ１６のソース
上での最終中間電圧を定義する。
【０００７】画像集積期間の後、ソースフォロアトラン
ジスタ１６のソース上の最終中間電圧は次に、行選択ト
ランジスタ１８のゲートにもう一度行選択電圧ＶＲＳの
パルスを与えることにより、最終集積電圧として読み出
される。この結果、セル１０によって収集された総合電
荷を表す収集電圧が、初期リセット電圧から最終集積電
圧を引くことにより求められる。
【０００８】図２は、アクティブピクセル１０の概略平
面図である。セル１０は好適にはｐ型基板上に形成され
る。フォトダイオード１２は好適には、軽くドーピング
されたｎ型領域をｐ型領域の中に含む。図２において、
行選択トランジスタ１８のゲートは、符号２３で示され
る。同様に、リセットトランジスタ１４のゲートは、リ
セットゲート２６として示される。ソースフォロアトラ
ンジスタ１６のゲートは符号２０で示される。セルの電
源（電圧源、ＶＤＤ）は符号２１で示される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図３及び図４は、この
ようなセル１０のアレイを示す。より詳しくは、図４は
図２と同様の平面図であり、図３は、線Ａ−Ａ’に沿っ
た断面図である。このようなアレイには、カラーのクロ
ストークの問題が存在する。より詳しくは、図３に示す
ように、セル１０の間の分離領域３１に自然に着地する
光子によって生成される光電子３０が、隣合う光検出器
１２に向かって移動する傾向がある。カラー画像センサ
の場合、カラーフィルタアレイパターンがピクセルアレ
イと併用され、第一のカラーを備えた第一のピクセルを
通った光子が、第一及び第二ピクセル間の分離領域に衝
突し、第二の隣合うピクセルの光検出器に行ってしまう
光電子を生成する場合がある。第二の隣合うピクセルで
集積される信号は理想的には、そのピクセルの上の第二
のカラーフィルタを通る光子の量を表すことが望ましい
ので、第一のカラーフィルタを通過した光子によって生
成され第二の光検出器に達する光電子は、カラー混合又
はカラークロストークの原因となる。正確にカラー画像
を表すためには、カラー混合を最小限にする必要があ
る。相当量のカラー混合又はカラークロストークが生じ
ると、結果として処理されたカラー画像に色合いのずれ
が生じ、色の忠実度が低減される。
【００１０】カラークロストーク又はカラー混合はま
た、光電子が第一のピクセルからあふれ、分離領域を超
えて第二の隣合うピクセルに流れた場合にも生じる可能
性がある。これは、第一のピクセルに入射する光が第一
の光検出器を完全に満たすほど十分に明るく余剰の光電
子が作り出される場合に生じることがある。そして、こ
れらの余剰の光電子は、第一のピクセルから漏れ又はあ
ふれ、分離領域３１を横切り、第二の隣合うピクセル又
は複数のピクセルの光検出器によって収集される場合が
ある。これにより、第一の色に関連する光子によって発
生した光電子が、第二の色に関連するピクセル又は光検
出器によって収集されるという現象が起きる。
【００１１】このクロストーク又はカラー混合の方向
は、ピクセルの正確な物理構造及び配置に依存する。図
４に示すピクセルアレイの場合、縦方向の混合又はクロ
ストークは低く、これは、フォトダイオード間の間隔が
大きいため及び電圧源２１のｎ＋基板ダイオードを通り
抜けることによる光電子の有効な排出のためである。こ
れに反し、横方向のクロストークは高く、これは、光電
子をピクセルの境界から離れるように保つ光シールドが
ないため及び隣合うフォトダイオード間の分離範囲／空
間３１が小さいためである。
【００１２】分離領域３１はまた典型的には、一般に暗
電流（dark current）として知られる、熱による電子の
発生率が高い範囲である。これらの熱によって発生した
電子は、分離領域から隣合う光検出器へと拡散又は移動
する場合がある。これらの暗電流電子は次に、光によっ
て発生した電子と混合され、読み出される。熱によって
発生した電子は、入射光信号と関連しないため、雑音電
子と呼ばれ、ピクセル及び画像センサの信号対雑音比の
性能を低減させる。
【００１３】したがって、光又は熱によって発生し、分
離範囲３１に作り出された電子を、このような電子が光
検出器１２に移動できる前に取り除く構造が必要とされ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明の目
的は、相補型金属酸化膜半導体アクティブピクセル画像
センサを含むカメラ／画像システムであって、ピクセル
のアレイを含み、各ピクセルが、光検出器と、光検出器
に電圧を供給するための電圧源と、光検出器に隣合う清
掃ダイオードと、を有するカメラ／画像システムを提供
することである。清掃ダイオードは、回路の電圧源に接
続されていてもよく、又は異なる電圧源に接続されてい
てもよい。清掃ダイオードは、アクティブピクセル画像
センサの隣合う光検出器の間に配置され、光検出器の外
にある分離領域内で発生した電子が、光検出器に移動す
ることを防止し、また、一つの光検出器からあふれる光
電子が、隣合う光検出器に移動することも防止する。
【００１５】光検出器は、各ピクセルの側辺及び上部に
隣合うように配置され、ピクセルは更に、光検出器の下
に位置する回路部品を含み、清掃ダイオードがピクセル
の側辺の少なくとも一つに沿って配置される。清掃ダイ
オードは、隣合う光検出器間の分離領域を二分してもよ
く、又はチップの面積を節約するために、分離領域の下
に配置されてもよい。清掃ダイオードは、少なくとも隣
合うピクセル内の隣合う光検出器間に配置される。電圧
源及び清掃ダイオードは、連続的なアクティブ範囲領域
を形成してもよい。
【００１６】ピクセルは更に、光検出器の下に配置され
た回路部品を含み、清掃ダイオードがその側辺に沿って
配置され、回路部品は、光検出器の下に効果的な清掃ダ
イオードを形成する。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明は、ピクセル間のクロスト
ークを低減し、分離領域に熱によって発生した電子を、
光検出器間に配置され電圧源に接続された清掃ダイオー
ドを提供することにより収集する。より詳しくは、図６
は図４と同様の図であるが、電圧源２１が、電圧源２１
と清掃ダイオード４０の組合せによって置き換えられた
ものを示す。これは、図５の断面図においても見ること
ができる。動作中は、光検出器１２の外で生じた光電子
が、光検出器セル１２ではなく、清掃ダイオードに引き
寄せられる。
【００１８】清掃ダイオード４０は、異なる大きさ及び
形状を有していてもよく、図６に示すように複数の導電
性素子を有していてもよい。当業者にはこの記載から明
らかなように、清掃ダイオードは、清掃ダイオード４０
が隣合う光検出器１２の間に配置されていれば、光検出
器アレイ内の光検出器セル１０の配置によって、どのよ
うな必要形状（及び大きさ）を有していてもよい。これ
に加え、全ての光検出器セルが清掃ダイオードを必要と
するわけではない。ここでも、清掃ダイオード４０が光
検出器１２の間に配置されていれば、いずれの構成も可
能である。
【００１９】一般的に、標準のアレイには十万個単位の
ピクセルセルが存在する。したがって、好適な実施形態
では、アレイの内部光検出器セルは全て、同一の形状と
同一の大きさの清掃ダイオードを有する。アレイの周縁
光検出器セルは、独自の清掃ダイオードを有していても
よく、これによりアレイの境界に沿ったセルの構成に適
合する。
【００２０】清掃ダイオード４０は、清掃ダイオードに
よって集められた電子が収集され光検出器１２から引き
離されることを可能にするよう、電圧源２１と清掃ダイ
オード４０との間に電気的な接続が存在する限りは、概
念的に電圧源２１の一部として考慮されてもよく、又は
電圧源２１とは別個であるが電圧源２１に接続されてい
るものとして考慮されてもよい。実際に好適な実施形態
では、電圧源２１及び清掃ダイオード４０は、電圧源ノ
ードと同じ導電型によってドーピングされた、連続的な
アクティブ範囲領域を形成する。
【００２１】図７に示す代替実施形態では、清掃ダイオ
ード４０（例えばｎ型のインプラント）が既知の技法を
使い、清掃ダイオード４２の主要部分が、分離領域３１
の間（図５に示す）ではなく、分離領域３１の下になる
ように（図７に示す）形成される。この実施形態では、
清掃ダイオード４２を実施するための必要面積を低くで
きる。
【００２２】図８に示す追加の実施形態では、清掃ダイ
オード４０は、電圧源２１ではなく、相互接続子４４を
介して別個の電圧源に接続されてもよい。別個の電圧源
は、既知の電圧装置のいずれであってもよく、本発明の
構成を隠さないよう、ここには図示しない。相互接続子
４４に接続された別個の清掃電圧源は、別個に制御で
き、これによりクロストーク及び暗電流の低減及び光検
出器の量子効率を最適化する。前述の実施形態と同様
に、図８に示す清掃ダイオード４０は、分離領域３１の
間に配置されてもよく（図５）、又は分離領域３１の下
に配置されてもよい（図７）。
【００２３】図９に、上述の本発明による光検出器９１
を含むカメラ／画像システム９０を示す。画像システム
９０の詳細は、当業者には広く知られており、本発明に
よる突出した特徴を不必要に隠すことを避けるため、こ
こではその説明を省く。
【００２４】本発明は、アクティブ範囲の形状及び使わ
れるインプラントマスクの形状を変更するのみであるた
め、本発明は標準のＣＭＯＳ技法によって容易に実施で
き、追加の処理ステップを必要としない。したがって、
本発明は、ピクセルアレイの開発に、費用、複雑さ、又
は時間の考慮を加えない。
【００２５】本発明は、隣合う光検出器間に清掃ダイオ
ードを配置することにより、より等方性のカラークロス
トークを作り出す。各光検出器の底部に位置するピクセ
ル内の回路部品が、縦方向の効果的な清掃又はクロスト
ークの防止を提供する。従来の装置では、カラークロス
トークは非等方性であった（縦方向に非常に少なく、横
方向に相当量）。本発明は、縦及び横の両方向におい
て、カラークロストークを非常に少なくする。
【００２６】ＣＣＤアレイは清掃ダイオードをピクセル
アレイ内に含まないため、本発明は、従来のＣＣＤアレ
イとは異なる。その代わりに、従来の清掃ダイオード
が、ピクセルのアレイ全体を囲むように使われ、これに
より、アレイの外からの迷光電子がピクセルアレイに移
動する又は拡散することを防止する。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、光及び熱によって発生した電
子を、隣合う光検出器間の分離領域から取り除く清掃ダ
イオードを供給する。本発明はまた、一つの光検出器に
光によって発生した電子が、隣合う光検出器にあふれる
ことを防止する。したがって、隣合う光検出器は、光検
出器に実際に着地した光電子を主に収集し、光検出器に
隣合うように着地した光電子を実質的に収集しない。ま
た、本発明によれば、第一の強く照射された光検出器か
らの、光によって発生した電子が、第一の光検出器から
漏れ、隣合う光検出器に移動する（そして隣合う光検出
器によって収集される）ことがない。これにより、各光
検出器によって定義される面積上で受ける光電子レベル
の、より正確な測定を可能にし、カラーチャネル混合を
低減できる。このカラークロストークの防止又は低減
は、画像センサによって生成できるカラー画像品質又は
色の忠実度を向上させる。
【００２８】これに加え本発明は、光検出器を囲む分離
領域中の、熱によって発生した電子が光検出器に移動し
光検出器によって収集されることを抑制する。これによ
り、画像センサの信号対雑音比を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ピクセルの概略図である。
【図２】 図１に示すピクセルの概略平面レイアウト図
である。
【図３】 ピクセルアレイの概略断面図である。
【図４】 ピクセルアレイの概略平面図である。
【図５】 清掃ダイオードを備えるピクセルアレイの概
略断面図である。
【図６】 清掃ダイオードを備えるピクセルアレイの概
略平面図である。
【図７】 清掃ダイオードを備えるピクセルアレイの概
略断面図である。
【図８】 清掃ダイオードを備えるピクセルアレイの概
略平面図である。
【図９】 カメラ又は画像システムの概略図である。
【符号の説明】
１０ ＣＭＯＳアクティブピクセルセンサセル、１２
フォトダイオード、１４ リセットトランジスタ、１６
ソースフォロアトランジスタ、１８ 行選択トランジ
スタ、２０ ソースフォロア、２１ 電圧源、２３ 行
選択、 ２６リセットゲート、３０ 光電子、３１ 分
離領域、４０，４２ 清掃ダイオード、４４ 相互接続
子、９０ カメラ／画像システム、９１ 光検出器アレ
イ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ア
    クティブピクセル画像センサであって、ピクセルのアレ
    イを含み、前記ピクセルの少なくとも一つが、 光検出器と、 前記光検出器からの信号を読み取るよう適合されたアク
    ティブ回路部品と、 前記回路部品に電圧を供給するための電圧源と、 前記電圧源に接続された清掃ダイオードと、 を備え、前記清掃ダイオードが、前記光検出器の外の電
    子が前記光検出器に移動することを防止することを特徴
    とするＣＭＯＳアクティブピクセル画像センサ。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のＣＭＯＳアクティブピ
    クセル画像センサであって、前記清掃ダイオードが前記
    光検出器に隣合うように配置されることを特徴とするＣ
    ＭＯＳアクティブピクセル画像センサ。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載のＣＭＯＳアクティブピ
    クセル画像センサであって、前記光検出器が、前記ピク
    セルの各々の側辺及び上部に隣合うよう配置され、前記
    アクティブ回路部品が前記光検出器の下に配置され、前
    記清掃ダイオードが前記ピクセルの前記側辺の少なくと
    も一つに沿って配置されることを特徴とするＣＭＯＳア
    クティブピクセル画像センサ。
JP2001270195A 2000-09-20 2001-09-06 Ｃｍｏｓアクティブピクセル画像センサ Pending JP2002176163A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006073732A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Canon Inc 固体撮像装置及び固体撮像システム
JP2006147709A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Omron Corp 撮像デバイス
JP2006261594A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Canon Inc 固体撮像装置及びカメラ
JP2007036224A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Samsung Electronics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその形成方法
JP2011060815A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nikon Corp 固体撮像素子
JP2013069994A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Fujifilm Corp Ｍｏｓ型固体撮像素子及び撮像装置
US8488735B2 (en) 2008-01-30 2013-07-16 Hamamatsu Photonics K.K. Solid-state imager and X-ray CT apparatus including same

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7164444B1 (en) * 2002-05-17 2007-01-16 Foveon, Inc. Vertical color filter detector group with highlight detector
US6878918B2 (en) * 2003-01-09 2005-04-12 Dialdg Semiconductor Gmbh APS pixel with reset noise suppression and programmable binning capability
JP2005142470A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Seiko Instruments Inc 光電変換装置及びイメージセンサーｉｃ
US7902624B2 (en) * 2004-02-02 2011-03-08 Aptina Imaging Corporation Barrier regions for image sensors
US7002231B2 (en) * 2004-02-02 2006-02-21 Micron Technology, Inc. Barrier regions for image sensors
US7920185B2 (en) * 2004-06-30 2011-04-05 Micron Technology, Inc. Shielding black reference pixels in image sensors
EP1715528B1 (en) * 2005-04-18 2010-07-28 Xenics N.V. Photodiode array image sensor
US9526468B2 (en) 2014-09-09 2016-12-27 General Electric Company Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000260971A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Canon Inc 撮像装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5309013A (en) 1985-04-30 1994-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device
US4873561A (en) * 1988-04-19 1989-10-10 Wen David D High dynamic range charge-coupled device
US5130774A (en) * 1990-07-12 1992-07-14 Eastman Kodak Company Antiblooming structure for solid-state image sensor
JPH05251684A (ja) * 1991-11-25 1993-09-28 Eastman Kodak Co ブルーミング防止特性を向上させたｃｃｄ画像センサ
US5453611A (en) 1993-01-01 1995-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device with a plurality of photoelectric conversion elements on a common semiconductor chip
US5349215A (en) * 1993-07-23 1994-09-20 Eastman Kodak Company Antiblooming structure for solid-state image sensor
US5471515A (en) 1994-01-28 1995-11-28 California Institute Of Technology Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer
US5631704A (en) 1994-10-14 1997-05-20 Lucent Technologies, Inc. Active pixel sensor and imaging system having differential mode
US5867215A (en) * 1995-04-11 1999-02-02 Eastman Kodak Company Image sensor having multiple storage wells per pixel
US5625210A (en) 1995-04-13 1997-04-29 Eastman Kodak Company Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode
US5587596A (en) 1995-09-20 1996-12-24 National Semiconductor Corporation Single MOS transistor active pixel sensor cell with automatic anti-blooming and wide dynamic range
US5608243A (en) 1995-10-19 1997-03-04 National Semiconductor Corporation Single split-gate MOS transistor active pixel sensor cell with automatic anti-blooming and wide dynamic range
US5789774A (en) 1996-03-01 1998-08-04 Foveonics, Inc. Active pixel sensor cell that minimizes leakage current
US5841176A (en) 1996-03-01 1998-11-24 Foveonics, Inc. Active pixel sensor cell that minimizes leakage current
US5721425A (en) 1996-03-01 1998-02-24 National Semiconductor Corporation Active pixel sensor cell that reduces the effect of 1/f noise, increases the voltage range of the cell, and reduces the size of the cell
US5838650A (en) 1996-06-26 1998-11-17 Lucent Technologies Inc. Image quality compensation method and apparatus for holographic data storage system
US5995163A (en) 1996-09-30 1999-11-30 Photobit Corporation Median filter with embedded analog to digital converter
US5760458A (en) 1996-10-22 1998-06-02 Foveonics, Inc. Bipolar-based active pixel sensor cell with poly contact and increased capacitive coupling to the base region
US5903021A (en) * 1997-01-17 1999-05-11 Eastman Kodak Company Partially pinned photodiode for solid state image sensors
US6160281A (en) * 1997-02-28 2000-12-12 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with inter-pixel function sharing
US5892253A (en) 1997-03-26 1999-04-06 Foveonics, Inc. Active pixel sensor cell with balanced blue response and reduced noise
US5847422A (en) 1997-05-19 1998-12-08 Foveonics, Inc. MOS-based active pixel sensor cell that utilizes the parasitic bipolar action of the cell to output image data
JP4294745B2 (ja) * 1997-09-26 2009-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の作製方法
US5859450A (en) 1997-09-30 1999-01-12 Intel Corporation Dark current reducing guard ring
US6005619A (en) 1997-10-06 1999-12-21 Photobit Corporation Quantum efficiency improvements in active pixel sensors
US6008486A (en) 1997-12-31 1999-12-28 Gentex Corporation Wide dynamic range optical sensor
US6160282A (en) * 1998-04-21 2000-12-12 Foveon, Inc. CMOS image sensor employing silicide exclusion mask to reduce leakage and improve performance
US6259124B1 (en) * 1998-08-07 2001-07-10 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with high fill factor blooming protection
US6114739A (en) * 1998-10-19 2000-09-05 Agilent Technologies Elevated pin diode active pixel sensor which includes a patterned doped semiconductor electrode
JP2000253316A (ja) * 1999-03-02 2000-09-14 Kawasaki Steel Corp Ｃｍｏｓイメージセンサ
US6710804B1 (en) * 2000-01-18 2004-03-23 Eastman Kodak Company CMOS active pixel image sensor with extended dynamic range and sensitivity

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000260971A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Canon Inc 撮像装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006073732A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Canon Inc 固体撮像装置及び固体撮像システム
US8416329B2 (en) 2004-09-01 2013-04-09 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup device and image pickup system
JP2006147709A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Omron Corp 撮像デバイス
JP4507847B2 (ja) * 2004-11-17 2010-07-21 オムロン株式会社 撮像デバイス
JP2006261594A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Canon Inc 固体撮像装置及びカメラ
JP4677258B2 (ja) * 2005-03-18 2011-04-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP2007036224A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Samsung Electronics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその形成方法
US8488735B2 (en) 2008-01-30 2013-07-16 Hamamatsu Photonics K.K. Solid-state imager and X-ray CT apparatus including same
US8675813B2 (en) 2008-01-30 2014-03-18 Hamamatsu Photonics K.K. Solid-state imager and X-ray CT apparatus including same
JP2011060815A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nikon Corp 固体撮像素子
JP2013069994A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Fujifilm Corp Ｍｏｓ型固体撮像素子及び撮像装置

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