JP2002170808A - ベベルエッチング装置 - Google Patents
ベベルエッチング装置Info
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- JP2002170808A JP2002170808A JP2000368719A JP2000368719A JP2002170808A JP 2002170808 A JP2002170808 A JP 2002170808A JP 2000368719 A JP2000368719 A JP 2000368719A JP 2000368719 A JP2000368719 A JP 2000368719A JP 2002170808 A JP2002170808 A JP 2002170808A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板の周縁部に対してエッチング処理を精度良
く施すことができるベベルエッチング装置を提供する。 【解決手段】ベベルエッチング装置は、スピンチャック
１に保持されたウエハＷの上面にエッチング液を供給す
るためのエッチング液供給ノズル４と、ウエハＷの上面
に純水を供給するための純水供給ノズル５とを備えてい
る。エッチング液供給ノズル４は、ウエハＷの上面の周
縁部に向けてエッチング液を吐出するように配置されて
いる。純水供給ノズル５は、ウエハＷの上面の中央部に
向けて純水を吐出するように配置されている。純水供給
ノズル５には、純水配管５１を通して純水が供給される
ようになっていて、純水配管５１の途中部には、純水の
流量を調整するための純水流量調整弁５２と、この純水
流量調整弁５２の上流側に、純水流量調整弁５２に供給
される純水の圧力を一定に保持するための自動圧力調整
弁６とが介装されている。
く施すことができるベベルエッチング装置を提供する。 【解決手段】ベベルエッチング装置は、スピンチャック
１に保持されたウエハＷの上面にエッチング液を供給す
るためのエッチング液供給ノズル４と、ウエハＷの上面
に純水を供給するための純水供給ノズル５とを備えてい
る。エッチング液供給ノズル４は、ウエハＷの上面の周
縁部に向けてエッチング液を吐出するように配置されて
いる。純水供給ノズル５は、ウエハＷの上面の中央部に
向けて純水を吐出するように配置されている。純水供給
ノズル５には、純水配管５１を通して純水が供給される
ようになっていて、純水配管５１の途中部には、純水の
流量を調整するための純水流量調整弁５２と、この純水
流量調整弁５２の上流側に、純水流量調整弁５２に供給
される純水の圧力を一定に保持するための自動圧力調整
弁６とが介装されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネ
ル用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの各
種基板に対して、いわゆるベベルエッチング処理を施す
ためのベベルエッチング装置に関する。
液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネ
ル用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの各
種基板に対して、いわゆるベベルエッチング処理を施す
ためのベベルエッチング装置に関する。
【０００２】
【背景技術】半導体装置の製造工程においては、半導体
ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面、裏面
および端面の全域に銅薄膜などの金属薄膜を形成した
後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理
が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅
薄膜は、ウエハの表面の素子形成領域に形成されていれ
ばよいから、ウエハの表面の周縁部（たとえば、ウエハ
の周縁から幅５mm程度の部分）、裏面および端面に形成
された銅薄膜は不要となる。
ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面、裏面
および端面の全域に銅薄膜などの金属薄膜を形成した
後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理
が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅
薄膜は、ウエハの表面の素子形成領域に形成されていれ
ばよいから、ウエハの表面の周縁部（たとえば、ウエハ
の周縁から幅５mm程度の部分）、裏面および端面に形成
された銅薄膜は不要となる。
【０００３】ウエハの周辺部に形成されている金属薄膜
を除去するための装置（ベベルエッチング装置）として
は、たとえば、スピンチャックでウエハを保持するとと
もに、これを鉛直軸線まわりに回転させる一方、ウエハ
の上面に純水を供給しつつ、ウエハの周辺部に薬液（エ
ッチング液）を供給する構成が提案されている。純水の
供給により、ウエハの中央部付近に薬液の飛沫が達して
も、この薬液は速やかに洗い流される。したがって、ウ
エハの中央付近の金属薄膜を侵すことなく、周辺部の金
属薄膜を選択的に除去できる。
を除去するための装置（ベベルエッチング装置）として
は、たとえば、スピンチャックでウエハを保持するとと
もに、これを鉛直軸線まわりに回転させる一方、ウエハ
の上面に純水を供給しつつ、ウエハの周辺部に薬液（エ
ッチング液）を供給する構成が提案されている。純水の
供給により、ウエハの中央部付近に薬液の飛沫が達して
も、この薬液は速やかに洗い流される。したがって、ウ
エハの中央付近の金属薄膜を侵すことなく、周辺部の金
属薄膜を選択的に除去できる。
【０００４】ウエハの周縁部の処理領域（薬液によって
金属薄膜が除去される領域）の幅は、たとえば、ウエハ
に供給される純水の流量により決定される。そこで、ウ
エハに供給すべき純水が流通する純水配管の途中部に
は、純水の流量を調整するための流量調整エア弁が介装
されていて、この流量調整エア弁の開度を調整すること
により、ウエハの周縁部の処理領域の幅を制御できるよ
うになっている。
金属薄膜が除去される領域）の幅は、たとえば、ウエハ
に供給される純水の流量により決定される。そこで、ウ
エハに供給すべき純水が流通する純水配管の途中部に
は、純水の流量を調整するための流量調整エア弁が介装
されていて、この流量調整エア弁の開度を調整すること
により、ウエハの周縁部の処理領域の幅を制御できるよ
うになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ウエハの周縁
部の処理領域の幅が所望の幅となるように流量調整エア
弁の開度を調整していても、純水配管内での純水の脈動
によって純水配管内の圧力が変動し、この圧力変動に伴
って、ウエハに供給される純水の流量が変動するおそれ
があった。そのため、従来のベベルエッチング装置で
は、ユーザが要求する精度（たとえば、ウエハの周縁か
ら幅５mm±０．５mm）を満たすことはできなかった。
部の処理領域の幅が所望の幅となるように流量調整エア
弁の開度を調整していても、純水配管内での純水の脈動
によって純水配管内の圧力が変動し、この圧力変動に伴
って、ウエハに供給される純水の流量が変動するおそれ
があった。そのため、従来のベベルエッチング装置で
は、ユーザが要求する精度（たとえば、ウエハの周縁か
ら幅５mm±０．５mm）を満たすことはできなかった。
【０００６】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、基板の周縁部に対してエッチング処理を
精度良く施すことができるベベルエッチング装置を提供
することである。
課題を解決し、基板の周縁部に対してエッチング処理を
精度良く施すことができるベベルエッチング装置を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板
（Ｗ）の上面の周縁部に対して選択的にエッチング処理
を施すためのベベルエッチング装置であって、基板をほ
ぼ水平に保持しつつ回転させる基板保持回転手段（１）
と、この基板保持回転手段により回転される基板の上面
の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給手
段（４，４１，４２）と、上記基板保持回転手段により
回転される基板の上面に向けて、基板上面の周縁部以外
の領域をエッチング液から保護するための純水を供給す
る表面保護用純水ノズル（５）と、この表面保護用純水
ノズルから基板の上面に供給される純水が流通する純水
配管（５１）と、この純水配管の途中に介装されて、上
記純水配管内の純水流通方向下流側の圧力をほぼ一定に
保持するための自動圧力調整弁（６）とを含むことを特
徴とするベベルエッチング装置である。
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板
（Ｗ）の上面の周縁部に対して選択的にエッチング処理
を施すためのベベルエッチング装置であって、基板をほ
ぼ水平に保持しつつ回転させる基板保持回転手段（１）
と、この基板保持回転手段により回転される基板の上面
の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給手
段（４，４１，４２）と、上記基板保持回転手段により
回転される基板の上面に向けて、基板上面の周縁部以外
の領域をエッチング液から保護するための純水を供給す
る表面保護用純水ノズル（５）と、この表面保護用純水
ノズルから基板の上面に供給される純水が流通する純水
配管（５１）と、この純水配管の途中に介装されて、上
記純水配管内の純水流通方向下流側の圧力をほぼ一定に
保持するための自動圧力調整弁（６）とを含むことを特
徴とするベベルエッチング装置である。
【０００８】なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じである。この発明によれば、自動圧力調整弁の働き
により、この自動圧力調整弁よりも純水流通方向下流側
における純水配管内の圧力が一定に保たれる。したがっ
て、表面保護用純水ノズルから吐出される純水の流量が
脈動により変動することを抑制でき、基板の上面の周縁
部の処理領域（純水によって保護される領域以外の領
域、エッチング液による処理を受ける領域）の幅を常に
所望の幅に維持することができる。ゆえに、基板の周縁
部に対して、エッチング処理を精度良く施すことができ
る。
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じである。この発明によれば、自動圧力調整弁の働き
により、この自動圧力調整弁よりも純水流通方向下流側
における純水配管内の圧力が一定に保たれる。したがっ
て、表面保護用純水ノズルから吐出される純水の流量が
脈動により変動することを抑制でき、基板の上面の周縁
部の処理領域（純水によって保護される領域以外の領
域、エッチング液による処理を受ける領域）の幅を常に
所望の幅に維持することができる。ゆえに、基板の周縁
部に対して、エッチング処理を精度良く施すことができ
る。
【０００９】なお、請求項２に記載のように、上記純水
配管の途中に介装されて、上記表面保護用純水ノズルか
ら基板上面に供給される純水の流量を調整するための流
量調整弁（５２）をさらに含み、上記自動圧力調整弁
は、上記流量調整弁よりも純水流通方向上流側に介装さ
れていることが好ましい。こうすることにより、流量調
整弁に供給される純水の流量を一定に保つことができる
から、流量調整弁による流量の調整を良好に行うことが
でき、基板の上面の周縁部の処理領域の幅をより高精度
に設定することができる。
配管の途中に介装されて、上記表面保護用純水ノズルか
ら基板上面に供給される純水の流量を調整するための流
量調整弁（５２）をさらに含み、上記自動圧力調整弁
は、上記流量調整弁よりも純水流通方向上流側に介装さ
れていることが好ましい。こうすることにより、流量調
整弁に供給される純水の流量を一定に保つことができる
から、流量調整弁による流量の調整を良好に行うことが
でき、基板の上面の周縁部の処理領域の幅をより高精度
に設定することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係るベベルエッチング装置の構成を
示す図解的な断面図である。このベベルエッチング装置
は、処理対象の基板であるウエハＷに対して、ウエハＷ
の周縁部の不要な薄膜を除去するためのベベルエッチン
グ処理を施すものである。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係るベベルエッチング装置の構成を
示す図解的な断面図である。このベベルエッチング装置
は、処理対象の基板であるウエハＷに対して、ウエハＷ
の周縁部の不要な薄膜を除去するためのベベルエッチン
グ処理を施すものである。
【００１１】このベベルエッチング装置は、基板保持回
転手段としてのスピンチャック１を備えている。スピン
チャック１は、モータなどを含む回転駆動機構１１によ
り回転される回転軸１２と、この回転軸１２の上端から
ほぼ水平方向に延びたチャックベース１３と、チャック
ベース１３上に立設された複数個のチャック１４とを有
している。チャック１４は、ウエハＷの周縁部に当接し
て、このウエハＷを水平な状態で保持することができる
ものである。この構成により、チャック１４でウエハＷ
を保持した状態で、回転駆動機構１１により回転軸１２
を回転させることによって、ウエハＷをほぼ水平な面内
で、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線まわりに回転さ
せることができる。
転手段としてのスピンチャック１を備えている。スピン
チャック１は、モータなどを含む回転駆動機構１１によ
り回転される回転軸１２と、この回転軸１２の上端から
ほぼ水平方向に延びたチャックベース１３と、チャック
ベース１３上に立設された複数個のチャック１４とを有
している。チャック１４は、ウエハＷの周縁部に当接し
て、このウエハＷを水平な状態で保持することができる
ものである。この構成により、チャック１４でウエハＷ
を保持した状態で、回転駆動機構１１により回転軸１２
を回転させることによって、ウエハＷをほぼ水平な面内
で、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線まわりに回転さ
せることができる。
【００１２】スピンチャック１は、このスピンチャック
１の周囲を取り囲むように配設された処理カップ２内に
収容されている。処理カップ２の上方には、大略的に円
筒状に形成されたスプラッシュガード３が設けられてい
る。スプラッシュガード３は、処理カップ２に対して上
下動可能に構成されており、ウエハＷに対する処理を行
う際には、図１に示すように上方に配置され、スピンチ
ャック１に対してウエハＷを着脱する際には、ウエハＷ
の搬送の邪魔にならないように下方へ移動される。
１の周囲を取り囲むように配設された処理カップ２内に
収容されている。処理カップ２の上方には、大略的に円
筒状に形成されたスプラッシュガード３が設けられてい
る。スプラッシュガード３は、処理カップ２に対して上
下動可能に構成されており、ウエハＷに対する処理を行
う際には、図１に示すように上方に配置され、スピンチ
ャック１に対してウエハＷを着脱する際には、ウエハＷ
の搬送の邪魔にならないように下方へ移動される。
【００１３】スプラッシュガード３の上方には、スプラ
ッシュガード３の上面の開口を介して、スピンチャック
１に保持されたウエハＷの上面にエッチング液を供給す
るためのエッチング液供給ノズル４と、スピンチャック
１に保持されたウエハＷの上面に純水を供給するための
純水供給ノズル５とが配置されている。エッチング液供
給ノズル４は、ウエハＷの上面の周縁部に向けてエッチ
ング液を吐出するように配置されている。一方、純水供
給ノズル５は、ウエハＷの上面の中央部に向けて純水を
吐出するように配置されている。
ッシュガード３の上面の開口を介して、スピンチャック
１に保持されたウエハＷの上面にエッチング液を供給す
るためのエッチング液供給ノズル４と、スピンチャック
１に保持されたウエハＷの上面に純水を供給するための
純水供給ノズル５とが配置されている。エッチング液供
給ノズル４は、ウエハＷの上面の周縁部に向けてエッチ
ング液を吐出するように配置されている。一方、純水供
給ノズル５は、ウエハＷの上面の中央部に向けて純水を
吐出するように配置されている。
【００１４】ウエハＷに対してベベルエッチング処理を
施す際には、回転駆動機構１１が作動されて、スピンチ
ャック１に保持されたウエハＷが所定の速度で回転され
る。その一方で、純水供給ノズル５からウエハＷの上面
の中央部に向けて純水が供給されるとともに、エッチン
グ液供給ノズル４からウエハＷの上面の周縁部に向けて
エッチング液が供給される。ウエハＷの上面に供給され
た純水にはウエハＷの回転による遠心力が作用するか
ら、ウエハＷの上面には、ウエハＷの中心から外方へと
向かう水流が形成される。したがって、ウエハＷの上面
の周縁部では、エッチング液供給ノズル４から供給され
るエッチング液がウエハＷの表面まで達し、このエッチ
ング液によってウエハＷの表面に形成されている不要な
薄膜が除去される一方、ウエハＷの上面の中央部は、た
とえエッチング液の飛沫が達しても、そのエッチング液
は純水の水流により速やかに洗い流されるから、エッチ
ング液によって薄膜が侵されることはない。
施す際には、回転駆動機構１１が作動されて、スピンチ
ャック１に保持されたウエハＷが所定の速度で回転され
る。その一方で、純水供給ノズル５からウエハＷの上面
の中央部に向けて純水が供給されるとともに、エッチン
グ液供給ノズル４からウエハＷの上面の周縁部に向けて
エッチング液が供給される。ウエハＷの上面に供給され
た純水にはウエハＷの回転による遠心力が作用するか
ら、ウエハＷの上面には、ウエハＷの中心から外方へと
向かう水流が形成される。したがって、ウエハＷの上面
の周縁部では、エッチング液供給ノズル４から供給され
るエッチング液がウエハＷの表面まで達し、このエッチ
ング液によってウエハＷの表面に形成されている不要な
薄膜が除去される一方、ウエハＷの上面の中央部は、た
とえエッチング液の飛沫が達しても、そのエッチング液
は純水の水流により速やかに洗い流されるから、エッチ
ング液によって薄膜が侵されることはない。
【００１５】エッチング液供給ノズル４には、エッチン
グ液配管４１が接続されており、このエッチング液配管
４１を通してエッチング液が供給されるようになってい
る。エッチング液配管４１の途中部には、このエッチン
グ液配管４１内におけるエッチング液の流量を調整する
ためのエッチング液流量調整弁４２が介装されている。
エッチング液流量調整弁４２の開度を調整することによ
り、エッチング液供給ノズル４からウエハＷにエッチン
グ液を供給したり、そのエッチング液の供給を停止した
りすることができる。
グ液配管４１が接続されており、このエッチング液配管
４１を通してエッチング液が供給されるようになってい
る。エッチング液配管４１の途中部には、このエッチン
グ液配管４１内におけるエッチング液の流量を調整する
ためのエッチング液流量調整弁４２が介装されている。
エッチング液流量調整弁４２の開度を調整することによ
り、エッチング液供給ノズル４からウエハＷにエッチン
グ液を供給したり、そのエッチング液の供給を停止した
りすることができる。
【００１６】また、純水供給ノズル５には、純水配管５
１が接続されており、この純水配管５１を通して純水が
供給されるようになっている。純水配管５１の途中部に
は、この純水配管５１内における純水の流量を調整する
ための純水流量調整弁５２が介装されている。この純水
流量調整弁５２の開度を調整することにより、純水供給
ノズル５からウエハＷに純水を供給したり、その純水の
供給を停止したりすることができる。さらに、純水流量
調整弁５２の開度を調整して、純水供給ノズル５からウ
エハＷに供給される純水の流量を調整することにより、
ウエハＷの上面で純水が形成する水流の強さを制御する
ことができ、ウエハＷの上面の周縁部の処理領域（エッ
チング液による処理を受ける領域）の幅を制御すること
ができる。
１が接続されており、この純水配管５１を通して純水が
供給されるようになっている。純水配管５１の途中部に
は、この純水配管５１内における純水の流量を調整する
ための純水流量調整弁５２が介装されている。この純水
流量調整弁５２の開度を調整することにより、純水供給
ノズル５からウエハＷに純水を供給したり、その純水の
供給を停止したりすることができる。さらに、純水流量
調整弁５２の開度を調整して、純水供給ノズル５からウ
エハＷに供給される純水の流量を調整することにより、
ウエハＷの上面で純水が形成する水流の強さを制御する
ことができ、ウエハＷの上面の周縁部の処理領域（エッ
チング液による処理を受ける領域）の幅を制御すること
ができる。
【００１７】ウエハＷの上面の周縁部の処理領域の幅が
所望の幅（たとえば、ウエハＷの周縁から５mm）になる
ように純水流量調整弁５２の開度を調整していても、純
水配管５１内を流れる純水の脈動により、純水配管５１
内の圧力が変動し、この圧力変動に伴って、純水供給ノ
ズル５から吐出される純水の流量が変動するおそれがあ
る。そこで、この実施形態では、純水配管５１の途中部
であって、純水の流通方向に関して純水流量調整弁５２
よりも上流側に、純水流量調整弁５２に供給される純水
の圧力を一定に保持するための自動圧力調整弁６が介装
されている。
所望の幅（たとえば、ウエハＷの周縁から５mm）になる
ように純水流量調整弁５２の開度を調整していても、純
水配管５１内を流れる純水の脈動により、純水配管５１
内の圧力が変動し、この圧力変動に伴って、純水供給ノ
ズル５から吐出される純水の流量が変動するおそれがあ
る。そこで、この実施形態では、純水配管５１の途中部
であって、純水の流通方向に関して純水流量調整弁５２
よりも上流側に、純水流量調整弁５２に供給される純水
の圧力を一定に保持するための自動圧力調整弁６が介装
されている。
【００１８】自動圧力調整弁６は、図２に示すように、
バルブ本体６１と、このバルブ本体６１内に収容された
弁体６２とを有している。バルブ本体６１内には、弁体
６２を収容する弁室６３と、この弁室６３からダイアフ
ラム６４，６５によってそれぞれ仕切られたエア室６
６，６７とが形成されている。弁室６３は、ダイアフラ
ム６４を挟んでエア室６６に隣接した流入室６３１と、
ダイアフラム６５を挟んでエア室６７と隣接した流出室
６３２と、流入室６３１および流出室６３２を連通する
連通路６３３とで構成されている。連通路６３３は、流
入室６３１と流出室６３２とを隔てるブロック６８に貫
通して形成されている。
バルブ本体６１と、このバルブ本体６１内に収容された
弁体６２とを有している。バルブ本体６１内には、弁体
６２を収容する弁室６３と、この弁室６３からダイアフ
ラム６４，６５によってそれぞれ仕切られたエア室６
６，６７とが形成されている。弁室６３は、ダイアフラ
ム６４を挟んでエア室６６に隣接した流入室６３１と、
ダイアフラム６５を挟んでエア室６７と隣接した流出室
６３２と、流入室６３１および流出室６３２を連通する
連通路６３３とで構成されている。連通路６３３は、流
入室６３１と流出室６３２とを隔てるブロック６８に貫
通して形成されている。
【００１９】弁体６２は、流入室６３１内に収容された
小径部６２１と、流出室６３２内に収容された大径部６
２２と、小径部６２１および大径部６２２を連結する連
結部６２３とを有している。小径部６２１は、ダイアフ
ラム６４に接着されており、大径部６２２は、ダイアフ
ラム６５に接着されている。また、連結部６２３は、連
通路６３３に挿通されている。流入室６３１は、図外の
純水供給源から純水が供給されるインレット６３４と連
通されており、このインレット６３４から流入室６３１
に流入した純水は、小径部６２１とブロック６８の流入
室６３１に臨む面との間から、連通路６３３と連結部６
２３との間に流入し、連通路６３３と連結部６２３との
間を通って流出室６３２に流入する。そして、この流出
室６３２から、アウトレット６３５を介して純水流量調
整弁５２（図１参照）に向けて流出するようになってい
る。
小径部６２１と、流出室６３２内に収容された大径部６
２２と、小径部６２１および大径部６２２を連結する連
結部６２３とを有している。小径部６２１は、ダイアフ
ラム６４に接着されており、大径部６２２は、ダイアフ
ラム６５に接着されている。また、連結部６２３は、連
通路６３３に挿通されている。流入室６３１は、図外の
純水供給源から純水が供給されるインレット６３４と連
通されており、このインレット６３４から流入室６３１
に流入した純水は、小径部６２１とブロック６８の流入
室６３１に臨む面との間から、連通路６３３と連結部６
２３との間に流入し、連通路６３３と連結部６２３との
間を通って流出室６３２に流入する。そして、この流出
室６３２から、アウトレット６３５を介して純水流量調
整弁５２（図１参照）に向けて流出するようになってい
る。
【００２０】小径部６２１がダイアフラム６４に接着さ
れ、大径部６２２がダイアフラム６５に接着されている
ことにより、弁体６２は、ダイアフラム６４，６５の変
形によって上下動する。定常状態における弁体６２の位
置は、エア室６７に供給される設定用エアの圧力を調整
することにより設定できる。なお、エア室６６は、ある
一定圧力のエアが封入されており、エア室６６内の圧力
は不変にされている。弁体６２の位置によって小径部６
２１とブロック６８の流入室６３１に臨む面との間の間
隔が定まり、これにより、流入室６３１から連通路６３
３を通って流出室６３２に流入する純水の流量が定まる
から、エア室６７に供給される設定用エアの圧力は、純
水供給ノズル５（図１参照）から吐出される純水の流量
に応じて設定される。
れ、大径部６２２がダイアフラム６５に接着されている
ことにより、弁体６２は、ダイアフラム６４，６５の変
形によって上下動する。定常状態における弁体６２の位
置は、エア室６７に供給される設定用エアの圧力を調整
することにより設定できる。なお、エア室６６は、ある
一定圧力のエアが封入されており、エア室６６内の圧力
は不変にされている。弁体６２の位置によって小径部６
２１とブロック６８の流入室６３１に臨む面との間の間
隔が定まり、これにより、流入室６３１から連通路６３
３を通って流出室６３２に流入する純水の流量が定まる
から、エア室６７に供給される設定用エアの圧力は、純
水供給ノズル５（図１参照）から吐出される純水の流量
に応じて設定される。
【００２１】たとえば、流入室６３１に流入する純水の
流量または圧力が増大すると、流入室６３１から連通路
６３３を通って流出室６３２に流入する純水の圧力が増
大し、弁体６２の大径部６２２がダイアフラム６５をエ
ア室６７に押す方向の力を受ける。これにより、ダイア
フラム６４，６５が変形して、弁体６２がエア室６７側
に移動し、小径部６２１とブロック６８の流入室６３１
に臨む面との間の間隔が小さくなる。その結果、流入室
６３１から連通路６３３を通って流出室６３２に流入す
る純水の流量が減少するから、流出室６３２から純水流
量調整弁５２（図１参照）に向けて流出する純水の流量
および圧力の変動が抑えられる。
流量または圧力が増大すると、流入室６３１から連通路
６３３を通って流出室６３２に流入する純水の圧力が増
大し、弁体６２の大径部６２２がダイアフラム６５をエ
ア室６７に押す方向の力を受ける。これにより、ダイア
フラム６４，６５が変形して、弁体６２がエア室６７側
に移動し、小径部６２１とブロック６８の流入室６３１
に臨む面との間の間隔が小さくなる。その結果、流入室
６３１から連通路６３３を通って流出室６３２に流入す
る純水の流量が減少するから、流出室６３２から純水流
量調整弁５２（図１参照）に向けて流出する純水の流量
および圧力の変動が抑えられる。
【００２２】また逆に、流入室６３１に流入する純水の
流量または圧力が減少すると、流入室６３１から連通路
６３３を通って流出室６３２に流入する純水の圧力が減
少し、弁体６２の大径部６２２が純水から受ける圧力が
エア室６７内の圧力よりも小さくなる。これにより、ダ
イアフラム６４，６５が変形して、弁体６２がエア室６
６側に移動し、小径部６２１とブロック６８の流入室６
３１に臨む面との間の間隔が大きくなる。その結果、流
入室６３１から連通路６３３を通って流出室６３２に流
入する純水の流量が増大するから、流出室６３２から純
水流量調整弁５２（図１参照）に向けて流出する純水の
流量および圧力の変動が抑えられる。
流量または圧力が減少すると、流入室６３１から連通路
６３３を通って流出室６３２に流入する純水の圧力が減
少し、弁体６２の大径部６２２が純水から受ける圧力が
エア室６７内の圧力よりも小さくなる。これにより、ダ
イアフラム６４，６５が変形して、弁体６２がエア室６
６側に移動し、小径部６２１とブロック６８の流入室６
３１に臨む面との間の間隔が大きくなる。その結果、流
入室６３１から連通路６３３を通って流出室６３２に流
入する純水の流量が増大するから、流出室６３２から純
水流量調整弁５２（図１参照）に向けて流出する純水の
流量および圧力の変動が抑えられる。
【００２３】このような自動圧力調整弁６が純水流通方
向に関して純水流量調整弁５２よりも上流側に介装され
ていることにより、純水流量調整弁５２に供給される純
水の圧力および流量を常に一定に保つことができる。し
たがって、純水供給ノズル５から吐出される純水の流量
が脈動により変動することを抑制でき、ウエハＷの上面
の周縁部の処理領域の幅を常に所望の幅に維持すること
ができる。また、この実施形態では、自動圧力調整弁６
のエア室６７に供給される設定用エアは、図示しないエ
ア供給源からエア供給管７１を介して供給されるように
なっており、このエア供給管７１には、エア室６７に供
給されるエアの圧力を精密に調整可能な精密減圧弁７２
が介装されている。これにより、エア室６７に供給され
る設定用エアの圧力を精度良く調整することができ、自
動圧力調整弁６から純水流量調整弁５２に供給される純
水の流量を精度良く設定することができる。
向に関して純水流量調整弁５２よりも上流側に介装され
ていることにより、純水流量調整弁５２に供給される純
水の圧力および流量を常に一定に保つことができる。し
たがって、純水供給ノズル５から吐出される純水の流量
が脈動により変動することを抑制でき、ウエハＷの上面
の周縁部の処理領域の幅を常に所望の幅に維持すること
ができる。また、この実施形態では、自動圧力調整弁６
のエア室６７に供給される設定用エアは、図示しないエ
ア供給源からエア供給管７１を介して供給されるように
なっており、このエア供給管７１には、エア室６７に供
給されるエアの圧力を精密に調整可能な精密減圧弁７２
が介装されている。これにより、エア室６７に供給され
る設定用エアの圧力を精度良く調整することができ、自
動圧力調整弁６から純水流量調整弁５２に供給される純
水の流量を精度良く設定することができる。
【００２４】なお、ウエハＷの裏面に対してもエッチン
グ処理を施すことができるようにするために、図１に示
すように、処理カップ２の底部に、スピンチャック１に
保持されたウエハＷの裏面にエッチング液を供給するた
めのノズル８１，８２が配設されてもよい。また、スピ
ンチャック１の回転軸１２の上端に、スピンチャック１
に保持されたウエハＷの裏面の中央部に向けてエッチン
グ液を供給するためのノズル８３が配設されてもよい。
グ処理を施すことができるようにするために、図１に示
すように、処理カップ２の底部に、スピンチャック１に
保持されたウエハＷの裏面にエッチング液を供給するた
めのノズル８１，８２が配設されてもよい。また、スピ
ンチャック１の回転軸１２の上端に、スピンチャック１
に保持されたウエハＷの裏面の中央部に向けてエッチン
グ液を供給するためのノズル８３が配設されてもよい。
【００２５】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は、他の形態で実施することも可能で
ある。たとえば、上述の実施形態では、ウエハＷの周縁
部を保持するスピンチャックが用いられているが、ウエ
ハＷの上面の周縁部および端面に対してのみエッチング
処理を施す装置であれば、ウエハＷの下面を吸着するバ
キュームチャックが適用されてもよい。また、処理対象
の基板は、ウエハＷに限らず、たとえば、液晶表示装置
用ガラス基板、プラズマディスプレイパネル用ガラス基
板および磁気／光ディスク用基板などの他の種類の基板
であってもよい。
したが、この発明は、他の形態で実施することも可能で
ある。たとえば、上述の実施形態では、ウエハＷの周縁
部を保持するスピンチャックが用いられているが、ウエ
ハＷの上面の周縁部および端面に対してのみエッチング
処理を施す装置であれば、ウエハＷの下面を吸着するバ
キュームチャックが適用されてもよい。また、処理対象
の基板は、ウエハＷに限らず、たとえば、液晶表示装置
用ガラス基板、プラズマディスプレイパネル用ガラス基
板および磁気／光ディスク用基板などの他の種類の基板
であってもよい。
【００２６】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図１】この発明の一実施形態に係るベベルエッチング
装置の構成を示す図解的な断面図である。
装置の構成を示す図解的な断面図である。
【図２】自動圧力調整弁の構成を簡略化して示す断面図
である。
である。
１ スピンチャック ４ エッチング液供給ノズル ５ 純水供給ノズル ６ 自動圧力調整弁 ４１ エッチング液配管 ４２ エッチング液流量調整弁 ５１ 純水配管 ５２ 純水流量調整弁 Ｗ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永徳 篤郎 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁 目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン 製造株式会社内 Ｆターム(参考） 5F043 DD13 DD30 EE07 EE08 GG10
Claims (2)
- 【請求項１】基板の上面の周縁部に対して選択的にエッ
チング処理を施すためのベベルエッチング装置であっ
て、 基板をほぼ水平に保持しつつ回転させる基板保持回転手
段と、 この基板保持回転手段により回転される基板の上面の周
縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給手段
と、 上記基板保持回転手段により回転される基板の上面に向
けて、基板上面の周縁部以外の領域をエッチング液から
保護するための純水を供給する表面保護用純水ノズル
と、 この表面保護用純水ノズルから基板の上面に供給される
純水が流通する純水配管と、 この純水配管の途中に介装されて、上記純水配管内の純
水流通方向下流側の圧力をほぼ一定に保持するための自
動圧力調整弁とを含むことを特徴とするベベルエッチン
グ装置。 - 【請求項２】上記純水配管の途中に介装されて、上記表
面保護用純水ノズルから基板上面に供給される純水の流
量を調整するための流量調整弁をさらに含み、 上記自動圧力調整弁は、上記流量調整弁よりも純水流通
方向上流側に介装されていることを特徴とする請求項１
記載のベベルエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000368719A JP3771440B2 (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | ベベルエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000368719A JP3771440B2 (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | ベベルエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002170808A true JP2002170808A (ja) | 2002-06-14 |
| JP3771440B2 JP3771440B2 (ja) | 2006-04-26 |
Family
ID=18838883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000368719A Expired - Fee Related JP3771440B2 (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | ベベルエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3771440B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080315349A1 (en) * | 2005-02-28 | 2008-12-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for Manufacturing Bonded Wafer and Bonded Wafer |
| US8192822B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-06-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Edge etched silicon wafers |
| US8735261B2 (en) | 2008-11-19 | 2014-05-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer |
| US8853054B2 (en) | 2012-03-06 | 2014-10-07 | Sunedison Semiconductor Limited | Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers |
| CN105470123A (zh) * | 2014-09-30 | 2016-04-06 | 细美事有限公司 | 基板处理装置及方法 |
| WO2018079494A1 (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及び液処理装置 |
-
2000
- 2000-12-04 JP JP2000368719A patent/JP3771440B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080315349A1 (en) * | 2005-02-28 | 2008-12-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for Manufacturing Bonded Wafer and Bonded Wafer |
| KR101151458B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2012-06-01 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합 웨이퍼의 제조방법 및 접합 웨이퍼 |
| US8192822B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-06-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Edge etched silicon wafers |
| US8309464B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-11-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods for etching the edge of a silicon wafer |
| US8735261B2 (en) | 2008-11-19 | 2014-05-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer |
| US8853054B2 (en) | 2012-03-06 | 2014-10-07 | Sunedison Semiconductor Limited | Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers |
| CN105470123A (zh) * | 2014-09-30 | 2016-04-06 | 细美事有限公司 | 基板处理装置及方法 |
| US10022746B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-07-17 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating a substrate |
| WO2018079494A1 (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及び液処理装置 |
| JPWO2018079494A1 (ja) * | 2016-10-26 | 2019-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及び液処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3771440B2 (ja) | 2006-04-26 |
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