JP2002170758A - Upper-surface baking and cleaning apparatus - Google Patents
Upper-surface baking and cleaning apparatusInfo
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- JP2002170758A JP2002170758A JP2000365934A JP2000365934A JP2002170758A JP 2002170758 A JP2002170758 A JP 2002170758A JP 2000365934 A JP2000365934 A JP 2000365934A JP 2000365934 A JP2000365934 A JP 2000365934A JP 2002170758 A JP2002170758 A JP 2002170758A
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Abstract
Description
【０００１】本発明はベーク装置、クーリング装置、な
らびにこれらを使用するベークおよび／またはクーリン
グ方法に関する。より詳しくは、本発明は、半導体集積
回路装置、プリント基板、ＣＤまたはＭＤ記憶ディスク
装置等の作成に関して使用するレジストの処理装置およ
び処理方法に関する。The present invention relates to a baking device, a cooling device, and a baking and / or cooling method using the same. More particularly, the present invention relates to a resist processing apparatus and a resist processing method used for producing a semiconductor integrated circuit device, a printed circuit board, a CD or MD storage disk device, and the like.
【０００２】半導体およびプリント基板などにおいては
高集積化が促進され、回路形成に際して要求される精密
度は厳しいものとなってきている。それに答えるべくフ
ォトレジストの分野においても、従来のノボラック樹脂
を用いたレジストに替わり、解像性の高い化学増幅レジ
ストが使用される場合が多くなってきている。このよう
な化学増幅系のレジストでは加工条件の一層精密な制御
が必要とされ、プリベークおよび露光後ベークの条件、
ベーク後のクーリング条件などについて、温度の正確な
制御に加え、基板全体にわたる温度の均一性、さらには
加熱または冷却温度プロファイルなどを制御する必要が
生じている。一方、ＭＤのディスク原板などの肉厚の基
体についても精度良く加工する要求が高まっている。Ｍ
Ｄディスク原板では、一般に１０〜１５ｍｍの厚さのガ
ラス基板又は金属基板の上に光により感光するフォトレ
ジストを塗布、ベークし、レーザー描画装置により微細
なピットを露光し、現像することで、微細なピットパタ
ーンをガラス基板又は金属基板の上に形成する。フォト
レジストは回転する基板の上に滴下され、遠心力で基板
上に広げさらに高速回転を行い薄膜に塗布される。次い
で、基板を熱板の上に乗せ，下から加熱してベークし溶
媒を蒸発させるとともに膜を固め、緻密な膜を形成する
（これを露光前ベークの意味でＰｒｅ−ｅｘｐｏｓｕｒ
ｅ Ｂａｋｅ：プリベークと呼ぶ）。2. Description of the Related Art High integration has been promoted in semiconductors and printed boards, and the precision required for circuit formation has become strict. In order to respond to this, in the field of photoresist, a chemically amplified resist having high resolution is increasingly used in place of a conventional resist using a novolak resin. In such a chemically amplified resist, more precise control of processing conditions is required, and the conditions of pre-bake and post-exposure bake,
As for the cooling conditions after baking, it is necessary to control not only the temperature accurately but also the temperature uniformity over the entire substrate and the heating or cooling temperature profile. On the other hand, there is an increasing demand for processing a thick base such as an MD disk original plate with high accuracy. M
In the original D disk, a photoresist sensitive to light is applied to a glass substrate or a metal substrate having a thickness of generally 10 to 15 mm, baked, and fine pits are exposed and developed by a laser drawing apparatus, and developed. A pit pattern is formed on a glass substrate or a metal substrate. The photoresist is dropped on the rotating substrate, spread on the substrate by centrifugal force, and further rotated at high speed to be applied to the thin film. Next, the substrate is placed on a hot plate, heated and baked from below to evaporate the solvent and solidify the film, thereby forming a dense film (this is referred to as a pre-exposure bake before exposure).
eBake: called pre-bake).
【０００３】従来、プリベークにおいては熱板の上に基
板を乗せ下方から加熱することで行っていた。しかし、
この方法では基板が厚いため、熱がレジストに伝わるま
でに時間がかかり、また、熱の伝わりにむらが生ずるた
め、レジストのベーク条件にむらが生ずる問題があっ
た。また、ベークを終了し、露光プロセスへ移行する
際、直ぐに冷却されず、基板が熱を蓄積したまま露光さ
れてしまい、同じ露光量であるにも関わらず、露光反応
の進み方の違いから基板面内、および基板間において露
光むらを生ずる問題があった。さらに、化学増幅レジス
トでは露光の後に、樹脂が現像液に溶解することを抑止
するための保護基をはずす反応、いわゆる脱保護反応が
必要であり、露光後にベークを行う必要がある。このベ
ークをＰｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ（Ｐ．
Ｅ．Ｂ．）と言う。この保護基の脱離反応は温度に敏感
であり、レジストのＰ．Ｅ．Ｂ．における温度むらがあ
ると、レジストの仕上がり寸法が変化してしまうという
問題が生ずる。また、Ｐ．Ｅ．Ｂ．後は基板を速やかに
冷却して脱保護反応を止めなければ、反応が進行してし
まい、さらに仕上がり寸法の変化（ばらつき）を生ずる
問題があった。そのため、化学増幅レジストを使用する
場合には、ＭＤディスク原板のような厚い基板に限ら
ず、ウエハのような薄い基板の場合においても、厳密に
温度管理を行うことが必要とされる。Conventionally, in prebaking, a substrate is placed on a hot plate and heated from below. But,
In this method, it takes a long time for heat to be transmitted to the resist because the substrate is thick, and there is a problem that unevenness in heat transfer occurs, resulting in unevenness in resist baking conditions. In addition, when the baking is completed and the process proceeds to the exposure process, the substrate is not immediately cooled, and the substrate is exposed while accumulating heat. There has been a problem that exposure unevenness occurs in the plane and between the substrates. Further, in the case of a chemically amplified resist, a reaction for removing a protecting group for preventing the resin from being dissolved in a developing solution after exposure, that is, a so-called deprotection reaction is required, and baking must be performed after exposure. This bake is placed in a Post Exposure Bake (P.
E. FIG. B. ). This elimination reaction of the protecting group is temperature-sensitive, and the P.I. E. FIG. B. If there is uneven temperature in the above, there arises a problem that the finished dimension of the resist changes. Also, P.I. E. FIG. B. Thereafter, unless the substrate is quickly cooled to stop the deprotection reaction, the reaction proceeds, and there is a problem that the finished dimensions change (variation). Therefore, when a chemically amplified resist is used, strict temperature control is required not only for a thick substrate such as an original MD disk but also for a thin substrate such as a wafer.
【０００４】本発明は、上記の課題を解決し、ベークお
よびクーリングの際における温度を厳密に管理するとと
もに、基板全体にわたる温度の均一性の保持、ならびに
温度変化プロファイルを厳密に管理をすることのできる
ベーク装置、クーリング装置、およびベークアンドクー
リング装置、ならびにこの装置を使用したベーク方法、
クーリング方法、およびベークアンドクーリング方法を
提供するものである。すなわち、本発明はその第１の態
様として、ベークプレート、基板保持装置、該基板保持
装置上に保持された基板とベークプレートとの間の距離
の測定手段、および該基板保持装置上に保持された基板
とベークプレートとの間の距離を均一にする手段を有す
る、ベーク装置を提供する。本発明はその第２の態様と
して、クーリングプレート、基板保持装置、該基板保持
装置上に保持された基板とクーリングプレートとの間の
距離の測定手段、および該基板保持装置上に保持された
基板とクーリングプレートとの間の距離を均一にする手
段を有する、クーリング装置を提供する。本発明はその
第３の態様として、上記のベーク装置およびクーリング
装置を有する、ベークアンドクーリング装置を提供す
る。さらに本発明は、上記の装置を使用した、ベーク方
法、クーリング方法、およびベークアンドクーリング方
法を提供する。[0004] The present invention solves the above-mentioned problems, and strictly controls the temperature during baking and cooling, maintains temperature uniformity over the entire substrate, and strictly controls the temperature change profile. Baking device, cooling device, and baking and cooling device, and baking method using this device,
A cooling method and a bake-and-cooling method are provided. That is, as a first aspect of the present invention, there is provided a bake plate, a substrate holding device, a measuring means for measuring a distance between a substrate held on the substrate holding device and the bake plate, and a device held on the substrate holding device. Baking apparatus having means for equalizing the distance between a substrate and a baking plate. According to a second aspect of the present invention, there is provided a cooling plate, a substrate holding device, a measuring unit for measuring a distance between a substrate held on the substrate holding device and the cooling plate, and a substrate held on the substrate holding device. Cooling means having means for equalizing the distance between the cooling device and the cooling plate. According to a third aspect of the present invention, there is provided a bake-and-cooling device having the above-described bake device and cooling device. Further, the present invention provides a baking method, a cooling method, and a bake-and-cooling method using the above-described apparatus.
【０００５】本発明において、「ベークプレート」と
は、基板を加熱することのできるプレートをいい、公知
の任意のものが使用できるが、たとえばアルミベース内
に発熱装置を有するホットプレートなどが使用できる。
「基板保持装置」とは、その表面上に基板を保持できる
装置をいい、保持手段としてはバキューム、クリップ、
爪などの公知の任意の手段が使用できる。「基板保持装
置上に保持された基板とベークプレートとの間の距離を
均一にする手段」により、ベークプレートとの間の距離
を変化させることができる。表面の形状は、保持される
基板に応じて適宜決定できる。またその立体形状も、
「基板保持装置上に保持された基板とベークプレートと
の間の距離を均一にする手段」によりその立体的な配置
が適当に調節できるものであればどのような形状でも良
い。たとえば、半球形、球の部分、ディスク状、直方
体、円錐、四角錐などの形状であることができるが、好
ましくは半球状である。In the present invention, the term "bake plate" refers to a plate capable of heating a substrate, and any known plate can be used. For example, a hot plate having a heating device in an aluminum base can be used. .
The term “substrate holding device” refers to a device that can hold a substrate on its surface.
Any known means such as nails can be used. The “means for making the distance between the substrate held on the substrate holding device and the bake plate uniform” can change the distance between the substrate and the bake plate. The shape of the surface can be appropriately determined according to the substrate to be held. Also, its three-dimensional shape,
Any shape may be used as long as its three-dimensional arrangement can be appropriately adjusted by "means for equalizing the distance between the substrate held on the substrate holding device and the bake plate". For example, it may be in the form of a hemisphere, a sphere, a disk, a rectangular parallelepiped, a cone, a quadrangular pyramid, etc., but is preferably a hemisphere.
【０００６】「基板保持装置上に保持された基板とベー
クプレートとの間の距離の測定手段」は、基板保持装置
上に保持された基板の複数の箇所において、基板とベー
クプレートとの間の距離を測定することができる手段で
あれば、任意のものが使用できる。好ましくは、ベーク
プレートに距離計測用の光学的距離測定装置が設けられ
ている。好ましい光学的距離測定装置はＨｅ−Ｎｅレー
ザーを用いたセンサーである。「基板保持装置上に保持
された基板とクーリングプレートとの間の距離を均一に
する手段」とは、上記の距離測定手段により得られた信
号に基づいて、基板保持装置上に保持された基板の各点
においてベークプレートとの間の距離を均一し、基板の
面とベークプレートの面とを平行にできる手段であれば
任意のものが使用できる。たとえば、エアマイクロ浮上
装置やピンにより支持する方法が使用できる。好ましく
は前記の２つの方法が併用される。エアマイクロ浮上装
置の浮上用の気体としてはエアの他に窒素およびアルゴ
ンなどが使用でき、好ましくは窒素が使用される。[0006] "Measurement means for the distance between the substrate held on the substrate holding device and the bake plate" is provided at a plurality of positions on the substrate held on the substrate holding device. Any means that can measure the distance can be used. Preferably, the bake plate is provided with an optical distance measuring device for distance measurement. A preferred optical distance measuring device is a sensor using a He-Ne laser. "The means for equalizing the distance between the substrate held on the substrate holding device and the cooling plate" refers to the substrate held on the substrate holding device based on the signal obtained by the distance measuring means. Any means can be used as long as the distance between the substrate and the bake plate can be made uniform at each point and the surface of the substrate and the surface of the bake plate can be made parallel. For example, a method of supporting with an air micro levitation device or a pin can be used. Preferably, the above two methods are used in combination. As a gas for levitation of the air micro levitation device, nitrogen and argon can be used in addition to air, and nitrogen is preferably used.
【０００７】本発明において、「クーリングプレート」
とは、基板を冷却することのできるプレートをいい、た
とえばベルチェ素子によるものが使用できる。本発明の
クーリング装置において用いられる、基板保持装置、基
板保持装置上に保持された基板とクーリングプレートと
の間の距離の測定手段、および該基板保持装置上に保持
された基板とクーリングプレートとの間の距離を均一に
する手段は、上記のベーク装置において使用されるもの
と同一である。[0007] In the present invention, "cooling plate"
The term “plate” refers to a plate capable of cooling a substrate, for example, a plate using a Peltier element can be used. Used in the cooling device of the present invention, a substrate holding device, a measuring means for a distance between the substrate held on the substrate holding device and the cooling plate, and a method for measuring the distance between the substrate and the cooling plate held on the substrate holding device. Means for equalizing the distance between them are the same as those used in the above-described baking apparatus.
【０００８】本発明の装置においては、ベークプレート
又はクーリングプレートを上面に配置し、レジストを塗
布した基板を下面から接近させ、レジスト塗布面側から
ベークまたはクーリングする点に特徴を有する。本発明
では基板上のレジスト膜のベークを上面から行い、速や
かにベークを行うことでベークのむらをなくし、均一な
ベークを得ることができる。また、本発明では基板上の
レジスト膜のクーリングを上面から行い、速やかにクー
リングを行うことでクーリングのむらをなくし、均一な
クーリングを得ることができる。基板とベークプレート
またはクーリングプレートとの距離は、温度むらがなく
なるように充分に近くすることが望ましい。好ましくは
約１ｍｍ以内、より好ましくは１００ミクロン以内、最
も好ましくは５０ミクロン以内とされる。The apparatus of the present invention is characterized in that a bake plate or a cooling plate is arranged on the upper surface, the substrate on which the resist is applied is approached from the lower surface, and baking or cooling is performed from the resist application surface side. In the present invention, baking of a resist film on a substrate is performed from the upper surface, and baking is performed quickly, so that baking unevenness can be eliminated and uniform baking can be obtained. Further, in the present invention, the cooling of the resist film on the substrate is performed from the upper surface, and the cooling is quickly performed, so that the unevenness of the cooling can be eliminated and uniform cooling can be obtained. It is desirable that the distance between the substrate and the bake plate or the cooling plate is sufficiently small so as to eliminate uneven temperature. It is preferably within about 1 mm, more preferably within 100 microns, and most preferably within 50 microns.
【０００９】本発明の一態様においては、ベークプレー
トとクーリングプレートに温度センサーを取り付け、基
板の温度を測定することができる。この態様において
は、望ましい温度変化プロファイルのデーターをコンピ
ュータに記憶させ、基板の温度測定値と比較しつつ、リ
アルタイムで加熱および冷却条件をコントロールするこ
とができる。温度センサーとしては公知の任意のものが
使用できるが、たとえば赤外線型センサーが好適に使用
される。温度センサーはベークプレートまたはクーリン
グブレート表面に埋め込まれていることが好ましい。In one embodiment of the present invention, a temperature sensor can be attached to the bake plate and the cooling plate to measure the temperature of the substrate. In this embodiment, the data of the desired temperature change profile can be stored in the computer, and the heating and cooling conditions can be controlled in real time while comparing with the measured temperature of the substrate. Any known temperature sensor can be used, and for example, an infrared sensor is preferably used. Preferably, the temperature sensor is embedded in the bake plate or cooling plate surface.
【００１０】本発明にかかる装置の構成例を図１に示
す。ベークとクーリングプレートは並んで配置すること
ができ、はじめに基板をベークユニットへ搬送し、所定
時間ベークを行う。次にベーク後、搬送アームにより基
板をクーリングユニットに搬送し、所定時間クーリング
を行う。FIG. 1 shows an example of the configuration of an apparatus according to the present invention. The bake and the cooling plate can be arranged side by side. First, the substrate is transported to a bake unit, and bake is performed for a predetermined time. Next, after baking, the substrate is transferred to the cooling unit by the transfer arm, and cooling is performed for a predetermined time.
【００１１】ベークユニットの詳細な構成図を図２に示
す。ベークユニットは半球形のエアマイクロ位置決めス
テージ５とステージの昇降装置７およびベークプレート
１から構成される。基板は、搬送アームにより位置決め
半球形状のエアマイクロ位置決めステージ５の上に乗せ
られ、バキュームにより固定される。次いで、昇降装置
７によりステージごと上昇し、ベークプレートに基板を
近接させる。ベークプレートには距離計測用のＨｅ−Ｎ
ｅレーザーを用いたセンサー２が埋め込まれている。基
板がベークプレートに接近すると、ベークプレートに埋
め込まれたセンサー２からＨｅ−Ｎｅレーザーが照射さ
れ、ベークプレート面と基板表面との距離を計測する。
Ｈｅ−Ｎｅレーザー距離計測センサーはベークプレート
面に数カ所、均一に埋め込まれてある。距離センサーか
らの距離データはコンピュータに送られ、全てのセンサ
ー位置で所定の距離になるよう、自動的にエアーマイク
ロ位置決めステージを動かし調整する。エアーマイクロ
位置決めステージはエアー浮上により自由にその角度が
コントロール出来る。全てのセンサー位置でベークプレ
ート面と基板との距離が所定の値になったら、エアーマ
イクロ位置決めステージをロックする。また、ベークプ
レートの周りからはベーク中に発生するレジストからの
溶媒のガスや反応ガスなどがレジスト膜に影響を与えな
いように排気を行うことができる。所望により温度セン
サーで基板表面温度を測定しつつ、所定時間ベークを行
った後、エアーマイクロ位置決めステージを昇降装置に
より下降させ、ステージ内に埋め込まれたピンにより基
板を持ち上げて、搬送アームによりクーリングユニット
に移動する。クーリングユニットの構成はベークプレー
トがクーリングプレートに変えられる以外はベークユニ
ットと同じ構成であり、処理シーケンスも同様である。
また、ベーク終了からクーリング開始までの時間は、レ
ジストの感度や脱保護反応の効果に影響するため、厳密
な時間管理が必要となる。ベーキング装置とクーリング
装置を備えた本発明の装置では、基板の搬送のタイミン
グの設定、搬送中の雰囲気の制御を行うことにより、ベ
ーク終了からクーリング開始までの時間、およびその間
の温度および雰囲気などの環境を厳密にコントロールす
ることができる。本装置は、レジスト塗布後のベーク、
クーリングいわゆるプリベーク、プリクーリングおよび
露光後のベーク、クーリングいわゆるＰｏｓｔ Ｅｘｐ
ｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ（Ｐ．Ｅ．Ｂ．）、Ｐｏｓｔ Ｅ
ｘｐｏｓｕｒｅ Ｃｏｏｌｉｎｇ（Ｐ．Ｅ．Ｃ．）にお
ける条件を精密に制御し、高精度の加工を可能とするも
のである。FIG. 2 shows a detailed configuration diagram of the bake unit. The bake unit includes a hemispherical air micro positioning stage 5, a stage elevating device 7, and a bake plate 1. The substrate is placed on a positioning hemispherical air micro-positioning stage 5 by a transfer arm and fixed by vacuum. Next, the stage is moved up by the elevating device 7 to bring the substrate close to the bake plate. He-N for distance measurement is placed on the bake plate.
A sensor 2 using an e-laser is embedded. When the substrate approaches the bake plate, the sensor 2 embedded in the bake plate irradiates a He-Ne laser to measure the distance between the bake plate surface and the substrate surface.
He-Ne laser distance measurement sensors are uniformly embedded at several places on the bake plate surface. The distance data from the distance sensor is sent to the computer, and the air-micro positioning stage is automatically moved and adjusted so that the distance becomes a predetermined distance at all sensor positions. The angle of the air micro positioning stage can be freely controlled by air levitation. When the distance between the bake plate surface and the substrate reaches a predetermined value at all sensor positions, the air micro positioning stage is locked. In addition, air can be exhausted from around the bake plate so that a solvent gas or a reaction gas generated from the resist during baking does not affect the resist film. After performing baking for a predetermined time while measuring the substrate surface temperature with a temperature sensor as required, the air micro positioning stage is lowered by an elevating device, the substrate is lifted by pins embedded in the stage, and a cooling unit is transferred by a transfer arm. Go to The configuration of the cooling unit is the same as that of the baking unit except that the baking plate is changed to the cooling plate, and the processing sequence is also the same.
In addition, since the time from the end of baking to the start of cooling affects the sensitivity of the resist and the effect of the deprotection reaction, strict time management is required. In the apparatus of the present invention including a baking device and a cooling device, by setting the transfer timing of the substrate and controlling the atmosphere during the transfer, the time from the end of the baking to the start of the cooling, and the temperature and atmosphere during the time. The environment can be strictly controlled. This equipment is used for baking after resist application,
Cooling so-called pre-bake, pre-cooling and baking after exposure, cooling so-called Post Exp
osure Bake (PEB), Post E
The conditions in xposure Cooling (PEC) are precisely controlled to enable high-precision processing.
【００１２】実施例 実施例１ 基板の表面にレジストとしてＴＤＵＲ−Ｐ０１５（ＴＯ
Ｋ社製）を約０．５μｍの厚さに塗布した。設定温度を
１１０℃とし、下面から加熱する従来法および本発明の
方法により加熱を行った。基板としては厚さ１１ｍｍの
ガラス基板を用い、ベークプレートと基板の距離は５２
ミクロンとした。温度変化を測定した結果を図３に示
す。図３からわかるように従来法ではレジスト表面の温
度が１００℃に到達するのに８分を要するが、本方法で
は３．５分で到達しており、本方法は昇温スピードが大
きいことがわかる。図４に基板中心位置のレジスト表面
温度が１００℃に達した時点での基板表面の面内温度分
布を示す。本法式の方が温度均一性が高いことがわか
る。EXAMPLES Example 1 TDUR-P015 (TO) was used as a resist on the surface of a substrate.
K) was applied to a thickness of about 0.5 μm. The set temperature was 110 ° C., and heating was performed by the conventional method of heating from the lower surface and the method of the present invention. A glass substrate having a thickness of 11 mm was used as the substrate, and the distance between the bake plate and the substrate was 52.
Microns. FIG. 3 shows the result of measuring the temperature change. As can be seen from FIG. 3, in the conventional method, it takes 8 minutes for the temperature of the resist surface to reach 100 ° C., but in the present method, it takes 3.5 minutes. Understand. FIG. 4 shows the in-plane temperature distribution of the substrate surface when the resist surface temperature at the center of the substrate reaches 100 ° C. It can be seen that this method has higher temperature uniformity.
【００１３】実施例２ 本発明のクーリング装置による基板表面の降温曲線の測
定結果を図５に示す。従来法（放置による空冷）では２
５℃まで温度が降下するのに２０分を要するが、本法で
は１０分で降下している。特に化学増幅レジストでは脱
保護反応を速やかに停止させる必要があるため、Ｐ．
Ｅ．Ｂ．後のクーリングにおいては速やかな降温が必要
であり、特に化学増幅レジストのＰ．Ｅ．Ｂ．時のクー
リングにおいて、本法が従来法に比較して有効であるこ
とがわかる。Embodiment 2 FIG. 5 shows the measurement result of the temperature drop curve of the substrate surface by the cooling device of the present invention. In the conventional method (air cooling by standing), 2
It takes 20 minutes for the temperature to drop to 5 ° C., but in this method it drops in 10 minutes. Particularly in the case of a chemically amplified resist, it is necessary to stop the deprotection reaction promptly.
E. FIG. B. In the subsequent cooling, it is necessary to rapidly lower the temperature. E. FIG. B. It can be seen that the present method is more effective in cooling at the time than the conventional method.
【００１４】実施例３ 以下の条件で、化学増幅レジストを用いてレーザー描画
装置を用いてパターニングし、従来法と本法での面内の
寸法ばらつきを比較した。 レジスト：ＴＤＵＲ−Ｐ０１５（ＴＯＫ社製） プリベーク条件：９０℃、２０分 Ｐ．Ｅ．Ｂ．：１１０℃、９０秒、１０分 レジスト膜厚 ：２００ｎｍ 露光：２４８ｎｍレーザー照射装置 描画パターン：寸法２００ｎｍの孤立パターン 現像：テトラメチルアンモニウムハイドロキシド（ＴＭ
ＡＨ） ２．３８％（２３℃） パドル現像６０秒 結果を図６に示す。本発明方法によれば、従来法に比較
して面内の寸法ばらつきを低減することができる事がわ
かる。Example 3 Patterning was performed using a chemically amplified resist with a laser drawing apparatus under the following conditions, and the in-plane dimensional variations between the conventional method and the present method were compared. Resist: TDUR-P015 (manufactured by TOK) Prebake conditions: 90 ° C, 20 minutes E. FIG. B. : 110 ° C., 90 seconds, 10 minutes Resist film thickness: 200 nm Exposure: 248 nm laser irradiation device Drawing pattern: isolated pattern with dimensions of 200 nm Development: tetramethylammonium hydroxide (TM
AH) 2.38% (23 ° C.) Paddle development 60 seconds The results are shown in FIG. According to the method of the present invention, it can be seen that the dimensional variation in the plane can be reduced as compared with the conventional method.
【図１】 図１は本発明にかかる装置の構成例を示す図
である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of an apparatus according to the present invention.
【図２】 図２は本発明にかかる装置の詳細な構成を示
す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the device according to the present invention.
【図３】 図３は実施例１の結果を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the results of Example 1.
【図４】 図４は実施例１の結果を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the results of Example 1.
【図５】 図５は実施例２の結果を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the results of Example 2.
【図６】 図６は実施例３の結果を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the results of Example 3.
１：ベーク又はクーリングプレート ２：Ｈｅ−Ｎｅレーザー距離センサー ３：Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ） ４：基板 ５：エアーフロート球面座ステージ ６：エアーフロート球面座ステージ受け ７：ステージ昇降装置 ８：エアーフロート吹き出し口 １１：ベーク炉部 １２：クーリング部 １３：デバイスセットステーション １４：操作パネル １５：スライド部 1: Baking or cooling plate 2: He-Ne laser distance sensor 3: He-Ne laser beam (633 nm) 4: Substrate 5: Air float spherical seat stage 6: Air float spherical seat stage receiver 7: Stage elevating device 8: Air Float outlet 11: Bake furnace unit 12: Cooling unit 13: Device set station 14: Operation panel 15: Slide unit
Claims (8)
保持装置上に保持された基板とベークプレートとの間の
距離の測定手段、および該基板保持装置上に保持された
基板とベークプレートとの間の距離を均一にする手段を
有する、ベーク装置。1. A bake plate, a substrate holding device, means for measuring a distance between a substrate held on the substrate holding device and a bake plate, and a method for measuring a distance between the substrate held on the substrate holding device and the bake plate. A baking device having a means for equalizing the distance between them.
る、請求項１記載の装置。2. The apparatus according to claim 1, further comprising means for measuring the temperature of the substrate surface.
ーク開始から所定温度に達するまでの時間を管理する、
ベーク方法。3. The apparatus according to claim 1 or 2, wherein the time from the start of baking to a predetermined temperature is managed.
Bake method.
基板保持装置上に保持された基板とクーリングプレート
との間の距離の測定手段、および該基板保持装置上に保
持された基板とクーリングプレートとの間の距離を均一
にする手段を有する、クーリング装置。4. A cooling plate, a substrate holding device, means for measuring a distance between a substrate held on the substrate holding device and the cooling plate, and a method for measuring a distance between the substrate held on the substrate holding device and the cooling plate. A cooling device having means for equalizing the distance between them.
る、請求項４記載の装置。5. The apparatus according to claim 4, further comprising means for measuring the temperature of the substrate surface.
ーリング開始から所定温度に達するまでの時間を管理す
る、クーリング方法。6. A cooling method using the device according to claim 4 or 5, wherein the time from when the cooling is started to when the temperature reaches a predetermined temperature is managed.
と請求項４から６のいずれか１項記載の装置を有する、
ベークアンドクーリング装置。7. An apparatus according to claim 1, comprising an apparatus according to any one of claims 1 to 3 and an apparatus according to any one of claims 4 to 6.
Bake and cooling equipment.
後からクーリング開始までの時間を管理する、ベークア
ンドクーリング方法。8. A bake-and-cooling method for managing the time from the end of baking to the start of cooling by the apparatus according to claim 7.
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