JP4618750B2 - Upper surface baking and cooling device - Google Patents
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Description
【0001】
本発明はベーク装置、クーリング装置、ならびにこれらを使用するベークおよび/またはクーリング方法に関する。より詳しくは、本発明は、半導体集積回路装置、プリント基板、CDまたはMD記憶ディスク装置等の作成に関して使用するレジストの処理装置および処理方法に関する。
【0002】
半導体およびプリント基板などにおいては高集積化が促進され、回路形成に際して要求される精密度は厳しいものとなってきている。それに答えるべくフォトレジストの分野においても、従来のノボラック樹脂を用いたレジストに替わり、解像性の高い化学増幅レジストが使用される場合が多くなってきている。このような化学増幅系のレジストでは加工条件の一層精密な制御が必要とされ、プリベークおよび露光後ベークの条件、ベーク後のクーリング条件などについて、温度の正確な制御に加え、基板全体にわたる温度の均一性、さらには加熱または冷却温度プロファイルなどを制御する必要が生じている。
一方、MDのディスク原板などの肉厚の基体についても精度良く加工する要求が高まっている。MDディスク原板では、一般に10〜15mmの厚さのガラス基板又は金属基板の上に光により感光するフォトレジストを塗布、ベークし、レーザー描画装置により微細なピットを露光し、現像することで、微細なピットパターンをガラス基板又は金属基板の上に形成する。フォトレジストは回転する基板の上に滴下され、遠心力で基板上に広げさらに高速回転を行い薄膜に塗布される。次いで、基板を熱板の上に乗せ,下から加熱してベークし溶媒を蒸発させるとともに膜を固め、緻密な膜を形成する(これを露光前ベークの意味でPre−exposure Bake:プリベークと呼ぶ)。
【0003】
従来、プリベークにおいては熱板の上に基板を乗せ下方から加熱することで行っていた。しかし、この方法では基板が厚いため、熱がレジストに伝わるまでに時間がかかり、また、熱の伝わりにむらが生ずるため、レジストのベーク条件にむらが生ずる問題があった。また、ベークを終了し、露光プロセスへ移行する際、直ぐに冷却されず、基板が熱を蓄積したまま露光されてしまい、同じ露光量であるにも関わらず、露光反応の進み方の違いから基板面内、および基板間において露光むらを生ずる問題があった。
さらに、化学増幅レジストでは露光の後に、樹脂が現像液に溶解することを抑止するための保護基をはずす反応、いわゆる脱保護反応が必要であり、露光後にベークを行う必要がある。このベークをPost Exposure Bake(P.E.B.)と言う。この保護基の脱離反応は温度に敏感であり、レジストのP.E.B.における温度むらがあると、レジストの仕上がり寸法が変化してしまうという問題が生ずる。また、P.E.B.後は基板を速やかに冷却して脱保護反応を止めなければ、反応が進行してしまい、さらに仕上がり寸法の変化(ばらつき)を生ずる問題があった。そのため、化学増幅レジストを使用する場合には、MDディスク原板のような厚い基板に限らず、ウエハのような薄い基板の場合においても、厳密に温度管理を行うことが必要とされる。
【0004】
本発明は、上記の課題を解決し、ベークおよびクーリングの際における温度を厳密に管理するとともに、基板全体にわたる温度の均一性の保持、ならびに温度変化プロファイルを厳密に管理をすることのできるベーク装置、クーリング装置、およびベークアンドクーリング装置、ならびにこの装置を使用したベーク方法、クーリング方法、およびベークアンドクーリング方法を提供するものである。
すなわち、本発明はその第1の態様として、ベークプレート、基板保持装置、該基板保持装置上に保持された基板とベークプレートとの間の距離の測定手段、および該基板保持装置上に保持された基板とベークプレートとの間の距離を均一にする手段を有する、ベーク装置を提供する。
本発明はその第2の態様として、クーリングプレート、基板保持装置、該基板保持装置上に保持された基板とクーリングプレートとの間の距離の測定手段、および該基板保持装置上に保持された基板とクーリングプレートとの間の距離を均一にする手段を有する、クーリング装置を提供する。
本発明はその第3の態様として、上記のベーク装置およびクーリング装置を有する、ベークアンドクーリング装置を提供する。
さらに本発明は、上記の装置を使用した、ベーク方法、クーリング方法、およびベークアンドクーリング方法を提供する。
【0005】
本発明において、「ベークプレート」とは、基板を加熱することのできるプレートをいい、公知の任意のものが使用できるが、たとえばアルミベース内に発熱装置を有するホットプレートなどが使用できる。
「基板保持装置」とは、その表面上に基板を保持できる装置をいい、保持手段としてはバキューム、クリップ、爪などの公知の任意の手段が使用できる。「基板保持装置上に保持された基板とベークプレートとの間の距離を均一にする手段」により、ベークプレートとの間の距離を変化させることができる。表面の形状は、保持される基板に応じて適宜決定できる。またその立体形状も、「基板保持装置上に保持された基板とベークプレートとの間の距離を均一にする手段」によりその立体的な配置が適当に調節できるものであればどのような形状でも良い。たとえば、半球形、球の部分、ディスク状、直方体、円錐、四角錐などの形状であることができるが、好ましくは半球状である。
【0006】
「基板保持装置上に保持された基板とベークプレートとの間の距離の測定手段」は、基板保持装置上に保持された基板の複数の箇所において、基板とベークプレートとの間の距離を測定することができる手段であれば、任意のものが使用できる。好ましくは、ベークプレートに距離計測用の光学的距離測定装置が設けられている。好ましい光学的距離測定装置はHe−Neレーザーを用いたセンサーである。「基板保持装置上に保持された基板とベークプレートとの間の距離を均一にする手段」とは、上記の距離測定手段により得られた信号に基づいて、基板保持装置上に保持された基板の各点においてベークプレートとの間の距離を均一し、基板の面とベークプレートの面とを平行にできる手段であれば任意のものが使用できる。たとえば、エアマイクロ浮上装置やピンにより支持する方法が使用できる。好ましくは前記の2つの方法が併用される。エアマイクロ浮上装置の浮上用の気体としてはエアの他に窒素およびアルゴンなどが使用でき、好ましくは窒素が使用される。
【0007】
本発明において、「クーリングプレート」とは、基板を冷却することのできるプレートをいい、たとえばベルチェ素子によるものが使用できる。
本発明のクーリング装置において用いられる、基板保持装置、基板保持装置上に保持された基板とクーリングプレートとの間の距離の測定手段、および該基板保持装置上に保持された基板とクーリングプレートとの間の距離を均一にする手段は、上記のベーク装置において使用されるものと同一である。
【0008】
本発明の装置においては、ベークプレート又はクーリングプレートを上面に配置し、レジストを塗布した基板を下面から接近させ、レジスト塗布面側からベークまたはクーリングする点に特徴を有する。
本発明では基板上のレジスト膜のベークを上面から行い、速やかにベークを行うことでベークのむらをなくし、均一なベークを得ることができる。また、本発明では基板上のレジスト膜のクーリングを上面から行い、速やかにクーリングを行うことでクーリングのむらをなくし、均一なクーリングを得ることができる。
基板とベークプレートまたはクーリングプレートとの距離は、温度むらがなくなるように充分に近くすることが望ましい。好ましくは約1mm以内、より好ましくは100ミクロン以内、最も好ましくは50ミクロン以内とされる。
【0009】
本発明の一態様においては、ベークプレートとクーリングプレートに温度センサーを取り付け、基板の温度を測定することができる。この態様においては、望ましい温度変化プロファイルのデーターをコンピュータに記憶させ、基板の温度測定値と比較しつつ、リアルタイムで加熱および冷却条件をコントロールすることができる。温度センサーとしては公知の任意のものが使用できるが、たとえば赤外線型センサーが好適に使用される。温度センサーはベークプレートまたはクーリングブレート表面に埋め込まれていることが好ましい。
【0010】
本発明にかかる装置の構成例を図1に示す。
ベークとクーリングプレートは並んで配置することができ、はじめに基板をベークユニットへ搬送し、所定時間ベークを行う。次にベーク後、搬送アームにより基板をクーリングユニットに搬送し、所定時間クーリングを行う。
【0011】
ベークユニットの詳細な構成図を図2に示す。
ベークユニットは半球形のエアマイクロ位置決めステージ5とステージの昇降装置7およびベークプレート1から構成される。基板は、搬送アームにより位置決め半球形状のエアマイクロ位置決めステージ5の上に乗せられ、バキュームにより固定される。次いで、昇降装置7によりステージごと上昇し、ベークプレートに基板を近接させる。ベークプレートには距離計測用のHe−Neレーザーを用いたセンサー2が埋め込まれている。基板がベークプレートに接近すると、ベークプレートに埋め込まれたセンサー2からHe−Neレーザーが照射され、ベークプレート面と基板表面との距離を計測する。He−Neレーザー距離計測センサーはベークプレート面に数カ所、均一に埋め込まれてある。距離センサーからの距離データはコンピュータに送られ、全てのセンサー位置で所定の距離になるよう、自動的にエアーマイクロ位置決めステージを動かし調整する。エアーマイクロ位置決めステージはエアー浮上により自由にその角度がコントロール出来る。全てのセンサー位置でベークプレート面と基板との距離が所定の値になったら、エアーマイクロ位置決めステージをロックする。また、ベークプレートの周りからはベーク中に発生するレジストからの溶媒のガスや反応ガスなどがレジスト膜に影響を与えないように排気を行うことができる。所望により温度センサーで基板表面温度を測定しつつ、所定時間ベークを行った後、エアーマイクロ位置決めステージを昇降装置により下降させ、ステージ内に埋め込まれたピンにより基板を持ち上げて、搬送アームによりクーリングユニットに移動する。クーリングユニットの構成はベークプレートがクーリングプレートに変えられる以外はベークユニットと同じ構成であり、処理シーケンスも同様である。また、ベーク終了からクーリング開始までの時間は、レジストの感度や脱保護反応の効果に影響するため、厳密な時間管理が必要となる。ベーキング装置とクーリング装置を備えた本発明の装置では、基板の搬送のタイミングの設定、搬送中の雰囲気の制御を行うことにより、ベーク終了からクーリング開始までの時間、およびその間の温度および雰囲気などの環境を厳密にコントロールすることができる。
本装置は、レジスト塗布後のベーク、クーリングいわゆるプリベーク、プリクーリングおよび露光後のベーク、クーリングいわゆるPost Exposure Bake(P.E.B.)、Post Exposure Cooling(P.E.C.)における条件を精密に制御し、高精度の加工を可能とするものである。
【0012】
実施例
実施例1
基板の表面にレジストとしてTDUR−P015(TOK社製)を約0.5μmの厚さに塗布した。設定温度を110℃とし、下面から加熱する従来法および本発明の方法により加熱を行った。基板としては厚さ11mmのガラス基板を用い、ベークプレートと基板の距離は52ミクロンとした。
温度変化を測定した結果を図3に示す。図3からわかるように従来法ではレジスト表面の温度が100℃に到達するのに8分を要するが、本方法では3.5分で到達しており、本方法は昇温スピードが大きいことがわかる。図4に基板中心位置のレジスト表面温度が100℃に達した時点での基板表面の面内温度分布を示す。本法式の方が温度均一性が高いことがわかる。
【0013】
実施例2
本発明のクーリング装置による基板表面の降温曲線の測定結果を図5に示す。従来法(放置による空冷)では25℃まで温度が降下するのに20分を要するが、本法では10分で降下している。特に化学増幅レジストでは脱保護反応を速やかに停止させる必要があるため、P.E.B.後のクーリングにおいては速やかな降温が必要であり、特に化学増幅レジストのP.E.B.時のクーリングにおいて、本法が従来法に比較して有効であることがわかる。
【0014】
実施例3
以下の条件で、化学増幅レジストを用いてレーザー描画装置を用いてパターニングし、従来法と本法での面内の寸法ばらつきを比較した。
レジスト:TDUR−P015(TOK社製)
プリベーク条件:90℃、20分
P.E.B.:110℃、90秒、10分
レジスト膜厚 :200nm
露光:248nmレーザー照射装置
描画パターン:寸法200nmの孤立パターン
現像:テトラメチルアンモニウムハイドロキシド(TMAH)2.38%(23℃) パドル現像60秒
結果を図6に示す。
本発明方法によれば、従来法に比較して面内の寸法ばらつきを低減することができる事がわかる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は本発明にかかる装置の構成例を示す図である。
【図2】 図2は本発明にかかる装置の詳細な構成を示す断面図である。
【図3】 図3は実施例1の結果を示す図である。
【図4】 図4は実施例1の結果を示す図である。
【図5】 図5は実施例2の結果を示す図である。
【図6】 図6は実施例3の結果を示す図である。
【符号の説明】
1:ベーク又はクーリングプレート
2:He−Neレーザー距離センサー
3:He−Neレーザー光(633nm)
4:基板
5:エアーフロート球面座ステージ
6:エアーフロート球面座ステージ受け
7:ステージ昇降装置
8:エアーフロート吹き出し口
11:ベーク炉部
12:クーリング部
13:デバイスセットステーション
14:操作パネル
15:スライド部[0001]
The present invention relates to a baking apparatus, a cooling apparatus, and a baking and / or cooling method using the same. More particularly, the present invention relates to a resist processing apparatus and a processing method used for producing a semiconductor integrated circuit device, a printed circuit board, a CD or MD storage disk device and the like.
[0002]
High integration is promoted in semiconductors and printed boards, and the precision required for circuit formation has become severe. In response to this, in the field of photoresists, chemical amplification resists with high resolution are often used instead of conventional resists using novolak resins. Such chemically amplified resists require more precise control of processing conditions. In addition to precise temperature control of pre-bake and post-exposure bake conditions, post-bake cooling conditions, etc., the temperature of the entire substrate can be controlled. There is a need to control uniformity, as well as heating or cooling temperature profiles.
On the other hand, there is an increasing demand for processing a thick substrate such as an MD disk original plate with high accuracy. In an MD disk original plate, a photoresist that is exposed to light is generally applied on a glass substrate or metal substrate having a thickness of 10 to 15 mm, baked, and fine pits are exposed and developed by a laser drawing apparatus. A pit pattern is formed on a glass substrate or a metal substrate. The photoresist is dropped on the rotating substrate, spread on the substrate by centrifugal force, and further rotated at high speed and applied to the thin film. Next, the substrate is placed on a hot plate, heated from below and baked to evaporate the solvent and solidify the film to form a dense film (this is called pre-exposure bake: pre-bake in the meaning of pre-exposure baking) ).
[0003]
Conventionally, in pre-baking, a substrate is placed on a hot plate and heated from below. However, in this method, since the substrate is thick, it takes time until the heat is transferred to the resist, and unevenness in the transfer of heat occurs, resulting in uneven resist baking conditions. Also, when the baking is finished and the process proceeds to the exposure process, the substrate is not cooled immediately, and the substrate is exposed while accumulating heat. There is a problem that uneven exposure occurs in the plane and between the substrates.
Furthermore, a chemically amplified resist requires a reaction for removing a protecting group for preventing the resin from dissolving in a developer after exposure, a so-called deprotection reaction, and baking must be performed after exposure. This baking is referred to as Post Exposure Bake (PEB). This elimination reaction of the protecting group is sensitive to temperature, and the resist P.I. E. B. If there is uneven temperature, there arises a problem that the finished dimensions of the resist change. P.P. E. B. Thereafter, unless the substrate is rapidly cooled to stop the deprotection reaction, the reaction proceeds, and there is a problem that a change (variation) in the finished dimensions occurs. For this reason, when using a chemically amplified resist, it is necessary to strictly control the temperature not only for a thick substrate such as an MD disk original plate but also for a thin substrate such as a wafer.
[0004]
The present invention solves the above-mentioned problems, strictly controls the temperature during baking and cooling, maintains the uniformity of temperature over the entire substrate, and strictly controls the temperature change profile. The present invention provides a cooling device, a baking and cooling device, and a baking method, a cooling method, and a baking and cooling method using the device.
That is, the first aspect of the present invention is a bake plate, a substrate holding device, a means for measuring the distance between the substrate held on the substrate holding device and the bake plate, and held on the substrate holding device. There is provided a baking apparatus having means for uniforming the distance between the heated substrate and the baking plate.
As a second aspect of the present invention, a cooling plate, a substrate holding device, a means for measuring a distance between the substrate held on the substrate holding device and the cooling plate, and a substrate held on the substrate holding device There is provided a cooling device having means for equalizing the distance between the cooling plate and the cooling plate.
As a third aspect of the present invention, there is provided a baking and cooling apparatus having the above baking apparatus and cooling apparatus.
Furthermore, the present invention provides a baking method, a cooling method, and a baking and cooling method using the above-described apparatus.
[0005]
In the present invention, the “bake plate” refers to a plate that can heat the substrate, and any known plate can be used. For example, a hot plate having a heat generating device in an aluminum base can be used.
The “substrate holding device” refers to a device that can hold a substrate on its surface, and any known means such as a vacuum, a clip, or a nail can be used as the holding means. The distance between the baking plate and the baking plate can be changed by “a means for making the distance between the substrate held on the substrate holding device and the baking plate uniform”. The shape of the surface can be appropriately determined according to the substrate to be held. The three-dimensional shape may be any shape as long as the three-dimensional arrangement can be appropriately adjusted by “a means for making the distance between the substrate held on the substrate holding device and the bake plate uniform”. good. For example, the shape may be a hemisphere, a sphere portion, a disk shape, a rectangular parallelepiped, a cone, a quadrangular pyramid, or the like, but is preferably a hemisphere.
[0006]
"Measuring means for distance between substrate held on substrate holding device and bake plate" measures distance between substrate and bake plate at multiple locations on substrate held on substrate holding device Any means can be used as long as it can. Preferably, the bake plate is provided with an optical distance measuring device for distance measurement. A preferred optical distance measuring device is a sensor using a He-Ne laser. “Means for uniforming the distance between the substrate held on the substrate holding device and the bake plate” means that the substrate held on the substrate holding device is based on the signal obtained by the distance measuring means. Any means can be used as long as the distance between the baking plate and the substrate can be made uniform at each point and the surface of the substrate and the surface of the baking plate can be made parallel. For example, a method of supporting by an air micro levitation device or a pin can be used. Preferably, the above two methods are used in combination. In addition to air, nitrogen, argon, or the like can be used as the levitation gas of the air micro levitation apparatus, and nitrogen is preferably used.
[0007]
In the present invention, the “cooling plate” refers to a plate capable of cooling the substrate, and for example, a plate made of a Beltier element can be used.
A substrate holding device, a means for measuring a distance between a substrate held on the substrate holding device and a cooling plate, and a substrate and a cooling plate held on the substrate holding device, which are used in the cooling device of the present invention. The means for equalizing the distance between them is the same as that used in the above baking apparatus.
[0008]
The apparatus of the present invention is characterized in that a bake plate or a cooling plate is arranged on the upper surface, a resist-coated substrate is approached from the lower surface, and the resist coating surface side is baked or cooled.
In the present invention, the resist film on the substrate is baked from the upper surface and baked quickly to eliminate uneven baking and obtain a uniform bake. Further, in the present invention, the resist film on the substrate is cooled from the upper surface and the cooling is performed promptly, so that uneven cooling can be eliminated and uniform cooling can be obtained.
It is desirable that the distance between the substrate and the bake plate or cooling plate be sufficiently close so that temperature unevenness is eliminated. It is preferably within about 1 mm, more preferably within 100 microns, and most preferably within 50 microns.
[0009]
In one embodiment of the present invention, the temperature of the substrate can be measured by attaching a temperature sensor to the bake plate and the cooling plate. In this embodiment, data of a desired temperature change profile can be stored in a computer, and heating and cooling conditions can be controlled in real time while being compared with the measured temperature value of the substrate. Any known temperature sensor can be used. For example, an infrared sensor is preferably used. The temperature sensor is preferably embedded in the bake plate or the cooling plate surface.
[0010]
A configuration example of an apparatus according to the present invention is shown in FIG.
The bake and the cooling plate can be arranged side by side. First, the substrate is transported to the bake unit and baked for a predetermined time. Next, after baking, the substrate is transported to the cooling unit by the transport arm and cooled for a predetermined time.
[0011]
A detailed configuration diagram of the bake unit is shown in FIG.
The bake unit includes a hemispherical air
This apparatus satisfies the conditions in baking after resist coating, so-called pre-baking, baking after pre-cooling and exposure, cooling so-called Post Exposure Bake (PEB), and Post Exposure Cooling (PEC). It is precisely controlled and enables high-precision machining.
[0012]
Example Example 1
TDUR-P015 (manufactured by TOK) was applied as a resist to the surface of the substrate to a thickness of about 0.5 μm. Heating was performed by a conventional method of heating from the lower surface and the method of the present invention at a set temperature of 110 ° C. A glass substrate having a thickness of 11 mm was used as the substrate, and the distance between the bake plate and the substrate was 52 microns.
The result of measuring the temperature change is shown in FIG. As can be seen from FIG. 3, in the conventional method, it takes 8 minutes for the temperature of the resist surface to reach 100 ° C., but in this method, it reaches in 3.5 minutes. Recognize. FIG. 4 shows the in-plane temperature distribution on the substrate surface when the resist surface temperature at the center position of the substrate reaches 100.degree. It can be seen that this method has higher temperature uniformity.
[0013]
Example 2
FIG. 5 shows the measurement result of the temperature decrease curve on the substrate surface by the cooling apparatus of the present invention. In the conventional method (air cooling by leaving), it takes 20 minutes for the temperature to drop to 25 ° C., but in this method, the temperature drops in 10 minutes. Especially in chemically amplified resists, the deprotection reaction needs to be stopped quickly. E. B. In the subsequent cooling, a rapid temperature reduction is required. E. B. It can be seen that the present method is more effective than conventional methods in cooling at times.
[0014]
Example 3
Under the following conditions, patterning was performed using a laser drawing apparatus using a chemically amplified resist, and in-plane dimensional variations were compared between the conventional method and this method.
Resist: TDUR-P015 (manufactured by TOK)
Pre-baking conditions: 90 ° C., 20 minutes E. B. : 110 ° C, 90 seconds, 10 minutes Resist film thickness: 200nm
Exposure: 248 nm laser irradiation apparatus Drawing pattern: Isolated pattern with dimensions of 200 nm Development: Tetramethylammonium hydroxide (TMAH) 2.38% (23 ° C.) The results of
According to the method of the present invention, it can be seen that in-plane dimensional variations can be reduced as compared with the conventional method.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of an apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is a graph showing the results of Example 1.
FIG. 4 is a diagram showing the results of Example 1.
FIG. 5 is a graph showing the results of Example 2.
FIG. 6 is a diagram showing the results of Example 3.
[Explanation of symbols]
1: Bake or cooling plate 2: He-Ne laser distance sensor 3: He-Ne laser light (633 nm)
4: Substrate 5: Air float spherical seat stage 6: Air float spherical seat stage receiver 7: Stage lifting device 8: Air float outlet 11: Bake furnace 12: Cooling unit 13: Device set station 14: Operation panel 15: Slide Part
Claims (8)
前記の距離の測定手段を少なくとも5箇所の測定点において備え、さらに測定された距離に基づいて各測定点における前記基板とベークプレートの間の距離を均一にする手段を備える、ベーク装置。A baking apparatus having a baking plate, a substrate holding device, and a means for measuring a distance between the substrate held on the substrate holding device and the baking plate,
A baking apparatus comprising the distance measuring means at at least five measurement points, and further comprising means for making the distance between the substrate and the bake plate uniform at each measurement point based on the measured distances.
少なくとも5箇所の測定点において前記の基板とクーリングプレートとの間の距離の測定手段を備え、さらに測定された距離に基づいて各測定点における前記基板とクーリングプレートの間の距離を均一にする手段を備える、クーリング装置。A cooling device having a cooling plate, a substrate holding device, and a means for measuring a distance between the substrate held on the substrate holding device and the cooling plate,
Means for measuring the distance between the substrate and the cooling plate at at least five measurement points, and means for making the distance between the substrate and the cooling plate uniform at each measurement point based on the measured distance A cooling device comprising:
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