JP2002169209A - フラッシュ撮影システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ワイヤレス制御される副フラッシュと内蔵フ
ラッシュの発光量を適切に制御可能なフラッシュ撮影シ
ステムを提供する。 【構成】 カメラと；該カメラに内蔵された内蔵フラッ
シュと；前記カメラに装着されずにワイヤレスで発光制
御される副フラッシュと；を備え、本発光時には前記内
蔵フラッシュの微少発光によって前記副フラッシュを発
光させるフラッシュ撮影システムにおいて、該本発光時
に前記内蔵フラッシュを露光のため発光させる場合は、
前記副フラッシュの発光量に応じて前記内蔵フラッシュ
の発光量を制御するフラッシュ撮影システム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、カメラに内蔵または装着
された主フラッシュからの光通信によって、カメラに装
着されていない副フラッシュをワイヤレス制御するフラ
ッシュ撮影システムに関する。

【０００２】

【従来技術およびその問題点】従来では、カメラと、こ
のカメラに内蔵または装着された主フラッシュと、カメ
ラには装着されずに使用される副フラッシュとを備え、
主フラッシュが送信する光指令信号によって副フラッシ
ュをワイヤレス制御するフラッシュ撮影システムが知ら
れている。また、このようなシステムにおいて、本発光
前に主フラッシュ及び副フラッシュを予備発光させ、該
予備発光時の測光結果に基づいて本発光量を制御するも
のも知られている。しかしながら、上記のようなシステ
ムにおいて本発光時に内蔵フラッシュを露光のため発光
させる場合は、内蔵フラッシュを予備発光させることが
できないから、本発光時の内蔵フラッシュと副フラッシ
ュの光量比を適切に制御するのが困難であった。

【０００３】

【発明の目的】本発明は、本発光において、ワイヤレス
制御される副フラッシュと内蔵フラッシュの発光量を適
切に制御可能なフラッシュ撮影システムを提供すること
を目的とする。

【０００４】

【発明の概要】本発明は、カメラと；該カメラに内蔵さ
れた内蔵フラッシュと；前記カメラに装着されずにワイ
ヤレスで発光制御される副フラッシュと；を備え、本発
光時には前記内蔵フラッシュの微少発光によって前記副
フラッシュを発光させるフラッシュ撮影システムにおい
て、該本発光時に前記内蔵フラッシュを露光のため発光
させる場合は、前記副フラッシュの発光量に応じて前記
内蔵フラッシュの発光量を制御することに特徴を有して
いる。

【０００５】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明を説
明する。本フラッシュ撮影システムは、カメラボディ１
０と、カメラボディ１０に着脱可能な複数のフラッシュ
装置５０を備えている。フラッシュ装置５０のうち、カ
メラボディ１０に装着されて外部フラッシュとして機能
するものは、カメラボディ１０との間で直接実行する通
信により発光制御される。一方、カメラボディ１０に装
着されずにスレーブフラッシュとして機能するものは、
カメラボディ１０の内蔵フラッシュまたは外部フラッシ
ュの微少発光より、ワイヤレスで発光制御される。本シ
ステムを構成するフラッシュ装置の数、及びいずれのフ
ラッシュ装置をカメラに装着してまたは装着せずに使用
するかは、各使用者が自由に設定することができる。

【０００６】以下では、図示した回路及び素子におい
て、ロー（グランド）レベルの電圧は論理値“０”、ハ
イレベルの電圧は論理値“１”とする。

【０００７】図１は、本システムを構成するカメラの制
御系を示すブロック図である。カメラボディ１０は、カ
メラ全体の動作を統括的に制御する制御手段としてＣＰ
Ｕ１３を備えている。ＣＰＵ１３は、制御用プログラム
等を格納したＲＯＭと、制御用データを一時的に格納す
るＲＡＭ１３ａを内蔵している。ＣＰＵ１３には電池１
の電圧が昇降圧ボルテージレギュレータ２を介して定電
圧Ｖｄｄとして供給される。この昇降圧ボルテージレギ
ュレータ２の制御用端子であるＤＣ／ＤＣｏｎ端子はＣ
ＰＵ１３のポートＰ３に接続されていて、その昇圧動作
はＣＰＵ１３によって制御される。昇降圧ボルテージレ
ギュレータ２の出力電圧Ｖｄｄはコンデンサー３にも供
給される。

【０００８】ＣＰＵ１３には、撮影に関する各種情報を
表示する例えばＬＣＤなどの表示素子５、各種書き換え
可能なパラメータ、モード等を書き込むＥＥＰＲＯＭ
６、カメラボディ１０に装着される撮影レンズとの間で
通信を行うためのレンズ通信インターフェース７、カメ
ラボディ１０に装着された外部フラッシュとの間で通信
を行うためのフラッシュ通信インターフェース８がそれ
ぞれポート群Ｐｅ、Ｐｄ、Ｐｃ、Ｐｂを介して接続され
ている。

【０００９】フラッシュ通信インターフェース８にはフ
ラッシュ接続端子４が接続されている。フラッシュ接続
端子４にはＣ，Ｒ，Ｑ，Ｘ，Ｇの５端子が設けられてい
て、Ｘ端子はフォーカルプレンシャッターの先幕走行完
了に同期して“０”となるＸ接点端子、Ｇ端子はグラン
ド端子、Ｃ端子は外部フラッシュへの制御信号を出力す
る制御端子、Ｒ端子はクロック信号を外部フラッシュへ
出力するクロック端子、Ｑはカメラボディ１０‐外部フ
ラッシュ間の双方向データ通信用と外部フラッシュへの
クエンチ信号出力用の兼用端子である。

【００１０】ＣＰＵ１３には、スイッチ類として、測光
スイッチＳＷＳ、レリーズスイッチＳＷＲ、メインスイ
ッチＳＷＭ、情報設定スイッチ群９がそれぞれポートＰ
２、Ｐ１、Ｐ０、ポート群Ｐａを介して接続されてい
る。測光スイッチＳＷＳ及びレリーズスイッチＳＷＲは
レリーズボタン（不図示）に連動するスイッチであっ
て、レリーズボタンの半押しによって測光スイッチＳＷ
Ｓがオンし、その全押しによってレリーズスイッチＳＷ
Ｒがオンする。メインスイッチＳＷＭは、カメラの電源
スイッチ（不図示）に連動し、電源スイッチがオン位置
に操作されたときにオンする。

【００１１】情報設定スイッチ群９には、例えばテスト
発光を設定するテストＳＷのほか、ＤＸコード情報、撮
影モード情報、ＷＬｉｎｔモード等を設定するスイッチ
を設けてある。

【００１２】ここでＷＬｉｎｔモードとは、内蔵フラッ
シュの微少発光（ワイヤレス信号）によって、スレーブ
フラッシュをワイヤレス制御するためのモードである。
このＷＬｉｎｔモードには、ワイヤレス制御を実行しな
いＷＬｏｆｆモード、ワイヤレス信号でスレーブフラッ
シュを通常発光させるＷＬＣモード、ワイヤレス信号で
スレーブフラッシュをフラット発光させるＷＬＦＰモー
ド、ワイヤレス信号でスレーブフラッシュを通常発光さ
せるとともに、露光のために内蔵フラッシュを発光させ
るＷＬＭモードがある。

【００１３】またＣＰＵ１３には、キセノン管２１を発
光させるための内蔵フラッシュ回路１４、フィルム給送
モータ・チャージモータ・ＡＦモータ等を駆動するモー
タ制御回路１５、位相差方式により被写体の焦点状態を
検出するＡＦ回路１６、撮影レンズの絞りを開閉する絞
り制御回路１７、シャッタ幕の走行を制御するシャッタ
制御回路１８がそれぞれポート群Ｐｆ、Ｐｇ、Ｐｈ、Ｐ
ｉ、Ｐｊを介して接続されている。本明細書において
「内蔵フラッシュ」とは、キセノン管２１、またはキセ
ノン管２１及び内蔵フラッシュ回路１４を指すものとす
る。

【００１４】さらにＣＰＵ１３には、測光回路１９がポ
ート群Ｐｋを介して接続されていて、ＴＴＬ測光回路２
０がポート群Ｐｍを介して接続されている。測光回路１
９は、分割受光素子２２の出力を処理してＣＰＵ１３に
出力する回路である。分割受光素子２２は、ファインダ
ー光路内を通過する光を受光できるように、ペンタプリ
ズム（不図示）周辺に配置されている。この分割受光素
子２２は、受光素子２２_１〜２２_９に９分割されてい
て、撮影画面を９つの測光領域に分割して各測光領域毎
に測光することができる（図８（ａ）参照）。ＴＴＬ測
光回路２０は、ＴＴＬ受光素子２３の出力を処理してＣ
ＰＵ１３に出力する回路である。ＴＴＬ受光素子２３
は、撮影レンズを通過してフィルム面にて反射された光
を受光できる位置に配置されていて、露光中の被写体光
を直接測光することができる。

【００１５】本実施形態では、撮影前に実行する予備発
光を分割受光素子２２で測光し、各受光素子２２_１〜
２２_９の受光量に基づいてＴＴＬ補正量を算出する。
そして、算出したＴＴＬ補正量に基づいて適正露出量を
補正し、撮影時の本発光をＴＴＬ受光素子２３で測光し
て適正露出を得るようにしている。なお、フラッシュ照
射範囲を確認するために実行するテスト発光は、分割受
光素子２２にて測光される。

【００１６】以上はカメラボディ１０の構成概要である
が、次に図２及び図３を参照し、測光回路１９、ＴＴＬ
測光回路２０について具体的に説明する。

【００１７】図２は測光回路１９の一実施の形態を示す
回路図である。分割受光素子２２の分割された各受光素
子２２_１〜２２_９は、対応するオペアンプ１００ａ〜
１００ｉの入力端子間に接続されている。オペアンプ１
００ａ〜１００ｉの非反転入力端子には、基準電圧発生
回路１１０で発生させた基準電圧Ｖｓが印加されてい
る。受光素子２２で受けた光は各受光素子２２_１〜２
２_９毎に受光され、その受光量に対応する光電流が各
受光素子２２_１〜２２_９から発生する。各受光素子２
２_１〜２２_９の光電流は圧縮ダイオード１０１ａ〜１
０１ｉにより対数変換されてセレクター１０２へ出力さ
れる。セレクター１０２では、ＣＰＵ１３のポート群Ｐ
ｋ（Ｐｋ１、Ｐｋ２、Ｐｋ３、Ｐｋ４）の入力レベルに
対応する受光素子２２_１〜２２_９、即ち受光素子２２
_１〜２２_９の光電流（対数出力値）が一つ選択され、
端子Ｖ１からオペアンプ１０５の非反転入力端子へ出力
される。

【００１８】オペアンプ１０５には、反転入力端子とグ
ランド間に定電流源１０３が接続され、反転入力端子と
出力端子の間に圧縮ダイオード１０４が接続されてい
る。このオペアンプ１０５の出力Ｖ２は、式；Ｖ２＝Ｖ
ｓ＋（ＫＴ／ｑ）（ｌｎ（Ｉｓ／Ｉｐ））により求めら
れる。但し、Ｔ：絶対温度、Ｋ：ボルツマン定数、ｑ：
電子の電荷、Ｉｓ：定電流源１０３の電流値、Ｉｐ：セ
レクター１０２で選択された受光素子２２_１〜２２_９
の光電流値とする。

【００１９】オペアンプ１０５の出力Ｖ２は、正係数温
度抵抗器１０６を介してオペアンプ１０９の反転入力端
子へ入力される。オペアンプ１０９は、非反転入力端子
に基準電圧Ｖｓが印加され、反転入力端子−グランド間
に抵抗１０７、反転入力端子−出力端子間に抵抗１０８
が接続されている。ここで正係数温度抵抗器１０６、抵
抗１０８、抵抗１０７の抵抗値を各々Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
とすれば、オペアンプ１０９の出力Ｖ３は、式；Ｖ３＝
Ｖｓ（１＋Ｒ２／Ｒ３）＋（ＫＴ／ｑ）（Ｒ２／Ｒ１）
（ｌｎ（Ｉｓ／Ｉｐ））により求められる。この式にお
いて、絶対温度Ｋは抵抗値Ｒ１の温度係数によって相殺
される。そのため、オペアンプ１０９の出力Ｖ３はセレ
クター１０２で選択した受光素子２２_１〜２２_９の光
電流の対数出力に比例した電圧となる。この出力Ｖ３
は、測光信号として、ＣＰＵ１３のＡ／Ｄ変換ポートＰ
ｋ５に入力されてＡ／Ｄ変換される。

【００２０】図３はＴＴＬ測光回路２０の一実施の形態
を示す回路図である。ＴＴＬ受光素子２３が接続された
オペアンプ２０２の出力端子−反転入力端子間には、積
分コンデンサー２０１とＭＯＳＦＥＴ（以下、「ＭＯＳ
_ＳＷ」という）２００が並列接続されている。ＭＯＳ_
ＳＷ２００は、ゲートがＣＰＵ１３のポート群Ｐｍのポ
ートＰｍ３に接続されていて、ＣＰＵ１３によってオン
／オフ制御される。即ち、ポートＰｍ３の出力が“１”
のとき、ＭＯＳ_ＳＷ２００はオンし、積分コンデンサ
ー２０１が放電して蓄積電荷がはき出される。一方、ポ
ートＰｍ３の出力が“０”のとき、ＭＯＳ_ＳＷ２００
はオフする。この状態で本発光が行われると、フィルム
面に反射した光がＴＴＬ受光素子２３で受光され、受光
量に対応する光電流が積分コンデンサー２０１で積分さ
れ、その結果、オペアンプ２０２の出力電圧が上昇す
る。

【００２１】オペアンプ２０２の出力は、コンパレータ
２０３によって、ＣＰＵ１３のポート群ＰｍのＤ／Ａ変
換ポートＰｍ１から出力された所定電圧Ｔ_ｔｔｌ
（ｘ）と比較される。そして、オペアンプ２０２の出力
が所定電圧Ｔ_ｔｔｌ（ｘ）以下であればコンパレータ
２０３から“０”が出力され、逆にオペアンプ２０２の
出力が所定電圧Ｔ_ｔｔｌ（ｘ）を超えていればコンパ
レータ２０３から“１”が出力される。

【００２２】コンパレータ２０３の出力は、抵抗２０４
を介して、トランジスタ２０６と抵抗２０７で構成され
るエミッタホロア回路に入力する。トランジスタ２０６
はエミッタがフラッシュ接続端子４のＱ端子に並列接続
されていて、このエミッタ出力がクエンチ信号として機
能する。つまり、トランジスタ２０６がローからハイに
変化すると、Ｑ端子が“０”から“１”に変化し、外部
フラッシュの発光を停止させる。またシンクロ指定に順
次が設定されている場合（後述する）には、トランジス
タ２０６がハイからローに変化する結果、Ｑ端子が
“１”から“０”に変化すると、後発のフラッシュ発光
が開始される。なお、トランジスタ２０６のハイ／ロー
はポートＰｍ２を介してＣＰＵ１３が制御する。ＣＰＵ
１３は、通常はポートＰｍ２の出力によりトランジスタ
２０６のハイ／ローを制御し、調光モード指定がＴＴＬ
のときは、ポートＰｍ２を入力モードとし、コンパレー
タ２０３の出力によってトランジスタ２０６のハイ／ロ
ーを制御する。

【００２３】図４は本システムを構成するフラッシュ装
置の制御系を示すブロック図である。フラッシュ装置５
０は、照射角を変更できるズームフラッシュであり、カ
メラボディ１０に装着可能である。フラッシュ装置５０
は、カメラボディ１０に装着された場合にはカメラの外
部フラッシュとして、カメラボディ１０に装着しない場
合にはスレーブフラッシュとして機能する。

【００２４】フラッシュ装置５０は、装置全体の動作を
統括的に制御する制御手段としてフラッシュＣＰＵ６５
を備えている。フラッシュＣＰＵ６５には、電池５１の
電圧がショットキーダイオード５２及びレギュレータ５
４を介して定電圧Ｖｄｄ１として供給される。電池５１
の電圧はショットキーダイオード５２を介してコンデン
サー５３にも供給される。

【００２５】フラッシュＣＰＵ６５には、ズームモータ
６１を駆動するモータドライブ回路６２、各種書き換え
可能なパラメータ、モードを書き込むＥＥＰＲＯＭ６
０、装着されたカメラとの間で通信を実行するためのカ
メラ通信インターフェース５９がそれぞれポート群Ｐ
ｂ、Ｐｃ、Ｐｄを介して接続されている。

【００２６】ズームモータ６１は、発光ユニット５５を
移動させる駆動手段として機能する。発光ユニット５５
は、キセノン管８２、リフレクタ５５ｃ、保護ガラス５
５ｂを一体化させて形成したものである。ズームモータ
６１により発光ユニット５５を移動させると、発光ユニ
ット５５とフレネルレンズ５５ａの間隔が変化し、フラ
ッシュの照射角が変化する。

【００２７】カメラ通信インターフェース５９はカメラ
接続端子５６を備えている。カメラ接続端子５６はＣ，
Ｒ，Ｑ，Ｘ，Ｇの５端子で構成される。Ｃ端子はカメラ
からの制御信号を入力する制御端子、Ｒ端子はカメラボ
ディ１０からのクロック信号を入力するクロック端子、
Ｑはカメラボディ１０‐フラッシュ間の双方向データ通
信用とクエンチ信号入力用の兼用端子、Ｘ端子はカメラ
ボディ１０のＸ端子からの信号を入力する端子、Ｇ端子
はグランド端子である。カメラ接続端子５６を介してフ
ラッシュ装置５０がカメラボディ１０に接続されている
とき、フラッシュＣＰＵ６５は、Ｃ端子、Ｒ端子、Ｑ端
子を介してカメラボディ１０のＣＰＵ１３との間でデー
タ通信を実行する。

【００２８】カメラ接続端子５６のＣ，Ｒ，Ｑ端子は、
それぞれフラッシュＣＰＵ６５のポート群ＰｄのＰｄ
１，Ｐｄ２，Ｐｄ３に接続される。Ｘ端子は、図３３に
示すように、ダイオード４００を介してポートＰｄ４に
接続される。これはＸ端子電圧として高電圧を有するフ
ラッシュ装置が並列に接続されてもフラッシュＣＰＵ６
５が破損しないようにするためである。

【００２９】フラッシュＣＰＵ６５は、スイッチ類とし
て、情報設定スイッチ群６３、メインスイッチ６４を備
えている。メインスイッチ６４はスライドスイッチでＯ
ＦＦ、ＷＬ（ワイヤレス）、ＯＮの位置で停止する構成
となっており、メインスイッチ６４のＷＬ端子、ＯＮ端
子が各々ポートＰ１、Ｐ０に接続されている。

【００３０】情報設定スイッチ群６３は、ポート群Ｐａ
を介してフラッシュＣＰＵ６５に接続されている。情報
設定スイッチ群６３には、調光モード要求設定スイッ
チ、シンクロ要求設定スイッチ、ワイヤレスモード設定
スイッチ、システム切替スイッチ等が含まれている。調
光モード要求設定スイッチは、1回押される毎にＴＴ
Ｌ、外光オート、マニュアルを切り換えて調光モード要
求を設定する。シンクロ要求設定スイッチは、先幕、順
次、フラット発光（ＦＰ）のいずれかをシンクロ要求と
して設定する。先幕はシャッタ先幕の走行完了時に発光
するモードである。順次は、先幕のフラッシュが発光し
た後、クエンチ信号の立下り時に発光するモードであ
る。ＦＰは、ほぼ均一な光量で所定時間発光し続けるモ
ードである。

【００３１】ワイヤレスモード設定スイッチは、コント
ローラモード、マスターモード、スレーブモードのいず
れかを設定する。コントローラモードは、スレーブフラ
ッシュをワイヤレス制御するモードである。マスターモ
ードは、スレーブフラッシュをワイヤレス制御するとと
もに露光のための発光を行うモードである。スレーブモ
ードは、カメラには装着されず、ワイヤレス信号を受信
することによって発光するモードである。つまり、コン
トローラモードまたはマスターモードは、フラッシュ装
置５０がカメラボディ１０に装着されて外部フラッシュ
として機能するときに設定可能であり、スレーブモード
はフラッシュ装置５０がカメラボディ１０に装着しない
スレーブフラッシュとして機能するときに設定可能であ
る。このワイヤレスモード設定は、メインスイッチ６４
がＷＬ位置にある場合のみ、有効である。

【００３２】システム切替スイッチは、フラッシュ装置
５０がスレーブフラッシュとして機能する場合に有効で
あり、旧システム対応モードまたは新システム対応モー
ドのいずれかを設定するためのスイッチである。なお、
スレーブフラッシュは、旧システム対応モードでは内蔵
フラッシュまたは外部フラッシュの単発の微少発光によ
り発光し、新システム対応モードでは複数のワイヤレス
信号を順次受信することによって本発光を開始する（詳
細は後述する）。

【００３３】フラッシュＣＰＵ６５には、ワイヤレス受
光素子５７の出力を処理するワイヤレス受光回路５８、
外光オート受光素子７１の出力を処理する外光オート回
路７０、調光確認情報など各種情報を表示するＬＣＤ表
示器７２がそれぞれポート群Ｐｅ、Ｐｆ、Ｐｇを介して
接続されている。ワイヤレス受光素子５７は、フラッシ
ュ装置５０がスレーブフラッシュとして機能する場合
に、内蔵フラッシュまたは外部フラッシュの発光を受光
するための素子である。外光オート受光素子７１は調光
モード指定が外光オートのとき、受光量を検出して発光
制御するための素子である。

【００３４】またフラッシュＣＰＵ６５には、電池５１
の電圧を昇圧する昇圧回路６６がポートＰ２を介して接
続されていて、充電検出回路６９のＲＬＳ出力端子がＡ
／Ｄ変換ポートＰａｄを介して接続されている。昇圧回
路６６によって昇圧された電圧は、ダイオード６７を介
してメインコンデンサー７９に供給されるとともに、ダ
イオード６８を介して充電検出回路６９へ供給される。
充電検出回路６９は、昇圧回路６６が駆動しているとき
のみ、メインコンデンサー７９の端子電圧Ｈｖと同等の
電圧Ｈｖ´を入力し、メインコンデンサー７９の充電電
圧を検出する。

【００３５】またフラッシュＣＰＵ６５には、３０Ｖ発
生回路７７、レベルシフト回路７８、トリガー回路８０
がそれぞれポートＰ４、Ｐ５、Ｐ３を介して接続されて
いる。３０Ｖ発生回路７７は、メインコンデンサー７９
の端子電圧ＨＶを電源として３０Ｖｏｕｔ端子から３０
Ｖの電圧を発生する回路である。３０Ｖ発生回路７７か
ら出力された３０Ｖの電圧はレベルシフト回路７８に与
えられる。レベルシフト回路７８は、ポートＰ５（ＩＧ
ＢＴｃｔｌ信号）が“１”のとき、３０Ｖ発生回路７７
から与えられた３０Ｖの電圧をＩＧＢＴ８３のゲートＩ
ＧＢＴｇに印加し、ＩＧＢＴ８３をオンする。一方、ポ
ートＰ５が“０”のとき、上記の電圧印加を止めてＩＧ
ＢＴ８３をオフする。トリガー回路８０は、キセノン管
８２のトリガー電極ＸｅＴ端子に高圧の振動電圧を印加
し、キセノン管８２内のキセノンガスを励起状態とす
る。この励起状態において、ＩＧＢＴ８３がオンしてい
る場合はメインコンデンサー７９の蓄積電荷がコイル８
１、キセノン管８２、ＩＧＢＴ８３を介して放電され、
キセノン管８２が発光する。

【００３６】さらにフラッシュＣＰＵ６５には、コンパ
レータ７５の非反転入力端子がＤ／Ａ変換ポートＰｄａ
を介して接続され、コンデンサー７３、抵抗７４がそれ
ぞれポートＰ６、Ｐ７に接続されている。コンデンサー
７３と抵抗７４の接続点はコンパレータ７５の反転入力
端子に接続されている。コンパレータ７５の反転入力端
子には、さらに発光量検出受光素子８５が接続されてい
る。発光量検出受光素子８５は、発光ユニット５５の保
護ガラス５５ｂを介してキセノン管８２の発光を直接受
光できる位置に設けられていて、キセノン管８２から発
せられた光を受光するとその受光量に対応する光電流を
出力する。コンパレータ７５は、Ｄ／Ａ変換ポートＰｄ
ａから入力した所定電圧ＦＰｌｖｌと発光量検出受光素
子８５の出力に対応する電圧ＰＤｆｌとを比較し、電圧
ＰＤｆｌが所定の電圧ＦＰｌｖｌ以下のときは“０”
を、電圧ＰＤｆｌが所定の電圧ＦＰｌｖｌを超えている
ときは“１”を出力する。コンパレータ７５の出力は抵
抗７６を介してレベルシフト回路７８に与えられる。レ
ベルシフト回路７８は、ポートＰ５が入力モードに設定
されているとき、コンパレータ７５の出力をＩＧＢＴｃ
ｔｌ信号として入力し、ＩＧＢＴ８３をオン／オフす
る。

【００３７】以上はフラッシュ装置５０の制御系の概要
構成であるが、次に図３４を参照し、フラッシュＣＰＵ
６５のポート群Ｐｄの構成について説明する。

【００３８】図３４は、フラッシュＣＰＵ６５のポート
群Ｐｄの各ポートＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３，Ｐｄ４の内
部構成を示す一実施例である。入出力端子Ｐｄは、Ｐｃ
ｈＭＯＳＦＥＴ４０２，４０３、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４
０４の各ドレインに接続される。ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４
０２のソースはプルアップ抵抗４０１を介して定電圧ラ
インＶｄｄ１に、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０３のソースは
定電圧ラインＶｄｄ１に、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４０４の
ソースはグランドに各々接続される。またＰｃｈＭＯＳ
ＦＥＴ４０２とＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４０４のゲートは２
入力ＮＯＲゲート４０６の出力に、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ
４０３のゲートは２入力ＮＡＮＤゲート４０５の出力に
各々接続される。２入力ＮＯＲゲート４０６は、一方の
入力がＩＮ／ＯＵＴ端子に接続され、他方の入力がＰｄ
ＯＵＴ端子に接続される。２入力ＮＡＮＤゲート４０５
は、一方の入力がＩＮ／ＯＵＴを入力とするインバータ
４０８の出力に接続され、他方の入力がＰｄＯＵＴ端子
に接続される。入出力端子Ｐｄはインバータ２０７を介
してＰｄＩＮ端子に接続される。

【００３９】上記構成において、ポートの入出力切り換
え信号ＩＮ／ＯＵＴ端子が“１”の状態においては、Ｐ
ｄＯＵＴ端子の状態に拘わらず、２入力ＮＯＲゲート４
０６の出力は“０”となるから、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４
０４はＯＦＦの状態にある。また、２入力ＮＡＮＤゲー
ト４０５の出力は“１”であり、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４
０３もＯＦＦの状態にある。よって、ＰｄＯＵＴ端子か
らの出力信号が入出力端子Ｐｄに出力されることはな
い。この場合、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０２はＯＮの状態
にあるから、入出力端子Ｐｄはプルアップ抵抗４０１で
プルアップされ、入出力端子Ｐｄの状態はインバータ４
０７を介してＰｄＩＮ端子からフラッシュＣＰＵ６５内
部に取り込まれる。ポートの入出力切り換え信号ＩＮ／
ＯＵＴ端子が“０”の状態においては、Ｐｄｏｕｔ端子
が“０”であればＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４０４はＯＮ、Ｐ
ｃｈＭＯＳＦＥＴ４０３はＯＦＦであるから、入出力端
子Ｐｄからは“０”が出力される。一方、Ｐｄｏｕｔ端
子が“１”であれば、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４０４はＯＦ
Ｆ、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０３はＯＮであるから、入出
力端子Ｐｄからは“１”が出力される。即ちポート群Ｐ
ｄは、入出力切り換え信号ＩＮ／ＯＵＴ端子が“１”の
ときは入力モードとして、“０”のときは出力モードと
して、それぞれ機能する。

【００４０】以上の構成に基づき、先ずカメラボディ１
０の動作について、図１０〜図１９に示されるフローチ
ャートを参照して説明する。 『カメラボディ１０のメイン処理』図１０はカメラのメ
イン処理に関するフローチャートである。カメラボディ
１０に電池１が装填されると、ＣＰＵ１３はリセットさ
れた後、メイン処理に入る。メイン処理に入ると先ず、
各ポートを初期化し（Ｓ１００）、ＥＥＰＲＯＭ６０と
のシリアル通信を実行してＥＥＰＲＯＭ６０の初期デー
タを読み込み（Ｓ１０１）、メインスイッチＳＷＭがオ
ンしているか否かをチェックする（Ｓ１０２）。メイン
スイッチＳＷＭがオンしていないときは（Ｓ１０２；
Ｎ）、メインスイッチオフ処理を実行し（Ｓ１０６）、
表示素子５の表示を消灯する（Ｓ１０７）。メインスイ
ッチオフ処理では、昇降圧ボルテージレギュレータ２の
昇圧動作を停止させるほか、内蔵フラッシュ充電中であ
れば充電を停止する。そして、メインスイッチＳＷＭの
割り込みを許可し（Ｓ１０８）、スリープ状態へ移行す
る（Ｓ１０９）。このスリープ状態では、メインスイッ
チＳＷＭの割り込みが許可されているため、メインスイ
ッチＳＷＭが再度オンすると割り込みが発生し、Ｓ１０
０に戻ってメイン処理を開始する。

【００４１】メインスイッチＳＷＭがオンしているとき
は（Ｓ１０２；Ｙ）、情報設定スイッチ群９の各スイッ
チ状態に基づいて各種モード・機能等を設定し（Ｓ１０
３）、設定した各モード・機能のほか、調光確認情報な
どの撮影に関する情報を表示素子５に表示させ（Ｓ１０
４）、内蔵フラッシュ充電処理を実行する（Ｓ１０
５）。内蔵フラッシュ充電処理では、メインスイッチＳ
ＷＭがオンしたとき、内蔵フラッシュが発光した直後、
または内蔵フラッシュがポップアップしたとき等の所定
条件を満たすか否かを判定し、所定条件を満たしたとき
に、内蔵フラッシュ回路１４が備えたフラッシュ発光用
のコンデンサーを充電する処理である。

【００４２】続いて、測光スイッチＳＷＳまたはレリー
ズスイッチＳＷＲがオンしているか否かをチェックし
（Ｓ１１０）、測光スイッチＳＷＳ及びレリーズスイッ
チＳＷＲがいずれもオンしていなかったときはメインス
イッチオン処理を実行する（Ｓ１１０；Ｎ、Ｓ１１
６）。メインスイッチオン処理では、内蔵フラッシュ充
電中でなければ昇降圧ボルテージレギュレータ２の昇圧
動作を停止する等の処理を行う。そして１２５ｍｓのタ
イマーＡをスタートさせ（Ｓ１１７）、タイマーＡの割
り込みを許可し（Ｓ１１８）、スリープ状態へ移行する
（Ｓ１１９）。Ｓ１１９のスリープ状態では、タイマー
Ａの割り込みが許可されているため、タイマーＡがタイ
ムアップしたら割り込みが発生し、Ｓ１０２から処理が
続行される。したがって、メインスイッチＳＷＭがオン
していて、測光スイッチＳＷＳ及びレリーズスイッチＳ
ＷＲのいずれもがオフしている状態では上記Ｓ１０２〜
Ｓ１１０、Ｓ１１６〜Ｓ１１９の処理が１２５ｍｓに１
回実行される。

【００４３】Ｓ１１０で測光スイッチＳＷＳ、レリーズ
スイッチＳＷＲのいずれかがオンしているときは（Ｓ１
１０；Ｙ）、出力ポートＰ３を“０”にして昇降圧ボル
テージレギュレータ２に昇圧を開始させ、電池１の電圧
が降下しても昇降圧ボルテージレギュレータ２の出力電
圧Ｖｄｄを一定に保持し（Ｓ１１１）、レンズ通信イン
ターフェース７を介して撮影レンズ（不図示）とレンズ
通信を実行してレンズ情報を読み込む（Ｓ１１２）。Ｓ
１１２で読み込むレンズ情報としては、開放Ｆ値情報Ａ
ｖｍｉｎ、測光補正情報Ａｖｃ、焦点距離情報ｆ、距離
情報Ｄｖ等がある。レンズ通信処理を実行したら、フラ
ッシュ接続端子４を介してカメラボディ１０に接続され
た外部フラッシュとの間で通信を行い、外部フラッシュ
へＣＦ情報を出力する一方、外部フラッシュからＦＣ情
報を入力する（Ｓ１１３）。

【００４４】続いて、位相差方式のＡＦ回路１６から被
写体像のビデオ信号を入力してデフォーカス量を演算
し、モータ制御回路１５を介してＡＦモータ（不図示）
を駆動して撮影レンズの焦点調節レンズ群（不図示）を
合焦位置まで移動させるＡＦ処理を実行する（Ｓ１１
４）。ＡＦ処理を実行したら、測光回路１９から分割受
光素子２２の出力に対応する測光信号を入力し、入力し
た測光信号や撮影モード情報、レンズ情報、フラッシュ
情報等に基づいて適正シャッタ速度及び絞りを算出する
ＡＥ処理を実行する（Ｓ１１５）。このＡＥ処理では、
さらに、フラッシュ発光が必要か否かが判断される。

【００４５】ＡＥ処理を実行したら、レリーズスイッチ
ＳＷＲがオンしているか否かをチェックし（Ｓ１２
０）、レリーズスイッチＳＷＲがオンしていないときは
Ｓ１０２へ戻る（Ｓ１２０；Ｎ）。レリーズスイッチＳ
ＷＲがオンしているときは、所定のレリーズ条件を満た
しているか否かを判定するレリーズ条件判定処理を実行
する（Ｓ１２０；Ｙ、Ｓ１２１）。ここでレリーズ条件
とは、例えばＡＦモードとして合焦優先モードが設定さ
れている場合には合焦していること、撮影モードとして
低輝度であって内蔵フラッシュの充電が完了していない
ときにレリーズ動作を禁止するモードが設定されている
場合には、内蔵フラッシュの充電が完了していること、
等である。

【００４６】レリーズ条件を満たしていないときはＳ１
０２へ戻り（Ｓ１２２；Ｎ）、レリーズ条件を満たして
いる場合には、レリーズ前の最終的なフラッシュ通信処
理を行い（Ｓ１２３）、ＰｒｅＮｅｅｄフラグにより予
備発光が必要か否かを判定する（Ｓ１２４）。ＰｒｅＮ
ｅｅｄフラグに“１”が設定されているときは予備発光
処理を実行し（Ｓ１２４；Ｙ、Ｓ１２５）、ＰｒｅＮｅ
ｅｄフラグに“０”が設定されているときはＳ１２５を
スキップする（Ｓ１２４；Ｎ）。

【００４７】そして、モータ制御回路１５を介してミラ
ーモータ（不図示）を駆動させてミラー（不図示）をア
ップさせ（Ｓ１２６）、絞り制御回路１７を介して撮影
レンズの絞りを設定された絞り値まで絞り込み（Ｓ１２
７）、シャッタ制御回路１８を介してシャッタ幕の走行
を制御して露出させる（Ｓ１２８）。露出が終了した
ら、モータ制御回路１５を介してミラーモータ（不図
示）を駆動させてミラーをダウンさせるとともにフィル
ムモータ（不図示）を駆動させてフィルムを１コマ分巻
き上げてＳ１０２へ戻る（Ｓ１２９）。

【００４８】『フラッシュ通信処理』メイン処理のＳ１
１３、Ｓ１２３で実行されるフラッシュ通信処理につい
て、図１１を参照して詳細に説明する。この処理に入る
と先ず、外部フラッシュとの間でＦＣ通信を実行し、Ｆ
Ｃ情報を入力する（Ｓ１５０）（表１、表２参照）。な
お、ＦＣ通信の初期データには規定コードが含まれてい
る。この規定コードを正しく受信できないとき、ＣＰＵ
１３はカメラボディ１０に装着された外部フラッシュは
ないと判断する。この場合、後述するＣＦ通信、モード
４通信、モード３通信内の処理で通信を行わない構成と
なっている。

【００４９】ＦＣ通信処理を実行したら、入力したＷＬ
ｒｅｑフラグに“１”がセットされているか否かをチェ
ックする（Ｓ１５１）。ＷＬｒｅｑフラグに“１”がセ
ットされているとき、即ち外部フラッシュのメインスイ
ッチ６４がＷＬ位置にあり、且つワイヤレスモード設定
がコントローラかマスターであるときは（Ｓ１５１；
Ｙ）、外部フラッシュを使ってワイヤレス制御する／し
ないを識別するＷＬｓｅｔフラグに“１”（する）をセ
ットし（Ｓ１５３）、内蔵フラッシュを使ってワイヤレ
ス制御する／しないを識別するＷＬｉｎｔフラグに
“０”（しない）をセットしてＳ１５７へ進む（Ｓ１５
６）。このようにＳ１５３でＷＬｓｅｔフラグに“１”
がセットされたときは、必ずＳ１５６でＷＬｉｎｔフラ
グに“０”がセットされるので、ＷＬｓｅｔフラグとＷ
Ｌｉｎｔフラグが同時に“１”となることはない。また
内部フラッシュを使用したワイヤレス制御は、外部フラ
ッシュを使用したワイヤレス制御がない場合にのみ有効
である。

【００５０】ＷＬｒｅｑフラグに“１”がセットされて
いないとき、即ちカメラボディ１０に外部フラッシュが
装着されていないか、または外部フラッシュのメインス
イッチ６４がＷＬ位置にないときは（Ｓ１５１；Ｎ）、
ＷＬｓｅｔフラグに“０”をセットし（Ｓ１５２）、ワ
イヤレス制御をしないＷＬｏｆｆモードが設定されてい
ないかどうか、及び内蔵フラッシュの充電が完了してい
るか否かをチェックする（Ｓ１５４）。ＷＬｏｆｆモー
ドが設定されておらず、且つ内蔵フラッシュの充電が完
了していたときは、ＷＬｉｎｔフラグに“１”をセット
する（Ｓ１５４；Ｙ、Ｓ１５５）。ＷＬｏｆｆモードが
設定されているか、あるいは内蔵フラッシュの充電が完
了していないときは、ＷＬｉｎｔフラグに“０”を設定
してＳ１５７へ進む（Ｓ１５４；Ｎ、Ｓ１５６）。

【００５１】Ｓ１５７では、ＷＬｓｅｔフラグ及びＷＬ
ｉｎｔフラグが“０”か否かをチェックする。ＷＬｓｅ
ｔフラグ及びＷＬｉｎｔフラグがいずれも“０”のとき
は（Ｓ１５７；Ｙ）、ワイヤレス制御を行わないので、
Ｓ１５０で入力した充電完了信号Ｃｈａｒｇｅフラグに
より外部フラッシュの充電が完了しているか否かをチェ
ックし（Ｓ１５８）、充電が完了していなければ調光モ
ード指定にＴＴＬを設定し、予備発光が必要か否かを識
別するＰｒｅＮｅｅｄフラグに“０”（不要）をセット
してＳ１６２へ進む（Ｓ１５８；Ｎ、Ｓ１６１）。ＷＬ
ｓｅｔフラグまたはＷＬｉｎｔフラグのいずれかが
“０”でないとき（Ｓ１５７；Ｎ）、ＷＬｓｅｔフラグ
及びＷＬｉｎｔフラグが両方とも“０”であっても外部
フラッシュの充電が完了しているときは（Ｓ１５８；
Ｙ）、ＰｒｅＮｅｅｄフラグに“１”（必要）をセット
し（Ｓ１５９）、シンクロ要求情報、充電完了信号、ワ
イヤレス制御するか否か等に基づき、表４−１、表４−
２、表４−３からシンクロモード指定、予備発光モード
ＰｒｅＭ、調光モード指定を決定する（Ｓ１６０）（詳
細は後述する）。なお、予備発光モードＰｒｅＭには、
全フラッシュ（内蔵フラッシュ除く）を同時に予備発光
させる第１の予備発光モードと、全フラッシュ（内蔵フ
ラッシュ除く）を規定の順番（先幕、順次）で予備発光
させる第２の予備発光モードがある。予備発光モードＰ
ｒｅＭには、第１の予備発光モードが選択されたとき
“０”が、第２の予備発光モードが選択されたとき
“１”が設定される。

【００５２】各モード指定を決定したら、式；Ｔｆｐ＝
１／２^Tv＋Ｔｃｔｎにより求めたフラット発光時間Ｔｆ
ｐ（ｍｓ）をセットし（Ｓ１６２）、式；Ｄｖｍａｘ＝
Ｇｖ−Ａｖ＋（Ｓｖ−５）より求めた最長調光距離Ｄｖ
ｍａｘをセットし（Ｓ１６３）、レンズ焦点距離情報に
Ｓ１１２のレンズ通信処理で入力したレンズ焦点距離ｆ
をセットする（Ｓ１６４）。なお、Ｔｃｔｎはシャッタ
先幕の走行時間である。またＴｖ，Ｄｖ，Ｇｖ，Ａｖ，
Ｓｖは、シャッタ速度，距離，ガイドナンバー，絞り，
フィルム感度のアペックス表示量である。

【００５３】そして、以上の処理で設定したＣＦ情報を
外部フラッシュに転送するＣＦ通信を実行する（Ｓ１６
５）（表４参照）。ＣＦ通信を実行したら、発光モード
指定に対応させてワイヤレス信号間隔（微少発光間隔）
ＴＷ１ＭをＲＡＭ１３ａにセットする（Ｓ１６６−１〜
Ｓ１６６−５）。先ず、シンクロ指定がＦＰか否かをチ
ェックし（Ｓ１６６−１）、ＦＰであればＴＷ１Ｍに
５．２ｍｓをセットする（Ｓ１６６−１；Ｙ、Ｓ１６６
−２）。シンクロ指定がＦＰでないときは、予備発光モ
ードＰｒｅＭをチェックする（Ｓ１６６−１；Ｎ、Ｓ１
６６−３）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”であれば
ＴＷ１Ｍに４．２ｍｓをセットし（Ｓ１６６−３；Ｙ、
Ｓ１６６−４）、予備発光モードＰｒｅＭが“１”でな
ければＴＷ１Ｍに３．２ｍｓをセットする（Ｓ１６６−
３；Ｎ、Ｓ１６６−５）。そして、情報設定ＳＷ群９の
テストＳＷがオフからオンに変化したか否かをチェック
し（Ｓ１６７）、変化があったときはテスト発光処理を
実行してリターンする（Ｓ１６７；Ｙ、Ｓ１６８）。テ
ストＳＷの変化がなかったときは、Ｓ１６８をスキップ
してリターンする（Ｓ１６７；Ｎ）。

【００５４】表１に、外部フラッシュからカメラボディ
１０に送信されるＦＣ情報の一例を示す。

【表１】

【００５５】調光モード要求には、外部フラッシュで設
定された調光モードに対応するデータがセットされる。
ワイヤレス要求情報となるＷＬｒｅｑフラグには、外部
フラッシュのワイヤレスモードがコントローラかマスタ
ーのときに“１”がセットされる。Ｇｎｏ情報にはフラ
ッシュの画角に対応するガイドナンバーＧｎｏのアペッ
クス表示量Ｇｖがセットされる。調光確認情報には、外
部フラッシュが発光したときに、カメラから発光開始指
令を入力してから発光停止指令を入力するまでの時間に
応じて、「適正」、「近」、「遠」のいずれかがセット
される。バウンス情報となるＢｏｕｎｃｅフラグには、
外部フラッシュの発光部がバウンスあるいは回転された
ときに“１”がセットされる。

【００５６】表２にシンクロ要求、充電完了信号のデー
タ内容の一例を示した。

【表２】

【００５７】シンクロ要求は、３ビットのデータであ
り、外部フラッシュで設定されたシンクロ要求に対応す
るビットに“１”がセットされる。また、充電完了信号
は４ビットのデータであり、充電が完了していればシン
クロ要求に対応するビットに“０”がセットされる。こ
の充電完了信号は“１”が優先されるように構成されて
いる。そして、例えば複数の外部フラッシュが同じシン
クロ要求でカメラボディ１０に装着されている場合に
は、外部フラッシュが全て充電完了したときに初めて、
シンクロ要求に対応する充電完了信号のビットに“０”
がセットされる。充電完了信号のビット３は、ワイヤレ
ス制御用として設けられていて、ワイヤレス制御可能な
レベルまで充電が完了しているときに“０”がセットさ
れる。なお、外部フラッシュのワイヤレスモードがコン
トローラのとき、充電完了信号はワイヤレス制御用に対
応する位置にしかセットされない。これに対し、ワイヤ
レスモードがマスターのとき、充電完了信号はワイヤレ
ス制御用のビットとシンクロ要求に対応するビットにセ
ットされる。

【００５８】表３に、カメラボディ１０から外部フラッ
シュへ送信されるＣＦ情報の一例を示した。

【表３】

【００５９】調光モード指定は、外部フラッシュから送
信された調光モード要求よりも優先される。つまりフラ
ッシュＣＰＵ６５は、例えば調光モード要求がマニュア
ルであっても、調光モード指定がＴＴＬであればＴＴＬ
を設定する。但し、調光モード指定がＮＡの場合には、
調光モード要求に対応するモードを設定する。シンクロ
指定は、複数の外部フラッシュがカメラボディ１０に装
着された場合にカメラ（ＣＰＵ１３）が適切なモードを
判断して通信するため、外部フラッシュのシンクロ要求
よりも優先される。同様に、ワイヤレス指定もワイヤレ
ス要求より優先される。

【００６０】フラッシュ通信処理のＳ１６０で実行され
るシンクロ指定、予備発光モードＰｒｅＭ、調光モード
指定の決定処理について説明する。これら各モードは、
シンクロ要求、充電完了信号、ワイヤレス制御の有無を
判断要素とし、表４−１、表４−２、表４−３に基づい
て設定される。表４の各々において、「充完あり」の場
合、シンクロ要求に示した○印は充電完了信号があった
とき、×印は充電完了信号がなかったとき、−印は充電
完了信号があってもなくてもよいことを表している。一
方の「充完なし」の場合は、シンクロ要求に示した○、
×、−の全てに対して充電完了信号がなく、○印に対す
るシンクロ要求があり、×印に対するシンクロ要求がな
く、−印に対するシンクロ要求があってもなくてもよい
ことを表している。なお、シンクロ要求、充電完了信号
は外部フラッシュからカメラボディ１０へ送信される情
報であり、一方のシンクロ指定、予備発光モードＰｒｅ
Ｍ、調光モード指定はカメラボディ１０から外部フラッ
シュへ送信される情報である。

【００６１】

【表４−１】

【００６２】表４−１はワイヤレス制御を行わない場合
を示している。以下では、ワイヤレス制御を行わない場
合について説明する。シンクロ指定は、ワイヤレス制御
を行わない場合であって、シンクロ要求が先幕のフラッ
シュと順次のフラッシュとがカメラボディ１０に装着さ
れ、且つ両方とも充電が完了している場合のみ、順次が
設定される。これ以外の場合には通常、先幕が設定され
る。但し、シンクロ要求がＦＰである場合には、カメラ
のシャッタ速度がフラッシュ同調速度以上であればＦＰ
が設定され、フラッシュ同調速度未満であれば先幕が設
定される。

【００６３】調光モード指定は基本的にＴＴＬが設定さ
れる。これは、ＴＴＬが倍率と比較して、遠距離被写
体、近距離被写体、高輝度被写体である場合に対しての
特性に優れているためである。但し、シンクロ要求がＦ
Ｐである場合には、カメラのシャッタ速度がフラッシュ
同調速度以上であれば倍率が設定され、フラッシュ同調
速度未満であればＴＴＬが設定される。

【００６４】予備発光モードＰｒｅＭは、シンクロ指定
に基づいて設定される。即ち、シンクロ指定が順次であ
る場合にのみ、予備発光モードＰｒｅＭに“１”が設定
される。この予備発光モードＰｒｅＭが“１”の場合
は、シンクロ要求が先幕のフラッシュを１回目に発光さ
せ、シンクロ要求が順次のフラッシュを２回目に発光さ
せる第２の予備発光モードが選択されている場合であ
る。予備発光モードＰｒｅＭが“０”の場合には、全フ
ラッシュ（内蔵フラッシュを除く）を同時に発光させる
第１の予備発光モードが選択されている場合である。

【００６５】なお、充電完了信号がなかった場合には、
フラッシュを発光させないため、シンクロ指定及び調光
モード指定にはＮＡモードが設定され、予備発光モード
ＰｒｅＭには“０”が設定される。また*１を付した項
目では内蔵フラッシュでも同様の制御を行う。

【００６６】

【表４−２】

【表４−３】

【００６７】表４−２は外部フラッシュを使ってワイヤ
レス制御する場合を示し、表４−３は内蔵フラッシュを
使ってワイヤレス制御する場合を各ワイヤレスモード別
に示したものである。この場合、シンクロ指定は基本的
に先幕が設定されるが、シンクロ要求がＦＰである場合
は、カメラのシャッタ速度がフラッシュ同調速度以上か
否かに応じて先幕かまたはＦＰが前述の表４−１と同様
に設定される。

【００６８】調光モード指定は、基本的に倍率が設定さ
れるが、内蔵フラッシュが露光のために発光するＷＬＭ
モードでワイヤレス制御が実行される場合には、内蔵フ
ラッシュが予備発光できないためＴＴＬが設定される。
但し、調光モード指定はカメラボディ１０に装着された
外部フラッシュに対して有効であり、スレーブフラッシ
ュはすべて倍率で制御される。

【００６９】予備発光モードＰｒｅＭは、シンクロ指定
に関わらず、内蔵フラッシュを露光のために発光させる
か否かによって決定される。つまり、ＷＬＭモードでワ
イヤレス制御が実行される場合は予備発光モードＰｒｅ
Ｍに“０”が設定され、ＷＬＭモード以外でワイヤレス
制御が実行される場合には予備発光モードＰｒｅＭに
“１”が設定される。

【００７０】『予備発光処理』次に、メイン処理のＳ１
２５で実行される予備発光処理について、図１２及び図
１３を参照して説明する。予備発光処理は、本発光量を
設定するためにフラッシュを発光させる処理であって、
レリーズスイッチＳＷＲがオンすると、本発光（露出処
理）の前に実行される。この処理に入ると先ず、ＷＬｓ
ｅｔフラグまたはＷＬｉｎｔフラグに“１”がセットさ
れているか否かをチェックする（Ｓ２００）。ＷＬｓｅ
ｔフラグまたはＷＬｉｎｔフラグのいずれかに“１”が
セットされているときは、スレーブフラッシュをワイヤ
レス制御するので、予備発光強度ＰｒｅＰに１をセット
し、予備発光時間ＰｒｅＴに１をセットし、Ｓ２０４へ
進む（Ｓ２００；Ｙ、Ｓ２０３）。

【００７１】ＷＬｓｅｔフラグ及びＷＬｉｎｔフラグの
いずれも“１”でなかったときは、スレーブフラッシュ
をワイヤレス制御しないので、Ｓ１１２で入力した距離
情報Ｄｖが３（２．８ｍ）を超えているか否か、Ｓ１１
５で求めた外光下における被写体輝度Ｂｖが６を超えて
いるか否かをチェックする（Ｓ２０１−１）。この距離
情報Ｄｖ、被写体輝度Ｂｖはアペックス値である。距離
情報Ｄｖが３を超えているか、または被写体輝度Ｂｖが
６を超えているときは、予備発光強度ＰｒｅＰに１をセ
ットする（Ｓ２０１−１；Ｙ、Ｓ２０１−２）。遠距離
の場合は一般的に反射光が強くないため、また、高輝度
の場合は予備発光が外光に埋もれる可能性があるためで
ある。一方、距離情報Ｄｖが３を超えておらず、且つ被
写体輝度Ｂｖが６を超えていないときは、予備発光強度
ＰｒｅＰに１／２をセットする（Ｓ２０１−１；Ｎ、Ｓ
２０１−３）。近距離の場合は一般的に反射光が強く、
低輝度の場合は予備発光強度が弱くても予備発光が外光
に埋もれる可能性が低いから、予備発光強度を弱くして
外部フラッシュの消費電力を低減させるためである。

【００７２】続いて、距離情報Ｄｖとレンズの開放Ｆ値
Ａｖｍｉｎの和が８未満か否かをチェックし（Ｓ２０２
−１）、８未満であれば予備発光時間ＰｒｅＴに１をセ
ットし（Ｓ２０２−１；Ｙ、Ｓ２０２−２）、８未満で
なければ予備発光時間ＰｒｅＴに２をセットする（Ｓ２
０２−１；Ｎ、Ｓ２０２−３）。予備発光の受光量は、
距離情報Ｄｖ及びレンズの開放Ｆ値Ａｖｍｉｎに比例す
るものであって、距離情報Ｄｖ、レンズの開放Ｆ値Ａｖ
ｍｉｎが大きくなると受光量が小さくなるから、受光応
答の遅れが生じる。したがって、距離情報Ｄｖとレンズ
の開放Ｆ値Ａｖｍｉｎの和が８以上のときは、応答遅れ
があっても予備発光を正しく測光できるように、予備発
光時間ＰｒｅＴを２倍としている。

【００７３】そして発光モード指定に予備発光モードを
セットし（Ｓ２０４）、外部フラッシュへ送信する（Ｓ
２０５）。ＣＦ通信を実行したら、ＷＬｉｎｔフラグが
“１”か否かをチェックする（Ｓ２０６）。ＷＬｉｎｔ
フラグが“１”でないときは、内蔵フラッシュを使って
ワイヤレス制御しないため、モード４通信を実行して４
パルスの信号を外部フラッシュに送信し、Ｓ２１３−１
へ進む（Ｓ２０６；Ｎ、Ｓ２０７）。外部フラッシュ
は、カメラ接続端子５６のＣ端子を介して４パルスの信
号を入力すると、予備発光する。但し、ＷＬｓｅｔフラ
グが“１”の場合に外部フラッシュは、スレーブフラッ
シュに予備発光指令信号であるワイヤレス信号を送信す
るため２回微少発光し、その後、スレーブフラッシュと
ほぼ同時に予備発光を開始する。

【００７４】図６（ｄ）には予備発光波形を示してあ
る。予備発光モードＰｒｅＭが“０”である場合は、全
フラッシュが同時に予備発光し、１回のみ予備発光が行
われる（図６において左方）。予備発光モードＰｒｅＭ
が“１”である場合は、各フラッシュが設定されたシン
クロ要求で所定の順番で発光し、合計２回の予備発光が
行われる。なお図６（ｄ）において、時間Ｔｉｎｔは上
記２回の予備発光の間隔であり、本実施例では２．５ｍ
ｓに設定されている。

【００７５】一方、ＷＬｉｎｔフラグが“１”のときは
（Ｓ２０６；Ｙ）、フラッシュ通信処理（図１１）でＲ
ＡＭ１３ａにセットしたワイヤレス信号間隔ＴＷ１Ｍか
らモード４通信処理に要する時間Ｔｍｏｄｅ４を減算し
た値をタイマーＢにセットしてタイマーＢをスタートさ
せ（Ｓ２０８）、内蔵フラッシュ微少発光処理を実行し
（Ｓ２０９）、タイマーＢオーバーフローフラグが
“１”になるまで待機する（Ｓ２１０；Ｎ）。内蔵フラ
ッシュ微少発光処理は、スレーブフラッシュにワイヤレ
ス信号を送信するため、内蔵フラッシュを３０μｓ微少
発光させる処理である。タイマーＢオーバーフローフラ
グはタイマーＢがタイムアップすると“１”となるフラ
グである。

【００７６】タイマーＢオーバーフローフラグが“１”
になったら（Ｓ２１０；Ｙ）、モード４通信処理を実行
して外部フラッシュに予備発光を開始させ（Ｓ２１
１）、内蔵フラッシュ微少発光処理を再実行し、Ｓ２１
３−１へ進む（Ｓ２１２）。上記Ｓ２０９とＳ２１２の
内蔵フラッシュの２回の微少発光（予備発光指令信号送
信）は、ＲＡＭ１３ａにメモリされている間隔ＴＷ１Ｍ
で実行される。したがって、タイマーＢがタイムアップ
してからＳ２１１のモード４通信を実行することによ
り、Ｓ２１２の微少発光とＳ２１１のモード４通信がほ
ぼ同時に完了し、スレーブフラッシュの予備発光と外部
フラッシュの予備発光が同期して行われる。

【００７７】図６（ｅ）にはワイヤレス信号波形（発
光、受光）及び予備発光波形を示してある。図中に示し
た間隔ＴＷ１は実際にワイヤレス受光素子５６が受光す
る間隔（実測値）である。なお、上述した間隔ＴＷ１Ｍ
は、ＲＡＭ１３ａにメモリしてあるメモリ値である。

【００７８】スレーブフラッシュは、微少発光（ワイヤ
レス信号）の間隔ＴＷ１によって発光指令を認識する。
即ち、間隔ＴＷ１が３．２ｍｓのときは、予備発光モー
ドＰｒｅＭ“０”で予備発光させる予備発光指令である
から、全フラッシュが同時に予備発光し、１回のみ予備
発光が行われる。間隔ＴＷ１が４．２ｍｓのときは、予
備発光モードＰｒｅＭ“１”で予備発光させる予備発光
指令であるから、各スレーブフラッシュはシンクロ要求
モードで予備発光し、合計で２回予備発光が行われる。
つまり、シンクロ要求が先幕のフラッシュが先に予備発
光し、その後、順次のフラッシュが予備発光する。また
間隔ＴＷ１が５．２ｍｓのときは、シンクロ指定＝ＦＰ
及び予備発光モードＰｒｅＭ“１”で予備発光させる予
備発光指令であり、間隔ＴＷ１が６．２ｍｓのときは、
発光モード指定＝テスト及び予備発光モードＰｒｅＭ
“１”でテスト発光を行うテスト発光指令である。

【００７９】Ｓ２１３−１では、ＷＬｓｅｔフラグが
“１”か否かをチェックする。ＷＬｓｅｔフラグが
“１”であれば、外部フラッシュの微少発光（ワイヤレ
ス信号送信）が終了するまで待つため、ＲＡＭ１３ａに
メモリしてあるワイヤレス信号間隔ＴＷ１Ｍだけ待機し
（Ｓ２１３−１；Ｙ、Ｓ２１３−２）、ＷＬｓｅｔフラ
グが“１”でなければＳ２１３−２をスキップする（Ｓ
２１３−１；Ｎ）。

【００８０】そして予備発光データ取得処理を実行する
（Ｓ２１４）。予備発光データ取得処理は、詳細は後述
するが、予備発光時の分割受光素子２２の受光量に基づ
き、発光倍率Ｍｖ及びＴＴＬ補正量のアペックス表示量
Ｆｃを算出する処理である。予備発光データ取得処理を
実行したら、シンクロ指定が順次か否かをチェックする
（Ｓ２１５）。シンクロ指定が順次であるときは（Ｓ２
１５；Ｙ）、１回目の発光量と２回目の発光量の比が
（１／３）：（２／３）となるように、ＴＴＬ補正量の
アペックス表示量Ｆｃ１、Ｆｃ２に各々Ｆｃ１−１．５
８、Ｆｃ２−０．５８の値を上書きメモリし、同様に発
光倍率Ｍｖ１、Ｍｖ２に各々Ｍｖ１−１．５８、Ｍｖ２
−０．５８の値を上書きメモリする（Ｓ２１６）。シン
クロ指定が順次でないときは（Ｓ２１５；Ｎ）、内蔵フ
ラッシュ発光条件を満たしているか否かをチェックする
（Ｓ２１５−１）。内蔵フラッシュ発光条件を満たして
いる場合は（Ｓ２１５−１；Ｙ）、本発光時に内蔵フラ
ッシュとスレーブフラッシュの光量比が（１／３）：
（２／３）になるように、ＴＴＬ補正量のアペックス表
示量Ｆｃ１に−１．５８を上書きメモリし、発光倍率Ｍ
ｖ１をＭｖ１−０．５８の値に上書きメモリする（Ｓ２
１５−２）。

【００８１】続いて、発光モード指定を倍率に設定して
外部フラッシュに送信する（Ｓ２１７、Ｓ２１８）。Ｃ
Ｆ通信を実行したら、ＷＬｉｎｔフラグが“１”か否か
をチェックする（Ｓ２１９）。ＷＬｉｎｔフラグが
“１”のときは、ワイヤレス信号間隔ＴＷ１Ｍ、ＴＷ２
Ｍを各々ＴＷ１Ｍ＝２ｍｓ＋（Ｍｖ１＋５）×１２８／
１０００（ｍｓ）、ＴＷ２Ｍ＝２ｍｓ＋（Ｍｖ２＋５）
×１２８／１０００（ｍｓ）から求め、ＲＡＭ１３ａに
上書きメモリする（Ｓ２１９；Ｙ、Ｓ２２０）。そして
予備発光モードＰｒｅＭが“０”であれば、ＲＡＭ１３
ａにメモリした間隔ＴＷ１Ｍで内蔵フラッシュを２回微
少発光させて倍率信号としてのワイヤレス信号を送信
し、リターンする（Ｓ２２１−１；Ｙ、Ｓ２２１−
２）。この倍率信号を受信するとスレーブフラッシュ
は、発光倍率Ｍｖに発光倍率Ｍｖ１を設定する。一方、
予備発光モードＰｒｅＭが“１”であれば、最初の間隔
をＴＷ１Ｍ、後の間隔をＴＷ２Ｍとして内蔵フラッシュ
を３回微少発光させて倍率信号としてのワイヤレス信号
を送信し、リターンする（Ｓ２２１−１；Ｎ、Ｓ２２１
−３）。この倍率信号には発光倍率Ｍｖ１、Ｍｖ２のデ
ータが含まれており、スレーブフラッシュは設定された
シンクロ要求に応じて発光倍率Ｍｖを設定する。つま
り、シンクロ要求に先幕が設定されているスレーブフラ
ッシュは発光倍率ＭｖにＭｖ１を設定し、シンクロ要求
に順次が設定されているスレーブフラッシュは発光倍率
ＭｖにＭｖ２を設定する。

【００８２】ＷＬｉｎｔフラグが“１”でないときは
（Ｓ２１９；Ｎ）、ＷＬｓｅｔフラグをチェックする
（Ｓ２２２）。ＷＬｓｅｔフラグが“１”でないとき
は、ワイヤレス制御を行わないので、そのままリターン
する（Ｓ２２２；Ｎ）。ＷＬｓｅｔフラグが“１”のと
きは、倍率信号としてのワイヤレス信号をスレーブフラ
ッシュに送信するため、モード４通信を実行して外部フ
ラッシュを微少発光させ、（Ｓ２２２；Ｙ、Ｓ２２
３）。

【００８３】『予備発光データ取得処理』次に、予備発
光処理のＳ２１４で実行される予備発光データ取得処理
について、図１４を参照して説明する。この処理に入る
と先ず、変数ｍに１をセットし（Ｓ２５０）、プレＡ／
Ｄ処理を実行する（Ｓ２５１）。プレＡ／Ｄ処理は、詳
細は後述するが、分割受光素子２２の各受光素子２２_
１〜２２_９を切り換えながら各受光素子毎に該出力を
複数回連続してＡ／Ｄ変換を行う処理を所定サイクル繰
り返す処理である。

【００８４】プレＡ／Ｄ処理を実行したら、予備発光強
度ＰｒｅＰに１／２がセットされているか否かをチェッ
クし（Ｓ２５２）、予備発光強度ＰｒｅＰに１／２がセ
ットされているときは、Ｓ２５１で求めたプレＡ／Ｄ変
換データＡｄ（ｍ）（ｍ＝１〜９）に＋１加算した値を
プレＡ／Ｄ変換データＡｄ（ｍ）として上書きメモリす
る（Ｓ２５２；Ｙ、Ｓ２５３）。Ｓ２５３の処理は、予
備発光強度ＰｒｅＰ＝１／２で得られるＡ／Ｄ変換デー
タＡｄ（ｍ）が予備発光強度ＰｒｅＰ＝１のときよりも
１ＥＶ少ないのを補正するためである。予備発光強度Ｐ
ｒｅＰに１／２がセットされていないときはＳ２５３を
スキップする（Ｓ２５２；Ｎ）。

【００８５】続いて、予備発光モードＰｒｅＭが“１”
か否かをチェックし（Ｓ２５４）、予備発光モードＰｒ
ｅＭが“１”でないときは１回しか予備発光を実行ない
のでＳ２５９へ進む（Ｓ２５４；Ｎ）。予備発光モード
ＰｒｅＭが“１”のときは（Ｓ２５４；Ｙ）、２回目の
予備発光による予備発光データを取得するため、変数ｍ
に１１をセットしてプレＡ／Ｄ処理を実行し（Ｓ２５
５、Ｓ２５６）、予備発光強度ＰｒｅＰに１／２がセッ
トされていれば、プレＡ／Ｄ変換データＡｄ（ｍ）（ｍ
＝１１〜１９）に＋１加算した値をプレＡ／Ｄ変換デー
タＡｄ（ｍ）として上書きメモリし（Ｓ２５７；Ｙ、Ｓ
２５８）、予備発光強度ＰｒｅＰに１／２がセットされ
なければＳ２５８をスキップする（Ｓ２５７；Ｎ）。

【００８６】続いて、予備発光なし（自然光）の状態に
おけるＡ／Ｄ変換データを得るため、変数ｍに２１をセ
ットし（Ｓ２５９）、プレＡ／Ｄ処理を実行する（Ｓ２
６０）。そして、変数ｍ＝１〜９に対してそれぞれ式；
Ｂｖｐ（ｍ）＝ｌｎ（２^{Ad(m )}―２^Ad(m+20)）／ｌｎ２
を実行して各測光領域１〜９についての予備発光輝度Ｂ
ｖｐ（ｍ）を演算し、メモリする（Ｓ２６１）。つま
り、このＳ２６１では、１回目の予備発光と自然光によ
る光電流から自然光による光電流を減算して１回目の予
備発光のみによる光電流を算出し、算出した値を再度対
数圧縮して、自然光を含まない予備発光のみによる１回
目の予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）を得ている。

【００８７】続いて、予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）を用い
て発光量演算処理を実行し（Ｓ２６２）、求めた発光倍
率Ｍｖ、ＴＴＬ補正量のアペックス表示量Ｆｃをそれぞ
れＭｖ１、Ｆｃ１としてメモリする（Ｓ２６３）。そし
て予備発光モードＰｒｅＭが“１”か否かをチェックし
（Ｓ２６４）、予備発光モードＰｒｅＭが“１”でない
ときはリターンする（Ｓ２６４；Ｎ）。予備発光モード
ＰｒｅＭが“１”のときは（Ｓ２６４；Ｙ）、変数ｍ＝
１〜９に対してそれぞれ式；Ｂｖｐ（ｍ）＝ｌｎ（２
^Ad(m+10)―２^Ad(m+20)）／ｌｎ２を実行して２回目の予
備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）を演算し、メモリする（Ｓ２６
５）。即ちＳ２６５では、２回目のプレＡ／Ｄ処理で求
めたプレＡ／Ｄ変換データＡｄ（１１）〜Ａｄ（１９）
に基づいて２回目の予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）（ｍ＝１
〜９）が求められる。そして、Ｓ２６５で求めた２回目
の予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）を用いて発光量演算処理を
実行し（Ｓ２６６）、求めた発光倍率Ｍｖ、ＴＴＬ補正
量のアペックス表示量ＦｃをそれぞれＭｖ２、Ｆｃ２と
してメモリしリターンする（Ｓ２６７）。

【００８８】『プレＡ／Ｄ処理』次に、予備発光データ
取得処理のＳ２５１、Ｓ２５６、Ｓ２６０で実行される
プレＡ／Ｄ処理について、図１５を参照して説明する。
この処理に入ると先ず、２．５ｍｓのタイマーＡをスタ
ートさせ（Ｓ３００）、予備発光が安定するように５０
μｓ間待機する（Ｓ３０１）。そしてＡ／Ｄ変換回数Ｔ
ｉｍｅに予備発光時間ＰｒｅＴを１２倍した値をセット
し（Ｓ３０２）、変数ｎ、ｋにそれぞれ０、１をセット
し、ポート群ＰｋのＰｋ１〜Ｐｋ４を“０”にセットし
て出力する（Ｓ３０３）。ポート群Ｐｋ１〜Ｐｋ４は測
光回路１９のセレクター１０２に接続されている。Ｐｋ
１〜Ｐｋ４の出力がすべて“０”の状態では、分割受光
素子２２の受光素子２２_１がセレクター１０２によっ
て選択され、受光素子２２_１の光電流に対応する出力
電圧がポートＰｋ５に出力される（図２参照）。

【００８９】続いて、タイマーＢオーバーフローフラグ
に“０”セットし（Ｓ３０４）、３３μｓのタイマーＢ
をスタートさせ（Ｓ３０５）、変数ｎが８未満か否かを
チェックする（Ｓ３０６）。変数ｎが８未満のときは、
ポートＰｋ５の入力電圧のＡ／Ｄ変換を連続して４回行
い、そのＡ／Ｄ変換結果をアドレスＡ（ｍ＋ｎ，ｋ）、
Ａ（ｍ＋ｎ，ｋ＋１）、Ａ（ｍ＋ｎ，ｋ＋２）、Ａ（ｍ
＋ｎ，ｋ＋３）にメモリする（Ｓ３０９）。なお、Ｓ３
０９の変数ｍの値は、予備発光データ取得処理のＳ２５
０、Ｓ２５５、Ｓ２５９でセットされた値に対応する。

【００９０】Ａ／Ｄ変換結果をメモリしたら、変数ｎに
＋１加算して（Ｓ３１０）、変数ｎに対応する４ビット
信号をポートＰｋ１〜Ｐｋ４に出力して分割受光素子２
２の受光素子２２_（ｎ＋１）を選択し（Ｓ３１１）、
タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になるまで待
機して（Ｓ３１２；Ｎ）、タイマーＢオーバーフローフ
ラグが“１”になったらＳ３０４へ戻る（Ｓ３１２；
Ｙ）。Ｓ３０４へ戻ったら、Ｓ３０６で変数ｎが８未満
でないと判断するまで、Ｓ３０４〜Ｓ３０６、Ｓ３０９
〜Ｓ３１２の処理を繰り返す。これにより、分割受光素
子２２の受光素子２２_１〜２２_９が３３μｓ周期で切
り換えられ、各受光素子２２_ｎの光電流に対応する出
力電圧が４回連続してＡ／Ｄ変換され、メモリされる。

【００９１】そしてＳ３０６で変数ｎが８未満でないと
判断したときは、変数ｋに＋４加算するとともに変数ｎ
に０をセットし（Ｓ３０６；Ｎ、Ｓ３０７）、変数ｋが
Ｓ３０２でセットしたＡ／Ｄ変換回数Ｔｉｍｅ以上か否
かをチェックする（Ｓ３０８）。変数ｋがＡ／Ｄ変換回
数Ｔｉｍｅ以上でないときは、Ｓ３０９へ進み、Ｓ３０
９〜Ｓ３１２、Ｓ３０４〜Ｓ３０８の処理を繰り返す
（Ｓ３０８；Ｎ）。即ち、変数ｋがＡ／Ｄ変換回数Ｔｉ
ｍｅ以上となるまでは、再度、分割受光素子２２の各受
光素子２２_１〜２２_９が３３μｓ周期で切り換えら
れ、各受光素子２２_ｎ毎に４回連続してＡ／Ｄ変換さ
れる。ここで、予備発光時間ＰｒｅＴが１のときは、Ａ
／Ｄ変換回数Ｔｉｍｅに１２がセットされるため各受光
素子２２_ｎの４回連続するＡ／Ｄ変換が３サイクル実
行され、各受光素子２２_ｎのＡ／Ｄ変換データは１２
個得られる。なお、このＡ／Ｄ変換処理時間は約９００
μｓとなり、上記Ａ／Ｄ変換は予備発光時間ＰｒｅＴ
（１ｍｓ）の５０μｓ前に終了する。また予備発光時間
ＰｒｅＴが２のときは、各受光素子２２_ｎの４回連続
するＡ／Ｄ変換が６サイクル実行され、各受光素子２２
_ｎのＡ／Ｄ変換データは２４個得られる。

【００９２】変数ｋがＡ／Ｄ変換回数Ｔｉｍｅ以上にな
ったときは（Ｓ３０８；Ｙ）、上記Ａ／Ｄ変換で得た分
割受光素子２２の変換データＡ（ｍ＋ｎ、ｋ）の中から
各受光素子２２_（ｎ＋１）（変数ｎ；０〜８）毎に最
高輝度に対応する最大値を求め、それぞれアドレスＡ
（ｍ＋ｎ）ｍａｘにメモリする（Ｓ３１３）。続いて、
分割受光素子２２の変換データＡ（ｍ＋ｎ、ｋ）のう
ち、Ｓ３１３で求めた最大値Ａ（ｍ＋ｎ）ｍａｘとの差
が１ＥＶ以内である変換データの平均値を各受光素子２
２_（ｎ＋１）（変数ｎ；０〜８）毎に求め、それぞれ
プレＡ／Ｄ変換データＡｄ（ｍ＋ｎ）（変数ｎ；０〜
８）にメモリする（Ｓ３１４）。ここで、最大値Ａ（ｍ
＋ｎ）ｍａｘよりも１ＥＶ以上小さい変換データを除外
するのは、距離情報Ｄｖと開放Ｆ値Ａｖｍｉｎの和が所
定値よりも大きい場合には、被写体からの反射光量が少
なく、その結果、受光光量が少なくなって応答遅れを生
じ、正確なＡ／Ｄ変換データでないおそれがあるからで
ある。

【００９３】そして、タイマーＡオーバフローフラグが
“１”になるまで待機し（Ｓ３１５；Ｎ）、タイマーＡ
オーバフローフラグが“１”になったらこの処理を抜け
てリターンする（Ｓ３１５；Ｙ）。これにより、プレＡ
／Ｄ変換処理は正確に２．５ｍｓで終了される。

【００９４】図３１に示す予備発光波形は図７に示すＰ
Ｄｆｌ波形の一部を拡大したものであって、そのリップ
ル周期は２０μｓ〜４０μｓ程度である。上述のプレＡ
／Ｄ処理において、１回のＡ／Ｄ変換の処理時間は約４
μｓなので、４回連続してＡ／Ｄ変換した場合の処理時
間は１６μｓである。この処理時間１６μｓは予備発光
波形のリップル周期の１／２周期となっている。そのた
め、予備発光波形のピークからボトムまでを含む半周期
間についてＡ／Ｄ変換が実行される可能性が高く、正確
な値を得ることができる。したがって本実施形態では４
回連続してＡ／Ｄ変換する構成としている。

【００９５】『発光量演算処理』次に、予備発光データ
取得処理のＳ２６２、Ｓ２６６で実行される発光量演算
処理について図１６を参照して説明する。この処理に入
ると先ず、距離情報Ｄｖがあるか否かをチェックする
（Ｓ３５０）。この距離情報Ｄｖは、レンズ通信可能な
撮影レンズがカメラボディ１０に装着されている場合
に、Ｓ１１２のレンズ通信処理で入力される情報であ
る。したがって、距離情報Ｄｖがない場合にはレンズ通
信の行えない旧撮影レンズがカメラボディ１０に装着さ
れていると判定する。なお、距離情報Ｄｖはアペックス
値である。

【００９６】距離情報Ｄｖがある場合にはＢｏｕｎｃｅ
フラグが“１”か否かをチェックし（Ｓ３５０；Ｙ、Ｓ
３５１）、Ｂｏｕｎｃｅフラグが“１”でないとき、即
ち外部フラッシュの発光部がバウンスされていないとき
は、ＷＬｓｅｔフラグ及びＷＬｉｎｔフラグが“１”か
否かをチェックする（Ｓ３５１；Ｎ、Ｓ３５２）。ＷＬ
ｓｅｔフラグ及びＷＬｉｎｔフラグが両方とも“１”で
ないとき、即ちワイヤレス制御を実行しないときは、距
離情報Ｄｖが−１（０．７ｍ）未満か否かをチェックす
る（Ｓ３５２；Ｎ、Ｓ３５３）。

【００９７】距離情報ＤｖがあってＢｏｕｎｃｅフラグ
が“１”でなく、且つワイヤレス制御を実行しない場合
であって、さらに距離情報Ｄｖが−１未満でないときは
（Ｓ３５３；Ｎ）、基準反射率の被写体に予備発光した
場合の基準予備発光輝度Ｂｖｐｃを式；Ｂｖｐｃ＝Ｋｓ
−Ａｖｍｉｎ−Ｄｖにより求める（Ｓ３５４）。ここ
で、Ａｖｍｉｎは撮影レンズの開放Ｆ値であり、Ｋｓは
式；Ｋｓ＝Ｂｖｐｓ＋Ｄｖｓにより求められる定数であ
る。なお、Ｄｖｓは基準の距離（アペックス値）であ
り、Ｂｖｐｓは基準の距離Ｄｖｓにおいて基準反射率の
被写体に予備発光強度ＰｒｅＰ＝１で予備発光した場合
の被写体輝度であり、Ｂｖｐｓ−Ａｖｍｉｎは、予備発
光時の被写体輝度が上述のＢｖｐｓであるときに、受光
素子２２で測光される基準の予備発光輝度である。

【００９８】一方、距離情報Ｄｖがないとき（Ｓ３５
０；Ｎ）、Ｂｏｕｎｃｅフラグが“１”のとき（Ｓ３５
１；Ｙ）、ＷＬｓｅｔフラグまたはＷＬｉｎｔフラグの
うち少なくともいずれかが“１”のとき（Ｓ３５２；
Ｙ）、距離情報Ｄｖが−１未満のとき（Ｓ３５３；Ｙ）
のいずれかである場合は、距離情報Ｄｖと予備発光の関
係が一致しない条件（バウンスあり、ワイヤレス制御あ
り、フラッシュ装置の撮影範囲外となる近距離等）があ
るので、距離情報Ｄｖを用いずに基準予備発光輝度Ｂｖ
ｐｃを算出する（Ｓ３５５、Ｓ３５６）。即ち、分割受
光素子２２の各受光素子２２_１〜２２_９の予備発光輝
度Ｂｖｐ（ｍ）（変数ｍ；１〜９）の中から最大予備発
光輝度Ｂｖｐ（ｍ）ｍａｘを抽出し、その最大予備発光
輝度Ｂｖｐ（ｍ）ｍａｘとの輝度差が５ＥＶ以内となる
分割受光素子２２の受光素子ナンバーをレジスタＸにメ
モリする（Ｓ３５５）。ここで、最大予備発光輝度Ｂｖ
ｐ（ｍ）ｍａｘとの輝度差の境界を設定する輝度値５Ｅ
Ｖは、一般的なネガフィルムのラチチュードに相当する
値である。この輝度値は、ポジフィルムの場合には３Ｅ
Ｖにするなど、使用するフィルムに応じて適宜設定可能
である。また、最大予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）ｍａｘと
の輝度差が５ＥＶ以上ある受光素子が除外されるのは、
その予備発光輝度部に対応する被写体が最大予備発光輝
度Ｂｖｐ（ｍ）ｍａｘに対応する被写体よりもはるか遠
距離にあると考えられ、フラッシュの影響が少ないと考
えられるためである。

【００９９】そして、Ｓ３５５でレジスタＸにメモリさ
れた受光素子ナンバーに対応する予備発光輝度Ｂｖｐ
（ｘ）の中から最小予備発光輝度Ｂｖｐ（ｘ）ｍｉｎを
抽出し、基準予備発光輝度Ｂｖｐｃを式；Ｂｖｐｃ＝
（Ｂｖｐ（ｘ）ｍａｘ＋Ｂｖｐ（ｘ）ｍｉｎ）／２によ
り求める（Ｓ３５６）。なお、上記抽出した最大予備発
光輝度Ｂｖｐ（ｘ）ｍａｘと最小予備発光輝度Ｂｖｐ
（ｘ）ｍｉｎは、Ｓ３５５の処理によりフィルムのラチ
チュードに入る範囲となっている。またＳ３５６で最小
予備発光輝度Ｂｖｐ（ｘ）ｍｉｎがない場合には、基準
予備発光輝度Ｂｖｐｃ＝最大予備発光輝度Ｂｖｐ（ｘ）
ｍａｘとする。

【０１００】基準予備発光輝度Ｂｖｐｃを算出したら、
高反射率または基準距離よりもはるかに近距離の被写
体、低反射率または基準距離よりもはるかに遠距離の被
写体を除外するため、基準予備発光輝度Ｂｖｐｃとの輝
度差が±２ＥＶ以内となる分割受光素子２２の受光素子
ナンバーをＣＰＵ１３内のＹレジスタにメモリする（Ｓ
３５７）。そしてＹレジスタに受光素子ナンバーがメモ
リされていれば、Ｙレジスタにメモリされた受光素子に
対応する予備発光輝度Ｂｖｐ（ｙ）の平均値を求め、こ
れを演算予備発光輝度（平均予備発光輝度）Ｂｖｐｔｙ
ｐにメモリし（Ｓ３５８；Ｎ、Ｓ３５９）、Ｙレジスタ
に何もメモリされていないときは、演算予備発光輝度Ｂ
ｖｐｔｙｐに基準予備発光輝度Ｂｖｐｃをメモリする
（Ｓ３５８；Ｙ、Ｓ３６０）。

【０１０１】そして、Ｔｖ＋Ａｖ＋Ａｖｃ−Ｓｖ−Ｂｖ
ｐｔｙｐ−Ａｖｍｉｎにより発光倍率Ｍｖを算出する
（Ｓ３６１）。ここで、Ｔｖは適正シャッタ速度のアペ
ックス表示量（但し、シャッタ速度Ｔｖがフラッシュ同
調速度Ｔｖｘ未満のときはＴｖ＝Ｔｖｘ）、Ａｖは適正
絞り値のアペックス表示量、Ａｖｃは測光補正アペック
ス情報、Ｓｖはフィルム感度のアペックス表示量であ
る。

【０１０２】発光倍率Ｍｖを算出したら、ＴＴＬ補正演
算を実行する（Ｓ３６２〜Ｓ３６５）。ＴＴＬ補正演算
では先ず、２^{(Bvp(n)-Bvptyp)}により比率データＤ
（ｎ）を算出する（Ｓ３６２）。この比率データＤ
（ｎ）は、分割受光素子２２の測光領域ｎ（ｎ；１〜
９）の予備発光輝度Ｂｖｐ（ｎ）が演算予備発光輝度Ｂ
ｖｐｔｙｐの何倍に相当するかを示している。次に、求
めた各測距領域ｎの比率データＤ（ｎ）を

【式１】に代入し、分割受光素子２２の各領域ｎの予備
発光輝度Ｂｖｐ（ｎ）からＴＴＬ受光素子２３が受光す
るであろうと推測される推測受光量（相対出力）Ｆを求
める（Ｓ３６３）。続いて、Ｙレジスタにメモリされて
いない測光領域ｎの比率データＤ（ｎ）を規定値１に設
定し直し、全比率データＤ（ｎ）を

【式１】に代入して基準受光量Ｆｔｙｐを算出する（Ｓ
３６４）。そして推測受光量Ｆと基準受光量Ｆｔｙｐの
比（Ｆ／Ｆｔｙｐ）をＴＴＬ補正量とし、Ｆｃ＝ｌｎ
（Ｆ／Ｆｔｙｐ）／ｌｎ２によりＴＴＬ補正量のアペッ
クス表示量Ｆｃを算出し、リターンする（Ｓ３６５）。

【式１】Ｆ＝３６×Ｄ（５）＋１２×（Ｄ（２）＋Ｄ
（４）＋Ｄ（６）＋Ｄ（８））＋４×（Ｄ（１）＋Ｄ
（３）＋Ｄ（７）＋Ｄ（９）） なお、本明細書中では、

【式１】における各測距領域ｎのデータＤ（ｎ）の係数
を「重み付け係数」という。

【０１０３】上述の重み付け係数は、ＴＴＬ受光素子２
３の受光分布によって決定される。図８（ｂ）にＴＴＬ
受光素子２３のフィルム面測光における中央横方向の受
光分布を示した。図８（ｂ）において縦軸はＴＴＬ受光
素子２３の受光量であり、横軸は図８（ａ）に示す分割
受光素子２２の測光領域４、５、６に対応する。なお、
ＴＴＬ受光素子２３のフィルム面発光における中央縦方
向の受光分布も中央横方向の受光分布と同様とする。つ
まり、図８（ｂ）の横軸を、図８（ａ）に示す分割受光
素子２２の測光領域２、５、８に対応させると、図８
（ｂ）と同様になる。

【０１０４】図８（ｃ）は各受光素子２２_１〜２２_９
の測光領域１〜９におけるＴＴＬ受光素子２３の受光量
を、ＴＴＬ受光素子２３の全受光量に対するパーセンテ
ージ（％）で示す図である。本実施形態では、このパー
センテージを重み付け係数として設定してある。即ち、
測光領域５を測光した受光素子２２_５の出力に３６％
の感度を与え、測光領域２、４、６、８を測光した受光
素子２２_２、２２_４、２２_６、２２_８の出力には１
２％の感度を与え、測光領域１、３、７、９を測光した
受光素子２２_１、２２_３、２２_７、２２_９の出力に
４％の感度を与えている。分割受光素子２２の各受光素
子２２_１〜２２_９の出力データからＴＴＬ受光素子２
３の相対出力を求める関数は、上記の

【式１】で示される。

【０１０５】以下では、上述した発光量演算処理につい
て、具体例を挙げて説明する。図９（ａ）は主要被写体
が中央のみ（測光領域５、８）にあって周辺が遠い場合
の例であり、各測光領域１〜９の予備発光輝度は（ｂ）
に示してある。この場合にＴＴＬ受光素子２３のみで測
光して露出制御すると、周辺からの反射が少ないため、
主要被写体は露出オーバーとなってしまう。図９（ｃ）
は主要被写体が大半（測光領域１、２、４、５、７、
８）を占めていて、その周辺（測光領域３、６、９）に
例えば金屏風のような反射率の高い被写体がある場合の
例であり、各測光領域１〜９の予備発光輝度は（ｄ）に
示してある。この場合にＴＴＬ受光素子２３のみで測光
して露出制御すると、周辺からの反射が多いため、主要
被写体は露出アンダーとなってしまう。

【０１０６】この図９（ａ）（ｃ）の被写体条件では、
上述の発光量演算処理により表５に示す結果が得られ
る。但し、Ｋｓ＝１２，Ａｖｍｉｎ＝４，Ｄｖ＝４，Ｔ
ｖ＝7，Ａｖ＝６，Ａｖｃ＝０，Ｓｖ＝５として演算し
た場合である。

【表５】

【０１０７】この演算結果により、図９（ａ）の場合に
主要被写体は０．７０Ｅｖアンダーに補正され、図９
（ｂ）の場合に主要被写体は１．２６Ｅｖオーバーに補
正され、いずれの場合の主要被写体に対しても適正露出
を得ることができる。

【０１０８】『露出処理』次に、メイン処理のＳ１２８
で実行される露出処理について、図１７及び図１８を参
照して説明する。この処理に入ると先ず、出力ポートＰ
ｍ２、Ｐｍ３をそれぞれ“０”、“１”にしてＴＴＬ測
光回路２０へ出力する（Ｓ４００）。するとＴＴＬ測光
回路２０では、ＭＯＳ_ＳＷ２００がオンし、積分コン
デンサー２０１の電荷は放電する。この状態ではトラン
ジスタ２０６はオフしているから、Ｑ端子は通信可能状
態となっている。なおＳ４００の処理は、Ｓ１００のＣ
ＰＵポート初期化でも実施されている。

【０１０９】続いて、タイマーＢに露出時間１／２^Tvを
セットし（Ｓ４０１）、シンクロ指定がＦＰモードか否
かをチェックする（Ｓ４０２）。以下では先ず、シンク
ロ指定がＦＰ以外の場合について説明する。シンクロ指
定がＦＰでないときは、タイマーＢをスタートさせてシ
ャッタ先幕を走行させ、モード３通信を実行する（Ｓ４
０２；Ｎ、Ｓ４０３、Ｓ４０４）。モード３通信は、フ
ラッシュ接続端子４のＣ端子を介して外部フラッシュに
３パルスの通常発光指令信号を出力する処理である。こ
の通常発光指令信号を入力すると外部フラッシュは、本
発光（通常発光）に備える。図６（ａ）、（ｂ）にシン
クロ指定が先幕の場合、順次の場合におけるタイミング
チャートと発光波形をそれぞれ示す。

【０１１０】モード３通信を実行したら、タイマーＢオ
ーバーフローフラグが“１”になるまで待機し（Ｓ４０
５；Ｎ）、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”と
なったらＷＬｉｎｔフラグが“１”か否かをチェックす
る（Ｓ４０５；Ｙ、Ｓ４２５）。ＷＬｉｎｔフラグが
“１”でなければ、Ｓ４２６及びＳ４２７をスキップす
る（Ｓ４２５；Ｎ）。ＷＬｉｎｔフラグが“１”であれ
ば、本発光指令信号としてのワイヤレス信号をスレーブ
フラッシュに送信するため、内蔵フラッシュを単発で微
少発光させ、３ｍｓ待機する（Ｓ４２５；Ｙ、Ｓ４２
６、Ｓ４２７）。本発光指令信号を受信するとスレーブ
フラッシュは、設定された発光倍率Ｍｖで通常発光を開
始する。

【０１１１】続いて、調光モード指定がＴＴＬか否かを
チェックする（Ｓ４２８）。本実施形態では、シンクロ
指定がＦＰ以外であって調光モード指定がＴＴＬである
場合に、内蔵フラッシュ発光条件（Ｓ４３０−１）を満
たしていれば、内蔵フラッシュを露光のために発光させ
る構成となっている。ここで内蔵フラッシュ発光条件と
は、内蔵フラッシュがポップアップしていること及び内
蔵フラッシュの充電が完了していることである。

【０１１２】調光モード指定がＴＴＬでないときはＸ端
子を“０”にする（Ｓ４２８；Ｎ、Ｓ４３６）。Ｘ端子
が“０”になると、外部フラッシュの発光が開始される
（図６（ａ）参照）。この場合の外部フラッシュの発光
モードは、倍率発光、外光オート発光、マニュアル発光
のうちのいずれかであり、既に通信された情報（ワイヤ
レス制御も含む）により決定されている。Ｓ４３６でＸ
端子を“０”にしたら、１ｍｓ待機してからシャッタ後
幕を走行させ、ポートＰｍ２、Ｐｍ３を初期化してリタ
ーンする（Ｓ４３７、Ｓ４３８、Ｓ４３９）。

【０１１３】調光モード指定がＴＴＬのときは、アペッ
クス量ｘに対応したＤ／ＡデータテーブルＴ_ｔｔｌ
（ｘ）から、アペックス量ｘがフィルム感度ＳｖとＴＴ
Ｌ補正量のアペックス表示量Ｆｃ１の和であるときのＤ
／ＡデータＴ_ｔｔｌ（Ｓｖ−Ｆｃ１）を読出してポー
ト群ＰｍのＤ／ＡポートＰｍ１に出力し、出力ポートＰ
ｍ３を“０”にし、ポートＰｍ２を入力モードにセット
し、Ｘ端子を“０”にして外部フラッシュを発光させる
（Ｓ４２８；Ｙ、Ｓ４２９、Ｓ４３０）。そして内蔵フ
ラッシュ発光条件を満たしていれば、内蔵フラッシュ回
路１４を介してキセノン管２１も発光させる（Ｓ４３０
−１；Ｙ、Ｓ４３０−２）。

【０１１４】Ｓ４２９で出力ポートＰｍ３が“０”にな
ると、ＴＴＬ測光回路２０のＭＯＳ_ＳＷ２００がオフ
し、フラッシュ発光前であれば、オペアンプ２０２の出
力が“０”であるからコンパレータ２０３の出力も
“０”となっている。そしてＳ４３０で外部フラッシ
ュ、Ｓ４３０−２で内蔵フラッシュが発光すると、被写
体で反射された光が撮影レンズを通過し、その後フィル
ム面で反射されてＴＴＬ受光素子２３で受光され、その
受光量に対応する光電流が発生して積分コンデンサー２
０１で積分される。この結果、オペアンプ２０２の出力
電圧が上昇する。そして、オペアンプ２０２の出力電圧
がＳ４２９でセットしたポートＰｍ１の出力電圧Ｔ_ｔ
ｔｌ（Ｓｖ−Ｆｃ１）に達すると、コンパレータ２０３
の出力が“１”となってトランジスタ２０６の出力がハ
イとなり、Ｑ端子が“１”になって外部フラッシュ及び
内蔵フラッシュの発光が停止される。

【０１１５】本実施形態では、スレーブフラッシュの発
光を開始させた後にＳ４２７で３ｍｓ待機しているか
ら、Ｓ４３０−２で内蔵フラッシュを発光が開始させる
時点では、すでにスレーブフラッシュの本発光が終了し
ている。ゆえにＴＴＬ調光にスレーブフラッシュの発光
が加算されることはなく、正確にＴＴＬ調光が行える。

【０１１６】Ｓ４３１では、シンクロ指定が順次か否か
をチェックする。シンクロ指定が順次である場合は、ワ
イヤレス制御がなく、カメラに複数の外部フラッシュが
装着されていて且つそのシンクロ要求に先幕と順次が混
在する場合である。シンクロ指定が順次の場合は、シン
クロ要求が先幕のものが１回目に、順次のものが２回目
に発光し、１回目の発光量と２回目の発光量の比が（１
／３）：（２／３）となるように制御される。なお内蔵
フラッシュは、シンクロ要求が先幕の外部フラッシュと
同時（１回目）に発光させる。図６（ｂ）にシンクロ指
定が順次である場合のタイミングチャート及び発光波形
を示す。

【０１１７】シンクロ指定が順次のときは（Ｓ４３１；
Ｙ）、３ｍｓ待機し（Ｓ４３２）、出力ポートＰｍ２を
“１”にし、その後出力ポートＰｍ３を“１”にし、Ｄ
／ＡデータテーブルＴ_ｔｔｌ（ｘ）からフィルム感度
ＳｖとＴＴＬ補正量のアペックス表示量Ｆｃ２の和に対
応するＤ／ＡデータＴ_ｔｔｌ（Ｓｖ−Ｆｃ２）を読み
出してＤ／ＡポートＰｍ１に出力する（Ｓ４３３）。そ
して、２回目のフラッシュ発光を実行させるため、Ｑ端
子を“１”の状態としたまま０．５ｍｓ待機し（Ｓ４３
４）、出力ポートＰｍ３を“０”にし、ポートＰｍ２を
入力モードにセットする（Ｓ４３５）。すると、Ｑ端子
が“０”になって２回目のフラッシュ発光が実行され
る。この発光によってＴＴＬ測光回路２０のオペアンプ
２０２の出力電圧がＤ／ＡポートＰｍ１に達すると、Ｑ
端子が“１”になって外部及び内蔵フラッシュの発光は
停止される。Ｓ４３５でポートＰｍ２、Ｐｍ３をセット
したら、１ｍｓ待機し、シャッタ後幕をスタートさせ、
ポートＰｍ２、Ｐｍ３を初期化してリターンする（Ｓ４
３７、Ｓ４３８、Ｓ４３９）。

【０１１８】シンクロ指定が順次でないときは、２回目
の発光は行わずにＳ４３７へ進み、１ｍｓ待機してから
シャッタ後幕を走行させ、ポートＰｍ２、Ｐｍ３を初期
化してリターンする（Ｓ４３１；Ｎ、Ｓ４３７、Ｓ４３
８、Ｓ４３９）。なお本実施形態においてワイヤレス制
御する場合は、Ｓ４３１で必ずノーと判断され、Ｓ４３
２〜Ｓ４３５をスキップしてＳ４３７へ進む。

【０１１９】以上はシンクロ指定がＦＰ以外の場合の処
理であるが、シンクロ指定がＦＰのときはＳ４０２から
Ｓ４０６へ進む。そして、２＋（Ｔｆｐ×６４）／１０
００（ｍｓ）により本発光指令信号としてのワイヤレス
信号の間隔ＴＷ１Ｍを求めてＲＡＭ１３ａに上書きメモ
リし（Ｓ４０６）、ＷＬｓｅｔフラグが“１”か否かを
チェックする（Ｓ４０７）。ＷＬｓｅｔフラグが“１”
のときは、発光モード指定をＦＰにセットし、外部フラ
ッシュに送信する（Ｓ４０７；Ｙ、Ｓ４０８、Ｓ４０
９）。続いて、外部フラッシュに４パルスの信号を送信
するモード４通信を行う（Ｓ４１０）。モード４通信が
実行されると外部フラッシュは、Ｓ４０６で設定した間
隔ＴＷ１Ｍで２回微少発光した後、スレーブフラッシュ
と同時にフラット発光を開始する。図６（ｃ）に本発光
時のフラット発光波形を示した。フラット発光間隔は、
Ｓ４０６で設定したワイヤレス信号間隔ＴＷ１Ｍに対応
している。

【０１２０】そして、（ＴＷ１Ｍ＋２ｍｓ−Ｔｃｏｐ）
ｍｓだけ待機してからタイマーＢをスタートさせてシャ
ッタ先幕を走行させ、タイマーＢオーバフローフラグが
“１”になったら、シャッタ後幕を走行させ、ポートＰ
ｍ２、Ｐｍ３を初期化してリターンする（Ｓ４１１、Ｓ
４１２、Ｓ４２４；Ｙ、Ｓ４３８、Ｓ４３９）。なお、
上記Ｔｃｏｐは先幕顔出し時間であり、Ｓ４１１で（Ｔ
Ｗ１Ｍ＋２ｍｓ−Ｔｃｏｐ）ｍｓ待機するのは、シャッ
タ先幕顔出しの２ｍｓ前に、本発光指令信号の送信を完
了させてフラット発光を開始させるためである。

【０１２１】ＷＬｓｅｔフラグが“１”でないときは、
ＷＬｉｎｔフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ４
０７；Ｎ、Ｓ４１３）。ＷＬｉｎｔフラグが“１”のと
きは、タイマーＣに（ＴＷ１Ｍ−Ｔｍｏｄｅ４）時間を
セットしてタイマーＣをスタートさせ、内蔵フラッシュ
を微少発光させ、タイマーＣオーバーフローフラグが
“１”になるまで待機する（Ｓ４１３；Ｙ、Ｓ４１４、
Ｓ４１５、Ｓ４１６；Ｎ）。ここで、Ｔｍｏｄｅ４はモ
ード４通信に要する時間である。タイマーＣオーバーフ
ローフラグが“１”になったら、外部フラッシュにフラ
ット発光の開始を指示するためモード４通信を実行し、
内蔵フラッシュを再度微少発光させて本発光指令信号と
してのワイヤレス信号をスレーブフラッシュに送信する
（Ｓ４１６；Ｙ、Ｓ４１７、Ｓ４１８）。このＳ４１６
〜Ｓ４１８により、モード４通信と本発光指令信号の送
信とは同時に完了するから、外部フラッシュとスレーブ
フラッシュは同じタイミングでフラット発光を開始す
る。

【０１２２】そしてタイマーＣに（２ｍｓ−Ｔｃｏｐ）
ｍｓをセットし、タイマーＣオーバーフローフラグを
“０”にしてタイマーＣをスタートさせ、タイマーＣオ
ーバーフローフラグが“１”になるまで待機する（Ｓ４
１９、Ｓ４２０；Ｎ）。なお、Ｓ４２０でタイマーＣが
タイムアップするまで待機するのは、シャッタ先幕顔出
しの２ｍｓ前に本発光指令信号の送信を完了させてフラ
ット発光を実行させるためである。タイマーＣオーバー
フローフラグが“１”になったら、Ｓ４０１でセットし
たタイマーＢをスタートさせてシャッタ先幕を走行させ
（Ｓ４２０；Ｙ、Ｓ４２１）、タイマーＢオーバーフロ
ーフラグが“１”になったらシャッタ後幕を走行させ、
ポートＰｍ２、Ｐｍ３を初期化してリターンする（Ｓ４
２４；Ｙ、Ｓ４３８、Ｓ４３９）。

【０１２３】Ｓ４１３にてＷＬｉｎｔフラグが“１”で
ないときは、ワイヤレス制御を実行しないから、モード
４通信を実行して外部フラッシュにフラット発光を開始
させ、（２ｍｓ−Ｔｃｏｐ）ｍｓ待機し、Ｓ４０１でセ
ットしたタイマーＢをスタートさせてシャッタ先幕を走
行させる（Ｓ４１３；Ｎ、Ｓ４２２、Ｓ４２３−１、Ｓ
４２３−２）。Ｓ４２３−１で（２ｍｓ−Ｔｃｏｐ）ｍ
ｓ待機するのは、シャッタ先幕顔出しの２ｍｓ前に外部
フラッシュのフラット発光を開始させるためである。そ
してタイマーＢオーバーフローフラグが“１”になった
ら、シャッタ後幕を走行させ、ポートＰｍ２、Ｐｍ３を
初期化してリターンする（Ｓ４２４；Ｙ、Ｓ４３８、Ｓ
４３９）。

【０１２４】このように本実施形態では、本発光時に内
蔵フラッシュを露光のため発光させる場合（ＷＬＭモー
ド時）には、スレーブフラッシュの発光が終了するまで
待機してから内蔵フラッシュの発光を開始させ、ＴＴＬ
受光素子２３の受光量が適正受光量に達したとき（Ｑ端
子が“１”になったとき）に内蔵フラッシュの発光を停
止させるので、内蔵フラッシュとスレーブフラッシュを
本発光させる場合であっても適正露出を得ることができ
る。また本実施形態では、スレーブフラッシュの本発光
量を倍率信号によって設定するとともに、内蔵フラッシ
ュの発光量をＴＴＬ制御するから、内蔵フラッシュとス
レーブフラッシュの発光量を独立して制御することがで
きる。つまり、ＴＴＬ補正量Ｆｃ１及び発光倍率Ｍｖ１
を変更するだけで、内蔵フラッシュとスレーブフラッシ
ュの光量比を適切に制御することができる。

【０１２５】『テスト発光』次に、Ｓ１６８で実行され
るテスト発光処理について、図１９を参照して詳細に説
明する。テスト発光処理は、フラッシュ照射有効距離範
囲を確認するためだけにフラッシュ装置５０（外部フラ
ッシュ、スレーブフラッシュ）を発光させる処理であ
り、テストＳＷがオフからオンに切り替わった場合に実
行される。この処理に入ると先ず、予備発光強度Ｐｒｅ
Ｐ及び予備発光時間ＰｒｅＴに“１”をセットし、ワイ
ヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍに６．２ｍｓをセットし、発
光モード指定をテストに設定して外部フラッシュへ送信
する（Ｓ４５０、４５１、Ｓ４５２）。ＣＦ通信を実行
したら、ＷＬｉｎｔフラグが“１”か否かをチェックし
（Ｓ４５３）、ＷＬｉｎｔフラグが“１”でなかったと
きは、外部フラッシュにテスト発光開始を指示するため
モード４通信処理を実行し、Ｓ４６０−１へ進む（Ｓ４
５３；Ｎ、Ｓ４５４）。

【０１２６】一方、ＷＬｉｎｔフラグが“１”であった
ときは（Ｓ４５３；Ｙ）、Ｓ４５０でセットした間隔Ｔ
Ｗ１Ｍからモード４通信に要する時間Ｔｍｏｄｅ４を減
算した時間をタイマーＢにセットしてタイマーＢをスタ
ートさせ、ワイヤレス信号送信のために内蔵フラッシュ
を微少発光させ、タイマーＢオーバーフローフラグが
“１”になるまで待機する（Ｓ４５５、Ｓ４５６、Ｓ４
５７；Ｎ）。タイマーＢオーバーフローフラグが“１”
になったら、モード４通信処理を実行し、ワイヤレス信
号送信のために内蔵フラッシュを再度微少発光させ、外
部フラッシュとスレーブフラッシュを同期させてテスト
発光させ、Ｓ４６０−１へ進む（Ｓ４５７；Ｙ、Ｓ４５
８、Ｓ４５９）。

【０１２７】Ｓ４６０−１ではＷＬｓｅｔフラグが
“１”か否かをチェックする。ＷＬｓｅｔフラグが
“１”であれば、テスト発光指令信号としての外部フラ
ッシュの微少発光が終了するのを待つため、ＲＡＭ１３
ａにメモリされている間隔ＴＷ１Ｍだけ待機し（Ｓ４６
０−１；Ｙ、Ｓ４６０−２）、ＷＬｓｅｔフラグが
“１”でないときはＳ４６０−２をスキップし（Ｓ４６
０−１；Ｎ）、予備発光データ取得処理を実行する（Ｓ
４６１）。そして予備発光データ取得処理で求めた発光
倍率Ｍｖ１、Ｍｖ２を用いて、４−Ｍｖ１によりテスト
倍率Ｌｅｖ１を算出するとともに、４−Ｍｖ２によりテ
スト倍率Ｌｅｖ２を算出し（Ｓ４６２）、算出したテス
ト倍率Ｌｅｖ１及びＬｅｖ２を表示素子５に表示してリ
ターンする（Ｓ４６３）。

【０１２８】以上はカメラボディ１０の動作説明である
が、次に、フラッシュ装置５０の動作について、図２０
〜図２９に示されるフローチャートを参照して説明す
る。『フラッシュＣＰＵ６５のメイン処理』図２０はフ
ラッシュ装置５０のメイン処理に関するフローチャート
である。フラッシュ装置５０に電池５１が装填される
と、フラッシュＣＰＵ６５はリセットされた後、メイン
処理に入る。メイン処理に入ると先ず、全ての割り込み
を禁止し、各入出力ポート、変換ポートなどを初期化す
る（Ｓ５００）。次に、ポート群Ｐｃを介してＥＥＰＲ
ＯＭ６と通信を行い、ＥＥＰＲＯＭ６の初期データを読
み込む（Ｓ５０１）。続いて、１２５ｍｓのリロードタ
イマーをタイマーＡとしてセットし、タイマーＡをスタ
ートさせる（Ｓ５０２）。そして、カメラ側からの通信
割り込みを許可するとともに、ワイヤレス受光素子５７
が受光する微少発光（ワイヤレス信号）の間隔を測るＰ
ＷＣタイマー（カウンタ）割り込みを禁止し（Ｓ５０
３）、メインコンデンサー７９の最大電圧までの充電を
要求するか否かを識別するＦ_ＣRequestフラグに“１”
（要求）をセットし、スレーブフラッシュの設定が完了
しているか否かを識別するＦ_ＷＬｓフラグに“０”を
セットする（Ｓ５０４）。

【０１２９】続いて、メインスイッチ６４がオフか否か
をポートＰ０、Ｐ１の入力レベルによってチェックする
（Ｓ５０５）。メインスイッチ６４がオフ位置にあると
きは、入力ポートＰ０及びＰ１がいずれも“１”となっ
ている。メインスイッチ６４がオフしていたときは（Ｓ
５０５；Ｙ）、出力ポートＰ２を“１”にして昇圧回路
６６の昇圧動作を停止し（Ｓ５１６）、カメラ側からの
通信割り込み及びＰＷＣ割り込みを禁止して（Ｓ５１
７）、入力ポートＰ０、Ｐ１のオン割り込みを許可し
（Ｓ５１８）、スリープ状態に移行する（Ｓ５１９）。
このスリープ状態では入力ポートＰ０、Ｐ１のオン割り
込みが許可されているため、メインスイッチ１１がオフ
以外（オンまたはＷＬ）になると割り込みが発生し、Ｓ
５００に戻ってメイン処理を開始する。

【０１３０】メインスイッチ６４がオフ以外（オンかＷ
Ｌ）のときは、メインコンデンサー７９を充電する充電
処理を実行する（Ｓ５０６）。充電処理では、出力ポー
トＰ２を“０”として昇圧回路６６を昇圧動作させ、ダ
イオード６７を介してメインコンデンサー７９を充電す
る。メインコンデンサー７９の充電が開始されると、充
電検出回路６９にはメインコンデンサー２０の端子電圧
Ｈｖに等しい電圧Ｈｖ´が入力される。この入力電圧Ｈ
ｖ´は充電検出回路６９内の抵抗により分圧されてＲＬ
Ｓ端子に出力され、Ａ／Ｄ変換ポートＰａｄからフラッ
シュＣＰＵ６５に入力される。本実施形態では、Ｈｖ´
＝３３０ＶのときＲＬＳ＝３．３Ｖ、またＨｖ´＝２７
０ＶのときＲＬＳ＝２．７Ｖとなるように充電検出回路
６９内の抵抗比を設定してある。また本実施形態では、
ＲＬＳ端子の出力電圧レベルが２．７Ｖ以上となったら
Ｃｈａｒｇｅフラグを“１”（充電完了）にセットし、
ＲＬＳ端子の出力電圧レベルが３．３Ｖ以上となったら
充電を停止する。なお、最高電圧までの充電を要求する
か否かを識別するF_CＲequestフラグに“１”がセット
されているときは、ＲＬＳ端子の出力電圧レベルが３．
３Vになるまで一度は必ず充電される。

【０１３１】充電処理を実行したら、情報設定ＳＷ群６
３で設定されたスイッチ情報を入力する設定情報入力処
理を実行し（Ｓ５０７）、通信情報処理を実行する（Ｓ
５０８）。通信情報処理では、カメラから転送されるＣ
Ｆ情報に基づいて各モードなどを再設定し、設定したＦ
Ｃ通信情報をカメラに出力する。ＦＣ情報には、調光距
離範囲を確認するための調光確認情報（「適正」、
「近」、「遠」のいずれか）が含まれており（表１参
照）、このＳ５０８にてカメラ側へ送信される。続い
て、通信情報処理で入力したワイヤレス指定に基づいて
ワイヤレスモードを設定するワイヤレスモード処理を実
行し（Ｓ５０９）、Ｓ５０６〜Ｓ５０９で処理されたフ
ラッシュに関する情報をＬＣＤ表示器７２に表示させる
（Ｓ５１０）。Ｓ５１０で表示される情報としては、調
光モード、シンクロモード、ワイヤレスモード、充電完
了情報、調光確認情報、フラッシュ光がカバーできる焦
点距離、最長調光距離及び最短調光距離などがある。

【０１３２】表示処理を実行したら、カメラ通信により
入力したレンズ焦点距離情報に基づいて発光ユニット５
５の位置を移動させるズーム処理を実行し（Ｓ５１１−
１）、旧フラッシュ処理を実行する（Ｓ５１１−２）。
旧フラッシュ処理は、本フラッシュ装置５０との通信機
能を有さない旧カメラのために、カメラ接続端子５６を
介して充電完了信号と、フラッシュ装置５０でセットさ
れるＦ値に対応したパルス信号をカメラに送信するため
の処理である。旧フラッシュ処理を実行したら、低速モ
ードに移行し（Ｓ５１２）、タイマーＡオーバーフラグ
が“１”になるまで待機する（Ｓ５１３；Ｎ）。タイマ
ーＡオーバーフラグには、タイマーＡがタイムアップし
たときに“１”がセットされる。そしてタイマーＡオー
バーフローフラグが“１”になったときは、高速モード
へ移行し、タイマーＡオーバーフラグを“０”にしてＳ
５０５へ戻る（Ｓ５１３；Ｙ、Ｓ５１４、Ｓ５１５）。
つまり、タイマーＡはタイムアップする毎に再スタート
し、メインスイッチ６４のオンまたはＷＬ状態では、以
上のＳ５０５〜Ｓ５１５の処理が１２５ｍＳ（ミリ秒）
に１回実行される。

【０１３３】『ワイヤレスモード処理』次に、Ｓ５０９
で実行されるワイヤレスモード処理について図２１を参
照して説明する。この処理に入ると先ず、メインスイッ
チ６４がＷＬ位置にあるか否かをポートＰ１の入力レベ
ルによってチェックする（Ｓ５５０）。メインスイッチ
６４がＷＬ位置にあるときは、入力ポートＰ１が“０”
となっている。

【０１３４】メインスイッチ６４がＷＬ位置にあるとき
は、ＷＬｒｅｑフラグが“１”か否かをチェックする
（Ｓ５５０；Ｙ、Ｓ５５１）。ＷＬｒｅｑフラグは、ワ
イヤレスモードがコントローラモードまたはマスターモ
ードのときに“１”がセットされるから、ＷＬｒｅｑフ
ラグが“１”であれば外部フラッシュとして機能してい
る場合、ＷＬｒｅｑフラグが“１”でなければスレーブ
フラッシュとして機能している場合である。

【０１３５】ＷＬｒｅｑフラグが“１”でないときは
（Ｓ５５１；Ｎ）、前回記憶した調光モード要求ＢＬｏ
と現在の調光モード要求とを比較する（Ｓ５５２）。前
回と現在の調光モード要求が異なる場合には（Ｓ５５２
−１；Ｙ）、調光モードを更新するため、Ｆ_ＷＬｓフ
ラグに“０”をセットする（Ｓ５５２−２）。前回と現
在の調光モード要求が同じ場合には、Ｓ５５２−２をス
キップする（Ｓ５５２−１；Ｎ）。そして、Ｆ_ＷＬｓ
フラグが“１”か否かをチェックし（Ｓ５５３）、Ｆ_
ＷＬｓフラグが“１”のときは、ワイヤレスモード設定
が完了しているので、リターンする（Ｓ５５３；Ｙ）。
Ｆ_ＷＬｓフラグが“１”でないときは（Ｓ５５３；
Ｎ）、ワイヤレスモード設定を行うため、全通信割り込
みを禁止し（Ｓ５５４）、カメラ接続端子５６、カメラ
通信インターフェース５９、及びポート群Ｐｄによる通
信ポートを入力ポートに変更するとともに、Ｘ端子のオ
ンによる発光を禁止する（Ｓ５５５）。

【０１３６】続いて、レンズ焦点距離情報に初期値２４
ｍｍをセットし、予備発光強度ＰｒｅＰ及び予備発光時
間ＰｒｅＴに１をセットし、現在の調光モード要求をＢ
Ｌｏにメモリし、調光モード要求がＴＴＬか否かをチェ
ックする（Ｓ５５６、Ｓ５５７、Ｓ５５８）。調光モー
ド要求がＴＴＬの場合は、カメラ側から送信される予備
発光指令信号、倍率信号、本発光指令信号を順次受信す
ることにより、予備発光量に応じて本発光量を制御する
第一の発光制御モードで発光制御される。

【０１３７】調光モード要求がＴＴＬであれば（Ｓ５５
８；Ｙ）、ＰＷＣタイマーをワイヤレス信号の立ち下が
りエッジ間隔測定モードにセットし（Ｓ５５９）、ＰＷ
Ｃタイマーの割り込みを許可してＰＷＣタイマーをスタ
ートさせ（Ｓ５６０、Ｓ５６１）、ワイヤレス信号を受
信可能な状態にする。そして、現在設定されているワイ
ヤレスモードを示す変数ＷＬｍｏｄｅに１（ワイヤレス
スレーブを示す）をセットし、Ｆ_ＷＬｓに“１”をセ
ットし、ワイヤレス信号の受信ステップを示す変数ＷＬ
ｓｔｅｐに０（予備発光指令信号の受信待ちを示す）を
セットしてリターンする（Ｓ５６２）。上記Ｓ５５９〜
Ｓ５６２実行後は、図６（ｅ）、（ｆ）に示すＷＬ受光
波形の最初の立ち下がりエッジがワイヤレス受光素子５
７、ワイヤレス回路５８を介してポートＰｅに与えられ
たとき、即ちワイヤレス受光素子５７の受光量が所定値
に達したときに、ＰＷＣ割り込みが発生する。ＰＷＣ割
り込みが発生すると、ＰＷＣ割り込み処理（図２７、図
２８）が開始される。ＰＷＣ割り込み処理では、詳細は
後述するが、ＷＬ受光波形の立ち下がりエッジ間のデー
タに基づき、受信したワイヤレス信号が予備発光指令、
倍率発光指令、本発光指令、テスト発光指令のいずれで
あるかを判別し、各指令に応じた処理を行う。

【０１３８】調光モード要求がＴＴＬ以外のとき、即ち
外光オートかマニュアルのときは、旧カメラ対応か否か
をチェックする（Ｓ５５８；Ｎ、Ｓ５６３）。旧カメラ
対応のときは、内蔵または外部フラッシュの単発の微少
発光に同期して発光開始されるようにするため、ＰＷＣ
タイマーをカウンターモードに設定し、ＰＷＣカウンタ
の割り込みを許可し、ＰＷＣカウンタ値を示すレジスタ
ＰＷＣＲにＦＦＦＦをセットしてＰＷＣカウンタをスタ
ートさせ、ＷＬｍｏｄｅに２（旧カメラ対応を示す）を
セットするとともにＦ_ＷＬｓフラグに“１”をセット
してリターンする（Ｓ５６３；Ｙ、Ｓ５６４、Ｓ５６
５、Ｓ５６６、Ｓ５６７）。この状態では、内蔵または
外部フラッシュの微少発光をワイヤレス受光素子５７が
受光したとき（図６（ｅ）（ｆ）に示すＷＬ受光波形の
最初の立ち下がり）に、レジスタＰＷＣＲが＋１インク
リメントされてＦＦＦＦから００００に変化する。この
変化によってＰＷＣ割り込みが発生してＰＷＣ割り込み
処理（図２７、図２８）が開始され、スレーブフラッシ
ュが発光する。旧カメラ対応でないときは、ワイヤレス
信号（予備発光指令信号、倍率信号、本発光指令信号）
を順次受信することにより本発光制御するため、上述し
たＳ５５９以降の処理を実行する（Ｓ５６３；Ｎ）。

【０１３９】Ｓ５５１のチェックでＷＬｒｅｑフラグが
“１”であったときは、ＷＬｓｅｔフラグが“１”か否
かをチェックし（Ｓ５５１；Ｙ、Ｓ５６８）、ＷＬｓｅ
ｔフラグが“１”のときは、ＷＬｍｏｄｅに３（スレー
ブフラッシュをワイヤレス制御するモード）をセットし
てＳ５７１へ進む（Ｓ５６８；Ｙ、Ｓ５６９）。Ｓ５５
０のチェックでメインスイッチ６４がＷＬ位置になかっ
たとき、またはＳ５６８のチェックでＷＬｓｅｔフラグ
が“１”でなかったときは、ＷＬｍｏｄｅに４（ワイヤ
レス制御を実行しないモード）をセットして、Ｓ５７１
へ進む（Ｓ５５０；ＮまたはＳ５６８；Ｎ、Ｓ５７
０）。続いてＦ_ＷＬｓフラグが“１”か否かをチェッ
クし（Ｓ５７１）、Ｆ_ＷＬｓフラグが“１”でないと
きはそのままリターンする（Ｓ５７１；Ｎ）。Ｆ_ＷＬ
ｓが“１”のときは、スレーブフラッシュの状態を解除
するため、通信ポートを初期化してカメラ−フラッシュ
間の通信割り込みを許可し、Ｘ端子による発光を許可
し、ＰＷＣカウンタ及びタイマーの割り込みを禁止し、
Ｆ_ＷＬｓフラグを“０”としてリターンする（Ｓ５７
１；Ｙ、Ｓ５７２、Ｓ５７３、Ｓ５７４、Ｓ５７５）。

【０１４０】以上のワイヤレスモード処理では、フラッ
シュ装置５０がスレーブフラッシュとして機能する場合
には、メインスイッチ６４がＷＬ位置にあってＷＬｒｅ
ｑフラグには“０”がセットされているから、Ｓ５５２
へ進み、Ｓ５５２〜Ｓ５６７の処理が実行される。一
方、フラッシュ装置５０がカメラボディ１０に装着され
て外部フラッシュとして機能する場合であって且つ外部
フラッシュを使ってワイヤレス制御する場合には、メイ
ンスイッチ６４がＷＬ位置にあってＷＬｒｅｑフラグに
は“１”がセットされているから、Ｓ５６８へ進み、Ｓ
５６８以降の処理が実行される。またフラッシュ装置５
０が外部フラッシュとして機能する場合であって且つ外
部フラッシュを使ってワイヤレス制御しない場合には、
メインスイッチ６４がＷＬ位置にないから、Ｓ５７０へ
進み、Ｓ５７０以降の処理が実行される。

【０１４１】『通信割り込み処理』メインスイッチ６４
がオン位置またはＷＬ位置にある状態で実行される通信
割り込み処理について、図５及び図６に示されるタイミ
ングチャート、図２２に示されるフローチャートを参照
してより詳細に説明する。この処理は、Ｓ５０３（図２
０）で通信割り込み（Ｃ端子の立下りと立上りで割り込
みを許可する）が許可されているから、カメラ接続端子
５６のＣ端子が“０”から“１”あるいは“１”から
“０”に変化すると（図５参照）、実行される。この処
理に入ると先ず、再度の割り込みを禁止するため通信割
り込みを禁止し（Ｓ６００）、現在のＣＰＵ動作速度を
メモリーＭ１にメモリして高速モードに移行し（Ｓ６０
１）、Ｃ端子の入力波形をチェックする（Ｓ６０２）。
フラッシュＣＰＵ６５はＣ端子の入力波形によって通信
内容を識別し、以下のように処理を進める。

【０１４２】Ｃ端子の入力波形が１パルスであれば（Ｓ
６０３；Ｙ）、ＣＦ通信指令信号であるから、Ｒ端子に
送られたクロック信号に同期したＣＦ通信データをＱ端
子を介して取り込むＣＦ通信を実行する（Ｓ６０４）
（図５（ｂ））。このＣＦ通信データは表３のＣＦ通信
情報に対応している。ＣＦ通信を実行したら、入力した
ＣＦ通信データに基づいてフラッシュのモード等を再設
定するＣＦ情報再処理を実行し、ＣＰＵ動作速度をＳ６
０１でメモリーＭ１に格納した速度に変更し、通信割り
込みを許可してリターンする（Ｓ６０５、Ｓ６１７、Ｓ
６１８）。Ｃ端子の入力波形が２パルスであれば（Ｓ６
０３；Ｎ、Ｓ６０６；Ｙ）、ＦＣ通信指令信号であるか
ら、ＦＣ通信データをＲ端子のクロック信号に同期さ
せ、Ｑ端子を介してカメラに送るＦＣ通信を実行し、Ｓ
６１７へ進む（Ｓ６０７）（図５（ｃ））。このＦＣ通
信データは表１のＦＣ通信情報に対応している。

【０１４３】Ｃ端子の入力波形が３パルスであれば（Ｓ
６０６；Ｎ、Ｓ６０８；Ｙ）、通常発光指令信号である
から、調光モードがＴＴＬまたは順次で発光する通常発
光処理を実行し、Ｓ６１７へ進む（Ｓ６０９）（図６
（ａ）（ｂ））。Ｃ端子の入力波形が４パルスであれば
（Ｓ６０８；Ｎ、Ｓ６１０；Ｙ）、特殊発光指令信号で
あるから、特殊発光処理を実行し、Ｓ６１７へ進む（Ｓ
６１１）（図６（ｃ）〜（ｆ））。特殊発光処理では、
詳細は後述するが、予備発光処理、テスト発光処理、Ｆ
Ｐ発光処理、倍率発光処理のうち、発光モード指定に対
応する処理を実行する。

【０１４４】Ｃ端子の入力波形が立ち上がりだけであれ
ば（Ｓ６１０；Ｎ、Ｓ６１２；Ｙ）（図５（ａ））、カ
メラが動作中か否かを識別するＦ_ＣＯｎフラグを
“１”（動作中）とし、メインコンデンサー７９の最高
電圧までの充電を要求するＦ_ＣRequestフラグを“１”
（要求）としてＳ６１７へ進む（Ｓ６１３、Ｓ６１
４）。Ｃ端子の入力波形が立ち下がりであれば（Ｓ６１
２；Ｎ、Ｓ６１５；Ｙ）（図５（ｄ））、カメラが動作
していないので、カメラが動作中か否かを識別するＦ_
ＣＯｎフラグを“０”（非動作）としてＳ６１７へ進む
（Ｓ６１６）。なお、Ｆ_ＣＯｎフラグの“０”状態が
所定時間（例えば５分）継続したときは、消費電力削減
のため、フラッシュＣＰＵ６５はスリープモードに移行
する。Ｃ端子の入力波形が上記のいずれでもないとき
は、Ｓ６１７へ進み、ＣＰＵ動作速度をＳ６０１でメモ
リーＭ１に格納した速度に変更し、通信割り込みを許可
してリターンする（Ｓ６１５；Ｎ、Ｓ６１７、Ｓ６１
８）。

【０１４５】『特殊発光処理』次に、Ｓ６１１で実行さ
れる特殊発光処理について図６に示されるタイミングチ
ャート、図２３及び図２４に示されるフローチャートを
参照して詳細に説明する。この処理は、通信割り込み処
理において４パルスの特殊発光指令信号を入力したとき
に実行される。この処理に入ると先ず、ＷＬｍｏｄｅに
３（スレーブフラッシュをワイヤレス制御するモード）
がセットされているか否かをチェックし（Ｓ６５０）、
セットされているときは変数ｎｕｍに１をセットし（Ｓ
６５０；Ｙ、Ｓ６５１）、発光モード指定に対応するワ
イヤレス信号を送信する（Ｓ６５２〜Ｓ６６７）。

【０１４６】即ち、発光モード指定が予備のときは（Ｓ
６５２；Ｙ）、シンクロ指定がＦＰであればワイヤレス
信号の間隔ＴＷ１Ｍに５．２ｍｓをセットし、Ｓ６６１
へ進む（Ｓ６５３−１；Ｙ、Ｓ６５３−２）。またシン
クロ指定がＦＰでなく且つ予備発光モードＰｒｅＭが
“１”であれば、ワイヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍに４．
２ｍｓをセットし、Ｓ６６１へ進む（Ｓ６５３−１；
Ｎ、Ｓ６５３−３；Ｙ、Ｓ６５３−４）。シンクロ指定
がＦＰでなく且つ予備発光モードＰｒｅＭが“１”でも
なければ、ワイヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍに３．２ｍｓ
をセットし（Ｓ６５３−３；Ｎ、Ｓ６５３−５）、Ｓ６
６１へ進む。

【０１４７】発光モード指定がテストのときは、ワイヤ
レス信号の間隔ＴＷ１Ｍに６．２ｍｓをセットしてＳ６
６１へ進む（Ｓ６５４；Ｙ、Ｓ６５５）。発光モード指
定がＦＰのときは、式；ＴＷ１Ｍ＝２ｍｓ＋（Ｔｆｐ×
６４）／１０００（ｍｓ）から算出した値をワイヤレス
信号の間隔ＴＷ１Ｍにセットし、Ｓ６６１へ進む（Ｓ６
５６；Ｙ、Ｓ６５７）。ここでＴｆｐはフラット発光時
間である。発光モード指定がＦＰのときスレーブフラッ
シュには、ワイヤレス信号によってフラット発光時間が
設定される。発光モード指定が倍率のときは、式；ＴＷ
１Ｍ＝２ｍｓ＋（Ｍｖ１＋５）×１２８／１０００（ｍ
ｓ）から算出した値を１回目のワイヤレス信号の間隔Ｔ
Ｗ１Ｍにセットし、式；ＴＷ２Ｍ＝２ｍｓ＋（Ｍｖ２＋
５）×１２８／１０００（ｍｓ）から算出した値を２回
目のワイヤレス信号の間隔ＴＷ２Ｍにセットし、予備発
光モードＰｒｅＭが“１”であれば変数ｎｕｍに２をセ
ットし、Ｓ６６１へ進む（Ｓ６５８；Ｙ、Ｓ６５９、Ｓ
６６０）。

【０１４８】以上の処理で設定した各ワイヤレス信号の
間隔ＴＷ１Ｍと、発光モード指定との対応関係を表６に
示す。

【表６】

【０１４９】なお、表６において*１を付した項目は、
通常発光で本発光させる場合の本発光指令信号を示して
いる。この本発光指令信号は、予備発光指令信号、倍率
信号を送信した後、内蔵フラッシュまたは外部フラッシ
ュの単発の微少発光によってスレーブフラッシュへ送信
される。図６（ｅ）（ｆ）では、１回目（図において最
も左方）の発光波形が本発光指令信号に該当する。

【０１５０】そして、上記処理で設定した間隔ＴＷ１Ｍ
をタイマーＢにセットしてタイマーＢをスタートさせ
（Ｓ６６１）、微少発光処理を実行する（Ｓ６６２）。
微少発光処理は、ワイヤレス信号送信のためにキセノン
管８２を微少発光させる処理であって、先ず、３０Ｖｏ
ｎ信号（出力ポートＰ４）を“１”とし、ＩＧＢＴｃｔ
ｌ信号（出力ポートＰ５）を“１”としてＩＧＢＴ８３
をオンさせる。このＩＧＢＴ８３のオン状態でＴＲＩＧ
ｏｎ信号（出力ポートＰ３）を“１”にしてキセノン管
８２の発光を開始させる。そしてＩＧＢＴｃｔｌ信号を
“１”にしてから３０μｓ経過後にＩＧＢＴｃｔｌ信号
を“０”としてＩＧＢＴ８３をオフさせ、キセノン管８
３の発光を停止させる。Ｓ６６２では、図６（ｅ）、
（ｆ）に示す１回目（図６において左方（１））の微少
発光が行われる。

【０１５１】そしてタイマーＢオーバーフローフラグが
“１”になるまで待機し（Ｓ６６３；Ｎ）、タイマーＢ
オーバーフローフラグが“１”になったら微少発光処理
を再実行する（Ｓ６６３；Ｙ、Ｓ６６４）。Ｓ６６４で
は、図６（ｅ）、（ｆ）に示す２回目（図６において右
方（２））の微少発光が行われる。続いて、変数ｎｕｍ
を１減算し、変数ｎｕｍが０か否かをチェックする（Ｓ
６６５、Ｓ６６６）。変数ｎｕｍが０でないとき、即ち
発光モードが倍率に設定されていて且つ予備発光モード
ＰｒｅＭ“１”のときは、３回目の微少発光を行うた
め、タイマーＢにワイヤレス信号間隔ＴＷ２Ｍをセット
してタイマーＢをスタートさせ、Ｓ６６３へ戻る（Ｓ６
６６；Ｎ、Ｓ６６７）。変数ｎｕｍが０のときは、ワイ
ヤレス信号の送信が完了したので、Ｓ６６８へ進む（Ｓ
６６６；Ｙ）。

【０１５２】そして、発光モード指定が上述のいずれに
も該当しないとき（Ｓ６５８；Ｎ）、または変数ｎｕｍ
が０になったときは（Ｓ６６６；Ｙ）、ワイヤレスモー
ドにマスターがセットされているか否か及び発光モード
指定が予備、ＦＰ、テストのいずれかに該当するか否か
をチェックする（Ｓ６６８）。ワイヤレスモードがマス
ターであり、且つ発光モード指定が予備、ＦＰ、テスト
のいずれかに該当するときは、発光モード指定に基づい
てフラット発光処理を実行する（Ｓ６６８；Ｙ、Ｓ６７
０）。これは、ワイヤレスモードがマスターであって、
且つ複数のフラッシュを使用する場合を考慮したためで
ある。フラット発光処理を実行したら、Ｆ_ＣRequestフ
ラグに“１”をセットしてリターンする（Ｓ６７１）。

【０１５３】Ｓ６５０でＷＬｍｏｄｅが３でなかったと
きは、Ｓ６７０へ進み、ＣＦ通信ですでに受信した発光
モード指定に基づいてフラット発光処理を実行し、Ｆ_
ＣRequestフラグに“１”をセットしてリターンする
（Ｓ６５０；Ｎ、Ｓ６７０、Ｓ６７１）。

【０１５４】『フラット発光処理』次に、Ｓ６７０で実
行されるフラット発光処理について、図７に示されるタ
イミングチャート及び図２５に示されるフローチャート
を参照して詳細に説明する。

【０１５５】この処理に入ると先ず、式；Ｖｆｐ＝Ｖａ
×Ｔ_ｆｉｒｅ（ｚｏｏｍ）を実行してフラット発光レ
ベル（予備発光レベル）Ｖｆｐを算出する（Ｓ７０
０）。ここで、Ｔ_ｆｉｒｅ（ｚｏｏｍ）は、式；Ｔ_ｆ
ｉｒｅ（ｚｏｏｍ）≒（Ｇｎｏｓ／Ｇｎｏ（ｚｏｏ
ｍ））²により求められる値である。基準ガイドナンバ
ーＧｎｏｓは任意に設定可能な定数である。本実施例で
は基準ガイドナンバーＧｎｏｓを３６に設定しており、
これは表７の機種Ａのフラッシュをズーム位置８５ｍｍ
で最大発光させた場合の値であり、機種Ｂのフラッシュ
をズーム位置２８ｍｍで最大発光させた場合の値であ
る。最大ガイドナンバーＧｎｏは、ズーム位置に応じて
変化する変数であり、各機種のフラッシュを各ズーム位
置で最大発光させた場合の値である。基準発光レベルＶ
ａは、各フラッシュの発光量のばらつきを補正する調整
定数であり、ＥＥＰＲＯＭ６０にメモリされている。こ
の基準発光レベルＶａは、上記基準ズーム位置８５ｍｍ
でフラット発光を行う場合に、基準のフラット発光出力
が得られるように設定される。

【０１５６】表７にズーム位置（焦点距離）、ガイドナ
ンバーＧｎｏ、Ｔ_ｆｉｒｅの関係を示した。機種Ｂは
機種ＡよりもガイドナンバーＧｎｏの大きい機種であ
る。

【表７】

【０１５７】上記ズーム位置とは、撮影レンズの焦点距
離に適した照射角が得られる発光ユニット５５の位置で
ある。本実施形態では、フレネルレンズ５５ａと発光ユ
ニット５５の間隔（ｍｍ）を撮影レンズの焦点距離ｆに
換算したズーム位置（ｍｍ）として表している。例え
ば、撮影レンズの焦点距離ｆ＝２４ｍｍであれば、ズー
ム位置２４ｍｍが設定され、発光ユニット５５は、フレ
ネルレンズ５５ａとの間隔が撮影レンズの焦点距離２４
ｍｍに対応する位置に移動される。なお、フラッシュ装
置５０がカメラ１０に装着されていない場合には、ズー
ム位置を、使用者が任意に設定できるようになってい
る。

【０１５８】表７からも分かるように、ズーム位置が長
距離側に移るほど、ガイドナンバーＧｎｏは大きくな
り、Ｔ_ｆｉｒｅ（ｚｏｏｍ）の値は小さくなる。上記
Ｓ７００によれば、発光レベルＶｆｐはＴ_ｆｉｒｅ
（ｚｏｏｍ）の値に反比例するので、発光レベルＶｆｐ
はズーム位置が長距離側に移るほど小さくなる。この結
果、異なるズーム位置のフラッシュにおいても、所定距
離の被写体に対する照度（各フラッシュと被写体の距離
が同一であれば実効ガイドナンバー）は同一となる。ま
た本実施形態では、フラッシュの機種に拘わらず基準ガ
イドナンバーＧｎｏｓは一定であるから、ガイドナンバ
ーＧｎｏが機種Ａよりも大きい機種Ｂでは、Ｔ_ｆｉｒ
ｅ（ｚｏｏｍ）の値が機種Ａよりも小さくなる。この結
果、ガイドナンバーの異なる機種Ｂのフラッシュにおい
ても、所定距離の被写体に対する照度（各フラッシュと
被写体の距離が同一であれば実効ガイドナンバー）は同
一となる。

【０１５９】フラット発光レベルＶｆｐを設定したら、
発光モード指定がＦＰ（フラット発光）か否かをチェッ
クし（Ｓ７０１）、発光モード指定がＦＰであれば本発
光のための設定をＳ７０２〜Ｓ７０７にて行い、発光モ
ード指定がＦＰ以外であれば予備発光（テスト発光含
む）のための設定をＳ７０８〜Ｓ７１３にて行う。

【０１６０】つまり、発光モード指定がＦＰであれば、
先ず、発光倍率ＭｖにＣＦ通信で入力した発光倍率Ｍｖ
１をセットする（Ｓ７０２）。次に、予備発光モードＰ
ｒｅＭが“１”か否かをチェックする（Ｓ７０３）。予
備発光モードＰｒｅＭが“１”のとき、即ち複数のフラ
ッシュの予備発光を規定の順番で実行するモードがセッ
トされているときは（Ｓ７０３；Ｙ）、シンクロ要求が
順次か否かをチェックする（Ｓ７０４）。シンクロ要求
が順次であれば、発光倍率ＭｖにＣＦ通信で入力した発
光倍率Ｍｖ２をセットし直してＳ７０６へ進む（Ｓ７０
４；Ｙ、Ｓ７０５）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”
でないとき（Ｓ７０３；Ｎ）、または予備発光モードＰ
ｒｅＭが“１”であってもシンクロ要求が順次でないと
きは（Ｓ７０４）、発光倍率Ｍｖを変更せずに、Ｓ７０
６へ進む。そして、式；ＦＰｌｖｌ＝Ｖｆｐ×２^Mvによ
り求めた電圧ＦＰｌｖｌをＤ／Ａ変換ポートＰｄａから
出力してコンパレータ７５の非反転入力端子に与え、タ
イマーＢにＴｆｐ＋３ｍｓをセットしてスタートさせる
（Ｓ７０６、Ｓ７０７）。ここで、Ｔｆｐはフラット発
光時間（ｍｓ）、３ｍｓはフラット発光時間Ｔｆｐに余
裕を持たせるための時間である。

【０１６１】一方、発光モード指定としてＦＰモード以
外が設定されている場合は、先ず、発光モード指定がテ
スト発光モードか否かをチェックする（Ｓ７０８−
１）。テスト発光モードであれば、Ｄ／Ａ変換ポートＰ
ｄａの出力レベルＦＰｌｖｌを電圧Ｖｂとして出力する
（Ｓ７０８−１；Ｙ、Ｓ７０８−２）。この電圧Ｖｂ
は、フラッシュ装置５０の各ズーム位置において発光可
能なフル発光量（Ｍｖ＝０ＥＶ）の１／規定倍、例えば
１／１６倍の発光量（Ｍｖ＝−４ＥＶ）でフラッシュ装
置５０を発光させるように設定された電圧値であって、
ＥＥＰＲＯＭ６０にメモリされている。発光モード指定
がテスト以外であれば、Ｄ／Ａ変換ポートＰｄａの出力
レベルＦＰｌｖｌを、フラット発光レベルＶｆｐにＣＦ
通信で入力した予備発光強度ＰｒｅＰを乗算した電圧値
として出力する（Ｓ７０８−１；Ｎ、Ｓ７０８−３）。
続いて、予備発光モードＰｒｅＭが“１”か否かをチェ
ックし（Ｓ７０９）、予備発光モードＰｒｅＭが“１”
であれば、規定の順番で予備発光を行うので、シンクロ
要求が順次か否かをチェックする（Ｓ７０９；Ｙ、Ｓ７
１０）。シンクロ要求が順次のときは（Ｓ７１０；
Ｙ）、図６（ｄ）に示す２回目（図６において右方）の
発光で予備発光を行うため、タイマーＢに２．５ｍｓを
セットしてタイマーＢをスタートさせ（Ｓ７１１）、タ
イマーＢオーバーフローフラグが“１”になるまで待機
し（Ｓ７１２；Ｎ）、タイマーＢオーバーフローフラグ
が“１”になったらタイマーＢに発光時間ＰｒｅＴ（ｍ
ｓ）をセットしてＳ７１４へ進む（Ｓ７１２；Ｙ、Ｓ７
１３）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”でないとき
（Ｓ７０９；Ｎ）、シンクロ要求が順次でないときは
（Ｓ７１０；Ｎ）、図６（ｄ）に示す１回目（図６にお
いて左方）の発光で予備発光を行うため、Ｓ７１３でタ
イマーＢに発光時間ＰｒｅＴ（ｍｓ）をセットしてＳ７
１４へ進む。

【０１６２】図７の時間Ｔ０はＦＰ発光処理の初期状態
を示している。この初期状態では、Ｓ５００の初期化に
よって出力ポートＰ４（３０Ｖｏｎ）、出力ポートＰ５
（ＩＧＢＴｃｔｌ）、及び出力ポートＰ７は“０”が設
定されており、ポートＰ６は入力ポートに設定されてい
る。そのため、ＩＧＢＴ８３はオフしていて、発光量検
出受光素子８５の光電流は抵抗７に流れ込んでコンデン
サー７３はオープンと同等になっている。またＤ／Ａ変
換ポートＰｄａからはＳ７０６またはＳ７０８で設定さ
れた電圧ＦＰｌｖｌがコンパレータ７５の非反転入力端
子に出力されている。この状態では、ポートＰ３（ＴＲ
ＩＧｏｎ）の出力が“０”であるため、キセノン管８２
のトリガー電極ＸｅＴに電圧は印加されず、キセノン管
８２の発光は行われない。そのため、発光量検知受光素
子８５からは光電流が出力されず、コンパレータ７５の
反転入力端子の入力電圧ＰＤｆｌは“０”となり、コン
パレータ７５の出力は“０”となっている。

【０１６３】Ｓ７１４では出力ポート４（３０Ｖｏｎ）
を“１”とする（図７；時間Ｔ１）。３０Ｖｏｎ信号が
“１”になると、３０Ｖ発生回路７７の３０Ｖｏｕｔ端
子から３０Ｖの電圧が出力され、レベルシフト回路７８
に印加される。次に、出力ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔ
ｌ）を“１”とする（Ｓ７１５）（図７；時間Ｔ２）。
ＩＧＢＴｃｔｌ信号が“１”に変化すると、レベルシフ
ト回路７６は３０Ｖ発生回路７７から与えられた３０Ｖ
電圧をＩＧＢＴ８３のゲートＩＧＢＴｇに印加してＩＧ
ＢＴ８３をオンさせる。続いて、出力ポートＰ３（ＴＲ
ＩＧｏｎ）を“１”とする（Ｓ７１６）。ＴＲＩＧｏｎ
信号が“１”になると、トリガー回路８０は高圧の振動
電圧をキセノン管８２のトリガー電極ＸｅＴに与えてキ
セノン管８２内のキセノンガスを励起状態とする。キセ
ノン管８２内が励起状態になると、Ｓ７１５で既にＩＧ
ＢＴ８３がオンしているため、メインコンデンサー７９
の蓄積電荷がコイル８１、キセノン管８２、ＩＧＢＴ８
３を介して放電され、キセノン管８２の発光が開始され
る。

【０１６４】そして、Ｓ７０７またはＳ７１３で設定し
たタイマーＢをスタートさせ（Ｓ７１７）、ポートＰ５
（ＩＧＢＴｃｔｌ）を入力ポートにセットし（Ｓ７１
８）、出力ポートＰ３（ＴＲＩＧｏｎ）を“０”にする
（Ｓ７１９）。ここで、ポートＰ５を出力ポートから入
力ポートに切り換えるのは、キセノン管８２のトリガー
電極ＸｅＴへ印加した高圧の振動電圧によってコンパレ
ータ７５等が誤動作したとしても安定に発光を開始させ
るためである。

【０１６５】Ｓ７１８でポートＰ５を入力ポートに設定
すると、ポートＰ５は非接続と等価となり、コンパレー
タ７５の出力がＩＧＢＴｃｔｌ信号としてレベルシフト
回路７８へ出力される。キセノン管８２が発光すると、
発光量検出受光素子８５の光電流はキセノン管８２の発
光量に対応した値となり、コンパレータ７５の反転入力
端子の入力電圧ＰＤｆｌもキセノン管８２の発光量に対
応する電圧となる。そして電圧ＰＤｆｌが電圧ＦＰｌｖ
ｌに達すると（図７；時間Ｔ４）、コンパレータ７５の
出力（ＩＧＢＴｃｔｌ）は“０”となり、レベルシフト
回路７８を介してＩＧＢＴ８３をオフする。ＩＧＢＴ８
３がオフすると、ＩＧＢＴ８３経由の発光が止まり、発
光時にコイル８１に流れた電流によってコイル８１に蓄
積されたエネルギーがキセノン管８２、ダイオード８４
を介して放電され、キセノン管８２の発光量は減少す
る。

【０１６６】そして、キセノン管８２の発光量に対応す
る電圧ＰＤｆｌが所定電圧ＦＰｌｖｌより低くなると
（図７；時間Ｔ５）、再びコンパレータ７５の出力（Ｉ
ＧＢＴｃｔｌ）が“１”となってＩＧＢＴ８３をオン
し、ＩＧＢＴ８３を経由するキセノン管８２の発光が再
開され、キセノン管８２の発光量が増加する。なお、時
間Ｔ５では、時間Ｔ３の時点とは異なり、キセノン管２
３の励起状態が継続されているため、キセノン管２３の
トリガー電極ＸｅＴ端子への高圧の振動電圧印加は不要
である。

【０１６７】以上の処理は、タイマーＢオーバーフロー
フラグが“１”になるまで繰り返し実行され（Ｓ７２
０；Ｎ）、タイマーＢ（Ｔｆｐ＋３ｍｓ）時間内はキセ
ノン管８２の発光量がほぼ一定範囲に保持される（図６
（ｃ）参照）。

【０１６８】タイマーＢオーバーフローフラグが“１”
になったときは（Ｓ７２０；Ｙ）、ＩＧＢＴ８４が破壊
されるのを防止するため、入力ポートＰ５（ＩＧＢＴｃ
ｔｌ）が“１”から“０”になるまで待ち（Ｓ７２１；
Ｎ）、入力ポートＰ５が“０”になったら（Ｓ７２１；
Ｙ）、ポートＰ５を出力ポートに変更して“０”を出力
し、ＩＧＢＴ８４をオフし（Ｓ７２２）、Ｆ_ＣRequest
フラグに“１”をセットしてリターンする（Ｓ７２
３）。

【０１６９】『通常発光処理』次に、Ｓ６０９で実行さ
れる通常発光処理について、図６（ａ）、（ｂ）及び図
２６を参照して詳細に説明する。この処理は、フラッシ
ュ装置５０がカメラボディ１０に装着されて外部フラッ
シュとして機能する場合に、３パルスの通常発光指令信
号をＣ端子を介して入力したとき、実行される（図６
（ａ）（ｂ））。

【０１７０】この処理に入ると先ず、Ｘ端子が“０”に
なるまで待機し（Ｓ７５０；Ｎ）、Ｘ端子が“０”にな
ったらＣｈａｒｇｅフラグが“１”か否かをチェックす
る（Ｓ７５０；Ｙ、Ｓ７５１）。Ｃｈａｒｇｅフラグが
“１”でないときは充電が完了していないのでリターン
する（Ｓ７５１；Ｎ）。Ｃｈａｒｇｅフラグが“１”の
ときは、シンクロ指定が順次か否かをチェックし（Ｓ７
５１；Ｙ、Ｓ７５３）、シンクロ指定が順次であればシ
ンクロ要求が順次か否かをチェックする（Ｓ７５３；
Ｙ、Ｓ７５４）。シンクロ要求が順次のときは、Ｑ端子
の立下りによってフラッシュを発光させるため、Ｑ端子
が“１”から“０”に変化するまで待ち（Ｓ７５４；
Ｙ，Ｓ７５５；Ｎ）、Ｑ端子が“０”となったらＳ７５
６へ進む（Ｓ７５５；Ｙ）。シンクロ指定が順次でない
とき（Ｓ７５３；Ｎ）、シンクロ要求が順次でないとき
は（Ｓ７５４；Ｎ）、Ｘ端子の立下りによってフラッシ
ュを発光させるため、そのままＳ７５６へ進む。

【０１７１】Ｓ７５６のステップでは、調光モード指定
がＴＴＬか否かをチェックする。調光モード指定がＴＴ
ＬでないときはＳ７６８へ進む（Ｓ７５６；Ｎ）。一
方、調光モード指定がＴＴＬのときは（Ｓ７５６；
Ｙ）、出力ポートＰ４（３０Ｖｏｎ）を“１”にして３
０Ｖ発生回路７７から３０Ｖ電圧を発生させ、出力ポー
トＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）を“１”にしてレベルシフト
回路７８を介してＩＧＢＴ８３をオンさせ、出力ポート
Ｐ３（ＴＲＩＧｏｎ）を“１”にしてキセノン管８２内
を励起状態とし、キセノン管８２の発光を開始させる
（Ｓ７５７）。

【０１７２】続いて、フラッシュの最大発光時間を計時
するタイマーＢに３．２ｍｓをセットしてスタートさせ
（Ｓ７５８）、Ｑ端子が“１”か否かをチェックし（Ｓ
７５９）、Ｑ端子が“１”でなければタイマーＢオーバ
ーフローフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ７５
９；Ｎ、Ｓ７６０）。タイマーＢオーバーフローフラグ
が“１”でなければ、Ｓ７５９へ戻る（Ｓ７６０；
Ｎ）。そしてＱ端子が“１”になるか（Ｓ７５９；
Ｙ）、あるいはＱ端子が“１”にならずにタイマーＢオ
ーバーフローフラグが“１”になったときは（Ｓ７６
０；Ｙ）、出力ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）を“０”
としてＩＧＢＴ８３をオフし、出力ポートＰ４（３０Ｖ
ｏｎ）及び出力ポートＰ３（ＴＲＩＧｏｎ）を“０”に
初期化して（Ｓ７６１）、メモリＭ１にタイマーＢの残
り時間をメモリする（Ｓ７６２）。

【０１７３】続いて、タイマーＢオーバーフローフラグ
が“１”か否かをチェックする（Ｓ７６３）。タイマー
Ｂオーバーフローフラグが“１”のときは、タイマーＢ
時間内にＱ端子が“１”にならなかったので、調光確認
情報に「遠」をセットする（Ｓ７６３；Ｙ、Ｓ７６
４）。このタイマーＢ時間内にＱ端子が“１”にならな
いのは、カメラボディ１０のＴＴＬ受光素子２３の受光
量が少なくオペアンプ２０２の出力が所定電圧Ｔ_ｔｔ
ｌ（ｘ）に達しない場合であるから、被写体がフラッシ
ュの調光制御距離範囲よりも遠い位置に存在する（また
は被写体反射率が標準反射率よりも低い）と判断でき
る。なお調光確認情報は、Ｓ５０８の通信処理でカメラ
ボディ１０に送信される。

【０１７４】タイマーＢオーバーフローフラグが“１”
でないときは、メモリＭ１（タイマーＢの残り時間）が
３０μｓ未満か否かをチェックする（Ｓ７６３；Ｎ、Ｓ
７６５）。上記３０μｓは、発光を開始させてから比較
的高精度で調光可能な最短時間（＝後述する発光制御時
間Ｔｍ）である。メモリＭ１が３０μｓ未満のときは、
被写体がフラッシュの調光制御距離範囲よりも近い位置
に存在する（または被写体反射率が標準反射率よりも高
い）とみなせるため、調光確認情報に「近」をセットす
る（Ｓ７６５；Ｙ、Ｓ７６７）。メモリＭ１が３０μｓ
未満でなければ、被写体はフラッシュの調光制御距離範
囲内の位置に存在する（または被写体反射率が標準反射
率程度である）とみなせるため、調光確認情報に「適
正」をセットする（Ｓ７６５；Ｎ、Ｓ７６６）。

【０１７５】調光確認情報をセットしたら、ＷＬｍｏｄ
ｅが３か否かをチェックする（Ｓ７６８）。ＷＬｍｏｄ
ｅが３のときは、単発の微少発光による本発光指令信号
をスレーブフラッシュに送信し（Ｓ７６８；Ｙ、Ｓ７６
９）、ＷＬｍｏｄｅが３でないときはＳ７６９をスキッ
プし（Ｓ７６８；Ｎ）、Ｆ_ＣRequestフラグに“１”を
セットしてリターンする（Ｓ７７０）。なお本実施形態
では、Ｓ７５７〜Ｓ７６１のＴＴＬ受光時に、ワイヤレ
ス信号送信のための微少発光の影響を受けないようにす
るため、通常発光終了後のＳ７６９でワイヤレス信号を
送信するようにしている。

【０１７６】図３０は発光制御時間[μｓ]と発光量誤差
[ＥＶ]の関係を示すグラフである。図３０に示すように
発光量誤差は、キセノン管８２の発光オフの遅れ等によ
り、発光制御時間を短くするほど増加する傾向にある。
本実施例では、この発光量誤差が１ＥＶとなる発光制御
時間Ｔｍを３０μｓとし、Ｓ７６５でメモリＭ１と比較
してメモリＭ１が３０μｓ未満である場合には、調光確
認情報に「近」をセットして調光オーバーを報知させる
構成となっている。調光確認情報は、Ｓ５１０の表示処
理で外部フラッシュ側に表示され、Ｓ５０８の通信処理
でカメラボディ１０に送信されてＳ１０４の表示処理で
カメラ側にも表示される。したがって、使用者は、これ
らの表示により調光が適正に行われたかどうかを確認す
ることができる。

【０１７７】『ＰＷＣ割り込み処理』次に、ＰＷＣ割り
込み処理について図２７及び図２８に示されるフローチ
ャートを参照して詳細に説明する。ＰＷＣ割り込み処理
は、フラッシュ装置５０がスレーブフラッシュとして機
能する場合（メインスイッチ６４がＷＬ位置にあって、
ワイヤレスモードにスレーブがセットされている場合）
に、内蔵フラッシュまたは外部フラッシュの微少発光を
ワイヤレス受光素子５７が受光し、その受光量が所定値
に達すると、割り込みが発生して実行される処理であ
る。

【０１７８】この処理に入ると先ず、再度のＰＷＣ割り
込みを禁止してＰＷＣ割り込みフラグに“０”をセット
する（Ｓ８５０）。次に、ＷＬｍｏｄｅが２か否かをチ
ェックし（Ｓ８５１）、ＷＬｍｏｄｅが２であれば、旧
カメラ対応の場合であるから、外光Ａ，マニュアル発光
処理を実行して本発光する（Ｓ８５１；Ｙ、Ｓ８５
２）。この外光Ａ，マニュアル発光処理は、調光モード
要求が外光オートであれば、外光オート受光素子７１の
受光量を外光オート受光回路７０で積分し、規定量に達
したときに出力ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）を制御し
て発光を停止し、調光モード要求がマニュアルであれ
ば、規定時間で発光を停止する処理である。外光Ａ，マ
ニュアル発光処理を実行したら、ＰＷＣカウンター割り
込みを許可してリターンする（Ｓ８５３）。

【０１７９】ＷＬｍｏｄｅが２でなければ、ＷＬｓｔｅ
ｐが２か否かをチェックし（Ｓ８５１；Ｎ、Ｓ８５
４）、ＷＬｓｔｅｐが２でないときはＷＬｓｔｅｐが１
か否かをチェックする（Ｓ８５４；Ｎ、Ｓ８６５）。Ｗ
Ｌｓｔｅｐが１でないとき、即ちＷＬｓｔｅｐが０のと
きは（Ｓ８６５；Ｎ）、予備発光指令信号の受信待ち状
態であるから、シンクロ要求をシンクロ指定にセットし
（Ｓ８７７）、ＰＷＣカウンター値を示すレジスタＰＷ
ＣＲの値に対応する処理を実行する（Ｓ８７８〜Ｓ８９
０）。レジスタＰＷＣＲの値は、予備発光指令信号とし
てのワイヤレス信号の立下りエッジ間隔を計時したもの
であり、カメラボディ１０（ＣＰＵ１３）が指定した予
備発光モードＰｒｅＭ及びシンクロ指定に応じて異なる
値になる（表６参照）。

【０１８０】レジスタＰＷＣＲの値が３．２±０．１ｍ
ｓの範囲内であれば（Ｓ８７８；Ｙ）、予備発光モード
ＰｒｅＭ“０”及びシンクロ指定＝ＦＰ以外を指定する
予備発光指令信号を受信したので、予備発光モードＰｒ
ｅＭに“０”をセットし（Ｓ８７９−１）、シンクロ指
定がＦＰモードであれば先幕に変更して（Ｓ８７９−
２；Ｙ、Ｓ８７９−３）、ＷＬｓｔｅｐに１をセット
し、発光モード指定を予備に設定する（Ｓ８８４）。そ
してＦＰ発光処理を実行して予備発光を行い（Ｓ８８
７）、ＰＷＣタイマーの割り込みを許可してリターンす
る（Ｓ８８８）。ＷＬｓｔｅｐに１がセットされている
ときは、予備発光完了状態であり、倍率信号受信待ちで
あることを示している。

【０１８１】レジスタＰＷＣＲの値が４．２±０．１ｍ
ｓの範囲内であれば（Ｓ８８０；Ｙ）、予備発光モード
ＰｒｅＭ“１”及びシンクロ指定＝ＦＰ以外を指定する
予備発光指令信号を受信したので、予備発光モードＰｒ
ｅＭに“１”をセットとし（Ｓ８８１−１）、シンクロ
指定がＦＰであれば先幕に変更して（Ｓ８８１−２；
Ｙ、Ｓ８８１−３）、Ｓ８８４以降の処理を実行して予
備発光を行う。レジスタＰＷＣＲの値が５．２±０．１
ｍｓの範囲内であれば（Ｓ８８２；Ｙ）、予備発光モー
ドＰｒｅＭ“１”及びシンクロ指定＝ＦＰを指定する予
備発光指令信号を受信したので、予備発光モードＰｒｅ
Ｍに“１”をセットし（Ｓ８８３−１）、シンクロ指定
が先幕、順次であればＦＰに変更して（Ｓ８８３−２；
Ｙ、Ｓ８８３−３）、Ｓ８８４以降の処理を実行して予
備発光を行う。

【０１８２】レジスタＰＷＣＲの値が６．２±０．１ｍ
ｓの範囲内であれば（Ｓ８８５；Ｙ）、テスト発光指令
信号を受信したので、予備発光モードＰｒｅＭに“１”
をセットし、倍率信号受信は必要ないのでＷＬｓｔｅｐ
に０をセットし、発光モード指定をテストに変更して
（Ｓ８８６）、ＦＰ発光処理を実行してテスト発光を行
い（Ｓ８８７）、ＰＷＣタイマー割り込みを許可してリ
ターンする（Ｓ８８８）。このようにテスト発光指令信
号を受信したときは、テストのためだけに発光する。

【０１８３】レジスタＰＷＣＲの値が上記の範囲以外で
あるときは（Ｓ８８５；Ｎ）、予備発光指令信号または
テスト発光指令信号のいずれも受信していないので、Ｗ
Ｌｓｔｅｐに０をセットし（Ｓ８８９）、ＰＷＣタイマ
ーをワイヤレス信号の立下りエッジ間測定モードとし、
ＰＷＣタイマー割り込みを許可し、ＰＷＣタイマーをス
タートさせてリターンする（Ｓ８９０）。通常はＳ８７
８、Ｓ８８０、Ｓ８８２、Ｓ８８５のいずれかでＹｅｓ
と判断され、Ｓ８８５でＮｏと判断されるのは例えば蛍
光灯の光などノイズを受光した場合である。

【０１８４】Ｓ８８４を経てリターンした後、再びＰＷ
Ｃ割り込み処理に入ったときは、ＷＬｓｔｅｐに１がセ
ットされている（予備発光が完了していて倍率信号受信
待ちとなっている）ため、Ｓ８６５でＹｅｓと判断され
てＳ８６６へ進み、以降の処理で発光倍率Ｍｖ１、Ｍｖ
２を受信する（Ｓ８６５；Ｙ）。Ｓ８６６では、レジス
タＰＷＣＲ値が２．５±０．６ｍｓの範囲になるか否か
をチェックし（Ｓ８６６）、範囲内でなければ倍率信号
ではないのでＳ８７７以降の処理を実行する（Ｓ８６
６；Ｎ）。レジスタＰＷＣＲ値が範囲内であれば、
（（ＰＷＣＲ−２ｍｓ）／１６μｓ）／８−５により発
光倍率Ｍｖ１を求める（Ｓ８６６；Ｙ、Ｓ８６７）。例
えば、レジスタＰＷＣＲ＝２．６４０ｍｓのとき発光倍
率Ｍｖ１＝０（ＥＶ）である。

【０１８５】続いて、タイマーＢに３．１ｍｓをセット
してスタートさせ（Ｓ８６８）、タイマーＢオーバーフ
ローフラグが１か否かをチェックする（Ｓ８６９）。タ
イマーＢオーバーフローフラグが１でなければＰＷＣ割
り込みフラグが“１”か否かをチェックし（Ｓ８６９；
Ｎ、Ｓ８７０）、ＰＷＣ割り込みフラグが“１”でなけ
ればＳ８６９へ戻る（Ｓ８７０；Ｎ）。ＰＷＣ割り込み
フラグはワイヤレス信号を受信したか否かを識別するフ
ラグである。ここでは割り込み禁止状態となっているの
で、ＰＷＣ割り込みフラグにより、倍率信号となる３回
目の微少発光（図６（ｆ）の最も右方（３））を受信し
たか否かを判断している。

【０１８６】ＰＷＣ割り込みフラグが“１”であれば、
３回目の微少発光を受信したので、ＰＷＣＲ値が２．５
±０．６ｍｓの範囲内か否かをチェックし、範囲内であ
れば（（ＰＷＣＲ−２ｍｓ）／１６μｓ）／８−５によ
り発光倍率Ｍｖ２を設定する（Ｓ８７０；Ｙ、Ｓ８７
１；Ｙ、Ｓ８７２）。タイマーＢオーバーフローフラグ
が“１”になったとき（Ｓ８６９；Ｙ）、Ｓ８７１でレ
ジスタＰＷＣＲ値が上記範囲外であったとき、即ち倍率
信号としてのワイヤレス信号を受信しなかったか、また
は正しく受信できなかったときは（Ｓ８７１；Ｎ）、発
光倍率Ｍｖ２に−５ＥＶを設定する（Ｓ８７３）。

【０１８７】Ｓ８７２またはＳ８７３により発光倍率Ｍ
ｖ２を設定したら、ＷＬｓｔｅｐに２（本発光指令信号
の受信待ち状態）をセットし（Ｓ８７４）、シンクロ指
定がＦＰか否かをチェックする（Ｓ８７５）。本実施形
態では、予備発光指令信号で指定されたシンクロ指定に
基づき本発光時の発光モードが設定され、設定された発
光モードに対応する本発光指令信号が送信される。

【０１８８】シンクロ指定がＦＰでなければ、本発光は
通常発光（倍率）で行なわれる。この場合には、内蔵フ
ラッシュまたは外部フラッシュの単発の微少発光によっ
て本発光指令信号が送信されるから、ＰＷＣタイマーを
カウンターモードにセットし、ＰＷＣカウンター割り込
みを許可し、ＰＷＣカウンター値を格納するレジスタＰ
ＷＣＲにＦＦＦＦをセットしてＰＷＣＲカウンターをス
タートさせ、リターンする（Ｓ８７５；Ｎ、Ｓ８７
６）。このＳ８７６を経てリターンした場合は、内蔵フ
ラッシュまたは外部フラッシュが微少発光するとＰＷＣ
カウンター割り込みが発生し、Ｓ８５６へ進む。Ｓ８５
６では発光倍率ＭｖとしてＳ８６７で受信したＭｖ１を
設定し、予備発光モードＰｒｅＭが“１”か否かをチェ
ックする（Ｓ８５７）。予備発光モードＰｒｅＭが
“１”であればシンクロ要求が順次か否かをチェックす
る（Ｓ８５７；Ｙ、Ｓ８５８）。順次であれば発光倍率
ＭｖをＳ８７２またはＳ８７３で受信したＭｖ２に変更
する（Ｓ８５８；Ｙ、Ｓ８５９）。予備発光モードＰｒ
ｅＭが“１”でないとき（Ｓ８５７；Ｎ）、シンクロ要
求が順次でないときは（Ｓ８５８；Ｎ）、Ｓ８５９をス
キップし、倍率発光処理を実行して本発光を行う（Ｓ８
６０）。

【０１８９】シンクロ指定がＦＰであれば、本発光はフ
ラット発光（ＦＰ）で行なわれる。この場合には、内蔵
フラッシュまたは外部フラッシュの２回の微少発光によ
って本発光指令信号が送信され、その微少発光間隔がフ
ラット発光を継続させるフラット発光時間Ｔｆｐに対応
するから、ＰＷＣタイマー割り込みを許可してリターン
する（Ｓ８７５；Ｙ、Ｓ８８８）。このＳ８８８を経て
リターンした場合は、１回目の微少発光を受信したとき
にＰＷＣタイマー割り込みが発生し、Ｓ８６１へ進む。
そしてＳ８６１では、ＰＷＣタイマーのカウント値、即
ち本発光指令信号（２回の微少発光）の信号間隔を示す
レジスタＰＷＣＲ値が２．５±０．６（ｍｓ）の範囲に
あるか否かをチェックする（Ｓ８６１）。レジスタＰＷ
ＣＲ値が２．５±０．６（ｍｓ）の範囲内でなければ、
フラット発光時間に対応していないので、フラット発光
を実行せずにＳ８６５へ進む（Ｓ８６１；Ｎ）。一方、
レジスタＰＷＣＲ値が２．５±０．６（ｍｓ）の範囲内
であれば、（ＰＷＣＲ―２ｍｓ）／６４μｓ（ｍｓ）に
よりフラット発光時間Ｔｆｐを決定する（Ｓ８６１；
Ｙ、Ｓ８６２）。例えば、ＰＷＣＲ＝２．６４ｍｓのと
きＴｆｐ＝１０ｍｓとなる。そして、発光モード指定を
ＦＰに変更し、ＦＰ発光処理を実行して本発光（フラッ
ト発光）を行う（Ｓ８６３、Ｓ８６４）。

【０１９０】Ｓ８６０またはＳ８６４により本発光を実
行したら、ＷＬｓｔｅｐに０を設定し（Ｓ８８９）、Ｐ
ＷＣタイマーをワイヤレス信号の立下りエッジ間隔測定
モードとし、ＰＷＣタイマー割り込みを許可し、ＰＷＣ
タイマーをスタートさせてリターンする（Ｓ８９０）。

【０１９１】このように本実施形態では、受信した倍率
信号に発光倍率Ｍｖのデータが複数含まれている場合
は、各スレーブフラッシュがシンクロ要求に応じて発光
倍率Ｍｖ１またはＭｖ２を適宜選択して設定するので、
上述の倍率信号を全スレーブフラッシュに一括送信する
だけで各スレーブフラッシュの発光量を設定できるよう
になった。したがって、従来のように何度も指令信号を
送信する必要がなくなり、電力ロスを抑えることができ
る。

【０１９２】『倍率発光処理』次に、ＰＷＣ割り込み処
理のＳ８６０で実行される倍率発光処理について、図２
９を参照して詳細に説明する。この処理に入ると先ず、
ポートＰ５、Ｐ６、Ｐ７を出力ポートとし、これら各ポ
ートから“０”を出力する（Ｓ８００）。この状態にお
いて、コンデンサー７３の蓄積電荷は抵抗７４を介して
放電される。次に、式；Ｖｆｐ＝Ｖａ×Ｔ_ｆｉｒｅ
（ｚｏｏｍ）によりフラット発光レベルＶｆｐを求め
（Ｓ８０１）、求めたフラット発光レベルＶｆｐに定数
Ｋｆと２の発光倍率Ｍｖ乗倍２^Mvを乗算した値をＤ／Ａ
変換ポートＰｄａの出力レベルＦＰｌｖｌとして求め、
この出力電圧ＦＰｌｖｌをコンパレータ７５の非反転入
力端子へ出力する（Ｓ８０２）。そして、出力ポートＰ
４（３０Ｖｏｎ）を“１”として３０Ｖ発生回路７７に
３０Ｖ電圧を発生させ（Ｓ８０３）、出力ポートＰ５
（ＩＧＢＴｃｔｌ）を“１”にして（Ｓ８０４）、ポー
トＰ７を入力ポートに切り換える（Ｓ８０５）。出力ポ
ートＰ５が“１”になると、３０Ｖ発生回路７７で発生
された３０Ｖ電圧がレベルシフト回路７８を介してＩＧ
ＢＴ８３のゲートＩＧＢＴｇに印加され、ＩＧＢＴ８３
がオンする。ポートＰ７が入力ポートとして機能する状
態では、発光量検出受光素子８５で発生した光電流がコ
ンデンサー７３で積分される。

【０１９３】続いて、出力ポートＰ３（ＴＲＩＧｏｎ）
を“１”としてキセノン管８２内を励起状態とし、キセ
ノン管８２の発光を開始させ（Ｓ８０６）、タイマーＢ
に３．２ｍｓをセットしてスタートさせ（Ｓ８０７）、
ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）を入力ポートに設定し
（Ｓ８０８）、出力ポートＰ３（ＴＲＩＧｏｎ）を
“０”とする（Ｓ８０９）。キセノン管８２が発光する
と、発光量検出受光素子８５から発光量に対応する光電
流が発生する。発生した光電流はコンデンサー７３で積
分され、コンパレータ７５の反転入力端子の電圧ＰＤｆ
ｌが高くなる。そして電圧ＰＤｆｌが電圧ＦＰｌｖｌに
達すると、コンパレータ７５の出力は“１”から“０”
に変化し、レベルシフト回路７８を介してＩＧＢＴ８３
をオフし、キセノン管８２の発光を停止する。なお、Ｓ
８０２で電圧ＦＰｌｖｌを発光倍率Ｍｖ乗倍に比例して
設定しているので、キセノン管８２の発光量は２の発光
倍率Ｍｖ乗倍２^Mvに比例したものとなる。

【０１９４】そして、タイマーＢオーバーフローフラグ
が“１”になるまで待ち（Ｓ８１０；Ｎ）、タイマーＢ
オーバーフローフラグが“１”になったら（Ｓ８１０；
Ｙ）、ポートＰ５、Ｐ７を出力モードにセットしてポー
トＰ５、Ｐ７を“０”とし、出力ポートＰ４を“０”と
し、ポートＰ６を入力モードにセットし（Ｓ８１１）、
Ｆ_ＣRequestフラグに“１”をセットしてリターンする
（Ｓ８１２）。

【０１９５】『旧フラッシュ処理』次に、Ｓ５１１−２
で実行される旧フラッシュ処理について、図３２に示さ
れるフローチャートを参照してより詳細に説明する。こ
の処理に入ると先ず、カメラが動作中か否かを識別する
Ｆ_ＣＯｎフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ９
００）。Ｆ_ＣＯｎフラグが“１”であれば、本フラッ
シュ装置５０との通信機能を有するカメラとの通信状態
にあるから（図２２；Ｓ６１３参照）、この処理を抜け
る（Ｓ９００；Ｙ）。Ｆ_ＣＯｎフラグが“１”でなけ
れば、Ｆ_ＷＬｓフラグが“１”か否かをチェックする
（Ｓ９００；Ｎ、Ｓ９０１）。Ｆ_ＷＬｓフラグが
“１”であれば、スレーブフラッシュとして機能してい
る状態であるから（図２１；Ｓ５６２参照）、この処理
を抜ける（Ｓ９０１；Ｙ）。Ｆ_ＷＬｓフラグが“１”
でなければ、ポート群ＰｄのポートＰｄ２、Ｐｄ３を出
力モードにする（Ｓ９０１；Ｎ、Ｓ９０２）。ここで、
ポートＰｄ２、Ｐｄ３を出力モードにするとは、図３４
に示す入出力切り換え信号ＩＮ／ＯＵＴ端子を“０”に
することである。

【０１９６】続いて、Ｃｈａｒｇｅフラグが“１”か否
かをチェックする（Ｓ９０３）。Ｃｈａｒｇｅフラグが
“１”であれば（Ｓ９０３；Ｙ）、メインコンデンサー
７９の充電が完了しているため、ポートＰｄ２を“１”
として出力する（Ｓ９０４）。Ｓ９０４の処理により、
充電完了信号“１”がＲ端子を介してカメラ側へ出力さ
れる。一方、Ｃｈａｒｇｅフラグが“１”でなければ、
ポートＰｄ２を“０”とし出力する（Ｓ９０３；Ｎ、Ｓ
９０５）。Ｓ９０５の処理により、充電完了信号“０”
がＲ端子を介して出力される。充電完了信号を出力した
ら、フラッシュでセットされたカメラのＦ値に比例した
周波数のパルスＦｐｕｌｓｅをポートＰｄ３に出力し、
この処理を抜ける（Ｓ９０６）。このＳ９０６の処理に
より、Ｆ値信号がＱ端子を介してカメラ側に出力され
る。

【０１９７】フラッシュ装置５０では、図３５に示すよ
うに、カメラ接続端子５６のＣ端子が“０”の状態にお
いて充電完了信号Ｃｈａｒｇｅ＝“１”になると、Ｒ端
子が“１”となって、Ｑ端子からＦｐｕｌｓｅ信号が出
力される（図３５；（ａ））。そしてフラッシュ装置５
０が外部フラッシュとして機能する場合には、Ｘ端子が
“１”から“０”に変化したときに（図３５（ｂ））、
フラッシュ発光が開始されるとともにＱ端子が入力モー
ドになり、カメラからＱ端子を介して送られてくるクエ
ンチ信号に基づいてフラッシュ発光が停止される（図３
５（ｃ））。

【０１９８】

【発明の効果】本発明によれば、本発光時に内蔵フラッ
シュを露光のため発光させる場合は、副フラッシュの発
光量に応じて内蔵フラッシュの発光量を制御する、即
ち、副フラッシュの発光が終了するまで待機してから内
蔵フラッシュの発光を開始させ、ＴＴＬ受光手段の受光
量が適正受光量に達したときに内蔵フラッシュの発光を
停止させるので、内蔵フラッシュ及び副フラッシュを使
用して本発光する場合でも、内蔵フラッシュと副フラッ
シュの発光量を適切に制御でき、適正露出を得ることが
できる。また副フラッシュの本発光量はカメラ側から送
信される倍率信号によって設定されるので、内蔵フラッ
シュと副フラッシュの発光量比を適切に制御することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明を適用したフラッシュ撮影システムを
構成するカメラの制御系の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】 同カメラが備えた測光回路の回路構成を示す
図である。

【図３】 同カメラが備えたＴＴＬ測光回路の回路構成
を示す図である。

【図４】 本発明を適用したフラッシュ撮影システムを
構成するフラッシュ装置の制御系の構成を示すブロック
図である。

【図５】 カメラ−フラッシュ間の通信シーケンス（通
常時）を示す図である。

【図６】 カメラ−フラッシュ間の通信シーケンス（発
光時）を示す図である。（ａ）及び（ｂ）はモード３通
信を示しており、（ａ）は発光モード指定がＴＴＬの場
合、（ｂ）はシンクロ指定が順次モードの場合をそれぞ
れ示している。（ｃ）〜（ｆ）はモード４通信処理を示
しており、（ｃ）は発光モード指定がフラット発光モー
ドの場合、（ｄ）は発光モード指定が予備発光モードの
場合、（ｅ）はＷＬ信号によって予備発光、テスト発
光、フラット発光時間時間を指示する場合、（ｆ）は発
光モード指定が倍率の場合をそれぞれ示している。

【図７】 同フラッシュ装置のフラット発光制御におけ
るタイミングチャートを示した図である。

【図８】 （ａ）は同カメラが備えた分割受光素子の測
光領域を示している。（ｂ）は同カメラが備えたＴＴＬ
受光素子のフィルム面測光における中央横方向の受光分
布を示している。（ｃ）は（ａ）に示した各測光領域に
おけるＴＴＬ受光素子の受光量を示す図である。

【図９】 （ａ）は主要被写体が中央のみにあって周辺
が遠い場合、（ｃ）は主要被写体の周辺に高反射率の被
写体がある場合の撮影画面を示している。（ｂ）、
（ｄ）は、（ａ）、（ｂ）における各測光領域の予備発
光輝度を示している。

【図１０】 同カメラのメイン処理に関するフローチャ
ートである。

【図１１】 同カメラのフラッシュ通信処理に関するフ
ローチャートである。

【図１２】 同カメラの予備発光処理に関するフローチ
ャートの一部である。

【図１３】 同カメラの予備発光処理に関するフローチ
ャートの一部である。

【図１４】 同カメラの予備発光データ取得処理に関す
るフローチャートである。

【図１５】 同カメラのプレＡＤ処理に関するフローチ
ャートである。

【図１６】 同カメラの発光量演算処理に関するフロー
チャートである。

【図１７】 同カメラの露出処理に関するフローチャー
トの一部である。

【図１８】 同カメラの露出処理に関するフローチャー
トの一部である。

【図１９】 同カメラのテスト発光処理に関するフロー
チャートである。

【図２０】 同フラッシュ装置のメイン処理に関するフ
ローチャートである。

【図２１】 同フラッシュ装置のワイヤレスモード処理
に関するフローチャートである。

【図２２】 同フラッシュ装置の通信割り込み処理に関
するフローチャートである。

【図２３】 同フラッシュ装置の特殊発光処理に関する
フローチャートの一部である。

【図２４】 同フラッシュ装置の特殊発光処理に関する
フローチャートの一部である。

【図２５】 同フラッシュ装置のフラット発光処理に関
するフローチャートである。

【図２６】 同フラッシュ装置の通常発光処理に関する
フローチャートである。

【図２７】 同フラッシュ装置のＰＷＣ割り込み処理に
関するフローチャートの一部である。

【図２８】 同フラッシュ装置のＰＷＣ割り込み処理に
関するフローチャートの一部である。

【図２９】 同フラッシュ装置の倍率発光処理に関する
フローチャートである。

【図３０】 同フラッシュ装置の発光制御時間[μｓ]と
発光量誤差[ＥＶ]の関係を示すグラフである。

【図３１】 同カメラが実行するブレＡ／Ｄ処理のシー
ケンスを説明する図である。

【図３２】 同フラッシュ装置の旧フラッシュ処理に関
するフローチャートである。

【図３３】 同フラッシュ装置のカメラ接続端子を説明
する図である。

【図３４】 同フラッシュ装置が備えたフラッシュＣＰ
Ｕの入出力端子構成の一実施例を示す図である。

【図３５】 同フラッシュ装置が出力するＦｐｕｌｓｅ
信号を説明するためのタイミングチャートである。

【符号の説明】

１ ５１ 電池 ２ 昇降圧ボルテージレギュレータ ３ ５３ ７３ コンデンサー ４ フラッシュ接続端子（Ｃ、Ｒ、Ｑ、Ｘ、Ｇ） ５ 表示素子 ６ ６０ ＥＥＰＲＯＭ ７ レンズ通信インターフェース ８ フラッシュ通信インターフェース ９ ６３ 情報設定スイッチ群 １０ カメラ １３ ＣＰＵ １４ 内蔵フラッシュ回路 １５ モータ制御回路 １６ ＡＦ回路 １７ 絞り制御回路 １８ シャッタ制御回路 １９ 測光回路 ２０ ＴＴＬ測光回路 ２１ Ｘｅ管 ２２ 分割受光素子 ２３ ＴＴＬ受光素子 ５０ フラッシュ装置 ５２ ショットキーダイオード ５４ レギュレータ ５５ 発光ユニット ５６ カメラ接続端子（Ｃ、Ｒ、Ｑ、Ｘ、Ｇ） ５７ ワイヤレス受光素子 ５８ ワイヤレス受光回路 ５９ カメラ通信インターフェース ６１ ズームモータ ６２ モータドライブ回路 ６５ フラッシュＣＰＵ ６６ 昇圧回路 ６７ ６８ ８４ ダイオード ６９ 充電検出回路 ７０ 外光オート回路 ７１ 外光オート受光素子 ７２ ＬＣＤ表示器 ７４ ７６ 抵抗 ７５ ２０３ コンパレータ ７７ ３０Ｖ発生回路 ７８ レベルシフト回路 ７９ メインコンデンサー ８０ トリガー回路 ８１ コイル ８２ Ｘｅ管 ８３ ＩＧＢＴ ８５ 発光量検出受光素子 １００ １０５ １０９ ２０２ オペアンプ １０１ １０４ 圧縮ダイオード １０２ セレクター １０３ 定電流源 １０６ 正系数温度抵抗器 １１０ 基準電圧発生回路 ２００ ＭＯＳ_ＳＷ（ＭＯＳＦＥＴ） ２０１ 積分コンデンサー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｂ 15/03 Ｇ０３Ｂ 15/03 Ｗ Ｘ Ｚ Ｋ (72)発明者 岩本 茂 東京都板橋区前野町２丁目36番９号 旭光 学工業株式会社内 (72)発明者 大倉 忠久 東京都板橋区前野町２丁目36番９号 旭光 学工業株式会社内 (72)発明者 種岡 一仁 東京都板橋区前野町２丁目36番９号 旭光 学工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H002 AB04 CD06 CD07 CD09 CD11 CD12 CD13 DB06 DB11 DB14 DB24 DB25 DB26 DB27 FB03 FB38 FB84 GA31 GA61 GA72 GA75 HA04 2H053 AA01 AA06 AB03 AD11 AD12 AD21 AD23 BA51 BA54 BA71 BA72 BA78 BA91 BA92 CA41 DA06 DA07 DA08

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 カメラと；該カメラに内蔵された内蔵フ
   ラッシュと；前記カメラに装着されずにワイヤレスで発
   光制御される副フラッシュと；を備え、本発光時には前
   記内蔵フラッシュの微少発光によって前記副フラッシュ
   を発光させるフラッシュ撮影システムにおいて、 該本発光時に前記内蔵フラッシュを露光のため発光させ
   る場合は、前記副フラッシュの発光量に応じて前記内蔵
   フラッシュの発光量を制御することを特徴とするフラッ
   シュ撮影システム。
2. 【請求項２】 請求項１記載のフラッシュ撮影システム
   において、前記カメラは、該カメラの露光面で反射され
   た光を受光するＴＴＬ受光手段と；該ＴＴＬ受光手段の
   適正受光量を演算する演算手段と；フラッシュ発光量を
   制御する発光制御手段と；を備え、 前記発光制御手段は、本発光時に前記内蔵フラッシュを
   露光のため発光させる場合は、前記副フラッシュの発光
   が終了するまで待機してから前記内蔵フラッシュの発光
   を開始させ、前記ＴＴＬ受光手段の受光量が前記適正受
   光量に達したときに前記内蔵フラッシュの発光を停止さ
   せるフラッシュ撮影システム。
3. 【請求項３】 請求項２記載のフラッシュ撮影システム
   において、前記カメラは該カメラに外付けされた外部フ
   ラッシュを備え、 前記発光制御手段は、本発光時に前記内蔵フラッシュを
   露光のため発光させる場合は、前記ＴＴＬ受光手段の受
   光量が前記適正受光量に達したときに、前記外部フラッ
   シュの発光も停止させるフラッシュ撮影システム。
4. 【請求項４】 請求項２記載のフラッシュ撮影システム
   において、前記演算手段は、本発光時に前記内蔵フラッ
   シュが露光のため発光する場合は、前記内蔵フラッシュ
   の発光量が前記副フラッシュの発光量に対して所定倍と
   なるように、前記ＴＴＬ受光手段の適正受光量を演算す
   るフラッシュ撮影システム。
5. 【請求項５】 請求項２記載のフラッシュ撮影システム
   において、前記発光制御手段は、前記内蔵フラッシュを
   微少発光させることにより、前記副フラッシュを予備発
   光させる予備発光指令信号と；該予備発光量に対する本
   発光の発光倍率を前記副フラッシュに設定する倍率信号
   と；前記副フラッシュを本発光させる本発光指令信号
   と；を順次送信し、前記副フラッシュの本発光量を制御
   するフラッシュ撮影システム。
6. 【請求項６】 請求項５記載のフラッシュ撮影システム
   において、前記副フラッシュは複数備えられ、前記倍率
   信号には前記副フラッシュの本発光量を設定する一また
   は複数の発光倍率データが含まれていて、 前記副フラッシュの各々には、 シンクロモードを設定するシンクロ設定手段と、 前記倍率信号を受信する受信手段と、 前記倍率信号に複数の発光倍率データが含まれている場
   合は、前記シンクロモードに応じた発光倍率データを選
   択し、該発光倍率で本発光させる倍率発光制御手段とが
   設けられているフラッシュ撮影システム。