JP2002169133A - 進行波形光変調器 - Google Patents
進行波形光変調器Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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-
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- G02F1/0305—Constructional arrangements
Abstract
(57)【要約】
【課題】電極を伝搬するマイクロ波と光導波路を伝搬す
る光との間の速度整合を達成しつつ、駆動電圧Ｖπと電
極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が小さく、かつ光の結合
損失の小さい進行波形光変調器を提供する。 【解決手段】進行波形光変調器１は、相対向する表面３
ａと底面３ｂとを備える電気光学材料からなる基板３、
基板３の表面３ａ上に形成された光導波路６Ａ、６Ｂ、
および基板の表面上に形成され、光導波路内を伝搬する
光を変調するための電極２Ａ−２Ｃを備える。少なくと
も光導波路の領域において基板の底面から凹んでいる凹
部４が設けられている。基板３が、底面３ｂが設けられ
ている厚肉部分３ｄ、凹部に面する第一の薄肉部分３
ｆ、および凹部に面する第二の薄肉部分３ｅを備える。
第一の薄肉部分３ｆ内に光導波路が設けられている。第
一の薄肉部分３ｆが第二の薄肉部分３ｅよりも厚い。
る光との間の速度整合を達成しつつ、駆動電圧Ｖπと電
極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が小さく、かつ光の結合
損失の小さい進行波形光変調器を提供する。 【解決手段】進行波形光変調器１は、相対向する表面３
ａと底面３ｂとを備える電気光学材料からなる基板３、
基板３の表面３ａ上に形成された光導波路６Ａ、６Ｂ、
および基板の表面上に形成され、光導波路内を伝搬する
光を変調するための電極２Ａ−２Ｃを備える。少なくと
も光導波路の領域において基板の底面から凹んでいる凹
部４が設けられている。基板３が、底面３ｂが設けられ
ている厚肉部分３ｄ、凹部に面する第一の薄肉部分３
ｆ、および凹部に面する第二の薄肉部分３ｅを備える。
第一の薄肉部分３ｆ内に光導波路が設けられている。第
一の薄肉部分３ｆが第二の薄肉部分３ｅよりも厚い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、進行波形光変調器
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本出願人は、特開平１０−１３３１５９
号公報において、進行波形光変調器の基板の光導波路の
下に薄肉部分を設け、この薄肉部分の厚さを例えば１０
μｍ以下に薄くすることを開示した。これによって、酸
化珪素等からなるバッファ層を形成することなしに高速
光変調が可能であるし、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬと
の積（Ｖπ・Ｌ）を小さくできるので、有利である。
号公報において、進行波形光変調器の基板の光導波路の
下に薄肉部分を設け、この薄肉部分の厚さを例えば１０
μｍ以下に薄くすることを開示した。これによって、酸
化珪素等からなるバッファ層を形成することなしに高速
光変調が可能であるし、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬと
の積（Ｖπ・Ｌ）を小さくできるので、有利である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本出願人がこ
のタイプの進行波型光変調器を更に具体的に検討した結
果、光の結合損失が増大する傾向があることが判明し
た。
のタイプの進行波型光変調器を更に具体的に検討した結
果、光の結合損失が増大する傾向があることが判明し
た。
【０００４】本発明の課題は、電極を伝搬するマイクロ
波と光導波路を伝搬する光との間の速度整合を達成しつ
つ、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が
小さく、かつ光の結合損失の小さい進行波形光変調器を
提供することである。
波と光導波路を伝搬する光との間の速度整合を達成しつ
つ、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が
小さく、かつ光の結合損失の小さい進行波形光変調器を
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、相対向する表
面と底面とを備えている電気光学材料からなる基板、基
板の表面上に形成されている光導波路、および基板の表
面上に形成されており、光導波路内を伝搬する光を変調
するための電極を備えている進行波形光変調器であっ
て、少なくとも前記光導波路の領域において基板の底面
から凹んでいる凹部が設けられており、基板が、底面が
設けられている厚肉部分、凹部に面する第一の薄肉部分
および凹部に面する第二の薄肉部分を備えており、第一
の薄肉部分内に光導波路が設けられており、第一の薄肉
部分が第二の薄肉部分よりも厚いことを特徴とする。
面と底面とを備えている電気光学材料からなる基板、基
板の表面上に形成されている光導波路、および基板の表
面上に形成されており、光導波路内を伝搬する光を変調
するための電極を備えている進行波形光変調器であっ
て、少なくとも前記光導波路の領域において基板の底面
から凹んでいる凹部が設けられており、基板が、底面が
設けられている厚肉部分、凹部に面する第一の薄肉部分
および凹部に面する第二の薄肉部分を備えており、第一
の薄肉部分内に光導波路が設けられており、第一の薄肉
部分が第二の薄肉部分よりも厚いことを特徴とする。
【０００６】「第一の薄肉部分内に光導波路が設けられ
ている」とは、光導波路の少なくとも屈折率の中心が第
一の薄肉部分内に存在することを意味している。
ている」とは、光導波路の少なくとも屈折率の中心が第
一の薄肉部分内に存在することを意味している。
【０００７】本発明者は、光導波路下に薄肉部分を設け
ることによってマイクロ波と光との速度整合を達成した
場合に光の結合損失が増大する理由について検討し、以
下の知見を得た。例えば１０ＧＨｚ以上の電気信号で動
作する進行波形光変調器において速度整合を達成するた
めには、薄肉部分の厚さを１０μｍ程度まで薄くするこ
とが一般的に必要である。しかし、薄肉部分の上と下と
には通常は大気が接触しており、大気の屈折率は電気光
学結晶の屈折率よりもはるかに低い。この結果、薄肉部
分の厚さが１０μｍ近辺になると、光導波路の形態が偏
平化する傾向があった。一方、進行波形光変調器と結合
される外部の光ファイバー内を伝搬する光ビームの形態
はほぼ真円形状である。このため、光ファイバー内を伝
搬する光ビームの強度分布と進行波形光変調器内の光導
波路を伝搬する光ビームの強度分布との不一致が大きく
なるので、光エネルギーが有効に伝搬されず、損失とな
るものと思われる。
ることによってマイクロ波と光との速度整合を達成した
場合に光の結合損失が増大する理由について検討し、以
下の知見を得た。例えば１０ＧＨｚ以上の電気信号で動
作する進行波形光変調器において速度整合を達成するた
めには、薄肉部分の厚さを１０μｍ程度まで薄くするこ
とが一般的に必要である。しかし、薄肉部分の上と下と
には通常は大気が接触しており、大気の屈折率は電気光
学結晶の屈折率よりもはるかに低い。この結果、薄肉部
分の厚さが１０μｍ近辺になると、光導波路の形態が偏
平化する傾向があった。一方、進行波形光変調器と結合
される外部の光ファイバー内を伝搬する光ビームの形態
はほぼ真円形状である。このため、光ファイバー内を伝
搬する光ビームの強度分布と進行波形光変調器内の光導
波路を伝搬する光ビームの強度分布との不一致が大きく
なるので、光エネルギーが有効に伝搬されず、損失とな
るものと思われる。
【０００８】この問題を解決できる程度に薄肉部分の厚
さを大きくすると、前述の速度整合が困難になる上、駆
動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が増大す
る。
さを大きくすると、前述の速度整合が困難になる上、駆
動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が増大す
る。
【０００９】このため、本発明者は、薄肉部分を二つに
分割し、第一の薄肉部分（光導波路を含む）の厚さを相
対的に大きくすると共に、第二の薄肉部分を第一の薄肉
部分に隣接して設けることによって、マイクロ波と光と
の速度整合を確保し、Ｖπ・Ｌを抑制しつつ、同時に光
の結合損失を低減することを想到した。
分割し、第一の薄肉部分（光導波路を含む）の厚さを相
対的に大きくすると共に、第二の薄肉部分を第一の薄肉
部分に隣接して設けることによって、マイクロ波と光と
の速度整合を確保し、Ｖπ・Ｌを抑制しつつ、同時に光
の結合損失を低減することを想到した。
【００１０】以下、図面を参照しつつ、本発明を更に詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１１】図１は、本発明の一実施形態に係る進行波
形光変調器１を概略的に示す断面図である。図１の変調
器１は、２つの厚肉部分３ｄと、１つの第一の薄肉部分
３ｆと、２つの第二の薄肉部分３ｅとを備えている。進
行波形光変調器１は、電気光学材料、好ましくは電気光
学結晶からなる基板３を備えている。基板３は、相対向
する表面３ａと底面３ｂとを備えており、かつ一対の端
面３ｃを備えている。また、基板３は、厚肉部分３ｄ
と、第一の薄肉部分３ｆと、第二の薄肉部分３ｅとを備
えている。第一の薄肉部分３ｆの凹部４側には突起５が
形成されている。突起５の高さの分だけ、薄肉部分３ｆ
の厚さｔ（ＯＰ）が薄肉部分３ｅの厚さｔ（ｓｕｂ）よ
りも大きくなっている。薄肉部分３ｆの表面側には一対
の光導波路６Ａ、６Ｂが形成されている。
形光変調器１を概略的に示す断面図である。図１の変調
器１は、２つの厚肉部分３ｄと、１つの第一の薄肉部分
３ｆと、２つの第二の薄肉部分３ｅとを備えている。進
行波形光変調器１は、電気光学材料、好ましくは電気光
学結晶からなる基板３を備えている。基板３は、相対向
する表面３ａと底面３ｂとを備えており、かつ一対の端
面３ｃを備えている。また、基板３は、厚肉部分３ｄ
と、第一の薄肉部分３ｆと、第二の薄肉部分３ｅとを備
えている。第一の薄肉部分３ｆの凹部４側には突起５が
形成されている。突起５の高さの分だけ、薄肉部分３ｆ
の厚さｔ（ＯＰ）が薄肉部分３ｅの厚さｔ（ｓｕｂ）よ
りも大きくなっている。薄肉部分３ｆの表面側には一対
の光導波路６Ａ、６Ｂが形成されている。
【００１２】また、基板３の表面３ａ側には、例えば３
列の電極２Ａ、２Ｂ、２Ｃが形成されている。各電極
は、図示しないマイクロ波信号源に接続されている。本
例では、Ｘ板またはＹ板を使用し、光導波路内にＴＥモ
ードの光を伝搬させる。このため、各光導波路６Ａ、６
Ｂは、それぞれ隣接する電極２Ａと２Ｂとの間、あるい
は電極２Ｂと２Ｃとの間に挟まれている。
列の電極２Ａ、２Ｂ、２Ｃが形成されている。各電極
は、図示しないマイクロ波信号源に接続されている。本
例では、Ｘ板またはＹ板を使用し、光導波路内にＴＥモ
ードの光を伝搬させる。このため、各光導波路６Ａ、６
Ｂは、それぞれ隣接する電極２Ａと２Ｂとの間、あるい
は電極２Ｂと２Ｃとの間に挟まれている。
【００１３】こうした進行波形光変調器においては、電
極を伝搬する変調波（マイクロ波）によって生成する電
界は、基板の裏面側の空気（溝ないし凹部中）にかなり
リークする。この際、光導波路および中心電極２Ｂの直
下の領域においてもむろん電界の空気中へのリークが発
生するが、第二の薄肉部分３ｅの領域でもこうした電界
のリークの寄与がある。この結果、変調波の位相速度が
向上する。
極を伝搬する変調波（マイクロ波）によって生成する電
界は、基板の裏面側の空気（溝ないし凹部中）にかなり
リークする。この際、光導波路および中心電極２Ｂの直
下の領域においてもむろん電界の空気中へのリークが発
生するが、第二の薄肉部分３ｅの領域でもこうした電界
のリークの寄与がある。この結果、変調波の位相速度が
向上する。
【００１４】これと同時に、突起５を設けない場合と比
べて、光導波路６Ａ、６Ｂの直下の領域の厚さは若干大
きくできるので、光導波路６Ａ、６Ｂを伝搬する光ビー
ムの偏平化を防止でき、これによって光の結合損失を抑
制できる。
べて、光導波路６Ａ、６Ｂの直下の領域の厚さは若干大
きくできるので、光導波路６Ａ、６Ｂを伝搬する光ビー
ムの偏平化を防止でき、これによって光の結合損失を抑
制できる。
【００１５】なお、図１の例では、薄肉部分の凹部４側
に突起５を設けることによって薄肉部分３ｆの厚さを相
対的に大きくした。しかし、突起を薄肉部分の表面３ａ
側に設けることもでき、突起を薄肉部分の凹部４側およ
び表面３ａ側の両方に同時に設けることもできる。ただ
し、突起５を薄肉部分の凹部４側にのみ設けることによ
って、突起５を設けない場合と同様に、各電極から各光
導波路への電圧の印加効率が向上し、これによって駆動
電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が減少す
る。
に突起５を設けることによって薄肉部分３ｆの厚さを相
対的に大きくした。しかし、突起を薄肉部分の表面３ａ
側に設けることもでき、突起を薄肉部分の凹部４側およ
び表面３ａ側の両方に同時に設けることもできる。ただ
し、突起５を薄肉部分の凹部４側にのみ設けることによ
って、突起５を設けない場合と同様に、各電極から各光
導波路への電圧の印加効率が向上し、これによって駆動
電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が減少す
る。
【００１６】図１に示すような形態の溝４（つまり薄肉
部分３ｆおよび３ｅ）は、エキシマレーザーを用いたレ
ーザーアブレーション加工によって成形できる。あるい
は、ダイシング加工によって成形できる。
部分３ｆおよび３ｅ）は、エキシマレーザーを用いたレ
ーザーアブレーション加工によって成形できる。あるい
は、ダイシング加工によって成形できる。
【００１７】基板３は、強誘電性の電気光学材料、好ま
しくは単結晶からなる。こうした結晶は、光の変調が可
能であれば特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タ
ンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチ
ウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、ＫＴＰ、Ｇａ
Ａｓ及び水晶などを例示することができる。ニオブ酸リ
チウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶およびニオブ
酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなる
群より選ばれた一種以上の単結晶が、特に好ましい。
しくは単結晶からなる。こうした結晶は、光の変調が可
能であれば特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タ
ンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチ
ウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、ＫＴＰ、Ｇａ
Ａｓ及び水晶などを例示することができる。ニオブ酸リ
チウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶およびニオブ
酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなる
群より選ばれた一種以上の単結晶が、特に好ましい。
【００１８】基板３においては、特に好ましくは結晶の
分極軸が基板の表面３ａと略水平である。ニオブ酸リチ
ウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチ
ウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなるＸ板あ
るいはＹ板が好ましい。
分極軸が基板の表面３ａと略水平である。ニオブ酸リチ
ウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチ
ウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなるＸ板あ
るいはＹ板が好ましい。
【００１９】第一の薄肉部分３ｆの厚さｔ（ＯＰ）は、
マイクロ波の実効屈折率ｎｍを顕著に低減するという観
点からは、１００μｍ以下であることが好ましく、２０
μｍ以下が更に好ましい。第一の薄肉部分３ｆの厚さｔ
（ＯＰ）は、光導波路を伝搬する光ビームの偏平化を防
止し、さらに機械強度を保持するという観点からは、１
μｍ以上が好ましい。
マイクロ波の実効屈折率ｎｍを顕著に低減するという観
点からは、１００μｍ以下であることが好ましく、２０
μｍ以下が更に好ましい。第一の薄肉部分３ｆの厚さｔ
（ＯＰ）は、光導波路を伝搬する光ビームの偏平化を防
止し、さらに機械強度を保持するという観点からは、１
μｍ以上が好ましい。
【００２０】第二の薄肉部分３ｅの厚さｔ（ｓｕｂ）
は、マイクロ波の実効屈折率ｎｍを顕著に低減するとい
う観点からは、第一の薄肉部分３ｆの厚さｔ（ＯＰ）未
満であることが好ましく、１２．５μｍ以下が更に好ま
しく、１０μｍ以下であることが一層好ましい。
は、マイクロ波の実効屈折率ｎｍを顕著に低減するとい
う観点からは、第一の薄肉部分３ｆの厚さｔ（ＯＰ）未
満であることが好ましく、１２．５μｍ以下が更に好ま
しく、１０μｍ以下であることが一層好ましい。
【００２１】本発明の効果を奏する上では、第一の薄肉
部分の厚さｔ（ＯＰ）と第二の薄肉部分の厚さｔ（ｓｕ
ｂ）との差が大きいことが好ましく、１μｍ以上である
ことが特に好ましい。ただし、この差は２５μｍ以下で
あることが好ましい。
部分の厚さｔ（ＯＰ）と第二の薄肉部分の厚さｔ（ｓｕ
ｂ）との差が大きいことが好ましく、１μｍ以上である
ことが特に好ましい。ただし、この差は２５μｍ以下で
あることが好ましい。
【００２２】電極の厚さｔ（ＥＬ）は、１５−５０μｍ
とすることが好ましい。電極の厚さｔ（ＥＬ）は、マイ
クロ波の実効屈折率、特性インピーダンス、更には電極
損失に大きく影響する。厚さｔ（ＥＬ）を小さくする
と、マイクロ波の実効屈折率を低減するために、薄肉部
分の厚さｔ（ｓｕｂ）を小さくする必要があり、電極損
失も増加してしまう。一方、厚さｔ（ＥＬ）を大きくす
ることは、マイクロ波の実効屈折率の低減化と電極損失
の低減には必要であるが、作製上の問題がある。実際に
は、特性インピーダンスの制御も含めて、電極の厚さｔ
（ＥＬ）を決定する。
とすることが好ましい。電極の厚さｔ（ＥＬ）は、マイ
クロ波の実効屈折率、特性インピーダンス、更には電極
損失に大きく影響する。厚さｔ（ＥＬ）を小さくする
と、マイクロ波の実効屈折率を低減するために、薄肉部
分の厚さｔ（ｓｕｂ）を小さくする必要があり、電極損
失も増加してしまう。一方、厚さｔ（ＥＬ）を大きくす
ることは、マイクロ波の実効屈折率の低減化と電極損失
の低減には必要であるが、作製上の問題がある。実際に
は、特性インピーダンスの制御も含めて、電極の厚さｔ
（ＥＬ）を決定する。
【００２３】中心電極の幅Ｗ（ＥＬ）は、薄過ぎると電
極損失が大きくなるため、実用上、５−５０μｍとする
ことが好ましい。
極損失が大きくなるため、実用上、５−５０μｍとする
ことが好ましい。
【００２４】電極ギャップＧを大きくすると、駆動電圧
が増大するため、実用上、２５−５５μｍとすることが
好ましい。
が増大するため、実用上、２５−５５μｍとすることが
好ましい。
【００２５】第一の薄肉部分は、通常は電極ギャップの
中心位置に設置される光導波路の幅ないしそれ以上の幅
を有することが必要であるが、マイクロ波の屈折率を低
減させ、かつ駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ
・Ｌ）を低減させるという観点からは、第一の薄肉部分
の幅Ｗ（ＯＰ）は、［Ｗ（ＥＬ）＋２Ｇ］以下とするこ
とが好ましく、［Ｗ（ＥＬ）＋Ｇ］以下とすることが一
層好ましい。
中心位置に設置される光導波路の幅ないしそれ以上の幅
を有することが必要であるが、マイクロ波の屈折率を低
減させ、かつ駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ
・Ｌ）を低減させるという観点からは、第一の薄肉部分
の幅Ｗ（ＯＰ）は、［Ｗ（ＥＬ）＋２Ｇ］以下とするこ
とが好ましく、［Ｗ（ＥＬ）＋Ｇ］以下とすることが一
層好ましい。
【００２６】本発明においては、第一の薄肉部分３ｆの
幅Ｗ（ＯＰ）を小さくすると、光導波路が第二の薄肉部
分３ｅに接近するために、光導波路内を伝搬する光ビー
ムが偏平化し易くなる。したがって、第一の薄肉部分の
幅Ｗ（ＯＰ）は、［Ｗ（ＥＬ）＋２μｍ］以上であるこ
とが好ましい。
幅Ｗ（ＯＰ）を小さくすると、光導波路が第二の薄肉部
分３ｅに接近するために、光導波路内を伝搬する光ビー
ムが偏平化し易くなる。したがって、第一の薄肉部分の
幅Ｗ（ＯＰ）は、［Ｗ（ＥＬ）＋２μｍ］以上であるこ
とが好ましい。
【００２７】かりに第一の薄肉部分と第二の薄肉部分と
の間で厚さの差がない場合には、光導波路６Ａ、６Ｂを
電極２Ｂに接近させたり、あるいは一対の光導波路６Ａ
と６Ｂとを接近させたとしても、前記のような作用効果
は存在しない。
の間で厚さの差がない場合には、光導波路６Ａ、６Ｂを
電極２Ｂに接近させたり、あるいは一対の光導波路６Ａ
と６Ｂとを接近させたとしても、前記のような作用効果
は存在しない。
【００２８】電極は、低抵抗でインピーダンス特性に優
れる材料であれば特に限定されるものではなく、金、
銀、銅などの材料から構成することができる。
れる材料であれば特に限定されるものではなく、金、
銀、銅などの材料から構成することができる。
【００２９】なお、基板表面３ａと電極との間にはバッ
ファ層を設けることができる。バッファ層は、酸化シリ
コン、弗化マグネシウム、窒化珪素、及びアルミナなど
の公知の材料を使用することができる。
ファ層を設けることができる。バッファ層は、酸化シリ
コン、弗化マグネシウム、窒化珪素、及びアルミナなど
の公知の材料を使用することができる。
【００３０】以上、ｘ板、ｙ板についての効果を示した
が、本発明はｚ板を使用した場合にも適用できる。ただ
し、ｚ板を使用した場合には、光導波路は電極の直下に
設ける必要があり、光の伝搬損失を低減するために、基
板の表面と電極との間にはバッファ層を設けることがで
きる。バッファ層は、酸化シリコン、フッ化マグネシウ
ム、窒化珪素、およびアルミナなどの公知の材料を使用
することができる。
が、本発明はｚ板を使用した場合にも適用できる。ただ
し、ｚ板を使用した場合には、光導波路は電極の直下に
設ける必要があり、光の伝搬損失を低減するために、基
板の表面と電極との間にはバッファ層を設けることがで
きる。バッファ層は、酸化シリコン、フッ化マグネシウ
ム、窒化珪素、およびアルミナなどの公知の材料を使用
することができる。
【００３１】また、電極構造については、この場合、図
１に示したコプレーナ型導波路（Coplanar waveguide：
ＣＰＷ電極) の他、図２に示す非対称コプレーナストリ
ップライン（Asymmetric coplanar strip line：Ａ−Ｃ
ＰＳ電極) を適用できる。
１に示したコプレーナ型導波路（Coplanar waveguide：
ＣＰＷ電極) の他、図２に示す非対称コプレーナストリ
ップライン（Asymmetric coplanar strip line：Ａ−Ｃ
ＰＳ電極) を適用できる。
【００３２】なお、図２の変調器１Ａの各部分の構成
は、図１に示した各部分の構成と同じである。しかし、
図２においては、図１とは異なり、各電極２Ａ、２Ｂの
直下に各光導波路６Ａ、６Ｂが形成されている。また、
この変調器は、２つの厚肉部分３ｄと、厚肉部分３ｄに
連続している２つの第一の薄肉部分３ｆと、２つの第一
の薄肉部分３ｆの間に形成された１つの第二の薄肉部分
３ｅとを備えている。そして、各光導波路は、それぞれ
第一の薄肉部分３ｆ内に存在している。
は、図１に示した各部分の構成と同じである。しかし、
図２においては、図１とは異なり、各電極２Ａ、２Ｂの
直下に各光導波路６Ａ、６Ｂが形成されている。また、
この変調器は、２つの厚肉部分３ｄと、厚肉部分３ｄに
連続している２つの第一の薄肉部分３ｆと、２つの第一
の薄肉部分３ｆの間に形成された１つの第二の薄肉部分
３ｅとを備えている。そして、各光導波路は、それぞれ
第一の薄肉部分３ｆ内に存在している。
【００３３】
【実施例】（実験１）前述のようにして、図１に概略的
に示す進行波形光変調器を製造した。具体的には、Ｘカ
ットした３インチウエハー（ＬｉＮｂＯ３ 単結晶）か
らなる基板を使用して、チタン拡散プロセスとフォトリ
ソグラフィー法とによって、ウエハーの表面にマッハツ
ェンダー型の光導波を形成した。光導波路のサイズは１
／ｅ２で１０μｍであった。次いで、メッキプロセスに
より、ＣＰＷ電極を形成した。
に示す進行波形光変調器を製造した。具体的には、Ｘカ
ットした３インチウエハー（ＬｉＮｂＯ３ 単結晶）か
らなる基板を使用して、チタン拡散プロセスとフォトリ
ソグラフィー法とによって、ウエハーの表面にマッハツ
ェンダー型の光導波を形成した。光導波路のサイズは１
／ｅ２で１０μｍであった。次いで、メッキプロセスに
より、ＣＰＷ電極を形成した。
【００３４】このウエハー形状の基板の表面にレジスト
膜をコーティングし、マイクログラインダー加工機の定
盤にセットした。基板のオリフラ面を基準にして加工位
置の位置合わせを行った。基板の固定には、熱可塑性樹
脂ステッキワックス（日化精工製）を使用した。砥石と
しては、レジン系ボンドのダイヤモンド砥石であって、
粗さが♯６０００番の砥石を使用した。回転数を３００
００ｒｐｍとし、砥石の送り速度を０．３ｍｍ／秒と
し、基板の底面側を加工し、溝４を形成した。溝４を成
形する際には、最初に一定深さまで加工し、次いで細長
い溝部分４ａを成形した。溝４の入口の幅は１００μｍ
であり、第二の薄肉部分３ｅにおける深さは１０μｍで
あり、厚肉部分の幅は３０μｍであった。他の各部分の
寸法は後述する。
膜をコーティングし、マイクログラインダー加工機の定
盤にセットした。基板のオリフラ面を基準にして加工位
置の位置合わせを行った。基板の固定には、熱可塑性樹
脂ステッキワックス（日化精工製）を使用した。砥石と
しては、レジン系ボンドのダイヤモンド砥石であって、
粗さが♯６０００番の砥石を使用した。回転数を３００
００ｒｐｍとし、砥石の送り速度を０．３ｍｍ／秒と
し、基板の底面側を加工し、溝４を形成した。溝４を成
形する際には、最初に一定深さまで加工し、次いで細長
い溝部分４ａを成形した。溝４の入口の幅は１００μｍ
であり、第二の薄肉部分３ｅにおける深さは１０μｍで
あり、厚肉部分の幅は３０μｍであった。他の各部分の
寸法は後述する。
【００３５】また、ウエハー（基板３）の底面側に、他
のニオブ酸リチウム基板をエポキシ樹脂によって接着
し、補強した。この際、凹部４内には樹脂を充填しない
ようにした。次に、ウエハーを定盤から取り外し、有機
溶剤を用いた洗浄によってステッキワックスを除去し
た。ウエハーをダイシングソー加工機で切断し、各進行
波形光変調器に分割し、光導波路の端面を光学研磨し
た。
のニオブ酸リチウム基板をエポキシ樹脂によって接着
し、補強した。この際、凹部４内には樹脂を充填しない
ようにした。次に、ウエハーを定盤から取り外し、有機
溶剤を用いた洗浄によってステッキワックスを除去し
た。ウエハーをダイシングソー加工機で切断し、各進行
波形光変調器に分割し、光導波路の端面を光学研磨し
た。
【００３６】１．５μｍシングルモード光ファイバーを
保持した単芯ファイバーアレイを作製し、これを進行波
形光変調器に結合し、光ファイバーと光導波路とを調芯
し、紫外線硬化型樹脂によって接着した。
保持した単芯ファイバーアレイを作製し、これを進行波
形光変調器に結合し、光ファイバーと光導波路とを調芯
し、紫外線硬化型樹脂によって接着した。
【００３７】ネットワークアナライザによって透過特性
（Ｓ２１）および反射特性（Ｓ２２）を測定し、マイク
ロ波屈折率ｎｍ、特性インピーダンスＺｏ、電極損失α
を求めた。また、電気光学特性として半波長電圧Ｖπを
測定した。測定時には波長１．５５μｍの半導体レーザ
ーを入射し、電極には１ｋＨｚのノコギリ波を印加し
た。更に、光ファイバーの光軸調芯後の光の結合損失を
求めた。
（Ｓ２１）および反射特性（Ｓ２２）を測定し、マイク
ロ波屈折率ｎｍ、特性インピーダンスＺｏ、電極損失α
を求めた。また、電気光学特性として半波長電圧Ｖπを
測定した。測定時には波長１．５５μｍの半導体レーザ
ーを入射し、電極には１ｋＨｚのノコギリ波を印加し
た。更に、光ファイバーの光軸調芯後の光の結合損失を
求めた。
【００３８】第一の薄肉部分３ｆの厚さｔ（ＯＰ）を２
０μｍとし、第二の薄肉部分３ｅの厚さｔ（ｓｕｂ）を
１２．５μｍとし、電極２Ｂの幅Ｗ（ＥＬ）を１０μｍ
とし、光導波路６Ａ、６Ｂの光軸中心と電極２Ｂとの間
隔Ｍを１０μｍとし、電極ギャップＧを４２μｍとし、
電極の厚さｔ（ＥＬ）を３５μｍとした。そして、第一
の薄肉部分３ｆの幅（突起５の幅）Ｗ（ＯＰ）を、表１
に示すように変化させた。
０μｍとし、第二の薄肉部分３ｅの厚さｔ（ｓｕｂ）を
１２．５μｍとし、電極２Ｂの幅Ｗ（ＥＬ）を１０μｍ
とし、光導波路６Ａ、６Ｂの光軸中心と電極２Ｂとの間
隔Ｍを１０μｍとし、電極ギャップＧを４２μｍとし、
電極の厚さｔ（ＥＬ）を３５μｍとした。そして、第一
の薄肉部分３ｆの幅（突起５の幅）Ｗ（ＯＰ）を、表１
に示すように変化させた。
【００３９】
【表１】
【００４０】ｔ（ＯＰ）＝２０μｍ、Ｗ（ＯＰ）＝６０
μｍ以下のときにマイクロ波屈折率ｎｍを２．３以下に
制御することができる。また、ｔ（ＯＰ）が１５μｍ以
上、３０μｍ以下、Ｗ（ＯＰ）が３０μｍ以上、６０μ
ｍ以下のときに、特性インピーダンスの変化は小さく、
５０Ω±５Ω程度であった。また、Ｍを１０μｍにする
ことによって、速度整合を達成しつつ、駆動電圧Ｖπと
電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を従来構造に比べて１
Ｖ・ｃｍ程度の上昇に抑えることが可能である。
μｍ以下のときにマイクロ波屈折率ｎｍを２．３以下に
制御することができる。また、ｔ（ＯＰ）が１５μｍ以
上、３０μｍ以下、Ｗ（ＯＰ）が３０μｍ以上、６０μ
ｍ以下のときに、特性インピーダンスの変化は小さく、
５０Ω±５Ω程度であった。また、Ｍを１０μｍにする
ことによって、速度整合を達成しつつ、駆動電圧Ｖπと
電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を従来構造に比べて１
Ｖ・ｃｍ程度の上昇に抑えることが可能である。
【００４１】（実験２）実験１と同様にして進行波形光
変調器を製造し、各特性を試験した。ただし、ｔ（Ｏ
Ｐ）を２０μｍとし、Ｗ（ＥＬ）を１０μｍとし、Ｍを
１０μｍとし、Ｇを４２μｍとし、ｔ（ＥＬ）を３５μ
ｍとした。そして、第二の薄肉部分３ｅの厚さｔ（ｓｕ
ｂ）を６−１２．５μｍの間で変化させた。この結果を
表２に示す。
変調器を製造し、各特性を試験した。ただし、ｔ（Ｏ
Ｐ）を２０μｍとし、Ｗ（ＥＬ）を１０μｍとし、Ｍを
１０μｍとし、Ｇを４２μｍとし、ｔ（ＥＬ）を３５μ
ｍとした。そして、第二の薄肉部分３ｅの厚さｔ（ｓｕ
ｂ）を６−１２．５μｍの間で変化させた。この結果を
表２に示す。
【００４２】
【表２】
【００４３】上記のように、本例の進行波形光変調器
は、低いｎｍ、高いＺｏを実現でき、かつＶπ．Ｌもｔ
（ｓｕｂ）やＷ（ＯＰ）の数値の選択によって抑制で
き、かつ光の結合損失も著しく低減できる。
は、低いｎｍ、高いＺｏを実現でき、かつＶπ．Ｌもｔ
（ｓｕｂ）やＷ（ＯＰ）の数値の選択によって抑制で
き、かつ光の結合損失も著しく低減できる。
【００４４】（実験例３）図１に示す進行波型光変調器
に対して準ＴＥＭ解析を行い、その駆動電圧・電極長の
積ＶπＬと、光導波路６Ｂの中心電極２Ｂからの距離Ｘ
との関係を詳細に検討した。図３は、準ＴＥＭ解析によ
るシュミレーション結果を示すグラフである。なお、図
３に示すシュミレーション結果は、Ｗ（ＯＰ）をパラメ
ータとして、複数のＷ（ＯＰ）値に対し、ＶπＬとＸと
の関係を求めたものである。
に対して準ＴＥＭ解析を行い、その駆動電圧・電極長の
積ＶπＬと、光導波路６Ｂの中心電極２Ｂからの距離Ｘ
との関係を詳細に検討した。図３は、準ＴＥＭ解析によ
るシュミレーション結果を示すグラフである。なお、図
３に示すシュミレーション結果は、Ｗ（ＯＰ）をパラメ
ータとして、複数のＷ（ＯＰ）値に対し、ＶπＬとＸと
の関係を求めたものである。
【００４５】さらに、上記シュミレーションは、Ｗ（Ｅ
Ｌ）が３０μｍ、Ｇが４０μｍ、ｔ（ＯＰ）が１５μ
ｍ、ｔ（ｓｕｂ）が１０μｍ、ｔ（ＥＬ）が３０μｍな
る条件にて実施した。また、光導波路６Ｂが図面横方向
において３μｍ、図面縦方向において２μｍのスポット
半径（電界１／ｅ）のを有する場合を想定した。
Ｌ）が３０μｍ、Ｇが４０μｍ、ｔ（ＯＰ）が１５μ
ｍ、ｔ（ｓｕｂ）が１０μｍ、ｔ（ＥＬ）が３０μｍな
る条件にて実施した。また、光導波路６Ｂが図面横方向
において３μｍ、図面縦方向において２μｍのスポット
半径（電界１／ｅ）のを有する場合を想定した。
【００４６】図３から明らかなように、Ｘ＝２２〜３２
μｍにおいてＶπＬは極大を示すが、光導波路６Ｂが中
心電極２Ｂに近づくにつれて、ＶπＬが減少することが
分かる。すなわち、図１に示す構成の進行波型光変調器
においては、光導波路を中心電極に近づけることによっ
てＶπＬを低減できることが分かる。また、光導波路６
Ｂは第一の薄肉部分３ｆに位置するようになるため、光
の結合損失の低減をも同時に達成することができる。
μｍにおいてＶπＬは極大を示すが、光導波路６Ｂが中
心電極２Ｂに近づくにつれて、ＶπＬが減少することが
分かる。すなわち、図１に示す構成の進行波型光変調器
においては、光導波路を中心電極に近づけることによっ
てＶπＬを低減できることが分かる。また、光導波路６
Ｂは第一の薄肉部分３ｆに位置するようになるため、光
の結合損失の低減をも同時に達成することができる。
【００４７】一方、光導波路６Ｂを中心電極２Ｂより遠
ざけることによってもＶπＬが減少する。しかしなが
ら、この場合においては、光導波路６Ｂが第二の薄肉部
分３ｅに位置するようになる。したがって、光導波路６
Ｂが偏平化してしまい、光の結合損失が増大してしま
う。
ざけることによってもＶπＬが減少する。しかしなが
ら、この場合においては、光導波路６Ｂが第二の薄肉部
分３ｅに位置するようになる。したがって、光導波路６
Ｂが偏平化してしまい、光の結合損失が増大してしま
う。
【００４８】Ｔｉ熱拡散法を用いれば、スポット径が５
〜１５μｍの光導波路を簡易に形成することができる。
したがって、上述したシュミレーション結果に基づい
て、ＶπＬ低減と光の結合損失の低減とを十分に達成す
ることができる。また、エピタキシャル技術、プロトン
交換技術を用いれば、モードフィールド直径が１μｍ程
度のものを得ることができる。したがって、光導波路と
中心電極との距離を１μｍ程度まで低減することがで
き、この結果として、ＶπＬをさらに低減できることが
推察される。
〜１５μｍの光導波路を簡易に形成することができる。
したがって、上述したシュミレーション結果に基づい
て、ＶπＬ低減と光の結合損失の低減とを十分に達成す
ることができる。また、エピタキシャル技術、プロトン
交換技術を用いれば、モードフィールド直径が１μｍ程
度のものを得ることができる。したがって、光導波路と
中心電極との距離を１μｍ程度まで低減することがで
き、この結果として、ＶπＬをさらに低減できることが
推察される。
【００４９】（実験４）本実験例においては、図１に示
す進行波型光変調器の変形例である、図４に示すような
進行波型光変調器に対して準ＴＥＭ解析を行い、その特
性を詳細に検討した。図４に示す進行波型光変調器にお
いては、第一の薄肉部分３ｅを中心部分に設け、第二の
薄肉部分３ｆをその両側に位置するように設けている。
そして、図１に示す進行波型光変調器と同様に、第二の
薄肉部分３ｆにおいて光導波路６Ａ及び６Ｂを位置させ
ている。
す進行波型光変調器の変形例である、図４に示すような
進行波型光変調器に対して準ＴＥＭ解析を行い、その特
性を詳細に検討した。図４に示す進行波型光変調器にお
いては、第一の薄肉部分３ｅを中心部分に設け、第二の
薄肉部分３ｆをその両側に位置するように設けている。
そして、図１に示す進行波型光変調器と同様に、第二の
薄肉部分３ｆにおいて光導波路６Ａ及び６Ｂを位置させ
ている。
【００５０】図５は、速度整合する中心電極２Ｂの高さ
Ｔｍ（μｍ）と第一の薄肉部分３ｅを構成する凹部４の
半幅値ＧＬＮ（μｍ）との関係を示し、図６は、進行波
型光変調器の特性インピーダンスＺ（Ω）と半幅値ＧＬ
Ｎとの関係を示すシュミレーション結果である。図７
は、駆動電圧・電極長の積ＶπＬと半幅値ＧＬＮとの関
係を示すシュミレーション結果である。
Ｔｍ（μｍ）と第一の薄肉部分３ｅを構成する凹部４の
半幅値ＧＬＮ（μｍ）との関係を示し、図６は、進行波
型光変調器の特性インピーダンスＺ（Ω）と半幅値ＧＬ
Ｎとの関係を示すシュミレーション結果である。図７
は、駆動電圧・電極長の積ＶπＬと半幅値ＧＬＮとの関
係を示すシュミレーション結果である。
【００５１】なお、Ｗ（ＥＬ）は３０μｍとし、Ｇは４
０μｍとし、ｔ（ＯＰ）は１５μｍとし、進行波型光変
調器の中心から光導波路６Ｂまでの距離Ｘｗを５０μｍ
としてシュミレーションを実施した。
０μｍとし、ｔ（ＯＰ）は１５μｍとし、進行波型光変
調器の中心から光導波路６Ｂまでの距離Ｘｗを５０μｍ
としてシュミレーションを実施した。
【００５２】このシュミレーション結果より、ｔ（ｓｕ
ｂ）＝１０μｍ、ＧＬＮ＝４５μｍの場合において、特
性インピーダンスが約５０Ω近傍の値を取るようになる
とともに、ＶπＬも１３Ｖｃｍ以下の値を取るようにな
り、高速変調可能であることが分かる。この場合におい
ても、エピタキシャル技術、プロトン交換技術を用いる
ことにより、モードフィールド直径が１μｍ程度のもの
を形成することができる。この結果、光導波路６Ｂを電
極２Ｃより２μｍ程度の位置まで寄せてＸｗ値が４８μ
ｍ程度となるように配置すれば、ＶπＬをさらに低減す
ることができる。
ｂ）＝１０μｍ、ＧＬＮ＝４５μｍの場合において、特
性インピーダンスが約５０Ω近傍の値を取るようになる
とともに、ＶπＬも１３Ｖｃｍ以下の値を取るようにな
り、高速変調可能であることが分かる。この場合におい
ても、エピタキシャル技術、プロトン交換技術を用いる
ことにより、モードフィールド直径が１μｍ程度のもの
を形成することができる。この結果、光導波路６Ｂを電
極２Ｃより２μｍ程度の位置まで寄せてＸｗ値が４８μ
ｍ程度となるように配置すれば、ＶπＬをさらに低減す
ることができる。
【００５３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、電
極を伝搬するマイクロ波と光導波路を伝搬する光との間
の速度整合を達成しつつ、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬ
との積（Ｖπ・Ｌ）が小さく、かつ光の結合損失の小さ
い進行波形光変調器を提供できる。
極を伝搬するマイクロ波と光導波路を伝搬する光との間
の速度整合を達成しつつ、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬ
との積（Ｖπ・Ｌ）が小さく、かつ光の結合損失の小さ
い進行波形光変調器を提供できる。
【図１】本発明の一実施形態に係る進行波形光変調器１
を概略的に示す断面図である。
を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る進行波形光変調器
１Ａを概略的に示す断面図である。
１Ａを概略的に示す断面図である。
【図３】図１に示す進行波型光変調器１における駆動電
圧・電極長の積ＶπＬのシュミレーション結果を示すグ
ラフである。
圧・電極長の積ＶπＬのシュミレーション結果を示すグ
ラフである。
【図４】図１に示す進行波型光変調器１の変形例を概略
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図５】図４に示す進行波型光変調器における中心電極
の、速度整合する高さＴｍのシュミレーション結果を示
すグラフである。
の、速度整合する高さＴｍのシュミレーション結果を示
すグラフである。
【図６】図４に示す進行波型光変調器における特性イン
ピーダンスのシュミレーション結果を示すグラフであ
る。
ピーダンスのシュミレーション結果を示すグラフであ
る。
【図７】図４にしめづ進行波型光変調器における駆動電
圧・電極長の積ＶπＬのシュミレーション結果を示すグ
ラフである。
圧・電極長の積ＶπＬのシュミレーション結果を示すグ
ラフである。
１、１Ａ 進行波形光変調器 ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ 電極
３ 基板 ３ａ 基板３の表面 ３ｂ 基板３の底面
３ｃ 基板３の端面 ３ｄ 基板３の厚肉部分 ３ｅ
第二の薄肉部分 ３ｆ 第一の薄肉部分 ４ 凹部
５突起 ６Ａ、６Ｂ 光導波路 Ｇ 電極ギャップ Ｍ
光導波路の光軸の中心と中心電極との間隔 Ｗ（Ｅ
Ｌ） 中心電極の幅 Ｗ（ＯＰ） 第一の薄肉部分３ｆ
の幅 ｔ（ＥＬ） 電極の厚さ ｔ（ｓｕｂ） 第二の
薄肉部分の厚さ
３ 基板 ３ａ 基板３の表面 ３ｂ 基板３の底面
３ｃ 基板３の端面 ３ｄ 基板３の厚肉部分 ３ｅ
第二の薄肉部分 ３ｆ 第一の薄肉部分 ４ 凹部
５突起 ６Ａ、６Ｂ 光導波路 Ｇ 電極ギャップ Ｍ
光導波路の光軸の中心と中心電極との間隔 Ｗ（Ｅ
Ｌ） 中心電極の幅 Ｗ（ＯＰ） 第一の薄肉部分３ｆ
の幅 ｔ（ＥＬ） 電極の厚さ ｔ（ｓｕｂ） 第二の
薄肉部分の厚さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 謙治 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 三冨 修 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA12 BA01 CA04 DA03 EA05 EB04 HA12 JA01 JA05 KA11
Claims (5)
- 【請求項１】相対向する表面と底面とを備えている電気
光学材料からなる基板、この基板の前記表面側に形成さ
れている光導波路、および前記基板の前記表面上に形成
されており、前記光導波路内を伝搬する光を変調するた
めの電極を備えている進行波形光変調器であって、 少なくとも前記光導波路の領域において前記基板の前記
底面から凹んでいる凹部が設けられており、前記基板
が、前記底面が設けられている厚肉部分、前記凹部に面
する第一の薄肉部分および前記凹部に面する第二の薄肉
部分を備えており、前記第一の薄肉部分内に前記光導波
路が設けられており、前記第一の薄肉部分が前記第二の
薄肉部分よりも厚いことを特徴とする、進行波形光変調
器。 - 【請求項２】前記第一の薄肉部分の厚さｔ（ＯＰ）が１
μｍ以上、１００μｍ以下であり、前記第二の薄肉部分
の厚さｔ（ｓｕｂ）が前記第一の薄肉部分の厚さｔ（Ｏ
Ｐ）未満であることを特徴とする、請求項１記載の進行
波形光変調器。 - 【請求項３】前記第一の薄肉部分の厚さｔ（ＯＰ）と前
記第二の薄肉部分の厚さｔ（ｓｕｂ）との差が１μｍ以
上であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の進
行波型光変調器。 - 【請求項４】前記第一の薄肉部分の幅Ｗ（ＯＰ）が、
［Ｗ（ＥＬ）＋２μｍ］以上、［Ｗ（ＥＬ）＋２Ｇ］以
下（Ｗ（ＥＬ）は、前記光を変調するための中心電極の
幅である。Ｇは前記電極間のギャップである）であるこ
とを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の進
行波形光変調器。 - 【請求項５】前記第一の薄肉部分内において、前記光導
波路の光軸中心と前記電極との間隔が０．５μｍ以上で
あることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記
載の進行波形光変調器。
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Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012533A1 (fr) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Modulateur optique |
| WO2003079104A1 (fr) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Procede pour produire un modulateur optique |
| EP1441250A2 (en) | 2003-01-14 | 2004-07-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrode systems for optical modulation and optical modulators |
| WO2005019913A1 (ja) | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Ngk Insulators, Ltd. | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 |
| US7035485B2 (en) | 2001-11-16 | 2006-04-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device, and a travelling wave form optical modulator |
| JP2006309124A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| US7319800B2 (en) | 2004-05-18 | 2008-01-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device |
| US7382942B2 (en) | 2005-11-10 | 2008-06-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide devices |
| US7389030B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-06-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Optically functional device |
| US7406756B2 (en) | 2003-10-22 | 2008-08-05 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a piezoelectric resonator |
| US7446696B2 (en) | 2004-07-14 | 2008-11-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Radio oscillating and radar systems |
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| EP2073053A1 (en) | 2007-12-18 | 2009-06-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical modulators |
| WO2009096170A1 (ja) | 2008-01-28 | 2009-08-06 | National Institute Of Information And Communications Technology | 超平坦光周波数コム信号発生器 |
| JP2009244810A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| US7787773B1 (en) | 2005-09-16 | 2010-08-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Radio oscillating and radar systems |
| US7936996B2 (en) | 2005-08-24 | 2011-05-03 | National Institute Of Information And Communications Technology | Automatic adjusting system of frequency shift keying modulator |
| US7957653B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-06-07 | National Institute Of Information And Communications Technology | Phase control optical FSK modulator |
| US7991298B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-08-02 | National Institute Of Information And Communications Technology | DSB-SC modulation system capable of erasing carrier and secondary component |
| US8023775B2 (en) | 2006-03-15 | 2011-09-20 | National Institute Of Information And Communications Technology | Super flat optical frequency comb signal generator |
| US8135241B2 (en) | 2008-06-26 | 2012-03-13 | Fujitsu Limited | Optical modulation device utilizing electro-optic effect |
| US8233752B2 (en) | 2008-01-31 | 2012-07-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Curved optical waveguide in gap between electrodes device |
| US8270780B2 (en) | 2005-12-01 | 2012-09-18 | National Institute Of Information And Communications Technology | Optical switch system using optical interference |
| US8682177B2 (en) | 2006-06-23 | 2014-03-25 | National Institute Of Information And Communications Technology | Super high speed optical frequency sweeping technology |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6958852B2 (en) * | 2003-01-07 | 2005-10-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical modulator, method of achieving velocity matching and impedance matching of optical modulator, and method of manufacturing optical modulator |
| US6930817B2 (en) | 2003-04-25 | 2005-08-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Configurable grating based on surface relief pattern for use as a variable optical attenuator |
| JP2005091698A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Ngk Insulators Ltd | 光変調器 |
| US7054054B1 (en) | 2004-12-20 | 2006-05-30 | Palo Alto Research Center Incorporated | Optical modulator with a traveling surface relief pattern |
| JP4665134B2 (ja) * | 2005-08-08 | 2011-04-06 | 独立行政法人情報通信研究機構 | 光搬送波抑圧両側波帯変調器を用いた４倍波発生システム |
| JP4759665B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2011-08-31 | 独立行政法人情報通信研究機構 | 往復逓倍変調システム |
| JP4696264B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2011-06-08 | 独立行政法人情報通信研究機構 | 強度バランス機能を有する光ｆｓｋ／ｓｓｂ変調器 |
| JP4552032B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2010-09-29 | 独立行政法人情報通信研究機構 | 高次成分を消去可能な光振幅変調システム |
| JP5298849B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2013-09-25 | 住友大阪セメント株式会社 | 光制御素子 |
| JP5254855B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-08-07 | 日本碍子株式会社 | 進行波型光変調器 |
| US9804475B1 (en) | 2015-04-16 | 2017-10-31 | Aurrion, Inc. | Radio-frequency loss reduction in photonic circuits |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4251130A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Velocity matched optical gate |
| US4776656A (en) * | 1987-04-27 | 1988-10-11 | Polaroid Corporation | TE-TM mode converter |
| JP2663486B2 (ja) | 1988-03-11 | 1997-10-15 | 富士通株式会社 | 光導波路型変調器 |
| JPH04179931A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 導波型光デバイス |
| US5313535A (en) * | 1992-02-27 | 1994-05-17 | Nynex Corporation | Optical path length modulator |
| JP2928129B2 (ja) * | 1995-03-29 | 1999-08-03 | 日本電気株式会社 | 光変調器及びその製造方法 |
| JPH08304862A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Kyocera Corp | 光デバイス |
| US5790719A (en) * | 1995-11-28 | 1998-08-04 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical control device |
| JP2873203B2 (ja) * | 1996-06-14 | 1999-03-24 | 住友大阪セメント株式会社 | 導波路型光デバイス |
| JP3603977B2 (ja) | 1996-09-06 | 2004-12-22 | 日本碍子株式会社 | 進行波形光変調器およびその製造方法 |
| US5886807A (en) | 1997-01-24 | 1999-03-23 | California Institute Of Technology | Traveling-wave reflective electro-optic modulator |
| US6226423B1 (en) | 1998-09-11 | 2001-05-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide element |
| US6069729A (en) * | 1999-01-20 | 2000-05-30 | Northwestern University | High speed electro-optic modulator |
| US6172791B1 (en) * | 1999-06-04 | 2001-01-09 | Lucent Technologies Inc. | Electro-optic modulators |
| JP3954251B2 (ja) * | 1999-08-27 | 2007-08-08 | 日本碍子株式会社 | 進行波形光変調器 |
| JP2001174765A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Ngk Insulators Ltd | 進行波形光変調器 |
| DE60107360T2 (de) * | 2000-09-22 | 2005-11-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Optischer Wanderwellenmodulator |
-
2001
- 2001-03-02 JP JP2001058083A patent/JP4471520B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-17 US US09/954,368 patent/US6556727B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012533A1 (fr) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Modulateur optique |
| US7035485B2 (en) | 2001-11-16 | 2006-04-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device, and a travelling wave form optical modulator |
| WO2003079104A1 (fr) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Procede pour produire un modulateur optique |
| EP1441250A2 (en) | 2003-01-14 | 2004-07-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrode systems for optical modulation and optical modulators |
| JP2004219600A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Ngk Insulators Ltd | 光変調用電極および光変調器 |
| EP1657588A1 (en) * | 2003-08-21 | 2006-05-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device and traveling wave type opticalmodulator |
| EP2237105A2 (en) | 2003-08-21 | 2010-10-06 | NGK Insulators, Ltd. | Optical waveguide devices and travelling wave type optical modulators |
| JP5063001B2 (ja) * | 2003-08-21 | 2012-10-31 | 日本碍子株式会社 | 進行波形光変調器 |
| EP1657588A4 (en) * | 2003-08-21 | 2007-11-14 | Ngk Insulators Ltd | OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND OPTICAL WAVE-TYPE TYPE OPTIC MODULATOR |
| WO2005019913A1 (ja) | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Ngk Insulators, Ltd. | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 |
| US7502530B2 (en) | 2003-08-21 | 2009-03-10 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide devices and traveling wave type optical modulators |
| US7406756B2 (en) | 2003-10-22 | 2008-08-05 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a piezoelectric resonator |
| US7319800B2 (en) | 2004-05-18 | 2008-01-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device |
| US7446696B2 (en) | 2004-07-14 | 2008-11-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Radio oscillating and radar systems |
| US7389030B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-06-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Optically functional device |
| JP4691428B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-01 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
| JP2006309124A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| US7936996B2 (en) | 2005-08-24 | 2011-05-03 | National Institute Of Information And Communications Technology | Automatic adjusting system of frequency shift keying modulator |
| US7991298B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-08-02 | National Institute Of Information And Communications Technology | DSB-SC modulation system capable of erasing carrier and secondary component |
| US7787773B1 (en) | 2005-09-16 | 2010-08-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Radio oscillating and radar systems |
| US7957653B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-06-07 | National Institute Of Information And Communications Technology | Phase control optical FSK modulator |
| US7382942B2 (en) | 2005-11-10 | 2008-06-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide devices |
| US8270780B2 (en) | 2005-12-01 | 2012-09-18 | National Institute Of Information And Communications Technology | Optical switch system using optical interference |
| US8023775B2 (en) | 2006-03-15 | 2011-09-20 | National Institute Of Information And Communications Technology | Super flat optical frequency comb signal generator |
| US8682177B2 (en) | 2006-06-23 | 2014-03-25 | National Institute Of Information And Communications Technology | Super high speed optical frequency sweeping technology |
| EP2073052A1 (en) | 2007-12-18 | 2009-06-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical modulators |
| US7809218B2 (en) | 2007-12-18 | 2010-10-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical modulators |
| EP2073053A1 (en) | 2007-12-18 | 2009-06-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical modulators |
| US7787714B2 (en) | 2007-12-18 | 2010-08-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical modulators |
| WO2009096170A1 (ja) | 2008-01-28 | 2009-08-06 | National Institute Of Information And Communications Technology | 超平坦光周波数コム信号発生器 |
| US8233752B2 (en) | 2008-01-31 | 2012-07-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Curved optical waveguide in gap between electrodes device |
| JP2009244810A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| US8135241B2 (en) | 2008-06-26 | 2012-03-13 | Fujitsu Limited | Optical modulation device utilizing electro-optic effect |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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