JP2002164168A - 有機発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
有機発光ダイオードの製造方法Info
- Publication number
- JP2002164168A JP2002164168A JP2001029545A JP2001029545A JP2002164168A JP 2002164168 A JP2002164168 A JP 2002164168A JP 2001029545 A JP2001029545 A JP 2001029545A JP 2001029545 A JP2001029545 A JP 2001029545A JP 2002164168 A JP2002164168 A JP 2002164168A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic light
- substrate
- light emitting
- anode
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229920001688 coating polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 水分を含んだ環境下に曝されることによるデ
バイス信頼性の低下と、複数個の平行バー状のインジウ
ムスズ酸化物電極間におけるクロストークの発生とを防
止して、デバイスの性能を向上させ、かつ製造プロセス
を簡略化する有機発光ダイオードの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 少なくとも、基板を提供するステップ
と、基板に陽極位置をパターニングし、乾式エッチング
を行なって、複数個の平行バー状の溝を形成するステッ
プと、基板に導体膜を形成して、複数個の平行バー状の
溝を充填し、複数個の陽極を形成するステップと、基板
上に有機発光層を形成するステップと、有機発光層上に
複数個の陰極を形成するステップとから構成される。
バイス信頼性の低下と、複数個の平行バー状のインジウ
ムスズ酸化物電極間におけるクロストークの発生とを防
止して、デバイスの性能を向上させ、かつ製造プロセス
を簡略化する有機発光ダイオードの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 少なくとも、基板を提供するステップ
と、基板に陽極位置をパターニングし、乾式エッチング
を行なって、複数個の平行バー状の溝を形成するステッ
プと、基板に導体膜を形成して、複数個の平行バー状の
溝を充填し、複数個の陽極を形成するステップと、基板
上に有機発光層を形成するステップと、有機発光層上に
複数個の陰極を形成するステップとから構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機発光ダイオ
ード（Organic Light Emitting Diode = OLED）の製造
方法に関し、特に、有機発光ダイオードの平行バー状の
インジウムスズ酸化物電極間にクロストーク（Cross Ta
lk）が発生することを防止する製造方法に関する。
ード（Organic Light Emitting Diode = OLED）の製造
方法に関し、特に、有機発光ダイオードの平行バー状の
インジウムスズ酸化物電極間にクロストーク（Cross Ta
lk）が発生することを防止する製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機発光ダイオードは、電気エネルギー
を光エネルギーに変換することができるとともに、高変
換効率を有する半導体デバイスであり、よく見られる用
途としては、表示ランプ、表示パネルおよび光学読書き
ヘッドの発光デバイス等がある。有機発光ダイオードデ
バイスは、いくつかの特性、例えば無視角で、製造工程
が容易であり、低コストで、高い応答速度であり、使用
温度の範囲が広く、フルカラー化されている等の特性を
備えているため、マルチメディア時代におけるディスプ
レイ特性ニーズに適合しており、現在、盛んに研究が行
われている。
を光エネルギーに変換することができるとともに、高変
換効率を有する半導体デバイスであり、よく見られる用
途としては、表示ランプ、表示パネルおよび光学読書き
ヘッドの発光デバイス等がある。有機発光ダイオードデ
バイスは、いくつかの特性、例えば無視角で、製造工程
が容易であり、低コストで、高い応答速度であり、使用
温度の範囲が広く、フルカラー化されている等の特性を
備えているため、マルチメディア時代におけるディスプ
レイ特性ニーズに適合しており、現在、盛んに研究が行
われている。
【０００３】有機発光ダイオードの基本構造は、ガラス
基板、金属電極、インジウムスズ酸化物（ITO）電極お
よび有機発光層(Emitting Layer = EL)を備えるもので
あって、有機発光ダイオードの基本発光原理は、金属電
極を陰極とし、インジウムスズ酸化物電極を陽極とし
て、順方向バイアスを両極間に印加すると、電子と正孔
とが、それぞれ金属電極とインジウムスズ酸化物電極と
の界面から発光層へと注入されて、２種類のキャリアが
発光層中で出会い、発光再結合（Radiative Recombinat
ion）により光子（Photon）を発生することで、発光現
象を達成するというものである。また、電子の伝導速度
が正孔の伝導速度より速いことから、電子と正孔との伝
導平衡パラメーターを約１という条件にするために、イ
ンジウムスズ酸化物電極と発光層との間に正孔注入層
（Hole Injection Layer = HIL）と正孔伝導層（Hole T
ransport Layer = HTL）とを形成するとともに、発光層
と金属電極との間に電子注入層（Electron Injection L
ayer = EIL）と 電子伝導層（ Electron Transport Lay
er = ETL）を形成させることで、キャリアが材料の差異
に応じて、電子と正孔との注入／伝導平衡を達成できる
ようにしている。
基板、金属電極、インジウムスズ酸化物（ITO）電極お
よび有機発光層(Emitting Layer = EL)を備えるもので
あって、有機発光ダイオードの基本発光原理は、金属電
極を陰極とし、インジウムスズ酸化物電極を陽極とし
て、順方向バイアスを両極間に印加すると、電子と正孔
とが、それぞれ金属電極とインジウムスズ酸化物電極と
の界面から発光層へと注入されて、２種類のキャリアが
発光層中で出会い、発光再結合（Radiative Recombinat
ion）により光子（Photon）を発生することで、発光現
象を達成するというものである。また、電子の伝導速度
が正孔の伝導速度より速いことから、電子と正孔との伝
導平衡パラメーターを約１という条件にするために、イ
ンジウムスズ酸化物電極と発光層との間に正孔注入層
（Hole Injection Layer = HIL）と正孔伝導層（Hole T
ransport Layer = HTL）とを形成するとともに、発光層
と金属電極との間に電子注入層（Electron Injection L
ayer = EIL）と 電子伝導層（ Electron Transport Lay
er = ETL）を形成させることで、キャリアが材料の差異
に応じて、電子と正孔との注入／伝導平衡を達成できる
ようにしている。
【０００４】図１において、従来技術にかかる有機発光
ダイオードの製造プロセスの要部断面図を示すと、先
ず、基板１０を提供するが、この基板１０を例えばガラ
スとして、基板１０上にインジウムスズ酸化物の陽極１
４を形成させるものであって、陽極１４の形成方法とし
ては、蒸着またはスパッタリングにより基板１０上にイ
ンジウムスズ酸化物膜を形成するものである。次に、こ
のインジウムスズ酸化物をパターニングして陽極１４を
位置決めして、湿式エッチングを行なうと、複数個の平
行バー状のインジウムスズ酸化物陽極１４が形成される
ものであり、複数個の平行バー状のインジウムスズ酸化
物陽極１４間にクロストークが発生することを防止する
ため、通常はスピンコーティング（Spin Coating）で複
数個の平行バー状のインジウムスズ酸化物電極１４間に
ポリマー層１２を形成することにより、平行バー状のイ
ンジウムスズ酸化物陽極１４間を分離する目的を達成す
ると同時に、局部平坦化の効果をも達成している。続い
て、インジウムスズ酸化物電極１４上に有機発光層１６
を形成し、最後に、有機発光層１６上に陰極１８を形成
すれば、有機発光ダイオードデバイスが形成されるもの
である。
ダイオードの製造プロセスの要部断面図を示すと、先
ず、基板１０を提供するが、この基板１０を例えばガラ
スとして、基板１０上にインジウムスズ酸化物の陽極１
４を形成させるものであって、陽極１４の形成方法とし
ては、蒸着またはスパッタリングにより基板１０上にイ
ンジウムスズ酸化物膜を形成するものである。次に、こ
のインジウムスズ酸化物をパターニングして陽極１４を
位置決めして、湿式エッチングを行なうと、複数個の平
行バー状のインジウムスズ酸化物陽極１４が形成される
ものであり、複数個の平行バー状のインジウムスズ酸化
物陽極１４間にクロストークが発生することを防止する
ため、通常はスピンコーティング（Spin Coating）で複
数個の平行バー状のインジウムスズ酸化物電極１４間に
ポリマー層１２を形成することにより、平行バー状のイ
ンジウムスズ酸化物陽極１４間を分離する目的を達成す
ると同時に、局部平坦化の効果をも達成している。続い
て、インジウムスズ酸化物電極１４上に有機発光層１６
を形成し、最後に、有機発光層１６上に陰極１８を形成
すれば、有機発光ダイオードデバイスが形成されるもの
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機発
光ダイオードデバイス中の有機発光層が水分を含む環境
下に曝される場合、例えば湿式エッチングプロセスおよ
びスピンコーティングプロセスにおいては、デバイスの
信頼性（Reliability）が低下してしまうので、一般
に、デバイスはパッケージ完了後に初めて大気下に曝さ
れることになっていたが、従来技術では有機発光層１６
を形成する前において、陽極１４を形成する時ならびに
ポリマー層１２をスピンコーティングする時に、いずれ
も湿式エッチングを採用していた。従って、有機発光層
１６を形成する前に、基板１０上に付着した水分を除去
するため、例えば乾燥させて水分を除去するというよう
に、通常いくつかの前処理を行なう必要があり、製造プ
ロセスがより煩雑なものとなっていた。
光ダイオードデバイス中の有機発光層が水分を含む環境
下に曝される場合、例えば湿式エッチングプロセスおよ
びスピンコーティングプロセスにおいては、デバイスの
信頼性（Reliability）が低下してしまうので、一般
に、デバイスはパッケージ完了後に初めて大気下に曝さ
れることになっていたが、従来技術では有機発光層１６
を形成する前において、陽極１４を形成する時ならびに
ポリマー層１２をスピンコーティングする時に、いずれ
も湿式エッチングを採用していた。従って、有機発光層
１６を形成する前に、基板１０上に付着した水分を除去
するため、例えば乾燥させて水分を除去するというよう
に、通常いくつかの前処理を行なう必要があり、製造プ
ロセスがより煩雑なものとなっていた。
【０００６】そこで、この発明の第１の目的は、有機発
光ダイオード中のインジウムスズ酸化物陽極の形成を真
空条件下で行って、デバイスが水分を含んだ環境下に曝
されるためデバイスの信頼性が低下することを防止す
る、有機発光ダイオードの製造方法を提供することにあ
る。また、この発明の第２の目的は、複数個の平行バー
状のインジウムスズ酸化物電極を基板の溝内に形成する
ことにより、複数個の平行バー状のインジウムスズ酸化
物電極間にクロストークが発生するのを防止して、デバ
イスの性能を向上するとともに、従来技術のポリマーの
スピンコーティングを省略して、製造プロセスを簡略化
することにある。
光ダイオード中のインジウムスズ酸化物陽極の形成を真
空条件下で行って、デバイスが水分を含んだ環境下に曝
されるためデバイスの信頼性が低下することを防止す
る、有機発光ダイオードの製造方法を提供することにあ
る。また、この発明の第２の目的は、複数個の平行バー
状のインジウムスズ酸化物電極を基板の溝内に形成する
ことにより、複数個の平行バー状のインジウムスズ酸化
物電極間にクロストークが発生するのを防止して、デバ
イスの性能を向上するとともに、従来技術のポリマーの
スピンコーティングを省略して、製造プロセスを簡略化
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、所望
の目的を達成するために、この発明にかかる有機発光ダ
イオードの製造方法は、少なくとも、基板を提供するス
テップと、基板に陽極位置をパターニングし、乾式エッ
チングを行なって、複数個の平行バー状の溝を形成する
ステップと、基板に導体膜を形成して、複数個の平行バ
ー状の溝を充填し、複数個の陽極を形成するステップ
と、基板上に有機発光層を形成するステップと、有機発
光層上に複数個の陰極を形成するステップとから構成さ
れるものである。
の目的を達成するために、この発明にかかる有機発光ダ
イオードの製造方法は、少なくとも、基板を提供するス
テップと、基板に陽極位置をパターニングし、乾式エッ
チングを行なって、複数個の平行バー状の溝を形成する
ステップと、基板に導体膜を形成して、複数個の平行バ
ー状の溝を充填し、複数個の陽極を形成するステップ
と、基板上に有機発光層を形成するステップと、有機発
光層上に複数個の陰極を形成するステップとから構成さ
れるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明にかかる好適な実
施例を図面に基づいて説明する。図２から図５におい
て、この発明の実施例にかかる有機発光ダイオードの製
造プロセスを説明すると、先ず、図２において、基板２
０を提供するが、この基板２０の材料を例えば透明のガ
ラスまたはプラスティックとする。そして、マスク２２
を基板２０下方に移動するが、このマスクは、複数個の
平行バー状パターンを有するマスクであるので、陽極の
位置をパターニングするのに用いられる。
施例を図面に基づいて説明する。図２から図５におい
て、この発明の実施例にかかる有機発光ダイオードの製
造プロセスを説明すると、先ず、図２において、基板２
０を提供するが、この基板２０の材料を例えば透明のガ
ラスまたはプラスティックとする。そして、マスク２２
を基板２０下方に移動するが、このマスクは、複数個の
平行バー状パターンを有するマスクであるので、陽極の
位置をパターニングするのに用いられる。
【０００９】次に、図３において、マスク２２で陽極位
置をパターニングした後、基板２０に対して乾式エッチ
ングが行なうが、この乾式エッチングは、例えば無線周
波数（Radio Frequency = RF）を反応室へ導入してプラ
ズマを発生させてから、反応ガスである四フッ化炭素を
流入させ、イオン衝撃により基板２０上のマスク２２に
被覆されていない領域に対して乾式エッチングを行い、
基板２０に複数個の平行バー状の溝２３を形成して、陽
極位置とする。
置をパターニングした後、基板２０に対して乾式エッチ
ングが行なうが、この乾式エッチングは、例えば無線周
波数（Radio Frequency = RF）を反応室へ導入してプラ
ズマを発生させてから、反応ガスである四フッ化炭素を
流入させ、イオン衝撃により基板２０上のマスク２２に
被覆されていない領域に対して乾式エッチングを行い、
基板２０に複数個の平行バー状の溝２３を形成して、陽
極位置とする。
【００１０】図４において、基板２０に複数個の平行バ
ー状の溝２３を形成した後、マスク２２の位置を移動さ
せずに、引き続き基板２０に導体膜であるインジウムス
ズ酸化物膜を形成してマスク２２と溝２３とを被覆し、
複数個の平行バー状の溝２３を充填しきるまで行なう
が、基板２０上のマスク２２が移動されていないため、
マスク２２に被覆されていない領域、即ち溝２３部分の
インジウムスズ酸化物膜を極めて精確に溝２３中に充填
することができ、複数個の平行バー状のインジウムスズ
酸化物の陽極２４が形成されるが、導体膜であるインジ
ウムスズ酸化物膜の溝２３への充填については、例えば
蒸着あるいはスパッタリングによってインジウムスズ酸
化物膜を溝２３内に充填するものとする。
ー状の溝２３を形成した後、マスク２２の位置を移動さ
せずに、引き続き基板２０に導体膜であるインジウムス
ズ酸化物膜を形成してマスク２２と溝２３とを被覆し、
複数個の平行バー状の溝２３を充填しきるまで行なう
が、基板２０上のマスク２２が移動されていないため、
マスク２２に被覆されていない領域、即ち溝２３部分の
インジウムスズ酸化物膜を極めて精確に溝２３中に充填
することができ、複数個の平行バー状のインジウムスズ
酸化物の陽極２４が形成されるが、導体膜であるインジ
ウムスズ酸化物膜の溝２３への充填については、例えば
蒸着あるいはスパッタリングによってインジウムスズ酸
化物膜を溝２３内に充填するものとする。
【００１１】マスク２２は、溝２３と陽極２４材料（イ
ンジウムスズ酸化物膜）充填との同一マスクであるた
め、マスク２２アライメントに問題が生じることはな
い。従って、インジウムスズ酸化物膜を精確に溝２３内
に充填することができ、溝２３以外の領域に形成されて
しまうことがないので、良好な局部平坦性質を有するも
のとなる。
ンジウムスズ酸化物膜）充填との同一マスクであるた
め、マスク２２アライメントに問題が生じることはな
い。従って、インジウムスズ酸化物膜を精確に溝２３内
に充填することができ、溝２３以外の領域に形成されて
しまうことがないので、良好な局部平坦性質を有するも
のとなる。
【００１２】図５において、インジウムスズ酸化物膜を
溝２３へ精確に充填させてから、マスク２２を取り除く
と、複数個のバー状の酸化インジウムスズ陽極２４が基
板２０中に形成される。陽極２４間が、基板２０により
分離されて、従来技術にかかるスピンコーティングのポ
リマーによる分離に置き換えられているので、バー状の
酸化インジウムスズの陽極２４間にクロストークが発生
するという現象を防止することができる。この発明は、
マスク２２を除去した後に、陽極２４間ポリマーのスピ
ンコーティングを行なうことなく、局部平坦化を実現す
るものである。そして、複数個の平行バー状のインジウ
ムスズ酸化物電極２４上に有機発光層２６を形成する
が、有機発光層２６を例えばAlq3とする。最後に、有機
発光層２６に陰極２８を形成するが、陰極２８を例えば
アルミニウムまたは銀といった金属とすることで、有機
発光ダイオードとして形成する。
溝２３へ精確に充填させてから、マスク２２を取り除く
と、複数個のバー状の酸化インジウムスズ陽極２４が基
板２０中に形成される。陽極２４間が、基板２０により
分離されて、従来技術にかかるスピンコーティングのポ
リマーによる分離に置き換えられているので、バー状の
酸化インジウムスズの陽極２４間にクロストークが発生
するという現象を防止することができる。この発明は、
マスク２２を除去した後に、陽極２４間ポリマーのスピ
ンコーティングを行なうことなく、局部平坦化を実現す
るものである。そして、複数個の平行バー状のインジウ
ムスズ酸化物電極２４上に有機発光層２６を形成する
が、有機発光層２６を例えばAlq3とする。最後に、有機
発光層２６に陰極２８を形成するが、陰極２８を例えば
アルミニウムまたは銀といった金属とすることで、有機
発光ダイオードとして形成する。
【００１３】なお、上述した有機発光ダイオードデバイ
スの製造方法は、陽極、有機発光層、陰極の３層構造に
限定されるものではなく、陽極、正孔注入層、正孔伝導
層、有機発光層、電子伝導層、陰極の多層構造にも応用
できるものである。
スの製造方法は、陽極、有機発光層、陰極の３層構造に
限定されるものではなく、陽極、正孔注入層、正孔伝導
層、有機発光層、電子伝導層、陰極の多層構造にも応用
できるものである。
【００１４】この発明においては、有機発光層を形成す
る前に湿式エッチングまたは従来技術のポリマースピン
コーティングを使用することなく、乾式エッチングだけ
で基板をエッチングして溝を作り、陽極の所定位置とし
てから、蒸着あるいはスパッタリングで陽極を形成させ
ており、このような製造工程がいずれも真空条件下で行
なわれるものである。従って、有機発光ダイオードデバ
イス中の有機発光層材料が水分を含む環境に曝されてデ
バイスの信頼性を低下させることを未然に防止すること
ができる。
る前に湿式エッチングまたは従来技術のポリマースピン
コーティングを使用することなく、乾式エッチングだけ
で基板をエッチングして溝を作り、陽極の所定位置とし
てから、蒸着あるいはスパッタリングで陽極を形成させ
ており、このような製造工程がいずれも真空条件下で行
なわれるものである。従って、有機発光ダイオードデバ
イス中の有機発光層材料が水分を含む環境に曝されてデ
バイスの信頼性を低下させることを未然に防止すること
ができる。
【００１５】以上のごとく、この発明を好適な実施例に
より開示したが、もとより、この発明を限定するための
ものではなく、当業者であれば容易に理解できるよう
に、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更
ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特
許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等
な領域を基準として定めなければならない。
より開示したが、もとより、この発明を限定するための
ものではなく、当業者であれば容易に理解できるよう
に、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更
ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特
許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等
な領域を基準として定めなければならない。
【００１６】
【発明の効果】上記構成により、この発明にかかる有機
発光ダイオードの製造方法は、乾式エッチングだけで基
板をエッチングして溝を作り、陽極の所定位置としてか
ら、蒸着またはスパッタリングにより陽極を形成させ
て、マスクを除去すると、局部平坦化が実現するので、
従来技術のようにポリマーのスピンコーティングを必要
とせず、製造工程が簡略化できるものである。
発光ダイオードの製造方法は、乾式エッチングだけで基
板をエッチングして溝を作り、陽極の所定位置としてか
ら、蒸着またはスパッタリングにより陽極を形成させ
て、マスクを除去すると、局部平坦化が実現するので、
従来技術のようにポリマーのスピンコーティングを必要
とせず、製造工程が簡略化できるものである。
【００１７】また、この発明にかかる有機発光ダイオー
ドの製造方法は、乾式エッチングで溝を形成して陽極の
位置としており、両陽極間のクロストーク現象を基板に
より直接分離するものである。
ドの製造方法は、乾式エッチングで溝を形成して陽極の
位置としており、両陽極間のクロストーク現象を基板に
より直接分離するものである。
【００１８】さらに、この発明にかかる有機発光ダイオ
ードの製造方法は、溝のエッチングおよびインジウムス
ズ酸化物膜の充填時に、同一マスクを使用するため、ア
ライメント上の問題が生じることなく、インジウムスズ
酸化物膜を溝内へ精確に充填することができるものであ
る。従って、産業上の利用価値が高い。
ードの製造方法は、溝のエッチングおよびインジウムス
ズ酸化物膜の充填時に、同一マスクを使用するため、ア
ライメント上の問題が生じることなく、インジウムスズ
酸化物膜を溝内へ精確に充填することができるものであ
る。従って、産業上の利用価値が高い。
【図１】従来技術にかかる有機発光ダイオードデバイス
の製造プロセス断面図である。
の製造プロセス断面図である。
【図２】この発明にかかる有機発光ダイオードデバイス
の製造プロセスを示す要部断面図である。
の製造プロセスを示す要部断面図である。
【図３】この発明にかかる有機発光ダイオードデバイス
の製造プロセスを示す要部断面図である。
の製造プロセスを示す要部断面図である。
【図４】この発明にかかる有機発光ダイオードデバイス
の製造プロセスを示す要部断面図である。
の製造プロセスを示す要部断面図である。
【図５】この発明にかかる有機発光ダイオードデバイス
の製造プロセスを示す要部断面図である。
の製造プロセスを示す要部断面図である。
２０ 基板 ２２ マスク ２３ 溝 ２４ 陽極 ２６ 有機発光層 ２８ 陰極
Claims (13)
- 【請求項１】 少なくとも、 基板を提供するステップと、 前記基板に陽極位置をパターニングし、乾式エッチング
を行なって、複数個の平行バー状の溝を形成するステッ
プと、 前記基板に導体膜を形成して、前記した複数個の平行バ
ー状の溝を充填し、複数個の陽極を形成するステップ
と、 前記基板上に有機発光層を形成するステップと、 前記有機発光層上に複数個の陰極を形成するステップと
を具備する有機発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項２】 少なくとも、 基板を提供するステップと、 前記基板に陽極位置をパターニングし、乾式エッチング
を行なって、複数個の平行バー状の溝を形成するステッ
プと、 前記基板に導体膜を堆積させて、前記した複数個の平行
バー状の溝に充填し、前記基板に複数個の陽極を形成す
るステップとを具備する有機発光ダイオード陽極の製造
方法。 - 【請求項３】 上記した有機発光ダイオードの陽極の製
造方法が、さらに、上記した複数個の陽極上に有機発光
層を形成するとともに、前記有機発光層上に複数個の陰
極を形成するものである請求項２記載の有機発光ダイオ
ード陽極の製造方法。 - 【請求項４】 上記基板が、透明ガラスを含むものであ
る請求項１または２記載の有機発光ダイオードおよび陽
極の製造方法。 - 【請求項５】 上記基板が、透明プラスティックを含む
ものである請求項１または２記載の有機発光ダイオード
および陽極の製造方法。 - 【請求項６】 上記陽極位置をパターニングする時は、
マスクを使用し、前記マスクが、複数の平行バー状パタ
ーンを有するマスクである請求項１または２記載の有機
発光ダイオードおよび陽極の製造方法。 - 【請求項７】 上記乾式エッチングが、四フッ化炭素プ
ラズマによって行われるものである請求項１または２記
載の有機発光ダイオードおよび陽極の製造方法。 - 【請求項８】 上記基板への上記陽極の形成が、蒸着方
式によって行われるものである請求項１または２記載の
有機発光ダイオードおよび陽極の製造方法。 - 【請求項９】 上記基板への上記陽極の形成が、スパッ
タリング方式によって行われるものである請求項１また
は２記載の有機発光ダイオードおよび陽極の製造方法。 - 【請求項１０】 上記陽極が、インジウムスズ酸化物を
含むものである請求項１または２記載の有機発光ダイオ
ードおよび陽極の製造方法。 - 【請求項１１】 上記した複数個の陽極を形成するステ
ップが、真空条件下で行なわれるものである請求項１ま
たは２記載の有機発光ダイオードおよび陽極の製造方
法。 - 【請求項１２】 上記有機発光層が、Alq3を含むもので
ある請求項１または３記載の有機発光ダイオードおよび
陽極の製造方法。 - 【請求項１３】 上記陰極の材料が、銀、アルミニウム
など導電性が良好な金属から選ばれるものである請求項
１または３記載の有機発光ダイオードおよび陽極の製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW89123556 | 2000-11-08 | ||
| TW89123556A TW474116B (en) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | Manufacturing method of organic light emitting diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164168A true JP2002164168A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=21661845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001029545A Pending JP2002164168A (ja) | 2000-11-08 | 2001-02-06 | 有機発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002164168A (ja) |
| TW (1) | TW474116B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009048814A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Nec Lighting Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置及びその製造方法 |
| CN102226994A (zh) * | 2011-03-31 | 2011-10-26 | 陕西科技大学 | 一种集led芯片于导电玻璃上的显示器件及其制备方法 |
-
2000
- 2000-11-08 TW TW89123556A patent/TW474116B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-02-06 JP JP2001029545A patent/JP2002164168A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009048814A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Nec Lighting Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置及びその製造方法 |
| CN102226994A (zh) * | 2011-03-31 | 2011-10-26 | 陕西科技大学 | 一种集led芯片于导电玻璃上的显示器件及其制备方法 |
| CN102226994B (zh) * | 2011-03-31 | 2013-04-10 | 陕西科技大学 | 一种集led芯片于导电玻璃上的显示器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW474116B (en) | 2002-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8927325B2 (en) | Method for producing an organic radiation-emitting component and organic radiation-emitting component | |
| US6013538A (en) | Method of fabricating and patterning OLEDs | |
| US6297516B1 (en) | Method for deposition and patterning of organic thin film | |
| JP3775482B2 (ja) | 有機発光ダイオードの製造方法 | |
| US7432650B2 (en) | EL display and production method thereof | |
| KR101322310B1 (ko) | 유기전기발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP3641963B2 (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| US7704677B2 (en) | Method of patterning conductive polymer layer, organic light emitting device, and method of manufacturing the organic light emitting device | |
| EP2198471B1 (en) | Making a top-emitting oled device | |
| US20120252150A1 (en) | Method of manufacturing organic electroluminescence display device | |
| US20060232200A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
| JP2000058258A (ja) | 有機電界発光デバイス用浸透バリヤ― | |
| TW201240078A (en) | Method of manufacturing organic electroluminescence display device | |
| KR102185577B1 (ko) | Oled 기판 및 그 제조 방법 | |
| US20040070334A1 (en) | Encapsulated electrode | |
| US8703529B2 (en) | Fabricating method of light emitting device and forming method of organic layer | |
| KR20010067868A (ko) | 고내구성 유기발광소자 및 그 제조 방법 | |
| KR20010109639A (ko) | 유기전계발광표시소자의 제조 방법 | |
| JP3865358B2 (ja) | 有機ｅｌ装置の製造方法 | |
| JP2002164168A (ja) | 有機発光ダイオードの製造方法 | |
| JP2002246173A (ja) | 有機ｅｌデバイスおよびこの製造方法 | |
| KR20030014062A (ko) | 유기 el 소자의 격벽 제조방법 | |
| JPH11312583A (ja) | Ｅｌ素子の製造方法 | |
| KR19990012364A (ko) | 이오노머를 전하 수송층으로 하는 고분자/유기물 전기발광 소자의 구조 및 그 제조 방법 | |
| CN111048698B (zh) | 一种有机发光二极管结构的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060801 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070123 |