JP2002158558A - Package for piezoelectric vibrating device and piezoelectric oscillator - Google Patents

Package for piezoelectric vibrating device and piezoelectric oscillator

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JP2002158558A
JP2002158558A JP2000355004A JP2000355004A JP2002158558A JP 2002158558 A JP2002158558 A JP 2002158558A JP 2000355004 A JP2000355004 A JP 2000355004A JP 2000355004 A JP2000355004 A JP 2000355004A JP 2002158558 A JP2002158558 A JP 2002158558A
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piezoelectric
piezoelectric vibration
plate
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a package for piezoelectric vibrating device and a piezoelectric oscillator, which can be miniaturized and shortened, and can package piezoelectric diaphragms of different external sizes. SOLUTION: A crystal oscillator is composed of a ceramic package 1, and an IC 33 and a crystal diaphragm 3 stored inside the relevant package and a metal lid 2 for air-tightly sealing the package. Packaging parts 14 and 15, composed of metal films for supporting the crystal diaphragm, have low height packaging parts 141 and 151 on the center side of the package, have high packaging parts 142 and 152 on the terminal side of the package and have auxiliary packaging parts 13. Using these packaging parts, the crystal diaphragms of the different external sizes can be packaged selectively.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話等の通信機
器あるいは電子機器等に用いられる圧電発振器や圧電振
動子等の圧電振動デバイスに関するものであり、特に圧
電振動板の支持構造に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a piezoelectric vibrating device such as a piezoelectric oscillator or a piezoelectric vibrator used for a communication device such as a cellular phone or an electronic device, and more particularly to a support structure for a piezoelectric vibrating plate. .

【0002】[0002]

【従来の技術】圧電振動子や圧電発振器は、安定して精
度の高い発振周波数を得ることができるため、電子機器
等の基準周波数源として多種の分野で使用され、また近
年はセラミックパッケージ等を用いた表面実装タイプが
主流となっている。従来例として、特開平3−8837
3号を例にとり説明する。特開平3−88373号は、
セラミックパッケージを用い、当該パッケージの内部に
保持電極を形成し、圧電片(圧電振動板)を片持ち支持
する構成である。
2. Description of the Related Art Piezoelectric vibrators and piezoelectric oscillators are used in various fields as a reference frequency source for electronic equipment and the like in recent years because a stable and highly accurate oscillation frequency can be obtained. The used surface mount type is the mainstream. As a conventional example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-8837.
A description will be given taking No. 3 as an example. JP-A-3-88373 discloses that
This is a configuration in which a ceramic package is used, holding electrodes are formed inside the package, and a piezoelectric piece (piezoelectric vibration plate) is cantilevered.

【0003】ここで用いる圧電振動板例えばATカット
水晶振動板は、その固有周波数が厚さに反比例する。従
って低周波数帯では外形サイズが大きい方が電気的特性
面で有利であるが、基本波を用いた高周波数帯では水晶
振動板が薄くなるため機械的強度が低下し、製造面にお
いて外形サイズを小さく設定することが一般的である。
またVCXO(電圧制御型水晶発振器)においては負荷
容量特性の関係で水晶振動板の外形サイズが変化する。
すなわち、水晶振動板に形成された励振電極のサイズに
よって、周波数−負荷容量特性は変化するが、高周波に
なるほどその変化量が大きく、規定以上に変化してしま
うことがあった。このため高周波数化すると電極サイズ
が小さくなり、これに伴って水晶振動板の外形サイズも
小さくなっていた。以上のように水晶振動板においては
要求される仕様によって、その外形サイズが異なるのが
一般的であった。
The natural frequency of a piezoelectric vibrating plate used here, for example, an AT-cut quartz vibrating plate, is inversely proportional to its thickness. Therefore, in the low frequency band, the larger outer size is more advantageous in terms of electrical characteristics, but in the higher frequency band using the fundamental wave, the quartz plate becomes thinner and the mechanical strength is reduced. It is common to set a small value.
In a VCXO (voltage controlled crystal oscillator), the external size of the crystal diaphragm changes due to the relationship between load capacitance characteristics.
That is, although the frequency-load capacitance characteristic changes depending on the size of the excitation electrode formed on the crystal plate, the change amount becomes larger as the frequency becomes higher, and the change may exceed the specified value. For this reason, when the frequency is increased, the size of the electrode is reduced, and accordingly, the outer size of the quartz diaphragm is also reduced. As described above, the external size of a quartz diaphragm generally differs depending on the required specifications.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】特開平3−88373
号に開示された構成では、このような圧電振動板の外形
サイズの大小に対応させる構成については開示されてお
らず、仮に保持電極のサイズを長手方向に拡張して大小
の圧電振動板に対応させた場合でも、振動領域を阻害し
たり短絡事故の生じる可能性があった。すなわち、圧電
振動板の表裏には励振電極を形成するが、大きなサイズ
の圧電振動板を用いた場合、前記保持電極が励振電極と
接触することにより、振動領域を阻害したり電極間の短
絡の生じることがあった。
Problems to be Solved by the Invention
In the configuration disclosed in the above publication, there is no disclosure of a configuration for accommodating the size of the external size of such a piezoelectric vibrating plate. Even in this case, there is a possibility that the vibration region is obstructed or a short circuit accident occurs. That is, excitation electrodes are formed on the front and back of the piezoelectric vibration plate. However, when a large-sized piezoelectric vibration plate is used, the holding electrode comes into contact with the excitation electrode, thereby obstructing the vibration region or causing a short circuit between the electrodes. May have occurred.

【0005】このように水晶振動板の外形寸法の変化に
対応したパッケージは、例えば実開平7−16422号
に開示されている。実開平7−16422号には階段状
に折り曲げた薄板の金属片からなる保持サポートを対向
して配置し、この階段部分を適当に選ぶことにより、外
形サイズの異なる2種類の素子を搭載可能としている。
しかしながら保持サポートを有する構成であるとどうし
てもそのスペースが大きくなり、超小型化には適さない
という欠点があった。
A package corresponding to the change in the outer dimensions of the crystal diaphragm is disclosed in, for example, Japanese Utility Model Laid-Open No. 7-16422. In Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 7-16422, holding supports made of a thin metal piece bent in a step shape are arranged to face each other, and by appropriately selecting this step portion, two types of elements having different external sizes can be mounted. I have.
However, the configuration having the holding support has a disadvantage that the space is inevitably increased and is not suitable for ultra-miniaturization.

【0006】また上記階段部分をセラミックの積層技術
によって構成すること可能であると考えられるが、現行
のセラミック積層技術においては一層の厚さ100ミク
ロンが最下限であり、それ以上の薄さの層を得ることは
困難かつ高価になっていた。
It is considered that the above-mentioned stepped portion can be formed by a ceramic laminating technique. However, in the current ceramic laminating technique, the minimum thickness of a single layer is 100 μm, and the thickness of a thinner layer is more than 100 μm. Was difficult and expensive to obtain.

【0007】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、小型化並びに低背化が可能で、外形サイズ
の異なる圧電振動板の搭載可能な圧電振動デバイス用パ
ッケージおよび圧電発振器を提供することを目的とする
ものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and provides a package for a piezoelectric vibration device and a piezoelectric oscillator which can be reduced in size and height and in which piezoelectric vibration plates having different external sizes can be mounted. It is intended to do so.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は請求項1に示す
ように、励振電極が形成された圧電振動板を支持し、導
電接合材により接合する搭載部を有する圧電振動デバイ
ス用パッケージであって、前記搭載部は金属膜からなる
とともに複数の高さの領域を有し、パッケージ中央側に
低部搭載部を、パッケージ端部側に高部搭載部をそれぞ
れ設け、前記圧電振動板の外形サイズに対応して支持す
る搭載部を選択可能としたことを特徴としている。
According to the present invention, there is provided a package for a piezoelectric vibrating device having a mounting portion for supporting a piezoelectric vibrating plate on which excitation electrodes are formed and joining with a conductive joining material. The mounting portion is made of a metal film and has a plurality of height regions, and a low mounting portion is provided at the center of the package and a high mounting portion is provided at the end of the package. The feature is that the mounting part to be supported can be selected according to the size.

【0009】上記各構成によれば、金属膜からなる搭載
部に高低領域を設けた構成であるので、特別なサポート
部材を用いることなく複数サイズの圧電振動板搭載に対
応できる。また大きなサイズの圧電振動板を用いる場合
は、高部搭載部に搭載することにより圧電振動板に形成
された励振電極が短絡したり、また振動領域を阻害する
ことがない。さらに搭載部に高低領域が形成されている
ことにより、導電接合材を接合領域に必要量滞留させる
ことができ、接合強度を向上させることができる。
According to each of the above structures, since the height portion is provided in the mounting portion made of the metal film, it is possible to mount a plurality of sizes of piezoelectric vibration plates without using a special support member. When a large-sized piezoelectric vibrating plate is used, by mounting the piezoelectric vibrating plate on the high mounting portion, the excitation electrodes formed on the piezoelectric vibrating plate are not short-circuited and the vibrating region is not obstructed. Further, since the height region is formed in the mounting portion, a required amount of the conductive bonding material can be retained in the bonding region, and the bonding strength can be improved.

【0010】特に金属膜による積層形成例えばタングス
テンメタライズ層は一層の厚さを15ミクロン程度にす
ることができ、近年の高周波数化に対応した数10ミク
ロン程度の極薄の圧電振動板を搭載するのに適した低部
搭載部及び高部搭載部を得ることができる。このタング
ステン等のメタライズ層はセラミックパッケージを積
層、焼成する際に同時に形成することができる。
In particular, the thickness of a metallized layer, for example, a tungsten metallized layer can be reduced to about 15 microns, and a very thin piezoelectric vibrating plate of about several tens microns corresponding to a recent increase in frequency is mounted. Thus, it is possible to obtain a low mounting portion and a high mounting portion suitable for the above. The metallized layer of tungsten or the like can be formed simultaneously when the ceramic package is laminated and fired.

【0011】また請求項2に示すように、圧電振動板が
矩形形状であり、前記搭載部は圧電振動板の一方の短辺
方向に並列配置されるとともに、他方の短辺には圧電振
動板の支持を安定ならしめる補助搭載部が形成されてお
り、当該補助搭載部は圧電振動板の外形サイズに対応す
る複数の高さ領域を有している構成としてもよい。
According to a second aspect of the present invention, the piezoelectric vibrating plate has a rectangular shape, and the mounting portions are arranged in parallel on one short side of the piezoelectric vibrating plate, and the piezoelectric vibrating plate is disposed on the other short side. An auxiliary mounting portion for stabilizing the support of the piezoelectric vibrating plate may be formed, and the auxiliary mounting portion may have a plurality of height regions corresponding to the outer size of the piezoelectric diaphragm.

【0012】請求項2によれば、矩形形状の圧電振動板
を片持ち支持した場合、自由端側においても複数の高さ
領域を有している構成とすることにより、サイズの異な
る圧電振動板に対して安定した支持を行うことができ
る。
According to the second aspect, when the rectangular-shaped piezoelectric vibrating plate is cantilevered, a plurality of height regions are provided on the free end side, so that piezoelectric vibrating plates having different sizes are provided. Can be stably supported.

【0013】具体的な構成材料としては、例えば請求項
3に示すように、パッケージはアルミナ等のセラミック
からなるとともに、搭載部は複数の金属層で構成され、
最下層がタングステンあるいはモリブデンからなり、最
上層が金または銀または金か銀の合金層からなる構成と
してもよい。なお、最下層と最上層間にニッケル等から
なる中間層を設けた構成としてもよい。
As a specific constituent material, for example, as described in claim 3, the package is made of ceramic such as alumina, and the mounting portion is formed of a plurality of metal layers.
The lowermost layer may be made of tungsten or molybdenum, and the uppermost layer may be made of gold or silver or a gold or silver alloy layer. It should be noted that an intermediate layer made of nickel or the like may be provided between the lowermost layer and the uppermost layer.

【0014】請求項3によれば、最下層のタングステン
またはモリブデンはセラミックと同時焼成できるととも
に、最上層を金または銀または金か銀の合金層とするこ
とにより、導電接合材との接合性を向上させることがで
きる。
According to the third aspect, the lowermost layer of tungsten or molybdenum can be fired simultaneously with the ceramic, and the uppermost layer is made of gold or silver or a gold or silver alloy layer, thereby improving the bonding property with the conductive bonding material. Can be improved.

【0015】また請求項4に示すように、前記搭載部の
最下層の厚さは低部搭載部より高部搭載部が厚く、他の
層は低部搭載部と高部搭載部ともほぼ同じ厚さである構
成としている。最下層の厚さは、ペースト状のタングス
テンメタライズを厚膜印刷する回数を変更することによ
り調整することができる。例えば、まず搭載部形成領域
にタングステンメタライズを厚膜印刷した後、その上部
に限定的に小さな面積のタングステンメタライズを厚膜
印刷することにより、きわめて簡便に最下層に高低をつ
けることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, the thickness of the lowermost layer of the mounting portion is greater in the higher mounting portion than in the lower mounting portion, and the other layers are substantially the same in the lower mounting portion and the higher mounting portion. It is configured to have a thickness. The thickness of the lowermost layer can be adjusted by changing the number of times of thick-film printing of paste-like tungsten metallization. For example, by first printing a thick film of tungsten metallization on the mounting portion forming region, and then printing a thick film of tungsten metallization with a small area on the upper part thereof, it is possible to very easily make the lowermost layer higher or lower.

【0016】請求項4によれば、セラミック焼成時に最
下層のみの厚さを変え、他の層については例えば通常の
電解メッキ手法による同一の厚さとすることにより、き
わめて容易に搭載部の高低を形成できる。
According to the fourth aspect, the thickness of only the lowermost layer is changed during firing of the ceramic, and the other layers are made to have the same thickness by, for example, a normal electrolytic plating method, so that the height of the mounting portion can be extremely easily adjusted. Can be formed.

【0017】当該圧電振動デバイス用パッケージを用い
た例として、請求項5に示すように圧電振動デバイス用
パッケージ内に、励振電極形成された圧電振動板と必要
な回路素子を収納した圧電発振器をあげることができ
る。
As an example of using the piezoelectric vibration device package, a piezoelectric oscillator in which a piezoelectric vibration plate on which excitation electrodes are formed and necessary circuit elements are housed in a piezoelectric vibration device package as described in claim 5 will be described. be able to.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を水晶発振器
を例にとり図1乃至図6とともに説明する。図1は本発
明の実施形態を示す水晶発振器の分解斜視図、図2と図
3は図1において大きな水晶振動板(圧電振動板)を用
いた場合を示し、それぞれ図2は金属フタにて気密封止
した状態の内部断面図、図3は気密封止前の平面図であ
る。また、図4と図5は図1において小さな水晶振動板
(圧電振動板)を用いた場合を示し、それぞれ図4は金
属フタにて気密封止した状態の内部断面図、図5は気密
封止前の平面図である。図6は搭載部の電極膜構成を示
す図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an exploded perspective view of a crystal oscillator showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 show a case where a large crystal vibration plate (piezoelectric vibration plate) is used in FIG. 1. FIG. FIG. 3 is a plan view before the hermetic sealing, and FIG. 3 is a plan view before the hermetic sealing. FIGS. 4 and 5 show a case where a small quartz-crystal vibrating plate (piezoelectric vibrating plate) is used in FIG. 1. FIG. 4 is an internal cross-sectional view in a state where the metal lid is hermetically sealed, and FIG. It is a top view before stopping. FIG. 6 is a view showing an electrode film configuration of the mounting portion.

【0019】水晶発振器は、セラミックパッケージ1
と、当該パッケージ内に格納されるIC33並びに水晶
振動板3と、パッケージを気密封止する金属フタ2とか
らなる。
The crystal oscillator is a ceramic package 1
And the IC 33 and the quartz vibrating plate 3 stored in the package, and the metal lid 2 for hermetically sealing the package.

【0020】セラミックパッケージ1はアルミナ等のセ
ラミックスを主材料としたパッケージ本体10と金属シ
ール部11からなり、全体として上方に開口した収納部
12を有する構成である。開口部には金属シール部11
が形成され、また収納部12には2段の凹部すなわち下
方の下部凹部12aとその上方の上部凹部12bが形成
されている。下部凹部12aには図示しない電極パッド
が形成され、電極パッド上にIC33がフリップチップ
搭載されている。当該ICはパッケージにワイヤーボン
ディングにより接続してもよい。また上部凹部12bに
はパッケージ長手方向の一端に金属膜からなる搭載部1
4,15が形成され、他方には金属膜からなる補助搭載
部13が形成されている。後述する水晶振動板3はこれ
ら搭載部に片持ち支持され、導電材料の添加されたペー
スト状接着剤や半田等の導電性接合材Zにより電気的接
続がなされる。また補助搭載部により水晶振動板の他方
端を補助的に支持している。
The ceramic package 1 comprises a package body 10 mainly made of ceramics such as alumina and a metal seal portion 11, and has a storage portion 12 which is opened upward as a whole. The metal seal part 11 is provided in the opening.
Are formed in the storage portion 12, and a two-stage recess, that is, a lower lower recess 12a and an upper recess 12b above the lower recess 12a are formed. An electrode pad (not shown) is formed in the lower concave portion 12a, and the IC 33 is flip-chip mounted on the electrode pad. The IC may be connected to the package by wire bonding. The mounting portion 1 made of a metal film is provided at one end in the package longitudinal direction in the upper concave portion 12b.
4 and 15 are formed, and on the other side, an auxiliary mounting portion 13 made of a metal film is formed. A crystal vibrating plate 3 to be described later is cantilevered by these mounting portions, and is electrically connected by a conductive bonding material Z such as a paste adhesive or a solder to which a conductive material is added. In addition, the other end of the crystal diaphragm is auxiliary supported by the auxiliary mounting portion.

【0021】前記搭載部14,15は所定の電極配線に
よりIC33と電気的接続され、これら水晶振動板3と
IC33により水晶発振回路を構成している。また前記
搭載部14,15は複数の高さの領域を有し、パッケー
ジ中央側に低部搭載部141,151を有し、パッケー
ジ端部側に高部搭載部142,152を有する構成であ
る。これら低部搭載部141,151と高部搭載部14
2,152の形成は、セラミックパッケージ焼成時に同
時焼成するメタライズ層の積層数を調整することにより
必要な高低を得ている。例えば、図6に示すようにメタ
ライス層としてタングステン14aを用い、低部搭載部
においては当該層を1層形成し、高部搭載部においては
2層以上形成する。その上部に低部搭載部と高部搭載部
とも同じ厚さのニッケルメッキ14b、金メッキ14c
を順に形成する。これにより最下層のタングステン層1
4aのみが厚肉化された搭載部を得ることができる。ま
た補助搭載部においても低部搭載部と高部搭載部を有し
ており、上記搭載部と同じ構成を採用している。なお、
補助搭載部は電極接続に寄与しないので、ニッケルメッ
キおよび金メッキは形成しなくても実用上問題はない。
これら搭載部と補助搭載部の低部搭載部と高部搭載部は
それぞれほぼ同じ高さに設定され、複数サイズの水晶振
動板搭載に対応するとともに、水晶振動板搭載時の傾き
を防止している。低部搭載部と高部搭載部の高低差は周
波数すなわち水晶振動板厚さに依存するが、例えば10
〜30ミクロン程度有ればよい。
The mounting portions 14 and 15 are electrically connected to the IC 33 by predetermined electrode wiring, and the crystal oscillation plate 3 and the IC 33 constitute a crystal oscillation circuit. The mounting portions 14 and 15 have regions of a plurality of heights, have low mounting portions 141 and 151 on the package center side, and have high mounting portions 142 and 152 on the package end side. . These lower mounting portions 141 and 151 and higher mounting portion 14
In the formation of 2,152, the required height is obtained by adjusting the number of metallized layers to be simultaneously fired at the time of firing the ceramic package. For example, as shown in FIG. 6, a tungsten layer 14a is used as a metallization layer, one layer is formed in the lower mounting portion, and two or more layers are formed in the higher mounting portion. Nickel-plated 14b and gold-plated 14c with the same thickness on both the low and high mounting parts
Are formed in order. Thereby, the lowermost tungsten layer 1 is formed.
Only the mounting portion 4a can be made thicker. The auxiliary mounting section also has a low mounting section and a high mounting section, and employs the same configuration as the above mounting section. In addition,
Since the auxiliary mounting portion does not contribute to electrode connection, there is no practical problem even if nickel plating and gold plating are not formed.
The lower mounting part and the upper mounting part of these mounting parts and auxiliary mounting parts are set at almost the same height, respectively, to support mounting of multiple sizes of crystal diaphragms, and to prevent inclination when mounting a crystal diaphragm I have. The height difference between the low mounting portion and the high mounting portion depends on the frequency, that is, the thickness of the quartz plate.
It may be about 30 microns.

【0022】図2、図3は大きなサイズの水晶振動板3
Aを搭載する場合を示す図である。水晶振動板3Aは高
部搭載部142,152並びに補助搭載部の高部搭載部
132に架設状態に搭載され、導電接合材Zにより高部
搭載部142,152に片持ち支持される。高部搭載部
並びに低部搭載部が形成された凹凸部を有する構成によ
り導電接合材Zに表面張力が生じやすく、支持強度が向
上する。
FIGS. 2 and 3 show a large-sized quartz vibrating plate 3.
FIG. 4 is a diagram showing a case where A is mounted. The crystal vibrating plate 3A is mounted in a suspended state on the high mounting portions 142 and 152 and the high mounting portion 132 of the auxiliary mounting portion, and is cantilevered by the high mounting portions 142 and 152 by the conductive bonding material Z. With the configuration having the concave and convex portions in which the high mounting portion and the low mounting portion are formed, the surface tension is easily generated in the conductive bonding material Z, and the supporting strength is improved.

【0023】図4、図5は小さなサイズの水晶振動板3
Bを搭載する場合を示す図である。水晶振動板3Bは低
部搭載部141,151並びに補助搭載部の低部搭載部
131に架設状態に搭載され、導電接合材Zにより低部
搭載部141,151に片持ち支持される。搭載位置の
低部搭載部に対し高部搭載部後方に位置する構成である
ので、導電接合材Zが溜まりやすくまた表面張力も生じ
やすいため支持強度が向上する。
FIGS. 4 and 5 show a small-sized quartz vibrating plate 3.
FIG. 6 is a diagram showing a case where B is mounted. The crystal vibration plate 3B is mounted on the lower mounting portions 141 and 151 and the lower mounting portion 131 of the auxiliary mounting portion in a state of being bridged, and is cantilevered by the lower mounting portions 141 and 151 by the conductive bonding material Z. Since the configuration is such that the conductive mounting material Z is more likely to accumulate and the surface tension is more likely to be generated, the support strength is improved, since the lower mounting portion at the mounting position is located behind the high mounting portion.

【0024】またセラミックパッケージの側面にはキャ
スタレーション1a,1b,1c,1dが設けられ、キ
ャスタレーション内部並びにパッケージ底面には各々導
出電極E1,E2,E3,E4が形成され、パッケージ
内部の水晶振動子とICで構成される水晶発振回路の出
力端子、電源端子、アース端子が対応して引き出されて
いる。
Castellations 1a, 1b, 1c and 1d are provided on the side surfaces of the ceramic package, and lead-out electrodes E1, E2, E3 and E4 are formed on the inside of the castellation and on the bottom surface of the package, respectively. The output terminal, the power supply terminal, and the ground terminal of the crystal oscillation circuit composed of the element and the IC are drawn out correspondingly.

【0025】水晶振動子3は矩形状のATカット水晶板
からなり、表裏面に励振電極31,32並びに引出電極
311,321(321は図示せず)が真空蒸着法等の
薄膜形成手段にて形成されている。
The quartz oscillator 3 is formed of a rectangular AT-cut quartz plate, and the excitation electrodes 31 and 32 and the extraction electrodes 311 and 321 (321 not shown) are formed on the front and back surfaces by thin film forming means such as a vacuum evaporation method. Is formed.

【0026】金属フタ2はコバール等の金属板の表裏に
ニッケルメッキされた構成であり、セラミックパッケー
ジの開口周囲部分の金属シール部11とシーム溶接等の
手段にて接合され、セラミックパッケージ内を気密封止
する。なお、前記金属シール部11は前記アース端子に
電気的接続されており、金属フタによる電磁シールド構
成となっている。
The metal cover 2 has a structure in which a metal plate such as Kovar is plated with nickel on the front and back surfaces thereof, and is joined to the metal seal portion 11 around the opening of the ceramic package by means of seam welding or the like. Seal tightly. In addition, the metal seal part 11 is electrically connected to the ground terminal, and has an electromagnetic shield configuration with a metal lid.

【0027】本発明は上記実施の形態に限定されるもの
ではなく、他の圧電振動デバイスにも適用することがで
きる。例えば図7,図8に示すように表面実装型水晶振
動子に適用することも可能である。図7は大きな水晶振
動板を用い、気密封止した状態の内部断面図であり、ま
た、図8は小さな水晶振動板を用い、気密封止した状態
の内部断面図である。本実施の形態において、セラミッ
クパッケージ4は内部に必要な配線が施された平板構成
であり、セラミックパッケージ4の周囲に気密接合され
る逆凹形の金属フタ5を用いている。また、水晶振動板
の支持形態は長手方向で両持ちする構成であり、両端に
搭載部44,45が形成されている。またこれに伴い励
振電極31,32から延びる引出電極311,321が
長手方向両端に延出されている。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be applied to other piezoelectric vibration devices. For example, as shown in FIGS. 7 and 8, it is also possible to apply the present invention to a surface-mount type crystal unit. FIG. 7 is an internal cross-sectional view of a state where a large quartz plate is used and hermetically sealed, and FIG. 8 is an internal cross-sectional view of a state where a small quartz plate is used and hermetically sealed. In the present embodiment, the ceramic package 4 has a flat plate configuration in which necessary wiring is provided, and uses an inverted concave metal lid 5 hermetically joined to the periphery of the ceramic package 4. In addition, the support structure of the quartz vibrating plate is configured to have both ends in the longitudinal direction, and mounting portions 44 and 45 are formed at both ends. Accordingly, extraction electrodes 311 and 321 extending from the excitation electrodes 31 and 32 extend to both ends in the longitudinal direction.

【0028】図7に示すように大きなサイズの水晶振動
板3Aは高部搭載部442,452に搭載され、図8に
示すように小さなサイズの水晶振動板3Bは高部搭載部
441,451に搭載され、大小サイズの異なる水晶振
動板を選択的に搭載することが可能となっている。この
実施の形態においても高部搭載部並びに低部搭載部が形
成された構成により導電接合材に表面張力が生じやす
く、支持強度が向上する。
As shown in FIG. 7, the large-sized quartz vibrating plate 3A is mounted on the high mounting portions 442 and 452, and the small-sized quartz vibrating plate 3B is mounted on the high mounting portions 441 and 451 as shown in FIG. It is mounted, and it is possible to selectively mount different crystal sizes of large and small sizes. Also in this embodiment, the structure in which the upper mounting portion and the lower mounting portion are formed easily causes surface tension in the conductive bonding material, and improves the support strength.

【0029】なお、前記搭載部に形成された複数の高さ
の領域は、上述のように2段階の高さのみならず、それ
以上の段階の高さを有する構成であってもよい。また最
上層は金層のみならず、銀層であってもよいし、また金
または銀からなる合金層であってもよい。
It is to be noted that the plurality of height regions formed on the mounting portion may have not only two levels but also higher levels as described above. The uppermost layer may be not only a gold layer but also a silver layer, or an alloy layer made of gold or silver.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明によれば、金属膜からなる搭載部
に高低領域を設けた構成であるので、特別なサポート部
材を用いることなく複数サイズの圧電振動板搭載に対応
でき、この場合でも電極の短絡や振動領域を阻害するこ
とがなく、良好な電気的特性を得ることができる。また
搭載部に高低領域が形成されていることにより表面積が
増加し、また表面張力等により導電接合材を接合領域に
必要量滞留させることができ、接合強度を向上させるこ
とができる。また金属膜による積層は一層の厚さを比較
的薄くできる。よって、電気的特性が良好で小型化およ
び低背化を可能にし、また外形サイズの異なる圧電振動
板の搭載可能な圧電振動デバイス用パッケージ得ること
ができる。
According to the present invention, since a height portion is provided in a mounting portion made of a metal film, a plurality of sizes of piezoelectric vibration plates can be mounted without using a special support member. Good electrical characteristics can be obtained without hindering short-circuiting of electrodes or vibrating regions. In addition, since the high and low regions are formed in the mounting portion, the surface area increases, and a necessary amount of the conductive bonding material can stay in the bonding region due to surface tension or the like, and the bonding strength can be improved. In addition, lamination with a metal film can make one layer relatively thin. Therefore, it is possible to obtain a package for a piezoelectric vibrating device that has good electrical characteristics, can be reduced in size and height, and can be mounted with a piezoelectric vibrating plate having a different external size.

【0031】請求項2によれば、上述の効果に加えて、
片持ち支持は両持ち支持に比べて圧電振動板の振動領域
を広く確保できるので、より小型化された圧電振動デバ
イスを得ることができる。また矩形形状の圧電振動板を
片持ち支持した場合、固定端側のみならず自由端側にお
いても複数の高さ領域を有している構成とすることによ
り、サイズの異なる圧電振動板に対して安定した支持を
行うことができる。従って超小型化しても電気的特性の
良好な圧電振動デバイスを得ることができる。
According to claim 2, in addition to the above effects,
Since the cantilever support can secure a wider vibration area of the piezoelectric vibrating plate than the cantilever support, a more compact piezoelectric vibration device can be obtained. When a rectangular-shaped piezoelectric vibrating plate is cantilevered, a plurality of height regions are provided not only on the fixed end side but also on the free end side so that piezoelectric vibrating plates of different sizes can be supported. Stable support can be provided. Therefore, a piezoelectric vibrating device having good electric characteristics can be obtained even if the device is miniaturized.

【0032】請求項3によれば、上述の効果に加えて、
最下層のタングステンまたはモリブデンはセラミックと
同時焼成できるとともに、最上層を金または銀または金
か銀の合金層とすることにより、導電接合材との接合性
を向上させることができる。
According to claim 3, in addition to the above effects,
The lowermost layer of tungsten or molybdenum can be fired simultaneously with the ceramic, and the uppermost layer can be made of gold or silver or a gold or silver alloy layer to improve the bondability with the conductive bonding material.

【0033】請求項4によれば、上述の効果に加えて、
セラミック焼成時に最下層のみの厚さを変え、他の層に
ついては例えば通常の電解メッキ手法による同一の厚さ
とすることにより、きわめて容易に搭載部の高低を形成
できる。
According to claim 4, in addition to the above effects,
By changing the thickness of only the lowermost layer at the time of firing the ceramic and setting the other layers to the same thickness by, for example, a normal electrolytic plating method, the height of the mounting portion can be formed very easily.

【0034】請求項5によれば、小型化が可能で、外形
サイズの異なる圧電振動板の搭載可能な圧電発振器を得
ることができる。
According to the fifth aspect, it is possible to obtain a piezoelectric oscillator which can be reduced in size and on which piezoelectric vibrating plates having different external sizes can be mounted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態を示す分解斜視図FIG. 1 is an exploded perspective view showing a first embodiment.

【図2】図1において大きな圧電振動板を用い各構成を
組み立てた状態の内部断面図
FIG. 2 is an internal cross-sectional view of a state where components are assembled using a large piezoelectric diaphragm in FIG. 1;

【図3】図1において大きな圧電振動板を用いた場合の
気密封止前の平面図
FIG. 3 is a plan view before hermetic sealing when a large piezoelectric vibration plate is used in FIG. 1;

【図4】図1において小さな圧電振動板を用い各構成を
組み立てた状態の内部断面図
FIG. 4 is an internal cross-sectional view of a state where components are assembled using a small piezoelectric diaphragm in FIG. 1;

【図5】図1において小さな圧電振動板を用いた場合の
気密封止前の平面図
FIG. 5 is a plan view before airtight sealing when a small piezoelectric vibration plate is used in FIG. 1;

【図6】搭載部の電極膜構成を示す図FIG. 6 is a diagram showing an electrode film configuration of a mounting unit.

【図7】他の実施の形態を示す内部断面図FIG. 7 is an internal cross-sectional view showing another embodiment.

【図8】他の実施の形態を示す内部断面図FIG. 8 is an internal cross-sectional view showing another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、4 セラミックパッケージ 14,15、44,45 搭載部 13 補助搭載部 141,151、131、441,451 低部搭載部 142,152、132、442,452 高部搭載部 10 パッケージ本体 11 金属層 2 フタ 21 金属層 3 水晶振動板(圧電振動板) 33 IC 1, 4 Ceramic package 14, 15, 44, 45 Mounting part 13 Auxiliary mounting part 141, 151, 131, 441, 451 Low mounting part 142, 152, 132, 442, 452 High mounting part 10 Package body 11 Metal layer 2 Lid 21 Metal layer 3 Quartz diaphragm (piezoelectric diaphragm) 33 IC

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H03H 9/19 H01L 41/08 C ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H03H 9/19 H01L 41/08 C

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 励振電極が形成された圧電振動板を支持
し、導電接合材により接合する搭載部を有する圧電振動
デバイス用パッケージであって、 前記搭載部は金属膜からなるとともに複数の高さの領域
を有し、パッケージ中央側に低部搭載部を、パッケージ
端部側に高部搭載部をそれぞれ設け、前記圧電振動板の
外形サイズに対応して支持する搭載部を選択可能とした
圧電振動デバイス用パッケージ。
1. A package for a piezoelectric vibration device having a mounting portion that supports a piezoelectric vibration plate on which an excitation electrode is formed and is joined by a conductive bonding material, wherein the mounting portion is made of a metal film and has a plurality of heights. The lower mounting portion is provided at the center of the package, and the upper mounting portion is provided at the end of the package, and the mounting portion to be supported according to the outer size of the piezoelectric diaphragm can be selected. Package for vibration device.
【請求項2】 圧電振動板が矩形形状であり、前記搭載
部は圧電振動板の一方の短辺方向に並列配置されるとと
もに、他方の短辺には圧電振動板の支持を安定ならしめ
る補助搭載部が形成されており、当該補助搭載部は圧電
振動板の外形サイズに対応する複数の高さ領域を有して
いることを特徴とする請求項1記載の圧電振動デバイス
用パッケージ。
2. The piezoelectric vibrating plate has a rectangular shape, and the mounting portions are arranged in parallel in one short side direction of the piezoelectric vibrating plate, and the other short side is an auxiliary member for stabilizing the support of the piezoelectric vibrating plate. 2. The package for a piezoelectric vibration device according to claim 1, wherein a mounting portion is formed, and the auxiliary mounting portion has a plurality of height regions corresponding to an outer size of the piezoelectric vibration plate.
【請求項3】 パッケージがセラミックからなるととも
に、前記搭載部は複数の金属層で構成され、最下層がタ
ングステンあるいはモリブデンからなり、最上層が金ま
たは銀または金か銀の合金層からなることを特徴とする
請求項1または請求項2記載の圧電振動デバイス用パッ
ケージ。
3. The package according to claim 1, wherein the package is made of ceramic, the mounting portion is made of a plurality of metal layers, the lowermost layer is made of tungsten or molybdenum, and the uppermost layer is made of gold or silver or a gold or silver alloy layer. The package for a piezoelectric vibration device according to claim 1 or 2, wherein
【請求項4】 前記搭載部の最下層の厚さは低部搭載部
より高部搭載部が厚く、他の層は低部搭載部と高部搭載
部ともほぼ同じ厚さであることを特徴とする請求項3記
載の圧電振動デバイス用パッケージ。
4. The lowermost layer of the mounting portion has a thickness higher in a higher mounting portion than in a lower mounting portion, and the other layers have substantially the same thickness in both the lower mounting portion and the higher mounting portion. The package for a piezoelectric vibration device according to claim 3.
【請求項5】 請求項1乃至請求項4いずれかに記載の
圧電振動デバイス用パッケージ内に、励振電極形成され
た圧電振動板と必要な回路素子を収納したことを特徴と
する圧電発振器。
5. A piezoelectric oscillator, wherein a piezoelectric vibration plate on which excitation electrodes are formed and necessary circuit elements are housed in the piezoelectric vibration device package according to any one of claims 1 to 4.
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040015688A (en) * 2002-08-13 2004-02-19 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 Acoustic wave device and method of producing the same
WO2004054089A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-24 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator and production method thereof and portable phone device and electronic apparatus
WO2005109638A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Daishinku Corporation Package for piezoelectric oscillation element, and piezoelectric oscillator
US7123107B2 (en) 2002-12-10 2006-10-17 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device
JP2006345482A (en) * 2005-05-12 2006-12-21 Daishinku Corp Surface mounted piezoelectric oscillator
WO2007040051A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-12 Daishinku Corporation Piezoelectric vibrating device
JP2009141464A (en) * 2007-12-04 2009-06-25 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator for surface mounting
CN102637818A (en) * 2011-02-15 2012-08-15 日本电波工业株式会社 Piezoelectric device
JP2013201655A (en) * 2012-03-26 2013-10-03 Daishinku Corp Piezoelectric device
WO2013168339A1 (en) * 2012-05-10 2013-11-14 株式会社大真空 Piezoelectric device
JP2014171181A (en) * 2013-03-05 2014-09-18 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric oscillator package and piezoelectric oscillator
JP2016152587A (en) * 2015-02-19 2016-08-22 セイコーエプソン株式会社 Package, oscillation device, electronic apparatus, and mobile
JP2017028487A (en) * 2015-07-22 2017-02-02 京セラクリスタルデバイス株式会社 Piezoelectric device for high temperature

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040015688A (en) * 2002-08-13 2004-02-19 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 Acoustic wave device and method of producing the same
WO2004054089A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-24 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator and production method thereof and portable phone device and electronic apparatus
US7123107B2 (en) 2002-12-10 2006-10-17 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device
US7408291B2 (en) 2002-12-10 2008-08-05 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device
WO2005109638A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Daishinku Corporation Package for piezoelectric oscillation element, and piezoelectric oscillator
US7427822B2 (en) 2004-05-12 2008-09-23 Daishinku Corporation Piezoelectric resonator element package, and piezoelectric resonator
JP2006345482A (en) * 2005-05-12 2006-12-21 Daishinku Corp Surface mounted piezoelectric oscillator
JP5034947B2 (en) * 2005-09-30 2012-09-26 株式会社大真空 Piezoelectric vibration device
WO2007040051A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-12 Daishinku Corporation Piezoelectric vibrating device
US8278801B2 (en) 2005-09-30 2012-10-02 Daishinku Corporation Piezoelectric resonator device
JP2009141464A (en) * 2007-12-04 2009-06-25 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator for surface mounting
JP4695636B2 (en) * 2007-12-04 2011-06-08 日本電波工業株式会社 Surface mount crystal unit
CN102637818A (en) * 2011-02-15 2012-08-15 日本电波工业株式会社 Piezoelectric device
JP2012169879A (en) * 2011-02-15 2012-09-06 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric device
US9030081B2 (en) 2011-02-15 2015-05-12 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Piezoelectric device
JP2013201655A (en) * 2012-03-26 2013-10-03 Daishinku Corp Piezoelectric device
WO2013168339A1 (en) * 2012-05-10 2013-11-14 株式会社大真空 Piezoelectric device
US9893711B2 (en) 2012-05-10 2018-02-13 Daishinku Corporation Piezoelectric device
JP2014171181A (en) * 2013-03-05 2014-09-18 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric oscillator package and piezoelectric oscillator
JP2016152587A (en) * 2015-02-19 2016-08-22 セイコーエプソン株式会社 Package, oscillation device, electronic apparatus, and mobile
JP2017028487A (en) * 2015-07-22 2017-02-02 京セラクリスタルデバイス株式会社 Piezoelectric device for high temperature

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