JP2002158201A - 半導体ウエハ用洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハ用洗浄装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄チャンバ内に供給される置換ガス流れを
乱してガス置換効率を悪化させる上昇気流を簡便に抑制
し得る半導体ウエハ用洗浄装置の提供。 【解決手段】 密閉可能な洗浄チャンバ内に、スピンテ
ーブルと、スピンテーブル上のウエハの表面へ洗浄液を
供給する洗浄液供給手段とを備えた枚葉式の半導体ウエ
ハ用洗浄装置において、前記洗浄チャンバは、内部雰囲
気を排出すると共に所定ガスをチャンバ内のウエハ表面
に供給するガス置換機構を有すると共に、前記スピンテ
ーブル上のウエハ表面を覆う上方位置で洗浄チャンバを
塞ぐように設けられ、前記ウエハ表面に供給されるガス
を流通させるための開口がウエハ中央領域対応部に形成
された整流板を備えているものとした。
乱してガス置換効率を悪化させる上昇気流を簡便に抑制
し得る半導体ウエハ用洗浄装置の提供。 【解決手段】 密閉可能な洗浄チャンバ内に、スピンテ
ーブルと、スピンテーブル上のウエハの表面へ洗浄液を
供給する洗浄液供給手段とを備えた枚葉式の半導体ウエ
ハ用洗浄装置において、前記洗浄チャンバは、内部雰囲
気を排出すると共に所定ガスをチャンバ内のウエハ表面
に供給するガス置換機構を有すると共に、前記スピンテ
ーブル上のウエハ表面を覆う上方位置で洗浄チャンバを
塞ぐように設けられ、前記ウエハ表面に供給されるガス
を流通させるための開口がウエハ中央領域対応部に形成
された整流板を備えているものとした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体装置
製造工程における半導体ウエハの洗浄を行うための装置
に関するものであり、詳しくはスピン式の洗浄装置に関
するものである。
製造工程における半導体ウエハの洗浄を行うための装置
に関するものであり、詳しくはスピン式の洗浄装置に関
するものである。
【０００２】近年の半導体製造工程においては、ウエハ
の大口径化に伴い、各工程で枚葉式が採用され、洗浄工
程も同様である。そこで、枚葉式として最も洗浄効率の
高いスピン洗浄が挙げられる。
の大口径化に伴い、各工程で枚葉式が採用され、洗浄工
程も同様である。そこで、枚葉式として最も洗浄効率の
高いスピン洗浄が挙げられる。
【０００３】スピン洗浄方法は、例えば図３に示すよう
に、洗浄チャンバＴ内でスピンテーブルＲによりウエハ
Ｗを回転させながらその表面上にノズルから薬液や純水
リンス液などの洗浄液を供給するスピン洗浄装置を用い
るものであり、洗浄液が遠心力によりウエハ表面に沿っ
て外周方向へ移動することにより、ウエハ表面上のパー
ティクルや金属等の汚染物を洗い流すものである。この
ようなスピン洗浄装置によれば、バッチ浸漬法より洗浄
時間が短くて済む。
に、洗浄チャンバＴ内でスピンテーブルＲによりウエハ
Ｗを回転させながらその表面上にノズルから薬液や純水
リンス液などの洗浄液を供給するスピン洗浄装置を用い
るものであり、洗浄液が遠心力によりウエハ表面に沿っ
て外周方向へ移動することにより、ウエハ表面上のパー
ティクルや金属等の汚染物を洗い流すものである。この
ようなスピン洗浄装置によれば、バッチ浸漬法より洗浄
時間が短くて済む。
【０００４】またこのようなスピン洗浄装置において
は、洗浄の最終仕上げとして、ウエハＷの回転を続けな
がら洗浄チャンバＴ内へ置換ガスＰを供給しつつチャン
バＴ下方から排気してチャンバ内雰囲気のガス置換を行
うことによって、清浄な乾燥仕上げが行われている。
は、洗浄の最終仕上げとして、ウエハＷの回転を続けな
がら洗浄チャンバＴ内へ置換ガスＰを供給しつつチャン
バＴ下方から排気してチャンバ内雰囲気のガス置換を行
うことによって、清浄な乾燥仕上げが行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなスピン洗浄装置においては、チャンバ内でウエハ
の回転に誘起される回転気流が大きな渦を発生し、図３
中に点線で示すようにチャンバ壁面に沿った上昇気流Ｕ
が生じることがある。
ようなスピン洗浄装置においては、チャンバ内でウエハ
の回転に誘起される回転気流が大きな渦を発生し、図３
中に点線で示すようにチャンバ壁面に沿った上昇気流Ｕ
が生じることがある。
【０００６】このような上昇気流は、置換ガスの供給流
れを乱してガス置換効率を悪化させると共に、パーティ
クルやミストを巻き上げて洗浄・乾燥工程後にウエハ表
面上に落下付着させてしまい、ガス置換効率の悪化で残
留した液滴によって放射状のパーティクルを発生し易く
させ、著しい品質低下を招くという問題があった。
れを乱してガス置換効率を悪化させると共に、パーティ
クルやミストを巻き上げて洗浄・乾燥工程後にウエハ表
面上に落下付着させてしまい、ガス置換効率の悪化で残
留した液滴によって放射状のパーティクルを発生し易く
させ、著しい品質低下を招くという問題があった。
【０００７】これまで上昇気流による置換ガスの供給乱
れを抑えるために、置換ガスの供給量を増やすという対
策を講じていたが、このようにガス供給量を増加させる
方法ではコスト増加という別の問題を招いてしまい、効
率的で簡便な対策方法が求められている。
れを抑えるために、置換ガスの供給量を増やすという対
策を講じていたが、このようにガス供給量を増加させる
方法ではコスト増加という別の問題を招いてしまい、効
率的で簡便な対策方法が求められている。
【０００８】本発明の主な目的は、上記問題点に鑑み、
洗浄チャンバ内に供給される置換ガス流れを乱してガス
置換効率を悪化させる上昇気流を簡便に抑制し得る半導
体ウエハ用洗浄装置を提供することにある。
洗浄チャンバ内に供給される置換ガス流れを乱してガス
置換効率を悪化させる上昇気流を簡便に抑制し得る半導
体ウエハ用洗浄装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明に係る半導体ウエハ用洗浄装
置は、密閉可能な洗浄チャンバ内に、スピンテーブル
と、スピンテーブル上のウエハの表面へ洗浄液を供給す
る洗浄液供給手段とを備えた枚葉式の半導体ウエハ用洗
浄装置において、前記洗浄チャンバは、内部雰囲気を排
出すると共に所定ガスをチャンバ内のウエハ表面に供給
するガス置換機構を有すると共に、前記スピンテーブル
上のウエハ表面を覆う上方位置に洗浄チャンバの断面内
に亘って設けられ、前記ウエハ表面に供給されるガスを
流通させるための開口がウエハ中央領域対応部に形成さ
れた整流板を備えているものである。
め、請求項１に記載の発明に係る半導体ウエハ用洗浄装
置は、密閉可能な洗浄チャンバ内に、スピンテーブル
と、スピンテーブル上のウエハの表面へ洗浄液を供給す
る洗浄液供給手段とを備えた枚葉式の半導体ウエハ用洗
浄装置において、前記洗浄チャンバは、内部雰囲気を排
出すると共に所定ガスをチャンバ内のウエハ表面に供給
するガス置換機構を有すると共に、前記スピンテーブル
上のウエハ表面を覆う上方位置に洗浄チャンバの断面内
に亘って設けられ、前記ウエハ表面に供給されるガスを
流通させるための開口がウエハ中央領域対応部に形成さ
れた整流板を備えているものである。
【００１０】また、請求項２に記載の発明に係る半導体
ウエハ用洗浄装置は、請求項１に記載の半導体ウエハ用
洗浄装置において、前記整流板は、ウエハ表面から２０
〜１００ｍｍ上方位置に設置されているものである。
ウエハ用洗浄装置は、請求項１に記載の半導体ウエハ用
洗浄装置において、前記整流板は、ウエハ表面から２０
〜１００ｍｍ上方位置に設置されているものである。
【００１１】さらに請求項３に記載の発明に係る半導体
ウエハ用洗浄装置は、請求項１に記載の半導体ウエハ用
洗浄装置において、前記整流板の開口は、前記ウエハ口
径の１０〜８０％に相当する内径を有するものである。
ウエハ用洗浄装置は、請求項１に記載の半導体ウエハ用
洗浄装置において、前記整流板の開口は、前記ウエハ口
径の１０〜８０％に相当する内径を有するものである。
【００１２】本発明においては、スピン式のウエハ洗浄
装置の洗浄チャンバ内に、供給ガスを流通させる開口を
持つ整流板がウエハ表面を覆う上方位置に洗浄チャンバ
の断面内に亘って備えられたものである。即ち、この整
流板は、供給ガスが流通する開口部を除く洗浄チャンバ
の壁面付近を塞いでおり、スピンテーブルによるウエハ
の回転に伴って回転気流によりチャンバ壁面に沿って発
生しようとする上方気流を遮り、置換ガス流れに対して
影響することを防止することができる。
装置の洗浄チャンバ内に、供給ガスを流通させる開口を
持つ整流板がウエハ表面を覆う上方位置に洗浄チャンバ
の断面内に亘って備えられたものである。即ち、この整
流板は、供給ガスが流通する開口部を除く洗浄チャンバ
の壁面付近を塞いでおり、スピンテーブルによるウエハ
の回転に伴って回転気流によりチャンバ壁面に沿って発
生しようとする上方気流を遮り、置換ガス流れに対して
影響することを防止することができる。
【００１３】従って、本発明のウエハ洗浄装置において
は、パージガスによるガス置換で洗浄後の乾燥仕上げを
行うに当たって、置換ガス流れが乱されてパーティクル
やミストが巻き上げられることも、洗浄乾燥後にウエハ
表面に落下付着し乾燥の効率の悪化で残留した液滴によ
る放射状のパーティクルを発生することもなくなり、ガ
ス供給量を増加させることなく効率的なガス置換ができ
るので、コストを抑えたまま、洗浄乾燥上がりで半導体
ウエハの高清浄表面が得られ、製品の品質の悪化を防ぐ
ことが可能となる。
は、パージガスによるガス置換で洗浄後の乾燥仕上げを
行うに当たって、置換ガス流れが乱されてパーティクル
やミストが巻き上げられることも、洗浄乾燥後にウエハ
表面に落下付着し乾燥の効率の悪化で残留した液滴によ
る放射状のパーティクルを発生することもなくなり、ガ
ス供給量を増加させることなく効率的なガス置換ができ
るので、コストを抑えたまま、洗浄乾燥上がりで半導体
ウエハの高清浄表面が得られ、製品の品質の悪化を防ぐ
ことが可能となる。
【００１４】なお、本発明の整流板としては、洗浄チャ
ンバ内周形状と一致する外周形状をもつ平板部材に開口
を形成する構成が最も簡便なものであるが、このような
平板形状に限定されるものではなく、例えば、置換ガス
流れを乱すことなく、漏斗状にガス流れ方向に傾斜した
平面あるいは曲面部材で構成しても良い。また、整流板
の材質は、洗浄に用いられる種々の薬液に対して耐食性
を持つものを用いるが、例えば、テフロン（登録商標）
やクリーン塩化ビニールなどが適している。
ンバ内周形状と一致する外周形状をもつ平板部材に開口
を形成する構成が最も簡便なものであるが、このような
平板形状に限定されるものではなく、例えば、置換ガス
流れを乱すことなく、漏斗状にガス流れ方向に傾斜した
平面あるいは曲面部材で構成しても良い。また、整流板
の材質は、洗浄に用いられる種々の薬液に対して耐食性
を持つものを用いるが、例えば、テフロン（登録商標）
やクリーン塩化ビニールなどが適している。
【００１５】また、整流板が設置される高さ位置は、上
昇気流を抑える効果が発揮される範囲であると共に、洗
浄工程の於いてウエハ表面から跳ねた液滴が届かない高
さに設置する。例えばφ４００ｍｍの大口径ウエハの場
合、ウエハ表面から２０〜１００ｍｍ上方の位置とする
ことが好ましい。この範囲より低い位置では、洗浄時に
ウエハ表面から跳ねた液滴が付着し、後にウエハ表面に
落下して汚染の原因となる恐れが生じ、前記範囲を超え
た高い位置に設置すると、整流板より下方でチャンバ壁
面に沿った上昇気流が発生し始め、整流板としての効果
が期待できなくなってしまうためである。
昇気流を抑える効果が発揮される範囲であると共に、洗
浄工程の於いてウエハ表面から跳ねた液滴が届かない高
さに設置する。例えばφ４００ｍｍの大口径ウエハの場
合、ウエハ表面から２０〜１００ｍｍ上方の位置とする
ことが好ましい。この範囲より低い位置では、洗浄時に
ウエハ表面から跳ねた液滴が付着し、後にウエハ表面に
落下して汚染の原因となる恐れが生じ、前記範囲を超え
た高い位置に設置すると、整流板より下方でチャンバ壁
面に沿った上昇気流が発生し始め、整流板としての効果
が期待できなくなってしまうためである。
【００１６】また、整流板はチャンバ壁付近の置換ガス
流れを遮ることも考えられるが、中心領域のガス流速
は、開口を通過した後、ウエハ表面に沿って外周方向へ
広がるため、置換ガスによる乾燥効率の低下は、整流板
がない場合に発生する上昇気流による置換ガス流れの乱
れに起因する乾燥効率の悪化に比べて殆ど問題にならな
い。
流れを遮ることも考えられるが、中心領域のガス流速
は、開口を通過した後、ウエハ表面に沿って外周方向へ
広がるため、置換ガスによる乾燥効率の低下は、整流板
がない場合に発生する上昇気流による置換ガス流れの乱
れに起因する乾燥効率の悪化に比べて殆ど問題にならな
い。
【００１７】但し、開口の内径は、ウエハ口径の１０〜
８０％の範囲内に設定することが望ましい。これは前記
範囲より小さい径とすると、開口を通過したガス流速が
ウエハ表面に沿って外周方向に広がってもウエハの周縁
まで充分な置換ガスが回り難くなり、前記範囲より大き
な径では、整流板としての上昇気流を抑える効果が失わ
れ始めるためである。
８０％の範囲内に設定することが望ましい。これは前記
範囲より小さい径とすると、開口を通過したガス流速が
ウエハ表面に沿って外周方向に広がってもウエハの周縁
まで充分な置換ガスが回り難くなり、前記範囲より大き
な径では、整流板としての上昇気流を抑える効果が失わ
れ始めるためである。
【００１８】また、ウエハ表面全域への置換ガスの供給
効率の点から置換ガスの流れ方向に直交する断面内にお
ける流速分布は、該断面内に亘って均一か、中心部が外
周より速くなるように設定することが望ましい。
効率の点から置換ガスの流れ方向に直交する断面内にお
ける流速分布は、該断面内に亘って均一か、中心部が外
周より速くなるように設定することが望ましい。
【００１９】なお、本発明による洗浄装置は、半導体ウ
エハ用に限らず、洗浄チャンバ内でのスピン洗浄を行
い、高清浄な乾燥仕上げ表面が求められる各種部材、例
えば、石英ガラス、化合物半導体、ＣＤ等の洗浄に適用
可能である。
エハ用に限らず、洗浄チャンバ内でのスピン洗浄を行
い、高清浄な乾燥仕上げ表面が求められる各種部材、例
えば、石英ガラス、化合物半導体、ＣＤ等の洗浄に適用
可能である。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態として、平
板状部材から構成された整流板を洗浄チャンバ内に備え
たスピン式ウエハ洗浄装置を図１に示す。図１は、洗浄
仕上げ（乾燥）工程の際の洗浄チャンバの概略構成図で
あり、説明の簡便のため洗浄工程に必要な、薬液やリン
ス液などの洗浄液をウエハ表面上に供給するためのノズ
ル等、供給系機構の図示は省いた。
板状部材から構成された整流板を洗浄チャンバ内に備え
たスピン式ウエハ洗浄装置を図１に示す。図１は、洗浄
仕上げ（乾燥）工程の際の洗浄チャンバの概略構成図で
あり、説明の簡便のため洗浄工程に必要な、薬液やリン
ス液などの洗浄液をウエハ表面上に供給するためのノズ
ル等、供給系機構の図示は省いた。
【００２１】本実施形態によるウエハ洗浄装置は、下方
に排液および排気のための吸引ドレインＤを備えた洗浄
チャンバＴ内にスピンテーブルＲが設置されたものであ
り、このスピンテーブルＲ上にウエハＷを載置し、これ
を回転させながらウエハ表面にノズル（不図示）から洗
浄液を供給することによってウエハＷの表面洗浄が行わ
れるものである。
に排液および排気のための吸引ドレインＤを備えた洗浄
チャンバＴ内にスピンテーブルＲが設置されたものであ
り、このスピンテーブルＲ上にウエハＷを載置し、これ
を回転させながらウエハ表面にノズル（不図示）から洗
浄液を供給することによってウエハＷの表面洗浄が行わ
れるものである。
【００２２】さらに、本洗浄装置には、洗浄後の仕上げ
乾燥工程において洗浄チャンバＴ内の雰囲気を窒素等の
パージガスＰで置換するために、ガス供給装置（不図
示）を介してチャンバ上方から、チャンバ内下方のウエ
ハ表面へ向けてパージガスＰが送り出される構成となっ
ている。従って、ガス置換が始まると、チャンバＴ上方
からのパージガスＰの供給とチャンバＴ下方からの吸引
ドレインＤによる排気によって、チャンバＴ内では下降
ガス流が生じるものである。この下降ガス流が生じてい
る場合は、チャンバＴ内はガス置換が効率よく進行して
いる状態である。
乾燥工程において洗浄チャンバＴ内の雰囲気を窒素等の
パージガスＰで置換するために、ガス供給装置（不図
示）を介してチャンバ上方から、チャンバ内下方のウエ
ハ表面へ向けてパージガスＰが送り出される構成となっ
ている。従って、ガス置換が始まると、チャンバＴ上方
からのパージガスＰの供給とチャンバＴ下方からの吸引
ドレインＤによる排気によって、チャンバＴ内では下降
ガス流が生じるものである。この下降ガス流が生じてい
る場合は、チャンバＴ内はガス置換が効率よく進行して
いる状態である。
【００２３】これに対して下降ガス流が乱されると、ガ
スの置換効率は悪化し、ウエハ表面の洗浄仕上げに悪影
響を及ぼすが、この下降ガス流を乱すのは、スピンテー
ブルＲによるウエハＷの回転流からチャンバ壁面に沿っ
て発生する上昇気流である。本実施形態では、洗浄チャ
ンバＴのスピンテーブルＲ上方の円筒状部内の所定高さ
位置に整流板１を設置して前記上昇気流の発生を抑える
ものとした。
スの置換効率は悪化し、ウエハ表面の洗浄仕上げに悪影
響を及ぼすが、この下降ガス流を乱すのは、スピンテー
ブルＲによるウエハＷの回転流からチャンバ壁面に沿っ
て発生する上昇気流である。本実施形態では、洗浄チャ
ンバＴのスピンテーブルＲ上方の円筒状部内の所定高さ
位置に整流板１を設置して前記上昇気流の発生を抑える
ものとした。
【００２４】本実施形態の整流板１は、図１（ｂ）の平
面図に示すように、チャンバ内周形状と合致する外周形
状を持つ円形の平板状部材の中央に同心の円形開口１を
穿設して構成したものである。
面図に示すように、チャンバ内周形状と合致する外周形
状を持つ円形の平板状部材の中央に同心の円形開口１を
穿設して構成したものである。
【００２５】ここで、図１に示す構成の洗浄チャンバを
持つ洗浄装置において、口径４００ｍｍのウエハＷを対
象に、整流板１の開口２の内周径を２００ｍｍ、設置位
置をウエハＷ表面から４０ｍｍ上方の高さ位置として、
ウエハ表面洗浄後の水素パージガス置換を行った場合の
乾燥仕上がり評価を行った。
持つ洗浄装置において、口径４００ｍｍのウエハＷを対
象に、整流板１の開口２の内周径を２００ｍｍ、設置位
置をウエハＷ表面から４０ｍｍ上方の高さ位置として、
ウエハ表面洗浄後の水素パージガス置換を行った場合の
乾燥仕上がり評価を行った。
【００２６】この評価は、パージガス供給量を３ｍ３
／ｍｉｎとし、ウエハ表面上の洗浄終了後から水素終端
処理完了後における粒径８０ｎｍ以上のパーティクルの
増加個数と、ウエハ撥水表面の完全乾燥のきっかけとな
るウエハ中心撥水ウインドウの形成時間とを、同じ洗浄
チャンバで整流板１を設置しない場合を対照に行った。
／ｍｉｎとし、ウエハ表面上の洗浄終了後から水素終端
処理完了後における粒径８０ｎｍ以上のパーティクルの
増加個数と、ウエハ撥水表面の完全乾燥のきっかけとな
るウエハ中心撥水ウインドウの形成時間とを、同じ洗浄
チャンバで整流板１を設置しない場合を対照に行った。
【００２７】その結果、整流板１を設置しない場合で
は、放射状および散布状にパーティクルの発生してお
り、粒径８０ｎｍ以上のパーティクルが５０００〜１０
０００個増加していたのに対して、整流板１を設けた本
実施形態による洗浄チャンバでは、粒径８０ｎｍ以上の
パーティクルの増加個数は０であった。
は、放射状および散布状にパーティクルの発生してお
り、粒径８０ｎｍ以上のパーティクルが５０００〜１０
０００個増加していたのに対して、整流板１を設けた本
実施形態による洗浄チャンバでは、粒径８０ｎｍ以上の
パーティクルの増加個数は０であった。
【００２８】また、前記撥水ウインドウの形成時間は、
本実施形態によるものは、整流板１のないものに対して
約２０％短縮された。即ち、従来と同じ乾燥時間を設定
するのであればパージガスの供給量を減らせることにな
る。これは、このガス置換の際のチャンバ内のガス流れ
が、図２に示すシミュレート結果の模式図で示すよう
に、チャンバ壁面に沿った上昇気流の発生が完全に抑え
られ、ウエハ中心部へのパージガスの吹付が良好であっ
たためである。
本実施形態によるものは、整流板１のないものに対して
約２０％短縮された。即ち、従来と同じ乾燥時間を設定
するのであればパージガスの供給量を減らせることにな
る。これは、このガス置換の際のチャンバ内のガス流れ
が、図２に示すシミュレート結果の模式図で示すよう
に、チャンバ壁面に沿った上昇気流の発生が完全に抑え
られ、ウエハ中心部へのパージガスの吹付が良好であっ
たためである。
【００２９】また、整流板１のない洗浄チャンバにおい
ては、ウエハ表面上に放射状のパーティクルだけでなく
液滴の残留も認められたのに対して、本実施形態の洗浄
チャンバにおいてはウエハＷ表面上に放射状のパーティ
クルの発生が見られなかったのも、撥水ウインドウがウ
エハ中心から外周方向へ向かって拡げられて行くにとき
に、ウエハ中心から外周方向へ向かってパージガスがス
ムーズに流れることにより、液滴の残留が無く、ウエハ
全面に亘って均一に乾燥できたためである。
ては、ウエハ表面上に放射状のパーティクルだけでなく
液滴の残留も認められたのに対して、本実施形態の洗浄
チャンバにおいてはウエハＷ表面上に放射状のパーティ
クルの発生が見られなかったのも、撥水ウインドウがウ
エハ中心から外周方向へ向かって拡げられて行くにとき
に、ウエハ中心から外周方向へ向かってパージガスがス
ムーズに流れることにより、液滴の残留が無く、ウエハ
全面に亘って均一に乾燥できたためである。
【００３０】以上のように、本実施形態によれば、従来
よりコストを低減させながらも、置換ガス流れの乱れを
抑え、効率的に清浄な乾燥仕上がりが行える。
よりコストを低減させながらも、置換ガス流れの乱れを
抑え、効率的に清浄な乾燥仕上がりが行える。
【００３１】なお、上記のような整流板を備えた洗浄チ
ャンバにおいては、整流板より上方に大きなチャンバ空
間は必要なくなり、その分従来より装置の小型化を図る
こともできる。
ャンバにおいては、整流板より上方に大きなチャンバ空
間は必要なくなり、その分従来より装置の小型化を図る
こともできる。
【００３２】また、整流板より下方のチャンバ形状につ
いても、ウエハ表面上を外周方向へ向かったパージガス
が、ウエハ周縁から下方のドレインＤへ向かいやすい形
状であることが好ましい。例えば、図１に示すように、
整流板より下方に向かってチャンバ内径を拡径してテー
パ面を形成し、その下でまた平行な円筒状とする構成が
挙げられる。
いても、ウエハ表面上を外周方向へ向かったパージガス
が、ウエハ周縁から下方のドレインＤへ向かいやすい形
状であることが好ましい。例えば、図１に示すように、
整流板より下方に向かってチャンバ内径を拡径してテー
パ面を形成し、その下でまた平行な円筒状とする構成が
挙げられる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
従来よりコストを低減させながらも、洗浄チャンバ内で
の上昇流の発生を良好に抑えて効率のよいガス置換を行
い、効率的に高清浄なウエハの洗浄、乾燥仕上がりが得
られ、半導体ウエハの高品質が維持できるという効果が
ある。
従来よりコストを低減させながらも、洗浄チャンバ内で
の上昇流の発生を良好に抑えて効率のよいガス置換を行
い、効率的に高清浄なウエハの洗浄、乾燥仕上がりが得
られ、半導体ウエハの高品質が維持できるという効果が
ある。
【図１】本発明の一実施の形態による半導体ウエハ用洗
浄装置の洗浄チャンバの構成を示す概略構成図であり、
（ａ）は洗浄チャンバの概略断面図、（ｂ）は本洗浄チ
ャンバ内に設置される整流板の概略平面図である。
浄装置の洗浄チャンバの構成を示す概略構成図であり、
（ａ）は洗浄チャンバの概略断面図、（ｂ）は本洗浄チ
ャンバ内に設置される整流板の概略平面図である。
【図２】本実施形態による洗浄装置での乾燥仕上がり評
価を行った際に洗浄チャンバ内の置換ガス流れをシミュ
レートした模式図である。
価を行った際に洗浄チャンバ内の置換ガス流れをシミュ
レートした模式図である。
【図３】従来型の洗浄装置の洗浄チャンバ構成および該
洗浄チャンバ内の置換ガス流れを示す模式図である。
洗浄チャンバ内の置換ガス流れを示す模式図である。
Ｔ：洗浄チャンバ Ｄ：吸引ドレイン Ｒ：スピンテーブル Ｗ：ウエハ １：整流板 ２：開口 Ｐ：パージガス Ｕ：上昇気流
Claims (3)
- 【請求項１】 密閉可能な洗浄チャンバ内に、スピンテ
ーブルと、スピンテーブル上のウエハの表面へ洗浄液を
供給する洗浄液供給手段とを備えた枚葉式の半導体ウエ
ハ用洗浄装置において、 前記洗浄チャンバは、内部雰囲気を排出すると共に所定
ガスをチャンバ内のウエハ表面に供給するガス置換機構
を有すると共に、前記スピンテーブル上のウエハ表面を
覆う上方位置で洗浄チャンバを塞ぐように設けられ、前
記ウエハ表面に供給されるガスを流通させるための開口
がウエハ中央領域対応部に形成された整流板を備えてい
ることを特徴とする半導体ウエハ用洗浄装置。 - 【請求項２】 前記整流板は、ウエハ表面から２０〜１
００ｍｍ上方位置に設置されていることを特徴とする請
求項１に記載の半導体ウエハ用洗浄装置。 - 【請求項３】 前記整流板の開口は、前記ウエハ口径の
１０〜８０％に相当する内径を有することを特徴とする
請求項１に記載の半導体ウエハ用洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000350678A JP2002158201A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | 半導体ウエハ用洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000350678A JP2002158201A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | 半導体ウエハ用洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158201A true JP2002158201A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18823864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000350678A Pending JP2002158201A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | 半導体ウエハ用洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002158201A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004281429A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 湿式洗浄装置及びそれに用いるノズル |
| CN116213361A (zh) * | 2021-12-02 | 2023-06-06 | 成都高真科技有限公司 | 非接触式晶圆台清洗装置、方法及其清洗检验装置、方法 |
-
2000
- 2000-11-17 JP JP2000350678A patent/JP2002158201A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004281429A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 湿式洗浄装置及びそれに用いるノズル |
| CN116213361A (zh) * | 2021-12-02 | 2023-06-06 | 成都高真科技有限公司 | 非接触式晶圆台清洗装置、方法及其清洗检验装置、方法 |
| CN116213361B (zh) * | 2021-12-02 | 2025-06-13 | 成都高真科技有限公司 | 非接触式晶圆台清洗装置、方法及其清洗检验装置、方法 |
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Legal Events
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| A625 | Written request for application examination (by other person) |
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