JP2002158151A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents

半導体素子及びその製造方法

Info

Publication number
JP2002158151A
JP2002158151A JP2001113034A JP2001113034A JP2002158151A JP 2002158151 A JP2002158151 A JP 2002158151A JP 2001113034 A JP2001113034 A JP 2001113034A JP 2001113034 A JP2001113034 A JP 2001113034A JP 2002158151 A JP2002158151 A JP 2002158151A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
arbitrary
manufacturing
semiconductor substrate
manufactured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001113034A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Omi
俊彦 近江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP2001113034A priority Critical patent/JP2002158151A/ja
Priority to US09/864,940 priority patent/US20020160589A1/en
Priority to KR1020010030810A priority patent/KR100811327B1/ko
Publication of JP2002158151A publication Critical patent/JP2002158151A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Program-control systems
    • G05B19/02—Program-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32096—Batch, recipe configuration for flexible batch control
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多品種を安価に製造する半導体素子の製造方
法の提供。 【解決手段】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同一
バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子に
おいて、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に形
成された半導体素子と、前記同一バッチ製造した残りの
半導体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成さ
れた半導体素子が異なることを特徴とする半導体素子及
びその製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、家電機器、ＡＶ機
器、情報機器、通信機器、自動車電装機器など広い分野
で応用されている半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子は通常数十枚以上の半導体基
板を同一バッチ製造することで、同一規格、同一仕様の
半導体素子を大量生産することができ、安価で高品質な
標準規格品を社会に提供してきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近は
価値の多様化に伴ない、少量、多品種の半導体素子が社
会から求められている。前記の通り、半導体素子は、安
価で高品質な標準規格品を社会に提供してきた。これ
は、数十枚以上の半導体基板を同一バッチ製造すること
による恩恵である。一方、少量、多品種の半導体素子を
供給するためには、１枚から数枚程度の半導体基板を同
一バッチ製造するだけで充分である場合が多々ある。こ
の場合、半導体素子製造の特徴を活かすことができなく
なり、安価で高品質な半導体素子提供が困難となる。
【０００４】本発明は、異なる規格、仕様の半導体素子
を同一バッチ製造することで、上記問題を解決し、安価
で、高品質な半導体素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、 少なくとも
２枚以上の半導体基板を同一バッチ製造する半導体基板
上に形成された半導体素子において、前記同一バッチ製
造した任意の半導体基板に形成された半導体素子と、前
記同一バッチ製造した残りの半導体基板のうち少なくと
も１枚の半導体基板に形成された半導体素子が異なるこ
とを特徴とする半導体素子及びその製造方法である。
【０００６】異なる規格、仕様の半導体素子を同一バッ
チ製造するために、少なくとも２枚以上の半導体基板を
同一バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素
子において、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板
に形成された半導体素子と、前記同一バッチ製造した残
りの半導体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形
成された半導体素子が異なる半導体素子及びその製造方
法において、前記半導体素子の製造工程の内、熱処理工
程が全て同一バッチ製造であるかあるいは任意の熱処理
工程のみ任意の半導体基板を除き全て同一バッチ製造で
あること、あるいは前記任意の半導体素子と異なる半導
体素子を形成する半導体基板のみ、任意の写真製版工程
において異なる原画を写真製版する写真製版工程、ある
いは任意の不純物イオン注入工程において異なる不純物
イオンもしくは異なる量をイオン注入する不純物イオン
注入工程の内少なくとも１つを有することを特徴として
いる。
【０００７】本発明の製造方法を実現する手段として、
少なくとも2枚以上のマスクを格納する格納庫と、所望
のマスクを格納庫から写真製版をするための露光部への
搬送するため、及び露光処理が終了したマスクを露光部
から格納庫へ搬送するための搬送機機と、少なくとも１
つ以上の任意の製造ロットとそのウエハ及び当該ロット
の任意のウエハが所望するマスクをあらかじめ記憶する
記憶機器と、記憶した通りに任意ロットの任意ウエハに
対応するマスクを格納庫から搬送し、露光するように命
令する制御機器からなることを特徴とする写真製版装置
による製造方法がある。この写真製版装置による製造方
法であれば、あらかじめ処理したいロットの各ウエハに
必要なマスクを装置に記憶させておくことで自動的に必
要なマスクを選択して露光処理をすることができ、同一
ロットの中でウエハ毎に異なるマスクを写真製版するこ
とが容易にできるため、少なくとも2種類以上のICを同
一バッチ製造することが簡便に実現できる。
【０００８】前記写真製版装置に、マスクに付着したゴ
ミを検査する機器と、マスクを洗浄する機器と、少なく
とも1枚以上のマスクを任意の温度に保つ余熱室を設
け、記憶した所望のマスクを露光部へ設置するために必
要な準備をあらかじめ自動的に施す機能を付加すること
で、露光するマスクを交換する時間の短縮をでき、同一
ロットの中で複数のマスクを露光する場合でも生産性を
おとすことがない。
【０００９】少なくとも２台以上の前記写真製版装置を
使う場合、任意の写真製版装置の使用する写真製版工程
をあらかじめ決めておくことで、共通のマスク格納庫が
必要ではなくなる。また、写真製版装置ごとに小型のマ
スク格納庫を有することで、写真製版装置のマスク搬送
系が小型で簡便にできる。
【００１０】また、本発明の製造方法を実現する手段と
して、任意のマスク原画を半導体基板に塗布した感光膜
に転写する写真製版装置において、前記マスク原画が所
望のデータを入力することにより電子ディスプレィに表
示した原画からなることを特徴とした写真製版装置によ
り製造された半導体素子及びその製造方法がある。この
写真製版装置による製造方法であれば、あらかじめ処理
したいロットの各ウエハに必要なマスク原画データを写
真製版装置に入力しておくことで、同一ロットの中でウ
エハ毎に異なるマスク原画を写真製版することが容易に
できるため、少なくとも2種類以上のICを同一バッチ製
造することが簡便に実現できる。前記写真製版装置のマ
スク原画を表示する電子ディスプレィは、マトリクス表
示液晶パネルなどで構成できる。
【００１１】また、少なくとも２枚以上の半導体基板を
同一バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素
子で、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に形成
された半導体素子と、前記同一バッチ製造した残りの半
導体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成され
た半導体素子が異なることを特徴とする半導体素子及び
その製造方法の任意の原画を半導体基板に塗布した感光
膜に転写する写真製版装置において、前記感光膜を感光
させる光源と、前記光源を前記感光膜に導光するレンズ
と、複数の微少な鏡をアレイ状に配列したミラーアレイ
と、前記ミラーアレイの各微少鏡を任意の角度に移動さ
せる駆動装置とその制御装置からなり、前記光源の光が
前記ミラーアレイで反射して前記感光膜に至るよう前記
光源、前記レンズ、前記ミラーアレイが配置され、前記
駆動装置により前記微少鏡の反射光が前記感光膜に至る
角度と反射光が前記感光膜に至らない角度の少なくとも
２つの位置に移動できるように駆動することができ、ミ
ラーアレイ全体で前記感光膜に任意の画像を反射するよ
うに制御装置で制御することを特徴とする写真製版装置
による製造方法であれば、あらかじめ処理したいロット
の各ウエハに必要なマスク原画データを写真製版装置に
入力しておくことで、同一ロットの中でウエハ毎に異な
るマスク原画を写真製版することが容易にできるため、
少なくとも2種類以上のICを同一バッチ製造することが
簡便に実現できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本実施例では、25枚のP型シリコ
ン基板のうち１枚目から10枚目までに第1の半導体素子
を、11枚目から18枚目までに第2の半導体素子を、19枚
目から25枚目までに第3の半導体素子を同一バッチ製造
した例をしめす。
【００１３】はじめに1〜25枚目のシリコン基板にID番
号をレーザーで刻む。次に、1〜25枚目のシリコン基板
を同時に加熱して熱酸化膜を形成する。1〜10枚目まで
を第1のフォトマスクで、11〜18枚目を第2のフォトマス
クで、19〜25枚目までを第3のフォトマスクでそれぞれ
写真製版する。1〜25枚目までのシリコン基板から写真
製版された形状に熱酸化膜を除去し、燐イオンを注入し
てN型領域（N-）を形成する。次に1〜25枚目まで同時
に、シリコン基板から熱酸化膜を完全除去し、再度熱酸
化膜を形成し、窒化シリコン膜をCVD法で形成する。1〜
10枚目までを第4のフォトマスクで、11〜18枚目を第5の
フォトマスクで、19〜25枚目までを第6のフォトマスク
でそれぞれ写真製版する。1〜25枚目までのシリコン基
板から写真製版された形状に窒化シリコン膜を除去し、
燐イオンを注入してN型領域（N±）を形成する。1〜10
枚目までを第7のフォトマスクで、11〜18枚目を第8のフ
ォトマスクで、19〜25枚目までを第9のフォトマスクで
それぞれ写真製版する。1〜25枚目までのシリコン基板
に硼素イオンを注入してP型領域（P±）を形成する。次
に、1〜25枚目までのシリコン基板を同時に加熱して熱
酸化膜を形成し、窒化シリコン膜を完全に除去する。再
度、1〜25枚目までのシリコン基板を同時に加熱して熱
酸化膜を形成し、その上に多結晶シリコン膜をCVD法に
より形成する。1〜10枚目までを第10のフォトマスク
で、11〜18枚目を第11のフォトマスクで、19〜25枚目ま
でを第12のフォトマスクでそれぞれ写真製版する。1〜2
5枚目までのシリコン基板から写真製版された形状に多
結晶シリコン膜を除去する。1〜1 0枚目までを第13のフ
ォトマスクで、11〜18枚目を第14のフォトマスクで、19
〜25枚目までを第15のフォトマスクでそれぞれ写真製版
する。1〜25枚目までのシリコン基板に写真製版された
形状に、燐イオンを注入してN型領域（N+）を形成す
る。1〜10枚目までを第16のフォトマスクで、11〜18枚
目を第17のフォトマスクで、19〜25枚目までを第18のフ
ォトマスクでそれぞれ写真製版する。1〜25枚目までの
シリコン基板に写真製版された形状に、硼素イオンを注
入してP型領域（P+）を形成する。次に、1〜25枚目まで
のシリコン基板に同時に酸化膜をCVD法で形成し、その
後熱処理を施す。1〜10枚目までを第19のフォトマスク
で、11〜18枚目を第20のフォトマスクで、19〜25枚目ま
でを第21のフォトマスクでそれぞれ写真製版する。1〜2
5枚目までのシリコン基板から写真製版された形状に酸
化シリコン膜を除去する。次に、1〜25枚目までのシリ
コン基板に同時にアルミ膜をスパッタ法で形成する。1
〜10枚目までを第22のフォトマスクで、11〜18枚目を第
23のフォトマスクで、19〜25枚目までを第24のフォトマ
スクでそれぞれ写真製版する。1〜25枚目までのシリコ
ン基板から写真製版された形状にアルミ膜を除去する。
次に、1〜25枚目までのシリコン基板に同時に窒化シリ
コン膜をCVD法で形成し、その後熱処理を施す。1〜10枚
目までを第25のフォトマスクで、11〜18枚目を第26のフ
ォトマスクで、19〜25枚目までを第27のフォトマスクで
それぞれ写真製版する。最後に1〜25枚目までのシリコ
ン基板から写真製版された形状に窒化シリコン膜を除去
して、１枚目から10枚目までに第1の半導体素子を、11
枚目から18枚目までに第2の半導体素子を、19枚目から2
5枚目までに第3の半導体素子を同一バッチ製造すること
が完成する。
【００１４】図３に実施例の製造方法で用いた写真製版
装置の機能ブロック図を示す。マスクは通常は格納庫１
に保管されている。任意の写真製版工程で必要なマスク
は、搬送系１１により格納庫１からマスクのゴミ検査機
器１２、マスク洗浄機器１３に搬送され、洗浄及び検査
をされた後に余熱室１４に送られる。このとき当該写真
製版工程で使用する複数のマスクを余熱室まで搬送して
おく。次に、当該写真製版工程において任意のウエハに
対応したマスクを余熱室１４から露光部１５に送られ
て、ウエハに写真製版を施す。当該写真製版工程におけ
る全てのウエハの写真製版が終了したら、マスクは搬送
系１６によってマスク格納庫１に搬送される。これら全
ての動作は、制御部１８によってコントロールされる。
また、当該写真製版工程で必要になるマスクは、記憶装
置１７にあらかじめ記憶しておく。
【００１５】この実施例では、複数の写真製版装置が１
つのマスク格納庫を利用するものであるが、図４のよう
に任意の写真製版装置の使用する写真製版工程をあらか
じめ決めておくことで、写真製版装置ごとに小型のマス
ク格納庫をもつようにしてもよい。この場合も装置の動
作は図３の実施例と同じである。
【００１６】図５に実施例の製造方法で用いた写真製版
装置の露光部分の概略図を示す。この実施例では、電子
ディスプレィには、石英基板に封入した透過型液晶パネ
ルを使っている。
【００１７】光源１０１の紫外光は、マスク原画１０２
を通し、結像レンズ１０６により、半導体基板１０５上
に塗布した感光膜１０４にマスク原価と同じ画を露光す
る。マスク原画１０２は石英基板に封入した透過型液晶
を使用しており、駆動装置１０３で形成する任意の画像
を作り出す。
【００１８】図６に実施例の製造方法で用いたミラーア
レイを使った写真製版装置の露光部分の概略図を示す。
光源２０１の紫外光は、コリメートレンズ２０７を経
て、マスク原画２０２で反射して、結像レンズ２０６に
より、半導体基板２０５上に塗布した感光膜２０４にマ
スク原価と同じ画を露光する。マスク原画２０２は約５
００万の微小ミラーを集積しており、通常は光が感光膜
２０４に至らないような角度にミラーを保持している。
駆動装置２０３で任意のミラーを光が感光膜２０４に至
る角度に動かすことで、任意の画像を感光膜２０４に作
り出す。
【００１９】
【発明の効果】本発明により、異なる規格、仕様の半導
体素子を同一バッチ製造することで、少量、多品種の半
導体素子を安価で、高品質に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の断面図
【図２】本発明の第２の実施例の断面図（続き）
【図３】本発明の写真製版装置の機能ブロック図
【図４】本発明の第２の写真製版装置の機能ブロック図
【図５】本発明の写真製版装置の露光部の概略図１
【図６】本発明の写真製版装置の露光部の概略図２

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同一
    バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子で
    あって、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に形
    成された半導体素子と、前記同一バッチ製造した残りの
    半導体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成さ
    れた半導体素子が異なることを特徴とする半導体素子。
  2. 【請求項２】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同一
    バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子で
    あって、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に形
    成された半導体素子と、前記同一バッチ製造した残りの
    半導体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成さ
    れた半導体素子が異なる半導体素子において、前記半導
    体素子の製造工程の内、熱処理工程が全て同一バッチ製
    造であるかあるいは任意の熱処理工程のみ任意の半導体
    基板を除き全て同一バッチ製造であることを特徴とする
    請求項１の半導体素子。
  3. 【請求項３】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同一
    バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子で
    あって、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に形
    成された半導体素子と、前記同一バッチ製造した残りの
    半導体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成さ
    れた半導体素子が異なる半導体素子及びその製造方法に
    おいて、前記任意の半導体素子と異なる半導体素子を形
    成する半導体基板のみ、任意の写真製版工程において異
    なる原画を写真製版する写真製版工程を有することを特
    徴とする請求項１または２記載の半導体素子。
  4. 【請求項４】 少なくとも2枚以上のマスクを格納する
    格納庫と、所望のマスクを格納庫から写真製版をするた
    めの露光部への搬送するため及び露光処理が終了したマ
    スクを露光部から格納庫へ搬送するための搬送機機と、
    少なくとも１つ以上の任意の製造ロットとそのウエハ及
    び当該ロットの任意のウエハが所望するマスクをあらか
    じめ記憶する記憶機器と、記憶した通りに任意ロットの
    任意ウエハに対応するマスクを格納庫から搬送し、露光
    するように命令する制御機器からなる写真製版装置によ
    り写真製版された請求項１乃至３いずれか記載の半導体
    素子。
  5. 【請求項５】 少なくとも2枚以上のマスクを格納する
    格納庫と、所望のマスクを格納庫から写真製版をするた
    めの露光部への搬送するため及び露光処理が終了したマ
    スクを露光部から格納庫へ搬送するための搬送機機と、
    少なくとも１つ以上の任意の製造ロットとそのウエハ及
    び当該ロットの任意のウエハが所望するマスクをあらか
    じめ記憶する記憶機器と、記憶した通りに任意ロットの
    任意ウエハに対応するマスクを格納庫から搬送し、露光
    するように命令する制御機器からなる写真製版装置と、
    あらかじめ記憶された所望のマスクのゴミ検査する機器
    と、マスクを洗浄する機器と、少なくとも1枚以上のマ
    スクを任意の温度に保つ余熱室を有していることを特徴
    とする写真製版装置により写真製版された請求項１乃至
    ４いずれか１項記載の半導体素子。
  6. 【請求項６】 少なくとも2枚以上のマスクを格納する
    格納庫と、所望のマスクを格納庫から写真製版をするた
    めの露光部への搬送するため及び露光処理が終了したマ
    スクを露光部から格納庫へ搬送するための搬送機機と、
    少なくとも１つ以上の任意の製造ロットとそのウエハ及
    び当該ロットの任意のウエハが所望するマスクをあらか
    じめ記憶する記憶機器と、記憶した通りに任意ロットの
    任意ウエハに対応するマスクを格納庫から搬送し、露光
    するように命令する制御機器からなる写真製版装置によ
    り製造され、任意の写真製版装置の使用する写真製版工
    程が決まっていることを特徴とする請求項１乃至５いず
    れか１項記載の半導体素子
  7. 【請求項７】 任意の原画を半導体基板に塗布した感光
    膜に転写する写真製版装置において、前記原画が所望の
    データを入力することにより電子ディスプレィに表示し
    た原画からなることを特徴とする写真製版装置。
  8. 【請求項８】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同一
    バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子
    で、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に形成さ
    れた半導体素子と、前記同一バッチ製造した残りの半導
    体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成された
    半導体素子が異なることを特徴とする半導体素子であっ
    て、任意の原画を半導体基板に塗布した感光膜に転写す
    る写真製版装置であり、前記原画が所望のデータを入力
    することにより電子ディスプレィに表示した原画からな
    る写真製版装置により製造された請求項１〜３記載の半
    導体素子。
  9. 【請求項９】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同一
    バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子
    で、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に形成さ
    れた半導体素子と、前記同一バッチ製造した残りの半導
    体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成された
    半導体素子が異なることを特徴とする半導体素子及びそ
    の製造方法の任意の原画を半導体基板に塗布した感光膜
    に転写する写真製版装置において、前記感光膜を感光さ
    せる光源と、前記光源を前記感光膜に導光するレンズ
    と、複数の微少な鏡をアレイ状に配列したミラーアレイ
    と、前記ミラーアレイの各微少鏡を任意の角度に移動さ
    せる駆動装置とその制御装置からなり、前記光源の光が
    前記ミラーアレイで反射して前記感光膜に至るよう前記
    光源、前記レンズ、前記ミラーアレイが配置され、前記
    駆動装置により前記微少鏡の反射光が前記感光膜に至る
    角度と反射光が前記感光膜に至らない角度の少なくとも
    ２つの位置に移動できるように駆動することができ、ミ
    ラーアレイ全体で前記感光膜に任意の画像を反射するよ
    うに制御装置で制御することを特徴とする写真製版装
    置。
  10. 【請求項１０】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同
    一バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子
    で、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に形成さ
    れた半導体素子と、前記同一バッチ製造した残りの半導
    体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成された
    半導体素子が異なることを特徴とする半導体素子及びそ
    の製造方法の任意の原画を半導体基板に塗布した感光膜
    に転写する写真製版装置において、前記感光膜を感光さ
    せる光源と、前記光源を前記感光膜に導光するレンズ
    と、複数の微少な鏡をアレイ状に配列したミラーアレイ
    と、前記ミラーアレイの各微少鏡を任意の角度に移動さ
    せる駆動装置とその制御装置からなり、前記光源の光が
    前記ミラーアレイで反射して前記感光膜に至るよう前記
    光源、前記レンズ、前記ミラーアレイが配置され、前記
    駆動装置により前記微少鏡の反射光が前記感光膜に至る
    角度と反射光が前記感光膜に至らない角度の少なくとも
    ２つの位置に移動できるように駆動することができ、ミ
    ラーアレイ全体で前記感光膜に任意の画像を反射するよ
    うに制御装置で制御することを特徴とする写真製版装置
    により写真製版された半導体素子。
  11. 【請求項１１】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同
    一バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子
    において、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に
    形成された半導体素子と、前記同一バッチ製造した残り
    の半導体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成
    された半導体素子が異なることを特徴とする半導体素子
    の製造方法。
  12. 【請求項１２】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同
    一バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子
    において、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に
    形成された半導体素子と、前記同一バッチ製造した残り
    の半導体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成
    された半導体素子が異なる半導体素子及びその製造方法
    において、前記半導体素子の製造工程の内、熱処理工程
    が全て同一バッチ製造であるかあるいは任意の熱処理工
    程のみ任意の半導体基板を除き全て同一バッチ製造であ
    ることを特徴とする半導体素子の製造方法。
  13. 【請求項１３】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同
    一バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子
    において、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に
    形成された半導体素子と、前記同一バッチ製造した残り
    の半導体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成
    された半導体素子が異なる半導体素子及びその製造方法
    において、前記任意の半導体素子と異なる半導体素子を
    形成する半導体基板のみ、任意の写真製版工程において
    異なる原画を写真製版する写真製版工程を有することを
    特徴とする半導体素子の製造方法。
  14. 【請求項１４】 少なくとも2枚以上のマスクを格納す
    る格納庫と、所望のマスクを格納庫から写真製版をする
    ための露光部への搬送するため及び露光処理が終了した
    マスクを露光部から格納庫へ搬送するための搬送機機
    と、少なくとも１つ以上の任意の製造ロットとそのウエ
    ハ及び当該ロットの任意のウエハが所望するマスクをあ
    らかじめ記憶する記憶機器と、記憶した通りに任意ロッ
    トの任意ウエハに対応するマスクを格納庫から搬送し、
    露光するように命令する制御機器からなることを特徴と
    する写真製版装置により写真製版された半導体素子の製
    造方法。
  15. 【請求項１５】 少なくとも2枚以上のマスクを格納す
    る格納庫と、所望のマスクを格納庫から写真製版をする
    ための露光部への搬送するため及び露光処理が終了した
    マスクを露光部から格納庫へ搬送するための搬送機機
    と、少なくとも１つ以上の任意の製造ロットとそのウエ
    ハ及び当該ロットの任意のウエハが所望するマスクをあ
    らかじめ記憶する記憶機器と、記憶した通りに任意ロッ
    トの任意ウエハに対応するマスクを格納庫から搬送し、
    露光するように命令する制御機器からなる写真製版装置
    において、あらかじめ記憶された所望のマスクのゴミ検
    査する機器と、マスクを洗浄する機器と、少なくとも1
    枚以上のマスクを任意の温度に保つ余熱室を有している
    ことを特徴とする写真製版装置により写真製版された半
    導体素子の製造方法。
  16. 【請求項１６】 少なくとも2枚以上のマスクを格納す
    る格納庫と、所望のマスクを格納庫から写真製版をする
    ための露光部への搬送するため及び露光処理が終了した
    マスクを露光部から格納庫へ搬送するための搬送機機
    と、少なくとも１つ以上の任意の製造ロットとそのウエ
    ハ及び当該ロットの任意のウエハが所望するマスクをあ
    らかじめ記憶する記憶機器と、記憶した通りに任意ロッ
    トの任意ウエハに対応するマスクを格納庫から搬送し、
    露光するように命令する制御機器からなる写真製版装置
    により製造方法において、任意の写真製版装置の使用す
    る写真製版工程が決まっていることを特徴とする半導体
    素子の製造方法。
  17. 【請求項１７】 任意の原画を半導体基板に塗布した感
    光膜に転写する写真製版装置において、前記原画が所望
    のデータを入力することにより電子ディスプレィに表示
    した原画からなることを特徴とした写真製版装置。
  18. 【請求項１８】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同
    一バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子
    で、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に形成さ
    れた半導体素子と、前記同一バッチ製造した残りの半導
    体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成された
    半導体素子が異なることを特徴とする半導体素子及びそ
    の製造方法において、任意の原画を半導体基板に塗布し
    た感光膜に転写する写真製版装置において、前記原画が
    所望のデータを入力することにより電子ディスプレィに
    表示した原画からなることを特徴とした写真製版装置に
    より製造された半導体素子の製造方法。
  19. 【請求項１９】 少なくとも２枚以上の半導体基板を同
    一バッチ製造する半導体基板上に形成された半導体素子
    で、前記同一バッチ製造した任意の半導体基板に形成さ
    れた半導体素子と、前記同一バッチ製造した残りの半導
    体基板のうち少なくとも１枚の半導体基板に形成された
    半導体素子が異なることを特徴とする半導体素子及びそ
    の製造方法の任意の原画を半導体基板に塗布した感光膜
    に転写する写真製版装置において、前記感光膜を感光さ
    せる光源と、前記光源を前記感光膜に導光するレンズ
    と、複数の微少な鏡をアレイ状に配列したミラーアレイ
    と、前記ミラーアレイの各微少鏡を任意の角度に移動さ
    せる駆動装置とその制御装置からなり、前記光源の光が
    前記ミラーアレイで反射して前記感光膜に至るよう前記
    光源、前記レンズ、前記ミラーアレイが配置され、前記
    駆動装置により前記微少鏡の反射光が前記感光膜に至る
    角度と反射光が前記感光膜に至らない角度の少なくとも
    ２つの位置に移動できるように駆動することができ、ミ
    ラーアレイ全体で前記感光膜に任意の画像を反射するよ
    うに制御装置で制御する写真製版装置により写真製版さ
    れた半導体素子の製造方法。
JP2001113034A 2000-06-02 2001-04-11 半導体素子及びその製造方法 Pending JP2002158151A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001113034A JP2002158151A (ja) 2000-06-02 2001-04-11 半導体素子及びその製造方法
US09/864,940 US20020160589A1 (en) 2000-06-02 2001-05-24 Semiconductor element and method of manufacturing the same
KR1020010030810A KR100811327B1 (ko) 2000-06-02 2001-06-01 반도체 소자 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000166213 2000-06-02
JP2000-166213 2000-06-02
JP2000-272728 2000-09-08
JP2000-272727 2000-09-08
JP2000272728 2000-09-08
JP2000272727 2000-09-08
JP2001113034A JP2002158151A (ja) 2000-06-02 2001-04-11 半導体素子及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002158151A true JP2002158151A (ja) 2002-05-31

Family

ID=27481339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001113034A Pending JP2002158151A (ja) 2000-06-02 2001-04-11 半導体素子及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20020160589A1 (ja)
JP (1) JP2002158151A (ja)
KR (1) KR100811327B1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3975360B2 (ja) * 2003-10-31 2007-09-12 セイコーエプソン株式会社 供給制御システムおよび方法、プログラム並びに情報記憶媒体

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100244296B1 (ko) * 1997-10-21 2000-03-02 김영환 반도체소자의 제조방법.
KR20000008353A (ko) * 1998-07-13 2000-02-07 윤종용 사진공정을 위한 노광장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010110175A (ko) 2001-12-12
KR100811327B1 (ko) 2008-03-07
US20020160589A1 (en) 2002-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100584818B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 그 제조 라인
US20080020315A1 (en) Substrate Collection Method and Substrate Treatment Apparatus
US7058468B2 (en) Automatic material handling system, production system for semiconductor device, and production management method for semiconductor device
JPH10303115A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2024049249A (ja) 原版、情報処理装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
US7789576B2 (en) PEB embedded exposure apparatus
US4477182A (en) Pattern exposing apparatus
TWI305932B (ja)
JP3178517B2 (ja) パターン露光装置用試料台
JP2002158151A (ja) 半導体素子及びその製造方法
US7851141B2 (en) Flat panel display manufacturing
JP4541966B2 (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置並びにコンピュータプログラム
JP2001255659A (ja) 大型基板の露光装置
JP2011035377A (ja) 露光装置及びデバイスの製造方法
TWI324790B (ja)
US6309212B1 (en) Substrate conveying system and device manufacturing method using the same
TW591698B (en) Thin film transistor array substrate and photolithography process and mask design thereof
JP4674467B2 (ja) 基板搬送方法、基板搬送装置、露光方法、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
US7795601B2 (en) Method and apparatus to improve lithography throughput
CN101504510A (zh) 进行光刻工艺的方法
JP2001022087A (ja) 露光装置
JP7022807B2 (ja) パターン形成方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法
JP5365274B2 (ja) 露光装置
JP2002229180A (ja) 半導体装置製造用のレチクル及び半導体装置の製造方法
JP2009014805A (ja) 露光装置および露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040303