JP2002156644A - アクティブマトリクス基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の特性低下を回避しつつ、消費電力の低
減および表示品位の向上を図る。 【解決手段】 第２の画素電極１２を、行方向に配置さ
れる走査線ｇｌをまたぐように形成する。補助容量配線
Ｃｓｍを、隣接する走査線で挟まれた領域の行方向にお
いて千鳥配置の位置関係にある画素を経由するように形
成する。これにより、信号線Ｓｎ、補助容量配線Ｃｓ
ｍ、対向電極をいずれも１垂直反転駆動としながら、ド
ット反転駆動と同じように振る舞う液晶表示装置を提供
できる。また、隣接する走査線ｇｌで挟まれた領域内に
補助容量配線Ｃｓｍが形成されるため、補助容量配線Ｃ
ｓｍは走査線ｇｌをまたいで形成されることがなく、補
助容量配線Ｃｓｍと走査線ｇｌとを同一レイヤーで形成
することが可能となる。これにより、上記の両配線をパ
ネル端部まで一つながりに引き出すことが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示装
置に用いられるアクティブマトリクス基板およびその製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶表示装置に用いられるアクテ
ィブマトリクス基板では、対向電極は微細にはパターニ
ングされず、表示領域全体にわたって透明導電膜が成膜
されてなる形態であった。そして、信号線の駆動電圧
（信号）が走査線１ラインごとに極性反転される、いわ
ゆるライン反転駆動においては、信号線の上記信号の反
転周期にあわせて、逆位相の反転信号を対向電極に供給
するのが一般的であった。これは、信号線からアクティ
ブマトリクス基板に供給する信号の振幅を小さくして、
耐圧の低いＩＣでの駆動を可能にする目的の他に、信号
線駆動にかかる消費電力を低減する目的があったからで
ある。しかし、パネルの大きさや規格によっては、対向
電極は数十ｎＦと非常に大きな負荷であるため、対向電
極を高周期で反転駆動することは、さらに消費電力を低
減する上では不利と言わざるを得なかった。

【０００３】また、上記信号線の信号の極性反転に加え
て、隣接する信号線間でも信号の極性を逆にする、いわ
ゆるドット反転駆動では、上記のような対向電極の反転
駆動そのものができないという問題があった。

【０００４】そこで、例えば、特開平６−１４９１７４
号公報では、図７に示すように、共通電極６３を複数の
群（同図では、第１のグループＶＣ１と第２のグループ
ＶＣ２との２組）に分割して形成し、各群に互いに逆極
性の電圧を印加するようにしている。そして、データラ
イン６８−１〜６８−５の敷設方向に配置されている画
素を交互に共通電極６３に接続するようにしている。よ
り具体的には、第１のグループＶＣ１に属する共通電極
６３−１には、画素Ｐ１１、Ｐ２２、Ｐ１３を接続し、
第２のグループＶＣ２に属する共通電極６３−２には、
画素Ｐ２１、Ｐ３２、Ｐ２３を接続し、第１のグループ
ＶＣ１に属する共通電極６３−３には、画素Ｐ３１、Ｐ
４２、Ｐ３３を接続する、といったように、それぞれの
画素を千鳥状に共通電極６３に接続するようにしてい
る。そして、各群に印加される電圧の極性反転をフレー
ム周期で行うようにしている。なお、同図中、６１はス
イッチング素子を示し、６７−１、６７−２、６７−３
はゲートラインを示している。

【０００５】これにより、共通電極６３の電圧極性の反
転時に生じる充放電電流が小さくなり、消費電力の低減
が図られている。また、隣接する画素間で電圧極性が互
いに逆極性となるため、フリッカの発生も抑制されてい
る。

【０００６】また、上記公報では、図８に示すように、
データライン６８−１〜６８−５の敷設方向に千鳥配置
の関係にある画素（例えば画素Ｐ１１、Ｐ２２、Ｐ１
３）にデータ信号を同じラインで供給できるように、デ
ータライン６８−１〜６８−５を屈曲配置し、スイッチ
ング素子６１を介してこれらの画素に接続する構成につ
いても開示されている。この構成において、データ信号
の極性反転を低周期化することにより、さらなる消費電
力の低減が図られている。

【０００７】一方、例えば、特開平１１−１１９１９３
号公報では、上述した対向電極の配線方法と同じような
考え方で補助容量配線を敷設することによって、上記と
同様の効果を得るようにした液晶表示装置が開示されて
いる。この液晶表示装置では、図９に示すように、複数
行の走査ラインＸと複数列の信号ラインＹとで囲まれた
領域に設けられた画素７１の補助容量Ｃｓを形成すべ
く、透明画素電極の一部と対向配置されるＣｓ電極を、
信号ラインＹに沿って配線されるＣｓライン７２（補助
容量配線）と接続している。

【０００８】ここで、Ｃｓライン７２は、信号ラインＹ
に沿って交互に設けられるＣｓライン７２ａ・７２ｂで
構成されている。そして、ある列のＣｓライン７２に対
して、１行ごとに隣り合う列の画素７１のＣｓ電極が接
続されている。つまり、１本のＣｓライン７２を挟んで
千鳥配置の関係にある画素７１のＣｓ電極が、上記Ｃｓ
ライン７２に接続されている。

【０００９】また、上記透明画素電極と液晶材料を介し
て対向配置される対向電極７３は、画素単位でパターン
形成されている。そして、上記Ｃｓ電極の場合と同様
に、１本の信号ラインＹに関して１行ごとに隣り合う列
の対向電極７３・７３同士が補助パターン７４を介して
接続されている。そして、対向電極７３は、１列おきに
２本の接続パターン７５ａ・７５ｂに接続され、全体と
して２系統に分けられている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、消費電
力を低く抑え、かつ、フリッカを防止するには、信号線
に対して１水平ラインずつ、交互に信号線と画素とをス
イッチング素子を介して接続し、対向電極および補助容
量配線についても、隣接する画素がそれぞれ異なる系列
に含まれるように、２系列に分けて接続することが有効
である。このとき、斜め上下の位置関係にある画素同士
で補助容量配線を接続することは設計上容易ではなく、
様々な工夫が強いられる。

【００１１】図９に示した液晶表示装置では、補助容量
配線を信号線に沿って配置している。この場合、補助容
量配線は走査線と直交することになるので、当然信号線
と同じレイヤーで配設しているものと考えられる。一
方、画素容量のうち、補助容量は、画素電極と絶縁膜を
介して容量形成する必要があるため、補助容量電極は、
走査線と同じレイヤーで配設しているものと考えられ
る。なお、ここでは、工程数を余分に追加することなく
レイヤー数を節約するという、コスト的に有利な条件下
で製造する場合を想定している。

【００１２】ところで、ゲート絶縁膜におけるピンホー
ルによるリーク欠陥や信頼性不良を防止したり、走査線
材料とゲート絶縁膜との密着性を向上させることによっ
て、アクティブマトリクス基板としての特性を向上させ
るために、走査線をパターニングした後、陽極酸化を施
して絶縁膜を形成することがしばしば行われている。こ
のためには、走査線レイヤーの配線パターンがショート
リングと呼ばれる電極に接続されて電圧を印加できる状
態になければならない。

【００１３】しかし、図９の構造では、補助容量電極は
走査線レイヤーで形成されるにしても浮島状のパターン
であるため、陽極酸化を施すことができない。したがっ
て、上記したリーク欠陥、信頼性等に関する問題を解決
して基板の特性を向上させることができないという問題
が生ずる。

【００１４】また、補助容量配線を走査線に沿って配置
する場合には、例えば、上記とは逆に、走査線レイヤー
で補助容量配線を形成し、斜め上下の画素の補助容量電
極形成部に向けて信号線レイヤーで走査線を横断し、さ
らに容量電極を走査線レイヤーで形成する構成が考えら
れる。しかし、この構成では、補助容量配線を信号線に
沿って配置する上述の構成よりもさらに構造が複雑とな
り、コンタクトホールの数も増加する上、上記と同様の
理由で補助容量電極の陽極酸化も不可能である。

【００１５】なお、補助容量電極が浮島状のパターンで
あると、当該補助容量電極に対して陽極酸化を施すこと
ができない点について、さらに詳細に説明すれば以下の
通りである。

【００１６】通常、陽極酸化を行う際には、処理を施し
たい金属のパターニングが完了した時点で、その金属パ
ターン全体を電源に接続し、電解液中で処理を施す。酸
化すべき金属には正極性の電圧を印加し、電解液中には
別途電極を設けて当該電解液に負極性の電圧を印加す
る。すると、電解液中のイオンが移動して上記金属と反
応し、上記金属表面に酸化膜が形成されるのである。な
お、金属の成膜段階ではなく、上記金属のパターニング
が完了した時点で上記の処理を施すのは、パターニング
によってエッチングされた断面部にも、上記表面と同様
に酸化膜が形成されるようにするためである。

【００１７】ところで、陽極酸化時には、陽極酸化の対
象となる金属は、上述のように必ず電源に接続される必
要があり、このため、陽極酸化を施すべき金属配線は基
板端部などでショートリングと呼ばれる同レイヤーの金
属で短絡されている。また、上記ショートリングは、基
板端部に電圧印加用の入力部を備えている。したがっ
て、上記入力部に電圧を与え、陽極酸化を施すべき金属
配線を電解液に浸けることにより、上記金属配線と同レ
イヤーの全パターンに陽極酸化が施されることになる。

【００１８】このとき、陽極酸化の対象となる金属が浮
島状のパターンであると、上記金属の全てについて陽極
酸化を施すようにするためには、その全てのパターンを
電源に接続することが必要となる。しかし、このような
接続は現実的には不可能であるため、結局、浮島部分を
陽極酸化することはできないということになる。

【００１９】すなわち、あるレイヤーの全パターンに陽
極酸化を施すためには、それらの全てが少なくともパタ
ーニングが完了した時点において、電圧印加用の入力部
から一つながりのパターンであることが必要とされるこ
とになる。

【００２０】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、その目的は、基板の特性低下を回避し
つつ、消費電力の低減および表示品位の向上を図ること
ができるアクティブマトリクス基板と、その製造方法と
を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明に係るアクティブ
マトリクス基板は、上記の課題を解決するために、行方
向に配置される複数の走査線と、列方向に配置される複
数の信号線と、上記信号線に接続され、上記走査線の信
号により駆動されるスイッチング素子と、上記スイッチ
ング素子と接続され、各画素に対応してマトリクス状に
配置される画素電極とを備えたアクティブマトリクス基
板において、隣接する走査線に挟まれた領域において行
方向に延伸される補助容量配線をさらに備え、上記画素
電極は、上記走査線をまたぐように形成されており、上
記補助容量配線は、上記領域の行方向において千鳥配置
の位置関係にある画素を経由するように形成されている
ことを特徴としている。

【００２２】上記の構成によれば、各画素に対応する画
素電極が、行方向に配置される走査線および列方向に配
置される信号線とスイッチング素子を介して接続される
ことで、マトリクス状に形成される。また、隣接する走
査線に挟まれた領域において行方向には補助容量配線が
延伸されており、この補助容量配線を介して各画素に補
助容量が形成される。

【００２３】ここで、上記補助容量配線は、隣接する走
査線に挟まれた領域の行方向において千鳥配置の関係に
ある画素を経由するように形成されている。これによ
り、本発明のアクティブマトリクス基板と、例えば上記
補助容量配線のパターンに対応して対向電極を形成した
対向基板とを液晶層を介して貼り合わせて液晶表示装置
を構成した場合には、信号線、補助容量配線および対向
電極を１垂直反転駆動として、隣接する画素間で画素の
極性を反転させることが可能となり、ドット反転駆動と
同じように振る舞う液晶表示装置を提供することができ
る。

【００２４】したがって、上記構成によれば、ドット反
転駆動の場合と同等の表示品位を確保することができ
る。また、補助容量配線をフレーム反転駆動とすること
ができるので、ドット反転駆動の場合よりもさらに低消
費電力化を図ることができる。

【００２５】また、上記画素電極は、走査線をまたぐよ
うに形成されているので、隣接する走査線の間には、と
もに行方向に走る２列の画素電極の一部が存在すること
になる。これにより、走査線をまたぐことなく、行方向
に千鳥配置の関係にある画素を経由するように補助容量
配線を敷くことが可能となる。したがって、補助容量配
線は走査線を横断することがないので、補助容量配線と
走査線とを同一レイヤーで形成することが可能となる。

【００２６】したがって、走査線のみならず、補助容量
配線についても、パネル端部まで一つながりに引き出す
ことが可能となり、補助容量配線および走査線の個々に
対して陽極酸化を確実に行うことが可能となる。その結
果、上述の効果を得ながらにして、アクティブマトリク
ス基板としての特性の向上を図ることができる。

【００２７】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、上記の課題を解決するために、上記走査線および上
記補助容量配線は、陽極酸化されていることを特徴とし
ている。

【００２８】上記の構成によれば、アクティブマトリク
ス基板におけるリーク欠陥や信頼性不良等の問題を解決
することができ、アクティブマトリクス基板としての特
性を確実に向上させることができる。

【００２９】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、上記の課題を解決するために、上記信号線は、当該
信号線に隣接する画素と行ごとに交互にスイッチング素
子を介して接続されていることを特徴としている。

【００３０】上記の構成によれば、信号線および補助容
量配線ともにフレーム反転駆動でありながら、ドット反
転駆動の場合と同じように、隣り合う画素同士の極性を
異ならせることができる。これにより、ドット反転駆動
の場合と同じような表示品位を確保することができる。
しかも、信号線はフレーム反転駆動でよいため、ドット
反転駆動の場合よりもさらに低消費電力である。また、
信号線を駆動するドライバも高電圧対応でなくても済
み、ドライバコストも低減できる。

【００３１】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、上記の課題を解決するために、上記画素電極は、当
該画素電極がまたいでいる走査線の前後いずれかの走査
線によって制御されるスイッチング素子と接続されてい
ることを特徴としている。

【００３２】上記の構成によれば、画素電極は、その画
素を駆動している走査線とは重なっていないため、上記
走査線と上記画素との間の静電容量が小さく、上記走査
線の駆動パルスの立ち下がり時に、上記画素における画
素電極の電位の引き込みを小さく抑えることができる。
このため、対向電圧ずれを未然に防止しやすく、表示品
位、信頼性ともに良好な液晶表示装置を得ることができ
る。

【００３３】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、上記の課題を解決するために、上記画素電極は、上
記信号線および上記走査線と層間絶縁膜を介して設けら
れていることを特徴としている。

【００３４】上記の構成によれば、画素電極と、上記信
号線および上記走査線との間に層間絶縁膜を設けること
により、上記画素電極を信号線や走査線と重畳して形成
することができる。これにより、例えば上記画素電極を
反射電極で構成することによって、開口率を大きくとる
ことができる。

【００３５】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、上記の課題を解決するために、上記画素電極は、当
該画素電極がまたいでいる走査線によって制御されるス
イッチング素子と接続されていると共に、上記信号線お
よび上記走査線と層間絶縁膜を介して設けられているこ
とを特徴としている。

【００３６】上記の構成によれば、画素電極は、その画
素を駆動している走査線と重なってはいるが、上記信号
線および上記走査線と層間絶縁膜を介して設けられてい
るため、上記走査線と上記画素との間の静電容量が小さ
くなり、上記走査線の駆動パルスの立ち下がり時に、上
記画素における画素電極の電位の引き込みを小さく抑え
ることができる。これにより、画素電極が、その画素を
駆動している走査線と重なっている構成であっても、対
向電圧ずれを未然に防止しやすくなり、表示品位、信頼
性ともに良好な液晶表示装置を得ることができる。

【００３７】また、画素電極と、上記信号線および上記
走査線との間に層間絶縁膜を設けることにより、上記画
素電極を信号線や走査線と重畳して形成することができ
る。これにより、例えば上記画素電極を反射電極で構成
することによって、開口率を大きくとることができる。

【００３８】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、上記の課題を解決するために、上記信号線は、当該
信号線に対して両側に位置する画素のうち、全て同じ側
に位置する画素とスイッチング素子を介して接続されて
いることを特徴としている。

【００３９】上記の構成によれば、例えば信号線のパタ
ーニング時に微妙に位置がずれた場合でも、全画素が同
じ作用をする方向にずれるため、不具合として視認され
る場合が少ない。

【００４０】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、上記の課題を解決するために、上記画素電極は、反
射電極であることを特徴としている。

【００４１】上記の構成によれば、画素電極が反射電極
であるアクティブマトリクス基板を用いることで、反射
型の液晶表示装置が構成されるので、反射型の液晶表示
装置において、上述した効果を得ることが可能となる。

【００４２】本発明に係るアクティブマトリクス基板の
製造方法は、上記の課題を解決するために、絶縁性基板
上に、複数の走査線を行方向に形成すると共に、隣接す
る走査線に挟まれた領域に補助容量配線を形成する第１
の工程と、上記絶縁性基板上に複数の信号線を列方向に
形成する第２の工程と、上記信号線に接続され、上記走
査線の信号により駆動されるスイッチング素子を形成す
る第３の工程と、上記スイッチング素子と接続される画
素電極を各画素に対応してマトリクス状に形成する第４
の工程とを有し、上記第１の工程では、隣接する走査線
に挟まれた領域の行方向において千鳥配置の関係にある
画素を経由するように上記補助容量配線を形成し、上記
第４の工程では、上記走査線をまたぐように上記画素電
極を形成することを特徴としている。

【００４３】上記の構成によれば、絶縁性基板（例えば
ガラス基板）上に、複数の走査線が行方向に形成され、
隣接する走査線に挟まれた領域の行方向において千鳥配
置の関係にある画素を経由するように上記補助容量配線
が形成される。そして、上記絶縁性基板上に複数の信号
線が列方向に形成されると、各画素に対応する画素電極
が、上記走査線および上記信号線とスイッチング素子を
介して接続され、マトリクス状に形成される。

【００４４】ここで、上記補助容量配線は、隣接する走
査線に挟まれた領域の行方向において千鳥配置の関係に
ある画素を経由するように形成されている。これによ
り、上記の手法で製造されたアクティブマトリクス基板
と、例えば上記補助容量配線のパターンに対応して対向
電極を形成した対向基板とを液晶層を介して貼り合わせ
て液晶表示装置を構成した場合には、信号線、補助容量
配線および対向電極を１垂直反転駆動として、隣接する
画素間で画素の極性を反転させることが可能となり、ド
ット反転駆動と同じように振る舞う液晶表示装置を提供
することができる。

【００４５】したがって、上記構成によれば、ドット反
転駆動の場合と同等の表示品位を確保することができ
る。また、補助容量配線をフレーム反転駆動とすること
ができるので、ドット反転駆動の場合よりもさらに低消
費電力化を図ることができる。

【００４６】また、上記画素電極は、走査線をまたぐよ
うに形成されているので、隣接する走査線の間には、と
もに行方向に走る２列の画素電極の一部が存在すること
になる。これにより、走査線をまたぐことなく、行方向
に千鳥配置の関係にある画素を経由するように補助容量
配線を敷くことが可能となる。したがって、補助容量配
線は走査線を横断することがないので、補助容量配線と
走査線とを同一レイヤーで形成することが可能となる。

【００４７】したがって、走査線のみならず、補助容量
配線についても、パネル端部まで一つながりに引き出す
ことが可能となり、補助容量配線および走査線の個々に
対して陽極酸化を確実に行うことが可能となる。その結
果、上述の効果を得ながらにして、アクティブマトリク
ス基板としての特性の向上を図ることができる。

【００４８】

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について、
図面に基づいて説明すれば以下の通りである。

【００４９】図１は、本発明に係るアクティブマトリク
ス基板の平面図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ’
線矢視断面図である。本発明に係るアクティブマトリク
ス基板の製造の流れ自体は従来と同様であるが、走査線
および補助容量配線の形成の仕方が従来とは異なってい
る。以下、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製
造方法について説明する。

【００５０】まず、ガラスなどの透明な絶縁性基板１上
に、Ｔａ（タンタル）を成膜した後、フォトリソグラフ
ィー技術およびエッチング法（ドライエッチング法もし
くはウェットエッチング法）を用いて、走査線ｇｌ（ｌ
＝１、２、…）、薄膜トランジスタ２（スイッチング素
子）のゲート電極３、および、幹配線１５を除く補助容
量配線Ｃｓｍ（ｍ＝１、２、…）を形成する。

【００５１】このとき、走査線ｇｌが行方向（図１では
横方向）に形成されているとするならば、補助容量配線
Ｃｓｍについては、隣接する２本の走査線に挟まれた領
域において行方向に千鳥配置の位置関係にある画素（後
述する）を経由するように、走査線ｇｌと同一レイヤー
で形成される。

【００５２】ここで、これらの配線は全て、基板端部に
電圧印加用の入力部を備えたショートリング（図示せ
ず）に接続されており、アクティブマトリクス基板完成
後には分断によって各々の配線に切り離される。

【００５３】次に、このショートリングを片方の電極と
して電解液中で電圧印加することにより、これらの膜面
に陽極酸化膜４を形成する。そして、窒化シリコンから
なるゲート絶縁膜５、半導体層（図示せず）、ソース、
ドレイン電極となるｎ⁺ −Ｓｉ層（図示せず）を連続し
て積層し、パターニングする。このパターニングにおい
ては、積層された膜のうち、半導体層およびｎ⁺ −Ｓｉ
層を同時に、半導体層の残るべきパターンに応じて形成
する。すなわち、薄膜トランジスタ２のチャネル部とな
る部分のｎ⁺ 層のギャップはまだ形成しない。

【００５４】次に、ゲート絶縁膜５のパターニングを行
う。これは、第１に、端子近傍の走査線ｇｌへのコンタ
クト部分を設けるためである。また、第２に、補助容量
配線Ｃｓｍの偶数ライン（例えばＣｓ２、Ｃｓ４）およ
び奇数ライン（例えばＣｓ１、Ｃｓ３）が端部で信号線
レイヤーで構成された幹配線１５によってそれぞれ結線
される際、コンタクト部となるべき部分を形成するため
である。

【００５５】次に、透明導電膜６と金属層７とを連続し
て積層した後、まず、金属層７をパターニングする。こ
のパターニングによって形成されるのは、信号線Ｓｎ
（ｎ＝１、２、…）および薄膜トランジスタ２のソース
電極、ドレイン電極、および補助容量配線Ｃｓｍの幹配
線１５である。幹配線１５は、信号線Ｓｎに沿って２本
設けられ、行方向に走る補助容量配線Ｃｓｍは１本おき
に別々の幹配線１５に接続される。そして、透明導電膜
６をパターニングして第１の画素電極８を形成する。

【００５６】ところで、信号線Ｓｎを上記のように２層
の積層構造にしているのは、積層時のダストなどによる
断線に対する冗長としての効果（どちらの層の断線にも
対応できる効果）や、上層の金属層７のパターニング時
の下地へのダメージの防止などを狙ったものあり、従来
から用いられている手法である。透明導電膜６はＩＴＯ
（Indium Tin Oxcide ）が一般的である。また、金属層
７の方が上層の場合もあれば、透明導電膜６の方が上層
の場合もあり、本発明ではどちらであってもかまわな
い。

【００５７】次に、トランジスタ部において先に形成し
た金属層７および透明導電膜６をマスクにして、ｎ⁺ −
Ｓｉ層をエッチングし、薄膜トランジスタ２のチャネル
部を形成する。そして、むき出しになった半導体層を保
護するための保護膜９を成膜した後、第１の画素電極８
の上部であって、後述する第２の画素電極１２とのコン
タクト部１０および対向電極接続部（図示せず）、端子
部（図示せず）に形成された保護膜９をエッチングによ
って除去する。そして、樹脂からなる層間絶縁膜１１を
スピン塗布によって成膜した後、コンタクト部１０にコ
ンタクトホールを露光現像によって形成する。さらに、
層間絶縁膜１１および第１の画素電極８上に、各画素に
対応する第２の画素電極１２を成膜した後、パターニン
グを行って、アクティブマトリクス基板が完成する。本
実施形態では、第２の画素電極１２はＡｌ（アルミニウ
ム）を用いて反射電極で形成され、走査線ｇｌをまたぐ
ように形成されている。

【００５８】以上の工程により、行方向に配置される複
数の走査線ｇｌと、列方向（図１では縦方向）に配置さ
れる複数の信号線Ｓｎと、上記信号線Ｓｎに接続され、
上記走査線ｇｌの信号により駆動される薄膜トランジス
タ２と、上記薄膜トランジスタ２と接続され、各画素に
対応してマトリクス状に配置される第２の画素電極１２
と、隣接する走査線ｇｌに挟まれた領域において行方向
に延伸される補助容量配線Ｃｓｍとを備えたアクティブ
マトリクス基板が形成される。

【００５９】一方、対向基板となるガラスなどの絶縁性
基板上には、あらかじめカラーフィルターやブラックマ
トリクスなどが形成されている。そして、ＩＴＯなどの
透明導電膜を成膜した後、この透明導電膜を図３のよう
にパターニングして対向電極１３を形成する。つまり、
対向基板がアクティブマトリクス基板と貼り合わされた
ときに、補助容量配線Ｃｓｍと各画素との対応関係と、
対向電極１３と各画素との対応関係とが一致するよう
に、対向電極１３がパターン形成される。

【００６０】そして、アクティブマトリクス基板におけ
る対向電極接続部に相当する部分に、カーボンペースト
や銀ペーストなどの導電性物質を付着させる。アクティ
ブマトリクス基板には一部開口部を設けておき、表示部
周囲にシール剤（図示せず）を塗布し、液晶層を一定の
厚みにするためにスペーサー（図示せず）を散布した
後、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼りあわ
せる。そして、加熱により、上記シール剤を硬化させ
る。上記開口部から液晶を注入した後、封止剤（図示せ
ず）によって開口部を塞ぐことで、液晶表示装置（液晶
パネル）が完成する。

【００６１】このようにして完成した液晶表示装置は、
ＩＴＯによる対向電極１３が上述のようにパターニング
されていることによって、補助容量配線Ｃｓｍの奇数ラ
イン（Ｃｓ１、Ｃｓ３）とそれに対応する対向電極１３
のパターンとが一つの群をなし、補助容量配線Ｃｓｍの
偶数ライン（Ｃｓ２、Ｃｓ４）とそれに対応する対向電
極１３のパターンとがもう一つの群をなす、２系統の信
号系統となる。そしてそれぞれの群は、行方向および列
方向の両者において、補助容量配線Ｃｓｍおよび対向電
極１３が隣り合う画素で接続されることのない、いわば
モザイク状にグループ分けされたものとなる。

【００６２】ここで、図４は、この液晶表示装置の駆動
信号を表している。同図に示すように、信号線Ｓｎ、補
助容量配線Ｃｓｍに与える信号は、垂直期間毎に極性反
転する、いわゆるフレーム反転でよい。したがって、従
来のライン反転よりも周波数がずっと低く、低消費電力
で駆動できる。

【００６３】また、図５は、図４の第１フレーム書き込
み後における各配線を流れる信号および画素の極性を、
図１の画素配置に対応するように示したものである。画
素の極性としてはドット反転と同じ配列であり、上述の
ようなフリッカや縞模様が視認されるような問題点は生
じない。

【００６４】また、画素の極性に対して逆極性となるよ
うに補助容量配線Ｃｓｍおよび対向電極１３に電圧が印
加されるので、信号線Ｓｎに与える電圧を小さく抑えて
低消費電力化を実現しているにも関わらず、液晶には駆
動するに足る十分な電圧が印加可能となっている。

【００６５】以上のように、本発明では、隣接する走査
線ｇｌに挟まれた領域の行方向において千鳥配置の関係
にある画素を経由するように補助容量配線Ｃｓｍを形成
しているので、本発明のアクティブマトリクス基板と上
記した対向基板とを貼り合わせて液晶表示装置を構成し
た場合には、信号線Ｓｎ、補助容量配線Ｃｓｍ、対向電
極１３をいずれも１垂直反転駆動としながら、ドット反
転駆動と同じように振る舞う液晶表示装置を提供するこ
とができる。

【００６６】したがって、本発明によれば、ドット反転
駆動の場合と同じような表示品位を確保することができ
ると共に、信号線Ｓｎに与える信号の振幅を小さくし
て、消費電力を低減することができる。また、補助容量
配線Ｃｓｍをフレーム反転駆動とすることができるの
で、さらなる低消費電力化を図ることが可能となる。

【００６７】また、本発明では、第２の画素電極１２
を、走査線ｇｌをまたぐように形成しているので、走査
線ｇｌの両側のいずれの側においても、補助容量配線Ｃ
ｓｍを敷くことが可能となり、上記いずれの側にも補助
容量を形成することができる。しかも、隣接する走査線
ｇｌの間には、ともに行方向に走る２列の第２の画素電
極１２の一部が存在することになるので、行方向に千鳥
配置の関係にある画素を経由するように補助容量配線Ｃ
ｓｍを走査線ｇｌをまたぐことなく敷くことが可能とな
る。つまり、隣接する走査線ｇｌに挟まれた領域内では
隣接しない画素（斜め上下の位置関係にある画素）に対
応する補助容量配線Ｃｓｍを、走査線ｇｌをまたぐこと
なく容易に電気的に接続することが可能となる。これに
より、本実施形態で説明したように、補助容量配線Ｃｓ
ｍと走査線ｇｌとを同一レイヤーで形成することが可能
となる。

【００６８】したがって、走査線ｇｌのみならず、補助
容量配線Ｃｓｍについても、パネル端部まで一つながり
に引き出すことが可能となり、電圧印加用の入力部を介
しての電圧印加により、全ての補助容量配線Ｃｓｍおよ
び走査線ｇｌに対して陽極酸化を確実に行うことが可能
となる。その結果、消費電力の低減および表示品位の向
上を図りながら、同時に、ゲート絶縁膜５におけるピン
ホールによるリーク欠陥や信頼性不良を防止し、走査線
材料とゲート絶縁膜５との密着性を向上させることがで
きるなど、アクティブマトリクス基板としての特性の向
上を図ることができる。

【００６９】実際に、本実施形態では、走査線ｇｌおよ
び補助容量配線Ｃｓｍに対して陽極酸化を施して陽極酸
化膜４を形成しており、アクティブマトリクス基板の特
性向上が図られている。

【００７０】また、アクティブマトリクス基板が本発明
の構造を採るための製造プロセスの増加はなく、本発明
のアクティブマトリクス基板は、従来通り、安価に製造
が可能である。

【００７１】また、本実施形態では、信号線Ｓｎは、当
該信号線Ｓｎに隣接する画素と行ごとに交互にスイッチ
ング素子を介して接続されている構成となっている。こ
の構成では、信号線Ｓｎ、補助容量配線Ｃｓｍともにフ
レーム反転駆動でありながら、ドット反転駆動の場合と
同じように、隣り合う画素同士の極性が異なる状態とな
る。

【００７２】液晶に印加される電圧のＤＣ値がゼロにな
っていない、いわゆる対向電圧ずれの状態において、画
素の極性が走査線ｇｌごとに反転するいわゆる１水平反
転駆動では、縞模様が視認される。もし、これを低い周
波数で駆動した場合には、明らかに対向電圧ずれとわか
るほどまで表示品位が低下するが、ドット反転駆動では
このずれは目視では視認されない。上記のように信号線
Ｓｎを配設すれば、このようなドット反転駆動の場合と
同じように振る舞うことができ、表示品位を確実に向上
させることができる。

【００７３】しかも、通常のドット反転駆動とは異な
り、信号線Ｓｎへ供給する電圧としてはフレーム反転し
たものでよいため、ドット反転駆動の場合よりもさらに
低消費電力である。また、信号線ドライバＩＣは高電圧
対応でなくても済むため、信号線ドライバＩＣを低いコ
ストで生産できる。

【００７４】さらに、本実施形態では、図１に示すよう
に、第２の画素電極１２は、当該第２の画素電極１２が
またいでいる走査線（例えばｇ２）ではなく、例えば１
行上の走査線（例えばｇ１）によって制御される薄膜ト
ランジスタ２と接続される構成を採っている。

【００７５】第２の画素電極１２が、またいでいる走査
線ｇｌによって駆動されるようにすると、その画素を駆
動している走査線ｇｌと上記画素との間の静電容量が大
きくなる。すると、走査線ｇｌの駆動パルスの立ち下が
り時、すなわち第２の画素電極１２への電荷書き込み時
に、第２の画素電極１２の電位の引き込みが大きくな
り、第２の画素電極１２の電位のセンター値が大きくず
れるため、対向電極１３の印加電圧を最適値に調整する
ことが困難になる場合がある。

【００７６】しかし、上記した本実施形態の構成を採る
と、第２の画素電極１２は走査線ｇ２とは重なっている
が、その画素を駆動している走査線ｇ１とは重なってい
ないため、上記走査線ｇ１と上記画素との間の静電容量
が小さく、走査線ｇ１の駆動パルスの立ち下がり時に、
上記画素における第２の画素電極１２の電位の引き込み
を小さく抑えることができる。このため、対向電圧ずれ
を未然に防止しやすく、表示品位、信頼性ともに良好な
表示装置を得ることができる。しかも、各走査線ｇｌは
第２の画素電極１２によって覆われているため、走査線
ｇｌと対向電極１３との間の電位差により液晶が確実に
駆動され、配向乱れなどによる表示品位の低下を防ぐこ
とも可能となる。

【００７７】なお、第２の画素電極１２は、当該第２の
画素電極１２がまたいでいる走査線（例えばｇ２）の１
行下の走査線（例えばｇ３）によって制御される薄膜ト
ランジスタ２と接続される構成であっても、上記の効果
を得ることができる。したがって、第２の画素電極１２
は、当該第２の画素電極１２がまたいでいる走査線の前
後いずれかの走査線によって制御されるスイッチング素
子と接続されている構成であればよいと言える。

【００７８】一方、第２の画素電極１２を、当該第２の
画素電極１２がまたいでいる走査線ｇｌによって制御さ
れるスイッチング素子と接続される構成とする場合に
は、第２の画素電極１２を信号線Ｓｎおよび走査線ｇｌ
に対して樹脂からなる層間絶縁膜１１を介して積層する
ことが効果的である。なぜならば、層間絶縁膜１１を設
けることで、走査線ｇ１とそれをまたいでいる第２の画
素電極１２との間の静電容量が小さくなり、上述した効
果が得られるからである。図６は、このときのアクティ
ブマトリクス基板の構造の一例を示している。

【００７９】ここでは、信号線Ｓｎは、その両側の画素
に対して、行ごとに交互に薄膜トランジスタを介して接
続されてはおらず、すべて同じ側に位置するスイッチン
グ素子に接続されている。このときには、例えばパター
ニング時に微妙に位置がずれた場合にも全画素が同じ作
用をする方向にずれるため、不具合として視認される場
合が少ない。このパネルに信号を供給するドライバとし
ては、走査線ｇｌごとに信号線Ｓｎに与える画像データ
をずらして出力する必要がないため、構成がより簡単に
なる。

【００８０】ただし、ドット反転駆動はドライバからの
出力に基づいて行うので、１信号線毎に極性が異なるよ
うにして、しかも各信号線Ｓｎをライン反転する必要が
あり、信号線Ｓｎとしては低周波駆動ができない。それ
でも、従来は不可能であった補助容量配線Ｃｓｍへの信
号印加による嵩上げ効果を得ることができるので、信号
線Ｓｎの振幅を小さくすることができ、低消費かつドラ
イバコストの低減が図れる点では、先の図１の構成の場
合と同じである。しかも、補助容量配線Ｃｓｍへの信号
はフレーム反転でよいので、この部分での消費電力の増
加は少なく、トータルでは従来より低消費電力に抑えら
れる。

【００８１】また、第２の画素電極１２が信号線Ｓｎお
よび走査線ｇｌに対して層間絶縁膜１１を介して設けら
れる構成とすることにより、第２の画素電極１２とその
下層とが導通せず、しかも、より低い静電容量でしか容
量結合しないため、第２の画素電極１２を信号線Ｓｎや
走査線ｇｌに重畳することができ、開口率を大きくとる
ことができる。さらに、反射型表示装置を形成する場合
に、その反射特性を改善する必要がある場合にも、樹脂
に凹凸をつけて散乱光をほどよい状態に調整するなどが
可能になる。このように、第２の画素電極１２を信号線
Ｓｎおよび走査線ｇｌに対して層間絶縁膜１１を介して
設ける構成は、図１の構成に適用しても勿論、効果があ
る。

【００８２】また、例えば、特開平１１−１１９１９３
号公報のように、補助容量配線を信号線に沿って配置し
た場合、信号線のレイヤーで形成された部分、すなわち
信号線および補助容量配線は、画素の開口率を阻害する
要素として働く。なぜなら、信号線レイヤーと画素電極
とは絶縁膜を挟まずに配置されているため、これらの間
はある程度の隙間で隔たれている必要があるからであ
る。つまり、信号線レイヤーと画素電極との間に所定の
隔たりを設ける分だけ、画素電極を小さく形成せざるを
得ないのである。

【００８３】また、例えば特開平９−１６２５２８号公
報では、信号線と画素電極とをオーバーラップさせるよ
うにしているが、このような構造であっても、信号線レ
イヤーは通常不透明であるため、開口率を阻害すること
に変わりはない。

【００８４】さらに、信号線レイヤーにおける補助容量
配線と、走査線レイヤーにおける補助容量電極とは、ゲ
ート絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して接続
されるが、コンタクトホールはある程度の面積を有する
ため、この部分も開口率に対して阻害するように働く。

【００８５】しかし、本実施形態では、第２の画素電極
１２を反射電極としたアクティブマトリクス基板を作成
しており、図１および図６に示す第２の画素電極１２が
そのまま開口部分として作用するため、それよりも下層
の走査線ｇｌや補助容量配線Ｃｓｍなどは開口率を阻害
するようには働かない。

【００８６】

【発明の効果】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、以上のように、隣接する走査線に挟まれた領域にお
いて行方向に延伸される補助容量配線をさらに備え、上
記画素電極は、上記走査線をまたぐように形成されてお
り、上記補助容量配線は、上記領域の行方向において千
鳥配置の位置関係にある画素を経由するように形成され
ている構成である。

【００８７】それゆえ、補助容量配線は、隣接する走査
線に挟まれた領域の行方向において千鳥配置の関係にあ
る画素を経由するように形成されているので、本発明の
アクティブマトリクス基板と、例えば上記補助容量配線
のパターンに対応して対向電極を形成した対向基板とを
液晶層を介して貼り合わせて液晶表示装置を構成した場
合には、信号線、補助容量配線および対向電極を１垂直
反転駆動として、ドット反転駆動と同じように振る舞う
液晶表示装置を構成することができる。

【００８８】したがって、上記構成によれば、ドット反
転駆動の場合と同等の表示品位を確保することができ
る。また、補助容量配線をフレーム反転駆動とすること
ができるので、ドット反転駆動の場合よりもさらに低消
費電力化を図ることができる。

【００８９】また、上記画素電極は、走査線をまたぐよ
うに形成されているので、隣接する走査線の間には、と
もに行方向に走る２列の画素電極の一部が存在すること
になる。これにより、走査線をまたぐことなく、行方向
に千鳥配置の関係にある画素を経由するように補助容量
配線を敷くことが可能となる。したがって、補助容量配
線は走査線を横断することがないので、補助容量配線と
走査線とを同一レイヤーで形成することが可能となる。

【００９０】したがって、走査線のみならず、補助容量
配線についても、パネル端部まで一つながりに引き出す
ことが可能となり、補助容量配線および走査線の個々に
対して陽極酸化を確実に行うことが可能となる。その結
果、上述の効果を得ながらにして、アクティブマトリク
ス基板としての特性の向上を図ることができるという効
果を奏する。

【００９１】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、以上のように、上記走査線および上記補助容量配線
は、陽極酸化されている構成である。

【００９２】それゆえ、アクティブマトリクス基板にお
けるリーク欠陥や信頼性不良等の問題を解決することが
でき、アクティブマトリクス基板としての特性を確実に
向上させることができるという効果を奏する。

【００９３】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、以上のように、上記信号線は、当該信号線に隣接す
る画素と行ごとに交互にスイッチング素子を介して接続
されている構成である。

【００９４】それゆえ、信号線および補助容量配線とも
にフレーム反転駆動でありながら、ドット反転駆動の場
合と同じような表示品位を確保することができる。しか
も、信号線はフレーム反転駆動でよいため、ドット反転
駆動の場合よりもさらに低消費電力である。また、信号
線を駆動するドライバも高電圧対応でなくても済み、ド
ライバコストも低減できるという効果を奏する。

【００９５】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、以上のように、上記画素電極は、当該画素電極がま
たいでいる走査線の前後いずれかの走査線によって制御
されるスイッチング素子と接続されている構成である。

【００９６】それゆえ、上記走査線と上記画素との間の
静電容量が小さくなり、上記走査線の駆動パルスの立ち
下がり時に、上記画素における画素電極の電位の引き込
みを小さく抑えることができる。このため、対向電圧ず
れを未然に防止しやすく、表示品位、信頼性ともに良好
な液晶表示装置を得ることができるという効果を奏す
る。

【００９７】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、以上のように、上記画素電極は、上記信号線および
上記走査線と層間絶縁膜を介して設けられている構成で
ある。

【００９８】それゆえ、上記画素電極を信号線や走査線
と層間絶縁膜を介して重畳して形成することができるの
で、例えば上記画素電極を反射電極で構成することによ
って、開口率を大きくとることができるという効果を奏
する。

【００９９】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、以上のように、上記画素電極は、当該画素電極がま
たいでいる走査線によって制御されるスイッチング素子
と接続されていると共に、上記信号線および上記走査線
と層間絶縁膜を介して設けられている構成である。

【０１００】それゆえ、画素電極は、その画素を駆動し
ている走査線と重なってはいるが、上記層間絶縁膜を設
けていることにより、上記走査線と上記画素との間の静
電容量が小さくなり、上記走査線の駆動パルスの立ち下
がり時に、上記画素における画素電極の電位の引き込み
を小さく抑えることができる。これにより、画素電極
が、その画素を駆動している走査線と重なっている構成
であっても、対向電圧ずれを未然に防止しやすくなり、
表示品位、信頼性ともに良好な液晶表示装置を得ること
ができる。

【０１０１】また、上記画素電極を信号線や走査線と層
間絶縁膜を介して重畳して形成することができるので、
例えば上記画素電極を反射電極で構成することによっ
て、開口率を大きくとることができるという効果を奏す
る。

【０１０２】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、以上のように、上記信号線は、当該信号線に対して
両側に位置する画素のうち、全て同じ側に位置する画素
とスイッチング素子を介して接続されている構成であ
る。

【０１０３】それゆえ、例えば信号線のパターニング時
に微妙に位置がずれた場合でも、全画素が同じ作用をす
る方向にずれるため、不具合として視認される場合が少
ないという効果を奏する。

【０１０４】本発明に係るアクティブマトリクス基板
は、以上のように、上記画素電極は、反射電極である構
成である。

【０１０５】それゆえ、画素電極が反射電極であるアク
ティブマトリクス基板を用いた反射型の液晶表示装置に
おいて、上述した効果を得ることが可能となるという効
果を奏する。

【０１０６】本発明に係るアクティブマトリクス基板の
製造方法は、以上のように、絶縁性基板上に、複数の走
査線を行方向に形成すると共に、隣接する走査線に挟ま
れた領域に補助容量配線を形成する第１の工程と、上記
絶縁性基板上に複数の信号線を列方向に形成する第２の
工程と、上記信号線に接続され、上記走査線の信号によ
り駆動されるスイッチング素子を形成する第３の工程
と、上記スイッチング素子と接続される画素電極を各画
素に対応してマトリクス状に形成する第４の工程とを有
し、上記第１の工程では、隣接する走査線に挟まれた領
域の行方向において千鳥配置の関係にある画素を経由す
るように上記補助容量配線を形成し、上記第４の工程で
は、上記走査線をまたぐように上記画素電極を形成する
構成である。

【０１０７】それゆえ、補助容量配線は、隣接する走査
線に挟まれた領域の行方向において千鳥配置の関係にあ
る画素を経由するように形成されているので、上記の手
法で製造されたアクティブマトリクス基板と、例えば上
記補助容量配線のパターンに対応して対向電極を形成し
た対向基板とを液晶層を介して貼り合わせて液晶表示装
置を構成した場合には、信号線、補助容量配線および対
向電極を１垂直反転駆動として、隣接する画素間で画素
の極性を反転させることが可能となり、ドット反転駆動
と同じように振る舞う液晶表示装置を提供することがで
きる。

【０１０８】したがって、上記構成によれば、ドット反
転駆動の場合と同等の表示品位を確保することができ
る。また、補助容量配線をフレーム反転駆動とすること
ができるので、ドット反転駆動の場合よりもさらに低消
費電力化を図ることができる。

【０１０９】また、上記画素電極は、走査線をまたぐよ
うに形成されているので、隣接する走査線の間には、と
もに行方向に走る２列の画素電極の一部が存在すること
になる。これにより、走査線をまたぐことなく、行方向
に千鳥配置の関係にある画素を経由するように補助容量
配線を敷くことが可能となる。したがって、補助容量配
線は走査線を横断することがないので、補助容量配線と
走査線とを同一レイヤーで形成することが可能となる。

【０１１０】したがって、走査線のみならず、補助容量
配線についても、パネル端部まで一つながりに引き出す
ことが可能となり、補助容量配線および走査線の個々に
対して陽極酸化を確実に行うことが可能となる。その結
果、上述の効果を得ながらにして、アクティブマトリク
ス基板としての特性の向上を図ることができるという効
果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るアクティブマトリクス基板の概略
の構成を示す平面図である。

【図２】図１のアクティブマトリクス基板におけるＡ−
Ａ’線矢視断面図である。

【図３】対向基板に形成された対向電極のパターンを示
す平面図である。

【図４】上記アクティブマトリクス基板に形成される走
査線、信号線および補助容量配線に与える各種信号のタ
イミングチャートである。

【図５】図４の第１フレーム書き込み後における各配線
を流れる信号および画素の極性を図１の画素配置に対応
させて示した説明図である。

【図６】アクティブマトリクス基板の他の構成例を示す
平面図である。

【図７】従来の液晶表示装置の概略の構成を示す説明図
である。

【図８】従来の液晶表示装置の他の構成を示す説明図で
ある。

【図９】従来の液晶表示装置のさらに他の構成を示す説
明図である。

【符号の説明】

１ 絶縁性基板 ２ 薄膜トランジスタ（スイッチング素子） １２ 第２の画素電極（画素電極） ｇｌ 走査線 Ｓｎ 信号線 Ｃｓｍ 補助容量配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA05 GA13 GA17 GA21 HA02 HA04 HA06 JA24 JB64 KA12 KA22 KB04 KB13 MA24 NA04 NA16 NA26 PA01 5C094 AA02 AA22 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EB02 EB10 5F110 AA09 BB01 CC07 DD02 EE04 FF03 FF09 FF24 GG02 HK09 NN73

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】行方向に配置される複数の走査線と、 列方向に配置される複数の信号線と、 上記信号線に接続され、上記走査線の信号により駆動さ
   れるスイッチング素子と、 上記スイッチング素子と接続され、各画素に対応してマ
   トリクス状に配置される画素電極とを備えたアクティブ
   マトリクス基板において、 隣接する走査線に挟まれた領域において行方向に延伸さ
   れる補助容量配線をさらに備え、 上記画素電極は、上記走査線をまたぐように形成されて
   おり、 上記補助容量配線は、上記領域の行方向において千鳥配
   置の位置関係にある画素を経由するように形成されてい
   ることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
2. 【請求項２】上記走査線および上記補助容量配線は、陽
   極酸化されていることを特徴とする請求項１に記載のア
   クティブマトリクス基板。
3. 【請求項３】上記信号線は、当該信号線に隣接する画素
   と行ごとに交互にスイッチング素子を介して接続されて
   いることを特徴とする請求項１または２に記載のアクテ
   ィブマトリクス基板。
4. 【請求項４】上記画素電極は、当該画素電極がまたいで
   いる走査線の前後いずれかの走査線によって制御される
   スイッチング素子と接続されていることを特徴とする請
   求項１ないし３のいずれかに記載のアクティブマトリク
   ス基板。
5. 【請求項５】上記画素電極は、上記信号線および上記走
   査線と層間絶縁膜を介して設けられていることを特徴と
   する請求項１ないし４のいずれかに記載のアクティブマ
   トリクス基板。
6. 【請求項６】上記画素電極は、当該画素電極がまたいで
   いる走査線によって制御されるスイッチング素子と接続
   されていると共に、上記信号線および上記走査線と層間
   絶縁膜を介して設けられていることを特徴とする請求項
   １または２に記載のアクティブマトリクス基板。
7. 【請求項７】上記信号線は、当該信号線に対して両側に
   位置する画素のうち、全て同じ側に位置する画素とスイ
   ッチング素子を介して接続されていることを特徴とする
   請求項６に記載のアクティブマトリクス基板。
8. 【請求項８】上記画素電極は、反射電極であることを特
   徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のアクティ
   ブマトリクス基板。
9. 【請求項９】絶縁性基板上に、複数の走査線を行方向に
   形成すると共に、隣接する走査線に挟まれた領域に補助
   容量配線を形成する第１の工程と、 上記絶縁性基板上に複数の信号線を列方向に形成する第
   ２の工程と、 上記信号線に接続され、上記走査線の信号により駆動さ
   れるスイッチング素子を形成する第３の工程と、 上記スイッチング素子と接続される画素電極を各画素に
   対応してマトリクス状に形成する第４の工程とを有し、 上記第１の工程では、隣接する走査線に挟まれた領域の
   行方向において千鳥配置の関係にある画素を経由するよ
   うに上記補助容量配線を形成し、 上記第４の工程では、上記走査線をまたぐように上記画
   素電極を形成することを特徴とするアクティブマトリク
   ス基板の製造方法。