JP2002155369A - プラスチック構造物への薄膜成膜方法 - Google Patents
プラスチック構造物への薄膜成膜方法Info
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- JP2002155369A JP2002155369A JP2000349230A JP2000349230A JP2002155369A JP 2002155369 A JP2002155369 A JP 2002155369A JP 2000349230 A JP2000349230 A JP 2000349230A JP 2000349230 A JP2000349230 A JP 2000349230A JP 2002155369 A JP2002155369 A JP 2002155369A
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- cylindrical
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、円筒形状のプラスチック構造物にプ
ラズマ化学蒸着法により均一な薄膜を形成するための薄
膜成膜方法の提供を目的とする。 【解決手段】内側が円筒形状の外部電極と、この外部電
極内に配置された内側が円筒形状の内部電極の間に円筒
形状のプラスチック構造物を回転可能な状態で設置し、
円筒形状のプラスチック構造物の成膜される表面とそれ
に対抗する電極との間にモノマーガスを供給し、しかる
後円筒形状のプラスチック構造物を回転させながら前記
電極間に高周波を印加し、プラスチック構造物の所望表
面に薄膜を成膜する。
ラズマ化学蒸着法により均一な薄膜を形成するための薄
膜成膜方法の提供を目的とする。 【解決手段】内側が円筒形状の外部電極と、この外部電
極内に配置された内側が円筒形状の内部電極の間に円筒
形状のプラスチック構造物を回転可能な状態で設置し、
円筒形状のプラスチック構造物の成膜される表面とそれ
に対抗する電極との間にモノマーガスを供給し、しかる
後円筒形状のプラスチック構造物を回転させながら前記
電極間に高周波を印加し、プラスチック構造物の所望表
面に薄膜を成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は円筒形状のプラスチ
ック構造物にプラズマ化学蒸着法（ＣＶＤ法）により均
一な薄膜を成膜するための薄膜成膜方法に関する。
ック構造物にプラズマ化学蒸着法（ＣＶＤ法）により均
一な薄膜を成膜するための薄膜成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラスチック構造物は、その成形の容易
性や軽量性、さらには低コストである点等の種々の特性
から、様々な分野において広く使用されている。しかし
ながら、プラスチック構造物は、酸素や二酸化炭素、水
蒸気のような低分子ガスを透過する性質や、低分子成分
が内部に吸着してしまうという性質、または低分子成分
が溶出してしまうという性質を有しており、用途が限定
されたり、使用状況が制限される等の問題点が多々あ
る。例えば、プラスチック製真空採血管などにおいては
これらの問題をかかえており、改善が求められていた。
性や軽量性、さらには低コストである点等の種々の特性
から、様々な分野において広く使用されている。しかし
ながら、プラスチック構造物は、酸素や二酸化炭素、水
蒸気のような低分子ガスを透過する性質や、低分子成分
が内部に吸着してしまうという性質、または低分子成分
が溶出してしまうという性質を有しており、用途が限定
されたり、使用状況が制限される等の問題点が多々あ
る。例えば、プラスチック製真空採血管などにおいては
これらの問題をかかえており、改善が求められていた。
【０００３】これらの諸問題を解決するためにいろいろ
な方策がとられているが、どれもがちがう問題を抱えて
おり、完全に解決することができていない。例えば、プ
ラスチック構造物のガス透過性を低減する方法の１つと
して複数のプラスチック材料を積層する方法がある。一
般的には、ガス透過性の小さい材料と少なくとももう１
種類の材料を組み合わせる方法が取られるのであるが、
この方法では容器の成形工程が比較的複雑となり、製造
費用も高いといった問題を抱えている。また、上述の問
題を解決するためにシリコーンなどをスプレーコーティ
ングする例もあるが、これもコストが問題となってい
る。
な方策がとられているが、どれもがちがう問題を抱えて
おり、完全に解決することができていない。例えば、プ
ラスチック構造物のガス透過性を低減する方法の１つと
して複数のプラスチック材料を積層する方法がある。一
般的には、ガス透過性の小さい材料と少なくとももう１
種類の材料を組み合わせる方法が取られるのであるが、
この方法では容器の成形工程が比較的複雑となり、製造
費用も高いといった問題を抱えている。また、上述の問
題を解決するためにシリコーンなどをスプレーコーティ
ングする例もあるが、これもコストが問題となってい
る。
【０００４】一方、近年、プラスチック構造物にプラズ
マＣＶＤ法を用いて成膜を行う技術が知られてきてい
る。例えば特開平８−５３１１７号公報に示されている
ように、容器の外形とほぼ相似形の中空状の外部電極
と、容器とほぼ相似形の内部電極の間に容器を設置して
成膜を行う方法、また特開平８−１７５５２８号公報に
示されているように、外部電極と内部電極を共に容器の
表面からほぼ一定の距離に配置して成膜を行う方法等が
知られている。しかし、これらの方法は真空度を高く
し、比較的大きな空間にプラズマを生成させて成膜を行
うものであった。これらと同様の方法で小さい容器に薄
膜をを成膜しようとするとプラズマが１カ所に集中する
場合があり、均一な薄膜が成膜しにくかった。
マＣＶＤ法を用いて成膜を行う技術が知られてきてい
る。例えば特開平８−５３１１７号公報に示されている
ように、容器の外形とほぼ相似形の中空状の外部電極
と、容器とほぼ相似形の内部電極の間に容器を設置して
成膜を行う方法、また特開平８−１７５５２８号公報に
示されているように、外部電極と内部電極を共に容器の
表面からほぼ一定の距離に配置して成膜を行う方法等が
知られている。しかし、これらの方法は真空度を高く
し、比較的大きな空間にプラズマを生成させて成膜を行
うものであった。これらと同様の方法で小さい容器に薄
膜をを成膜しようとするとプラズマが１カ所に集中する
場合があり、均一な薄膜が成膜しにくかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
状況に鑑みなされたものであり、円筒形状のプラスチッ
ク構造物の所望表面に、プラズマＣＶＤ法により、ガス
バリア性に優れ、低分子成分の吸着を抑え、低分子成分
の溶出を防ぐ薄膜を、均一にしかもコスト的にも安価に
成膜可能なプラスチック構造物への薄膜成膜方法の提供
を目的とする。
状況に鑑みなされたものであり、円筒形状のプラスチッ
ク構造物の所望表面に、プラズマＣＶＤ法により、ガス
バリア性に優れ、低分子成分の吸着を抑え、低分子成分
の溶出を防ぐ薄膜を、均一にしかもコスト的にも安価に
成膜可能なプラスチック構造物への薄膜成膜方法の提供
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の目的を
達成するためになされたものであり、請求項１に記載の
プラスチック構造物への薄膜成膜方法は、内側が円筒形
状の外部電極と外側が円筒形状の内部電極とを、内部電
極が外部電極内に位置するように、しかもそれぞれの中
心軸が一致するように配置し、さらにこれらの各電極間
には円筒形状のプラスチック構造物をその中心軸を前記
した電極のそれぞれの中心軸と一致させ、かつ回転可能
な状態で設置した後、円筒形状のプラスチック構造物の
成膜される表面とそれに対向する電極の間にモノマーガ
スを供給し、しかる後円筒形状のプラスチック構造物を
回転させながら前記電極間に高周波を印加し、プラスチ
ック構造物の所望表面に薄膜を成膜することを特徴とす
る。
達成するためになされたものであり、請求項１に記載の
プラスチック構造物への薄膜成膜方法は、内側が円筒形
状の外部電極と外側が円筒形状の内部電極とを、内部電
極が外部電極内に位置するように、しかもそれぞれの中
心軸が一致するように配置し、さらにこれらの各電極間
には円筒形状のプラスチック構造物をその中心軸を前記
した電極のそれぞれの中心軸と一致させ、かつ回転可能
な状態で設置した後、円筒形状のプラスチック構造物の
成膜される表面とそれに対向する電極の間にモノマーガ
スを供給し、しかる後円筒形状のプラスチック構造物を
回転させながら前記電極間に高周波を印加し、プラスチ
ック構造物の所望表面に薄膜を成膜することを特徴とす
る。
【０００７】また、請求項２に記載のプラスチック構造
物への薄膜成膜方法は、請求項１に記載のプラスチック
構造物への薄膜成膜方法において、電極とプラスチック
構造物間のプラズマが発生する領域がプラスチック構造
物の薄膜を成膜する面から１０ｍｍ以下のところにあ
り、成膜時のモノマーガスの圧力が１〜１００Ｐａであ
ること特徴とする。
物への薄膜成膜方法は、請求項１に記載のプラスチック
構造物への薄膜成膜方法において、電極とプラスチック
構造物間のプラズマが発生する領域がプラスチック構造
物の薄膜を成膜する面から１０ｍｍ以下のところにあ
り、成膜時のモノマーガスの圧力が１〜１００Ｐａであ
ること特徴とする。
【０００８】さらにまた、請求項３に記載のプラスチッ
ク構造物への薄膜成膜方法は、請求項１または請求項２
に記載のプラスチック構造物への薄膜成膜方法におい
て、プラスチック構造物を回転させる回転数は、０．５
回転／秒以上であることを特徴とする。
ク構造物への薄膜成膜方法は、請求項１または請求項２
に記載のプラスチック構造物への薄膜成膜方法におい
て、プラスチック構造物を回転させる回転数は、０．５
回転／秒以上であることを特徴とする。
【０００９】さらにまた、請求項４に記載のプラスチッ
ク構造物への薄膜成膜方法は、請求項１ないし請求項３
のいずれか１項に記載のプラスチック構造物への薄膜成
膜方法において、外部電極を高周波電極、内部電極をア
ース電極とし、プラスチック構造物内部にモノマーガス
を供給し、プラスチック構造物の内面に薄膜を成膜する
ことを特徴とする。
ク構造物への薄膜成膜方法は、請求項１ないし請求項３
のいずれか１項に記載のプラスチック構造物への薄膜成
膜方法において、外部電極を高周波電極、内部電極をア
ース電極とし、プラスチック構造物内部にモノマーガス
を供給し、プラスチック構造物の内面に薄膜を成膜する
ことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を参照にして説明する。
を参照にして説明する。
【００１１】プラスチック構造物の内面に薄膜を成膜す
るときの状態を示す概略断面説明図を図１に示す。図
中、１と２はそれぞれ外部電極と内部電極を示してい
る。外部電極１はその内面の形状が円筒状になってお
り、内部電極２はその外側の形状が円筒状になってい
る。そしてこれらは、内部電極２が外部電極内１に位置
するように、しかもそれぞれの中心軸が一致するように
配置してある。また、これらの各電極１、２間には円筒
形状のプラスチック構造物３がその中心軸が前記した各
電極の中心軸とも一致するように、かつ回転可能な状態
で絶縁物からなるセット部材４にセットしてある。要す
るにセット部材４は薄膜を成膜する円筒形状のプラスチ
ック構造物３を保持し回転する機構（図示せず）を有し
ており、そこに保持されていたプラスチック構造物３は
両電極１、２との間にその周縁を位置させつつ回転軸を
中心に回転するようになっている。従って、回転中には
このプラスチック構造物の周縁と両電極との距離は常に
一定に保たれるようになっている。
るときの状態を示す概略断面説明図を図１に示す。図
中、１と２はそれぞれ外部電極と内部電極を示してい
る。外部電極１はその内面の形状が円筒状になってお
り、内部電極２はその外側の形状が円筒状になってい
る。そしてこれらは、内部電極２が外部電極内１に位置
するように、しかもそれぞれの中心軸が一致するように
配置してある。また、これらの各電極１、２間には円筒
形状のプラスチック構造物３がその中心軸が前記した各
電極の中心軸とも一致するように、かつ回転可能な状態
で絶縁物からなるセット部材４にセットしてある。要す
るにセット部材４は薄膜を成膜する円筒形状のプラスチ
ック構造物３を保持し回転する機構（図示せず）を有し
ており、そこに保持されていたプラスチック構造物３は
両電極１、２との間にその周縁を位置させつつ回転軸を
中心に回転するようになっている。従って、回転中には
このプラスチック構造物の周縁と両電極との距離は常に
一定に保たれるようになっている。
【００１２】一方、５はゲート（排気口）であり、図示
しない吸引ポンプと繋がっていて、ここから真空引きが
できるようになっている。また、プラスチック構造物の
中心部に配置された内部電極２の先端部からは供給ガス
であるモノマーガスがプラスチック構造体３内に供給さ
れるようになっている。
しない吸引ポンプと繋がっていて、ここから真空引きが
できるようになっている。また、プラスチック構造物の
中心部に配置された内部電極２の先端部からは供給ガス
であるモノマーガスがプラスチック構造体３内に供給さ
れるようになっている。
【００１３】以上のような構成の装置を使用し円筒形状
のプラスチック構造物に薄膜を成膜する場合、まず円筒
形状のプラスチック構造物３をゴム、金属等からなるセ
ット部材４に回転軸とプラスチック構造物３の中心軸が
一致するようにセットする。
のプラスチック構造物に薄膜を成膜する場合、まず円筒
形状のプラスチック構造物３をゴム、金属等からなるセ
ット部材４に回転軸とプラスチック構造物３の中心軸が
一致するようにセットする。
【００１４】プラスチック構造物の材質は特に限定は無
く、ポリエチレンテレフタレート樹脂をはじめ、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ナ
イロン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物
樹脂等を用いることができるが、成形性、透明性、経済
性の面からポリエチレンテレフタレート樹脂が特に好ま
しい。
く、ポリエチレンテレフタレート樹脂をはじめ、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ナ
イロン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物
樹脂等を用いることができるが、成形性、透明性、経済
性の面からポリエチレンテレフタレート樹脂が特に好ま
しい。
【００１５】次に、ゲート５を介して外部電極１内の空
気を排気し、真空にした後、モノマーガスを供給する。
このときの外部電極２内の圧力は１〜１００Ｐａの範囲
内で一定に保つようにする。
気を排気し、真空にした後、モノマーガスを供給する。
このときの外部電極２内の圧力は１〜１００Ｐａの範囲
内で一定に保つようにする。
【００１６】供給するモノマーガスの例を挙げると、珪
素酸化物を主成分とする薄膜を形成させるためには、モ
ノマーとして、１，１，３，３，−テトラメチルジシロ
キサン、ヘキサメチルジシロキサン、ビニルトリメチル
シラン、メチルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシ
ラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラ
ン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
ラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、
フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラ
ン、オクタメチルシクロテトラシロキサン等を用いるこ
とができる。
素酸化物を主成分とする薄膜を形成させるためには、モ
ノマーとして、１，１，３，３，−テトラメチルジシロ
キサン、ヘキサメチルジシロキサン、ビニルトリメチル
シラン、メチルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシ
ラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラ
ン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
ラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、
フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラ
ン、オクタメチルシクロテトラシロキサン等を用いるこ
とができる。
【００１７】さらに、反応ガスとして酸素、二酸化炭素
等を混合しても良い。また、キャリアガスとしてアルゴ
ン、ヘリウムなどを混合することもできる。また、ダイ
アモンド状炭素膜を形成するためには、モノマーとして
脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、含酸素炭化水素
類、含窒素炭化水素類などが使用される。具体的には、
ベンゼン、トルエン、Ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、シ
クロヘキサンなどを用いる。
等を混合しても良い。また、キャリアガスとしてアルゴ
ン、ヘリウムなどを混合することもできる。また、ダイ
アモンド状炭素膜を形成するためには、モノマーとして
脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、含酸素炭化水素
類、含窒素炭化水素類などが使用される。具体的には、
ベンゼン、トルエン、Ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、シ
クロヘキサンなどを用いる。
【００１８】モノマーガスを供給した外部電極１内が一
定圧力に保たれるようになったら、プラスチック構造物
３をセット部材４を介して回転させつつ、外部電極１と
内部電極２との間に高周波を印加し、プラスチック構造
物３内に存在するモノマーガスをプラズマ化することに
より、プラスチック構造物３の内面に均一な薄膜を成膜
する。
定圧力に保たれるようになったら、プラスチック構造物
３をセット部材４を介して回転させつつ、外部電極１と
内部電極２との間に高周波を印加し、プラスチック構造
物３内に存在するモノマーガスをプラズマ化することに
より、プラスチック構造物３の内面に均一な薄膜を成膜
する。
【００１９】この際、電極とプラスチック構造物間のプ
ラズマが発生する領域は１０ｍｍ以下とし、成膜時の圧
力は１〜１００Ｐａとする。このような圧力で成膜がき
れば、成膜前の排気時間の短縮化が図れ、安価な装置構
成にすることができるようになる。また、プラスチック
構造物を回転させなながら成膜を行えば、プラズマ発生
領域を拡げることなく所期の薄膜を形成することが可能
となる。
ラズマが発生する領域は１０ｍｍ以下とし、成膜時の圧
力は１〜１００Ｐａとする。このような圧力で成膜がき
れば、成膜前の排気時間の短縮化が図れ、安価な装置構
成にすることができるようになる。また、プラスチック
構造物を回転させなながら成膜を行えば、プラズマ発生
領域を拡げることなく所期の薄膜を形成することが可能
となる。
【００２０】薄膜成膜時のプラスチック構造物３の回転
数は、例えば電極とプラスチック構造物間のプラズマの
発生する領域が１０ｍｍ以下で、成膜時のガス圧を１〜
１００Ｐａ、ガス流量を１〜５００ｍｌ／ｍｉｎとし、
高周波出力を２０〜５００ｗとした場合には、０．５回
転／秒以上とすると均一な薄膜を成膜することができて
好ましい。特に、０．５〜１００回転／秒の範囲で設定
することが好ましい。このような状態でプラスチック構
造物を回転させると、たとえ成膜中にプラズマが一ヶ所
に集中したとしても、プラスチック構造物の成膜する表
面全体が均一にプラズマに曝されることになり、より均
一な薄膜が形成できることになる。
数は、例えば電極とプラスチック構造物間のプラズマの
発生する領域が１０ｍｍ以下で、成膜時のガス圧を１〜
１００Ｐａ、ガス流量を１〜５００ｍｌ／ｍｉｎとし、
高周波出力を２０〜５００ｗとした場合には、０．５回
転／秒以上とすると均一な薄膜を成膜することができて
好ましい。特に、０．５〜１００回転／秒の範囲で設定
することが好ましい。このような状態でプラスチック構
造物を回転させると、たとえ成膜中にプラズマが一ヶ所
に集中したとしても、プラスチック構造物の成膜する表
面全体が均一にプラズマに曝されることになり、より均
一な薄膜が形成できることになる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
る。
【００２２】<実施例１>図２に示すように、内側が円筒
形状を成す外部電極１を高周波電極とし、この外部電極
１中に断面形状が円形の円筒形状のプラスチック構造物
３を絶縁物からなるセット部材１４にセットし、さらに
プラスチック構造物３内部に外側が円筒形状の内部電極
２をアース電極として挿入した。このとき、外部電極１
と内部電極２のそれぞれの中心軸はセット部材１４の回
転軸と一致するようにした。外部電極１の内径は２０ｍ
ｍで、内部電極２の外径は６ｍｍであった。また、プラ
スチック構造物３の内径、内面側高さ、胴部肉厚はそれ
ぞれ１４ｍｍ、９８ｍｍ、０．９ｍｍであった。次に、
ゲート５を介して外部電極２内を真空ポンプ（図示せ
ず）で減圧し、真空にした。さらに、内部電極２の先端
よりプラスチック構造物３の内部にヘキサメチルジシロ
キサンを２ｍｌ／ｍｉｎ（０℃、１０１．３２５ｋＰ
ａ）および酸素ガスを５０ｍｌ／ｍｉｎ（０℃、１０
１．３２５ｋＰａ）の割合で供給した。ガスを流した状
態で真空ポンプにより外部電極内を１０Ｐａの一定圧力
に保った。続いて、プラスチック構造物３を２００ｒｐ
ｍで回転させながら電極間に高周波を２０秒間印加し
た。プラスチック構造物の内面には珪素酸化物の薄膜が
被服されていた。プラスチック構造物の内面に成膜され
た薄膜の膜厚分布を４ヶ所測定すると２０、２２、２
１、２１（ｎｍ）であり、均一な膜厚を示していた。得
られたプラスチック構造物の１パッケージ当たりの酸素
透過量は０．０２５ｆｍｏｌ／（ｐｋｇ・ｓ・Ｐａ）で
あり、薄膜を形成しなかったプラスチック構造物（１パ
ッケージ当たりの酸素透過量０．２５０ｆｍｏｌ／（ｐ
ｋｇ・ｓ・Ｐａ））と較べ、１０倍のバリア性を示して
いた。
形状を成す外部電極１を高周波電極とし、この外部電極
１中に断面形状が円形の円筒形状のプラスチック構造物
３を絶縁物からなるセット部材１４にセットし、さらに
プラスチック構造物３内部に外側が円筒形状の内部電極
２をアース電極として挿入した。このとき、外部電極１
と内部電極２のそれぞれの中心軸はセット部材１４の回
転軸と一致するようにした。外部電極１の内径は２０ｍ
ｍで、内部電極２の外径は６ｍｍであった。また、プラ
スチック構造物３の内径、内面側高さ、胴部肉厚はそれ
ぞれ１４ｍｍ、９８ｍｍ、０．９ｍｍであった。次に、
ゲート５を介して外部電極２内を真空ポンプ（図示せ
ず）で減圧し、真空にした。さらに、内部電極２の先端
よりプラスチック構造物３の内部にヘキサメチルジシロ
キサンを２ｍｌ／ｍｉｎ（０℃、１０１．３２５ｋＰ
ａ）および酸素ガスを５０ｍｌ／ｍｉｎ（０℃、１０
１．３２５ｋＰａ）の割合で供給した。ガスを流した状
態で真空ポンプにより外部電極内を１０Ｐａの一定圧力
に保った。続いて、プラスチック構造物３を２００ｒｐ
ｍで回転させながら電極間に高周波を２０秒間印加し
た。プラスチック構造物の内面には珪素酸化物の薄膜が
被服されていた。プラスチック構造物の内面に成膜され
た薄膜の膜厚分布を４ヶ所測定すると２０、２２、２
１、２１（ｎｍ）であり、均一な膜厚を示していた。得
られたプラスチック構造物の１パッケージ当たりの酸素
透過量は０．０２５ｆｍｏｌ／（ｐｋｇ・ｓ・Ｐａ）で
あり、薄膜を形成しなかったプラスチック構造物（１パ
ッケージ当たりの酸素透過量０．２５０ｆｍｏｌ／（ｐ
ｋｇ・ｓ・Ｐａ））と較べ、１０倍のバリア性を示して
いた。
【００２３】<比較例１>実施例１と同様の装置構成と
し、プラスチック構造物は回転させずに成膜を行った。
成膜を行ったプラスチック構造物の１パッケージ当たり
の酸素透過量を測定すると０．２００ｆｍｏｌ/（ｐｋ
ｇ・ｓ・Ｐａ）であり、バリア性を向上させることはで
きなかった。また、プラスチック構造物に成膜された薄
膜の膜厚を４ヶ所で測定し、膜厚の分布状態をみた。膜
厚はそれぞれ１０、２、１２、３０（ｎｍ）であり、不
均一な成膜状態であった。
し、プラスチック構造物は回転させずに成膜を行った。
成膜を行ったプラスチック構造物の１パッケージ当たり
の酸素透過量を測定すると０．２００ｆｍｏｌ/（ｐｋ
ｇ・ｓ・Ｐａ）であり、バリア性を向上させることはで
きなかった。また、プラスチック構造物に成膜された薄
膜の膜厚を４ヶ所で測定し、膜厚の分布状態をみた。膜
厚はそれぞれ１０、２、１２、３０（ｎｍ）であり、不
均一な成膜状態であった。
【００２４】<比較例２>実施例１と同様の装置構成と
し、プラスチック構造物の回転数を２０ｒｐｍとして成
膜を行った。成膜を行ったプラスチック構造物の１パッ
ケージ当たりの酸素透過量を測定すると０．１５０ｆｍ
ｏｌ/（ｐｋｇ・ｓ・Ｐａ）であり、バリア性を大幅に向
上させることはできなかった。また、プラスチック構造
物に成膜された薄膜の膜厚を４ヶ所で測定し、膜厚の分
布状態をみた。膜厚はそれぞれ１８、１０、３５、１
（ｎｍ）であり、不均一な成膜状態であった。
し、プラスチック構造物の回転数を２０ｒｐｍとして成
膜を行った。成膜を行ったプラスチック構造物の１パッ
ケージ当たりの酸素透過量を測定すると０．１５０ｆｍ
ｏｌ/（ｐｋｇ・ｓ・Ｐａ）であり、バリア性を大幅に向
上させることはできなかった。また、プラスチック構造
物に成膜された薄膜の膜厚を４ヶ所で測定し、膜厚の分
布状態をみた。膜厚はそれぞれ１８、１０、３５、１
（ｎｍ）であり、不均一な成膜状態であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、円筒形状のプラスチッ
ク構造物の所望表面に、プラズマＣＤＶ法により、ガス
バリア性があり、低分子有機化合物の吸着を抑え、低分
子成分の溶出を防ぐ均一な薄膜を短時間で、かつ安価に
成膜することができる。
ク構造物の所望表面に、プラズマＣＤＶ法により、ガス
バリア性があり、低分子有機化合物の吸着を抑え、低分
子成分の溶出を防ぐ均一な薄膜を短時間で、かつ安価に
成膜することができる。
【図１】プラスチック構造物の内面に薄膜を成膜をする
ときの状態の一例を示す概略断面説明図である。
ときの状態の一例を示す概略断面説明図である。
【図２】プラスチック構造物の内面に薄膜を成膜すると
きの状態の他の例を示す概略断面説明図である。
きの状態の他の例を示す概略断面説明図である。
１・・・外部電極 ２・・・内部電極 ３・・・プラスチック構造物 ４、１４・・・セット部材 ５・・・ゲート
フロントページの続き (72)発明者 辻野 学 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 4D075 BB49Y BB56X BB85Y CA42 DA15 DB31 DC30 4K030 AA24 BA61 CA07 CA15 GA05 JA03 JA09 JA12 KA16 KA30 LA01 LA24
Claims (4)
- 【請求項１】内側が円筒形状の外部電極と外側が円筒形
状の内部電極とを、内部電極が外部電極内に位置するよ
うに、しかもそれぞれの中心軸が一致するように配置
し、さらにこれらの各電極間には円筒形状のプラスチッ
ク構造物をその中心軸を前記した電極のそれぞれの中心
軸と一致させ、かつ回転可能な状態で設置した後、円筒
形状のプラスチック構造物の成膜される表面とそれに対
向する電極の間にモノマーガスを供給し、しかる後円筒
形状のプラスチック構造物を回転させながら前記電極間
に高周波を印加し、プラスチック構造物の所望表面に薄
膜を成膜することを特徴とするプラスチック構造物への
薄膜成膜方法。 - 【請求項２】電極とプラスチック構造物間のプラズマが
発生する領域がプラスチック構成物の薄膜を成膜する面
から１０ｍｍ以下のところにあり、成膜時のモノマーガ
スの圧力が１〜１００Ｐａであること特徴とする請求項
１に記載のプラスチック構造物への薄膜成膜方法。 - 【請求項３】プラスチック構造物の回転数は、０．５回
転／秒以上であることを特徴とする請求項１または請求
項２に記載のプラスチック構造物への薄膜成膜方法。 - 【請求項４】外部電極を高周波電極、内部電極をアース
電極とし、プラスチック構造物内部にモノマーガスを供
給し、プラスチック構造物の内面に薄膜を成膜すること
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
記載のプラスチック構造物への薄膜成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000349230A JP2002155369A (ja) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | プラスチック構造物への薄膜成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000349230A JP2002155369A (ja) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | プラスチック構造物への薄膜成膜方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002155369A true JP2002155369A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18822674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000349230A Pending JP2002155369A (ja) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | プラスチック構造物への薄膜成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002155369A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009062620A (ja) * | 2008-10-30 | 2009-03-26 | Dainippon Printing Co Ltd | プラスチック製容器の製造法 |
| CN103298234A (zh) * | 2013-06-21 | 2013-09-11 | 东南大学 | 一种低温等离子体射流产生装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08509166A (ja) * | 1994-02-16 | 1996-10-01 | ザ・コカ−コーラ・カンパニー | プラズマ補助表面反応又は表面上の重合による不活性又は不浸透性内部表面を有する中空容器 |
| JP2000230064A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Toppan Printing Co Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2001310960A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-11-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置及び炭素被覆形成プラスチック容器の製造方法 |
-
2000
- 2000-11-16 JP JP2000349230A patent/JP2002155369A/ja active Pending
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