JP2002151294A - プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置Info
- Publication number
- JP2002151294A JP2002151294A JP2000338246A JP2000338246A JP2002151294A JP 2002151294 A JP2002151294 A JP 2002151294A JP 2000338246 A JP2000338246 A JP 2000338246A JP 2000338246 A JP2000338246 A JP 2000338246A JP 2002151294 A JP2002151294 A JP 2002151294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- plasma
- value
- electrode
- performance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 164
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 title claims description 148
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims description 138
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title abstract description 13
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 title description 8
- 238000012384 transportation and delivery Methods 0.000 claims abstract description 243
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 986
- 238000007726 management method Methods 0.000 claims description 108
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 79
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 43
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 41
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 28
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 14
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- NIXVMBBZNVOBHS-ASRKUVFVSA-N [(8r,9s,10r,13s,14s,17r)-17-acetyl-6,10,13-trimethyl-3-oxo-2,8,9,11,12,14,15,16-octahydro-1h-cyclopenta[a]phenanthren-17-yl] acetate;(8r,9s,13s,14s,17r)-17-ethynyl-13-methyl-7,8,9,11,12,14,15,16-octahydro-6h-cyclopenta[a]phenanthrene-3,17-diol Chemical compound OC1=CC=C2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1.C1=C(C)C2=CC(=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@@](C(C)=O)(OC(=O)C)[C@@]1(C)CC2 NIXVMBBZNVOBHS-ASRKUVFVSA-N 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 113
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 102
- 230000008569 process Effects 0.000 description 51
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 39
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 38
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 36
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 35
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 30
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 21
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 19
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 238000012549 training Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ処理装置を分解、搬送後再組み立て
した後において、所望の性能が維持されているかどうか
を簡便かつ迅速に評価できるようにする。 【解決手段】 プラズマを励起するための電極４を有す
るプラズマ処理室６０と、この電極４に接続された高周
波電源１と、プラズマ処理室６０と高周波電源１とのイ
ンピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、
プラズマ処理室６０の高周波電源１の接続された電極４
と直流的にアースされた各接地電位部との間の容量ＣX
の納入後における値Ｃx1の値が、電極４と対となり協働
してプラズマを発生する電極８との間のプラズマ電極容
量Ｃe の２６倍より小さい値かどうかにより、性能を評
価する。
した後において、所望の性能が維持されているかどうか
を簡便かつ迅速に評価できるようにする。 【解決手段】 プラズマを励起するための電極４を有す
るプラズマ処理室６０と、この電極４に接続された高周
波電源１と、プラズマ処理室６０と高周波電源１とのイ
ンピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、
プラズマ処理室６０の高周波電源１の接続された電極４
と直流的にアースされた各接地電位部との間の容量ＣX
の納入後における値Ｃx1の値が、電極４と対となり協働
してプラズマを発生する電極８との間のプラズマ電極容
量Ｃe の２６倍より小さい値かどうかにより、性能を評
価する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
又はプラズマ処理システムの性能評価方法、保守方法、
性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラ
ズマ処理装置に係り、特に、プラズマ処理装置又はプラ
ズマ処理システムが納入後に所望の性能を維持し続ける
ことに用いて好適な技術に関する。
又はプラズマ処理システムの性能評価方法、保守方法、
性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラ
ズマ処理装置に係り、特に、プラズマ処理装置又はプラ
ズマ処理システムが納入後に所望の性能を維持し続ける
ことに用いて好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ（ chemical vapor depositio
n）、スパッタリング、ドライエッチング、アッシング
等のプラズマ処理をおこなうプラズマ処理装置の一例と
しては、従来から、図３８に示すような、いわゆる２周
波数励起タイプのものが知られている。図３８に示すプ
ラズマ処理装置は、高周波電源１とプラズマ励起電極４
との間に整合回路２Ａが介在されている。整合回路２Ａ
はこれら高周波電源１とプラズマ励起電極４との間のイ
ンピーダンスの整合を得るための回路として設けられて
いる。
n）、スパッタリング、ドライエッチング、アッシング
等のプラズマ処理をおこなうプラズマ処理装置の一例と
しては、従来から、図３８に示すような、いわゆる２周
波数励起タイプのものが知られている。図３８に示すプ
ラズマ処理装置は、高周波電源１とプラズマ励起電極４
との間に整合回路２Ａが介在されている。整合回路２Ａ
はこれら高周波電源１とプラズマ励起電極４との間のイ
ンピーダンスの整合を得るための回路として設けられて
いる。
【０００３】高周波電源１からの高周波電力は整合回路
２Ａを通して給電板３によりプラズマ励起電極４へ供給
される。この整合回路２Ａは導電体からなるハウジング
により形成されるマッチングボックス２内に収納されて
おり、プラズマ励起電極４および給電板３は、導体から
なるシャーシ２１によって覆われている。プラズマ励起
電極（カソード電極）４の下側には凸部４ａが設けられ
るとともに、このプラズマ励起電極（カソード電極）４
の下には、多数の孔７が形成されているシャワープレー
ト５が凸部４ａに接して設けられている。これらプラズ
マ励起電極４とシャワープレート５との間には空間６が
形成されている。この空間６にはガス導入管１７が接続
されており、導体からなるガス導入管１７の途中には絶
縁体１７ａが挿入されてプラズマ励起電極側とガス供給
源側とが絶縁されている。
２Ａを通して給電板３によりプラズマ励起電極４へ供給
される。この整合回路２Ａは導電体からなるハウジング
により形成されるマッチングボックス２内に収納されて
おり、プラズマ励起電極４および給電板３は、導体から
なるシャーシ２１によって覆われている。プラズマ励起
電極（カソード電極）４の下側には凸部４ａが設けられ
るとともに、このプラズマ励起電極（カソード電極）４
の下には、多数の孔７が形成されているシャワープレー
ト５が凸部４ａに接して設けられている。これらプラズ
マ励起電極４とシャワープレート５との間には空間６が
形成されている。この空間６にはガス導入管１７が接続
されており、導体からなるガス導入管１７の途中には絶
縁体１７ａが挿入されてプラズマ励起電極側とガス供給
源側とが絶縁されている。
【０００４】ガス導入管１７から導入されたガスは、シ
ャワープレート５の孔７を通ってチャンバ壁１０により
形成されたチャンバ室６０内に供給される。なお、符号
９はチャンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電
極）４とを絶縁する絶縁体である。また、排気系の図示
は省略してある。一方、チャンバ室（プラズマ処理室）
６０内には基板１６を載置しプラズマ励起電極ともなる
ウエハサセプタ（サセプタ電極）８が設けられておりそ
の周囲にはサセプタシールド１２が設けられている。
ャワープレート５の孔７を通ってチャンバ壁１０により
形成されたチャンバ室６０内に供給される。なお、符号
９はチャンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電
極）４とを絶縁する絶縁体である。また、排気系の図示
は省略してある。一方、チャンバ室（プラズマ処理室）
６０内には基板１６を載置しプラズマ励起電極ともなる
ウエハサセプタ（サセプタ電極）８が設けられておりそ
の周囲にはサセプタシールド１２が設けられている。
【０００５】サセプタシールド１２はサセプタ電極８を
受けるシールド支持板１２Ａと、このシールド支持板１
２Ａの中央部から垂下形成された筒型の支持筒１２Ｂと
からなり、支持筒１２Ｂはチャンバ底部１０Ａを貫通し
て設けられるとともに、この支持筒１２Ｂの下端部とチ
ャンバ底部１０Ａとがベローズ１１により密閉接続され
ている。これら、ウエハサセプタ８およびサセプタシー
ルド１２は、これらの隙間がシャフト１３の周囲に設け
られた電気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによって真空
絶縁されるとともに電気的にも絶縁されている。また、
ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２は、ベロ
ーズ１１により上下動可能となっており、プラズマ励起
電極４，ウエハサセープタ８間の距離の調整ができる。
ウエハサセプタ８には、シャフト１３および第２のマッ
チングボックス１４内に収納された整合回路を介して第
２の高周波電源１５が接続されている。なお、チャンバ
壁１０とサセプタシールド１２とは直流的に同電位とな
っている。
受けるシールド支持板１２Ａと、このシールド支持板１
２Ａの中央部から垂下形成された筒型の支持筒１２Ｂと
からなり、支持筒１２Ｂはチャンバ底部１０Ａを貫通し
て設けられるとともに、この支持筒１２Ｂの下端部とチ
ャンバ底部１０Ａとがベローズ１１により密閉接続され
ている。これら、ウエハサセプタ８およびサセプタシー
ルド１２は、これらの隙間がシャフト１３の周囲に設け
られた電気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによって真空
絶縁されるとともに電気的にも絶縁されている。また、
ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２は、ベロ
ーズ１１により上下動可能となっており、プラズマ励起
電極４，ウエハサセープタ８間の距離の調整ができる。
ウエハサセプタ８には、シャフト１３および第２のマッ
チングボックス１４内に収納された整合回路を介して第
２の高周波電源１５が接続されている。なお、チャンバ
壁１０とサセプタシールド１２とは直流的に同電位とな
っている。
【０００６】図３９に従来のプラズマ処理装置の他の例
を示す。図３９に示すプラズマ処理装置は、図３８に示
すプラズマ処理装置とは異なり、１周波数励起タイプの
プラズマ処理装置である。すなわち、カソード電極４に
のみ高周波電力が供給されるようになっており、サセプ
タ電極８は接地されている。また、図３８で示される第
２の高周波電源１５と第２のマッチングボックス１４は
設けられていない。また、サセプタ電極８とチャンバ壁
１０とは直流的に同電位となっている。
を示す。図３９に示すプラズマ処理装置は、図３８に示
すプラズマ処理装置とは異なり、１周波数励起タイプの
プラズマ処理装置である。すなわち、カソード電極４に
のみ高周波電力が供給されるようになっており、サセプ
タ電極８は接地されている。また、図３８で示される第
２の高周波電源１５と第２のマッチングボックス１４は
設けられていない。また、サセプタ電極８とチャンバ壁
１０とは直流的に同電位となっている。
【０００７】上記のプラズマ処理装置においては、一般
的に１３．５６ＭＨｚ程度の周波数の電力を投入して、
両電極４，８の間でプラズマを生成し、このプラズマに
より、ＣＶＤ（ chemical vapor deposition）、スパッ
タリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ
処理をおこなうものである。しかし、上記のプラズマ処
理装置においては、電力消費効率（高周波電源１からプ
ラズマ励起電極４に投入した電力に対してプラズマ中で
消費された電力の割合）は必ずしも良好ではない。特
に、高周波電源から供給される周波数が高くなるほど、
プラズマ処理装置における電力消費効率の低下が顕著で
ある。同時にまた、基板サイズが大きくなるほどその低
下が顕著である。その結果、電力消費効率が低いことに
より、プラズマ空間で消費される実効的な電力が上がら
ないため、成膜速度が遅くなる、また、たとえば絶縁膜
の成膜の場合にあってはより絶縁耐圧の高い絶縁膜の形
成が困難である、という問題点を有している。
的に１３．５６ＭＨｚ程度の周波数の電力を投入して、
両電極４，８の間でプラズマを生成し、このプラズマに
より、ＣＶＤ（ chemical vapor deposition）、スパッ
タリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ
処理をおこなうものである。しかし、上記のプラズマ処
理装置においては、電力消費効率（高周波電源１からプ
ラズマ励起電極４に投入した電力に対してプラズマ中で
消費された電力の割合）は必ずしも良好ではない。特
に、高周波電源から供給される周波数が高くなるほど、
プラズマ処理装置における電力消費効率の低下が顕著で
ある。同時にまた、基板サイズが大きくなるほどその低
下が顕著である。その結果、電力消費効率が低いことに
より、プラズマ空間で消費される実効的な電力が上がら
ないため、成膜速度が遅くなる、また、たとえば絶縁膜
の成膜の場合にあってはより絶縁耐圧の高い絶縁膜の形
成が困難である、という問題点を有している。
【０００８】そして、このようなプラズマ処理装置の動
作確認および、動作の評価方法としては、例えば、以下
のように実際に成膜等の処理をおこない、この被成膜特
性を評価するというような方法でおこなっていた。 （１）堆積速度と膜面内均一性 基板上にプラズマＣＶＤにより所望の膜を成膜する。 レジストのパターニングをおこなう。 膜をドライエッチングする。 アッシングにより上記レジストを剥離する。 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測する。 成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。 膜面内均一性は、６インチ基板面内において１６ポイ
ントで測定する。 （２）ＢＨＦエッチングレート 上記（１）〜と同様に膜を成膜後、レジストマスク
をパターニングする。 ＢＨＦ液に１分間基板を浸漬する。 純水洗浄後乾燥し、レジストをＨ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2 で
剥離する。 上記（１）と同様段差を計測する。 浸漬時間と段差からエッチング速度を算出する。 （３）絶縁耐圧 ガラス基板上にスパッタリングにより導電性膜を成膜
し、下部電極としてパターニングする。 プラズマＣＶＤにより絶縁膜を成膜する。 と同様の方法で上部電極を形成する。 下部電極用にコンタクト孔を形成する。 上下電極にプロービングし、Ｉ−Ｖ特性（電流電圧特
性）を測定する。このとき最大電圧として２００Ｖ程度
まで印加する。 電極面積を１００μｍ角とし、１００ｐＡをよぎると
ころが、１μＡ／ｃｍ2に相当するので、この時のＶを
絶縁耐圧として定義する。
作確認および、動作の評価方法としては、例えば、以下
のように実際に成膜等の処理をおこない、この被成膜特
性を評価するというような方法でおこなっていた。 （１）堆積速度と膜面内均一性 基板上にプラズマＣＶＤにより所望の膜を成膜する。 レジストのパターニングをおこなう。 膜をドライエッチングする。 アッシングにより上記レジストを剥離する。 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測する。 成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。 膜面内均一性は、６インチ基板面内において１６ポイ
ントで測定する。 （２）ＢＨＦエッチングレート 上記（１）〜と同様に膜を成膜後、レジストマスク
をパターニングする。 ＢＨＦ液に１分間基板を浸漬する。 純水洗浄後乾燥し、レジストをＨ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2 で
剥離する。 上記（１）と同様段差を計測する。 浸漬時間と段差からエッチング速度を算出する。 （３）絶縁耐圧 ガラス基板上にスパッタリングにより導電性膜を成膜
し、下部電極としてパターニングする。 プラズマＣＶＤにより絶縁膜を成膜する。 と同様の方法で上部電極を形成する。 下部電極用にコンタクト孔を形成する。 上下電極にプロービングし、Ｉ−Ｖ特性（電流電圧特
性）を測定する。このとき最大電圧として２００Ｖ程度
まで印加する。 電極面積を１００μｍ角とし、１００ｐＡをよぎると
ころが、１μＡ／ｃｍ2に相当するので、この時のＶを
絶縁耐圧として定義する。
【０００９】さらに、上記のようなプラズマ処理装置に
対しては、従来から、半導体および液晶表示装置製造に
用いられる場合において、プラズマ処理速度（成膜時の
堆積速度や、加工速度）が早く生産性が高いこと、そし
て、被処理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性
（膜厚の膜面内方向分布、加工処理ばらつきの膜面内方
向分布）に優れていることが求められているが、近年で
は、被処理基板の大型化に伴い、膜面内方向の均一性に
対する要求が一段と強まっている。また、被処理基板の
大型化に伴い、投入電力量もｋＷオーダーが投入される
まで増大し、電力消費量が増す傾向にある。このため、
電源の高容量化に伴い、電源の開発コストが増大すると
ともに、装置稼働時には電力使用が増すことからランニ
ングコストを削減することが望まれている。また、電力
消費量が増大することは、環境負荷となる二酸化炭素の
排出量が増大する。これは、被処理基板の大型化に伴っ
てさらに放出量が増大するとともに電力消費効率をさら
に下げてしまうため電力消費量が増大するので、この二
酸化炭素の放出量削減への要求も高くなっている。一
方、プラズマ励起周波数として、従来一般的であった１
３．５６ＭＨｚに対して、これを越える３０ＭＨｚ以上
のＶＨＦ帯の周波数を用いるなど、高周波数化を図るこ
とで、プラズマ空間で消費される実効的な電力の増加を
図ることができる。その結果として、プラズマＣＤＶな
どの堆積装置においては、成膜時の堆積速度を向上させ
ることができる可能性が示されていた。
対しては、従来から、半導体および液晶表示装置製造に
用いられる場合において、プラズマ処理速度（成膜時の
堆積速度や、加工速度）が早く生産性が高いこと、そし
て、被処理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性
（膜厚の膜面内方向分布、加工処理ばらつきの膜面内方
向分布）に優れていることが求められているが、近年で
は、被処理基板の大型化に伴い、膜面内方向の均一性に
対する要求が一段と強まっている。また、被処理基板の
大型化に伴い、投入電力量もｋＷオーダーが投入される
まで増大し、電力消費量が増す傾向にある。このため、
電源の高容量化に伴い、電源の開発コストが増大すると
ともに、装置稼働時には電力使用が増すことからランニ
ングコストを削減することが望まれている。また、電力
消費量が増大することは、環境負荷となる二酸化炭素の
排出量が増大する。これは、被処理基板の大型化に伴っ
てさらに放出量が増大するとともに電力消費効率をさら
に下げてしまうため電力消費量が増大するので、この二
酸化炭素の放出量削減への要求も高くなっている。一
方、プラズマ励起周波数として、従来一般的であった１
３．５６ＭＨｚに対して、これを越える３０ＭＨｚ以上
のＶＨＦ帯の周波数を用いるなど、高周波数化を図るこ
とで、プラズマ空間で消費される実効的な電力の増加を
図ることができる。その結果として、プラズマＣＤＶな
どの堆積装置においては、成膜時の堆積速度を向上させ
ることができる可能性が示されていた。
【００１０】さらに、上記のようなプラズマチャンバを
複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズ
マチャンバに対して、プラズマ処理の機差をなくし、異
なるプラズマチャンバにおいて処理をおこなった被処理
基板においても、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度
や、加工速度）や生産性、そして、被処理基体面内方向
におけるプラズマ処理の均一性（膜厚の膜面内方向分布
等の、処理のばらつきをなくしたいという要求がある。
同時に、プラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装
置に対しては、個々のプラズマチャンバに対して、供給
するガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の外部パラ
メータが等しい同一のプロセスレシピを適用して、略同
一のプラズマ処理結果が得られることが望まれている。
そして、プラズマ処理装置の新規設置時や調整・保守点
検時において、複数のプラズマチャンバごとの機差をな
くして処理のばらつきをなくし同一のプロセスレシピに
より略同一の処理結果を得るために必要な調整時間の短
縮が求められるとともに、このような調整に必要なコス
トの削減が要求されていた。
複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズ
マチャンバに対して、プラズマ処理の機差をなくし、異
なるプラズマチャンバにおいて処理をおこなった被処理
基板においても、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度
や、加工速度）や生産性、そして、被処理基体面内方向
におけるプラズマ処理の均一性（膜厚の膜面内方向分布
等の、処理のばらつきをなくしたいという要求がある。
同時に、プラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装
置に対しては、個々のプラズマチャンバに対して、供給
するガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の外部パラ
メータが等しい同一のプロセスレシピを適用して、略同
一のプラズマ処理結果が得られることが望まれている。
そして、プラズマ処理装置の新規設置時や調整・保守点
検時において、複数のプラズマチャンバごとの機差をな
くして処理のばらつきをなくし同一のプロセスレシピに
より略同一の処理結果を得るために必要な調整時間の短
縮が求められるとともに、このような調整に必要なコス
トの削減が要求されていた。
【００１１】さらに、上記のようなプラズマ処理装置を
複数有するプラズマ処理システムに対しても、同様に、
各プラズマ処理装置における個々のプラズマチャンバに
対して、プラズマ処理の機差をなくしたいという要求が
存在していた。
複数有するプラズマ処理システムに対しても、同様に、
各プラズマ処理装置における個々のプラズマチャンバに
対して、プラズマ処理の機差をなくしたいという要求が
存在していた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のプラズ
マ処理装置においては、１３．５６ＭＨｚ程度の周波数
の電力を投入するように設計されており、１３．５６Ｍ
Ｈｚを越える周波数の電力を投入することに対応してい
ない。より具体的には、高周波電力を投入する部分、つ
まり、プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、
容量、インピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周
波的な特性が考慮されておらず、次のような不具合が生
じていた。 １３．５６ＭＨｚを越える周波数の電力を投入した場
合、電力消費効率があがらず、成膜時に堆積速度を向上
することができないばかりか、むしろ、堆積速度が遅く
なる場合があった。 さらに投入する電力をより高周波数化すると、周波数
の上昇に伴って、プラズマ空間で消費される実効的な電
力は上昇してピークを迎え、その後、減少に転じて、つ
いにはグロー放電できなくなってしまい高周波数化の意
味がなくなってしまう。
マ処理装置においては、１３．５６ＭＨｚ程度の周波数
の電力を投入するように設計されており、１３．５６Ｍ
Ｈｚを越える周波数の電力を投入することに対応してい
ない。より具体的には、高周波電力を投入する部分、つ
まり、プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、
容量、インピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周
波的な特性が考慮されておらず、次のような不具合が生
じていた。 １３．５６ＭＨｚを越える周波数の電力を投入した場
合、電力消費効率があがらず、成膜時に堆積速度を向上
することができないばかりか、むしろ、堆積速度が遅く
なる場合があった。 さらに投入する電力をより高周波数化すると、周波数
の上昇に伴って、プラズマ空間で消費される実効的な電
力は上昇してピークを迎え、その後、減少に転じて、つ
いにはグロー放電できなくなってしまい高周波数化の意
味がなくなってしまう。
【００１３】また、次のような不具合も生じていた。プ
ラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置やプラズ
マ処理システムに対しては、複数のプラズマチャンバに
対してインピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周
波的な特性の機差をなくすという設計がなされていない
ために、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空
間で消費される実効的な電力等がそれぞれ均一になって
いない可能性がある。このため、複数のプラズマチャン
バに対して同一のプロセスレシピを適用しているにも関
わらず、同一のプラズマ処理結果が得られない可能性が
ある。したがって、同じプラズマ処理結果を得るために
は、個々のプラズマチャンバごとに、それぞれ供給する
ガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の外部パラメー
タと上記の（１）〜（３）のような評価方法による処理
結果とを比較して、これらの相関関係を把握する必要が
あるが、そのデータ量は膨大なものになり、すべてをお
こなうことが困難である。
ラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置やプラズ
マ処理システムに対しては、複数のプラズマチャンバに
対してインピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周
波的な特性の機差をなくすという設計がなされていない
ために、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空
間で消費される実効的な電力等がそれぞれ均一になって
いない可能性がある。このため、複数のプラズマチャン
バに対して同一のプロセスレシピを適用しているにも関
わらず、同一のプラズマ処理結果が得られない可能性が
ある。したがって、同じプラズマ処理結果を得るために
は、個々のプラズマチャンバごとに、それぞれ供給する
ガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の外部パラメー
タと上記の（１）〜（３）のような評価方法による処理
結果とを比較して、これらの相関関係を把握する必要が
あるが、そのデータ量は膨大なものになり、すべてをお
こなうことが困難である。
【００１４】また、上記のようなプラズマ処理装置の動
作確認および、動作の評価方法として、上記の（１）〜
（３）のような方法を採用した場合には、適正な動作を
しているかどうかの確認をするためにはプラズマ処理装
置を作動させることが必要である上に、プラズマ処理装
置の設置場所とは別の検査場所において被処理基板を複
数のステップにより処理測定する必要がある。このた
め、評価結果がでるまでには数日、あるいは数週間を要
しており、装置開発段階においては、プラズマ処理室の
性能確認に時間がかかりすぎるため、これを短縮したい
という要求があった。
作確認および、動作の評価方法として、上記の（１）〜
（３）のような方法を採用した場合には、適正な動作を
しているかどうかの確認をするためにはプラズマ処理装
置を作動させることが必要である上に、プラズマ処理装
置の設置場所とは別の検査場所において被処理基板を複
数のステップにより処理測定する必要がある。このた
め、評価結果がでるまでには数日、あるいは数週間を要
しており、装置開発段階においては、プラズマ処理室の
性能確認に時間がかかりすぎるため、これを短縮したい
という要求があった。
【００１５】さらに、複数のプラズマチャンバを有する
プラズマ処理装置やプラズマ処理システムに対して上記
の（１）〜（３）のような検査方法を採用した場合に
は、複数のプラズマチャンバごとの機差をなくして処理
のばらつきをなくし、同一のプロセスレシピにより同一
処理結果を得るために必要な調整時間が、月単位で必要
となってしまう。このため、調整期間の短縮が求められ
るとともに、このような調整に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従
事する作業員の人件費等、コストが膨大なものになると
いう問題があった。
プラズマ処理装置やプラズマ処理システムに対して上記
の（１）〜（３）のような検査方法を採用した場合に
は、複数のプラズマチャンバごとの機差をなくして処理
のばらつきをなくし、同一のプロセスレシピにより同一
処理結果を得るために必要な調整時間が、月単位で必要
となってしまう。このため、調整期間の短縮が求められ
るとともに、このような調整に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従
事する作業員の人件費等、コストが膨大なものになると
いう問題があった。
【００１６】このように、プラズマ処理装置において
は、所望のレベルの性能を備えるという配慮が求められ
ており、さらに複数のプラズマチャンバ（プラズマ処理
室）を備えるプラズマ処理装置やプラズマ処理システム
にあっては、プラズマ処理の性能の機差をなくすような
配慮が求められていた。しかし、たとえこのような配慮
が充分になされたプラズマ処理装置であっても、プラズ
マ処理装置を搬送する際には、一般に一端分解してから
搬送し、搬送先で再組み立てすることが行われている。
この場合には、搬送中の振動や再組み立て作業の不備等
により搬送前の性能が維持されていない恐れがあった。
さらに、納入後、すなわち、納入先にて再組み立て後に
プラズマ処理を繰り返す内に、所望の性能レベルが維持
できなくなったり複数のプラズマ処理室間の機差が生じ
る可能性があった。また、分解掃除、部品交換、組み立
て調整等の調整作業を行った場合には、調整の不備等に
より調整作業前の性能が維持されていない可能性があっ
た。
は、所望のレベルの性能を備えるという配慮が求められ
ており、さらに複数のプラズマチャンバ（プラズマ処理
室）を備えるプラズマ処理装置やプラズマ処理システム
にあっては、プラズマ処理の性能の機差をなくすような
配慮が求められていた。しかし、たとえこのような配慮
が充分になされたプラズマ処理装置であっても、プラズ
マ処理装置を搬送する際には、一般に一端分解してから
搬送し、搬送先で再組み立てすることが行われている。
この場合には、搬送中の振動や再組み立て作業の不備等
により搬送前の性能が維持されていない恐れがあった。
さらに、納入後、すなわち、納入先にて再組み立て後に
プラズマ処理を繰り返す内に、所望の性能レベルが維持
できなくなったり複数のプラズマ処理室間の機差が生じ
る可能性があった。また、分解掃除、部品交換、組み立
て調整等の調整作業を行った場合には、調整の不備等に
より調整作業前の性能が維持されていない可能性があっ
た。
【００１７】また、上記のようなプラズマ処理装置の性
能が所望の性能レベルや所望の機差内に維持されている
かどうかを確認するための評価方法として、上記の
（１）〜（３）のような動作評価方法を採用した場合に
は、プラズマ処理装置を作動させることが必要である上
に、プラズマ処理装置の設置場所とは別の検査場所など
において被処理基板を複数のステップにより処理測定す
る必要がある。そして、装置性能が仕様を満足できない
場合には、装置を調整して、プラズマ処理を実施し、被
処理基板を評価するといった一連の長いサイクルを繰り
返す必要がある上、納入した装置の立ち上げ期間が長期
化するといった問題があった。製造ラインの立ち上げ期
間の長短は、そのまま年度の売り上げに大きな影響を及
ぼしていた。このため、より簡便な方法でプラズマ処理
装置の性能を把握し、問題発見から改善までのサイクル
を早め、装置の立ち上げ期間を短縮するという要求があ
った。
能が所望の性能レベルや所望の機差内に維持されている
かどうかを確認するための評価方法として、上記の
（１）〜（３）のような動作評価方法を採用した場合に
は、プラズマ処理装置を作動させることが必要である上
に、プラズマ処理装置の設置場所とは別の検査場所など
において被処理基板を複数のステップにより処理測定す
る必要がある。そして、装置性能が仕様を満足できない
場合には、装置を調整して、プラズマ処理を実施し、被
処理基板を評価するといった一連の長いサイクルを繰り
返す必要がある上、納入した装置の立ち上げ期間が長期
化するといった問題があった。製造ラインの立ち上げ期
間の長短は、そのまま年度の売り上げに大きな影響を及
ぼしていた。このため、より簡便な方法でプラズマ処理
装置の性能を把握し、問題発見から改善までのサイクル
を早め、装置の立ち上げ期間を短縮するという要求があ
った。
【００１８】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、以下の目的を達成しようとするものである。納入
先においてプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの
性能が適正に発揮維持されていたかどうかを確認するた
めの迅速かつ簡便な評価方法の提供を目的の一つとす
る。プラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能が
適正に維持されていない場合に、簡便で、迅速に是正可
能な保守方法の提供を目的の一つとする。納入先におい
てプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能が適
正に発揮されるように管理するための、あるいは、性能
が適正に発揮されていない場合には、保守作業を直ちに
行えるよう管理するための性能管理システムの提供を目
的の一つとする。適正な動作状態に簡便に維持可能なプ
ラズマ処理装置の提供を目的の一つとすること。
ので、以下の目的を達成しようとするものである。納入
先においてプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの
性能が適正に発揮維持されていたかどうかを確認するた
めの迅速かつ簡便な評価方法の提供を目的の一つとす
る。プラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能が
適正に維持されていない場合に、簡便で、迅速に是正可
能な保守方法の提供を目的の一つとする。納入先におい
てプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能が適
正に発揮されるように管理するための、あるいは、性能
が適正に発揮されていない場合には、保守作業を直ちに
行えるよう管理するための性能管理システムの提供を目
的の一つとする。適正な動作状態に簡便に維持可能なプ
ラズマ処理装置の提供を目的の一つとすること。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室
と、この電極に高周波電力を供給するための高周波電源
と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に上記高周
波電源を接続するとともに上記電極に接続した高周波電
力配電体を上記出力端子に接続することにより上記プラ
ズマ処理室と上記高周波電源とのインピーダンス整合を
得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置の性能評
価方法であって、上記高周波電源の接続された電極と直
流的にアースされた各接地電位部との間の容量ＣX の、
時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1における値ＣX0、ＣX1の差Δ
ＣXの絶対値を求め、その値が所定の値より小さい値で
ある場合に、所定の性能を維持していると判断し、その
値が所定の値以上である場合に、所定の性能を維持して
いないと判断することを特徴とする。
め、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室
と、この電極に高周波電力を供給するための高周波電源
と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に上記高周
波電源を接続するとともに上記電極に接続した高周波電
力配電体を上記出力端子に接続することにより上記プラ
ズマ処理室と上記高周波電源とのインピーダンス整合を
得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置の性能評
価方法であって、上記高周波電源の接続された電極と直
流的にアースされた各接地電位部との間の容量ＣX の、
時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1における値ＣX0、ＣX1の差Δ
ＣXの絶対値を求め、その値が所定の値より小さい値で
ある場合に、所定の性能を維持していると判断し、その
値が所定の値以上である場合に、所定の性能を維持して
いないと判断することを特徴とする。
【００２０】また、本発明に係るプラズマ処理装置の保
守方法は、上記発明に係る評価方法の結果、ΔＣxの絶
対値が所定の値を超えていた場合に、容量Ｃxの是正作
業を行うことを特徴とする。
守方法は、上記発明に係る評価方法の結果、ΔＣxの絶
対値が所定の値を超えていた場合に、容量Ｃxの是正作
業を行うことを特徴とする。
【００２１】また、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、この電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上記電極
に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接続する
ことにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズ
マ処理装置の性能管理システムであって、上記高周波電
源の接続された電極と直流的にアースされた各接地電位
部との間の容量ＣX の、時刻ｔ0における値ＣX0を記憶
するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された
納入先入出力装置とを備え、上記サーバーは、上記容量
ＣXのその後の時刻ｔ1における値ＣX1を、上記納入先入
出力装置から受信し、上記ＣX0と、このＣX1との差であ
るΔＣXの絶対値を演算し、その値が所定の値より小さ
い値である場合には、所定の性能を維持している旨の信
号を、所定の値以上の値である場合には、所定の性能を
維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発
信することを特徴とする。
能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、この電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上記電極
に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接続する
ことにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズ
マ処理装置の性能管理システムであって、上記高周波電
源の接続された電極と直流的にアースされた各接地電位
部との間の容量ＣX の、時刻ｔ0における値ＣX0を記憶
するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された
納入先入出力装置とを備え、上記サーバーは、上記容量
ＣXのその後の時刻ｔ1における値ＣX1を、上記納入先入
出力装置から受信し、上記ＣX0と、このＣX1との差であ
るΔＣXの絶対値を演算し、その値が所定の値より小さ
い値である場合には、所定の性能を維持している旨の信
号を、所定の値以上の値である場合には、所定の性能を
維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発
信することを特徴とする。
【００２２】また、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、この電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し
該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上記電
極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接続す
ることにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源との
インピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラ
ズマ処理装置の性能管理システムであって、上記高周波
電源の接続された電極と直流的にアースされた各接地電
位部との間の容量ＣXの、時刻ｔ0における値Ｃx0と、各
々所定の値の範囲によって決められた故障レベルに対応
して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶する
サーバーと、このサーバーの搬送元における出力装置
と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力
装置とを備え、上記サーバーは、上記Ｃx0のその後の時
刻ｔ1における値Ｃx1を、上記納入先入出力装置から受
信し、上記Ｃx0と、このＣx1との差であるΔＣxの絶対
値を演算し、その値が、何れかの故障レベルの所定の値
の範囲である場合には、上記出力装置から、当該故障レ
ベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービス
エンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力すること
を特徴とする。
能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、この電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し
該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上記電
極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接続す
ることにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源との
インピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラ
ズマ処理装置の性能管理システムであって、上記高周波
電源の接続された電極と直流的にアースされた各接地電
位部との間の容量ＣXの、時刻ｔ0における値Ｃx0と、各
々所定の値の範囲によって決められた故障レベルに対応
して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶する
サーバーと、このサーバーの搬送元における出力装置
と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力
装置とを備え、上記サーバーは、上記Ｃx0のその後の時
刻ｔ1における値Ｃx1を、上記納入先入出力装置から受
信し、上記Ｃx0と、このＣx1との差であるΔＣxの絶対
値を演算し、その値が、何れかの故障レベルの所定の値
の範囲である場合には、上記出力装置から、当該故障レ
ベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービス
エンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力すること
を特徴とする。
【００２３】また、本発明に係るプラズマ処理装置は、
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室
と、この電極に高周波電力を供給するための高周波電源
と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に上記高周
波電源を接続するとともに上記電極に接続した高周波電
力配電体を上記出力端子に接続することにより上記プラ
ズマ処理室と上記高周波電源とのインピーダンス整合を
得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置であっ
て、上記高周波電源の接続された電極と直流的にアース
された各接地電位部との間の容量ＣXの、時刻ｔ0とその
後の時刻ｔ1における値ＣX0、ＣX1の差ΔＣXの絶対値が
所定の値より小さい値に維持されていることを特徴とす
る。
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室
と、この電極に高周波電力を供給するための高周波電源
と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に上記高周
波電源を接続するとともに上記電極に接続した高周波電
力配電体を上記出力端子に接続することにより上記プラ
ズマ処理室と上記高周波電源とのインピーダンス整合を
得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置であっ
て、上記高周波電源の接続された電極と直流的にアース
された各接地電位部との間の容量ＣXの、時刻ｔ0とその
後の時刻ｔ1における値ＣX0、ＣX1の差ΔＣXの絶対値が
所定の値より小さい値に維持されていることを特徴とす
る。
【００２４】また、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能確認システムは、購入発注者が販売保守者から購入し
た上記のプラズマ処理装置の時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1
において計測可能な動作性能状況を示す性能状況情報の
閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側情報端末
と、販売保守者が上記性能状況情報をアップロードする
販売保守者側情報端末と、上記購入発注者側情報端末の
要求に応答して、販売保守者側情報端末からアップロー
ドされた性能状況情報を購入発注者側情報端末に提供す
る性能状況情報提供手段と、を具備することを特徴とす
る。
能確認システムは、購入発注者が販売保守者から購入し
た上記のプラズマ処理装置の時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1
において計測可能な動作性能状況を示す性能状況情報の
閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側情報端末
と、販売保守者が上記性能状況情報をアップロードする
販売保守者側情報端末と、上記購入発注者側情報端末の
要求に応答して、販売保守者側情報端末からアップロー
ドされた性能状況情報を購入発注者側情報端末に提供す
る性能状況情報提供手段と、を具備することを特徴とす
る。
【００２５】また、上記各発明において、時刻ｔ0とそ
の後の時刻ｔ1との間になされて、容量Ｃxに影響を与え
る可能性のある事象としては、例えば、プラズマ処理室
内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が
行われることが挙げられる。また、他の事象としては、
プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調
整等の調整作業が施されることが挙げられる。さらに他
の事象としては、分解、搬送、及び再組み立てが施され
ることが挙げられる。
の後の時刻ｔ1との間になされて、容量Ｃxに影響を与え
る可能性のある事象としては、例えば、プラズマ処理室
内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が
行われることが挙げられる。また、他の事象としては、
プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調
整等の調整作業が施されることが挙げられる。さらに他
の事象としては、分解、搬送、及び再組み立てが施され
ることが挙げられる。
【００２６】上記本発明に係るプラズマ処理装置の性能
管理システムにおいては、上記サーバーが、プラズマ処
理装置の固有番号毎にＣx0を記憶し、納入先入出力装置
から納入したプラズマ処理装置の固有番号を受信して、
当該固有番号に対応するＣx0 を用いて演算をするように
してもよい。
管理システムにおいては、上記サーバーが、プラズマ処
理装置の固有番号毎にＣx0を記憶し、納入先入出力装置
から納入したプラズマ処理装置の固有番号を受信して、
当該固有番号に対応するＣx0 を用いて演算をするように
してもよい。
【００２７】また、上記本発明に係るプラズマ処理装置
の性能管理システムにおいては、上記納入先入出力装置
に、プラズマ処理装置に接続された容量を測定する測定
器を接続して、該測定器からサーバーに、Ｃx1が直接送
信されるようにすることもできる。
の性能管理システムにおいては、上記納入先入出力装置
に、プラズマ処理装置に接続された容量を測定する測定
器を接続して、該測定器からサーバーに、Ｃx1が直接送
信されるようにすることもできる。
【００２８】また、上記本発明に係るプラズマ処理装置
の性能管理システムにおいては、上記サーバーが搬送元
において出力装置を備え、ΔＣxの絶対値が所定の値を
超える場合に、上記出力装置から、保守作業命令信号を
出力するようにしてもよい。
の性能管理システムにおいては、上記サーバーが搬送元
において出力装置を備え、ΔＣxの絶対値が所定の値を
超える場合に、上記出力装置から、保守作業命令信号を
出力するようにしてもよい。
【００２９】また、上記本発明に係るプラズマ処理装置
の性能管理システムにおいては、上記サーバーが搬送元
における出力装置から保守作業命令を出力すると共に、
上記納入先入出力装置に当該故障レベルを発信するよう
にしてもよい。
の性能管理システムにおいては、上記サーバーが搬送元
における出力装置から保守作業命令を出力すると共に、
上記納入先入出力装置に当該故障レベルを発信するよう
にしてもよい。
【００３０】また、上記本発明に係るプラズマ処理装置
においては、ΔＣxの絶対値が所定の値以上の値である
場合に、プラズマ電極容量Ｃxの是正作業を行うことに
より、ΔＣxの絶対値が所定の値より小さい値に維持さ
れるようにする態様が好適に採用できる。
においては、ΔＣxの絶対値が所定の値以上の値である
場合に、プラズマ電極容量Ｃxの是正作業を行うことに
より、ΔＣxの絶対値が所定の値より小さい値に維持さ
れるようにする態様が好適に採用できる。
【００３１】また、上記本発明に係るプラズマ処理装置
の性能確認システムにおいては、上記性能状況情報が、
上記容量Ｃxを含むものとすることができる。また、上
記性能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力さ
れるものとすることができる。
の性能確認システムにおいては、上記性能状況情報が、
上記容量Ｃxを含むものとすることができる。また、上
記性能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力さ
れるものとすることができる。
【００３２】上記課題を解決するため、本発明に係わる
プラズマ処理装置の性能評価方法は、プラズマを励起す
るための電極を有するプラズマ処理室と、この電極に高
周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出
力端子とを有し該入力端子に上記高周波電源を接続する
とともに上記電極に接続した高周波電力配電体を上記出
力端子に接続することにより上記プラズマ処理室と上記
高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納
入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラ
ズマ処理装置の性能評価方法であって、上記高周波電源
の接続された電極と直流的にアースされた各接地電位部
との間の容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、上記
高周波電源の接続された電極と対となり協働してプラズ
マを発生する電極との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６
倍より小さい値である場合に、所定の性能を維持してい
ると判断し、上記プラズマ極容量Ｃe の２６倍以上の値
である場合に、所定の性能を維持していないと判断する
ことを特徴とする。
プラズマ処理装置の性能評価方法は、プラズマを励起す
るための電極を有するプラズマ処理室と、この電極に高
周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出
力端子とを有し該入力端子に上記高周波電源を接続する
とともに上記電極に接続した高周波電力配電体を上記出
力端子に接続することにより上記プラズマ処理室と上記
高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納
入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラ
ズマ処理装置の性能評価方法であって、上記高周波電源
の接続された電極と直流的にアースされた各接地電位部
との間の容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、上記
高周波電源の接続された電極と対となり協働してプラズ
マを発生する電極との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６
倍より小さい値である場合に、所定の性能を維持してい
ると判断し、上記プラズマ極容量Ｃe の２６倍以上の値
である場合に、所定の性能を維持していないと判断する
ことを特徴とする。
【００３３】また、本発明に係わるプラズマ処理装置の
性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有す
る複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電力を
供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子と
を有し該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに
上記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に
接続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波電
源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備す
るプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬
送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理
装置の性能評価方法であって、上記複数のプラズマ処理
室においてそれぞれ測定した、上記高周波電源の接続さ
れた電極と対となり協働してプラズマを発生する電極と
の間のプラズマ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1
の値のばらつきＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃ
e1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義されＣe1rの値が所定の値より小さい場合に、所
定の性能を維持していると判断し、所定の値以上である
場合に所定の性能を維持していないと判断するととも
に、上記複数のプラズマ処理室においてそれぞれ測定し
た、上記高周波電源の接続された電極と直流的にアース
された各接地電位部との間の容量ＣX の、納入後におけ
る値ＣX1の値のばらつきＣX1rが、その最大値ＣX1maxと
最小値ＣX1minによって、 ＣX1r＝（ＣX1max−ＣX1min）／（ＣX1max＋ＣX1min） と定義され、ＣX1rの値が所定の値より小さい場合に、
所定の性能を維持していると判断し、所定の値以上であ
る場合に所定の性能を維持していないと判断することを
特徴とする。
性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有す
る複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電力を
供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子と
を有し該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに
上記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に
接続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波電
源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備す
るプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬
送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理
装置の性能評価方法であって、上記複数のプラズマ処理
室においてそれぞれ測定した、上記高周波電源の接続さ
れた電極と対となり協働してプラズマを発生する電極と
の間のプラズマ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1
の値のばらつきＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃ
e1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義されＣe1rの値が所定の値より小さい場合に、所
定の性能を維持していると判断し、所定の値以上である
場合に所定の性能を維持していないと判断するととも
に、上記複数のプラズマ処理室においてそれぞれ測定し
た、上記高周波電源の接続された電極と直流的にアース
された各接地電位部との間の容量ＣX の、納入後におけ
る値ＣX1の値のばらつきＣX1rが、その最大値ＣX1maxと
最小値ＣX1minによって、 ＣX1r＝（ＣX1max−ＣX1min）／（ＣX1max＋ＣX1min） と定義され、ＣX1rの値が所定の値より小さい場合に、
所定の性能を維持していると判断し、所定の値以上であ
る場合に所定の性能を維持していないと判断することを
特徴とする。
【００３４】また、本発明に係わるプラズマ処理装置の
性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有す
る複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電力を
供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを
有し該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上
記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接
続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源
とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備する
プラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬送
して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装
置の性能評価方法であって、上記複数のプラズマ処理室
においてそれぞれ測定した、上記高周波電源の接続され
た電極と対となり協働してプラズマを発生する電極との
間のプラズマ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1の
値のばらつきＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃ
e1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、Ｃe1rの値が所定の値より小さい場合に、
所定の性能を維持していると判断し、所定の値以上であ
る場合に所定の性能を維持していないと判断するととも
に、上記複数のプラズマ処理室においてそれぞれ測定し
た、 上記高周波電源の接続された電極と直流的にアー
スされた各接地電位部との間の容量ＣXの、納入後にお
ける値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、その最大値Ｃx1max
と最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値より小さい値であ
り、かつ上記Ｃx1の値のいずれも上記高周波電源の接続
された電極と対となり協働してプラズマを発生する電極
との間のプラズマ電極容量Ｃeの２６倍より小さい値で
ある場合に、所定の性能を維持していると判断し、Ｃ
x1rの値が所定の値以上の値である場合、又は上記Ｃx1
の値のいずれかが上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以
上の値である場合、所定の性能を維持していないと判断
することを特徴とする。
性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有す
る複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電力を
供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを
有し該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上
記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接
続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源
とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備する
プラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬送
して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装
置の性能評価方法であって、上記複数のプラズマ処理室
においてそれぞれ測定した、上記高周波電源の接続され
た電極と対となり協働してプラズマを発生する電極との
間のプラズマ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1の
値のばらつきＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃ
e1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、Ｃe1rの値が所定の値より小さい場合に、
所定の性能を維持していると判断し、所定の値以上であ
る場合に所定の性能を維持していないと判断するととも
に、上記複数のプラズマ処理室においてそれぞれ測定し
た、 上記高周波電源の接続された電極と直流的にアー
スされた各接地電位部との間の容量ＣXの、納入後にお
ける値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、その最大値Ｃx1max
と最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値より小さい値であ
り、かつ上記Ｃx1の値のいずれも上記高周波電源の接続
された電極と対となり協働してプラズマを発生する電極
との間のプラズマ電極容量Ｃeの２６倍より小さい値で
ある場合に、所定の性能を維持していると判断し、Ｃ
x1rの値が所定の値以上の値である場合、又は上記Ｃx1
の値のいずれかが上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以
上の値である場合、所定の性能を維持していないと判断
することを特徴とする。
【００３５】また、本発明に係わるプラズマ処理システ
ムの性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を
有するプラズマ処理室と、上記電極に高周波電力を供給
するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し
該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上記電
極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接続す
ることにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源との
インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプ
ラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システム
を、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先に
て再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価
方法であって、上記複数のプラズマ処理装置においてそ
れぞれ測定した、上記高周波電源の接続された電極と対
となり協働してプラズマを発生する電極との間のプラズ
マ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1の値のばらつ
きＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによっ
て、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、Ｃe1rの値が所定の値より小さい場合に、
所定の性能を維持していると判断し、所定の値以上であ
る場合に所定の性能を維持していないと判断するととも
に、上記複数のプラズマ処理装置においてそれぞれ測定
した、上記高周波電源の接続された電極と直流的にアー
スされた各接地電位部との間の容量ＣXの、納入後にお
ける値ＣX1の値のばらつきＣX1rが、その最大値ＣX1max
と最小値ＣX1minによって、 ＣX1r＝（ＣX1max−ＣX1min）／（ＣX1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値より小さい値である
場合に、所定の性能を維持していると判断し、所定の値
以上の値である場合に所定の性能を維持していないと判
断することを特徴とする。
ムの性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を
有するプラズマ処理室と、上記電極に高周波電力を供給
するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し
該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上記電
極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接続す
ることにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源との
インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプ
ラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システム
を、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先に
て再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価
方法であって、上記複数のプラズマ処理装置においてそ
れぞれ測定した、上記高周波電源の接続された電極と対
となり協働してプラズマを発生する電極との間のプラズ
マ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1の値のばらつ
きＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによっ
て、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、Ｃe1rの値が所定の値より小さい場合に、
所定の性能を維持していると判断し、所定の値以上であ
る場合に所定の性能を維持していないと判断するととも
に、上記複数のプラズマ処理装置においてそれぞれ測定
した、上記高周波電源の接続された電極と直流的にアー
スされた各接地電位部との間の容量ＣXの、納入後にお
ける値ＣX1の値のばらつきＣX1rが、その最大値ＣX1max
と最小値ＣX1minによって、 ＣX1r＝（ＣX1max−ＣX1min）／（ＣX1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値より小さい値である
場合に、所定の性能を維持していると判断し、所定の値
以上の値である場合に所定の性能を維持していないと判
断することを特徴とする。
【００３６】また、本発明に係わるプラズマ処理システ
ムの性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を
有するプラズマ処理室と、上記電極に高周波電力を供給
するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し
該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上記電
極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接続す
ることにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源との
インピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラ
ズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システム
を、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先に
て再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価
方法であって、上記複数のプラズマ処理装置においてそ
れぞれ測定した、上記高周波電源の接続された電極と対
となり協働してプラズマを発生する電極との間のプラズ
マ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1の値のばらつ
きＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによっ
て、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、Ｃe1rの値が所定の値より小さい場合に、
所定の性能を維持していると判断し、所定の値以上であ
る場合に所定の性能を維持していないと判断するととも
に、上記複数のプラズマ処理装置においてそれぞれ測定
した、上記高周波電源の接続された電極と直流的にアー
スされた各接地電位部との間の容量ＣXの、納入後にお
ける値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、その最大値Ｃx1max
と最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値より小さい値であ
り、かつ上記Ｃx1の値のいずれも上記高周波電源の接続
された電極と対となり協働してプラズマを発生する電極
との間のプラズマ電極容量Ｃeの２６倍より小さい値で
ある場合に、所定の性能を維持していると判断し、Ｃ
x1rの値が所定の値以上の値である場合、又は上記Ｃx1
の値のいずれかが上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以
上の値である場合、所定の性能を維持していないと判断
することを特徴とする。
ムの性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を
有するプラズマ処理室と、上記電極に高周波電力を供給
するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し
該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上記電
極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接続す
ることにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源との
インピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラ
ズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システム
を、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先に
て再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価
方法であって、上記複数のプラズマ処理装置においてそ
れぞれ測定した、上記高周波電源の接続された電極と対
となり協働してプラズマを発生する電極との間のプラズ
マ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1の値のばらつ
きＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによっ
て、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、Ｃe1rの値が所定の値より小さい場合に、
所定の性能を維持していると判断し、所定の値以上であ
る場合に所定の性能を維持していないと判断するととも
に、上記複数のプラズマ処理装置においてそれぞれ測定
した、上記高周波電源の接続された電極と直流的にアー
スされた各接地電位部との間の容量ＣXの、納入後にお
ける値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、その最大値Ｃx1max
と最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値より小さい値であ
り、かつ上記Ｃx1の値のいずれも上記高周波電源の接続
された電極と対となり協働してプラズマを発生する電極
との間のプラズマ電極容量Ｃeの２６倍より小さい値で
ある場合に、所定の性能を維持していると判断し、Ｃ
x1rの値が所定の値以上の値である場合、又は上記Ｃx1
の値のいずれかが上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以
上の値である場合、所定の性能を維持していないと判断
することを特徴とする。
【００３７】また、本発明に係わるプラズマ処理装置の
性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を
有するプラズマ処理室と、上記電極に高周波電力を供給
するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し
該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上記電
極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接続す
ることにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源との
インピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラ
ズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬送し
て、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置
の性能管理システムであって、上記高周波電源の接続さ
れた電極と対となり協働してプラズマを発生する電極と
の間のプラズマ電極容量Ｃeを記憶するサーバーと、こ
のサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置と
を備え、上記サーバーは、上記高周波電源の接続された
電極と直流的にアースされた各接地電位部との間の容量
ＣX の納入後における値Ｃx1を、上記納入先入出力装置
から受信し、納入後における値Ｃx1の値が上記プラズマ
電極容量Ｃe の２６倍より小さい値である場合には、
所定の性能を維持している旨の信号を、納入後における
値Ｃx1の値が上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以上の
値である場合には、所定の性能を維持していない旨の信
号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とす
る。
性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を
有するプラズマ処理室と、上記電極に高周波電力を供給
するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し
該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上記電
極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接続す
ることにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源との
インピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラ
ズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬送し
て、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置
の性能管理システムであって、上記高周波電源の接続さ
れた電極と対となり協働してプラズマを発生する電極と
の間のプラズマ電極容量Ｃeを記憶するサーバーと、こ
のサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置と
を備え、上記サーバーは、上記高周波電源の接続された
電極と直流的にアースされた各接地電位部との間の容量
ＣX の納入後における値Ｃx1を、上記納入先入出力装置
から受信し、納入後における値Ｃx1の値が上記プラズマ
電極容量Ｃe の２６倍より小さい値である場合には、
所定の性能を維持している旨の信号を、納入後における
値Ｃx1の値が上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以上の
値である場合には、所定の性能を維持していない旨の信
号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とす
る。
【００３８】また、本発明に係わるプラズマ処理装置の
性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を
有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電
力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子
とを有し該入力端子に上記高周波電源を接続するととも
に上記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子
に接続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波
電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備
するプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に
搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処
理装置の性能管理システムであって、上記高周波電源の
接続された電極と対となり協働してプラズマを発生する
電極との間のプラズマ電極容量Ｃeを記憶するサーバー
と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力
装置とを備え、上記サーバーは、上記複数のプラズマ処
理室においてそれぞれ測定した、上記高周波電源の接続
された電極と直流的にアースされた各接地電位部との間
の容量ＣX の納入後における値Ｃx1を、上記納入先入出
力装置から受信し、納入後における値Ｃx1の値が上記プ
ラズマ電極容量Ｃe の２６倍より小さい値である場合
には、所定の性能を維持している旨の信号を、納入後に
おける値Ｃx1の値が上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍
以上の値である場合には、所定の性能を維持していない
旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特
徴とする。
性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を
有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電
力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子
とを有し該入力端子に上記高周波電源を接続するととも
に上記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子
に接続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波
電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備
するプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に
搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処
理装置の性能管理システムであって、上記高周波電源の
接続された電極と対となり協働してプラズマを発生する
電極との間のプラズマ電極容量Ｃeを記憶するサーバー
と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力
装置とを備え、上記サーバーは、上記複数のプラズマ処
理室においてそれぞれ測定した、上記高周波電源の接続
された電極と直流的にアースされた各接地電位部との間
の容量ＣX の納入後における値Ｃx1を、上記納入先入出
力装置から受信し、納入後における値Ｃx1の値が上記プ
ラズマ電極容量Ｃe の２６倍より小さい値である場合
には、所定の性能を維持している旨の信号を、納入後に
おける値Ｃx1の値が上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍
以上の値である場合には、所定の性能を維持していない
旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特
徴とする。
【００３９】また、本発明に係わるプラズマ処理装置の
性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を
有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電
力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子
とを有し該入力端子に上記高周波電源を接続するととも
に上記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子
に接続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波
電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備
するプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に
搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処
理装置の性能管理システムであって、出力装置を備えた
サーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入
先入力装置とを備え、上記サーバーは、上記複数のプラ
ズマ処理室においてそれぞれ測定した、上記高周波電源
の接続された電極と対となり協働してプラズマを発生す
る電極との間のプラズマ電極容量Ｃe の、納入後におけ
る値Ｃe1を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に上
記納入先入出力装置から受信し、この値Ｃe1の値のばら
つきＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによ
って、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、このＣe1rの値が所定の値以上である場合
に、上記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ｃ
e1max又は最小値Ｃe1minを与えたプラズマ処理室の固有
番号と共に出力し、上記サーバーは、上記複数のプラズ
マ処理室においてそれぞれ測定した、上記高周波電源の
接続された電極と直流的にアースされた各接地電位部と
の間の容量ＣX の納入後における値Ｃx1を、各々のプラ
ズマ処理室の固有番号と共に上記納入先入出力装置から
受信し、この値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、その最大
値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値以上の場合に、上記
出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ｃx1max又は
最小値Ｃx1minを与えたプラズマ処理室の固有番号と共
に出力することを特徴とする。
性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を
有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電
力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子
とを有し該入力端子に上記高周波電源を接続するととも
に上記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子
に接続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波
電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備
するプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に
搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処
理装置の性能管理システムであって、出力装置を備えた
サーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入
先入力装置とを備え、上記サーバーは、上記複数のプラ
ズマ処理室においてそれぞれ測定した、上記高周波電源
の接続された電極と対となり協働してプラズマを発生す
る電極との間のプラズマ電極容量Ｃe の、納入後におけ
る値Ｃe1を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に上
記納入先入出力装置から受信し、この値Ｃe1の値のばら
つきＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによ
って、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、このＣe1rの値が所定の値以上である場合
に、上記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ｃ
e1max又は最小値Ｃe1minを与えたプラズマ処理室の固有
番号と共に出力し、上記サーバーは、上記複数のプラズ
マ処理室においてそれぞれ測定した、上記高周波電源の
接続された電極と直流的にアースされた各接地電位部と
の間の容量ＣX の納入後における値Ｃx1を、各々のプラ
ズマ処理室の固有番号と共に上記納入先入出力装置から
受信し、この値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、その最大
値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値以上の場合に、上記
出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ｃx1max又は
最小値Ｃx1minを与えたプラズマ処理室の固有番号と共
に出力することを特徴とする。
【００４０】また、本発明に係わるプラズマ処理システ
ムの性能管理システムは、プラズマを励起するための電
極を有するプラズマ処理室と、上記電極に高周波電力を
供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを
有し該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上
記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接
続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源
とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備する
プラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システ
ムを、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先
にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管
理システムであって、上記高周波電源の接続された電極
と対となり協働してプラズマを発生する電極との間のプ
ラズマ電極容量Ｃeを記憶するサーバーと、このサーバ
ーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
上記サーバーは、上記複数のプラズマ処理装置において
それぞれ測定した、上記高周波電源の接続された電極と
直流的にアースされた各接地電位部との間の容量ＣX の
納入後における値Ｃx1を、上記納入先入出力装置から受
信し、納入後における値Ｃx1の値が上記プラズマ電極容
量Ｃe の２６倍より小さい値である場合には、所定の
性能を維持している旨の信号を、納入後における値Ｃx1
の値が上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以上の値であ
る場合には、所定の性能を維持していない旨の信号を、
各々納入先入出力装置に発信することを特徴とする。
ムの性能管理システムは、プラズマを励起するための電
極を有するプラズマ処理室と、上記電極に高周波電力を
供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを
有し該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上
記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接
続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源
とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備する
プラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システ
ムを、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先
にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管
理システムであって、上記高周波電源の接続された電極
と対となり協働してプラズマを発生する電極との間のプ
ラズマ電極容量Ｃeを記憶するサーバーと、このサーバ
ーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
上記サーバーは、上記複数のプラズマ処理装置において
それぞれ測定した、上記高周波電源の接続された電極と
直流的にアースされた各接地電位部との間の容量ＣX の
納入後における値Ｃx1を、上記納入先入出力装置から受
信し、納入後における値Ｃx1の値が上記プラズマ電極容
量Ｃe の２６倍より小さい値である場合には、所定の
性能を維持している旨の信号を、納入後における値Ｃx1
の値が上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以上の値であ
る場合には、所定の性能を維持していない旨の信号を、
各々納入先入出力装置に発信することを特徴とする。
【００４１】また、本発明に係わるプラズマ処理システ
ムの性能管理システムは、プラズマを励起するための電
極を有するプラズマ処理室と、上記電極に高周波電力を
供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを
有し該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上
記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接
続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源
とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備する
プラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システ
ムを、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先
にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管
理システムであって、出力装置を備えたサーバーと、こ
のサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを
備え、上記サーバーは、上記複数のプラズマ処理装置に
おいてそれぞれ測定した、上記高周波電源の接続された
電極と対となり協働してプラズマを発生する電極との間
のプラズマ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1を、
各々のプラズマ処理装置の固有番号と共に上記納入先入
出力装置から受信し、この値Ｃe1の値のばらつきＣe1r
が、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、このＣe1rの値が所定の値以上である場合
に、上記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ｃ
e1max又は最小値Ｃe1minを与えたプラズマ処理装置の固
有番号と共に出力し、上記サーバーは、上記複数のプラ
ズマ処理装置においてそれぞれ測定した、上記高周波電
源の接続された電極と直流的にアースされた各接地電位
部との間の容量ＣX の納入後における値Ｃx1を、各々の
プラズマ処理装置の固有番号と共に上記納入先入出力装
置から受信し、この値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、そ
の最大値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値以上の場合に、上記
出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ｃx1max又は
最小値Ｃx1minを与えたプラズマ処理装置の固有番号と
共に出力することを特徴とする。
ムの性能管理システムは、プラズマを励起するための電
極を有するプラズマ処理室と、上記電極に高周波電力を
供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを
有し該入力端子に上記高周波電源を接続するとともに上
記電極に接続した高周波電力配電体を上記出力端子に接
続することにより上記プラズマ処理室と上記高周波電源
とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備する
プラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システ
ムを、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先
にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管
理システムであって、出力装置を備えたサーバーと、こ
のサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを
備え、上記サーバーは、上記複数のプラズマ処理装置に
おいてそれぞれ測定した、上記高周波電源の接続された
電極と対となり協働してプラズマを発生する電極との間
のプラズマ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1を、
各々のプラズマ処理装置の固有番号と共に上記納入先入
出力装置から受信し、この値Ｃe1の値のばらつきＣe1r
が、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、このＣe1rの値が所定の値以上である場合
に、上記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ｃ
e1max又は最小値Ｃe1minを与えたプラズマ処理装置の固
有番号と共に出力し、上記サーバーは、上記複数のプラ
ズマ処理装置においてそれぞれ測定した、上記高周波電
源の接続された電極と直流的にアースされた各接地電位
部との間の容量ＣX の納入後における値Ｃx1を、各々の
プラズマ処理装置の固有番号と共に上記納入先入出力装
置から受信し、この値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、そ
の最大値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値以上の場合に、上記
出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ｃx1max又は
最小値Ｃx1minを与えたプラズマ処理装置の固有番号と
共に出力することを特徴とする。
【００４２】また、本発明に係わるプラズマ処理装置又
はプラズマ処理システムの性能確認システムは、購入発
注者が販売保守者から購入した請求項４９から請求項５
８の何れかに記載の性能管理システムで管理されたプラ
ズマ処理装置又はプラズマ処理システムの搬送元にて分
解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組立てした後
の動作性能状況を示す性能状況情報の閲覧を公衆回線を
介して要求する購入発注者側情報端末と、販売保守者が
上記性能状況情報をアップロードする販売保守者側情報
端末と、上記購入発注者側情報端末の要求に応答して、
販売保守者側情報端末からアップロードされた性能状況
情報を購入発注者側情報端末に提供する性能状況情報提
供手段とを具備することを特徴とする。
はプラズマ処理システムの性能確認システムは、購入発
注者が販売保守者から購入した請求項４９から請求項５
８の何れかに記載の性能管理システムで管理されたプラ
ズマ処理装置又はプラズマ処理システムの搬送元にて分
解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組立てした後
の動作性能状況を示す性能状況情報の閲覧を公衆回線を
介して要求する購入発注者側情報端末と、販売保守者が
上記性能状況情報をアップロードする販売保守者側情報
端末と、上記購入発注者側情報端末の要求に応答して、
販売保守者側情報端末からアップロードされた性能状況
情報を購入発注者側情報端末に提供する性能状況情報提
供手段とを具備することを特徴とする。
【００４３】また、上記各発明において、上記高周波電
源の接続された電極と直流的にアースされた各接地電位
部との間の容量ＣXの、納入後における値ＣX1の値のば
らつきＣX1r と対比する所定の値として好ましい値
は、０．１であり、より好ましい値は０．０３である。
また、上記各発明において、上記高周波電源の接続され
た電極と対となり協働してプラズマを発生する電極との
間のプラズマ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1の
値のばらつきＣe1rと対比する所定の値として好ましい
値は、０．１であり、より好ましい値は０．０３であ
る。
源の接続された電極と直流的にアースされた各接地電位
部との間の容量ＣXの、納入後における値ＣX1の値のば
らつきＣX1r と対比する所定の値として好ましい値
は、０．１であり、より好ましい値は０．０３である。
また、上記各発明において、上記高周波電源の接続され
た電極と対となり協働してプラズマを発生する電極との
間のプラズマ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1の
値のばらつきＣe1rと対比する所定の値として好ましい
値は、０．１であり、より好ましい値は０．０３であ
る。
【００４４】また、上記本発明に係るプラズマ処理装置
の性能管理システム又はプラズマ処理システムの性能管
理システムにおいて、上記Ｃeの２６倍と納入後の上記
容量ＣX1とを比較して性能を判断する場合には、上記サ
ーバーが搬送元において出力装置を備え、納入後におけ
る値Ｃx1が上記プラズマ電極容量Ｃe の２６倍より小
さい値である場合に（Ｃeの２６倍が納入後におけるが
上記容量ＣX1の値以下である場合に）、上記出力装置か
ら、保守作業命令を出力することが望ましい。また、上
記本発明に係るプラズマ処理装置の性能確認システムに
おいては、上記性能状況情報が、上記高周波電源の接続
された電極と対となり協働してプラズマを発生する電極
との間のプラズマ電極容量Ｃe と、上記高周波電源の接
続された電極と直流的にアースされた各接地電位部との
間の容量ＣXを含むものとすることができる。また、上
記性能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力さ
れるものとすることができる。
の性能管理システム又はプラズマ処理システムの性能管
理システムにおいて、上記Ｃeの２６倍と納入後の上記
容量ＣX1とを比較して性能を判断する場合には、上記サ
ーバーが搬送元において出力装置を備え、納入後におけ
る値Ｃx1が上記プラズマ電極容量Ｃe の２６倍より小
さい値である場合に（Ｃeの２６倍が納入後におけるが
上記容量ＣX1の値以下である場合に）、上記出力装置か
ら、保守作業命令を出力することが望ましい。また、上
記本発明に係るプラズマ処理装置の性能確認システムに
おいては、上記性能状況情報が、上記高周波電源の接続
された電極と対となり協働してプラズマを発生する電極
との間のプラズマ電極容量Ｃe と、上記高周波電源の接
続された電極と直流的にアースされた各接地電位部との
間の容量ＣXを含むものとすることができる。また、上
記性能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力さ
れるものとすることができる。
【００４５】以下、上記各発明をさらに詳細に説明す
る。上記各発明では、高周波電源の接続された電極と直
流的にアースされた各接地電位部との間の容量（ロス容
量）ＣX を評価指標とした。これは容量Ｃxが、プラズ
マ空間で消費される実効的な電力等のプラズマ処理装置
の性能と密接な関連性を有するとともに、汚れが付着し
たり、組み立て精度に狂いが生じる等、性能に悪影響を
及ぼす事象が発生した場合には、容易に変動する値であ
ることに着目したものである。また、容量Ｃx は、搬送
中の振動や納入後の再組み立ての不備で精度に狂い生じ
る等、性能に悪影響を及ぼす事象が発生した場合には、
容易に変動する値であることに着目したものである。そ
して、この指標とした容量Ｃxは、時刻ｔ0とその後の時
刻ｔ1における値Ｃx 0、Ｃx1の差ΔＣxの絶対値が、プラ
ズマ処理装置の性能変動幅と密接な関連を有すること、
及びこの値が所定の値よりも小さい場合は、性能変動幅
も所定の範囲内であると見なせることを見いだし、この
ΔＣxの絶対値と所定の値を比較することにより、プラ
ズマ処理装置の性能評価を可能とした。すなわち、分解
搬送後に再組立する新規設置時やその後の使用によるプ
ラズマ処理の繰り返し、あるいは調整・保守点検等の際
に、プラズマ処理室の性能が所定の性能レベルを維持し
ているか、また、プラズマ処理室が複数ある場合には、
性能の機差が充分抑えられているか等の評価を可能とし
たものである。
る。上記各発明では、高周波電源の接続された電極と直
流的にアースされた各接地電位部との間の容量（ロス容
量）ＣX を評価指標とした。これは容量Ｃxが、プラズ
マ空間で消費される実効的な電力等のプラズマ処理装置
の性能と密接な関連性を有するとともに、汚れが付着し
たり、組み立て精度に狂いが生じる等、性能に悪影響を
及ぼす事象が発生した場合には、容易に変動する値であ
ることに着目したものである。また、容量Ｃx は、搬送
中の振動や納入後の再組み立ての不備で精度に狂い生じ
る等、性能に悪影響を及ぼす事象が発生した場合には、
容易に変動する値であることに着目したものである。そ
して、この指標とした容量Ｃxは、時刻ｔ0とその後の時
刻ｔ1における値Ｃx 0、Ｃx1の差ΔＣxの絶対値が、プラ
ズマ処理装置の性能変動幅と密接な関連を有すること、
及びこの値が所定の値よりも小さい場合は、性能変動幅
も所定の範囲内であると見なせることを見いだし、この
ΔＣxの絶対値と所定の値を比較することにより、プラ
ズマ処理装置の性能評価を可能とした。すなわち、分解
搬送後に再組立する新規設置時やその後の使用によるプ
ラズマ処理の繰り返し、あるいは調整・保守点検等の際
に、プラズマ処理室の性能が所定の性能レベルを維持し
ているか、また、プラズマ処理室が複数ある場合には、
性能の機差が充分抑えられているか等の評価を可能とし
たものである。
【００４６】この容量Ｃxの測定は瞬時に行うことがで
きるので、基板への実際の成膜等による従来の検査方法
を採用した場合に比べて、大幅に評価時間を短縮するこ
とができる。また、性能評価に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の検査処理費用、および、評価作業
に従事する作業員の人件費等の、コストを削減すること
が可能となる。そのため、本発明に係るプラズマ処理装
置の評価方法によれば、プラズマ処理装置の性能評価を
瞬時にしかもコストをかけずに行うことができる。ま
た、本発明に係るプラズマ処理システムの評価方法によ
れば、プラズマ処理装置の性能評価を瞬時にしかもコス
トをかけずに行うことができる。また、プラズマ処理装
置が、複数のプラズマ処理室を有している場合には、そ
れぞれ求めた容量Ｃxを指標とすることにより、各プラ
ズマ処理室に対して、常に同一のプロセスレシピを適用
して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、
プラズマ処理室において例えば成膜をおこなった際に、
膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性
の膜を継続して得ることを可能とするものである。ま
た、本発明に係る保守方法によれば、性能評価結果を瞬
時に、かつコストをかけずに行うことができるので、所
望の頻度で性能評価を行い、その結果を直ちに反映して
是正作業を行うことができる。
きるので、基板への実際の成膜等による従来の検査方法
を採用した場合に比べて、大幅に評価時間を短縮するこ
とができる。また、性能評価に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の検査処理費用、および、評価作業
に従事する作業員の人件費等の、コストを削減すること
が可能となる。そのため、本発明に係るプラズマ処理装
置の評価方法によれば、プラズマ処理装置の性能評価を
瞬時にしかもコストをかけずに行うことができる。ま
た、本発明に係るプラズマ処理システムの評価方法によ
れば、プラズマ処理装置の性能評価を瞬時にしかもコス
トをかけずに行うことができる。また、プラズマ処理装
置が、複数のプラズマ処理室を有している場合には、そ
れぞれ求めた容量Ｃxを指標とすることにより、各プラ
ズマ処理室に対して、常に同一のプロセスレシピを適用
して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、
プラズマ処理室において例えば成膜をおこなった際に、
膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性
の膜を継続して得ることを可能とするものである。ま
た、本発明に係る保守方法によれば、性能評価結果を瞬
時に、かつコストをかけずに行うことができるので、所
望の頻度で性能評価を行い、その結果を直ちに反映して
是正作業を行うことができる。
【００４７】また、本発明に係るプラズマ処理システム
の評価方法によれば、プラズマ処理装置の性能評価を瞬
時にしかもコストをかけずに行うことができる。また、
プラズマ処理システムは、複数のプラズマ処理装置から
なるため、複数のプラズマ処理室を有している。これら
各プラズマ処理装置においてそれぞれに求めた容量Ｃx
を指標とすることにより、各プラズマ処理室に対して、
常に同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズ
マ処理結果を得ること、つまり、プラズマ処理室におい
て例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッ
チングレート等、略均一な膜特性の膜を継続して得るこ
とを可能とするものである。
の評価方法によれば、プラズマ処理装置の性能評価を瞬
時にしかもコストをかけずに行うことができる。また、
プラズマ処理システムは、複数のプラズマ処理装置から
なるため、複数のプラズマ処理室を有している。これら
各プラズマ処理装置においてそれぞれに求めた容量Ｃx
を指標とすることにより、各プラズマ処理室に対して、
常に同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズ
マ処理結果を得ること、つまり、プラズマ処理室におい
て例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッ
チングレート等、略均一な膜特性の膜を継続して得るこ
とを可能とするものである。
【００４８】また、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムによれば、メーカー等が管理するサーバ
ーを利用することにより、納入先の使用者等が簡便に性
能評価結果を知ることができる。また、本発明に係るプ
ラズマ処理システムの性能管理システムによれば、メー
カー等が管理するサーバーを利用することにより、納入
先の使用者等が簡便に性能評価結果や機差に関する情報
を知ることができる。また、本発明に係るプラズマ処理
装置によれば、容量Ｃxという、常時確認可能な指標に
より性能を維持されるので、良好なプラズマ処理を行う
ことが可能となる。さらに、本発明に係るプラズマ処理
装置の性能確認システムによれば、販売保守者が管理す
るサーバーを利用することにより、購入発注者が、プラ
ズマ処理装置の動作性能状況を簡便に知ることができ
る。
能管理システムによれば、メーカー等が管理するサーバ
ーを利用することにより、納入先の使用者等が簡便に性
能評価結果を知ることができる。また、本発明に係るプ
ラズマ処理システムの性能管理システムによれば、メー
カー等が管理するサーバーを利用することにより、納入
先の使用者等が簡便に性能評価結果や機差に関する情報
を知ることができる。また、本発明に係るプラズマ処理
装置によれば、容量Ｃxという、常時確認可能な指標に
より性能を維持されるので、良好なプラズマ処理を行う
ことが可能となる。さらに、本発明に係るプラズマ処理
装置の性能確認システムによれば、販売保守者が管理す
るサーバーを利用することにより、購入発注者が、プラ
ズマ処理装置の動作性能状況を簡便に知ることができ
る。
【００４９】従って、何れの発明も、問題のあるプラズ
マ処理作業を行ってしまうことを事前に回避し、良好な
状態にプラズマ処理装置を保つことに寄与するものであ
る。また、プラズマ処理室に対して、常に同一のプロセ
スレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得る
こと、つまり、プラズマ処理室において例えば成膜をお
こなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、
略均一な膜特性の膜を継続して得ることを可能とするも
のである。なお、プラズマ処理装置が、複数のプラズマ
処理室を有していたり、複数のプラズマ処理装置が結合
してプラズマ処理システムを構成している場合には、各
プラズマ処理室毎にこの容量Ｃxを求めて指標とするこ
とができる。
マ処理作業を行ってしまうことを事前に回避し、良好な
状態にプラズマ処理装置を保つことに寄与するものであ
る。また、プラズマ処理室に対して、常に同一のプロセ
スレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得る
こと、つまり、プラズマ処理室において例えば成膜をお
こなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、
略均一な膜特性の膜を継続して得ることを可能とするも
のである。なお、プラズマ処理装置が、複数のプラズマ
処理室を有していたり、複数のプラズマ処理装置が結合
してプラズマ処理システムを構成している場合には、各
プラズマ処理室毎にこの容量Ｃxを求めて指標とするこ
とができる。
【００５０】本発明においては、上記高周波電源の接続
された電極と直流的にアースされた各接地電位部との間
の容量（ロス容量）ＣX を指標とし、さらにこの容量Ｃ
X をコントロールすることにより、プラズマ電極容量Ｃ
e を容量ＣX より大きな範囲の値に設定（より具体的に
はプラズマ電極容量Ｃe の２６倍が、容量ＣX より大き
な範囲の値に設定、あるいは容量Ｃxの値がプラズマ電
極容量Ｃe の２６倍より小さい値に設定）することが
可能で、高周波電源から供給される電流のうち、電極以
外への分流分をコントロールすることが可能となるた
め、電力を効率よくプラズマ発生空間に導入することが
可能となり、同一周波数を供給した場合に、従来のプラ
ズマ処理装置と比べてプラズマ空間で消費される実効的
な電力の増大を図ることができる。その結果、例えば、
膜の積層をおこなう際には、堆積速度の向上を図ること
ができる。
された電極と直流的にアースされた各接地電位部との間
の容量（ロス容量）ＣX を指標とし、さらにこの容量Ｃ
X をコントロールすることにより、プラズマ電極容量Ｃ
e を容量ＣX より大きな範囲の値に設定（より具体的に
はプラズマ電極容量Ｃe の２６倍が、容量ＣX より大き
な範囲の値に設定、あるいは容量Ｃxの値がプラズマ電
極容量Ｃe の２６倍より小さい値に設定）することが
可能で、高周波電源から供給される電流のうち、電極以
外への分流分をコントロールすることが可能となるた
め、電力を効率よくプラズマ発生空間に導入することが
可能となり、同一周波数を供給した場合に、従来のプラ
ズマ処理装置と比べてプラズマ空間で消費される実効的
な電力の増大を図ることができる。その結果、例えば、
膜の積層をおこなう際には、堆積速度の向上を図ること
ができる。
【００５１】ここで、虚数単位をｊ（ｊ2 ＝−１）、角
振動数をω（ω＝２πｆe ；ｆe は電力周波数）とする
と、電流ＩはインピーダンスＺ（Ω）に反比例し、イン
ピーダンスＺは容量Ｃに対して以下の式（１１）、 Ｚ ∝ −ｊ／ωＣ （１１） で示される関係を満たしているため、容量ＣXを小さく
設定する（ロス容量ＣXをプラズマ電極容量Ｃe に対し
て設定する）ことにより、電極間のインピーダンスに比
べて、各接地電位部のインピーダンスが大きくなり、そ
の結果、従来一般的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ
程度以上の高い周波数の電力を投入した場合であって
も、プラズマ発生空間に投入されるプラズマ電流Ｉeを
増大することが可能となる。
振動数をω（ω＝２πｆe ；ｆe は電力周波数）とする
と、電流ＩはインピーダンスＺ（Ω）に反比例し、イン
ピーダンスＺは容量Ｃに対して以下の式（１１）、 Ｚ ∝ −ｊ／ωＣ （１１） で示される関係を満たしているため、容量ＣXを小さく
設定する（ロス容量ＣXをプラズマ電極容量Ｃe に対し
て設定する）ことにより、電極間のインピーダンスに比
べて、各接地電位部のインピーダンスが大きくなり、そ
の結果、従来一般的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ
程度以上の高い周波数の電力を投入した場合であって
も、プラズマ発生空間に投入されるプラズマ電流Ｉeを
増大することが可能となる。
【００５２】この容量（ロス容量）ＣX は、機械的な構
造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性
であり、各実機ごとに異なっていると考えられる。上記
の範囲に、このロス容量ＣX を小さく設定すること（プ
ラズマ電極容量Ｃe の２６倍が、容量ＣX より大きな範
囲の値に設定すること）により、各実機に対しても、従
来考慮されていなかった部分の全般的な電気的高周波的
特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安定
性を期待することができる。その結果、プラズマ発生空
間に投入されるプラズマ電流Ｉe に対してプラズマ処理
室（プラズマ処理室ユニット）の他の各接地電位部に分
流してしまうロス電流ＩX を削減し、プラズマ発生空間
に投入される実効的な電力が目減りすることを防止し、
プラズマ密度が減少することを防止することができる。
従ってこの容量Ｃxをプラズマ発生の安定性や均一な動
作に密接に関係する評価指標として用いると、的確な性
能評価が可能となるものである。
造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性
であり、各実機ごとに異なっていると考えられる。上記
の範囲に、このロス容量ＣX を小さく設定すること（プ
ラズマ電極容量Ｃe の２６倍が、容量ＣX より大きな範
囲の値に設定すること）により、各実機に対しても、従
来考慮されていなかった部分の全般的な電気的高周波的
特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安定
性を期待することができる。その結果、プラズマ発生空
間に投入されるプラズマ電流Ｉe に対してプラズマ処理
室（プラズマ処理室ユニット）の他の各接地電位部に分
流してしまうロス電流ＩX を削減し、プラズマ発生空間
に投入される実効的な電力が目減りすることを防止し、
プラズマ密度が減少することを防止することができる。
従ってこの容量Ｃxをプラズマ発生の安定性や均一な動
作に密接に関係する評価指標として用いると、的確な性
能評価が可能となるものである。
【００５３】また、本発明においては上記プラズマ電極
容量Ｃe の７倍が、上記容量（ロス容量）ＣX より大き
な範囲の値に設定されることが好ましく、この範囲に設
定することにより、各接地電位部に分流する高周波電流
の減少を図ることが可能となり、同一のプラズマ処理条
件においては、プラズマ発生空間に投入される実効的な
電力をより一層向上することが可能となり、さらに処理
速度を向上することができる。特に、成膜処理をおこな
う際においては、膜の堆積速度をさらに向上することが
できる。また、プラズマ発生空間に投入される実効的な
電力が向上されることにより、成膜された膜の特性をよ
り向上することができる。例えば、絶縁膜の成膜に際し
ては、膜の絶縁耐圧の向上を図ることが可能となる。同
時に、高周波電源に接続された電極からこの電極と対向
する電極に向かう高周波電流を、これら電極間に収束さ
せることが可能となり、プラズマ発生空間に投入される
実効的な電力が向上されることにより、膜面内方向にお
ける被成膜の均一性を向上することができる、つまり、
膜厚や絶縁耐圧等の膜特性の膜面内方向におけるばらつ
きを減少することが可能となる。
容量Ｃe の７倍が、上記容量（ロス容量）ＣX より大き
な範囲の値に設定されることが好ましく、この範囲に設
定することにより、各接地電位部に分流する高周波電流
の減少を図ることが可能となり、同一のプラズマ処理条
件においては、プラズマ発生空間に投入される実効的な
電力をより一層向上することが可能となり、さらに処理
速度を向上することができる。特に、成膜処理をおこな
う際においては、膜の堆積速度をさらに向上することが
できる。また、プラズマ発生空間に投入される実効的な
電力が向上されることにより、成膜された膜の特性をよ
り向上することができる。例えば、絶縁膜の成膜に際し
ては、膜の絶縁耐圧の向上を図ることが可能となる。同
時に、高周波電源に接続された電極からこの電極と対向
する電極に向かう高周波電流を、これら電極間に収束さ
せることが可能となり、プラズマ発生空間に投入される
実効的な電力が向上されることにより、膜面内方向にお
ける被成膜の均一性を向上することができる、つまり、
膜厚や絶縁耐圧等の膜特性の膜面内方向におけるばらつ
きを減少することが可能となる。
【００５４】さらに、本発明においては、上記プラズマ
電極容量Ｃe の５倍が、上記容量（ロス容量）ＣX より
大きな範囲の値に設定されてなることが好ましく、この
範囲に設定することにより、同一の条件として、処理速
度、膜の面内方向の均一性、膜特性を得るために必要な
電力を従来に比べて削減することが可能となり、省電力
化をはかり、ランニングコストの低減を図ることができ
る。ここで、成膜時においては、処理速度は堆積速度、
膜の面内方向の均一性としては膜厚や膜特性、膜特性と
しては絶縁耐圧等が対応する。
電極容量Ｃe の５倍が、上記容量（ロス容量）ＣX より
大きな範囲の値に設定されてなることが好ましく、この
範囲に設定することにより、同一の条件として、処理速
度、膜の面内方向の均一性、膜特性を得るために必要な
電力を従来に比べて削減することが可能となり、省電力
化をはかり、ランニングコストの低減を図ることができ
る。ここで、成膜時においては、処理速度は堆積速度、
膜の面内方向の均一性としては膜厚や膜特性、膜特性と
しては絶縁耐圧等が対応する。
【００５５】ここで、ロス容量ＣX について説明する。
高周波電源から供給された電流Ｉ〜 は、図８に示すよ
うに、プラズマ励起電極により形成されるプラズマ発生
空間に投入されるプラズマ電流Ｉeと、それ以外の部分
に分流してしまうロス電流ＩX とに分けられる。このロ
ス電流ＩX が流入する部分、つまり、高周波電源に接続
された電極およびこの電極と対向する電極の間の容量成
分（プラズマ電極容量Ｃe ）以外の、高周波電源に接続
された電極およびプラズマチャンバにおけるアースされ
た各接地電位部との間に発生する容量成分を総括してロ
ス容量ＣX とする。
高周波電源から供給された電流Ｉ〜 は、図８に示すよ
うに、プラズマ励起電極により形成されるプラズマ発生
空間に投入されるプラズマ電流Ｉeと、それ以外の部分
に分流してしまうロス電流ＩX とに分けられる。このロ
ス電流ＩX が流入する部分、つまり、高周波電源に接続
された電極およびこの電極と対向する電極の間の容量成
分（プラズマ電極容量Ｃe ）以外の、高周波電源に接続
された電極およびプラズマチャンバにおけるアースされ
た各接地電位部との間に発生する容量成分を総括してロ
ス容量ＣX とする。
【００５６】次に、容量ＣXを測定するための測定範囲
について説明する。容量ＣXの測定範囲としては、例え
ば、図１に示すような、上記プラズマを励起するための
電極が平行平板型とされ、この平行平板型の対向する電
極間の容量が上記プラズマ電極容量Ｃe とされ、この電
極のうち、上記高周波電源の接続された電極が上記プラ
ズマ処理室の蓋体の一部を構成するプラズマ処理装置に
おいては、蓋体において上記整合回路の上記出力端子と
される測定位置ＰＲよりもプラズマ処理室側、つまり、
この測定位置ＰＲから高周波電力配電体，プラズマ励起
電極側のプラズマ処理室の範囲を設定することができ
る。ここで、整合回路は、プラズマ処理室内のプラズマ
状態等の変化に対応してインピーダンスを調整するため
に、その多くは複数の受動素子を 具備する構成とされ
ている。
について説明する。容量ＣXの測定範囲としては、例え
ば、図１に示すような、上記プラズマを励起するための
電極が平行平板型とされ、この平行平板型の対向する電
極間の容量が上記プラズマ電極容量Ｃe とされ、この電
極のうち、上記高周波電源の接続された電極が上記プラ
ズマ処理室の蓋体の一部を構成するプラズマ処理装置に
おいては、蓋体において上記整合回路の上記出力端子と
される測定位置ＰＲよりもプラズマ処理室側、つまり、
この測定位置ＰＲから高周波電力配電体，プラズマ励起
電極側のプラズマ処理室の範囲を設定することができ
る。ここで、整合回路は、プラズマ処理室内のプラズマ
状態等の変化に対応してインピーダンスを調整するため
に、その多くは複数の受動素子を 具備する構成とされ
ている。
【００５７】図２は整合回路を示す模式図である。例え
ば、整合回路としては、図２に示すように、高周波電源
１とプラズマ放電用の電極４との間に、コイル２３とチ
ューニングコンデンサ２４とが直列に設けられ、さら
に、高周波電源１には他のロードコンデンサ２２が並列
に接続され一端がアースされている構成の整合回路２Ａ
が挙げられる。このような整合回路の受動素子のうち、
出力最終段の受動素子の出力端子位置で切り離す、つま
り、直接電極４側に接続される素子、上記例の場合は、
チューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲで、整
合回路２Ａを切り離した状態で、これよりも先のプラズ
マ処理室部分を上記測定範囲とする。
ば、整合回路としては、図２に示すように、高周波電源
１とプラズマ放電用の電極４との間に、コイル２３とチ
ューニングコンデンサ２４とが直列に設けられ、さら
に、高周波電源１には他のロードコンデンサ２２が並列
に接続され一端がアースされている構成の整合回路２Ａ
が挙げられる。このような整合回路の受動素子のうち、
出力最終段の受動素子の出力端子位置で切り離す、つま
り、直接電極４側に接続される素子、上記例の場合は、
チューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲで、整
合回路２Ａを切り離した状態で、これよりも先のプラズ
マ処理室部分を上記測定範囲とする。
【００５８】図４は測定時における蓋体を示す模式図で
ある。蓋体の全体容量を計測する場合においても同様に
して、図４に示すように、プラズマチャンバから蓋体を
取り外した状態で、この出力端子位置ＰＲから電極４の
容量成分を計測することにより、ロス容量ＣX を導出す
ることができる。ここで、ロス容量ＣX は、後述するよ
うに、図５に示すＣA ＣB ＣC 等の合成容量として求め
ることができる。
ある。蓋体の全体容量を計測する場合においても同様に
して、図４に示すように、プラズマチャンバから蓋体を
取り外した状態で、この出力端子位置ＰＲから電極４の
容量成分を計測することにより、ロス容量ＣX を導出す
ることができる。ここで、ロス容量ＣX は、後述するよ
うに、図５に示すＣA ＣB ＣC 等の合成容量として求め
ることができる。
【００５９】または、上記の測定位置に変えて、測定範
囲としては、図１に示すように、蓋体において上記高周
波電力を供給する際に上記高周波電源および上記整合回
路の上記入力端子に接続される上記高周波電力給電体
（給電線）の上記高周波電源側端部とされる測定位置Ｐ
Ｒ２よりもプラズマ処理室側、つまり、この測定位置Ｐ
Ｒ２から高周波電力給電体，整合回路，高周波電力配電
体，プラズマ励起電極側のプラズマ処理室の範囲を設定
することができる。
囲としては、図１に示すように、蓋体において上記高周
波電力を供給する際に上記高周波電源および上記整合回
路の上記入力端子に接続される上記高周波電力給電体
（給電線）の上記高周波電源側端部とされる測定位置Ｐ
Ｒ２よりもプラズマ処理室側、つまり、この測定位置Ｐ
Ｒ２から高周波電力給電体，整合回路，高周波電力配電
体，プラズマ励起電極側のプラズマ処理室の範囲を設定
することができる。
【００６０】または、上記の測定位置に変えて、測定範
囲としては、図１に示すように、蓋体において上記整合
回路の上記入力端子とされる測定位置ＰＲ３よりもプラ
ズマ処理室側、つまり、この測定位置ＰＲ３から整合回
路，高周波電力配電体，プラズマ励起電極側のプラズマ
処理室の範囲を設定することができる。
囲としては、図１に示すように、蓋体において上記整合
回路の上記入力端子とされる測定位置ＰＲ３よりもプラ
ズマ処理室側、つまり、この測定位置ＰＲ３から整合回
路，高周波電力配電体，プラズマ励起電極側のプラズマ
処理室の範囲を設定することができる。
【００６１】上記各発明において、上記容量Ｃxの、時
刻ｔ0とその後の時刻ｔ1における値Ｃx0、Ｃx1の差ΔＣ
xの絶対値と比較する所定の値に特に制限はないが、例
えば、Ｃx0の１０％と設定することができる。この場
合、たとえばプラズマＣＶＤ装置において、堆積速度の
変動を±５％以内に抑えたり、膜厚や絶縁耐圧等の膜特
性の膜面内方向におけるばらつきを±５％以内に抑える
ことができる。また、より好ましくは、Ｃx0の３％と設
定することができる。この場合、たとえばプラズマＣＶ
Ｄ装置において、堆積速度の変動を±２％以内に抑えた
り、膜厚や絶縁耐圧等の膜特性の膜面内方向におけるば
らつきを±２％以内に抑えることができる。
刻ｔ0とその後の時刻ｔ1における値Ｃx0、Ｃx1の差ΔＣ
xの絶対値と比較する所定の値に特に制限はないが、例
えば、Ｃx0の１０％と設定することができる。この場
合、たとえばプラズマＣＶＤ装置において、堆積速度の
変動を±５％以内に抑えたり、膜厚や絶縁耐圧等の膜特
性の膜面内方向におけるばらつきを±５％以内に抑える
ことができる。また、より好ましくは、Ｃx0の３％と設
定することができる。この場合、たとえばプラズマＣＶ
Ｄ装置において、堆積速度の変動を±２％以内に抑えた
り、膜厚や絶縁耐圧等の膜特性の膜面内方向におけるば
らつきを±２％以内に抑えることができる。
【００６２】また、本発明においては、一つの評価基準
（以下「評価基準１」という。）として、上記高周波電
源の接続された電極と直流的にアースされた各接地電位
部との間の容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、上
記高周波電源の接続された電極と対となり協働してプラ
ズマを発生する電極との間のプラズマ電極容量Ｃe の２
６倍より小さい範囲であるかどうか（上記高周波電源の
接続された電極と対となり協働してプラズマを発生する
電極との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍、上記高周
波電源の接続された電極と直流的にアースされた各接地
電位部との間の容量ＣXより大きな値の範囲であるかど
うか）を用いた。これは、以下の理由による。すなわ
ち、容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、プラズマ
電極容量Ｃe の２６倍より小さい範囲の値（プラズマ電
極容量Ｃe の２６倍が、容量ＣX より大きな範囲の値）
であれば、高周波電源から供給される電流のうち、電極
以外への分流分を少なくすることが可能となるため、電
力を効率よくプラズマ発生空間に導入することが可能と
なり、同一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処
理装置と比べてプラズマ空間で消費される実効的な電力
の増大を図ることができる。その結果、例えば、膜の積
層をおこなう際には、堆積速度の向上を図ることができ
る。この容量（ロス容量）ＣX は、上述したように機械
的な構造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的
な特性であり、各実機（各プラズマ処理室あるいは各プ
ラズマ処理装置）ごとに異なっていると考えられる。そ
してこのロス容量ＣX をもとに性能を評価することによ
り、各実機に対しても、従来考慮されていなかった部分
の全般的な電気的高周波的特性を評価することが可能と
なり、プラズマ発生の安定性を期待しうるかどうかの判
断ができる。その結果、動作安定性の高いプラズマ処理
装置を維持する上で、適切な性能評価方法と性能管理シ
ステムを提供することが可能となる。
（以下「評価基準１」という。）として、上記高周波電
源の接続された電極と直流的にアースされた各接地電位
部との間の容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、上
記高周波電源の接続された電極と対となり協働してプラ
ズマを発生する電極との間のプラズマ電極容量Ｃe の２
６倍より小さい範囲であるかどうか（上記高周波電源の
接続された電極と対となり協働してプラズマを発生する
電極との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍、上記高周
波電源の接続された電極と直流的にアースされた各接地
電位部との間の容量ＣXより大きな値の範囲であるかど
うか）を用いた。これは、以下の理由による。すなわ
ち、容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、プラズマ
電極容量Ｃe の２６倍より小さい範囲の値（プラズマ電
極容量Ｃe の２６倍が、容量ＣX より大きな範囲の値）
であれば、高周波電源から供給される電流のうち、電極
以外への分流分を少なくすることが可能となるため、電
力を効率よくプラズマ発生空間に導入することが可能と
なり、同一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処
理装置と比べてプラズマ空間で消費される実効的な電力
の増大を図ることができる。その結果、例えば、膜の積
層をおこなう際には、堆積速度の向上を図ることができ
る。この容量（ロス容量）ＣX は、上述したように機械
的な構造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的
な特性であり、各実機（各プラズマ処理室あるいは各プ
ラズマ処理装置）ごとに異なっていると考えられる。そ
してこのロス容量ＣX をもとに性能を評価することによ
り、各実機に対しても、従来考慮されていなかった部分
の全般的な電気的高周波的特性を評価することが可能と
なり、プラズマ発生の安定性を期待しうるかどうかの判
断ができる。その結果、動作安定性の高いプラズマ処理
装置を維持する上で、適切な性能評価方法と性能管理シ
ステムを提供することが可能となる。
【００６３】本発明においては、他の評価基準（以下
「評価基準２」という。）として、納入後における値Ｃ
e1の値のばらつきＣe1rが、所定の値より小さな値の範
囲であるかどうかを用い、また、納入後における値ＣX1
の値のばらつきＣX1rが、所定の値より小さな値の範囲
であるかどうかを用いた。これは、以下の理由による。
すなわち、上記高周波電源の接続された電極と対となり
協働してプラズマを発生する電極との間のプラズマ電極
容量Ｃe を、複数あるプラズマ処理室のそれぞれにつ
いて測定し、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minを求め
る。そして、こららの最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1min
を用いて、ばらつきＣe1rを以下の式のように定義す
る。 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） このＣe1rの値が所定の値より小さい値であれば、複数
のプラズマ処理室に対しプラズマ電極容量Ｃe等の電気
的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、こ
れにより、プラズマ電極容量Ｃeなどを指標とする一定
の管理幅内に複数のプラズマ処理室を設定することが可
能となるので、個々のプラズマ処理室において、プラズ
マ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一に
することができる。また、上記高周波電源の接続された
電極と直流的にアースされた各接地電位部との間の容量
ＣX を、複数あるプラズマ処理室のそれぞれについて測
定し、その最大値ＣX1maxと最小値ＣX1minを求める。そ
して、これらの最大値ＣX1maxと最小値ＣX1minを用い
て、ばらつきＣX1r を以下の式のように定義する。 ＣX1r＝（ＣX1max−ＣX1min）／（ＣX1max＋ＣX1min） このＣX1rの値が所定の値より小さい値であれば、複数
のプラズマ処理室に対してロス容量Ｃx等の電気的高周
波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これによ
り、ロス容量ＣXなどを指標とする一定の管理幅内に複
数のプラズマ処理室を設定することが可能となるので、
個々のプラズマ処理室において、プラズマ空間で消費さ
れる実効的な電力等をそれぞれ略均一にすることができ
る。その結果、複数のプラズマ処理室に対して同一のプ
ロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を
得ること、つまり、複数のプラズマ処理室において例え
ば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチング
レート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能とな
る。
「評価基準２」という。）として、納入後における値Ｃ
e1の値のばらつきＣe1rが、所定の値より小さな値の範
囲であるかどうかを用い、また、納入後における値ＣX1
の値のばらつきＣX1rが、所定の値より小さな値の範囲
であるかどうかを用いた。これは、以下の理由による。
すなわち、上記高周波電源の接続された電極と対となり
協働してプラズマを発生する電極との間のプラズマ電極
容量Ｃe を、複数あるプラズマ処理室のそれぞれにつ
いて測定し、その最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minを求め
る。そして、こららの最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1min
を用いて、ばらつきＣe1rを以下の式のように定義す
る。 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） このＣe1rの値が所定の値より小さい値であれば、複数
のプラズマ処理室に対しプラズマ電極容量Ｃe等の電気
的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、こ
れにより、プラズマ電極容量Ｃeなどを指標とする一定
の管理幅内に複数のプラズマ処理室を設定することが可
能となるので、個々のプラズマ処理室において、プラズ
マ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一に
することができる。また、上記高周波電源の接続された
電極と直流的にアースされた各接地電位部との間の容量
ＣX を、複数あるプラズマ処理室のそれぞれについて測
定し、その最大値ＣX1maxと最小値ＣX1minを求める。そ
して、これらの最大値ＣX1maxと最小値ＣX1minを用い
て、ばらつきＣX1r を以下の式のように定義する。 ＣX1r＝（ＣX1max−ＣX1min）／（ＣX1max＋ＣX1min） このＣX1rの値が所定の値より小さい値であれば、複数
のプラズマ処理室に対してロス容量Ｃx等の電気的高周
波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これによ
り、ロス容量ＣXなどを指標とする一定の管理幅内に複
数のプラズマ処理室を設定することが可能となるので、
個々のプラズマ処理室において、プラズマ空間で消費さ
れる実効的な電力等をそれぞれ略均一にすることができ
る。その結果、複数のプラズマ処理室に対して同一のプ
ロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を
得ること、つまり、複数のプラズマ処理室において例え
ば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチング
レート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能とな
る。
【００６４】また、本発明においては、上記評価基準１
と評価基準２とを組み合わせて用いることができる。こ
の場合、動作安定性の高いプラズマ処理装置を維持する
上で、適切な性能評価方法を提供することが可能となる
と共に、複数のプラズマ処理室に対してプラズマ電極容
量Ｃe、ロス容量ＣX等の電気的高周波的な特性の機差が
小さい状況を維持する上で、適切な性能評価方法を提供
することが可能となる。この場合、プラズマ電極容量Ｃ
eの、納入後における値Ｃe1の値のばらつきＣe1rと対比
する所定の値に特に制限はないが、例えば、０．１とす
ることができる。また、上記容量ＣXの、納入後におけ
る値ＣX1の値のばらつきＣX1r と対比する所定の値に
特に制限はないが、例えば、０．１とすることができ
る。この場合、略同一の条件で積層をおこなったプラズ
マ装置において、膜厚のばらつきの値を±５％の範囲に
おさめる等、プラズマ処理の均一性を維持することが可
能になる。
と評価基準２とを組み合わせて用いることができる。こ
の場合、動作安定性の高いプラズマ処理装置を維持する
上で、適切な性能評価方法を提供することが可能となる
と共に、複数のプラズマ処理室に対してプラズマ電極容
量Ｃe、ロス容量ＣX等の電気的高周波的な特性の機差が
小さい状況を維持する上で、適切な性能評価方法を提供
することが可能となる。この場合、プラズマ電極容量Ｃ
eの、納入後における値Ｃe1の値のばらつきＣe1rと対比
する所定の値に特に制限はないが、例えば、０．１とす
ることができる。また、上記容量ＣXの、納入後におけ
る値ＣX1の値のばらつきＣX1r と対比する所定の値に
特に制限はないが、例えば、０．１とすることができ
る。この場合、略同一の条件で積層をおこなったプラズ
マ装置において、膜厚のばらつきの値を±５％の範囲に
おさめる等、プラズマ処理の均一性を維持することが可
能になる。
【００６５】さらに、上記の所定の値を０．０３より小
さい範囲に設定することで、複数のプラズマ処理室に対
してプラズマ電極容量Ｃe、ロス容量Ｃx等の電気的高周
波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これによ
り、プラズマ電極容量Ｃe、ロス容量Ｃxを指標とする一
定の管理幅内に複数のプラズマ処理室を設定することが
可能となるので、個々のプラズマ処理室において、プラ
ズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一に
することができる。その結果、複数のプラズマ処理室に
対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラ
ズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマ処理
室において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐
圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得るこ
とが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値を
０．０３より小さい範囲に設定することにより、略同一
の条件で積層をおこなったプラズマ処理室において、膜
厚のばらつきの値を±２％の範囲におさめることができ
る。
さい範囲に設定することで、複数のプラズマ処理室に対
してプラズマ電極容量Ｃe、ロス容量Ｃx等の電気的高周
波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これによ
り、プラズマ電極容量Ｃe、ロス容量Ｃxを指標とする一
定の管理幅内に複数のプラズマ処理室を設定することが
可能となるので、個々のプラズマ処理室において、プラ
ズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一に
することができる。その結果、複数のプラズマ処理室に
対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラ
ズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマ処理
室において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐
圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得るこ
とが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値を
０．０３より小さい範囲に設定することにより、略同一
の条件で積層をおこなったプラズマ処理室において、膜
厚のばらつきの値を±２％の範囲におさめることができ
る。
【００６６】上記本発明に係るプラズマ処理装置の性能
管理システム又はプラズマ処理システムの性能管理シス
テムは、たとえば、プラズマ処理装置又はプラズマ処理
システムのメーカー、流通業者、メンテナンス業者等か
らユーザー等にプラズマ処理装置又はプラズマ処理シス
テムを納入するに際して、搬送元で分解後、納入先に搬
送して、納入先にて再組み立てをするという一連の処理
工程を経た後、あるいは、その後の使用期間中のよう
に、時刻ｔ0からある時間が経過した後の時刻ｔ1 におい
て、プラズマ処理装置の性能が維持されているかどうか
を評価しその性能を管理するシステムである。本管理シ
ステムにおけるサーバーは、プラズマ処理装置又はプラ
ズマ処理システムのメーカー、流通業者、メンテナンス
業者等の搬送元が管理するものであるが、その設置場所
は搬送元に特に限定されない。このサーバーは容量Ｃx
の分解前の値Ｃx0を記憶している。そして、この記憶し
たＣx0を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装置の性能
を評価するものである。また、このサーバーは、プラズ
マ電極容量Ｃe の分解前の値Ｃe0も記憶しているのが好
ましい。この場合、この記憶したＣe0も用いて、搬入先
にあるプラズマ処理装置の性能を評価できる。
管理システム又はプラズマ処理システムの性能管理シス
テムは、たとえば、プラズマ処理装置又はプラズマ処理
システムのメーカー、流通業者、メンテナンス業者等か
らユーザー等にプラズマ処理装置又はプラズマ処理シス
テムを納入するに際して、搬送元で分解後、納入先に搬
送して、納入先にて再組み立てをするという一連の処理
工程を経た後、あるいは、その後の使用期間中のよう
に、時刻ｔ0からある時間が経過した後の時刻ｔ1 におい
て、プラズマ処理装置の性能が維持されているかどうか
を評価しその性能を管理するシステムである。本管理シ
ステムにおけるサーバーは、プラズマ処理装置又はプラ
ズマ処理システムのメーカー、流通業者、メンテナンス
業者等の搬送元が管理するものであるが、その設置場所
は搬送元に特に限定されない。このサーバーは容量Ｃx
の分解前の値Ｃx0を記憶している。そして、この記憶し
たＣx0を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装置の性能
を評価するものである。また、このサーバーは、プラズ
マ電極容量Ｃe の分解前の値Ｃe0も記憶しているのが好
ましい。この場合、この記憶したＣe0も用いて、搬入先
にあるプラズマ処理装置の性能を評価できる。
【００６７】このＣx0等の値は、メーカー等で管理して
いる標準的な容量Ｃx等の値としても良いが、プラズマ
処理装置あるいはプラズマ処理室の固有番号毎にＣx0
やＣe0 等の値を記憶することにより、納入先の個別のプ
ラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室に対応して、よ
り的確な評価ができる。従って、より精度の高い管理シ
ステムとすることができる。なお、プラズマ処理装置あ
るいはプラズマ処理室の固有番号とは、プラズマ処理装
置あるいはプラズマ処理室を個別に特定できる番号であ
れば特に限定はなく、その形式は数字だけでなく文字等
を含むものであってもよい。例えば、プラズマ処理室を
一つ備えたプラズマ処理装置の場合、当該プラズマ処理
装置の製造番号を、当該プラズマ処理室の固有番号とし
て扱うこともできる。
いる標準的な容量Ｃx等の値としても良いが、プラズマ
処理装置あるいはプラズマ処理室の固有番号毎にＣx0
やＣe0 等の値を記憶することにより、納入先の個別のプ
ラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室に対応して、よ
り的確な評価ができる。従って、より精度の高い管理シ
ステムとすることができる。なお、プラズマ処理装置あ
るいはプラズマ処理室の固有番号とは、プラズマ処理装
置あるいはプラズマ処理室を個別に特定できる番号であ
れば特に限定はなく、その形式は数字だけでなく文字等
を含むものであってもよい。例えば、プラズマ処理室を
一つ備えたプラズマ処理装置の場合、当該プラズマ処理
装置の製造番号を、当該プラズマ処理室の固有番号とし
て扱うこともできる。
【００６８】サーバーには、納入先に設置された入出力
装置が通信回線で接続されている。この通信回線の媒体
や形式に特に限定はなく、離間した地点におかれたサー
バーと入出力装置との間で信号の授受ができるものであ
ればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回
線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使
用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々
の通信形式を活用できる。また、納入先の入出力装置、
入力装置にも特に限定はなく、パーソナルコンピュー
タ、専用端末機、電話機等を利用する通信回線の種類等
に適応できる範囲で適宜選択できる。なお、評価基準２
を用いる性能管理システムにおける納入先入力装置で
は、少なくとも入力機能が必要で、出力機能は必須では
ないが、出力機能を備えていても差し支えないのはもち
ろんである。
装置が通信回線で接続されている。この通信回線の媒体
や形式に特に限定はなく、離間した地点におかれたサー
バーと入出力装置との間で信号の授受ができるものであ
ればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回
線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使
用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々
の通信形式を活用できる。また、納入先の入出力装置、
入力装置にも特に限定はなく、パーソナルコンピュー
タ、専用端末機、電話機等を利用する通信回線の種類等
に適応できる範囲で適宜選択できる。なお、評価基準２
を用いる性能管理システムにおける納入先入力装置で
は、少なくとも入力機能が必要で、出力機能は必須では
ないが、出力機能を備えていても差し支えないのはもち
ろんである。
【００６９】サーバーは、係る納入先入出力装置から納
入後（あるいは再組み立て後）における値Ｃx1や、値Ｃ
e1を受信する。また、必要に応じてプラズマ処理装置あ
るいはプラズマ処理室の固有番号を受信する。ここで、
納入後とは、再組み立て直後だけでなく、その後の使用
期間中を含むものである。すなわち、サーバーは、納入
先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能を
反映する値Ｃx1やＣe1 を、適宜継続して受信できるもの
である。また、評価基準１を用いる性能管理システムの
場合、このサーバーは上記プラズマ電極容量Ｃe （特に
Ｃe0）とロス容量Ｃx（特にＣx0）を記憶している。そ
して、この記憶したプラズマ電極容量Ｃe （特に
Ｃe0）、ロス容量Ｃx（特にＣx0）を用いて、搬入先に
あるプラズマ処理装置の性能を評価するものである。ま
た、上記サーバーは、納入先入出力装置から、ロス容量
Ｃxの納入後における値Ｃx1や、プラズマ電極容量Ｃeの
納入後における値Ｃe1を必要に応じて、その値を与える
プラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室の固有番号と
共に受信するようにしてもよい。納入先入出力装置から
サーバーに対して、Ｃx1の値やＣe1の値やプラズマ処理
装置あるいはプラズマ処理室の固有番号を送信するため
には、納入先入出力装置に納入先のユーザーや、納入先
を訪問したサービスマン等がこれらの値を手で入力する
ことができるが、この入力作業は適宜自動化や省力化が
可能である。例えば、納入先入出力装置に、プラズマ処
理装置又はプラズマ処理システムに接続された容量を測
定する測定器を接続して、この測定器から上記サーバー
に、Ｃx1等を直接送信することができる。また、単独の
プラズマ処理室を備えたプラズマ処理装置を単独で使用
する納入先においては、プラズマ処理装置の固有番号を
一度納入先入出力装置に登録し、その後は入力作業を省
略することができる。
入後（あるいは再組み立て後）における値Ｃx1や、値Ｃ
e1を受信する。また、必要に応じてプラズマ処理装置あ
るいはプラズマ処理室の固有番号を受信する。ここで、
納入後とは、再組み立て直後だけでなく、その後の使用
期間中を含むものである。すなわち、サーバーは、納入
先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能を
反映する値Ｃx1やＣe1 を、適宜継続して受信できるもの
である。また、評価基準１を用いる性能管理システムの
場合、このサーバーは上記プラズマ電極容量Ｃe （特に
Ｃe0）とロス容量Ｃx（特にＣx0）を記憶している。そ
して、この記憶したプラズマ電極容量Ｃe （特に
Ｃe0）、ロス容量Ｃx（特にＣx0）を用いて、搬入先に
あるプラズマ処理装置の性能を評価するものである。ま
た、上記サーバーは、納入先入出力装置から、ロス容量
Ｃxの納入後における値Ｃx1や、プラズマ電極容量Ｃeの
納入後における値Ｃe1を必要に応じて、その値を与える
プラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室の固有番号と
共に受信するようにしてもよい。納入先入出力装置から
サーバーに対して、Ｃx1の値やＣe1の値やプラズマ処理
装置あるいはプラズマ処理室の固有番号を送信するため
には、納入先入出力装置に納入先のユーザーや、納入先
を訪問したサービスマン等がこれらの値を手で入力する
ことができるが、この入力作業は適宜自動化や省力化が
可能である。例えば、納入先入出力装置に、プラズマ処
理装置又はプラズマ処理システムに接続された容量を測
定する測定器を接続して、この測定器から上記サーバー
に、Ｃx1等を直接送信することができる。また、単独の
プラズマ処理室を備えたプラズマ処理装置を単独で使用
する納入先においては、プラズマ処理装置の固有番号を
一度納入先入出力装置に登録し、その後は入力作業を省
略することができる。
【００７０】サーバーは、上記容量Ｃx0、Ｃx1の値か
ら、内部の演算処理装置を用いてＣx0 と、このＣx1との
差であるΔＣxの絶対値を演算する。そして、その値が
所定の値より小さい値である場合には、所定の性能を維
持している旨の信号を、所定の値以上の値である場合に
は、所定の性能を維持していない旨の信号を、各々評価
情報として納入先入出力装置に発信する。また、サーバ
ーは、納入後における値Ｃx1の値と、プラズマ電極容量
Ｃe（特に、納入後におけるプラズマ電極容量Ｃe 1 ）
の値から、内部の演算処理装置を用いてＣx1の値と、プ
ラズマ電極容量Ｃe （特に、納入後におけるプラズマ電
極容量Ｃe1 ）の値を比較し、納入後における値Ｃx1の
値が上記プラズマ電極容量Ｃe（特に、納入後における
プラズマ電極容量Ｃe1 ）の２６倍より小さい値である
場合には、所定の性能を維持している旨の信号を、納入
後における値Ｃx1の値が上記プラズマ電極容量Ｃe（特
に、納入後におけるプラズマ電極容量Ｃe1 ）の２６倍
以上の値である場合には、所定の性能を維持していない
旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信する。すなわ
ち、納入先入出力装置は評価情報を受信することがで
き、これにより、納入先においてプラズマ処理装置ある
いはプラズマ処理室の性能評価結果を把握することが可
能となる。なお、納入先入出力装置は、評価情報を表示
器に表示したり、プリントアウトしたり、あるいは警報
信号を発する等、適宜の方法で評価情報をユーザー等に
伝達することができる。
ら、内部の演算処理装置を用いてＣx0 と、このＣx1との
差であるΔＣxの絶対値を演算する。そして、その値が
所定の値より小さい値である場合には、所定の性能を維
持している旨の信号を、所定の値以上の値である場合に
は、所定の性能を維持していない旨の信号を、各々評価
情報として納入先入出力装置に発信する。また、サーバ
ーは、納入後における値Ｃx1の値と、プラズマ電極容量
Ｃe（特に、納入後におけるプラズマ電極容量Ｃe 1 ）
の値から、内部の演算処理装置を用いてＣx1の値と、プ
ラズマ電極容量Ｃe （特に、納入後におけるプラズマ電
極容量Ｃe1 ）の値を比較し、納入後における値Ｃx1の
値が上記プラズマ電極容量Ｃe（特に、納入後における
プラズマ電極容量Ｃe1 ）の２６倍より小さい値である
場合には、所定の性能を維持している旨の信号を、納入
後における値Ｃx1の値が上記プラズマ電極容量Ｃe（特
に、納入後におけるプラズマ電極容量Ｃe1 ）の２６倍
以上の値である場合には、所定の性能を維持していない
旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信する。すなわ
ち、納入先入出力装置は評価情報を受信することがで
き、これにより、納入先においてプラズマ処理装置ある
いはプラズマ処理室の性能評価結果を把握することが可
能となる。なお、納入先入出力装置は、評価情報を表示
器に表示したり、プリントアウトしたり、あるいは警報
信号を発する等、適宜の方法で評価情報をユーザー等に
伝達することができる。
【００７１】この場合のサーバーは、また、搬送元にお
いて出力装置を備え、ΔＣxの絶対値が所定の値を超え
る場合に、上記出力装置から、評価情報として保守作業
命令を出力することができる。この場合、対応するプラ
ズマ処理室の固有番号も併せて出力することが望まし
い。これにより、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ
処理システムの不具合を搬送元においていち早く把握
し、直ちに保守サービスを提供することができる。ま
た、サーバーは、また、搬送元において出力装置を備
え、納入後における値Ｃx1の値が上記プラズマ電極容量
Ｃeの２６倍以上の値である場合に、上記出力装置か
ら、評価情報として保守作業命令を出力することができ
る。なお、サーバーが搬送元におかれていない場合に
は、サーバーと出力装置との間には任意の通信回線が使
用される。
いて出力装置を備え、ΔＣxの絶対値が所定の値を超え
る場合に、上記出力装置から、評価情報として保守作業
命令を出力することができる。この場合、対応するプラ
ズマ処理室の固有番号も併せて出力することが望まし
い。これにより、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ
処理システムの不具合を搬送元においていち早く把握
し、直ちに保守サービスを提供することができる。ま
た、サーバーは、また、搬送元において出力装置を備
え、納入後における値Ｃx1の値が上記プラズマ電極容量
Ｃeの２６倍以上の値である場合に、上記出力装置か
ら、評価情報として保守作業命令を出力することができ
る。なお、サーバーが搬送元におかれていない場合に
は、サーバーと出力装置との間には任意の通信回線が使
用される。
【００７２】サーバーが、納入先入出力装置と搬送元の
出力装置との双方に評価情報を提供する場合、両評価情
報の基礎となる所定の値は必ずしも同一の値でなくとも
よい。例えば、納入先入出力装置に発信する評価情報に
ついては、所定の値をＣxの１０％とし、この値を越え
たときに所定の性能を維持していない旨の信号を発信
し、一方、搬送元の出力装置には、所定の値をＣxの３
％として、この値を越える場合に保守作業命令を出力す
るようにしても良い。このように、搬送元の出力装置に
対して、納入先入出力装置に対するよりも厳しい評価基
準に基づき保守作業命令が出される場合には、納入先の
プラズマ処理装置の性能が大きく変動する以前に搬送元
による保守サービスを行うことができる。すなわち、よ
り先手を打った保守体制を確立することができる。
出力装置との双方に評価情報を提供する場合、両評価情
報の基礎となる所定の値は必ずしも同一の値でなくとも
よい。例えば、納入先入出力装置に発信する評価情報に
ついては、所定の値をＣxの１０％とし、この値を越え
たときに所定の性能を維持していない旨の信号を発信
し、一方、搬送元の出力装置には、所定の値をＣxの３
％として、この値を越える場合に保守作業命令を出力す
るようにしても良い。このように、搬送元の出力装置に
対して、納入先入出力装置に対するよりも厳しい評価基
準に基づき保守作業命令が出される場合には、納入先の
プラズマ処理装置の性能が大きく変動する以前に搬送元
による保守サービスを行うことができる。すなわち、よ
り先手を打った保守体制を確立することができる。
【００７３】上記本発明に係る他のプラズマ処理装置の
性能管理システムもまた、たとえば、プラズマ処理装置
のメーカー、流通業者、メンテナンス業者等からユーザ
ー等にプラズマ処理装置を納入するに際して、搬送元で
分解後、納入先に搬送して、納入先にて再組み立てをす
るという一連の処理工程を経た後、あるいは、その後の
使用期間中のように、時刻ｔ0からある時間が経過した
後の時刻ｔ1において、プラズマ処理装置の性能が維持
されているかどうかを評価しその性能を管理するシステ
ムである。本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理シ
ステムの特徴が、先のプラズマ処理装置の性能管理シス
テムの特徴と異なる点は、サーバーが、各々所定の値の
範囲によって決められた故障レベルに対応して登録され
たサービスエンジニアの情報とを記憶すると共に、搬送
元における出力装置を備える点である。そして、サーバ
ーが、ΔＣxの絶対値を演算した後、その値が、何れか
の故障レベルの所定の値の範囲である場合には、上記出
力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応
して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守
作業命令を出力するという処理を行う点にある。
性能管理システムもまた、たとえば、プラズマ処理装置
のメーカー、流通業者、メンテナンス業者等からユーザ
ー等にプラズマ処理装置を納入するに際して、搬送元で
分解後、納入先に搬送して、納入先にて再組み立てをす
るという一連の処理工程を経た後、あるいは、その後の
使用期間中のように、時刻ｔ0からある時間が経過した
後の時刻ｔ1において、プラズマ処理装置の性能が維持
されているかどうかを評価しその性能を管理するシステ
ムである。本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理シ
ステムの特徴が、先のプラズマ処理装置の性能管理シス
テムの特徴と異なる点は、サーバーが、各々所定の値の
範囲によって決められた故障レベルに対応して登録され
たサービスエンジニアの情報とを記憶すると共に、搬送
元における出力装置を備える点である。そして、サーバ
ーが、ΔＣxの絶対値を演算した後、その値が、何れか
の故障レベルの所定の値の範囲である場合には、上記出
力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応
して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守
作業命令を出力するという処理を行う点にある。
【００７４】この性能管理システムの場合、搬送元で
は、保守作業命令が出力されると共に、どの程度の故障
レベルかや、その故障レベルに応じてランク分けされた
サービスエンジニアの情報も出力される。そのため、こ
の本発明に係る他のプラズマ処理装置の性能管理システ
ムによれば、遠隔地に納入したプラズマ処理装置であっ
ても、搬送元において、その故障レベルを把握すること
ができる。そして、その故障レベルに応じて、教育訓練
度合の異なるサービスエンジニアを派遣することができ
る。従って、人材活用が合理化できると共に、迅速、か
つ、的確なサポートが可能となる。すなわち、装置納入
後のフィールドサポート体制の合理化が可能となるもの
である。
は、保守作業命令が出力されると共に、どの程度の故障
レベルかや、その故障レベルに応じてランク分けされた
サービスエンジニアの情報も出力される。そのため、こ
の本発明に係る他のプラズマ処理装置の性能管理システ
ムによれば、遠隔地に納入したプラズマ処理装置であっ
ても、搬送元において、その故障レベルを把握すること
ができる。そして、その故障レベルに応じて、教育訓練
度合の異なるサービスエンジニアを派遣することができ
る。従って、人材活用が合理化できると共に、迅速、か
つ、的確なサポートが可能となる。すなわち、装置納入
後のフィールドサポート体制の合理化が可能となるもの
である。
【００７５】評価基準２を用いる性能管理システムの場
合、サーバーは出力装置を備えている。この出力装置の
設置場所に特に限定はないが、搬送元、メーカー、サー
ビスセンター等、納入先に対する保守サービスを提供す
る場所ににおかれていることが望ましい。サーバーと出
力装置とが遠隔地におかれている場合には、両者の間に
は任意の通信回線が使用される。そして、このサーバー
は、評価基準２を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装
置の性能を評価すると共に、望ましくない評価結果を得
た場合には、出力装置から保守作業命令を、その評価結
果に用いられた最大値Ｃe1max又は最小値Ｃe1min や最大
値ＣX1max又は最小値ＣX1minを与えたプラズマ処理室の
固有番号と共に出力するものである。
合、サーバーは出力装置を備えている。この出力装置の
設置場所に特に限定はないが、搬送元、メーカー、サー
ビスセンター等、納入先に対する保守サービスを提供す
る場所ににおかれていることが望ましい。サーバーと出
力装置とが遠隔地におかれている場合には、両者の間に
は任意の通信回線が使用される。そして、このサーバー
は、評価基準２を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装
置の性能を評価すると共に、望ましくない評価結果を得
た場合には、出力装置から保守作業命令を、その評価結
果に用いられた最大値Ｃe1max又は最小値Ｃe1min や最大
値ＣX1max又は最小値ＣX1minを与えたプラズマ処理室の
固有番号と共に出力するものである。
【００７６】この場合、サーバーは評価基準２による評
価を行うために、納入先入力装置から高周波特性として
のロス容量ＣXの納入後における値ＣX1 やプラズマ電
極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1を受信する。ここ
で、納入後とは、再組み立て直後だけでなく、その後の
使用期間中を含むものである。すなわち、サーバーは、
納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性
能を反映するＣe1値や、このＣe1と全体容量ＣTから算
出できるＣx1を適宜継続して受信できるものである。ま
た、上記サーバーは、納入先入力装置から、高周波特性
としてのＣXの納入後における値ＣX1や、プラズマ電極
容量Ｃe の納入後における値Ｃe1と共に、その値を与え
るプラズマ処理室あるいはプラズマ処理装置の固有番号
も受信する。
価を行うために、納入先入力装置から高周波特性として
のロス容量ＣXの納入後における値ＣX1 やプラズマ電
極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1を受信する。ここ
で、納入後とは、再組み立て直後だけでなく、その後の
使用期間中を含むものである。すなわち、サーバーは、
納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性
能を反映するＣe1値や、このＣe1と全体容量ＣTから算
出できるＣx1を適宜継続して受信できるものである。ま
た、上記サーバーは、納入先入力装置から、高周波特性
としてのＣXの納入後における値ＣX1や、プラズマ電極
容量Ｃe の納入後における値Ｃe1と共に、その値を与え
るプラズマ処理室あるいはプラズマ処理装置の固有番号
も受信する。
【００７７】サーバーは、プラズマ処理装置全体、又は
プラズマ処理システム全体におけるプラズマ処理室のＣ
X1を総て受信すると、それらの値の中から、最大値Ｃ
X1max と最小値ＣX1minと、これらに対応する固有番号を
特定する。そして、 ＣX1r＝（ＣX1max−ＣX1min）／（ＣX1max＋ＣX1min） との定義に従い、ばらつきＣX1rを求め、その値が所定
の値以上の場合に、上記出力装置から、保守作業命令を
当該最大値ＣX1max又は最小値ＣX1minを与えたプラズマ
処理室あるいはプラズマ処理装置の固有番号と共に出力
する。また、サーバーは、プラズマ処理装置全体、又は
プラズマ処理システム全体におけるプラズマ処理室のＣ
e1を総て受信すると、それらの値の中から、最大値Ｃ
e1 maxと最小値Ｃe1minと、これらに対応する固有番号
を特定する。そして、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） との定義に従い、ばらつきＣe1rを求め、その値が所定
の値以上の場合に、上記出力装置から、保守作業命令を
当該最大値Ｃe1max又は最小値Ｃe1minを与えたプラズマ
処理室あるいはプラズマ処理装置の固有番号と共に出力
する。これにより、納入先のプラズマ処理装置やプラズ
マ処理システムの不具合を搬送元等のサービス提供者側
でいち早く把握し、直ちに保守サービスを提供すること
ができる。なお、各プラズマ処理室のＣX1は、対応する
プラズマ処理室のＣe と全体容量ＣTから計算することが
できる。
プラズマ処理システム全体におけるプラズマ処理室のＣ
X1を総て受信すると、それらの値の中から、最大値Ｃ
X1max と最小値ＣX1minと、これらに対応する固有番号を
特定する。そして、 ＣX1r＝（ＣX1max−ＣX1min）／（ＣX1max＋ＣX1min） との定義に従い、ばらつきＣX1rを求め、その値が所定
の値以上の場合に、上記出力装置から、保守作業命令を
当該最大値ＣX1max又は最小値ＣX1minを与えたプラズマ
処理室あるいはプラズマ処理装置の固有番号と共に出力
する。また、サーバーは、プラズマ処理装置全体、又は
プラズマ処理システム全体におけるプラズマ処理室のＣ
e1を総て受信すると、それらの値の中から、最大値Ｃ
e1 maxと最小値Ｃe1minと、これらに対応する固有番号
を特定する。そして、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） との定義に従い、ばらつきＣe1rを求め、その値が所定
の値以上の場合に、上記出力装置から、保守作業命令を
当該最大値Ｃe1max又は最小値Ｃe1minを与えたプラズマ
処理室あるいはプラズマ処理装置の固有番号と共に出力
する。これにより、納入先のプラズマ処理装置やプラズ
マ処理システムの不具合を搬送元等のサービス提供者側
でいち早く把握し、直ちに保守サービスを提供すること
ができる。なお、各プラズマ処理室のＣX1は、対応する
プラズマ処理室のＣe と全体容量ＣTから計算することが
できる。
【００７８】また、本発明のプラズマ処理装置の性能確
認システムにおいて、販売保守者がアップロードした各
プラズマ処理室ユニットの動作性能状況を示す性能状況
情報に対して、購入発注者が情報端末から公衆回線を介
して閲覧を可能とすることにより、購入発注者に対し
て、購入後の使用時における、プラズマ処理装置の動作
性能・保守情報を容易に提供することが可能となる。ま
た、上記性能状況情報が、上述したようにプラズマ処理
装置に対する性能パラメータとしてのプラズマ電極容量
Ｃxと、上記高周波電源の接続された電極と対となり協
働してプラズマを発生する電極との間のプラズマ電極容
量Ｃe を含むことにより、購入発注者のプラズマ処理装
置に対する性能判断材料を提供することが可能となる。
さらに、上記性能状況情報を、カタログまたは仕様書と
して出力することができる。
認システムにおいて、販売保守者がアップロードした各
プラズマ処理室ユニットの動作性能状況を示す性能状況
情報に対して、購入発注者が情報端末から公衆回線を介
して閲覧を可能とすることにより、購入発注者に対し
て、購入後の使用時における、プラズマ処理装置の動作
性能・保守情報を容易に提供することが可能となる。ま
た、上記性能状況情報が、上述したようにプラズマ処理
装置に対する性能パラメータとしてのプラズマ電極容量
Ｃxと、上記高周波電源の接続された電極と対となり協
働してプラズマを発生する電極との間のプラズマ電極容
量Ｃe を含むことにより、購入発注者のプラズマ処理装
置に対する性能判断材料を提供することが可能となる。
さらに、上記性能状況情報を、カタログまたは仕様書と
して出力することができる。
【００７９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るプラズマ処理
装置の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。 ［第１実施形態］図１は本実施形態のプラズマ処理装置
の概略構成を示す断面図、図２は図１におけるプラズマ
処理装置の整合回路を示す模式図、図３は図１における
蓋体を示す模式図である。
装置の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。 ［第１実施形態］図１は本実施形態のプラズマ処理装置
の概略構成を示す断面図、図２は図１におけるプラズマ
処理装置の整合回路を示す模式図、図３は図１における
蓋体を示す模式図である。
【００８０】本実施形態のプラズマ処理装置は、ＣＶＤ
（ chemical vapor deposition）、ドライエッチング、
アッシング等のプラズマ処理をおこなう１周波数励起タ
イプのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）７
５とされ、プラズマを励起するための平行平板型電極
４，８が設けられ、この電極４に接続された高周波電源
１と、プラズマチャンバ７５と高周波電源１とのインピ
ーダンス整合を得るための整合回路２Ａとを具備する構
成とされる。同時に、本実施形態のプラズマ処理装置
は、後述するように、平行平板型電極４，８のプラズマ
電極容量Ｃe の２６倍が、上記高周波電源の接続された
電極と直流的にアースされた各接地電位部との間の容量
（ロス容量）ＣX より大きな範囲の値に設定されて設
計、製造されている。そして、分解搬送後、納入先にお
いて再組み立てした後においても、さらに、その後の使
用期間においても、その時のＣX1（時刻ｔ0の後の時刻
ｔ1における上記高周波電源の接続された電極と直流的
にアースされた各接地電位部との間のロス容量の値）
が、ＣX1と、ＣX0（時刻ｔ0における上記高周波電源の
接続された電極と直流的にアースされた各接地電位部と
の間のロス容量の値） との差ΔＣXの絶対値がＣX0の１
０％より小さい値となるように維持されている。
（ chemical vapor deposition）、ドライエッチング、
アッシング等のプラズマ処理をおこなう１周波数励起タ
イプのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）７
５とされ、プラズマを励起するための平行平板型電極
４，８が設けられ、この電極４に接続された高周波電源
１と、プラズマチャンバ７５と高周波電源１とのインピ
ーダンス整合を得るための整合回路２Ａとを具備する構
成とされる。同時に、本実施形態のプラズマ処理装置
は、後述するように、平行平板型電極４，８のプラズマ
電極容量Ｃe の２６倍が、上記高周波電源の接続された
電極と直流的にアースされた各接地電位部との間の容量
（ロス容量）ＣX より大きな範囲の値に設定されて設
計、製造されている。そして、分解搬送後、納入先にお
いて再組み立てした後においても、さらに、その後の使
用期間においても、その時のＣX1（時刻ｔ0の後の時刻
ｔ1における上記高周波電源の接続された電極と直流的
にアースされた各接地電位部との間のロス容量の値）
が、ＣX1と、ＣX0（時刻ｔ0における上記高周波電源の
接続された電極と直流的にアースされた各接地電位部と
の間のロス容量の値） との差ΔＣXの絶対値がＣX0の１
０％より小さい値となるように維持されている。
【００８１】さらに詳細に説明すると、本実施形態のプ
ラズマ処理装置は、プラズマチャンバ７５は、図１〜図
３に示すように、チャンバ室（プラズマ処理室）６０の
上部位置に高周波電源１に接続されたプラズマ励起電極
（電極）４およびシャワープレート５が設けられ、チャ
ンバ室６０の下部にはシャワープレート５に対向して被
処理基板１６を載置するサセプタ電極（対向電極）８が
設けられている。プラズマ励起電極４は、給電板（高周
波電力配電体）３，整合回路２Ａ，高周波電力供給電体
（給電線）１Ａを介して高周波電源１と接続されてい
る。これらプラズマ励起電極４および給電板３は、シャ
ーシ２１に覆われるとともに、整合回路２Ａは導電体か
らなるマッチングボックス２の内部に収納されている。
給電板３としては、例えば、幅５０〜１００ｍｍ、厚さ
０．５ｍｍ、長さ１００〜３００ｍｍの形状を有する銅
の表面に銀めっきを施したものが用いられており、この
給電板３は後述する整合回路２Ａのチューニングコンデ
ンサ２４の出力端子、およびプラズマ励起電極４にそれ
ぞれネジ止めされている。
ラズマ処理装置は、プラズマチャンバ７５は、図１〜図
３に示すように、チャンバ室（プラズマ処理室）６０の
上部位置に高周波電源１に接続されたプラズマ励起電極
（電極）４およびシャワープレート５が設けられ、チャ
ンバ室６０の下部にはシャワープレート５に対向して被
処理基板１６を載置するサセプタ電極（対向電極）８が
設けられている。プラズマ励起電極４は、給電板（高周
波電力配電体）３，整合回路２Ａ，高周波電力供給電体
（給電線）１Ａを介して高周波電源１と接続されてい
る。これらプラズマ励起電極４および給電板３は、シャ
ーシ２１に覆われるとともに、整合回路２Ａは導電体か
らなるマッチングボックス２の内部に収納されている。
給電板３としては、例えば、幅５０〜１００ｍｍ、厚さ
０．５ｍｍ、長さ１００〜３００ｍｍの形状を有する銅
の表面に銀めっきを施したものが用いられており、この
給電板３は後述する整合回路２Ａのチューニングコンデ
ンサ２４の出力端子、およびプラズマ励起電極４にそれ
ぞれネジ止めされている。
【００８２】また、プラズマ励起電極（カソード電極）
４の下側には凸部４ａが設けられるとともに、このプラ
ズマ励起電極（カソード電極）４の下には、多数の孔７
が形成されているシャワープレート５が凸部４ａに接し
て設けられている。これらプラズマ励起電極４とシャワ
ープレート５との間には空間６が形成されている。この
空間６にはガス導入管１７が接続されている。このガス
導入管１７は、導体からなるとともに、ガス導入管１７
の途中には絶縁体１７ａがシャーシ２１内側位置に介挿
されてプラズマ励起電極４側とガス供給源側とが絶縁さ
れる。
４の下側には凸部４ａが設けられるとともに、このプラ
ズマ励起電極（カソード電極）４の下には、多数の孔７
が形成されているシャワープレート５が凸部４ａに接し
て設けられている。これらプラズマ励起電極４とシャワ
ープレート５との間には空間６が形成されている。この
空間６にはガス導入管１７が接続されている。このガス
導入管１７は、導体からなるとともに、ガス導入管１７
の途中には絶縁体１７ａがシャーシ２１内側位置に介挿
されてプラズマ励起電極４側とガス供給源側とが絶縁さ
れる。
【００８３】ガス導入管１７から導入されたガスは、シ
ャワープレート５の多数の孔７，７からチャンバ壁１０
により形成されたチャンバ室６０内に供給される。チャ
ンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電極）４とは
絶縁体９により互いに絶縁されている。また、図２にお
いて、チャンバ室６０に接続される排気系の図示は省略
してある。一方、チャンバ室６０内には基板１６を載置
しプラズマ励起電極ともなる盤状のウエハサセプタ（サ
セプタ電極）８が設けられている。
ャワープレート５の多数の孔７，７からチャンバ壁１０
により形成されたチャンバ室６０内に供給される。チャ
ンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電極）４とは
絶縁体９により互いに絶縁されている。また、図２にお
いて、チャンバ室６０に接続される排気系の図示は省略
してある。一方、チャンバ室６０内には基板１６を載置
しプラズマ励起電極ともなる盤状のウエハサセプタ（サ
セプタ電極）８が設けられている。
【００８４】チャンバ壁１０の上端部分は、その全周に
わたってチャンバ壁上部１０ａとして分離可能とされて
おり、このチャンバ壁上部１０ａとチャンバ壁１０との
間には図示しないＯリング等の密閉手段が設けられてチ
ャンバ室６０内部の密閉を維持可能となっている。この
チャンバ壁上部１０ａはシャーシ２１側壁の下端部と接
続されており、チャンバ壁上部１０ａとシャーシ２１は
直流的に同電位となっている。図３に示すように、チャ
ンバ壁上部１０ａ，プラズマ励起電極４，シャワープレ
ート５，絶縁体９，シャーシ２１，ガス導入管１７は、
一体として，チャンバ壁１０，サセプタ電極８等の下部
構造から分離可能とされる蓋体１９を構成しており、蓋
体１９は例えば図示しないヒンジ等の開放手段により、
チャンバ壁１０に対して回動してチャンバ室６０を開放
可能な構造とされている。
わたってチャンバ壁上部１０ａとして分離可能とされて
おり、このチャンバ壁上部１０ａとチャンバ壁１０との
間には図示しないＯリング等の密閉手段が設けられてチ
ャンバ室６０内部の密閉を維持可能となっている。この
チャンバ壁上部１０ａはシャーシ２１側壁の下端部と接
続されており、チャンバ壁上部１０ａとシャーシ２１は
直流的に同電位となっている。図３に示すように、チャ
ンバ壁上部１０ａ，プラズマ励起電極４，シャワープレ
ート５，絶縁体９，シャーシ２１，ガス導入管１７は、
一体として，チャンバ壁１０，サセプタ電極８等の下部
構造から分離可能とされる蓋体１９を構成しており、蓋
体１９は例えば図示しないヒンジ等の開放手段により、
チャンバ壁１０に対して回動してチャンバ室６０を開放
可能な構造とされている。
【００８５】サセプタ電極（対向電極）８の下部中央に
は、シャフト１３が接続され、このシャフト１３がチャ
ンバ底部１０Ａを貫通して設けられるとともに、シャフ
ト１３の下端部とチャンバ底部１０Ａ中心部とがベロー
ズ１１により密閉接続されている。これら、ウエハサセ
プタ８およびシャフト１３はベローズ１１により上下動
可能となっており、電極４，８間の距離の調整ができ
る。これらサセプタ電極８とシャフト１３とが接続され
ているため、サセプタ電極８，シャフト１３，ベローズ
１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０，チャンバ
壁上部１０ａは直流的に同電位となっている。さらに、
チャンバ壁１０とチャンバ壁上部１０ａとシャーシ２１
は接続されているため、チャンバ壁１０，チャンバ壁上
部１０ａ，シャーシ２１，マッチングボックス２はいず
れも直流的に同電位となっている。
は、シャフト１３が接続され、このシャフト１３がチャ
ンバ底部１０Ａを貫通して設けられるとともに、シャフ
ト１３の下端部とチャンバ底部１０Ａ中心部とがベロー
ズ１１により密閉接続されている。これら、ウエハサセ
プタ８およびシャフト１３はベローズ１１により上下動
可能となっており、電極４，８間の距離の調整ができ
る。これらサセプタ電極８とシャフト１３とが接続され
ているため、サセプタ電極８，シャフト１３，ベローズ
１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０，チャンバ
壁上部１０ａは直流的に同電位となっている。さらに、
チャンバ壁１０とチャンバ壁上部１０ａとシャーシ２１
は接続されているため、チャンバ壁１０，チャンバ壁上
部１０ａ，シャーシ２１，マッチングボックス２はいず
れも直流的に同電位となっている。
【００８６】ここで、整合回路２Ａは、チャンバ室６０
内のプラズマ状態等の変化に対応してインピーダンスを
調整するために、その多くは複数の受動素子を具備する
構成とされている。整合回路２Ａは、図１，図２に示す
ように、複数の受動素子として、高周波電源１と給電板
３との間に、コイル２３とチューニングコンデンサ２４
とが直列に設けられ、これらコイル２３とチューニング
コンデンサ２４とには、並列にロードコンデンサ２２が
接続され、このロードコンデンサ２２の一端はマッチン
グボックス２に接続されている。ここで、チューニング
コンデンサ２４は給電板３を介してプラズマ励起電極４
に接続されている。マッチングボックス２は、同軸ケー
ブルとされる給電線（高周波電力供給電体）１Ａのシー
ルド線に接続されており、このシールド線が直流的にア
ースされている。これにより、サセプタ電極８，シャフ
ト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ
壁１０，シャーシ２１，マッチングボックス２は接地電
位に設定されることになり、同時に、ロードコンデンサ
２２の一端も直流的にアースされた状態となる。
内のプラズマ状態等の変化に対応してインピーダンスを
調整するために、その多くは複数の受動素子を具備する
構成とされている。整合回路２Ａは、図１，図２に示す
ように、複数の受動素子として、高周波電源１と給電板
３との間に、コイル２３とチューニングコンデンサ２４
とが直列に設けられ、これらコイル２３とチューニング
コンデンサ２４とには、並列にロードコンデンサ２２が
接続され、このロードコンデンサ２２の一端はマッチン
グボックス２に接続されている。ここで、チューニング
コンデンサ２４は給電板３を介してプラズマ励起電極４
に接続されている。マッチングボックス２は、同軸ケー
ブルとされる給電線（高周波電力供給電体）１Ａのシー
ルド線に接続されており、このシールド線が直流的にア
ースされている。これにより、サセプタ電極８，シャフ
ト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ
壁１０，シャーシ２１，マッチングボックス２は接地電
位に設定されることになり、同時に、ロードコンデンサ
２２の一端も直流的にアースされた状態となる。
【００８７】ここで、本実施形態のプラズマチャンバ７
５におけるプラズマ電極容量Ｃe とロス容量ＣX につい
て説明する。図４はプラズマチャンバ７５のロス容量Ｃ
X を説明するための模式図であり、図５は、図４の等価
回路を示す回路図である。
５におけるプラズマ電極容量Ｃe とロス容量ＣX につい
て説明する。図４はプラズマチャンバ７５のロス容量Ｃ
X を説明するための模式図であり、図５は、図４の等価
回路を示す回路図である。
【００８８】プラズマ電極容量Ｃe は、平行平板型とさ
れるプラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間の容量
であり、電極４，８の面積とこれら電極４，８間の距離
とにより規定される。一方、ロス容量ＣX は、プラズマ
励起電極４からサセプタ電極８以外に流れる電流に対す
る容量成分の総和であり、すなわち、プラズマ励起電極
４と、直流的にアースされた各接地電位部との間の容量
である。ここで、各接地電位部とは、サセプタ電極８以
外のアース電位にあるプラズマチャンバ７５の各部であ
り、シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０
Ａ，チャンバ壁１０，チャンバ壁上部１０ａ，シャーシ
２１，マッチングボックス２，ガス導入管１７，を意味
するものであるが、ロス容量ＣX としてプラズマ励起電
極４に対向する部分として、具体的には図４に示すよう
に、ガス導入管１７，シャーシ２１，チャンバ壁上部１
０ａを考慮する。すると、ロス容量ＣX としては、絶縁
体１７ａを挟んだプラズマ励起電極４とガス導入管１７
との間の容量ＣA 、プラズマ励起電極４とシャーシ２１
との間の容量ＣB 、プラズマ励起電極４とチャンバ壁上
部１０ａとの間の容量ＣC の和として定義される。つま
り、図４に示すように、蓋体１９をプラズマチャンバ７
５から電気的に分離した状態において、この蓋体１９に
おけるプラズマ励起電極４からサセプタ電極８以外に流
れる電流に対する容量成分の和をロス容量ＣX と見なす
ことができる。
れるプラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間の容量
であり、電極４，８の面積とこれら電極４，８間の距離
とにより規定される。一方、ロス容量ＣX は、プラズマ
励起電極４からサセプタ電極８以外に流れる電流に対す
る容量成分の総和であり、すなわち、プラズマ励起電極
４と、直流的にアースされた各接地電位部との間の容量
である。ここで、各接地電位部とは、サセプタ電極８以
外のアース電位にあるプラズマチャンバ７５の各部であ
り、シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０
Ａ，チャンバ壁１０，チャンバ壁上部１０ａ，シャーシ
２１，マッチングボックス２，ガス導入管１７，を意味
するものであるが、ロス容量ＣX としてプラズマ励起電
極４に対向する部分として、具体的には図４に示すよう
に、ガス導入管１７，シャーシ２１，チャンバ壁上部１
０ａを考慮する。すると、ロス容量ＣX としては、絶縁
体１７ａを挟んだプラズマ励起電極４とガス導入管１７
との間の容量ＣA 、プラズマ励起電極４とシャーシ２１
との間の容量ＣB 、プラズマ励起電極４とチャンバ壁上
部１０ａとの間の容量ＣC の和として定義される。つま
り、図４に示すように、蓋体１９をプラズマチャンバ７
５から電気的に分離した状態において、この蓋体１９に
おけるプラズマ励起電極４からサセプタ電極８以外に流
れる電流に対する容量成分の和をロス容量ＣX と見なす
ことができる。
【００８９】実際には、図３に示すように、チャンバ壁
１０から分離した蓋体１９において上記整合回路２Ａの
出力端子とされる測定位置ＰＲから測定した容量がロス
容量ＣX とされる。ここで、「分離」とはヒンジ等によ
り蓋体１９を回動させること等によりチャンバ室６０を
開放した状態を示しており、これは、蓋体とチャンバ壁
１０とが物理的に接続されていないことも含んでいる
が、主に、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との容
量が非計測状態となっていることを意味するものであ
る。本実施形態における蓋体１９における測定範囲とし
ては、整合回路２Ａの受動素子のうち出力最終段の受動
素子の出力端子位置で切り離した状態をその対象とす
る。つまり、図４に示すように、給電板３に接続される
チューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲで、給
電板３と整合回路２Ａの端子との接合部つまりネジ止め
を外して整合回路２Ａを切り離した状態の蓋体１９を測
定範囲とする。
１０から分離した蓋体１９において上記整合回路２Ａの
出力端子とされる測定位置ＰＲから測定した容量がロス
容量ＣX とされる。ここで、「分離」とはヒンジ等によ
り蓋体１９を回動させること等によりチャンバ室６０を
開放した状態を示しており、これは、蓋体とチャンバ壁
１０とが物理的に接続されていないことも含んでいる
が、主に、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との容
量が非計測状態となっていることを意味するものであ
る。本実施形態における蓋体１９における測定範囲とし
ては、整合回路２Ａの受動素子のうち出力最終段の受動
素子の出力端子位置で切り離した状態をその対象とす
る。つまり、図４に示すように、給電板３に接続される
チューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲで、給
電板３と整合回路２Ａの端子との接合部つまりネジ止め
を外して整合回路２Ａを切り離した状態の蓋体１９を測
定範囲とする。
【００９０】そして図４に破線で示すように、高周波特
性測定器ＡＮのプローブ１０５を、切り離した出力端子
位置ＰＲおよび蓋体１９の例えばシャーシ２１とされる
アース位置に接続する。このプローブ１０５は、図４に
示すように、導線１１０上に絶縁被覆１１２を設け、こ
の絶縁被覆１１２上に外周導体１１１を被覆してなるも
のである。このプローブ１０５は同軸ケーブルを通して
インピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮに接続
されている。ここで、プローブ１０５は、導線１１０を
出力端子位置ＰＲに、また、外周導体１１１をシャーシ
２１の上面中央とされるアース位置に接続する。なお、
本実施形態では高周波特性測定器ＡＮとして、インピー
ダンス測定器を用いたが、測定周波数固定のＬＣＲメー
ターや、容量測定機能付きのテスタを用いてもよい。こ
れにより、図５に示すように、ロス容量ＣX として、以
下の電気的高周波的要因が計測できる。絶縁体１７ａを
挟んだプラズマ励起電極４とガス導入管１７との間の容
量ＣAプラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量
ＣBプラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間
の容量ＣC
性測定器ＡＮのプローブ１０５を、切り離した出力端子
位置ＰＲおよび蓋体１９の例えばシャーシ２１とされる
アース位置に接続する。このプローブ１０５は、図４に
示すように、導線１１０上に絶縁被覆１１２を設け、こ
の絶縁被覆１１２上に外周導体１１１を被覆してなるも
のである。このプローブ１０５は同軸ケーブルを通して
インピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮに接続
されている。ここで、プローブ１０５は、導線１１０を
出力端子位置ＰＲに、また、外周導体１１１をシャーシ
２１の上面中央とされるアース位置に接続する。なお、
本実施形態では高周波特性測定器ＡＮとして、インピー
ダンス測定器を用いたが、測定周波数固定のＬＣＲメー
ターや、容量測定機能付きのテスタを用いてもよい。こ
れにより、図５に示すように、ロス容量ＣX として、以
下の電気的高周波的要因が計測できる。絶縁体１７ａを
挟んだプラズマ励起電極４とガス導入管１７との間の容
量ＣAプラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量
ＣBプラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間
の容量ＣC
【００９１】本実施形態のプラズマチャンバ７５におい
ては、このように定義されたロス容量ＣX とプラズマ電
極容量Ｃe とが、プラズマ電極容量Ｃe の２６倍が、ロ
ス容量ＣX より大きな範囲の値になるように設定する。
ここで、ロス容量ＣX とプラズマ電極容量Ｃe とが上記
の関係を満たすように設定する方法としては、例えば、 プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との距離、面積
等を調整する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとのオー
バーラップ面積を調整する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の
絶縁材の材質を調節する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の
絶縁材の厚さを調整する。 プラズマ励起電極４とシャーシ２１との距離、面積等
を調整する。 ガス導入管１７に挿入した絶縁体１７ａの材質を調整
する。 ガス導入管１７に挿入した絶縁体１７ａの長さを調整
する。 等の手法を適用することができる。
ては、このように定義されたロス容量ＣX とプラズマ電
極容量Ｃe とが、プラズマ電極容量Ｃe の２６倍が、ロ
ス容量ＣX より大きな範囲の値になるように設定する。
ここで、ロス容量ＣX とプラズマ電極容量Ｃe とが上記
の関係を満たすように設定する方法としては、例えば、 プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との距離、面積
等を調整する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとのオー
バーラップ面積を調整する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の
絶縁材の材質を調節する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の
絶縁材の厚さを調整する。 プラズマ励起電極４とシャーシ２１との距離、面積等
を調整する。 ガス導入管１７に挿入した絶縁体１７ａの材質を調整
する。 ガス導入管１７に挿入した絶縁体１７ａの長さを調整
する。 等の手法を適用することができる。
【００９２】本実施形態のプラズマ処理装置（プラズマ
チャンバ）７５においては、蓋体１９をチャンバ壁１０
に接続するとともに、整合回路２Ａ，マッチングボック
ス２，給電線１Ａ，高周波電源１をそれぞれ所定の場所
に接続し、高周波電源１により１３．５６ＭＨｚ程度以
上の周波数の電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨ
ｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の
電力を投入して、両電極４，８の間でプラズマを生成
し、このプラズマにより、サセプタ電極８に載置した基
板１６にＣＶＤ（ chemical vapor deposition）、スパ
ッタリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズ
マ処理をおこなうことができる。このとき、高周波電力
は、高周波電源１から給電線１Ａの同軸ケーブル，整合
回路２Ａ，給電板３，プラズマ励起電極（カソード電
極）４に供給される。一方、高周波電流の経路を考えた
場合、電流はこれらを介してプラズマ空間（チャンバ室
６０）を経由した後、さらにもう一方の電極（サセプタ
電極）８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部
１０Ａ，チャンバ壁１０，チャンバ壁上部１０ａを通
る。その後、シャーシ２１，マッチングボックス２，給
電線１Ａのシールド線を通り、高周波電源１のアースに
戻る。
チャンバ）７５においては、蓋体１９をチャンバ壁１０
に接続するとともに、整合回路２Ａ，マッチングボック
ス２，給電線１Ａ，高周波電源１をそれぞれ所定の場所
に接続し、高周波電源１により１３．５６ＭＨｚ程度以
上の周波数の電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨ
ｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の
電力を投入して、両電極４，８の間でプラズマを生成
し、このプラズマにより、サセプタ電極８に載置した基
板１６にＣＶＤ（ chemical vapor deposition）、スパ
ッタリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズ
マ処理をおこなうことができる。このとき、高周波電力
は、高周波電源１から給電線１Ａの同軸ケーブル，整合
回路２Ａ，給電板３，プラズマ励起電極（カソード電
極）４に供給される。一方、高周波電流の経路を考えた
場合、電流はこれらを介してプラズマ空間（チャンバ室
６０）を経由した後、さらにもう一方の電極（サセプタ
電極）８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部
１０Ａ，チャンバ壁１０，チャンバ壁上部１０ａを通
る。その後、シャーシ２１，マッチングボックス２，給
電線１Ａのシールド線を通り、高周波電源１のアースに
戻る。
【００９３】ここで、プラズマ発光時に供給される高周
波電流が流れる回路に対して、考慮される電気的高周波
的要因は、図６，図７に示すように、上記測定範囲のう
ち、以下のものが考えられる。 給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬf および抵抗
Ｒf プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ
電極容量Ｃe シャフト１３のインダクタンスＬC および抵抗ＲC ベローズ１１のインダクタンスＬB および抵抗ＲB チャンバ壁１０のインダクタンスＬA および抵抗ＲA 絶縁体１７ａを挟むガス導入管１７とプラズマ励起電極
４との間の容量ＣA プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣB プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の容
量ＣC
波電流が流れる回路に対して、考慮される電気的高周波
的要因は、図６，図７に示すように、上記測定範囲のう
ち、以下のものが考えられる。 給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬf および抵抗
Ｒf プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ
電極容量Ｃe シャフト１３のインダクタンスＬC および抵抗ＲC ベローズ１１のインダクタンスＬB および抵抗ＲB チャンバ壁１０のインダクタンスＬA および抵抗ＲA 絶縁体１７ａを挟むガス導入管１７とプラズマ励起電極
４との間の容量ＣA プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣB プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の容
量ＣC
【００９４】これらの電気的高周波的要因が、図５に示
すように、給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬf
および抵抗Ｒf 、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８
との間のプラズマ電極容量Ｃe 、シャフト１３のインダ
クタンスＬC および抵抗ＲC、ベローズ１１のインダク
タンスＬB および抵抗ＲB 、チャンバ壁１０のインダク
タンスＬA および抵抗ＲA 、が順に直列に接続されてそ
の終端の抵抗ＲA がアースされるとともに、抵抗Ｒf と
プラズマ電極容量Ｃe との間に、容量ＣA ，容量ＣB ，
容量ＣC の一端がアースされた状態でそれぞれ並列に接
続された等価回路を形成しており、この等価回路におい
て、高周波電源１から供給された電流Ｉ〜 は、概略、
図８に示すように、プラズマ電極容量Ｃeに投入される
プラズマ電流Ｉeと、それ以外の部分に分流してしまう
ロス電流ＩX とに分けられる。 Ｉ〜 ＝Ｉe＋ＩX （１４）
すように、給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬf
および抵抗Ｒf 、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８
との間のプラズマ電極容量Ｃe 、シャフト１３のインダ
クタンスＬC および抵抗ＲC、ベローズ１１のインダク
タンスＬB および抵抗ＲB 、チャンバ壁１０のインダク
タンスＬA および抵抗ＲA 、が順に直列に接続されてそ
の終端の抵抗ＲA がアースされるとともに、抵抗Ｒf と
プラズマ電極容量Ｃe との間に、容量ＣA ，容量ＣB ，
容量ＣC の一端がアースされた状態でそれぞれ並列に接
続された等価回路を形成しており、この等価回路におい
て、高周波電源１から供給された電流Ｉ〜 は、概略、
図８に示すように、プラズマ電極容量Ｃeに投入される
プラズマ電流Ｉeと、それ以外の部分に分流してしまう
ロス電流ＩX とに分けられる。 Ｉ〜 ＝Ｉe＋ＩX （１４）
【００９５】プラズマチャンバ７５の回路においては、
上述のように、プラズマ電極容量Ｃe の２６倍が、ロス
容量ＣX より大きな範囲の値になるように設定されてい
ることにより、プラズマ励起電極４，サセプタ８間のイ
ンピーダンスに比べて、プラズマ励起電極４，各接地電
位部１７，２１，１０ａのインピーダンスが大きくな
る。これは、虚数単位をｊ（ｊ2 ＝−１）、角振動数を
ω（ω＝２πｆe ；ｆeは電力周波数）とすると、イン
ピーダンスＺ（Ω）が容量Ｃに対して以下の式（１
１）、 Ｚ ∝ −ｊ／ωＣ （１１） で示される関係を満たしているため、容量を定義するこ
とにより、上記の様にインピーダンスを設定することが
可能なためである。その結果、電流Ｉはインピーダンス
Ｚ（Ω）に反比例するために、プラズマ電流Ｉeに比べ
てロス電流ＩX の分流が増加することを抑制することが
できる。従来一般的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ
程度以上の高い周波数ｆe の電力を投入した場合であっ
ても、プラズマ発生空間に投入されるプラズマ電流Ｉe
を増大することが可能となる。
上述のように、プラズマ電極容量Ｃe の２６倍が、ロス
容量ＣX より大きな範囲の値になるように設定されてい
ることにより、プラズマ励起電極４，サセプタ８間のイ
ンピーダンスに比べて、プラズマ励起電極４，各接地電
位部１７，２１，１０ａのインピーダンスが大きくな
る。これは、虚数単位をｊ（ｊ2 ＝−１）、角振動数を
ω（ω＝２πｆe ；ｆeは電力周波数）とすると、イン
ピーダンスＺ（Ω）が容量Ｃに対して以下の式（１
１）、 Ｚ ∝ −ｊ／ωＣ （１１） で示される関係を満たしているため、容量を定義するこ
とにより、上記の様にインピーダンスを設定することが
可能なためである。その結果、電流Ｉはインピーダンス
Ｚ（Ω）に反比例するために、プラズマ電流Ｉeに比べ
てロス電流ＩX の分流が増加することを抑制することが
できる。従来一般的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ
程度以上の高い周波数ｆe の電力を投入した場合であっ
ても、プラズマ発生空間に投入されるプラズマ電流Ｉe
を増大することが可能となる。
【００９６】そして、 上記のように定義されたロス容
量ＣXがプラズマ電極容量Ｃe の２６倍より小さい範囲
の値に設定されてなる(プラズマ電極容量Ｃe の２６倍
が、ロス容量ＣX より大きな範囲の値に設定されてな
る)ことにより、高周波電源１から供給される電流Ｉ〜
のうち、電極４，８以外への分流分をコントロールする
ことが可能となるため、電力を効率よくチャンバ室６０
のプラズマ発生空間に導入することが可能となり、同一
周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と比
べてプラズマ空間で消費される実効的な電力の上昇を図
ることができる。その結果、膜の積層をおこなう際に
は、堆積速度の向上を図ることを可能とすることができ
る。上記の範囲に、プラズマ電極容量Ｃe ，ロス容量Ｃ
X を設定することにより、各実機に対しても、従来考慮
されていなかった部分の全般的な電気的高周波的特性を
設定することが可能となり、プラズマ発生の安定性を期
待することができる。その結果、動作安定性の高いプラ
ズマ処理装置を提供することが可能となる。その結果、
プラズマ発生空間に投入されるプラズマ電流Ｉe に対し
てプラズマチャンバ（プラズマ処理室ユニット）の他の
各接地電位部に分流してしまうロス電流ＩX を削減し
て、プラズマ発生空間に投入される電力が目減りするこ
とを防止し、同一周波数を供給した場合に、従来のプラ
ズマ処理装置と比べてプラズマ空間で消費される実効的
な電力の上昇を図ることができる。
量ＣXがプラズマ電極容量Ｃe の２６倍より小さい範囲
の値に設定されてなる(プラズマ電極容量Ｃe の２６倍
が、ロス容量ＣX より大きな範囲の値に設定されてな
る)ことにより、高周波電源１から供給される電流Ｉ〜
のうち、電極４，８以外への分流分をコントロールする
ことが可能となるため、電力を効率よくチャンバ室６０
のプラズマ発生空間に導入することが可能となり、同一
周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と比
べてプラズマ空間で消費される実効的な電力の上昇を図
ることができる。その結果、膜の積層をおこなう際に
は、堆積速度の向上を図ることを可能とすることができ
る。上記の範囲に、プラズマ電極容量Ｃe ，ロス容量Ｃ
X を設定することにより、各実機に対しても、従来考慮
されていなかった部分の全般的な電気的高周波的特性を
設定することが可能となり、プラズマ発生の安定性を期
待することができる。その結果、動作安定性の高いプラ
ズマ処理装置を提供することが可能となる。その結果、
プラズマ発生空間に投入されるプラズマ電流Ｉe に対し
てプラズマチャンバ（プラズマ処理室ユニット）の他の
各接地電位部に分流してしまうロス電流ＩX を削減し
て、プラズマ発生空間に投入される電力が目減りするこ
とを防止し、同一周波数を供給した場合に、従来のプラ
ズマ処理装置と比べてプラズマ空間で消費される実効的
な電力の上昇を図ることができる。
【００９７】さらに、プラズマ空間で消費される実効的
な電力の上昇により、被処理基体１６における膜面内方
向におけるプラズマ処理の均一性の向上を図ることがで
き、成膜処理においては膜厚の膜面内方向分布の均一性
の向上を図ることが可能となる。同時に、プラズマ空間
で消費される実効的な電力の上昇により、プラズマＣＶ
Ｄ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状
態の向上、すなわち、堆積した膜における絶縁耐圧や、
エッチング液に対する耐エッチング性、そして、いわゆ
る膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等の膜特性の向上を図
ることが可能となる。ここで、膜の緻密さは例えば、Ｂ
ＨＦ液によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エ
ッチング性によって表現可能である。
な電力の上昇により、被処理基体１６における膜面内方
向におけるプラズマ処理の均一性の向上を図ることがで
き、成膜処理においては膜厚の膜面内方向分布の均一性
の向上を図ることが可能となる。同時に、プラズマ空間
で消費される実効的な電力の上昇により、プラズマＣＶ
Ｄ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状
態の向上、すなわち、堆積した膜における絶縁耐圧や、
エッチング液に対する耐エッチング性、そして、いわゆ
る膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等の膜特性の向上を図
ることが可能となる。ここで、膜の緻密さは例えば、Ｂ
ＨＦ液によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エ
ッチング性によって表現可能である。
【００９８】さらに、同一周波数を供給した場合に、従
来のプラズマ処理装置と比べてプラズマ空間で消費され
る実効的な電力の上昇を図ることができるため、電力の
消費効率を向上し、同等の処理速度もしくは膜特性を得
るために、従来より少ない投入電力ですむようにでき
る。したがって、電力損失の低減を図ること、ランニン
グコストの削減を図ること、生産性の向上を図ることが
できる。同時に、処理時間を短縮することが可能となる
ため、プラズマ処理時において放出される二酸化炭素の
総量を削減することが可能となる。
来のプラズマ処理装置と比べてプラズマ空間で消費され
る実効的な電力の上昇を図ることができるため、電力の
消費効率を向上し、同等の処理速度もしくは膜特性を得
るために、従来より少ない投入電力ですむようにでき
る。したがって、電力損失の低減を図ること、ランニン
グコストの削減を図ること、生産性の向上を図ることが
できる。同時に、処理時間を短縮することが可能となる
ため、プラズマ処理時において放出される二酸化炭素の
総量を削減することが可能となる。
【００９９】そして、プラズマ電極容量Ｃe の２６倍
が、上記のように定義された容量（ロス容量）ＣX より
大きな範囲の値になるようにＣe0 が設定されて設計、
製造されている。そして、本プラズマ処理装置が分解搬
送後、納入先において再組み立てした後においても、さ
らに、その後それが使用され被処理物のプラズマ処理が
行われても、さらには、分解掃除、部品交換、組み立て
調整等の調整作業が施されても、その時のＣX1（時刻ｔ
0の後の時刻ｔ1における上記高周波電源の接続された電
極と直流的にアースされた各接地電位部との間のロス容
量の値）が、ＣX1 と、ＣX0（時刻ｔ0における上記高周
波電源の接続された電極と直流的にアースされた各接地
電位部との間のロス容量の値） との差ΔＣXの絶対値が
ＣX0の１０％より小さい値となるように維持されてい
る。そのために、もし、ΔＣXの絶対値がＣx0の１０％
以上となった場合は是正作業が行われる。ここで、上記
ＣX1を是正する方法としては、例えば、 プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との距離、面積
等を調整する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとのオー
バーラップ面積を調整する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の
絶縁材の材質を調節する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の
絶縁材の厚さを調整する。 プラズマ励起電極４とシャーシ２１との距離、面積等
を調整する。 ガス導入管１７に挿入した絶縁体１７ａの材質を調整
する。 ガス導入管１７に挿入した絶縁体１７ａの長さを調整
する。 等の手法を適用することができる。
が、上記のように定義された容量（ロス容量）ＣX より
大きな範囲の値になるようにＣe0 が設定されて設計、
製造されている。そして、本プラズマ処理装置が分解搬
送後、納入先において再組み立てした後においても、さ
らに、その後それが使用され被処理物のプラズマ処理が
行われても、さらには、分解掃除、部品交換、組み立て
調整等の調整作業が施されても、その時のＣX1（時刻ｔ
0の後の時刻ｔ1における上記高周波電源の接続された電
極と直流的にアースされた各接地電位部との間のロス容
量の値）が、ＣX1 と、ＣX0（時刻ｔ0における上記高周
波電源の接続された電極と直流的にアースされた各接地
電位部との間のロス容量の値） との差ΔＣXの絶対値が
ＣX0の１０％より小さい値となるように維持されてい
る。そのために、もし、ΔＣXの絶対値がＣx0の１０％
以上となった場合は是正作業が行われる。ここで、上記
ＣX1を是正する方法としては、例えば、 プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との距離、面積
等を調整する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとのオー
バーラップ面積を調整する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の
絶縁材の材質を調節する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の
絶縁材の厚さを調整する。 プラズマ励起電極４とシャーシ２１との距離、面積等
を調整する。 ガス導入管１７に挿入した絶縁体１７ａの材質を調整
する。 ガス導入管１７に挿入した絶縁体１７ａの長さを調整
する。 等の手法を適用することができる。
【０１００】本実施形態のプラズマ処理装置において
は、分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ
処理）、あるいは調整作業が施された後においても、Ｃ
X1が、ＣX1とＣX0との差ΔＣXの絶対値がＣX0の１０％
より小さい値となるように維持されている。そのため、
ある時間が経過する間に、上記のような電気的高周波的
な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合に
も、その時間の前後で、電気的高周波的な特性の差をな
くすことが可能となり、これにより、ロス容量ＣXを指
標とする一定の管理幅内に本装置のプラズマチャンバ７
５の状態を維持することが可能となるので、プラズマ空
間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持
することができる。
は、分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ
処理）、あるいは調整作業が施された後においても、Ｃ
X1が、ＣX1とＣX0との差ΔＣXの絶対値がＣX0の１０％
より小さい値となるように維持されている。そのため、
ある時間が経過する間に、上記のような電気的高周波的
な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合に
も、その時間の前後で、電気的高周波的な特性の差をな
くすことが可能となり、これにより、ロス容量ＣXを指
標とする一定の管理幅内に本装置のプラズマチャンバ７
５の状態を維持することが可能となるので、プラズマ空
間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持
することができる。
【０１０１】その結果、上記のような電気的高周波的な
特性に影響を与える可能性のある事象があった場合に
も、その時間の前後で同一のプロセスレシピを適用し
て、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、プ
ラズマチャンバ７５において例えばある時間を隔てて成
膜をおこなった際に、経過した時間の前後で、膜厚、絶
縁耐圧、エッチングレート等、略同等な膜特性の膜を得
ることが可能となる。具体的には、上記のΔＣxの絶対
値がＣx0の１０％より小さい値に維持することにより、
時間の経過にかかわらず、すなわち、分解、搬送、再組
み立てや使用回数、調整作業等の存在にかかわらず、略
同一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバＣＮに
おいて、堆積速度の変動を５％以内に抑えたり、膜厚や
絶縁耐圧等の膜特性の膜面内方向におけるばらつきを５
％以内に抑えることができる。そのため、従来考慮され
ていなかったプラズマ処理装置の全般的な電気的高周波
的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安
定性を期待することができる。その結果、動作安定性が
高く、プラズマチャンバ７５で均一な動作が期待できる
プラズマ処理装置を提供することが可能となる。さら
に、プラズマ処理室６０を複数備えたプラズマ処理装
置、あるいはプラズマ処理装置（プラズマチャンバ）７
５を複数備えたプラズマ処理システムとして構成した場
合には、複数のプラズマ処理室６０や、複数のプラズマ
チャンバ７５間においても、同一のプロセスレシピを適
用して、略同一のプラズマ処理結果が得られる状態を維
持することが可能となる。これにより、膨大なデータか
ら外部パラメータと実際の基板を処理するような評価方
法による処理結果との相関関係によるプロセス条件の把
握を不必要とすることができる。
特性に影響を与える可能性のある事象があった場合に
も、その時間の前後で同一のプロセスレシピを適用し
て、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、プ
ラズマチャンバ７５において例えばある時間を隔てて成
膜をおこなった際に、経過した時間の前後で、膜厚、絶
縁耐圧、エッチングレート等、略同等な膜特性の膜を得
ることが可能となる。具体的には、上記のΔＣxの絶対
値がＣx0の１０％より小さい値に維持することにより、
時間の経過にかかわらず、すなわち、分解、搬送、再組
み立てや使用回数、調整作業等の存在にかかわらず、略
同一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバＣＮに
おいて、堆積速度の変動を５％以内に抑えたり、膜厚や
絶縁耐圧等の膜特性の膜面内方向におけるばらつきを５
％以内に抑えることができる。そのため、従来考慮され
ていなかったプラズマ処理装置の全般的な電気的高周波
的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安
定性を期待することができる。その結果、動作安定性が
高く、プラズマチャンバ７５で均一な動作が期待できる
プラズマ処理装置を提供することが可能となる。さら
に、プラズマ処理室６０を複数備えたプラズマ処理装
置、あるいはプラズマ処理装置（プラズマチャンバ）７
５を複数備えたプラズマ処理システムとして構成した場
合には、複数のプラズマ処理室６０や、複数のプラズマ
チャンバ７５間においても、同一のプロセスレシピを適
用して、略同一のプラズマ処理結果が得られる状態を維
持することが可能となる。これにより、膨大なデータか
ら外部パラメータと実際の基板を処理するような評価方
法による処理結果との相関関係によるプロセス条件の把
握を不必要とすることができる。
【０１０２】したがって、処理のばらつきをなくし同一
のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために
必要な調整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等に
よる検査方法を採用した場合に比べて、ロス容量（高周
波電源の接続された電極と直流的にアースされた各接地
電位部との間の容量）ＣXを測定することにより、大幅
に短縮することができる。しかも、処理をおこなった基
板の評価によりプラズマ処理装置の動作確認および、動
作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレ
クトにプラズマ処理装置の評価を、しかも、プラズマ処
理装置のプラズマチャンバ７５が設置してある場所で短
時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板
１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、
別々に行うしかなかった複数のプラズマ処理室６０や、
複数のプラズマチャンバ７５を有するプラズマ処理装置
の場合についても、結果をほぼ同時に得ることができ
る。このため、製造ラインを数日あるいは数週間停止し
てプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価をす
る必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上す
ることができる。また、このような調整に必要な検査用
基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、調
整作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減する
ことが可能となる。
のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために
必要な調整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等に
よる検査方法を採用した場合に比べて、ロス容量（高周
波電源の接続された電極と直流的にアースされた各接地
電位部との間の容量）ＣXを測定することにより、大幅
に短縮することができる。しかも、処理をおこなった基
板の評価によりプラズマ処理装置の動作確認および、動
作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレ
クトにプラズマ処理装置の評価を、しかも、プラズマ処
理装置のプラズマチャンバ７５が設置してある場所で短
時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板
１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、
別々に行うしかなかった複数のプラズマ処理室６０や、
複数のプラズマチャンバ７５を有するプラズマ処理装置
の場合についても、結果をほぼ同時に得ることができ
る。このため、製造ラインを数日あるいは数週間停止し
てプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価をす
る必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上す
ることができる。また、このような調整に必要な検査用
基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、調
整作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減する
ことが可能となる。
【０１０３】なお、図９に示すように、それぞれのイン
ピーダンスが一致する複数本の導線１０１ａ〜１０１ｈ
の一端をプローブ取付具１０４に接続してなるフィクス
チャを使用してプラズマチャンバ７５の蓋体１９におけ
る高周波数特性としてロス容量ＣX を測定することも可
能である。プローブ取付具１０４は、例えば５０ｍｍ×
１０ｍｍ×０．５ｍｍの銅板を、締め付け部１０６とリ
ング部とができるように成形されている。リング部は上
記高周特性測定器ＡＮのプローブ１０５の外側にはめ込
み可能な径とされる。このプローブ取付部１０４に導線
１０１ａ〜１０１ｈの一端をハンダ付けなどにより電気
的に接続する。導線１０１ａ〜１０１ｈの他端には、測
定対象（プラズマチャンバ７５）との着脱用の端子（圧
着端子）１０２ａ〜１０２ｈが取り付けられている。こ
のフィクスチャを使用するに際してはプローブ取付具１
０４のリング状部をプローブ１０５にはめ込み、締め付
け部１０６で締め付けを行う。一方各導線１０１ａ〜１
０１ｈは略点対称となるように圧着端子１０２ａ〜１０
２ｈにおいて測定対象に、図１０に示すように、ねじ１
１４により着脱自在にねじ止めする導体１０１ａ〜１０
１ｈは、例えばアルミニウム、銅、銀、金により構成す
ればよく、または、銀、金を５０μｍ以上メッキして構
成してもよい。
ピーダンスが一致する複数本の導線１０１ａ〜１０１ｈ
の一端をプローブ取付具１０４に接続してなるフィクス
チャを使用してプラズマチャンバ７５の蓋体１９におけ
る高周波数特性としてロス容量ＣX を測定することも可
能である。プローブ取付具１０４は、例えば５０ｍｍ×
１０ｍｍ×０．５ｍｍの銅板を、締め付け部１０６とリ
ング部とができるように成形されている。リング部は上
記高周特性測定器ＡＮのプローブ１０５の外側にはめ込
み可能な径とされる。このプローブ取付部１０４に導線
１０１ａ〜１０１ｈの一端をハンダ付けなどにより電気
的に接続する。導線１０１ａ〜１０１ｈの他端には、測
定対象（プラズマチャンバ７５）との着脱用の端子（圧
着端子）１０２ａ〜１０２ｈが取り付けられている。こ
のフィクスチャを使用するに際してはプローブ取付具１
０４のリング状部をプローブ１０５にはめ込み、締め付
け部１０６で締め付けを行う。一方各導線１０１ａ〜１
０１ｈは略点対称となるように圧着端子１０２ａ〜１０
２ｈにおいて測定対象に、図１０に示すように、ねじ１
１４により着脱自在にねじ止めする導体１０１ａ〜１０
１ｈは、例えばアルミニウム、銅、銀、金により構成す
ればよく、または、銀、金を５０μｍ以上メッキして構
成してもよい。
【０１０４】このようなフィクスチャを使用して容量Ｃ
Xを測定する方法を、図１、図９、及び図１０を用いて
説明する。まず測定するプラズマチャンバ７５におい
て、高周波電源１とマッチングボックス２をプラズマチ
ャンバ７５から取り外す。そして、蓋体１９を測定範囲
とする場合に、この蓋体１９をチャンバ壁１０から取り
外す。測定具ＡＮのプローブ１０５の導線１１０を給給
電板３に接続する。次いでフィクスチャの導線１０１ａ
〜１０１ｈに接続する圧着端子１０２ａ〜１０２ｈをプ
ラズマチャンバ７５（蓋体１９）のシャーシ２１に給電
板３を中心とする略点対称となるようにネジ１１４によ
ってネジ止めする。フィクスチャをこのように配置した
後、測定信号を測定具ＡＮの導線１１０に供給し、プラ
ズマチャンバ７５（蓋体１９）の給電板３からプラズマ
空間（プラズマ処理室）６０を経てシャーシ２１に至る
経路のインピーダンスを測定する。これにより、測定対
象の大きさ、あるいは、測定する２点間の距離に制約を
与えることなく、かつ、測定対象に均一に電流を流すこ
とができ、測定対象のインピーダンスを測定するのに影
響を及ぼさない残留インピーダンス値を設定し、より正
確にインピーダンス測定をおこなうことができる。従っ
て、高周波数特性としてのプラズマ電極容量Ｃe および
ロス容量ＣX をより正確に測定することができる。ま
た、本実施形態のプラズマ処理装置は、高周波特性全般
でなく、特に、容量に着目しているので、安価な測定器
の利用が可能である。
Xを測定する方法を、図１、図９、及び図１０を用いて
説明する。まず測定するプラズマチャンバ７５におい
て、高周波電源１とマッチングボックス２をプラズマチ
ャンバ７５から取り外す。そして、蓋体１９を測定範囲
とする場合に、この蓋体１９をチャンバ壁１０から取り
外す。測定具ＡＮのプローブ１０５の導線１１０を給給
電板３に接続する。次いでフィクスチャの導線１０１ａ
〜１０１ｈに接続する圧着端子１０２ａ〜１０２ｈをプ
ラズマチャンバ７５（蓋体１９）のシャーシ２１に給電
板３を中心とする略点対称となるようにネジ１１４によ
ってネジ止めする。フィクスチャをこのように配置した
後、測定信号を測定具ＡＮの導線１１０に供給し、プラ
ズマチャンバ７５（蓋体１９）の給電板３からプラズマ
空間（プラズマ処理室）６０を経てシャーシ２１に至る
経路のインピーダンスを測定する。これにより、測定対
象の大きさ、あるいは、測定する２点間の距離に制約を
与えることなく、かつ、測定対象に均一に電流を流すこ
とができ、測定対象のインピーダンスを測定するのに影
響を及ぼさない残留インピーダンス値を設定し、より正
確にインピーダンス測定をおこなうことができる。従っ
て、高周波数特性としてのプラズマ電極容量Ｃe および
ロス容量ＣX をより正確に測定することができる。ま
た、本実施形態のプラズマ処理装置は、高周波特性全般
でなく、特に、容量に着目しているので、安価な測定器
の利用が可能である。
【０１０５】なお、本実施形態においては、プラズマチ
ャンバ７５において、サセプタ電極側８に基板１６を載
置してプラズマ励起電極４に対するプラズマ電極容量Ｃ
e およびロス容量ＣX を設定したが、カソード電極４側
に基板１６を取り付けるよう対応することも可能であ
る。
ャンバ７５において、サセプタ電極側８に基板１６を載
置してプラズマ励起電極４に対するプラズマ電極容量Ｃ
e およびロス容量ＣX を設定したが、カソード電極４側
に基板１６を取り付けるよう対応することも可能であ
る。
【０１０６】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の第
２実施形態を、図面に基づいて説明する。 ［第２実施形態］図１１は本実施形態のプラズマ処理室
ユニット（プラズマチャンバ）の概略構成を示す断面
図、図１２は図１１における蓋体を示す模式図である。
２実施形態を、図面に基づいて説明する。 ［第２実施形態］図１１は本実施形態のプラズマ処理室
ユニット（プラズマチャンバ）の概略構成を示す断面
図、図１２は図１１における蓋体を示す模式図である。
【０１０７】本実施形態のプラズマ処理室ユニットは、
２周波励起タイプのプラズマ処理装置とされ、図１〜図
４に示した第１実施形態のプラズマチャンバ７５と異な
るのはサセプタ電極８側にも高周波電力を供給する点、
高周波特性測定用端子６１およびその付近の構成に関す
る点、および、プラズマ電極容量Ｃe ，ロス容量ＣXの
設定に関する点である。それ以外の対応する構成要素に
は同一の符号を付してその説明を省略する。
２周波励起タイプのプラズマ処理装置とされ、図１〜図
４に示した第１実施形態のプラズマチャンバ７５と異な
るのはサセプタ電極８側にも高周波電力を供給する点、
高周波特性測定用端子６１およびその付近の構成に関す
る点、および、プラズマ電極容量Ｃe ，ロス容量ＣXの
設定に関する点である。それ以外の対応する構成要素に
は同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１０８】本実施形態のプラズマチャンバ９５は、図
１１に示すように、サセプタ電極８の周囲にサセプタシ
ールド１２が設けられ、ウエハサセプタ８およびサセプ
タシールド１２は、これらの隙間がシャフト１３の周囲
の設けられた電気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによっ
て真空絶縁されるとともに電気的にも絶縁されている。
また、ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２
は、ベローズ１１により上下動可能に構成されている。
この構成により、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８
との間の距離が調整可能となっている。また、サセプタ
電極８は、シャフト１３下端に接続された給電板２８、
および、導電体からなるサセプタ電極側マッチングボッ
クス２６内部に収納された整合回路２５を介して第２の
高周波電源２７と接続されている。給電板２８は、サセ
プタシールド１２の支持筒１２Ｂ下端に接続されたシャ
ーシ２９に覆われており、このシャーシ２９は、同軸ケ
ーブルとされる給電線２７Ａのシールド線によって接続
されたマッチングボックス２６とともにアースされてい
る。これにより、サセプタシールド１２，シャーシ２
９，マッチングボックス２６は直流的に同電位となって
いる。
１１に示すように、サセプタ電極８の周囲にサセプタシ
ールド１２が設けられ、ウエハサセプタ８およびサセプ
タシールド１２は、これらの隙間がシャフト１３の周囲
の設けられた電気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによっ
て真空絶縁されるとともに電気的にも絶縁されている。
また、ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２
は、ベローズ１１により上下動可能に構成されている。
この構成により、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８
との間の距離が調整可能となっている。また、サセプタ
電極８は、シャフト１３下端に接続された給電板２８、
および、導電体からなるサセプタ電極側マッチングボッ
クス２６内部に収納された整合回路２５を介して第２の
高周波電源２７と接続されている。給電板２８は、サセ
プタシールド１２の支持筒１２Ｂ下端に接続されたシャ
ーシ２９に覆われており、このシャーシ２９は、同軸ケ
ーブルとされる給電線２７Ａのシールド線によって接続
されたマッチングボックス２６とともにアースされてい
る。これにより、サセプタシールド１２，シャーシ２
９，マッチングボックス２６は直流的に同電位となって
いる。
【０１０９】ここで、整合回路２５は、第２の高周波電
源２７とサセプタ電極８との間のインピーダンスの整合
を図るものとされ、この整合回路２５としては、図１１
に示すように、複数の受動素子として、第２の高周波電
源２７と給電板２８との間に、チューニングコイル３０
とチューニングコンデンサ３１とが直列に設けられ、こ
れらと並列にロードコンデンサ３２が接続され、このロ
ードコンデンサ３２の一端はマッチングボックス２６に
接続されており、上記整合回路２Ａと略同様の構成とさ
れている。マッチングボックス２６は給電線２７Ａのシ
ールド線を介して接地電位に設定されており、同時に、
ロードコンデンサ３２の一端がアースされている。な
お、チューニングコイル３０と直列にチューニングコイ
ルを接続することや、ロードコンデンサ３２と並列にロ
ードコンデンサを設けることも可能である。給電板２８
としては給電板３と同様なものが適用され、この給電板
２８は整合回路２５からの端子およびシャフト１３にそ
れぞれネジ止めされている。
源２７とサセプタ電極８との間のインピーダンスの整合
を図るものとされ、この整合回路２５としては、図１１
に示すように、複数の受動素子として、第２の高周波電
源２７と給電板２８との間に、チューニングコイル３０
とチューニングコンデンサ３１とが直列に設けられ、こ
れらと並列にロードコンデンサ３２が接続され、このロ
ードコンデンサ３２の一端はマッチングボックス２６に
接続されており、上記整合回路２Ａと略同様の構成とさ
れている。マッチングボックス２６は給電線２７Ａのシ
ールド線を介して接地電位に設定されており、同時に、
ロードコンデンサ３２の一端がアースされている。な
お、チューニングコイル３０と直列にチューニングコイ
ルを接続することや、ロードコンデンサ３２と並列にロ
ードコンデンサを設けることも可能である。給電板２８
としては給電板３と同様なものが適用され、この給電板
２８は整合回路２５からの端子およびシャフト１３にそ
れぞれネジ止めされている。
【０１１０】本実施形態のプラズマチャンバ９５は、平
行平板型電極４，８のプラズマ電極容量Ｃe の５倍が、
ロス容量ＣX より大きな範囲の値になるように、ＣX0
が設定されて設計、製造されている。そして、分解搬送
後、納入先において再組み立てした後においても、さら
に、その後の使用期間においても、その時のＣX1（時刻
ｔ0の後の時刻ｔ1における上記高周波電源の接続された
電極と直流的にアースされた各接地電位部との間のロス
容量の値）が、ＣX1と、ＣX0（時刻ｔ0における上記高
周波電源の接続された電極と直流的にアースされた各接
地電位部との間のロス容量の値） との差ΔＣX の絶対値
がＣX0の１０％より小さい値となるように維持されてい
る。
行平板型電極４，８のプラズマ電極容量Ｃe の５倍が、
ロス容量ＣX より大きな範囲の値になるように、ＣX0
が設定されて設計、製造されている。そして、分解搬送
後、納入先において再組み立てした後においても、さら
に、その後の使用期間においても、その時のＣX1（時刻
ｔ0の後の時刻ｔ1における上記高周波電源の接続された
電極と直流的にアースされた各接地電位部との間のロス
容量の値）が、ＣX1と、ＣX0（時刻ｔ0における上記高
周波電源の接続された電極と直流的にアースされた各接
地電位部との間のロス容量の値） との差ΔＣX の絶対値
がＣX0の１０％より小さい値となるように維持されてい
る。
【０１１１】本実施形態のプラズマチャンバ９５の測定
範囲としては、図１１，図１２に示す測定位置ＰＲより
もプラズマ励起電極４側とされ、この測定範囲におけ
る、整合回路２Ａの受動素子のうち出力最終段の受動素
子の出力端子位置のチューニングコンデンサ２４の出力
端子位置である測定位置ＰＲより配電体３側には、図１
３，図１４に示すように、上記プラズマチャンバ９５の
インピーダンス測定用端子（高周波特性測定用端子）６
１が設けられている。この測定用端子６１は、第１実施
形態で測定位置ＰＲとされた配電体３入力端子位置とさ
れる分岐点Ｂから、導体によってシャーシ２１の外部ま
でのびている。そして、整合回路２Ａの出力端子位置Ｐ
Ｒ付近に、上記整合回路２Ａと上記高周波特性測定用端
子（インピーダンス測定用端子）６１とを切り替えるス
イッチとして、整合回路２Ａと給電板３との間に設けら
れるスイッチＳＷ１と、測定用端子６１と給電板との間
に設けられるスイッチＳＷ２とが設けられている。
範囲としては、図１１，図１２に示す測定位置ＰＲより
もプラズマ励起電極４側とされ、この測定範囲におけ
る、整合回路２Ａの受動素子のうち出力最終段の受動素
子の出力端子位置のチューニングコンデンサ２４の出力
端子位置である測定位置ＰＲより配電体３側には、図１
３，図１４に示すように、上記プラズマチャンバ９５の
インピーダンス測定用端子（高周波特性測定用端子）６
１が設けられている。この測定用端子６１は、第１実施
形態で測定位置ＰＲとされた配電体３入力端子位置とさ
れる分岐点Ｂから、導体によってシャーシ２１の外部ま
でのびている。そして、整合回路２Ａの出力端子位置Ｐ
Ｒ付近に、上記整合回路２Ａと上記高周波特性測定用端
子（インピーダンス測定用端子）６１とを切り替えるス
イッチとして、整合回路２Ａと給電板３との間に設けら
れるスイッチＳＷ１と、測定用端子６１と給電板との間
に設けられるスイッチＳＷ２とが設けられている。
【０１１２】ここで、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を上記高
周波特性測定用端子（インピーダンス測定用端子）６１
側に接続した場合における高周波特性測定用端子（イン
ピーダンス測定用端子）６１側からのインピーダンス特
性と、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を整合回路２Ａ側に接続
した場合における整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ側か
らのインピーダンス特性と、が等しく設定される。つま
り、図１１に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピ
ーダンスＺ1 とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ
2 とが等しく設定される。これは、スイッチＳＷ１を整
合回路２Ａ側に接続してスイッチＳＷ２を開いた場合に
おける整合回路２Ａの出力端子とされる測定位置ＰＲ側
つまり測定位置ＰＲからスイッチＳＷ２への分岐点Ｂま
でのインピーダンスＺ1 と、上記スイッチＳＷ２を測定
用端子６１側に接続してスイッチＳＷ１を開いた場合に
おける高周波特性測定用端子（インピーダンス測定用端
子）６１側つまり高周波特性測定用端子（インピーダン
ス測定用端子）６１からスイッチＳＷ１への分岐点Ｂま
でのインピーダンスＺ2 とが等しく設定されるというこ
とを意味している。
周波特性測定用端子（インピーダンス測定用端子）６１
側に接続した場合における高周波特性測定用端子（イン
ピーダンス測定用端子）６１側からのインピーダンス特
性と、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を整合回路２Ａ側に接続
した場合における整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ側か
らのインピーダンス特性と、が等しく設定される。つま
り、図１１に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピ
ーダンスＺ1 とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ
2 とが等しく設定される。これは、スイッチＳＷ１を整
合回路２Ａ側に接続してスイッチＳＷ２を開いた場合に
おける整合回路２Ａの出力端子とされる測定位置ＰＲ側
つまり測定位置ＰＲからスイッチＳＷ２への分岐点Ｂま
でのインピーダンスＺ1 と、上記スイッチＳＷ２を測定
用端子６１側に接続してスイッチＳＷ１を開いた場合に
おける高周波特性測定用端子（インピーダンス測定用端
子）６１側つまり高周波特性測定用端子（インピーダン
ス測定用端子）６１からスイッチＳＷ１への分岐点Ｂま
でのインピーダンスＺ2 とが等しく設定されるというこ
とを意味している。
【０１１３】高周波特性測定用端子（インピーダンス測
定用端子）６１には、図１１，図１２に示すように、高
周波数特性測定器（インピーダンス測定器）ＡＮのプロ
ーブが着脱自在に接続されている。このプローブには、
同時に、プラズマチャンバ９５の例えばシャーシ２１と
されるアース位置に着脱自在に接続されている。
定用端子）６１には、図１１，図１２に示すように、高
周波数特性測定器（インピーダンス測定器）ＡＮのプロ
ーブが着脱自在に接続されている。このプローブには、
同時に、プラズマチャンバ９５の例えばシャーシ２１と
されるアース位置に着脱自在に接続されている。
【０１１４】本実施形態のプラズマチャンバ９５におい
ては、スイッチＳＷ１を閉じるとともに、スイッチＳＷ
２を開いた状態において、サセプタ電極８上に被処理基
板１６を載置し、第１、第２の高周波電源１，２７から
プラズマ励起電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ
高周波電力を印加するとともに、ガス導入管１７からシ
ャワープレート６を介して反応ガスをチャンバ室６０内
に供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６に対し
て成膜等のプラズマ処理をおこなう。このとき、第１の
高周波電源１から１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の
電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１
２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入す
る。そして、第２の高周波電源２７からも第１の高周波
電源１からと同等か、異なる周波数の電力、例えば１．
６ＭＨｚ程度の電力を投入することもできる。
ては、スイッチＳＷ１を閉じるとともに、スイッチＳＷ
２を開いた状態において、サセプタ電極８上に被処理基
板１６を載置し、第１、第２の高周波電源１，２７から
プラズマ励起電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ
高周波電力を印加するとともに、ガス導入管１７からシ
ャワープレート６を介して反応ガスをチャンバ室６０内
に供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６に対し
て成膜等のプラズマ処理をおこなう。このとき、第１の
高周波電源１から１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の
電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１
２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入す
る。そして、第２の高周波電源２７からも第１の高周波
電源１からと同等か、異なる周波数の電力、例えば１．
６ＭＨｚ程度の電力を投入することもできる。
【０１１５】ここで、本実施形態のプラズマチャンバ９
５における高周波特性としてのプラズマ電極容量Ｃe ，
ロス容量ＣX を第１実施形態と同様にして測定・定義す
る。本実施形態のプラズマ電極容量Ｃe ，ロス容量ＣX
は、具体的には図５、図１３に示すように測定・定義さ
れる。図１３は図１１の本実施形態のプラズマチャンバ
９５のプラズマ電極容量Ｃe，ロス容量ＣX 測定用の等
価回路を示す回路図である。また、本実施形態のプラズ
マ処理装置の蓋体１９において、プラズマ電極容量Ｃ
e ，ロス容量ＣX 測定用の等価回路を示す回路図は、第
１実施形態で示した図５と同様である。
５における高周波特性としてのプラズマ電極容量Ｃe ，
ロス容量ＣX を第１実施形態と同様にして測定・定義す
る。本実施形態のプラズマ電極容量Ｃe ，ロス容量ＣX
は、具体的には図５、図１３に示すように測定・定義さ
れる。図１３は図１１の本実施形態のプラズマチャンバ
９５のプラズマ電極容量Ｃe，ロス容量ＣX 測定用の等
価回路を示す回路図である。また、本実施形態のプラズ
マ処理装置の蓋体１９において、プラズマ電極容量Ｃ
e ，ロス容量ＣX 測定用の等価回路を示す回路図は、第
１実施形態で示した図５と同様である。
【０１１６】本実施形態のプラズマチャンバ９５の測定
範囲としては、測定位置ＰＲからみたプラズマチャンバ
９５における蓋体１９の状態をその対象とする。これ
は、図１１に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピ
ーダンスＺ1 とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ
2 とが等しく設定されたことで、測定用端子（インピー
ダンス測定用端子）６１からみた状態のプラズマチャン
バ９５の蓋体１９を測定範囲とした際の高周波数特性
（インピーダンス特性）に等しいものとなっている。こ
こで、高周波数特性測定時において、整合回路２Ａを電
気的に切り離すためには機械的に整合回路２Ａおよびマ
ッチングボックス２等を着脱する必要のあった第１実施
形態に対して、本実施形態では、図１１、図１２に示す
ように、高周波数特性測定時において、スイッチＳＷ１
によって切断されている整合回路２Ａは測定範囲に含ま
れず、測定範囲外とすることができるためで、これによ
り、プラズマチャンバ９５の蓋体１９における高周波数
特性を測定することが容易になる。そして、第１実施形
態における測定範囲に対して、配電体３の入力端子位置
とされた分岐点Ｂと直列に接続された測定用端子（イン
ピーダンス測定用端子）６１，スイッチＳＷ２を含んで
測定範囲とすることができる。
範囲としては、測定位置ＰＲからみたプラズマチャンバ
９５における蓋体１９の状態をその対象とする。これ
は、図１１に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピ
ーダンスＺ1 とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ
2 とが等しく設定されたことで、測定用端子（インピー
ダンス測定用端子）６１からみた状態のプラズマチャン
バ９５の蓋体１９を測定範囲とした際の高周波数特性
（インピーダンス特性）に等しいものとなっている。こ
こで、高周波数特性測定時において、整合回路２Ａを電
気的に切り離すためには機械的に整合回路２Ａおよびマ
ッチングボックス２等を着脱する必要のあった第１実施
形態に対して、本実施形態では、図１１、図１２に示す
ように、高周波数特性測定時において、スイッチＳＷ１
によって切断されている整合回路２Ａは測定範囲に含ま
れず、測定範囲外とすることができるためで、これによ
り、プラズマチャンバ９５の蓋体１９における高周波数
特性を測定することが容易になる。そして、第１実施形
態における測定範囲に対して、配電体３の入力端子位置
とされた分岐点Ｂと直列に接続された測定用端子（イン
ピーダンス測定用端子）６１，スイッチＳＷ２を含んで
測定範囲とすることができる。
【０１１７】このとき、測定範囲とされるプラズマチャ
ンバ９５に対して、考慮されている電気的高周波的要因
は、図１３に示すように、以下のものが考えられる。 スイッチＳＷ２のインダクタンスＬSWおよび抵抗ＲSW 給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬf および抵抗
Ｒf プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ
電極容量Ｃe 整合回路２５からの寄与 サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量Ｃ
S サセプタシールド１２の支持筒１２Ｂのインダクタンス
ＬC および抵抗ＲC ベローズ１１のインダクタンスＬB および抵抗ＲB チャンバ壁１０のインダクタンスＬA および抵抗ＲA 絶縁体１７ａを挟んでガス導入管１７とプラズマ励起電
極４との間の容量ＣA プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣB プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の容
量ＣC
ンバ９５に対して、考慮されている電気的高周波的要因
は、図１３に示すように、以下のものが考えられる。 スイッチＳＷ２のインダクタンスＬSWおよび抵抗ＲSW 給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬf および抵抗
Ｒf プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ
電極容量Ｃe 整合回路２５からの寄与 サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量Ｃ
S サセプタシールド１２の支持筒１２Ｂのインダクタンス
ＬC および抵抗ＲC ベローズ１１のインダクタンスＬB および抵抗ＲB チャンバ壁１０のインダクタンスＬA および抵抗ＲA 絶縁体１７ａを挟んでガス導入管１７とプラズマ励起電
極４との間の容量ＣA プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣB プラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の容
量ＣC
【０１１８】ここで、第１実施形態における測定範囲と
比べるとスイッチＳＷ２が加わっているが、これは、プ
ラズマ発光時にはスイッチＳＷ１は閉じた状態となって
いる、つまり、インピーダンス特性に対するスイッチＳ
Ｗ１の寄与が存在していることに対応している。すなわ
ち、このスイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ1 と等
しいインピーダンスＺ2 を有するスイッチＳＷ２付近を
含んで上記測定範囲とすることにより、測定用端子（イ
ンピーダンス測定用端子）６１からみたプラズマチャン
バ９５の測定範囲を、実際にプラズマ発光時に高周波電
流の流れる回路状態に近づけて高周波数特性測定の正確
性をより向上することが可能となる。
比べるとスイッチＳＷ２が加わっているが、これは、プ
ラズマ発光時にはスイッチＳＷ１は閉じた状態となって
いる、つまり、インピーダンス特性に対するスイッチＳ
Ｗ１の寄与が存在していることに対応している。すなわ
ち、このスイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ1 と等
しいインピーダンスＺ2 を有するスイッチＳＷ２付近を
含んで上記測定範囲とすることにより、測定用端子（イ
ンピーダンス測定用端子）６１からみたプラズマチャン
バ９５の測定範囲を、実際にプラズマ発光時に高周波電
流の流れる回路状態に近づけて高周波数特性測定の正確
性をより向上することが可能となる。
【０１１９】そして、高周波数特性測定器（インピーダ
ンス測定器）ＡＮに接続された図９に示したプローブ１
０５を測定用端子６１およびプラズマチャンバ９５の例
えばシャーシ２１とされるアース位置に接続する。この
状態で、スイッチＳＷ２を閉じるとともに、スイッチＳ
Ｗ１を開いた状態に設定して、高周波数特性測定器ＡＮ
によりプラズマチャンバ９５の蓋体１９における高周波
特性としてロス容量ＣX を測定する。図１２に示すよう
に、蓋体１９をチャンバ壁１０から電気的に分離した状
態において、この蓋体１９におけるプラズマ励起電極４
に生じる容量成分をロス容量ＣX と見なすことができ
る。
ンス測定器）ＡＮに接続された図９に示したプローブ１
０５を測定用端子６１およびプラズマチャンバ９５の例
えばシャーシ２１とされるアース位置に接続する。この
状態で、スイッチＳＷ２を閉じるとともに、スイッチＳ
Ｗ１を開いた状態に設定して、高周波数特性測定器ＡＮ
によりプラズマチャンバ９５の蓋体１９における高周波
特性としてロス容量ＣX を測定する。図１２に示すよう
に、蓋体１９をチャンバ壁１０から電気的に分離した状
態において、この蓋体１９におけるプラズマ励起電極４
に生じる容量成分をロス容量ＣX と見なすことができ
る。
【０１２０】ロス容量ＣX は、プラズマ励起電極４から
サセプタ電極８以外に流れる電流に対する容量成分の総
和であり、すなわち、プラズマ励起電極４と、直流的に
アースされた各接地電位部との間の容量である。ここ
で、各接地電位部とは、サセプタ電極８以外のアース電
位にあるプラズマチャンバ９５の各部であり、サセプタ
シールド１２，支持筒１２Ｂ，シャフト１３，ベローズ
１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１，チャンバ壁
上部１０ａ，シャーシ２１，マッチングボックス２，絶
縁体１７ａからガス供給源側のガス導入管１７，高周波
電力供給電体（給電線）１Ａのシース線等を意味するも
のであるが、ロス容量ＣX に関与する部分としてプラズ
マ励起電極４に対向する要素としては、具体的には、図
４に示した第１実施形態と同様に、ガス導入管１７，シ
ャーシ２１，チャンバ壁上部１０ａを考慮する。する
と、ロス容量ＣX としては、プラズマ励起電極４と絶縁
体１７ａを挟んだガス導入管１７との間の容量ＣA 、プ
ラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣB 、プ
ラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の容量
ＣC の和として定義される。
サセプタ電極８以外に流れる電流に対する容量成分の総
和であり、すなわち、プラズマ励起電極４と、直流的に
アースされた各接地電位部との間の容量である。ここ
で、各接地電位部とは、サセプタ電極８以外のアース電
位にあるプラズマチャンバ９５の各部であり、サセプタ
シールド１２，支持筒１２Ｂ，シャフト１３，ベローズ
１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１，チャンバ壁
上部１０ａ，シャーシ２１，マッチングボックス２，絶
縁体１７ａからガス供給源側のガス導入管１７，高周波
電力供給電体（給電線）１Ａのシース線等を意味するも
のであるが、ロス容量ＣX に関与する部分としてプラズ
マ励起電極４に対向する要素としては、具体的には、図
４に示した第１実施形態と同様に、ガス導入管１７，シ
ャーシ２１，チャンバ壁上部１０ａを考慮する。する
と、ロス容量ＣX としては、プラズマ励起電極４と絶縁
体１７ａを挟んだガス導入管１７との間の容量ＣA 、プ
ラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣB 、プ
ラズマ励起電極４とチャンバ壁上部１０ａとの間の容量
ＣC の和として定義される。
【０１２１】ついで、平行平板型とされるプラズマ励起
電極４とサセプタ電極８との間の容量であり、電極４，
８の面積とこれら電極４，８間の距離とにより規定され
るプラズマ電極容量Ｃe を、プラズマ励起電極４とサセ
プタ電極８との寸法等から規定する。
電極４とサセプタ電極８との間の容量であり、電極４，
８の面積とこれら電極４，８間の距離とにより規定され
るプラズマ電極容量Ｃe を、プラズマ励起電極４とサセ
プタ電極８との寸法等から規定する。
【０１２２】本実施形態のプラズマチャンバ７５におい
ては、このように定義されたロス容量ＣX とプラズマ電
極容量Ｃe との関係として、プラズマ電極容量Ｃe の５
倍が、ロス容量ＣX より大きな範囲の値になるように設
定する。ここで、ロス容量ＣX とプラズマ電極容量Ｃe
とが上記の関係を満たすように設定する方法としては、
例えば、第１実施形態で述べた〜等の手法を適用す
ることができる。
ては、このように定義されたロス容量ＣX とプラズマ電
極容量Ｃe との関係として、プラズマ電極容量Ｃe の５
倍が、ロス容量ＣX より大きな範囲の値になるように設
定する。ここで、ロス容量ＣX とプラズマ電極容量Ｃe
とが上記の関係を満たすように設定する方法としては、
例えば、第１実施形態で述べた〜等の手法を適用す
ることができる。
【０１２３】さらに、本実施形態においては、プラズマ
励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量
Ｃe を、プラズマ発光空間における実効的な電極間の距
離δにより設定する。
励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量
Ｃe を、プラズマ発光空間における実効的な電極間の距
離δにより設定する。
【０１２４】図１４は、プラズマ発光状態における電極
間の状態を示す模式図である。まず、図１４に示すよう
に、この対向する平行平板型とされるプラズマ励起電極
４，サセプタ電極８間の距離をｄとし、この電極４，８
間の距離方向においてそれぞれの電極４，８と発光時の
プラズマとの距離の和をδとする。つまり、プラズマ発
光時に目視できるプラズマ発光領域Ｐとプラズマ励起電
極４との間のプラズマ発光していない部分の距離をδ
a 、プラズマ発光領域Ｐとサセプタ電極８との間のプラ
ズマ発光していない部分の距離をδb としたときに、式
（６）に示すようにこれらの和をδとする。 δa ＋δb ＝ δ （６） ここで、電極４，８間の距離ｄと、電極４，８間におい
てプラズマの発光していない部分の距離の和δとから、
実際にプラズマ発光状態における電極４，８間のモデル
的な容量Ｃe"が求められる。
間の状態を示す模式図である。まず、図１４に示すよう
に、この対向する平行平板型とされるプラズマ励起電極
４，サセプタ電極８間の距離をｄとし、この電極４，８
間の距離方向においてそれぞれの電極４，８と発光時の
プラズマとの距離の和をδとする。つまり、プラズマ発
光時に目視できるプラズマ発光領域Ｐとプラズマ励起電
極４との間のプラズマ発光していない部分の距離をδ
a 、プラズマ発光領域Ｐとサセプタ電極８との間のプラ
ズマ発光していない部分の距離をδb としたときに、式
（６）に示すようにこれらの和をδとする。 δa ＋δb ＝ δ （６） ここで、電極４，８間の距離ｄと、電極４，８間におい
てプラズマの発光していない部分の距離の和δとから、
実際にプラズマ発光状態における電極４，８間のモデル
的な容量Ｃe"が求められる。
【０１２５】プラズマ発光時における平行平板電極４，
８は、その間にあるプラズマ発光領域Ｐが導体として見
なせるため、あたかも、電極４，８間の距離がδになっ
たようにみなすことができる。その結果、プラズマ発光
時の平行平板電極４，８間の容量Ｃe"は、電極４，８間
の距離に反比例するため、非プラズマ発光時に容量Ｃe
だったものが、プラズマ発光時には見かけ上ｄ／δ倍に
なる。 Ｃe ∝ １／ｄ Ｃe" ∝ １／δ （７） ∴Ｃe" ∝ ｄ／δ・Ｃe
８は、その間にあるプラズマ発光領域Ｐが導体として見
なせるため、あたかも、電極４，８間の距離がδになっ
たようにみなすことができる。その結果、プラズマ発光
時の平行平板電極４，８間の容量Ｃe"は、電極４，８間
の距離に反比例するため、非プラズマ発光時に容量Ｃe
だったものが、プラズマ発光時には見かけ上ｄ／δ倍に
なる。 Ｃe ∝ １／ｄ Ｃe" ∝ １／δ （７） ∴Ｃe" ∝ ｄ／δ・Ｃe
【０１２６】従って、このプラズマ発光時のプラズマ電
極容量Ｃe"の５倍が、ロス容量ＣXより大きな範囲の値
になるように設定することもできる。つまり、プラズマ
電極容量Ｃe の５×ｄ／δ倍が、ロス容量ＣX より大き
な範囲の値になるように設定することもできる。これに
より、より一層のプラズマ発光時における電力消費効率
の向上を図ることが可能となる。
極容量Ｃe"の５倍が、ロス容量ＣXより大きな範囲の値
になるように設定することもできる。つまり、プラズマ
電極容量Ｃe の５×ｄ／δ倍が、ロス容量ＣX より大き
な範囲の値になるように設定することもできる。これに
より、より一層のプラズマ発光時における電力消費効率
の向上を図ることが可能となる。
【０１２７】上記のように定義されたプラズマ電極容量
Ｃe あるいはプラズマ発光時のプラズマ電極容量Ｃe"の
５倍（プラズマ電極容量Ｃe の５×ｄ／δ倍）が、上記
のように定義された容量（ロス容量）ＣX より大きな範
囲の値になるようにＣe0 が設定されて設計、製造され
ている。そして、本プラズマ処理装置（プラズマチャン
バ）が分解搬送後、納入先において再組み立てした後に
おいても、さらに、その後それが使用され被処理物のプ
ラズマ処理が行われても、さらには、分解掃除、部品交
換、組み立て調整等の調整作業が施されても、その時の
ＣX1（時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1における上記高周波電源の
接続された電極と直流的にアースされた各接地電位部と
の間のロス容量の値）が、ＣX1と、ＣX0（時刻ｔ0にお
ける上記高周波電源の接続された電極と直流的にアース
された各接地電位部との間のロス容量の値） との差Δ
ＣXの絶対値がＣX0の１０％より小さい値となるように
維持されている。そのために、もし、ΔＣXの絶対値が
Ｃe0の１０％以上となった場合は是正作業が行われる。
ここで、上記ＣX1を是正する方法としては、例えば、第
１実施形態で述べた〜等の手法を適用することがで
きる。
Ｃe あるいはプラズマ発光時のプラズマ電極容量Ｃe"の
５倍（プラズマ電極容量Ｃe の５×ｄ／δ倍）が、上記
のように定義された容量（ロス容量）ＣX より大きな範
囲の値になるようにＣe0 が設定されて設計、製造され
ている。そして、本プラズマ処理装置（プラズマチャン
バ）が分解搬送後、納入先において再組み立てした後に
おいても、さらに、その後それが使用され被処理物のプ
ラズマ処理が行われても、さらには、分解掃除、部品交
換、組み立て調整等の調整作業が施されても、その時の
ＣX1（時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1における上記高周波電源の
接続された電極と直流的にアースされた各接地電位部と
の間のロス容量の値）が、ＣX1と、ＣX0（時刻ｔ0にお
ける上記高周波電源の接続された電極と直流的にアース
された各接地電位部との間のロス容量の値） との差Δ
ＣXの絶対値がＣX0の１０％より小さい値となるように
維持されている。そのために、もし、ΔＣXの絶対値が
Ｃe0の１０％以上となった場合は是正作業が行われる。
ここで、上記ＣX1を是正する方法としては、例えば、第
１実施形態で述べた〜等の手法を適用することがで
きる。
【０１２８】本実施形態においては、第１実施形態と同
等の効果を奏するとともに、測定用端子６１に高周波数
特性測定器ＡＮを着脱自在に接続するとともに、スイッ
チＳＷ１，ＳＷ２を設け、これらのインピーダンスＺ1
とインピーダンスＺ2 とを等しく設定することで、プラ
ズマチャンバ９５と整合回路２Ａを着脱することなく、
スイッチＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみにより、高周波特
性の測定、特に、プラズマ電極容量Ｃe ，ロス容量ＣX
の測定を容易におこなうことが可能となる。さらに、本
実施形態において、プラズマ電極容量Ｃe の５倍が、容
量（ロス容量）ＣX より大きな範囲の値に設定されてな
ることにより、同一の条件として、処理速度、膜の面内
方向の均一性、膜特性を得るために必要な電力を従来に
比べて削減することが可能となり、省電力化をはかり、
ランニングコストの低減を図ることができる。ここで、
成膜時においては、処理速度は堆積速度、膜の面内方向
の均一性としては膜厚や膜特性、膜特性としては絶縁耐
圧等が対応する。
等の効果を奏するとともに、測定用端子６１に高周波数
特性測定器ＡＮを着脱自在に接続するとともに、スイッ
チＳＷ１，ＳＷ２を設け、これらのインピーダンスＺ1
とインピーダンスＺ2 とを等しく設定することで、プラ
ズマチャンバ９５と整合回路２Ａを着脱することなく、
スイッチＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみにより、高周波特
性の測定、特に、プラズマ電極容量Ｃe ，ロス容量ＣX
の測定を容易におこなうことが可能となる。さらに、本
実施形態において、プラズマ電極容量Ｃe の５倍が、容
量（ロス容量）ＣX より大きな範囲の値に設定されてな
ることにより、同一の条件として、処理速度、膜の面内
方向の均一性、膜特性を得るために必要な電力を従来に
比べて削減することが可能となり、省電力化をはかり、
ランニングコストの低減を図ることができる。ここで、
成膜時においては、処理速度は堆積速度、膜の面内方向
の均一性としては膜厚や膜特性、膜特性としては絶縁耐
圧等が対応する。
【０１２９】なお、本実施形態においては、２つのスイ
ッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２を設ける構成とした
が、分岐点から出力端子位置ＰＲまでと分岐点からプロ
ーブまでのインピーダンスが等しく設定されていれば、
よく、例えば１つのスイッチによりこれらの接続を切り
替え可能とすることもできる。また、本実施形態におい
ては、本願発明を平行平板型電極４，８を有するタイプ
のプラズマ処理装置に適用した場合について説明した
が、平行平板型電極４，８を有するタイプに代えてＩＣ
Ｐ（inductive coupled plasma）誘導結合プラズマ励起
型、ＲＬＳＡ（radial line slot antenna）ラジアルラ
インスロットアンテナ型などのプラズマ処理装置や、Ｒ
ＩＥ（Riactive Ion Etching）反応性スパッタエッチン
グ用の処理装置に適用することもできる。なお、電極
４，８に替えて、ターゲット材を取り付けることによ
り、プラズマ処理としてスパッタリングをおこなうこと
も可能である。
ッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２を設ける構成とした
が、分岐点から出力端子位置ＰＲまでと分岐点からプロ
ーブまでのインピーダンスが等しく設定されていれば、
よく、例えば１つのスイッチによりこれらの接続を切り
替え可能とすることもできる。また、本実施形態におい
ては、本願発明を平行平板型電極４，８を有するタイプ
のプラズマ処理装置に適用した場合について説明した
が、平行平板型電極４，８を有するタイプに代えてＩＣ
Ｐ（inductive coupled plasma）誘導結合プラズマ励起
型、ＲＬＳＡ（radial line slot antenna）ラジアルラ
インスロットアンテナ型などのプラズマ処理装置や、Ｒ
ＩＥ（Riactive Ion Etching）反応性スパッタエッチン
グ用の処理装置に適用することもできる。なお、電極
４，８に替えて、ターゲット材を取り付けることによ
り、プラズマ処理としてスパッタリングをおこなうこと
も可能である。
【０１３０】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムを第３実施形態として、図面に基づいて
説明する。 ［第３実施形態］図１５は本実施形態に係るプラズマ処
理装置の性能管理システムのシステム構成図、図１６
は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法
を示すフローチャートである。
能管理システムを第３実施形態として、図面に基づいて
説明する。 ［第３実施形態］図１５は本実施形態に係るプラズマ処
理装置の性能管理システムのシステム構成図、図１６
は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法
を示すフローチャートである。
【０１３１】図１５に示す性能管理システムは、サーバ
ー２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサー
バー２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２
３０と、サーバー２１０に接続された搬送元の出力装置
２４０とから構成されている。
ー２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサー
バー２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２
３０と、サーバー２１０に接続された搬送元の出力装置
２４０とから構成されている。
【０１３２】サーバー２１０は、プラズマ処理装置のメ
ーカー、流通業者、メンテナンス業者等の搬送元が管理
するもので、その設置場所も搬送元とすることが望まし
い。また、このサーバー２１０は、同時に複数の納入先
の入出力装置２２０に対してサービスを提供するための
高速な処理能力を持った計算機と、多様なサービスと納
入先のプラズマ処理装置に関する情報を格納するための
大容量記憶装置を備えたものであることが望ましい、具
体的には、大型計算機、高性能ワークステーション等が
よい。サーバー２１０は、計算機２１１およびこれに接
続された記憶装置２１２と、通信回線２３０と接続する
ための送受信手段２１３とから構成されている。また、
このサーバー２１０に、搬送元に設置された出力装置２
４０が接続されている。
ーカー、流通業者、メンテナンス業者等の搬送元が管理
するもので、その設置場所も搬送元とすることが望まし
い。また、このサーバー２１０は、同時に複数の納入先
の入出力装置２２０に対してサービスを提供するための
高速な処理能力を持った計算機と、多様なサービスと納
入先のプラズマ処理装置に関する情報を格納するための
大容量記憶装置を備えたものであることが望ましい、具
体的には、大型計算機、高性能ワークステーション等が
よい。サーバー２１０は、計算機２１１およびこれに接
続された記憶装置２１２と、通信回線２３０と接続する
ための送受信手段２１３とから構成されている。また、
このサーバー２１０に、搬送元に設置された出力装置２
４０が接続されている。
【０１３３】また、納入先の入出力装置２２０は、納入
先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等が利用する
もので、納入先に設置されるか、又は納入先に携帯され
て利用される。この入出力装置は通信回線２３０を利用
してサーバー２１０と信号の授受を行えるものであれば
特に限定はなく、具体的にはパーソナルコンピュータ、
専用端末機、電話機等が利用できる。納入先入出力装置
２２０は、本体２２１、および通信回線２３０と接続す
るための送受信手段２２３とから構成されている。
先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等が利用する
もので、納入先に設置されるか、又は納入先に携帯され
て利用される。この入出力装置は通信回線２３０を利用
してサーバー２１０と信号の授受を行えるものであれば
特に限定はなく、具体的にはパーソナルコンピュータ、
専用端末機、電話機等が利用できる。納入先入出力装置
２２０は、本体２２１、および通信回線２３０と接続す
るための送受信手段２２３とから構成されている。
【０１３４】通信回線２３０は、その媒体や形式に特に
限定はなく、離間した地点におかれたサーバー２１０と
入出力装置２２０との間で信号の授受ができるものであ
ればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回
線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使
用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々
の通信形式を活用できる。
限定はなく、離間した地点におかれたサーバー２１０と
入出力装置２２０との間で信号の授受ができるものであ
ればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回
線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使
用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々
の通信形式を活用できる。
【０１３５】以下、図１５を参照しながら、図１６のフ
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン
等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能
評価を開始するにあたり、まず、納入先に納入された、
あるいは使用中のプラズマ処理装置について、高周波特
性としての値Ｃx1（時刻ｔ0の後の時刻ｔ1における上記
高周波電源の接続された電極と直流的にアースされた各
接地電位部との間のロス容量の値）、値Ｃe1（時刻ｔ0
の後の時刻ｔ1における上記高周波電源の接続された電
極と対となり協働してプラズマを発生する電極との間の
プラズマ電極容量の値）を測定し、この値を入出力装置
２２０から入力する（ステップ３０１）。この入力され
たＣx1の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に
送信される。
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン
等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能
評価を開始するにあたり、まず、納入先に納入された、
あるいは使用中のプラズマ処理装置について、高周波特
性としての値Ｃx1（時刻ｔ0の後の時刻ｔ1における上記
高周波電源の接続された電極と直流的にアースされた各
接地電位部との間のロス容量の値）、値Ｃe1（時刻ｔ0
の後の時刻ｔ1における上記高周波電源の接続された電
極と対となり協働してプラズマを発生する電極との間の
プラズマ電極容量の値）を測定し、この値を入出力装置
２２０から入力する（ステップ３０１）。この入力され
たＣx1の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に
送信される。
【０１３６】これに対しサーバ２１０は、記憶装置２１
２に格納された基準となる高周波特性としてのＣX0（時
刻ｔ0における上記高周波電源の接続された電極と直流
的にアースされた各接地電位部との間のロス容量の値）
と、Ｃe0（時刻ｔ0における上記高周波電源の接続され
た電極と対となり協働してプラズマを発生する電極との
間のプラズマ電極容量の値）の情報５００を呼び出し、
これら値に基づき、ＣX0とＣx1との差の絶対値|ΔＣX|
を計算する（ステップ３０２）。なお、基準となる高周
波特性としてのロス容量ＣX0は、プラズマ処理装置を納
入先に搬送するに先立ち分解をする前に、搬送元で設定
した高周波特性値であって、例えば平行平板型電極４，
８のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍が、ロス容量ＣX よ
り大きい範囲の値になるようにような関係を満たすＣX0
であり（Ｃx0は、上記プラズマ電極容量Ｃe の２６
倍より小さい範囲の値になるような関係を満たす値）、
より好ましくはプラズマ電極容量Ｃe の７倍が、ロス容
量ＣX より大きな範囲の値になるようにような関係を満
たすＣX0 、さらに好ましくはプラズマ電極容量Ｃe の
５倍が、ロス容量ＣX より大きな範囲の値になるように
ような関係を満たすＣX0である。
２に格納された基準となる高周波特性としてのＣX0（時
刻ｔ0における上記高周波電源の接続された電極と直流
的にアースされた各接地電位部との間のロス容量の値）
と、Ｃe0（時刻ｔ0における上記高周波電源の接続され
た電極と対となり協働してプラズマを発生する電極との
間のプラズマ電極容量の値）の情報５００を呼び出し、
これら値に基づき、ＣX0とＣx1との差の絶対値|ΔＣX|
を計算する（ステップ３０２）。なお、基準となる高周
波特性としてのロス容量ＣX0は、プラズマ処理装置を納
入先に搬送するに先立ち分解をする前に、搬送元で設定
した高周波特性値であって、例えば平行平板型電極４，
８のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍が、ロス容量ＣX よ
り大きい範囲の値になるようにような関係を満たすＣX0
であり（Ｃx0は、上記プラズマ電極容量Ｃe の２６
倍より小さい範囲の値になるような関係を満たす値）、
より好ましくはプラズマ電極容量Ｃe の７倍が、ロス容
量ＣX より大きな範囲の値になるようにような関係を満
たすＣX0 、さらに好ましくはプラズマ電極容量Ｃe の
５倍が、ロス容量ＣX より大きな範囲の値になるように
ような関係を満たすＣX0である。
【０１３７】次にサーバ２１０は、|ΔＣX|とＣX0とを
比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体
的には、|ΔＣX|がＣX0の１０％より小さい値の場合に
は、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持している
と判断する。また、|ΔＣX|がＣX0の１０％以上の値の
場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持し
ていると判断する（ステップ３０３）。
比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体
的には、|ΔＣX|がＣX0の１０％より小さい値の場合に
は、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持している
と判断する。また、|ΔＣX|がＣX0の１０％以上の値の
場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持し
ていると判断する（ステップ３０３）。
【０１３８】次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果
を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２
４０の双方に提供する（ステップ３０４）。この内、入
出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表示
の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信し
たりする。具体的には、所定の性能を維持していると判
断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切
に維持されておりますので、そのままご使用くださ
い。」といったメッセージを、所定の信号を維持してい
ないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能
は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱
説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセー
ジを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサー
ビスマン等に伝えられるようにする。また、出力装置２
４０に対しても、所定の信号を維持していないと判断し
た場合に、プリントアウトや画面表示、信号出力等の指
令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信
したりする。そして、出力装置２４０から、プリントア
ウト、画面表示、信号出力、あるいは警報音等の保守作
業命令を出力する。なお、搬送元において、いずれの納
入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するた
めに、入出力装置２２０からプラズマ処理室の固有番号
を受信し、これを出力装置２４０から出力することが望
ましいが、入出力装置２２０の固有番号、例えばアドレ
ス番号や電話番号等から判断して、その判断結果を出力
装置２４０から出力してもよい。
を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２
４０の双方に提供する（ステップ３０４）。この内、入
出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表示
の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信し
たりする。具体的には、所定の性能を維持していると判
断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切
に維持されておりますので、そのままご使用くださ
い。」といったメッセージを、所定の信号を維持してい
ないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能
は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱
説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセー
ジを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサー
ビスマン等に伝えられるようにする。また、出力装置２
４０に対しても、所定の信号を維持していないと判断し
た場合に、プリントアウトや画面表示、信号出力等の指
令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信
したりする。そして、出力装置２４０から、プリントア
ウト、画面表示、信号出力、あるいは警報音等の保守作
業命令を出力する。なお、搬送元において、いずれの納
入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するた
めに、入出力装置２２０からプラズマ処理室の固有番号
を受信し、これを出力装置２４０から出力することが望
ましいが、入出力装置２２０の固有番号、例えばアドレ
ス番号や電話番号等から判断して、その判断結果を出力
装置２４０から出力してもよい。
【０１３９】この結果、納入先の顧客や納入先を訪問し
たサービスマン等は、プラズマ処理装置を実際に動作さ
せて成膜された基板を検査するという作業を行うことな
く、直ちに当該プラズマ装置の性能を評価することがで
きる。しかも、処理をおこなった基板の評価によりプラ
ズマ処理装置の動作確認および、動作の評価をおこなう
という２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理
装置の評価を、しかも、プラズマ処理装置（プラズマチ
ャンバ）７５あるいは９５が設置してある場所で短時間
におこなうことが可能である。その上、被処理基板への
実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々に行
うしかなかった複数のプラズマチャンバあるいは複数の
プラズマ処理室を有するプラズマ処理装置の場合につい
ても、結果をほぼ同時に得ることができる。このため、
製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理
装置の動作確認および、動作の評価をする必要がなくな
り、製造ラインとしての生産性を向上することができ
る。また、このような調整に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従
事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能
となる。
たサービスマン等は、プラズマ処理装置を実際に動作さ
せて成膜された基板を検査するという作業を行うことな
く、直ちに当該プラズマ装置の性能を評価することがで
きる。しかも、処理をおこなった基板の評価によりプラ
ズマ処理装置の動作確認および、動作の評価をおこなう
という２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理
装置の評価を、しかも、プラズマ処理装置（プラズマチ
ャンバ）７５あるいは９５が設置してある場所で短時間
におこなうことが可能である。その上、被処理基板への
実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々に行
うしかなかった複数のプラズマチャンバあるいは複数の
プラズマ処理室を有するプラズマ処理装置の場合につい
ても、結果をほぼ同時に得ることができる。このため、
製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理
装置の動作確認および、動作の評価をする必要がなくな
り、製造ラインとしての生産性を向上することができ
る。また、このような調整に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従
事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能
となる。
【０１４０】また、搬送元のメーカー等においては、納
入先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守
作業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、
顧客に対するアフタサービス体制を充実させることがで
きる。
入先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守
作業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、
顧客に対するアフタサービス体制を充実させることがで
きる。
【０１４１】なお、本実施形態のように、サーバー２１
０が、納入先の入出力装置２２０と搬送元の出力装置２
４０との双方に評価情報を提供する場合、両評価情報の
基礎となる所定の値は必ずしも同一の値でなくともよ
い。例えば、納入先入出力装置に発信する評価情報につ
いては、所定の値をＣX0の１０％とし、この値を越えた
ときに所定の性能を維持していない旨の信号を発信し、
一方、搬送元の出力装置には、所定の値をＣX0の３％と
して、この値を越える場合に保守作業命令を出力するよ
うにしても良い。このように、搬送元の出力装置に対し
て、納入先入出力装置に対するよりも厳しい評価基準に
基づき保守作業命令が出される場合には、納入先のプラ
ズマ処理装置の性能が大きく変動する以前に搬送元によ
る保守サービスを行うことができる。すなわち、より先
手を打った保守体制を確立することができる。
０が、納入先の入出力装置２２０と搬送元の出力装置２
４０との双方に評価情報を提供する場合、両評価情報の
基礎となる所定の値は必ずしも同一の値でなくともよ
い。例えば、納入先入出力装置に発信する評価情報につ
いては、所定の値をＣX0の１０％とし、この値を越えた
ときに所定の性能を維持していない旨の信号を発信し、
一方、搬送元の出力装置には、所定の値をＣX0の３％と
して、この値を越える場合に保守作業命令を出力するよ
うにしても良い。このように、搬送元の出力装置に対し
て、納入先入出力装置に対するよりも厳しい評価基準に
基づき保守作業命令が出される場合には、納入先のプラ
ズマ処理装置の性能が大きく変動する以前に搬送元によ
る保守サービスを行うことができる。すなわち、より先
手を打った保守体制を確立することができる。
【０１４２】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムの他の実施形態を第４実施形態として、
図面に基づいて説明する。 ［第４実施形態］図１７は本実施形態に係るプラズマ処
理装置の性能管理システムのシステム構成図、図１８
は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法
を示すフローチャートである。なお、両図において、図
１５及び図１６と同一の構成要素には、同一の符号を附
してその説明を省略する。
能管理システムの他の実施形態を第４実施形態として、
図面に基づいて説明する。 ［第４実施形態］図１７は本実施形態に係るプラズマ処
理装置の性能管理システムのシステム構成図、図１８
は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法
を示すフローチャートである。なお、両図において、図
１５及び図１６と同一の構成要素には、同一の符号を附
してその説明を省略する。
【０１４３】図１７に示す性能管理システムは、サーバ
ー２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサー
バー２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２
３０と、サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０
とに加えて、プラズマ処理装置２５０に接続された容量
を測定する測定器２６０とから構成されている。
ー２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサー
バー２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２
３０と、サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０
とに加えて、プラズマ処理装置２５０に接続された容量
を測定する測定器２６０とから構成されている。
【０１４４】本実施形態では、容量測定器２６０の出力
端子が入出力装置２２０に接続され、容量測定器２６０
で測定されたプラズマ測定装置２５０の高周波特性とし
ての容量Ｃxが、入出力装置２２０及び通信回線２３０
を介して、人手による入力作業を経ることなく、直接サ
ーバー２１０に送信されるようになっている。また、入
出力装置２２０は、プラズマ処理室の固有番号Ｓの入力
を受けると、容量測定器２６０の測定結果を読みとるよ
うにプログラムされている。
端子が入出力装置２２０に接続され、容量測定器２６０
で測定されたプラズマ測定装置２５０の高周波特性とし
ての容量Ｃxが、入出力装置２２０及び通信回線２３０
を介して、人手による入力作業を経ることなく、直接サ
ーバー２１０に送信されるようになっている。また、入
出力装置２２０は、プラズマ処理室の固有番号Ｓの入力
を受けると、容量測定器２６０の測定結果を読みとるよ
うにプログラムされている。
【０１４５】以下、図１７を参照しながら、図１８のフ
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン
等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能
評価を開始するにあたり、まず、予め容量測定器２６０
を入出力装置２２０に接続した上で、納入先に納入され
た、あるいは使用中のプラズマ処理装置について、プラ
ズマ処理室の固有番号Ｓを入出力装置２２０から入力す
る。このとき、プラズマ処理室の高周波特性としての容
量の値ＣX1（時刻ｔ1における上記高周波電源の接続さ
れた電極と直流的にアースされた各接地電位部との間の
ロス容量の値）、値Ｃe1（時刻ｔ0の後の時刻ｔ1におけ
る上記高周波電源の接続された電極と対となり協働して
プラズマを発生する電極との間のプラズマ電極容量の
値）の測定値が、入出力装置２２０のプログラムに従
い、自動的に容量測定器２６０から入出力装置２２０に
入力される。（ステップ４０１）。この入力された固有
番号Ｓ及びＣx1及びＣe1の値は、通信回線２３０を通じ
てサーバー２１０に送信される。
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン
等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能
評価を開始するにあたり、まず、予め容量測定器２６０
を入出力装置２２０に接続した上で、納入先に納入され
た、あるいは使用中のプラズマ処理装置について、プラ
ズマ処理室の固有番号Ｓを入出力装置２２０から入力す
る。このとき、プラズマ処理室の高周波特性としての容
量の値ＣX1（時刻ｔ1における上記高周波電源の接続さ
れた電極と直流的にアースされた各接地電位部との間の
ロス容量の値）、値Ｃe1（時刻ｔ0の後の時刻ｔ1におけ
る上記高周波電源の接続された電極と対となり協働して
プラズマを発生する電極との間のプラズマ電極容量の
値）の測定値が、入出力装置２２０のプログラムに従
い、自動的に容量測定器２６０から入出力装置２２０に
入力される。（ステップ４０１）。この入力された固有
番号Ｓ及びＣx1及びＣe1の値は、通信回線２３０を通じ
てサーバー２１０に送信される。
【０１４６】これに対しサーバー２１０は、記憶装置２
１２に格納された高周波特性としての容量の値Ｃx0（時
刻ｔ0における上記高周波電源の接続された電極と直流
的にアースされた各接地電位部との間のロス容量の
値）、値Ｃe0（時刻ｔ0における上記高周波電源の接続
された電極と対となり協働してプラズマを発生する電極
との間のプラズマ電極容量の値）の情報の中から、固有
番号Ｓに対応する固有Ｃx0 やＣe1情報６００を呼び出
し、この値に基づき、Ｃx0とＣx1との差の絶対値|ΔＣx
|を計算する（ステップ４０２）。ここで、固有Ｃx0、
Ｃe1は、固有番号Ｓと１対１の関係で記憶装置２１２に
格納されたもの、すなわち、各々のプラズマ処理室毎に
設定した、あるいは、製造時等に実際に測定した個別の
高周波特性としての容量の値Ｃx0、値Ｃe1である。
１２に格納された高周波特性としての容量の値Ｃx0（時
刻ｔ0における上記高周波電源の接続された電極と直流
的にアースされた各接地電位部との間のロス容量の
値）、値Ｃe0（時刻ｔ0における上記高周波電源の接続
された電極と対となり協働してプラズマを発生する電極
との間のプラズマ電極容量の値）の情報の中から、固有
番号Ｓに対応する固有Ｃx0 やＣe1情報６００を呼び出
し、この値に基づき、Ｃx0とＣx1との差の絶対値|ΔＣx
|を計算する（ステップ４０２）。ここで、固有Ｃx0、
Ｃe1は、固有番号Ｓと１対１の関係で記憶装置２１２に
格納されたもの、すなわち、各々のプラズマ処理室毎に
設定した、あるいは、製造時等に実際に測定した個別の
高周波特性としての容量の値Ｃx0、値Ｃe1である。
【０１４７】次にサーバー２１０は、|ΔＣx|とＣx0と
を比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具
体的には、|ΔＣx|がＣx0の１０％より小さい値の場合
には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持してい
ると判断する。また、|ΔＣx |がＣx0の１０％以上の値
の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持
していないと判断する（ステップ４０３）。
を比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具
体的には、|ΔＣx|がＣx0の１０％より小さい値の場合
には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持してい
ると判断する。また、|ΔＣx |がＣx0の１０％以上の値
の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持
していないと判断する（ステップ４０３）。
【０１４８】次にサーバー２１０は、上記性能評価の結
果を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置
２４０の双方に提供する（ステップ４０４）。この内、
入出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表
示の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信
したりする。具体的には、所定の性能を維持していると
判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適
切に維持されておりますので、そのままご使用くださ
い。」といったメッセージを、所定の信号を維持してい
ないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能
は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱
説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセー
ジを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサー
ビスマン等に伝えられるようにする。また、サーバー２
１０は、出力装置２４０に対しても、プリントアウトや
画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、警報音発
生信号を送信したりする。具体的には、所定の信号を維
持していないと判断した場合に、保守作業命令を送信す
る。なお、搬送元において、いずれの納入先のどの装置
が保守を必要としているかを判断するために、サーバー
２１０から出力装置２４０に対してプラズマ処理室の固
有番号も同時に提供される。
果を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置
２４０の双方に提供する（ステップ４０４）。この内、
入出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表
示の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信
したりする。具体的には、所定の性能を維持していると
判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適
切に維持されておりますので、そのままご使用くださ
い。」といったメッセージを、所定の信号を維持してい
ないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能
は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱
説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセー
ジを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサー
ビスマン等に伝えられるようにする。また、サーバー２
１０は、出力装置２４０に対しても、プリントアウトや
画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、警報音発
生信号を送信したりする。具体的には、所定の信号を維
持していないと判断した場合に、保守作業命令を送信す
る。なお、搬送元において、いずれの納入先のどの装置
が保守を必要としているかを判断するために、サーバー
２１０から出力装置２４０に対してプラズマ処理室の固
有番号も同時に提供される。
【０１４９】本実施形態のプラズマ処理装置の管理シス
テムにおいては、第３実施形態と同等の効果を奏すると
ともに、固有番号Ｓ毎に実際の値を記憶することで、よ
り精密な管理が可能となる。また、出力装置２４０に保
守作業命令と共に固有番号２４０の情報が提供されるの
で、搬送元において、何れのプロセス処理装置に問題が
生じたか、あるいは何れのプロセス処理装置のいずれの
プロセス処理室に問題が生じたか等を直ちに把握でき
る。なお、複数のプラズマ処理室を備えたプラズマ処理
装置やプラズマ処理装置を複数備えたプラズマ処理シス
テムにおいては、各々のプラズマ処理室の動作条件を揃
え、同一のプロセスレシピで同等の成膜特性を得るため
に、同等の高周波特性を設定することが望ましい。その
ため、固有Ｃx0やＣe1は、プロセス処理室間でバラツキ
なく設定することが望ましいが、納入先の事情等種々の
要因により他のプロセス処理装置と大きく異なるＣx0や
Ｃe1を設定しても差し支えない。
テムにおいては、第３実施形態と同等の効果を奏すると
ともに、固有番号Ｓ毎に実際の値を記憶することで、よ
り精密な管理が可能となる。また、出力装置２４０に保
守作業命令と共に固有番号２４０の情報が提供されるの
で、搬送元において、何れのプロセス処理装置に問題が
生じたか、あるいは何れのプロセス処理装置のいずれの
プロセス処理室に問題が生じたか等を直ちに把握でき
る。なお、複数のプラズマ処理室を備えたプラズマ処理
装置やプラズマ処理装置を複数備えたプラズマ処理シス
テムにおいては、各々のプラズマ処理室の動作条件を揃
え、同一のプロセスレシピで同等の成膜特性を得るため
に、同等の高周波特性を設定することが望ましい。その
ため、固有Ｃx0やＣe1は、プロセス処理室間でバラツキ
なく設定することが望ましいが、納入先の事情等種々の
要因により他のプロセス処理装置と大きく異なるＣx0や
Ｃe1を設定しても差し支えない。
【０１５０】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムの他の実施形態を第５実施形態として説
明する。 ［第５実施形態］本実施形態に係るプラズマ処理装置の
性能管理システムのシステム構成もまた、第４実施形態
の図１７で示される。本実施形態と第５実施形態との構
成上の相違は、サーバー２１０が、エンジニア情報６０
１として、各々所定の値の範囲によって決められた故障
レベルを含む状態レベルと、故障レベルに対応して登録
されたサービスエンジニアの情報を記憶しているもので
ある点である。表１は、エンジニア情報６０１の一例を
示すものである。
能管理システムの他の実施形態を第５実施形態として説
明する。 ［第５実施形態］本実施形態に係るプラズマ処理装置の
性能管理システムのシステム構成もまた、第４実施形態
の図１７で示される。本実施形態と第５実施形態との構
成上の相違は、サーバー２１０が、エンジニア情報６０
１として、各々所定の値の範囲によって決められた故障
レベルを含む状態レベルと、故障レベルに対応して登録
されたサービスエンジニアの情報を記憶しているもので
ある点である。表１は、エンジニア情報６０１の一例を
示すものである。
【０１５１】
【表１】
【０１５２】以下、図１７を参照しながら、図１９のフ
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。図１９のフローチャートにおけるステップ５０
１及びステップ５０２は、各々図１８のステップ４０
１、４０２と同一なのでその説明を省略する。
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。図１９のフローチャートにおけるステップ５０
１及びステップ５０２は、各々図１８のステップ４０
１、４０２と同一なのでその説明を省略する。
【０１５３】ステップ５０２で|ΔＣx|を求めた後、サ
ーバー２１０は、|ΔＣx|をエンジニア情報６０１に照
らして、どの状態レベルにあるかを評価する。そして、
|ΔＣx |のレベルが、いずれかの故障レベルであると評
価した際は、当該故障レベルに対応してエンジニア情報
６０１に登録されているサービスエンジニアの情報を呼
び出す。（ステップ５０３）。
ーバー２１０は、|ΔＣx|をエンジニア情報６０１に照
らして、どの状態レベルにあるかを評価する。そして、
|ΔＣx |のレベルが、いずれかの故障レベルであると評
価した際は、当該故障レベルに対応してエンジニア情報
６０１に登録されているサービスエンジニアの情報を呼
び出す。（ステップ５０３）。
【０１５４】次にサーバー２１０は、上記性能評価の結
果として、状態レベルを納入先の入出力装置２２０、及
び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ
５０４）。この内、入出力装置２２０に対しては、状態
レベル（故障レベル）をプリントアウトや画面表示の指
令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したり
することにより発信する。具体的には、状態レベルは
「最良」であると判断した場合には、例えば「ご照会の
装置の性能は、適切に維持されておりますので、そのま
まご使用ください。」といったメッセージを、状態レベ
ルは「良」であると判断した場合には、例えば「ご照会
の装置の性能は、適切に維持されておりますが、そろそ
ろ点検が必要です。」といったメッセージを、状態レベ
ルが何れかの故障レベルであると判断した場合には、例
えば「ご照会の装置は、故障レベル２に該当します。性
能が適切に維持されていない恐れがありますので、サー
ビスエンジニアに調整を依頼してください。」といった
メッセージを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧
客やサービスマン等に伝えられるようにする。また、サ
ーバー２１０は、出力装置２４０に対しては、状態レベ
ルがいずれかの故障レベルに該当する場合、状態レベル
だけでなく、当該故障レベルに対応したサービスエンジ
ニアの情報と共に保守作業命令を出力する。
果として、状態レベルを納入先の入出力装置２２０、及
び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ
５０４）。この内、入出力装置２２０に対しては、状態
レベル（故障レベル）をプリントアウトや画面表示の指
令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したり
することにより発信する。具体的には、状態レベルは
「最良」であると判断した場合には、例えば「ご照会の
装置の性能は、適切に維持されておりますので、そのま
まご使用ください。」といったメッセージを、状態レベ
ルは「良」であると判断した場合には、例えば「ご照会
の装置の性能は、適切に維持されておりますが、そろそ
ろ点検が必要です。」といったメッセージを、状態レベ
ルが何れかの故障レベルであると判断した場合には、例
えば「ご照会の装置は、故障レベル２に該当します。性
能が適切に維持されていない恐れがありますので、サー
ビスエンジニアに調整を依頼してください。」といった
メッセージを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧
客やサービスマン等に伝えられるようにする。また、サ
ーバー２１０は、出力装置２４０に対しては、状態レベ
ルがいずれかの故障レベルに該当する場合、状態レベル
だけでなく、当該故障レベルに対応したサービスエンジ
ニアの情報と共に保守作業命令を出力する。
【０１５５】本実施形態のプラズマ処理装置の管理シス
テムによれば、搬送元において、保守作業命令が出力さ
れると共に、どの程度の故障レベルかや、その故障レベ
ルに応じてランク分けされたサービスエンジニアの情報
も出力される。そのため、このシステムによれば、遠隔
地に納入したプラズマ処理装置であっても、搬送元にお
いて、その故障レベルを把握することができる。そし
て、その故障レベルに応じて、教育訓練度合の異なるサ
ービスエンジニアを派遣することができる。従って、人
材活用が合理化できると共に、迅速、かつ、的確なサポ
ートが可能となる。すなわち、装置納入後のフィールド
サポート体制の合理化が可能となるものである。本管理
システムの対象となるプラズマ処理装置に特に限定はな
く、第１、２実施形態において示したプラズマ処理装置
又は、後述する第９、１０の実施形態において示したプ
ラズマ処理装置又は第１１の実施形態において示したプ
ラズマ処理システムにおけるプラズマ処理装置等も対象
となる。
テムによれば、搬送元において、保守作業命令が出力さ
れると共に、どの程度の故障レベルかや、その故障レベ
ルに応じてランク分けされたサービスエンジニアの情報
も出力される。そのため、このシステムによれば、遠隔
地に納入したプラズマ処理装置であっても、搬送元にお
いて、その故障レベルを把握することができる。そし
て、その故障レベルに応じて、教育訓練度合の異なるサ
ービスエンジニアを派遣することができる。従って、人
材活用が合理化できると共に、迅速、かつ、的確なサポ
ートが可能となる。すなわち、装置納入後のフィールド
サポート体制の合理化が可能となるものである。本管理
システムの対象となるプラズマ処理装置に特に限定はな
く、第１、２実施形態において示したプラズマ処理装置
又は、後述する第９、１０の実施形態において示したプ
ラズマ処理装置又は第１１の実施形態において示したプ
ラズマ処理システムにおけるプラズマ処理装置等も対象
となる。
【０１５６】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能確認システムの実施形態を第６実施形態として、図面
に基づいて説明する。なお、以下の説明では、購入発注
者を単に発注者、また販売保守者を単に保守者という。 ［第６実施形態］図２０は本実施形態のプラズマ処理装
置の性能確認システムのシステム構成図である。この図
において、参照符号Ｃ1 ，Ｃ2 ，……はクライアント・
コンピュータ（以下、単にクライアントという）、Ｓは
サーバー・コンピュータ（性能状況情報提供手段，以下
単にサーバーという）、Ｄはデータベース・コンピュー
タ（基準情報記憶手段，以下単にデータベースとい
う）、またＮは公衆回線である。クライアントＣ1 ，Ｃ
2 ，……とサーバーＳとデータベースＤとは、この図に
示すように公衆回線Ｎを介して相互に接続されている。
能確認システムの実施形態を第６実施形態として、図面
に基づいて説明する。なお、以下の説明では、購入発注
者を単に発注者、また販売保守者を単に保守者という。 ［第６実施形態］図２０は本実施形態のプラズマ処理装
置の性能確認システムのシステム構成図である。この図
において、参照符号Ｃ1 ，Ｃ2 ，……はクライアント・
コンピュータ（以下、単にクライアントという）、Ｓは
サーバー・コンピュータ（性能状況情報提供手段，以下
単にサーバーという）、Ｄはデータベース・コンピュー
タ（基準情報記憶手段，以下単にデータベースとい
う）、またＮは公衆回線である。クライアントＣ1 ，Ｃ
2 ，……とサーバーＳとデータベースＤとは、この図に
示すように公衆回線Ｎを介して相互に接続されている。
【０１５７】クライアントＣ1 ，Ｃ2 ，……は、一般に
広く普及しているインターネットの通信プロトコル（Ｔ
ＣＰ／ＩＰ等）を用いてサーバーＳと通信する機能（通
信機能）を備えたものである。このうち、クライアント
Ｃ1 （発注者側情報端末）は、発注者が保守者に発注し
たプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムのプラ
ズマチャンバの性能状況を公衆回線Ｎを介して確認する
ためのコンピュータであり、サーバーＳが保持する「プ
ラズマチャンバの性能情報提供ページ」を情報提供ペー
ジ（Ｗｅｂページ）として閲覧する機能（プラズマチャ
ンバの性能状況情報閲覧機能）を備えたものである。ま
た、クライアントＣ2 （保守者側情報端末）は、保守者
が上記「性能状況情報」の一部である「ＣX0情報（時刻
ｔ0における上記高周波電源の接続された電極と直流的
にアースされた各接地電位部との間のロス容量の値情
報）」や「Ｃe0（時刻ｔ0における上記高周波電源の接
続された電極と対となり協働してプラズマを発生する電
極との間のプラズマ電極容量の値情報）」をサーバーＳ
にアップロードするとともに、クライアントＣ1 を介し
て発注者から発せられた電子メールを受信するためのも
のである。ここで、プラズマ処理装置又はプラズマ処理
システムは、上記の第１〜第２実施形態に準じる構成と
されるとともに、チャンバ数等の構成条件は、任意に設
定可能なものとされる。
広く普及しているインターネットの通信プロトコル（Ｔ
ＣＰ／ＩＰ等）を用いてサーバーＳと通信する機能（通
信機能）を備えたものである。このうち、クライアント
Ｃ1 （発注者側情報端末）は、発注者が保守者に発注し
たプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムのプラ
ズマチャンバの性能状況を公衆回線Ｎを介して確認する
ためのコンピュータであり、サーバーＳが保持する「プ
ラズマチャンバの性能情報提供ページ」を情報提供ペー
ジ（Ｗｅｂページ）として閲覧する機能（プラズマチャ
ンバの性能状況情報閲覧機能）を備えたものである。ま
た、クライアントＣ2 （保守者側情報端末）は、保守者
が上記「性能状況情報」の一部である「ＣX0情報（時刻
ｔ0における上記高周波電源の接続された電極と直流的
にアースされた各接地電位部との間のロス容量の値情
報）」や「Ｃe0（時刻ｔ0における上記高周波電源の接
続された電極と対となり協働してプラズマを発生する電
極との間のプラズマ電極容量の値情報）」をサーバーＳ
にアップロードするとともに、クライアントＣ1 を介し
て発注者から発せられた電子メールを受信するためのも
のである。ここで、プラズマ処理装置又はプラズマ処理
システムは、上記の第１〜第２実施形態に準じる構成と
されるとともに、チャンバ数等の構成条件は、任意に設
定可能なものとされる。
【０１５８】上記サーバーＳの通信機能は、公衆回線Ｎ
がアナログ回線の場合にはモデムによって実現され、公
衆回線ＮがＩＳＤＮ（Integrated Services Digital Ne
twork）等のデジタル回線の場合には専用ターミナルア
ダプタ等によって実現される。 サーバーＳは、性能状
況情報提供用のコンピュータであり、上記クライアント
Ｃ1 から受信される閲覧要求に応じて、性能状況情報を
インターネットの通信プロトコルを用いてクライアント
Ｃ1 に送信する。ここで、上述した発注者が保守者から
プラズマ処理装置を納入された時点では、性能状況情報
を閲覧するための個別の「閲覧専用パスワード」が保守
者から個々の発注者に提供されるようになっている。こ
のサーバーＳは、正規な閲覧専用パスワードが提供され
た場合のみ、性能状況情報のうち動作保守状況情報をク
ライアントＣ1 に送信するように構成されている。
がアナログ回線の場合にはモデムによって実現され、公
衆回線ＮがＩＳＤＮ（Integrated Services Digital Ne
twork）等のデジタル回線の場合には専用ターミナルア
ダプタ等によって実現される。 サーバーＳは、性能状
況情報提供用のコンピュータであり、上記クライアント
Ｃ1 から受信される閲覧要求に応じて、性能状況情報を
インターネットの通信プロトコルを用いてクライアント
Ｃ1 に送信する。ここで、上述した発注者が保守者から
プラズマ処理装置を納入された時点では、性能状況情報
を閲覧するための個別の「閲覧専用パスワード」が保守
者から個々の発注者に提供されるようになっている。こ
のサーバーＳは、正規な閲覧専用パスワードが提供され
た場合のみ、性能状況情報のうち動作保守状況情報をク
ライアントＣ1 に送信するように構成されている。
【０１５９】ここで、具体的詳細については後述する
が、上記「性能状況情報」は、保守者の販売するプラズ
マ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズ
マチャンバの機種に関する情報、各機種における仕様書
としての品質性能情報、納入された各実機における品質
性能を示すパラメータの情報、および、このパラメー
タ、メンテナンスの履歴情報等から構成されている。こ
のうち、各実機における品質性能、パラメータ、メンテ
ナンスの履歴情報については、「閲覧専用パスワード」
が提供された発注者のみに閲覧可能となっている。
が、上記「性能状況情報」は、保守者の販売するプラズ
マ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズ
マチャンバの機種に関する情報、各機種における仕様書
としての品質性能情報、納入された各実機における品質
性能を示すパラメータの情報、および、このパラメー
タ、メンテナンスの履歴情報等から構成されている。こ
のうち、各実機における品質性能、パラメータ、メンテ
ナンスの履歴情報については、「閲覧専用パスワード」
が提供された発注者のみに閲覧可能となっている。
【０１６０】また、これら「性能状況情報」は、保守者
または発注者からサーバーＳに提供されるとともに実際
の動作・保守状況を示す「動作保守状況情報」と、デー
タベースＤに蓄積されると共にカタログとして未購入の
クライアントが閲覧可能な「性能基準情報」とから構成
されるものである。「性能基準情報」は、保守者が各プ
ラズマチャンバによっておこなうプラズマ処理に対して
客観的に性能を記述するためのものであり、プラズマＣ
ＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜
状態を予測可能とするものである。
または発注者からサーバーＳに提供されるとともに実際
の動作・保守状況を示す「動作保守状況情報」と、デー
タベースＤに蓄積されると共にカタログとして未購入の
クライアントが閲覧可能な「性能基準情報」とから構成
されるものである。「性能基準情報」は、保守者が各プ
ラズマチャンバによっておこなうプラズマ処理に対して
客観的に性能を記述するためのものであり、プラズマＣ
ＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜
状態を予測可能とするものである。
【０１６１】本実施形態では、これら「性能基準情報」
は、データベースＤに蓄積されるようになっている。サ
ーバーＳは、クライアントＣ1 から受信される「性能状
況情報」の閲覧要求に対して、データベースＤを検索す
ることにより必要な「性能基準情報」を取得して、「性
能状況情報提供ページ」として発注者のクライアントＣ
1 に送信するように構成されている。また、サーバーＳ
は、「閲覧専用パスワード」が提供された発注者から受
信される「性能状況情報」の閲覧要求に対しては、同様
に、データベースＤを検索することにより必要な「性能
基準情報」を取得するとともに、当該「性能基準情報」
にクライアントＣ2 を介して保守者から提供された「動
作保守状況情報」を組み合わせて「性能状況情報」を構
成し、「性能状況情報提供ページ」として発注者のクラ
イアントＣ1 に送信するように構成されている。
は、データベースＤに蓄積されるようになっている。サ
ーバーＳは、クライアントＣ1 から受信される「性能状
況情報」の閲覧要求に対して、データベースＤを検索す
ることにより必要な「性能基準情報」を取得して、「性
能状況情報提供ページ」として発注者のクライアントＣ
1 に送信するように構成されている。また、サーバーＳ
は、「閲覧専用パスワード」が提供された発注者から受
信される「性能状況情報」の閲覧要求に対しては、同様
に、データベースＤを検索することにより必要な「性能
基準情報」を取得するとともに、当該「性能基準情報」
にクライアントＣ2 を介して保守者から提供された「動
作保守状況情報」を組み合わせて「性能状況情報」を構
成し、「性能状況情報提供ページ」として発注者のクラ
イアントＣ1 に送信するように構成されている。
【０１６２】データベースＤは、このような「性能状況
情報」を構成する「性能基準情報」をプラズマ処理装置
またはプラズマ処理システムのプラズマチャンバの機種
毎に記憶蓄積するものであり、サーバーＳから受信され
る検索要求に応じてこれら「性能基準情報」を読み出し
てサーバーＳに転送する。図２０では１つのサーバーＳ
のみを示しているが、本実施形態では、汎用性のある
「性能基準情報」を保守者が複数箇所から管理する複数
のサーバー間で共通利用することが可能なように、これ
らサーバーとは個別のデータベースＤに「性能基準情
報」を蓄積するようにしている。
情報」を構成する「性能基準情報」をプラズマ処理装置
またはプラズマ処理システムのプラズマチャンバの機種
毎に記憶蓄積するものであり、サーバーＳから受信され
る検索要求に応じてこれら「性能基準情報」を読み出し
てサーバーＳに転送する。図２０では１つのサーバーＳ
のみを示しているが、本実施形態では、汎用性のある
「性能基準情報」を保守者が複数箇所から管理する複数
のサーバー間で共通利用することが可能なように、これ
らサーバーとは個別のデータベースＤに「性能基準情
報」を蓄積するようにしている。
【０１６３】次に、このように構成されたプラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムの性能確認システムの
動作について、図２１に示すフローチャートに沿って詳
しく説明する。なお、このフローチャートは、上記サー
バーＳにおける「性能状況情報」の提供処理を示すもの
である。
装置またはプラズマ処理システムの性能確認システムの
動作について、図２１に示すフローチャートに沿って詳
しく説明する。なお、このフローチャートは、上記サー
バーＳにおける「性能状況情報」の提供処理を示すもの
である。
【０１６４】通常、保守者は、不特定の発注者に対して
販売するプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバの「性能状況情報」、特に
「性能基準情報」を購入時の指標として提示することに
なる。一方、発注者は、この「性能基準情報」によって
プラズマチャンバにどのような性能、つまりどのような
プラズマ処理が可能なのかを把握することができる。
販売するプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバの「性能状況情報」、特に
「性能基準情報」を購入時の指標として提示することに
なる。一方、発注者は、この「性能基準情報」によって
プラズマチャンバにどのような性能、つまりどのような
プラズマ処理が可能なのかを把握することができる。
【０１６５】また、保守者は、特定の発注者に対して納
入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムに
おけるプラズマチャンバの「性能状況情報」のうち、
「性能基準情報」を使用時の指標として提示するととも
に、「動作保守状況情報」を動作状態のパラメータとし
て提示することになる。一方、ユーザーとしての発注者
は、「性能基準情報」と「動作保守状況情報」とを比較
することによってプラズマ処理装置またはプラズマ処理
システムにおける各プラズマチャンバの動作確認をおこ
なうとともにメンテナンスの必要性を認識し、かつ、プ
ラズマ処理状態の状態を把握することができる。
入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムに
おけるプラズマチャンバの「性能状況情報」のうち、
「性能基準情報」を使用時の指標として提示するととも
に、「動作保守状況情報」を動作状態のパラメータとし
て提示することになる。一方、ユーザーとしての発注者
は、「性能基準情報」と「動作保守状況情報」とを比較
することによってプラズマ処理装置またはプラズマ処理
システムにおける各プラズマチャンバの動作確認をおこ
なうとともにメンテナンスの必要性を認識し、かつ、プ
ラズマ処理状態の状態を把握することができる。
【０１６６】例えば、プラズマ処理装置またはプラズマ
処理システムを保守者から購入しようとする発注者は、
サーバーＳにアクセスすることにより、以下のようにし
て自らが購入しようとするプラズマ処理装置またはプラ
ズマ処理システムの「性能状況情報」の実体を容易に確
認することができる。
処理システムを保守者から購入しようとする発注者は、
サーバーＳにアクセスすることにより、以下のようにし
て自らが購入しようとするプラズマ処理装置またはプラ
ズマ処理システムの「性能状況情報」の実体を容易に確
認することができる。
【０１６７】まず、発注者がアクセスしようとした場合
には、予め設定されたサーバーＳのＩＰアドレスに基づ
いてクライアントＣ1 からサーバーＳに表示要求が送信
される。一方、サーバーＳは、上記表示要求の受信を受
信すると（ステップＳ１）、カタログページＣＰをクラ
イアントＣ1 に送信する（ステップＳ２）。図２２は、
このようにしてサーバーＳからクライアントＣ1 に送信
されたカタログページのメインページの一例である。こ
のカタログページＣＰには、保守者が販売する多数の機
種毎にその「性能状況情報」のうち「性能基準情報」を
表示するための機種選択ボタンＫ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４
…、と、後述するように、プラズマ処理装置またはプラ
ズマ処理システムを保守者から納入された発注者の使用
するカスタマーユーザ画面の表示要求をするためのカス
タマーユーザボタンＫ４から構成されている。
には、予め設定されたサーバーＳのＩＰアドレスに基づ
いてクライアントＣ1 からサーバーＳに表示要求が送信
される。一方、サーバーＳは、上記表示要求の受信を受
信すると（ステップＳ１）、カタログページＣＰをクラ
イアントＣ1 に送信する（ステップＳ２）。図２２は、
このようにしてサーバーＳからクライアントＣ1 に送信
されたカタログページのメインページの一例である。こ
のカタログページＣＰには、保守者が販売する多数の機
種毎にその「性能状況情報」のうち「性能基準情報」を
表示するための機種選択ボタンＫ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４
…、と、後述するように、プラズマ処理装置またはプラ
ズマ処理システムを保守者から納入された発注者の使用
するカスタマーユーザ画面の表示要求をするためのカス
タマーユーザボタンＫ４から構成されている。
【０１６８】例えば、発注者がクライアントＣ1 に備え
られたポインティングデバイス（例えばマウス）等を用
いることによって上記プラズマ処理装置またはプラズマ
処理システムの機種を選択指定した後、機種選択ボタン
Ｋ１〜Ｋ４…のいずれかを選択指定すると、この指示
は、「性能状況情報」のうち「性能基準情報」の表示要
求としてサーバーＳに送信される。
られたポインティングデバイス（例えばマウス）等を用
いることによって上記プラズマ処理装置またはプラズマ
処理システムの機種を選択指定した後、機種選択ボタン
Ｋ１〜Ｋ４…のいずれかを選択指定すると、この指示
は、「性能状況情報」のうち「性能基準情報」の表示要
求としてサーバーＳに送信される。
【０１６９】この表示要求を受信すると（ステップＳ
３）、サーバーＳは、選択された機種のうち、表示要求
された情報に該当するサブページをクライアントＣ1 に
送信する。すなわち、サーバーＳは、「性能基準情報」
の表示が要求された場合（Ａ）、図２３に示すような選
択された機種を指定することによってデータベースＤか
ら「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ
処理室電気性能」等のデータ、およびこれらのデータに
おけるプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム毎
の、各パラメータのばらつきの値のデータを取得し、こ
れらの掲載された仕様書ページＣＰ１をクライアントＣ
1 に送信する（ステップＳ４）。
３）、サーバーＳは、選択された機種のうち、表示要求
された情報に該当するサブページをクライアントＣ1 に
送信する。すなわち、サーバーＳは、「性能基準情報」
の表示が要求された場合（Ａ）、図２３に示すような選
択された機種を指定することによってデータベースＤか
ら「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ
処理室電気性能」等のデータ、およびこれらのデータに
おけるプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム毎
の、各パラメータのばらつきの値のデータを取得し、こ
れらの掲載された仕様書ページＣＰ１をクライアントＣ
1 に送信する（ステップＳ４）。
【０１７０】仕様書ページＣＰ１には、図２３に示すよ
うに、選択された機種を示す機種種別Ｋ６、真空性能表
示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ
９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０から構成され
ている。これらは、選択された機種のプラズマチャンバ
における「性能基準情報」に対応するものであり、例え
ば、それぞれ、真空性能表示欄Ｋ７には、 到達真空度 １×１０-4Ｐａ以下 操作圧力 ３０〜３００Ｐａ 給排気性能表示欄Ｋ８には、 最大ガス流量 ＳｉＨ4 １００ＳＣＣＭ ＮＨ3 ５００ＳＣＣＭ Ｎ2 ２０００ＳＣＣＭ 排気特性 ５００ＳＣＣＭ流して２０Ｐａ以下 温度性能表示欄Ｋ９には、 ヒータ設定温度 ２００〜３５０±１０℃ チャンバ設定温度 ６０〜８０±２．０℃ の項目が記載されている。ここで、ＳＣＣＭ(standard
cubic centimeters per minute) は、標準状態（０℃、
１０１３ｈＰａ）に換算した際におけるガス流量を表し
ており、ｃｍ3／ｍｉｎ に等しい単位を表している。
うに、選択された機種を示す機種種別Ｋ６、真空性能表
示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ
９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０から構成され
ている。これらは、選択された機種のプラズマチャンバ
における「性能基準情報」に対応するものであり、例え
ば、それぞれ、真空性能表示欄Ｋ７には、 到達真空度 １×１０-4Ｐａ以下 操作圧力 ３０〜３００Ｐａ 給排気性能表示欄Ｋ８には、 最大ガス流量 ＳｉＨ4 １００ＳＣＣＭ ＮＨ3 ５００ＳＣＣＭ Ｎ2 ２０００ＳＣＣＭ 排気特性 ５００ＳＣＣＭ流して２０Ｐａ以下 温度性能表示欄Ｋ９には、 ヒータ設定温度 ２００〜３５０±１０℃ チャンバ設定温度 ６０〜８０±２．０℃ の項目が記載されている。ここで、ＳＣＣＭ(standard
cubic centimeters per minute) は、標準状態（０℃、
１０１３ｈＰａ）に換算した際におけるガス流量を表し
ており、ｃｍ3／ｍｉｎ に等しい単位を表している。
【０１７１】そしてこれらのパラメータＰに対して、そ
れぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれ
のパラメータＰのうちその最大値Ｐmax と最小値Ｐmin
のばらつきを、以下の式（１０Ｂ） （Ｐmax −Ｐmin ）／（Ｐmax ＋Ｐmin ） （１０Ｂ） として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそ
れぞれのパラメータの項目に対して表示する。
れぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれ
のパラメータＰのうちその最大値Ｐmax と最小値Ｐmin
のばらつきを、以下の式（１０Ｂ） （Ｐmax −Ｐmin ）／（Ｐmax ＋Ｐmin ） （１０Ｂ） として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそ
れぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０１７２】また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１
０には、前述した第１〜第２実施形態のプラズマ処理装
置又は後述する第９、１０の実施形態のプラズマ処理装
置又は第１１の実施形態のプラズマ処理システムにおけ
るプラズマ処理装置で説明したプラズマ励起電極４とサ
セプタ電極８間のプラズマ電極容量Ｃe プラズマ励起
電極４と直流的にアースされた各接地電位部との間のロ
ス容量ＣX の値、及びこの設定範囲とプラズマ電極容量
Ｃe との関係等値が記載される。 また、これ以外に
も、共振周波数ｆ、高周波電力の周波数におけるインピ
ーダンスＺ、プラズマチャンバのレジスタンスＲおよび
リアクタンスＸ等が記載される。共振周波数ｆとして
は、高周波電力を供給する際に整合回路の出力端に接続
される高周波電力配電体の端部で測定したプラズマ処理
室の第１直列共振周波数ｆ0や、上記電極と協働してプ
ラズマを発生する対向電極との容量によって規定される
直列共振周波数を採用したりすることができる。また、
プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０には、上記以外に
も、上記第１直列共振周波数ｆ0の設定範囲と電力周波
数ｆeとの関係等が記載される。また、仕様書ページＣ
Ｐ１には、「プラズマ処理装置またはプラズマ処理シス
テムの納入時においては各パラメータ値がこのページに
記載された設定範囲内にあることを保証します」という
性能保証の文言が記載される。
０には、前述した第１〜第２実施形態のプラズマ処理装
置又は後述する第９、１０の実施形態のプラズマ処理装
置又は第１１の実施形態のプラズマ処理システムにおけ
るプラズマ処理装置で説明したプラズマ励起電極４とサ
セプタ電極８間のプラズマ電極容量Ｃe プラズマ励起
電極４と直流的にアースされた各接地電位部との間のロ
ス容量ＣX の値、及びこの設定範囲とプラズマ電極容量
Ｃe との関係等値が記載される。 また、これ以外に
も、共振周波数ｆ、高周波電力の周波数におけるインピ
ーダンスＺ、プラズマチャンバのレジスタンスＲおよび
リアクタンスＸ等が記載される。共振周波数ｆとして
は、高周波電力を供給する際に整合回路の出力端に接続
される高周波電力配電体の端部で測定したプラズマ処理
室の第１直列共振周波数ｆ0や、上記電極と協働してプ
ラズマを発生する対向電極との容量によって規定される
直列共振周波数を採用したりすることができる。また、
プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０には、上記以外に
も、上記第１直列共振周波数ｆ0の設定範囲と電力周波
数ｆeとの関係等が記載される。また、仕様書ページＣ
Ｐ１には、「プラズマ処理装置またはプラズマ処理シス
テムの納入時においては各パラメータ値がこのページに
記載された設定範囲内にあることを保証します」という
性能保証の文言が記載される。
【０１７３】これにより、従来は、考慮されていなかっ
たプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの全体
的な電気的高周波的な特性およびプラズマチャンバの電
気的特性のばらつきを購入時の新たなる指標として提示
することができる。また、クライアントＣ1 またはクラ
イアントＣ2 において、これら性能状況情報をプリンタ
等に出力しハードコピーを作ることにより、上記の性能
状況情報内容の記載されたカタログまたは仕様書として
出力することが可能である。さらに、第１直列共振周波
数 、レジスタンスＲ、アクタンスＸ、プラズマ電極容
量Ｃe 、容量（ロス容量）ＣX 等の値および上記性能保
証の文言をクライアントＣ1 …の端末、カタログまたは
仕様書等に提示することにより、発注者が、電機部品を
吟味するようにプラズマチャンバの性能を判断して保守
者から購入することが可能となる。
たプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの全体
的な電気的高周波的な特性およびプラズマチャンバの電
気的特性のばらつきを購入時の新たなる指標として提示
することができる。また、クライアントＣ1 またはクラ
イアントＣ2 において、これら性能状況情報をプリンタ
等に出力しハードコピーを作ることにより、上記の性能
状況情報内容の記載されたカタログまたは仕様書として
出力することが可能である。さらに、第１直列共振周波
数 、レジスタンスＲ、アクタンスＸ、プラズマ電極容
量Ｃe 、容量（ロス容量）ＣX 等の値および上記性能保
証の文言をクライアントＣ1 …の端末、カタログまたは
仕様書等に提示することにより、発注者が、電機部品を
吟味するようにプラズマチャンバの性能を判断して保守
者から購入することが可能となる。
【０１７４】なお、サーバーＳは、このようなサブペー
ジのクライアントＣ1 への送信が完了した後に、クライ
アントＣ1 から接続解除要求が受信されない場合は（ス
テップＳ５）、次のサブページの表示要求を待って待機
し（ステップＳ３）、一方、クライアントＣ1 から接続
解除要求が受信された場合には（ステップＳ５）、当該
クライアントＣ1 との交信を終了する。
ジのクライアントＣ1 への送信が完了した後に、クライ
アントＣ1 から接続解除要求が受信されない場合は（ス
テップＳ５）、次のサブページの表示要求を待って待機
し（ステップＳ３）、一方、クライアントＣ1 から接続
解除要求が受信された場合には（ステップＳ５）、当該
クライアントＣ1 との交信を終了する。
【０１７５】また、プラズマ処理装置またはプラズマ処
理システムを保守者から納入した発注者は、サーバーＳ
にアクセスすることにより、以下のようにして自らが購
入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムに
おけるプラズマチャンバの「性能状況情報」の実体を容
易に確認することができる。この発注者は保守者と売買
契約を締結した時点で、発注者個別に対応するととも
に、購入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理シス
テムの機種番号、およびそれぞれのプラズマチャンバの
機種番号にも対応可能なカスタマーユーザＩＤと、プラ
ズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各
プラズマチャンバの「動作保守状況情報」を閲覧するた
めの個別の「ユーザー専用パスワード（閲覧専用パスワ
ード）」が保守者から個々の発注者に提供されるように
なっている。このサーバーＳは、正規な閲覧専用パスワ
ードが提供された場合のみ、「動作保守状況情報」をク
ライアントＣ1 に送信するように構成されている。
理システムを保守者から納入した発注者は、サーバーＳ
にアクセスすることにより、以下のようにして自らが購
入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムに
おけるプラズマチャンバの「性能状況情報」の実体を容
易に確認することができる。この発注者は保守者と売買
契約を締結した時点で、発注者個別に対応するととも
に、購入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理シス
テムの機種番号、およびそれぞれのプラズマチャンバの
機種番号にも対応可能なカスタマーユーザＩＤと、プラ
ズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各
プラズマチャンバの「動作保守状況情報」を閲覧するた
めの個別の「ユーザー専用パスワード（閲覧専用パスワ
ード）」が保守者から個々の発注者に提供されるように
なっている。このサーバーＳは、正規な閲覧専用パスワ
ードが提供された場合のみ、「動作保守状況情報」をク
ライアントＣ1 に送信するように構成されている。
【０１７６】まず、発注者がアクセスしようとした場合
には、前述のカタログページＣＰにおいて、カスタマー
ユーザボタンＫ５を指定操作することにより、発注者は
カスタマーユーザ画面の表示要求をサーバーＳに送信す
る。一方、サーバーＳは、上記表示要求の受信を受信す
ると（ステップＳ３−Ｂ）、当該発注者に対して、「閲
覧専用パスワード」の入力を促す入力要求としてのサブ
ページをクライアントＣ1 に送信する（ステップＳ
６）。図２４はカスタマーユーザページＣＰ２を示すも
のであり、このカスタマーユーザページＣＰ２はカスタ
マーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１、およびパスワード入力欄
Ｋ１２から構成される。
には、前述のカタログページＣＰにおいて、カスタマー
ユーザボタンＫ５を指定操作することにより、発注者は
カスタマーユーザ画面の表示要求をサーバーＳに送信す
る。一方、サーバーＳは、上記表示要求の受信を受信す
ると（ステップＳ３−Ｂ）、当該発注者に対して、「閲
覧専用パスワード」の入力を促す入力要求としてのサブ
ページをクライアントＣ1 に送信する（ステップＳ
６）。図２４はカスタマーユーザページＣＰ２を示すも
のであり、このカスタマーユーザページＣＰ２はカスタ
マーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１、およびパスワード入力欄
Ｋ１２から構成される。
【０１７７】この入力要求としてのカスタマーユーザペ
ージＣＰ２はクライアントＣ1 に表示されるので、発注
者は、当該入力要求に応答してプラズマ処理装置または
プラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの
識別を可能とするために、保守者から供与された「閲覧
専用パスワード」を「カスタマーユーザＩＤ」とともに
クライアントＣ1 に入力することになる。ここで、発注
者は、図２４に示すカスタマーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１
およびパスワード入力欄Ｋ１２に、それぞれ、カスタマ
ーコードＩＤとパスワードを入力する。サーバーＳは、
クライアントＣ1から正規の「カスタマーユーザＩＤ」
および「閲覧専用パスワード」が受信された場合のみ
（ステップＳ７）、当該「閲覧専用パスワード」に予め
関連付けられた「動作保守状況情報」のサブページをク
ライアントＣ1 に送信する（ステップＳ９）。
ージＣＰ２はクライアントＣ1 に表示されるので、発注
者は、当該入力要求に応答してプラズマ処理装置または
プラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの
識別を可能とするために、保守者から供与された「閲覧
専用パスワード」を「カスタマーユーザＩＤ」とともに
クライアントＣ1 に入力することになる。ここで、発注
者は、図２４に示すカスタマーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１
およびパスワード入力欄Ｋ１２に、それぞれ、カスタマ
ーコードＩＤとパスワードを入力する。サーバーＳは、
クライアントＣ1から正規の「カスタマーユーザＩＤ」
および「閲覧専用パスワード」が受信された場合のみ
（ステップＳ７）、当該「閲覧専用パスワード」に予め
関連付けられた「動作保守状況情報」のサブページをク
ライアントＣ1 に送信する（ステップＳ９）。
【０１７８】すなわち、「動作保守状況情報」の閲覧
は、上記プラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
の購入契約を締結した特定の発注者のみ、つまり正規の
「閲覧専用パスワード」を知り得るもののみに許可され
るようになっており、当該発注者以外の第３者がサーバ
ーＳにアクセスしても「動作保守状況情報」を閲覧する
ことができない。通常、保守者は同時に多数の発注者と
の間で納入契約を締結するとともに、各々の発注者へ複
数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの納
入を同時に並行して行う場合があるが、上記「閲覧専用
パスワード」は、個々の発注者毎および各プラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマ
チャンバ毎に相違するものが提供されるので、個々の発
注者は、各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システ
ムおよびその各プラズマチャンバに対して、それぞれ自
らに提供された「閲覧専用パスワード」に関連付けられ
た「動作保守状況情報」を個別に閲覧することができ
る。
は、上記プラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
の購入契約を締結した特定の発注者のみ、つまり正規の
「閲覧専用パスワード」を知り得るもののみに許可され
るようになっており、当該発注者以外の第３者がサーバ
ーＳにアクセスしても「動作保守状況情報」を閲覧する
ことができない。通常、保守者は同時に多数の発注者と
の間で納入契約を締結するとともに、各々の発注者へ複
数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの納
入を同時に並行して行う場合があるが、上記「閲覧専用
パスワード」は、個々の発注者毎および各プラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマ
チャンバ毎に相違するものが提供されるので、個々の発
注者は、各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システ
ムおよびその各プラズマチャンバに対して、それぞれ自
らに提供された「閲覧専用パスワード」に関連付けられ
た「動作保守状況情報」を個別に閲覧することができ
る。
【０１７９】したがって、納入に係わる秘密情報が発注
者相互間で漏洩することを確実に防止することができる
とともに、複数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理
システムが納入された場合にでもそれぞれのプラズマ処
理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズ
マチャンバを個別に識別可能とすることができる。な
お、サーバーＳは、正規の「閲覧専用パスワード」が受
信されない場合には（ステップＳ７）、接続不許可メッ
セージをクライアントＣ1 に送信して（ステップＳ
８）、発注者に「閲覧専用パスワード」を再度入力する
ように促す。発注者が「閲覧専用パスワード」を誤入力
した場合には、この機会に正規の入力を行うことにより
「動作保守状況情報」を閲覧することができる。
者相互間で漏洩することを確実に防止することができる
とともに、複数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理
システムが納入された場合にでもそれぞれのプラズマ処
理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズ
マチャンバを個別に識別可能とすることができる。な
お、サーバーＳは、正規の「閲覧専用パスワード」が受
信されない場合には（ステップＳ７）、接続不許可メッ
セージをクライアントＣ1 に送信して（ステップＳ
８）、発注者に「閲覧専用パスワード」を再度入力する
ように促す。発注者が「閲覧専用パスワード」を誤入力
した場合には、この機会に正規の入力を行うことにより
「動作保守状況情報」を閲覧することができる。
【０１８０】このＩＤ、パスワードが確認されると（ス
テップＳ７）、サーバーＳは、表示要求された情報に該
当するサブページをデータベースＤから読み出してクラ
イアントＣ1 に送信する。すなわち、サーバーＳは、ユ
ーザＩＤによって識別された個別のプラズマ処理装置ま
たはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャン
バに対する「性能基準情報」「動作保守状況情報」の表
示が要求された場合、機種を指定することによってデー
タベースＤから「真空性能」「給排気性能」「温度性
能」「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、
これらの掲載された仕様書ページのサブページＣＰ３を
クライアントＣ1 に送信する（ステップＳ９）。
テップＳ７）、サーバーＳは、表示要求された情報に該
当するサブページをデータベースＤから読み出してクラ
イアントＣ1 に送信する。すなわち、サーバーＳは、ユ
ーザＩＤによって識別された個別のプラズマ処理装置ま
たはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャン
バに対する「性能基準情報」「動作保守状況情報」の表
示が要求された場合、機種を指定することによってデー
タベースＤから「真空性能」「給排気性能」「温度性
能」「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、
これらの掲載された仕様書ページのサブページＣＰ３を
クライアントＣ1 に送信する（ステップＳ９）。
【０１８１】図２５は、このようにしてサーバーＳから
クライアントＣ1 に送信された「動作保守状況情報」の
サブページＣＰ３である。このサブページとしてのメン
テナンス履歴ページＣＰ３には、図２５に示すように、
納入されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システ
ムおよびその各プラズマチャンバの機械番号を示すロッ
ト番号表示Ｋ１３、真空性能表示欄Ｋ７、給排気性能表
示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ９、プラズマ処理室電気性
能表示欄Ｋ１０、そして、真空性能メンテナンス欄Ｋ１
４、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１５、温度性能メンテ
ナンス欄Ｋ１６、プラズマ処理室電気性能メンテナンス
欄Ｋ１７から構成されている。これらは、納入された実
機の「性能基準情報」および「動作保守状況情報」に対
応するものであり、例えば、それぞれ、真空性能表示欄
Ｋ７、真空性能メンテナンス欄Ｋ１４には、 到達真空度 １．３×１０-5Ｐａ以下 操作圧力 ２００Ｐａ 給排気性能表示欄Ｋ８、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１
５には、 ガス流量 ＳｉＨ4 ４０ＳＣＣＭ ＮＨ3 １６０ＳＣＣＭ Ｎ2 ６００ＳＣＣＭ 排気特性 ６．８×１０-7Ｐａ・ｍ3／ｓｅｃ 温度性能表示欄Ｋ９、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６に
は、 ヒータ設定温度 ３０２．３±４．９℃ チャンバ設定温度 ８０．１±２．１℃ の項目が記載されている。
クライアントＣ1 に送信された「動作保守状況情報」の
サブページＣＰ３である。このサブページとしてのメン
テナンス履歴ページＣＰ３には、図２５に示すように、
納入されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システ
ムおよびその各プラズマチャンバの機械番号を示すロッ
ト番号表示Ｋ１３、真空性能表示欄Ｋ７、給排気性能表
示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ９、プラズマ処理室電気性
能表示欄Ｋ１０、そして、真空性能メンテナンス欄Ｋ１
４、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１５、温度性能メンテ
ナンス欄Ｋ１６、プラズマ処理室電気性能メンテナンス
欄Ｋ１７から構成されている。これらは、納入された実
機の「性能基準情報」および「動作保守状況情報」に対
応するものであり、例えば、それぞれ、真空性能表示欄
Ｋ７、真空性能メンテナンス欄Ｋ１４には、 到達真空度 １．３×１０-5Ｐａ以下 操作圧力 ２００Ｐａ 給排気性能表示欄Ｋ８、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１
５には、 ガス流量 ＳｉＨ4 ４０ＳＣＣＭ ＮＨ3 １６０ＳＣＣＭ Ｎ2 ６００ＳＣＣＭ 排気特性 ６．８×１０-7Ｐａ・ｍ3／ｓｅｃ 温度性能表示欄Ｋ９、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６に
は、 ヒータ設定温度 ３０２．３±４．９℃ チャンバ設定温度 ８０．１±２．１℃ の項目が記載されている。
【０１８２】そしてこれらのパラメータＰに対して、そ
れぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれ
のパラメータＰのうちその最大値Ｐmax と最小値Ｐmin
のばらつきを、以下の式（１０Ｂ） （Ｐmax −Ｐmin ）／（Ｐmax ＋Ｐmin ） （１０Ｂ） として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそ
れぞれのパラメータの項目に対して表示する。
れぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれ
のパラメータＰのうちその最大値Ｐmax と最小値Ｐmin
のばらつきを、以下の式（１０Ｂ） （Ｐmax −Ｐmin ）／（Ｐmax ＋Ｐmin ） （１０Ｂ） として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそ
れぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０１８３】さらに、このサブページＣＰ３には、各プ
ラズマチャンバ毎のメンテナンス欄を表示するための
「詳細」ボタンＫ１８が各メンテナンス履歴欄Ｋ１４，
Ｋ１５，Ｋ１６，Ｋ１７ごとに設けられ、発注者が、当
該情報を閲覧可能となっている。
ラズマチャンバ毎のメンテナンス欄を表示するための
「詳細」ボタンＫ１８が各メンテナンス履歴欄Ｋ１４，
Ｋ１５，Ｋ１６，Ｋ１７ごとに設けられ、発注者が、当
該情報を閲覧可能となっている。
【０１８４】発注者が、当該詳細欄により表示要求をお
こなった場合には、メンテナンス履歴の詳細情報の記載
されたメンテナンス詳細ページＣＰ４がデータベースＤ
からクライアントＣ1 に送信する。
こなった場合には、メンテナンス履歴の詳細情報の記載
されたメンテナンス詳細ページＣＰ４がデータベースＤ
からクライアントＣ1 に送信する。
【０１８５】図２６は、このようにしてサーバーＳから
クライアントＣ1 に送信された「詳細メンテナンス情
報」のメンテナンス詳細ページのサブページＣＰ４であ
る。図には電気性能メンテナンスのページを示してい
る。このメンテナンス詳細ページＣＰ４には、図２６に
示すように、納入されたプラズマ処理装置またはプラズ
マ処理システムおよびその各プラズマチャンバの機械番
号を示すロット番号表示Ｋ１３、選択された各メンテナ
ンス欄が表示される。ここで、各メンテナンス欄として
は、各プラズマチャンバに対応するパラメータＰのメン
テナンス時の値と、これらのパラメータＰのばらつきの
値とが、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システ
ム、および、各プラズマチャンバ毎のロット番号毎に表
示される。
クライアントＣ1 に送信された「詳細メンテナンス情
報」のメンテナンス詳細ページのサブページＣＰ４であ
る。図には電気性能メンテナンスのページを示してい
る。このメンテナンス詳細ページＣＰ４には、図２６に
示すように、納入されたプラズマ処理装置またはプラズ
マ処理システムおよびその各プラズマチャンバの機械番
号を示すロット番号表示Ｋ１３、選択された各メンテナ
ンス欄が表示される。ここで、各メンテナンス欄として
は、各プラズマチャンバに対応するパラメータＰのメン
テナンス時の値と、これらのパラメータＰのばらつきの
値とが、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システ
ム、および、各プラズマチャンバ毎のロット番号毎に表
示される。
【０１８６】また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１
０およびプラズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７
には、前述した第１〜第２実施形態のプラズマ処理装置
又は後述する第９、１０の実施形態のプラズマ処理装置
又は第１１の実施形態のプラズマ処理システムにおける
プラズマ処理装置で説明したプラズマ励起電極４とサセ
プタ電極８間のプラズマ容量Ｃe 、電極４と直流的にア
ースされた各接地電位部との間の容量（ロス容量）
ＣX、この設定範囲とプラズマ容量Ｃeとの関係が記載さ
れる。また、これ以外にも、電力周波数ｆe におけるプ
ラズマチャンバのレジスタンスＲおよびリアクタンス
Ｘ、そして、第１直列共振周波数ｆ0 の値、および、こ
の設定範囲と電力周波数ｆe との関係等の値が記載され
る。
０およびプラズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７
には、前述した第１〜第２実施形態のプラズマ処理装置
又は後述する第９、１０の実施形態のプラズマ処理装置
又は第１１の実施形態のプラズマ処理システムにおける
プラズマ処理装置で説明したプラズマ励起電極４とサセ
プタ電極８間のプラズマ容量Ｃe 、電極４と直流的にア
ースされた各接地電位部との間の容量（ロス容量）
ＣX、この設定範囲とプラズマ容量Ｃeとの関係が記載さ
れる。また、これ以外にも、電力周波数ｆe におけるプ
ラズマチャンバのレジスタンスＲおよびリアクタンス
Ｘ、そして、第１直列共振周波数ｆ0 の値、および、こ
の設定範囲と電力周波数ｆe との関係等の値が記載され
る。
【０１８７】同時に、データベースＤから「性能基準情
報」としての「真空性能」「給排気性能」「温度性能」
「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これ
らを図２５，図２６に示すように、「動作保守状況情
報」とセットでメンテナンス履歴ページＣＰ３、メンテ
ナンス詳細ページＣＰ４に表示することにより、「性能
基準情報」を参照して「動作保守状況情報」を閲覧する
ことができ、これにより、発注者は、納入されたプラズ
マ処理装置またはプラズマ処理システムおよびプラズマ
チャンバの「性能状況情報」のうち、「性能基準情報」
を使用時の指標として確認するとともに、「動作保守状
況情報」を動作状態を示すパラメータとして検討するこ
とができる。同時に、「性能基準情報」と「動作保守状
況情報」とを比較することによってプラズマ処理装置ま
たはプラズマ処理システムおよびプラズマチャンバの動
作確認をおこなうとともにメンテナンスの必要性を認識
し、かつ、プラズマ処理状態の状態を把握することがで
きる。
報」としての「真空性能」「給排気性能」「温度性能」
「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これ
らを図２５，図２６に示すように、「動作保守状況情
報」とセットでメンテナンス履歴ページＣＰ３、メンテ
ナンス詳細ページＣＰ４に表示することにより、「性能
基準情報」を参照して「動作保守状況情報」を閲覧する
ことができ、これにより、発注者は、納入されたプラズ
マ処理装置またはプラズマ処理システムおよびプラズマ
チャンバの「性能状況情報」のうち、「性能基準情報」
を使用時の指標として確認するとともに、「動作保守状
況情報」を動作状態を示すパラメータとして検討するこ
とができる。同時に、「性能基準情報」と「動作保守状
況情報」とを比較することによってプラズマ処理装置ま
たはプラズマ処理システムおよびプラズマチャンバの動
作確認をおこなうとともにメンテナンスの必要性を認識
し、かつ、プラズマ処理状態の状態を把握することがで
きる。
【０１８８】なお、サーバーＳは、このようなサブペー
ジＣＰ３、ＣＰ４のクライアントＣ1 への送信が完了し
た後に、クライアントＣ1 から接続解除要求が受信され
ない場合は（ステップＳ５）、接続不許可メッセージを
クライアントＣ1 に送信して（ステップＳ８）、発注者
に「閲覧専用パスワード」を再度入力するか、次のサブ
ページの表示要求を待って待機し（ステップＳ３）、一
方、クライアントＣ1から接続解除要求が受信された場
合には（ステップＳ５）、当該クライアントＣ1 との交
信を終了する。
ジＣＰ３、ＣＰ４のクライアントＣ1 への送信が完了し
た後に、クライアントＣ1 から接続解除要求が受信され
ない場合は（ステップＳ５）、接続不許可メッセージを
クライアントＣ1 に送信して（ステップＳ８）、発注者
に「閲覧専用パスワード」を再度入力するか、次のサブ
ページの表示要求を待って待機し（ステップＳ３）、一
方、クライアントＣ1から接続解除要求が受信された場
合には（ステップＳ５）、当該クライアントＣ1 との交
信を終了する。
【０１８９】本実施形態のプラズマ処理装置またはプラ
ズマ処理システムの性能確認システムにおいて、購入発
注者が販売保守者に発注したプラズマ処理装置またはプ
ラズマ処理システムの動作性能状況を示す性能状況情報
の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側情報端
末と、販売保守者が上記性能状況情報をアップロードす
る販売保守者側情報端末と、上記購入発注者側情報端末
の要求に応答して、販売保守者側情報端末からアップロ
ードされた性能状況情報を購入発注者側情報端末に提供
する性能状況情報提供手段と、を具備することができ、
さらに、上記性能状況情報が、上記ロス容量Ｃx および
このパラメータに対して、それぞれのプラズマ処理装置
またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャン
バ毎のばらつきの値を含むとともに、上記性能状況情報
が、カタログまたは仕様書として出力されることによ
り、販売保守者がアップロードしたプラズマ処理装置ま
たはプラズマ処理システムおよびそのプラズマチャンバ
の性能基準情報および動作保守状況情報からなる性能状
況情報に対して、購入発注者が情報端末から公衆回線を
介して閲覧を可能とすることにより、発注者に対して、
購入時に判断基準となる情報を伝達することが可能とな
り、かつ、使用時における、プラズマ処理装置またはプ
ラズマ処理システムおよびそのプラズマチャンバごとの
動作性能・保守情報を容易に提供することが可能とな
る。また、上記性能状況情報が、上述したようにプラズ
マチャンバに対する性能パラメータとしての上記ロス容
量Ｃx およびそのばらつきの値や、プラズマ電極容量Ｃ
eおよびそのばらつきの値を含むことにより、発注者の
プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムその各プ
ラズマチャンバに対する性能判断材料を提供できるとと
もに、購入時における適切な判断をすることが可能とな
る。さらに、上記性能状況情報を、カタログまたは仕様
書として出力することができる。本性能確認システムの
対象となるプラズマ処理装置に特に限定はなく、第１、
２実施形態において示したプラズマ処理装置又は後述す
る第９、１０の実施形態において示したプラズマ処理装
置又は第１１の実施形態において示したプラズマ処理シ
ステムにおけるプラズマ処理装置等も対象となる。
ズマ処理システムの性能確認システムにおいて、購入発
注者が販売保守者に発注したプラズマ処理装置またはプ
ラズマ処理システムの動作性能状況を示す性能状況情報
の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側情報端
末と、販売保守者が上記性能状況情報をアップロードす
る販売保守者側情報端末と、上記購入発注者側情報端末
の要求に応答して、販売保守者側情報端末からアップロ
ードされた性能状況情報を購入発注者側情報端末に提供
する性能状況情報提供手段と、を具備することができ、
さらに、上記性能状況情報が、上記ロス容量Ｃx および
このパラメータに対して、それぞれのプラズマ処理装置
またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャン
バ毎のばらつきの値を含むとともに、上記性能状況情報
が、カタログまたは仕様書として出力されることによ
り、販売保守者がアップロードしたプラズマ処理装置ま
たはプラズマ処理システムおよびそのプラズマチャンバ
の性能基準情報および動作保守状況情報からなる性能状
況情報に対して、購入発注者が情報端末から公衆回線を
介して閲覧を可能とすることにより、発注者に対して、
購入時に判断基準となる情報を伝達することが可能とな
り、かつ、使用時における、プラズマ処理装置またはプ
ラズマ処理システムおよびそのプラズマチャンバごとの
動作性能・保守情報を容易に提供することが可能とな
る。また、上記性能状況情報が、上述したようにプラズ
マチャンバに対する性能パラメータとしての上記ロス容
量Ｃx およびそのばらつきの値や、プラズマ電極容量Ｃ
eおよびそのばらつきの値を含むことにより、発注者の
プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムその各プ
ラズマチャンバに対する性能判断材料を提供できるとと
もに、購入時における適切な判断をすることが可能とな
る。さらに、上記性能状況情報を、カタログまたは仕様
書として出力することができる。本性能確認システムの
対象となるプラズマ処理装置に特に限定はなく、第１、
２実施形態において示したプラズマ処理装置又は後述す
る第９、１０の実施形態において示したプラズマ処理装
置又は第１１の実施形態において示したプラズマ処理シ
ステムにおけるプラズマ処理装置等も対象となる。
【０１９０】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能評価方法を第７実施形態として、図面に基づいて説明
する。 ［第７実施形態］本実施形態の性能評価方法の対象とな
るプラズマ処理装置としては図１乃至図８を用いて説明
した第１実施形態のプラズマ処理装置が用いられる。上
記第１実施形態で説明した方法と同様にして測定・定義
したロス容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、高周
波電源１の接続された電極４と対となり協働してプラズ
マを発生する電極８との間のプラズマ電極容量Ｃe の２
６倍より小さい値の範囲になるかどうか（プラズマ電極
容量Ｃe の２６倍がロス容量ＣXの納入後における値Ｃ
x1 より大きい値になるかどうか）により、所望の性能
を維持しているか否かが判断される。すなわち、ロス容
量ＣXの納入後における値Ｃx1 の値が、電極４と電極８
との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍以上の値である
場合には、所望の性能が維持できていないと判断する。
そして、所望の性能が維持できていないと判断した場合
には、ロス容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、電
極４と電極８との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍よ
り小さい値の範囲になるように、ロス容量ＣX1を是正す
る措置をとることができる。
能評価方法を第７実施形態として、図面に基づいて説明
する。 ［第７実施形態］本実施形態の性能評価方法の対象とな
るプラズマ処理装置としては図１乃至図８を用いて説明
した第１実施形態のプラズマ処理装置が用いられる。上
記第１実施形態で説明した方法と同様にして測定・定義
したロス容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、高周
波電源１の接続された電極４と対となり協働してプラズ
マを発生する電極８との間のプラズマ電極容量Ｃe の２
６倍より小さい値の範囲になるかどうか（プラズマ電極
容量Ｃe の２６倍がロス容量ＣXの納入後における値Ｃ
x1 より大きい値になるかどうか）により、所望の性能
を維持しているか否かが判断される。すなわち、ロス容
量ＣXの納入後における値Ｃx1 の値が、電極４と電極８
との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍以上の値である
場合には、所望の性能が維持できていないと判断する。
そして、所望の性能が維持できていないと判断した場合
には、ロス容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、電
極４と電極８との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍よ
り小さい値の範囲になるように、ロス容量ＣX1を是正す
る措置をとることができる。
【０１９１】ここで、上記ＣX1を是正する方法として
は、例えば、第１実施形態で説明した〜等の手法を
適用することができる。本実施形態の性能評価方法にお
いては、プラズマチャンバ７５のロス容量ＣX の納入後
における値Ｃx1の値が、電極４と電極８との間のプラズ
マ電極容量Ｃeの２６倍より小さい値の範囲（プラズマ
電極容量Ｃe の２６倍がロス容量ＣXの納入後における
値Ｃx1 より大きい値の範囲）にする是正作業が可能と
なることにより、従来は、考慮されていなかったプラズ
マチャンバ７５の全体的な電気的高周波的な特性を適正
な範囲に収めることができる。これにより、動作安定性
を向上して、従来一般的に使用されていた１３．５６Ｍ
Ｈｚ程度以上の高い周波数の電力を投入した場合であっ
ても、高周波電源１からの電力を、プラズマ励起電極４
とサセプタ電極８との間のプラズマ発生空間に効率よく
導入することが可能となる。同時に、同一周波数を供給
した場合に、従来のプラズマ処理装置と比べて、プラズ
マ空間で消費される実効的な電力を大きくし、生成する
プラズマ密度の上昇を図ることができる。その結果、プ
ラズマ励起周波数の高周波化による処理速度の向上を図
ること、つまり、プラズマＣＶＤ等により膜の積層をお
こなう際には、堆積速度の向上を図ることができる。
は、例えば、第１実施形態で説明した〜等の手法を
適用することができる。本実施形態の性能評価方法にお
いては、プラズマチャンバ７５のロス容量ＣX の納入後
における値Ｃx1の値が、電極４と電極８との間のプラズ
マ電極容量Ｃeの２６倍より小さい値の範囲（プラズマ
電極容量Ｃe の２６倍がロス容量ＣXの納入後における
値Ｃx1 より大きい値の範囲）にする是正作業が可能と
なることにより、従来は、考慮されていなかったプラズ
マチャンバ７５の全体的な電気的高周波的な特性を適正
な範囲に収めることができる。これにより、動作安定性
を向上して、従来一般的に使用されていた１３．５６Ｍ
Ｈｚ程度以上の高い周波数の電力を投入した場合であっ
ても、高周波電源１からの電力を、プラズマ励起電極４
とサセプタ電極８との間のプラズマ発生空間に効率よく
導入することが可能となる。同時に、同一周波数を供給
した場合に、従来のプラズマ処理装置と比べて、プラズ
マ空間で消費される実効的な電力を大きくし、生成する
プラズマ密度の上昇を図ることができる。その結果、プ
ラズマ励起周波数の高周波化による処理速度の向上を図
ること、つまり、プラズマＣＶＤ等により膜の積層をお
こなう際には、堆積速度の向上を図ることができる。
【０１９２】さらに、本実施形態の性能評価の結果、適
切な是正作業が施されれば、プラズマ空間に効率よく電
力が供給されることにより、プラズマの不要な広がりも
抑制でき、被処理基体１６における膜面内方向における
プラズマ処理の均一性の向上を図ることができ、成膜処
理においては膜厚の膜面内方向分布の均一性の向上を図
ることが可能となる。同時に、高い電力を投入すること
によりプラズマポテンシャルを低くすることができ、イ
オンによるダメージを抑制できるので、プラズマＣＶ
Ｄ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状
態の向上、すなわち、堆積した膜における絶縁耐圧や、
エッチング液に対する耐エッチング性、そして、いわゆ
る膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等の膜特性の向上を図
ることが可能となる。ここで、膜の緻密さは例えば、Ｂ
ＨＦ液によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エ
ッチング性によって表現可能である。
切な是正作業が施されれば、プラズマ空間に効率よく電
力が供給されることにより、プラズマの不要な広がりも
抑制でき、被処理基体１６における膜面内方向における
プラズマ処理の均一性の向上を図ることができ、成膜処
理においては膜厚の膜面内方向分布の均一性の向上を図
ることが可能となる。同時に、高い電力を投入すること
によりプラズマポテンシャルを低くすることができ、イ
オンによるダメージを抑制できるので、プラズマＣＶ
Ｄ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状
態の向上、すなわち、堆積した膜における絶縁耐圧や、
エッチング液に対する耐エッチング性、そして、いわゆ
る膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等の膜特性の向上を図
ることが可能となる。ここで、膜の緻密さは例えば、Ｂ
ＨＦ液によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エ
ッチング性によって表現可能である。
【０１９３】さらに、上記是正作業が施されれば、同一
周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と比
べてプラズマ空間に効率よく電力が供給することができ
るため、電力の消費効率を向上し、同等の処理速度もし
くは膜特性を得るために、従来より少ない投入電力です
むようにできる。したがって、電力消費の低減を図るこ
と、ランニングコストの削減を図ることができる。同時
に、従来と同じ投入時間を用いる場合には、処理時間を
短縮することが可能となり、生産性の向上を図ることが
できる。いずれの場合も省力化が可能となり、プラズマ
処理に要する電力消費を減らせることから二酸化炭素の
排出総量を削減することが可能となる。
周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と比
べてプラズマ空間に効率よく電力が供給することができ
るため、電力の消費効率を向上し、同等の処理速度もし
くは膜特性を得るために、従来より少ない投入電力です
むようにできる。したがって、電力消費の低減を図るこ
と、ランニングコストの削減を図ることができる。同時
に、従来と同じ投入時間を用いる場合には、処理時間を
短縮することが可能となり、生産性の向上を図ることが
できる。いずれの場合も省力化が可能となり、プラズマ
処理に要する電力消費を減らせることから二酸化炭素の
排出総量を削減することが可能となる。
【０１９４】そして、本実施形態の性能評価方法によれ
ば、プラズマ処理装置の実機が設置してある場所で、高
周波特性測定器ＡＮによりロス容量ＣXを測定するだけ
で、短時間にプラズマ処理装置の性能確認および、性能
の評価が可能となる。このため、成膜された基板を検査
するために、製造ラインを数日あるいは数週間停止して
プラズマ処理装置の性能確認および、性能の評価をする
必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上する
ことができる。このロス容量ＣXは、機械的な構造をそ
の多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であ
り、各プラズマ処理室ごとに異なっていると考えられ
る。上記の範囲に、このＣXを指標とすることにより、
各プラズマ処理室に対しても、従来考慮されていなかっ
たその全般的な電気的高周波的特性を設定することが可
能となり、プラズマ発生の安定性を期待することができ
る。その結果、動作安定性の高いプラズマ処理装置を提
供することが可能となる。しかも、これらの性能評価
を、装置を搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納
入先にて再組み立てした後に実施するために、搬送中の
振動や搬入後の再組み立て作業の不備で精度に狂いが生
じる等、性能に悪影響を及ぼす事象が発生した後に、簡
便かつ短時間で性能を確認できるので、問題発見から改
善までのサイクルを早めることができるので、納入後の
装置の立ち上げ期間を短縮することが可能となる。
ば、プラズマ処理装置の実機が設置してある場所で、高
周波特性測定器ＡＮによりロス容量ＣXを測定するだけ
で、短時間にプラズマ処理装置の性能確認および、性能
の評価が可能となる。このため、成膜された基板を検査
するために、製造ラインを数日あるいは数週間停止して
プラズマ処理装置の性能確認および、性能の評価をする
必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上する
ことができる。このロス容量ＣXは、機械的な構造をそ
の多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であ
り、各プラズマ処理室ごとに異なっていると考えられ
る。上記の範囲に、このＣXを指標とすることにより、
各プラズマ処理室に対しても、従来考慮されていなかっ
たその全般的な電気的高周波的特性を設定することが可
能となり、プラズマ発生の安定性を期待することができ
る。その結果、動作安定性の高いプラズマ処理装置を提
供することが可能となる。しかも、これらの性能評価
を、装置を搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納
入先にて再組み立てした後に実施するために、搬送中の
振動や搬入後の再組み立て作業の不備で精度に狂いが生
じる等、性能に悪影響を及ぼす事象が発生した後に、簡
便かつ短時間で性能を確認できるので、問題発見から改
善までのサイクルを早めることができるので、納入後の
装置の立ち上げ期間を短縮することが可能となる。
【０１９５】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能評価方法を第８実施形態として、図面に基づいて説明
する。 ［第８実施形態］本実施形態の性能評価方法の対象とな
るプラズマ処理装置としては図１１乃至図１４を用いて
説明した第２実施形態のプラズマ処理装置である。上記
第２実施形態で説明した方法と同様にして測定・定義し
たロス容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、高周波
電源１の接続された電極４と対となり協働してプラズマ
を発生する電極８との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６
倍より小さい値の範囲になるかどうか（プラズマ電極容
量Ｃe の２６倍がロス容量ＣXの納入後における値Ｃx1
より大きい値になるかどうか）により、所望の性能を
維持しているか否か判断される。すなわち、ロス容量Ｃ
Xの納入後における値Ｃx1の値が、電極４と電極８との
間のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍以上の値である場合
には、所望の性能が維持できていないと判断する。そし
て、所望の性能が維持できていないと判断した場合に
は、ロス容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、電極
４と電極８との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍より
小さい値の範囲になるように、ロス容量ＣX1を是正する
措置をとることができる。
能評価方法を第８実施形態として、図面に基づいて説明
する。 ［第８実施形態］本実施形態の性能評価方法の対象とな
るプラズマ処理装置としては図１１乃至図１４を用いて
説明した第２実施形態のプラズマ処理装置である。上記
第２実施形態で説明した方法と同様にして測定・定義し
たロス容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、高周波
電源１の接続された電極４と対となり協働してプラズマ
を発生する電極８との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６
倍より小さい値の範囲になるかどうか（プラズマ電極容
量Ｃe の２６倍がロス容量ＣXの納入後における値Ｃx1
より大きい値になるかどうか）により、所望の性能を
維持しているか否か判断される。すなわち、ロス容量Ｃ
Xの納入後における値Ｃx1の値が、電極４と電極８との
間のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍以上の値である場合
には、所望の性能が維持できていないと判断する。そし
て、所望の性能が維持できていないと判断した場合に
は、ロス容量ＣXの納入後における値Ｃx1の値が、電極
４と電極８との間のプラズマ電極容量Ｃe の２６倍より
小さい値の範囲になるように、ロス容量ＣX1を是正する
措置をとることができる。
【０１９６】ここで、上記ＣX1を是正する方法として
は、例えば、第２実施形態で説明した〜等の手法を
適用することができる。
は、例えば、第２実施形態で説明した〜等の手法を
適用することができる。
【０１９７】また、第８実施形態では、第２実施形態で
説明した方法と同様にして測定・定義したプラズマ発光
時のプラズマ電極容量Ｃe"の５倍が、ロス容量ＣX より
大きい範囲にあるかどうか評価される。ここでのプラズ
マ発光時のプラズマ電極容量Ｃe"の５倍が、ロス容量Ｃ
X より大きい範囲にあるかどうかは、第２実施形態で説
明した原理から、プラズマ装置７５におけるプラズマ励
起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃ
eの５×ｄ／δ倍がロス容量ＣX より大きい範囲にある
かどうかを判断することにより評価することが可能であ
る。
説明した方法と同様にして測定・定義したプラズマ発光
時のプラズマ電極容量Ｃe"の５倍が、ロス容量ＣX より
大きい範囲にあるかどうか評価される。ここでのプラズ
マ発光時のプラズマ電極容量Ｃe"の５倍が、ロス容量Ｃ
X より大きい範囲にあるかどうかは、第２実施形態で説
明した原理から、プラズマ装置７５におけるプラズマ励
起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃ
eの５×ｄ／δ倍がロス容量ＣX より大きい範囲にある
かどうかを判断することにより評価することが可能であ
る。
【０１９８】本実施形態のプラズマ処理装置の性能評価
方法においては、第７実施形態と同等の効果を奏すると
ともに、測定用端子６１に高周波特性測定器ＡＮを着脱
自在に接続するとともに、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を設
け、これらのインピーダンスＺ1 とインピーダンスＺ2
とを等しく設定することで、プラズマチャンバ９５と整
合回路２Ａとを着脱することなく、かつ、測定用プロー
ブ１０５を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ２
切り替えのみにより高周波特性の測定、特に、プラズマ
電極容量Ｃe ，ロス容量ＣX の測定を容易におこなうこ
とが可能となる。さらに、プラズマ電極容量Ｃeの５×
ｄ／δ倍と、ロス容量ＣXの値を比較することにより、
直接プラズマを発光させる上記電極４，８の周波数特性
を評価できるため、プラズマ発光空間に対して電力をよ
り効果的に投入することができ、さらなる電力消費効
率、または、処理効率についての適切な判断が可能とな
る。
方法においては、第７実施形態と同等の効果を奏すると
ともに、測定用端子６１に高周波特性測定器ＡＮを着脱
自在に接続するとともに、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を設
け、これらのインピーダンスＺ1 とインピーダンスＺ2
とを等しく設定することで、プラズマチャンバ９５と整
合回路２Ａとを着脱することなく、かつ、測定用プロー
ブ１０５を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ２
切り替えのみにより高周波特性の測定、特に、プラズマ
電極容量Ｃe ，ロス容量ＣX の測定を容易におこなうこ
とが可能となる。さらに、プラズマ電極容量Ｃeの５×
ｄ／δ倍と、ロス容量ＣXの値を比較することにより、
直接プラズマを発光させる上記電極４，８の周波数特性
を評価できるため、プラズマ発光空間に対して電力をよ
り効果的に投入することができ、さらなる電力消費効
率、または、処理効率についての適切な判断が可能とな
る。
【０１９９】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能評価方法の第９実施形態を、図面に基づいて説明す
る。 ［第９実施形態］図２７は本実施形態の性能評価方法の
対象となるプラズマ処理装置の概略構成を示す図であ
る。このプラズマ処理装置７１は、例えば、トップゲー
ト型ＴＦＴの半導体能動膜をなす多結晶シリコンの成膜
からゲート絶縁膜の成膜までの一貫処理が可能なものと
され、複数のプラズマ処理室を有する装置とされる。
能評価方法の第９実施形態を、図面に基づいて説明す
る。 ［第９実施形態］図２７は本実施形態の性能評価方法の
対象となるプラズマ処理装置の概略構成を示す図であ
る。このプラズマ処理装置７１は、例えば、トップゲー
ト型ＴＦＴの半導体能動膜をなす多結晶シリコンの成膜
からゲート絶縁膜の成膜までの一貫処理が可能なものと
され、複数のプラズマ処理室を有する装置とされる。
【０２００】本実施の形態のプラズマ処理装置７１は、
図２７に示すように、略七角形状の搬送室７２の周囲
に、５つの処理室ユニットと１つのローダ室７３と１つ
のアンローダ室７４とが連設されている。また、５つの
処理室ユニットの内訳としては、アモルファスシリコン
膜を成膜する第１成膜室、シリコン酸化膜を成膜する第
２成膜室、およびシリコン窒化膜を成膜する第３成膜室
からなるプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）
７５，７６，７７、成膜後の被処理基板のアニーリング
処理を行うレーザアニール室７８、成膜後の被処理基板
の熱処理を行う熱処理室７９、である。
図２７に示すように、略七角形状の搬送室７２の周囲
に、５つの処理室ユニットと１つのローダ室７３と１つ
のアンローダ室７４とが連設されている。また、５つの
処理室ユニットの内訳としては、アモルファスシリコン
膜を成膜する第１成膜室、シリコン酸化膜を成膜する第
２成膜室、およびシリコン窒化膜を成膜する第３成膜室
からなるプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）
７５，７６，７７、成膜後の被処理基板のアニーリング
処理を行うレーザアニール室７８、成膜後の被処理基板
の熱処理を行う熱処理室７９、である。
【０２０１】プラズマ処理室ユニット（プラズマチャン
バ）である、第１成膜室７５、第２成膜室７６、第３成
膜室７７はそれぞれ異なる種類の膜を成膜するような異
なる処理をおこなうことも可能であり、また、同一のプ
ロセスレシピにより同一の処理をおこなうこともできる
のものであるが、略同一の構成とされている。そして、
これらの複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７は、
それぞれ、前述した図１ないし図８に示す第１実施形態
におけるプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）
７５と略同一の構成とされている。なお、本実施形態に
おいて、プラズマチャンバ７５が前述した第１実施形態
と異なるのは、プラズマ処理室ユニット（プラズマチャ
ンバ）７５のプラズマ電極容量Ｃe と容量（ロス容量）
ＣX とに関する点のみであり、プラズマ処理ユニットと
しての構成に関しては第１実施形態に準ずるものとされ
る。また、これ以外の第１実施形態と略同等の構成要素
に関しては同一の符号を付してその説明を省略する。こ
れらのプラズマチャンバ７５，７６，７７のいずれかに
おいてアモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜等の成膜をおこなう際には、サセプタ電極８
上に被処理基板１６を載置し、高周波電源１から高周波
電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を
印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート
６を介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラ
ズマを発生させ、被処理基板１６上にアモルファスシリ
コン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を成膜す
る。
バ）である、第１成膜室７５、第２成膜室７６、第３成
膜室７７はそれぞれ異なる種類の膜を成膜するような異
なる処理をおこなうことも可能であり、また、同一のプ
ロセスレシピにより同一の処理をおこなうこともできる
のものであるが、略同一の構成とされている。そして、
これらの複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７は、
それぞれ、前述した図１ないし図８に示す第１実施形態
におけるプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）
７５と略同一の構成とされている。なお、本実施形態に
おいて、プラズマチャンバ７５が前述した第１実施形態
と異なるのは、プラズマ処理室ユニット（プラズマチャ
ンバ）７５のプラズマ電極容量Ｃe と容量（ロス容量）
ＣX とに関する点のみであり、プラズマ処理ユニットと
しての構成に関しては第１実施形態に準ずるものとされ
る。また、これ以外の第１実施形態と略同等の構成要素
に関しては同一の符号を付してその説明を省略する。こ
れらのプラズマチャンバ７５，７６，７７のいずれかに
おいてアモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜等の成膜をおこなう際には、サセプタ電極８
上に被処理基板１６を載置し、高周波電源１から高周波
電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を
印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート
６を介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラ
ズマを発生させ、被処理基板１６上にアモルファスシリ
コン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を成膜す
る。
【０２０２】レーザアニール室７８は、図２８に示すよ
うに、チャンバ８０の上部にレーザ光源８１が設けられ
る一方、チャンバ８０内の下部には被処理基板１６を載
置するためのステージ８２が直交するＸ方向、Ｙ方向の
２方向に水平移動可能に設けられている。そして、レー
ザ光源８１の出射部８１ａからスポット状のレーザ光８
３（１点鎖線で示す）が出射されると同時に、被処理基
板１６を支持したステージ８２がＸ方向、Ｙ方向に水平
移動することにより、レーザ光８３が被処理基板１６の
全面を走査できるようになっている。レーザ光源８１に
は例えばＸｅＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロ
ゲンガスを用いたガスレーザを用いることができる。ま
た、レーザアニール室７８の構成は、レーザ光を出射す
るレーザ光源を備え、レーザ光源から出射されるスポッ
ト状のレーザ光が被処理基板の表面をくまなく走査でき
る構成のものであれば、種々の構成の装置を用いること
ができる。この場合、レーザ光源は例えばＸｅＣｌ、Ａ
ｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロゲンガスを用いたガス
レーザを用いることができる。膜の種類によってはＹＡ
Ｇレーザ等の他のレーザ光源を用いることもでき、レー
ザ光の照射の形態としては、パルスレーザアニール、連
続発振レーザアニールを用いることができる。また、熱
処理室の構成は、例えば多段式電気炉型の装置を用いる
ことができる。
うに、チャンバ８０の上部にレーザ光源８１が設けられ
る一方、チャンバ８０内の下部には被処理基板１６を載
置するためのステージ８２が直交するＸ方向、Ｙ方向の
２方向に水平移動可能に設けられている。そして、レー
ザ光源８１の出射部８１ａからスポット状のレーザ光８
３（１点鎖線で示す）が出射されると同時に、被処理基
板１６を支持したステージ８２がＸ方向、Ｙ方向に水平
移動することにより、レーザ光８３が被処理基板１６の
全面を走査できるようになっている。レーザ光源８１に
は例えばＸｅＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロ
ゲンガスを用いたガスレーザを用いることができる。ま
た、レーザアニール室７８の構成は、レーザ光を出射す
るレーザ光源を備え、レーザ光源から出射されるスポッ
ト状のレーザ光が被処理基板の表面をくまなく走査でき
る構成のものであれば、種々の構成の装置を用いること
ができる。この場合、レーザ光源は例えばＸｅＣｌ、Ａ
ｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロゲンガスを用いたガス
レーザを用いることができる。膜の種類によってはＹＡ
Ｇレーザ等の他のレーザ光源を用いることもでき、レー
ザ光の照射の形態としては、パルスレーザアニール、連
続発振レーザアニールを用いることができる。また、熱
処理室の構成は、例えば多段式電気炉型の装置を用いる
ことができる。
【０２０３】熱処理室７９は、図２９に示すように、多
段式電気炉型のものであり、チャンバ８４内に多段に設
けられたヒータ８５の各々に被処理基板１６が載置され
る構成になっている。そして、ヒータ８５の通電により
複数枚の被処理基板１６が加熱されるようになってい
る。なお、熱処理室８９と搬送室７２との間にはゲート
バルブ８６が設けられている。
段式電気炉型のものであり、チャンバ８４内に多段に設
けられたヒータ８５の各々に被処理基板１６が載置され
る構成になっている。そして、ヒータ８５の通電により
複数枚の被処理基板１６が加熱されるようになってい
る。なお、熱処理室８９と搬送室７２との間にはゲート
バルブ８６が設けられている。
【０２０４】図２７に示すローダ室７３、アンローダ室
７４には、ローダカセット、アンローダカセットが着脱
可能に設けられている。これら２つのカセットは、複数
枚の被処理基板１６が収容可能なものであり、ローダカ
セットに成膜前の被処理基板１６が収容され、アンロー
ダカセットには成膜済の被処理基板１６が収容される。
そして、これら処理室ユニットとローダ室７３、アンロ
ーダ室７４の中央に位置する搬送室７２に基板搬送ロボ
ット（搬送手段）８７が設置されている。基板搬送ロボ
ット８７はその上部に伸縮自在なリンク機構を有するア
ーム８８を有し、アーム８８は回転可能かつ昇降可能と
なっており、アーム８８の先端部で被処理基板１６を支
持、搬送するようになっている。
７４には、ローダカセット、アンローダカセットが着脱
可能に設けられている。これら２つのカセットは、複数
枚の被処理基板１６が収容可能なものであり、ローダカ
セットに成膜前の被処理基板１６が収容され、アンロー
ダカセットには成膜済の被処理基板１６が収容される。
そして、これら処理室ユニットとローダ室７３、アンロ
ーダ室７４の中央に位置する搬送室７２に基板搬送ロボ
ット（搬送手段）８７が設置されている。基板搬送ロボ
ット８７はその上部に伸縮自在なリンク機構を有するア
ーム８８を有し、アーム８８は回転可能かつ昇降可能と
なっており、アーム８８の先端部で被処理基板１６を支
持、搬送するようになっている。
【０２０５】上記構成のプラズマ処理装置７１は、例え
ば各処理室における成膜条件、アニール条件、熱処理条
件等、種々の処理条件や処理シーケンスをオペレータが
設定する他は、各部の動作が制御部により制御されてお
り、自動運転する構成になっている。したがって、この
プラズマ処理装置７１を使用する際には、処理前の被処
理基板１６をローダカセットにセットし、オペレータが
スタートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボット８７
によりローダカセットから各処理室内に被処理基板１６
が搬送され、各処理室で一連の処理が順次自動的に行わ
れた後、基板搬送ロボット８７によりアンローダカセッ
トに収容される。
ば各処理室における成膜条件、アニール条件、熱処理条
件等、種々の処理条件や処理シーケンスをオペレータが
設定する他は、各部の動作が制御部により制御されてお
り、自動運転する構成になっている。したがって、この
プラズマ処理装置７１を使用する際には、処理前の被処
理基板１６をローダカセットにセットし、オペレータが
スタートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボット８７
によりローダカセットから各処理室内に被処理基板１６
が搬送され、各処理室で一連の処理が順次自動的に行わ
れた後、基板搬送ロボット８７によりアンローダカセッ
トに収容される。
【０２０６】本実施形態の性能評価方法の対象となるプ
ラズマ処理装置７１においては、複数のプラズマチャン
バ７５，７６，７７のそれぞれにおいて、高周波特性と
してロス容量Ｃxの、納入後における値Ｃx1の値のばら
つきＣx1rが、その最大値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによ
って、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値として０．１より小
さい値であるかどうかにより、所望の性能を維持してい
るか否かが判断される。すなわち、Ｃx1rの値が０．１
より小さい場合には所望の性能を維持していると判断
し、０．１以上の場合には、所望の性能が維持できてい
ないと判断する。そして、所望の性能が維持できていな
いと判断した場合には、Ｃx1rの値が０．１より小さい
値の範囲になるように、ロス容量Ｃxを是正する措置を
とることができる。ここで、ロス容量Ｃx の定義及び
測定方法と、ロス容量Ｃxの是正方法は、上記第１実施
形態で説明した方法と同様であるので、その説明を省略
する。また、第９実施形態では、上記Ｃx1rの評価に加
えて、複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７におい
ては、高周波電源１の接続された電極４と協働してプラ
ズマを発生する電極８との間のプラズマ電極容量Ｃe
の、納入後における値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、そ
の最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによって Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） とされ、このＣe1rの値が０．１より小さい範囲が小さ
い値であるかどうかにより、所望の性能を維持している
か否かが判断することが好ましい。すなわち、Ｃe1rの
値が０．１より小さい場合には所望の性能を維持してい
ると判断し、０．１以上の場合には、所望の性能が維持
できていないと判断する。
ラズマ処理装置７１においては、複数のプラズマチャン
バ７５，７６，７７のそれぞれにおいて、高周波特性と
してロス容量Ｃxの、納入後における値Ｃx1の値のばら
つきＣx1rが、その最大値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによ
って、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値として０．１より小
さい値であるかどうかにより、所望の性能を維持してい
るか否かが判断される。すなわち、Ｃx1rの値が０．１
より小さい場合には所望の性能を維持していると判断
し、０．１以上の場合には、所望の性能が維持できてい
ないと判断する。そして、所望の性能が維持できていな
いと判断した場合には、Ｃx1rの値が０．１より小さい
値の範囲になるように、ロス容量Ｃxを是正する措置を
とることができる。ここで、ロス容量Ｃx の定義及び
測定方法と、ロス容量Ｃxの是正方法は、上記第１実施
形態で説明した方法と同様であるので、その説明を省略
する。また、第９実施形態では、上記Ｃx1rの評価に加
えて、複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７におい
ては、高周波電源１の接続された電極４と協働してプラ
ズマを発生する電極８との間のプラズマ電極容量Ｃe
の、納入後における値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、そ
の最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによって Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） とされ、このＣe1rの値が０．１より小さい範囲が小さ
い値であるかどうかにより、所望の性能を維持している
か否かが判断することが好ましい。すなわち、Ｃe1rの
値が０．１より小さい場合には所望の性能を維持してい
ると判断し、０．１以上の場合には、所望の性能が維持
できていないと判断する。
【０２０７】上記のように、それぞれのプラズマチャン
バ７５，７６，７７（複数のプラズマ処理室）の高周波
特性としてロス容量Ｃxのうち、その最大値Ｃx1maxと最
小値Ｃx1minのばらつきを、上記式に示すように定義
し、この値が０．１より小さい範囲の値かどうかを評価
し、また、プラズマ電極容量Ｃeのうち、その最大値Ｃe
1maxと最小値Ｃe1minのばらつきを、上記式に示すよう
に定義し、この値が０．１より小さい範囲の値かどうか
を評価することで、複数のプラズマチャンバ（複数のプ
ラズマ処理室）７５，７６，７７に対して電気的高周波
的な特性の機差をなくすような是正措置が可能となり、
これにより、ロス容量Ｃxやプラズマ電極容量Ｃeを指標
とする一定の管理幅内に複数のプラズマチャンバ７５，
７６，７７の状態を設定することが可能となるので、個
々のプラズマチャンバ７５，７６，７７において、プラ
ズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一
にすることができる。
バ７５，７６，７７（複数のプラズマ処理室）の高周波
特性としてロス容量Ｃxのうち、その最大値Ｃx1maxと最
小値Ｃx1minのばらつきを、上記式に示すように定義
し、この値が０．１より小さい範囲の値かどうかを評価
し、また、プラズマ電極容量Ｃeのうち、その最大値Ｃe
1maxと最小値Ｃe1minのばらつきを、上記式に示すよう
に定義し、この値が０．１より小さい範囲の値かどうか
を評価することで、複数のプラズマチャンバ（複数のプ
ラズマ処理室）７５，７６，７７に対して電気的高周波
的な特性の機差をなくすような是正措置が可能となり、
これにより、ロス容量Ｃxやプラズマ電極容量Ｃeを指標
とする一定の管理幅内に複数のプラズマチャンバ７５，
７６，７７の状態を設定することが可能となるので、個
々のプラズマチャンバ７５，７６，７７において、プラ
ズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一
にすることができる。
【０２０８】その結果、複数のプラズマチャンバ７５，
７６，７７に対して同一のプロセスレシピを適用して、
略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数の
プラズマチャンバ（複数のプラズマ処理室）７５，７
６，７７において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、
絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を
得ることが可能となる。具体的には、上記のばらつきの
値を０．１より小さい範囲に設定することにより、略同
一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバ７５，７
６，７７において、膜厚のばらつきの値を±５％の範囲
におさめることができる。そのため、従来考慮されてい
なかったプラズマ処理装置７１の全般的な電気的高周波
的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安
定性を期待することができる。その結果、動作安定性が
高く、各プラズマチャンバ７５，７６，７７で均一な動
作が期待できるプラズマ処理装置７１を維持管理するこ
とが可能となる。これにより、複数のプラズマチャンバ
７５，７６，７７に対する膨大なデータから外部パラメ
ータと実際の基板を処理するような評価方法による処理
結果との相関関係によるプロセス条件の把握を不必要と
することができる。
７６，７７に対して同一のプロセスレシピを適用して、
略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数の
プラズマチャンバ（複数のプラズマ処理室）７５，７
６，７７において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、
絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を
得ることが可能となる。具体的には、上記のばらつきの
値を０．１より小さい範囲に設定することにより、略同
一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバ７５，７
６，７７において、膜厚のばらつきの値を±５％の範囲
におさめることができる。そのため、従来考慮されてい
なかったプラズマ処理装置７１の全般的な電気的高周波
的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安
定性を期待することができる。その結果、動作安定性が
高く、各プラズマチャンバ７５，７６，７７で均一な動
作が期待できるプラズマ処理装置７１を維持管理するこ
とが可能となる。これにより、複数のプラズマチャンバ
７５，７６，７７に対する膨大なデータから外部パラメ
ータと実際の基板を処理するような評価方法による処理
結果との相関関係によるプロセス条件の把握を不必要と
することができる。
【０２０９】したがって、新規設置時や調整・保守点検
時において、各プラズマチャンバ７５，７６，７７ごと
の機差をなくして処理のばらつきをなくし同一のプロセ
スレシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調
整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査
方法を採用した場合に比べて、 ロス容量ＣX、プラズマ
電極容量Ｃeを測定することにより、大幅に短縮するこ
とができる。しかも、処理をおこなった基板の評価によ
りプラズマ処理装置７１の動作確認および、動作の評価
をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプ
ラズマ処理装置７１の評価を、しかも、プラズマ処理装
置７１の実機が設置してある場所で短時間におこなうこ
とが可能である。その上、被処理基板１６への実際の成
膜等による検査方法を採用した場合、別々に行うしかな
かった複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７に対す
る結果をほぼ同時に実現することができる。このため、
製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理
装置７１の動作確認および、動作の評価をする必要がな
くなり、製造ラインとしての生産性を向上することがで
きる。また、このような調整に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従
事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能
となる。
時において、各プラズマチャンバ７５，７６，７７ごと
の機差をなくして処理のばらつきをなくし同一のプロセ
スレシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調
整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査
方法を採用した場合に比べて、 ロス容量ＣX、プラズマ
電極容量Ｃeを測定することにより、大幅に短縮するこ
とができる。しかも、処理をおこなった基板の評価によ
りプラズマ処理装置７１の動作確認および、動作の評価
をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプ
ラズマ処理装置７１の評価を、しかも、プラズマ処理装
置７１の実機が設置してある場所で短時間におこなうこ
とが可能である。その上、被処理基板１６への実際の成
膜等による検査方法を採用した場合、別々に行うしかな
かった複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７に対す
る結果をほぼ同時に実現することができる。このため、
製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理
装置７１の動作確認および、動作の評価をする必要がな
くなり、製造ラインとしての生産性を向上することがで
きる。また、このような調整に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従
事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能
となる。
【０２１０】さらに、この各プラズマチャンバ７５，７
６，７７においては、第７から第８の実施形態において
採用した評価方法を併せて採用することができる。すな
わち、各々のＣXと、プラズマ極容量Ｃeとを比較した評
価基準を上記ばらつきＣx1r に基づく評価と併用するこ
とにより、機差だけでなく、プラズマチャンバ７５，７
６，７７の全体的な電気的高周波的な特性をそれぞれ適
正な範囲に収めることができる。これにより、各プラズ
マ処理室７５，７６，７７において第７から第８の実施
形態と同様の効果を得ることが可能となる。しかも、こ
れらを、複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７にお
いて同時に実現することができる。
６，７７においては、第７から第８の実施形態において
採用した評価方法を併せて採用することができる。すな
わち、各々のＣXと、プラズマ極容量Ｃeとを比較した評
価基準を上記ばらつきＣx1r に基づく評価と併用するこ
とにより、機差だけでなく、プラズマチャンバ７５，７
６，７７の全体的な電気的高周波的な特性をそれぞれ適
正な範囲に収めることができる。これにより、各プラズ
マ処理室７５，７６，７７において第７から第８の実施
形態と同様の効果を得ることが可能となる。しかも、こ
れらを、複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７にお
いて同時に実現することができる。
【０２１１】以下、本発明に係る性能評価方法を第１０
実施形態としてを図面に基づいて説明する。 ［第１０実施形態］図３０は本実施形態の性能評価方法
の対象となるプラズマ処理装置９１の概略構成を示す断
面図である。本実施形態のプラズマ処理装置９１は、図
３０に示すように、略四角形の搬送室９２の周囲にロー
ドロック室９３と熱処理室９９とプラズマ処理室ユニッ
ト９５，９６とが設けられた構成とされている。この装
置は基板移載用の搬送ロボットが設置されている搬送室
９２を中央にして、各室の間が、ゲートｇ１，ｇ２，ｇ
３，ｇ４で区切られている。搬送室（待機室）９２と加
熱室９９とその他の処理室ユニット９５，９６はそれぞ
れ個別の高真空ポンプによって高真空度に排気されてい
る。ロードロック室９１は低真空ポンプによって低真空
度に排気されている。
実施形態としてを図面に基づいて説明する。 ［第１０実施形態］図３０は本実施形態の性能評価方法
の対象となるプラズマ処理装置９１の概略構成を示す断
面図である。本実施形態のプラズマ処理装置９１は、図
３０に示すように、略四角形の搬送室９２の周囲にロー
ドロック室９３と熱処理室９９とプラズマ処理室ユニッ
ト９５，９６とが設けられた構成とされている。この装
置は基板移載用の搬送ロボットが設置されている搬送室
９２を中央にして、各室の間が、ゲートｇ１，ｇ２，ｇ
３，ｇ４で区切られている。搬送室（待機室）９２と加
熱室９９とその他の処理室ユニット９５，９６はそれぞ
れ個別の高真空ポンプによって高真空度に排気されてい
る。ロードロック室９１は低真空ポンプによって低真空
度に排気されている。
【０２１２】この実施形態のプラズマ処理装置９１にお
いては、その構成要素が図１乃至図８に示した第１実施
形態のプラズマ処理装置（プラズマチャンバ）７５及び
図２７〜図２９に示した第９実施形態のプラズマ処理装
置７１に対応しており、それぞれ、搬送室７２に搬送室
９２が、熱処理室７９に熱処理室９９が、ローダ室７３
およびアンローダ室７４にロードロック室９３が対応し
ており、略同一の構成の部分に関しては説明を省略す
る。
いては、その構成要素が図１乃至図８に示した第１実施
形態のプラズマ処理装置（プラズマチャンバ）７５及び
図２７〜図２９に示した第９実施形態のプラズマ処理装
置７１に対応しており、それぞれ、搬送室７２に搬送室
９２が、熱処理室７９に熱処理室９９が、ローダ室７３
およびアンローダ室７４にロードロック室９３が対応し
ており、略同一の構成の部分に関しては説明を省略す
る。
【０２１３】上記構成のプラズマ処理装置９１は、ゲー
トｇ０を開放して被処理基板１６をロードロック室９３
に搬入し、ゲートｇ０を閉塞してロードロック室９３を
低真空ポンプによって排気する。ゲートｇ１，ｇ２を開
放してロードロック室９３に搬入された基板１６を、搬
送室９２の搬送ロボットの移載アームによって熱処理室
９９に移動し、ゲートｇ１，ｇ２を閉塞して搬送室９２
と熱処理室９９を高真空ポンプによって排気する。つい
で基板１６を加熱処理し、終了後、ゲートｇ２，ｇ４を
開放して熱処理された基板１６を、搬送室９２の搬送ロ
ボットの移載アームによってプラズマ処理室ユニット
（プラズマチャンバ）９５に移動する。プラズマチャン
バ（プラズマチャンバ）９５の基板１６を反応処理し、
終了後ゲートｇ４，ｇ３を開放して処理された基板１６
を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによってプ
ラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）９６に移動
する。プラズマチャンバ９６の基板１６を反応処理し、
終了後ゲートｇ３，ｇ１を開放して基板１６を、搬送室
９２の搬送ロボットの移載アームによってロードロック
室９３に移動する。このとき、例えば各プラズマチャン
バ（プラズマ処理室）における成膜条件等の処理条件や
処理シーケンスをオペレータが設定する他は、各部の動
作が制御部により制御されており、自動運転する構成に
なっている。したがって、このプラズマ処理装置９１を
使用する際には、処理前の被処理基板１６をロードロッ
ク室９３のローダカセットにセットし、オペレータがス
タートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボットにより
ローダカセットから各処理室内に被処理基板１６が搬送
され、各処理室で一連の処理が順次自動的に行われた
後、基板搬送ロボットによりアンローダカセット（ロー
ダカセット）に収容される。
トｇ０を開放して被処理基板１６をロードロック室９３
に搬入し、ゲートｇ０を閉塞してロードロック室９３を
低真空ポンプによって排気する。ゲートｇ１，ｇ２を開
放してロードロック室９３に搬入された基板１６を、搬
送室９２の搬送ロボットの移載アームによって熱処理室
９９に移動し、ゲートｇ１，ｇ２を閉塞して搬送室９２
と熱処理室９９を高真空ポンプによって排気する。つい
で基板１６を加熱処理し、終了後、ゲートｇ２，ｇ４を
開放して熱処理された基板１６を、搬送室９２の搬送ロ
ボットの移載アームによってプラズマ処理室ユニット
（プラズマチャンバ）９５に移動する。プラズマチャン
バ（プラズマチャンバ）９５の基板１６を反応処理し、
終了後ゲートｇ４，ｇ３を開放して処理された基板１６
を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによってプ
ラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）９６に移動
する。プラズマチャンバ９６の基板１６を反応処理し、
終了後ゲートｇ３，ｇ１を開放して基板１６を、搬送室
９２の搬送ロボットの移載アームによってロードロック
室９３に移動する。このとき、例えば各プラズマチャン
バ（プラズマ処理室）における成膜条件等の処理条件や
処理シーケンスをオペレータが設定する他は、各部の動
作が制御部により制御されており、自動運転する構成に
なっている。したがって、このプラズマ処理装置９１を
使用する際には、処理前の被処理基板１６をロードロッ
ク室９３のローダカセットにセットし、オペレータがス
タートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボットにより
ローダカセットから各処理室内に被処理基板１６が搬送
され、各処理室で一連の処理が順次自動的に行われた
後、基板搬送ロボットによりアンローダカセット（ロー
ダカセット）に収容される。
【０２１４】上記構成のプラズマチャンバ９５，９６に
おいては、第２実施形態と同様に、サセプタ電極８上に
被処理基板１６を載置し、高周波電源１から高周波電極
４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加
するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を
介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラズマ
を発生させ、被処理基板１６上にアモルファスシリコン
膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を成膜する。
おいては、第２実施形態と同様に、サセプタ電極８上に
被処理基板１６を載置し、高周波電源１から高周波電極
４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加
するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を
介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラズマ
を発生させ、被処理基板１６上にアモルファスシリコン
膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を成膜する。
【０２１５】そして、これらの複数のプラズマチャンバ
９５，９６は、図３０に示すように、後述するスイッチ
ＳＷ２等を介して測定器（高周波特性測定器）ＡＮに接
続されている。同時に、複数のプラズマチャンバ９５，
９６においては、プラズマ電極容量Ｃe の、納入後にお
ける値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、その最大値Ｃe1m ax
と最小値Ｃe1minによって Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、このＣe1rの値が０．０３より小さい範囲
が小さい値であるかどうかにより、所望の性能を維持し
ているか否かが判断される。すなわち、このＣe1 rの値
が０．０３より小さい場合には所望の性能を維持してい
ると判断し、０．０３以上の場合には、所望の性能が維
持できていないと判断する。また、複数のプラズマチャ
ンバ９５，９６においては、高周波特性としてロス容量
Ｃxの、納入後における値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、
その最大値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値として０．０３より
小さい値であるかどうかにより、所望の性能を維持して
いるか否かが判断される。すなわち、Ｃx1rの値が０．
０３より小さい場合には所望の性能を維持していると判
断し、０．０３以上の場合には、所望の性能が維持でき
ていないと判断する。そして、所望の性能が維持できて
いないと判断した場合には、Ｃx1rの値が０．０３より
小さい値の範囲になるように、ロス容量Ｃxを是正する
措置をとることができる。
９５，９６は、図３０に示すように、後述するスイッチ
ＳＷ２等を介して測定器（高周波特性測定器）ＡＮに接
続されている。同時に、複数のプラズマチャンバ９５，
９６においては、プラズマ電極容量Ｃe の、納入後にお
ける値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、その最大値Ｃe1m ax
と最小値Ｃe1minによって Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、このＣe1rの値が０．０３より小さい範囲
が小さい値であるかどうかにより、所望の性能を維持し
ているか否かが判断される。すなわち、このＣe1 rの値
が０．０３より小さい場合には所望の性能を維持してい
ると判断し、０．０３以上の場合には、所望の性能が維
持できていないと判断する。また、複数のプラズマチャ
ンバ９５，９６においては、高周波特性としてロス容量
Ｃxの、納入後における値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、
その最大値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値として０．０３より
小さい値であるかどうかにより、所望の性能を維持して
いるか否かが判断される。すなわち、Ｃx1rの値が０．
０３より小さい場合には所望の性能を維持していると判
断し、０．０３以上の場合には、所望の性能が維持でき
ていないと判断する。そして、所望の性能が維持できて
いないと判断した場合には、Ｃx1rの値が０．０３より
小さい値の範囲になるように、ロス容量Ｃxを是正する
措置をとることができる。
【０２１６】本実施形態においては、第９実施形態と同
等の効果を奏するとともに、各プラズマチャンバ９５，
９６におけるプラズマ電極容量Ｃeの、納入後における
値Ｃe 1の値のばらつきＣe1rが０．０３より小さい範囲
の値かどうかを評価するので、適切な是正措置を施すこ
とができ、複数のプラズマチャンバ（複数のプラズマ処
理室）９５，９６に対して容量Ｃeの電気的高周波的な
特性の機差をなくすことが可能となり、また、各プラズ
マチャンバ９５，９６におけるロス容量Ｃxの、納入後
における値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが０．０３より小
さい範囲の値かどうかを評価するので、適切な是正措置
を施すことができ、複数のプラズマチャンバ（複数のプ
ラズマ処理室）９５，９６に対してロス容量Ｃxの電気
的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、こ
れにより、プラズマ電極容量Ｃeやロス容量Ｃxを指標と
して一定の管理幅内に複数のプラズマ処理室の状態を設
定することが可能となるので、個々のプラズマチャンバ
９５，９６において、プラズマ空間で消費される実効的
な電力等をそれぞれ略均一にすることができる。その結
果、複数のプラズマチャンバ９５，９６に対して同一の
プロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果
を得ること、つまり、複数のプラズマ処理室において例
えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチン
グレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能とな
る。具体的には、上記のばらつきの値を０．０３より小
さい範囲に設定することにより、略同一の条件で積層を
おこなったプラズマ処理室において、膜厚のばらつきの
値を±２％の範囲におさめることができる。
等の効果を奏するとともに、各プラズマチャンバ９５，
９６におけるプラズマ電極容量Ｃeの、納入後における
値Ｃe 1の値のばらつきＣe1rが０．０３より小さい範囲
の値かどうかを評価するので、適切な是正措置を施すこ
とができ、複数のプラズマチャンバ（複数のプラズマ処
理室）９５，９６に対して容量Ｃeの電気的高周波的な
特性の機差をなくすことが可能となり、また、各プラズ
マチャンバ９５，９６におけるロス容量Ｃxの、納入後
における値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが０．０３より小
さい範囲の値かどうかを評価するので、適切な是正措置
を施すことができ、複数のプラズマチャンバ（複数のプ
ラズマ処理室）９５，９６に対してロス容量Ｃxの電気
的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、こ
れにより、プラズマ電極容量Ｃeやロス容量Ｃxを指標と
して一定の管理幅内に複数のプラズマ処理室の状態を設
定することが可能となるので、個々のプラズマチャンバ
９５，９６において、プラズマ空間で消費される実効的
な電力等をそれぞれ略均一にすることができる。その結
果、複数のプラズマチャンバ９５，９６に対して同一の
プロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果
を得ること、つまり、複数のプラズマ処理室において例
えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチン
グレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能とな
る。具体的には、上記のばらつきの値を０．０３より小
さい範囲に設定することにより、略同一の条件で積層を
おこなったプラズマ処理室において、膜厚のばらつきの
値を±２％の範囲におさめることができる。
【０２１７】さらに、このプラズマ処理装置９１におい
ては、複数のプラズマチャンバ９５，９６の上記整合回
路２Ａの出力端子位置ＰＲに測定用端子（インピーダン
ス測定用端子）６１を設け、この測定用端子６１に高周
波特性測定器（インピーダンス測定器）ＡＮを着脱自在
に接続するとともに、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を設ける
ことで、上記プラズマチャンバ９５，９６の高周波特性
としてのロス容量Ｃx を測定する際のプロービングを容
易におこなうことが可能となり、ロス容量Ｃx の測定時
における作業効率を向上することができる。
ては、複数のプラズマチャンバ９５，９６の上記整合回
路２Ａの出力端子位置ＰＲに測定用端子（インピーダン
ス測定用端子）６１を設け、この測定用端子６１に高周
波特性測定器（インピーダンス測定器）ＡＮを着脱自在
に接続するとともに、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を設ける
ことで、上記プラズマチャンバ９５，９６の高周波特性
としてのロス容量Ｃx を測定する際のプロービングを容
易におこなうことが可能となり、ロス容量Ｃx の測定時
における作業効率を向上することができる。
【０２１８】さらに、これら複数のプラズマチャンバ９
５，９６においてインピーダンスＺ1 とインピーダンス
Ｚ2 とを等しく設定することにより、個々のプラズマチ
ャンバ９５，９６において、インピーダンス測定用プロ
ーブ１０５を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ
２切り替えのみにより高周波特性としてのロス容量Ｃx
の測定と、プラズマ処理装置の動作状態（プラズマ発生
状態）と、の切り替えを容易におこなうことが可能とな
る。ここで、ロス容量Ｃxの測定時において、スイッチ
ＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみにより複数のプラズマチャ
ンバ９５，９６を順に切り替えることができ、ロス容量
Ｃxの測定時における作業効率を向上することができ
る。さらに、複数のプラズマチャンバ９５，９６におい
て第９実施形態と同様に、ロス容量Ｃxとプラズマ電極
容量Ｃeとの値を比較した評価方法により、適切な是正
措置を施すことで、直接プラズマを発光させる上記電極
４，８の高周波特性をそれぞれのプラズマチャンバ９
５，９６において規定できるため、プラズマ発光空間に
対して電力をより効果的に投入することができ、本実施
形態のプラズマ処理装置９１全体でさらなる電力消費効
率の向上か、または、処理効率の向上を図ることが可能
となる。
５，９６においてインピーダンスＺ1 とインピーダンス
Ｚ2 とを等しく設定することにより、個々のプラズマチ
ャンバ９５，９６において、インピーダンス測定用プロ
ーブ１０５を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ
２切り替えのみにより高周波特性としてのロス容量Ｃx
の測定と、プラズマ処理装置の動作状態（プラズマ発生
状態）と、の切り替えを容易におこなうことが可能とな
る。ここで、ロス容量Ｃxの測定時において、スイッチ
ＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみにより複数のプラズマチャ
ンバ９５，９６を順に切り替えることができ、ロス容量
Ｃxの測定時における作業効率を向上することができ
る。さらに、複数のプラズマチャンバ９５，９６におい
て第９実施形態と同様に、ロス容量Ｃxとプラズマ電極
容量Ｃeとの値を比較した評価方法により、適切な是正
措置を施すことで、直接プラズマを発光させる上記電極
４，８の高周波特性をそれぞれのプラズマチャンバ９
５，９６において規定できるため、プラズマ発光空間に
対して電力をより効果的に投入することができ、本実施
形態のプラズマ処理装置９１全体でさらなる電力消費効
率の向上か、または、処理効率の向上を図ることが可能
となる。
【０２１９】なお、このプラズマ処理装置において、２
つのスイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２を設ける構成
としたが、分岐点から出力端子位置ＰＲまでと分岐点か
らプローブまでのインピーダンスが等しく設定されてい
れば、よく、例えば１つのスイッチによりこれらの接続
を切り替え可能とすることもできる。
つのスイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２を設ける構成
としたが、分岐点から出力端子位置ＰＲまでと分岐点か
らプローブまでのインピーダンスが等しく設定されてい
れば、よく、例えば１つのスイッチによりこれらの接続
を切り替え可能とすることもできる。
【０２２０】さらに、この各プラズマチャンバ９５，９
６においては、第７から第９の実施形態において採用し
た評価方法を併せて採用することができる。すなわち、
各々のロス容量Ｃxと、プラズマ電極容量Ｃe の２６倍
とを比較（各々のロス容量Ｃx 1と、プラズマ電極容量Ｃ
e1の２６倍とを比較）した評価基準を上記ばらつきＣx
1r やＣx1rに基づく評価と併用することにより、機差
だけでなく、プラズマチャンバ９５，９６の全体的な電
気的高周波的な特性をそれぞれ適正な範囲に収めること
ができる。これにより、各プラズマチャンバ９５，９６
において第７から第９の実施形態と同様の効果を得るこ
とが可能となる。しかも、これらを、複数のプラズマチ
ャンバ９５，９６において同時に実現することができ
る。
６においては、第７から第９の実施形態において採用し
た評価方法を併せて採用することができる。すなわち、
各々のロス容量Ｃxと、プラズマ電極容量Ｃe の２６倍
とを比較（各々のロス容量Ｃx 1と、プラズマ電極容量Ｃ
e1の２６倍とを比較）した評価基準を上記ばらつきＣx
1r やＣx1rに基づく評価と併用することにより、機差
だけでなく、プラズマチャンバ９５，９６の全体的な電
気的高周波的な特性をそれぞれ適正な範囲に収めること
ができる。これにより、各プラズマチャンバ９５，９６
において第７から第９の実施形態と同様の効果を得るこ
とが可能となる。しかも、これらを、複数のプラズマチ
ャンバ９５，９６において同時に実現することができ
る。
【０２２１】以下、本発明に係る性能評価方法を第１１
実施形態として図面に基づいて説明する。 ［第１１実施形態］図３１は本実施形態の性能評価方法
の対象となるプラズマ処理システムの概略構成を示す模
式図である。
実施形態として図面に基づいて説明する。 ［第１１実施形態］図３１は本実施形態の性能評価方法
の対象となるプラズマ処理システムの概略構成を示す模
式図である。
【０２２２】このプラズマ処理システムは、図２７に示
した第９実施形態におけるプラズマ処理装置と略同等の
プラズマ処理装置７１，７１’と、図３０に示した第１
０実施形態におけるプラズマ処理装置と略同等のプラズ
マ処理装置９１と、を組み合わせて概略構成されてい
る。先に説明した第９，第１０実施形態におけるプラズ
マ処理装置の構成要素に対応するものには同一の符号を
付してその説明を省略する。
した第９実施形態におけるプラズマ処理装置と略同等の
プラズマ処理装置７１，７１’と、図３０に示した第１
０実施形態におけるプラズマ処理装置と略同等のプラズ
マ処理装置９１と、を組み合わせて概略構成されてい
る。先に説明した第９，第１０実施形態におけるプラズ
マ処理装置の構成要素に対応するものには同一の符号を
付してその説明を省略する。
【０２２３】このプラズマ処理システムは、図３１に示
すように、３つのプラズマチャンバ（プラズマ処理室）
９５，９６，９７を有するプラズマ処理装置７１、２つ
のプラズマチャンバ（プラズマ処理室）９５，９６を有
するプラズマ処理装置９１、および、３つのプラズマチ
ャンバ（プラズマ処理室）９５，９６，９７を有するプ
ラズマ処理装置７１’が製造ラインの一部を構成するも
のとされている。
すように、３つのプラズマチャンバ（プラズマ処理室）
９５，９６，９７を有するプラズマ処理装置７１、２つ
のプラズマチャンバ（プラズマ処理室）９５，９６を有
するプラズマ処理装置９１、および、３つのプラズマチ
ャンバ（プラズマ処理室）９５，９６，９７を有するプ
ラズマ処理装置７１’が製造ラインの一部を構成するも
のとされている。
【０２２４】このプラズマ処理システムの製造ラインに
おける工程は、例えば、以下のようになっている。ま
ず、プラズマ処理前処理をおこなった被処理基板１６
に、プラズマ処理装置７１のプラズマチャンバ９５にお
いて成膜処理をおこない、ついで、熱処理室７９におい
て加熱処理をおこない、その後、レーザーアニール室７
８においてアニール処理がおこなわれ、プラズマチャン
バ９６，９７において、被処理基板１６に順次第２，第
３の成膜処理がおこなわれる。次いで、プラズマ処理装
置７１から搬出された被処理基板１６に、図示しない他
の処理装置において、フォトリソグラフィー工程により
フォトレジストの形成をおこなう。そして、プラズマ処
理装置９１のプラズマチャンバ９５においてプラズマエ
ッチングをおこない、ついで、プラズマチャンバ９６に
おいて、被処理基板１６に成膜処理をおこなう。次い
で、プラズマ処理装置９１から搬出された被処理基板１
６に、図示しない他の処理装置において、レジストを剥
離し、新たにフォトリソグラフィー工程によりパターニ
ングする。最後に、プラズマ処理装置７１’のプラズマ
チャンバ９５、９６，９７において被処理基板１６に順
次第１，第２，第３の成膜処理がおこなわれ、被処理基
板１６をプラズマ処理後処理へと送り、製造ラインにお
ける本実施形態のプラズマ処理システムにおける工程は
終了する。
おける工程は、例えば、以下のようになっている。ま
ず、プラズマ処理前処理をおこなった被処理基板１６
に、プラズマ処理装置７１のプラズマチャンバ９５にお
いて成膜処理をおこない、ついで、熱処理室７９におい
て加熱処理をおこない、その後、レーザーアニール室７
８においてアニール処理がおこなわれ、プラズマチャン
バ９６，９７において、被処理基板１６に順次第２，第
３の成膜処理がおこなわれる。次いで、プラズマ処理装
置７１から搬出された被処理基板１６に、図示しない他
の処理装置において、フォトリソグラフィー工程により
フォトレジストの形成をおこなう。そして、プラズマ処
理装置９１のプラズマチャンバ９５においてプラズマエ
ッチングをおこない、ついで、プラズマチャンバ９６に
おいて、被処理基板１６に成膜処理をおこなう。次い
で、プラズマ処理装置９１から搬出された被処理基板１
６に、図示しない他の処理装置において、レジストを剥
離し、新たにフォトリソグラフィー工程によりパターニ
ングする。最後に、プラズマ処理装置７１’のプラズマ
チャンバ９５、９６，９７において被処理基板１６に順
次第１，第２，第３の成膜処理がおこなわれ、被処理基
板１６をプラズマ処理後処理へと送り、製造ラインにお
ける本実施形態のプラズマ処理システムにおける工程は
終了する。
【０２２５】このプラズマ処理システムは、図３１に示
すように、各プラズマ処理室９５，９６，９７の測定用
端子６１がスイッチＳＷ３を介して測定器ＡＮに接続さ
れている。スイッチＳＷ３は各プラズマ処理室９５，９
６，９７の測定時に測定対象のプラズマチャンバ９５，
９６，９７と測定器ＡＮとのみを接続して、それ以外の
プラズマ処理室９５，９６，９７を切断するよう切り替
えるスイッチとして設けられている。そして、この測定
用端子６１から、スイッチＳＷ３までのインピーダンス
が、各プラズマチャンバ９５，９６，９７に対して等し
くなるように、測定用の同軸ケーブルの長さが等しく設
定されている。測定用端子６１には、図１１に示す第２
実施形態と同様にして、測定器ＡＮのプローブが着脱自
在に接続されている。
すように、各プラズマ処理室９５，９６，９７の測定用
端子６１がスイッチＳＷ３を介して測定器ＡＮに接続さ
れている。スイッチＳＷ３は各プラズマ処理室９５，９
６，９７の測定時に測定対象のプラズマチャンバ９５，
９６，９７と測定器ＡＮとのみを接続して、それ以外の
プラズマ処理室９５，９６，９７を切断するよう切り替
えるスイッチとして設けられている。そして、この測定
用端子６１から、スイッチＳＷ３までのインピーダンス
が、各プラズマチャンバ９５，９６，９７に対して等し
くなるように、測定用の同軸ケーブルの長さが等しく設
定されている。測定用端子６１には、図１１に示す第２
実施形態と同様にして、測定器ＡＮのプローブが着脱自
在に接続されている。
【０２２６】ここで、複数のプラズマ処理装置の各プラ
ズマチャンバ９５，９６，９７におけるプラズマ電極容
量Ｃe と、ロス容量Ｃxは、スイッチＳＷ３を切り替え
ることにより、第１０実施形態と同様にして測定でき
る。そして、その複数のプラズマチャンバ９５，９６，
９７においては、プラズマ電極容量Ｃe の、納入後にお
ける値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、その最大値Ｃe1max
と最小値Ｃe1minによって Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、このＣe1rの値が０．０３より小さい範囲
が小さい値であるかどうかにより、所望の性能を維持し
ているか否かが判断される。すなわち、このＣe1 rの値
が０．０３より小さい場合には所望の性能を維持してい
ると判断し、０．０３以上の場合には、所望の性能が維
持できていないと判断する。また、その複数のプラズマ
チャンバ９５，９６，９７においては、ロス容量Ｃ
xの、納入後における値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、そ
の最大値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値として０．０３より
小さい範囲の値であるかどうかにより、所望の性能を維
持しているか否かが判断される。すなわち、Ｃx1rの値
が０．０３より小さい場合には所望の性能を維持してい
ると判断し、０．０３以上の場合には、所望の性能が維
持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持
できていないと判断した場合には、Ｃx1rの値が０．０
３より小さい値の範囲になるように、ロス容量Ｃxを是
正する措置をとることができる。ここで、ロス容量Ｃx
の定義及び測定方法と、ロス容量Ｃxの是正方法は、
上記第２実施形態で説明した方法と同様であるので、そ
の説明を省略する。
ズマチャンバ９５，９６，９７におけるプラズマ電極容
量Ｃe と、ロス容量Ｃxは、スイッチＳＷ３を切り替え
ることにより、第１０実施形態と同様にして測定でき
る。そして、その複数のプラズマチャンバ９５，９６，
９７においては、プラズマ電極容量Ｃe の、納入後にお
ける値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、その最大値Ｃe1max
と最小値Ｃe1minによって Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、このＣe1rの値が０．０３より小さい範囲
が小さい値であるかどうかにより、所望の性能を維持し
ているか否かが判断される。すなわち、このＣe1 rの値
が０．０３より小さい場合には所望の性能を維持してい
ると判断し、０．０３以上の場合には、所望の性能が維
持できていないと判断する。また、その複数のプラズマ
チャンバ９５，９６，９７においては、ロス容量Ｃ
xの、納入後における値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、そ
の最大値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、Ｃx1rの値が所定の値として０．０３より
小さい範囲の値であるかどうかにより、所望の性能を維
持しているか否かが判断される。すなわち、Ｃx1rの値
が０．０３より小さい場合には所望の性能を維持してい
ると判断し、０．０３以上の場合には、所望の性能が維
持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持
できていないと判断した場合には、Ｃx1rの値が０．０
３より小さい値の範囲になるように、ロス容量Ｃxを是
正する措置をとることができる。ここで、ロス容量Ｃx
の定義及び測定方法と、ロス容量Ｃxの是正方法は、
上記第２実施形態で説明した方法と同様であるので、そ
の説明を省略する。
【０２２７】本実施形態においては、第９，第１０実施
形態と同等の効果を奏するとともに、各プラズマチャン
バ９５，９６，９７のプラズマ電極容量Ｃeの、納入後
における値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが０．０３より小
さい範囲の値かどうかを評価するので、適切な是正措置
を施すことができ、複数のプラズマチャンバ（複数のプ
ラズマ処理室）９５，９６,９７に対する容量Ｃeの電気
的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、ま
た、ロス容量Ｃxの、納入後における値Ｃx1の値のばら
つきＣx1rが、０．０３より小さい範囲の値かどうかを
評価するので、適切な是正措置を施すことができ、複数
のプラズマ処理装置７１，９１，７１’において、それ
ぞれ、各プラズマチャンバ９５，９６，９７に対する容
量Ｃxの電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可
能となり、これにより、プラズマ処理システム全体にお
いてインピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に
複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７の状態を設定
することが可能となるので、個々のプラズマチャンバ９
５，９６，９７において、プラズマ空間で消費される実
効的な電力等をそれぞれ略均一にすることができる。
形態と同等の効果を奏するとともに、各プラズマチャン
バ９５，９６，９７のプラズマ電極容量Ｃeの、納入後
における値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが０．０３より小
さい範囲の値かどうかを評価するので、適切な是正措置
を施すことができ、複数のプラズマチャンバ（複数のプ
ラズマ処理室）９５，９６,９７に対する容量Ｃeの電気
的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、ま
た、ロス容量Ｃxの、納入後における値Ｃx1の値のばら
つきＣx1rが、０．０３より小さい範囲の値かどうかを
評価するので、適切な是正措置を施すことができ、複数
のプラズマ処理装置７１，９１，７１’において、それ
ぞれ、各プラズマチャンバ９５，９６，９７に対する容
量Ｃxの電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可
能となり、これにより、プラズマ処理システム全体にお
いてインピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に
複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７の状態を設定
することが可能となるので、個々のプラズマチャンバ９
５，９６，９７において、プラズマ空間で消費される実
効的な電力等をそれぞれ略均一にすることができる。
【０２２８】その結果、プラズマ処理システム全体にお
いて複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７に対して
同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処
理結果を得ること、つまり、複数のプラズマチャンバ９
５，９６，９７において例えば成膜をおこなった際に、
膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性
の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばら
つきの値を０．０３より小さい範囲に設定することによ
り、略同一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバ
９５，９６，９７において、膜厚のばらつきの値を±２
％の範囲におさめることができる。そのため、従来考慮
されていなかったプラズマ処理システムの全般的な電気
的高周波的特性を設定することが可能となり、個々のプ
ラズマチャンバ９５，９６，９７におけるプラズマ発生
の安定性を期待することができる。その結果、動作安定
性が高く、各プラズマチャンバ９５，９６，９７で均一
な動作が期待できるプラズマ処理システムを提供するこ
とが可能となる。これにより、単一のプラズマ処理装置
よりも多数のプラズマチャンバ９５，９６，９７に対す
る膨大なデータから外部パラメータと実際の基板を処理
するような評価方法による処理結果との相関関係による
プロセス条件の把握を不必要とすることができる。
いて複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７に対して
同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処
理結果を得ること、つまり、複数のプラズマチャンバ９
５，９６，９７において例えば成膜をおこなった際に、
膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性
の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばら
つきの値を０．０３より小さい範囲に設定することによ
り、略同一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバ
９５，９６，９７において、膜厚のばらつきの値を±２
％の範囲におさめることができる。そのため、従来考慮
されていなかったプラズマ処理システムの全般的な電気
的高周波的特性を設定することが可能となり、個々のプ
ラズマチャンバ９５，９６，９７におけるプラズマ発生
の安定性を期待することができる。その結果、動作安定
性が高く、各プラズマチャンバ９５，９６，９７で均一
な動作が期待できるプラズマ処理システムを提供するこ
とが可能となる。これにより、単一のプラズマ処理装置
よりも多数のプラズマチャンバ９５，９６，９７に対す
る膨大なデータから外部パラメータと実際の基板を処理
するような評価方法による処理結果との相関関係による
プロセス条件の把握を不必要とすることができる。
【０２２９】したがって、新規設置時や調整・保守点検
時において、各プラズマチャンバ９５，９６，９７ごと
の機差をなくして処理のばらつきをなくし、各プラズマ
チャンバ９５，９６，９７において同一のプロセスレシ
ピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時間
を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を
採用した場合に比べて、ロス容量Ｃx を測定することに
より、大幅に短縮することができる。しかも、処理をお
こなった基板の評価によりプラズマ処理システムの動作
確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法
でなく、ダイレクトにプラズマ処理システムの評価を、
しかも、プラズマ処理システムの実機が設置してある場
所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処
理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した
場合、別々におこなうしかなかった複数のプラズマチャ
ンバ（プラズマ処理室）９５，９６，９７に対する結果
をほぼ同時に実現することができる。このため、製造ラ
インを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理システ
ムの動作確認および、動作の評価をする必要がなくな
り、製造ラインとしての生産性を向上することができ
る。また、このような調整に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従
事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能
となる。
時において、各プラズマチャンバ９５，９６，９７ごと
の機差をなくして処理のばらつきをなくし、各プラズマ
チャンバ９５，９６，９７において同一のプロセスレシ
ピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時間
を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を
採用した場合に比べて、ロス容量Ｃx を測定することに
より、大幅に短縮することができる。しかも、処理をお
こなった基板の評価によりプラズマ処理システムの動作
確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法
でなく、ダイレクトにプラズマ処理システムの評価を、
しかも、プラズマ処理システムの実機が設置してある場
所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処
理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した
場合、別々におこなうしかなかった複数のプラズマチャ
ンバ（プラズマ処理室）９５，９６，９７に対する結果
をほぼ同時に実現することができる。このため、製造ラ
インを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理システ
ムの動作確認および、動作の評価をする必要がなくな
り、製造ラインとしての生産性を向上することができ
る。また、このような調整に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従
事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能
となる。
【０２３０】さらに、この各プラズマチャンバ９５，９
６，９７においては、第８から第９の実施形態において
採用した評価方法を併せて採用することができる。すな
わち、各々のロス容量Ｃxとプラズマ電極容量Ｃeを比較
（各々のロス容量Ｃx1と、プラズマ電極容量Ｃe1の２６
倍とを比較）した評価基準を上記ばらつきＣx1rやＣx 1r
に基づく評価と併用することにより、機差だけでなく、
プラズマチャンバ９５，９６，９７の全体的な電気的高
周波的な特性をそれぞれ適正な範囲に収めることができ
る。これにより、各プラズマチャンバ９５，９６，９７
において第８から第９の実施形態と同様の効果を得るこ
とが可能となる。しかも、これらを、複数のプラズマチ
ャンバ９５，９６，９７において同時に実現することが
できる。
６，９７においては、第８から第９の実施形態において
採用した評価方法を併せて採用することができる。すな
わち、各々のロス容量Ｃxとプラズマ電極容量Ｃeを比較
（各々のロス容量Ｃx1と、プラズマ電極容量Ｃe1の２６
倍とを比較）した評価基準を上記ばらつきＣx1rやＣx 1r
に基づく評価と併用することにより、機差だけでなく、
プラズマチャンバ９５，９６，９７の全体的な電気的高
周波的な特性をそれぞれ適正な範囲に収めることができ
る。これにより、各プラズマチャンバ９５，９６，９７
において第８から第９の実施形態と同様の効果を得るこ
とが可能となる。しかも、これらを、複数のプラズマチ
ャンバ９５，９６，９７において同時に実現することが
できる。
【０２３１】さらに、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を設けて
これらのインピーダンスＺ1 とインピーダンスＺ2 とを
等しく設定し、同時に、測定用端子６１からスイッチＳ
Ｗ３までのインピーダンスを複数のプラズマ処理装置７
１，７１’、９１における各プラズマチャンバ９５，９
６，９７に対して等しくなるように設定することで、ス
イッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３を切り替えるだけで、高
周波特性としてのロス容量Ｃｘを測定できる。
これらのインピーダンスＺ1 とインピーダンスＺ2 とを
等しく設定し、同時に、測定用端子６１からスイッチＳ
Ｗ３までのインピーダンスを複数のプラズマ処理装置７
１，７１’、９１における各プラズマチャンバ９５，９
６，９７に対して等しくなるように設定することで、ス
イッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３を切り替えるだけで、高
周波特性としてのロス容量Ｃｘを測定できる。
【０２３２】なお、本実施形態において、スイッチＳＷ
１，ＳＷ２，ＳＷ３を測定しようとする各プラズマチャ
ンバ９５，９６，９７に対する切り替え動作を連動させ
ることが可能であり、また、２つのスイッチＳＷ１およ
びスイッチＳＷ２の構成を、分岐点から出力端子位置Ｐ
Ｒまでと分岐点からプローブまでのインピーダンスが等
しく設定される１つのスイッチとすることもできる。
１，ＳＷ２，ＳＷ３を測定しようとする各プラズマチャ
ンバ９５，９６，９７に対する切り替え動作を連動させ
ることが可能であり、また、２つのスイッチＳＷ１およ
びスイッチＳＷ２の構成を、分岐点から出力端子位置Ｐ
Ｒまでと分岐点からプローブまでのインピーダンスが等
しく設定される１つのスイッチとすることもできる。
【０２３３】本発明における上記の第９から第１１の各
実施形態においては、図３２に示すように、プラズマチ
ャンバ９５，９６，９７に対応して、整合回路２Ａと、
高周波電源１とが、それぞれ設けられて、プラズマチャ
ンバ９５，９６，９７における整合回路２Ａの接続位置
に、ＳＷ４を介して測定器ＡＮを接続したが、図３３に
示すように、個々のプラズマチャンバ９５，９６，９７
に対する整合回路２Ａ，２Ａ，２Ａが、同一の高周波電
源１に接続される構成や、図３４に示すように、個々の
プラズマチャンバ９５，９６，９７が、同一の整合回路
２Ａに接続される構成にも適用可能である。この場合、
図３３に示すように、プラズマチャンバ９５，９６，９
７と整合回路２Ａとの接続位置に、ＳＷ４を介して高周
波特性測定器ＡＮが接続される。
実施形態においては、図３２に示すように、プラズマチ
ャンバ９５，９６，９７に対応して、整合回路２Ａと、
高周波電源１とが、それぞれ設けられて、プラズマチャ
ンバ９５，９６，９７における整合回路２Ａの接続位置
に、ＳＷ４を介して測定器ＡＮを接続したが、図３３に
示すように、個々のプラズマチャンバ９５，９６，９７
に対する整合回路２Ａ，２Ａ，２Ａが、同一の高周波電
源１に接続される構成や、図３４に示すように、個々の
プラズマチャンバ９５，９６，９７が、同一の整合回路
２Ａに接続される構成にも適用可能である。この場合、
図３３に示すように、プラズマチャンバ９５，９６，９
７と整合回路２Ａとの接続位置に、ＳＷ４を介して高周
波特性測定器ＡＮが接続される。
【０２３４】また、上記の第１０、１１の各実施形態に
おいては、高周波特性としてプラズマ電極容量Ｃeとロ
ス容量Ｃxを採用し、Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／
（Ｃx1m ax＋Ｃx1min）で示される式に基づいて評価する
方法に、上記Ｃe1r＝（Ｃe1max −Ｃe1min）／（Ｃe1max
＋Ｃe1min）式に基づいて評価する方法を組み合わせて
評価する場合について説明したが、高周波特性としてロ
ス容量Ｃxを採用し、Ｃx 1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／
（Ｃx1max＋Ｃx1min）で示される式に基づいて評価をお
こなうようにしてもよい。
おいては、高周波特性としてプラズマ電極容量Ｃeとロ
ス容量Ｃxを採用し、Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／
（Ｃx1m ax＋Ｃx1min）で示される式に基づいて評価する
方法に、上記Ｃe1r＝（Ｃe1max −Ｃe1min）／（Ｃe1max
＋Ｃe1min）式に基づいて評価する方法を組み合わせて
評価する場合について説明したが、高周波特性としてロ
ス容量Ｃxを採用し、Ｃx 1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／
（Ｃx1max＋Ｃx1min）で示される式に基づいて評価をお
こなうようにしてもよい。
【０２３５】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムを第１２実施形態として、図面に基づい
て説明する。 ［第１２実施形態］本実施形態に係るプラズマ処理装置
の性能管理システムのシステム構成図は、第３実施形態
で示した図１５及び図１７と同様である。図３５は、本
実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムで
実現される評価情報提供方法を示すフローチャートであ
る。
能管理システムを第１２実施形態として、図面に基づい
て説明する。 ［第１２実施形態］本実施形態に係るプラズマ処理装置
の性能管理システムのシステム構成図は、第３実施形態
で示した図１５及び図１７と同様である。図３５は、本
実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムで
実現される評価情報提供方法を示すフローチャートであ
る。
【０２３６】図１７に示す性能管理システムは、図１５
の構成に加えて、プラズマ処理装置２５０に接続された
高周波特性測定器（容量測定器）２６０とから構成され
ている。本管理システムの対象となるプラズマ処理装置
に特に限定はなく、第１から第２、９、１０の実施形態
において示したプラズマ処理装置又は第１１の実施形態
において示したプラズマ処理システムにおけるプラズマ
処理装置等が対象となる。
の構成に加えて、プラズマ処理装置２５０に接続された
高周波特性測定器（容量測定器）２６０とから構成され
ている。本管理システムの対象となるプラズマ処理装置
に特に限定はなく、第１から第２、９、１０の実施形態
において示したプラズマ処理装置又は第１１の実施形態
において示したプラズマ処理システムにおけるプラズマ
処理装置等が対象となる。
【０２３７】以下、図１５及び図１７を参照しながら、
図３５のフローチャートに従い、本実施形態における処
理動作を説明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサ
ービスマン等、本性能管理システムの利用者は、同シス
テムで性能評価を開始するにあたり、まず、納入先に納
入された、あるいは使用中のプラズマ処理装置につい
て、納入後のプラズマチャンバのプラズマ電極容量
Ｃe1、ロス容量Ｃx1を測定し、この値を入出力装置２２
０から入力する。また、図１７に示す性能管理システム
の場合には、プラズマ処理装置２５０に接続された測定
器２６０から直接測定値が入力される。この入力された
Ｃx1の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に送
信される（ステップ３０１）。
図３５のフローチャートに従い、本実施形態における処
理動作を説明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサ
ービスマン等、本性能管理システムの利用者は、同シス
テムで性能評価を開始するにあたり、まず、納入先に納
入された、あるいは使用中のプラズマ処理装置につい
て、納入後のプラズマチャンバのプラズマ電極容量
Ｃe1、ロス容量Ｃx1を測定し、この値を入出力装置２２
０から入力する。また、図１７に示す性能管理システム
の場合には、プラズマ処理装置２５０に接続された測定
器２６０から直接測定値が入力される。この入力された
Ｃx1の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に送
信される（ステップ３０１）。
【０２３８】これに対しサーバ２１０は、｛Ｃx1÷２
６｝を計算する（ステップ３０２）。次にサーバ２１０
は、記憶装置２１２に格納されたプラズマチャンバのプ
ラズマ電極容量Ｃe（納入前のプラズマ電極容量Ｃ
e0 ）の情報５００を呼び出し、この値と先に計算した
｛Ｃx1÷２６｝とを比較し、当該プラズマ処理装置の性
能を評価する。具体的には、｛Ｃx1÷２６｝が上記プラ
ズマ電極容量Ｃe （納入後のプラズマ電極容量Ｃe1でも
よい）より小さい値である場合（Ｃx1の値が上記プラズ
マ電極容量Ｃeの２６倍より小さい値である場合）に
は、所定の性能を維持していると判断し、｛Ｃx1÷２
６｝が上記プラズマ電極容量Ｃe（納入後のプラズマ電
極容量Ｃe1でもよい）以上の値である場合（Ｃx1の値が
上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以上の値である場
合）には、所定の性能を維持していないと判断する（ス
テップ３０３）。なお、実施形態９から実施形態１１に
示した複数のプラズマチャンバを有するプラズマ処理装
置又はプラズマ処理システムから複数のＣx11の入力を
受けた場合には、すべての｛Ｃx1÷２６｝が上記プラズ
マ電極容量Ｃe より小さい値である場合のみ、所定の性
能を維持していると判断し、それ以外の場合には、所定
の性能を維持していないと判断する。
６｝を計算する（ステップ３０２）。次にサーバ２１０
は、記憶装置２１２に格納されたプラズマチャンバのプ
ラズマ電極容量Ｃe（納入前のプラズマ電極容量Ｃ
e0 ）の情報５００を呼び出し、この値と先に計算した
｛Ｃx1÷２６｝とを比較し、当該プラズマ処理装置の性
能を評価する。具体的には、｛Ｃx1÷２６｝が上記プラ
ズマ電極容量Ｃe （納入後のプラズマ電極容量Ｃe1でも
よい）より小さい値である場合（Ｃx1の値が上記プラズ
マ電極容量Ｃeの２６倍より小さい値である場合）に
は、所定の性能を維持していると判断し、｛Ｃx1÷２
６｝が上記プラズマ電極容量Ｃe（納入後のプラズマ電
極容量Ｃe1でもよい）以上の値である場合（Ｃx1の値が
上記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以上の値である場
合）には、所定の性能を維持していないと判断する（ス
テップ３０３）。なお、実施形態９から実施形態１１に
示した複数のプラズマチャンバを有するプラズマ処理装
置又はプラズマ処理システムから複数のＣx11の入力を
受けた場合には、すべての｛Ｃx1÷２６｝が上記プラズ
マ電極容量Ｃe より小さい値である場合のみ、所定の性
能を維持していると判断し、それ以外の場合には、所定
の性能を維持していないと判断する。
【０２３９】次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果
を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２
４０の双方に提供する（ステップ３０４）。この内、入
出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表示
の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信し
たりする。具体的には、所定の性能を維持していると判
断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切
に維持されておりますので、そのままご使用くださ
い。」といったメッセージを、所定の信号を維持してい
ないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能
は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱
説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセー
ジを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサー
ビスマン等に伝えられるようにする。また、出力装置２
４０に対しても、所定の信号を維持していないと判断し
た場合に、プリントアウトや画面表示、信号出力等の指
令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信
したりする。そして、出力装置２４０から、プリントア
ウト、画面表示、信号出力、あるいは警報音等の保守作
業命令を出力する。なお、搬送元において、いずれの納
入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するた
めに、入出力装置２２０からプラズマチャンバ（プラズ
マ処理室）の固有番号を受信し、これを出力装置２４０
から出力することが望ましいが、入出力装置２２０の固
有番号、例えばアドレス番号や電話番号等から判断し
て、その判断結果を出力装置２４０から出力してもよ
い。
を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２
４０の双方に提供する（ステップ３０４）。この内、入
出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表示
の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信し
たりする。具体的には、所定の性能を維持していると判
断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切
に維持されておりますので、そのままご使用くださ
い。」といったメッセージを、所定の信号を維持してい
ないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能
は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱
説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセー
ジを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサー
ビスマン等に伝えられるようにする。また、出力装置２
４０に対しても、所定の信号を維持していないと判断し
た場合に、プリントアウトや画面表示、信号出力等の指
令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信
したりする。そして、出力装置２４０から、プリントア
ウト、画面表示、信号出力、あるいは警報音等の保守作
業命令を出力する。なお、搬送元において、いずれの納
入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するた
めに、入出力装置２２０からプラズマチャンバ（プラズ
マ処理室）の固有番号を受信し、これを出力装置２４０
から出力することが望ましいが、入出力装置２２０の固
有番号、例えばアドレス番号や電話番号等から判断し
て、その判断結果を出力装置２４０から出力してもよ
い。
【０２４０】この結果、納入先の顧客や納入先を訪問し
たサービスマン等は、プラズマ処理装置を実際に動作さ
せて成膜された基板を検査するという作業を行うことな
く、直ちに当該プラズマ装置の性能を評価基準１に基づ
き評価することができる。しかも、処理をおこなった基
板の評価によりプラズマ処理装置の動作確認および、動
作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレ
クトにプラズマ処理装置の評価を、しかも、プラズマ処
理装置のプラズマチャンバが設置してある場所で短時間
におこなうことが可能である。その上、被処理基板への
実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々に行
うしかなかった複数のプラズマチャンバを有するプラズ
マ処理装置の場合についても、結果をほぼ同時に得るこ
とができる。このため、納入後の装置性能について、簡
便かつ短時間で確認でき、問題がある場合には、問題発
見から改善までのサイクルを早めることができるので、
装置の立ち上げ期間を短縮することができる。また、こ
のような確認に必要な検査用基板等の費用、この検査用
基板の処理費用、および、確認作業に従事する作業員の
人件費等、コストを削減することが可能となる。
たサービスマン等は、プラズマ処理装置を実際に動作さ
せて成膜された基板を検査するという作業を行うことな
く、直ちに当該プラズマ装置の性能を評価基準１に基づ
き評価することができる。しかも、処理をおこなった基
板の評価によりプラズマ処理装置の動作確認および、動
作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレ
クトにプラズマ処理装置の評価を、しかも、プラズマ処
理装置のプラズマチャンバが設置してある場所で短時間
におこなうことが可能である。その上、被処理基板への
実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々に行
うしかなかった複数のプラズマチャンバを有するプラズ
マ処理装置の場合についても、結果をほぼ同時に得るこ
とができる。このため、納入後の装置性能について、簡
便かつ短時間で確認でき、問題がある場合には、問題発
見から改善までのサイクルを早めることができるので、
装置の立ち上げ期間を短縮することができる。また、こ
のような確認に必要な検査用基板等の費用、この検査用
基板の処理費用、および、確認作業に従事する作業員の
人件費等、コストを削減することが可能となる。
【０２４１】また、搬送元のメーカー等においては、納
入先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守
作業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、
顧客に対するアフタサービス体制を充実させることがで
きる。
入先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守
作業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、
顧客に対するアフタサービス体制を充実させることがで
きる。
【０２４２】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムの他の実施形態を第１３実施形態とし
て、図面に基づいて説明する。 ［第１３実施形態］図３６は本実施形態に係るプラズマ
処理装置の性能管理システムのシステム構成図である。
図３７は、同性能管理システムで実現される評価情報提
供方法を示すフローチャートである。なお、両図におい
て、図１５〜図１６と、図３５と同一の構成要素には、
同一の符号を附してその説明を省略する。
能管理システムの他の実施形態を第１３実施形態とし
て、図面に基づいて説明する。 ［第１３実施形態］図３６は本実施形態に係るプラズマ
処理装置の性能管理システムのシステム構成図である。
図３７は、同性能管理システムで実現される評価情報提
供方法を示すフローチャートである。なお、両図におい
て、図１５〜図１６と、図３５と同一の構成要素には、
同一の符号を附してその説明を省略する。
【０２４３】図３６に示す性能管理システムは、サーバ
２１０と、納入先の入力装置２７０と、これらサーバ２
１０と入力装置２７０とを接続する通信回線２３０と、
サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０とから構
成されている。本管理システムの対象となるのは、プラ
ズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置又はプラズマ
処理システムで、第９から第１１の実施形態において示
したプラズマ処理装置又はプラズマ処理システム等が対
象となる。
２１０と、納入先の入力装置２７０と、これらサーバ２
１０と入力装置２７０とを接続する通信回線２３０と、
サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０とから構
成されている。本管理システムの対象となるのは、プラ
ズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置又はプラズマ
処理システムで、第９から第１１の実施形態において示
したプラズマ処理装置又はプラズマ処理システム等が対
象となる。
【０２４４】以下、図３６を参照しながら、図３７のフ
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン
等、本性能管理システムの納入先側における利用者は、
同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、入力
装置２７０から、納入先に納入されたプラズマ処理装置
について、プラズマチャンバ（プラズマ処理室）の固有
番号Ｓ及び各プラズマチャンバの高周波特性としてのプ
ラズマ電極容量Ｃe1、ロス容量Ｃx1の測定値を入力す
る。この入力された固有番号Ｓ及びプラズマ電極容量Ｃ
e1とＣx1の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０
に送信される（ステップ４０１）。なお、プラズマ処理
装置に接続された高周波特性測定器を入力装置２７０に
接続しておいて、サーバー２１０からの指令により自動
的にプラズマチャンバの固有番号Ｓ及び各プラズマチャ
ンバの高周波特性としてのＣx1の測定値が入力されるよ
うにしてもよい。
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン
等、本性能管理システムの納入先側における利用者は、
同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、入力
装置２７０から、納入先に納入されたプラズマ処理装置
について、プラズマチャンバ（プラズマ処理室）の固有
番号Ｓ及び各プラズマチャンバの高周波特性としてのプ
ラズマ電極容量Ｃe1、ロス容量Ｃx1の測定値を入力す
る。この入力された固有番号Ｓ及びプラズマ電極容量Ｃ
e1とＣx1の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０
に送信される（ステップ４０１）。なお、プラズマ処理
装置に接続された高周波特性測定器を入力装置２７０に
接続しておいて、サーバー２１０からの指令により自動
的にプラズマチャンバの固有番号Ｓ及び各プラズマチャ
ンバの高周波特性としてのＣx1の測定値が入力されるよ
うにしてもよい。
【０２４５】これに対しサーバ２１０は、高周波特性と
してのプラズマ電極容量Ｃe1の情報の中から、最大値Ｃ
e1max及び最小値Ｃe1minを検索して対応する固有番号Ｓ
と共に特定し、また、高周波特性としてのロス容量Ｃx1
の情報の中から、最大値Ｃx1 max及び最小値Ｃx1minを検
索して対応する固有番号Ｓと共に特定する（ステップ４
０２）。次いで、下記式に従いばらつきＣe1r、Ｃx1rを
計算する（ステップ４０３）。 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min）
してのプラズマ電極容量Ｃe1の情報の中から、最大値Ｃ
e1max及び最小値Ｃe1minを検索して対応する固有番号Ｓ
と共に特定し、また、高周波特性としてのロス容量Ｃx1
の情報の中から、最大値Ｃx1 max及び最小値Ｃx1minを検
索して対応する固有番号Ｓと共に特定する（ステップ４
０２）。次いで、下記式に従いばらつきＣe1r、Ｃx1rを
計算する（ステップ４０３）。 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min）
【０２４６】次にサーバ２１０は、Ｃe1rと所定の価、
例えば０．１とを比較し、当該プラズマ処理装置の性能
を評価する。具体的には、Ｃe1rが所定の値より小さい
値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維
持していると判断する。また、Ｃx1rが所定の値以上の
値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維
持していないと判断する。また、上記サーバ２１０は、
Ｃx1rと所定の価、例えば０．１とを比較し、当該プラ
ズマ処理装置の性能を評価する。具体的には、Ｃx1rが
所定の値より小さい値の場合には、当該プラズマ処理装
置が所定の性能を維持していると判断する。また、Ｃ
x1rが所定の値以上の値の場合には、当該プラズマ処理
装置が所定の性能を維持していないと判断する（ステッ
プ４０４）。
例えば０．１とを比較し、当該プラズマ処理装置の性能
を評価する。具体的には、Ｃe1rが所定の値より小さい
値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維
持していると判断する。また、Ｃx1rが所定の値以上の
値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維
持していないと判断する。また、上記サーバ２１０は、
Ｃx1rと所定の価、例えば０．１とを比較し、当該プラ
ズマ処理装置の性能を評価する。具体的には、Ｃx1rが
所定の値より小さい値の場合には、当該プラズマ処理装
置が所定の性能を維持していると判断する。また、Ｃ
x1rが所定の値以上の値の場合には、当該プラズマ処理
装置が所定の性能を維持していないと判断する（ステッ
プ４０４）。
【０２４７】次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果
所定の性能を維持していないと判断した場合に、搬送元
の出力装置２４０に評価情報として、保守作業命令を当
該最大値Ｃe1max又は最小値Ｃe1minや当該最大値Ｃ
x1max又は最小値Ｃx1minを与えたプラズマチャンバの固
有番号と共に提供する（ステップ４０５）。具体的に
は、サーバ２１０は、出力装置２４０に対して、プリン
トアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるい
は、警報音発生信号を送信したりする。そして、搬送元
において、保守作業命令と共に、いずれの納入先のどの
装置が保守を必要としているかを判断するために必要な
情報として、該当するプラズマチャンバの固有番号が出
力される。
所定の性能を維持していないと判断した場合に、搬送元
の出力装置２４０に評価情報として、保守作業命令を当
該最大値Ｃe1max又は最小値Ｃe1minや当該最大値Ｃ
x1max又は最小値Ｃx1minを与えたプラズマチャンバの固
有番号と共に提供する（ステップ４０５）。具体的に
は、サーバ２１０は、出力装置２４０に対して、プリン
トアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるい
は、警報音発生信号を送信したりする。そして、搬送元
において、保守作業命令と共に、いずれの納入先のどの
装置が保守を必要としているかを判断するために必要な
情報として、該当するプラズマチャンバの固有番号が出
力される。
【０２４８】本実施形態のプラズマ処理装置の管理シス
テムにおいては、搬送元において、何れのプロセス処理
装置に問題が生じたか、あるいは何れのプロセス処理装
置のいずれのプロセス処理室に問題が生じたか等を直ち
に把握できる。
テムにおいては、搬送元において、何れのプロセス処理
装置に問題が生じたか、あるいは何れのプロセス処理装
置のいずれのプロセス処理室に問題が生じたか等を直ち
に把握できる。
【０２４９】すなわち、メーカーサービス会社等の搬送
元においては、納入したプラズマ処理装置やプラズマ処
理システムを実際に動作させて成膜された基板を検査す
るという作業を行うことなく、直ちに当該プラズマ装置
の性能を評価基準２に基づき評価することができる。し
かも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理
装置等の動作確認および、動作の評価をおこなうという
２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置の
評価を、しかも、プラズマ処理装置のプラズマチャンバ
ＣＮが設置してある場所で短時間におこなうことが可能
である。その上、被処理基板への実際の成膜等による検
査方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数の
プラズマチャンバを有するプラズマ処理装置の場合につ
いても、結果をほぼ同時に得ることができる。このた
め、納入後の装置性能について、簡便かつ短時間で確認
でき、問題がある場合には、問題発見から改善までのサ
イクルを早めることができるので、装置の立ち上げ期間
を短縮することができる。また、このような確認に必要
な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、お
よび、確認作業に従事する作業員の人件費等、コストを
削減することが可能となる。
元においては、納入したプラズマ処理装置やプラズマ処
理システムを実際に動作させて成膜された基板を検査す
るという作業を行うことなく、直ちに当該プラズマ装置
の性能を評価基準２に基づき評価することができる。し
かも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理
装置等の動作確認および、動作の評価をおこなうという
２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置の
評価を、しかも、プラズマ処理装置のプラズマチャンバ
ＣＮが設置してある場所で短時間におこなうことが可能
である。その上、被処理基板への実際の成膜等による検
査方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数の
プラズマチャンバを有するプラズマ処理装置の場合につ
いても、結果をほぼ同時に得ることができる。このた
め、納入後の装置性能について、簡便かつ短時間で確認
でき、問題がある場合には、問題発見から改善までのサ
イクルを早めることができるので、装置の立ち上げ期間
を短縮することができる。また、このような確認に必要
な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、お
よび、確認作業に従事する作業員の人件費等、コストを
削減することが可能となる。
【０２５０】また、搬送元のメーカー等において、納入
先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守作
業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、顧
客に対するアフタサービス体制を充実させることができ
る。
先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守作
業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、顧
客に対するアフタサービス体制を充実させることができ
る。
【０２５１】
【実施例】（比較例１）プラズマ励起電極４とサセプタ
電極８との間のプラズマ電極容量Ｃeを２５ｐＦ、プラ
ズマ励起電極４とアース間のロス容量ＣX を９８０ｐ
Ｆ、平行平板型の電極４，８のサイズが２５ｃｍ角とさ
れ、これらの電極間隔が３０ｍｍに設定され、その電力
が１０００Ｗ、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設
定した以外は図１１に示したプラズマ処理装置と同様の
構成のプラズマ処理装置を準備し、このプラズマ処理装
置を比較例１とした。
電極８との間のプラズマ電極容量Ｃeを２５ｐＦ、プラ
ズマ励起電極４とアース間のロス容量ＣX を９８０ｐ
Ｆ、平行平板型の電極４，８のサイズが２５ｃｍ角とさ
れ、これらの電極間隔が３０ｍｍに設定され、その電力
が１０００Ｗ、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設
定した以外は図１１に示したプラズマ処理装置と同様の
構成のプラズマ処理装置を準備し、このプラズマ処理装
置を比較例１とした。
【０２５２】（実施例１）比較例１のプラズマ処理装置
に対してプラズマ励起電極４とサセプタ電極８との距離
を改善（電極間隔が２０ｍｍ）してＣeを３７ｐＦと
し、プラズマ励起電極４とアース間のロス容量ＣX を９
８０ｐＦに設定し、２６Ｃe ＞ＣX としたものを実施例
１のプラズマ処理装置とした。ここでの平行平板型の電
極４，８のサイズは２５ｃｍ角とされ、その電力が１０
００Ｗ、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設定し
た。
に対してプラズマ励起電極４とサセプタ電極８との距離
を改善（電極間隔が２０ｍｍ）してＣeを３７ｐＦと
し、プラズマ励起電極４とアース間のロス容量ＣX を９
８０ｐＦに設定し、２６Ｃe ＞ＣX としたものを実施例
１のプラズマ処理装置とした。ここでの平行平板型の電
極４，８のサイズは２５ｃｍ角とされ、その電力が１０
００Ｗ、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設定し
た。
【０２５３】 （実施例２）実施例１に対してプラズマ
励起電極８とチャンバ壁上部１０ａとのオーバーラップ
面積を改善して、プラズマ励起電極４とアース間のロス
容量ＣXを２５０ｐＦに設定し、７Ｃe ＞ＣX としたも
のを実施例２のプラズマ処理装置とした。ここでの平行
平板型の電極４，８のサイズは２５ｃｍ角とされ、その
電力が１０００Ｗ、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚ
に設定した。 （実施例３）実施例２に対しプラズマ励起電極８とチャ
ンバ壁上部１０ａとの間の絶縁材の材質を調整して、プ
ラズマ励起電極４とアース間のロス容量ＣXを１８０ｐ
Ｆに設定し、５Ｃe ＞ＣX としたものを実施例３のプラ
ズマ処理装置とした。ここでの平行平板型の電極４，８
のサイズは２５ｃｍ角とされ、その電力が８００Ｗ、電
力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設定した。
励起電極８とチャンバ壁上部１０ａとのオーバーラップ
面積を改善して、プラズマ励起電極４とアース間のロス
容量ＣXを２５０ｐＦに設定し、７Ｃe ＞ＣX としたも
のを実施例２のプラズマ処理装置とした。ここでの平行
平板型の電極４，８のサイズは２５ｃｍ角とされ、その
電力が１０００Ｗ、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚ
に設定した。 （実施例３）実施例２に対しプラズマ励起電極８とチャ
ンバ壁上部１０ａとの間の絶縁材の材質を調整して、プ
ラズマ励起電極４とアース間のロス容量ＣXを１８０ｐ
Ｆに設定し、５Ｃe ＞ＣX としたものを実施例３のプラ
ズマ処理装置とした。ここでの平行平板型の電極４，８
のサイズは２５ｃｍ角とされ、その電力が８００Ｗ、電
力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設定した。
【０２５４】さらに、これら実施例および比較例に対す
る評価として、８００Ｗ、４００Ｗの条件でＳｉＮx 膜
の成膜をおこない、このＳｉＮx 膜に対する評価とし
て、以下のようにおこなった。 （１）堆積速度と膜面内均一性 ガラス基板上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮx 膜を成
膜する。 フォトリソによりレジストのパターニングをおこな
う。 ＳＦ6 とＯ2 を用いてＳｉＮx 膜をドライエッチング
する。 Ｏ2 アッシングによりレジストを剥離する。 ＳｉＮx 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測す
る。 成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。 膜面内均一性は、６インチガラス基板面内において１
６ポイントで測定する。 （２）ＢＨＦエッチングレート 上記（１）〜と同様にレジストマスクをパターニン
グする。 ２５℃のＢＨＦ液（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ ＝１：１０の混合
液）に１分間ガラス基板を浸漬する。 純水洗浄後乾燥し、レジストを硫酸過水（Ｈ2ＳＯ4＋
Ｈ2Ｏ2）で剥離する。 上記（１）と同様段差を計測する。 浸漬時間と段差からエッチング速度を算出する。
る評価として、８００Ｗ、４００Ｗの条件でＳｉＮx 膜
の成膜をおこない、このＳｉＮx 膜に対する評価とし
て、以下のようにおこなった。 （１）堆積速度と膜面内均一性 ガラス基板上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮx 膜を成
膜する。 フォトリソによりレジストのパターニングをおこな
う。 ＳＦ6 とＯ2 を用いてＳｉＮx 膜をドライエッチング
する。 Ｏ2 アッシングによりレジストを剥離する。 ＳｉＮx 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測す
る。 成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。 膜面内均一性は、６インチガラス基板面内において１
６ポイントで測定する。 （２）ＢＨＦエッチングレート 上記（１）〜と同様にレジストマスクをパターニン
グする。 ２５℃のＢＨＦ液（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ ＝１：１０の混合
液）に１分間ガラス基板を浸漬する。 純水洗浄後乾燥し、レジストを硫酸過水（Ｈ2ＳＯ4＋
Ｈ2Ｏ2）で剥離する。 上記（１）と同様段差を計測する。 浸漬時間と段差からエッチング速度を算出する。
【０２５５】さらに、これら実施例および比較例に対す
る評価として、８００Ｗ、４００Ｗの条件でＳｉＮx 膜
の成膜をおこない、このＳｉＮx 膜に対する評価を以下
のようにおこなった。 （３）絶縁耐圧 ガラス基板上にスパッタリングによりクロム膜を成膜
し、下部電極としてパターニングする。 プラズマＣＶＤによりＳｉＮx 膜を成膜する。 と同様の方法でクロムからなる上部電極を形成す
る。 下部電極用にコンタクト孔を形成する。 上下電極にプロービングし、Ｉ−Ｖ特性（電流電圧特
性）を測定する。このと き最大電圧として２００Ｖ程度まで印加する。 電極面積を１００μｍ角とし、１００ｐＡをよぎると
ころが、１μＡ／ｃｍ2に相当するので、この時のＶを
絶縁耐圧として定義する。 これらの結果を、表２に示す。
る評価として、８００Ｗ、４００Ｗの条件でＳｉＮx 膜
の成膜をおこない、このＳｉＮx 膜に対する評価を以下
のようにおこなった。 （３）絶縁耐圧 ガラス基板上にスパッタリングによりクロム膜を成膜
し、下部電極としてパターニングする。 プラズマＣＶＤによりＳｉＮx 膜を成膜する。 と同様の方法でクロムからなる上部電極を形成す
る。 下部電極用にコンタクト孔を形成する。 上下電極にプロービングし、Ｉ−Ｖ特性（電流電圧特
性）を測定する。このと き最大電圧として２００Ｖ程度まで印加する。 電極面積を１００μｍ角とし、１００ｐＡをよぎると
ころが、１μＡ／ｃｍ2に相当するので、この時のＶを
絶縁耐圧として定義する。 これらの結果を、表２に示す。
【０２５６】
【表２】
【０２５７】これらの結果から、堆積速度、膜面内均一
性、ＢＨＦエッチングレート、絶縁耐圧について、２６
Ｃe ＞ＣXとした場合（実施例１）には、比較例１に比
べて堆積速度が１００ｎｍ／分以上に改善されており、
また、膜厚のバラツキが改善されており、さらにＢＨＦ
エッチングレートも２００ｎｍ／分以下となり、膜質が
改善されることがわかる。また、７Ｃe ＞ＣXとした場
合（実施例２）には、堆積速度が比較例１の５倍程度に
まで改善されているとともに、膜厚のばらつきが実施例
１の半分程度に改善され、また、絶縁耐圧が改善されて
いることがわかる。さらに、５Ｃe ＞ＣX とした場合
（実施例３）には、８０％の出力としても（投入する電
力を１０００Ｗから８００Ｗに低減しても）、実施例２
と同様の膜特性を有する成膜をおこなうことが可能とな
っていることがわかる。つまり、プラズマ励起電極４と
アース間のロス容量ＣX の値を設定することにより、プ
ラズマ処理装置の性能が向上している。したがって、プ
ラズマ励起電極４とアース間のロス容量ＣXを性能評価
の指標とできることがわかる。
性、ＢＨＦエッチングレート、絶縁耐圧について、２６
Ｃe ＞ＣXとした場合（実施例１）には、比較例１に比
べて堆積速度が１００ｎｍ／分以上に改善されており、
また、膜厚のバラツキが改善されており、さらにＢＨＦ
エッチングレートも２００ｎｍ／分以下となり、膜質が
改善されることがわかる。また、７Ｃe ＞ＣXとした場
合（実施例２）には、堆積速度が比較例１の５倍程度に
まで改善されているとともに、膜厚のばらつきが実施例
１の半分程度に改善され、また、絶縁耐圧が改善されて
いることがわかる。さらに、５Ｃe ＞ＣX とした場合
（実施例３）には、８０％の出力としても（投入する電
力を１０００Ｗから８００Ｗに低減しても）、実施例２
と同様の膜特性を有する成膜をおこなうことが可能とな
っていることがわかる。つまり、プラズマ励起電極４と
アース間のロス容量ＣX の値を設定することにより、プ
ラズマ処理装置の性能が向上している。したがって、プ
ラズマ励起電極４とアース間のロス容量ＣXを性能評価
の指標とできることがわかる。
【０２５８】（実施例４）図３０と同様の複数のプラズ
マチャンバを有するプラズマ処理装置において、実施例
４として、プラズマ電極容量Ｃeの、納入後における値
Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小
値Ｃe1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義し、このＣe1rを０．０９に設定し、また、ロス
容量Ｃxの、納入後における値Ｃx1の値のばらつきＣx1r
が、その最大値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義し、このＣx1rを０．０９に設定した。同時に、
これらプラズマ電極容量Ｃe（納入後のプラズマ電極容
量Ｃe1）の平均値を３７ｐＦに設定し、これらロス容量
Ｃx（納入後のロス容量Ｃx1 ）の平均値を２５０ｐＦに
設定した。 （実施例５）図３０と同様の複数のプラズマチャンバを
有するプラズマ処理装置において、実施例５として、プ
ラズマ電極容量Ｃeの、納入後における値Ｃe1の値のば
らつきＣe1rを０．０２に設定し、また、ロス容量Ｃ
xの、納入後における値Ｃx1の値のばらつきＣx1rを０．
０２に設定した。同時に、これらプラズマ電極容量Ｃe
（納入後のプラズマ電極容量Ｃe1）の平均値を３７ｐＦ
に設定し、これらロス容量Ｃx（納入後のロス容量Ｃ
x1 ）の平均値を９８０ｐＦに設定した。 （比較例２）図３０と同様の複数のプラズマチャンバを
有するプラズマ処理装置において、比較例２として、プ
ラズマ電極容量Ｃeの、納入後における値Ｃe1の値のば
らつきＣe1rを１に設定し、ロス容量Ｃxの、納入後にお
ける値Ｃx1の値のばらつきＣx1rを１に設定した。同時
に、これらプラズマ電極容量Ｃe（納入後のプラズマ電
極容量Ｃe1）の平均値を３７ｐＦ設定し、これらロス容
量Ｃx（納入後のロス容量Ｃx1 ） の平均値を１８０ｐ
Ｆに設定。
マチャンバを有するプラズマ処理装置において、実施例
４として、プラズマ電極容量Ｃeの、納入後における値
Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、その最大値Ｃe1maxと最小
値Ｃe1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義し、このＣe1rを０．０９に設定し、また、ロス
容量Ｃxの、納入後における値Ｃx1の値のばらつきＣx1r
が、その最大値Ｃx1maxと最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義し、このＣx1rを０．０９に設定した。同時に、
これらプラズマ電極容量Ｃe（納入後のプラズマ電極容
量Ｃe1）の平均値を３７ｐＦに設定し、これらロス容量
Ｃx（納入後のロス容量Ｃx1 ）の平均値を２５０ｐＦに
設定した。 （実施例５）図３０と同様の複数のプラズマチャンバを
有するプラズマ処理装置において、実施例５として、プ
ラズマ電極容量Ｃeの、納入後における値Ｃe1の値のば
らつきＣe1rを０．０２に設定し、また、ロス容量Ｃ
xの、納入後における値Ｃx1の値のばらつきＣx1rを０．
０２に設定した。同時に、これらプラズマ電極容量Ｃe
（納入後のプラズマ電極容量Ｃe1）の平均値を３７ｐＦ
に設定し、これらロス容量Ｃx（納入後のロス容量Ｃ
x1 ）の平均値を９８０ｐＦに設定した。 （比較例２）図３０と同様の複数のプラズマチャンバを
有するプラズマ処理装置において、比較例２として、プ
ラズマ電極容量Ｃeの、納入後における値Ｃe1の値のば
らつきＣe1rを１に設定し、ロス容量Ｃxの、納入後にお
ける値Ｃx1の値のばらつきＣx1rを１に設定した。同時
に、これらプラズマ電極容量Ｃe（納入後のプラズマ電
極容量Ｃe1）の平均値を３７ｐＦ設定し、これらロス容
量Ｃx（納入後のロス容量Ｃx1 ） の平均値を１８０ｐ
Ｆに設定。
【０２５９】上記の実施例４，５および比較例２におい
て、実施例４、５および比較例２に対する評価として同
一のプロセスレシピを適用し、窒化珪素膜を堆積し、以
下のように各プラズマ処理室に対する膜厚ばらつきを計
測した。 ガラス基板上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮx 膜を成
膜する。 フォトリソによりレジストのパターニングをおこな
う。 ＳＦ6 とＯ2 を用いてＳｉＮx 膜をドライエッチング
する。 Ｏ2 アッシングによりレジストを剥離する。 ＳｉＮx 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測す
る。 成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。 膜面内均一性は、６インチガラス基板面内において１
６ポイントで測定する。
て、実施例４、５および比較例２に対する評価として同
一のプロセスレシピを適用し、窒化珪素膜を堆積し、以
下のように各プラズマ処理室に対する膜厚ばらつきを計
測した。 ガラス基板上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮx 膜を成
膜する。 フォトリソによりレジストのパターニングをおこな
う。 ＳＦ6 とＯ2 を用いてＳｉＮx 膜をドライエッチング
する。 Ｏ2 アッシングによりレジストを剥離する。 ＳｉＮx 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測す
る。 成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。 膜面内均一性は、６インチガラス基板面内において１
６ポイントで測定する。
【０２６０】ここで、成膜時における条件は、 基板温度 ３５０℃ ＳｉＨ4 ４０ｓｃｃｍ ＮＨ3 ２００ｓｃｃｍ Ｎ2 ６００ｓｃｃｍ 圧力 １５０Ｐａ である。これらの結果を表３に示す。
【０２６１】
【表３】
【０２６２】これらの結果から、プラズマ電極容量Ｃe
の納入後における値Ｃe1の値のばらつきＣe1r の値を
設定し、ロス容量Ｃxの納入後における値Ｃx1の値のば
らつきＣx1r の値を設定した場合には、プラズマチャン
バ（プラズマ処理室）ごとの機差による膜厚のばらつき
が改善されていることがわかる。つまり、ロス容量Ｃx
の、納入後における値Ｃx1の値のばらつきＣx1r の値を
設定することにより、プラズマ処理装置の動作特性が向
上している。したがって、プラズマ電極容量Ｃe1のばら
つきやロス容量Ｃx1のばらつきを性能評価の指標とでき
ることがわかる。
の納入後における値Ｃe1の値のばらつきＣe1r の値を
設定し、ロス容量Ｃxの納入後における値Ｃx1の値のば
らつきＣx1r の値を設定した場合には、プラズマチャン
バ（プラズマ処理室）ごとの機差による膜厚のばらつき
が改善されていることがわかる。つまり、ロス容量Ｃx
の、納入後における値Ｃx1の値のばらつきＣx1r の値を
設定することにより、プラズマ処理装置の動作特性が向
上している。したがって、プラズマ電極容量Ｃe1のばら
つきやロス容量Ｃx1のばらつきを性能評価の指標とでき
ることがわかる。
【０２６３】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置又はプラズマ
処理システムの性能評価方法によれば、プラズマ処理装
置を分解、搬送後再組み立てが施された後、すなわち納
入後に、被処理物が導入されてプラズマ処理が行われた
り、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が
施されたりした際に、プラズマ処理装置やプラズマ処理
システムの性能が適正に維持されているかどうかを迅速
かつ簡便に確認できる。また、本発明のプラズマ処理装
置の保守方法によれば、プラズマ処理装置の性能が適正
に維持されていない場合に、迅速に是正が可能となる。
また、本発明のプラズマ処理装置の性能管理システム又
はプラズマ処理システムの性能管理システムによれば、
納入先において、プラズマ処理装置の性能が適正に維持
されるために、納入先におけるプラズマ処理装置の性能
評価をメーカー等の搬送元で支援できると共に、メーカ
ー等の搬送元で充実した保守サービス体制を整えること
が可能となる。さらに、本発明のプラズマ処理装置によ
れば、適正な動作状態に簡便に維持することが可能であ
り、良好なプラズマ処理を継続して行うことができる。
処理システムの性能評価方法によれば、プラズマ処理装
置を分解、搬送後再組み立てが施された後、すなわち納
入後に、被処理物が導入されてプラズマ処理が行われた
り、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が
施されたりした際に、プラズマ処理装置やプラズマ処理
システムの性能が適正に維持されているかどうかを迅速
かつ簡便に確認できる。また、本発明のプラズマ処理装
置の保守方法によれば、プラズマ処理装置の性能が適正
に維持されていない場合に、迅速に是正が可能となる。
また、本発明のプラズマ処理装置の性能管理システム又
はプラズマ処理システムの性能管理システムによれば、
納入先において、プラズマ処理装置の性能が適正に維持
されるために、納入先におけるプラズマ処理装置の性能
評価をメーカー等の搬送元で支援できると共に、メーカ
ー等の搬送元で充実した保守サービス体制を整えること
が可能となる。さらに、本発明のプラズマ処理装置によ
れば、適正な動作状態に簡便に維持することが可能であ
り、良好なプラズマ処理を継続して行うことができる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施形態
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図２】図１におけるプラズマチャンバの整合回路を示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】図１におけるプラズマチャンバの蓋体を示す断
面図である。
面図である。
【図４】図３における蓋体のロス容量ＣX を説明するた
めの模式図である。
めの模式図である。
【図５】図４における蓋体のロス容量ＣX を説明するた
めの等価回路である。
めの等価回路である。
【図６】図１におけるプラズマチャンバの等価回路を示
す回路図である。
す回路図である。
【図７】図１におけるプラズマチャンバのインピーダン
ス特性を説明するための模式図である。
ス特性を説明するための模式図である。
【図８】 電流Ｉ〜 とプラズマ電流Ｉe とロス電流ＩX
を説明するための回路図である。
を説明するための回路図である。
【図９】 高周波特性測定器のプローブと、これに取り
付けるフィクスチャを示す斜視図である。
付けるフィクスチャを示す斜視図である。
【図１０】 図９の測定器のプローブとフィクスチャを
プラズマチャンバに接続した状態示す模式図である。
プラズマチャンバに接続した状態示す模式図である。
【図１１】 本発明に係るプラズマ処理装置の第２実施
形態を示す概略構成図である。
形態を示す概略構成図である。
【図１２】 図１１におけるプラズマチャンバの蓋体を
示す断面図を示す回路図である。
示す断面図を示す回路図である。
【図１３】 図１１におけるプラズマチャンバの等価回
路を示す回路図である。
路を示す回路図である。
【図１４】 プラズマ発光状態における電極間の状態を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図１５】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理
システムの第３実施形態、第１２実施形態におけるシス
テム構成図である。
システムの第３実施形態、第１２実施形態におけるシス
テム構成図である。
【図１６】 同性能管理システムで実現される評価情報
提供方法を示すフローチャートである。
提供方法を示すフローチャートである。
【図１７】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理
システムの第５実施形態におけるシステム構成図であ
る。
システムの第５実施形態におけるシステム構成図であ
る。
【図１８】 同性能管理システムで実現される評価情報
提供方法を示すフローチャートである。
提供方法を示すフローチャートである。
【図１９】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理
システムの第５実施形態で実現される評価情報提供方法
を示すフローチャートである。
システムの第５実施形態で実現される評価情報提供方法
を示すフローチャートである。
【図２０】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シス
テムを示すシステム構成図である。
テムを示すシステム構成図である。
【図２１】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シス
テムに係わるサーバーＳの建築状況情報の提供処理を示
すフローチャートである。
テムに係わるサーバーＳの建築状況情報の提供処理を示
すフローチャートである。
【図２２】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シス
テムに係わるメインページＣＰの構成を示す平面図であ
る。
テムに係わるメインページＣＰの構成を示す平面図であ
る。
【図２３】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シス
テムに係わるサブページＣＰ１の構成を示す平面図であ
る。
テムに係わるサブページＣＰ１の構成を示す平面図であ
る。
【図２４】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シス
テムに係わるメインページＣＰ２の構成を示す平面図で
ある。
テムに係わるメインページＣＰ２の構成を示す平面図で
ある。
【図２５】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シス
テムに係わるサブページＣＰ３の構成を示す平面図であ
る。
テムに係わるサブページＣＰ３の構成を示す平面図であ
る。
【図２６】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シス
テムに係わるサブページＣＰ４の構成を示す平面図であ
る。
テムに係わるサブページＣＰ４の構成を示す平面図であ
る。
【図２７】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価
方法の第９実施形態の対象となるプラズマ処理装置の概
略構成図である。
方法の第９実施形態の対象となるプラズマ処理装置の概
略構成図である。
【図２８】 図２７におけるレーザアニール室を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図２９】 図２７における熱処理室を示す縦断面図で
ある。
ある。
【図３０】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価
方法の第１０実施形態の対象となるプラズマ処理装置の
概略構成図である。
方法の第１０実施形態の対象となるプラズマ処理装置の
概略構成図である。
【図３１】 本発明に係るプラズマ処理システムの性能
評価方法の第１１実施形態の対象となるプラズマ処理シ
ステムの概略構成図である。
評価方法の第１１実施形態の対象となるプラズマ処理シ
ステムの概略構成図である。
【図３２】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価
方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成
図である。
方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成
図である。
【図３３】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価
方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成
図である。
方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成
図である。
【図３４】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価
方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成
図である。
方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成
図である。
【図３５】 第１２実施形態に係るプラズマ処理装置の
性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示す
フローチャートである。
性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示す
フローチャートである。
【図３６】 第１３実施形態に係るプラズマ処理装置の
性能管理システムのシステム構成図である。
性能管理システムのシステム構成図である。
【図３７】 同性能管理システムで実現される評価情報
提供方法を示すフローチャートである。
提供方法を示すフローチャートである。
【図３８】従来のプラズマ処理装置の一例を示す模式図
である。
である。
【図３９】従来のプラズマ処理装置の他の例を示す模式
図である。
図である。
１…高周波電源 １Ａ…給電線 ２…マッチングボックス ２Ａ…整合回路 ３…給電板 ４…プラズマ励起電極（電極：カソード電極） ５…シャワープレート ６…空間 ７…孔 ８…ウエハサセプタ（対向電極：サセプタ電極） ９…絶縁体 １０…チャンバ壁 １０Ａ…チャンバ底部 １０ａ…チャンバ壁上部 １１…ベローズ １２…サセプタシールド １２Ａ…シールド支持板 １２Ｂ…支持筒 １３…シャフト １６…基板 １７…ガス導入管 １７ａ…絶縁体 ２１…シャーシ ２２…ロードコンデンサ ２３…コイル ２４…チューニングコンデンサ ２５…整合回路 ２６…マッチングボックス ２７…第２の高周波電源 ２７Ａ…給電線 ２８…給電板（高周波電力配電体） ２９…シャーシ ３０…コイル ３１…チューニングコンデンサ ３２…ロードコンデンサ ６０…チャンバ室（プラズマ処理室） ６１…測定用端子（高周波特性測定用端子） ７５、７６，７７，９５，９６，９７…プラズマチャン
バ（プラズマ処理室ユニット） ７８…レーザアニール室 ７９，９９…熱処理室 ８０，８４…チャンバ ８１…レーザ光源 ８２…ステージ ８３…レーザ光 ８５…ヒータ ８６…ゲートバルブ ８７…基板搬送ロボット（搬送手段） ８８…アーム ９３…ロードロック室 １０５…プローブ ＡＮ…測定器（高周波特性測定器） Ｂ…分岐点 Ｐ…プラズマ発光領域 ＰＲ，ＰＲ’…出力端子位置 ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４…スイッチ ｇ０，ｇ１，ｇ２，ｇ３，ｇ４…ゲート
バ（プラズマ処理室ユニット） ７８…レーザアニール室 ７９，９９…熱処理室 ８０，８４…チャンバ ８１…レーザ光源 ８２…ステージ ８３…レーザ光 ８５…ヒータ ８６…ゲートバルブ ８７…基板搬送ロボット（搬送手段） ８８…アーム ９３…ロードロック室 １０５…プローブ ＡＮ…測定器（高周波特性測定器） Ｂ…分岐点 Ｐ…プラズマ発光領域 ＰＲ，ＰＲ’…出力端子位置 ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４…スイッチ ｇ０，ｇ１，ｇ２，ｇ３，ｇ４…ゲート
【手続補正書】
【提出日】平成１３年７月１７日（２００１．７．１
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】さらに、上記のようなプラズマ処理装置に
対しては、従来から、半導体および液晶表示装置製造に
用いられる場合において、プラズマ処理速度（成膜時の
堆積速度や、加工速度）が早く生産性が高いこと、そし
て、被処理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性
（膜厚の膜面内方向分布、加工処理ばらつきの膜面内方
向分布）に優れていることが求められているが、近年で
は、被処理基板の大型化に伴い、膜面内方向の均一性に
対する要求が一段と強まっている。また、被処理基板の
大型化に伴い、投入電力量もｋＷオーダーが投入される
まで増大し、電力消費量が増す傾向にある。このため、
電源の高容量化に伴い、電源の開発コストが増大すると
ともに、装置稼働時には電力使用が増すことからランニ
ングコストを削減することが望まれている。また、電力
消費量が増大することは、環境負荷となる二酸化炭素の
排出量が増大する。これは、被処理基板の大型化に伴っ
てさらに放出量が増大するとともに電力消費効率をさら
に下げてしまうため電力消費量が増大するので、この二
酸化炭素の放出量削減への要求も高くなっている。一
方、プラズマ励起周波数として、従来一般的であった１
３．５６ＭＨｚに対して、これを越える３０ＭＨｚ以上
のＶＨＦ帯の周波数を用いるなど、高周波化を図ること
で、プラズマ空間で消費される実効的な電力の増加を図
ることができる。その結果として、プラズマＣＶＤなど
の堆積装置においては、成膜時の堆積速度を向上させる
ことができる可能性が示されていた。
対しては、従来から、半導体および液晶表示装置製造に
用いられる場合において、プラズマ処理速度（成膜時の
堆積速度や、加工速度）が早く生産性が高いこと、そし
て、被処理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性
（膜厚の膜面内方向分布、加工処理ばらつきの膜面内方
向分布）に優れていることが求められているが、近年で
は、被処理基板の大型化に伴い、膜面内方向の均一性に
対する要求が一段と強まっている。また、被処理基板の
大型化に伴い、投入電力量もｋＷオーダーが投入される
まで増大し、電力消費量が増す傾向にある。このため、
電源の高容量化に伴い、電源の開発コストが増大すると
ともに、装置稼働時には電力使用が増すことからランニ
ングコストを削減することが望まれている。また、電力
消費量が増大することは、環境負荷となる二酸化炭素の
排出量が増大する。これは、被処理基板の大型化に伴っ
てさらに放出量が増大するとともに電力消費効率をさら
に下げてしまうため電力消費量が増大するので、この二
酸化炭素の放出量削減への要求も高くなっている。一
方、プラズマ励起周波数として、従来一般的であった１
３．５６ＭＨｚに対して、これを越える３０ＭＨｚ以上
のＶＨＦ帯の周波数を用いるなど、高周波化を図ること
で、プラズマ空間で消費される実効的な電力の増加を図
ることができる。その結果として、プラズマＣＶＤなど
の堆積装置においては、成膜時の堆積速度を向上させる
ことができる可能性が示されていた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のプラズ
マ処理装置においては、１３．５６ＭＨｚ程度の周波数
の電力を投入するように設計されており、１３．５６Ｍ
Ｈｚを越える周波数の電力を投入することに対応してい
ない。より具体的には、高周波電力を投入する部分、つ
まり、プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、
容量、インピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周
波的な特性が考慮されておらず、次のような不具合が生
じていた。 １３．５６ＭＨｚを越える周波数の電力を投入した場
合、電力消費効率があがらず、成膜時に堆積速度を向上
することができないばかりか、むしろ、堆積速度が遅く
なる場合があった。 さらに投入する電力をより高周波化すると、周波数の
上昇に伴って、プラズマ空間で消費される実効的な電力
は上昇してピークを迎え、その後、減少に転じて、つい
にはグロー放電できなくなってしまい高周波化の意味が
なくなってしまう。
マ処理装置においては、１３．５６ＭＨｚ程度の周波数
の電力を投入するように設計されており、１３．５６Ｍ
Ｈｚを越える周波数の電力を投入することに対応してい
ない。より具体的には、高周波電力を投入する部分、つ
まり、プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、
容量、インピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周
波的な特性が考慮されておらず、次のような不具合が生
じていた。 １３．５６ＭＨｚを越える周波数の電力を投入した場
合、電力消費効率があがらず、成膜時に堆積速度を向上
することができないばかりか、むしろ、堆積速度が遅く
なる場合があった。 さらに投入する電力をより高周波化すると、周波数の
上昇に伴って、プラズマ空間で消費される実効的な電力
は上昇してピークを迎え、その後、減少に転じて、つい
にはグロー放電できなくなってしまい高周波化の意味が
なくなってしまう。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】このように、プラズマ処理装置において
は、所望のレベルの性能を備えるという配慮が求められ
ており、さらに複数のプラズマチャンバ（プラズマ処理
室）を備えるプラズマ処理装置やプラズマ処理システム
にあっては、プラズマ処理の性能の機差をなくすような
配慮が求められていた。しかし、たとえこのような配慮
が充分になされたプラズマ処理装置であっても、プラズ
マ処理装置を搬送する際には、一般に一旦分解してから
搬送し、搬送先で再組み立てすることが行われている。
この場合には、搬送中の振動や再組み立て作業の不備等
により搬送前の性能が維持されていない恐れがあった。
さらに、納入後、すなわち、納入先にて再組み立て後に
プラズマ処理を繰り返す内に、所望の性能レベルが維持
できなくなったり複数のプラズマ処理室間の機差が生じ
る可能性があった。また、分解掃除、部品交換、組み立
て調整等の調整作業を行った場合には、調整の不備等に
より調整作業前の性能が維持されていない可能性があっ
た。
は、所望のレベルの性能を備えるという配慮が求められ
ており、さらに複数のプラズマチャンバ（プラズマ処理
室）を備えるプラズマ処理装置やプラズマ処理システム
にあっては、プラズマ処理の性能の機差をなくすような
配慮が求められていた。しかし、たとえこのような配慮
が充分になされたプラズマ処理装置であっても、プラズ
マ処理装置を搬送する際には、一般に一旦分解してから
搬送し、搬送先で再組み立てすることが行われている。
この場合には、搬送中の振動や再組み立て作業の不備等
により搬送前の性能が維持されていない恐れがあった。
さらに、納入後、すなわち、納入先にて再組み立て後に
プラズマ処理を繰り返す内に、所望の性能レベルが維持
できなくなったり複数のプラズマ処理室間の機差が生じ
る可能性があった。また、分解掃除、部品交換、組み立
て調整等の調整作業を行った場合には、調整の不備等に
より調整作業前の性能が維持されていない可能性があっ
た。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】以下、上記各発明をさらに詳細に説明す
る。上記各発明では、高周波電源の接続された電極と直
流的にアースされた各接地電位部との間の容量（ロス容
量）ＣX を評価指標とした。これは容量Ｃxが、プラズ
マ空間で消費される実効的な電力等のプラズマ処理装置
の性能と密接な関連性を有するとともに、汚れが付着し
たり、組み立て精度に狂いが生じる等、性能に悪影響を
及ぼす事象が発生した場合には、容易に変動する値であ
ることに着目したものである。また、容量Ｃx は、搬送
中の振動や納入後の再組み立ての不備で精度に狂いが生
じる等、性能に悪影響を及ぼす事象が発生した場合に
は、容易に変動する値であることに着目したものであ
る。そして、この指標とした容量Ｃxは、時刻ｔ0とその
後の時刻ｔ1における値Ｃx 0、Ｃx1の差ΔＣxの絶対値
が、プラズマ処理装置の性能変動幅と密接な関連を有す
ること、及びこの値が所定の値よりも小さい場合は、性
能変動幅も所定の範囲内であると見なせることを見いだ
し、このΔＣxの絶対値と所定の値を比較することによ
り、プラズマ処理装置の性能評価を可能とした。すなわ
ち、分解搬送後に再組立する新規設置時やその後の使用
によるプラズマ処理の繰り返し、あるいは調整・保守点
検等の際に、プラズマ処理室の性能が所定の性能レベル
を維持しているか、また、プラズマ処理室が複数ある場
合には、性能の機差が充分抑えられているか等の評価を
可能としたものである。
る。上記各発明では、高周波電源の接続された電極と直
流的にアースされた各接地電位部との間の容量（ロス容
量）ＣX を評価指標とした。これは容量Ｃxが、プラズ
マ空間で消費される実効的な電力等のプラズマ処理装置
の性能と密接な関連性を有するとともに、汚れが付着し
たり、組み立て精度に狂いが生じる等、性能に悪影響を
及ぼす事象が発生した場合には、容易に変動する値であ
ることに着目したものである。また、容量Ｃx は、搬送
中の振動や納入後の再組み立ての不備で精度に狂いが生
じる等、性能に悪影響を及ぼす事象が発生した場合に
は、容易に変動する値であることに着目したものであ
る。そして、この指標とした容量Ｃxは、時刻ｔ0とその
後の時刻ｔ1における値Ｃx 0、Ｃx1の差ΔＣxの絶対値
が、プラズマ処理装置の性能変動幅と密接な関連を有す
ること、及びこの値が所定の値よりも小さい場合は、性
能変動幅も所定の範囲内であると見なせることを見いだ
し、このΔＣxの絶対値と所定の値を比較することによ
り、プラズマ処理装置の性能評価を可能とした。すなわ
ち、分解搬送後に再組立する新規設置時やその後の使用
によるプラズマ処理の繰り返し、あるいは調整・保守点
検等の際に、プラズマ処理室の性能が所定の性能レベル
を維持しているか、また、プラズマ処理室が複数ある場
合には、性能の機差が充分抑えられているか等の評価を
可能としたものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８３】ガス導入管１７から導入されたガスは、シ
ャワープレート５の多数の孔７，７からチャンバ壁１０
により形成されたチャンバ室６０内に供給される。チャ
ンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電極）４とは
絶縁体９により互いに絶縁されている。また、図１にお
いて、チャンバ室６０に接続される排気系の図示は省略
してある。一方、チャンバ室６０内には基板１６を載置
しプラズマ励起電極ともなる盤状のウエハサセプタ（サ
セプタ電極）８が設けられている。
ャワープレート５の多数の孔７，７からチャンバ壁１０
により形成されたチャンバ室６０内に供給される。チャ
ンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電極）４とは
絶縁体９により互いに絶縁されている。また、図１にお
いて、チャンバ室６０に接続される排気系の図示は省略
してある。一方、チャンバ室６０内には基板１６を載置
しプラズマ励起電極ともなる盤状のウエハサセプタ（サ
セプタ電極）８が設けられている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１２】ここで、スイッチＳＷ２を上記高周波特性
測定用端子（インピーダンス測定用端子）６１側に接続
した場合における高周波特性測定用端子（インピーダン
ス測定用端子）６１側からのインピーダンス特性と、ス
イッチＳＷ１を整合回路２Ａ側に接続した場合における
整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ側からのインピーダン
ス特性と、が等しく設定される。つまり、図１１に示す
ように、スイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ1 とス
イッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ2 とが等しく設定
される。これは、スイッチＳＷ１を整合回路２Ａ側に接
続してスイッチＳＷ２を開いた場合における整合回路２
Ａの出力端子とされる測定位置ＰＲ側つまり測定位置Ｐ
ＲからスイッチＳＷ２への分岐点Ｂまでのインピーダン
スＺ1 と、上記スイッチＳＷ２を測定用端子６１側に接
続してスイッチＳＷ１を開いた場合における高周波特性
測定用端子（インピーダンス測定用端子）６１側つまり
高周波特性測定用端子（インピーダンス測定用端子）６
１からスイッチＳＷ１への分岐点Ｂまでのインピーダン
スＺ2 とが等しく設定されるということを意味してい
る。
測定用端子（インピーダンス測定用端子）６１側に接続
した場合における高周波特性測定用端子（インピーダン
ス測定用端子）６１側からのインピーダンス特性と、ス
イッチＳＷ１を整合回路２Ａ側に接続した場合における
整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ側からのインピーダン
ス特性と、が等しく設定される。つまり、図１１に示す
ように、スイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ1 とス
イッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ2 とが等しく設定
される。これは、スイッチＳＷ１を整合回路２Ａ側に接
続してスイッチＳＷ２を開いた場合における整合回路２
Ａの出力端子とされる測定位置ＰＲ側つまり測定位置Ｐ
ＲからスイッチＳＷ２への分岐点Ｂまでのインピーダン
スＺ1 と、上記スイッチＳＷ２を測定用端子６１側に接
続してスイッチＳＷ１を開いた場合における高周波特性
測定用端子（インピーダンス測定用端子）６１側つまり
高周波特性測定用端子（インピーダンス測定用端子）６
１からスイッチＳＷ１への分岐点Ｂまでのインピーダン
スＺ2 とが等しく設定されるということを意味してい
る。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１６】本実施形態のプラズマチャンバ９５の測定
範囲としては、測定位置ＰＲからみたプラズマチャンバ
９５における蓋体１９の状態をその対象とする。これ
は、図１１に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピ
ーダンスＺ1 とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ
2 とが等しく設定されたことで、測定用端子（インピー
ダンス測定用端子）６１からみた状態のプラズマチャン
バ９５の蓋体１９を測定範囲とした際の高周波数特性
（インピーダンス特性）に等しいものとなっている。こ
こで、高周波特性測定時において、整合回路２Ａを電気
的に切り離すためには機械的に整合回路２Ａおよびマッ
チングボックス２等を着脱する必要のあった第１実施形
態に対して、本実施形態では、図１１、図１２に示すよ
うに、高周波特性測定時において、スイッチＳＷ１によ
って切断されている整合回路２Ａは測定範囲に含まれ
ず、測定範囲外とすることができるためで、これによ
り、プラズマチャンバ９５の蓋体１９における高周波特
性を測定することが容易になる。そして、第１実施形態
における測定範囲に対して、配電体３の入力端子位置と
された分岐点Ｂと直列に接続された測定用端子（インピ
ーダンス測定用端子）６１，スイッチＳＷ２を含んで測
定範囲とすることができる。
範囲としては、測定位置ＰＲからみたプラズマチャンバ
９５における蓋体１９の状態をその対象とする。これ
は、図１１に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピ
ーダンスＺ1 とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ
2 とが等しく設定されたことで、測定用端子（インピー
ダンス測定用端子）６１からみた状態のプラズマチャン
バ９５の蓋体１９を測定範囲とした際の高周波数特性
（インピーダンス特性）に等しいものとなっている。こ
こで、高周波特性測定時において、整合回路２Ａを電気
的に切り離すためには機械的に整合回路２Ａおよびマッ
チングボックス２等を着脱する必要のあった第１実施形
態に対して、本実施形態では、図１１、図１２に示すよ
うに、高周波特性測定時において、スイッチＳＷ１によ
って切断されている整合回路２Ａは測定範囲に含まれ
ず、測定範囲外とすることができるためで、これによ
り、プラズマチャンバ９５の蓋体１９における高周波特
性を測定することが容易になる。そして、第１実施形態
における測定範囲に対して、配電体３の入力端子位置と
された分岐点Ｂと直列に接続された測定用端子（インピ
ーダンス測定用端子）６１，スイッチＳＷ２を含んで測
定範囲とすることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２−１−17− 301 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA13 AA18 FA03 HA12 KA30 KA39 5F004 AA16 BA04 BA09 BA20 BB28 CB05 CB07 5F045 AA08 AF07 DP03 EB05 EH11 EH13 EM10 GB02
Claims (61)
- 【請求項１】 プラズマを励起するための電極を有す
るプラズマ処理室と、この電極に高周波電力を供給する
ための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入
力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に
接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するこ
とにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのイン
ピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズマ
処理装置の性能評価方法であって、 前記高周波電源の接続された電極と直流的にアースされ
た各接地電位部との間の容量ＣX の、時刻ｔ0とその後
の時刻ｔ1における値ＣX0、ＣX1の差ΔＣXの絶対値を求
め、その値が所定の値より小さい値である場合に、所定
の性能を維持していると判断し、その値が所定の値以上
である場合に、所定の性能を維持していないと判断する
ことを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。 - 【請求項２】 前記所定の値がＣX0の１０％であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置の性
能評価方法。 - 【請求項３】 前記所定の値がＣX0の３％であること
を特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置の性能
評価方法。 - 【請求項４】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間に、
前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被処理
物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求項１
に記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。 - 【請求項５】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間に、
前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立
て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請求項
１に記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。 - 【請求項６】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間に、
分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴とす
る請求項１に記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。 - 【請求項７】 請求項１に記載された評価方法の結
果、ΔＣXの絶対値が所定の値を超えていた場合に、容
量ＣXの是正作業を行うことを特徴とするプラズマ処理
装置の保守方法。 - 【請求項８】 プラズマを励起するための電極を有す
るプラズマ処理室と、この電極に高周波電力を供給する
ための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電
源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配
電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ
処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
整合回路と、を具備するプラズマ処理装置の性能管理シ
ステムであって、 前記高周波電源の接続された電極と直流的にアースされ
た各接地電位部との間の容量ＣX の、時刻ｔ0における
値ＣX0を記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線
で接続された納入先入出力装置とを備え、 前記サーバーは、前記容量ＣXのその後の時刻ｔ1におけ
る値ＣX1を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ｃ
X0と、このＣX1との差であるΔＣXの絶対値を演算し、
その値が所定の値より小さい値である場合には、所定の
性能を維持している旨の信号を、所定の値以上の値であ
る場合には、所定の性能を維持していない旨の信号を、
各々納入先入出力装置に発信することを特徴とするプラ
ズマ処理装置の性能管理システム。 - 【請求項９】 前記所定の値がＣX0の１０％であるこ
とを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理装置の性
能管理システム。 - 【請求項１０】 前記所定の値がＣX0の３％であるこ
とを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理装置の性
能管理システム。 - 【請求項１１】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間
に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被
処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求
項８に記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。 - 【請求項１２】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間
に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組
み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請
求項８に記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。 - 【請求項１３】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間
に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴
とする請求項８に記載のプラズマ処理装置の性能管理シ
ステム。 - 【請求項１４】 前記サーバーが、プラズマ処理装置
の固有番号毎にＣX0 を記憶し、納入先入出力装置から納
入したプラズマ処理装置の固有番号を受信して、当該固
有番号に対応するＣX0を用いて演算をすることを特徴と
する請求項８に記載のプラズマ処理装置の性能管理シス
テム。 - 【請求項１５】 前記納入先入出力装置に、プラズマ
処理装置に接続された容量を測定する測定器を接続し
て、該測定器からサーバーに、ＣX1が直接送信されるこ
とを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理装置の性
能管理システム。 - 【請求項１６】 前記サーバーが搬送元において出力
装置を備え、ΔＣXの絶対値が所定の値を超える場合
に、前記出力装置から、保守作業命令信号を出力するこ
とを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理装置の性
能管理システム。 - 【請求項１７】 プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、この電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極
に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続する
ことにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズ
マ処理装置の性能管理システムであって、 前記高周波電源の接続された電極と直流的にアースされ
た各接地電位部との間の容量ＣXの、時刻ｔ0における値
Ｃx0と、各々所定の値の範囲によって決められた故障レ
ベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と
を記憶するサーバーと、このサーバーの搬送元における
出力装置と、このサーバーと通信回線で接続された納入
先入出力装置とを備え、 前記サーバーは、前記Ｃx0のその後の時刻ｔ1における
値Ｃx1を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ｃx0
と、このＣx1との差であるΔＣxの絶対値を演算し、そ
の値が、何れかの故障レベルの所定の値の範囲である場
合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故
障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情
報と共に、保守作業命令を出力することを特徴とするプ
ラズマ処理装置の性能管理システム。 - 【請求項１８】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間
に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被
処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求
項１７に記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。 - 【請求項１９】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間
に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組
み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請
求項１７に記載のプラズマ処理装置の性能管理システ
ム。 - 【請求項２０】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間
に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴
とする請求項１７に記載のプラズマ処理装置の性能管理
システム。 - 【請求項２１】 前記サーバーが、プラズマ処理装置
の固有番号毎にＣxを記憶し、納入先入出力装置から納
入したプラズマ処理装置の固有番号を受信して、当該固
有番号に対応するＣxを用いて演算をすることを特徴と
する請求項１７に記載のプラズマ処理装置の性能管理シ
ステム。 - 【請求項２２】 前記納入先入出力装置に、プラズマ
処理装置に接続された容量を測定する測定器を接続し
て、該測定器から前記サーバーに、Ｃx1が直接送信され
ることを特徴とする請求項１７に記載のプラズマ処理装
置の性能管理システム。 - 【請求項２３】 前記サーバーが、前記当該故障レベ
ルを、前記納入先入出力装置にも発信することを特徴と
する請求項１７に記載のプラズマ処理装置の性能管理シ
ステム。 - 【請求項２４】 プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、この電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極
に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続する
ことにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズ
マ処理装置であって、 前記高周波電源の接続された電極と直流的にアースされ
た各接地電位部との間の容量ＣXの、時刻ｔ0とその後の
時刻ｔ1における値ＣX0、ＣX1の差ΔＣXの絶対値が所定
の値より小さい値に維持されていることを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項２５】 前記所定の値がＣX0の１０％である
ことを特徴とする請求項２４に記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項２６】 前記所定の値がＣX0の３％であるこ
とを特徴とする請求項２４に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項２７】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間
に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被
処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求
項２４に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項２８】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間
に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組
み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請
求項２４に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項２９】 時刻ｔ0とその後の時刻ｔ1との間
に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴
とする請求項２４に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３０】 ΔＣXの絶対値が所定の値以上の値で
ある場合に、プラズマ電極容量の是正作業を行うことに
より、ΔＣXの絶対値が所定の値より小さい値に維持さ
れていることを特徴とする請求項２４に記載のプラズマ
処理装置。 - 【請求項３１】 購入発注者が販売保守者から購入し
た請求項２４に記載のプラズマ処理装置の時刻ｔ0とそ
の後の時刻ｔ1において計測可能な動作性能状況を示す
性能状況情報の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発
注者側情報端末と、販売保守者が前記性能状況情報をア
ップロードする販売保守者側情報端末と、前記購入発注
者側情報端末の要求に応答して、販売保守者側情報端末
からアップロードされた性能状況情報を購入発注者側情
報端末に提供する性能状況情報提供手段と、を具備する
ことを特徴とするプラズマ処理装置の性能確認システ
ム。 - 【請求項３２】 性能状況情報が、前記容量ＣXを含む
ことを特徴とする請求項３１記載のプラズマ処理装置の
性能確認システム。 - 【請求項３３】 性能状況情報が、カタログまたは仕
様書として出力されることを特徴とする請求項３２記載
のプラズマ処理装置の性能確認システム。 - 【請求項３４】 プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、この電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極
に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続する
ことにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズ
マ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、
該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性
能評価方法であって、 前記高周波電源の接続された電極と直流的にアースされ
た各接地電位部との間の容量ＣXの納入後における値Ｃ
x1の値が、前記高周波電源の接続された電極と対となり
協働してプラズマを発生する電極との間のプラズマ電極
容量Ｃeの２６倍より小さい値である場合に、所定の性
能を維持していると判断し、前記プラズマ極容量Ｃeの
２６倍以上の値である場合に、所定の性能を維持してい
ないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性
能評価方法。 - 【請求項３５】 プラズマを励起するための電極を有
する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電力
を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子と
を有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに
前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に
接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電
源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備す
るプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であ
って、 前記複数のプラズマ処理室においてそれぞれ測定した、
前記高周波電源の接続された電極と対となり協働してプ
ラズマを発生する電極との間のプラズマ電極容量Ｃe
の、納入後における値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、そ
の最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、 該Ｃe1rの値が所定の値より小さい場合に、所定の性能
を維持していると判断し、所定の値以上である場合に所
定の性能を維持していないと判断するとともに、 前記複数のプラズマ処理室においてそれぞれ測定した、
前記高周波電源の接続された電極と直流的にアースされ
た各接地電位部との間の容量ＣX の、納入後における値
ＣX1の値のばらつきＣX1rが、その最大値ＣX1maxと最小
値ＣX1minによって、 ＣX1r＝（ＣX1max−ＣX1min）／（ＣX1max＋ＣX1min） と定義され、 ＣX1rの値が所定の値より小さい場合に、所定の性能を
維持していると判断し、所定の値以上である場合に所定
の性能を維持していないと判断することを特徴とするプ
ラズマ処理装置の性能評価方法。 - 【請求項３６】 前記所定の値が０．１であることを
特徴とする請求項３５に記載のプラズマ処理装置の性能
評価方法。 - 【請求項３７】 前記所定の値が０．０３であること
を特徴とする請求項３５に記載のプラズマ処理装置の性
能評価方法。 - 【請求項３８】 プラズマを励起するための電極を有す
る複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電力を
供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを
有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前
記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接
続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源
とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備する
プラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であ
って、 前記複数のプラズマ処理室においてそれぞれ測定した、
前記高周波電源の接続された電極と対となり協働してプ
ラズマを発生する電極との間のプラズマ電極容量Ｃe
の、納入後における値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、そ
の最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、 該Ｃe1rの値が所定の値より小さい場合に、所定の性能
を維持していると判断し、所定の値以上である場合に所
定の性能を維持していないと判断するとともに、 前記
複数のプラズマ処理室においてそれぞれ測定した、 前
記高周波電源の接続された電極と直流的にアースされた
各接地電位部との間の容量ＣXの、納入後における値Ｃ
x1の値のばらつきＣx1rが、その最大値Ｃx1maxと最小値
Ｃx1min によって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、該Ｃx1rの値が所定の値より小さい値であ
り、かつ前記Ｃx1の値のいずれも前記高周波電源の接続
された電極と対となり協働してプラズマを発生する電極
との間のプラズマ電極容量Ｃeの２６倍より小さい値で
ある場合に、所定の性能を維持していると判断し、 Ｃx1rの値が所定の値以上の値である場合、又は前記Ｃ
x1の値のいずれかが前記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍
以上の値である場合、所定の性能を維持していないと判
断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方
法。 - 【請求項３９】 前記所定の値が０．１であることを
特徴とする請求項３８に記載のプラズマ処理装置の性能
評価方法。 - 【請求項４０】 前記所定の値が０．０３であること
を特徴とする請求項３８に記載のプラズマ処理装置の性
能評価方法。 - 【請求項４１】 プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極
に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続する
ことにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズ
マ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法
であって、 前記複数のプラズマ処理装置においてそれぞれ測定し
た、前記高周波電源の接続された電極と対となり協働し
てプラズマを発生する電極との間のプラズマ電極容量Ｃ
e の、納入後における値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、
その最大値Ｃe1max と最小値Ｃe1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、 該Ｃe1rの値が所定の値より小さい場合に、所定の性能
を維持していると判断し、所定の値以上である場合に所
定の性能を維持していないと判断するとともに、 前記複数のプラズマ処理装置においてそれぞれ測定し
た、前記高周波電源の接続された電極と直流的にアース
された各接地電位部との間の容量ＣXの、納入後におけ
る値ＣX1の値のばらつきＣX1rが、その最大値ＣX1maxと
最小値ＣX1minによって、 ＣX1r＝（ＣX1max−ＣX1min）／（ＣX1max＋Ｃx1min） と定義され、 該Ｃx1rの値が所定の値より小さい値である場合に、所
定の性能を維持していると判断し、所定の値以上の値で
ある場合に所定の性能を維持していないと判断すること
を特徴とするプラズマ処理システムの性能評価方法。 - 【請求項４２】 前記所定の値が０．１であることを
特徴とする請求項４１に記載のプラズマ処理システムの
性能評価方法。 - 【請求項４３】 前記所定の値が０．０３であること
を特徴とする請求項４１に記載のプラズマ処理システム
の性能評価方法。 - 【請求項４４】 プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極
に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続する
ことにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラ
ズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システム
を、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先に
て再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価
方法であって、 前記複数のプラズマ処理装置においてそれぞれ測定し
た、前記高周波電源の接続された電極と対となり協働し
てプラズマを発生する電極との間のプラズマ電極容量Ｃ
e の、納入後における値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、
その最大値Ｃe1max と最小値Ｃe1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、 該Ｃe1rの値が所定の値より小さい場合に、所定の性能
を維持していると判断し、所定の値以上である場合に所
定の性能を維持していないと判断するとともに、 前記
複数のプラズマ処理装置においてそれぞれ測定した、前
記高周波電源の接続された電極と直流的にアースされた
各接地電位部との間の容量ＣXの、納入後における値Ｃ
x1の値のばらつきＣx1rが、その最大値Ｃx1maxと最小値
Ｃx1min によって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、 Ｃx1rの値が所定の値より小さい値であり、かつ前記Ｃ
x1の値のいずれも前記高周波電源の接続された電極と対
となり協働してプラズマを発生する電極との間のプラズ
マ電極容量Ｃeの２６倍より小さい値である場合に、所
定の性能を維持していると判断し、 Ｃx1rの値が所定の値以上の値である場合、又は前記Ｃ
x1の値のいずれかが前記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍
以上の値である場合、所定の性能を維持していないと判
断することを特徴とするプラズマ処理システムの性能評
価方法。 - 【請求項４５】 前記所定の値が０．１であることを
特徴とする請求項４４に記載のプラズマ処理システムの
性能評価方法。 - 【請求項４６】 前記所定の値が０．０３であること
を特徴とする請求項４４に記載のプラズマ処理システム
の性能評価方法。 - 【請求項４７】 プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極
に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続する
ことにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズ
マ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、
該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性
能管理システムであって、 前記高周波電源の接続された電極と対となり協働してプ
ラズマを発生する電極との間のプラズマ電極容量Ｃeを
記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続さ
れた納入先入出力装置とを備え、 前記サーバーは、前記高周波電源の接続された電極と直
流的にアースされた各接地電位部との間の容量ＣX の納
入後における値Ｃx1を、前記納入先入出力装置から受信
し、 納入後における値Ｃx1の値が前記プラズマ電極容量Ｃe
の２６倍より小さい値である場合には、所定の性能を維
持している旨の信号を、納入後における値Ｃx1 の値が前
記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以上の値である場合に
は、所定の性能を維持していない旨の信号を、各々納入
先入出力装置に発信することを特徴とするプラズマ処理
装置の性能管理システム。 - 【請求項４８】 前記サーバーが搬送元において出力
装置を備え、納入後における値ＣX1の値のいずれかが前
記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以上の値である場合
に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを
特徴とする請求項４７に記載のプラズマ処理装置の性能
管理システム。 - 【請求項４９】 プラズマを励起するための電極を有
する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電力
を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子と
を有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに
前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に
接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電
源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備す
るプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬
送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理
装置の性能管理システムであって、 前記高周波電源の接続された電極と対となり協働してプ
ラズマを発生する電極との間のプラズマ電極容量Ｃeを
記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続さ
れた納入先入出力装置とを備え、 前記サーバーは、前記複数のプラズマ処理室においてそ
れぞれ測定した、前記高周波電源の接続された電極と直
流的にアースされた各接地電位部との間の容量ＣX の納
入後における値Ｃx1を、前記納入先入出力装置から受信
し、 納入後における値Ｃx1の値が前記プラズマ電極容量Ｃe
の２６倍より小さい値である場合には、所定の性能を
維持している旨の信号を、納入後における値Ｃx1の値が
前記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以上の値である場合
には、所定の性能を維持していない旨の信号を、各々納
入先入出力装置に発信することを特徴とするプラズマ処
理装置の性能管理システム。 - 【請求項５０】 前記サーバーが搬送元において出力
装置を備え、納入後における値Ｃx1の値のいずれかが前
記プラズマ電極容量Ｃe の２６倍より小さい値である
場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力するこ
とを特徴とする請求項４９に記載のプラズマ処理装置の
性能管理システム。 - 【請求項５１】 プラズマを励起するための電極を有
する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電力
を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子と
を有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに
前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に
接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電
源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備す
るプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬
送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理
装置の性能管理システムであって、 出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線
で接続された納入先入力装置とを備え、 前記サーバーは、前記複数のプラズマ処理室においてそ
れぞれ測定した、前記高周波電源の接続された電極と対
となり協働してプラズマを発生する電極との間のプラズ
マ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1を、各々のプ
ラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入出力装置か
ら受信し、この値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、その最
大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、該Ｃe1rの値が所定の値以上である場合
に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ｃ
e1max又は最小値Ｃe1minを与えたプラズマ処理室の固有
番号と共に出力し、 前記サーバーは、前記複数のプラズマ処理室においてそ
れぞれ測定した、前記高周波電源の接続された電極と直
流的にアースされた各接地電位部との間の容量ＣX の納
入後における値Ｃx1を、各々のプラズマ処理室の固有番
号と共に前記納入先入出力装置から受信し、 この値Ｃx1の値のばらつきＣx1rが、その最大値Ｃx1max
と最小値Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、 該Ｃx1rの値が所定の値以上の場合に、前記出力装置か
ら、保守作業命令を当該最大値Ｃx1max又は最小値Ｃ
x1minを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力す
ることを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システ
ム。 - 【請求項５２】 前記所定の値が０．１であることを
特徴とする請求項５１に記載のプラズマ処理装置の性能
管理システム。 - 【請求項５３】 前記所定の値が０．０３であること
を特徴とする請求項５１に記載のプラズマ処理装置の性
能管理システム。 - 【請求項５４】 プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極
に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続する
ことにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズ
マ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管理シス
テムであって、 前記高周波電源の接続された電極と対となり協働してプ
ラズマを発生する電極との間のプラズマ電極容量Ｃeを
記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続さ
れた納入先入出力装置とを備え、 前記サーバーは、前記複数のプラズマ処理装置において
それぞれ測定した、前記高周波電源の接続された電極と
直流的にアースされた各接地電位部との間の容量ＣX の
納入後における値Ｃx1を、前記納入先入出力装置から受
信し、 納入後における値Ｃx1の値が前記プラズマ電極容量Ｃe
の２６倍より小さい値である場合には、所定の性能を
維持している旨の信号を、納入後における値Ｃx1の値が
前記プラズマ電極容量Ｃeの２６倍以上の値である場合
には、所定の性能を維持していない旨の信号を、各々納
入先入出力装置に発信することを特徴とするプラズマ処
理システムの性能管理システム。 - 【請求項５５】 前記サーバーが搬送元において出力
装置を備え、納入後における値Ｃx1の値のいずれかが前
記プラズマ電極容量Ｃe の２６倍より小さい値である
場合に、前記出力装置から、保守作業命令信号を出力す
ることを特徴とする請求項５４に記載のプラズマ処理シ
ステムの性能管理システム。 - 【請求項５６】 プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給
するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し
該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電
極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続す
ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
インピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラ
ズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システム
を、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先に
て再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管理
システムであって、 出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線
で接続された納入先入力装置とを備え、 前記サーバーは、前記複数のプラズマ処理装置において
それぞれ測定した、前記高周波電源の接続された電極と
対となり協働してプラズマを発生する電極との間のプラ
ズマ電極容量Ｃe の、納入後における値Ｃe1を、各々の
プラズマ処理装置の固有番号と共に前記納入先入出力装
置から受信し、この値Ｃe1の値のばらつきＣe1rが、そ
の最大値Ｃe1maxと最小値Ｃe1minによって、 Ｃe1r＝（Ｃe1max−Ｃe1min）／（Ｃe1max＋Ｃe1min） と定義され、このＣe1rの値が所定の値以上である場合
に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ｃ
e1max又は最小値Ｃe1minを与えたプラズマ処理装置の固
有番号と共に出力し、 前記サーバーは前記複数のプラズマ処理装置においてそ
れぞれ測定した、前記高周波電源の接続された電極と直
流的にアースされた各接地電位部との間の容量ＣX の納
入後における値Ｃx1を、各々のプラズマ処理装置の固有
番号と共に前記納入先入出力装置から受信し、この値Ｃ
x1の値のばらつきＣx1rが、その最大値Ｃx1maxと最小値
Ｃx1minによって、 Ｃx1r＝（Ｃx1max−Ｃx1min）／（Ｃx1max＋Ｃx1min） と定義され、 該Ｃx1rの値が所定の値以上の場合に、前記出力装置か
ら、保守作業命令を当該最大値Ｃx1max又は最小値Ｃ
x1minを与えたプラズマ処理装置の固有番号と共に出力
することを特徴とするプラズマ処理システムの性能管理
システム。 - 【請求項５７】 前記所定の値が０．１であることを
特徴とする請求項５６に記載のプラズマ処理システムの
性能管理システム。 - 【請求項５８】 前記所定の値が０．０３であること
を特徴とする請求項５６に記載のプラズマ処理システム
の性能管理システム。 - 【請求項５９】 購入発注者が販売保守者から購入し
た請求項４９から請求項５８の何れかに記載の性能管理
システムで管理されたプラズマ処理装置又はプラズマ処
理システムの搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該
納入先にて再組立てした後の動作性能状況を示す性能状
況情報の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側
情報端末と、販売保守者が前記性能状況情報をアップロ
ードする販売保守者側情報端末と、前記購入発注者側情
報端末の要求に応答して、販売保守者側情報端末からア
ップロードされた性能状況情報を購入発注者側情報端末
に提供する性能状況情報提供手段と、を具備することを
特徴とするプラズマ処理装置又はプラズマ処理システム
の性能確認システム。 - 【請求項６０】 性能状況情報が、前記高周波電源の
接続された電極と対となり協働してプラズマを発生する
電極との間のプラズマ電極容量Ｃe と、前記高周波電源
の接続された電極と直流的にアースされた各接地電位部
との間の容量ＣXを含むことを特徴とする請求項５９記
載のプラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能
確認システム。 - 【請求項６１】 性能状況情報が、カタログまたは仕
様書として出力されることを特徴とする請求項６０記載
のプラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能確
認システム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000338246A JP3670206B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置 |
| US10/033,443 US6701202B2 (en) | 2000-11-06 | 2001-11-02 | Performance evaluation method for plasma processing apparatus |
| KR10-2001-0068771A KR100478034B1 (ko) | 2000-11-06 | 2001-11-06 | 플라즈마 처리장치의 성능평가방법 |
| US10/656,995 US6871111B2 (en) | 2000-11-06 | 2003-09-04 | Performance evaluation method for plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000338246A JP3670206B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002151294A true JP2002151294A (ja) | 2002-05-24 |
| JP3670206B2 JP3670206B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=18813483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000338246A Expired - Fee Related JP3670206B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6701202B2 (ja) |
| JP (1) | JP3670206B2 (ja) |
| KR (1) | KR100478034B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006501611A (ja) * | 2002-09-26 | 2006-01-12 | ラム リサーチ コーポレイション | プラズマ処理システムをツールマッチングしかつトラブルシュートする方法 |
| JP2007515061A (ja) * | 2003-11-24 | 2007-06-07 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムのツールマッチングおよび故障点検のための方法 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580053B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-06-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Apparatus to control the amount of oxygen incorporated into polycrystalline silicon film during excimer laser processing of silicon films |
| JP3897620B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2007-03-28 | 三菱重工業株式会社 | 高周波電力供給構造およびそれを備えたプラズマｃｖｄ装置 |
| US6771077B2 (en) * | 2002-04-19 | 2004-08-03 | Hitachi, Ltd. | Method of testing electronic devices indicating short-circuit |
| JP2004241706A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置 |
| US20050131978A1 (en) * | 2003-12-10 | 2005-06-16 | Microsoft Corporation | Systems and methods that employ process algebra to specify contracts and utilize performance prediction implementations thereof to measure the specifications |
| US20060118040A1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Chien-Hsing Lai | Chemical vapor deposition apparatus having a reaction chamber condition detection function and a detection method thereof |
| US20070202636A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film thickness uniformity of PECVD-deposited silicon-comprising thin films |
| JP5064707B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US7829468B2 (en) * | 2006-06-07 | 2010-11-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor |
| US7879731B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Improving plasma process uniformity across a wafer by apportioning power among plural VHF sources |
| US7968469B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece in a plasma reactor with variable height ground return path to control plasma ion density uniformity |
| US7884025B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-02-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma process uniformity across a wafer by apportioning ground return path impedances among plural VHF sources |
| US20080178803A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-07-31 | Collins Kenneth S | Plasma reactor with ion distribution uniformity controller employing plural vhf sources |
| KR20110067570A (ko) * | 2009-12-14 | 2011-06-22 | 삼성전자주식회사 | 모니터링 방법 |
| US10157729B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-12-18 | Lam Research Corporation | Soft pulsing |
| US9842725B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-12-12 | Lam Research Corporation | Using modeling to determine ion energy associated with a plasma system |
| US9114666B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system |
| US10128090B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | RF impedance model based fault detection |
| US9197196B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-11-24 | Lam Research Corporation | State-based adjustment of power and frequency |
| US9462672B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-10-04 | Lam Research Corporation | Adjustment of power and frequency based on three or more states |
| EP2675064B1 (en) * | 2012-06-15 | 2020-02-12 | Ecole Polytechnique | Electrical circuit to impedance match a source and a load at multiple frequencies, method to design such a circuit |
| US9337000B2 (en) | 2013-10-01 | 2016-05-10 | Lam Research Corporation | Control of impedance of RF return path |
| US9401264B2 (en) | 2013-10-01 | 2016-07-26 | Lam Research Corporation | Control of impedance of RF delivery path |
| US10170278B2 (en) * | 2013-01-11 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma source |
| US9831071B2 (en) | 2013-05-09 | 2017-11-28 | Lam Research Corporation | Systems and methods for using multiple inductive and capacitive fixtures for applying a variety of plasma conditions to determine a match network model |
| US10443127B2 (en) * | 2013-11-05 | 2019-10-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | System and method for supplying a precursor for an atomic layer deposition (ALD) process |
| KR102021961B1 (ko) | 2014-01-13 | 2019-11-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 관리방법 |
| US10950421B2 (en) * | 2014-04-21 | 2021-03-16 | Lam Research Corporation | Using modeling for identifying a location of a fault in an RF transmission system for a plasma system |
| WO2017044686A1 (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | Carbon Robotics, Inc. | Robotic arm system and object avoidance methods |
| KR20210127087A (ko) * | 2020-04-10 | 2021-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354825A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH05205898A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-08-13 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プラズマ処理装置 |
| JPH08124862A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH09202968A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Canon Inc | スパッタ装置及び堆積膜形成方法 |
| JPH10125494A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-05-15 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JPH10321598A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JPH1116843A (ja) * | 1997-06-26 | 1999-01-22 | Sharp Corp | 電子デバイス製造装置 |
| JPH11121440A (ja) * | 1997-10-20 | 1999-04-30 | Toshiba Corp | プラズマ評価方法及びその装置 |
| JPH11238659A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体製造設備管理方法 |
| JP2000012468A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Sharp Corp | 薄膜の製造方法 |
| JP2000173982A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5467013A (en) | 1993-12-07 | 1995-11-14 | Sematech, Inc. | Radio frequency monitor for semiconductor process control |
| FR2738984B1 (fr) * | 1995-09-19 | 1997-11-21 | Centre Nat Rech Scient | Procede et dispositif de mesure d'un flux d'ions dans un plasma |
| KR19990041065A (ko) * | 1997-11-20 | 1999-06-15 | 윤종용 | 프로세스 챔버 내에서 얼라인먼트를 모니터링하기 위한 건식식각장치 |
| KR100257903B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2000-08-01 | 윤종용 | 인시튜 모니터링가능한 플라즈마 식각장치, 그 인시튜 모니터링방법, 플라즈마 식각챔버내의 잔류물 제거를 위한 인시튜 세정방법 |
| JP3833810B2 (ja) * | 1998-03-04 | 2006-10-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体の製造方法並びにプラズマ処理方法およびその装置 |
| JP3296292B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2002-06-24 | 松下電器産業株式会社 | エッチング方法、クリーニング方法、及びプラズマ処理装置 |
| JP3497091B2 (ja) * | 1998-07-23 | 2004-02-16 | 名古屋大学長 | プラズマ生成用高周波パワーの制御方法、およびプラズマ発生装置 |
| KR100287779B1 (ko) * | 1998-10-09 | 2001-04-16 | 황철주 | 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체 제조방법 |
| KR20000027767A (ko) * | 1998-10-29 | 2000-05-15 | 김영환 | 플라즈마 장치 |
| KR200205181Y1 (ko) * | 1998-10-30 | 2001-02-01 | 김영환 | 플라즈마 포텐셜 검출 회로 |
| JP3959200B2 (ja) * | 1999-03-19 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造装置 |
-
2000
- 2000-11-06 JP JP2000338246A patent/JP3670206B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-02 US US10/033,443 patent/US6701202B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-06 KR KR10-2001-0068771A patent/KR100478034B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-09-04 US US10/656,995 patent/US6871111B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354825A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH05205898A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-08-13 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プラズマ処理装置 |
| JPH08124862A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH09202968A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Canon Inc | スパッタ装置及び堆積膜形成方法 |
| JPH10125494A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-05-15 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JPH10321598A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JPH1116843A (ja) * | 1997-06-26 | 1999-01-22 | Sharp Corp | 電子デバイス製造装置 |
| JPH11121440A (ja) * | 1997-10-20 | 1999-04-30 | Toshiba Corp | プラズマ評価方法及びその装置 |
| JPH11238659A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体製造設備管理方法 |
| JP2000012468A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Sharp Corp | 薄膜の製造方法 |
| JP2000173982A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006501611A (ja) * | 2002-09-26 | 2006-01-12 | ラム リサーチ コーポレイション | プラズマ処理システムをツールマッチングしかつトラブルシュートする方法 |
| JP2007515061A (ja) * | 2003-11-24 | 2007-06-07 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムのツールマッチングおよび故障点検のための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020157608A1 (en) | 2002-10-31 |
| KR100478034B1 (ko) | 2005-03-21 |
| US20040243269A1 (en) | 2004-12-02 |
| JP3670206B2 (ja) | 2005-07-13 |
| KR20020035463A (ko) | 2002-05-11 |
| US6871111B2 (en) | 2005-03-22 |
| US6701202B2 (en) | 2004-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3670206B2 (ja) | プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置 | |
| JP3670209B2 (ja) | プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置 | |
| JP3640609B2 (ja) | プラズマ処理装置，プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム，検査方法 | |
| JP3670208B2 (ja) | プラズマ処理装置，プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム，検査方法 | |
| KR100450100B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리시스템 | |
| KR100408098B1 (ko) | 플라즈마 처리장치, 플라즈마 처리장치 또는 플라즈마처리시스템의 성능평가방법, 보존방법, 성능관리시스템,및 성능확인시스템 | |
| JP3600144B2 (ja) | プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、及び性能管理システム、並びにプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の性能確認システム | |
| JP3723060B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の性能確認システム | |
| JP3600146B2 (ja) | プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、性能管理システム、及び性能確認システム | |
| JP3600143B2 (ja) | プラズマ処理装置，プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム，検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040914 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041018 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041115 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041213 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050124 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050405 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050413 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090422 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100422 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100422 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110422 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110422 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120422 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |