JP2002151250A - Plane luminous panel and its manufacturing method - Google Patents

Plane luminous panel and its manufacturing method

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JP2002151250A
JP2002151250A JP2000338918A JP2000338918A JP2002151250A JP 2002151250 A JP2002151250 A JP 2002151250A JP 2000338918 A JP2000338918 A JP 2000338918A JP 2000338918 A JP2000338918 A JP 2000338918A JP 2002151250 A JP2002151250 A JP 2002151250A
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light
emitting layer
connection
layer
electrode
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JP2000338918A
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Japanese (ja)
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Hiroshi Shiba
宏 柴
Hideaki Kobuna
秀明 小鮒
Satoshi Arano
智 荒野
Naoto Nakatani
直人 中谷
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Nippon Avionics Co Ltd
Original Assignee
Nippon Avionics Co Ltd
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable to connect a luminous part consisting of a luminous layer and a lower and upper opposing electrodes and a drive circuit for driving this luminous part in a short wiring route, to secure a large enough drive current in case of high-density pixels, and to achieve a more compact total size, with a plane luminous panel with a luminous layer made of organic EL materials integrally formed on one side of a multi-layer substrate. SOLUTION: A connecting pad for electrode connection is formed on a luminous face of a luminous layer facing outside, and another connecting pad for mounting of drive elements are formed on the other face. The panel is provided with a multi-layer substrate (50) with this so-to-speak double-faced connecting pad connected in an inner circuit layer, a lower opposing electrode (58) formed on one face of the multi-layer substrate and connected to one side of the connecting pad for electrode connection, a luminous layer (62) formed on it made of organic EL materials, a transparent upper opposing electrode (64) formed on the luminous layer and connected to the other side of the connecting pad for electrode connection, and drive elements (60) mounted on the other face of the multi-layer substrate for enabling the luminous layer to emit light.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】この発明は、発光層として有
機エレクトロルミネッセンス材料を用いた平面発光パネ
ルと、その製造方法とに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat light-emitting panel using an organic electroluminescent material as a light-emitting layer, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】電界印加により発光するエレクトロルミ
ネッセンス(EL)が知られている。この現象を利用し
たパネル(ELP)は面発光であるため白黒液晶のバッ
クライト等として使われている。特に最近有機EL材料
の開発によりカラー表示パネルとしての実用化の可能性
が高まっている。この場合、表示画面をマトリックス状
に配置した多数の画素に分け、3色の画素ごとに発光を
制御することにより、画像をカラー表示する。
2. Description of the Related Art Electroluminescence (EL) that emits light when an electric field is applied is known. A panel (ELP) utilizing this phenomenon is used as a backlight of a monochrome liquid crystal or the like because it emits surface light. In particular, the development of organic EL materials has recently increased the possibility of practical use as a color display panel. In this case, the image is displayed in color by dividing the display screen into a large number of pixels arranged in a matrix and controlling light emission for each of the three color pixels.

【0003】図5と図6は、この有機EL材料を発光体
として用いた従来の平面発光パネルの構造を示す断面図
である。図5において、符号10は透明なガラス板であ
る。このガラス板10の片面にはITO膜12が形成さ
れる。このITO膜12は、In−Tin−Oxide
(インジウム・スズの酸化物)の膜であり、透明な下部
対向電極となる。このITO膜12の上には有機EL材
料からなる発光層14が形成される。この発光層14
は、塗布法やスクリーン印刷法により形成した厚膜であ
ってもよく、また真空蒸着法、スパッタリング法で形成
した薄膜であってもよい。
FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views showing the structure of a conventional flat light-emitting panel using this organic EL material as a light-emitting body. In FIG. 5, reference numeral 10 denotes a transparent glass plate. An ITO film 12 is formed on one surface of the glass plate 10. This ITO film 12 is made of In-Tin-Oxide.
(Indium tin oxide) film, which becomes a transparent lower counter electrode. A light emitting layer 14 made of an organic EL material is formed on the ITO film 12. This light emitting layer 14
May be a thick film formed by a coating method or a screen printing method, or may be a thin film formed by a vacuum evaporation method or a sputtering method.

【0004】発光層14の上には上部対向電極16が形
成される。下部対向電極12および上部対向電極16は
ガラス板10の周辺に導かれている。発光層14となる
有機EL材料の寿命は、湿気による影響が大きいことが
知られている。すなわち湿気が含まれていると、動作通
電による温度上昇により湿気が気化して膨張し、有機E
L材料と電極、絶縁層が剥離するからである。このため
発光層14は保護キャップ18で気密封止し、この保護
キャップ18の内面に乾燥剤20を固定して発光層14
を乾燥させている。
An upper counter electrode 16 is formed on the light emitting layer 14. The lower counter electrode 12 and the upper counter electrode 16 are guided around the glass plate 10. It is known that the life of the organic EL material that becomes the light emitting layer 14 is greatly affected by moisture. That is, when moisture is contained, the moisture evaporates and expands due to a temperature rise due to energizing operation, and the organic E
This is because the L material, the electrode, and the insulating layer are separated. For this reason, the light emitting layer 14 is hermetically sealed with a protective cap 18, and a desiccant 20 is fixed on the inner surface of the protective cap 18 to form the light emitting layer 14.
Has been dried.

【0005】22はリジッドプリント板であり、ここに
は半導体部品24が実装されている。半導体部品24
は、発光層14の発光を制御するための駆動回路を構成
する集積回路であり、例えばガルウィング型のリードを
持つ。プリント板22に形成された配線パターンはプリ
ント板22の一辺に導かれている。このプリント板22
はフレキシブルケーブル(FPC)26によってガラス
板10側の下部および上部対向電極12、16に接続さ
れている。
Reference numeral 22 denotes a rigid printed board on which a semiconductor component 24 is mounted. Semiconductor parts 24
Is an integrated circuit that constitutes a drive circuit for controlling light emission of the light emitting layer 14 and has, for example, a gull-wing type lead. The wiring pattern formed on the printed board 22 is guided to one side of the printed board 22. This printed board 22
Are connected to the lower and upper opposed electrodes 12 and 16 on the glass plate 10 side by a flexible cable (FPC) 26.

【0006】図6に示す表示パネルでは、前記図5に示
すリジッドプリント板22に代えてフレキシブル基板2
8を用いる点が図5のものと異なる。従って同一部分に
は同一符号を付してその説明は繰り返さない。。このフ
レキシブル基板28には半導体チップ(ベアチップ)3
0をフリップチップ実装した。そしてフレキシブル基板
28を、ガラス基板10に形成した下部対向電極(IT
O膜)12および上部対向電極16に接続したものであ
る。なお半導体チップ30の電極には金バンプが形成さ
れ、これらの金バンプをフレキシブル基板28に設けた
パッドに接合する。
In the display panel shown in FIG. 6, a flexible printed circuit board 2 is used instead of the rigid printed board 22 shown in FIG.
8 is different from that of FIG. Therefore, the same portions are denoted by the same reference characters and description thereof will not be repeated. . The flexible substrate 28 has a semiconductor chip (bare chip) 3
0 was flip-chip mounted. Then, the flexible substrate 28 is formed on a lower counter electrode (IT) formed on the glass substrate 10.
O film) 12 and the upper counter electrode 16. Gold bumps are formed on the electrodes of the semiconductor chip 30, and these gold bumps are bonded to pads provided on the flexible substrate 28.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】このように従来の有機
EL素子を用いた平面発光パネルでは、ガラス基板10
に下部対向電極12、発光層14、上部対向電極16を
形成し、このガラス基板10とは別体のプリント基板2
2やフレキシブル基板28に半導体部品24や半導体チ
ップ30を実装して、これらの基板22、28をガラス
基板10側の電極12、16に接続したものであった。
As described above, in the conventional flat light emitting panel using the organic EL element, the glass substrate 10
A lower opposing electrode 12, a light emitting layer 14, and an upper opposing electrode 16 are formed on the printed circuit board 2 separate from the glass substrate 10.
2, a semiconductor component 24 and a semiconductor chip 30 are mounted on a flexible substrate 28 and these substrates 22 and 28 are connected to the electrodes 12 and 16 on the glass substrate 10 side.

【0008】このためガラス基板10とプリント基板2
2あるいはフレキシブル基板28を接続するため、配線
経路が長くなる。特にこの平面発光パネルで多数の画素
からなるカラー表示を行う場合には、画質を向上させる
ために画素を高密度化する必要が生じるが、その場合に
は配線を微細化しなければならず、配線経路が長くなる
ことも考慮すると許容電流を十分大きく確保することが
困難になる。このため画素の高密度化が困難になる。
Therefore, the glass substrate 10 and the printed circuit board 2
Since the second or flexible substrate 28 is connected, the wiring path becomes longer. In particular, when performing color display including a large number of pixels with this flat light-emitting panel, it is necessary to increase the density of the pixels in order to improve the image quality. Considering the length of the path, it is difficult to ensure a sufficiently large allowable current. This makes it difficult to increase the density of pixels.

【0009】またガラス基板10と別にプリント基板2
2やフレキシブル基板28を接続するために、発光パネ
ル全体が大型化するという問題もある。
The printed circuit board 2 is separate from the glass substrate 10.
There is also a problem that the entire light-emitting panel becomes large due to the connection of the light emitting panel 2 and the flexible substrate 28.

【0010】この発明はこのような事情に鑑みなされた
ものであり、発光層および下部・上部対向電極からなる
発光部と、この発光部を駆動するための駆動回路とを短
い配線径路で接続することが可能になり、画素を高密度
化した場合にも駆動電流を十分大きく確保することが可
能であり、全体の小型化にも適する平面発光パネルを提
供することを第1の目的とする。この発明はこの平面発
光パネルの製造方法を提供することを第2の目的とす
る。
The present invention has been made in view of such circumstances, and connects a light-emitting unit including a light-emitting layer and a lower / upper counter electrode to a drive circuit for driving the light-emitting unit via a short wiring path. It is a first object of the present invention to provide a flat light-emitting panel which is capable of ensuring a sufficiently large driving current even when the density of pixels is increased, and which is suitable for miniaturization of the whole. A second object of the present invention is to provide a method for manufacturing this flat light emitting panel.

【0011】[0011]

【発明の構成】本発明によれば第1の目的は、多層基板
の一方の面に有機EL材料からなる発光層を一体的に形
成した平面発光パネルであって、前記発光層の形成面の
この発光層より外側に電極接続用の接続パッドが形成さ
れ、他方の面に駆動用素子実装用の接続パッドがそれぞ
れ形成され、これら両面の接続パッドが内層回路で接続
された多層基板と、この多層基板の一方の面に形成され
前記電極接続用の一部の接続パッドに接続された下部対
向電極と、この上に形成された有機EL材料からなる発
光層と、この発光層の上に形成され前記電極接続用の他
の接続パッドに接続された透明な上部対向電極と、前記
多層基板の他方の面に実装され前記発光層を発光させる
ための駆動用素子と、を備えることを特徴とする平面発
光パネル、により達成される。
According to the present invention, a first object is a flat light-emitting panel in which a light-emitting layer made of an organic EL material is integrally formed on one surface of a multi-layer substrate. A connection board for electrode connection is formed outside the light emitting layer, a connection pad for mounting a driving element is formed on the other surface, and a connection between the connection pads on both sides of the multi-layer substrate is formed by an inner layer circuit. A lower counter electrode formed on one surface of the multilayer substrate and connected to a part of the connection pads for electrode connection; a light emitting layer formed of an organic EL material formed thereon; and a light emitting layer formed on the light emitting layer A transparent upper counter electrode connected to another connection pad for the electrode connection, and a driving element mounted on the other surface of the multilayer substrate for causing the light emitting layer to emit light, By the flat light-emitting panel, It is made.

【0012】このように多層基板を用いるから、この多
層基板自体に複雑な電気回路網を形成することが可能で
あり、この多層基板を発光層の支持体としても利用する
から、配線径路が著しく短縮でき、小型化が可能になる
ものである。
Since the multilayer substrate is used as described above, a complicated electric circuit network can be formed on the multilayer substrate itself. Since the multilayer substrate is also used as a support for the light emitting layer, the wiring path is significantly reduced. It can be shortened and downsized.

【0013】平面発光パネルは全体を封止材によって気
密に封止するのがよい。発光層は湿気による寿命低下が
著しいので、気密封止により寿命を長くできるからであ
る。従ってこの封止材の中には乾燥剤を封入すれば、内
部の湿気除去を確実にできるので寿命の向上に一層適す
る。
[0013] The entire flat light emitting panel is preferably hermetically sealed with a sealing material. The reason is that the life of the light emitting layer is significantly reduced by moisture, and the life can be extended by hermetic sealing. Therefore, by enclosing a desiccant in the sealing material, the removal of moisture inside can be ensured, which is more suitable for improving the life.

【0014】封止材は、その一部を発光層にスペーサを
介して接着した透明なガラス板とした筐体で形成するこ
とができる。ガラス板は透明な接着剤で発光層全面に接
着してもよいが、ガラス板の周縁を発光層の外側で多層
基板に接着し、ガラス板と発光層との間に間隙を形成し
てもよい。
[0014] The sealing material can be formed by a transparent glass plate whose part is bonded to the light emitting layer via a spacer. The glass plate may be adhered to the entire surface of the light emitting layer with a transparent adhesive, but the periphery of the glass plate may be adhered to the multilayer substrate outside the light emitting layer to form a gap between the glass plate and the light emitting layer. Good.

【0015】多層基板は低温同時焼成多層セラミック板
(Low Temperature Co-Fireable Ceramics, LTCC)が最
も望ましい。この多層LTCC基板は、焼成温度が低く
(約1000℃以下)、抵抗体、コンデンサ、インダク
タなどの受動素子をセラミック基板内部に形成すること
により大幅な小型化が実現可能であり、特に熱膨張係数
が小さいため、半導体ベアチップを用いた高密度実装化
(フリップチップ実装)に適するものとなる。またこの
LTCC基板は比誘電率も小さいのでここに形成した配
線パターンを通る信号の遅れが小さくなり、駆動回路の
高速化にも適する。
The multilayer substrate is most preferably a low temperature co-fired multilayer ceramic plate (Low Temperature Co-Fireable Ceramics, LTCC). This multilayer LTCC substrate has a low firing temperature (approximately 1000 ° C. or less), and can be significantly reduced in size by forming passive elements such as resistors, capacitors, and inductors inside the ceramic substrate. Therefore, it is suitable for high-density mounting (flip-chip mounting) using a semiconductor bare chip. Further, since the LTCC substrate has a small relative dielectric constant, a delay of a signal passing through the wiring pattern formed here becomes small, and the LTCC substrate is suitable for a high-speed driving circuit.

【0016】多層基板には、発光層の下地として低融点
ガラスやその他の酸化物系の無機物質をコーティング処
理しておくのがよい。一般にLTCC基板などはガラス
系材料の焼結体であるために、微視的には表面に凹凸が
できて不均一になり、自己発光する有機EL材料による
画像表示性に影響するからである。すなわちこのコーテ
ィング処理によって、画素ごとの表示性のバラツキを抑
制し画質を向上させることができる。
The multi-layer substrate is preferably coated with a low-melting glass or another oxide-based inorganic substance as a base for the light-emitting layer. In general, since the LTCC substrate or the like is a sintered body of a glass-based material, the surface becomes microscopically uneven due to microscopic unevenness, which affects the image display properties of the self-emitting organic EL material. That is, by this coating process, it is possible to suppress a variation in display performance for each pixel and improve image quality.

【0017】多層基板の駆動用素子を実装した面(駆動
用素子の実装面)は、素子の実装後樹脂被覆しておくの
がよい。この樹脂被覆処理はその後の種々の処理工程
(真空・ウェット処理など)で影響を受けないように駆
動用素子を保護するためのものである。特に半導体素子
をワイヤボンディングによって多層基板に接続する場合
には、後工程での取扱いを容易にするために、ボンディ
ング用ワイヤなどを覆うように多層基板の表面(駆動用
素子実装面)をエポキシ系やシリコーン系の樹脂でコー
ティングすることが必要である。
The surface of the multilayer substrate on which the driving elements are mounted (the mounting surface of the driving elements) is preferably covered with a resin after the mounting of the elements. This resin coating treatment is for protecting the driving element so as not to be affected by the subsequent various treatment steps (vacuum / wet treatment, etc.). In particular, when a semiconductor element is connected to a multilayer substrate by wire bonding, the surface of the multilayer substrate (driving element mounting surface) is covered with an epoxy-based material so as to cover bonding wires and the like in order to facilitate handling in a later process. Or coating with a silicone resin.

【0018】駆動用素子は、半導体回路素子などの能動
素子だけでなく、抵抗・コンデンサ(キャパシタ)など
の受動素子であってもよい。半導体回路素子はパッケー
ジに封止した半導体素子であってもよいが、ベアチップ
であってもよい。ベアチップの場合はその電極に金バン
プなどの突起電極を設け、多層基板の電極に直接接続す
る(フリップチップ実装)。
The driving element may be not only an active element such as a semiconductor circuit element but also a passive element such as a resistor and a capacitor. The semiconductor circuit element may be a semiconductor element sealed in a package, or may be a bare chip. In the case of a bare chip, a protruding electrode such as a gold bump is provided on the electrode and directly connected to an electrode of a multilayer substrate (flip chip mounting).

【0019】この発明によれば第2の目的は、多層基板
の一方の面に有機EL材料からなる発光層を一体的に形
成した平面発光パネルの製造方法であって、(a)異な
る面に発光層の電極接続用の接続パッドおよび駆動用素
子の実装用の接続パッドがそれぞれ形成されこれら両面
の接続パッドは内層回路で接続されている多層基板を用
意する;(b)多層基板の電極接続用の接続パッドを形
成した面に無機材料からなるコーティング層を形成して
表面を平滑化する;(c)コーティング層の上に、前記
発光層の電極接続用の一部の接続パッドに接続された下
部対向電極を形成する;(d)多層基板の駆動用素子実
装用の接続パッドを形成した面に駆動用素子を実装す
る;(e)コーティング層の上に有機EL材料からなる
発光層を形成する;(f)この発光層の上に前記電極接
続用の他の接続パッドに接続された透明な上部対向電極
を形成する;以上の各工程(a)〜(f)を有すること
を特徴とする平面発光パネルの製造方法、により達成さ
れる。
According to the present invention, a second object is a method of manufacturing a flat light-emitting panel in which a light-emitting layer made of an organic EL material is integrally formed on one surface of a multi-layer substrate. A connection board for connecting the electrode of the light emitting layer and a connection pad for mounting the driving element are formed, respectively, and the connection pads on both sides prepare a multilayer board connected by an inner layer circuit; (b) electrode connection of the multilayer board Forming a coating layer made of an inorganic material on the surface on which the connection pads for the light emitting layer are formed, and smoothing the surface; (c) connecting to some of the connection pads for electrode connection of the light emitting layer on the coating layer; (D) mounting the driving element on the surface of the multilayer substrate on which the connection pad for mounting the driving element is formed; (e) forming the light emitting layer made of the organic EL material on the coating layer. Form; f) Forming a transparent upper counter electrode connected to the other connection pad for electrode connection on the light emitting layer; a planar light emission comprising the above steps (a) to (f). Panel manufacturing method.

【0020】この場合に駆動用素子を多層基板に実装す
るのに、多層基板を加熱する必要がない低温処理方法を
使用できる時は、工程(d)と(e)を逆にしてもよ
い。すなわち有機EL材料は加熱することができないの
で、発光層を形成した後では基板を加熱しなくてすむ工
法、例えば超音波ボンディング法や電気抵抗はんだ付け
法などを用いる場合には有機EL材料の発光層を形成し
た後で駆動用素子を実装してもよい。
In this case, if a low-temperature processing method that does not require heating the multilayer substrate can be used to mount the driving element on the multilayer substrate, the steps (d) and (e) may be reversed. That is, since the organic EL material cannot be heated, when a method that does not require heating the substrate after forming the light-emitting layer, for example, an ultrasonic bonding method or an electric resistance soldering method is used, the light emission of the organic EL material is used. After forming the layer, the driving element may be mounted.

【0021】[0021]

【実施態様】図1はこの発明の一実施態様の断面図、図
2はこの図1に示したものを封止用筐体に気密封止した
実施態様を示す断面図、図3は製造工程の流れ図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment in which the structure shown in FIG. 1 is hermetically sealed in a sealing case, and FIG. It is a flowchart of.

【0022】図1、2において符号50は多層基板であ
り、低温同時焼成セラミック基板(多層LTCC基板)
である。このLTCC基板50には回路パターンが多層
構造に形成され、その一方の面(下面、発光層形成面)
には後記発光層62の外側の位置に、後記する下部・上
部対向電極58,64に接続するための表面バイア(Su
rface Buried Via-Hole, SVH)などの接続パッド52が
形成されている。またこのLTCC基板50の他方の面
(上面、駆動用素子実装面)には、後記する駆動用素子
の接続パッド(図示せず)が形成されている。
In FIGS. 1 and 2, reference numeral 50 denotes a multilayer substrate, which is a low-temperature co-fired ceramic substrate (multilayer LTCC substrate).
It is. On the LTCC substrate 50, a circuit pattern is formed in a multilayer structure, and one surface thereof (lower surface, light emitting layer forming surface)
A surface via (Su) for connecting to lower and upper counter electrodes 58 and 64 described later is provided at a position outside the light emitting layer 62 described later.
A connection pad 52 such as rface Buried Via-Hole (SVH) is formed. On the other surface (upper surface, driving element mounting surface) of the LTCC substrate 50, connection pads (not shown) for driving elements described later are formed.

【0023】このようなLTCC基板50を準備し(図
3,ステップS100)、その下面(発光層形成面)に
無機物質のコーティング層54を形成する(ステップS
102)。ここに用いる無機物質は、例えば低融点ガラ
スやその他の酸化物系の無機物質である。このコーティ
ング層54は、発光層62が形成される領域だけに選択
的に形成してもよいし、全面に形成してもよい。全面に
形成する場合には、接続パッド52の位置にコーティン
グ層54の上からレーザ光を照射してビアホールをあけ
る。すなわちレーザビア穴56(図3参照)を形成する
(ステップS104)。
The LTCC substrate 50 is prepared (FIG. 3, step S100), and a coating layer 54 of an inorganic substance is formed on the lower surface (the surface on which the light emitting layer is formed) (step S100).
102). The inorganic substance used here is, for example, low-melting glass or another oxide-based inorganic substance. The coating layer 54 may be selectively formed only on the region where the light emitting layer 62 is formed, or may be formed on the entire surface. In the case of forming the entire surface, a via hole is made by irradiating a laser beam from above the coating layer 54 to the position of the connection pad 52. That is, the laser via hole 56 (see FIG. 3) is formed (Step S104).

【0024】このコーティング層54の形成後、あるい
はレーザビア穴56の形成後、このコーティング層54
の上に下部対向電極58を形成する(ステップS10
6)。この下部対向電極58は、通常の蒸着法、スパッ
タリング法によって下面の全面に金属膜(例えばアルミ
ニウム膜)を形成し、その後フォトリソグラフィ法によ
り不用な部分をエッチングで除去することにより形成で
きる。この結果下部対向電極58の回路パターンは、前
記接続パッド52に接続される。
After the formation of the coating layer 54 or the formation of the laser via hole 56, the coating layer 54
The lower opposing electrode 58 is formed on the substrate (step S10).
6). The lower counter electrode 58 can be formed by forming a metal film (for example, an aluminum film) on the entire lower surface by a normal evaporation method or a sputtering method, and then removing unnecessary portions by etching by a photolithography method. As a result, the circuit pattern of the lower counter electrode 58 is connected to the connection pad 52.

【0025】次にLTCC基板50の他の表面(上面、
駆動用素子実装面)に駆動用素子60を実装する(ステ
ップS108)。駆動用素子60は半導体回路素子など
の能動素子や抵抗・コンデンサなどの受動素子である。
半導体回路素子の場合は、半導体ベアチップの金バンプ
を形成した電極を、LTCC基板50に形成した接続パ
ッドに直接接続する。すなわち超音波法、熱圧着法、圧
接法などによるフリップチップ接続とするのがよい。抵
抗やコンデンサなどの受動素子は公知の表面実装法では
んだ付けすればよい。
Next, the other surface of the LTCC substrate 50 (the upper surface,
The driving element 60 is mounted on the driving element mounting surface (Step S108). The driving element 60 is an active element such as a semiconductor circuit element or a passive element such as a resistor or a capacitor.
In the case of a semiconductor circuit element, an electrode on which a gold bump of a semiconductor bare chip is formed is directly connected to a connection pad formed on the LTCC substrate 50. That is, it is preferable to use a flip chip connection by an ultrasonic method, a thermocompression bonding method, a pressure welding method, or the like. Passive elements such as resistors and capacitors may be soldered by a known surface mounting method.

【0026】この駆動用素子60の実装後、この駆動用
素子60を後工程の処理から保護するためにエポキシ樹
脂やシリコン樹脂を塗布するのが望ましい(ステップS
110)。この保護処理(S110)は場合によっては
省いてもよい。
After the mounting of the driving element 60, it is desirable to apply an epoxy resin or a silicone resin to protect the driving element 60 from the processing in a later step (step S).
110). This protection processing (S110) may be omitted in some cases.

【0027】次にLTCC基板50の下面に発光層62
を形成する(ステップS112)。この発光層62は、
粉末パネル(分散型パネル)の場合は厚膜集積回路と同
様に、有機EL材料を合成樹脂または低融点ガラス粉末
中に分散させたものを塗布法やスクリーン印刷法によっ
て塗布すればよい。薄膜パネルの場合は、LTCC基板
50の下面に真空蒸着、スパッタリング法で薄膜の発光
層62を形成する。前記ステップS110では、この薄
膜により発光層62を形成する場合に、LTCC基板5
0を真空雰囲気中に入れたり、フォトリソグラフィ法に
よりカラー画素を形成するためにウェット雰囲気中に入
れられることを考慮して、これらの真空・ウェット雰囲
気から駆動用素子60を保護するために行うものであ
る。
Next, the light emitting layer 62 is formed on the lower surface of the LTCC substrate 50.
Is formed (step S112). This light emitting layer 62
In the case of a powder panel (dispersion type panel), a material obtained by dispersing an organic EL material in a synthetic resin or a low-melting glass powder may be applied by a coating method or a screen printing method as in the case of the thick film integrated circuit. In the case of a thin film panel, a thin light emitting layer 62 is formed on the lower surface of the LTCC substrate 50 by vacuum evaporation and sputtering. In step S110, when the light emitting layer 62 is formed from this thin film, the LTCC substrate 5
In order to protect the drive element 60 from these vacuum / wet atmospheres, considering that 0 can be put in a vacuum atmosphere or in a wet atmosphere for forming color pixels by photolithography, It is.

【0028】この発光層62を形成した後、この発光層
62の上に上部対向電極64を形成する(ステップS1
14)。この上部対向電極64は透明な電極であり、I
TO膜で形成される。上部対向電極64は、前記下部対
向電極58の接続パッド52(図1,2)とは異なる位
置、例えば接続パッド52を設けた辺に直交する辺に形
成した接続パッド(図示せず)に接続される。
After forming the light emitting layer 62, an upper counter electrode 64 is formed on the light emitting layer 62 (step S1).
14). The upper counter electrode 64 is a transparent electrode,
It is formed of a TO film. The upper counter electrode 64 is connected to a position different from the connection pad 52 (FIGS. 1 and 2) of the lower counter electrode 58, for example, to a connection pad (not shown) formed on a side orthogonal to the side on which the connection pad 52 is provided. Is done.

【0029】このようにして形成された図1に示す平面
発光パネル66は、図2に示すように気密封止される
(ステップS116)。ここに用いる封止材68は、下
面に透明ガラス板70を嵌め込んだ筐体72で形成され
る。ここにガラス板70はLTCC基板50の発光層6
2にスペーサ74を挟んで接着される。ここで用いる接
着剤は透明である。なおこの筐体72の中には乾燥剤7
6を封入しておく。乾燥剤76は駆動用素子60に固定
しておいてもよい。
The thus formed flat light emitting panel 66 shown in FIG. 1 is hermetically sealed as shown in FIG. 2 (step S116). The sealing material 68 used here is formed of a housing 72 in which a transparent glass plate 70 is fitted on the lower surface. Here, the glass plate 70 is the light emitting layer 6 of the LTCC substrate 50.
2 with a spacer 74 interposed therebetween. The adhesive used here is transparent. The housing 72 contains a desiccant 7.
6 is enclosed. The desiccant 76 may be fixed to the driving element 60.

【0030】[0030]

【他の実施態様】図4は他の実施態様の製造工程の流れ
図である。この実施態様は前記図3に示す工程における
ステップS108およびS110をステップS112と
逆にしたものである。すなわち下部対向電極58を形成
した後(ステップS106)、発光層62を形成し(ス
テップS108A)、駆動用素子60を実装したもので
ある(ステップS110A)。この駆動用素子60には
必要に応じて保護膜をコーティングして保護する(ステ
ップS112A)。
FIG. 4 is a flowchart of a manufacturing process according to another embodiment. In this embodiment, steps S108 and S110 in the step shown in FIG. 3 are reversed from step S112. That is, after the lower counter electrode 58 is formed (Step S106), the light emitting layer 62 is formed (Step S108A), and the driving element 60 is mounted (Step S110A). The driving element 60 is protected by coating with a protective film as necessary (step S112A).

【0031】この実施態様は、駆動用素子60の実装時
にLTCC基板50を加熱する必要が無い場合に使用で
きる。すなわち発光層62の有機EL材料は耐熱温度が
低いため、駆動用素子60の実装時に加熱処理が行われ
ないことが前提となる。例えば超音波はんだ付け法や、
電気抵抗はんだ付け法などで駆動用素子60を実装する
場合にはこの図4の方法が使用可能である。
This embodiment can be used when it is not necessary to heat the LTCC substrate 50 when mounting the driving element 60. That is, since the organic EL material of the light emitting layer 62 has a low heat-resistant temperature, it is assumed that no heat treatment is performed when the driving element 60 is mounted. For example, ultrasonic soldering,
When the driving element 60 is mounted by an electric resistance soldering method or the like, the method shown in FIG. 4 can be used.

【0032】[0032]

【発明の効果】請求項1の発明によれば、多層基板の片
面に発光層および下部・上部対向電極を形成し、他の面
に駆動用素子を実装したものであるから、電極と駆動用
素子との配線径路を短くすることができ、画素を高密度
化した場合にも駆動電流を十分に確保することができ、
またパネル全体の小型化が図れる。
According to the first aspect of the present invention, the light emitting layer and the lower and upper counter electrodes are formed on one surface of the multilayer substrate, and the driving element is mounted on the other surface. The wiring path to the element can be shortened, and the driving current can be sufficiently secured even when the density of pixels is increased.
Further, the size of the entire panel can be reduced.

【0033】このパネルは封止材で気密封止すれば、発
光層を湿気から保護することができ、パネルの寿命を長
くすることができる(請求項2)。封止材の内部には乾
燥剤を入れておけば湿気の除去が一層確実である(請求
項3)。封止材は、発光層にスペーサを介して接着した
透明ガラス板を有する筐体で形成することができる(請
求項4)。
If the panel is hermetically sealed with a sealing material, the light emitting layer can be protected from moisture, and the life of the panel can be extended (claim 2). If a desiccant is placed inside the sealing material, the removal of moisture is further ensured (claim 3). The sealing material can be formed by a housing having a transparent glass plate adhered to the light emitting layer via a spacer (claim 4).

【0034】多層基板は低温同時焼成多層セラミック板
とすれば、熱膨張率が小さいので駆動用素子としての半
導体チップをフリップチップ実装する場合に都合がよい
(請求項5)。発光層の下地として無機物質のコーティ
ング層を形成すれば、発光層の画像表示性が向上する
(請求項6)。駆動用素子を実装した後にこの素子の実
装面を樹脂被覆しておけば、素子などをその後の処理か
ら保護することができる(請求項7)。駆動用素子は半
導体ペアチップとし、これをフリップチップ実装すれ
ば、全体の小型化が一層図れる(請求項8)。
If the multi-layer substrate is a low-temperature co-fired multi-layer ceramic plate, the coefficient of thermal expansion is small, so that it is convenient when a semiconductor chip as a driving element is flip-chip mounted. If an inorganic substance coating layer is formed as a base of the light emitting layer, the image display property of the light emitting layer is improved (claim 6). If the mounting surface of this element is covered with a resin after mounting the driving element, the element and the like can be protected from the subsequent processing (claim 7). If the driving element is a semiconductor pair chip, and this is flip-chip mounted, the overall size can be further reduced (claim 8).

【0035】請求項9〜11の発明によれば、請求項1
〜8の平面発光パネルの製造方法が得られる。
According to the invention of claims 9 to 11, claim 1
To 8 are obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施態様を示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.

【図2】同じく気密封止した状態を示す断面図FIG. 2 is a cross-sectional view showing the same airtightly sealed state.

【図3】製造工程の流れ図FIG. 3 is a flowchart of a manufacturing process.

【図4】製造工程の他の実施態様を示す流れ図FIG. 4 is a flowchart showing another embodiment of the manufacturing process.

【図5】従来の平面発光パネルを示す断面図FIG. 5 is a sectional view showing a conventional flat light emitting panel.

【図6】従来の平面発光パネルを示す断面図FIG. 6 is a cross-sectional view showing a conventional flat light-emitting panel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

50 多層基板(多層LTCC基板) 54 コーティング層 58 下部対向電極 60 駆動用素子(半導体チップ) 62 発光層(有機EL材料) 64 上部対向電極(透明電極) 66 平面発光パネル 68 封止材 70 透明ガラス板 72 筐体 74 スペーサ 76 乾燥剤 Reference Signs List 50 multilayer substrate (multilayer LTCC substrate) 54 coating layer 58 lower opposing electrode 60 driving element (semiconductor chip) 62 light emitting layer (organic EL material) 64 upper opposing electrode (transparent electrode) 66 flat light emitting panel 68 sealing material 70 transparent glass Plate 72 housing 74 spacer 76 desiccant

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/10 H05B 33/10 33/14 33/14 A (72)発明者 荒野 智 東京都港区西新橋三丁目20番1号 日本ア ビオニクス株式会社内 (72)発明者 中谷 直人 東京都港区西新橋三丁目20番1号 日本ア ビオニクス株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB05 AB18 BA06 BB01 BB05 CA02 CB01 DA01 DB03 EA01 EB00 EC01 FA02 5C094 AA07 AA13 AA15 AA25 AA38 AA43 BA27 CA19 DA09 DA12 DA13 DB01 DB02 EA05 EA10 EB10 FA02 FB12 FB15 GB10 5G435 AA03 AA13 AA16 AA17 AA18 BB05 CC09 EE12 EE32 EE36 EE41 HH12 HH14 KK02 KK05 KK09 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) H05B 33/10 H05B 33/10 33/14 33/14 A (72) Inventor Satoshi Arano Nishi, Minato-ku, Tokyo 3-20-1, Shimbashi Nippon Avionics Co., Ltd. (72) Naoto Nakatani 3-20-1, Nishi-Shimbashi, Minato-ku, Tokyo F-term within Nippon Avionics Co., Ltd. 3K007 AB05 AB18 BA06 BB01 BB05 CA02 CB01 DA01 DB03 EA01 EB00 EC01 FA02 5C094 AA07 AA13 AA15 AA25 AA38 AA43 BA27 CA19 DA09 DA12 DA13 DB01 DB02 EA05 EA10 EB10 FA02 FB12 FB15 GB10 5G435 AA03 AA13 AA16 AA17 AA18 BB05 CC09 EE05 BB05 CC09 EE

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 多層基板の一方の面に有機EL材料から
なる発光層を一体的に形成した平面発光パネルであっ
て、 前記発光層の形成面のこの発光層より外側に電極接続用
の接続パッドが形成され、他方の面に駆動用素子実装用
の接続パッドがそれぞれ形成され、これら両面の接続パ
ッドが内層回路で接続された多層基板と、 この多層基板の一方の面に形成され前記電極接続用の一
部の接続パッドに接続された下部対向電極と、 この上に形成された有機EL材料からなる発光層と、 この発光層の上に形成され前記電極接続用の他の接続パ
ッドに接続された透明な上部対向電極と、 前記多層基板の他方の面に実装され前記発光層を発光さ
せるための駆動用素子と、を備えることを特徴とする平
面発光パネル。
1. A flat light-emitting panel in which a light-emitting layer made of an organic EL material is integrally formed on one surface of a multilayer substrate, and a connection for electrode connection is formed on a surface on which the light-emitting layer is formed, outside the light-emitting layer. Pads are formed, connection pads for mounting driving elements are formed on the other surface, and connection pads on both surfaces are connected by an inner layer circuit; and the electrode is formed on one surface of the multilayer substrate. A lower opposing electrode connected to some connection pads for connection, a light emitting layer formed of an organic EL material formed thereon, and another connection pad formed on the light emitting layer and connected to the electrode. A flat light-emitting panel comprising: a connected transparent upper counter electrode; and a driving element mounted on the other surface of the multilayer substrate to emit light from the light-emitting layer.
【請求項2】 全体が封止材によって気密封止されてい
る請求項1の平面発光パネル。
2. The flat light-emitting panel according to claim 1, wherein the whole is hermetically sealed with a sealing material.
【請求項3】 封止材の内部には乾燥剤が入れられてい
る請求項2の平面発光パネル。
3. The flat light emitting panel according to claim 2, wherein a desiccant is contained in the sealing material.
【請求項4】 封止材は、発光層にスペーサを介して接
着された透明ガラス板を持った筐体で形成されている請
求項1〜3のいずれかの平面発光パネル。
4. The flat light-emitting panel according to claim 1, wherein the sealing material is formed of a housing having a transparent glass plate adhered to the light-emitting layer via a spacer.
【請求項5】 多層基板は低温同時焼成多層セラミック
板である請求項1〜4のいずれかの平面発光パネル。
5. The flat light-emitting panel according to claim 1, wherein the multilayer substrate is a low-temperature co-fired multilayer ceramic plate.
【請求項6】 多層基板の一方の面には、発光層の下地
となる無機物質のコーティング層が形成されている請求
項1〜5のいずれかの平面発光パネル。
6. The flat light-emitting panel according to claim 1, wherein a coating layer of an inorganic substance serving as a base of the light-emitting layer is formed on one surface of the multilayer substrate.
【請求項7】 駆動用素子を実装した面は樹脂被覆され
ている請求項1〜6のいずれかの平面発光パネル。
7. The flat light-emitting panel according to claim 1, wherein a surface on which the driving element is mounted is covered with a resin.
【請求項8】 駆動用素子は多層基板の表面にフリップ
チップ実装された半導体ベアチップである請求項1〜7
のいずれかの平面発光パネル。
8. The driving element is a semiconductor bare chip flip-chip mounted on a surface of a multilayer substrate.
Any of the flat light emitting panels.
【請求項9】 多層基板の一方の面に有機EL材料から
なる発光層を一体的に形成した平面発光パネルの製造方
法であって、 (a)異なる面に発光層の電極接続用の接続パッドおよ
び駆動用素子の実装用の接続パッドがそれぞれ形成され
これら両面の接続パッドは内層回路で接続されている多
層基板を用意する; (b)多層基板の電極接続用の接続パッドを形成した面
に無機材料からなるコーティング層を形成して表面を平
滑化する; (c)コーティング層の上に、前記発光層の電極接続用
の一部の接続パッドに接続された下部対向電極を形成す
る; (d)多層基板の駆動用素子実装用の接続パッドを形成
した面に駆動用素子を実装する; (e)コーティング層の上に有機EL材料からなる発光
層を形成する; (f)この発光層の上に前記電極接続用の他の接続パッ
ドに接続された透明な上部対向電極を形成する; 以上の各工程(a)〜(f)を有することを特徴とする
平面発光パネルの製造方法。
9. A method of manufacturing a flat light-emitting panel in which a light-emitting layer made of an organic EL material is integrally formed on one surface of a multilayer substrate, comprising: (a) connection pads for connecting electrodes of the light-emitting layer on different surfaces. And a connection board for mounting the drive element is formed, and a connection board on both sides of the connection board is formed, and a connection board on the both sides is prepared by a multilayer board. Forming a coating layer made of an inorganic material to smooth the surface; (c) forming a lower counter electrode connected to a part of connection pads for electrode connection of the light emitting layer on the coating layer; d) mounting the driving element on the surface of the multilayer substrate on which the connection pads for mounting the driving element are formed; (e) forming a light emitting layer made of an organic EL material on the coating layer; (f) this light emitting layer Above the Forming a transparent upper counter electrode connected to another connection pad for electrode connection; a method for manufacturing a flat light-emitting panel, comprising the above steps (a) to (f).
【請求項10】 請求項9の工程(d)の次に、以下の
工程(d−1)、 (d−1)駆動用素子を保護する保護処理を行う;を付
加した平面発光パネルの製造方法。
10. A flat light-emitting panel having the following steps (d-1) and (d-1): a protection process for protecting a driving element is performed after step (d) of claim 9. Method.
【請求項11】 多層基板の一方の面に有機EL材料か
らなる発光層を一体的に形成した平面発光パネルの製造
方法であって、 (A)異なる面に発光層の電極接続用の接続パッドおよ
び駆動用素子の実装用の接続パッドがそれぞれ形成され
これら両面の接続パッドは内層回路で接続されている多
層基板を用意する; (B)多層基板の電極接続用の接続パッドを形成した面
に無機材料からなるコーティング層を形成して表面を平
滑化する; (C)コーティング層の上に、前記発光層の電極接続用
の一部の接続パッドに接続された下部対向電極を形成す
る; (D)コーティング層の上に有機EL材料からなる発光
層を形成する; (E)多層基板の駆動用素子実装用の接続パッドを形成
した面に駆動用素子を低温処理で実装する; (F)この発光層の上に透明な上部対向電極を形成す
る;以上の各工程(A)〜(F)を有することを特徴と
する平面発光パネルの製造方法。
11. A method for manufacturing a flat light-emitting panel in which a light-emitting layer made of an organic EL material is integrally formed on one surface of a multilayer substrate, wherein (A) connection pads for connecting electrodes of the light-emitting layer on different surfaces. And a connection board for mounting a driving element is formed, respectively, and a connection board on both sides of the connection board is prepared. A multilayer board connected by an inner layer circuit is prepared. (B) On a face of the multilayer board on which connection pads for electrode connection are formed. Forming a coating layer made of an inorganic material to smooth the surface; (C) forming a lower counter electrode connected to some connection pads for electrode connection of the light emitting layer on the coating layer; D) forming a light-emitting layer made of an organic EL material on the coating layer; (E) mounting the driving element on a surface of the multilayer substrate on which the connection pad for mounting the driving element is formed; This luminescence Forming a transparent upper counter electrode on the layer; a method for manufacturing a flat light-emitting panel, comprising the above steps (A) to (F).
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006061728A2 (en) * 2004-12-06 2006-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Single chip led as compact color variable light source
KR100705800B1 (en) 2005-12-26 2007-04-09 엘지전자 주식회사 Light emitting display device and spacer film for encapsulating the same
CN100452932C (en) * 2005-05-30 2009-01-14 友达光电股份有限公司 Organic electro photoluminescence device, and assembly method
KR101092367B1 (en) 2004-09-17 2011-12-09 에스케이씨 주식회사 Organic light emitting diode and method for fabricating the same
KR20120093082A (en) * 2011-02-14 2012-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Lighting device
WO2013046455A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 パイオニア株式会社 Organic el module and method of manufacture thereof
JP2013544009A (en) * 2010-10-21 2013-12-09 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ OLED device having brightness distribution control means
WO2019130739A1 (en) * 2017-12-26 2019-07-04 株式会社ジャパンディスプレイ Display device and method for manufacturing display device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101092367B1 (en) 2004-09-17 2011-12-09 에스케이씨 주식회사 Organic light emitting diode and method for fabricating the same
WO2006061728A2 (en) * 2004-12-06 2006-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Single chip led as compact color variable light source
WO2006061728A3 (en) * 2004-12-06 2006-11-30 Koninkl Philips Electronics Nv Single chip led as compact color variable light source
US8026532B2 (en) 2004-12-06 2011-09-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Single chip LED as compact color variable light source
CN100452932C (en) * 2005-05-30 2009-01-14 友达光电股份有限公司 Organic electro photoluminescence device, and assembly method
KR100705800B1 (en) 2005-12-26 2007-04-09 엘지전자 주식회사 Light emitting display device and spacer film for encapsulating the same
JP2013544009A (en) * 2010-10-21 2013-12-09 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ OLED device having brightness distribution control means
KR20120093082A (en) * 2011-02-14 2012-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Lighting device
JP2016178096A (en) * 2011-02-14 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
KR101890565B1 (en) * 2011-02-14 2018-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Lighting device
WO2013046455A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 パイオニア株式会社 Organic el module and method of manufacture thereof
WO2019130739A1 (en) * 2017-12-26 2019-07-04 株式会社ジャパンディスプレイ Display device and method for manufacturing display device

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