JP2002141872A - 電気光変換器用歪補償回路 - Google Patents

電気光変換器用歪補償回路

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JP2002141872A
JP2002141872A JP2000337507A JP2000337507A JP2002141872A JP 2002141872 A JP2002141872 A JP 2002141872A JP 2000337507 A JP2000337507 A JP 2000337507A JP 2000337507 A JP2000337507 A JP 2000337507A JP 2002141872 A JP2002141872 A JP 2002141872A
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敏郎 田中
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気光変換器から発生する非直線
歪をキャンセルする歪補償回路を得る。 【解決手段】 2次歪発生回路12と、2次歪発
生回路12の出力結合部に設けた振幅対周波数特性補償
回路16と、2次歪発生回路12の前段に設けたRF信
号を分配するための分配用方向性結合器14と、その結
合ポートに設けた3次歪発生回路13と、3次歪発生回
路の後段に設けた振幅対周波数特性補償回路26と、2
次歪発生回路12側の信号と3次歪発生回路13側の信
号の位相対周波数特性補償用遅延線16と、2次歪発生
回路12側の信号と3次歪発生回路13側の信号を合成
するための合成用方向性結合器15を備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
等の電気光変換器の非直線歪をキャンセルするための歪
補償回路であって、電気光変換器の変調入力の前段に設
けた歪補償回路に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザダイオード等の電気光変換器を発
光源とするCATV等の広帯域周波数多重信号伝送用通
信システムにおいては混変調等による伝送品質の劣化が
起きないように非常に低歪の伝送路が要求される。レー
ザダイオード等の電気光変換器の非直線歪を電気光変換
器の変調入力の前段に設けた歪発生回路で発生する歪を
用いてキャンセルする歪補償回路であって、歪発生回路
にダイオードを用いるものの実施例として図4がある。
【0003】図4において1はレーザダイオード等を用
いた電気光変換器、2は2次歪発生回路、3は歪レベル
調整用並列抵抗、4は歪レベル調整用直列抵抗、5〜6
は歪発生用ダイオードのバイアス抵抗、7〜9は直流阻
止用キャパシタ、10はノイズ阻止用キャパシタ、11
は歪発生用ダイオードである。
【0004】2次歪発生回路2において、RF入力端子
における電位の増加に伴い歪発生用ダイオード11は逆
方向にバイアスされ、動作抵抗は増加するので歪レベル
調整用抵抗3および歪レベル調整用直列抵抗4を含む2
次歪発生回路2の直列抵抗も増加する。すなわち、2次
歪発生回路2の入力電圧対出力電圧特性は入力電圧の増
加に対して出力電圧が圧縮されるサブリニア特性とな
る。
【0005】従って、電気光変換器1の動作電流対光出
力電力特性が動作電流の増加に対して光出力電力が伸長
されるスーパリニア特性の場合、2次歪発生回路2の非
直線歪(主として2次歪)と電気光変換器1の非直線歪
(主として2次歪)は逆位相の関係になるから2次歪発
生回路2の歪レベル調整用並列抵抗3およびひずみレベ
ル調整用直列抵抗4を調整することで電気光変換器1の
非直線歪(主として2次歪)に対して逆位相同レベルの
非直線歪(主として2次歪)を発生することができ、電
気光変換器1の非直線歪(主として2次歪)を2次歪発
生回路2の非直線歪(主として2次歪)によりキャンセ
ルできる。
【0006】電気光変換器1の動作電流対光出力電力特
性が動作電流の増加に対して光出力電力が圧縮されるサ
ブリニアの場合は2次歪発生回路2の歪発生用ダイオー
ド11を逆向きとしバイアス電源VB1の極性を負極性
にするか、または、バイアス抵抗5、バイアス抵抗6お
よびノイズ阻止用キャパシタ10を歪発生用ダイオード
11に接続したままで歪発生用ダイオード11を逆向き
にすることで2次歪発生回路2の入力電圧対出力電圧特
性をスーパリニアすなわち非直線歪(主として2次歪)
の位相を逆位相にすることができ、上記同様に、電気光
変換器1の非直線歪(主として2次歪)を2次歪発生回
路2の非直線歪(主として2次歪)によりキャンセルで
きる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】電気光変換器1を光変
調度一定の条件で使う場合、光出力電力を増加させるた
めには動作電流を増加させると共に変調入力レベルを増
加させる必要がある。又、変調入力レベルを増加させる
ためには2次歪発生回路2のRF入力レベルを増加させ
る必要がある。電気光変換器1の非直線歪は動作電流お
よび変調入力レベルの増加に伴い徐々に増加するが歪成
分は主として2次歪のままである。一方、2次歪発生回
路2の非直線歪はRF入力レベルの増加に伴い徐々に増
加し2次歪以外に3次、4次、・・の歪も増加し、特に
3次歪は2次歪に対して−10dB程度と無視できない
値となり、結果的に電気光変換器1の2次歪は改善でき
るが3次歪は劣化するという課題があった。
【0008】また、2次歪発生回路2の歪レベル(振
幅)対周波数特性が悪く、高周波領域において歪レベル
が低下し、十分なキャンセルができないという課題があ
った。
【0009】そこで本発明は2次歪発生回路2のRF入
力レベルを増加させても変調入力に2次歪以外、特に3
次歪を発生させず、電気光変換器1の3次歪を劣化させ
ることのない、また、所要の全周波数帯域において使用
可能な歪補償回路を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の電気光変換器用
歪補償回路は、ダイオードと前記ダイオードに交流的に
並列接続した抵抗とを有する2次歪発生器と、2個のダ
イオードを逆向きに接続してなる3次歪発生器と、前記
2次歪発生器と前記3次歪発生器に信号を分配するため
の方向性結合器と、前記2次歪発生器と3次歪発生器の
信号を合成するための方向性結合器と、前記2次歪発生
回路で発生する3次歪と前記3次歪発生回路で発生する
3次歪の位相対周波数特性を補償するための遅延線とを
備えたものである。
【0011】また、本発明の電気光変換器用歪補償回路
は、2次歪発生回路のダイオードに直列接続するように
抵抗とキャパシタを並列接続した振幅対周波数特性補償
回路と、3次歪発生回路のダイオードに直列接続するよ
うに抵抗とキャパシタを並列接続した振幅対周波数特性
補償回路とを備えたものである。
【0012】
【発明の実施の形態】実施の形態1.実施の形態1は2
次歪発生回路の入力部及び出力部に方向性結合器を設
け、方向性結合器の結合ポート側に3次歪発生回路を設
ける方法、すなわち、2次歪発生回路に対して並列に3
次歪発生回路を設け、2次歪発生回路発生する3次歪を
3次歪発生回路で発生する3次歪によりキャンセルし、
2次歪だけを発生させる方法の歪補償回路である。この
方法を実施する歪補償回路の構成について以下に説明す
る。
【0013】図1はこの発明による実施の形態1を示す
電気光変換器用歪補償回路のブロック図である。図にお
いて、12は2次歪発生回路、13は3次歪発生回路、
14は入出力ポートと結合ポートを持つ信号分配用方向
性結合器、15は入出力ポートと結合ポートを持つ合成
用方向性結合器、16は2次歪発生回路12側と3次歪
発生回路13側の信号の位相対周波数特性補償用遅延線
である。17,18は3次歪発生回路13の歪発生用ダ
イオード11にバイアス電流を供給すためのバイアス抵
抗、19,20は3次歪発生回路の歪レベル調整用抵
抗、21,22は3次歪発生回路の歪発生用ダイオード
のバイアス電流調整用抵抗、23〜25は直流阻止用キ
ャパシタ、26は歪レベル調整用抵抗20に並列接続す
ることで3次歪発生回路13側と2次歪発生回路12側
の3次歪の振幅対周波数特性を同様のものにするための
振幅対周波数特性補償用キャパシタ、27,28は3次
歪発生回路13のバイアス電源からのノイズを阻止する
ためのノイズ阻止用キャパシタ、29は歪発生用ダイオ
ードのバイアス電流回路を構成するためのチョークコイ
ル、30,31は3次歪発生用ダイオード、32は2次
歪発生回路12の歪レベル調整用抵抗、33は歪レベル
調整用抵抗32に並列接続し、2次歪の振幅対周波数特
性を平坦にするための振幅対周波数特性補償用キャパシ
タ、34は2次歪発生回路12の歪発生用ダイオード1
1のバイアス電流調整用抵抗で構成される。
【0014】次にこの実施の形態1の動作について説明
する。電気光変換器1の動作電流対光出力電力特性が動
作電流の増加に対して光出力電力が伸長されるスーパリ
ニア特性の場合について説明する。歪補償回路に入力さ
れたRF信号の基本波は分配用方向性結合器14の入力
ポートに入力され、出力ポートと所要の結合度をもつ結
合ポートに分配される。分配用方向性結合器14および
合成用方向性結合器15の入力および出力ポートに対す
る結合ポートの位相は同位相と逆位相の2種類があるが
ここでは同位相の場合について説明する。
【0015】分配用方向性結合器14の出力ポートに分
配されたRF信号の基本波は2次歪発生回路12に入力
され、従来技術で説明の通り、RF信号の基本波、2次
歪及び3次歪を出力する。2次歪発生回路12におい
て、歪レベル調整用抵抗4と出力の間には歪レベル調整
用抵抗32と振幅対周波数特性補償用キャパシタ33の
並列接続回路が挿入されている。この並列接続回路は合
成インピーダンスが高周波側で低下するため2次歪発生
回路の2次歪および3次歪の高周波側での歪レベルの低
下はキャンセルされて全周波数帯域でほぼ平坦になる。
【0016】図2はRF信号の基本波f1=200MH
z,f2=250MHzとした場合の2次歪及び3次歪
の歪発生レベル対歪発生ダイオードのバイアス電流特性
を示す。図2に示す通り、3次歪はバイアス電流に対し
て双峰特性となりバイアス電流の低電流域と高電流域で
は3次歪の位相が大きく異なる。2次歪発生回路12か
らのRF信号の基本波、2次歪及び3次歪は位相対周波
数特性補償用遅延線16を通って合成用方向性結合器1
5の入力ポートに供給される。
【0017】一方、分配用方向性結合器14の結合ポー
トに分配されたRF信号の基本波は3次歪発生回路13
に入力される。歪発生用ダイオード30は電源VB2よ
りバイアス調整用抵抗21、バイアス抵抗18及びチョ
ークコイル29に向かって流れるバイアス電流により順
方向にバイアスされる。同様に、歪発生用ダイオード3
1はチョークコイル29、バイアス抵抗17、バイアス
調整用抵抗22、電源VB3に向かって流れるバイアス
電流によって順方向にバイアスされる。
【0018】歪発生用ダイオード30のアノードと歪発
生用ダイオード31のカソードは直流阻止用キャパシタ
24により交流的に接続されているので、RF信号の基
本波は歪発生用ダイオード30のカソードおよび歪発生
用ダイオード31のアノードに入力され、歪発生用ダイ
オード30および歪発生用ダイオード31を通して得ら
れるRF信号の基本波および歪信号の合成信号は3次歪
発生回路13から出力される。
【0019】3次歪発生回路13の入力および出力に対
して歪発生用ダイオード30と31は逆向きに接続され
ているからバイアス電流対バイアス電圧特性等の諸特性
がほぼ同一であるダイオードを使用し、また、同一バイ
アス電流条件で使用すれば歪発生ダイオード30と31
が発生する2次歪については逆位相、同レベル条件とな
り3次歪発生回路の2次歪はキャンセルされる。
【0020】3次歪発生回路13の出力部には歪レベル
調整用抵抗19および、歪レベル調整用抵抗20と振幅
対周波数特性補償用キャパシタ26の並列接続回路が挿
入され、2次歪発生回路の歪と同様の平坦特性となるよ
うに歪の振幅対周波数特性が補償される。
【0021】図3はRF信号の基本波f1=200MH
z,f2=450MHzとした場合の2次歪及び3次歪
の歪レベル対歪発生ダイオードのバイアス電流特性を示
す。図3に示す通り、3次歪はバイアス電流の低電流域
でのみ発生する特性となり、高電流域では2次歪同様互
いに逆接続した歪発生用ダイオード30,31によりキ
ャンセルされることを示す。
【0022】すなわち、3次歪発生回路で発生する3次
歪は図2に示す2次歪発生回路12で発生する3次歪の
低電流域の歪と同位相、高電流域の歪と逆位相の関係に
なる。3次歪発生回路13から出力されたRF信号の基
本波および3次歪は合成用方向性結合器15の結合ポー
トに入力され、所要の結合度を持って入力ポートからの
RF信号の基本波、2次歪および3次歪と合成され、出
力ポートに出力される。
【0023】2次歪発生回路12の歪発生用ダイオード
11のバイアス電流を電気光変換器1の2次歪をキャン
セルできる高電流域の所定の電流値に設定し、分配用方
向性結合器14から合成用結合器15までの2次歪発生
回路12側の電気的線路長と分配用方向性結合器14か
ら合成用結合器15までの3次歪発生回路13側の電気
的線路長を同じにすれば2次歪発生器12で発生する3
次歪と3次歪発生回路13で発生する3次歪は逆位相に
なり、3次歪発生回路13の歪発生用ダイオード30,
31のバイアス電流を変化させて3次歪レベルを2次歪
発生回路で発生する3次歪と同レベルにすることで低周
波数域の3次歪はキャンセルできる。
【0024】しかし、高周波数域の3次歪は、2次歪発
生器12で発生する3次歪と3次歪発生回路13で発生
する3次歪の位相対周波数特性が異なるため十分なキャ
ンセルができない。通常、3次歪発生回路13で発生す
る3次歪の位相の方がより遅れるため2次歪発生回路1
2の後段に位相対周波数特性補償用遅延線16を設ける
ことで全周波数帯域において3次歪をキャンセルでき
る。
【0025】3次歪発生回路13で発生する3次歪の歪
レベルは3次歪発生回路13に入力されるRF信号の基
本波レベルにより変化するので分配用方向性結合器14
の結合度は必要な3次歪レベルが得られる程度に大きく
設定する。3次歪発生回路13からの3次歪は合成用方
向性結合器15の結合ポートを通して2次歪発生回路1
2からの信号と合成されるので合成用方向性結合器15
の結合度は3次歪歪発生回路13からの3次歪が合成用
方向性結合器15の出力において2次歪発生回路からの
3次歪と同レベルとなりキャンセルするのに必要なレベ
ルが得られる程度に大きく設定する。
【0026】一方、3次歪の位相対周波数特性補償用遅
延線16を設けたことで2次歪発生回路12側の基本波
と3次歪発生回路13側の基本波に対する電気的線路長
に差ができるので基本波の合成信号の振幅対周波数特性
は両信号の干渉特性により劣化する。3次歪発生器13
側の基本波レベルを、2次歪発生器12側に対してでき
るだけ小さく、すなわち、分配用方向性結合器14およ
び合成用方向性結合器15の結合度をできるだけ小さく
設定する必要がある。
【0027】以上、3次歪発生器13からキャンセルに
必要な所要の3次歪を得ること、および基本波の干渉問
題を考慮して、分配用方向性結合器14および合成用方
向性結合器15の結合度は各々、電力比にて−10〜−
15dB程度に設定される。
【0028】さて、以上は電気光変換器1の動作電流対
光出力電力特性が動作電流の増加に対して光出力電力が
伸長されるスーパリニア特性の場合について説明した
が、電気光変換器1の動作電流対光出力電力特性が動作
電流の増加に対して光出力電力が圧縮されるサブリニア
特性の場合については、2次歪発生回路12の歪発生用
ダイオード11を逆向きとしバイアス電源VB1の極性
を負極性にするか、または、バイアス抵抗5、バイアス
抵抗6、バイアス調整用抵抗34およびノイズ阻止キャ
パシタ10を歪発生用ダイオード11に接続したままで
歪発生用ダイオード11を逆向きとし、順方向のバイア
ス電流を供給する必要がある。
【0029】歪発生用ダイオード11を逆向きにするこ
とで2次歪の位相は逆位相になり、電気光変換器1の動
作電流対光出力電力特性が動作電流の増加に対して光出
力電力が圧縮されるサブリニア特性の場合の2次歪をキ
ャンセルできる。
【0030】但し、歪発生用ダイオード11のバイアス
電流を高電流域で使用する場合3次歪についても逆位相
になるため、2次歪発生回路12で発生する3次歪を3
次歪発生回路13で発生する3次歪でキャンセルするた
めには、分配用方向性結合器14または合成用方向性結
合器15は、いずれか一方は、入出力ポートに対する結
合ポートの位相が逆位相であるものを使用する必要があ
る。
【0031】
【発明の効果】以上のように、本発明の歪補償回路によ
れば、2次歪発生回路に設けた歪信号の振幅対周波数特
性補償回路により、所要の全周波数帯域において平坦な
歪信号が得られる。
【0032】また、本発明の歪補償回路によれば、3次
歪発生回路と3次歪発生回路の後段に設けた歪信号の振
幅対周波数特性補償回路により、2次歪発生回路で発生
する歪信号と同様の振幅対周波数特性をもつ歪信号が得
られる。
【0033】さらに、本発明の歪補償回路によれば、R
F信号を分配用方向性結合器で2次歪発生回路と3次歪
発生回路に分配し、2次歪発生回路で発生する3次歪と
3次歪発生回路で発生する3次歪を合成用方向性結合器
で合成させたときに、両方の3次歪の位相対周波数特性
が一致するように位相対周波数特性補償用遅延線を通し
て合成することにより、所要の全周波数帯域において、
2次歪発生回路で発生する3次歪を3次歪発生回路で発
生する3次歪でキャンセルすることができ、電気光変換
器1の3次歪を劣化させずに歪補償できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1を示す電気光変換用歪
補償回路のブロック図である。
【図2】 2次歪発生回路の歪レベル対ダイオードバイ
アス電流特性図である。
【図3】 3次歪発生回路の歪レベル対ダイオードバイ
アス電流特性図である。
【図4】 従来の電気光変換用歪補償回路示すブロック
図である。
【符号の説明】
1 電気光変換器、 2 2次歪発生回路、 3 歪レ
ベル調整用並列抵抗、4 歪レベル調整用直列抵抗、
5、6 バイアス抵抗、 7〜9 直流阻用キタ、 1
0 ノイズ阻止用キャパシタ、 11 歪発生用ダイオ
ード、 122次歪発生回路、 13 3次歪発生回
路、 14 分配用方向性結合器、15 合成用方向性
結合器、 16 位相たい周波数特性補償用遅延線、
17〜18 バイアス抵抗、 19、20 歪レベル調
整用抵抗、 21,22 バイアス調整用抵抗、 23
〜25 直流阻止用キャパシタ、 26 振幅対周波数
特性補償用キャパシタ、 27 ノイズ阻止用キャパシ
タ、 29 チョークコイル、 31、32 歪発生用
ダイオード、 32 歪レベル調整用抵抗、33 振幅
対周波数特性補償用キャパシタ、 34 バイアス調整
用抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01S 5/062 H04B 1/62 10/02 10/18

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイオードと前記ダイオードに交流的に
    並列接続した抵抗とを有する2次歪発生器と、2個のダ
    イオードを逆向きに接続してなる3次歪発生器と、前記
    2次歪発生器と前記3次歪発生器に信号を分配するため
    の方向性結合器と、前記2次歪発生器と前記3次歪発生
    器の信号を合成するための方向性結合器と、前記2次歪
    発生回路で発生する3次歪と前記3次歪発生回路で発生
    する3次歪の位相対周波数特性を補償するための遅延線
    とを備えたことを特徴とする電気光変換器用歪補償回
    路。
  2. 【請求項2】 前記2次歪発生回路のダイオードに直列
    接続するように抵抗とキャパシタを並列接続した振幅対
    周波数特性補償回路と、前記3次歪発生回路のダイオー
    ドに直列接続するように抵抗とキャパシタを並列接続し
    た振幅対周波数特性補償回路とを備えたことを特徴とす
    る請求項1記載の電気光変換器用歪補償回路。
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