JP2002141454A - パワーmosfet - Google Patents
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Abstract
を提供する。 【解決手段】 MOSFET回路が作り込まれたペレッ
ト10のドレイン用電極パッド21はヘッダ41に高融
点半田によって接続し、ペレット10のゲート用電極パ
ッド19およびソース用電極パッド20はインナリード
36、37に低融点半田の半田バンプからなる接続部2
5、26によって接続する。ソース用インナリード37
には複数の分岐部を設け、各分岐部にそれぞれ形成した
複数個の接続部26でソース用電極パッド20に接続す
る。 【効果】 ソース電極が複数個のバンプ接続部でインナ
リードに接続されることで、大電流のソース電極の電気
抵抗が小さくなるため、外部抵抗分を効果的に抑制でき
る。ソース用インナリードの分岐部で熱応力を吸収でき
るため、各分岐部に配設された複数のバンプからなる接
続部をソース電極に適正に形成できる。
Description
技術、特に、電気抵抗の低減技術に関し、例えば、単体
のパワートランジスタやパワー集積回路装置(以下、パ
ワーICという。)等の高出力で高発熱の半導体装置に
利用して有効なものに関する。
C等の高出力で高発熱の半導体装置は、電池駆動装置の
電源やスイッチ、自動車電装品、モータ駆動用制御装置
等の電子機器や電気機器のあらゆる分野に使用されてい
る。このような高出力で高発熱の半導体装置のうち従来
のパワートランジスタを述べてある例として、特開昭5
9−25256号公報がある。このパワートランジスタ
は、リードフレームに放熱のためのヘッダが一体的に形
成されており、このヘッダの上にペレットが固定されて
いるとともに、このペレットの電極パッドとインナリー
ドとがボンディングワイヤによって電気的に接続されて
おり、ペレット、インナリード群およびヘッダの一部が
樹脂封止体によって樹脂封止されている。
スタにおいては、ボンディングワイヤの電気抵抗分およ
びペレットのアルミニウム配線の電気抵抗分(以下、外
部抵抗分という。)と、ペレット内部の抵抗分(以下、
内部抵抗分という。)との合計がパワートランジスタ全
体のオン抵抗になる。ここで、内部抵抗分が大きい段階
においては外部抵抗分が問題になることは殆どなかっ
た。ところが、技術革新が進展し、内部抵抗分が小さく
改善されて外部抵抗分の大きさが全体の50%程度を越
える段階になると、外部抵抗分を無視することができな
い状況になる。
とができる半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
半導体装置の製造方法は、電子回路要素が作り込まれて
小形の平板形状に形成された半導体ペレットが準備され
る工程と、複数本のインナリードが連結されたリードフ
レームが準備される工程と、熱伝導性の良好な材料が用
いられて前記半導体ペレットよりも大きい形状に形成さ
れたヘッダが準備される工程と、前記ヘッダに前記半導
体ペレットが電子回路要素を作り込まれた側と反対側の
主面を結合される工程と、前記各インナリードが前記半
導体ペレットにインナリード側または半導体ペレット側
のバンプによって形成された接続部により電気的かつ機
械的に接続される工程と、前記ヘッダが結合され前記イ
ンナリード群が接続された半導体ペレット、インナリー
ド群およびヘッダの一部を樹脂封止する樹脂封止体が成
形される工程と、を備えていることを特徴とする。
半導体ペレットに各接続部によって直接的に接続されて
いるため、ボンディングワイヤによる電気的接続に比べ
て外部抵抗分が大幅に低減されることになる。また、ヘ
ッダはインナリード群とは別体になっているため、イン
ナリードの材質に無関係に放熱性能の良好な材質を用い
てヘッダを形成することにより、ヘッダの放熱性能を高
めることができる。
半導体装置の製造方法によって製造されたパワーMOS
FETを示しており、(a)は一部切断平面図、(b)
は正面断面図である。図2以降は本発明の一実施形態で
あるパワーMOSFETの製造方法を説明するための各
説明図である。
装置の製造方法は、パワーMOSFET(以下、トラン
ジスタという。)の製造方法として構成されている。こ
のトランジスタ1は、MOSFET回路が作り込まれ小
形の平板形状に形成された半導体ペレット(以下、ペレ
ットという。)10と、MOSFET回路を電気的に外
部に引き出すための3本のインナリード35、36、3
7と、放熱性能を高めるためのヘッダ41と、ペレット
10、インナリード群およびヘッダ41の一部を樹脂封
止する樹脂封止体44とを備えている。ペレット10の
回路要素が作り込まれた側の主面(以下、上面とす
る。)には各インナリード35、36、37がバンプか
ら形成された接続部25、26、27によって電気的か
つ機械的に接続されている。また、ペレット10の反対
側の主面である下面にはヘッダ41が結合されている。
そして、このトランジスタ1は以下に述べるような製造
方法によって製造されている。
スタの製造方法を説明する。この説明により、前記トラ
ンジスタ1についての構成の詳細が明らかにされる。
図2に示されているペレット10、図3に示されている
多連リードフレーム30および図4に示されているヘッ
ダが、ペレット準備工程、リードフレーム準備工程およ
びヘッダ準備工程においてそれぞれ準備される。
体装置の製造工程における所謂前工程においてウエハ状
態にてパワーMOSFET回路を適宜作り込まれた後
に、小さい正方形の薄板形状に分断(ダイシング)され
ることにより、製作されたものである。このペレット1
0はサブストレート11を備えており、サブストレート
11の上にはポリシリコンによってゲート12が下敷き
シリコン酸化膜13を介して形成されている。サブスト
レート11におけるゲート12の外側に対応するサブス
トレート11の内部には半導体拡散層部としてのソース
14が形成されており、サブストレート11の下部には
ドレイン15が形成されている。
等からなる絶縁膜16がゲート12およびソース14を
被覆するように形成されており、この絶縁膜16におけ
るゲート12に対向する位置にはゲート用コンタクトホ
ール17が1個、ゲート12に貫通するように開設され
ている。また、絶縁膜16におけるソース14に対向す
る領域にはソース用コンタクトホール18が3個、ゲー
ト用コンタクトホール17の片脇において直交する方向
に並べられてソース14にそれぞれ貫通するように開設
されている。
内部にはゲート用電極パッド19が形成され、各ソース
用コンタクトホール18の内部にはソース用電極パッド
20がそれぞれ形成されている。これら電極パッド1
9、20は、アルミニウム材料(アルミニウムまたはそ
の合金)がスパッタリング蒸着等の適当な手段により絶
縁膜16の上に被着された後に、写真食刻法によってパ
ターンニングされて形成されたものである。つまり、絶
縁膜16の上に被着されたアルミニウム材料は各コンタ
クトホール17、18の内部にそれぞれ充填されるた
め、この充填部によってそれぞれ形成された電極パッド
19、20はゲート12およびソース14とにそれぞれ
電気的に接続された状態になっている。他方、サブスト
レート11の下面にはドレイン15用の電極パッド21
がアルミニウム材料を被着されている。
ス用電極パッド20の上には、リンシリケートガラスや
ポリイミド系樹脂等の絶縁材料からなる保護膜24が被
着されており、保護膜24のゲート用電極パッド19お
よびソース用電極パッド20にそれぞれ対向する位置に
はゲート用バンプ22および各ソース用バンプ23がそ
れぞれ突設されている。これらバンプ22、23は、チ
タン(Ti)等からなる第1下地層22a、23aと、
パラジウム(Pd)等からなる第2下地層22b、23
bと、はんだ(Sn−Pb)からなる本体22c、23
cとから構成されている。
0は、鉄−ニッケル合金や燐青銅或いはヘッダと同じ材
質の銅合金等の導電性が良好な材料からなる薄板が用い
られて、打抜きプレス加工またはエッチング加工等の適
当な手段により一体成形されている。この多連リードフ
レーム30の表面には錫(Sn)、金(Au)、はんだ
(Sn−Pb)等を用いためっき処理が、ペレット10
に突設されたバンプ22、23による電気的かつ機械的
接続作用が適正に実施されるように被着されている(図
示せず)。この多連リードフレーム30には複数の単位
リードフレーム31が一方向に1列に並設されている。
但し、一単位のみが図示されている。
aが開設されている外枠32を一対備えており、両外枠
は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそれぞ
れ延設されている。隣合う単位リードフレーム31、3
1間には一対のセクション枠33が両外枠32、32の
間に互いに平行に配されて一体的に架設されており、こ
れら外枠、セクション枠によって形成される略長方形の
枠体(フレーム)内に単位リードフレーム31が構成さ
れている。
ームということがある。)31において、両セクション
枠の間にはダム部材34が略中央部において直交されて
一体的に架設されている。ダム部材34には3本のイン
ナリード35、36、37が長さ方向に等間隔に配され
て、一方向に直角にそれぞれ突設されている。中央のイ
ンナリード35(以下、第1インナリードという。)の
先端部には、ドレイン用接続部片35aが厚さ方向にL
字形状に屈曲されて形成されている。一方の片脇のイン
ナリード36(以下、第2インナリードという。)の先
端部には、ゲート用接続部片36aが同一平面内でく字
形状に形成されている。他方の片脇のインナリード(以
下、第3インナリードという。)37の先端部には、ソ
ース用接続部片37aが同一平面内でヨ字形状に形成さ
れている。
8、39、40が3本のインナリード35、36、37
に対向する各位置に配されて、それらインナリードと直
線状に連続するようにそれぞれ突設されている。そし
て、隣合うアウタリード同士および両セクション枠3
3、33との間には、後述する樹脂封止体の成形に際し
てレジンの流れを堰き止めるためのダム34aがそれぞ
れ形成されている。
(銅または銅合金)等の導電性および熱伝導性の良好な
材料が用いられて、ペレット10よりも大きな長方形の
板形状に形成されている。ヘッダ41にはこのトランジ
スタをプリント配線基板等に取り付けるための取付孔4
2が、一方の短辺付近において中央部に配されて厚さ方
向に貫通するように開設されている。
10とヘッダ41とは、ペレットボンディング工程にお
いて、ヘッダ41の一方の主面(以下、上面とする。)
にペレット10のドレイン用電極パッド21側の主面が
ペレットボンディング層としてのはんだ付け層43によ
りボンディングされる。はんだ付け層43を形成するは
んだ材料としては、ペレット10のバンプ22、23に
使用されたはんだ材料の融点以上の融点を有するはんだ
材料が使用される。また、はんだ付け層43の形成方法
としては、ヘッダ41の上面に載置されたはんだ箔(図
示せず)にペレット10を押接させた状態で加熱させる
方法を、使用することができる。
いて図5に示されているように、ペレット10のヘッダ
41と反対側の主面にインナリード群がボンディングさ
れる。この際、多連リードフレーム30はインナリード
ボンディング装置(図示せず)を一方向に歩進送りされ
る。そして、歩進送りされる多連リードフレーム30の
途中に配設されているインナリードボンディングステー
ジにおいて、ペレット30は単位リードフレーム31に
下方から対向されるとともに、各バンプ22および23
が各インナリード36および37の接続部片36a、3
7aにそれぞれ整合されてボンディング工具により熱圧
着されることにより、多連リードフレーム30に組み付
けられる。
リード36、37に加熱下で押接されると、バンプ本体
22c、23cのはんだが溶融して各インナリード36
および37に溶着する。そして、はんだが固化した後
に、ペレット10のゲート用電極パッド19および各ソ
ース用電極パッド20と第2インナリード36および第
3インナリード37との間には、ゲート用接続部25お
よびソース用接続部26がそれぞれ形成される。ゲート
用接続部25によってゲート用電極パッド19と第2イ
ンナリード36とが電気的かつ機械的に接続され、ソー
ス用接続部26によってソース用電極パッド20と第3
インナリード37とが電気的かつ機械的に接続された状
態になるとともに、これらの機械的接続によってペレッ
ト10がリードフレーム31に機械的に接続された状態
すなわち固定的に組み付けられた状態になる。
て、第1インナリード35のドレイン用接続部片35a
はヘッダ41の取付孔42と反対側の短辺付近にはんだ
付けされる。このはんだ付け部によってドレイン用接続
部27が形成された状態になり、ドレイン用接続部27
によってペレット10のドレイン電極パッド21とヘッ
ダ41とが電気的に接続された状態になる。
きペレット10と多連リードフレーム30との組立体に
は、樹脂封止体成形工程においてエポキシ樹脂等の絶縁
性樹脂からなる樹脂封止体44が、図6に示されている
トランスファ成形装置50を使用されて各単位リードフ
レーム31について同時成形される。
はシリンダ装置等(図示せず)によって互いに型締めさ
れる一対の上型51と下型52とを備えており、上型5
1と下型52との合わせ面には上型キャビティー凹部5
3aと、下型キャビティー凹部53bとが互いに協働し
てキャビティー53を形成するように複数組(1組のみ
が図示されている。)没設されている。また、上型キャ
ビティー凹部53aの天井面および下型キャビティー凹
部53bの底面上には、樹脂封止体に取付孔を成形する
ための各取付孔成形用凸部60a、60bが互いに突合
するように、かつ、ヘッダ41の取付孔42と等しい平
面形状にそれぞれ突設されている。
されており、ポット54にはシリンダ装置(図示せず)
により進退されるプランジャ55が成形材料としての樹
脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入さ
れている。下型52の合わせ面にはカル56がポット5
4との対向位置に配されて没設されているとともに、複
数条のランナ57がポット54にそれぞれ接続するよう
に放射状に配されて没設されている。各ランナ57の他
端部は下側キャビティー凹部53bにそれぞれ接続され
ており、その接続部分にはゲート58がレジンをキャビ
ティー53内に注入し得るように形成されている。ま
た、下型52の合わせ面には逃げ凹所59が単位リード
フレーム31の厚みを逃げ得るように、多連リードフレ
ーム30の外形よりも若干大きめの長方形で、その厚さ
と略等しい寸法の一定深さに没設されている。
装置による樹脂封止体の成形作業について説明する。前
記構成にかかる組立体は下型52に没設されている逃げ
凹所59内に、ペレット10が下型キャビティー凹部5
3b内にそれぞれ収容されるように配されてセットされ
る。続いて、上型51と下型52とが型締めされ、ポッ
ト54からプランジャ55によりレジン61がランナ5
7およびゲート58を通じて各キャビティー53に送給
されて圧入される。
止体44が成形されると、上型51および下型52は型
開きされるとともに、エジェクタ・ピン(図示せず)に
より樹脂封止体44が離型される。
樹脂封止体44との組立体を示している。この組立体の
樹脂封止体44の内部には、ペレット10、3本のイン
ナリード35、36、37と共に、ペレット10の下面
に結合されたヘッダ41の一部も樹脂封止された状態に
なっている。この状態において、ヘッダ41はそのペレ
ット取付面とは反対側の端面が樹脂封止体44の表面か
ら露出した状態になっており、3本のアウタリード3
8、39、40は樹脂封止体44の短辺側の一側面から
直角に突出した状態になっている。また、樹脂封止体4
4のヘッダ取付孔42と対向する部位には、取付孔45
が凸部60a、60bによって成形されて開設された状
態になっている。
れた組立体は、リードフレーム切断工程において(図示
せず)、外枠32、セクション枠33、ダム34aを切
り落とされる。これにより、図1に示されているトラン
ジスタ1が製造されたことになる。
る。 (1) 各インナリードをペレットに各接続部によって
電気的かつ機械的に接続することにより、ボンディング
ワイヤによる電気的接続を廃止することができるため、
ボンディングワイヤによる電気的接続に比べて外部抵抗
分を大幅に低減することができ、パワートランジスタの
性能を高めることができる。
接続を廃止することにより、パワートランジスタのパッ
ケージを小形軽量化することができるため、前記(1)
とあいまって、パワートランジスタの性能を高めること
ができる。
になっているため、インナリードの材質に無関係に放熱
性能の良好な材質を用いてヘッダを形成することによ
り、ヘッダの放熱性能を高めることができ、また、イン
ナリードはヘッダの材質に無関係にインナリード特性に
最適の材質を選定することができ、パワートランジスタ
の品質および信頼性をより一層高めることができる。
用インナリードの接続部片を複数個設けることにより、
ソースに大電流を流すことができるため、パワートラン
ジスタの性能をより一層高めることができる。
によって成形することにより、耐湿性能等の樹脂封止体
が備えるべき性能を高めることができるため、パワート
ランジスタの品質および信頼性を高めることができる。
装置の製造方法によって製造されたパワーMOSFET
を示しており、(a)は一部切断平面図、(b)は正面
断面図である。
は、樹脂封止体44Aがポッティング法によって成形さ
れている点である。すなわち、ポッティング法による樹
脂封止体44Aはペレット10、インナリード35、3
6、37およびヘッダ41のペレット周りの必要な部分
だけを樹脂封止した状態になっている。そして、樹脂封
止体44Aの成形に際して、各インナリード36、37
の内側に外力が不慮に加わって変形されるのを防止する
ために、各インナリード36、37は絶縁性接着テープ
等からなる接着材46によってヘッダ41に接着されて
いる。
がポッティング法によって成形されるため、樹脂封止体
がトランスファ成形法によって成形される場合に比べ
て、コストを低減することができるとともに、パッケー
ジ全体をより一層小形軽量化することができる。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
限らず、インナリード側に配設してもよい。また、バン
プ本体ははんだによって形成するに限らず、金によって
形成し、インナリードに金−錫共晶層によって接続する
ように構成してもよい。
って結合するに限らず、金−錫共晶層や導電性接着材層
(銀ペースト層等)によって結合してもよい。但し、ペ
レットのヘッダへの放熱作用を配慮して、熱伝導性の良
好な結合部を形成することが望ましい。
主面(下面)側に配設してヘッダに電気的に接続するに
限らず、ゲート用電極パッドおよびソース用電極パッド
と同じ側に配設してインナリードにバンプによる接続部
によって電気的に接続してもよい。
ングされる前に結合するに限らず、インナリードボンデ
ィング後またはインナリードボンディングと同時にペレ
ットに結合してもよい。
れる放熱性能、実装形態(例えば、押さえ具や締結ボル
トの使用の有無等)、ペレットの性能、大きさ、形状、
構造等々の諸条件に対応して選定することが望ましく、
必要に応じて、放熱フィンやボルト挿通孔、雌ねじ等々
を設けることができる。
材料を使用するに限らず、アルミニウム系等のような熱
伝導性の良好な他の金属材料を使用することができる。
特に、炭化シリコン(Sic)等のように熱伝導性に優
れ、かつ、熱膨張率がペレットの材料であるシリコンの
それと略等しい材料を使用することが望ましい。
なされた発明をその背景となった利用分野であるパワー
トランジスタに適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、パワーIC、インシュレイ
テッド・ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGB
T)、トランジスタアレー等の半導体装置全般に適用す
ることができる。特に、高出力で低価格であり、しか
も、高い放熱性能が要求される半導体装置に利用して優
れた効果が得られる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
電気的かつ機械的に接続することにより、ボンディング
ワイヤによる電気的接続を廃止することができるため、
ボンディングワイヤによる電気的接続に比べて外部抵抗
分を大幅に低減することができ、また、ボンディングワ
イヤによる電気的接続を廃止することにより、パッケー
ジを小形軽量化することができるため、半導体装置全体
としての性能を高めることができる。
なっているため、インナリードの材質に無関係に放熱性
能の良好な材質を用いてヘッダを形成することにより、
ヘッダの放熱性能を高めることができ、また、ヘッダと
無関係にインナリードを最適な材質をもって形成するこ
とができ、半導体装置の品質および信頼性を高めること
ができる。
法によって製造されたパワーMOSFETを示してお
り、(a)は一部切断平面図、(b)は正面断面図であ
る。
法に使用されるペレットを示しており、(a)は平面
図、(b)は正面断面図である。
(a)は一部省略平面図、(b)は正面断面図である。
り、(a)は平面図、(b)は正面断面図、(c)は一
部省略一部切断拡大側面図である。
(a)は一部省略平面図、(b)は正面断面図である。
面断面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図であ
る。
省略平面図、(b)は正面断面図である。
方法によって製造されたパワーMOSFETを示してお
り、(a)は一部切断平面図、(b)は正面断面図であ
る。
ト、11…サブストレート、12…ゲート、13…シリ
コン酸化膜、14…ソース、15…ドレイン、16…絶
縁膜、17…ゲート用コンタクトホール、18…ソース
用コンタクトホール、19…ゲート用電極パッド、20
…ソース用電極パッド、21…ドレイン用電極パッド、
22…ゲート用バンプ、23…ソース用バンプ、24…
保護膜、25…ゲート用接続部、26…ソース用接続
部、27…ドレイン用接続部、30…多連リードフレー
ム、31…単位リードフレーム、32…外枠、33…セ
クション枠、34…ダム部材、35、36、37…イン
ナリード、38、39、40…アウタリード、41…ヘ
ッダ、42…取付孔、43…はんだ付け層(ペレットボ
ンディング層)、44…トランスファ成形法による樹脂
封止体、44A…ポッティング法による樹脂封止体、4
5…取付孔、46…接着材、50…トランスファ成形装
置、51…上型、52…下型、53…キャビティー、5
4…ポット、55…プランジャ、56…カル、57…ラ
ンナ、58…ゲート、59…凹所、60a、60b…凸
部、61…レジン。
3)
T、特に、電気抵抗の低減技術に関し、例えば、高出力
で高発熱のものに利用して有効なものに関する。
とができるパワーMOSFETを提供することにある。
手段は、半導体ペレットの回路要素が作り込まれた側の
主面に配置されたソース電極およびゲート電極と、前記
半導体ペレットの前記主面と反対側の主面に配置された
ドレイン電極と、前記ソース電極、ゲート電極、ドレイ
ン電極のそれぞれに接続された複数のインナリードとを
有するパワーMOSFETにおいて、前記ソース電極に
接続されたインナリードが一体成形されているととも
に、複数の分岐部を備えており、これら分岐部にはバン
プからなる接続部がそれぞれ形成されていることを特徴
とする。
個のバンプからなる接続部によってインナリードに接続
されていることにより、大きな電力が流れるソース電極
の電気抵抗が小さく抑制されるため、外部抵抗分を効果
的に抑制することができる。また、ソース用インナリー
ドには分岐部が形成されていることにより、熱応力を吸
収することができるため、各分岐部にそれぞれ配設され
た複数のバンプからなる接続部をソース電極に適正に形
成することができる。
パワーMOSFETを示しており、(a)は一部切断平
面図、(b)は正面断面図である。図2以降は本発明の
一実施形態であるパワーMOSFETの製造方法を説明
するための各説明図である。
MOSFET(以下、トランジスタという。)1は、M
OSFET回路が作り込まれ小形の平板形状に形成され
た半導体ペレット(以下、ペレットという。)10と、
MOSFET回路を電気的に外部に引き出すための3本
のインナリード35、36、37と、放熱性能を高める
ためのヘッダ41と、ペレット10、インナリード群お
よびヘッダ41の一部を樹脂封止する樹脂封止体44と
を備えている。ペレット10の回路要素が作り込まれた
側の主面(以下、上面とする。)には各インナリード3
5、36、37がバンプから形成された接続部25、2
6、27によって電気的かつ機械的に接続されている。
また、ペレット10の反対側の主面である下面にはヘッ
ダ41が結合されている。そして、このトランジスタ1
は以下に述べるような製造方法によって製造されてい
る。
MOSFETを示しており、(a)は一部切断平面図、
(b)は正面断面図である。
も、高い放熱性能が要求されるパワーMOSFETに利
用して優れた効果が得られる。
部によってインナリードに接続されていることにより、
大きな電力が流れるソース電極の電気抵抗が小さく抑制
されるため、外部抵抗分を効果的に抑制することができ
る。
形成されていることにより、熱応力を吸収することがで
きるため、各分岐部にそれぞれ配設された複数のバンプ
からなる接続部をソース電極に適正に形成することがで
きる。
を示しており、(a)は一部切断平面図、(b)は正面
断面図である。
に使用されるペレットを示しており、(a)は平面図、
(b)は正面断面図である。
Tを示しており、(a)は一部切断平面図、(b)は正
面断面図である。
…ペレット、11…サブストレート、12…ゲート、1
3…シリコン酸化膜、14…ソース、15…ドレイン、
16…絶縁膜、17…ゲート用コンタクトホール、18
…ソース用コンタクトホール、19…ゲート用電極パッ
ド、20…ソース用電極パッド、21…ドレイン用電極
パッド、22…ゲート用バンプ、23…ソース用バン
プ、24…保護膜、25…ゲート用接続部、26…ソー
ス用接続部、27…ドレイン用接続部、30…多連リー
ドフレーム、31…単位リードフレーム、32…外枠、
33…セクション枠、34…ダム部材、35、36、3
7…インナリード、38、39、40…アウタリード、
41…ヘッダ、42…取付孔、43…はんだ付け層(ペ
レットボンディング層)、44…トランスファ成形法に
よる樹脂封止体、44A…ポッティング法による樹脂封
止体、45…取付孔、46…接着材、50…トランスフ
ァ成形装置、51…上型、52…下型、53…キャビテ
ィー、54…ポット、55…プランジャ、56…カル、
57…ランナ、58…ゲート、59…凹所、60a、6
0b…凸部、61…レジン。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体ペレットの回路要素が作り込まれ
た側の主面に配置されたソース電極およびゲート電極
と、前記半導体ペレットの前記主面と反対側の主面に配
置されたドレイン電極と、前記ソース電極、ゲート電
極、ドレイン電極のそれぞれに接続された複数のインナ
リードとを有するパワーMOSFETにおいて、前記ソ
ース電極に接続されたインナリードが一体成形されてい
るとともに、複数の分岐部を備えており、これら分岐部
にはバンプからなる接続部がそれぞれ形成されているこ
とを特徴とするパワーMOSFET。 - 【請求項2】 前記ソース電極とインナリードとの接続
部、前記ゲート電極とインナリードとの接続部、前記ド
レイン電極とインナリードとの接続部、および前記半導
体ペレットが樹脂封止体によって樹脂封止されており、
前記半導体ペレットの反対側の主面が前記樹脂封止体の
一主面において露出されていることを特徴とする請求項
1に記載のパワーMOSFET。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001252530A JP3614386B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | パワーmosfet |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001252530A JP3614386B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | パワーmosfet |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25781999A Division JP3685659B2 (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002141454A true JP2002141454A (ja) | 2002-05-17 |
JP3614386B2 JP3614386B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=19080987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2001252530A Expired - Lifetime JP3614386B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | パワーmosfet |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3614386B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015023183A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
US10770400B2 (en) | 2016-08-03 | 2020-09-08 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor module |
-
2001
- 2001-08-23 JP JP2001252530A patent/JP3614386B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015023183A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
US10770400B2 (en) | 2016-08-03 | 2020-09-08 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor module |
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JP3614386B2 (ja) | 2005-01-26 |
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