JP2002141389A - 基板搬送用ブレードおよび半導体基板製造装置 - Google Patents

基板搬送用ブレードおよび半導体基板製造装置

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JP2002141389A
JP2002141389A JP2000331836A JP2000331836A JP2002141389A JP 2002141389 A JP2002141389 A JP 2002141389A JP 2000331836 A JP2000331836 A JP 2000331836A JP 2000331836 A JP2000331836 A JP 2000331836A JP 2002141389 A JP2002141389 A JP 2002141389A
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JP2000331836A
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English (en)
Inventor
Shinichi Horie
慎一 堀江
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 搬送ブレードと基板の端部との接触時に衝撃
を与えることなく、基板の中心出しをすることにより、
パーティクルの付着を抑制する。 【解決手段】 基板11を載置し搬送する基板搬送用ブ
レードであって、基板11と径が同じ底面に基板11が
載置される凹部20を有し、凹部20の周辺部に、凹部
20の内部方向に向いた斜面を持つ傾斜台14〜17
が、基板11の端部に部分的に接触可能なように設けら
れている。これにより、基板11の周辺部は、搬送ブレ
ードに基板11が載置されるとき、それらにほとんど点
接触で接触しながら凹部中心部へ滑り落ち、位置決めで
きるようになるから、基板11の端部に与える衝撃を最
小限度にするとともに、基板11上のパーティクルの付
着を抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ等
の基板処理装置、半導体製造装置の構成部品である、基
板搬送用ブレードおよび半導体基板製造装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】図6はマルチチャンバ方式のスパッタリ
ング薄膜形成装置、ドライエッチング装置あるいはプラ
ズマCVD装置のような半導体製造装置のチャンバ構成
を示す概略図である。図6において、401は純粋に半
導体基板の搬送のみに関わる搬送用チャンバ(トランス
ファーチャンバ408)内に置かれた半導体基板、40
2は半導体基板製造装置の内外と半導体基板の出し入れ
を行うロードロックチャンバ、403はロードロックチ
ャンバ内のカセット載置ステージ、406は半導体基板
に成膜処理など各種の処理を施すプロセスチャンバであ
る。
【0003】通常、トランスファーチャンバ408は、
ロードロックチャンバ402とプロセスチャンバ406
との中間に位置し、双方のチャンバとの間で半導体基板
401のやりとりを行う役目を果たしている。407は
プロセスチャンバ406内の基板載置ステージ、410
はトランスファーチャンバ408内の基板搬送ロボット
で、半導体基板401を所望の位置に運ぶために、水平
方向および回転方向の動作を行うようにできている。4
09は搬送ブレードで、トランスファーチャンバ408
の搬送ロボット410の先端を構成する半導体基板40
1の支持部となっているものである。
【0004】なお、搬送ロボット410の中には、前記
の動作の他に上昇下降方向の動作ができるものもある
が、図6に示したものは、搬送ロボット410自体が上
昇下降の動作をすることなく、ロードロックチャンバ4
02内のカセット載置ステージ403あるいはプロセス
チャンバ406内の基板載置ステージ407が上昇下降
の動作をする場合を示している。
【0005】ロードロックチャンバ402内のカセット
載置ステージ403上には、基板を複数枚単位で収納す
る金属またはプラスティック樹脂製のカセット404が
収納されている。また、カセット載置ステージ403に
は、基板カセット404内の基板401を、プロセスチ
ャンバ406に搬送する途中、基板搬送ブレード409
上に基板401を、基板カセット404のスロット部す
なわち溝部405に接触することなく載せるため、ステ
ージの上昇および下降動作が可能な機構が備え付けられ
ている。
【0006】次に、図6で示した搬送ブレード409の
詳細な構造について説明する。図7(a),(b)は、
従来の搬送ブレードの構造を示す図である。半導体装置
等に用いる基板搬送ブレードは、平板52の面に対して
鈍角となる第1の急斜面53と、第1の急斜面53に対
向する第2の急斜面54と、平板52の面に対して鋭角
となる第1の緩斜面55と、第1の緩斜面55に対向す
る第2の緩斜面56とで構成される。
【0007】基板51が搬送ブレードに載置される際、
図7に示すように直接搬送ブレードの中心部に置かれる
のではなく、基板51の端部が一方が急斜面53に、他
方が緩斜面56にそれぞれ線接触するように置かれる。
その後、基板は線接触を保ちながら、自重で急斜面53
を滑り、最終的に基板の両端が緩斜面55および緩斜面
56に到達し、ブレード中心に移動し、位置決めができ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように従
来の基板処理装置用の基板搬送用ブレードでは、斜度の
異なる複数の載置面53,55で構成することにより、
搬送ブレード上での基板51の中心合わせを実現してき
た。しかしながら従来の構成では、搬送ブレードに載せ
た基板51は、搬送ブレードの中心に移動させる際に基
板端部が斜面のほとんど全体と接触を保ちながらすべり
移動するため、基板51の端部あるいは搬送ブレードの
面に衝撃を与え、そのことによって基板51の端部の微
小部分が削れたり、搬送ブレード面が削れたりして基板
51上にパーティクルが付着することが多く、問題であ
った。
【0009】また、図6において、搬送ロボット410
はトランスファーチャンバ408の中央部から、ロード
ロックチャンバ402方向、または、プロセスチャンバ
406方向へ、長さにしてトランスファーチャンバ40
8の半径分程度の距離を水平移動する。さらには、搬送
ロボット410は、ロードロックチャンバ402方向か
らプロセスチャンバ406の方向まで回転するが、従来
の基板搬送ブレードでは、水平回転移動の際に遠心力で
基板中心がずれる可能性がある。
【0010】つまり、成膜処理前に半導体基板401の
中心が基板搬送ブレード409の中心に載っているとし
ても、プロセスチャンバ406での成膜処理後にロード
ロック402に戻った際に、再び半導体基板401の中
心が、基板の搬送ブレード409の中心に載っていると
は限らない。この場合、基板搬送ブレード409上にあ
る基板401は、基板搬送ブレード409を基準にして
斜め方向に載っていることになる。この状態でロードロ
ックチャンバ402内のカセット404に基板401が
戻った場合、前記カセットのスロット405と基板40
1の端部が接触し、これによってもパーティクルが発生
する可能性がある。また、基板中心とブレード中心との
ずれがひどい場合は、ロードロックチャンバ402内で
基板が割れて半導体デバイスが形成された基板が失わ
れ、歩留まり低下を引き起こす危険性があるという問題
があった。
【0011】したがって、この発明の目的は、上記従来
の問題点を解決するもので、搬送ブレードと基板の端部
との接触時に衝撃を与えることなく、基板の中心出しを
することにより、パーティクルの付着を抑制する基板搬
送用ブレードおよび半導体基板製造装置を提供すること
である。
【0012】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この発明の請求項1記載の基板搬送用ブレードは、
基板を載置し搬送する基板搬送用ブレードであって、前
記基板と径が同じ底面に基板が載置される凹部を有し、
前記凹部の周辺部に、前記凹部の内部方向に向いた斜面
を持つ傾斜台が、基板の端部に部分的に接触可能なよう
に設けられている。
【0013】このように、基板と径が同じ底面に基板が
載置される凹部を有し、凹部の周辺部に、凹部の内部方
向に向いた斜面を持つ傾斜台が、基板の端部に部分的に
接触可能なように設けられているので、基板の周辺部
は、搬送ブレードに基板が載置されるとき、それらにほ
とんど点接触で接触しながら凹部中心部へ滑り落ち、位
置決めできるようになるから、基板の端部に与える衝撃
を最小限度にするとともに、基板上のパーティクルの付
着を抑制することができる。
【0014】請求項2記載の基板搬送用ブレードは、請
求項1において、傾斜台が凹部表面に対してほぼ垂直に
設けられている。このように、傾斜台が凹部表面に対し
てほぼ垂直に設けられているので、傾斜台を凹部の上方
から容易に装着することができる。
【0015】請求項3記載の基板搬送用ブレードは、基
板を載置し搬送する基板搬送用ブレードであって、前記
基板と径が同じ底面に基板が載置される凹部を有し、前
記凹部の周辺部に、前記凹部の内部方向へ回転可能な回
転体が、基板の端部に部分的に接触可能なように設けら
れている。
【0016】このように、基板と径が同じ底面に基板が
載置される凹部を有し、凹部の周辺部に、凹部の内部方
向へ回転可能な回転体が、基板の端部に部分的に接触可
能なように設けられているので、請求項1と同様に基板
の周辺部はほとんど点接触で接触しながら凹部中心部へ
滑り落ち、位置決めできるようになるから、基板の端部
に与える衝撃を最小限度にするとともに、基板上のパー
ティクルの付着を抑制することができる。
【0017】この発明の請求項4記載の半導体基板製造
装置は、請求項1または3記載の基板搬送用ブレードを
有する搬送ロボットが水平方向および回転方向の動作を
行なうことにより、半導体基板を収納するロードロック
チャンバと、各種の処理を施すプロセスチャンバとの間
で半導体基板を搬送可能とした。
【0018】このように、請求項1または3記載の基板
搬送用ブレードを有する搬送ロボットが水平方向および
回転方向の動作を行なうことにより、半導体基板を収納
するロードロックチャンバと、各種の処理を施すプロセ
スチャンバとの間で半導体基板を搬送可能としたので、
基板と基板搬送ブレードとが接触する滑り面の面積を必
要最小限度に抑えることにより、基板搬送ブレードと一
体をなしている搬送ロボットの水平移動時および回転時
に、基板の位置ずれが生じない。このため、成膜等の処
理終了後、基板がロードロックチャンバに回収される際
に、搬送ブレード上の基板が傾くことにより基板とロー
ドロックチャンバのカセット溝が接触することによる基
板の割れを防止し、パーティクルの発生抑制、ひいては
歩留まりの向上が可能となる。
【0019】
【発明の実施の形態】この発明の第1の実施の形態を図
1〜図3に基づいて説明する。図1(a)はこの発明の
第1の実施形態における基板搬送用ブレードを示す平面
図、(b)は断面図である。
【0020】図1において、11は被載置体である基
板、12は下部平板、13は載置台、14および15は
第1の傾斜台、16および17は第2の傾斜台、18は
上部平板、19は処理装置の搬送アームとの接続部であ
る。
【0021】この基板搬送用ブレードは、図6に示した
ような半導体基板製造装置において用いられるもので、
基板を載置しチャンバに搬送する。また、図1に示すよ
うに、基板11と径が同じ底面に基板11が載置される
凹部20を有し、凹部20の周辺部に、凹部20の内部
方向に向いた斜面を持つ傾斜台14,15,16,17
が、基板11の端部に部分的に接触可能なように凹部2
0表面に対してほぼ垂直に設けられている。
【0022】すなわち、図2に示すように、傾斜台14
〜17は断面が直角三角形となる三角柱で、かつ、ブレ
ード409の下部平板12と磁気的(例、永久磁石)に
装着可能にしてある。なお、断面となる直角三角形の長
辺は下部平板12の段差(12Cと12Bの高さの差)
よりも短めに設定する。図3(a)は傾斜台の長辺が垂
直、(b)は短辺が垂直、(c)は直角2等辺三角形体
を示す。
【0023】この場合、下部平板12は、その内側から
厚みが増すように、階段状に切り取られた構造を持ち、
最深部である第1段12Aの径は載置台13の径と等し
くなっている。また、下部平板の第1段12Aの次の段
である第2段12Bの径は、12Aの径よりも5mm以
上10mm以下大きい。載置台13は、その直径を被載
置体である基板11の最大径と同じ寸法に合わせたもの
であり、その表面、つまり基板11と直接接触する部分
に鏡面仕上げを行うことにより粗度を小さくした、厚み
1mm未満の平板である。この載置台13は第1段12
Aを有する凹部20に嵌合してある。
【0024】次に、傾斜台14,15,16,17は、
下部平板の第2段12B上に載置された、三角形の板状
の部分であり、その斜度は40度以上50度以下であ
る。この傾斜台のうち、基板11と直接接触する面、つ
まり傾斜面には、擦り加工等により鏡面仕上げを行うこ
とで粗度を小さくして、基板11との接触による発塵を
抑制している。なお、これら傾斜台の最大高さは、下部
平板12の最上面、つまり第3段12Cと同じ位置もし
くは、それ以下になるよう設置されており、傾斜台の径
方向の長さは、下部平板第2段12Bの径方向の長さと
同等以下にとり、直接載置台13と触れない構造をとっ
ている。
【0025】また、上部平板18は、断面が台形をなし
た構造であり、上辺と下辺とを結ぶ傾斜面18Aが載置
台に向かって内側方向をなしている。この部分18A
は、基板が接触する可能性がある部分であるため、鏡面
仕上げをすることにより、接触による摩擦を防止してい
る。上部平板の傾斜面18Aの斜度は、50度以上90
度以下である(載置台の最大傾斜よりも大きめにと
る)。この寸法をとることで、基板搬送ブレードが基板
11を受ける際の初期の位置ずれを考慮したものであ
る。また、下部平板12の厚みと上部平板18の厚みと
の和の最大値、つまり、基板搬送ブレードの最大厚み
は、基板カセットのスロットの溝幅より十分小さいの
は、言うまでもない。
【0026】上記のように構成された基板搬送ブレード
について、以下、その動作を説明する。まず、基板11
はこの実施の形態の搬送ブレードに載置されるとき、そ
の一方の端部が傾斜台14,15,16,17上のう
ち、少なくとも1箇所に接触する。それと同時に、基板
11の一部は載置台13上に載り接触する。次に、傾斜
台から下方、つまり載置台の中心に向かって基板11が
滑り落ちる。そして、最終的に、基板11の中心が載置
台13の中心に載置される。
【0027】以上のようなこの実施の形態による搬送ブ
レードでは、傾斜台が三角形の板状になって幅が極めて
狭いために、基板を平板12の中心位置に移動させる際
に、基板と傾斜台との接触部分が小さくなり、これによ
って基板11の端部に与える摩擦による衝撃を最小限度
にできるので、衝撃によるパーティクルの発生と、その
基板への付着を抑制することができる。なお、凹部20
の周辺部の四カ所に傾斜台を設けたが、三カ所以上あれ
ばよい。また、1つの傾斜台の幅は円周長さの概ね20
0分の1以上100分の1以下が好ましい。例えば、直
径200mmの基板に対して、概ね3mm以上6mm以
下が好ましい。
【0028】この発明の第2の実施の形態を図4および
図5に基づいて説明する。図4(a)はこの発明の第2
の実施形態による基板搬送ブレードを示す平面図、
(b)は断面図である。
【0029】図4において、21は被載置体である基
板、22は下部平板、23は載置台、24は第1の凹
部、25は第2の凹部、26は円柱筒状の第1の回転
体、27は円柱筒状の第2の回転体、28は上部平板、
29は製造装置に付属の搬送アームとの接続部である。
なお、本実施形態においては、26および27をブレー
ドを断面から見たときに円となる円筒ころを例にとった
が、回転体の形状は樽型もしくは球体でもよい。
【0030】この基板搬送用ブレードは、図6に示した
ような半導体基板製造装置において用いられるもので、
基板を載置しチャンバに搬送する。また、図4に示すよ
うに、基板21と径が同じ底面に基板21が載置される
凹部30を有し、凹部30の周辺部に、凹部30の内部
方向へ回転可能な回転体26,27が、基板21の端部
に部分的に接触可能なように設けられている。
【0031】この場合、下部平板22は、中央の第1面
22Aと周囲の第2面22Bとが同じ高さであり、第1
面22Aの径は載置台23の径と等しくなっている。こ
の構成において載置台23は、その直径を被載置体であ
る基板21の最大径と同じ寸法に合わせたものであり、
その表面、つまり基板21と直接接触する部分に鏡面仕
上げを行うことにより粗度を小さくした、厚み1mm未
満の平板である。この載置台23は第1面22Aを有す
る凹部30に嵌合してある。次に、凹部24または同2
5は、下部平板22上に半円筒形に開けられた、深さ方
向の最大値が、円筒の半径より大きくとった穴であり、
回転体26または同27が基板21の重みによりころが
る際に、基板から飛び出ることを防止している。
【0032】また凹部24または同25は、そこにはめ
込まれた回転体26または27に対して0.1mm程度
マージンをとったもので、凹部24,25と回転体2
6,27との摩擦による発塵を抑制している。また、図
5に示すように、凹部24,25のうち、最も上部平板
28に近い部分Nは、半円筒形の穴の最大径に前記のマ
ージンmを加えた長さに沿って鉛直方向に切り、回転に
より円筒ころが傷つくことなく長期に渡って使用に耐え
うるように構成している。これらを含めたすべての凹部
は、擦り加工による鏡面仕上げを行っている。
【0033】また、上部平板28は、断面が台形をなし
た構造であり、上辺と下辺とを結ぶ傾斜面が載置台23
に向かって内側方向をなしている。この部分28Aは、
基板21が接触する可能性がある部分であるため、鏡面
仕上げをすることにより、接触による摩擦を防止してい
る。上部平板の傾斜面28Aの最外周の半径、つまり、
載置台23から一番遠い部分から載置台23の中心まで
の距離は、載置台23の半径より大きく、載置台23の
半径に回転体26または27の直径を加えた距離より小
さい。この寸法をとることで、基板搬送ブレードが基板
21を載置して受ける際、仮に基板21が円筒ころ最上
部に載った場合においても、回転体26または27が回
転しないこと、つまり、基板21がころの表面を滑り落
ちないで載置台23の中心部に位置決めされないことが
回避できる。
【0034】また、上部平板28の傾斜面28Aの最下
部、つまり、載置台23と最も近づく部分と、載置台2
3の中心との距離は、載置台23の半径と同じである。
また、回転体26および同27は、例えば、軸受けに用
いられる円柱ころと同様のものであり、その直径は基板
カセットの隣接するスロットのピッチ幅より十分小さ
く、直径1.5mm以下を満足するものである。また、
円柱ころの長さ方向は10mm未満である。また、上部
平板28の厚みと下部平板22の厚みの最大値、つま
り、基板搬送ブレードの最大厚みは、基板カセットのス
ロット溝の幅より十分小さいのは、言うまでもない。
【0035】上記のように構成されたこの実施形態の基
板搬送ブレードについて、以下、その動作について説明
する。まず、この搬送ブレードに基板21が載置される
に際して、基板21はその一方の端部が回転体26上に
載り、他方の端部は載置台23表面上に載る。次に、回
転体26上にある基板21の自重によって、回転体26
は載置台23の中心方向に向かって回転する。そして、
基板21が回転体26を滑ることにより、基板21は最
終的に載置台23の中心部に載置され、位置決めされ
る。また、最初に基板が回転体27に載る場合は、前記
の動作と反対の動きをとることになる。
【0036】以上のように、この発明の第2の実施の形
態によれば、基板搬送ブレードに複数の凹部と前記凹部
にはめ込まれた長さの短いを用いることにより、被載置
体である基板を下部平板の中心位置に移動させる際に、
基板の端部と可動ころとの接触部分が従来のものと比較
して非常に小さくなるので、基板の端部に与える衝撃を
最小限度にすることができ、衝撃によるパーティクルの
発生と基板への付着を抑制することができる。
【0037】
【発明の効果】この発明の請求項1記載の基板搬送用ブ
レードによれば、基板と径が同じ底面に基板が載置され
る凹部を有し、凹部の周辺部に、凹部の内部方向に向い
た斜面を持つ傾斜台が、基板の端部に部分的に接触可能
なように設けられているので、基板の周辺部は、搬送ブ
レードに基板が載置されるとき、それらにほとんど点接
触で接触しながら凹部中心部へ滑り落ち、位置決めでき
るようになるから、基板の端部に与える衝撃を最小限度
にするとともに、基板上のパーティクルの付着を抑制す
ることができる。
【0038】また、基板と基板搬送ブレードとが接触す
る滑り面の面積を必要最小限度に抑えることにより、基
板搬送ブレードと一体をなしている搬送ロボットの水平
移動時および回転時に、基板の位置ずれが生じないた
め、成膜等の処理終了後、基板がロードロックに回収さ
れる際に、搬送ブレード上の基板が傾くことにより基板
とカセット溝が接触することによる基板の割れを防止
し、パーティクルの発生抑制、ひいては歩留まりの向上
が可能となる。
【0039】請求項2では、傾斜台が凹部表面に対して
ほぼ垂直に設けられているので、傾斜台を凹部の上方か
ら容易に装着することができる。
【0040】この発明の請求項3記載の基板搬送用ブレ
ードによれば、基板と径が同じ底面に基板が載置される
凹部を有し、凹部の周辺部に、凹部の内部方向へ回転可
能な回転体が設けられているので、請求項1と同様に基
板の周辺部はほとんど点接触で接触しながら凹部中心部
へ滑り落ち、位置決めできるようになるから、基板の端
部に与える衝撃を最小限度にするとともに、基板上のパ
ーティクルの付着を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)はこの発明の第1の実施形態における基
板搬送用ブレードを示す平面図、(b)は断面図であ
る。
【図2】第1の実施の形態の要部断面図である。
【図3】第1の実施の形態の傾斜台の種類を示す説明図
である。
【図4】(a)はこの発明の2の実施形態による基板搬
送ブレードを示す平面図、(b)は断面図である。
【図5】第2の実施の形態において凹部の断面図であ
る。
【図6】マルチチャンバ方式の半導体基板処理装置にお
けるチャンバ構成概略図である。
【図7】(a)は従来の基板搬送用ブレードの平面図、
(b)は断面図である。
【符号の説明】 11,21,401 基板 12,22 下部平板 13,23 載置台 14,15 第1の傾斜台 16,17 第2の傾斜台 18,28 上部平板 19,29 搬送アームとの接続部 24 第1の凹部 25 第2の凹部 26 第1の回転体 27 第2の回転体 402 ロードロックチャンバ 403 カセット載置ステージ 404 基板カセット 405 基板カセットのスロット 406 プロセスチャンバ 407 基板載置ステージ 408 トランスファーチャンバ 409 基板搬送ロボット 410 基板搬送ブレード 51 基板 52 平板 53 第1の急斜面 54 第2の急斜面 55 第1の緩斜面 56 第2の緩斜面

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を載置し搬送する基板搬送用ブレー
    ドであって、前記基板と径が同じ底面に基板が載置され
    る凹部を有し、前記凹部の周辺部に、前記凹部の内部方
    向に向いた斜面を持つ傾斜台が、基板の端部に部分的に
    接触可能なように設けられていることを特徴とする基板
    搬送用ブレード。
  2. 【請求項2】 傾斜台が凹部表面に対してほぼ垂直に設
    けられている請求項1記載の基板搬送用ブレード。
  3. 【請求項3】 基板を載置し搬送する基板搬送用ブレー
    ドであって、前記基板と径が同じ底面に基板が載置され
    る凹部を有し、前記凹部の周辺部に、前記凹部の内部方
    向へ回転可能な回転体が、基板の端部に部分的に接触可
    能なように設けられていることを特徴とする基板搬送用
    ブレード。
  4. 【請求項4】 請求項1または3記載の基板搬送用ブレ
    ードを有する搬送ロボットが水平方向および回転方向の
    動作を行なうことにより、半導体基板を収納するロード
    ロックチャンバと、各種の処理を施すプロセスチャンバ
    との間で半導体基板を搬送可能としたことを特徴とする
    半導体基板製造装置。
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