JP2002134623A - Semiconductor integrated circuit and method for designing its layout - Google Patents

Semiconductor integrated circuit and method for designing its layout

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JP2002134623A
JP2002134623A JP2000330770A JP2000330770A JP2002134623A JP 2002134623 A JP2002134623 A JP 2002134623A JP 2000330770 A JP2000330770 A JP 2000330770A JP 2000330770 A JP2000330770 A JP 2000330770A JP 2002134623 A JP2002134623 A JP 2002134623A
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JP
Japan
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power supply
wiring
macro
auxiliary power
integrated circuit
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Application number
JP2000330770A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Tainaka
浩治 田井中
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit where an increase of a chip area can be prevented by surely and easily connecting an auxiliary power wiring of a cell part and a main power supply wiring to be located in the region of a macro part. SOLUTION: This semiconductor integrated circuit comprises a macro part 1, a contact region 3 provided outside the macro part 1, and a cell part 2 formed around the macro-part 1 except the contact region 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回路
およびそのレイアウト方法に関し、より特定的には、C
PUやRAM、ROMなどの大規模なマクロ部を含む半
導体集積回路およびそのレイアウト方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit and a layout method thereof, and more particularly, to a semiconductor integrated circuit.
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit including a large-scale macro unit such as a PU, a RAM, and a ROM and a layout method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、一つの半導体基板上に、CPU
や、RAM、ROMなどの大規模なマクロ部をコア
(核)として、その周辺に、目的とするシステムの使用
に応じた論理回路を形成する半導体集積回路が知られて
いる。その論理回路は、マクロ部の周辺に配置されたセ
ル部によって構成される。
2. Description of the Related Art Conventionally, a CPU is provided on one semiconductor substrate.
Also, there is known a semiconductor integrated circuit in which a large-scale macro unit such as a RAM or a ROM is used as a core and a logic circuit is formed around the core as a core in accordance with the use of a target system. The logic circuit is constituted by cell units arranged around the macro unit.

【0003】また、上記のような半導体集積回路を形成
する際に用いられる一つの方法として、従来、CAD
(Computer Aided Design)を使
用して特定用途向けのデバイスを簡単に実現するASI
C(ApplicationSpecific Int
egrated Circuit)が知られている。こ
のASICの設計手法としては、ゲートアレイ、スタン
ダードセルおよびエンベデッドアレイの各方式が、セミ
カスタムLSIを効率よく設計するものとして従来から
知られている。
[0003] As one method used for forming the above-mentioned semiconductor integrated circuit, a conventional CAD method has been used.
(Computer Aided Design) using ASI to easily realize application-specific devices
C (Application Specific Int
(Egrated Circuit) is known. As an ASIC design method, a gate array, a standard cell, and an embedded array are conventionally known as methods for efficiently designing a semi-custom LSI.

【0004】上記のようなASICの設計において、セ
ル部に形成される回路中の信号線を電源電位や接地電位
に固定するために、セル部に配置される補助電源配線
を、主電源配線(主電源電位線または主接地電位線)に
接続する必要がある。この場合、従来では、マクロ部の
外側に主電源配線をリング状に配置するとともに、その
リング状の主電源配線にセル部の補助電源配線を接続し
ていた。この技術は、たとえば、特開平5−36829
号公報などに開示されている。
In the design of the ASIC as described above, in order to fix a signal line in a circuit formed in a cell portion to a power supply potential or a ground potential, an auxiliary power supply line arranged in the cell portion is replaced with a main power supply line ( (Main power supply potential line or main ground potential line). In this case, conventionally, the main power supply wiring is arranged in a ring outside the macro part, and the auxiliary power supply wiring of the cell part is connected to the ring-shaped main power supply wiring. This technology is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-36829.
No., for example.

【0005】図5は、上記したようなリング状の主電源
配線を用いる場合の従来のレイアウト設計方法を説明す
るためのフロー図である。図5を参照して、従来では、
まず、マクロ部のレイアウトの際に、マクロ部の外側に
リング状の主電源配線を配置する。そして、セル部の補
助電源配線を接続する際に、マクロ部の外側に配置した
リング状の主電源配線に接続する。
FIG. 5 is a flow chart for explaining a conventional layout design method when the above-mentioned ring-shaped main power supply wiring is used. Referring to FIG. 5, conventionally,
First, when laying out the macro section, a ring-shaped main power supply wiring is arranged outside the macro section. Then, when connecting the auxiliary power supply wiring of the cell section, it is connected to a ring-shaped main power supply wiring arranged outside the macro section.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来のリング状の主電
源配線を用いる方法では、上記のように、マクロ部の外
側にリング状の主電源配線を配置している。ここで、主
電源配線には、多くの電流が流れる。このため、エレク
トロマイグレーションと、配線抵抗に起因する電圧降下
とを防止するために、主電源配線の幅を太くする必要が
ある。このような幅の太いリング状の主電源配線を、従
来では、マクロ部の外側に配置していたため、チップ面
積が増大するという問題点があった。
In the conventional method using a ring-shaped main power supply line, as described above, the ring-shaped main power supply line is arranged outside the macro section. Here, a large amount of current flows through the main power supply wiring. Therefore, it is necessary to increase the width of the main power supply wiring in order to prevent electromigration and voltage drop due to wiring resistance. Conventionally, such a ring-shaped main power supply line having a large width is arranged outside the macro section, so that there is a problem that the chip area increases.

【0007】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたものであり、この発明の一つの目的は、主
電源配線の配置領域に起因するチップ面積の増大を防止
することが可能な半導体集積回路およびそのレイアウト
方法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to prevent an increase in chip area due to a main power supply wiring arrangement region. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit and a layout method thereof.

【0008】この発明のもう一つの目的は、上記の半導
体集積回路およびそのレイアウト方法において、マクロ
部上に主電源配線を配置した場合にも、その主電源配線
とセル部の補助電源配線とを容易かつ確実に接続するこ
とを可能にすることである。
Another object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit and a layout method therefor which, even when a main power supply line is arranged on a macro part, the main power supply line and an auxiliary power supply line of a cell part are connected to each other. The purpose is to enable easy and reliable connection.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1における半導体
集積回路は、マクロ部と、マクロ部の外側に設けられた
コンタクト領域と、コンタクト領域以外のマクロ部の周
辺に形成されたセル部とを備えている。なお、本発明に
おけるマクロ部とは、CPU、RAM、ROMなどのコ
ア(核)になる機能ブロックを意味する。また、セル部
とは、マクロ部の周辺に配置され、ゲートアレイの基本
セルやスタンダードセルなどのように、ロジック回路を
構成する機能ブロックを意味する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit comprising: a macro portion; a contact region provided outside the macro portion; and a cell portion formed around the macro portion other than the contact region. Have. Note that the macro unit in the present invention means a functional block that becomes a core (core) such as a CPU, a RAM, and a ROM. The cell section means a functional block that is arranged around the macro section and forms a logic circuit, such as a basic cell or a standard cell of a gate array.

【0010】請求項1では、上記のように構成すること
によって、セル部とマクロ部との間に位置するコンタク
ト領域を利用して、たとえば、セル部に配置された補助
電源配線と、マクロ部の領域内に配置された主電源配線
とを確実かつ容易に接続することができる。これによ
り、従来のように、マクロ部の外側に主電源配線を配置
する必要が無くなり、その結果、マクロ部の外側に主電
源配線を配置する場合に生じるチップ面積の増大を防止
することができる。
According to the first aspect of the present invention, for example, by utilizing the contact region located between the cell portion and the macro portion, for example, an auxiliary power supply line arranged in the cell portion and a macro portion are provided. Can be reliably and easily connected to the main power supply wiring arranged in the region of the above. This eliminates the necessity of arranging the main power supply wiring outside the macro part unlike the related art, and as a result, it is possible to prevent an increase in the chip area caused when the main power supply wiring is arranged outside the macro part. .

【0011】請求項2における半導体集積回路は、請求
項1の構成において、マクロ部の領域内に配置された主
電源配線と、セル部に配置された第1補助電源配線と、
マクロ部の領域内に配置され、主電源配線と電気的に接
続される第2補助電源配線と、コンタクト領域に形成さ
れ、セル部の第1補助電源配線とマクロ部の第2補助電
源配線とを接続するための接続配線とをさらに備える。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the first aspect, a main power supply line disposed in a region of a macro unit, a first auxiliary power supply line disposed in a cell unit,
A second auxiliary power supply line arranged in the region of the macro portion and electrically connected to the main power supply line, a first auxiliary power supply line of the cell portion and a second auxiliary power supply line of the macro portion formed in the contact region; And connection wiring for connecting the two.

【0012】請求項2では、このように構成することに
よって、コンタクト領域に形成された接続配線を用い
て、セル部の第1補助電源配線と、マクロ部の第2補助
電源配線とを容易に接続することができる。これによ
り、セル部の第1補助電源配線を、マクロ部の第2補助
電源配線を介して、マクロ部の主電源配線に確実かつ容
易に接続することができる。これにより、従来のよう
に、マクロ部の外側に主電源配線を配置する必要が無く
なり、その結果、マクロ部の外側に主電源配線を配置す
る場合に生じるチップ面積の増大を防止することができ
る。なお、コンタクト領域に形成される接続配線は、太
い幅の必要な主電源配線と異なり、細い幅でよいので、
コンタクト領域の幅も細くてよい。これにより、コンタ
クト領域を設けたとしても、それほど、チップ面積が増
大することはないので、問題はない。
According to the second aspect of the present invention, the first auxiliary power supply wiring of the cell portion and the second auxiliary power supply wiring of the macro portion can be easily formed by using the connection wiring formed in the contact region. Can be connected. This makes it possible to reliably and easily connect the first auxiliary power supply wiring of the cell section to the main power supply wiring of the macro section via the second auxiliary power supply wiring of the macro section. This eliminates the necessity of arranging the main power supply wiring outside the macro part unlike the related art, and as a result, it is possible to prevent an increase in the chip area caused when the main power supply wiring is arranged outside the macro part. . Note that the connection wiring formed in the contact region may have a small width unlike the main power supply wiring which requires a large width.
The width of the contact region may be small. Thus, even if the contact region is provided, there is no problem because the chip area does not increase so much.

【0013】請求項3における半導体集積回路は、請求
項2の構成において、主電源配線は、主電源電位線およ
び主接地電位線のいずれか一方を含む。請求項3では、
このように構成することによって、セル部の第1補助電
源配線を、マクロ部の主電源電位線または主接地電位線
に確実かつ容易に接続することができる。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the second aspect, the main power supply line includes one of a main power supply potential line and a main ground potential line. In claim 3,
With this configuration, the first auxiliary power supply line of the cell unit can be reliably and easily connected to the main power supply potential line or the main ground potential line of the macro unit.

【0014】請求項4における半導体集積回路は、請求
項2または3の構成において、セル部に配置された第1
補助電源配線と、マクロ部に配置された第2補助電源配
線とは、ほぼ同一方向に延びるように配置されている。
請求項4では、このように構成することによって、第1
補助電源配線と第2補助電源配線とが折れ曲がることな
くほぼ直線状に接続されるので、第1補助電源配線と第
2補助電源配線との総配線長を短くすることができる。
これにより、配線容量を低減することができ、その結
果、回路動作の高速化を図ることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the second or third aspect, the first integrated circuit is arranged in the cell portion.
The auxiliary power supply wiring and the second auxiliary power supply wiring arranged in the macro unit are arranged to extend in substantially the same direction.
According to the fourth aspect of the present invention, the first configuration is provided by the above configuration.
Since the auxiliary power supply wiring and the second auxiliary power supply wiring are connected substantially linearly without bending, the total wiring length of the first auxiliary power supply wiring and the second auxiliary power supply wiring can be shortened.
As a result, the wiring capacitance can be reduced, and as a result, the speed of the circuit operation can be increased.

【0015】請求項5における半導体集積回路は、請求
項2〜4のいずれかの構成において、コンタクト領域
は、多層配線構造を有し、接続配線は、コンタクト領域
における多層配線を構成する複数の接続配線層と、その
複数の接続配線層間を接続する第1接続孔配線とを含
む。請求項5では、このように構成することによって、
第1補助電源配線と第2補助電源配線とが、高さの異な
る別々の層によって形成されている場合にも、複数の接
続配線層および第1接続孔配線を用いて、容易に、第1
補助電源配線と第2補助電源配線とを接続することがで
きる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to any one of the second to fourth aspects, the contact region has a multi-layer wiring structure, and the connection wiring includes a plurality of connections forming the multi-layer wiring in the contact region. A wiring layer and a first connection hole wiring connecting the plurality of connection wiring layers are included. According to claim 5, by configuring in this way,
Even when the first auxiliary power supply wiring and the second auxiliary power supply wiring are formed by different layers having different heights, the first auxiliary power supply wiring can be easily formed by using the plurality of connection wiring layers and the first connection hole wirings.
The auxiliary power supply wiring and the second auxiliary power supply wiring can be connected.

【0016】請求項6における半導体集積回路は、請求
項2〜5のいずれかの構成において、マクロ部は、多層
配線構造を有し、主電源配線は、マクロ部における多層
配線の任意の配線層によって形成されており、第2補助
電源配線は、マクロ部における多層配線の他の配線層に
よって形成されており、主電源配線と、第2補助電源配
線とは、第2接続孔配線を介して接続されている。請求
項6では、このように構成することによって、多層配線
構造のマクロ部において、主電源配線と、第2補助電源
配線とを、第2接続孔配線を介して容易に接続すること
ができる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to any one of the second to fifth aspects, the macro part has a multilayer wiring structure, and the main power supply wiring is an arbitrary wiring layer of the multilayer wiring in the macro part. The second auxiliary power supply wiring is formed by another wiring layer of the multilayer wiring in the macro part, and the main power supply wiring and the second auxiliary power supply wiring are formed through the second connection hole wiring. It is connected. According to the sixth aspect of the present invention, the main power supply wiring and the second auxiliary power supply wiring can be easily connected via the second connection hole wiring in the macro part of the multilayer wiring structure.

【0017】請求項7における半導体集積回路は、請求
項6の構成において、マクロ部は、3層以上の配線層を
有し、主電源配線および第2補助電源配線のいずれか一
方を最上層の配線層によって形成し、他方を上から2番
目の配線層によって形成する。請求項7では、このよう
に構成することによって、上から3番目より下の配線層
を用いて、マクロ部の内部配線を、主電源配線および第
2補助電源配線に阻害されることなく、容易に行うこと
ができる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the sixth aspect, the macro section has three or more wiring layers, and one of the main power supply wiring and the second auxiliary power supply wiring is provided in the uppermost layer. It is formed by a wiring layer, and the other is formed by a second wiring layer from the top. According to the seventh aspect of the present invention, the internal wiring of the macro unit can be easily formed using the wiring layer lower than the third wiring layer from the top without being disturbed by the main power supply wiring and the second auxiliary power supply wiring. Can be done.

【0018】請求項8における半導体集積回路のレイア
ウト方法は、マクロ部の外側に、接続配線を形成可能な
コンタクト領域を計算する工程と、コンタクト領域の最
外周に、セル部配置禁止枠を形成する工程と、セル部に
配置された第1補助電源配線を、コンタクト領域に形成
した接続配線を用いて、マクロ部の領域内に配置された
第2補助電源配線に接続するとともに、その第2補助電
源配線を、マクロ部の領域内に配置された主電源配線に
接続する工程とを備えている。
According to the layout method of a semiconductor integrated circuit of the present invention, a step of calculating a contact area where a connection wiring can be formed outside the macro section, and forming a cell section arrangement prohibition frame on the outermost periphery of the contact area. And connecting the first auxiliary power supply line arranged in the cell portion to the second auxiliary power supply line arranged in the region of the macro portion using the connection line formed in the contact region, and connecting the second auxiliary power supply line to the second auxiliary power supply line. Connecting the power supply wiring to a main power supply wiring arranged in the region of the macro section.

【0019】請求項8では、このように構成することに
よって、セル部の配置が禁止されたコンタクト領域に形
成した接続配線と、マクロ部の領域内に配置された第2
補助電源配線とを用いて、セル部の第1補助電源配線を
確実かつ容易に、マクロ部の領域内に配置された主電源
配線に接続することができる。これにより、従来のよう
に、マクロ部の外側に主電源配線を配置する必要が無く
なり、その結果、マクロ部の外側に主電源配線を配置す
る場合に生じるチップ面積の増大を防止することが可能
な半導体集積回路のレイアウト方法を提供することがで
きる。なお、コンタクト領域に形成される接続配線は、
太い幅の必要な主電源配線と異なり、細い幅でよいの
で、コンタクト領域の幅も細くてよい。これにより、コ
ンタクト領域を設けたとしても、それほど、チップ面積
が増大することはないので、問題はない。
According to the eighth aspect of the present invention, with such a structure, the connection wiring formed in the contact region where the arrangement of the cell portion is prohibited, and the second wiring arranged in the region of the macro portion
By using the auxiliary power supply wiring, the first auxiliary power supply wiring of the cell section can be reliably and easily connected to the main power supply wiring arranged in the area of the macro section. This eliminates the necessity of arranging the main power supply wiring outside the macro part as in the related art, and as a result, it is possible to prevent an increase in the chip area caused when the main power supply wiring is arranged outside the macro part. And a layout method of the semiconductor integrated circuit can be provided. The connection wiring formed in the contact region is
Unlike the main power supply wiring which requires a large width, the width may be small, and therefore the width of the contact region may be small. Thus, even if the contact region is provided, there is no problem because the chip area does not increase so much.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した実施形
態を図面に基づいて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0021】(第1実施形態)図1は、本発明の一実施
形態による半導体集積回路のレイアウト設計方法を説明
するためのフロー図である。図2は、図1に示したレイ
アウト設計方法に基づいて設計したマクロ部の平面レイ
アウト図である。図3は、図1に示したレイアウト設計
方法に基づいて設計した半導体集積回路を示した平面レ
イアウト図であり、図4は、図3の100−100線に
沿った断面図である。
(First Embodiment) FIG. 1 is a flowchart for explaining a layout design method of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan layout diagram of a macro unit designed based on the layout design method shown in FIG. FIG. 3 is a plan layout diagram showing a semiconductor integrated circuit designed based on the layout design method shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a sectional view taken along line 100-100 in FIG.

【0022】まず、図1を参照して、本実施形態による
レイアウト設計方法について説明する。本実施形態のレ
イアウト設計では、まず、マクロ部のレイアウトを行う
際、マクロ部の外側にコンタクトが打てる領域を計算す
る。そして、そのコンタクト領域を含めてマクロ部にセ
ル配置禁止枠を作成する。これにより、セル配置禁止枠
にはセル部が配置されないように設計される。
First, a layout design method according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In the layout design of the present embodiment, first, when laying out a macro part, an area where a contact can be made outside the macro part is calculated. Then, a cell arrangement prohibition frame is created in the macro part including the contact area. Thereby, the cell portion is designed not to be arranged in the cell arrangement prohibition frame.

【0023】この後、セル部の補助電源配線を接続する
際に、上記したコンタクト領域を、セル部の補助電源配
線と、マクロ部の主電源配線に接続するマクロ部の補助
電源配線との接続領域(乗り換え領域)として用いる。
そして、同一方向で2つの補助電源配線を乗り換えて、
マクロ部上に位置する主電源配線に確実に接続する。
Thereafter, when connecting the auxiliary power supply wiring of the cell part, the above-mentioned contact region is connected to the auxiliary power supply wiring of the macro part connected to the auxiliary power supply wiring of the cell part and the main power supply wiring of the macro part. Used as an area (transfer area).
Then, switch between the two auxiliary power supply wires in the same direction,
Securely connect to the main power supply wiring located on the macro part.

【0024】次に、図2〜図4を参照して、上記のレイ
アウト設計方法に基づいて設計した半導体集積回路につ
いて説明する。まず、図2を参照して、マクロ部1の外
側には、コンタクト領域3が設けられている。このコン
タクト領域3の最外周には、セル部2(図3参照)の配
置を禁止するためのセル配置禁止枠10が作成されてい
る。
Next, a semiconductor integrated circuit designed based on the above-described layout design method will be described with reference to FIGS. First, referring to FIG. 2, a contact region 3 is provided outside macro section 1. At the outermost periphery of the contact region 3, a cell placement prohibition frame 10 for prohibiting the placement of the cell portion 2 (see FIG. 3) is created.

【0025】そして、図3および図4に示すように、マ
クロ部1の領域内には、主電源配線4が配置されてい
る。この主電源配線4は、主電源電位線(Vcc)また
は主接地電位線(GND)のいずれかである。セル部2
は、セル配置禁止枠10よりも外側に配置されている。
また、セル部2には、セル部2内の回路に電源電位また
は接地電位を供給するための第1補助電源配線5が配置
されている。また、マクロ部1には、第1補助電源配線
5とほぼ同一方向に延びる第2補助電源配線6が配置さ
れている。
As shown in FIGS. 3 and 4, a main power supply wiring 4 is arranged in the region of the macro unit 1. The main power supply wiring 4 is either a main power supply potential line (Vcc) or a main ground potential line (GND). Cell part 2
Are arranged outside the cell arrangement prohibition frame 10.
In the cell unit 2, a first auxiliary power supply line 5 for supplying a power supply potential or a ground potential to a circuit in the cell unit 2 is arranged. In the macro section 1, a second auxiliary power supply line 6 extending in substantially the same direction as the first auxiliary power supply line 5 is arranged.

【0026】なお、本実施形態におけるマクロ部1は、
CPUや、RAM、ROMなどのコア(核)になる大規
模機能ブロックである。また、セル部2は、マクロ部1
の周辺に配置され、ゲートアレイの基本セルやスタンダ
ードセルなどのように、ロジック回路を構成する機能ブ
ロックである。
It should be noted that the macro unit 1 in the present embodiment
This is a large-scale functional block serving as a core (core) such as a CPU, a RAM, and a ROM. In addition, the cell unit 2 includes a macro unit 1
Is a functional block that constitutes a logic circuit, such as a basic cell or a standard cell of a gate array.

【0027】ここで、図4に示すように、セル部2に配
置される第1補助電源配線5は、1層目の配線層によっ
て形成されており、マクロ部1に配置される第2補助電
源配線6は、5層目の配線層によって形成されている。
このため、第1補助電源配線5と第2補助電源配線6と
を直接接続することは困難である。
Here, as shown in FIG. 4, the first auxiliary power supply line 5 arranged in the cell section 2 is formed by the first wiring layer, and the second auxiliary power supply line 5 is arranged in the macro section 1. The power supply wiring 6 is formed by a fifth wiring layer.
For this reason, it is difficult to directly connect the first auxiliary power supply wiring 5 and the second auxiliary power supply wiring 6.

【0028】そこで、本実施形態では、1層目の配線層
からなる第1補助電源配線5と5層目の配線層からなる
第2補助電源配線6とを、コンタクト領域に設けられた
接続配線層7a、7bおよび7cと、プラグ8a、8
b、8cおよび8dとを用いて接続する。また、マクロ
部1の領域内において、第2補助電源配線6と、主電源
配線4とを、プラグ8eによって接続する。なお、プラ
グ8a、8b、8cおよび8dは、本発明の「第1接続
孔配線」に相当する。また、プラグ8eは、本発明の
「第2接続孔配線」に相当する。
Therefore, in the present embodiment, the first auxiliary power supply wiring 5 composed of the first wiring layer and the second auxiliary power supply wiring 6 composed of the fifth wiring layer are connected to the connection wiring provided in the contact region. Layers 7a, 7b and 7c and plugs 8a, 8
b, 8c and 8d. Further, in the region of the macro section 1, the second auxiliary power supply wiring 6 and the main power supply wiring 4 are connected by a plug 8e. The plugs 8a, 8b, 8c and 8d correspond to the "first connection hole wiring" of the present invention. Further, the plug 8e corresponds to the "second connection hole wiring" of the present invention.

【0029】また、本実施形態では、図4に示すよう
に、マクロ部1は、5層の配線層によって形成されてい
る。そして、マクロ部1の1層目から3層目は、内部配
線のみに用いられ、外部配線は禁止されている。マクロ
部1の4層目には、主電源配線4が形成されており、5
層目には、第2補助電源配線6が形成されている。
In this embodiment, as shown in FIG. 4, the macro unit 1 is formed by five wiring layers. The first to third layers of the macro unit 1 are used only for internal wiring, and external wiring is prohibited. On the fourth layer of the macro section 1, a main power supply wiring 4 is formed.
The second auxiliary power supply wiring 6 is formed in the layer.

【0030】本実施形態では、上記のように、マクロ部
1の外側に、コンタクト領域3を設けることによって、
そのコンタクト領域3に第1補助電源配線5と第2補助
電源配線6とを接続するための接続配線層7a〜7cお
よびプラグ8a〜8dを確実に形成することができる。
これにより、セル部2の第1補助電源配線5と、マクロ
部1の第2補助電源配線6とを確実に接続することがで
きる。その結果、セル部2の第1補助電源配線5を、マ
クロ部1の第2補助電源配線6を介して、マクロ部1の
主電源配線4に確実に接続することができる。
In the present embodiment, as described above, by providing the contact region 3 outside the macro portion 1,
The connection wiring layers 7a to 7c and the plugs 8a to 8d for connecting the first auxiliary power supply wiring 5 and the second auxiliary power supply wiring 6 can be reliably formed in the contact region 3.
Thereby, the first auxiliary power supply wiring 5 of the cell unit 2 and the second auxiliary power supply wiring 6 of the macro unit 1 can be reliably connected. As a result, the first auxiliary power supply wiring 5 of the cell unit 2 can be reliably connected to the main power supply wiring 4 of the macro unit 1 via the second auxiliary power supply wiring 6 of the macro unit 1.

【0031】ここで、図3および図4に示す本実施形態
の構成において、コンタクト領域3を設けていない場合
の不都合について説明する。コンタクト領域3を設けて
いないと、セル部2がマクロ部1に近接して配置される
場合がある。その場合には、セル部2とマクロ部1との
間隔が小さくなり、第1補助電源配線5と第2補助電源
配線6とを接続するための接続配線を形成する領域を確
保することができないという不都合が生じる。この場
合、セル部2の第1補助電源配線5と、マクロ部1の第
2補助電源配線6とを確実に接続することが困難にな
る。本実施形態では、コンタクト領域3を設けるととも
に、そのコンタクト領域3の最外周にセル部2の配置を
禁止するセル配置禁止枠10を設定することによって、
第1補助電源配線5と第2補助電源配線6とを接続する
ための接続配線(接続配線層7a〜7cおよびプラグ8
a〜8d)を形成するための領域を確実に確保すること
ができる。その結果、確実かつ容易に、セル部2の第1
補助電源配線5を、マクロ部1の第2補助電源配線6を
介して、マクロ部1の主電源配線4に接続することがで
きる。
Here, inconvenience in the case where the contact region 3 is not provided in the configuration of the present embodiment shown in FIGS. 3 and 4 will be described. If the contact region 3 is not provided, the cell unit 2 may be arranged close to the macro unit 1. In this case, the space between the cell unit 2 and the macro unit 1 becomes small, and it is not possible to secure an area for forming a connection wiring for connecting the first auxiliary power supply wiring 5 and the second auxiliary power supply wiring 6. Inconvenience occurs. In this case, it is difficult to reliably connect the first auxiliary power supply line 5 of the cell unit 2 and the second auxiliary power supply line 6 of the macro unit 1. In the present embodiment, by providing the contact region 3 and setting the cell placement prohibition frame 10 for prohibiting the placement of the cell portion 2 at the outermost periphery of the contact region 3,
Connection wiring (connection wiring layers 7a to 7c and plug 8) for connecting the first auxiliary power supply wiring 5 and the second auxiliary power supply wiring 6
a to 8d) can be reliably secured. As a result, the first of the cell unit 2 can be reliably and easily performed.
The auxiliary power supply wiring 5 can be connected to the main power supply wiring 4 of the macro unit 1 via the second auxiliary power supply wiring 6 of the macro unit 1.

【0032】また、本実施形態では、上記のように、セ
ル部2の第1補助電源配線5をマクロ部1の領域内に配
置された主電源配線4に確実に接続することができるの
で、主電源配線4をマクロ部1の領域内に配置すること
が可能となる。これにより、従来のように、マクロ部の
外側に主電源配線をリング状に配置する必要がなくな
り、その結果、マクロ部の外側に主電源配線を配置する
場合に生じるチップ面積の増大という不都合を防止する
ことができる。なお、コンタクト領域3に形成される接
続配線(接続配線層7a〜7cおよびプラグ8a〜8
d)は、太い幅の必要な主電源配線4と異なり、細い幅
でよいので、コンタクト領域3の幅も細くてよい。これ
により、コンタクト領域3を設けたとしても、それほ
ど、チップ面積が増大することはないので、問題はな
い。
Further, in the present embodiment, as described above, the first auxiliary power supply wiring 5 of the cell section 2 can be securely connected to the main power supply wiring 4 arranged in the area of the macro section 1. The main power supply wiring 4 can be arranged in the area of the macro unit 1. This eliminates the necessity of arranging the main power supply wiring outside the macro part in a ring shape as in the related art. As a result, there is a disadvantage that the chip area increases when the main power supply wiring is arranged outside the macro part. Can be prevented. Note that connection wirings (connection wiring layers 7a to 7c and plugs 8a to 8a) formed in the contact region 3 are formed.
In the case of d), unlike the main power supply wiring 4 which requires a large width, the width may be small, so that the width of the contact region 3 may be small. Thus, even if the contact region 3 is provided, there is no problem because the chip area does not increase so much.

【0033】また、本実施形態では、第1補助電源配線
5と第2補助電源配線6とをほぼ同一方向に延びるよう
に配置することによって、第1補助電源配線5と第2補
助電源配線6とが折れ曲がることなくほぼ直線状に接続
されるので、第1補助電源配線5と第2補助電源配線6
との総配線長を短くすることができる。これにより、配
線容量を低減することができ、その結果、回路動作の高
速化を図ることができる。
In this embodiment, the first auxiliary power supply line 5 and the second auxiliary power supply line 6 are arranged so as to extend in substantially the same direction. Are connected almost linearly without being bent, so that the first auxiliary power supply wiring 5 and the second auxiliary power supply wiring 6 are connected.
Can be shortened. As a result, the wiring capacitance can be reduced, and as a result, the speed of the circuit operation can be increased.

【0034】また、本実施形態では、上記のようにマク
ロ部1を5層の多層配線構造によって形成するととも
に、マクロ部1の4層目の配線層によって主電源配線4
を形成し、かつ、5層目の配線層によって第2補助電源
配線6を形成することによって、マクロ部1の1層目か
ら3層目の配線層を用いて、マクロ部1の内部配線を、
主電源配線4および第2補助電源配線6に阻害されるこ
となく、容易に行うことができる。
In this embodiment, as described above, the macro part 1 is formed by the five-layered multilayer wiring structure, and the main power supply wiring 4 is formed by the fourth wiring layer of the macro part 1.
Is formed, and the second auxiliary power supply wiring 6 is formed by the fifth wiring layer, so that the internal wiring of the macro part 1 can be formed using the first to third wiring layers of the macro part 1. ,
It can be easily performed without being hindered by the main power supply wiring 4 and the second auxiliary power supply wiring 6.

【0035】なお、今回開示された実施形態は、すべて
の点で例示であって制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明
ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請
求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が
含まれる。
It should be noted that the embodiment disclosed this time is illustrative in all aspects and is not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description of the embodiments, and includes all modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

【0036】たとえば、上記実施形態では、マクロ部1
を5層構造にしたが、本発明はこれに限らず、5層以外
の配線構造にしても良い。
For example, in the above embodiment, the macro unit 1
Has a five-layer structure, but the present invention is not limited to this, and a wiring structure other than five layers may be used.

【0037】また、上記実施形態では、主電源配線4を
4層目に設けるとともに、第2補助電源配線6を5層目
に設けるようにしたが、本発明はこれに限らず、主電源
配線4および第2補助電源配線6を上記以外の層に設け
るようにしても良い。また、主電源配線4と第2補助電
源配線6とを同一の層に設けるようにしても良い。
In the above embodiment, the main power supply wiring 4 is provided in the fourth layer, and the second auxiliary power supply wiring 6 is provided in the fifth layer. However, the present invention is not limited to this. 4 and the second auxiliary power supply wiring 6 may be provided in layers other than the above. Further, the main power supply wiring 4 and the second auxiliary power supply wiring 6 may be provided on the same layer.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、マクロ
部の外側にコンタクト領域を設けることによって、セル
部の補助電源配線とマクロ部の領域内に位置する主電源
配線とを確実かつ容易に接続することができる。これに
より、従来のように、マクロ部の外側に主電源配線を配
置する必要がなくなり、その結果、マクロ部の外側に主
電源配線を配置する場合に生じるチップ面積の増大を防
止することができる。
As described above, according to the present invention, by providing the contact region outside the macro portion, the auxiliary power supply line in the cell portion and the main power supply line located in the region of the macro portion can be reliably and securely formed. Can be easily connected. Thus, unlike the related art, it is not necessary to arrange the main power supply wiring outside the macro unit, and as a result, it is possible to prevent the chip area from increasing when the main power supply wiring is arranged outside the macro unit. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態による半導体集積回路のレ
イアウト設計方法を説明するためのフロー図である。
FIG. 1 is a flowchart for explaining a layout design method of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した一実施形態のレイアウト設計方法
に基づいて設計した半導体集積回路のマクロ部を示した
平面レイアウト図である。
FIG. 2 is a plan layout diagram showing a macro part of the semiconductor integrated circuit designed based on the layout design method of the embodiment shown in FIG. 1;

【図3】図1に示した一実施形態のレイアウト設計方法
に基づいて設計した半導体集積回路の平面レイアウト図
である。
FIG. 3 is a plan layout diagram of a semiconductor integrated circuit designed based on the layout design method of the embodiment shown in FIG. 1;

【図4】図3に示した半導体集積回路の100−100
線に沿った断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the semiconductor integrated circuit shown in FIG.
It is sectional drawing along the line.

【図5】従来の半導体集積回路のレイアウト設計方法を
説明するためのフロー図である。
FIG. 5 is a flowchart for explaining a conventional layout design method of a semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 マクロ部 2 セル部 3 コンタクト領域 4 主電源配線 5 第1補助電源配線 6 第2補助電源配線 7a、7b、7c 接続配線層 8a、8b、8c、8d プラグ(第1接続孔配線) 8e プラグ(第2接続孔配線) 10 セル配置禁止枠(セル部配置禁止枠) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Macro part 2 Cell part 3 Contact area 4 Main power supply wiring 5 1st auxiliary power supply wiring 6 2nd auxiliary power supply wiring 7a, 7b, 7c Connection wiring layer 8a, 8b, 8c, 8d Plug (1st connection hole wiring) 8e Plug (Second connection hole wiring) 10 Cell placement prohibited frame (Cell part placement prohibited frame)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 27/04 U ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 27/04 U

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マクロ部と、 前記マクロ部の外側に設けられたコンタクト領域と、 前記コンタクト領域以外の前記マクロ部の周辺に形成さ
れたセル部とを備えた、半導体集積回路。
1. A semiconductor integrated circuit, comprising: a macro part; a contact region provided outside the macro part; and a cell part formed around the macro part other than the contact region.
【請求項2】 前記マクロ部の領域内に配置された主電
源配線と、 前記セル部に配置された第1補助電源配線と、 前記マクロ部の領域内に配置され、前記主電源配線と電
気的に接続される第2補助電源配線と、 前記コンタクト領域に形成され、前記セル部の第1補助
電源配線と前記マクロ部の第2補助電源配線とを接続す
るための接続配線とをさらに備える、請求項1に記載の
半導体集積回路。
2. A main power supply line disposed in a region of the macro unit, a first auxiliary power supply line disposed in the cell unit, and a main power supply line disposed in a region of the macro unit and electrically connected to the main power supply line. A second auxiliary power supply line, which is electrically connected, and a connection wiring formed in the contact region and connecting the first auxiliary power supply line of the cell unit and the second auxiliary power supply line of the macro unit. The semiconductor integrated circuit according to claim 1.
【請求項3】 前記主電源配線は、主電源電位線および
主接地電位線のいずれか一方を含む、請求項2に記載の
半導体集積回路。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein said main power supply line includes one of a main power supply potential line and a main ground potential line.
【請求項4】 前記セル部に配置された第1補助電源配
線と、前記マクロ部に配置された第2補助電源配線と
は、ほぼ同一方向に延びるように配置されている、請求
項2または3に記載の半導体集積回路。
4. The second auxiliary power supply line arranged in the cell section and the second auxiliary power supply line arranged in the macro section are arranged to extend in substantially the same direction. 4. The semiconductor integrated circuit according to 3.
【請求項5】 前記コンタクト領域は、多層配線構造を
有し、 前記接続配線は、前記コンタクト領域における多層配線
を構成する複数の接続配線層と、前記複数の接続配線層
間を接続する第1接続孔配線とを含む、請求項2〜4の
いずれか1項に記載の半導体集積回路。
5. The contact region has a multilayer wiring structure, and the connection wiring is a first connection that connects a plurality of connection wiring layers constituting the multilayer wiring in the contact region and the plurality of connection wiring layers. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, further comprising a hole wiring.
【請求項6】 前記マクロ部は、多層配線構造を有し、 前記主電源配線は、前記マクロ部における多層配線の任
意の配線層によって形成されており、 前記第2補助電源配線は、前記マクロ部における多層配
線の他の配線層によって形成されており、 前記主電源配線と、前記第2補助電源配線とは、第2接
続孔配線を介して接続されている、請求項2〜5のいず
れか1項に記載の半導体集積回路。
6. The macro unit has a multilayer wiring structure, wherein the main power supply wiring is formed by an arbitrary wiring layer of the multilayer wiring in the macro unit, and wherein the second auxiliary power supply wiring is The main power supply wiring and the second auxiliary power supply wiring are connected via a second connection hole wiring, and are formed by another wiring layer of the multilayer wiring in the portion. 2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1.
【請求項7】 前記マクロ部は、3層以上の配線層を有
し、 前記主電源配線および前記第2補助電源配線のいずれか
一方を最上層の配線層によって形成し、他方を上から2
番目の配線層によって形成する、請求項6に記載の半導
体集積回路。
7. The macro section has three or more wiring layers, one of the main power supply wiring and the second auxiliary power supply wiring is formed by the uppermost wiring layer, and the other is formed by the uppermost two wiring layers.
7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein the semiconductor integrated circuit is formed by a third wiring layer.
【請求項8】 マクロ部の外側に、接続配線を形成可能
なコンタクト領域を計算する工程と、 前記コンタクト領域の最外周に、セル部配置禁止枠を作
成する工程と、 前記セル部に配置された第1補助電源配線を、前記コン
タクト領域に形成した接続配線を用いて、前記マクロ部
の領域内に配置された第2補助電源配線に接続するとと
もに、前記第2補助電源配線を、前記マクロ部の領域内
に配置された主電源配線に接続する工程とを備えた、半
導体集積回路のレイアウト方法。
8. A step of calculating a contact area in which a connection wiring can be formed outside the macro section; a step of forming a cell section arrangement prohibition frame on the outermost periphery of the contact area; Connecting the first auxiliary power supply wiring to the second auxiliary power supply wiring disposed in the area of the macro section using the connection wiring formed in the contact region, and connecting the second auxiliary power supply wiring to the macro Connecting to a main power supply line arranged in a region of the semiconductor integrated circuit.
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