JP2002134463A - 基板乾燥装置 - Google Patents
基板乾燥装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機物汚染が発生することなくかつ廃液処理
が不要であるとともに、ウォーターマークの形成および
自然酸化膜の成長を防止しつつ基板を十分に乾燥させる
ことができる基板乾燥装置を提供することである。 【解決手段】 チャンバ２内に供給するＮ2 ガスの流量
を高流量に切り替え、キャリア４に保持されたウエハ１
００を処理槽３内に導入し、純水で洗浄する。ハロゲン
ランプ７をオンにし、処理槽３内の気液界面に１．３μ
ｍ〜３．０μｍの波長領域の赤外線を照射する。キャリ
ア４を一定速度で上昇させ、ウエハ１００を処理槽３内
の純水から徐々に引き上げる。このとき、Ｎ2 ガスの流
量を高流量に保ち、処理槽３内の純水からＮ2 雰囲気中
に現れるウエハ１００の部分にハロゲンランプ７により
発生された赤外線を照射することにより、ウエハ１００
の表面を乾燥させる。
が不要であるとともに、ウォーターマークの形成および
自然酸化膜の成長を防止しつつ基板を十分に乾燥させる
ことができる基板乾燥装置を提供することである。 【解決手段】 チャンバ２内に供給するＮ2 ガスの流量
を高流量に切り替え、キャリア４に保持されたウエハ１
００を処理槽３内に導入し、純水で洗浄する。ハロゲン
ランプ７をオンにし、処理槽３内の気液界面に１．３μ
ｍ〜３．０μｍの波長領域の赤外線を照射する。キャリ
ア４を一定速度で上昇させ、ウエハ１００を処理槽３内
の純水から徐々に引き上げる。このとき、Ｎ2 ガスの流
量を高流量に保ち、処理槽３内の純水からＮ2 雰囲気中
に現れるウエハ１００の部分にハロゲンランプ７により
発生された赤外線を照射することにより、ウエハ１００
の表面を乾燥させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を液体により
処理した後に乾燥させる基板乾燥装置に関する。
処理した後に乾燥させる基板乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、
ガラス基板等の基板に種々の薬液処理を行った後には、
基板を洗浄槽に導入して純水により洗浄している。洗浄
後、その基板を洗浄槽内の純水から低速で引き上げるこ
とにより、水分が気液界面より上昇することを防止し、
基板を乾燥させることができる。
ガラス基板等の基板に種々の薬液処理を行った後には、
基板を洗浄槽に導入して純水により洗浄している。洗浄
後、その基板を洗浄槽内の純水から低速で引き上げるこ
とにより、水分が気液界面より上昇することを防止し、
基板を乾燥させることができる。
【０００３】しかし、このような基板の乾燥方法では、
乾燥が不十分となり、基板の表面に水滴が残存する。基
板の表面に残存した水滴は酸素雰囲気下でウォーターマ
ークを形成する。
乾燥が不十分となり、基板の表面に水滴が残存する。基
板の表面に残存した水滴は酸素雰囲気下でウォーターマ
ークを形成する。
【０００４】そこで、チャンバ内に洗浄槽を配置し、チ
ャンバ内をイソプロピルアルコールの蒸気を含む窒素雰
囲気にする。この状態で基板を洗浄槽から低速で引き上
げ、基板の表面においてイソプロピルアルコールを凝縮
させることにより、イソプロピルアルコールで水分を置
換する方法が提案されている。この方法では、基板の引
き上げ終了後に、基板の表面のイソプロピルアルコール
を乾燥させるためにチャンバを減圧状態にしている。
ャンバ内をイソプロピルアルコールの蒸気を含む窒素雰
囲気にする。この状態で基板を洗浄槽から低速で引き上
げ、基板の表面においてイソプロピルアルコールを凝縮
させることにより、イソプロピルアルコールで水分を置
換する方法が提案されている。この方法では、基板の引
き上げ終了後に、基板の表面のイソプロピルアルコール
を乾燥させるためにチャンバを減圧状態にしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の乾燥方法では、有機溶媒であるイソプロピルアル
コールを用いているために、有機物汚染が発生するとと
もに、廃液処理が必要となる。
従来の乾燥方法では、有機溶媒であるイソプロピルアル
コールを用いているために、有機物汚染が発生するとと
もに、廃液処理が必要となる。
【０００６】本発明の目的は、有機物汚染が発生するこ
となくかつ廃液処理が不要であり、ウォーターマークの
形成および自然酸化膜の成長を防止しつつ基板を十分に
乾燥させることができる基板乾燥装置を提供することで
ある。
となくかつ廃液処理が不要であり、ウォーターマークの
形成および自然酸化膜の成長を防止しつつ基板を十分に
乾燥させることができる基板乾燥装置を提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板乾燥装置は、基板に所定の処理を行うた
めの液体を収容する処理槽と、処理槽の周囲の空間を取
り囲む筐体と、筐体内に不活性ガスを供給する不活性ガ
ス供給手段と、基板を保持し、筐体の処理槽内の液体中
に基板を導入するとともに、処理槽内の液体から基板を
引き上げる基板保持手段と、処理槽内で基板保持手段に
より処理槽内の液体から引き上げられる基板に赤外線を
照射する赤外線照射手段と、不活性ガス供給手段により
筐体内に不活性ガスを供給しつつ、基板保持手段により
処理槽内の液体から基板を引き上げるとともに、処理槽
内の液体から引き上げられる基板に赤外線照射手段によ
りに赤外線を照射するように、不活性ガス供給手段、基
板保持手段および赤外線照射手段を制御する制御手段と
を備えたものである。
発明に係る基板乾燥装置は、基板に所定の処理を行うた
めの液体を収容する処理槽と、処理槽の周囲の空間を取
り囲む筐体と、筐体内に不活性ガスを供給する不活性ガ
ス供給手段と、基板を保持し、筐体の処理槽内の液体中
に基板を導入するとともに、処理槽内の液体から基板を
引き上げる基板保持手段と、処理槽内で基板保持手段に
より処理槽内の液体から引き上げられる基板に赤外線を
照射する赤外線照射手段と、不活性ガス供給手段により
筐体内に不活性ガスを供給しつつ、基板保持手段により
処理槽内の液体から基板を引き上げるとともに、処理槽
内の液体から引き上げられる基板に赤外線照射手段によ
りに赤外線を照射するように、不活性ガス供給手段、基
板保持手段および赤外線照射手段を制御する制御手段と
を備えたものである。
【０００８】本発明に係る基板乾燥装置においては、基
板に所定の処理を行うための液体が処理槽内に収容さ
れ、処理槽の周囲の空間が筐体により取り囲まれてい
る。基板の処理時には、基板が基板保持手段により保持
された状態で処理槽内の液体中に導入される。基板の処
理後に、基板保持手段により処理槽内の液体から基板が
引き上げられる。処理槽内の液体から基板が引き上げら
れている間には、不活性ガス供給手段により筐体内に不
活性ガスが供給されるとともに、処理槽内の液体から引
き上げられる基板に赤外線照射手段により赤外線が照射
される。
板に所定の処理を行うための液体が処理槽内に収容さ
れ、処理槽の周囲の空間が筐体により取り囲まれてい
る。基板の処理時には、基板が基板保持手段により保持
された状態で処理槽内の液体中に導入される。基板の処
理後に、基板保持手段により処理槽内の液体から基板が
引き上げられる。処理槽内の液体から基板が引き上げら
れている間には、不活性ガス供給手段により筐体内に不
活性ガスが供給されるとともに、処理槽内の液体から引
き上げられる基板に赤外線照射手段により赤外線が照射
される。
【０００９】それにより、処理槽内の液体から引き上げ
られる基板の表面を赤外線のエネルギーにより十分に乾
燥させることができる。このとき、処理槽内の液体から
引き上げられる基板の表面が空気に晒されずに不活性ガ
スの雰囲気中にあるので、基板の表面にウォーターマー
クが形成されることが防止されるとともに、基板の表面
に自然酸化膜が成長することが防止される。また、有機
溶媒を用いていないので、有機物汚染の発生が防止され
るとともに、廃液処理が不要となる。
られる基板の表面を赤外線のエネルギーにより十分に乾
燥させることができる。このとき、処理槽内の液体から
引き上げられる基板の表面が空気に晒されずに不活性ガ
スの雰囲気中にあるので、基板の表面にウォーターマー
クが形成されることが防止されるとともに、基板の表面
に自然酸化膜が成長することが防止される。また、有機
溶媒を用いていないので、有機物汚染の発生が防止され
るとともに、廃液処理が不要となる。
【００１０】第２の発明に係る基板乾燥装置は、第１の
発明に係る基板乾燥装置の構成において、赤外線照射手
段は、処理槽内の液体と筐体内に供給された不活性ガス
との界面を含む領域に赤外線を照射するように配置され
たものである。
発明に係る基板乾燥装置の構成において、赤外線照射手
段は、処理槽内の液体と筐体内に供給された不活性ガス
との界面を含む領域に赤外線を照射するように配置され
たものである。
【００１１】この場合、赤外線照射手段により処理槽内
の液体と筐体内に供給された不活性ガスとの界面を含む
領域に赤外線が照射されるので、処理槽内の液体から引
き上げられる基板の表面が即時に乾燥する。したがっ
て、基板を効率的に乾燥させることができる。
の液体と筐体内に供給された不活性ガスとの界面を含む
領域に赤外線が照射されるので、処理槽内の液体から引
き上げられる基板の表面が即時に乾燥する。したがっ
て、基板を効率的に乾燥させることができる。
【００１２】第３の発明に係る基板乾燥装置は、第１ま
たは第２の発明に係る基板乾燥装置の構成において、赤
外線照射手段は、液体における光の吸収率が基板におけ
る光の吸収率よりも高くなる波長領域の赤外線を発生す
るものである。
たは第２の発明に係る基板乾燥装置の構成において、赤
外線照射手段は、液体における光の吸収率が基板におけ
る光の吸収率よりも高くなる波長領域の赤外線を発生す
るものである。
【００１３】この場合、赤外線照射手段により発生され
る赤外線が基板に比べて液体に十分に吸収されるので、
基板を加熱することなく基板の表面に付着した液体のみ
を選択的に加熱することができる。それにより、ウォー
ターマークの形成および自然酸化膜の成長を十分に防止
しつつ基板の表面を効率的かつ十分に乾燥させることが
できる。
る赤外線が基板に比べて液体に十分に吸収されるので、
基板を加熱することなく基板の表面に付着した液体のみ
を選択的に加熱することができる。それにより、ウォー
ターマークの形成および自然酸化膜の成長を十分に防止
しつつ基板の表面を効率的かつ十分に乾燥させることが
できる。
【００１４】第４の発明に係る基板乾燥装置は、第１〜
第３のいずれかの発明に係る基板乾燥装置の構成におい
て、基板はシリコンを含む材料からなり、赤外線照射手
段はほぼ１．３μｍからほぼ３．０μｍまでの波長領域
の赤外線を発生するものである。
第３のいずれかの発明に係る基板乾燥装置の構成におい
て、基板はシリコンを含む材料からなり、赤外線照射手
段はほぼ１．３μｍからほぼ３．０μｍまでの波長領域
の赤外線を発生するものである。
【００１５】この場合、シリコンを含む材料からなる基
板においては、ほぼ１．３μｍからほぼ３．０μｍまで
の波長領域での光の吸収率がほぼ０に近く、液体におい
ては、ほぼ１．３μｍからほぼ３．０μｍまでの波長領
域での光の吸収率がほぼ１００％に近いため、このよう
な波長領域の赤外線は基板にほとんど吸収されることな
く液体に吸収される。
板においては、ほぼ１．３μｍからほぼ３．０μｍまで
の波長領域での光の吸収率がほぼ０に近く、液体におい
ては、ほぼ１．３μｍからほぼ３．０μｍまでの波長領
域での光の吸収率がほぼ１００％に近いため、このよう
な波長領域の赤外線は基板にほとんど吸収されることな
く液体に吸収される。
【００１６】それにより、基板を加熱することなく液体
のみを選択的に加熱することができる。したがって、基
板の表面にウォーターマークが形成されることをさらに
十分に防止することができるとともに、自然酸化膜の成
長をさらに十分に防止することができる。
のみを選択的に加熱することができる。したがって、基
板の表面にウォーターマークが形成されることをさらに
十分に防止することができるとともに、自然酸化膜の成
長をさらに十分に防止することができる。
【００１７】第５の発明に係る基板乾燥装置は、第４の
発明に係る基板乾燥装置の構成において、赤外線照射手
段はハロゲンランプを含むものである。
発明に係る基板乾燥装置の構成において、赤外線照射手
段はハロゲンランプを含むものである。
【００１８】ハロゲンランプは、ほぼ１．３μｍからほ
ぼ３．０μｍまでの波長領域の赤外線を効率的に発生す
ることができる。したがって、基板の表面にウォーター
マークが形成されることをさらに十分に防止することが
できるとともに、自然酸化膜の成長をさらに十分に防止
することができる。
ぼ３．０μｍまでの波長領域の赤外線を効率的に発生す
ることができる。したがって、基板の表面にウォーター
マークが形成されることをさらに十分に防止することが
できるとともに、自然酸化膜の成長をさらに十分に防止
することができる。
【００１９】第６の発明に係る基板乾燥装置は、第１〜
第５のいずれかの発明に係る基板乾燥装置の構成におい
て、所定の処理は洗浄処理であり、液体は洗浄水である
ものである。
第５のいずれかの発明に係る基板乾燥装置の構成におい
て、所定の処理は洗浄処理であり、液体は洗浄水である
ものである。
【００２０】処理槽内の洗浄水により基板が洗浄され、
洗浄された基板が処理槽内の洗浄水から引き上げられつ
つ乾燥される。この場合、洗浄された基板の表面にウォ
ーターマークが形成されることなくかつ自然酸化膜が成
長することなく基板を十分に乾燥させることができる。
洗浄された基板が処理槽内の洗浄水から引き上げられつ
つ乾燥される。この場合、洗浄された基板の表面にウォ
ーターマークが形成されることなくかつ自然酸化膜が成
長することなく基板を十分に乾燥させることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態にお
ける基板乾燥装置を正面から見た縦断面図である。ま
た、図２は図１の基板乾燥装置を側面から見た縦断面図
である。
ける基板乾燥装置を正面から見た縦断面図である。ま
た、図２は図１の基板乾燥装置を側面から見た縦断面図
である。
【００２２】図１および図２の基板乾燥装置１はチャン
バ２を備える。チャンバ２内には純水を用いた洗浄処理
を行う処理槽３が設けられている。本実施の形態では、
処理槽３において、基板としてシリコンからなるウエハ
１００が純水を用いて洗浄される。
バ２を備える。チャンバ２内には純水を用いた洗浄処理
を行う処理槽３が設けられている。本実施の形態では、
処理槽３において、基板としてシリコンからなるウエハ
１００が純水を用いて洗浄される。
【００２３】チャンバ２内の処理槽３の上方には、１ま
たは複数のウエハ１００を保持するキャリア４が上下方
向に移動可能に配設されている。また、チャンバ２内に
は駆動ロボット６が設けられている。キャリア４は、支
持部材５を介して駆動ロボット６に取り付けられてい
る。駆動ロボット６は、支持部材５を介してキャリア４
を矢印Ｙで示すように上下方向に駆動する。
たは複数のウエハ１００を保持するキャリア４が上下方
向に移動可能に配設されている。また、チャンバ２内に
は駆動ロボット６が設けられている。キャリア４は、支
持部材５を介して駆動ロボット６に取り付けられてい
る。駆動ロボット６は、支持部材５を介してキャリア４
を矢印Ｙで示すように上下方向に駆動する。
【００２４】チャンバ２内において、処理槽３内の気液
界面を含む領域に両側方から赤外線を照射するように１
対のハロゲンランプ７が配設されている。ハロゲンラン
プ７は、１．３μｍ〜３．０μｍの波長領域の赤外線を
発生する。チャンバ２の上部開口には蓋１２が開閉自在
に設けられている。
界面を含む領域に両側方から赤外線を照射するように１
対のハロゲンランプ７が配設されている。ハロゲンラン
プ７は、１．３μｍ〜３．０μｍの波長領域の赤外線を
発生する。チャンバ２の上部開口には蓋１２が開閉自在
に設けられている。
【００２５】チャンバ２内の上部には、一対の不活性ガ
ス供給管８が配設されている。不活性ガス供給管８には
複数の供給孔９が形成されている。不活性ガス供給管８
の一端には配管１０の一端が取り付けられ、配管１０の
他端はチャンバ２の外部に取り出されている。配管１０
にはバルブ１１が介挿されている。
ス供給管８が配設されている。不活性ガス供給管８には
複数の供給孔９が形成されている。不活性ガス供給管８
の一端には配管１０の一端が取り付けられ、配管１０の
他端はチャンバ２の外部に取り出されている。配管１０
にはバルブ１１が介挿されている。
【００２６】本実施の形態では、不活性ガスとしてＮ2
（窒素）ガスが配管１０および不活性ガス供給管８を介
して供給孔９からチャンバ２内に供給される。
（窒素）ガスが配管１０および不活性ガス供給管８を介
して供給孔９からチャンバ２内に供給される。
【００２７】駆動ロボット６の動作、ハロゲンランプ７
のオンオフ、バルブ１１の流量調整および蓋１２の開閉
は、制御ユニット２０により制御される。
のオンオフ、バルブ１１の流量調整および蓋１２の開閉
は、制御ユニット２０により制御される。
【００２８】次に、図３および図４を参照しながら図１
および図２の基板乾燥装置１の動作を説明する。図３は
図１の制御ユニット２０の制御動作を示すフローチャー
トである。また、図４は図１および図２の基板乾燥装置
１の動作を示す模式図である。
および図２の基板乾燥装置１の動作を説明する。図３は
図１の制御ユニット２０の制御動作を示すフローチャー
トである。また、図４は図１および図２の基板乾燥装置
１の動作を示す模式図である。
【００２９】まず、制御ユニット２０は、バルブ１１を
制御することにより、Ｎ2 ガスを配管１０を介して不活
性ガス供給管８の供給孔９からチャンバ２内に低流量で
供給する（ステップＳ１）。それにより、図４（ａ）に
示すように、チャンバ２内がＮ2 ガスでパージされてい
る。
制御することにより、Ｎ2 ガスを配管１０を介して不活
性ガス供給管８の供給孔９からチャンバ２内に低流量で
供給する（ステップＳ１）。それにより、図４（ａ）に
示すように、チャンバ２内がＮ2 ガスでパージされてい
る。
【００３０】この状態で、チャンバ２の蓋１２を開く
（ステップＳ２）。この場合、処理槽３内の純水をアッ
プフロー（上昇流）にする。
（ステップＳ２）。この場合、処理槽３内の純水をアッ
プフロー（上昇流）にする。
【００３１】次に、制御ユニット２０は、駆動ロボット
６を制御し、キャリア４に保持されたウエハ１００を基
板乾燥装置１のチャンバ２内に搬入する（ステップＳ
３）。そして、チャンバ２の蓋１２を閉じる（ステップ
Ｓ４）。
６を制御し、キャリア４に保持されたウエハ１００を基
板乾燥装置１のチャンバ２内に搬入する（ステップＳ
３）。そして、チャンバ２の蓋１２を閉じる（ステップ
Ｓ４）。
【００３２】その後、制御ユニット２０は、バルブ１１
を制御し、図４（ｂ）に示すように、Ｎ2 ガスの流量を
高流量に切り替える（ステップＳ５）。次に、制御ユニ
ット２０は、駆動ロボット６を制御し、キャリア４を下
降させる。それにより、キャリア４に保持されたウエハ
１００を処理槽３内に導入する（ステップＳ６）。処理
槽３においては、導入されたウエハ１００が純水で洗浄
される。
を制御し、図４（ｂ）に示すように、Ｎ2 ガスの流量を
高流量に切り替える（ステップＳ５）。次に、制御ユニ
ット２０は、駆動ロボット６を制御し、キャリア４を下
降させる。それにより、キャリア４に保持されたウエハ
１００を処理槽３内に導入する（ステップＳ６）。処理
槽３においては、導入されたウエハ１００が純水で洗浄
される。
【００３３】その後、制御ユニット２０は、図４（ｃ）
に示すように、ハロゲンランプ７をオンにする（ステッ
プＳ７）。それにより、ハロゲンランプ７から処理槽３
内の気液界面を含む領域に赤外線が照射される。
に示すように、ハロゲンランプ７をオンにする（ステッ
プＳ７）。それにより、ハロゲンランプ７から処理槽３
内の気液界面を含む領域に赤外線が照射される。
【００３４】次いで、制御ユニット２０は、駆動ロボッ
ト６を制御し、キャリア４に保持されたウエハ１００の
引き上げを開始する（ステップＳ８）。それにより、キ
ャリア４が一定速度で上昇し、ウエハ１００が処理槽３
内の純水から徐々に引き上げられる。このとき、Ｎ2 ガ
スの流量は高流量に保たれるとともに、処理槽３内の純
水がアップフローの状態に保たれる。この状態で、処理
槽３内の純水中からＮ 2 雰囲気中に晒されるウエハ１０
０の表面にハロゲンランプ７により発生された赤外線が
照射される。それにより、ウエハ１００の表面が赤外線
のエネルギーにより乾燥する。
ト６を制御し、キャリア４に保持されたウエハ１００の
引き上げを開始する（ステップＳ８）。それにより、キ
ャリア４が一定速度で上昇し、ウエハ１００が処理槽３
内の純水から徐々に引き上げられる。このとき、Ｎ2 ガ
スの流量は高流量に保たれるとともに、処理槽３内の純
水がアップフローの状態に保たれる。この状態で、処理
槽３内の純水中からＮ 2 雰囲気中に晒されるウエハ１０
０の表面にハロゲンランプ７により発生された赤外線が
照射される。それにより、ウエハ１００の表面が赤外線
のエネルギーにより乾燥する。
【００３５】処理槽３内の純水からのウエハ１００の引
き上げが終了すると（ステップＳ９）、制御ユニット２
０は、図４（ｄ）に示すように、ハロゲンランプ７をオ
フにする（ステップＳ１０）。そして、制御ユニット２
０は、バルブ１１を制御し、Ｎ2 ガスの流量を低流量に
切り替える（ステップＳ１１）。
き上げが終了すると（ステップＳ９）、制御ユニット２
０は、図４（ｄ）に示すように、ハロゲンランプ７をオ
フにする（ステップＳ１０）。そして、制御ユニット２
０は、バルブ１１を制御し、Ｎ2 ガスの流量を低流量に
切り替える（ステップＳ１１）。
【００３６】次いで、制御ユニット２０は、チャンバ２
の蓋１２を開いた後（ステップＳ１２）、駆動ロボット
６を制御し、キャリア４に保持されたウエハ１００を基
板乾燥装置１のチャンバ２から搬出する（ステップＳ１
３）。その後、チャンバ２の蓋１２を閉じる（ステップ
Ｓ１４）。
の蓋１２を開いた後（ステップＳ１２）、駆動ロボット
６を制御し、キャリア４に保持されたウエハ１００を基
板乾燥装置１のチャンバ２から搬出する（ステップＳ１
３）。その後、チャンバ２の蓋１２を閉じる（ステップ
Ｓ１４）。
【００３７】図５は水およびシリコンウエハにおける光
の吸収率を示す図である。図５に示すように、シリコン
ウエハにおいては、約１．３μｍから約３．０μｍまで
の波長領域で光の吸収率がほぼ０となる。これに対し
て、水においては、約１．３μｍから約３．０μｍまで
の波長領域で光の吸収率がほぼ１００％となる。
の吸収率を示す図である。図５に示すように、シリコン
ウエハにおいては、約１．３μｍから約３．０μｍまで
の波長領域で光の吸収率がほぼ０となる。これに対し
て、水においては、約１．３μｍから約３．０μｍまで
の波長領域で光の吸収率がほぼ１００％となる。
【００３８】したがって、本実施の形態の基板乾燥装置
１においては、１．３μｍから３．０μｍまでの波長領
域の赤外線が処理槽３の純水から引き上げられるウエハ
１００の表面に照射されることにより、赤外線のエネル
ギーがウエハ１００に吸収されることなくウエハ１００
の表面に付着した水分のみに吸収される。それにより、
ウエハ１００を加熱することなくウエハ１００の表面に
付着した水分のみを赤外線のエネルギーにより選択的に
加熱することができる。したがって、ウエハ１００の表
面の水分を効率的に乾燥させることができる。
１においては、１．３μｍから３．０μｍまでの波長領
域の赤外線が処理槽３の純水から引き上げられるウエハ
１００の表面に照射されることにより、赤外線のエネル
ギーがウエハ１００に吸収されることなくウエハ１００
の表面に付着した水分のみに吸収される。それにより、
ウエハ１００を加熱することなくウエハ１００の表面に
付着した水分のみを赤外線のエネルギーにより選択的に
加熱することができる。したがって、ウエハ１００の表
面の水分を効率的に乾燥させることができる。
【００３９】また、赤外線が処理槽３内の純水とＮ2 ガ
ス雰囲気との界面を含む領域に照射されるので、処理槽
３内の純水から引き上げられるウエハ１００の表面を即
時に乾燥させることができる。
ス雰囲気との界面を含む領域に照射されるので、処理槽
３内の純水から引き上げられるウエハ１００の表面を即
時に乾燥させることができる。
【００４０】さらに、処理槽３内の純水からウエハ１０
０が引き上げられる際にウエハ１００の表面が酸素雰囲
気に晒されずにＮ2 ガス雰囲気に晒されるので、ウエハ
１００の表面にウォーターマークが形成されることが防
止されるとともに、ウエハ１００の表面に自然酸化膜が
成長することが防止される。
０が引き上げられる際にウエハ１００の表面が酸素雰囲
気に晒されずにＮ2 ガス雰囲気に晒されるので、ウエハ
１００の表面にウォーターマークが形成されることが防
止されるとともに、ウエハ１００の表面に自然酸化膜が
成長することが防止される。
【００４１】また、有機溶媒を用いていないので、有機
物汚染が発生せず、廃液処理が不要となる。
物汚染が発生せず、廃液処理が不要となる。
【００４２】なお、上記実施の形態では、ハロゲンラン
プ７が処理槽３の上端の両側方に配置されているが、ハ
ロゲンランプ７の位置はこれに限定されず、処理槽３内
の液体と不活性ガスとの界面を含む領域に赤外線を照射
することができれば、他の位置に設けてもよい。例え
ば、ハロゲンランプをチャンバ２内の処理槽３の上方に
設けてもよい。
プ７が処理槽３の上端の両側方に配置されているが、ハ
ロゲンランプ７の位置はこれに限定されず、処理槽３内
の液体と不活性ガスとの界面を含む領域に赤外線を照射
することができれば、他の位置に設けてもよい。例え
ば、ハロゲンランプをチャンバ２内の処理槽３の上方に
設けてもよい。
【００４３】また、赤外線照射手段としては、ハロゲン
ランプに限らず、他の赤外線発生器を用いてもよい。特
に、基板がシリコンからなるウエハの場合には、約１．
３〜約３．０μｍの波長領域の赤外線を発生する赤外線
発生器を用いることが好ましい。
ランプに限らず、他の赤外線発生器を用いてもよい。特
に、基板がシリコンからなるウエハの場合には、約１．
３〜約３．０μｍの波長領域の赤外線を発生する赤外線
発生器を用いることが好ましい。
【００４４】また、上記実施の形態では、基板としてシ
リコンからなるウエハを用いているが、本発明の基板乾
燥装置は、化合物半導体ウエハ、ガラス基板等の他の基
板の乾燥にも同様に適用することができる。この場合、
基板の材料における光の吸収率が低く、液体における吸
収率が高くなる波長領域の赤外線を照射することが好ま
しい。
リコンからなるウエハを用いているが、本発明の基板乾
燥装置は、化合物半導体ウエハ、ガラス基板等の他の基
板の乾燥にも同様に適用することができる。この場合、
基板の材料における光の吸収率が低く、液体における吸
収率が高くなる波長領域の赤外線を照射することが好ま
しい。
【００４５】また、上記実施の形態では、処理槽内の液
体が純水である場合を説明しているが、処理槽内の液体
は他の液体であってもよい。
体が純水である場合を説明しているが、処理槽内の液体
は他の液体であってもよい。
【００４６】さらに、上記実施の形態では、不活性ガス
としてＮ2 ガスを用いているが、不活性ガスとしてＨｅ
（ヘリウム）、Ａｒ（アルゴン）等の他の不活性ガスを
用いることもできる。
としてＮ2 ガスを用いているが、不活性ガスとしてＨｅ
（ヘリウム）、Ａｒ（アルゴン）等の他の不活性ガスを
用いることもできる。
【図１】本発明の一実施の形態における基板乾燥装置を
正面から見た縦断面図である。
正面から見た縦断面図である。
【図２】図１の基板乾燥装置を側面から見た縦断面図で
ある。
ある。
【図３】図１の制御ユニットの制御動作を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図４】図１および図２の基板乾燥装置の動作を示す模
式図である。
式図である。
【図５】水およびシリコンウエハにおける光の吸収率を
示す図である。
示す図である。
１ 基板乾燥装置 ２ チャンバ ３ 処理槽 ４ キャリア ５ 支持部材 ６ 駆動ロボット ７ ハロゲンランプ ８ 不活性ガス供給管 ９ 供給孔 １０ 配管 １１ バルブ １２ 蓋 ２０ 制御ユニット １００ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ２６Ｂ 21/12 Ｆ２６Ｂ 21/12 23/04 23/04 Ｂ 25/00 25/00 Ａ (72)発明者 尾崎 秀彦 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB43 BB02 BB92 CC12 3L113 AA02 AB06 AC10 AC28 AC50 AC67 BA34 CB06 CB23 DA24
Claims (6)
- 【請求項１】 基板に所定の処理を行うための液体を収
容する処理槽と、 前記処理槽の周囲の空間を取り囲む筐体と、 前記筐体内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
と、 前記基板を保持し、前記筐体の前記処理槽内の液体中に
基板を導入するとともに、前記処理槽内の液体から基板
を引き上げる基板保持手段と、 前記処理槽内で前記基板保持手段により前記処理槽内の
液体から引き上げられる基板に赤外線を照射する赤外線
照射手段と、 前記不活性ガス供給手段により前記筐体内に前記不活性
ガスを供給しつつ、前記基板保持手段により前記処理槽
内の液体から基板を引き上げるとともに、前記処理槽内
の液体から引き上げられる基板に前記赤外線照射手段に
より赤外線を照射するように、前記不活性ガス供給手
段、前記基板保持手段および前記赤外線照射手段を制御
する制御手段とを備えたことを特徴とする基板乾燥装
置。 - 【請求項２】 前記赤外線照射手段は、前記処理槽内の
液体と前記筐体内に供給された不活性ガスとの界面を含
む領域に赤外線を照射するように配置されたことを特徴
とする請求項１記載の基板乾燥装置。 - 【請求項３】 前記赤外線照射手段は、前記液体におけ
る光の吸収率が前記基板における光の吸収率よりも高く
なる波長領域の赤外線を発生することを特徴とする請求
項１または２記載の基板乾燥装置。 - 【請求項４】 前記基板はシリコンを含む材料からな
り、前記赤外線照射手段はほぼ１．３μｍからほぼ３．
０μｍまでの波長領域の赤外線を発生することを特徴と
する請求項１〜３のいずれかに記載の基板乾燥装置。 - 【請求項５】 前記赤外線照射手段はハロゲンランプを
含むことを特徴とする請求項４記載の基板乾燥装置。 - 【請求項６】 前記所定の処理は洗浄処理であり、前記
液体は洗浄水であることを特徴とする請求項１〜５のい
ずれかに記載の基板乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000323715A JP2002134463A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 基板乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000323715A JP2002134463A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 基板乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134463A true JP2002134463A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18801350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000323715A Pending JP2002134463A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 基板乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002134463A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005062358A1 (de) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur trocknung von schaltungssubstraten |
| CN110118473A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-08-13 | 衡水绿能嘉业新材料科技有限公司 | 一种远红外变风量综合干燥系统 |
-
2000
- 2000-10-24 JP JP2000323715A patent/JP2002134463A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005062358A1 (de) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur trocknung von schaltungssubstraten |
| DE10361075A1 (de) * | 2003-12-22 | 2005-07-28 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und Vorichtung zur Trocknung von Schaltungssubstraten |
| JP2007524232A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-08-23 | パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | 回路基板の乾燥方法および装置 |
| US8256131B2 (en) | 2003-12-22 | 2012-09-04 | Pac-Tech—Packaging Technologies GmbH | Method and device for drying circuit substrates |
| CN110118473A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-08-13 | 衡水绿能嘉业新材料科技有限公司 | 一种远红外变风量综合干燥系统 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061219 |