JP2002134425A

JP2002134425A - 気相成長方法

Info

Publication number: JP2002134425A
Application number: JP2000330393A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Nishizawa; 毅西澤
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 2000-10-30
Filing date: 2000-10-30
Publication date: 2002-05-10

Abstract

(57)【要約】【課題】縦型気相成長装置によりシリコン単結晶基板
上に薄膜を気相成長させる方法であって、薄膜のオート
ドープ量を抑制することができる気相成長方法を提供す
る。【解決手段】反応容器２内に配置された誘導加熱コイ
ル６をコイルカバー７で囲み、コイルカバー７で囲まれ
た空間をコイルパージガスＧでパージする。その状態で
誘導加熱コイル６を用いてサセプタ５を誘導加熱し、サ
セプタ５に載置されたシリコン単結晶基板１２を加熱し
つつ原料ガスを供給し、シリコン単結晶基板１２上に薄
膜を気相成長させる。このとき、コイルカバー７のサセ
プタ裏側空間１６と接する壁部に、コイルパージガスＧ
の流出部としての穴１４を形成しておき、この穴１４か
ら流出させたコイルパージガスＧで、サセプタ５とコイ
ルカバー７との隙間１６をパージする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶基
板上に薄膜を気相成長させる方法に関し、特に薄膜中へ
のオートドープ量を抑制する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】加熱されたシリコン単結晶基板上に、ジ
クロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）、トリクロロシラン
（ＳｉＨＣｌ_３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ_４）等の原料
ガスを水素（Ｈ_２）等のキャリヤガスやホスフィン（Ｐ
Ｈ_３）、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）等のドーパントガスと共
に供給して薄膜を気相成長させる技術は、従来より良く
知られている。シリコン単結晶基板上に薄膜を気相成長
させる際、シリコン単結晶基板と薄膜との界面におい
て、不純物濃度がシリコン単結晶基板の濃度から薄膜の
濃度へ急峻に変化することが通常好ましい。また、薄膜
全体の抵抗率が特性に影響を与えるパワーＭＯＳＦＥＴ
用等のシリコンエピタキシャルウェーハの製造において
は、不純物濃度がシリコン単結晶基板の濃度から薄膜の
濃度へ変化していく遷移領域の不純物濃度プロファイル
を一定に維持することが重要である。ここで不純物濃度
プロファイルとは、シリコンウェーハ中における該ウェ
ーハ厚さ方向の不純物濃度分布を意味する。また、シリ
コンウェーハとは、シリコン単結晶基板、シリコンエピ
タキシャルウェーハ等、シリコンにより形成されたウェ
ーハの総称である。

【０００３】薄膜の気相成長の際には、オートドーピン
グ現象のために遷移領域の不純物濃度プロファイルが変
化する場合がある。オートドーピング現象とは、狭義に
は基板中にもともと添加されていた不純物が反応容器内
に一旦遊離し、薄膜成長中にその不純物が再度薄膜に取
り込まれることをいうが、本明細書においては、シリコ
ン単結晶基板のみではなく、反応炉の内壁あるいはサセ
プタ等の治具に付着していた不純物が遊離し、薄膜の成
長中に薄膜に取り込まれる現象も含めることにする。こ
のオートドーピング現象により薄膜中に取り込まれる不
純物濃度（オートドープ量）が大きくなると、遷移領域
の不純物濃度プロファイルの変化が無視できなくなり、
抵抗率の特性劣化を生じたりする。

【０００４】また、オートドープ量は、シリコン単結晶
基板の不純物濃度、薄膜の気相成長前に行われるシリコ
ン単結晶基板のエッチング量、気相成長温度、気相成長
速度のみならず、その時々の反応炉の雰囲気により変化
するため、製造工程間においてばらつきが生じやすい。
このとき、オートドーピング現象の影響が無視できない
程度であると、オートドープ量のばらつきが不純物濃度
のばらつきに直接的に現れ、その結果、製造工程間の抵
抗率安定性が損なわれることになる。したがって、シリ
コン単結晶基板上に薄膜を気相成長させるときには、こ
のオートドーピング現象を抑制することが重要となる。
特に、高濃度に不純物が添加されたシリコン単結晶基板
上にシリコン単結晶薄膜を気相成長する際や、シリコン
単結晶基板に、燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）あるいは硼素
（Ｂ）のようにオートドープ量の大きい不純物が添加さ
れている場合には、オートドーピング現象の影響が大き
いことが知られており、オートドーピング現象を抑制す
ることがより重要となる。

【０００５】ところで、シリコン単結晶基板上に単結晶
薄膜をエピタキシャル成長するための気相成長装置とし
ては、バレル型（シリンダー型）、枚葉型、あるいは縦
型（パンケーキ型）等がある。図５は縦型気相成長装置
２０の模式図である。ベースプレート（base plate）１
上にＳＵＳ製の反応容器（ベルジャー）２を配置し、そ
の内面に沿って石英製のインナーベルジャー（inner be
lljar）３が保持されている。反応容器２とインナーベ
ルジャー３の間にはパージガスが流れ、反応ガス排気口
１０から排出される。インナーベルジャー３内には、ベ
ースプレート１の中心を貫通し、回転可能に保持された
回転軸４、該回転軸４に保持されたサセプタ５、該サセ
プタ５を高周波誘導加熱する誘導加熱コイル６、該誘導
加熱コイル６を囲むコイルカバー（coil cover）７、ガ
スをインナーベルジャー３内に供給するガスノズル１１
等が配置されている。気相成長の際には、サセプタ５上
にシリコン単結晶基板１２を載置し、誘導加熱コイル６
によりサセプタ５を高周波誘導加熱し、サセプタ５を介
して、シリコン単結晶基板１２を加熱する。そして、そ
の状態で、回転軸４と同芯に配置されたガスノズル１１
からキャリヤガスやドーパントガスと伴に原料ガスをイ
ンナーベルジャー３内に供給することによって、シリコ
ン単結晶基板１２上に、薄膜を成長させるようになって
いる。このキャリヤガス、ドーパントガス、原料ガスを
含む混合ガス（以下、単に反応ガス１３ともいう）は、
サセプタ５上を流れた後、コイルカバー７の外周面とイ
ンナーベルジャー３の内面との間を通過して反応ガス排
気口１０から排出される。

【０００６】誘導加熱コイル６は主に銅で形成されてい
るので、該誘導加熱コイル６がＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨ
Ｃｌ_３等の塩素系の原料ガス、あるいはインナーベルジ
ャー３内に堆積したシリコンをエッチングするために用
いられる塩化水素（ＨＣｌ）等の塩素系ガスと接触する
と、徐々に腐食する。そこで、この腐食を防止するため
に、誘導加熱コイル６をコイルカバー７により囲んで原
料ガス等の塩素系ガスがコイルカバー７で囲まれた空間
（以下、コイルカバー内ということがある。）に侵入す
ることを防止するとともに、コイルカバー７内にコイル
パージガスＧを供給することにより、コイルカバー７内
に侵入した上記塩素系ガスをパージしている。コイルパ
ージガスＧは図５（ｂ）に示すように、コイルパージガ
ス供給口８からコイルカバー７内に供給され、コイルカ
バー７内をパージした後、コイルパージガス排気口９か
ら排出されるようになっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような縦型気相成長装置において気相成長を行った場合
は、枚葉型気相成長装置において気相成長を行った場合
と比較して、オートドーピング現象が生じやすい。これ
は、枚葉型気相成長装置内にはシリコン単結晶基板１２
を１枚しか仕込めないのに対し、縦型気相成長装置内に
は通常複数枚のシリコン単結晶基板１２を仕込むためで
あり、また、それぞれの反応容器内に供給されるガスの
流れ方が異なるために、反応容器内の置換効率に差が現
れるためである。そこで、このような従来の縦型気相成
長装置においては、通常ガスノズル１１からインナーベ
ルジャー３の内側に供給する水素（Ｈ_２）等のパージガ
スの流量を増加させることにより、オートドープ量を抑
制するようにする。しかしながら、このような方法で
は、パージガスの流量増加に伴い、製造コストが上昇す
るという問題がある。

【０００８】本発明の課題は、縦型気相成長装置により
シリコン単結晶基板上に薄膜を気相成長させる方法であ
って、薄膜中へのオートドープ量を抑制することができ
る気相成長方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段及び作用・効果】上記課題
を解決するために本発明の気相成長方法は、反応容器内
に配置された誘導加熱コイルをコイルカバーで囲み、該
コイルカバーで囲まれた空間をコイルパージガスでパー
ジしながら、前記誘導加熱コイルを用いてサセプタを誘
導加熱し、該サセプタに載置されたシリコン単結晶基板
を加熱しつつ原料ガスを供給することにより、前記シリ
コン単結晶基板上に薄膜を気相成長する方法において、
前記コイルカバーにコイルパージガスの流出部を形成し
ておき、前記コイルカバーと前記サセプタの隙間を前記
コイルパージガスの流出部から流出させたコイルパージ
ガスでパージすることによりオートドープ量を抑制する
ことを特徴とする。

【００１０】縦型気相成長装置において薄膜中へのオー
トドープ量が大きくなる一つの原因は、サセプタとコイ
ルカバーとの間の空間に原料ガスが入りこみ、サセプタ
裏面に原料ガスに基づく堆積物が付着し、このサセプタ
裏面の堆積物から遊離した不純物が、薄膜中へオートド
ーピングされることである。そこで、本発明において
は、反応容器内に配置されたサセプタとコイルカバーの
隙間（以下、単にサセプタ裏側空間ともいう）にコイル
パージ用のパージガスを流出させるようした。このよう
にすることによって、サセプタの裏面あるいはコイルカ
バー上に付着した堆積物から気相中に遊離した不純物が
コイルパージ用のパージガスでパージされるので、オー
トドープ量が抑制される。なお、サセプタ裏側空間に流
出させるパージガスは、オートドーピング現象を抑制す
るのに必要十分な流量にする。

【００１１】また、コイルカバー内に供給されたコイル
パージガスをサセプタ裏側空間に流出させ、該サセプタ
裏側空間をパージするためのパージガスとして再度利用
するので、装置に供給するガス流量を増加させる必要が
ない。ただし、サセプタ裏面に原料ガスに基づく堆積物
が付着した場合、この堆積物はオートドープ量に影響を
与えるが、このような堆積物からのオートドーピング現
象を防止するために、堆積物のサセプタ裏面への付着を
防止するのに必要十分な流量のコイルパージガスを供給
することが望ましい。

【００１２】コイルパージガスの前記流出部は、例え
ば、前記サセプタの裏面側に面する前記コイルカバーの
壁部に形成された穴であり、該穴は、前記コイルカバー
で囲まれた空間に原料ガスが流入することをコイルパー
ジガスで抑止しうる直径を有することが好ましい。コイ
ルカバーのサセプタ裏面側に面する壁部に穴を形成する
ことにより、コイルパージガスが、この穴を介してコイ
ルカバー内から直接的にサセプタ裏側空間に流出するの
で、該サセプタ裏側空間をパージすることが容易とな
る。ただし、誘導加熱コイルが原料ガス等の塩素系ガス
と接触して腐食することを防止するため、コイルカバー
内に原料ガス等の塩素系ガスが流入しない程度の圧力で
コイルパージガスがサセプタ裏側空間に流出するよう
に、コイルカバーに形成する穴の直径を調整する。コイ
ルカバー内に原料ガスが流入すると、該原料ガスに起因
する堆積物がコイルカバー内に形成されるので、原料ガ
ス流入の有無を目視で観察することができる。そこで、
コイルカバー内に堆積物が形成されない大きさに穴の直
径を調節するとよい。

【００１３】シリコン単結晶基板上に成長する薄膜は、
例えばシリコン単結晶薄膜である。また、シリコン単結
晶基板に、砒素、硼素、あるいは燐のうちいずれかが不
純物元素として添加される場合、これらの元素は特にオ
ートドーピング量の大きい不純物元素であるので、本発
明を適用するとより効果的である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１に、本発明の気相成長方法に基づく縦
型気相成長装置３０の一例を模式的に示す。図１は、図
５に示す縦型気相成長装置２０において、コイルカバー
７に流出部としての穴１４をコイルカバー７のサセプタ
裏面に面する壁部に形成したものである。図１（ｂ）に
示すように、コイルパージガスＧはコイルカバー７内を
パージするとともに、その一部が穴１４を介してサセプ
タ裏側空間１６に流出し、サセプタ裏側空間１６を常に
パージする。その結果、サセプタ裏側空間１６に原料ガ
ス等の塩素系のガスが侵入することを抑制することがで
きるとともに、サセプタ５の裏面あるいはコイルカバー
７上に付着した堆積物からサセプタ裏側空間１６に遊離
した不純物を該サセプタ裏側空間１６から直ちに除去す
ることができる。コイルパージガスＧが流出する穴１４
の直径は、コイルカバー７内に原料ガス等の塩素系ガス
が侵入しない程度に小さくすることにより、誘導加熱コ
イル６が腐食されることを防止する。サセプタ裏側空間
１６をパージしたコイルパージガスＧは、コイルカバー
７の外周側面とインナーベルジャー３の内面との間を通
過する反応ガス１３とともに、反応ガス排気口１０から
排気される。なお、コイルカバー７としては、塩素系ガ
スに対する耐食性の高さから石英製のものを好適に使用
することができる。

【００１５】コイルカバー７に形成する穴１４は、例え
ば図２のようにすることができる。図２（ａ）は、コイ
ルカバー７の平面図であり、図２（ｂ）は該コイルカバ
ー７及びその周辺部位の縦断面図であって、コイルパー
ジガスＧの流出経路も同時に示している。コイルカバー
７の上面には、複数の穴１４がコイルカバー上面の中心
位置を取り囲み、内側と外側の２列に９０°の等角度間
隔で形成されている。なお、内側の穴列と外側の穴列と
で、その形成角度位置を互いに４５°ずらしている。

【００１６】次に、本発明のシリコン単結晶薄膜の気相
成長方法を図１を用いてさらに具体的に説明する。ま
ず、複数のシリコン単結晶基板１２をサセプタ５に載置
した後、反応容器２内から空気をパージするために、ガ
スノズル１１及びコイルパージガス供給口８から窒素
（Ｎ_２）ガスを供給しながら、雰囲気ガスを反応ガス排
気口１０から排気する。その後、その窒素を気相成長雰
囲気である水素と置換させるために水素（Ｈ_２）ガスを
供給する。そして、誘導加熱コイル６の高周波誘導電源
（以下、ＲＦ電源ともいう）にＲＦ電圧を印加して、発
生した高周波によりサセプタ５を誘導加熱し、サセプタ
５を介してシリコン単結晶基板１２の加熱を開始する。
ここでサセプタ５としては、高純度化した黒鉛基板の表
面を炭化珪素（ＳｉＣ）の薄膜でコーティングしたもの
が好適に使用できる。

【００１７】次にシリコン単結晶基板１２の表面を気相
エッチングする。エッチングは、温度を１０００℃〜１
２００℃の範囲に設定したあと、インナーベルジャー３
の内側に水素ガス又は／及び塩化水素ガスを供給するこ
とにより行う。気相エッチング後にベルジャー２内に遊
離した不純物等を水素ガスで十分にパージした後、加熱
温度を１０００℃〜１１００℃の温度範囲にて安定さ
せ、薄膜の気相成長を開始する。

【００１８】気相成長を開始するために例えば、キャリ
アガスとしての水素ガスと、原料ガスとしてのトリクロ
ロシランとドーパントガスとしてのホスフィンからなる
反応ガス１３をガスノズル１１から供給すると、シリコ
ン単結晶基板１２の主表面上にシリコン単結晶薄膜がエ
ピタキシャル成長する。なお、反応ガス１３がインナー
ベルジャー３の内側に供給されているときも、コイルパ
ージガスＧとして水素ガスがコイルカバー７に囲まれた
空間に供給され続けている。このコイルパージガスＧを
サセプタ裏側空間１６に流出させることによって、オー
ドドープ量を抑制する。

【００１９】次にシリコン単結晶薄膜のエピタキシャル
成長が完了すれば、ＲＦ電源を切ってサセプタ５及びシ
リコン単結晶基板１２への加熱を停止し、ベルジャー２
内に残留している残留生成ガスを十分に水素ガスでパー
ジしながら、ベルジャー２内の温度を低下させる。所定
時間経過後、ベルジャー２内の雰囲気を窒素ガスにて置
換し、シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタ
キシャルウェーハをベルジャー２内から取り出す。

【００２０】なお、コイルパージガスＧをサセプタ裏側
空間１６に流出させる方法としては、図３又は図４に示
す形態を採用することもできる。図２と同様に図３、及
び図４には、コイルカバー７の平面図（ａ）とともに、
コイルカバー７とその周辺部位の縦断面図（ｂ）が示さ
れている。図３においては、コイルカバー７の内周側面
にコイルパージガスＧの流出部１９が形成されている。
該流出部１９は、分散的に形成された複数の穴の集合で
あっても良いし、コイルカバー７の内周側面を周方向に
沿ってリング状に開口させたものであっても良い。この
ような形態にて流出部１９を形成すると、図３（ｂ）に
示すように、コイルパージガスＧは当該流出部１９を介
してコイルカバー７の内周側面と回転軸４との隙間δ１
に一旦流出し、その後サセプタ裏側空間１６に導入され
ることになる。

【００２１】また、図４においては、回転軸４の周りに
筒状のコイルカバー内周側面部７ｂが形成されており、
コイルカバー上面部７ａとともにコイルカバー７を構成
している。コイルカバー内周側面部７ｂの側面と、コイ
ルカバー上面部７ａの内径端部７ｄとの間には隙間δ2
が形成されており、コイルカバー内周側面部７ｂの上端
部には、コイルカバー７の外周方向に向かって屈曲した
屈曲部７ｃが形成されている。そして、隙間δ2と屈曲
部７ｃとによりコイルパージガスＧの流出部１８が構成
されている。このような場合は、コイルパージガスＧは
隙間δ2からサセプタ裏側空間１６に流出し、屈曲部７
ｃによりその進行方向を矯正され、コイルカバー７の外
周側に流れていくことになる。

【００２２】

【実施例】（実施例１）以下、本発明の効果を調べるた
め、本発明の気相成長方法に基づく気相成長装置３０
（図１に記載）によりシリコンエピタキシャルウェーハ
を製造した。本実施例においては、シリコン単結晶基板
１２上に形成される薄膜は、シリコン単結晶薄膜である
が、本発明の気相成長方法はこれに限られるものではな
い。まず、直径１２５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、面方位
（１００）であり、高濃度（不純物濃度：８×１０^１９
個／ｃｍ^３）の砒素（Ａｓ）を不純物として添加したｎ
^＋型のシリコン単結晶基板１２を用意し、サセプタ５上
に載置する。

【００２３】次に、反応容器２内及びコイルカバー７内
の空気を窒素ガスによりパージした後、その窒素ガスを
水素ガスにてパージする。そして、ＲＦ電源を入れて加
熱を開始し、シリコン単結晶基板１２を水素雰囲気中に
て１１３０℃まで昇温させて温度が安定するまで保持す
る。このとき、シリコン単結晶基板１２の表面は水素ガ
スによりエッチングされて、該シリコン単結晶基板１２
上の自然酸化膜は除去される。

【００２４】続いて、原料ガスとしてのトリクロロシラ
ンとドーパントガスとしてのホスフィンとキャリアガス
としての水素ガスとからなる反応ガス１３をガスノズル
１１からベルジャー２内に１８０リットル／分の流量に
て供給し、抵抗率約１．２Ω・ｃｍ、厚さ約５μｍのｎ
型エピタキシャル層を基板上に成長させる。この気相成
長の際、縦型気相成長装置３０のコイルカバー７内を流
量８０リットル／分の水素ガスからなるコイルパージガ
スＧにより常時パージするとともに、コイルカバー７に
形成されている穴１４からサセプタ裏側空間１６にコイ
ルパージガスＧを常時流出させる。なお、コイルカバー
７は、外径８３ｃｍ、容積は０．１２ｍ ^３、上面には図
２（ａ）に示すような直径６ｍｍφの穴１４を８つ形成
したものを使用する。

【００２５】（比較例１）従来の気相成長方法に基づく
縦型気相成長装置２０（図５）により、比較試料のシリ
コンエピタキシャルウェーハを製造する。この際気相成
長装置２０のコイルカバー７に穴１４が全く形成されて
いないこと以外は、すべて上記実施例と同じ条件でエピ
タキシャル層を成長させる。このとき、コイルパージガ
スＧはコイルカバー７内のみをパージしており、サセプ
タ裏側空間１６にはパージガスＧを流出させない。

【００２６】実施例１と比較例１から得られたそれぞれ
のシリコンエピタキシャルウェーハに対して、まず、バ
ッチ間の抵抗率の安定性を調べた。各バッチより１枚の
シリコンエピタキシャルウェーハについて、成長した薄
膜の表面から２μｍの深さにおいてＣ−Ｖ（Capacitanc
e‐Voltage）法により抵抗率を測定し、バッチ間におけ
る抵抗率の平均値、標準偏差（σ）、および工程能力指
数（Ｃｐ）を求めた。工程能力指数（Ｃｐ）はＣｐ＝規
格幅（Ｔ）／６σとして求めた。規格幅（Ｔ）は１．２
±０．１Ω・ｃｍとした。結果を表１に示す。

【００２７】

【表１】

【００２８】表１から明らかなように、本発明の気相成
長方法により製造したシリコンエピタキシャルウェーハ
は、従来の方法で製造したものと比較すると、標準偏差
（σ）が減少し工程能力指数（Ｃｐ）が増加している。
つまり、バッチ間の抵抗率のばらつきが抑えられている
ことがわかる。

【００２９】次に、得られたシリコンエピタキシャルウ
ェーハに対して深さ方向の拡がり抵抗（ＳＲ：Spreding
Resistance）を測定した。ＳＲプロファイルからオート
ドープ量の評価をすることができる。図６は得られたＳ
Ｒプロファイルである。実線で示されているのが本発明
例のＳＲプロファイルであり、点線で示されているのが
比較例のＳＲプロファイルである。ＳＲプロファイルの
形状を遷移領域において比較すると、従来の方法による
ものは勾配が緩やかに変化しているが、本発明によるも
のはより急勾配に変化していることがわかる。すなわ
ち、バッチ間の抵抗率のばらつき及びＳＲプロファイル
の形状から、本発明により、従来よりも薄膜中のオート
ドープ量を抑制できることがわかる。なお、本実施例１
において穴１４を８つ形成したコイルカバー７を使用し
たが、コイルカバー７内へのシリコンの堆積が観察され
なかったことから、コイルカバー７内への原料ガスの流
入を抑止できていることを確認した。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の気相成長方法に基づいた縦型気相成長
装置の模式図。

【図２】コイルカバーの上面に形成される穴の具体的な
形態を示す図。

【図３】コイルパージガスをサセプタ裏側空間に流出さ
せるための手段の一例を示す図。

【図４】コイルパージガスをサセプタ裏側空間に流出さ
せるための図３とは違う手段の一例を示す図。

【図５】従来の気相成長方法に基づいた縦型気相成長装
置の模式図。

【図６】ＳＲプロファイルの測定結果を示す図。

【符号の説明】

２反応容器（ベルジャー）６誘導加熱コイル７コイルカバーＧコイルパージガス５サセプタ１２シリコン単結晶基板１４流出部（穴）１８、１９流出部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応容器内に配置された誘導加熱コイル
をコイルカバーで囲み、該コイルカバーで囲まれた空間
をコイルパージガスでパージしながら、前記誘導加熱コ
イルを用いてサセプタを誘導加熱し、該サセプタに載置
されたシリコン単結晶基板を加熱しつつ原料ガスを供給
することにより、前記シリコン単結晶基板上に薄膜を気
相成長する方法において、前記コイルカバーにコイルパージガスの流出部を形成し
ておき、前記コイルカバーと前記サセプタの隙間を前記
コイルパージガスの流出部から流出させたコイルパージ
ガスでパージすることによりオートドープ量を抑制する
ことを特徴とする気相成長方法。
【請求項２】コイルパージガスの前記流出部は、前記
サセプタの裏面側に面する前記コイルカバーの壁部に形
成された穴であり、該穴は、前記コイルカバーで囲まれ
た空間に原料ガスが流入することをコイルパージガスで
抑止しうる直径を有することを特徴とする請求項１に記
載の気相成長方法。
【請求項３】前記薄膜は、シリコン単結晶薄膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の気相成長方法。
【請求項４】前記シリコン単結晶基板には、砒素が添
加されていることを特徴とする請求項１ないし３のいず
れかに記載の気相成長方法。
【請求項５】前記シリコン単結晶基板には、硼素が添
加されていることを特徴とする請求項１ないし３のいず
れかに記載の気相成長方法。
【請求項６】前記シリコン単結晶基板には、燐が添加
されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
かに記載の気相成長方法。