JP2002132176A - プラズマディスプレー用フィルター - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマディスプレーの周辺にある電子機器
の誤動作を防止する。 【解決手段】 基材中に、近赤外線吸収化合物を少なく
とも１種含有し、８００〜９００ｎｍの平均光線透過率
が１０％以下であるフィルターに、更に可視領域に吸収
を持つ色素を少なくとも１種併用させて色調補正したプ
ラズマディスプレー用フィルターをプラズマディスプレ
ー前面に設置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレーから
でる近赤外線光（８００〜１０００ｎｍ）をカットし、
周辺電子機器の誤動作を防止するフィルターに関する。
更に詳しくは、近赤外線吸収剤である金属錯体化合物を
含有し、可視光線透過率が高く、かつ近赤外線光のカッ
ト効率の高いプラズマディスプレー用フィルターに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、大型の薄型テレビ、薄型ディスプ
レー用途等に、プラズマディスプレーが注目され、すで
に市場に出始めている。しかし、プラズマディスプレー
からでる近赤外線光がコードレスホン、近赤外線リモコ
ンを使うビデオデッキ等、周辺にある電子機器に作用
し、誤動作を起こす問題を発見した。近赤外線吸収色素
を用いて近赤外線吸収フィルターを作製することは知ら
れているが、ディスプレーによる誤動作を防止する具体
的な方策については全く知られていない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ディ
スプレーからでる周辺電子機器の誤動作を引き起こす近
赤外線領域である８００〜９００ｎｍ、更に好ましくは
８００〜１０００ｎｍの領域の光をカットするととも
に、ディスプレーの鮮明度を阻害しないような可視光線
透過率の高い実用的なフィルターを提供することであ
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、ある種の金属錯体
化合物を用いることにより、誤動作が問題となる近赤外
線光を効率よくカットし、しかも、ディスプレーの鮮明
度を阻害しない高い可視光線透過率を持つ実用的なプラ
ズマディスプレー用フィルターができることを見出し
て、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、 (1) 基材中に、近赤外線吸収化合物を少なくとも１種
含有し、８００〜９００ｎｍの平均光線透過率が１０％
以下であるフィルターに、更に可視領域に吸収を持つ色
素を少なくとも１種併用させて色調補正したプラズマデ
ィスプレー用フィルター。 (2) ８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率が１０％
以下である(1)記載のプラズマディスプレー用フィルタ
ー。 (3) 近赤外線吸収化合物として、一般式（１）または
一般式（２）で表される金属錯体化合物を少なくとも１
種含有してなる(1)又は(2)に記載のプラズマディスプレ
ー用フィルター。

【０００５】

【化３】

【０００６】〔式中、Ａ¹〜Ａ⁸は各々独立に、水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、チオシアナー
ト基、シアナート基、アシル基、カルバモイル基、アル
キルアミノカルボニル基、置換又は未置換のアルコキシ
カルボニル基、置換又は未置換のアリールオキシカルボ
ニル基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換
のアリール基、置換又は未置換のアルコキシ基、置換又
は未置換のアリールオキシ基、置換又は未置換のアルキ
ルチオ基、置換又は未置換のアリールチオ基、置換又は
未置換のアルキルアミノ基、、置換又は未置換のアリー
ルアミノ基、置換又は未置換のアルキルカルボニルアミ
ノ基、あるいは置換又は未置換のアリールカルボニルア
ミノ基を表し、かつ、隣り合う２個の置換基が連結基を
介して繋がっていてもよく、Ｙ¹、Ｙ²は各々独立に硫黄
原子あるいは酸素原子を表し、Ｒ¹〜Ｒ⁴は各々独立に置
換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール
基を表し、Ｍ₁はニッケル、白金、パラジウムまたは銅
を表し、Ｘは窒素原子またはリン原子を表す〕

【０００７】

【化４】

【０００８】〔式中、Ｂ¹〜Ｂ⁴は各々独立に、水素原
子、シアノ基、アシル基、カルバモイル基、アルキルア
ミノカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリール
オキシカルボニル基、置換又は未置換のアルキル基、あ
るいは置換又は未置換のアリール基を表し、かつ、隣り
合う２個の置換基が連結基を介して繋がっていてもよ
く、Ｍ₂ はニッケル、白金、パラジウムまたは銅を表
す〕

【０００９】(4) 可視光線透過率が４０％以上である
(1)乃至(3)のいずれか１項に記載のプラズマディスプレ
ー用フィルター。 (5) 一般式（１）および／または一般式（２）で表さ
れる金属錯体化合物を２種以上含有する(1)乃至(4)のい
ずれか１項に記載のプラズマディスプレー用フィルタ
ー。 (6) 電磁波カット層を設けた(1)乃至(6)のいずれか１
項に記載のプラズマディスプレー用フィルター。 (7) 反射防止層を設けた(1)乃至(6)のいずれか１項に
記載のプラズマディスプレー用フィルター。 (8) ぎらつき防止（ノングレア）層を設けた(1)乃至
(7)のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー用フ
ィルター。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明のプラズマディスプレー用
フィルターは、基材に一般式（１）または一般式（２）
で表される金属錯体化合物を少なくとも１種含有するも
のである。本発明で用いる一般式（１）および（２）で
表される金属錯体化合物中、Ａ¹〜Ａ⁸、Ｂ¹〜Ｂ⁴、Ｒ¹
〜Ｒ⁴で表される置換基について、以下に具体的に記載
する。

【００１１】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、沃素原子が挙げられる。アシル基とし
ては、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカル
ボニル基、ブチルカルボニル基、ペンチルカルボニル
基、ヘキシルカルボニル基、ベンゾイル基、p-t-ブチル
ベンゾイル基等が挙げられる。

【００１２】置換又は未置換のアルキル基の例として
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−
ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペ
ンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロ
ピル基、ｎ−ヘキシル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、
１，３−ジメチルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロ
ピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、
１，４−ジメチルペンチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ
−プロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル
基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチ
ル−１−ｉｓｏ−プロピルブチル基、２−メチル−１−
ｉｓｏ−プロピル基、１−ｔ−ブチル−２−メチルプロ
ピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシ
ル基、等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状の炭
化水素基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エト
キシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル
基、３−メトキシプロピル基、３−エトキシプロピル
基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチ
ル基、ジメトキシメチル基、ジエトキシメチル基、ジメ
トキシエチル基、ジエトキシエチル基等のアルコキシア
ルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキ
シアルコキシアルコキシアルキル基、クロロメチル基、
２，２，２−トリクロロエチル基、トリフルオロメチル
基、１，１，１，３，３，３，−ヘキサフルオロ−２−
プロピル基等のハロゲン化アルキル基、炭素数２〜２０
のアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキ
ル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルキルアミ
ノカルボニルアルキル基、アルコキシスルホニルアルキ
ル基などが挙げられる。

【００１３】また、置換または未置換のアルコキシ基の
例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオ
キシ基、ｉｓｏ−プロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ
基、ｉｓｏ−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ
基、ｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｉｓ
ｏ−ペンチルオキシ基、ｎｅｏ−ペンチルオキシ基、
１，２−ジメチル−プロピルオキシ基、ｎ−ヘキシルオ
キシ基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシルオキシ基、１，３−ジメ
チルブチルオキシ基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピルオ
キシ基、１，２−ジメチルブチルオキシ基、ｎ−ヘプチ
ルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキシ基、２−
メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロピルオキシ基、１−
エチル−３−メチルブチルオキシ基、ｎ−オクチルオキ
シ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３−メチル−１−
ｉｓｏ−プロピルブチルオキシ基、２−メチル−１−ｉ
ｓｏ−プロピルオキシ基、１−ｔ−ブチル−２−メチル
プロピルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基等の炭素数１〜
２０の直鎖又は分岐のアルコキシ基、メトキシメトキシ
基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポ
キシエトキシ基、ブトキシエトキシ基、３−メトキシプ
ロピルオキシ基、３−エトキシプロピルオキシ基、ジメ
トキシメトキシ基、ジエトキシメトキシ基、ジメトキシ
エトキシ基、ジエトキシエトキシ基等のアルコキシアル
コキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエト
キシエトキシ基、ブチルオキシエトキシエトキシ基等の
アルコキシアルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコ
キシアルコキシアルコキシ基、クロロメトキシ基、２，
２，２−トリクロロエトキシ基、トリフルオロメトキシ
基、１，１，１，３，３，３，−ヘキサフルオロ−２−
プロピルオキシ基等のハロゲン化アルコキシ基、ジメチ
ルアミノエトキシ基、ジエチルアミノエトキシ基などの
アルキルアミノアルコキシ基、ジアルキルアミノアルコ
キシ基等が挙げられる。

【００１４】置換又は未置換のアリール基の例として
は、フェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル
基、トリクロロフェニル基、ブロモフェニル基、フロロ
フェニル基、ペンタフロロフェニル基、ヨウ化フェニル
基等のハロゲン化フェニル基、トリル基、キシリル基、
メシチル基、エチルフェニル基、ジメチルエチルフェニ
ル基、ｉｓｏ−プロピルフェニル基、ｔ−ブチルフェニ
ル基、ｔ−ブチルメチルフェニル基、オクチルフェニル
基、ノニルフェニル基、トリフロロメチルフェニル基、
等のアルキル誘導体置換フェニル基、メトキシフェニル
基、エトキシフェニル基、プロポキシフェニル基、ヘキ
シルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル
基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオ
キシフェニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキ
シフェニル基、メチルエトキシフェニル基、ジメトキシ
フェニル基、１−エトキシ−４−メトキシフェニル基、
クロロメトキシフェニル基、エトキシエトキシフェニル
基、エトキシエトキシエトキシフェニル基等のアルコキ
シ基置換フェニル基、

【００１５】メチルチオフェニル基、エチルチオフェニ
ル基、ｔ−ブチルチオフェニル基、ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルチオフェニル基、２−メチル−１−エチルチオフェニ
ル基、２−ブチル−１−メチルチオフェニル基、等のア
ルキルチオ基置換フェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ
フェニル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノフェニル基、Ｎ，
Ｎ−ジプロピルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジブチルア
ミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジアミルアミノフェニル基、
Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアミノフェニル基、Ｎ−メチル−Ｎ
−エチルアミノフェニル基、Ｎ−ブチル−Ｎ−エチルア
ミノフェニル基、Ｎ−ヘキシル−Ｎ−エチルアミノフェ
ニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルフェ
ニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−メチルフェ
ニル基、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルフェ
ニル基、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルフェ
ニル基等のアルキルアミノフェニル基、ナフチル基、ク
ロロナフチル基、ジクロロナフチル基、トリクロロナフ
チル基、ブロモナフチル基、フロロナフチル基、ペンタ
フロロナフチル基、ヨウ化ナフチル基等のハロゲン化ナ
フチル基、エチルナフチル基、ジメチルエチルナフチル
基、ｉｓｏ−プロピルナフチル基、ｔ−ブチルナフチル
基、ｔ−ブチルメチルナフチル基、オクチルナフチル
基、ノニルナフチル基、トリフロロメチルナフチル基等
のアルキル誘導体置換ナフチル基、

【００１６】メトキシナフチル基、エトキシナフチル
基、プロポキシナフチル基、ヘキシルオキシナフチル
基、シクロヘキシルオキシナフチル基、オクチルオキシ
ナフチル基、２−エチルヘキシルオキシナフチル基、
３，５，５−トリメチルヘキシルオキシナフチル基、メ
チルエトキシナフチル基、ジメトキシナフチル基、クロ
ロメトキシナフチル基、エトキシエトキシナフチル基、
エトキシエトキシエトキシナフチル基等のアルコキシ基
置換ナフチル基、メチルチオナフチル基、エチルチオナ
フチル基、ｔ−ブチルチオナフチル基、メチルエチルチ
オナフチル基、ブチルメチルチナフチル基等のアルキル
チオ基置換ナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノナフチ
ル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジ
プロピルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノナ
フチル基、Ｎ，Ｎ−ジアミルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ
−ジヘキシルアミノナフチル基、Ｎ−メチル−Ｎ−エチ
ルアミノナフチル基、Ｎ−ブチル−Ｎ−エチルアミノナ
フチル基、Ｎ−ヘキシル−Ｎ−エチルアミノナフチル
基、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルナフチル
基、４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−メチルナフチル
基、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルナフチル
基、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−エチルナフチル
基等のアルキルアミノナフチル基、ピリジル基、ピペリ
ジル基、チオフェニル基、イミダゾリル基、ピローリジ
ル基、フリル基等が挙げられる。置換又は未置換のアリ
ールオキシ基の例としては、フェノキシ基、ナフトキシ
基、アルキルフェノキシ基、等が挙げられる。

【００１７】置換又は未置換のアルキルチオ基として
は、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ
基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓ
ｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチル
チオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ
基、ｎｅｏ−ペンチルチオ基、１，２−ジメチルプロピ
ルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル
チオ基、１，３−ジメチルブチルチオ基、１−ｉｓｏ−
プロピルプロピルチオ基、１，２−ジメチルブチルチオ
基、ｎ−ヘプチルチオ基、１，４−ジメチルペンチルチ
オ基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロピルチオ
基、１−エチル−３−メチルブチルチオ基、ｎ−オクチ
ルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３−メチル−１
−ｉｓｏ−プロピルブチルチオ基、２−メチル−１−ｉ
ｓｏ−プロピルチオ基、１−ｔ−ブチル−２−メチルプ
ロピルチオ基、ｎ−ノニルチオ基等の炭素数１〜２０の
直鎖又は分岐のアルキルチオ基、メトキシメチルチオ
基、メトキシエチルチオ基、エトキシエチルチオ基、プ
ロポキシエチルチオ基、ブトキシエチルチオ基、３−メ
トキシプロピルチオ基、３−エトキシプロピルチオ基、
メトキシエトキシエチルチオ基、エトキシエトキシエチ
ルチオ基、ジメトキシメチルチオ基、ジエトキシメチル
チオ基、ジメトキシエチルチオ基、ジエトキシエチルチ
オ基等のアルコキシアルキルチオ基、アルコキシアルコ
キシアルキルチオ基、アルコキシアルコキシアルコキシ
アルキルチオ基、クロロメチルチオ基、２，２，２−ト
リクロロエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基、
１，１，１，３，３，３，−ヘキサフルオロ−２−プロ
ピルチオ基等のハロゲン化アルキルチオ基、ジメチルア
ミノエチルチオ基、ジエチルアミノエチルチオ基等のア
ルキルアミノアルキルチオ基、ジアルキルアミノアルキ
ルチオ基等が挙げられる。置換又は未置換のアリールチ
オ基の例としては、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、
アルキルフェニルチオ基、等が挙げられる。

【００１８】置換又は未置換のアルコキシカルボニル基
の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポ
キシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉｓｏ
−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル
基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカ
ルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ
ｅｏ−ペンチルオキシカルボニル基、１，２−ジメチル
−プロピルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカ
ルボニル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシルオキシカルボニル
基、１，３−ジメチル−ブチルオキシカルボニル基、１
−ｉｓｏ−プロピルプロピルオキシカルボニル基、１，
２−ジメチルブチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチル
オキシカルボニル基、１，４−ジメチルペンチルオキシ
カルボニル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロ
ピルオキシカルボニル基、１−エチル−３−メチルブチ
ルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル
基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、３−メチ
ル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシカルボニル基、
２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルオキシカルボニル
基、１−ｔ−ブチル−２−メチルプロピルオキシカルボ
ニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、等の炭素数２
〜２０の直鎖又は分岐のアルキルオキシカルボニル基、

【００１９】メトキシメトキシカルボニル基、メトキシ
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル
基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキ
シカルボニル基、γ−メトキシプロポキシカルボニル
基、γ−エトキシプロポキシカルボニル基、メトキシエ
トキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキ
シカルボニル基、ジメトキシメトキシカルボニル基、ジ
エトキシメトキシカルボニル基、ジメトキシエトキシカ
ルボニル基、ジエトキシエトキシカルボニル基等のアル
コキシアルコキシカルボニル基、アルコキシアルコキシ
アルコキシカルボニル基、アルコキシアルコキシアルコ
キシアルコキシカルボニル基、クロロメトキシカルボニ
ル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、
トリフルオロメトキシカルボニル基、１，１，１，３，
３，３，−ヘキサフルオロ−２−プロポキシカルボニル
基、などのハロゲン化アルキルオキシカルボニル基、炭
素数３〜２０のアルキルアミノアルキルオキシカルボニ
ル基、ジアルキルアミノアルキルオキシカルボニル基、
アルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、ア
ルキルアミノカルボニルアルキルオキシカルボニル基、
アルコキシスルホニルアルキルオキシカルボニル基、ア
ルキルスルホニルオキシカルボニル基などが挙げられ
る。

【００２０】アリールオキシカルボニル基の例として
は、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカル
ボニル基、トリルオキシカルボニル基、キシリルオキシ
カルボニル基、クロロフェニルオキシカルボニル基等が
挙げられる。

【００２１】アルキルアミノカルボニル基の例として
は、メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニ
ル基、ｎ−プロピルアミノカルボニル基、ｎ−ブチルア
ミノカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル
基、ｎ−ペンチルアミノカルボニル基、ｎ−ヘキシルア
ミノカルボニル基、ｎ−ヘプチルアミノカルボニル基、
ｎ−オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシル
アミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、ジ
エチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−プロピルアミノカ
ルボニル基、ジ−ｎ−ブチルアミノカルボニル基、ジ−
ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−ペンチル
アミノカルボニル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノカルボニ
ル基、ジ−ｎ−ヘプチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−
オクチルアミノカルボニル基等が挙げられる。

【００２２】置換または未置換のアルキルアミノ基とし
ては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピル
アミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ
基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ
−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−エチ
ルヘキシルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミ
ノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミ
ノ基、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ペンチル
アミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジ−ｎ−ヘプチ
ルアミノ基、ジ−ｎ−オクチルアミノ基等が挙げられ
る。置換または未置換のアリールアミノ基としては、フ
ェニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルアミノ基、ｐ−ｔ
−ブチルフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ−
ｐ−メチルフェニルアミノ基、ジ−ｐ−ｔ−ブチルフェ
ニルアミノ基等が挙げられる。

【００２３】置換または未置換のアルキルカルボニルア
ミノ基としては、アセチルアミノ基、エチルカルボニル
アミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−
プロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルア
ミノ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−
ブチルカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルカルボニルアミ
ノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基、ｎ−ヘキシル
カルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ
基、ｎ−ヘプチルカルボニルアミノ基、３−ヘプチルカ
ルボニルアミノ基、ｎ−オクチルカルボニルアミノ基等
が挙げられる。置換または未置換のアリールカルボニル
アミノ基としては、ベンゾイルアミノ基、ｐ−クロロベ
ンゾイルアミノ基、ｐ−メトキシベンゾイルアミノ基、
ｐ−ｔ−ブチルベンゾイルアミノ基、ｐ−トリフロロメ
チルベンゾイルアミノ基、ｍ−トリフロロメチルベンゾ
イルアミノ基等が挙げられる。

【００２４】また、Ｍ₁あるいはＭ₂で表される金属の例
としては、ニッケル、白金、パラジウムまたは銅が挙げ
られ、Ｘは窒素原子あるいはリン原子である。

【００２５】一般式（１）で表される金属錯体化合物の
Ａ¹〜Ａ⁸で表される置換基で特に好ましいものは、各々
独立に水素原子、塩素原子、臭素原子、あるいはメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、
ｎｅｏ−ペンチル基、等の炭素数１〜５のアルキル基で
あり、Ｒ¹〜Ｒ⁴で表される置換基で特に好ましいものは
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチ
ル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチ
ル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル
基、ｎ−ヘキシル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、１，３
−ジメチルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピル
基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，
４−ジメチルペンチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プ
ロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、
ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、等の炭素数１
〜８のアルキル基であり、特に好ましいＸは窒素であ
り、特に好ましいＭ₁はニッケルである。

【００２６】一般式（２）で表される金属錯体化合物の
Ｂ¹〜Ｂ⁴で表される置換基で特に好ましいものは、各々
独立にフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル
基、メシチル基、エチルフェニル基、ジメチルエチルフ
ェニル基、ｉｓｏ−プロピルフェニル基、ｔ−ブチルフ
ェニル基、ｔ−ブチルメチルフェニル基、メトキシフェ
ニル基、エトキシフェニル基、プロポキシフェニル基、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジエチル
アミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノフェニル
基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノフェニル基、エチルナフチ
ル基、ジメチルエチルナフチル基、ｉｓｏ−プロピルナ
フチル基、ｔ−ブチルナフチル基、ｔ−ブチルメチルナ
フチル基、メトキシナフチル基、エトキシナフチル基、
プロポキシナフチル基、メチルチオナフチル基、エチル
チオナフチル基、ｔ−ブチルチオナフチル基、メチルエ
チルチオナフチル基、ブチルメチルチオナフチル基、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジエチル
アミノナフチル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノナフチル
基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノナフチル基等の炭素数６〜
２０の置換または未置換のフェニル基あるいはナフチル
基であり、特に好ましいＭ₂ はニッケルである。

【００２７】本発明のプラズマディスプレー用フィルタ
ーは、前記の金属錯体化合物を基材に含有してなるもの
で、本発明でいう基材に含有するとは、基材の内部に含
有されることは勿論、基材の表面に塗布した状態、基材
と基材の間に挟まれた状態等を意味する。

【００２８】基材としては、透明樹脂板、透明フィル
ム、透明ガラス等が挙げられる。上記金属錯体化合物を
用いて、本願のプラズマディスプレー用フィルターを作
製する方法としては、特に限定されるものではないが、
例えば、以下の３つの方法が利用できる。 （１）樹脂に金属錯体化合物を混練し、加熱成形して樹
脂板或いはフィルムを作製する方法、（２）金属錯体化
合物を含有する塗料を作製し、透明樹脂板、透明フィル
ム、或いは透明ガラス板上にコーティングする方法、
（３）金属錯体化合物を接着剤に含有させて、合わせ樹
脂板、合わせ樹脂フィルム、合わせガラス等を作製する
方法、等である。

【００２９】まず、樹脂に金属錯体化合物を混練し、加
熱成形する（１）の方法において、樹脂材料としては、
樹脂板または樹脂フィルムにした場合にできるだけ透明
性の高いものが好ましく、具体例として、ポリエチレ
ン、ポリスチレン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エ
ステル、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリ
塩化ビニル、ポリフッ化ビニル等のビニル化合物、及び
それらのビニル化合物の付加重合体、ポリメタクリル
酸、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニリデン、
ポリフッ化ビニリデン、ポリシアン化ビニリデン、フッ
化ビニリデン／トリフルオロエチレン共重合体、フッ化
ビニリデン／テトラフルオロエチレン共重合体、シアン
化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体等のビニル化合物又
はフッ素系化合物の共重合体、ポリトリフルオロエチレ
ン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロ
プロピレン等のフッ素を含む樹脂、ナイロン６、ナイロ
ン６６等のポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポ
リペプチド、ポリエチレンテレフタレート等のポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリオキシメチレン、ポリエ
チレンオキシド、ポリプロピレンオキシド等のポリエー
テル、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルブチラール等を挙げることが出来るが、これらの樹脂
に限定されるものではなく、ガラス代替となるような高
硬度、高透明性を有する樹脂、チオウレタン系等の熱硬
化樹脂、「ＡＲＴＯＮ」（商品名、日本合成ゴム（株）
製）、「ＺＥＯＮＥＸ」（商品名、日本ゼオン（株）
製）、「ＯＰＴＯＲＥＺ」（商品名、日立化成（株）
製）、「Ｏ−ＰＥＴ」（商品名、カネボウ（株）製）等
の光学用樹脂を用いることも好ましい。

【００３０】作製方法としては、用いるベース樹脂によ
って、加工温度、フィルム化条件等が多少異なるが、通
常、金属錯体化合物を、ベース樹脂の粉体或いはペレ
ットに添加し、１５０〜３５０℃に加熱、溶解させた
後、成形して樹脂板を作製する方法、押し出し機によ
りフィルム化する方法、押し出し機により原反を作製
し、３０〜１２０℃で２〜５倍に、１軸乃至は２軸に延
伸して１０〜２００μｍ厚のフィルムにする方法、等が
挙げられる。なお、混練する際に、紫外線吸収剤、可塑
剤等の通常の樹脂成型に用いる添加剤を加えてもよい。
金属錯体化合物の添加量は、作製する樹脂の厚み、目的
の吸収強度、目的の可視光透過率等によって異なるが、
通常、１ｐｐｍ〜２０％である。また、金属錯体化合物
とメタクリル酸メチル等の塊状重合によるキャスティン
グ法を用いた樹脂板、樹脂フィルムを作製することもで
きる。

【００３１】塗料化してコーティングする（２）の方法
としては、本願発明の金属錯体化合物をバインダー樹脂
及び有機系溶媒に溶解させて塗料化する方法、金属錯体
化合物を数μｍ以下に微粒化してアクリルエマルジョン
中に分散して水系塗料とする方法、等がある。前者の方
法では、通常、脂肪族エステル系樹脂、アクリル系樹
脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、芳香族エステル系樹
脂、ポリカーボネート樹脂、脂肪族ポリオレフィン樹
脂、芳香族ポリオレフィン樹脂、ポリビニル系樹脂、ポ
リビニルアルコール樹脂、ポリビニル系変成樹脂（ＰＶ
Ｂ、ＥＶＡ等）或いはそれらの共重合樹脂をバインダー
樹脂として用いる。更に「ＡＲＴＯＮ」（商品名、日本
合成ゴム（株）製）、「ＺＥＯＮＥＸ」（商品名、日本
ゼオン（株）製）、「ＯＰＴＯＲＥＺ」（商品名、日立
化成（株）製）、「Ｏ−ＰＥＴ」（商品名、カネボウ
（株）製）等の光学用樹脂を用いることもできる。

【００３２】溶媒としては、ハロゲン系、アルコール
系、ケトン系、エステル系、脂肪族炭化水素系、芳香族
炭化水素系、エーテル系溶媒、あるいはそれらの混合物
系等を用いる。

【００３３】金属錯体化合物の濃度は、コーティングの
厚み、目的の吸収強度、目的の可視光透過率等によって
異なるが、バインダー樹脂の重量に対して、通常、０．
１〜３０％である。

【００３４】また、バインダー樹脂濃度は、塗料全体に
対して、通常、１〜５０％である。アクリルエマルジョ
ン系水系塗料の場合も同様に、未着色のアクリルエマル
ジョン塗料に金属錯体化合物を微粉砕（５０〜５００ｎ
ｍ）したものを分散させて得られる。塗料中には、紫外
線吸収剤、酸化防止剤等の通常塗料に用いるような添加
物を加えてもよい。

【００３５】上記の方法で作製した塗料は、透明樹脂フ
ィルム、透明樹脂、透明ガラス等の上にバーコーダー、
ブレードコーター、スピンコーター、リバースコータ
ー、ダイコーター、或いはスプレー等でコーティングし
て、本発明のプラズマディスプレー用フィルターを作製
する。

【００３６】コーティング面を保護するために保護層を
設けたり、透明樹脂板、透明樹脂フィルム等をコーティ
ング面に貼り合わせることもできる。また、キャストフ
ィルムも本方法に含まれる。

【００３７】金属錯体化合物を接着剤に含有させて、合
わせ樹脂板、合わせ樹脂フィルム、合わせガラス等を作
製する（３）の方法においては、接着剤として、一般的
なシリコン系、ウレタン系、アクリル系等の樹脂用、或
いは合わせガラス用のポリビニルブチラール接着剤（Ｐ
ＶＢ）、エチレン−酢酸ビニル系接着剤（ＥＶＡ）等の
合わせガラス用の公知の透明接着剤が使用できる。

【００３８】金属錯体化合物を０．１〜３０％添加した
接着剤を用いて透明な樹脂板同士、樹脂板と樹脂フィル
ム、樹脂板とガラス、樹脂フィルム同士、樹脂フィルム
とガラス、ガラス同士を接着してフィルターを作製す
る。また、熱圧着する方法もある。更に上記の方法で作
製したフィルムあるいは板を、必要に応じて、ガラス板
や、樹脂板上に貼り付けることもできる。フィルターの
厚みは作製するプラズマディスプレーの仕様によって異
なるが、通常０．１〜１０ｍｍ程度である。また、フィ
ルターの耐光性を上げるためにＵＶ吸収剤を含有した透
明フィルム（ＵＶカットフィルム）を外側にはりつける
こともできる。

【００３９】プラズマディスプレー用の誤動作防止フィ
ルターとして、ディスプレーからでる近赤外線光をカッ
トするためにディスプレーの前面に設置するため、可視
光線の透過率が低いと、画像の鮮明さが低下するため、
フィルターの可視光線の透過率は高い程良く、少なくと
も４０％以上、好ましくは５０％以上必要である。ま
た、近赤外線光のカット領域は、リモコンや伝送系光通
信に使用されている８００〜９００ｎｍ、好ましくは、
８００〜１０００ｎｍであり、その領域の平均光線透過
率が２０％以下、好ましくは１０％以下になるように設
計する。このために必要で有れば、上記の一般式（１）
及び／または（２）で表される金属錯体化合物を２種類
以上組み合わせることもできる。

【００４０】また、フィルターの色調を変えるために、
可視領域に吸収を持つ他の色素を加えることも好まし
い。また、調色用色素のみを含有するフィルターを作製
し、後で貼り合わせることもできる。特に、スパッタリ
ング等の電磁波カット層を設けた場合、元のフィルター
色に比べて色合いが大きく異なる場合があるため、調色
は重要である。

【００４１】上記の方法で得たフィルターを更に実用的
にするためには、プラズマディスプレーから出る電磁波
を遮断する電磁波カット層、反射防止（ＡＲ）層、ノン
グレア（ＡＧ）層を設けることもできる。それらの作製
方法は特に制限を受けない。例えば、電磁波カット層
は、金属酸化物等のスパッタリング方法等が利用できる
が、通常はＳｎを添加したＩｎ₂Ｏ₃（ＩＴＯ）が一般的
であるが、誘電体層と金属層を基材上に交互にスパッタ
リング等で積層させることで、近赤外線、遠赤外線から
電磁波まで１０００ｎｍ以上の光をカットすることもで
きる。誘電体層としては酸化インジウム、酸化亜鉛等の
透明な金属酸化物等であり、金属層としては銀あるいは
銀−パラジウム合金が一般的であり、通常、誘電体層よ
りはじまり３層、５層、７層あるいは１１層程度積層す
る。この場合、ディスプレーより出る熱も同時にカット
できる。基材としては、金属錯体化合物を含有するフィ
ルターをそのまま利用しても良いし、樹脂フィルムある
いはガラス上にスパッタリングした後に金属錯体化合物
を含有するフィルターと貼り合わせても良い。また、電
磁波カットを実際に行う場合はアース用の電極を設置す
る必要がある。

【００４２】反射防止層は、表面の反射を抑えてフィル
ターの透過率を向上させるために、金属酸化物、フッ化
物、ケイ化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、硫化物等の
無機物を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、イオンビームアシスト法等で単層あるい
は多層に積層させる方法、アクリル樹脂、フッ素樹脂等
の屈折率の異なる樹脂を単層あるいは多層に積層させる
方法等がある。また、反射防止処理を施したフィルムを
該フィルター上に貼り付けることもできる。

【００４３】また必要であればノングレアー（ＡＧ）層
を設けることもできる。ノングレアー（ＡＧ）層は、フ
ィルターの視野角を広げる目的で、透過光を散乱させる
ために、シリカ、メラミン、アクリル等の微粉体をイン
キ化して、表面にコーティングする方法等を用いること
ができる。インキの硬化は熱硬化あるいは光硬化等を用
いることができる。また、ノングレア処理をしたフィル
ムを該フィルター上に貼り付けることもできる。

【００４４】更に必要で有ればハードコート層を設ける
こともできる。

【００４５】プラズマディスプレー用のフィルターの構
成は必要に応じて変えることができる。通常、近赤外線
吸収化合物を含有するフィルター上に反射防止層を設け
たり、更に必要であれば、反射防止層の反対側にノング
レア層を設ける。また、電磁波カット層を組み合わせる
場合は、近赤外線吸収化合物を含有するフィルターを基
材として、その上に電磁波カット層を設けるか、あるい
は近赤外線吸収化合物を含有するフィルターと電磁波カ
ット能を有するフィルターを貼り合わせて作製できる。
その場合、更に、両面に反射防止層を作製するか、必要
であれば、片面に反射防止層を作製し、反対の面にノン
グレア層を作製することもできる。また、色補正するた
めに、可視領域に吸収を有する色素を加える場合は、そ
の方法については制限をうけない。

【００４６】本願発明のプラズマディスプレー用フィル
ターは、可視光線透過率が高いため、ディスプレーの鮮
明度が損なわれず、ディスプレーからでる８００〜１０
００ｎｍ付近の近赤外線光を効率よくカットするため、
周辺電子機器のリモコン、伝送系光通信等が使用する波
長に悪影響を与えず、それらの誤動作を防ぐことができ
る。

【００４７】

【実施例】以下、本発明を実施例により、更に詳細に説
明する。本発明はこれによりなんら制限されるものでは
ない。

【００４８】実施例１ 下記式（３）で示される金属錯体化合物１．５ｇおよび
ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）〔「デルペット８
０Ｎ」、旭化成工業（株）製、商品名〕１０ｋｇを２８
０℃で溶融混練して、押し出し成型機を用いて、厚み２
ｍｍのフィルターを作製した。該フィルターについて、
（株）島津製作所製分光光度計ＵＶ−３１００にて透過
率を測定した。可視光線透過率（Ｔｖ）は８３．５％
（ＪＩＳ−Ｒ−３１０６に従って計算した）、８００〜
９００ｎｍの平均光線透過率は４．１％であった。

【００４９】

【化５】

【００５０】実施例２ 実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わり
に、下記式（４）で表される金属錯体化合物５．５ｇを
用いた以外は、実施例１とまったく同様にしてフィルタ
ーを作製した。このフィルターについて、同様に透過率
を測定したところ、Ｔｖ＝８２．５％、８００〜９００
ｎｍの平均光線透過率は３．９％であった。

【００５１】

【化６】

【００５２】実施例３ 実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わり
に、式（３）の化合物１．０ｇと下記式（５）の金属錯
体化合物１．３ｇの混合物を用いた以外は、実施例１と
同様にしてフィルターを作製した。このフィルターにつ
いて、同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝６９．５
％、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は２．７％
であった。

【００５３】

【化７】

【００５４】該フィルターをプラズマディスプレーの画
面に設置して、リモコンを使用する電子機器をディスプ
レーから３ｍ離して誤動作を確認したところ、フィルタ
ーがない場合は誤動作を起こしたが、フィルターを設置
した場合は誤動作が起こらなかった。

【００５５】実施例４ 実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わり
に、式（５）の化合物１．８ｇと下記式（６）の金属錯
体化合物１．５ｇとを用いた以外は、実施例１と同様に
してフィルターを作製した。このフィルターについて、
同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝６３．４％、８
００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は１．７％であっ
た。

【００５６】

【化８】

【００５７】実施例３と同様に誤動作試験を行ったとこ
ろ該フィルターを設置した場合誤動作は起こらなかっ
た。

【００５８】実施例５ 実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わり
に、式（３）の化合物１．５ｇと下記式（７）の金属錯
体化合物２．２ｇとを用いた以外は、実施例１と同様に
してフィルターを作製した。このフィルターについて、
同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝５４．９％、８
００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は１．５％であっ
た。

【００５９】

【化９】

【００６０】実施例３と同様に誤動作試験を行ったとこ
ろ該フィルターを設置した場合誤動作は起こらなかっ
た。

【００６１】実施例６ 前記式（３）の金属錯体化合物８０．０ｇと式（５）の
金属錯体化合物１０４．０ｇとを、ポリエチレンテレフ
タレートペレット１２０３〔ユニチカ（株）製〕１０ｋ
ｇと混合し、２６０〜２８０℃で溶融させ、押し出し機
で厚み１００μｍのフィルムを作製した。その後、この
フィルムを２軸延伸して、厚み２５μｍのフィルターを
作製した。このフィルムについて、実施例１と同様に透
過率を測定したところ、Ｔｖ＝６８．７％、８００〜１
０００ｎｍの平均光線透過率は２．９％であった。実施
例３と同様に誤動作試験を行ったところ該フィルターを
設置した場合誤動作は起こらなかった。

【００６２】実施例７ 実施例５において式（７）の金属錯体化合物の代わりに
下記式（８）の金属錯体化合物を用いた以外は実施例５
と同様にしてフィルターを作製した。このフィルターに
ついて同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝６０．５
％、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は１．９％
であった。

【００６３】

【化１０】

【００６４】実施例３と同様に誤動作試験を行ったとこ
ろ該フィルターを設置した場合誤動作は起こらなかっ
た。

【００６５】実施例８ 実施例６で作製したポリエチレンテレフタレートフィル
ターの片面に、ターゲットにインジウムを、スパッタガ
スにアルゴン・酸素混合ガス（全圧２６６ｍＰａ：酸素
分圧８０ｍＰａ）を用いて酸化インジウム薄膜を、ター
ゲットに銀を、スパッタガスにアルゴンガス（全圧２６
６ｍＰａ）を用いて銀薄膜を、マグネトロンＤＣスパッ
タリング法により、酸化インジウム薄膜４０ｎｍ、銀薄
膜１０ｎｍ、酸化インジウム薄膜７０ｎｍ、銀薄膜１０
ｎｍ、酸化インジウム薄膜７０ｎｍ、銀薄膜１０ｎｍ、
酸化インジウム薄膜７０ｎｍ、銀薄膜１０ｎｍ、酸化イ
ンジウム薄膜３０ｎｍの順に積層し、電磁波カット層を
作製した。更に、該フィルター（４７２ｍｍ × ３５
０ｍｍ）の薄膜形成面に銀ペースト（三井化学（株）
製）をスクリーン印刷し、乾燥させて厚さ２０ミクロ
ン、幅１０mmの金属電極を形成した。

【００６６】更に片面にノングレア層を有する厚さ２ｍ
ｍのＰＭＭＡ板（三菱レーヨン（株）製アクリルフィル
ターＭＲ−ＮＧ）のノングレア層の形成されていない面
と上記フィルターの導電面側とを貼り合わせて、ディス
プレー用フィルターを作製した。実施例３と同様に誤動
作試験を行ったところ該フィルターを設置した場合誤動
作は起こらなかった。

【００６７】実施例９ 金属錯体化合物に加えて、赤色系色素（三井東圧染料
（株）製、「ＰＳバイオレットＲＣ」）８ｇを添加して
調色した以外は実施例６と全く同様にして厚さ２５μｍ
のフィルターを作製した。そのフィルム上に実施例８と
同様の電磁波カット層および電極をを形成した後、厚さ
３ミリの強化ガラス板に張り付けた。更にその両側に、
反射防止フィルム（日本油脂（株）製、「リアルックフ
ィルム」）を貼り付けてニュートラル色のプラズマディ
スプレー用フィルターを作製した。実施例３と同様に誤
動作試験を行ったところ該フィルターを設置した場合誤
動作は起こらなかった。

【００６８】

【発明の効果】本発明のフィルターは、可視光線透過率
が高いためディスプレーの鮮明度を阻害せず、ディスプ
レーからでる８００〜１０００ｎｍ付近の近赤外線光を
効率よくカットするため、周辺電子機器の誤動作を抑制
する優れた性能を有する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 11/02 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ 17/02 Ｚ (72)発明者 望月 裕子 愛知県名古屋市南区滝春町５ 三井化学株 式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 Ｆターム(参考） 2H048 CA04 CA12 CA14 CA19 CA24 2K009 AA02 CC03 CC06 CC12 DD03 DD04 EE01 EE03 5C040 FA01 FA02 GA02 GH10 KA05 KB14 KB17 MA04 MA08 5C094 AA08 BA31 ED02 HA08 5G435 AA16 BB06 GG11 GG33 HH03 KK07

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材中に、近赤外線吸収化合物を少なく
   とも１種含有し、８００〜９００ｎｍの平均光線透過率
   が１０％以下であるフィルターに、更に可視領域に吸収
   を持つ色素を少なくとも１種併用させて色調補正したプ
   ラズマディスプレー用フィルター。
2. 【請求項２】 ８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率
   が１０％以下である請求項１記載のプラズマディスプレ
   ー用フィルター。
3. 【請求項３】 近赤外線吸収化合物として、一般式
   （１）または一般式（２）で表される金属錯体化合物を
   少なくとも１種含有してなる請求項１又は２に記載のプ
   ラズマディスプレー用フィルター。 【化１】 〔式中、Ａ¹〜Ａ⁸は各々独立に、水素原子、ハロゲン原
   子、ニトロ基、シアノ基、チオシアナート基、シアナー
   ト基、アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカル
   ボニル基、置換又は未置換のアルコキシカルボニル基、
   置換又は未置換のアリールオキシカルボニル基、置換又
   は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基、
   置換又は未置換のアルコキシ基、置換又は未置換のアリ
   ールオキシ基、置換又は未置換のアルキルチオ基、置換
   又は未置換のアリールチオ基、置換又は未置換のアルキ
   ルアミノ基、、置換又は未置換のアリールアミノ基、置
   換又は未置換のアルキルカルボニルアミノ基、あるいは
   置換又は未置換のアリールカルボニルアミノ基を表し、
   かつ、隣り合う２個の置換基が連結基を介して繋がって
   いてもよく、Ｙ¹、Ｙ²は各々独立に硫黄原子あるいは酸
   素原子を表し、Ｒ¹〜Ｒ⁴は各々独立に置換又は未置換の
   アルキル基、置換又は未置換のアリール基を表し、Ｍ₁
   はニッケル、白金、パラジウムまたは銅を表し、Ｘは窒
   素原子またはリン原子を表す〕 【化２】 〔式中、Ｂ¹〜Ｂ⁴は各々独立に、水素原子、シアノ基、
   アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボニル
   基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
   ル基、置換又は未置換のアルキル基、あるいは置換又は
   未置換のアリール基を表し、かつ、隣り合う２個の置換
   基が連結基を介して繋がっていてもよく、Ｍ₂ はニッケ
   ル、白金、パラジウムまたは銅を表す〕
4. 【請求項４】 可視光線透過率が４０％以上である請求
   項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレ
   ー用フィルター。
5. 【請求項５】 一般式（１）および／または一般式
   （２）で表される金属錯体化合物を２種以上含有する請
   求項１乃至４のいずれか１項に記載のプラズマディスプ
   レー用フィルター。
6. 【請求項６】 電磁波カット層を設けた請求項１乃至５
   のいずれか１項に記載のプラズマディスプレー用フィル
   ター。
7. 【請求項７】 反射防止層を設けた請求項１乃至６のい
   ずれか１項に記載のプラズマディスプレー用フィルタ
   ー。
8. 【請求項８】 ぎらつき防止（ノングレア）層を設けた
   請求項１乃至７のいずれか１項に記載のプラズマディス
   プレー用フィルター。