JPH09230134A - プラズマディスプレー用フィルター - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 一般式（１）または（２）で表される金
属錯体化合物を含有するプラズマディスプレー用フィル
ター。 【効果】 可視光線透過率が高いためディスプレーの鮮
明度を落とすことなく、また、ディスプレーからの近赤
外線光をカットするため周辺電子機器の誤動作を防止で
きる高性能のプラズマディスプレー用フィルターを提供
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレーから
でる近赤外線光（８００〜１０００ｎｍ）をカットし、
周辺電子機器の誤動作を防止するフィルターに関する。
更に詳しくは、近赤外線吸収剤である金属錯体化合物を
含有し、可視光線透過率が高く、かつ近赤外線光のカッ
ト効率の高いプラズマディスプレー用フィルターに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、大型の薄型テレビ、薄型ディスプ
レー用途等に、プラズマディスプレーが注目され、すで
に市場に出始めている。しかし、プラズマディスプレー
からでる近赤外線光がコードレスホン、近赤外線リモコ
ンを使うビデオデッキ等、周辺にある電子機器に作用
し、誤動作を起こす問題を発見した。近赤外線吸収色素
を用いて近赤外線吸収フィルターを作製することは知ら
れているが、ディスプレーによる誤動作を防止する具体
的な方策については全く知られていない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ディ
スプレーからでる周辺電子機器の誤動作を引き起こす近
赤外線領域である８００〜９００ｎｍ、更に好ましくは
８００〜１０００ｎｍの領域の光をカットするととも
に、ディスプレーの鮮明度を阻害しないような可視光線
透過率の高い実用的なフィルターを提供することであ
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、ある種の金属錯体
化合物を用いることにより、誤動作が問題となる近赤外
線光を効率よくカットし、しかも、ディスプレーの鮮明
度を阻害しない高い可視光線透過率を持つ実用的なプラ
ズマディスプレー用フィルターができることを見出し
て、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、基
材に一般式（１）（化３）または一般式（２）（化４）
で表される金属錯体化合物を少なくとも１種含有してな
るプラズマディスプレー用フィルター、 可視光線透過率が４０％以上で、かつ、８００〜９０
０ｎｍの平均光線透過率が２０％以下である前記のプ
ラズマディスプレー用フィルター、 可視光線透過率が５０％以上であるのプラズマディ
スプレー用フィルター、 ８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率が１０％以下
である前記またはのプラズマディスプレー用フィル
ター、 一般式（１）および／または一般式（２）で表される
金属錯体化合物を２種以上含有する前記〜のいずれ
かのプラズマディスプレー用フィルター、 電磁波カット層を設けた前記〜のいずれかのプラ
ズマディスプレー用フィルター、 反射防止層を設けた前記〜のいずれかのプラズマ
ディスプレー用フィルター、 ぎらつき防止（ノングレア）層を設けた前記〜の
いずれかのプラズマディスプレー用フィルター、に関す
るものである。

【０００５】

【化３】 〔式中、Ａ₁ 〜Ａ₈ は各々独立に、水素原子、ハロゲン
原子、ニトロ基、シアノ基、チオシアナート基、シアナ
ート基、アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカ
ルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は
未置換のアリール基、置換又は未置換のアルコキシ基、
置換又は未置換のアリールオキシ基、置換又は未置換の
アルキルチオ基、置換又は未置換のアリールチオ基、置
換又は未置換のアルキルアミノ基、置換又は未置換のア
リールアミノ基、置換又は未置換のアルキルカルボニル
アミノ基、あるいは置換又は未置換のアリールカルボニ
ルアミノ基を表し、かつ、隣り合う２個の置換基が連結
基を介して繋がっていてもよく、Ｙ₁ 、Ｙ₂ は各々独立
に硫黄原子あるいは酸素原子を表し、Ｒ₁ 〜Ｒ₄ は各々
独立に置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換の
アリール基を表し、Ｍ₁ はニッケル、白金、パラジウム
または銅を表し、Ｘは窒素原子またはリン原子を表す〕

【０００６】

【化４】 〔式中、Ｂ₁ 〜Ｂ₄ は各々独立に、水素原子、シアノ
基、アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボ
ニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカル
ボニル基、置換又は未置換のアルキル基、あるいは置換
又は未置換のアリール基を表し、かつ、隣り合う２個の
置換基が連結基を介して繋がっていてもよく、Ｍ₂ はニ
ッケル、白金、パラジウムまたは銅を表す〕

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明のプラズマディスプレー用
フィルターは、基材に一般式（１）または一般式（２）
で表される金属錯体化合物を少なくとも１種含有するも
のである。本発明で用いる一般式（１）および（２）で
表される金属錯体化合物中、Ａ₁ 〜Ａ ₈ 、Ｂ₁ 〜Ｂ₄ 、
Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で表される置換基について、以下に具体的に
記載する。

【０００８】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、沃素原子が挙げられる。アシル基とし
ては、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカル
ボニル基、ブチルカルボニル基、ペンチルカルボニル
基、ヘキシルカルボニル基、ベンゾイル基、p-t-ブチル
ベンゾイル基等が挙げられる。

【０００９】置換又は未置換のアルキル基の例として
は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル
基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチ
ル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、neo-ペンチル
基、1,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、cyclo-ヘ
キシル基、1,3-ジメチルブチル基、1-iso-プロピルプロ
ピル基、1,2-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、1,4-ジ
メチルペンチル基、2-メチル−1-iso-プロピルプロピル
基、1-エチル-3- メチルブチル基、n-オクチル基、2-エ
チルヘキシル基、3-メチル-1-iso- プロピルブチル基、
2-メチル-1-iso- プロピル基、1-t-ブチル-2- メチルプ
ロピル基、n-ノニル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、
等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状の炭化水素
基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、3-メ
トキシプロピル基、3-エトキシプロピル基、メトキシエ
トキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、ジメトキ
シメチル基、ジエトキシメチル基、ジメトキシエチル
基、ジエトキシエチル基等のアルコキシアルキル基、ア
ルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシ
アルコキシアルキル基、クロロメチル基、2,2,2-トリク
ロロエチル基、トリフルオロメチル基、1,1,1,3,3,3,-
ヘキサフルオロ-2- プロピル基等のハロゲン化アルキル
基、炭素数２〜２０のアルキルアミノアルキル基、ジア
ルキルアミノアルキル基、アルコキシカルボニルアルキ
ル基、アルキルアミノカルボニルアルキル基、アルコキ
シスルホニルアルキル基などが挙げられる。

【００１０】また、置換または未置換のアルコキシ基の
例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピルオキ
シ基、iso-プロピルオキシ基、n-ブチルオキシ基、iso-
ブチルオキシ基、sec-ブチルオキシ基、t-ブチルオキシ
基、n-ペンチルオキシ基、iso-ペンチルオキシ基、neo-
ペンチルオキシ基、1,2-ジメチル−プロピルオキシ基、
n-ヘキシルオキシ基、cyclo-ヘキシルオキシ基、1,3-ジ
メチルブチルオキシ基、1-iso-プロピルプロピルオキシ
基、1,2-ジメチルブチルオキシ基、n-ヘプチルオキシ
基、1,4-ジメチルペンチルオキシ基、2-メチル-1-iso-
プロピルプロピルオキシ基、1-エチル-3- メチルブチル
オキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキ
シ基、3-メチル-1-iso- プロピルブチルオキシ基、2-メ
チル-1-iso- プロピルオキシ基、1-t-ブチル-2- メチル
プロピルオキシ基、n-ノニルオキシ基等の炭素数１〜２
０の直鎖又は分岐のアルコキシ基、メトキシメトキシ
基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポ
キシエトキシ基、ブトキシエトキシ基、3-メトキシプロ
ピルオキシ基、3-エトキシプロピルオキシ基、ジメトキ
シメトキシ基、ジエトキシメトキシ基、ジメトキシエト
キシ基、ジエトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキ
シ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシ
エトキシ基、ブチルオキシエトキシエトキシ基等のアル
コキシアルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシ
アルコキシアルコキシ基、クロロメトキシ基、2,2,2-ト
リクロロエトキシ基、トリフルオロメトキシ基、1,1,1,
3,3,3,- ヘキサフルオロ-2- プロピルオキシ基等のハロ
ゲン化アルコキシ基、ジメチルアミノエトキシ基、ジエ
チルアミノエトキシ基などのアルキルアミノアルコキシ
基、ジアルキルアミノアルコキシ基等が挙げられる。

【００１１】置換又は未置換のアリール基の例として
は、フェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル
基、トリクロロフェニル基、ブロモフェニル基、フロロ
フェニル基、ペンタフロロフェニル基、ヨウ化フェニル
基等のハロゲン化フェニル基、トリル基、キシリル基、
メシチル基、エチルフェニル基、ジメチルエチルフェニ
ル基、iso-プロピルフェニル基、t-ブチルフェニル基、
t-ブチルメチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニ
ルフェニル基、トリフロロメチルフェニル基、等のアル
キル誘導体置換フェニル基、メトキシフェニル基、エト
キシフェニル基、プロポキシフェニル基、ヘキシルオキ
シフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、オク
チルオキシフェニル基、2-エチルヘキシルオキシフェニ
ル基、3,5,5-トリメチルヘキシルオキシフェニル基、メ
チルエトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、1-エ
トキシ-4- メトキシフェニル基、クロロメトキシフェニ
ル基、エトキシエトキシフェニル基、エトキシエトキシ
エトキシフェニル基等のアルコキシ基置換フェニル基、

【００１２】メチルチオフェニル基、エチルチオフェニ
ル基、t-ブチルチオフェニル基、ジ−tert- ブチルチオ
フェニル基、2-メチル-1- エチルチオフェニル基、2-ブ
チル-1- メチルチオフェニル基、等のアルキルチオ基置
換フェニル基、N,N-ジメチルアミノフェニル基、N,N-ジ
エチルアミノフェニル基、N,N-ジプロピルアミノフェニ
ル基、N,N-ジブチルアミノフェニル基、N,N-ジアミルア
ミノフェニル基、N,N-ジヘキシルアミノフェニル基、N-
メチル-N- エチルアミノフェニル基、N-ブチル-N- エチ
ルアミノフェニル基、N-ヘキシル-N- エチルアミノフェ
ニル基、4-(N,N- ジメチルアミノ)-エチルフェニル基、
4-(N,N- ジエチルアミノ)-メチルフェニル基、3-(N,N-
ジメチルアミノ)-エチルフェニル基、2-(N,N- ジメチル
アミノ)-エチルフェニル基等のアルキルアミノフェニル
基、ナフチル基、クロロナフチル基、ジクロロナフチル
基、トリクロロナフチル基、ブロモナフチル基、フロロ
ナフチル基、ペンタフロロナフチル基、ヨウ化ナフチル
基等のハロゲン化ナフチル基、エチルナフチル基、ジメ
チルエチルナフチル基、iso-プロピルナフチル基、t-ブ
チルナフチル基、t-ブチルメチルナフチル基、オクチル
ナフチル基、ノニルナフチル基、トリフロロメチルナフ
チル基等のアルキル誘導体置換ナフチル基、

【００１３】メトキシナフチル基、エトキシナフチル
基、プロポキシナフチル基、ヘキシルオキシナフチル
基、シクロヘキシルオキシナフチル基、オクチルオキシ
ナフチル基、2-エチルヘキシルオキシナフチル基、3,5,
5-トリメチルヘキシルオキシナフチル基、メチルエトキ
シナフチル基、ジメトキシナフチル基、クロロメトキシ
ナフチル基、エトキシエトキシナフチル基、エトキシエ
トキシエトキシナフチル基等のアルコキシ基置換ナフチ
ル基、メチルチオナフチル基、エチルチオナフチル基、
t-ブチルチオナフチル基、メチルエチルチオナフチル
基、ブチルメチルチナフチル基等のアルキルチオ基置換
ナフチル基、N,N-ジメチルアミノナフチル基、N,N-ジエ
チルアミノナフチル基、N,N-ジプロピルアミノナフチル
基、N,N-ジブチルアミノナフチル基、N,N-ジアミルアミ
ノナフチル基、N,N-ジヘキシルアミノナフチル基、N-メ
チル-N- エチルアミノナフチル基、N-ブチル-N- エチル
アミノナフチル基、N-ヘキシル-N- エチルアミノナフチ
ル基、4-(N,N- ジメチルアミノ)-エチルナフチル基、4-
(N,N- ジエチルアミノ)-メチルナフチル基、3-(N,N- ジ
メチルアミノ)-エチルナフチル基、2-(N,N- ジメチルア
ミノ)-エチルナフチル基等のアルキルアミノナフチル
基、ピリジル基、ピペリジル基、チオフェニル基、イミ
ダゾリル基、ピローリジル基、フリル基等が挙げられ
る。置換又は未置換のアリールオキシ基の例としては、
フェノキシ基、ナフトキシ基、アルキルフェノキシ基、
等が挙げられる。

【００１４】置換又は未置換のアルキルチオ基として
は、メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、
iso-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ
基、sec-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチ
オ基、iso-ペンチルチオ基、neo-ペンチルチオ基、1,2-
ジメチルプロピルチオ基、n-ヘキシルチオ基、cyclo-ヘ
キシルチオ基、1,3-ジメチルブチルチオ基、1-iso-プロ
ピルプロピルチオ基、1,2-ジメチルブチルチオ基、n-ヘ
プチルチオ基、1,4-ジメチルペンチルチオ基、2-メチル
-1-iso- プロピルプロピルチオ基、1-エチル-3- メチル
ブチルチオ基、n-オクチルチオ基、2-エチルヘキシルチ
オ基、3-メチル-1-iso- プロピルブチルチオ基、2-メチ
ル-1-iso- プロピルチオ基、1-t-ブチル-2- メチルプロ
ピルチオ基、n-ノニルチオ基等の炭素数１〜２０の直鎖
又は分岐のアルキルチオ基、メトキシメチルチオ基、メ
トキシエチルチオ基、エトキシエチルチオ基、プロポキ
シエチルチオ基、ブトキシエチルチオ基、3-メトキシプ
ロピルチオ基、3-エトキシプロピルチオ基、メトキシエ
トキシエチルチオ基、エトキシエトキシエチルチオ基、
ジメトキシメチルチオ基、ジエトキシメチルチオ基、ジ
メトキシエチルチオ基、ジエトキシエチルチオ基等のア
ルコキシアルキルチオ基、アルコキシアルコキシアルキ
ルチオ基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキルチ
オ基、クロロメチルチオ基、2,2,2-トリクロロエチルチ
オ基、トリフルオロメチルチオ基、1,1,1,3,3,3,- ヘキ
サフルオロ-2- プロピルチオ基等のハロゲン化アルキル
チオ基、ジメチルアミノエチルチオ基、ジエチルアミノ
エチルチオ基等のアルキルアミノアルキルチオ基、ジア
ルキルアミノアルキルチオ基等が挙げられる。置換又は
未置換のアリールチオ基の例としては、フェニルチオ
基、ナフチルチオ基、アルキルフェニルチオ基、等が挙
げられる。

【００１５】置換又は未置換のアルコキシカルボニル基
の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、n-プロポキシカルボニル基、iso-プロポキシカ
ルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、iso-ブトキシカ
ルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカ
ルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、iso-ペン
チルオキシカルボニル基、neo-ペンチルオキシカルボニ
ル基、1,2-ジメチル−プロピルオキシカルボニル基、n-
ヘキシルオキシカルボニル基、cyclo-ヘキシルオキシカ
ルボニル基、1,3-ジメチル- ブチルオキシカルボニル
基、1-iso-プロピルプロピルオキシカルボニル基、1,2-
ジメチルブチルオキシカルボニル基、 n-ヘプチルオキ
シカルボニル基、1,4-ジメチルペンチルオキシカルボニ
ル基、2-メチル-1-iso- プロピルプロピルオキシカルボ
ニル基、1-エチル-3- メチルブチルオキシカルボニル
基、n-オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシル
オキシカルボニル基、3-メチル-1-iso- プロピルブチル
オキシカルボニル基、2-メチル-1-iso- プロピルオキシ
カルボニル基、1-t-ブチル-2- メチルプロピルオキシカ
ルボニル基、n-ノニルオキシカルボニル基、等の炭素数
２〜２０の直鎖又は分岐のアルキルオキシカルボニル
基、

【００１６】メトキシメトキシカルボニル基、メトキシ
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル
基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキ
シカルボニル基、γ−メトキシプロポキシカルボニル
基、γ−エトキシプロポキシカルボニル基、メトキシエ
トキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキ
シカルボニル基、ジメトキシメトキシカルボニル基、ジ
エトキシメトキシカルボニル基、ジメトキシエトキシカ
ルボニル基、ジエトキシエトキシカルボニル基等のアル
コキシアルコキシカルボニル基、アルコキシアルコキシ
アルコキシカルボニル基、アルコキシアルコキシアルコ
キシアルコキシカルボニル基、クロロメトキシカルボニ
ル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、トリフ
ルオロメトキシカルボニル基、1,1,1,3,3,3,- ヘキサフ
ルオロ-2- プロポキシカルボニル基、などのハロゲン化
アルキルオキシカルボニル基、炭素数３〜２０のアルキ
ルアミノアルキルオキシカルボニル基、ジアルキルアミ
ノアルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル
アルキルオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニ
ルアルキルオキシカルボニル基、アルコキシスルホニル
アルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニルオキ
シカルボニル基などが挙げられる。

【００１７】アリールオキシカルボニル基の例として
は、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカル
ボニル基、トリルオキシカルボニル基、キシリルオキシ
カルボニル基、クロロフェニルオキシカルボニル基等が
挙げられる。

【００１８】アルキルアミノカルボニル基の例として
は、メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニ
ル基、ｎ−プロピルアミノカルボニル基、ｎ−ブチルア
ミノカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル
基、ｎ−ペンチルアミノカルボニル基、ｎ−ヘキシルア
ミノカルボニル基、ｎ−ヘプチルアミノカルボニル基、
ｎ−オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシル
アミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、ジ
エチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−プロピルアミノカ
ルボニル基、ジ−ｎ−ブチルアミノカルボニル基、ジ−
ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−ペンチル
アミノカルボニル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノカルボニ
ル基、ジ−ｎ−ヘプチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−
オクチルアミノカルボニル基等が挙げられる。

【００１９】置換または未置換のアルキルアミノ基とし
ては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピル
アミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ
基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ
−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−エチ
ルヘキシルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミ
ノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミ
ノ基、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ペンチル
アミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジ−ｎ−ヘプチ
ルアミノ基、ジ−ｎ−オクチルアミノ基等が挙げられ
る。置換または未置換のアリールアミノ基としては、フ
ェニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルアミノ基、ｐ−ｔ
−ブチルフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ−
ｐ−メチルフェニルアミノ基、ジ−ｐ−ｔ−ブチルフェ
ニルアミノ基等が挙げられる。

【００２０】置換または未置換のアルキルカルボニルア
ミノ基としては、アセチルアミノ基、エチルカルボニル
アミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−
プロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルア
ミノ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−
ブチルカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルカルボニルアミ
ノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基、ｎ−ヘキシル
カルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ
基、ｎ−ヘプチルカルボニルアミノ基、３−ヘプチルカ
ルボニルアミノ基、ｎ−オクチルカルボニルアミノ基等
が挙げられる。置換または未置換のアリールカルボニル
アミノ基としては、ベンゾイルアミノ基、ｐ−クロロベ
ンゾイルアミノ基、ｐ−メトキシベンゾイルアミノ基、
ｐ−ｔ−ブチルベンゾイルアミノ基、ｐ−トリフロロ
メチルベンゾイルアミノ基、ｍ−トリフロロメチルベン
ゾイルアミノ基等が挙げられる。また、Ｍ₁ あるいはＭ
₂ で表される金属の例としては、ニッケル、白金、パラ
ジウムまたは銅が挙げられ、Ｘは窒素原子あるいはリン
原子である。

【００２１】一般式（１）で表される金属錯体化合物の
Ａ₁ 〜Ａ₈ で表させる置換基で特に好ましいものは、各
々独立に水素原子、塩素原子、臭素原子、あるいはメチ
ル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブ
チル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-
ペンチル基、iso-ペンチル基、neo-ペンチル基、等の炭
素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で表される
置換基で特に好ましいものはメチル基、エチル基、n-プ
ロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル
基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペ
ンチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、
n-ヘキシル基、cyclo-ヘキシル基、1,3-ジメチルブチル
基、1-iso-プロピルプロピル基、1,2-ジメチルブチル
基、n-ヘプチル基、1,4-ジメチルペンチル基、2-メチル
−1-iso-プロピルプロピル基、1-エチル-3- メチルブチ
ル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、等の炭素数
１〜８のアルキル基であり、特に好ましいＸは窒素であ
り、特に好ましいＭ₁ はニッケルである。

【００２２】一般式（２）で表される金属錯体化合物の
Ｂ₁ 〜Ｂ₄ で表させる置換基で特に好ましいものは、各
々独立にフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル
基、メシチル基、エチルフェニル基、ジメチルエチルフ
ェニル基、iso-プロピルフェニル基、t-ブチルフェニル
基、t-ブチルメチルフェニル基、メトキシフェニル基、
エトキシフェニル基、プロポキシフェニル基、 N,N-ジ
メチルアミノフェニル基、N,N-ジエチルアミノフェニル
基、N,N-ジプロピルアミノフェニル基、N,N-ジブチルア
ミノフェニル基、エチルナフチル基、ジメチルエチルナ
フチル基、iso-プロピルナフチル基、t-ブチルナフチル
基、t-ブチルメチルナフチル基、メトキシナフチル基、
エトキシナフチル基、プロポキシナフチル基、メチルチ
オナフチル基、エチルチオナフチル基、t-ブチルチオナ
フチル基、メチルエチルチオナフチル基、ブチルメチル
チオナフチル基、N,N-ジメチルアミノナフチル基、N,N-
ジエチルアミノナフチル基、N,N-ジプロピルアミノナフ
チル基、N,N-ジブチルアミノナフチル基等の炭素数６〜
２０の置換または未置換のフェニル基あるいはナフチル
基であり、特に好ましいＭ₂ はニッケルである。

【００２３】本発明のプラズマディスプレー用フィルタ
ーは、前記の金属錯体化合物を基材に含有してなるもの
で、本発明でいう基材に含有するとは、基材の内部に含
有されることは勿論、基材の表面に塗布した状態、基材
と基材の間に挟まれた状態等を意味する。基材として
は、透明樹脂板、透明フィルム、透明ガラス等が挙げら
れる。上記金属錯体化合物を用いて、本願のプラズマデ
ィスプレー用フィルターを作製する方法としては、特に
限定されるものではないが、例えば、以下の３つの方法
が利用できる。 （１）樹脂に金属錯体化合物を混練し、加熱成形して樹
脂板或いはフィルムを作製する方法、（２）金属錯体化
合物を含有する塗料を作製し、透明樹脂板、透明フィル
ム、或いは透明ガラス板上にコーティングする方法、
（３）金属錯体化合物を接着剤に含有させて、合わせ樹
脂板、合わせ樹脂フィルム、合わせガラス等を作製する
方法、等である。

【００２４】まず、樹脂に金属錯体化合物を混練し、加
熱成形する（１）の方法において、樹脂材料としては、
樹脂板または樹脂フィルムにした場合にできるだけ透明
性の高いものが好ましく、具体例として、ポリエチレ
ン、ポリスチレン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エ
ステル、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリ
塩化ビニル、ポリフッ化ビニル等のビニル化合物、及び
それらのビニル化合物の付加重合体、ポリメタクリル
酸、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニリデン、
ポリフッ化ビニリデン、ポリシアン化ビニリデン、フッ
化ビニリデン／トリフルオロエチレン共重合体、フッ化
ビニリデン／テトラフルオロエチレン共重合体、シアン
化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体等のビニル化合物又
はフッ素系化合物の共重合体、ポリトリフルオロエチレ
ン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロ
プロピレン等のフッ素を含む樹脂、ナイロン６、ナイロ
ン６６等のポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポ
リペプチド、ポリエチレンテレフタレート等のポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリオキシメチレン、ポリエ
チレンオキシド、ポリプロピレンオキシド等のポリエー
テル、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルブチラール等を挙げることが出来るが、これらの樹脂
に限定されるものではなく、ガラス代替となるような高
硬度、高透明性を有する樹脂、チオウレタン系等の熱硬
化樹脂、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム（株）製）、ＺＥＯ
ＮＥＸ（日本ゼオン（株）製）、ＯＰＴＯＲＥＺ（日立
化成（株）製）、Ｏ−ＰＥＴ（鐘紡（株）製）等の光学
用樹脂を用いることも好ましい。

【００２５】作製方法としては、用いるベース樹脂によ
って、加工温度、フィルム化条件等が多少異なるが、通
常、金属錯体化合物を、ベース樹脂の粉体或いはペレ
ットに添加し、１５０〜３５０℃に加熱、溶解させた
後、成形して樹脂板を作製する方法、押し出し機によ
りフィルム化する方法、押し出し機により原反を作製
し、３０〜１２０℃で２〜５倍に、１軸乃至は２軸に延
伸して１０〜２００μｍ厚のフィルムにする方法、等が
挙げられる。なお、混練する際に、紫外線吸収剤、可塑
剤等の通常の樹脂成型に用いる添加剤を加えてもよい。
金属錯体化合物の添加量は、作製する樹脂の厚み、目的
の吸収強度、目的の可視光透過率等によって異なるが、
通常、１ｐｐｍ〜２０％である。また、金属錯体化合物
とメタクリル酸メチル等の塊状重合によるキャスティン
グ法を用いた樹脂板、樹脂フィルムを作製することもで
きる。

【００２６】塗料化してコーティングする（２）の方法
としては、本願発明の金属錯体化合物をバインダー樹脂
及び有機系溶媒に溶解させて塗料化する方法、金属錯体
化合物を数μｍ以下に微粒化してアクリルエマルジョン
中に分散して水系塗料とする方法、等がある。前者の方
法では、通常、脂肪族エステル系樹脂、アクリル系樹
脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、芳香族エステル系樹
脂、ポリカーボネート樹脂、脂肪族ポリオレフィン樹
脂、芳香族ポリオレフィン樹脂、ポリビニル系樹脂、ポ
リビニルアルコール樹脂、ポリビニル系変成樹脂（ＰＶ
Ｂ、ＥＶＡ等）或いはそれらの共重合樹脂をバインダー
樹脂として用いる。 更にＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム
（株）製）、ＺＥＯＮＥＸ（日本ゼオン（株）製）、Ｏ
ＰＴＯＲＥＺ（日立化成（株）製）、Ｏ−ＰＥＴ（鐘紡
（株）製）等の光学用樹脂を用いることもできる。溶媒
としては、ハロゲン系、アルコール系、ケトン系、エス
テル系、脂肪族炭化水素系、芳香族炭化水素系、エーテ
ル系溶媒、あるいはそれらの混合物系等を用いる。

【００２７】金属錯体化合物の濃度は、コーティングの
厚み、目的の吸収強度、目的の可視光透過率等によって
異なるが、バインダー樹脂の重量に対して、通常、０．
１〜３０％である。また、バインダー樹脂濃度は、塗料
全体に対して、通常、１〜５０％である。アクリルエマ
ルジョン系水系塗料の場合も同様に、未着色のアクリル
エマルジョン塗料に金属錯体化合物を微粉砕（５０〜５
００ｎｍ）したものを分散させて得られる。塗料中に
は、紫外線吸収剤、酸化防止剤等の通常塗料に用いるよ
うな添加物を加えてもよい。上記の方法で作製した塗料
は、透明樹脂フィルム、透明樹脂、透明ガラス等の上に
バーコーダー、ブレードコーター、スピンコーター、リ
バースコーター、ダイコーター、或いはスプレー等でコ
ーティングして、本発明のプラズマディスプレー用フィ
ルターを作製する。コーティング面を保護するために保
護層を設けたり、透明樹脂板、透明樹脂フィルム等をコ
ーティング面に貼り合わせることもできる。また、キャ
ストフィルムも本方法に含まれる。

【００２８】金属錯体化合物を接着剤に含有させて、合
わせ樹脂板、合わせ樹脂フィルム、合わせガラス等を作
製する（３）の方法においては、接着剤として、一般的
なシリコン系、ウレタン系、アクリル系等の樹脂用、或
いは合わせガラス用のポリビニルブチラール接着剤（Ｐ
ＶＢ）、エチレン−酢酸ビニル系接着剤（ＥＶＡ）等の
合わせガラス用の公知の透明接着剤が使用できる。金属
錯体化合物を０．１〜３０％添加した接着剤を用いて透
明な樹脂板同士、樹脂板と樹脂フィルム、樹脂板とガラ
ス、樹脂フィルム同士、樹脂フィルムとガラス、ガラス
同士を接着してフィルターを作製する。また、熱圧着す
る方法もある。更に上記の方法で作製したフィルムある
いは板を、必要に応じて、ガラス板や、樹脂板上に貼り
付けることもできる。フィルターの厚みは作製するプラ
ズマディスプレーの仕様によって異なるが、通常０．１
〜１０ｍｍ程度である。また、フィルターの耐光性を上
げるためにＵＶ吸収剤を含有した透明フィルム（ＵＶカ
ットフィルム）を外側にはりつけることもできる。

【００２９】プラズマディスプレー用の誤動作防止フィ
ルターとして、ディスプレーからでる近赤外線光をカッ
トするためにディスプレーの前面に設置するため、可視
光線の透過率が低いと、画像の鮮明さが低下するため、
フィルターの可視光線の透過率は高い程良く、少なくと
も４０％以上、好ましくは５０％以上必要である。ま
た、近赤外線光のカット領域は、リモコンや伝送系光通
信に使用されている８００〜９００ｎｍ、好ましくは、
８００〜１０００ｎｍであり、その領域の平均光線透過
率が２０％以下、好ましくは１０％以下になるように設
計する。このために必要で有れば、上記の一般式（１）
及び／または（２）で表される金属錯体化合物を２種類
以上組み合わせることもできる。また、フィルターの色
調を変えるために、可視領域に吸収を持つ他の色素を加
えることも好ましい。また、調色用色素のみを含有する
フィルターを作製し、後で張り合わせることもできる。
特に、スパッタリング等の電磁波カット層を設けた場
合、元のフィルター色に比べて色合いが大きく異なる場
合があるため、調色は重要である。

【００３０】上記の方法で得たフィルターを更に実用的
にするためには、プラズマディスプレーから出る電磁波
を遮断する電磁波カット層、反射防止（ＡＲ）層、ノン
グレア（ＡＧ）層を設けることもできる。それらの作製
方法は特に制限を受けない。例えば、電磁波カット層
は、金属酸化物等のスパッタリング方法等が利用できる
が、通常はＳｎを添加したＩｎ₂ Ｏ₃ （ＩＴＯ）が一般
的であるが、誘電体層と金属層を基材上に交互にスパッ
タリング等で積層させることで、近赤外線、遠赤外線か
ら電磁波まで１０００ｎｍ以上の光をカットすることも
できる。誘電体層としては酸化インジウム、酸化亜鉛等
の透明な金属酸化物等であり、金属層としては銀あるい
は銀−パラジウム合金が一般的であり、通常、誘電体層
よりはじまり３層、５層、７層あるいは１１層程度積層
する。この場合、ディスプレーより出る熱も同時にカッ
トできる。基材としては、金属錯体化合物を含有するフ
ィルターをそのまま利用しても良いし、樹脂フィルムあ
るいはガラス上にスパッタリングした後に金属錯体化合
物を含有するフィルターと張り合わせても良い。また、
電磁波カットを実際に行う場合はアース用の電極を設置
する必要がある。反射防止層は、表面の反射を抑えてフ
ィルターの透過率を向上させるために、金属酸化物、フ
ッ化物、ケイ化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、硫化物
等の無機物を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法、イオンビームアシスト法等で単層あ
るいは多層に積層させる方法、アクリル樹脂、フッ素樹
脂等の屈折率の異なる樹脂を単層あるいは多層に積層さ
せる方法等がある。また、反射防止処理を施したフィル
ムを該フィルター上に張り付けることもできる。また必
要であればノングレアー（ＡＧ）層を設けることもでき
る。ノングレアー（ＡＧ）層は、フィルターの視野角を
広げる目的で、透過光を散乱させるために、シリカ、メ
ラミン、アクリル等の微粉体をインキ化して、表面にコ
ーティングする方法等を用いることができる。インキの
硬化は熱硬化あるいは光硬化等を用いることができる。
また、ノングレア処理をしたフィルムを該フィルター上
に張り付けることもできる。更に必要で有ればハードコ
ート層を設けることもできる。

【００３１】プラズマディスプレー用のフィルターの構
成は必要に応じて変えることができる。通常、近赤外線
吸収化合物を含有するフィルター上に反射防止層を設け
たり、更に必要であれば、反射防止層の反対側にノング
レア層を設ける。また、電磁波カット層を組み合わせる
場合は、近赤外線吸収化合物を含有するフィルターを基
材として、その上に電磁波カット層を設けるか、あるい
は近赤外線吸収化合物を含有するフィルターと電磁波カ
ット能を有するフィルターを貼り合わせて作製できる。
その場合、更に、両面に反射防止層を作製するか、必要
であれば、片面に反射防止層を作製し、反対の面にノン
グレア層を作製することもできる。また、色補正するた
めに、可視領域に吸収を有する色素を加える場合は、そ
の方法については制限をうけない。本願発明のプラズマ
ディスプレー用フィルターは、可視光線透過率が高いた
め、ディスプレーの鮮明度が損なわれず、ディスプレー
からでる８００〜１０００ｎｍ付近の近赤外線光を効率
よくカットするため、周辺電子機器のリモコン、伝送系
光通信等が使用する波長に悪影響を与えず、それらの誤
動作を防ぐことができる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明を実施例により、更に詳細に説
明する。本発明はこれによりなんら制限されるものでは
ない。 実施例１ 下記式（３）（化５）で示される金属錯体化合物１．５
ｇおよびポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）〔デルペ
ット８０Ｎ、旭化成工業（株）製〕１０ｋｇを２８０℃
で溶融混練して、押し出し成型機を用いて、厚み２ｍｍ
のフィルターを作製した。該フィルターについて、
（株）島津製作所製分光光度計ＵＶ−３１００にて透過
率を測定した。可視光線透過率（Ｔｖ）は８３．５％
（ＪＩＳ−Ｒ−３１０６に従って計算した）、８００〜
９００ｎｍの平均光線透過率は４．１％であった。

【００３３】

【化５】

【００３４】実施例２ 実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わり
に、下記式（４）（化６）で表される金属錯体化合物
５．５ｇを用いた以外は、実施例１とまったく同様にし
てフィルターを作製した。このフィルターについて、同
様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝８２．５％、８０
０〜９００ｎｍの平均光線透過率は３．９％であった。

【００３５】

【化６】

【００３６】実施例３ 実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わり
に、式（３）の化合物１．０ｇと下記式（５）（化７）
の金属錯体化合物１．３ｇの混合物を用いた以外は、実
施例１と同様にしてフィルターを作製した。このフィル
ターについて、同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝
６９．５％、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は
２．７％であった。

【００３７】

【化７】 該フィルターをプラズマディスプレーの画面に設置し
て、リモコンを使用する電子機器をディスプレーから３
ｍ離して誤動作を確認したところ、フィルターがない場
合は誤動作を起こしたが、フィルターを設置した場合は
誤動作が起こらなかった。

【００３８】実施例４ 実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わり
に、式（５）の化合物１．８ｇと下記式（６）（化８）
の金属錯体化合物１．５ｇとを用いた以外は、実施例１
と同様にしてフィルターを作製した。このフィルターに
ついて、同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝６３．
４％、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は１．７
％であった。

【００３９】

【化８】 実施例３と同様に誤動作試験を行ったところ該フィルタ
ーを設置した場合誤動作は起こらなかった。

【００４０】実施例５ 実施例１において、式（３）の金属錯体化合物の代わり
に、式（３）の化合物１．５ｇと下記式（７）（化９）
の金属錯体化合物２．２ｇとを用いた以外は、実施例１
と同様にしてフィルターを作製した。このフィルターに
ついて、同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ＝５４．
９％、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率は１．５
％であった。

【００４１】

【化９】 実施例３と同様に誤動作試験を行ったところ該フィルタ
ーを設置した場合誤動作は起こらなかった。

【００４２】実施例６ 前記式（３）の金属錯体化合物８０．０ｇと式（５）の
金属錯体化合物１０４．０ｇとを、ポリエチレンテレフ
タレートペレット１２０３〔ユニチカ（株）製〕１０ｋ
ｇと混合し、２６０〜２８０℃で溶融させ、押し出し機
で厚み１００μｍのフィルムを作製した。その後、この
フィルムを２軸延伸して、厚み２５μｍのフィルターを
作製した。このフィルムについて、実施例１と同様に透
過率を測定したところ、Ｔｖ＝６８．７％、８００〜１
０００ｎｍの平均光線透過率は２．９％であった。実施
例３と同様に誤動作試験を行ったところ該フィルターを
設置した場合誤動作は起こらなかった。 実施例７ 実施例５において式（７）の金属錯体化合物の代わりに
下記式（８）（化１０）の金属錯体化合物を用いた以外
は実施例５と同様にしてフィルターを作製した。このフ
ィルターについて同様に透過率を測定したところ、Ｔｖ
＝６０．５％、８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率
は１．９％であった。

【００４３】

【化１０】 実施例３と同様に誤動作試験を行ったところ該フィルタ
ーを設置した場合誤動作は起こらなかった。

【００４４】実施例８ 実施例６で作製したポリエチレンテレフタレートフィル
ターの片面に、ターゲットにインジウムを、スパッタガ
スにアルゴン・酸素混合ガス（全圧２６６ｍＰａ：酸素
分圧８０ｍＰａ）を用いて酸化インジウム薄膜を、ター
ゲットに銀を、スパッタガスにアルゴンガス（全圧２６
６ｍＰａ）を用いて銀薄膜を、マグネトロンＤＣスパッ
タリング法により、酸化インジウム薄膜４０ｎｍ、銀薄
膜１０ｎｍ、酸化インジウム薄膜７０ｎｍ、銀薄膜１０
ｎｍ、酸化インジウム薄膜７０ｎｍ、銀薄膜１０ｎｍ、
酸化インジウム薄膜７０ｎｍ、銀薄膜１０ｎｍ、酸化イ
ンジウム薄膜３０ｎｍの順に積層し、電磁波カット層を
作製した。更に、該フィルター（４７２ｍｍ × ３５
０ｍｍ）の薄膜形成面に銀ペースト（三井東圧化学
（株）製）をスクリーン印刷し、乾燥させて厚さ２０ミ
クロン、幅１０mmの金属電極を形成した。

【００４５】更に片面にノングレア層を有する厚さ２ｍ
ｍのＰＭＭＡ板（三菱レーヨン（株）製アクリルフィル
ターＭＲ−ＮＧ）のノングレア層の形成されていない面
と上記フィルターの導電面側とを張り合わせて、ディス
プレー用フィルターを作製した。実施例３と同様に誤動
作試験を行ったところ該フィルターを設置した場合誤動
作は起こらなかった。

【００４６】実施例９ 金属錯体化合物に加えて、赤色系色素（三井東圧染料
（株）製、ＰＳバイオレットＲＣ）８ｇを添加して調色
した以外は実施例６と全く同様にして厚さ２５μｍのフ
ィルターを作製した。そのフィルム上に実施例８と同様
の電磁波カット層および電極をを形成した後、厚さ３ミ
リの強化ガラス板に張り付けた。更にその両側に、反射
防止フィルム（日本油脂（株）製、リアルックフィル
ム）を張り付けてニュートラル色のプラズマディスプレ
ー用フィルターを作製した。実施例３と同様に誤動作試
験を行ったところ該フィルターを設置した場合誤動作は
起こらなかった。

【００４７】

【発明の効果】本願発明のフィルターは、可視光線透過
率が高いためディスプレーの鮮明度を阻害せず、ディス
プレーからでる８００〜１０００ｎｍ付近の近赤外線光
を効率よくカットするため、周辺電子機器の誤動作を抑
制する優れた性能を有する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｆ 15/00 Ｃ０７Ｆ 15/00 Ｃ Ｆ 15/04 15/04 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材に一般式（１）（化１）または一般
   式（２）（化２）で表される金属錯体化合物を少なくと
   も１種含有してなるプラズマディスプレー用フィルタ
   ー。 【化１】 〔式中、Ａ₁ 〜Ａ₈ は各々独立に、水素原子、ハロゲン
   原子、ニトロ基、シアノ基、チオシアナート基、シアナ
   ート基、アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカ
   ルボニル基、置換又は未置換のアルコキシカルボニル
   基、置換又は未置換のアリールオキシカルボニル基、置
   換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール
   基、置換又は未置換のアルコキシ基、置換又は未置換の
   アリールオキシ基、置換又は未置換のアルキルチオ基、
   置換又は未置換のアリールチオ基、置換又は未置換のア
   ルキルアミノ基、、置換又は未置換のアリールアミノ
   基、置換又は未置換のアルキルカルボニルアミノ基、あ
   るいは置換又は未置換のアリールカルボニルアミノ基を
   表し、かつ、隣り合う２個の置換基が連結基を介して繋
   がっていてもよく、Ｙ₁ 、Ｙ₂ は各々独立に硫黄原子あ
   るいは酸素原子を表し、Ｒ ₁ 〜Ｒ₄ は各々独立に置換又
   は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基を
   表し、Ｍ₁ はニッケル、白金、パラジウムまたは銅を表
   し、Ｘは窒素原子またはリン原子を表す〕 【化２】 〔式中、Ｂ₁ 〜Ｂ₄ は各々独立に、水素原子、シアノ
   基、アシル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボ
   ニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカル
   ボニル基、置換又は未置換のアルキル基、あるいは置換
   又は未置換のアリール基を表し、かつ、隣り合う２個の
   置換基が連結基を介して繋がっていてもよく、Ｍ₂ はニ
   ッケル、白金、パラジウムまたは銅を表す〕
2. 【請求項２】 可視光線透過率が４０％以上で、かつ、
   ８００〜９００ｎｍの平均光線透過率が２０％以下であ
   る請求項１記載のプラズマディスプレー用フィルター。
3. 【請求項３】 可視光線透過率が５０％以上である請求
   項２記載のプラズマディスプレー用フィルター。
4. 【請求項４】 ８００〜１０００ｎｍの平均光線透過率
   が１０％以下である請求項２または３記載のプラズマデ
   ィスプレー用フィルター。
5. 【請求項５】 一般式（１）および／または一般式
   （２）で表される金属錯体化合物を２種以上含有する請
   求項１〜４のいずれかに記載のプラズマディスプレー用
   フィルター。
6. 【請求項６】 電磁波カット層を設けた請求項１〜５の
   いずれかに記載のプラズマディスプレー用フィルター。
7. 【請求項７】 反射防止層を設けた請求項１〜６のいず
   れかに記載のプラズマディスプレー用フィルター。
8. 【請求項８】 ぎらつき防止（ノングレア）層を設けた
   請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマディスプレー
   用フィルター。