JP2002129394A - Apparatus for vibration plating of electronic component - Google Patents

Apparatus for vibration plating of electronic component

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JP2002129394A
JP2002129394A JP2000330581A JP2000330581A JP2002129394A JP 2002129394 A JP2002129394 A JP 2002129394A JP 2000330581 A JP2000330581 A JP 2000330581A JP 2000330581 A JP2000330581 A JP 2000330581A JP 2002129394 A JP2002129394 A JP 2002129394A
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恭典 井藤
Yutaka Ikeda
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for vibration plating of electronic components, which can prevent a burnt electrode and eliminate a time-consuming work of bailing a plating solution. SOLUTION: The apparatus for vibration plating of electronic components, which accommodates ceramic elements 1 as articles to be plated and media 25 (for current passage) in a basket 11 provided with an electrode 23 for plating, and which forms plated film on the above ceramic elements 1, by electrifying the above electrode 23 for plating while vibrating the basket 11 immersed in a plating solution tank 27, comprises making up a drain hole of the plating solution at a base wall 11b of the basket 11, arranging the above electrode 23 therein, and making an area of the electrode 23 for plating as 8-94% of an area of the base wall 11b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばチップサー
ミスタ,チップコンデンサ等を構成する電子部品素子に
電極膜を形成するようにした電子部品の振動めっき装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vibrating plating apparatus for an electronic component in which an electrode film is formed on an electronic component element constituting a chip thermistor, a chip capacitor or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、チップサーミスタ,チップコン
デンサ等のセラミック素子に電極を形成する方法とし
て、図7に示すような振動めっき装置を用いる場合があ
る(例えば、特許第2745892号公報参照)。この
振動めっき装置50は、偏心モータ51とバネ52とか
らなる振動発生源をバスケット53の支持部54に取り
付けるとともに、該バスケット53の底壁53aにめっ
き用陰極55を配置した構造となっている。
2. Description of the Related Art For example, as a method of forming electrodes on a ceramic element such as a chip thermistor and a chip capacitor, there is a case where a vibration plating apparatus as shown in FIG. 7 is used (for example, see Japanese Patent No. 2745892). The vibration plating apparatus 50 has a structure in which a vibration source composed of an eccentric motor 51 and a spring 52 is attached to a support portion 54 of a basket 53, and a plating cathode 55 is disposed on a bottom wall 53 a of the basket 53. .

【0003】そして、上記バスケット53内に多数のセ
ラミック素子60と通電媒介物としての金属球メディア
61とを収容し、該バスケット53をめっき液槽57に
浸漬する。この状態で上記振動発生源によりバケット5
3に振動を付与するとともに、陰極55に通電してセラ
ミック素子60及びメディア61に電流を流し、これに
よりセラミック素子60に電極めっき膜を形成する。こ
の場合、電極めっき膜の厚さ,あるいはセラミック素子
の投入量に応じて上記めっき用陰極55への通電量が制
御される。例えば、電極めっき膜を厚くしたり,セラミ
ック素子のめっき処理量を増やしたりする場合には、上
記陰極55への通電量を上げるようにしている。
[0003] A large number of ceramic elements 60 and a metal ball medium 61 serving as a current carrying medium are accommodated in the basket 53, and the basket 53 is immersed in a plating solution tank 57. In this state, the bucket 5
In addition to applying vibration to 3, the cathode 55 is energized to supply current to the ceramic element 60 and the medium 61, thereby forming an electrode plating film on the ceramic element 60. In this case, the amount of electricity to the plating cathode 55 is controlled according to the thickness of the electrode plating film or the amount of the ceramic element charged. For example, when the thickness of the electrode plating film is increased or the amount of plating of the ceramic element is increased, the amount of electricity to the cathode 55 is increased.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
振動めっき装置では、陰極への通電量を上げ過ぎると、
陰極表面が酸化して黒くなるという電極焼けが生じる場
合があり、場合によってはめっき処理ができなくなるお
それがある。
By the way, in the above-mentioned conventional vibration plating apparatus, if the amount of electricity to the cathode is too high,
Electrode burning may occur in which the cathode surface is oxidized and blackened, and in some cases, plating may not be possible.

【0005】このような電極焼けを回避するには、陰極
への通電量を抑える必要があり、その結果めっき処理時
間の増大を招いたり,膜厚のばらつきが生じたりするお
それがある。
[0005] In order to avoid such electrode burning, it is necessary to reduce the amount of electricity supplied to the cathode. As a result, there is a possibility that the plating time will be increased or the film thickness will vary.

【0006】また上記従来の振動めっき装置において、
バスケット内に流入しためっき液を排出する場合には、
めっき液を汲み出すという手間のかかる作業となり、作
業性及び生産性が低いという問題がある。
In the above conventional vibration plating apparatus,
When discharging the plating solution that has flowed into the basket,
It takes time and effort to pump out the plating solution, and there is a problem that workability and productivity are low.

【0007】本発明は、上記従来の状況に鑑みてなされ
たもので、電極焼けを防止できるとともに、手間のかか
るめっき液の汲み出し作業を不要にできる電子部品の振
動めっき装置を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and an object of the present invention is to provide a vibration plating apparatus for an electronic component, which can prevent electrode burning and eliminate the need for a troublesome work of pumping out a plating solution. And

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、被め
っき物としての電子部品素子と通電媒介物とをめっき用
電極を備えた容器内に収容し、該容器をめっき液槽に浸
漬して振動を付与するとともに、上記めっき用電極に通
電することにより、上記電子部品素子にめっき膜を被覆
形成するようにした電子部品の振動めっき装置におい
て、上記容器の底壁にめっき液抜き孔を形成するととも
に上記めっき用電極を配置し、該めっき用電極の電極面
積を上記容器の底壁面積の8〜94%としたことを特徴
としている。
According to the first aspect of the present invention, an electronic component element as an object to be plated and an energizing medium are accommodated in a container provided with a plating electrode, and the container is immersed in a plating solution tank. And applying vibration to the plating electrode to energize the plating electrode to form a plating film on the electronic component element. And the electrode for plating is arranged, and the electrode area of the electrode for plating is set to 8 to 94% of the area of the bottom wall of the container.

【0009】ここで、上記めっき用電極の電極面積を8
〜94%としたのは、電極面積を8%以下にすると、電
極焼けが生じ易くなるからであり、また94%以上にす
るとめっき液抜き孔の面積が小さくなり、液抜きに時間
がかかるからである。
Here, the electrode area of the plating electrode is 8
The reason for setting it to 94% is that when the electrode area is 8% or less, the electrode is liable to burn, and when it is 94% or more, the area of the plating solution drain hole becomes small, and it takes time to drain the solution. It is.

【0010】請求項2の発明は、請求項1において、上
記めっき液抜き孔の孔面積が、上記容器の底壁面積の6
〜92%であることを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the hole area of the plating solution drainage hole is 6 times the bottom wall area of the container.
~ 92%.

【0011】上記めっき液抜き孔の面積を6〜92%と
したのは、孔面積を6%以下にするとめっき液抜きに要
する時間が長くなり、作業性の改善効果が得られなくな
るからであり、また92%以上にするとめっき用電極の
必要な電極面積を確保できなくなるからである。
The reason why the area of the plating solution draining hole is set to 6 to 92% is that if the hole area is reduced to 6% or less, the time required for removing the plating solution becomes longer and the effect of improving workability cannot be obtained. If the content is more than 92%, it is not possible to secure a necessary electrode area for the plating electrode.

【0012】また上記めっき液抜き孔を形成するにあた
っては、電子部品素子が抜け落ちない程度の孔径とする
か、もしくは電子部品素子より大きな孔径を形成し、こ
の孔を電子部品素子が抜け落ちない網目を有する網で覆
うこととなる。
In forming the plating solution drain hole, the hole diameter is set to such a size that the electronic component element does not fall off, or a hole diameter larger than that of the electronic component element is formed. It will be covered with a net.

【0013】[0013]

【発明の作用効果】本発明にかかる電子部品の振動めっ
き装置によれば、容器の底壁にめっき液抜き孔を形成す
るとともに、めっき用電極を配置し、該めっき用電極の
電極面積を底壁面積の8〜94%としたので、電極めっ
き膜,セラミック素子の投入量に応じた通電量に設定し
ても電極焼けが生じることはなく、安定しためっき処理
を行なうことができる。これによりめっき処理時間の短
縮が可能となり、生産性を向上でき、さらにはめっき膜
のばらつきを防止でき、品質に対する信頼性を向上でき
る。
According to the vibration plating apparatus for electronic parts according to the present invention, a plating solution draining hole is formed in the bottom wall of the container, a plating electrode is arranged, and the electrode area of the plating electrode is reduced. Since the wall area is set to 8 to 94% of the wall area, electrode burning does not occur even if the amount of current is set according to the input amount of the electrode plating film and the ceramic element, and a stable plating process can be performed. As a result, the plating time can be reduced, the productivity can be improved, the variation of the plating film can be prevented, and the reliability for quality can be improved.

【0014】また上記容器の底壁にめっき抜き孔を形成
したので、容器をめっき液槽から引き上げることにより
めっき液を容易に排出することができ、従来のめっき液
を汲み出す場合に比べて作業性を向上でき、この点から
も生産性を向上できる。
In addition, since the plating hole is formed in the bottom wall of the container, the plating solution can be easily discharged by pulling the container out of the plating solution tank, and the work can be performed in comparison with the conventional case of pumping the plating solution. The productivity can be improved, and the productivity can be improved from this point as well.

【0015】請求項2の発明では、上記めっき液抜き孔
の孔面積を底壁面積の6〜92%としたので、めっき用
電極の面積を確保しながら、めっき液抜きを短時間で行
なうことができ、作業性を向上できる。
According to the second aspect of the present invention, since the hole area of the plating solution draining hole is 6 to 92% of the bottom wall area, the plating solution can be drained in a short time while securing the area of the plating electrode. And workability can be improved.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0017】図1ないし図4は、本発明の一実施形態に
よる電子部品の振動めっき装置を説明するための図であ
り、図1,図2,図3はそれぞれ振動めっき装置の断面
図,平面図,斜視図、図4は電子部品の製造工程を示す
ブロック工程図である。
FIGS. 1 to 4 are views for explaining a vibration plating apparatus for an electronic component according to an embodiment of the present invention. FIGS. 1, 2 and 3 are a sectional view and a plan view, respectively, of the vibration plating apparatus. FIG. 4, a perspective view, and FIG. 4 are block process diagrams showing a manufacturing process of the electronic component.

【0018】図において、10は振動めっき装置を示し
ており、これは上方に開口する投入口11aを有する桶
状のバスケット11の底壁11b中心部に垂直上方に延
びる支持部12を一体に接続形成し、該支持部12の上
端部に振動発生源13を搭載して構成されている。
In the figure, reference numeral 10 denotes a vibration plating apparatus, which integrally connects a vertically extending support portion 12 to the center of the bottom wall 11b of a tub-like basket 11 having an input port 11a opening upward. The vibration generating source 13 is mounted on the upper end of the supporting portion 12.

【0019】上記振動発生源13は、外部ケース14内
にモータ15と複数本のコイルバネ16,16とを収納
してなるものであり、この外部ケース14内には上記支
持部12の上端部が挿入されている。この支持部12の
上端面には振動受け板17が固着されており、該振動受
け板17の上面には複数本の支柱18aにより支持板1
8bを支持してなる支持枠部材18が固定されている。
The vibration source 13 includes a motor 15 and a plurality of coil springs 16, 16 housed in an outer case 14. In the outer case 14, the upper end of the support 12 is provided. Has been inserted. A vibration receiving plate 17 is fixed to the upper end surface of the support portion 12, and the support plate 1 is provided on the upper surface of the vibration receiving plate 17 by a plurality of columns 18 a.
8b is fixed.

【0020】上記支持枠部材18の支持板18bに上記
モータ15が取付けられており、このモータ15の回転
軸15aには軸直角方向に延びる偏心荷重20が付加さ
れている。また上記振動受け板17の下面と外部ケース
14の底板との間には上記コイルバネ16が支持部12
を囲むように架設されている。この外部ケース14を固
定し、バスケット11をフリーにした状態でモータ15
が回転すると、振動エネルギーが振動受け板17から支
持部12を介してバスケット11に伝達される。この振
動発生源13はバスケット11の振動周波数が20〜8
0Hzの範囲内となるように設定されている。
The motor 15 is mounted on a support plate 18b of the support frame member 18, and an eccentric load 20 extending in a direction perpendicular to the axis is applied to a rotating shaft 15a of the motor 15. The coil spring 16 is provided between the lower surface of the vibration receiving plate 17 and the bottom plate of the outer case 14 by the support portion 12.
It is erected so as to surround. With the outer case 14 fixed and the basket 11 free, the motor 15
When is rotated, vibration energy is transmitted from the vibration receiving plate 17 to the basket 11 via the support portion 12. The vibration source 13 has a vibration frequency of the basket 11 of 20-8.
It is set to be within the range of 0 Hz.

【0021】上記バスケット11の側周壁11cの上縁
部にはめっき液流入孔11dが周方向に間隔をあけて形
成されている。バスケット11をめっき液に浸漬してい
くとき上記めっき液流入孔11dからめっき液がバスケ
ット11内に徐々に流入するようになっている。即ち、
上記めっき液流入孔11dがない場合には、めっき液が
投入口11aから一気に流入し、内部に収容されたセラ
ミック素子1等がバスケット11外に流出してしまうお
それがあるが、本実施形態ではこの問題を回避できる。
At the upper edge of the side peripheral wall 11c of the basket 11, plating solution inflow holes 11d are formed at intervals in the circumferential direction. When the basket 11 is immersed in the plating solution, the plating solution gradually flows into the basket 11 from the plating solution inflow hole 11d. That is,
If the plating solution inflow hole 11d is not provided, the plating solution may flow at once from the inlet 11a, and the ceramic element 1 and the like housed therein may flow out of the basket 11, but in this embodiment, This problem can be avoided.

【0022】上記バスケット11の底壁11bには挿通
孔11eが周方向に所定間隔をあけて形成されており、
各挿通孔11eには2つのめっき液抜き用メッシュキャ
ップ22と1つのめっき用陰極23とが交互に位置する
ように配置されている。このめっき用陰極23は90度
ごとに配設され、各挿通孔11eに挿入固定されてお
り、残りの挿通孔11eが上記メッシュキャップ22に
より覆われている。上記各めっき用陰極23には給電線
24が接続されており、この給電線24は上記支持部1
2内を通って不図示の外部電源に接続されている。
Insertion holes 11e are formed in the bottom wall 11b of the basket 11 at predetermined intervals in the circumferential direction.
In each insertion hole 11e, two plating solution draining mesh caps 22 and one plating cathode 23 are arranged alternately. The plating cathodes 23 are disposed every 90 degrees, are inserted and fixed in the respective insertion holes 11 e, and the remaining insertion holes 11 e are covered by the mesh cap 22. A power supply line 24 is connected to each of the plating cathodes 23, and the power supply line 24 is connected to the support 1.
2 and connected to an external power supply (not shown).

【0023】上記バスケット11内には多数のチップ型
セラミック素子1と通電媒介物としてのメディア25と
が収容されている。このセラミック素子1の両端面には
Ag等のペーストを焼き付けてなる電極膜が形成されて
いる。また上記メディア25は導電性金属ボールからな
るものであり、該メディア25はセラミック素子1の最
大寸法に対してと略同一ないし2倍程度の大きさのもの
である。
In the basket 11, a large number of chip-type ceramic elements 1 and a medium 25 as an energizing medium are accommodated. On both end surfaces of the ceramic element 1, electrode films formed by baking a paste such as Ag are formed. The medium 25 is made of conductive metal balls, and the size of the medium 25 is substantially the same or about twice as large as the maximum size of the ceramic element 1.

【0024】そして上記各めっき用陰極23の電極面積
はバスケット11の底壁11bの面積の約8%に設定さ
れており、各メッシュキャップ22が配設された挿通孔
11eの孔面積は上記底壁11bの面積の約16%に設
定されている。
The electrode area of each of the plating cathodes 23 is set to be about 8% of the area of the bottom wall 11b of the basket 11, and the hole area of the insertion hole 11e in which each mesh cap 22 is provided is equal to the bottom area. It is set to about 16% of the area of the wall 11b.

【0025】次に上記振動めっき装置10を用いたセラ
ミック電子部品の一製造方法を図4のブロック工程図に
沿って説明する。
Next, a method of manufacturing a ceramic electronic component using the vibration plating apparatus 10 will be described with reference to the block diagram of FIG.

【0026】セラミックシートを高温焼成することによ
りセラミック素子を形成し(第1工程S1)、このセラ
ミック素子にAgとガラスフリットからなるペーストを
塗布し、これを焼き付けることにより第1電極膜を形成
する(第2工程S2)。
A ceramic element is formed by firing the ceramic sheet at a high temperature (first step S1), a paste made of Ag and glass frit is applied to the ceramic element, and the paste is baked to form a first electrode film. (2nd process S2).

【0027】第1電極膜が形成されたセラミック素子1
と、メディア25とをバスケット11内に投入する。次
いで上記バスケット11をニッケルめっき液Aが充填さ
れためっき液槽27内に浸漬する。この状態でバスケッ
ト11を20〜80Hzの振動周波数でもって振動させ
るとともに、バスケット11の各陰極23とめっき液槽
27内に挿入された陽極26との間で通電する。すると
バスケット11が水平方向に旋回しつつ垂直方向に揺動
し、これに伴ってセラミック素子1,メディア25がバ
スケット11の中心部から周壁に向かって半径方向に流
動しつつ攪拌される。これにより第1電極膜の外表面に
ニッケルめっきからなる第2電極膜が被覆形成される
(第3工程S3)。この場合、セラミック素子1とメデ
ィア25の振動,攪拌によって互いが衝突し、第1,第
2電極膜の凹凸が均され、平滑な電極膜が形成される。
この後、バスケット11をめっき液槽27から引上げ、
ニッケルめっき液を各メッシュキャップ22を通して挿
通孔11eから排出する。次いでセラミック素子1,メ
ディア25を水洗いする(第4工程S4)。この水洗い
は複数回行なう場合もある。
Ceramic element 1 on which first electrode film is formed
And the media 25 are put into the basket 11. Next, the basket 11 is immersed in the plating solution tank 27 filled with the nickel plating solution A. In this state, the basket 11 is vibrated at a vibration frequency of 20 to 80 Hz, and electricity is supplied between each cathode 23 of the basket 11 and the anode 26 inserted into the plating solution tank 27. Then, the basket 11 pivots in the horizontal direction and swings in the vertical direction. Accordingly, the ceramic element 1 and the medium 25 are stirred while flowing in the radial direction from the center of the basket 11 toward the peripheral wall. As a result, a second electrode film made of nickel plating is formed on the outer surface of the first electrode film by coating (third step S3). In this case, the ceramic element 1 and the medium 25 collide with each other due to vibration and agitation, and the unevenness of the first and second electrode films is leveled, and a smooth electrode film is formed.
Thereafter, the basket 11 is pulled up from the plating solution tank 27,
The nickel plating solution is discharged from the insertion holes 11e through the respective mesh caps 22. Next, the ceramic element 1 and the medium 25 are washed with water (fourth step S4). This washing may be performed a plurality of times.

【0028】次に、上記バスケット11をすずめっき液
が充填されためっき液槽(不図示)内に浸漬し、上記第
3工程S3と同様に20〜80Hzの振動周波数でもっ
て振動させるとともに陽極,陰極間に通電し、第2電極
膜の外表面にはすずめっきからなる第3電極膜を被覆形
成する(第5工程S5)。この場合、セラミック素子1
とメディア25の振動,攪拌によって互いが衝突し、第
2,第3電極膜の凹凸が均され、平滑な電極膜が形成さ
れる。この後、水洗いを行なう(第6工程S6)。
Next, the basket 11 is immersed in a plating solution tank (not shown) filled with a tin plating solution, and is vibrated at a vibration frequency of 20 to 80 Hz as in the third step S3. An electric current is applied between the cathodes to cover and form a third electrode film made of tin plating on the outer surface of the second electrode film (fifth step S5). In this case, the ceramic element 1
And the medium 25 collide with each other due to the vibration and agitation of the medium 25, and the unevenness of the second and third electrode films is leveled to form a smooth electrode film. Thereafter, washing with water is performed (sixth step S6).

【0029】上記バスケット11をセラミック素子1及
びメディア25とともに水中に浸け、この状態でバスケ
ット11に20Hz以上の振動周波数からなる振動を付
与することにより、セラミック素子1を振動攪拌させる
(第7工程S7)。これによりセラミック素子1とメデ
ィア25がぶつかり合って電極表面の凹凸がさらに均さ
れ、平滑で光沢のある第3電極膜が形成される。このよ
うにして電子部品が形成される。
The basket 11 is immersed in water together with the ceramic element 1 and the medium 25, and a vibration having a vibration frequency of 20 Hz or more is applied to the basket 11 in this state, whereby the ceramic element 1 is vibrated and stirred (seventh step S7). ). As a result, the ceramic element 1 and the medium 25 collide with each other, and the unevenness of the electrode surface is further leveled, so that a smooth and glossy third electrode film is formed. Thus, an electronic component is formed.

【0030】このようにして形成された電子部品をメデ
ィア25とともにバスケット11から取り出し、乾燥炉
にて乾燥させる(第8工程S8)。次に電子部品,メデ
ィア25を分離機により分離し、それぞれ別個に回収す
る(第9工程S9)。この後、電子部品をテーピング等
により梱包することによって製品となる(第10工程S
10)。
The electronic component thus formed is taken out of the basket 11 together with the medium 25 and dried in a drying oven (eighth step S8). Next, the electronic component and the medium 25 are separated by a separator, and are separately collected (ninth step S9). Thereafter, the electronic component is packaged by taping or the like to obtain a product (tenth process S
10).

【0031】本実施形態によれば、バスケット11の底
壁11bに所定数の挿通孔11eを形成し、このうちの
4つの挿通孔11eにめっき用陰極23を配設し、残り
の挿通孔11eにめっき液を排出するメッシュキャップ
23を配設し、上記各めっき用陰極23の電極面積を底
壁11eの面積の約8%としたので、電極めっき膜の膜
厚やセラミック素子の投入量に応じた通電量に設定して
も電極焼けが生じることはなく、安定しためっき処理を
行なうことができる。これによりめっき処理時間の短縮
が可能となり、生産性を向上でき、さらにはめっき膜の
ばらつきを防止でき、品質に対する信頼性を向上でき
る。
According to this embodiment, a predetermined number of insertion holes 11e are formed in the bottom wall 11b of the basket 11, and the plating cathode 23 is disposed in four of the insertion holes 11e, and the remaining insertion holes 11e are provided. Since a mesh cap 23 for discharging the plating solution is provided in each of the electrodes and the electrode area of each of the plating cathodes 23 is set to about 8% of the area of the bottom wall 11e, the thickness of the electrode plating film and the input amount of the ceramic element are reduced. Even if an appropriate amount of current is set, electrode burning does not occur, and a stable plating process can be performed. This makes it possible to shorten the plating time, improve productivity, prevent variations in plating film, and improve reliability with respect to quality.

【0032】また上記バスケット11の底壁11bにめ
っき液抜き孔としての各挿通孔11eにメッシュキャッ
プ23を配設するとともに、上記挿通孔11eの孔面積
を底壁11eの面積の約16%としたので、めっき液槽
27からバスケット11を引き上げることにより、めっ
き液を各メッシュキャップ23を通して短時間で排出す
ることができ、めっき液の排出作業を容易に行なうこと
ができ、作業性及び生産性を向上できる。
A mesh cap 23 is provided in each of the through holes 11e as plating solution drain holes in the bottom wall 11b of the basket 11, and the hole area of the through holes 11e is about 16% of the area of the bottom wall 11e. Therefore, by pulling up the basket 11 from the plating solution tank 27, the plating solution can be discharged in a short time through each of the mesh caps 23, and the discharging operation of the plating solution can be easily performed, thereby improving workability and productivity. Can be improved.

【0033】なお、上記実施形態では、めっき用陰極2
3の面積を底壁11b面積の約8%とし、めっき液抜き
の挿通孔11eの面積を底壁11b面積の約16%とし
た場合を説明したが、本発明はこれに限られるものでは
なく、要は通電量,めっき液排出時間等に応じて電極面
積,めっき液抜き孔面積を適宜配分すればよい。
In the above embodiment, the plating cathode 2
3 has been described as about 8% of the area of the bottom wall 11b and the area of the through hole 11e for draining the plating solution has been described as about 16% of the area of the bottom wall 11b. However, the present invention is not limited to this. In short, the electrode area and the plating solution draining hole area may be appropriately allocated according to the amount of electricity, the plating solution discharge time, and the like.

【0034】例えば、図5に示すように、バスケット1
1の底壁全面をめっき用陰極30により形成し、該めっ
き用陰極30に4つのめっき液抜き孔30aを形成し、
これにより陰極面積を約92%とし、めっき液抜き孔面
積を約8%とすることも可能である。この場合には、陰
極面積を大きくできる分だけ電流が流れ易くなることか
ら、通電量を増やすことが可能となり、電極焼けを生じ
ることなく大量のめっき処理が可能となる。
For example, as shown in FIG.
1 is formed by the plating cathode 30, and four plating solution drain holes 30 a are formed in the plating cathode 30;
This makes it possible to reduce the area of the cathode to about 92% and the area of the plating solution drain hole to about 8%. In this case, since the current can flow more easily as the cathode area can be increased, the amount of current can be increased, and a large amount of plating can be performed without causing electrode burning.

【0035】また、図6に示すように、バスケット11
の底壁全面をめっき液抜き孔31とし、該めっき液抜き
孔31をメッシュキャップ32を装着することにより覆
うとともに、該メッシュキャップ32に4つのめっき用
陰極33を配置固定し、これにより陰極面積を約8%と
し、めっき液抜き孔面積を92%とすることも可能であ
る。このようにした場合には、電極焼けを防止しなが
ら、めっき液を略瞬時に排出することが可能となり、排
出時間を大幅に短縮できる。
Further, as shown in FIG.
The plating solution draining hole 31 is entirely covered with a mesh cap 32, and four plating cathodes 33 are arranged and fixed in the mesh cap 32. Can be set to about 8%, and the plating solution drain hole area can be set to 92%. In such a case, the plating solution can be discharged almost instantaneously while preventing burning of the electrode, and the discharge time can be greatly reduced.

【0036】[0036]

【実施例】【Example】

【0037】[0037]

【表1】 [Table 1]

【0038】本実施例は、底壁面積に対してめっき用陰
極面積が8%,液抜き孔面積が6%からなるバスケット
(実施例1)と、底壁面積に対してめっき用陰極面積が
10%,液抜き孔面積が10%からなるバスケット(実
施例2)とを作成し、これにセラミック素子及びメディ
アを投入してニッケルめっき処理を行い、このときの電
流値を5A,8A,10Aと変化させ、これによる電極
焼けの有無を調べた。
In this embodiment, a basket (Example 1) having a plating cathode area of 8% and a drain hole area of 6% with respect to a bottom wall area, and a plating cathode area with a bottom wall area of 6% was used. A basket (Example 2) having 10% and a liquid drain hole area of 10% was prepared, and a ceramic element and a medium were charged into the basket and nickel plating was performed. The current value at this time was 5A, 8A, and 10A. And the presence or absence of electrode burning due to this was examined.

【0039】まためっき処理後にバスケットをめっき液
槽から引上げ、バスケットからめっき液が完全に抜け出
るまでの時間を測定した。
After the plating treatment, the basket was pulled up from the plating solution tank, and the time until the plating solution completely came out of the basket was measured.

【0040】なお、上記セラミック素子には外径寸法が
1.0mm×0.5mm×0.5mmのチップ型サーミ
スタを採用し、メディアには直径1.0mmφの鉄球を
採用し、それぞれ20万個投入した。さらに比較するた
めに、陰極面積2%,液抜き孔面積2%のバスケット
(比較例)についても同様の試験を行った。
Note that a chip-type thermistor having an outer diameter of 1.0 mm × 0.5 mm × 0.5 mm was used for the ceramic element, and an iron ball having a diameter of 1.0 mm was used for the medium. I put them. For further comparison, a similar test was performed on a basket (comparative example) having a cathode area of 2% and a drain hole area of 2%.

【0041】表1からも明らかなように、陰極面積2
%,液抜き孔面積2%とした比較例の場合には、5Aの
通電で電極焼けが生じており、めっき処理ができなくな
っている。また液抜きに要する時間も10分と長くなっ
ている。
As is clear from Table 1, the cathode area 2
%, And in the case of the comparative example in which the drainage hole area was 2%, the electrode was burned by applying a current of 5 A, and plating could not be performed. Also, the time required for draining the liquid is as long as 10 minutes.

【0042】これに対して陰極面積8%,液抜き孔面積
6%とした実施例1の場合は、5A,8Aでは電極焼け
は生じておらず、10Aの通電で電極焼けが生じてい
る。これは通常の量産時には8Aの通電量でめっき処理
を行っており、特に問題が生じることはない。また液抜
き時間は2分と比較例と比べて8分も短縮されており、
量産に対応できる。上記陰極面積10%,液抜き孔面積
10%とした実施例2の場合は、10Aの通電でも電極
焼けは生じておらず、しかもめっき液抜き時間は1分と
大幅に短縮されており、生産性の向上を図ることができ
る。
On the other hand, in Example 1 in which the cathode area was 8% and the drain hole area was 6%, electrode burning did not occur at 5A and 8A, and electrode burning occurred at 10A. In this case, the plating process is performed with a current of 8 A during normal mass production, and there is no particular problem. The drainage time was 2 minutes, which is 8 minutes shorter than that of the comparative example.
Can be used for mass production. In the case of Example 2 in which the cathode area was 10% and the drain hole area was 10%, electrode burning did not occur even with a current of 10 A, and the plating solution draining time was greatly reduced to 1 minute. Performance can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態による電子部品の振動めっ
き装置の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of an electronic component vibration plating apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記振動めっき装置のバスケットの平面図であ
る。
FIG. 2 is a plan view of a basket of the vibration plating apparatus.

【図3】上記振動めっき装置の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of the vibration plating apparatus.

【図4】上記電子部品の製造工程を示すブロック工程図
である。
FIG. 4 is a block process diagram showing a manufacturing process of the electronic component.

【図5】上記実施形態の第1の変形例によるバスケット
底面の平面図である。
FIG. 5 is a plan view of a basket bottom surface according to a first modification of the embodiment.

【図6】上記実施形態の第2変形例によるバスケット底
面の平面図である。
FIG. 6 is a plan view of a basket bottom surface according to a second modification of the embodiment.

【図7】従来の一般的の振動めっき装置の断面図であ
る。
FIG. 7 is a sectional view of a conventional general vibration plating apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 セラミック素子(電子部品素
子) 10 振動めっき装置 11 バスケット(容器) 11b 底壁 11e,30a,31 挿通孔(めっき液抜き孔) 23,30,33 めっき用陰極 25 メディア(通電媒介物) 27 めっき液槽
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic element (electronic component element) 10 Vibration plating apparatus 11 Basket (container) 11b Bottom wall 11e, 30a, 31 Insertion hole (plating solution draining hole) 23, 30, 33 Cathode for plating 25 Media (electrically conductive medium) 27 Plating Liquid tank

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C25D 21/00 C25D 21/00 A H01G 4/252 H01G 1/14 V (72)発明者 池田 豊 京都府長岡京市天神2丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 4K024 AA03 AA07 AB02 BA15 BB09 CA12 CB02 CB06 CB08 CB19 DA10 GA02 GA16 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) C25D 21/00 C25D 21/00 A H01G 4/252 H01G 1/14 V (72) Inventor Yutaka Ikeda Kyoto Prefecture 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi Murata Manufacturing Co., Ltd. F term (reference) 4K024 AA03 AA07 AB02 BA15 BB09 CA12 CB02 CB06 CB08 CB19 DA10 GA02 GA16

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被めっき物としての電子部品素子と通電
媒介物とをめっき用電極を備えた容器内に収容し、該容
器をめっき液槽に浸漬して振動を付与するとともに、上
記めっき用電極に通電することにより、上記電子部品素
子にめっき膜を被覆形成するようにした電子部品の振動
めっき装置において、上記容器の底壁にめっき液抜き孔
を形成するとともに上記めっき用電極を配置し、該めっ
き用電極の電極面積を上記容器の底壁面積の8〜94%
としたことを特徴とする電子部品の振動めっき装置。
1. An electronic component element as an object to be plated and an energizing medium are accommodated in a container provided with an electrode for plating, and the container is immersed in a plating solution tank to apply vibration, and By energizing the electrodes, in a vibration plating apparatus for an electronic component in which a plating film is formed on the electronic component element, a plating solution drain hole is formed in the bottom wall of the container, and the plating electrode is disposed. The electrode area of the plating electrode is 8 to 94% of the bottom wall area of the container.
A vibration plating apparatus for electronic parts, characterized in that:
【請求項2】 請求項1において、上記めっき液抜き孔
の孔面積が、上記容器の底壁面積の6〜92%であるこ
とを特徴とする電子部品の振動めっき装置。
2. The vibration plating apparatus for electronic parts according to claim 1, wherein the area of the plating solution drain hole is 6 to 92% of the bottom wall area of the container.
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