JP4496635B2

JP4496635B2 - Manufacturing method of electronic parts

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Publication number: JP4496635B2
Application number: JP2000330585A
Authority: JP
Inventors: 恭典井藤; 英浩井上; 豊池田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-10-30
Filing date: 2000-10-30
Publication date: 2010-07-07
Anticipated expiration: 2020-10-30
Also published as: JP2002134372A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばチップサーミスタ，チップコンデンサ等を構成する電子部品素子に電極膜を形成するようにした電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、チップサーミスタ，チップコンデンサ等の電子部品は、例えば、図６に示すように、セラミック素子１にＡｇもしくはＡｇ合金とガラスフリットとを含むペーストを塗布し、これを高温にて焼き付けることにより形成した第１電極膜２と、該第１電極膜２の外表面にニッケルめっきを被覆形成してなる第２電極膜３と、該第２電極膜３の外表面にすず，もしくははんだめっきを被覆形成してなる第３電極膜４とを備えている。
【０００３】
このようなニッケル，すず等のめっき膜を形成する方法として、図７，図８に示すような振動めっき装置を用いる場合がある（例えば、特許第２７４５８９２号公報参照）。この振動めっき装置５０は、偏心モータ５１とバネ５２とからなる振動発生源をバスケット５３の支持部５４に取り付け、該バスケット５３の底壁５３ａにめっき用陰極５５を配置するとともに、めっき液抜き用網５６を配置した構造のものである。
【０００４】
そして、上記バスケット５３内に第１電極膜が形成された多数のセラミック素子６０と通電媒介物としての金属球メディア６１とを収容し、該バスケット５３をニッケルめっき液槽５７に浸漬する。この状態で上記振動発生源によりバケット５３に振動を付与するとともに、陰極５５に通電してセラミック素子６０及びメディア６１に電流を流し、これにより第１電極膜の表面にニッケルめっき膜からなる第２電極膜を形成する。この後、水洗いを行い、上記同様の方法にてすずめっき膜からなる第３電極膜を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の製造方法では、下地として形成した第１電極膜に第２，第３の電極めっき膜を形成する場合、電極表面が粗くなり易く、はんだとの濡れ性が悪化する場合がある。即ち、第１電極膜は金属粉末とガラスフリットを含むペーストを焼き付けて形成することから、電極表面に金属粒子が凝集したり、ガラスが浮き出たりし易く、また金属材料の成分によっては電極表面に薄い酸化膜を形成する場合がある。このような表面性状の粗い第１電極膜に第２，第３の電極めっき膜を施すと、第３電極膜の電極表面も粗くなる。
【０００６】
このように電極表面が粗くなると、電子部品の保管等により電極膜表面が酸化し易くなり、経時的にはんだ付け時の濡れ性が悪化するおそれがある。例えば、長期に在庫として保管していた電子部品を回路基板に実装すると、基板ランド部のはんだとの濡れが悪くなり、ランドと接合されずに電子部品が立ち上がったり，浮き上がったりするという実装不良を生じる場合がある。
【０００７】
本発明は、上記従来の状況に鑑みてなされたもので、電極表面を平滑にすることによってはんだとの濡れ性を向上でき、ひいては実装不良を回避できる電子部品の製造方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、電子部品素子に金属ペーストを焼き付けることにより第１電極膜を形成する電極焼き付け工程と、該第１電極膜が形成された電子部品素子と通電媒介物とをめっき用電極が形成された容器内に収容し、該容器を水中に浸漬し、該容器に振動を付与することにより、上記電子部品素子及び通電媒介物を振動，攪拌させて電極表面を平滑にする振動攪拌工程と、上記電子部品素子及び上記通電媒介物とともに上記容器をめっき液槽に浸漬して振動を付与しつつ上記めっき用電極に通電することにより、上記第１電極膜の表面に第２電極膜を形成する振動めっき工程とを備えたことを特徴とする電子部品の製造方法である。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１において、上記通電媒介物は、導電性金属ボールであることを特徴としている。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１又は２において、上記電子部品素子と通電媒介物との容積比率を、通電媒介物／電子部品素子＝０．５以上としたことを特徴としている。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項１ないし３の何れかにおいて、上記電子部品素子と通電媒体物との数量比率を、通電媒介物／電子部品素子＝０．５以上としたことを特徴としている。
【００１２】
請求項５の発明は、請求項１ないし４の何れかにおいて、上記通電媒介物の大きさを、電子部品素子の最長辺寸法の０．５倍以上としたことを特徴としている。
【００１３】
請求項６の発明は、請求項１ないし５の何れかにおいて、上記容器に付与する振動周波数を、２０Ｈｚ以上としたことを特徴としている。
【００１４】
【発明の作用効果】
請求項１の発明にかかる電子部品の製造方法によれば、容器を振動させることにより電子部品素子と通電媒介物とを振動，攪拌させて電極表面を平滑にする振動攪拌工程を設けたので、上記振動攪拌により通電媒介物と電子部品素子とが互いに衝突し、この衝突によって電極膜の凹凸が均されることとなり、平滑な電極表面を得ることができる。その結果、平滑で光沢ある電極表面が得られることとなり、はんだ付け時の濡れ性を向上できる。これにより長期保管による酸化を抑制でき、実装時の立ち上がりや浮き上がりを防止でき、実装不良を防止できる。
【００１５】
また、振動攪拌工程を振動めっき工程の前に行うようにしたので、平滑な第１電極膜を得ることができ、振動めっき工程でのめっき膜が付着し易くなり、均一な電極めっき膜を得ることができる。また、振動攪拌工程からそのまま振動めっき工程に連続して移行することができ、作業工数をそれほど増やすことなく平滑処理を行なうことができる。
【００１６】
請求項３の発明では、通電媒介物と電子部品素子との容積比率を０．５以上としたので、電極膜の表面粗さを小さくすることができ、電極表面の平滑度を高めることができる。
【００１７】
請求項４の発明では、通電媒体物と電子部品素子との数量比率を０．５以上としたので、電極膜の表面粗さを小さくすることができ、電極表面の平滑度を高めることができる。
【００１８】
請求項５の発明では、上記通電媒介物の大きさを、電子部品素子の最長辺寸法の０．５倍以上としたので、電子部品素子と通電媒介物との攪拌時の衝突を強くすることができ、電極表面の平滑度を高めることができる。
【００１９】
請求項６の発明では、振動周波数を２０Ｈｚ以上としたので、振動攪拌が強くなり、電極表面の平滑度を高めることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２１】
図１ないし図４は、本発明の一実施形態による電子部品の製造方法を説明するための図であり、図１，図２，図３はそれぞれ振動めっき装置の断面図，平面図，斜視図、図４は電子部品の製造工程を示すブロック工程図である。
【００２２】
図において、１０は振動めっき装置を示しており、これは上方に開口する投入口１１ａを有する桶状のバスケット（容器）１１の底壁１１ｂ中心部に上方に延びる支持部１２を一体に接続形成し、該支持部１２の上端部に振動発生源１３を搭載して構成されている。
【００２３】
上記振動発生源１３は、外部ケース１４内にモータ１５と複数本のコイルバネ１６，１６とを収納してなるものであり、この外部ケース１４内には上記支持部１２の上端部が挿入されている。この支持部１２の上端面には振動受け板１７が固着されており、該振動受け板１７の上面には複数本の支柱１８ａにより支持板１８ｂを支持してなる支持枠部材１８が固定されている。
【００２４】
上記支持枠部材１８の支持板１８ｂに上記モータ１５が取付けられており、このモータ１５の回転軸１５ａには軸直角方向に延びる偏心荷重２０が付加されている。また上記振動受け板１７の下面と外部ケース１４の底板との間には上記コイルバネ１６が支持部１２を囲むように介設されている。この外部ケース１４を固定し、バスケット１１をフリーにした状態でモータ１５が回転すると、振動エネルギーが振動受け板１７から支持部１２を介してバスケット１１に伝達される。この振動発生源１３はバスケット１１の振動周波数が２０〜８０Ｈｚの範囲内となるように設定されている。
【００２５】
上記バスケット１１の側周壁１１ｃの上縁部にはめっき液流入孔１１ｄが周方向に間隔をあけて形成されている。バスケット１１をめっき液に浸漬していくとき上記めっき液流入孔１１ｄからめっき液がバスケット１１内に徐々に流入するようになっている。即ち、上記めっき液流入孔１１ｄがない場合には、めっき液が投入口１１ａから一気に流入し、内部に収容されたセラミック素子１等がバスケット１１外に流出してしまうおそれがあるが、本実施形態ではこの問題を回避できる。
【００２６】
上記バスケット１１の底壁１１ｂには挿通孔１１ｅが周方向に所定間隔をあけて形成されており、各挿通孔１１ｅには２つのめっき液抜き用メッシュキャップ２２と１つのめっき用陰極（電極）２３とが交互に位置するように配置されている。このめっき用陰極２３は９０度ごとに配設され、各挿通孔１１ｅに挿入固定されており、残りの挿通孔１１ｅが上記メッシュキャップ２２により覆われている。上記各めっき用陰極２３には給電線２４が接続されており、この給電線２４は上記支持部１２内を通って不図示の外部電源に接続されている。
【００２７】
上記バスケット１１内には多数のセラミック素子１と通電媒介物としてメディア２５とが収容されている。このセラミック素子１の両端面にはＡｇ等のペーストを焼き付けてなる第１電極膜２（図６参照）が形成されている。また上記メディア２５は導電性金属ボールからなるものであり、該メディア２５の直径はセラミック素子１の最長辺寸法の０．５倍以上に設定されている。
【００２８】
上記セラミック素子１とメディア２５との容積比率はメディア／セラミック素子＝０．５以上となっており、また両者の数量比率はメディア／セラミック素子＝０．５以上となっている。
【００２９】
次に上記振動めっき装置１０を用いたセラミック電子部品の一製造方法を図４のブロック工程図に沿って説明する。
【００３０】
セラミックシートを高温焼成することによりセラミック素子を形成し（第１工程Ｓ１）、このセラミック素子にＡｇとガラスフリットからなるペーストを塗布し、これを焼き付けることにより第１電極膜２を形成する（第２工程Ｓ２）。
【００３１】
第１電極膜２が形成されたセラミック素子１と、メディア２５とをバスケット１１内に収容する。このセラミック素子１及びメディア２５が収容されたバスケット１１を水中に浸け、この状態でバスケット１１に２０Ｈｚ以上の周波数の振動を付与し、セラミック素子１，メディア２５を振動攪拌する（第３工程Ｓ３）。これによりセラミック素子１とメディア２５がぶつかり合って第１電極膜２の凹凸が均され、平滑な電極表面が得られる。
【００３２】
次いで上記バスケット１１をニッケルめっき液Ａが充填されためっき液槽２７内に浸漬する。この状態でバスケット１１を２０〜８０Ｈｚの振動周波数でもって振動させるとともに、バスケット１１の各陰極２３とめっき液槽２７内に挿入された陽極２６との間で通電する。するとバスケット１１が水平方向に旋回しつつ垂直方向に揺動し、これに伴ってセラミック素子１，メディア２５がバスケット１１の中心部から周壁に向かって半径方向に流動しつつ攪拌される。これにより第１電極膜２の外表面にニッケルめっき膜からなる第２電極膜３が被覆形成される（第４工程Ｓ４）。この場合、セラミック素子１とメディア２５の振動，攪拌によって互いが衝突し、第１，第２電極膜２，３の凹凸が均され、平滑な電極膜が形成される。この後、バスケット１１をめっき液槽２７から引上げ、ニッケルめっき液を各メッシュキャップ２２を通して挿通孔１１ｅから排出する。次いでセラミック素子１，メディア２５を水洗いする（第５工程Ｓ５）。この水洗いは複数回行なう場合もある。
【００３３】
次に、上記バスケット１１をはんだめっき液が充填されためっき液槽（不図示）内に浸漬し、上記第４工程Ｓ４と同様に２０〜８０Ｈｚの振動周波数でもって振動させるとともに陽極，陰極間に通電し、第２電極膜３の外表面にはんだめっきからなる第３電極膜４を被覆形成する（第６工程Ｓ６）。この場合、セラミック素子１とメディア２５の振動，攪拌によって互いが衝突し、第２，第３電極膜３，４の凹凸が均され、平滑な電極膜が形成される。この後、水洗いを行なう（第７工程Ｓ７）。
【００３４】
上記第３工程Ｓ３と同様に、バスケット１１をセラミック素子１及びメディア２５とともに水中に浸け、この状態でバスケット１１に２０Ｈｚ以上の振動周波数からなる振動を付与することにより、セラミック素子１，メディア２５を振動攪拌する（第８工程Ｓ８）。これによりセラミック素子１とメディア２５がぶつかり合って電極表面の凹凸がさらに均され、平滑で光沢のある第３電極膜４が形成される。このようにして電子部品が形成される。
【００３５】
このようにして形成された電子部品をメディア２５とともにバスケット１１から取り出し、乾燥炉にて乾燥させる（第９工程Ｓ９）。次に電子部品とメディア２５を分離し、それぞれ別個に回収する（第１０工程Ｓ１０）。この後、電子部品をテーピング等により梱包することによって製品となる（第１１工程Ｓ１１）。
【００３６】
ここで、図５は、第１０工程Ｓ１０にて採用される分離装置の概略図を示しており、これはベルトコンベア３０の上流側にバイブレータ３１を備えたトレイ３２を配置するとともに、下流側に円柱状磁石３３を回転可能に配置し、該円柱状磁石３３の下流端下方に電子部品回収箱３４を配設するとともに、上記ベルトコンベア３０の下流端下方にメディア回収箱３５を配置したものである。
【００３７】
上記分離装置により分離するには、電子部品，メディアの何れか一方を磁性材により構成し、他方を非磁性材により構成する。例えば、電子部品がＭｎ，Ｎｉ，Ｆｅ系酸化物からなるチップサーミスタ等の場合には磁性材であることから、メディアにはＳｎ等からなる非磁性材を採用する。また上記電子部品が、例えばチタン酸バリウム系酸化物からなるチップコンデンサ等の場合には、非磁性材であることから、メディアには磁性材であるＦｅ等を採用することとなる。
【００３８】
そして電子部品３６及びメディア３７をトレイ３２上に搭載する。トレイ３２が振動すると電子部品３６，メディア３７は平に均されつつベルトコンベア３０に供給される。このベルトコンベア３０にて下流側に搬送された電子部品３６は回転する磁石３３に吸着され、樹脂製のブレード３３ａにより掻き落とされて電子部品回収箱３４に落下する。またメディア３７は磁石３３に吸着されないので、コンベアベルト３０の下流端からメディア回収箱３５に落下する。このように、電子部品３６とメディアとを自動的にかつ連続させて確実に分離することができる。
【００３９】
なお、電子部品の電極めっき膜が磁性材からなる例えばＮｉめっき膜の場合には、振動めっき処理時にメディア表面にもＮｉ膜が形成され、このメディアのＮｉ膜の膜厚によっては磁石に吸着される場合がある。そこで、磁石に付かないようにするには、Ｎｉ膜を５μｍ以下にするのが望ましい。
【００４０】
本実施形態によれば、バスケット１１を振動させることによりセラミック素子１とメディア２５とを振動，攪拌させて電極表面を平滑にする振動攪拌工程を振動めっき工程の前に設けたので、上記振動攪拌によりメディア２５とセラミック素子１とが互いに衝突し、この衝突によって第１〜第３電極膜２〜４の凹凸が均されることとなり、平滑な電極表面を得ることができる。その結果、平滑で光沢ある電極表面が得られることとなり、はんだ付け時の濡れ性を向上できる。これにより長期保管による酸化を抑制でき、実装時の立ち上がりや浮き上がりを防止でき、実装不良を防止できる。
【００４１】
また、振動攪拌工程からそのまま振動めっき工程に連続して移行することができ、作業工数をそれほど増やすことなく平滑処理を行なうことができ、従来に比べて生産性を向上できる。即ち、従来では、第１電極膜の平滑処理を行なう場合には、専用バレルに専用メディアと電子部品素子を投入し、該バレルを高速回転させて平滑処理した後、洗浄，乾燥し、この後メディアと電子部品素子を分離するようにしており、作業工程が多く生産性が低いという問題を抱えていた。
【００４２】
【実施例】
実施例１
【００４３】
【表１】

本実施例は、セラミック素子とメディアとをバスケットに収容し、該バスケットを水中に浸漬して振動攪拌処理を行い、これに続いて振動めっき処理を行った。このときの振動時間を１５〜６０分の範囲で変化させた場合の電極めっきの付着性について調べた。また、比較するために振動攪拌処理を行わず、振動めっ処理のみを行った場合についても同様に調べた。
【００４４】
振動条件として、上記セラミック素子には外径寸法が１．０×０．５×０．５ｍｍのものを１００ｋ個（容積で約４０ｍｌ）採用し、メディアには直径０．７ｍｍのスチールボールを２５０ｋ個（容量約８０ｍｌ）採用した。またバスケットには内径約１５０ｍｍ，深さ約１００ｍｍの容器を採用し、振動周波数は４０Ｈｚとした。
【００４５】
めっき条件は、セラミック素子の第１電極膜の表面に膜厚約２μｍのニッケルめっきからなる第２電極膜を被覆し、セラミック素子の電極表面のめっき付着部面積を調べた。
【００４６】
表１において、振動攪拌処理を行わない場合には、めっき皮膜の表面粗さＲｍａｘは９μｍと粗くなっている。このため表面光沢は得られておらず、めっき未着部の面積率も２０％と大きくなっている。これに対して振動攪拌処理を行った場合は、めっき皮膜の表面粗さＲｍａｘは何れも５〜１μｍと良好な平滑面が得られていることがわかる。これにより光沢のある電極表面が得られており、めっき未着部の面積率も０％となっている。
【００４７】
実施例２
【００４８】
【表２】

表２は、セラミック素子とメディアとの容積比率を０．３〜２．０の範囲で変化させて水中振動を３０分間実施し、外部電極の表面粗さＲｍａｘを調べた結果を示す。なお、他の振動条件，めっき条件は実施例１と同様であり、以下、実施例３〜５についても同様である。
【００４９】
表２からも明らかなように、容積比率を０．３とした場合には、表面粗さＲｍａｘは６μｍと満足できる値が得られていない。これに対して容積比率を０．５及び２．０とした場合は、表面粗さＲｍａｘ４μｍ，２μｍと良好な平滑面が得られており、容積比率を０．５以上とすることにより満足できる結果が得られることがわかる。
【００５０】
実施例３
【００５１】
【表３】

表３は、セラミック素子とメディアとの数量比率を０．３〜２．５の範囲で変化させて水中振動を３０分間実施し、外部電極の表面粗さＲｍａｘを調べた結果を示す。
【００５２】
表３からも明らかなように、数量比率を０．３とした場合には、表面粗さＲｍａｘは６μｍと満足できる値が得られていない。これに対して数量比率を０．５，０．８，２．５とした場合は、それぞれ表面粗さＲｍａｘ４μｍ，２μｍ，１μｍと良好な平滑面が得られており、数量比率を０．５以上とすることにより満足できる結果が得られることがわかる。
【００５３】
実施例４
【００５４】
【表４】

表４は、セラミック素子の最長辺寸法１ｍｍに対してメディアの直径を０．４ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲で変化させて水中振動を３０分間実施し、外部電極の表面粗さＲｍａｘを調べた結果を示す。
【００５５】
表４からも明らかなように、素子の最長辺寸法に対してメディアの直径を０．４倍とした場合には、表面粗さＲｍａｘは６μｍと満足できる値が得られていない。これに対してメディア直径を０．５，０．７，１．５倍とした場合は、それぞれ表面粗さＲｍａｘが５μｍ，２μｍ，１μｍとなっており、良好な平滑面が得られていることがわかる。このようにメディアの直径をセラミック素子の最長辺寸法の０．５倍以上とすることにより満足できる結果が得られる。
【００５６】
実施例５
【００５７】
【表５】

表５は、振動周波数を１５Ｈｚ〜６０Ｈｚの範囲で変化させて水中振動を３０分間実施し、外部電極の表面粗さＲｍａｘを調べた結果を示す。
【００５８】
表５からも明らかなように、振動周波数を１５Ｈｚとした場合には、表面粗さＲｍａｘは６μｍと満足できる値が得られていない。これに対して振動周波数を２０Ｈｚ，４０Ｈｚ，６０Ｈｚとした場合は、表面粗さＲｍａｘが何れも５μｍ，２μｍ，１μｍと良好な平滑面が得られており、振動周波数を２０Ｈｚ以上とすることにより満足できる値が得られることがわかる。
【００５９】
参考例
【００６０】
【表６】

本参考例は、外部電極に平滑処理が施されていないセラミック素子（表面粗さＲｍａｘ９μｍ）を採用し、これとメディアとをバスケットに投入して振動めっき処理を行い、これに続いてバスケットを水中に浸漬して振動攪拌処理を行った。このときの振動時間を１５分〜６０分の範囲で変化させた場合の表面粗さＲｍａｘを調べるとともに、電子部品のプリント基板への実装性を調べた。また、比較するために振動めっ処理後、通常の水洗いのみを行った場合についても同様に調べた。
【００６１】
振動条件として、上記セラミック素子には外径寸法が１．０×０．５×０．５ｍｍのものを１００ｋ個（容積で約４０ｍｌ）採用し、メディアには直径０．７ｍｍのスチールボールを２５０ｋ個（容量約８０ｍｌ）を採用した。またバスケットには内径約１５０ｍｍ，深さ約１００ｍｍの容器を採用し、振動周波数は４０Ｈｚとした。
【００６２】
めっき条件は、セラミック素子の第１電極膜の表面に膜厚約２μｍのニッケルめっきからなる第２電極膜を被覆するとともに、該第２電極膜の表面に膜厚約４μｍのすずめっきからなる第３電極膜を形成し、この後、スチームエージング試験を４時間実施し、所定のプリント基板に１００００個実装するとともに、２３０℃でリフロー半田付けを行った。
【００６３】
表６において、めっき処理後に振動攪拌処理を行わない場合には、めっき皮膜の表面粗さＲｍａｘは７μｍと満足できる値が得られていない。このため表面光沢は得られておらず、はんだ付け時の実装不良率も０．１％となっている。これに対してめっき処理後に振動攪拌処理を行った場合は、めっき皮膜の表面粗さＲｍａｘは４〜１μｍと良好な平滑面が得られており、はんだ付け時の実装不良率も０％と満足できる結果が得られている。
【００６４】
実施例６
【００６５】
【表７】

表７は、セラミック素子とメディアとの容積比率を０．３〜２．０の範囲で変化させて水中振動を３０分間実施し、外部電極の表面粗さＲｍａｘを調べた結果を示す。なお、他の振動条件，めっき条件は参考例と同様であり、以下、実施例７〜９についても同様である。
【００６６】
表７からも明らかなように、容積比率を０．３とした場合には、表面粗さＲｍａｘは５μｍと満足できる値が得られていない。これに対して容積比率を０．５及び２．０とした場合は、表面粗さＲｍａｘが３μｍ，１μｍと良好な平滑面が得られており、容積比率を０．５以上とすることにより満足できる平滑面が得られることがわかる。
【００６７】
実施例７
【００６８】
【表８】

表８は、セラミック素子とメディアとの数量比率を０．３〜２．５の範囲で変化させて水中振動を３０分間実施し、外部電極の表面粗さＲｍａｘを調べた結果を示す。
【００６９】
表８からも明らかなように、数量比率を０．３とした場合には、表面粗さＲｍａｘは５μｍと満足できる値が得られていない。これに対して数量比率を０．５，０．８，２．５とした場合は、表面粗さＲｍａｘが何れも４μｍ，２μｍ、１μｍと良好な平滑面が得られており、数量比率を０．５以上とすることにより満足できる平滑面が得られることがわかる。
【００７０】
実施例８
【００７１】
【表９】

表９は、セラミック素子の最長辺寸法１ｍｍに対してメディアの直径を０．４倍〜１．５倍の範囲で変化させて水中振動を３０分間実施し、外部電極の表面粗さＲｍａｘを調べた結果を示す。
【００７２】
表９からも明らかなように、素子の最長辺寸法に対してメディアの直径を０．４倍とした場合には、表面粗さＲｍａｘは５μｍと満足できる値が得られていない。これに対してメディア直径を０．５，０．７，１．５倍とした場合は、表面粗さＲｍａｘが何れも３μｍ，１μｍ，１μｍと良好な平滑面が得られており、メディアの直径をセラミック素子の最長辺寸法の０．５倍以上とすることにより満足できる値が得られることがわかる。
【００７３】
実施例９
【００７４】
【表１０】

表１０は、振動周波数を１５Ｈｚ〜６０Ｈｚの範囲で変化させて水中振動を３０分間実施し、外部電極の表面粗さＲｍａｘを調べた結果を示す。
【００７５】
表１０からも明らかなように、振動周波数を１５Ｈｚとした場合には、表面粗さＲｍａｘは５μｍと満足できる値が得られていない。これに対して振動周波数を２０Ｈｚ，４０Ｈｚ，６０Ｈｚとした場合は、表面粗さＲｍａｘが何れも３μｍ，１μｍ、１μｍと良好な平滑面が得られており、振動周波数を２０Ｈｚ以上とすることにより満足できる結果が得られることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による電子部品の製造方法に採用された振動めっき装置の断面図である。
【図２】上記振動めっき装置のバスケットの平面図である。
【図３】上記振動めっき装置の斜視図である。
【図４】上記電子部品の製造工程を示すブロック図である。
【図５】上記製造方法に採用された分離装置の概略図である。
【図６】上記実施形態のセラミック素子の断面図である。
【図７】従来の一般的な振動めっき装置の断面図である。
【図８】従来のバスケットの底面を示す平面図である。
【符号の説明】
１セラミック素子（電子部品素子）
２第１電極膜
３第２電極膜
１１バスケット（容器）
２３めっき用陰極
２５メディア（通電媒介物）
２７めっき液槽[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing an electronic component in which an electrode film is formed on an electronic component element constituting, for example, a chip thermistor, a chip capacitor or the like.
[0002]
[Prior art]
In general, electronic components such as a chip thermistor and a chip capacitor are formed by applying a paste containing Ag or an Ag alloy and glass frit to the ceramic element 1 and baking it at a high temperature, for example, as shown in FIG. The first electrode film 2, the second electrode film 3 formed by coating the outer surface of the first electrode film 2 with nickel plating, and the outer surface of the second electrode film 3 covered with tin or solder plating And a third electrode film 4 formed.
[0003]
As a method for forming such a plating film of nickel, tin or the like, a vibration plating apparatus as shown in FIGS. 7 and 8 may be used (see, for example, Japanese Patent No. 2745892). In this vibration plating apparatus 50, a vibration generation source including an eccentric motor 51 and a spring 52 is attached to a support portion 54 of a basket 53, a plating cathode 55 is disposed on a bottom wall 53a of the basket 53, and a plating solution is removed. In this structure, a net 56 is arranged.
[0004]
Then, a large number of ceramic elements 60 having a first electrode film formed in the basket 53 and a metal ball medium 61 as an energization medium are accommodated, and the basket 53 is immersed in a nickel plating solution tank 57. In this state, vibration is applied to the bucket 53 by the vibration generation source, and current is supplied to the ceramic element 60 and the medium 61 by energizing the cathode 55, whereby a second nickel plating film is formed on the surface of the first electrode film. An electrode film is formed. Thereafter, washing with water is performed, and a third electrode film made of a tin plating film is formed by the same method as described above.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described conventional manufacturing method, when the second and third electrode plating films are formed on the first electrode film formed as the base, the electrode surface tends to be rough, and the wettability with the solder may deteriorate. . That is, since the first electrode film is formed by baking a paste containing metal powder and glass frit, the metal particles are likely to agglomerate on the electrode surface or the glass tends to be lifted. Depending on the components of the metal material, the first electrode film may be formed on the electrode surface. A thin oxide film may be formed. When the second electrode plating film and the third electrode plating film are applied to the first electrode film having such a rough surface property, the electrode surface of the third electrode film also becomes rough.
[0006]
If the electrode surface becomes rough in this way, the surface of the electrode film is likely to be oxidized due to storage of electronic components and the like, and the wettability during soldering may deteriorate over time. For example, if an electronic component that has been stored in stock for a long time is mounted on a circuit board, the wetness with the solder on the board land will worsen, and the electronic component will rise or rise without being bonded to the land. May occur.
[0007]
The present invention has been made in view of the above-described conventional situation, and an object of the present invention is to provide an electronic component manufacturing method that can improve wettability with solder by smoothing the surface of an electrode, and thus can avoid mounting defects. It is said.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The invention of claim 1 includes an electrode baking step of forming a first electrode film by baking a metal paste on the electronic component element, the first electrode film plating electrode and a current mediator and electronic component element are formed Vibration agitation that smoothes the surface of the electrode by oscillating and agitating the electronic component element and energization medium by immersing the container in water and applying vibration to the container. A second electrode film on the surface of the first electrode film by applying a current to the plating electrode while applying vibration to the container by immersing the container in a plating bath together with the electronic component element and the energization medium And a vibration plating process for forming an electronic component.
[0009]
The invention of claim 2 is characterized in that, in claim 1, the energization medium is a conductive metal ball .
[0010]
A third aspect of the present invention is characterized in that, in the first or second aspect, the volume ratio of the electronic component element to the energization medium is set to 0.5 or more.
[0011]
According to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, the quantity ratio between the electronic component element and the energization medium is set to 0.5 or more. .
[0012]
A fifth aspect of the present invention is characterized in that, in any one of the first to fourth aspects, the size of the energization medium is at least 0.5 times the longest side dimension of the electronic component element.
[0013]
A sixth aspect of the invention is characterized in that, in any one of the first to fifth aspects, the vibration frequency applied to the container is 20 Hz or more.
[0014]
[Effects of the invention]
According to the method of manufacturing an electronic component according to the invention of claim 1, since the vibration stirring step for smoothing the electrode surface by vibrating and stirring the electronic component element and the energization medium by vibrating the container is provided, The energization medium and the electronic component element collide with each other by the vibration agitation, and the unevenness of the electrode film is leveled by the collision, so that a smooth electrode surface can be obtained. As a result, a smooth and glossy electrode surface can be obtained, and the wettability during soldering can be improved. As a result, oxidation due to long-term storage can be suppressed, rising and lifting during mounting can be prevented, and mounting defects can be prevented.
[0015]
In addition , since the vibration agitation step is performed before the vibration plating step, a smooth first electrode film can be obtained, and the plating film in the vibration plating step can be easily attached to obtain a uniform electrode plating film. be able to. Moreover, it can transfer to a vibration plating process continuously from a vibration stirring process as it is, and a smoothing process can be performed, without increasing work man-hours so much.
[0016]
In the invention of claim 3 , since the volume ratio between the energization medium and the electronic component element is 0.5 or more, the surface roughness of the electrode film can be reduced, and the smoothness of the electrode surface can be increased. .
[0017]
In the invention of claim 4 , since the quantity ratio of the current-carrying medium and the electronic component element is 0.5 or more, the surface roughness of the electrode film can be reduced, and the smoothness of the electrode surface can be increased. .
[0018]
In the invention of claim 5 , since the size of the energization medium is set to 0.5 times or more of the longest side dimension of the electronic component element, the collision between the electronic component element and the energization medium is strengthened. And the smoothness of the electrode surface can be increased.
[0019]
In the invention of claim 6 , since the vibration frequency is set to 20 Hz or more, vibration agitation becomes strong and the smoothness of the electrode surface can be increased.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[0021]
1 to 4 are views for explaining a method of manufacturing an electronic component according to an embodiment of the present invention. FIGS. 1, 2, and 3 are a cross-sectional view, a plan view, and a perspective view of a vibration plating apparatus, respectively. FIG. 4 is a block process diagram showing the manufacturing process of the electronic component.
[0022]
In the figure, reference numeral 10 denotes a vibration plating apparatus, which is integrally formed with a support portion 12 extending upward at the center of a bottom wall 11b of a basket-like basket (container) 11 having an inlet 11a that opens upward. The vibration generating source 13 is mounted on the upper end portion of the support portion 12.
[0023]
The vibration generating source 13 includes a motor 15 and a plurality of

coil springs

16 and 16 housed in an outer case 14, and an upper end portion of the support portion 12 is inserted into the outer case 14. Yes. A vibration receiving plate 17 is fixed to the upper end surface of the support portion 12, and a support frame member 18 is fixed to the upper surface of the vibration receiving plate 17 by supporting the support plate 18 b by a plurality of columns 18 a. Yes.
[0024]
The motor 15 is attached to a support plate 18b of the support frame member 18, and an eccentric load 20 extending in a direction perpendicular to the axis is applied to the rotating shaft 15a of the motor 15. The coil spring 16 is interposed between the lower surface of the vibration receiving plate 17 and the bottom plate of the outer case 14 so as to surround the support portion 12. When the motor 15 rotates with the outer case 14 fixed and the basket 11 free, vibration energy is transmitted from the vibration receiving plate 17 to the basket 11 via the support portion 12. The vibration source 13 is set so that the vibration frequency of the basket 11 is in the range of 20 to 80 Hz.
[0025]
A plating solution inflow hole 11d is formed in the upper edge portion of the side peripheral wall 11c of the basket 11 at intervals in the circumferential direction. When the basket 11 is immersed in the plating solution, the plating solution gradually flows into the basket 11 from the plating solution inflow hole 11d. That is, when the plating solution inflow hole 11d is not provided, the plating solution may flow in from the charging port 11a at once, and the ceramic element 1 or the like housed inside may flow out of the basket 11, but this embodiment The configuration can avoid this problem.
[0026]
Insertion holes 11e are formed in the bottom wall 11b of the basket 11 at predetermined intervals in the circumferential direction, and each of the insertion holes 11e has two plating solution draining mesh caps 22 and one plating cathode (electrode). 23 are arranged alternately. The plating cathode 23 is disposed every 90 degrees, is inserted and fixed in each insertion hole 11e, and the remaining insertion holes 11e are covered with the mesh cap 22. A feeding line 24 is connected to each of the plating cathodes 23, and the feeding line 24 is connected to an external power source (not shown) through the support portion 12.
[0027]
A large number of ceramic elements 1 and media 25 as energizing media are accommodated in the basket 11. A first electrode film 2 (see FIG. 6) formed by baking a paste such as Ag is formed on both end faces of the ceramic element 1. The medium 25 is made of a conductive metal ball, and the diameter of the medium 25 is set to 0.5 times or more of the longest side dimension of the ceramic element 1.
[0028]
The volume ratio of the ceramic element 1 and the medium 25 is media / ceramic element = 0.5 or more, and the quantity ratio of both is media / ceramic element = 0.5 or more.
[0029]
Next, a method for manufacturing a ceramic electronic component using the vibration plating apparatus 10 will be described with reference to the block process diagram of FIG.
[0030]
A ceramic element is formed by firing the ceramic sheet at a high temperature (first step S1), a paste made of Ag and glass frit is applied to the ceramic element, and the first electrode film 2 is formed by baking this (first step S1). 2 step S2).
[0031]
The ceramic element 1 on which the first electrode film 2 is formed and the medium 25 are accommodated in the basket 11. The basket 11 containing the ceramic element 1 and the medium 25 is immersed in water. In this state, the basket 11 is vibrated at a frequency of 20 Hz or more, and the ceramic element 1 and the medium 25 are vibrated and stirred (third step S3). . As a result, the ceramic element 1 and the medium 25 collide with each other, the unevenness of the first electrode film 2 is leveled, and a smooth electrode surface is obtained.
[0032]
Next, the basket 11 is immersed in a plating solution tank 27 filled with the nickel plating solution A. In this state, the basket 11 is vibrated at a vibration frequency of 20 to 80 Hz and energized between each cathode 23 of the basket 11 and the anode 26 inserted into the plating bath 27. Then, the basket 11 swings in the vertical direction while turning in the horizontal direction, and the ceramic element 1 and the medium 25 are agitated while flowing in the radial direction from the center of the basket 11 toward the peripheral wall. Thus, the second electrode film 3 made of a nickel plating film is formed on the outer surface of the first electrode film 2 (fourth step S4). In this case, the ceramic element 1 and the medium 25 collide with each other by vibration and agitation, the unevenness of the first and second electrode films 2 and 3 is leveled, and a smooth electrode film is formed. Thereafter, the basket 11 is pulled up from the plating solution tank 27, and the nickel plating solution is discharged from the insertion hole 11 e through each mesh cap 22. Next, the ceramic element 1 and the medium 25 are washed with water (fifth step S5). This washing with water may be performed several times.
[0033]
Next, the basket 11 is immersed in a plating bath (not shown) filled with a solder plating solution, and is vibrated at a vibration frequency of 20 to 80 Hz as in the fourth step S4, and between the anode and the cathode. The third electrode film 4 made of solder plating is formed on the outer surface of the second electrode film 3 by energization (sixth step S6). In this case, the ceramic element 1 and the medium 25 collide with each other due to vibration and stirring, the unevenness of the second and third electrode films 3 and 4 is leveled, and a smooth electrode film is formed. Thereafter, washing with water is performed (seventh step S7).
[0034]
Similarly to the third step S3, the basket 11 is immersed in water together with the ceramic element 1 and the medium 25, and in this state, the basket 11 is subjected to vibration having a vibration frequency of 20 Hz or more, whereby the ceramic element 1 and the medium 25 are Vibration stirring is performed (eighth step S8). As a result, the ceramic element 1 and the medium 25 collide with each other, the unevenness of the electrode surface is further leveled, and the smooth and glossy third electrode film 4 is formed. In this way, an electronic component is formed.
[0035]
The electronic component thus formed is taken out from the basket 11 together with the medium 25 and dried in a drying furnace (9th step S9). Next, the electronic component and the medium 25 are separated and collected separately (tenth step S10). Thereafter, the electronic component is packed by taping or the like to become a product (11th step S11).
[0036]
Here, FIG. 5 shows a schematic diagram of the separation apparatus employed in the tenth step S10, which is arranged with a tray 32 having a vibrator 31 on the upstream side of the belt conveyor 30 and on the downstream side. A cylindrical magnet 33 is rotatably arranged, an electronic component collection box 34 is disposed below the downstream end of the cylindrical magnet 33, and a media collection box 35 is disposed below the downstream end of the belt conveyor 30. is there.
[0037]
In order to separate by the separation device, one of the electronic component and the medium is made of a magnetic material, and the other is made of a non-magnetic material. For example, when the electronic component is a chip thermistor made of Mn, Ni, Fe-based oxide or the like, it is a magnetic material, and therefore a non-magnetic material made of Sn or the like is adopted as the medium. Further, when the electronic component is a chip capacitor made of, for example, a barium titanate-based oxide, it is a non-magnetic material, and therefore, Fe or the like, which is a magnetic material, is used for the medium.
[0038]
Then, the electronic component 36 and the medium 37 are mounted on the tray 32. When the tray 32 vibrates, the electronic components 36 and the media 37 are supplied to the belt conveyor 30 while being leveled. The electronic component 36 conveyed downstream by the belt conveyor 30 is attracted to the rotating magnet 33, scraped off by the resin blade 33 a, and dropped into the electronic component collection box 34. Further, since the media 37 is not attracted to the magnet 33, it falls into the media recovery box 35 from the downstream end of the conveyor belt 30. In this way, the electronic component 36 and the media can be separated automatically and continuously.
[0039]
When the electrode plating film of an electronic component is a Ni plating film made of a magnetic material, for example, a Ni film is also formed on the surface of the medium during vibration plating, and depending on the thickness of the Ni film of the medium, the magnet is attracted to the magnet. There is a case. Therefore, it is desirable to make the Ni film 5 μm or less so as not to stick to the magnet.
[0040]
According to the present embodiment, the vibration agitation step for smoothing the electrode surface by vibrating and agitating the ceramic element 1 and the medium 25 by vibrating the basket 11 is provided before the vibration plating step. As a result, the medium 25 and the ceramic element 1 collide with each other, and the unevenness of the first to third electrode films 2 to 4 is leveled by this collision, and a smooth electrode surface can be obtained. As a result, a smooth and glossy electrode surface can be obtained, and the wettability during soldering can be improved. As a result, oxidation due to long-term storage can be suppressed, rising and lifting during mounting can be prevented, and mounting defects can be prevented.
[0041]
Moreover, it can transfer to a vibration plating process continuously from a vibration stirring process as it is, a smooth process can be performed without increasing work man-hours so much, and productivity can be improved compared with the past. That is, conventionally, when performing the smoothing process of the first electrode film, the dedicated media and the electronic component element are put into the dedicated barrel, and the barrel is rotated at a high speed to perform the smoothing process, followed by washing and drying. The media and electronic component elements were separated, and there was a problem that there were many work processes and productivity was low.
[0042]
【Example】
Example 1
[0043]
[Table 1]

In this example, the ceramic element and the media were accommodated in a basket, the basket was immersed in water and subjected to a vibration agitation process, followed by a vibration plating process. The adhesion of electrode plating was examined when the vibration time at this time was changed in the range of 15 to 60 minutes. In addition, for comparison, the same investigation was performed in the case where only the vibration stirring process was performed without performing the vibration stirring process.
[0044]
As vibration conditions, 100 k pieces (about 40 ml in volume) of the ceramic element with an outer diameter of 1.0 × 0.5 × 0.5 mm are used, and a steel ball with a diameter of 0.7 mm is used for 250 k for the media. Individual (capacity: about 80 ml) was adopted. In addition, a container having an inner diameter of about 150 mm and a depth of about 100 mm was adopted as the basket, and the vibration frequency was 40 Hz.
[0045]
As for the plating conditions, the surface of the first electrode film of the ceramic element was covered with a second electrode film made of nickel plating having a film thickness of about 2 μm, and the area of the plating adhesion portion on the electrode surface of the ceramic element was examined.
[0046]
In Table 1, when the vibration stirring treatment is not performed, the surface roughness Rmax of the plating film is as coarse as 9 μm. For this reason, surface gloss is not obtained, and the area ratio of the unplated portion is as large as 20%. On the other hand, when the vibration stirring process is performed, it can be seen that the surface roughness Rmax of the plating film is 5 to 1 μm and a good smooth surface is obtained. As a result, a glossy electrode surface is obtained, and the area ratio of the unplated portion is also 0%.
[0047]
Example 2
[0048]
[Table 2]

Table 2 shows the result of examining the surface roughness Rmax of the external electrode by changing the volume ratio of the ceramic element and the medium in the range of 0.3 to 2.0 and performing underwater vibration for 30 minutes. The other vibration conditions and plating conditions are the same as those in Example 1, and the same applies to Examples 3 to 5 below.
[0049]
As is clear from Table 2, when the volume ratio is 0.3, the surface roughness Rmax is 6 μm, which is not a satisfactory value. On the other hand, when the volume ratio is 0.5 and 2.0, a smooth surface having a surface roughness Rmax of 4 μm and 2 μm is obtained, and satisfactory results can be obtained by setting the volume ratio to 0.5 or more. It can be seen that
[0050]
Example 3
[0051]
[Table 3]

Table 3 shows the result of examining the surface roughness Rmax of the external electrode by changing the quantity ratio of the ceramic element and the medium in the range of 0.3 to 2.5 and performing underwater vibration for 30 minutes.
[0052]
As is clear from Table 3, when the quantity ratio is 0.3, the surface roughness Rmax is 6 μm, which is not a satisfactory value. On the other hand, when the quantity ratio is 0.5, 0.8, and 2.5, the surface roughness Rmax is 4 μm, 2 μm, and 1 μm, respectively, and smooth surfaces are obtained, and the quantity ratio is 0.5 or more. It can be seen that satisfactory results can be obtained.
[0053]
Example 4
[0054]
[Table 4]

Table 4 shows the result of examining the surface roughness Rmax of the external electrode by performing underwater vibration for 30 minutes while changing the diameter of the medium in the range of 0.4 mm to 1.5 mm with respect to the longest side dimension of 1 mm of the ceramic element. Indicates.
[0055]
As apparent from Table 4, when the diameter of the media is 0.4 times the longest side dimension of the element, the surface roughness Rmax is not 6 μm, which is a satisfactory value. On the other hand, when the media diameter is 0.5, 0.7, and 1.5 times, the surface roughness Rmax is 5 μm, 2 μm, and 1 μm, respectively, and a good smooth surface is obtained. I understand. Thus, satisfactory results can be obtained by setting the diameter of the media to 0.5 times or more of the longest side dimension of the ceramic element.
[0056]
Example 5
[0057]
[Table 5]

Table 5 shows the result of examining the surface roughness Rmax of the external electrode after changing the vibration frequency in the range of 15 Hz to 60 Hz and performing underwater vibration for 30 minutes.
[0058]
As is apparent from Table 5, when the vibration frequency is 15 Hz, the surface roughness Rmax is 6 μm, which is not a satisfactory value. On the other hand, when the vibration frequency is set to 20 Hz, 40 Hz, and 60 Hz, the surface roughness Rmax is 5 μm, 2 μm, and 1 μm, and a good smooth surface is obtained, which is satisfied by setting the vibration frequency to 20 Hz or more. It turns out that the value which can be obtained is obtained.
[0059]
Reference example [0060]
[Table 6]

This reference example employs a ceramic element (surface roughness Rmax 9 μm) that has not been subjected to a smoothing process on the external electrodes, and this and the medium are put into a basket for vibration plating treatment. It was immersed in and subjected to vibration stirring treatment. The surface roughness Rmax when the vibration time at this time was changed in the range of 15 minutes to 60 minutes was examined, and the mountability of the electronic component on the printed board was examined. For comparison, the same investigation was performed for the case where only normal washing was performed after the vibration treatment.
[0061]
As vibration conditions, 100 k pieces (about 40 ml in volume) of the ceramic element with an outer diameter of 1.0 × 0.5 × 0.5 mm are used, and a steel ball with a diameter of 0.7 mm is used for 250 k for the media. A piece (capacity: about 80 ml) was adopted. In addition, a container having an inner diameter of about 150 mm and a depth of about 100 mm was adopted as the basket, and the vibration frequency was 40 Hz.
[0062]
The plating condition is such that the surface of the first electrode film of the ceramic element is covered with a second electrode film made of nickel plating with a film thickness of about 2 μm, and the surface of the second electrode film is made of tin plating with a film thickness of about 4 μm. After forming a three-electrode film, a steam aging test was performed for 4 hours, and 10,000 pieces were mounted on a predetermined printed circuit board, and reflow soldering was performed at 230 ° C.
[0063]
In Table 6, when the vibration stirring treatment is not performed after the plating treatment, the surface roughness Rmax of the plating film is 7 μm, which is not a satisfactory value. For this reason, surface gloss is not obtained, and the mounting defect rate at the time of soldering is also 0.1%. On the other hand, when the vibration agitation treatment is performed after the plating treatment, the surface roughness Rmax of the plating film is 4 to 1 μm and a good smooth surface is obtained, and the mounting defect rate at the time of soldering is also satisfactory at 0%. A possible result is obtained.
[0064]
Example 6
[0065]
[Table 7]

Table 7 shows the result of examining the surface roughness Rmax of the external electrode by changing the volume ratio of the ceramic element and the medium in the range of 0.3 to 2.0 and performing underwater vibration for 30 minutes. Other vibration conditions and plating conditions are the same as those in the reference example, and the same applies to Examples 7 to 9 below.
[0066]
As can be seen from Table 7, when the volume ratio is 0.3, the surface roughness Rmax is 5 μm, which is not a satisfactory value. On the other hand, when the volume ratio is 0.5 and 2.0, a smooth surface having a surface roughness Rmax of 3 μm and 1 μm is obtained, which is satisfied by setting the volume ratio to 0.5 or more. It can be seen that a smooth surface can be obtained.
[0067]
Example 7
[0068]
[Table 8]

Table 8 shows the results of examining the surface roughness Rmax of the external electrode after changing the quantity ratio of the ceramic element and the medium in the range of 0.3 to 2.5 and performing underwater vibration for 30 minutes.
[0069]
As is clear from Table 8, when the quantity ratio is 0.3, the surface roughness Rmax is not satisfactory as 5 μm. On the other hand, when the quantity ratio is set to 0.5, 0.8, and 2.5, the surface roughness Rmax is 4 μm, 2 μm, and 1 μm, and a good smooth surface is obtained. It can be seen that a satisfactory smooth surface can be obtained by setting the ratio to .5 or more.
[0070]
Example 8
[0071]
[Table 9]

Table 9 shows that the surface roughness Rmax of the external electrode was examined by performing underwater vibration for 30 minutes while changing the diameter of the media in the range of 0.4 to 1.5 times the longest side dimension of 1 mm of the ceramic element. The results are shown.
[0072]
As is apparent from Table 9, when the diameter of the medium is 0.4 times the longest side dimension of the element, the surface roughness Rmax is not satisfactory as 5 μm. On the other hand, when the media diameter is 0.5, 0.7, and 1.5 times, the surface roughness Rmax is 3 μm, 1 μm, and 1 μm, and a good smooth surface is obtained. It can be seen that a satisfactory value can be obtained by setting the length to 0.5 times or more of the longest side dimension of the ceramic element.
[0073]
Example 9
[0074]
[Table 10]

Table 10 shows the result of examining the surface roughness Rmax of the external electrode by performing underwater vibration for 30 minutes while changing the vibration frequency in the range of 15 Hz to 60 Hz.
[0075]
As is apparent from Table 10, when the vibration frequency is 15 Hz, the surface roughness Rmax is 5 μm, which is not a satisfactory value. On the other hand, when the vibration frequency is set to 20 Hz, 40 Hz, and 60 Hz, the surface roughness Rmax is 3 μm, 1 μm, and 1 μm, and a good smooth surface is obtained. It turns out that the result which can be obtained is obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a vibration plating apparatus employed in an electronic component manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of a basket of the vibration plating apparatus.
FIG. 3 is a perspective view of the vibration plating apparatus.
FIG. 4 is a block diagram showing manufacturing steps of the electronic component.
FIG. 5 is a schematic view of a separation apparatus employed in the manufacturing method.
FIG. 6 is a cross-sectional view of the ceramic element of the embodiment.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a conventional general vibration plating apparatus.
FIG. 8 is a plan view showing a bottom surface of a conventional basket.
[Explanation of symbols]
1 Ceramic element (electronic component element)
2 First electrode film 3 Second electrode film 11 Basket (container)
23 Cathode for plating 25 Media (energization medium)
27 Plating bath

Claims

An electrode baking step of forming a first electrode film by baking a metal paste on the electronic component element;
The electronic component element on which the first electrode film is formed and the energization medium are accommodated in a container in which the electrode for plating is formed, the container is immersed in water, and vibration is applied to the container. A vibration stirring process for smoothing the electrode surface by vibrating and stirring the electronic component element and the current-carrying medium;
A second electrode film is formed on the surface of the first electrode film by immersing the container together with the electronic component element and the energization medium and energizing the plating electrode while applying vibration to the container. An electronic component manufacturing method comprising a vibration plating step.

2. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the energization medium is a conductive metal ball .

3. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1 , wherein a volume ratio of the electronic component element to the energization medium is set to 0.5 or more.

4. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1 , wherein a quantity ratio between the electronic component element and the energization medium is set to 0.5 or more.

5. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1 , wherein the size of the energization medium is 0.5 times or more of the longest side dimension of the electronic component element.

6. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein a vibration frequency applied to the container is 20 Hz or more.