JP2002127000A

JP2002127000A - ワーク研磨方法、ワーク研磨装置及び電子デバイス用基板

Info

Publication number: JP2002127000A
Application number: JP2000321480A
Authority: JP
Inventors: Kesahiro Koike; 今朝広小池; Yasutaka Tochihara; 康孝栃原
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2000-10-20
Filing date: 2000-10-20
Publication date: 2002-05-08
Anticipated expiration: 2020-10-20
Also published as: JP3880303B2

Abstract

(57)【要約】【課題】研磨工程においてワークが上定盤に付着する
ことなく、ワークに傷や欠陥を発生させずに、上定盤か
らのワークの剥離を良好に行うワーク研磨方法及び研磨
装置を提供する。【解決手段】キャリアによって保持されたワークを上
下定盤に挟持させ、前記上下定盤をワークの被加工面と
垂直な軸にそれぞれ回転させることにより、前記ワーク
に対し両面研磨加工を行うワーク研磨方法において、前
記ワーク研磨加工が終了し、上下定盤の回転が停止する
前に、上定盤を前記ワークの厚みよりも小さい範囲で所
定量を上昇させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ワーク（被研磨加
工物）の研磨方法及びその研磨装置に係り、特には、キ
ャリアによって保持されたワークを挟持し、上下定盤及
びキャリアを回転させてワークの両面を研磨加工するワ
ーク研磨方法・ワーク研磨装置及び電子デバイス用基板
（マスクブランクス用基板、液晶ディスプレイ用基板、
半導体ウエハー、情報記録媒体用基板等）に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】現在、半導体集積回路装置を製造する際
に、配線その他の領域の形成プロセスにおいて、フォト
リソグラフィー技術が適用されている。このフォトリソ
グラフィー工程において、露光用原版として使用される
フォトマスクは、透明基板上にパターニングされた遮光
膜が形成されており、遮光膜パターンが露光装置を介し
て半導体ウエハー上に転写され、半導体集積回路装置が
製造される。フォトマスクは、通常、透明基板上に遮光
膜が形成されたマスクブランクから作られるが、透明基
板上に欠陥（傷や異物等）があるとパターニングの欠陥
を引き起こし、さらに、近年のパターンの微細化の要請
から高い平坦性、高い平滑性の基板が要求されている。

【０００３】上述のようにマスクブランクに使用される
透明基板は、高い平坦性、高い平滑性、さらに傷等の欠
陥のないものに仕上げるため、通常、ラッピング工程、
研磨工程が複数段階に分けて行われる。ラッピング工程
は、加工歪み層を均一化し、板厚寸法を所定の板厚寸法
に整え、平坦度を良化させる目的で行われる。また、研
磨工程は、ラッピング工程によって得られた平坦度を維
持・向上させつつ、基板表面をさらに平滑性に、そして
基板表面に付着しているパーティクルを除去することを
目的として行われる。研磨工程においては、段階的に研
磨砥粒の粒径を小さくしながら複数段階にわたって研磨
加工が行われる。例えば、平均粒径が０．３〜３μｍの
酸化セリウムの研磨砥粒による研磨を行った後、平均粒
径が３００ｎｍ以下のコロイダルシリカによる研磨砥粒
による精密研磨が行われる（特開平１−４０２６７）。
研磨砥粒の選定、研磨布の選定、加工条件の選定等か
ら、現在では、表面粗さＲＭＳが０．３以下の高精度に
研磨されたマスクブランク用基板が得られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述のような高い平滑
性を有するマスクブランク用基板を得るために、通常、
研磨工程において、両面研磨装置が使用される。この両
面研磨装置は、複数のワークがセットされたキャリアを
研磨布が貼りつけられた上下定盤で挟み、研磨布とワー
ク表面との間に研磨液を供給しながら、上下定盤が同時
に回転することによって、ワーク表面を研磨するもので
ある。このような両面研磨装置においては、研磨加工終
了時点で上定盤にワークの付着が発生し、上定盤が上昇
すると上定盤に付着したワークが落下し、このことによ
りワークに欠け、割れ、傷等が発生した。このようなワ
ークにおける欠陥を防止するため、研磨加工終了後にワ
ーク上に上定盤からエアーや水、又は、ピストンによっ
て強制的に上定盤に付着したワークの剥離を行っていた
（特開平６−２９７３２３）。

【０００５】しかしながら、このエアーや、ピストンに
よる強制的なワークの剥離により、ワーク表面にクラッ
ク等の欠陥が発生してしまうだけでなく、キャリア剥離
ピン及び、ピン出しの孔に研磨剤が固着し、ピン押し時
に研磨剤のかたまりをワークに供給させてしまっていた
ため、ワークに対する傷欠陥発生の要因となっていた。
しかも、エアーブロー噴出口において研磨剤が固着して
しまい、研磨加工中に発生する欠陥の原因となり、ワー
ク表面において２〜３μｍ程度の微小なマイクロスクラ
ッチが発生した。また、水による強制的なワークの剥離
の場合、水圧による傷の発生に加え、研磨加工が進むほ
ど研磨剤が薄くなってしまい、ワーク表面に均一に研磨
を施すことができなくなり、ワーク表面に研磨むらが発
生するという問題点があった。

【０００６】このように、微細な欠陥をも許容されない
特に電子デバイス用基板に、上述のワーク研磨方法、研
磨装置は不適であり、所望の面精度（高い平坦度、高い
平滑性、欠陥のない）を有する電子デバイス用基板を製
造は困難であった。本発明は、研磨工程において、ワー
クが上定盤に付着することなく、ワークに傷や欠陥を発
生させずに、上定盤からのワークの剥離を良好に行うワ
ーク研磨方法及び研磨装置を提供することを目的とす
る。また、本発明の他の目的は、電子デバイス用基板の
ように、微細な欠陥が許容されないワークに対する研磨
方法を用いることで、製造歩留まりがよい電子デバイス
用基板の製造方法及びその構造を提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明では次のような手段を用いる。ここにおい
て、手段（数字）はそれぞれの請求項に対応しており、
また、付した符号は添付図面のそれに一致する。（１）ワークキャリア１１によって保持されたワーク１
０を上下定盤（１２、１３）に挟持させ、上下定盤（１
２、１３）をワーク１０の被加工面と垂直な軸にそれぞ
れ回転させることにより、ワーク１０に対し両面研磨加
工を行うワーク研磨方法において、ワーク１０の研磨加
工が終了し、上下定盤（１２、１３）の回転が停止する
前に、上定盤１２を、ワーク１０の厚みよりも小さい範
囲で所定量を上昇させることを特徴とするワーク研磨方
法。なお、本発明で用いる「回転」という用語は、一方
向のみの円運動を示すのみならず、正逆いずれの方向の
円運動をも示す「回動」という用語をも含んだ意味で用
いている。

【０００８】（２）このワーク研磨方法において、この
所定量は、ワーク１０の厚みに対して１／４〜３／４と
する。（３）このワーク研磨方法において、上定盤１２の上昇
の前に、上定盤１２と下定盤１３の回転数を異ならしめ
ることによって、ワーク１０に働く下定盤１３側の摩擦
抵抗を、上定盤側１２の摩擦抵抗よりも大きくする。（４）このワーク研磨方法において、上定盤１２の上昇
の前に、上定盤１２の回転数を、下定盤１３の回転数よ
りも大きくする。（５）このワーク研磨方法において、下定盤１３の回転
数に対する上定盤１２の回転数の比率を、１：４以上と
する。（６）このワーク研磨方法において、下定盤１３の回転
数に対する上定盤１２の回転数の比率を１：４〜７とす
る。（７）このワーク研磨方法において、研磨加工では、ワ
ーク１０の表面粗さＲＭＳ（二乗平均平方根粗さ）を
０．４ｎｍ以下にする。（８）このワーク研磨方法において、ワーク１０の表面
粗さＲＭＳを０．２ｎｍ以下にする。（９）このワーク研磨方法において、このワーク１０と
しては、電子デバイス用基板が適用される。

【０００９】（１０）このワーク研磨方法において、そ
の研磨加工は、太陽歯車２０と、太陽歯車２０の同心外
方部に配置された内歯歯車２１と、複数のワーク保持部
１１ａを有して太陽歯車２０・内歯歯車２１の両歯車間
に両歯車に噛合状態に配置された外歯歯車状のキャリア
１１と、両面研磨加工のため回転駆動される上下定盤
（１２、１３）と、を備えて行われ、太陽・内歯の両歯
車（２０、２１）によってキャリア１１が太陽歯車２０
の周りで自転しながら公転されると共に、上下定盤（１
２、１３）がワーク１０の両面の研磨加工面をキャリア
１１のワーク保持部１１ａに保持されている複数のワー
ク１０に接触状態で回転駆動されることにより、ワーク
１０の両面を研磨加工することとするワーク研磨方法と
した。

【００１０】（１１）キャリア１１に保持されたワーク
１０を挟持する上下定盤（１２、１３）と、上下定盤
（１２、１３）をワーク１０の被加工面に対して垂直な
軸を中心に回転させる回転駆動手段（上下定盤駆動装置
(３０、４０) 上下定盤駆動軸(３１、４２)等による）
と、上下定盤（１２、１３）の回転数を独立して変化さ
せることのできる回転数可変手段（上下定盤駆動装置
(３０、４０) 上下定盤駆動軸(３１、４２)等による）
と、上定盤（１２）を上下させる昇降手段（上定盤駆動
装置３０、上定盤ロック用シリンダ３４、サーボモータ
３７等による）と、を有し、キャリア１１に保持された
ワーク１０の両面を研磨加工するワーク１０の研磨装置
であって、研磨加工終了前であって上下定盤（１２、１
３）の回転を停止する前に、この昇降手段によって上定
盤１２を所定量だけ上昇させる制御手段（シーケンサＡ
内の動作制御部Ａ１０、操作モニタ部Ａ２０等による）
と、を有するワーク研磨装置として構成した。

【００１１】（１２）このワーク研磨装置において、上
定盤１２を昇降手段によって所定量上昇させる際、上定
盤１２を下定盤１３の面と実質的に平行の状態で保持す
る平行保持手段を備えて構成した。（１３）このワーク研磨装置において、太陽歯車２０
と、太陽歯車２０の同心外方部に配置された内歯歯車２
１と、複数のワーク保持部１１ａを有して、太陽歯車２
０・内歯歯車２１の両歯車間に両歯車に噛合状態に配置
された外歯歯車状のキャリア１１と、両面研磨加工面の
ため回転駆動される上下定盤（１２、１３）とが備えら
れ、太陽歯車２０・内歯歯車２１の両歯車によってキャ
リア１１が太陽歯車２０の周りで自転しながら加工され
ると共に、上下定盤（１２、１３）がワーク１０の両面
の研磨加工面をキャリア１１のワーク保持部１１ａに保
持されている複数のワーク１０に接触状態で回転駆動さ
れることにより、ワーク１０の両面を研磨加工する両面
研磨装置として構成した。

【００１２】（１４）ワーク１０は電子デバイス用基板
であって、この基板は対向する一対の主表面を有し、こ
の主表面の表面粗さがＲＭＳで０．４ｎｍ以下であり、
且つ、両主表面の表面粗さが異なって構成されている電
子デバイス用基板とした。（１５）この電子デバイス用基板において、その表面粗
さがＲＭＳで０．２ｎｍ以下として構成した。（１６）この電子デバイス用基板において、この基板は
上下定盤（１２、１３）を有する両面研磨装置によって
研磨加工されたものであって、上定盤１２側の方が下定
盤１３側より表面粗さを大きくして構成した。（１７）この電子デバイス用基板において、下定盤１３
側の表面粗さＲＭＳに対する上定盤１２側の表面粗さＲ
ＭＳの比が、０．８５以上１未満となるよう構成した。（１８）この電子デバイス用基板において、この電子デ
バイス用基板はワーク両面研磨加工によって製造されて
構成されており、ワーク両面研磨加工には、請求項１乃
至８の何れか一項に記載のワーク研磨方法を適用して製
造がなされて構成される電子デバイス用基板とした。す
なわち、この電子デバイス用基板は、前記構成１〜１０
に記載されたワーク研磨方法によって得られたものによ
り構成される。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図１〜５を参照して、本発
明によるワーク研磨方法・ワーク研磨装置及び電子デバ
イス用基板についての実施の形態を詳細に説明する。図
１は本発明によるワーク研磨装置の一例を示す断面によ
る構成図である。また、図２は本発明によるワーク研磨
方法及び装置に係るシーケンサと研磨機の一例を示す構
成図である。そして、図３は本発明によるワーク研磨装
置の回動(回転)の様子を示す内部斜視による構成説明図
である。さらに、図４は本発明によるワーク研磨方法及
び装置を示すフローチャート図の一例である。そのう
え、図５は本発明によるワーク研磨方法及び装置に係る
上下定盤の回転比と剥離成功率との関係を示すグラフ図
の一例である。

【００１４】まず始めに、本発明によるワーク研磨方法
・ワーク研磨装置及び電子デバイス用基板に関し、課題
を解決するための各手段について、図１及び図３を参照
してして詳細に説明する。本発明の手段（１）によれ
ば、研磨工程において、ワーク１０の表面が所望の表面
状態（表面粗さ）に達し、ワーク１０の研磨加工が終了
し、上下定盤（１２、１３）の回転が停止する前に、上
定盤１２をワーク１０の厚みよりも小さい範囲で上昇さ
せ、ワーク１０の持っている自重で、上定盤１２とワー
ク１０とを剥離することにより、高精度な表面を維持し
つつ、表面欠陥のないワーク１０を製造することができ
る。ここで、ワークの形状、大きさ、厚み、材料等につ
いては特に限定されない。

【００１５】ワークの形状としては、例えば、矩形状、
円形状、円盤状、ブロック状等何でも良い。例えば、矩
形状のものとしては、マスクブランク用基板（マスクは
フォトマスク、位相シフトマスクを含む。）、液晶パネ
ルディスプレイ用基板、大型マスク用基板など挙げられ
る。また、円形状のものとしては、半導体ウエハー、ガ
ラス基盤ウエハーなど挙げられる。円盤状のものとして
は、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気デ
ィスク用基板など挙げられる。

【００１６】また、ワークの大きさ、厚みは、上記各種
用途の基板によって異なるが、大きさは、小さいもので
はφ６０（□１００）ｍｍ、大きいものでは□１０００
ｍｍでさまざまである。また、厚みも大体０．５ｍｍ〜
１０ｍｍ程度さまざまである。さらにまた、ワークの材
質についても、ガラス、ガラスセラミックス、セラミッ
クス、シリコン、金属（アルミ、チタン、プラチナ
等）、カーボンなど挙げられる。

【００１７】そして、手段（２）に示すように、上定盤
１２の上昇量は、ワーク１０の厚みに対して１／４〜３
／４とすることが好ましい。上定盤１２の上昇量が、ワ
ーク１０の厚みに対して１／４未満の場合、ワーク１０
と接触し易くなるので好ましくなく、また３／４を超え
ると、キャリア１１が回転しているときにワーク１０が
飛び出してしまうことになる（飛び出してしまう危険が
高くなる）ので好ましくない。さらに好ましい上定盤１
２の上昇量は、ワーク１０の厚みに対して１／３〜１／
２とすることが望ましい。

【００１８】また、手段（３）に示すように、上定盤１
２とワーク１０との付着を確実に防止するために、上定
盤１２が上昇する前に、上定盤１２と下定盤１３との回
転数を異ならしめることによって、ワーク１０に働く下
定盤１３側の摩擦抵抗を、上定盤１２側の摩擦抵抗より
も大きくすることで、下定盤１３にワーク１０を付着さ
せて、上定盤１２とワーク１０が付着することを防止し
ている。

【００１９】また、手段（４）に示すように、ワーク１
０に働く下定盤１３側の摩擦力を、上定盤１２側の摩擦
力よりも大きくするには、上定盤１２の回転数を、下定
盤１３の回転数よりも大きくすることによって達成され
る。具体的には、手段（５）に示すように、下定盤１３
の回転数に対する上定盤１２の回転数の比率を、１：４
以上、好ましくは手段（６）に示すように、１：４〜７
にする。下定盤１３の回転数に対する上定盤１２の回転
数の比率が、１：４未満の場合、剥離成功率が低下する
ので好ましくなく、１：７．５を超える場合、ワーク表
面の粗さ制御（コントロール）がしにくくなるので好ま
しくない。上定盤１２が上昇する際の上定盤１２・下定
盤１３の回転数は、研磨加工条件によって適宜選定され
る。例えば、上定盤１２の回転数は、２０〜４８ｒｐｍ
程度、下定盤１３の回転数は、３〜１２ｒｐｍ程度とす
る。好ましくは、上定盤の回転数は２０〜３０ｒｐｍ程
度、下定盤の回転数は５〜８ｒｐｍ程度、が望ましい。

【００２０】また、これらの研磨加工は、特にワーク１
０の表面粗さＲＭＳ（二乗平均平方根粗さ）が０．４ｎ
ｍ以下（手段（７））、さらには０．２ｎｍ以下にする
研磨工程において、有効である。このような、ワーク１
０の表面粗さが高精度に研磨されている状態では、上定
盤１２とワーク１０が引っ付きやすくなるからである。
また、表面粗さが高精度な研磨を目的としないもの、ま
たそのような段階にない状態にあるものについては、ワ
ーク１０にスクラッチや傷が多少ついても問題にならな
いことがあるからである。

【００２１】また、このような高精度に研磨する際に使
用する研磨砥粒は特に制限はない。炭化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化マ
ンガン、コロイダルシリカ等挙げられる。ワークの材
質、所望の表面粗さによって適宜選択される。

【００２２】また、手段（９）に示すように、ワーク１
０は、高精度な表面状態が要求される電子デバイス用基
板の場合に有効である。電子デバイス用基板とは、上記
に挙げたマスクブランクス用基板、液晶ディスプレイ用
基板、半導体ウエハー、磁気ディスク用基板、光ディス
ク用基板、光磁気ディスク用基板などである。その中で
も特に、ワーク１０の自重によって定盤からの剥離の効
果のあるマスクブランクス用基板、液晶ディスプレイ用
基板、大型マスク用基板が有効である。

【００２３】また。手段（１０）に示すように、キャリ
ア１１に保持されたワーク１０が、太陽歯車２０の周り
を自転しながら公転して研磨される研磨方法に利用する
ことにより、高平坦度化、粗さ制御などができるので特
に好ましい。尚、キャリア１１に保持するワーク１０の
数については、特に限定されない。上下の定盤（１２、
１３）の大きさ、キャリア１１の大きさ、太陽歯車２
０、内歯歯車２１のサイズによって適宜選択される。

【００２４】また、手段（１１）に示すように、研磨加
工終了前であって上下定盤（１２、１３）の回転を停止
する前に、上定盤１２を上下させる昇降手段によって上
定盤１２を所定量だけ上昇させる制御手段を有する研磨
装置であるので、上定盤１２と研磨後のワーク１０とを
確実に剥離することができるワーク研磨装置を提供する
ことができる。この研磨装置により、高精度な表面を維
持しつつ、表面欠陥のないワークを製造することが可能
となる。ここで、上下定盤（１２、１３）、回転駆動手
段、回転数可変手段、昇降手段は、公知のものを利用す
ることができる。これらの個々の説明については実施例
にて詳述する。本発明の特徴である、「研磨加工終了前
であって上下定盤の回転を停止する前に、上定盤を上昇
させる昇降手段によって上定盤を所定量上昇させる制
御」は、例えばシーケンス制御によって行われる（図２
参照）。シーケンス制御の仕方については後述する。

【００２５】また、手段（１２）に示すように、上定盤
１２を昇降手段によって所定量の分を上昇させる際、上
定盤１２を下定盤１３の面と実質的に平行の状態で保持
する平行保持手段が設けられているので、基板の剥離工
程において、複数のワークでも均等に剥離できるという
利点を有する。この平行保持手段には、回転軸をシリン
ダーなどで引っ張って固定するロック用シリンダー３４
を利用する手段があり、調整手段としては、例えば、ネ
ジ方式・固定方式・くさび方式といったものなどを使用
することができる。

【００２６】また、手段（１３）に示すように、キャリ
ア１１に保持されたワーク１０を、太陽歯車２０の周り
を自転しながら公転して研磨する両面研磨装置を利用す
ることにより、形状制御コントロールができるので特に
好ましい。

【００２７】また、手段（１４）に示すように、電子デ
バイス用基板（すなわち、ワーク１０のこと）が対向す
る一対の主表面を有し、この主表面の表面粗さがＲＭＳ
で０．４ｎｍ以下であり、且つ、両主表面の表面粗さを
異ならせることにより、表面膜付着強度制御、ワーク応
力コントロール、という効果を有する。また、この表面
粗さは、曇り・はけ目という点から、ＲＭＳで０．２ｎ
ｍ以下が好ましい。

【００２８】具体的には、この電子デバイス用基板は、
上下定盤（１２、１３）を有する両面研磨装置によっ
て、上定盤１２側の方が下定盤１３側より表面粗さが大
きくなるように研磨加工される。その表面粗さの値は、
下定盤１３側の表面粗さＲＭＳに対する上定盤側の表面
粗さＲＭＳの比が、０．８５以上１未満とする。電子デ
バイス用基板（ワーク１０）に上述のような表面状態を
形成するには、前記手段１〜１０に記載されたワーク研
磨方法によって達成することができる。

【００２９】以下、「実施の形態」について、さらに詳
細に説明する。本発明は、研磨加工工程において、ワー
クの表面が所望の表面粗さに達し、ワークの研磨加工が
ほぼ完了した段階で、研磨装置における上定盤が設定速
度で回転している状態で、上定盤を所定量上昇させてワ
ークの自重で上定盤とワークとを剥離させることによ
り、高精度な基板表面を有するワークを製造するもので
ある。

【００３０】そしてさらに、上定盤とワークとの付着を
確実に防止するために、上述した上定盤の上昇の前に、
上定盤の回転数を下定盤の回転数に比べて速くすること
で、ハイドロプレーン現象によって、研磨加工がなされ
ているワークに対して、ワーク上面と上定盤間で発生す
る摩擦力を、ワーク底面と下定盤とで発生する摩擦力よ
りも小さくすることで、下定盤にワークを付着させて、
上定盤とワークとが付着するのを確実に防止でき、高精
度な基板表面を有するワークをさらに歩留まり良く製造
するものである。

【００３１】即ち、ワークの自重で上定盤とワークとを
剥離させるためには、研磨装置における昇降手段を使用
して、ワークに対する研磨加工がほぼ終了した時点で上
定盤を微小量浮上させる。ここで例えば、上定盤１２の
具体的な浮上（上昇）の仕方としては、以下のように行
う。

【００３２】一般に、複数のワーク１０においては微小
な厚みの差があり、研磨加工中において、すべてのワー
ク１０の上面が上定盤１２の研磨布１２ａと接触させる
ために、上定盤１２は回転方向に対する上下方向をフリ
ーな状態にさせ、上下定盤（１２、１３）が回転される
ことでワーク１０の研磨加工を行っている。このような
状況において、上定盤１２を（微小量）上昇させる際に
は、ある程度上定盤１２の安定な回転が確保されている
状態で行うことが好ましく、下定盤１３の面と実質的に
平行の状態で保持する平行保持手段を有して構成すると
よい。従ってこのためには、浮上剥離を行う上定盤１２
の上昇時に、上定盤１２の安定的な回転を確保するため
に、固定手段により上定盤１２をロックさせるとよい。

【００３３】つまり、ワーク１０に対して研磨加工がほ
ぼ終了した時点で、上定盤ロック用シリンダー３４等に
よって上定盤１２を微小量（ワーク１０の上面からの浮
上量＜キャリア１１板厚寸法を満たす所定量、若しく
は、さらに、キャリア１１上面からの上定盤１２までの
距離＜ワーク１０板厚寸法を満たす所定量）浮上させ、
上定盤１０をロックさせ、上定盤１２が下定盤１３と平
行な状態で回転されるように平行保持手段を具備させ
て、回転動作を安定化させる。

【００３４】さらに、引き続いて、ワーク１０がキャリ
ア１１のワーク保持部１１ａ（保持孔）から飛び出さな
い程度、上定盤１２を上昇させて、ワーク１０の自重に
よりワーク１０による下定盤１３方向へ働く吸着力を利
用して、ワーク１０を下定盤１３に付着させる。このよ
うに、上下定盤（１２、１３）が回転中、上定盤１２を
所定量上昇させることによって、ワーク１０が上定盤１
２へ付着することを防止できる。

【００３５】そしてさらに、ワーク１０の自重におい
て、ワーク１０から下定盤１３方向への重力が働きにく
い比較的ワークの自重が小さい場合や、さまざまな研磨
パラメータの関係から研磨加工中にワークが上定盤１２
に付着しやすい場合には、上定盤１２の回転数を下定盤
１３の回転数と比べて速くする。具体的には、上定盤１
２を上述のように微小量浮上させる前に、上定盤１２の
回転数／下定盤１３の回転数を、例えば４〜７にするこ
とによってどのような状況においても、上定盤１２とワ
ーク１０との付着を確実に防止することができる。

【００３６】このように、上定盤を上昇させ、上下定盤
の回転数比を変化させるには、研磨装置におけるシーケ
ンサ（図２参照）のシステムにおいて、これらの機能を
達成するプログラムを研磨加工動作に関連するプログラ
ムに付加することにより行われる。即ち、研磨装置にお
けるシーケンサにおいて、研磨加工プログラムのほか
に、上定盤を上昇させる初期リフトプログラム、微小リ
フトプログラムを有する浮上剥離プログラムを組み込
む、若しくは、さらに前記初期リフトプログラムの前に
起動させる上下定盤回転数変化プログラムを組み込むこ
とで、本発明の目的を達成する。

【００３７】以下、本発明のワーク研磨装置・ワーク研
磨方法に関する実施例として、さらに具体例を挙げて詳
細に説明する。「本発明のワーク研磨装置」についてまず、本発明によるワーク研磨装置を、図１〜３を用い
てさらに説明する。本発明によるワーク研磨装置は両面
研磨装置であって、大きく分けて研磨機Ｂ（研磨加工
部）と、研磨機Ｂを制御するシーケンサＡとから構成さ
れている。

【００３８】研磨加工部Ｂは、研磨布１３ａが上面に貼
りつけられた下定盤１３と、研磨布１３ａが貼りつけら
れた面に対し下定盤１３の中心に垂直な軸を回転軸とし
て回転させるための下定盤回転駆動装置４０、研磨布１
２ａが下面に貼りつけられた上定盤１２と、研磨布１２
ａが貼りつけられた面に対し上定盤１２の中心に垂直な
軸を回転軸として回転させるための上定盤回転駆動装置
３０、上定盤１２を昇降させる昇降手段、上定盤１２を
下定盤１３の面とを平行保持させるために固定する固定
手段、ワーク１０を保持するためのワーク保持部１１ａ
（保持孔）が設けられ、外周部にギアが形成されたキャ
リア１１と、キャリア１１のギアに噛合される太陽歯車
２０と、太陽歯車２０を回転駆動させるための太陽歯車
回転駆動装置４１、キャリア１１のギアに噛合され、太
陽歯車２０の外周に位置する内歯歯車２１、内歯歯車２
１を回転駆動させるための内歯歯車回転駆動装置２２を
有するものである。ここで、下定盤回転駆動装置４０、
上定盤回転駆動装置３０、昇降手段、固定手段、太陽歯
車回転駆動装置４１、内歯歯車回転駆動装置２２には、
それぞれを駆動する駆動モータが備えられている。

【００３９】以下、研磨加工部Ｂの各構成について説明
する。（図２参照）下定盤１３は、その上面に研磨布１３ａが貼りつけられ
ている。下定盤１３の回転数及び回転開始・終了の制御
は、シーケンサＡによって行われる。シーケンサＡから
バスＣを介して伝送された駆動信号に基づいて、下定盤
駆動装置４０における下定盤用駆動モータ４０'が駆動
し、下定盤駆動軸４２が回転することで、自転回りで回
転駆動される。また、下定盤１３の回転においては、加
工動作プログラムＰ１０から上下定盤回転数変化プログ
ラムＰ２１への移行にもとづき、回転数変化命令がシー
ケンサＡからバスＣを介して下定盤用駆動装置（モー
タ）４０に発信され、所定のタイミングにて所定の回転
数に下定盤１３が回転する。

【００４０】上定盤１２は、下定盤１３の上方位置に同
軸状に対向配置され、その下面に同じく研磨布１２ａが
貼りつけられている。上定盤１２の回転数及び回転開始
・終了の制御は、シーケンサＡによって行われる。シー
ケンサＡからバスＣを介して伝送された駆動信号に基づ
いて、上定盤回転駆動装置３０における上定盤用駆動モ
ータ３０'が駆動し、上定盤駆動軸３１が回転すること
で自転回りで回転駆動される。また、上定盤の回転数に
おいては、上下定盤回転数変化プログラムＰ２１が実行
される場合には、シーケンサＡからの駆動信号に基づい
て、加工動作プログラムＰ１０の終了に伴って、上下定
盤の駆動系に対し、それぞれの回転についての回転数変
化命令が出され、上下定盤の回転が制御される。このと
き、上下定盤回転数変化プログラムＰ２１での上下定盤
の回転数、回転開始・終了タイミングが制御されて、上
下定盤の回転がそれぞれ同じタイミングで制御されるこ
とで、上定盤の回転数を下定盤の回転数よりも大きくす
る。

【００４１】即ち、研磨装置においては、ハイドロプレ
ーン現象によりワークに対して研磨加工が行われてお
り、このような研磨工程においては、ワーク上面と底面
それぞれに摩擦力が加えられているが、上下定盤の回転
数を異ならせて、ワークの上面と底面とに加わる摩擦力
を互いに異なるようにすることで、ワークを下定盤に吸
着させることができ、ワークが上定盤に付着するという
事態を防止することができる。

【００４２】また、この上定盤１２にはロック用シリン
ダー３４、サーボモータ３７等の昇降手段が接続されて
おり、加工動作プログラムＰ１０作動時における上定盤
１２の下降、初期リフトプログラムＰ２２や微小リフト
プログラムＰ２３における上定盤１２の上昇、研磨終了
時の上定盤１２の上昇など、上定盤１２を昇降させるこ
とができる。また、上定盤１２の上昇・下降動作もシー
ケンサＡからの駆動信号に基づいて行われる。この駆動
信号がバスＣを介して研磨機Ｂに伝送され、加工動作プ
ログラムＰ１０作動時における上定盤１２の下降タイミ
ング、下降量、初期リフトプログラムＰ２２作動時及び
微小リフトプログラムＰ２３作動時における上定盤１２
の浮上タイミング、及び浮上量等が制御される。

【００４３】太陽歯車２０は、上下定盤（１２、１３）
間において定盤の軸芯位置に位置されており、シーケン
サＡからの駆動信号によりその動作が制御されるもので
あって、その回転数、起動及び駆動終了タイミング等の
動作が制御された状態で、太陽歯車回転駆動装置４１に
ある太陽歯車用駆動モータによって自転回りで回転駆動
されるものである。

【００４４】内歯歯車２１は、太陽歯車２０の径方向外
方位置に、太陽歯車２０との間に上下定盤（１２、１
３）が進出状態に配置されうるドーナツ状のスペースを
おいて太陽歯車２０と同心状に配置されている。内歯歯
車２１は、シーケンサＡからの駆動信号によりその動作
が制御されるものであって、その回転数、起動及び駆動
終了タイミング等の動作が制御された状態で、内歯歯車
回転駆動装置２２にある内歯歯車用駆動モータによって
回転駆動されるものである。尚、この内歯歯車２１は固
定状態に配置しても構わない。

【００４５】キャリア１１は、薄板状外歯歯車によるも
ので、太陽歯車２０と内歯歯車２１との間のドーナツ状
スペース内に１個ないし複数個配置され、太陽・内歯の
両歯車に噛合されている。尚、キャリア１１には、ワー
ク形状よりも若干大きな保持孔（ワーク保持部１１ａ）
が１個ないし複数個設けられている。また、キャリア１
１の厚さは、ワーク１０の厚さよりも薄く形成され、保
持孔（ワーク保持部１１ａ）内にワークを配置した状態
でその保持孔の外方に突出しうるようになされている。
このキャリア１１は、研磨加工工程では、ワーク１０を
載置した状態で太陽歯車２０と内歯歯車２１によって自
転・公転して回転され、ワーク１０は、上下定盤の回転
により表面を同時に研磨加工される。

【００４６】昇降手段は、上定盤１２を下定盤１３に対
し上昇・下降させるものである。上定盤ロック用シリン
ダー３４は、シーケンサＡからの駆動信号を受けて作動
され、押し上げられるものであって、これによって上定
盤用ロック用シリンダ３４内における空気圧が調整さ
れ、それに連動して上定盤を浮上させるものである。こ
の上定盤用ロック用シリンダ３４は、初期リフトプログ
ラムＰ２２において作動する。また、サーボモータ３７
は、初期リフトプログラムＰ２２の後に実行される微小
リフトプログラムＰ２３における上定盤１２の上昇を駆
動するモータである。サーボモータ３７の駆動制御は、
微小リフトプログラムＰ２３への移行にともなって、シ
ーケンサＡにおける駆動部Ａ１１からの駆動信号がバス
Ｃを介して研磨機Ｂに伝送され、この駆動信号に基づい
てサーボモータ３７が駆動し、上定盤１２を微小量上昇
させる。

【００４７】上定盤を下定盤の面と実質的に平行の状態
で保持する平行保持手段は、浮上剥離プログラムＰ２１
において、上定盤の回転を安定化させるものである。こ
の平行保持手段は、公知のものを使用することができ
る。例えば、平行保持手段としては、上定盤１２を下定
盤１２とを平行な状態にするためのプレート３３、上定
盤１２の微小浮上量の調整と、上定盤１２と下定盤１３
の水平状態を決定するロック部材３６、ストッパー３２
などの締結部材を用いる固定手段を利用するとよい。

【００４８】ロック部材３６は、図１においては１部材
しか図示していないが、プレート３３上に複数設けられ
ているものであって、プレート３３から上側に突出させ
るロックボルト部３５の長さがワーク１０の厚みに応じ
て可変とされるものである。即ち、ワーク１０の厚みに
応じて使用するキャリア１１の厚みが決まるが、初期リ
フトプログラムＰ２２におけるロックボルト部３５での
上定盤１２の浮上量は、上定盤１２のキャリア１１厚み
とワーク１０の厚みに基づいて設定される。即ち、ワー
ク１０上面からの上定盤１２の浮上量は、キャリア１１
の板厚寸法よりも小さく、キャリア１１上面からの上定
盤１２までの距離は、ワーク１０板厚寸法よりも小さく
する。

【００４９】そして、ストッパー３２が本発明の研磨装
置においては固定されて設けているので、ストッパー３
２とロックボルト部３５の先端との距離が浮上量とされ
ることになる。ワーク１０の厚みに応じて、研磨加工開
始前の研磨装置の調整段階で、このロックボルト部３５
において、プレート３３上部に突出させる長さを調整す
る。ここで、ストッパー３２は、その底面が平滑であっ
て、下定盤１３と平行に配置されて設けられ、下定盤１
３とストッパー３２との距離は、ストッパー３２の底面
上におけるいずれの位置からも均一となるようなものを
選定する。

【００５０】次に、シーケンサＡについて以下に説明す
る。シーケンサＡは、データ処理部Ａ１２と、プログラ
ム格納部ＡＰと、下定盤回転駆動装置４０、上定盤回転
駆動装置３０、昇降手段、太陽歯車回転駆動装置４１、
内歯歯車回転駆動装置２２の各モータに対して駆動制御
信号を発信する駆動部Ａ１１と、を有する駆動制御部Ａ
１０と、モニタ表示部Ａ２１とデータ入力部Ａ２２とを
有する操作モニタ部Ａ２０と、を有するものである。

【００５１】本発明のワーク研磨装置において、動作制
御部Ａ１０における駆動部Ａ１１は、上下定盤（１２、
１３）・太陽歯車２０・内歯歯車２１に対する駆動制御
を行うために、それぞれ、上定盤用駆動モータ３０'・
下定盤用駆動モータ４０'・太陽歯車用駆動モータ２０
・内歯歯車用駆動モータ２２・上定盤のロック用シリン
ダー３４に対して各駆動信号を送出する機能を有するブ
ロックである。

【００５２】以下に、駆動部Ａ１１から発せられる各駆
動信号について説明する。上定盤１２は、加工動作工程
及び浮上剥離工程において動作が制御されるが、上定盤
１２を制御する上定盤用駆動モータ３０'に対しては、
駆動部Ａ１１より上定盤駆動信号が発信され、上定盤駆
動軸３１、サーボモータ３７が駆動制御される。加工動
作プログラムＰ１０、上下定盤回転数変なプログラムＰ
２１に基づいて、上定盤駆動軸３１に対して、上定盤１
２の回転開始及び、終了の制御、所定の回転数・所定の
方向での上定盤１２の回転駆動の制御を行う。

【００５３】下定盤用駆動モータ４０'に対しては、駆
動部Ａ１１より下定盤１３駆動信号が発信され、加工動
作プログラムＰ１０、上下定盤回転数変化プログラムＰ
２１に基づいて、下定盤駆動軸４２に対して、下定盤１
３の回転開始及び、終了の制御、所定の回転数・所定の
方向での下定盤１３の回転駆動の制御を行う。

【００５４】また、浮上剥離プログラムＰ２１におい
て、上下定盤回転数変化プログラムＰ２１が実行される
場合には、加工動作プログラムＰ１０が終了するととも
に、上定盤用駆動モータ３０'及び下定盤用駆動モータ
４０'に対して上定盤駆動信号・下定盤駆動信号が発信
され、上下定盤駆動軸（３１、４２）が制御されて、上
下定盤回転数変化プログラムＰ２１において設定された
値に基づき、上下定盤の回転数、上下定盤の回転開始タ
イミング及び終了タイミングの制御がなされる。

【００５５】太陽歯車用駆動モータ４１'に対しては、
駆動部Ａ１１より太陽歯車駆動信号が発信され、太陽歯
車２０の駆動開始及び、終了の制御、所定の回転数・所
定の方向での太陽歯車２０の回転駆動の制御を行う。内
歯歯車用駆動モータ２２'に対しては、駆動部Ａ１１よ
り内歯歯車駆動信号が発信され、内歯歯車２１の駆動開
始及び、終了の制御、所定の回転数・所定の方向での内
歯歯車２１の回転駆動の制御を行う。

【００５６】上定盤ロック用シリンダー３４は、浮上剥
離プログラムＰ２０における初期リフトプログラムＰ２
２に基づく駆動が行われる。加工動作プログラムＰ１０
直後若しくは上下定盤回転数変化プログラムＰ２１が実
行される場合には、その上下定盤回転数変化プログラム
Ｐ２１の後に実行される初期リフトプログラムＰ２２へ
の移行に伴って、ロック用シリンダー３４の駆動信号が
発信される。駆動信号により、上定盤回転中の上昇タイ
ミング、上定盤がロックされるまでの上定盤の上昇量が
コントロールされる。

【００５７】また、サーボモーター３７は、浮上剥離プ
ログラムＰ２１における、微小リフトプログラムＰ２３
に基づく駆動が行われるものであって、初期リフトプロ
グラムＰ２２から微小リフトプログラムＰ２３への移行
に伴って、サーボモータ駆動信号が発信され、サーボモ
ータ３７により上定盤回転中での上昇タイミング及び上
定盤上昇量、回転方向が制御される。

【００５８】データ処理部Ａ１２は、操作モニタ部Ａ２
０におけるデータ処理システムによって処理された所定
の各研磨パラメータデータの授受を行って、それらのデ
ータに対して信号処理を行うものである。つまり、これ
らの研磨パラメータデータと関係するプログラムを、プ
ログラム格納部からロードし、ロードされた各プログラ
ムに対して、操作モニタ部Ａ２０において処理された研
磨パラメータデータに基づいて、各プログラムに対して
所望の研磨パラメータデータが取りこまれた研磨システ
ムを構築し、駆動部Ａ１１に対して各種制御信号を送出
することで、研磨機Ｂ（研磨加工部）のコントロールを
行うものである。つまり、データ処理部Ａ１２は、プロ
グラム格納部ＡＰから転送されたプログラムに対して、
操作モニタ部Ａ２０によって処理されたデータを組み込
んだプログラムを実行することで、プログラム格納部Ａ
Ｐに格納された、例えば、加工動作プログラムＰ１０及
び浮上剥離プログラムＰ２０を実行し、これらのプログ
ラムに基づいた動作命令を駆動部Ａ１１に対して行うも
のである。以上述べた駆動部Ａ１１、プログラム格納部
ＡＰ、データ処理部Ａ１２のような動作制御部Ａ１０
は、マイクロプロセッサ等のＬＳＩにて、１チップ上に
構成することができる。

【００５９】動作制御部Ａ１０におけるプログラム格納
部ＡＰは、研磨加工及びワーク１０の上定盤１２への付
着防止を目的とした上定盤の上昇を含む一連の研磨工程
において起動される研磨システムを実行するために、各
種プログラムを格納する機能を有するものであって、例
えば、加工動作プログラムＰ１０、初期リフトプログラ
ムＰ２２、微小リフトプログラムＰ２３、上下定盤回転
数変化プログラムＰ２１を含む浮上剥離プログラムＰ２
０等、研磨装置として必要なプログラムが格納されてい
る。

【００６０】操作モニタ部Ａ２０は、主としてデータ入
力部Ａ２２と、モニタ表示部Ａ２１とを有するものであ
って、研磨装置における研磨条件の各パラメータとなる
事項に対して初期設定を行うことを可能とし、また研磨
加工を開始しても、キー操作によって、各プログラムへ
の割り込みを行うことで、研磨条件を研磨加工の途中で
変更することを可能とする。

【００６１】研磨加工開始前の各研磨パラメータの設定
においては、プログラム格納部ＡＰに格納された初期設
定用プログラムが研磨条件をコントロールする各種のプ
ログラムとリンクしており、各研磨パラメータをそれぞ
れ設定できるようにプログラミングされているので、初
期設定用プログラムに基づいて、研磨加工工程での各パ
ラメータ設定項目がモニタ表示部Ａ２１に表示される。
よって、作業者が、モニタ表示部Ａ２１に表示された表
示項目を見ながら、データ入力部Ａ２２から入力キーを
操作することによって各研磨パラメータに対し、所望の
研磨パラメータデータを外部から入力可能にするもので
ある。このことによって、外部から入力された各研磨パ
ラメータデータは、シーケンサＡ内部に取りこまれ、デ
ータ処理部Ａ１２に各入力データが転送され、信号処理
が行われて、モニタ表示部Ａ２１にて入力された研磨パ
ラメータデータと関係する各プログラムが、プログラム
格納部ＡＰからデータ処理部Ａ１２に転送され、研磨パ
ラメータデータに基づいて研磨加工が行われるようにし
ている。

【００６２】操作モニタ部Ａ２０は、ＯｆｆｉｃｅＳ
ｙｓｔｅｍ（ＯＳ）にてデータ処理が行われるものであ
って、各研磨パラメータを容易に、入力キーにて入力
し、入力された各研磨パラメータデータを、内臓された
データ処理システムによりデータ処理し、データ処理さ
れた信号がデータ処理部Ａ１２へ送出され、それに基づ
いた研磨システムが実行される。例えば、研磨パラメー
タデータとしては、上下定盤のそれぞれの回転数、回転
方向（加工動作プログラムＰ１０、浮上剥離プログラム
Ｐ２０）、ワークサイズ、ワークサイズに基づく上定盤
の研磨加工開始時における位置（ワークとの距離）、加
工時間、初期リフトプログラムＰ２２における上定盤の
上昇量、微小リフトプログラムＰ２３における上定盤の
上昇量、加工動作プログラムＰ１０作動時間、浮上剥離
プログラムＰ２０（初期リフトプログラムＰ２２、微小
リフトプログラムＰ２３、上下定盤回転数変化プログラ
ムＰ２１）作動時間、上下定盤・太陽歯車・内歯歯車回
転停止時間、加工終了（上定盤上昇）時間、内歯歯車の
回転数・回転方向、太陽歯車の回転数・回転方向、研磨
剤供給・停止時間等を設定することができる。

【００６３】「本発明のワーク研磨方法」について図４に本発明によるワーク研磨方法のフローチャートを
示す。ここでは、両面研磨を一例に挙げて本発明による
のワーク研磨方法を詳細に説明する。まず、研磨条件を
セットするために、操作モニタ部Ａ２０におけるデータ
入力部Ａ２２へのキー操作により、上述した各研磨パラ
メータデータを入力する。つまり、ワークのサイズ、各
種プログラムの起動・終了の時間設定、太陽歯車、内歯
歯車、上下定盤の回転数設定及び、回転方向の設定、上
定盤の浮上量設定等の研磨パラメータデータをそれぞれ
入力する。（ステップＳ１０１）

【００６４】次に、ワーク収納ケースに収納されている
ワーク１０を、研磨装置のキャリア１１の保持孔（ワー
ク保持部１１ａ）にセットする。（ステップＳ１０２）また次に、研磨パラメータデータに基づき、上定盤１２
が下降し、上定盤１２と下定盤１２によってワーク１０
が挟持される。（ステップＳ１０３）

【００６５】その後、加工動作プログラムＰ１０に基づ
いて、操作モニタ部Ａ２０に入力された研磨パラメータ
データに基づいて、研磨が開始される。尚、このとき、
ワーク上面と上定盤に貼りつけた研磨布１２ａとの間、
ワーク底面と下定盤に貼りつけた研磨布１３ａとの間に
それぞれ研磨液が、研磨供給手段によって供給される。
このようにして、上定盤と下定盤がそれぞれ設定された
回転数・設定された回転方向にて回転され、セットされ
た全ワークに対する研磨加工が開始される。キャリア
は、太陽歯車２０と内歯歯車２１は所定の回転速度で自
転するとともに、公転しながらワーク１０の両面は研磨
される。（ステップＳ１０４）

【００６６】そして、研磨加工開始から操作モニタ部Ａ
２０にて入力された所定時間が経過した後、加工動作プ
ログラムＰ１０が終了し、浮上剥離プログラムＰ２０へ
移行する。ここで、浮上剥離プログラムＰ２０とは、主
として上下上盤回転数変化プログラムＰ２１、初期リフ
トプログラムＰ２２、微小リフトプログラムＰ２３によ
り構成される。初期リフトプログラムＰ２２とは、上定
盤の回転ブレをなくし、下定盤と上定盤とが平行な状態
で回転できるように回転動作を安定化させる目的で行わ
れるものである。微小リフトプログラムＰ２３は、上定
盤の回転が安定した状態で、ワークの上定盤への付着を
防止することを目的で行われるものである。上下定盤回
転数変化プログラムＰ２１は、さらにハイドロプレーン
現象とワークの自重により、ワークの上定盤への付着防
止を確実に行うことを目的として行われるものであり、
特に、ワーク自体の重さで剥離できない程度のサイズの
ワークに適したワークの剥離用プログラムとして最適で
ある。

【００６７】操作モニタ部Ａ２０にてセットされた所定
時間後に、浮上剥離プログラムＰ２０が開始されると、
まず、上下定盤回転数変化プログラムＰ２１が開始され
る。このとき、操作モニタ部Ａ２０にてセットした研磨
パラメータデータである上定盤回転数及び下定盤回転数
に基づいて、上下定盤の回転数を変化させるために、上
下定盤回転数変化プログラムＰ２１開始時に、シーケン
サＡにおける駆動部Ａ１１からそれぞれ駆動信号が発信
されて、上定盤回転駆動装置３０、下定盤回転駆動装置
４０の駆動制御がなされ、上定盤駆動軸３１と下定盤駆
動軸４２の回転がそれぞれ制御されることで、上下定盤
の回転数が研磨パラメータデータにもとづいて変化され
る。（ステップＳ１０５、ステップＳ１０６）

【００６８】尚、上下定盤回転数変化プログラムＰ２１
においては、上定盤回転数が、下定盤回転数よりも大き
くなり、所定時間が経過した後、微小リフトプログラム
Ｐ２３に移行するように設定した。また、浮上剥離プロ
グラムＰ２０においては、上下定盤回転数変化プログラ
ムＰ２１を起動するか否かについては、ワークの自重や
研磨諸条件等により任意に設定することができる。そし
て、操作モニタ部Ａ２０でセットした研磨パラメータデ
ータに基づき、所定時間経過後、初期リフトプログラム
Ｐ２１が開始される。（ステップＳ１０７）

【００６９】初期リフトプログラムＰ２２が起動される
と、所定量（例えば、２〜４ｍｍ）上昇され、上定盤１
０が地面と水平状態にロックされる。このロックによ
り、上定盤は回転しているものの、上定盤の回転におけ
る上下方向の振動がなくなり安定化する。このとき、上
定盤の面と、下定盤の面とは実質的に平行な状態にな
る。このロックは、上定盤の回転ブレをなくす効果だけ
でなく、各ワークごとに研磨される面が下定盤に対して
均一となり、研磨面の面精度を向上させることができ、
ワーク上面の平坦度を向上させる働きもある。（ステッ
プＳ１０８）

【００７０】そして、操作モニタ部Ａ２０でセットした
研磨パラメータデータに基づき、所定時間経過後、上定
盤の回転が安定した後、微小リフトプログラムＰ２３に
移行する。（ステップＳ１０９）微小リフトプログラムＰ２３が起動されると、研磨機Ｂ
におけるサーボモータ３７が起動され、上定盤が所定量
（例えば、１〜３ｍｍ）さらに上昇する。（ステップＳ
１１０）

【００７１】次に、操作モニタ部Ａ２０にてセットした
研磨パラメータデータに基づき、所定時間後、上下定
盤、太陽歯車、内歯歯車の回転を停止するようにシーケ
ンサＡにおける駆動部Ａ１１から駆動信号が発信され
て、各モータが制御され、それぞれの回転が停止する。
（ステップＳ１１１）また次に、上定盤が上昇して、キャリアのワーク保持部
１１ａ（保持孔）にある研磨加工済みワークを回収し、
再びワーク収納ケースに収納する。（ステップＳ１１
２）

【００７２】上記のワーク研磨方法を実施することで、
研磨加工終了時において上定盤からのワークを容易に剥
離することができるとともに、上定盤へのワークの付着
がなくなる。従って、ワーク表面の表面欠陥や、ワーク
の欠け、割れ等もなくなり製品歩留まりが向上する。ま
た、ワーク表面の表面欠陥がないことから、ワーク表面
の平滑性も良好となる。

【００７３】＜実施例１＞上述のワーク研磨方法におい
て、上下定盤回転数変化プログラムＰ２１において、上
下定盤におけるそれぞれの回転数を変化させるにあた
り、下定盤の回転数を一定として、上定盤の回転数を変
化させ、上下定盤の回転方向が逆方向になるようにした
場合について、研磨加工終了時におけるワークの上定盤
への付着状況を調べた。ここでは、上下定盤回転数変化
プログラムＰ２１の実行において、最適な下定盤回転数
と上定盤回転数の比率について検討を行う。尚、ワーク
としては、ラッピング加工済みのマスクブランクス用ガ
ラス基板（６インチ×６インチ×０．２５インチ）を使
用した。

【００７４】図５は、上下定盤回転数変化プログラムＰ
２１において、下定盤回転数を１としたときに、上定盤
回転数をそれぞれ変化させて設定したときの、研磨加工
終了時のワークの剥離成功率を示すものである。図５に
おいて、横軸は、下定盤回転数を１としたときの上定盤
回転数を、縦軸は、ワークの剥離成功率（％）を表して
いる。尚、この剥離成功率は、１キャリア５枚、定盤に
キャリア５枚、計２５枚のワークの研磨加工を１バッチ
とし、計１００バッチの研磨加工を行ったとき、上定盤
にワークの付着が発生したバッチを剥離失敗として、研
磨加工を行った全バッチ（１００バッチ）数に対する剥
離成功の割合を示すものである。

【００７５】図５のように、下定盤回転数１に対し、上
定盤回転数を４以上にすることによって、剥離成功率が
ほぼ１００％になることがわかる。下定盤回転数に対す
る上定盤回転数の比率が４未満になると、剥離成功率が
低下し、比率が１未満（上定盤回転数＜下定盤回転数）
となると、剥離成功率が急激に低下することがわかる。
尚、比率が７を超えた場合、ワーク表面の粗さコントロ
ールがしにくいので実用的ではない。従って、剥離成功
率が向上し、製品の生産における歩留まりを良くするに
は、下定盤の回転数に対する上定盤の回転数の比率を、
１：４以上、好ましくは１：４〜７にすることが望まし
いことがわかる。

【００７６】また、キャリア厚さとワーク板厚との差
と、剥離成功率との関係を調べたところ、キャリア厚さ
とワーク厚さとの差が大きくなるにしたがって、上定盤
からのキャリアに対する荷重が分散しないことにより、
剥離成功率が向上し、製品の生産における歩留まりが向
上することができる。

【００７７】＜実施例２＞ここでは、実施例１の結果に
基づいて、マスクブランクス用ガラス基板の製造方法に
適用した例を示す。「マスクブランクス用ガラス基板の研磨方法」 ○精密研磨工程両面研磨装置の上下定盤に研磨布を貼り付けた後、キャ
リア（板厚５ｍｍ、塩化ビニル製）に、ラッピングした
６インチ×６インチ×０．２５インチのマスクブランク
ス用ガラス基板を３枚セットし、４キャリア分のガラス
基板１２枚を同時に以下の研磨条件で精密研磨した。
尚、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。

【００７８】研磨液：酸化セリウム（平均粒径２〜３μｍ）＋水研磨布：軟質ポリシャ（スウェードタイプ）上定盤回転数：１〜５０ｒｐｍ下定盤回転数：１〜５０ｒｐｍ

【００７９】上述の浮上剥離プログラムが、上下定盤、
太陽歯車、内歯歯車の回転が停止する１０ｓｅｃ前に起
動させることとし、上下定盤回転数変化プログラムにお
いて上定盤の回転数を２５ｒｐｍ、下定盤の回転数を５
ｒｐｍ（下定盤の回転数に対する上定盤の回転数の比率
＝１：５）にし、初期リフトプログラムによる上定盤の
浮上量を２．４ｍｍ、微小リフトプログラムによる上定
盤の浮上量を１．６ｍｍと設定した。研磨加工終了後、
上定盤へのガラス基板の付着状態を確認したところ、上
定盤への付着は発生しなかった。

【００８０】また、ガラス基板に付着した研磨剤を除去
するため、ガラス基板を洗浄槽に浸漬し、洗浄を行っ
た。この得られたガラス基板の表面粗さを原子間力顕微
鏡（ＡＦＭ）で測定したところ、ＲＭＳ（二乗平均平方
根粗さ）で０．３８ｎｍ（上定盤側：０．４０ｎｍ、下
定盤側：０．３６ｎｍ）で、平滑な表面を持つマスクブ
ランクス用ガラス基板が得られた。

【００８１】○超精密研磨工程次に、上記精密研磨工程で得られたガラス基板の表面を
さらに平滑にするため「超精密研磨」を行った。尚、キ
ャリアは精密研磨工程で使ったものと同じものを使用し
た。研磨条件を以下に示す。また、加工荷重、研磨時間
は適宜調整して行った。研磨液：コロイダルシリカ（平均粒径５０〜８０
nｍ）＋水研磨布：超軟質ポリシャ（スウェードタイプ）上定盤回転数：１〜５０ｒｐｍ下定盤回転数：１〜５０ｒｐｍ

【００８２】上述の浮上剥離プログラムが、上下定盤、
太陽歯車、内歯歯車の回転が停止する１０ｓｅｃ前に起
動させることとし、上下定盤回転数変化プログラムにお
いて上定盤の回転数を３０ｒｐｍ、下定盤の回転数を５
ｒｐｍ（下定盤の回転数に対する上定盤の回転数の比率
＝１：６）にし、初期リフトプログラムによる上定盤の
浮上量を２．４ｍｍ、微小リフトプログラムによる上定
盤の浮上量を１．６ｍｍと設定した。研磨加工終了後、
上定盤へのガラス基板の付着状態を確認したところ、上
定盤への付着は発生しなかった。

【００８３】また、ガラス基板に付着した研磨剤を除去
するため、ガラス基板を洗浄槽に浸漬し、洗浄を行っ
た。この得られたガラス基板の表面粗さを原子間力顕微
鏡（ＡＦＭ）で測定したところ、ＲＭＳ（二乗平均平方
根粗さ）で０．１７ｎｍ（上定盤側：０．１８ｎｍ、下
定盤側：０．１５ｎｍ）で、超平滑な表面をもつマスク
ブランクス用ガラス基板が得られた。

【００８４】上述の実施例では、超精密研磨を行った例
を示したが、マスクブランクス用ガラス基板の要求する
表面特性（平滑性）に応じて、超精密研磨を行わなくて
も構わない。また、本発明の研磨方法によって、基板を
上定盤から剥離するために、上定盤と下定盤との回転数
を変えることで、上定盤側の基板表面粗さと下定盤側の
基板表面粗さが異なったが、基板の用途に応じて表面粗
さが異なることで不都合が生じる場合は、以下の実施例
のようにして、基板表面の表面粗さを同等のものにする
こともできる。以下の実施例は、マスクブランクス用ガ
ラス基板の両主表面の表面粗さを同じにする研磨方法の
一例を示す。

【００８５】＜実施例３＞上述の実施例２において、超
精密研磨を行わなかったことと、精密研磨工程におい
て、上下定盤、太陽歯車、内歯歯車の回転が停止する前
２０〜１０ｓｅｃ間に、上定盤の回転数を５ｒｐｍ、下
定盤の回転数を２５ｒｐｍにし、さらに、上定盤にガラ
ス基板が付着しないように、実施例２の条件と同じ浮上
剥離プログラムを実行させた他は、実施例２と同様にし
てマスクブランク用ガラス基板を作製した。その結果、
上定盤へのガラス基板の付着状態を確認したところ、上
定盤への付着は発生しなかったとともに、得られたガラ
ス基板の表面粗さをＡＦＭで測定したところ、ＲＭＳで
上下定盤側ともにほぼ０．３１ｎｍとなり、両主表面の
表面粗さが同じのマスクブランク用ガラス基板が得られ
た。

【００８６】これは、浮上剥離のために行われる上下定
盤の回転数の変化に伴う基板表面の表面粗さの変化を相
殺するために、浮上剥離（のために行われる上下定盤の
回転数の変化（上定盤回転数＞下定盤回転数）を行う前
に、浮上剥離の条件とは逆の回転数の条件（上定盤回転
数＜下定盤回転数）で回転したことにより、表面粗さが
同じにできたものと考えられる。

【００８７】＜比較例１、２＞上記実施例３において、
浮上剥離プログラムを実施しなかったこと（比較例
１）、浮上剥離プログラムを実施しないこと加え、上定
盤に個々のガラス基板の上定盤の付着を防止するため
に、エアーブロー機構を設け、研磨終了時にエアーブロ
ーによるガラス基板の強制的剥離を実施した（比較例
２）こと以外は、実施例３と同様にしてマスクブランク
ス用ガラス基板を作製した。

【００８８】その結果、比較例１では、１２枚中５枚の
ガラス基板が研磨加工終了後、上定盤に付着し、ワーク
の落下によりワークに欠け、割れ、傷が発生した。ま
た、比較例２では、エアーブローによるガラス基板の強
制的な剥離により、エアーブロー吹き付け箇所に、図の
ようなクラック欠陥が発生した。原因を究明したとこ
ろ、研磨剤が固着し、固着した研磨剤がワ−ク表面に強
度に衝突したことによってクラック欠陥となったものと
考えられる。

【００８９】＜参考例＞ここでは、実施例３において、
上下定盤回転数変化プログラムを起動させなかった（上
定盤回転数＝下定盤回転）こと以外は、実施例３と同様
にしてマスクブランクス用ガラス基板を作製した。即
ち、ガラス基板のもつ自重のみの力を利用して上定盤か
らワークを剥離させることを行った。その結果、バッチ
数が増えるに従って、上定盤にガラス基板が付着する確
率が高くなり、５０バッチ経過した時点で、６バッチに
おいてガラス基板の剥離が失敗になったものがあった。
これは、ほぼ図５のデータと一致する結果となった。
尚、上記実施例においては、バッチ数が増えても上定盤
にガラス基板が付着する確率は変化せず、剥離成功率は
１００％であった。

【００９０】上記実施例においては、マスクブランクス
用ガラス基板を例に挙げたが、これに限定されることは
ない。例えば、液晶ディスプレイ用基板、半導体ウエハ
ー、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気デ
ィスク用基板の研磨工程でも適用することが可能であ
る。その場合、基板の大きさにより、上下定盤回転数、
上定盤の浮上量を適宜設定する。

【００９１】また、実施例においては、上下定盤、太陽
歯車、内歯歯車のそれぞれを個別に駆動させる駆動モー
タを有する研磨装置を上げたが、どのような駆動系を有
する研磨装置であっても、制御方法を適宜変更すること
によって、本発明を適用することができる。

【００９２】そしてまた、実施例においては、基板の両
面研磨を行う研磨装置について例を挙げたが、これに限
定されることはなく、基板の片面だけを研磨する研磨装
置にも使用することは言うまでもない。さらにまた、実
施例においては、研磨工程（精密研磨工程、超精密研磨
工程）について適用した例を説明したが、これに限定さ
れることはなく、研削工程（ラッピング工程）にも適用
することができる。そのうえまた、実施例では、上定盤
と下定盤との回転方向が逆方向になるように設定した
が、これに限定されることはなく、同一方向に回転させ
ることもできる。

【００９３】

【発明の効果】このように本発明によれば、次のような
優れた効果を発揮する。なお、ここでの効果の記載は請
求項に対応している。（１）ワーク１０に対し両面研磨加工を行うワーク研磨
方法において、ワーク１０の研磨加工が終了し、上下定
盤（１２、１３）の回転が停止する前に、上定盤１２
を、ワーク１０の厚みよりも小さい範囲で所定量を上昇
させることとしたので、ワーク１０の持っている自重で
上定盤１２とワーク１０とを剥離することにより、高精
度な表面を維持しつつ、表面欠陥のないワーク１０を製
造することができる。

【００９４】（２）このワーク研磨方法において、この
所定量は、ワーク１０の厚みに対して１／４〜３／４と
したので、上定盤１２の上昇量が少なくワーク１０と接
触し易くなることがなく、また上定盤１２の上昇量が大
きすぎてキャリア１１が回転しているときにワーク１０
が飛び出してしまうこともない。

【００９５】（３）このワーク研磨方法において、上定
盤１２の上昇の前に、上定盤１２と下定盤１３の回転数
を異ならしめることによって、ワーク１０に働く下定盤
１３側の摩擦抵抗を、上定盤側１２の摩擦抵抗よりも大
きくしているので、下定盤１３にワーク１０を付着させ
ているものの、上定盤１２とワーク１０とが付着するこ
とを防止している。

【００９６】（４）このワーク研磨方法において、上定
盤１２の上昇の前に、上定盤１２の回転数を下定盤１３
の回転数よりも大きくするので、ワーク１０に働く下定
盤１３側の摩擦力を上定盤１２側の摩擦力よりも大きく
することができる。

【００９７】（５）このワーク研磨方法において、下定
盤１３の回転数に対する上定盤１２の回転数の比率を、
１：４以上とするので、上定盤からのワークの剥離が成
功する確率を示す剥離成功率を高めることができる。

【００９８】（６）このワーク研磨方法において、下定
盤１３の回転数に対する上定盤１２の回転数の比率を
１：４〜７としたので、剥離成功率を低下させることは
なく、しかも粗さ制御コントロールがしにくくなるなど
の心配もない。

【００９９】（７）このワーク研磨方法において、研磨
加工では、ワーク１０の表面粗さＲＭＳ（二乗平均平方
根粗さ）を０．４ｎｍ以下にするので、上定盤１２とワ
ーク１０とが付着しにくくなる。（８）このワーク研磨方法において、ワーク１０の表面
粗さＲＭＳを０．２ｎｍ以下にするので、上定盤１２と
ワーク１０とは（７）よりさらに付着しにくくできる。

【０１００】（９）このワーク研磨方法において、この
ワーク１０として電子デバイス用基板が適用されるの
で、ワーク自重による定盤からの剥離効果の高いマスク
ブランクス用基板、液晶ディスプレイ用基板、大型マス
ク用基板等に対して極めて有効に作用し、実用性が高
く、この分野においては本発明のワーク研磨方法の貢献
度が大きくなる。

【０１０１】（１０）このワーク研磨方法において、キ
ャリア１１に保持されたワーク１０が、太陽歯車２０の
周りを自転しながらさらに公転して研磨されるワーク研
磨方法としたので、高平坦度化、粗さ制御などが容易に
実施でき、極めて実用的なワーク研磨方法が提供でき
る。

【０１０２】（１１）研磨加工終了前であって上下定
盤（１２、１３）の回転を停止する前に、上定盤１２を
上下させる昇降手段によって上定盤１２を所定量だけ上
昇させる制御手段を有するワーク研磨装置としたので、
上定盤１２と研磨後のワーク１０とを確実に剥離するこ
とができる優れた実用性の高いワーク研磨装置を提供す
ることができた。この研磨装置により、高精度な表面を
維持しつつ、表面欠陥のないワークを製造することが可
能となる。

【０１０３】（１２）このワーク研磨装置において、上
定盤１２を昇降手段によって所定量上昇させる際、上定
盤１２を下定盤１３の面と実質的に平行の状態で保持す
る平行保持手段を有して構成したので、ワーク（基板）
の剥離工程において、複数のワークでも均等に剥離でき
るとようになった。

【０１０４】（１３）このワーク研磨装置において、キ
ャリア１１に保持されたワーク１０を、太陽歯車２０の
周りを自転しながら公転して研磨する両面研磨装置とし
て構成したので、形状制御コントロールができるように
なり、極めて精密で実用的なワーク研磨装置が提供でき
る。

【０１０５】（１４）電子デバイス用基板（すなわち、
ワーク１０のこと）において、対向する一対の主表面を
有し、この主表面の表面粗さがＲＭＳで０．４ｎｍ以下
としたうえ、かつ両主表面の表面粗さを異ならせる電子
デバイス用基板として構成したので、表面膜付着強度制
御やワーク応力コントロール等という効果を有する電子
デバイス用基板が市場に提供できる。

【０１０６】（１５）この電子デバイス用基板におい
て、その表面粗さがＲＭＳで０．２ｎｍ以下として構成
したので、定盤とこの電子デバイス用基板とが剥離しや
すくなる表面粗さの具体的な数字が規定されていて実用
的である。

【０１０７】（１６）この電子デバイス用基板におい
て、この基板は上下定盤（１２、１３）を有する両面研
磨装置によって研磨加工されたものであって、上定盤１
２側の方が下定盤１３側より表面粗さを大きくして構成
したので、この電子デバイス用基板は下定盤１３側に付
着しやすくなり、上定盤１２からは剥離し易くなる。

【０１０８】（１７）この電子デバイス用基板におい
て、下定盤１３側の表面粗さＲＭＳに対する上定盤１２
側の表面粗さＲＭＳの比が、０．８５以上１未満となる
よう構成したので、この電子デバイス用基板は下定盤１
３側に付着しやすく、また上定盤１２からは剥離し易く
なるとともに、具体的な数字が規定されていて実用に寄
与するところが大きい。

【０１０９】（１８）この電子デバイス用基板におい
て、この電子デバイス用基板はワーク両面研磨加工によ
って製造されて構成されており、ワーク両面研磨加工に
は、請求項１乃至８の何れか一項に記載のワーク研磨方
法を適用して製造がなされて構成される電子デバイス用
基板としたので、この電子デバイス用基板は、本発明の
構成１〜１０に記載されたワーク研磨方法による製造方
法によって容易にこれらの構成が得られるようになっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるワーク研磨装置の一例を示す断面
による構成図である。

【図２】本発明によるワーク研磨方法及び装置に係るシ
ーケンサと研磨機（研磨加工部）の一例を示す構成図で
ある。

【図３】本発明によるワーク研磨装置の回動(回転)の様
子を示す内部斜視による構成説明図である。

【図４】本発明によるワーク研磨方法及び装置を示すフ
ローチャート図の一例である。

【図５】本発明によるワーク研磨方法及び装置に係る上
下定盤の回転比と剥離成功率との関係を示すグラフ図の
一例である。

【符号の説明】

１０ワーク１１キャリア１１ａワーク保持部（保持孔）１２上定盤１２ａ研磨布１３下定盤１３ａ研磨布１３ａ２０太陽歯車２１内歯歯車２２内歯歯車回転駆動装置３０上定盤駆動装置３１上定盤駆動軸３２ストッパー３３プレート３４ロック用シリンダー３５ロックボルト部３６ロック部材３７サーボモータ４０下定盤駆動装置４１太陽歯車回転駆動装置４２下定盤駆動軸ＡシーケンサＢ研磨加工部（研磨機）Ｃバス

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】キャリアによって保持されたワークを上
下定盤に挟持させ、前記上下定盤をワークの被加工面と
垂直な軸にそれぞれ回転させることにより、前記ワーク
に対し両面研磨加工を行うワーク研磨方法において、前記ワークの研磨加工が終了し、上下定盤の回転が停止
する前に、上定盤を前記ワークの厚みよりも小さい範囲
で所定量上昇させることを特徴とするワーク研磨方法。
【請求項２】請求項１記載のワーク研磨方法におい
て、前記所定量は、ワークの厚みに対して１／４〜３／４と
することを特徴とするワーク研磨方法。
【請求項３】請求項１または２記載のワーク研磨方法
において、前記上定盤の上昇の前に、上定盤と下定盤の回転数を異
ならしめることによって、ワークに働く下定盤側の摩擦
抵抗を上定盤側の摩擦抵抗よりも大きくすることを特徴
とするワーク研磨方法。
【請求項４】請求項１または２記載のワーク研磨方法
において、前記上定盤の上昇の前に、上定盤の回転数を下定盤の回
転数よりも大きくすることを特徴とするワーク研磨方
法。
【請求項５】請求項４記載のワーク研磨方法におい
て、前記下定盤の回転数に対する上定盤の回転数の比率を、
１：４以上とすることを特徴とするワーク研磨方法。
【請求項６】請求項５記載のワーク研磨方法におい
て、前記比率を１：４〜７とすることを特徴とするワー
ク研磨方法。
【請求項７】請求項１乃至６の何れか一項に記載のワ
ーク研磨方法において、前記研磨加工は、ワークの表面粗さＲＭＳ（二乗平均平
方根粗さ）を０．４ｎｍ以下にすることを特徴とするワ
ーク研磨方法。
【請求項８】請求項７に記載のワーク研磨方法におい
て、前記ワークの表面粗さＲＭＳを０．２ｎｍ以下にするこ
とを特徴とするワーク研磨方法。
【請求項９】請求項１乃至８の何れか一項に記載のワ
ーク研磨方法において、前記ワークは、電子デバイス用基板であることを特徴と
するワーク研磨方法。
【請求項１０】請求項１乃至９の何れか一項に記載の
ワーク研磨方法において、その研磨加工は、太陽歯車
と、前記太陽歯車の同心外方部に配置された内歯歯車
と、複数のワーク保持部を有して前記太陽・内歯の両歯
車間に両歯車に噛合状態に配置された外歯歯車状の前記
キャリアと、両面研磨加工のため回転駆動される前記上
下定盤と、を備えて行われ、前記太陽・内歯の両歯車によって前記キャリアが太陽歯
車の周りで自転しながら公転されると共に、前記上下定盤が、前記ワークの両面の研磨加工面を前記
キャリアのワーク保持部に保持されている複数のワーク
に接触状態で回転駆動されることにより、ワークの両面
を研磨加工することを特徴とするワーク研磨方法。
【請求項１１】キャリアに保持されたワークを挟持す
る上下定盤と、前記上下定盤をワークの被加工面に対して垂直な軸を中
心に回転させる回転駆動手段と、前記上下定盤の回転数を独立して変化させることのでき
る回転数可変手段と、前記上定盤を上下させる昇降手段と、を有する、キャリ
アに保持されたワークの両面を研磨加工するワーク研磨
装置であって、研磨加工終了前であって上下定盤の回転を停止する前
に、前記昇降手段によって上定盤を所定量上昇させる制
御手段、を有することを特徴とするワーク研磨装置。
【請求項１２】請求項１１記載のワーク研磨装置にお
いて、前記上定盤を昇降手段によって所定量上昇させる際、前
記上定盤を下定盤の面と実質的に平行の状態で保持する
平行保持手段を備えることを特徴とするワーク研磨装
置。
【請求項１３】請求項１１又は１２記載のワーク研磨
装置において、太陽歯車と、前記太陽歯車の同心外方部に配置された内
歯歯車と、複数のワーク保持部を有して、前記太陽歯車
・内歯歯車の両歯車間に両歯車に噛合状態に配置された
外歯歯車状のキャリアと、両面研磨加工面のため回転駆
動される上下定盤とが備えられ、太陽・内歯の両歯車に
よって前記キャリアが太陽歯車の周りで自転しながら公
転されると共に、上下定盤がワークの両面の研磨加工面
をキャリアのワーク保持部に保持されている複数のワー
クに接触状態で回転駆動されることにより、ワークの両
面を研磨加工する両面研磨装置であることを特徴とする
ワーク研磨装置。
【請求項１４】電子デバイス用基板であって、前記基
板は対向する一対の主表面を有し、前記主表面の表面粗
さがＲＭＳで０．４ｎｍ以下であり、且つ、両主表面の
表面粗さが異なるよう構成されることを特徴とする電子
デバイス用基板。
【請求項１５】請求項１４記載の電子デバイス用基板
において、前記表面粗さがＲＭＳで０．２ｎｍ以下として構成され
ることを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項１６】請求項１４又は１５記載の電子デバイ
ス用基板において、前記電子デバイス用基板は、上下定盤を有する両面研磨
装置によって研磨加工されたものであって、上定盤側の
方が下定盤側より表面粗さが大きくなるよう構成される
ことを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項１７】請求項１６記載の電子デバイス用基板
において、前記下定盤側の表面粗さＲＭＳに対する前記上定盤側の
表面粗さＲＭＳの比が、０．８５以上１未満として構成
されることを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項１８】請求項１４乃至１７の何れか一項に記
載の電子デバイス用基板において、前記電子デバイス用基板はワーク両面研磨加工によって
製造されて構成されており、前記ワーク両面研磨加工には、請求項１乃至８の何れか
一項に記載のワーク研磨方法を適用して製造がなされ、構成されることを特徴とする電子デバイス用基板。