JP2002124550A - テープキャリア及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

テープキャリア及びそれを用いた半導体装置

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JP2002124550A
JP2002124550A JP2000321929A JP2000321929A JP2002124550A JP 2002124550 A JP2002124550 A JP 2002124550A JP 2000321929 A JP2000321929 A JP 2000321929A JP 2000321929 A JP2000321929 A JP 2000321929A JP 2002124550 A JP2002124550 A JP 2002124550A
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resin
semiconductor element
tape carrier
insulating film
resin dam
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JP2000321929A
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Hiroshi Sugimoto
洋 杉本
Tatsuya Otaka
達也 大高
Shigeji Takahagi
茂治 高萩
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Hitachi Cable Ltd
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Hitachi Cable Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector

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  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】レジンダム用樹脂の塗布位置が微妙にずれて
も、半田ボール取付パッドへの樹脂の流れ込みが防止さ
れ、樹脂封止作業の安定性が確保される半導体搭載用配
線テープキャリア及びそれを用いた半導体装置を提供す
ること。 【解決手段】ウインドウホール部31の周囲に存在する
ワイヤボンディングパッド4の外側の隣接領域におい
て、絶縁皮膜2にレジンダム6を形成する基台用部分2
aを確保し、その基台用部分2aの外周縁に沿ってレジ
ンダム流れ防止用の溝8を設け、基台用部分2a上に表
面張力によりレジンダム用樹脂を保持させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子搭載用
配線テープから成るテープキャリア及びそれを用いた半
導体装置に係わり、特に半導体装置の樹脂封止において
液状樹脂封止材を堰止める為のダムとして、上記樹脂封
止材とは別の樹脂を、樹脂封止材塗布範囲外側に設ける
タイプのテープキャリア及びそれを用いた半導体装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、スティフナと称される放熱板兼補
強板の付いたスティフナ付きTAB(Tape Automated B
onding)テープキャリアを用いたテープBGA(Ball G
rid Array )タイプの半導体装置が知られている。この
T−BGA(Tape BGA)半導体装置は、まず、ポリイミ
ド樹脂製絶縁フィルムから成るテープ基材の片面に、半
導体素子接続用のワイヤボンディングパッド、半田ボー
ル取付パッド及び引き回しリードを含む配線回路を形成
し、且つ該配線回路の一部をフォトソルダレジスト(P
SR)から成る絶縁皮膜で絶縁してTABテープキャリ
ア(配線テープ)を構成し、これを接着剤を介して、金
属板の中央部に半導体チップ搭載用の凹部を設けて成る
スティフナと貼り合わせることでスティフナ付きTAB
テープキャリアを構成する。そして、上記スティフナの
凹部に素子固定材を用いて半導体素子を貼り付け、この
半導体素子の電極と配線回路のワイヤボンディングパッ
ドとを金ワイヤから成るボンディングワイヤにて結線
し、さらに半導体素子とボンディングワイヤとを封止樹
脂によって封止すると共に、半田ボール取付パッド上に
半田ボールを搭載することで構成される。
【0003】従来、上記半導体装置における半導体素子
の樹脂封止には、金型を用いて、封止用材料を半導体素
子と共に所定の形状に形成する方式が一般的であった。
ところが、この方式の場合、半導体装置の外形寸法が変
更される度に、封止用金型を新規に製作する必要があっ
た。またこの金型も高価なものであった。
【0004】それに対する簡便な方法として、液状封止
用樹脂で、半導体素子及び半導体素子と外部を電気的に
接続する部分、例えばボンディングワイヤ、ワイヤボン
ディングパット周辺部を、ディスペンサにより埋めてし
まうという方法が採用されている半導体装置がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術で述べ
た、ディスペンサにて液状封止材を塗布する方式の場
合、まず液状封止材が所定の範囲から流れ出さないよう
に、それとは別の樹脂にて流れ防止用の堰を設ける。こ
れを一般的にはレジンダムと呼ぶ。
【0006】このレジンダムは熱硬化性の樹脂を使用
し、塗布時の粘度は200〜500PSで、硬化後は鉛
筆硬度で5H程度となる。レジンダムの形状は通常幅
0.4〜0.6mm程度で、高さは半田ボール直径の半分
以下であり、例えば半田ボールの直径が0.65mmの場
合、0.15から0.3mm程度である。
【0007】しかしながら、このレジンダムも液状であ
るため、封止位置と半田ボール取付パッドが近接する場
合、わずかな塗布位置のズレが発生しても、半田ボール
取付パッドにレジンダム用樹脂もしくは半導体装置封止
用樹脂が入ってしまい、正常な半田ボール接合ができな
くなってしまう。
【0008】そこで本発明の目的は、上記課題を解決
し、レジンダム用樹脂の塗布位置が微妙にずれても、半
田ボール取付パッドへの樹脂の流れ込みが防止され、樹
脂封止作業の安定性が確保される半導体搭載用配線テー
プキャリア及びそれを用いた半導体装置を提供すること
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
【0010】請求項1の発明に係るテープキャリアは、
絶縁フィルムから成るテープ基材の片面に銅箔で配線回
路を形成し、この配線回路の一端部に半導体素子接続用
のワイヤボンディングパッドを形成するとともに、他端
部に半田ボール取付パッドを形成し、半田ボール取付パ
ッドの領域の配線回路面上に絶縁皮膜を形成し、さらに
半導体素子とワイヤボンディングなどの電気的接続を行
うための接続用ウインドウホール部を形成した半導体素
子搭載用配線テープキャリアにおいて、前記絶縁皮膜に
は、前記ウインドウホール部の周囲に存在するワイヤボ
ンディングパッドの外側の隣接領域に、レジンダムを形
成する基台用部分を確保し、その基台用部分の外周縁に
沿ってレジンダム流れ防止用の溝を設けたことを特徴と
する。
【0011】請求項2の発明に係るテープキャリアは、
請求項1記載のテープキャリアにおいて、前記レジンダ
ム流れ防止用の溝の断面形状を、溝の開口側が溝底より
狭い形になるように形成したことを特徴とする。
【0012】請求項3の発明に係る半導体装置は、請求
項1又は2記載のテープキャリアを使用し、そのテープ
キャリアに接着剤を介してスティフナを貼りつけ、該ス
ティフナに設けた凹部に半導体素子を搭載し、この半導
体素子の電極と前記ワイヤボンディングパッドとをボン
ディングワイヤにて電気的に接続し、前記絶縁皮膜の基
台用部分上にレジンダム用樹脂を設けてレジンダムを形
成し、前記半導体素子、ボンディングワイヤ及びワイヤ
ボンディングパット周辺部を液状封止用樹脂で埋め、さ
らに半田ボール取付パッドに半田ボールを設けたことを
特徴とする。
【0013】請求項4の発明に係るテープキャリアは、
絶縁フィルムから成るテープ基材の片面に銅箔で配線回
路を形成し、この配線回路の一端部に半導体素子接続用
のワイヤボンディングパッドを形成するとともに、他端
部に半田ボール取付パッドを形成し、半田ボール取付パ
ッドの領域の配線回路面上に絶縁皮膜を形成し、さらに
半導体素子とワイヤボンディングなどの電気的接続を行
うための接続用ウインドウホール部を形成して半導体素
子搭載用配線テープを構成し、その半導体素子搭載用配
線テープの下部に接着剤を介して、スティフナを貼付け
た半導体素子搭載用配線テープキャリアにおいて、前記
絶縁皮膜には、前記ウインドウホール部の周囲に存在す
るワイヤボンディングパッドの外側の隣接領域に、レジ
ンダムを形成する基台用部分を確保し、その基台用部分
の外周縁に沿ってレジンダム流れ防止用の溝を設けたこ
とを特徴とする。
【0014】請求項5の発明に係るテープキャリアは、
請求項4記載のテープキャリアにおいて、前記レジンダ
ム流れ防止用の溝の断面形状を、溝の開口側が溝底より
狭い形になるように形成したことを特徴とする。
【0015】請求項6の発明に係る半導体装置は、請求
項4又は5記載のテープキャリアを使用し、そのスティ
フナに設けた凹部に半導体素子を搭載し、この半導体素
子の電極と前記ワイヤボンディングパッドとをボンディ
ングワイヤにて電気的に接続し、前記絶縁皮膜の基台用
部分上にレジンダム用樹脂を設けてレジンダムを形成
し、前記半導体素子、ボンディングワイヤ及びワイヤボ
ンディングパット周辺部を液状封止用樹脂で埋め、さら
に半田ボール取付パッドに半田ボールを設けたことを特
徴とする。
【0016】<発明の要点>本発明のテープキャリア又
は半導体装置の特徴は、ウインドウホール部の周囲に存
在するワイヤボンディングパッドの外側の隣接領域にお
いて、絶縁皮膜にレジンダムを形成する基台用部分を確
保し、その基台用部分の外周縁に沿ってレジンダム流れ
防止用の溝を設けたことにある。即ち、半導体装置が構
成された場合、半導体素子の封止樹脂堰止め用樹脂の堰
止めとして設ける樹脂(レジンダム)を設けた範囲に沿
って、配線回路面上に設けた絶縁皮膜に溝を設けたこと
にある。
【0017】この構成によれば、レジンダム用樹脂は絶
縁皮膜の基台用部分上に表面張力で乗ることになり、半
田ボール取付パッド側への流れ込みを阻止する力が生ま
れる。従って、溝が無い場合と比較して、レジンダムの
塗布位置が多少ずれても、もしくは塗布量が多めであっ
ても、表面張力作用により基台用部分上に保持され、半
田ボール取付パッドへレジンダム用樹脂が流れ込まな
い。よって本発明によれば樹脂封止作業の安定性を確保
した半導体搭載用テープキャリア及び半導体装置を製造
することができる。
【0018】上記から明らかなように、本発明は溝にレ
ジンを落とすことを目的とするものではなく、表面張力
を利用したものであり、塗布面と樹脂との接触角度を大
きくする点に特徴がある。従って、請求項2又は4の発
明のように、レジンダム流れ防止用の溝の断面形状を、
溝の開口側が溝底より狭い形になるように形成すること
により、さらに塗布面と樹脂との接触角度を大きくする
ことができ、これにより多くの表面張力を利用すること
が可能になる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
【0020】<第1の実施形態>図1、図2に示すよう
に、ポリイミド樹脂製絶縁フィルムから成るテープ基材
1の片面に銅箔で配線回路30を形成し、この配線回路
30の一端部に半導体素子接続用のワイヤボンディング
パッド4を形成するとともに、他端部に半田ボール取付
パッド3を形成する。ここで配線回路30の一端部と
は、後述するウインドウホール部31に近い側を言う。
【0021】この配線回路30面上に絶縁皮膜2を形成
する。正確には、半田ボール取付パッド3の存在する領
域の配線回路30面上を、半田ボール取付パッド3等の
電気的接続が必要となる部分を残してソルダーレジスト
による配線保護膜で覆うことにより、絶縁皮膜2を形成
する。この絶縁皮膜2には、上記ウインドウホール部3
1の周囲に存在するワイヤボンディングパッド4の外側
の隣接領域に、後述するレジンダム6を形成する基台用
部分2aを確保し、その基台用部分2aつまりレジンダ
ム6の外周縁に沿って所定幅及び所定深さのレジンダム
流れ防止用の溝8を設ける。そして、この配線回路30
及び絶縁皮膜2を備えたテープ基材1に、半導体素子1
0とワイヤボンディングを行うための接続用ウインドウ
ホール部31を形成して、半導体素子搭載用配線テープ
を構成する。
【0022】得られた半導体素子搭載用配線テープに、
テープ基材1側より接着剤7を介してスティフナ5を貼
り付け、完成されたテープキャリアとする。なお、ステ
ィフナ5を貼りつける前の半導体素子搭載用配線テープ
を、完成されたテープキャリアとして取り扱うこともで
きる。
【0023】次に、上記テープキャリアを使用して半導
体装置を構成する場合には、そのスティフナ5の中央部
に予め設けた凹部51に、素子固定材13により半導体
素子10を固定して搭載し、この半導体素子10の電極
と上記ワイヤボンディングパッド4とを金ワイヤから成
るボンディングワイヤ9にてワイヤボンディングして電
気的に接続する。
【0024】そして、上記ワイヤボンディングパッド4
を囲むようにして設けた絶縁皮膜2の基台用部分2a
に、レジンダム用樹脂を流れ防止用の堰の形で設けて、
レジンダム6を形成する。次いで、液状封止用樹脂11
で、半導体素子10及び該半導体素子と外部を電気的に
接続する部分であるボンディングワイヤ9及びワイヤボ
ンディングパット4周辺部を、ディスペンサにより埋め
る。さらに半田ボール取付パッド3に半田ボール12を
溶融搭載する。かくして半田ボール11を取り付けた半
導体装置を完成する。
【0025】ここで上記レジンダム6の形成について捕
捉説明すると次のようになる。
【0026】本実施形態の場合、レジンダム6には熱硬
化型アルカリ溶解性樹脂を使用し塗布時の粘度は300
PSである。硬化後の形状は幅約0.3mm、高さ約0.
2mmである。ソルダーレジストから成る絶縁皮膜2に
は、このレジンダム6に沿うように、幅0.1mm、深さ
0.02mmの溝8を全周に渡って設けた。このため、レ
ジンダム用樹脂は絶縁皮膜2の基台用部分2a上に表面
張力で乗ることになり、表面張力の作用により半田ボー
ル取付パッド3側への流れ込みを阻止する力が生まれ
る。
【0027】即ち、このレジンダム流れ防止用の溝8を
付与したことによる表面張力の作用により、溝8が無い
場合と比較して、レジンダム6の塗布するディスペンサ
の位置が多少ずれても、もしくは塗布量が多めでも、半
田ボール取付パッド3へはレジンダム用樹脂が流れ込ま
ない。
【0028】この樹脂が流れ込まない理由は、コップに
注いだ水がコップ上面以上に水を注いでもこぼれないの
と同じ原理である。塗布境界部に溝8を設けて、塗布さ
れる面と塗布する樹脂との接触角度を大きくすることに
より、樹脂塗布位置ずれ及び塗布量が多少多くても、レ
ジンダム用樹脂の半田ボール取付パッド3への流れ込み
を防止することが可能となる。
【0029】<第2の実施形態>図3に第2の実施形態
として、レジンダム流れ防止用の溝3の形を変形した実
施形態を示す。これは絶縁皮膜2に感光性のフォトソル
ダーレジストを使用し、露光量を調節することにより、
溝8の断面形状を、溝の開口側が溝底より狭い形になる
ように形成した例である。つまり基台用部分2aの周側
面を、溝底側になるほど深くえぐれた形とした例であ
る。
【0030】このように基台用部分2aの周側面を溝8
の底側になるほど深くえぐれた形とすることにより、塗
布面と樹脂との接触角度をさらに大きくすることができ
るので、図2の第1の実施形態の場合に較べ、より多く
の表面張力を利用することができる。従って、第1の実
施形態の場合と比較して、レジンダム用樹脂の塗布位置
がより多くずれていても、もしくは塗布量が更に多めで
あっても、表面張力の作用の下で基台用部分2a上にレ
ジンダム用樹を保持させ、半田ボール取付パッド3への
レジンダム用樹脂の流れ込みを阻止することができる。
【0031】よって、第1の実施形態よりも、レジンダ
ム用樹脂を基台用部分2a上に表面張力で確実に搭載さ
せ、レジンダム用樹脂の樹脂ズレを効果的に防止して、
安定した樹脂封止作業を行わせるさせることができる。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のテープキ
ャリア又は半導体装置によれば、絶縁皮膜において、ウ
インドウホール部の周囲に存在するワイヤボンディング
パッドの外側の隣接領域に、レジンダムを形成する基台
用部分を確保し、その基台用部分の外周縁に沿ってレジ
ンダム流れ防止用の溝を設けたので、レジンダム用樹脂
は絶縁皮膜の基台用部分上に表面張力で乗ることにな
り、溝が無い場合と比較して、レジンダムの塗布位置が
多少ずれても、もしくは塗布量が多めであっても、表面
張力作用により基台用部分上に保持され、半田ボール取
付パッドへレジンダム用樹脂が流れ込まない。よって本
発明によれば樹脂封止作業の安定性を確保した半導体搭
載用テープキャリア、及び半導体装置を製造することが
できる。
【0033】また請求項2又は4の発明によれば、レジ
ンダム流れ防止用の溝の断面形状を、溝の開口側が溝底
より狭い形になるように形成したので、さらに塗布面と
樹脂との接触角度を大きくすることができ、より多くの
表面張力を利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す部
分断面図である。
【図2】図1の半導体装置のレジンダム流れ防止用の溝
の部分の拡大図である。
【図3】本発明の他の実施形態に係るレジンダム流れ防
止用の溝の部分の拡大図である。
【符号の説明】
1 テープ基材 2 絶縁皮膜 2a 基台用部分 3 半田ボール取付パッド 4 ワイヤボンディングパッド 5 スティフナ 6 レジンダム 7 接着剤 8 レジンダム流れ防止用の溝 9 ボンディングワイヤ 10 半導体素子 11 封止用樹脂 12 半田ボール 30 配線回路 31 ウインドウホール部
フロントページの続き (72)発明者 高萩 茂治 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 Fターム(参考) 5F044 AA07 MM00 MM03 MM07 MM08 MM48 RR18 RR19 5F067 CC08 DE01

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁フィルムから成るテープ基材の片面に
    銅箔で配線回路を形成し、この配線回路の一端部に半導
    体素子接続用のワイヤボンディングパッドを形成すると
    ともに、他端部に半田ボール取付パッドを形成し、半田
    ボール取付パッドの領域の配線回路面上に絶縁皮膜を形
    成し、さらに半導体素子とワイヤボンディングなどの電
    気的接続を行うための接続用ウインドウホール部を形成
    した半導体素子搭載用配線テープキャリアにおいて、 前記絶縁皮膜には、前記ウインドウホール部の周囲に存
    在するワイヤボンディングパッドの外側の隣接領域に、
    レジンダムを形成する基台用部分を確保し、その基台用
    部分の外周縁に沿ってレジンダム流れ防止用の溝を設け
    たことを特徴とするテープキャリア。
  2. 【請求項2】前記レジンダム流れ防止用の溝の断面形状
    を、溝の開口側が溝底より狭い形になるように形成した
    ことを特徴とする請求項1記載のテープキャリア。
  3. 【請求項3】請求項1又は2記載のテープキャリアを使
    用し、そのテープキャリアに接着剤を介してスティフナ
    を貼りつけ、該スティフナに設けた凹部に半導体素子を
    搭載し、この半導体素子の電極と前記ワイヤボンディン
    グパッドとをボンディングワイヤにて電気的に接続し、
    前記絶縁皮膜の基台用部分上にレジンダム用樹脂を設け
    てレジンダムを形成し、前記半導体素子、ボンディング
    ワイヤ及びワイヤボンディングパット周辺部を液状封止
    用樹脂で埋め、さらに半田ボール取付パッドに半田ボー
    ルを設けたことを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項4】絶縁フィルムから成るテープ基材の片面に
    銅箔で配線回路を形成し、この配線回路の一端部に半導
    体素子接続用のワイヤボンディングパッドを形成すると
    ともに、他端部に半田ボール取付パッドを形成し、半田
    ボール取付パッドの領域の配線回路面上に絶縁皮膜を形
    成し、さらに半導体素子とワイヤボンディングなどの電
    気的接続を行うための接続用ウインドウホール部を形成
    して半導体素子搭載用配線テープを構成し、その半導体
    素子搭載用配線テープの下部に接着剤を介して、スティ
    フナを貼付けた半導体素子搭載用配線テープキャリアに
    おいて、 前記絶縁皮膜には、前記ウインドウホール部の周囲に存
    在するワイヤボンディングパッドの外側の隣接領域に、
    レジンダムを形成する基台用部分を確保し、その基台用
    部分の外周縁に沿ってレジンダム流れ防止用の溝を設け
    たことを特徴とするテープキャリア。
  5. 【請求項5】前記レジンダム流れ防止用の溝の断面形状
    を、溝の開口側が溝底より狭い形になるように形成した
    ことを特徴とする請求項4記載のテープキャリア。
  6. 【請求項6】請求項4又は5記載のテープキャリアを使
    用し、そのスティフナに設けた凹部に半導体素子を搭載
    し、この半導体素子の電極と前記ワイヤボンディングパ
    ッドとをボンディングワイヤにて電気的に接続し、前記
    絶縁皮膜の基台用部分上にレジンダム用樹脂を設けてレ
    ジンダムを形成し、前記半導体素子、ボンディングワイ
    ヤ及びワイヤボンディングパット周辺部を液状封止用樹
    脂で埋め、さらに半田ボール取付パッドに半田ボールを
    設けたことを特徴とする半導体装置。
JP2000321929A 2000-10-17 2000-10-17 テープキャリア及びそれを用いた半導体装置 Withdrawn JP2002124550A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102859671A (zh) * 2010-12-03 2013-01-02 富士电机株式会社 半导体器件以及半导体器件的制造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102859671A (zh) * 2010-12-03 2013-01-02 富士电机株式会社 半导体器件以及半导体器件的制造方法

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