JP2002116402A - 光偏向素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造が容易で反りの少ない光偏向素子を提
供する。 【解決手段】一つの基板面内に形成され、複数の互いに
運動方向の異なるばね部と、このばね部に支持され、互
いに拘束されない運動をしうる互いに直交する軸を支点
として二次元の回転運動をする二つの可動部と、可動部
に形成される反射鏡と、二つの可動部上に導電コイルパ
ターンを形成して構成される光偏向素子において、一つ
の可動部に形成される導電コイルパターンと他の可動部
に形成される導電コイルパターンは基板面の表裏に分け
て形成する光偏向素子とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は二次元の光偏向素子
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一つの素子で二次元の偏向走査をできる
ガルバノミラーが開発されている。ガルバノミラーをば
ねで支持するものであり、一つのの基板にエッチング加
工によりばねと可動板を形成するものであり、特開昭６
０−１０７０１７号公報やＷＯ９６／３９６４３（国際
公開番号）で開示されている。

【０００３】図１は本発明に関する光偏向素子の原理構
造である。以下原理説明は特開昭６０−１０７０１７号
公報を引用する。シリコン単結晶からなる基板１をエッ
チングによりジンバルバネ状に加工する。ジンバルバネ
はＸ方向軸５及びＹ方向軸６を中心軸として、それぞれ
独立に回転振動する。ジンバルバネ２で支持された基板
１の中央の可動部面上には金属蒸着やメッキ等によりガ
ルバノミラー３と導電コイル４が形成されている。導電
コイル４に一定電流を与え、Ｘ方向の磁界７及びＹ方向
の磁界８をそれぞれ独立に変化させれば、素子は電磁力
によって軸５及び６を中心軸としてそれぞれ独立に回転
振動する。従って、素子に形成したガルバノミラー３に
一定方向から光ビームを入射しておけば、ミラー３から
の反射光を被検出量に応じて二次元に偏向できる。即
ち、Ｘ、Ｙの２変数を持つ信号量Ｆ（Ｘ、Ｙ）の変化を
一つの素子で検出し、その出力に応じた光の偏向走査が
できる。

【０００４】図２は前記原理構造を具現化した一例であ
る。同図において、１は｛１００｝面方位をもつｎ形シ
リコンの単結晶基板である。基板１は通常のＩＣ技術の
一つである写真食刻法及び化学的食刻法により、支点１
２−１２’及び１３−１３’をもつジンバルバネ構造を
形成すべく加工される。かかる食刻加工としては、例え
ば、ガルバノミラー３等の形成される面を耐食性樹脂等
の塗布によって保護し、その裏面をＳｉＯ_２膜又は感光
性耐食性樹脂等を用いた写真食刻法等のパターニング処
理を施した後、ＫＯＨ等のアルカリ溶液による異方性エ
ッチングを行なう方法を用いる。この加工方法により、
ガルバノ素子は固定部（基板１）と可動部１’に分離さ
れる。本構造は基板１とジンバルバネの厚さが異なる構
造である。

【０００５】可動部１’の大きさはガルバノ素子の可動
性能に影響を及ぼす。即ち、可動部１’のダンピング効
果を大きくする場合は、可動部１’の表面積を大きくし
て空気抵抗を大きくすればよい。一方、高速偏向走査を
行なわせる場合は、可動部１’の質量を小さくする必要
がある。従って、かかるガルバノ素子の用途に応じた設
計、例えば、精密計器を指向する場合は、平衡型として
ダンピング効果を重視し、ディスプレイ等を指向する場
合は慣性駆動型として高速走査を重視する等の配慮が肝
要である。かかる可動部の動作速度はガルバノ素子の配
置される周囲の雰囲気によっても影響を受ける。例え
ば、可動部は真空中におかれれば、極めて高速に動作
し、ある特定粘度の流体中におかれることにより、良好
なダンピング特性を示す。従って、動作速度の精密な制
御を要する場合に、ガルバノ素子周囲の流体の種類及び
圧力を最適に調整する必要がある。

【０００６】ガルバノミラー３は、例えば、Ａｇ、Ａ
ｌ、Ａｕ等の蒸着等通常のミラーコーティング技術、ま
たは、基板１をそのままミラーポリッシュする方法等に
より形成される。かかるミラー形成にあたっては、特に
金属蒸着法を用いる場合、熱応力によるゆがみが生じな
いように、例えば、基板１との熱膨張係数差の小さい材
料を選択する。蒸着薄膜の厚さを最適設計する等に留意
する必要がある。また、基板１をミラーポリッシュする
場合は、機械歪が残らないように留意する必要がある。
ガルバノミラー３自体を干渉フィルタとすれば、任意色
の光を反射光として得られるため、例えば、平面ディス
プレイ等に応用する場合は、カラー化が容易となる。

【０００７】ガルバノミラー３の周囲にはこのような二
次元ガルバノ素子の駆動に寄与する導電コイル４が形成
される。ガルバノ素子の駆動はジンバルバネのトルクに
依存し、トルクは導電コイル４の断面積に比例する。従
って、導電コイル４はミラー３の外側に形成することに
より、被検出量（入力）に対するジンバルバネのトルク
を大きくでき高感度（偏向角／被検出力が大きい）な二
次元ガルバノ素子を具現化しうる。感度をさらに向上さ
せるためには可動部１’の面積を大きくするか、又は導
電コイル４に印加する電流値を大きくする必要がある。
前者の方法はジンバルバネの応答性の点で制約があり、
後者の方法では導電コイル４の発熱等により制約を受け
る。この条件を考慮して用途に応じた最適設計が必要で
ある。

【０００８】導電コイル４はＡｇ、Ａｌ、Ａｕ等の蒸着
によりガルバノミラー３と同時で、且つ、同様の方法で
形成されるのが望ましい。プロセスが簡略化され、歩留
向上、コスト低減が図れるからである。しかし、導電コ
イル４は発熱を抑える観点から、抵抗を１０Ω〜１００
Ωと小さくする方が良いため、蒸着膜は厚い方が良い。
一方、ガルバノミラー３は前述のとおり基板１との熱膨
張差による歪を抑えるために、蒸着膜は薄い方が良い。
かかる状況を考慮して用途に応じた最適手法をとる必要
がある。また、導電コイル４は基板１の可動部１’表面
上に通常のＩＣ技術の一つである写真食刻法でパターン
を形成される。この際、基板１と導電コイル４とは電気
的に絶縁される必要があり、通常は図示のようにＳｉＯ
_２等の絶縁性膜１０を形成する。掛かる絶縁性膜１０も
ガルバノミラー３のゆがみを抑えるために、熱膨張係
数、厚さ等を十分考慮する必要がある。

【０００９】同図において、９は電極パッドであり、基
板（固定部）１上に形成される。電極パッド９は、例え
ば、Ａｌ線等を用いたワイヤボンディング技術により外
部端子と接続され、電極パッド９を通して導電コイル４
に電流が印加される。電極パッド９は導電コイル４と同
一の材料で同時に、例えば、蒸着等により形成されるの
が望ましいが必ずしも同一又は同時にということに限定
されない。

【００１０】電極パッド９の一方は導電コイル４の最外
殻端部１４と直接金属等の導体を介して接続される。な
お、両者を同一材料で同時に形成する場合は、あらかじ
め、写真食刻法で両者を連結したパターニングを施せば
よい。また、電極パッド９の他方は導電コイル４の最内
殻１５と接続される。この接続は必ず導電コイル４と交
差するため、この交差部分を電気的に絶縁する必要があ
る。本例では図示のように、基板１の可動部１’表面上
に導電コイル４の最内殻端部１５と電極パッドの端部
９’とを電気的に接続する導体層１１を選択的に（この
部分のみ）形成し、交差する導電コイル４との絶縁を前
述したＳｉＯ_２等の絶縁性膜で行なう。その他の方法に
は、例えば、交差する導電コイル４をまたぐように、Ａ
ｌ等のワイヤボンディング結線してもよい。導体層１１
は基板１と逆の極性をもつ不純物（例えばボロン等）を
選択的に拡散することにより形成される。

【００１１】図３、図４、図５は従来技術による二次元
光偏向素子の導電コイルパターン形成を説明するための
図であり、平面図と断面図または平面図である。導電コ
イルパターンは基板にジンバル加工する前に形成される
が、説明の都合上ジンバル加工した基板に導電コイルパ
ターンを形成することにする。本例では導電コイルの巻
数を多くするために導電コイルを２層に形成する。

【００１２】単結晶シリコンの基板２１の表面にスパッ
タリング、蒸着等により金属薄膜（好ましくはアルミニ
ウム）を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布し、
第１層の導電コイルパターンを形成したマスクを重ねて
露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属
薄膜をエッチングする。レジストを除去することによ
り、図３の第１層導電コイルパターンが形成できる。

【００１３】第１可動部２２には第１可動部第１層導電
コイル２４が形成され、第２可動部２３には第２可動部
第１層導電コイル２７が形成される。第１可動部第１層
導電コイル内端部２４ａは第１可動部の中央部に形成さ
れ、第１可動部第２層導電コイル内端部２９ａ（図４）
が直接積層される。第１可動部第１層導電コイル外端部
２４ｂは第２可動部の内端でジンバルバネ付近に形成さ
れている。２５は第１可動部第１層導電コイル補助電極
である。２６は接続用電極で第２可動部の内端でジンバ
ルバネ付近に形成され、第２可動部第２層導電コイル外
端部２９ｂが直接積層される。

【００１４】第２可動部第１層導電コイル内端部２７ａ
は第２可動部の内端に形成され、第２可動部第２層導電
コイル内端部３２ａ（図４）が直接積層される。第２可
動部第１層導電コイル外端部２７ｂは第２可動部の外端
でジンバルバネ付近に形成されている。２８は第２可動
部第２層導電コイル外端部３２ｂ（図４）への接続用電
極で第２可動部の内端でジンバルバネ付近に形成され、
第２可動部第２層導電コイル外端部３２ｂが直接積層さ
れる。

【００１５】次に表面に絶縁層（例えば感光性ポリイミ
ドまたはＳｉＯ_２）を形成し、第１層導電コイルと第２
層導電コイルが直接積層される部分を除去する。その上
に金属薄膜を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布
し、第２層の導電コイルパターンを形成したマスクを重
ねて露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、
金属薄膜をエッチングする。レジストを除去することに
より、図４の第２層の導電コイルパターンが形成でき
る。

【００１６】第１可動部２２には第１可動部第２層導電
コイル２９が形成され、第２可動部２３には第２可動部
第２層導電コイル３２が形成される。第１可動部第２層
導電コイル内端部２９ａは第１可動部の中央部に形成さ
れ、第１可動部第１層導電コイル内端部２４ａに直接積
層される。第１可動部第２層導電コイル外端部２９ｂは
第２可動部の内端でジンバルバネ付近に形成される。３
０は第１可動部第２層導電コイル補助電極である。３１
は接続用電極で第２可動部２３の内端でジンバルバネ付
近に形成され、第２可動部第１層導電コイル外端部２４
ｂに直接積層される。なお、補助電極２５、３０はジン
バルバネの強度を同じにするためのものである。

【００１７】第２可動部第２層導電コイル内端部３２ａ
は第２可動部２３の内端に形成され、第２可動部第１層
導電コイル内端部２７ａに直接積層される。第２可動部
第２層導電コイル外端部３２ｂは第２可動部２３の外端
でジンバルバネ付近に形成される。３３は第２可動部第
１層導電コイル外端部２７ｂ接続用電極で第２可動部２
３の外端でジンバルバネ付近に形成され、第２可動部第
１層導電コイル外端部２７ｂに直接積層される。

【００１８】次に表面に絶縁層を形成し、第２層コイル
と接続電極パターンが直接積層される部分を除去する。
その上に金属薄膜を形成する。金属薄膜上面にレジスト
を塗布し、接続電極パターンを形成したマスクを重ねて
露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属
薄膜をエッチングする。レジストを除去することによ
り、図５の接続電極パターンが形成できる。３４、３５
は第１可動部駆動用導電コイル接続電極であり、接続端
子３４ａは接続用電極３１を介して第１可動部第１層導
電コイル外端部２４ｂに接続される。接続端子３５ａは
第１可動部第２層導電コイル外端部２９ｂに接続され
る。接続端子３４ｂ、３５ｂは第１可動部駆動電源に接
続される。３６、３７は第２可動部駆動用導電コイル接
続電極であり、接続端子３７ａは接続用電極３３を介し
て第２可動部第１層導電コイル外端部２７ｂに接続され
る。接続端子３６ａは第２可動部第２層導電コイル外端
部３２ｂに接続される。接続端子３６ｂ、３７ｂは第２
可動部駆動電源に接続される。

【００１９】図６は完成したガルバノミラーの平面図
（ａ）とＡ−Ａ側面断面の模式図（ｂ）である。図６
（ｂ）に於いて第２可動部２３の右側では、基板２１上
に第１層導電コイル２７、絶縁層３８、第２層導電コイ
ル３２、絶縁層３８、接続電極３４が積層されている。
さらにその上に保護膜（不図示）が形成される。図では
大まかに表示されているが、実際にはそれぞれの膜厚は
１μｍ程度である。導電コイルの幅は４０μｍ程度であ
り、コイル間は１０μm程度、巻数としては１５巻程度
である。導電コイルに関してはガルバノミラーの振れ角
や磁石の強度等により仕様が変わることは言うまでもな
い。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】導電層（コイル、接続
電極）が絶縁層を介して積層される構造であり、配線が
複雑になっている。絶縁層は、感光性ポリイミドを塗布
するか、ＳｉＯ_２を蒸着する等で形成している。凹凸の
密集した導電コイルパターンの上へスピンナー又はスパ
ッタリングにより絶縁薄膜を均一に形成するのは難し
く、絶縁不良が発生することがある。

【００２１】同様に、レジストを一様に塗布するのも難
しくパターン幅にばらつきが発生しやすくなっている。

【００２２】基板の片面にのみ積層した膜が形成される
ため、基板に反りが発生しやすくなり、ガルバノ素子の
特性が劣化している。

【００２３】

【課題を解決するための手段】一つの基板面内に形成さ
れ、複数の互いに運動方向の異なるばね部と、このばね
部に支持され、互いに拘束されない運動をしうる互いに
直交する軸を支点として二次元の回転運動をする二つの
可動部と、可動部に形成される反射鏡と、二つの可動部
上に導電コイルパターンを形成して構成される光偏向素
子において、一つの可動部に形成される導電コイルパタ
ーンと他の可動部に形成される導電コイルパターンは基
板面の表裏に分けて形成する光偏向素子とする。

【００２４】ばね部と二つの可動部が基板とほぼ同一の
厚さの光偏向素子とする。

【００２５】可動部の導電コイルパターンの裏面に導電
コイルパタンに対抗する補助パターンを形成した光偏向
素子とする。

【００２６】一つの基板面内に形成され、複数の互いに
運動方向の異なるばね部と、このばね部に支持され、互
いに拘束されない運動をしうる互いに直交する軸を支点
として二次元の回転運動をする二つの可動部と、可動部
に形成される反射鏡と、二つの可動部上に導電コイルパ
ターンを形成する光偏向素子の製造方法において、基板
の一方の面の二つの可動部の内、中心側の可動部に導電
コイルパターンを形成し、外周側の可動部の導電コイル
パターンに対抗する部分に補助パターンを形成し、基板
の他方の面の中心側可動部に反射鏡を形成し、外周側可
動部に導電コイルパターンを形成する光偏向素子の製造
方法とする。

【００２７】

【発明の実施の形態】図７から図１０により本発明の光
偏向素子の製造方法を説明する。図７は表面の第１層パ
ターン図であり平面図と断面図、図８は第２層パターン
図であり平面図である。本例でもジンバル加工した基板
に導電コイルパターンを形成することにする。図９は裏
面の第１層パターン図であり平面図と断面図、図１０は
第２層パターン図であり平面図である。

【００２８】単結晶シリコンの基板２１の表面にスパッ
タリング、蒸着等により金属薄膜（好ましくはアルミニ
ウム）を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布し、
第１層の導電コイルパターンを形成したマスクを重ねて
露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属
薄膜をエッチングする。レジストを除去することによ
り、図７の第１層導電コイルパターンを形成する。

【００２９】第１可動部２２には第１可動部第１層導電
コイル４０が形成され、第２可動部２３には第２可動部
補助パターン４１、４２が形成される。第１可動部第１
層導電コイル内端部４０ａは第１可動部２２の中央部に
形成され、第１可動部第２層導電コイル内端部４３ａ
（図８）が直接積層される。第１可動部第１層導電コイ
ル外端部４０ｂは第２可動部２３の補助パターン４２を
経て、接続電極４６と接続されている。

【００３０】次に表面に感光性ポリイミド又はＳｉＯ_２
等で絶縁層を形成し、第１層導電コイルと第２層導電コ
イルが直接積層される部分を除去する。その上に金属薄
膜を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布し、第２
層の導電コイルパターンを形成したマスクを重ねて露光
する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属薄膜
をエッチングする。レジストを除去することにより、図
８の第２層の導電コイルパターンを形成する。

【００３１】第１可動部２２には第１可動部第２層導電
コイル４３が形成され、第２可動部２３には第２可動部
補助パターン４４、４５が形成される。第１可動部第２
層導電コイル内端部４３ａは第１可動部２２の中央部に
形成され、第１可動部第１層導電コイル内端部４０ａ
（図７）に直接積層される。第１可動部第２層導電コイ
ル外端部４３ｂは第２可動部の補助パターン４４を経
て、接続電極４７と接続されている。

【００３２】次に単結晶シリコンの基板２１の裏面にス
パッタリング、蒸着等により金属薄膜（好ましくはアル
ミニウム）を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布
し、第１層の導電コイルパターンを形成したマスクを重
ねて露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、
金属薄膜をエッチングする。レジストを除去することに
より、図９の第１層導電コイルパターンを形成する。

【００３３】第２可動部２３には第２可動部第１層導電
コイル４８を形成する。第２可動部第１層導電コイル内
端部４８ａは第２可動部２３の内縁部に形成され、第２
可動部第２層導電コイル内端部４９ａ（図１０）が直接
積層される。他に接続用電極５０及び補助電極５１を形
成するのは従来技術と同様である。第２可動部第１層導
電コイル外端部は接続電極５２と接続されている。

【００３４】次に表面に感光性ポリイミド又はＳｉＯ_２
等で絶縁層を形成し、第１層導電コイルと第２層導電コ
イルが直接積層される部分を除去する。その上に金属薄
膜を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布し、第２
層の導電コイルパターンを形成したマスクを重ねて露光
する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属薄膜
をエッチングする。レジストを除去することにより、図
１０の第２層の導電コイルパターンを形成する。

【００３５】第２可動部２３には第２可動部第２層導電
コイル４９が形成され、第１可動部２２には反射鏡（ガ
ルバノミラー）５４が形成される。第２可動部第２層導
電コイル内端部４９ａは第２可動部の内縁部に形成さ
れ、第２可動部第１層導電コイル内端部４８ａ（図９）
に直接積層される。第２可動部第２層導電コイル外端部
は、補助電極５０と接続され、さらに接続電極５３と接
続されている。５５は補助電極である。本発明のように
基板の表裏に導電パターンを形成する場合、基板と可動
部を支えるばね部は同一厚さか、絶縁膜やレジスト膜を
形成するのに支障が無い程度の差に設計するのが好まし
い。

【００３６】図１１は前述の工程により製造した光偏向
素子を裏から見た平面図と断面図である。さらに表面に
保護膜を形成するか否かは適宜決定する。

【００３７】

【発明の効果】第１可動部と第２可動部に形成する導電
コイルを基板の表裏に分けたので配線が容易になり、導
電コイルパターン上を横切る接続電極が不要となるので
ショーと不良の発生を防止できる。

【００３８】基板と可動部を支えるばね部は同一厚さ
か、絶縁膜やレジスト膜を形成するのに支障が無い程度
の差にすることにより、ガルバノ素子の製造が容易にな
る。

【００３９】可動部の導電コイルパターンの裏面に導電
コイルパタンに対抗する補助パターンを形成したこと
で、基板の両面にほぼ等しい膜が形成され、可動部の反
り、歪みを最小限に抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に関する光偏向素子の原理構造

【図２】原理構造を具現化した一例

【図３】従来技術による２軸光偏向素子の導電コイルパ
ターン形成を説明するための図であり、平面図と断面図

【図４】従来技術による２軸光偏向素子の導電コイルパ
ターン形成を説明するための図であり、平面図

【図５】従来技術による２軸光偏向素子の導電コイルパ
ターン形成を説明するための図であり、平面図

【図６】完成したガルバノミラーの平面図（ａ）とＡ−
Ａ側面断面の模式図（ｂ）

【図７】表面の第１層パターン図であり平面図と断面図

【図８】第２層パターン図であり平面図

【図９】裏面の第１層パターン図であり平面図と断面図

【図１０】第２層パターン図であり平面図

【図１１】光偏向素子の平面図と断面図

【符号の説明】

１ 基板（シリコン単結晶） １’ 可動部 ２ ジンバルバネ ３ ガルバノミラー ４ 導電コイル ５ Ｘ方向軸 ６ Ｙ方向軸 ７ Ｘ方向磁界 ８ Ｙ方向磁界 ９ 電極パッド ９’ 電極パッドの端部 １０ 絶縁性膜 １１ 導体層 １２ 支点 １２’ 支点 １３ 支点 １３’ 支点 １４ 最外殻端部 １５ 最内殻端部 ２１ 基板 ２２ 第１可動部 ２３ 第２可動部 ２４ 第１可動部第１層導電コイル ２４ａ 第１可動部第１層導電コイル内端部 ２４ｂ 第１可動部第１層導電コイル外端部 ２５ 第１可動部第１層導電コイル補助電極 ２６ 第２層接続用電極 ２７ 第２可動部第１層導電コイル ２７ａ 第２可動部第１層導電コイル内端部 ２７ｂ 第２可動部第１層導電コイル外端部 ２８ 第２可動部第１層導電コイル第２層接続用電極 ２９ 第１可動部第２層導電コイル ２９ａ 第１可動部第２層導電コイル内端部 ２９ｂ 第１可動部第２層導電コイル外端部 ３０ 第１可動部第２層導電コイル補助電極 ３１ 第１層接続用電極 ３２ 第２可動部第２層導電コイル ３２ａ 第２可動部第２層導電コイル内端部 ３２ｂ 第２可動部第２層導電コイル外端部 ３３ 第２可動部第２層導電コイル第２１接続用電極 ３４ 第１可動部駆動用導電コイル接続電極 ３４ａ 接続端子 ３４ｂ 接続端子 ３５ 第１可動部駆動用導電コイル接続電極 ３５ａ 接続端子 ３５ｂ 接続端子 ３６ 第２可動部駆動用導電コイル接続電極 ３６ａ 接続端子 ３６ｂ 接続端子 ３７ 第２可動部駆動用導電コイル接続電極 ３７ａ 接続端子 ３７ｂ 接続端子 ３８ 絶縁膜 ４０ 第１可動部第１層導電コイル ４０ａ 第１可動部第１層導電コイル内端部 ４０ｂ 第１可動部第１層導電コイル外端部 ４１ 第２可動部補助パターン ４２ 第２可動部補助パターン ４３ 第１可動部第２層導電コイル ４３ａ 第１可動部第２層導電コイル内端部 ４３ｂ 第１可動部第２層導電コイル内端部 ４４ 第２可動部補助パターン ４５ 第２可動部補助パターン ４６ 接続電極 ４７ 接続電極 ４８ 第２可動部第１層導電コイル ４８ａ 第２可動部第１層導電コイル内端部 ４９ 第２可動部第２層導電コイル ４９ａ 第２可動部第２層導電コイル内端部 ５０ 接続用電極 ５１ 補助電極 ５２ 接続電極 ５３ 接続電極 ５４ 反射鏡 ５５ 補助電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一つの基板面内に形成され、複数の互い
   に運動方向の異なるばね部と、このばね部に支持され、
   互いに拘束されない運動をしうる互いに直交する軸を支
   点として二次元の回転運動をする二つの可動部と、可動
   部に形成される反射鏡と、二つの可動部上に導電コイル
   パターンを形成して構成される光偏向素子において、一
   つの可動部に形成される導電コイルパターンと他の可動
   部に形成される導電コイルパターンは基板面の表裏に分
   けて形成されることを特徴とする光偏向素子。
2. 【請求項２】ばね部と二つの可動部が基板とほぼ同一の
   厚さであることを特徴とする請求項１記載の光偏向素
   子。
3. 【請求項３】可動部の導電コイルパターンの裏面に導電
   コイルパターンに対抗する補助パターンを形成したこと
   を特徴とする請求項１又は２記載の光偏向素子。
4. 【請求項４】一つの基板面内に形成され、複数の互いに
   運動方向の異なるばね部と、このばね部に支持され、互
   いに拘束されない運動をしうる互いに直交する軸を支点
   として二次元の回転運動をする二つの可動部と、可動部
   に形成される反射鏡と、二つの可動部上に導電コイルパ
   ターンを形成する光偏向素子の製造方法において、基板
   の一方の面の二つの可動部の内、中心側の可動部に導電
   コイルパターンを形成し、外周側の可動部の導電コイル
   パターンに対抗する部分に補助パターンを形成し、基板
   の他方の面の中心側可動部に反射鏡を形成し、外周側可
   動部に導電コイルパターンを形成することを特徴とする
   光偏向素子の製造方法。