JP2002116388A - 光スイッチ及びそれを含む光スイッチ・デバイス - Google Patents
光スイッチ及びそれを含む光スイッチ・デバイスInfo
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- JP2002116388A JP2002116388A JP2000306572A JP2000306572A JP2002116388A JP 2002116388 A JP2002116388 A JP 2002116388A JP 2000306572 A JP2000306572 A JP 2000306572A JP 2000306572 A JP2000306572 A JP 2000306572A JP 2002116388 A JP2002116388 A JP 2002116388A
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Abstract
構造を備えた光スイッチ及び光スイッチデバイスを提供
する。 【解決手段】 この発明に係る光スイッチ・デバイス
は、所定間隔で内部に複数の導波路(500)が設けられた
導波路基板基板(100)と、これら導波路(500)のうち少な
くとも一部の光軸を横切るように導波路基板(100)に設
けられた溝(110)と、溝(110)に沿って所定の光学部品(3
10)を移動させる光スイッチ(200)を備える。この光スイ
ッチ(200)は、導波路(500)が形成される面と一致しない
ように導波路(500)に沿って導波路基板(100)表面に形成
されるため、導波路(500)の集積化は制限されない。
Description
波路アレイに適用可能な光スイッチ、及びAWG(Arra
yed Waveguide Grating)回路等の集積化された導波路
アレイが設けられている光機能デバイスの一部を構成す
る光スイッチ・デバイスに関するものである。
の出力光を遮断したり、方向を変えることができる電気
的に制御可能なマイクロ・デバイスがあり、光通信シス
テム中の種々の異なる用途に広く利用されている。ま
た、従来の光スイッチ・デバイスとしては、例えば特開
平2000-111815号公報やCornel Marxer et al., "Micro-
Opto-Mechanical 2×2 Switch for Single-Mode Fibers
Based on Plasma-EtchedSilicon Mirror and Electros
tatic Actuation", 1999 IEEEに、複数の光ファイバ間
において出力光の進行方向を切り換えるための構成が示
されている。
来の光スイッチ・デバイスの概略構成を示す斜視図であ
る。この光スイッチ・デバイスでは、導波路である複数
の光ファイバ600a〜600c間で出力光の進行方向
を切り替えるための静電アクチュエータ700(光スイ
ッチ)が、これら光ファイバ600a〜600cが設置
された基板の同一面上に設けられている。なお、静電ア
クチュエータ700は、先端に光学部品であるミラー7
30が取り付けられた支持アーム710と、該ミラー7
30を光ファイバ600a〜600cの端面で規定され
る空間内に挿入したり該空間から退避させるため、図中
の矢印S2で示された方向に支持アーム710を移動さ
せる駆動系720とを備えている。すなわち、静電アク
チュエータ700は、駆動系720が支持アーム710
を図中の矢印S2で示された方向に動かすことにより、
該支持アーム710の先端に取り付けられたミラー73
0の位置を変更している。
イッチ・デバイスについて検討した結果、以下のような
課題を発見した。すなわち、従来の光スイッチ・デバイ
スは、導波路と光スイッチとして機能する静電アクチュ
エータとが、同一面上に設けられた構造を有する。ま
た、この静電アクチュエータは、その駆動系が平面的な
形状をしており、十分な駆動力を得るため基板表面に1
0×10mm2程度の面積を専有することとなる。
に専有面積の大きな駆動系を有する静電アクチュエータ
が、導波路が配置される基板の同一面上に形成されてい
るので、導波路の集積化が困難であるとともに、例えば
250μm間隔で平面的に配列された複数の導波路から
構成される導波路アレイには全く適応できないという課
題があった。
ためになされたものであり、導波路の集積化(アレイ
化)を妨げることなく製造可能な構造を備えた光スイッ
チ及びそれを含む光スイッチ・デバイスを提供すること
を目的としている。
チ・デバイスは、集積化された導波路アレイに適用可能
な構造を有する光スイッチを含み、AWG回路等の導波
路アレイを含む光機能デバイスの一部をも構成し得るマ
イクロ・デバイスである。
バイスは、所定の導波路間隔を有する導波路アレイが内
部に設けられるとともに、この導波路アレイを構成する
導波路(埋め込み型導波路)のうち少なくとも一部の導
波路の光軸を横切る溝が設けられた導波路基板を有し、
さらに、このような溝が設けられた導波路基板表面に該
導波路に沿って伸びた形状の光スイッチ(この発明に係
る光スイッチ)が設けられている。なお、上記導波路基
板は、導波路アレイを有するAWG回路等のような光機
能デバイスの一部であってもよい。また、上記溝は、上
記導波路アレイを構成する導波路を切断する程度の深さ
を有し、該溝の側面には導波路端面が露出している。上
記駆動系は、上記導波路アレイが設けられた面を避けて
上記導波路基板表面に設けられている。
バイスの一部を構成する、この発明に係る光スイッチ
は、上記溝を規定する空間内にミラー、光フィルタ等の
光学部品を保持した状態で、該溝の伸びる方向に沿って
該光学部品を移動させる駆動系を備える。このように、
上記導波路アレイが設けられる面を避けて光スイッチが
設けられることにより、導波路の集積化(アレイ化)を
制限することなく所望の駆動力を有する光スイッチが得
られる。また、上記光学部品が移動する溝は上記導波路
アレイの製造工程が終了した後に別途形成することがで
きるので、集積化された導波路アレイを有する既存の光
機能デバイスの一部に当該光スイッチを適用することも
可能である。
を可能にするため、上記溝の一部を覆った状態で光学部
品を支持する支持部を有する静電アクチュエータを含む
ことが好ましい。この場合、当該光スイッチにおける駆
動系は、互いに対向して導波路基板表面に設けられた第
1及び第2の櫛形電極と、これら第1及び第2の櫛形電
極の間に位置し、その一部が導波路基板表面から離間し
ている櫛形フローティング電極とを備える。なお、第1
の櫛形電極、第2の櫛形電極及び櫛形フローティング電
極は、いずれも上記溝を挟むように1対の電極部から構
成されており、櫛形フローティング電極の一部は、上記
溝の一部を覆った状態で光学部品を支持する支持部を構
成している(この支持部は該櫛形フローティング電極を
構成する1対の電極部分によって挟まれている)。
ば、当該光スイッチにおける駆動系が設けられる領域
は、導波路アレイが伸びる方向と直交する方向の最大幅
が該導波路アレイを構成する導波路間の間隔よりも小さ
いことが好ましい。導波路アレイを構成する各導波路ご
とに光スイッチを用意する場合、導波路の集積化を妨げ
ることなく、該導波路の集積化と同様に、導波路基板上
に配置される光スイッチの集積化が可能になるからであ
る。また、この駆動系は、導波路アレイの伸びる方向に
はサイズ制限がないので、上記各櫛形電極を導波路アレ
イと同じ長さまで延ばすことができ、十分な駆動力が確
保できる。例えば、250μmの導波路間隔を有する導
波路アレイが設けられた既存の光機能デバイスの一部に
当該光スイッチが適用される場合、上記駆動系による光
学部品の移動量は50μm以下でよく、従来の光スイッ
チよりも遥かに小さな移動量でスイッチング機能が実現
される。また、導波路アレイが伸びる方向の長さを十分
に確保すれば、上記駆動系における導波路アレイが伸び
る方向と直交する方向の最大幅は200μm以下に抑え
ることにより導波路ごとに用意される光スイッチの集積
化も可能になる。
の各実施形態を、図1〜図9を参照しながら説明する。
なお、各図において、同一部分には同一の番号を付して
重複する説明は省略する。
れを含む光スイッチ・デバイスの第1実施形態の構成を
示す平面図であり、図2は、この発明に係る光スイッチ
及びそれを含む光スイッチ・デバイスの第2実施形態の
構成を示す平面図である。なお、これら各実施形態に係
る光スイッチ・デバイスは、集積化された導波路アレイ
に適用可能な構造を有する光スイッチを含み、AWG回
路等の導波路アレイを含む光機能デバイスの一部をも構
成し得るマイクロ・デバイスである。
ッチ・デバイスは、互いに隣接する導波路500が交差
するよう構成された導波路アレイが作り込まれた導波路
基板100を有し、導波路基板100の表面には、この
発明に係る光スイッチとしての静電アクチュエータ20
0が設けられている。また、この導波路基板100の表
面には導波路500の各交差部分において該導波路50
0の各光軸を横切るように溝110が形成されている。
溝110は、各導波路500の端面が露出する程度の深
さを有する。そして、導波路500の各交差部分に位置
する溝110の一部を覆うように、導波路基板100の
表面には、導波路500に沿って伸びる形状の静電アク
チュエータ200が設けられている。静電アクチュエー
タ200は、溝110を挟んで配置された1対の駆動部
分200A、200B(これら1対の駆動部分200
A、200Bにより静電アクチュエータ200の駆動系
が構成される)と、溝110を覆うようにこれら駆動部
分200A、200Bの間に設けられた支持部300を
備える。支持部300には、ミラー、光フィルタ等の光
学部品310が取り付けられており、静電アクチュエー
タ200の駆動系により支持部300は溝110が伸び
る方向に沿って移動する。そして、この支持部300の
移動により、光学部品310は、溝110により規定さ
れる空間内に該支持部300に支持された状態で、該溝
110が伸びる方向に沿って移動可能となっている。
光スイッチ・デバイスは、所定間隔で平面的に配置され
た導波路で構成された導波路アレイが作り込まれた導波
路基板100を有し、導波路基板100の表面には、こ
の発明に係る光スイッチとしての静電アクチュエータ2
00が設けられている。また、この導波路基板100の
表面には導波路500の各光軸を横切るように溝110
が形成されている。溝110は、各導波路500の端面
が露出する程度の深さを有する。そして、導波路500
を横切る溝110の一部を覆うように、導波路基板10
0の表面には、導波路500に沿って伸びる形状の静電
アクチュエータ200が設けられている。静電アクチュ
エータ200は、溝110を挟んで配置された1対の駆
動部分200A、200B(これら1対の駆動部分20
0A、200Bにより静電アクチュエータ200の駆動
系が構成される)と、溝110を覆うようにこれら駆動
部分200A、200Bの間に設けられた支持部300
を備える。支持部300には、ミラー、光フィルタ等の
光学部品310が取り付けられており、静電アクチュエ
ータ200の駆動系により支持部300は溝110が伸
びる方向に沿って移動する。そして、この支持部300
の移動により、光学部品310は、溝110により規定
される空間内に該支持部300に支持された状態で、該
溝110が伸びる方向に沿って移動可能となっている。
光スイッチ・デバイス(図1及び図2)のいずれにおい
ても、上記導波路基板100は、導波路アレイを有する
AWG回路等のような光機能デバイスの一部であっても
よい。
各駆動部分200A、200Bの幅(導波路500が伸
びる方向と直交する方向の最大幅)は、導波路アレイの
集積効率を考慮すれば、各導波路500の間隔よりも小
さいことが好ましい。例えば図2に示された光スイッチ
・デバイスのように、導波路アレイを構成する各導波路
500ごとに光スイッチを用意する場合、導波路500
の集積化(アレイ化)を妨げることなく、該導波路50
0の集積化と同様に、導波路基板100上に配置される
静電アクチュエータ200の集積化が可能になるからで
ある。また、静電アクチュエータ200の駆動系を構成
する駆動部分200A、200Bは、いずれも導波路5
00の伸びる方向にはサイズ制限がないので、導波路5
00と同じ長さまで延ばすことができ、十分な駆動力が
確保できる。例えば、導波路500の間隔が250μm
であれば、静電アクチュエータ200による光学部品3
10の移動量は50μm以下でよく、従来の光スイッチ
よりも遥かに小さな移動量でスイッチング機能が実現さ
れる。また、導波路500が伸びる方向の長さを十分に
確保すれば、各駆動部分200A、200B幅を200
μm以下に抑えることにより導波路500に用意される
静電アクチュエータ200の集積化も可能になる。
平面的に配列された複数の導波路500で構成された導
波路アレイが作り込まれているが、具体的に導波路基板
100は図3に示されたような断面構造を有する。すな
わち、導波路基板100は、SiO2基板120(Si
基板でもよい)と、SiO2基板120上にパターンニ
ングされた導波路500に相当するコア130と、コア
130を覆うようにSiO2基板120上に形成された
クラッド140とを備える。
・デバイスでは、アクチュエータ200が、導波路50
0(埋め込み型導波路)がアレイ化されている面を避け
て導波路基板100の表面に設けられていることを特徴
としている。このように、導波路500が配列している
面を避けて静電アクチュエータ200が設けられること
により、導波路500の集積化を制限することなく所望
の駆動力を有する静電アクチュエータ200の形成が可
能となる。また、光学部品310が移動する溝110は
導波路500の製造工程が終了した後に別途形成するこ
とができるので、集積化された導波路アレイを有する既
存の光機能デバイスの一部に光スイッチとしての静電ア
クチュエータを適用することも可能である。
形態として、静電アクチュエータの構成を図4を用いて
説明する。この静電アクチュエータは、低電圧駆動を可
能にするので、当該光スイッチ・デバイスのようなマイ
クロ・デバイスの駆動系に適している。
は、駆動系として、溝110を挟んで導波路基板100
の表面に形成された1対の駆動部分200A、200B
を備える。なお、これら駆動部分200A、200Bの
構造は溝110を中心に線対称な関係にあるため、以下
の説明では駆動部分200Bの構造に限定して説明す
る。
路基板100の表面に設けられた第1の櫛形電極210
及び第2の櫛形電極220と、これら第1及び第2の櫛
形電極210、220の間に位置し、その一部が導波路
基板100の表面から離間している櫛形フローティング
電極230とを備える。櫛形フローティング電極239
は、櫛形電極部分230aと、導波路基板100の表面
に直接形成されたベース部分230cと、櫛形電極部分
230aとベース部分230cとを連絡するとともに該
櫛形電極部分230aを導波路基板100の表面から所
定距離離間した状態で支持する板バネ230bとを備え
る。また、光学部品310が取り付けられた支持部30
0は、駆動部分200A、200Bにおける各櫛形フロ
ーティング電極230によって、溝110の一部を覆う
よう支持されている。
空間に光学部品310が保持された状態が図5に示され
ている。なお、図5は、図2中に示されたII−II線
に沿った静電アクチュエータ200の一部断面構造を導
波路基板100の断面構造とともに示す図である。
III線に沿った静電アクチュエータ200の一部断面
構造(特に、板バネ230b近傍)を導波路基板100
の断面構造とともに示す図であり、このように導波路基
板100の表面との間に間隙を設けた櫛形フローティン
グ電極230の形成方法は、例えば「応用物理」(第6
0巻、第3号(1991)pp.228−232)、
「シリコンマイクロマシーニング先端技術」(サイエン
スフォーラム、1992年3月)、「マイクロマシーニ
ングとマイクロメカトロニクス」(培風館、1992年
6月)などに詳述されている。
形態である静電アクチュエータ200の、光学部品31
0を移動させる駆動動作について図7及び図8を用いて
説明する。なお、図7は、第1の櫛形電極210及び櫛
形フローティング電極230間に所定電圧が印加された
状態での、各電極210〜230の状態を示す図であ
り、図8は、静電アクチュエータ200における板バネ
230bの形状変化の様子を示す図である。
ティング電極230間に所定の電圧が印加されると、導
波路基板100の表面から間隙を介して離間している櫛
形フローティング電極230が、図7に示されたよう
に、全体的に第1の櫛形電極210に引っ張られる。こ
のように、櫛形フローティング電極230の位置が、図
7中の矢印S1で示された方向に移動することにより、
駆動部分200A、200Bそれぞれの櫛形フローティ
ング電極230により保持された支持部300も矢印S
1で示された方向に50μm程度移動することになる。
すなわち、支持部300に取り付けられた光学部品31
0の溝110内の位置も、該支持部300の移動ととも
に変わる。このとき、板バネ230bは、櫛形フローテ
ィング電極230全体の移動に伴って、図8に示された
ように一旦湾曲した後に直線状になった状態で止まり
(自己保持)、電圧が印加されていない状態でも櫛形フ
ローティング電極230の櫛形電極部230aの位置が
固定される。
ティング電極230間に所定の電圧が印加されると、導
波路基板100の表面から間隙を介して離間している櫛
形フローティング電極230が、すなわち第2の櫛形電
極210に全体的に引っ張られる。このように、櫛形フ
ローティング電極230の位置が、図7中の矢印S1で
示された方向とは逆方向に移動することにより、駆動部
分200A、200Bそれぞれの櫛形フローティング電
極230により保持された支持部300も矢印S1で示
された方向とは逆方向に50μm程度移動することにな
る。同様に、支持部300に取り付けられた光学部品3
10の溝110内の位置も、該支持部300の移動とと
もに変わる。なお、このときも板バネ230bは、櫛形
フローティング電極230全体の移動に伴って、図8に
示されたように一旦湾曲した後に直線状になった状態で
止まり(自己保持)、電圧が印加されていない状態でも
櫛形フローティング電極230における櫛形電極部23
0aの位置が固定される。
0の自己保持機能は、板バネ230bを含む構造体の形
状を変更することで、他の遷移スキームを取らせること
も可能である。すなわち、図8は、板バネ230bの高
さ(導波路基板100の表面に対して垂直方向の厚み)
が、該板バネ230bの幅に対して大きく取られること
により(図6及び図8参照)、導波路基板100の表面
を見たときの横方向に曲がり易くなった構造による機械
的なスイッチング動作が示されている。
aとの接続部分、及び該板バネ230bとベース部23
0cとの接続部分は、いずれもスイッチング動作が行わ
れるごとに大きな応力と変形を受ける。そこで、スイッ
チング動作の信頼性や接続部分の機械的な寿命を向上さ
せるため、図9(a)に示されたように、板バネ230
bの両端における櫛形電極部230a及びベース部23
0cの接続部分に蝶番(ちょうつがい)構造を備えても
よい。さらに、強い自己保持機能をえるため、図9
(b)に示されたように、板バネ230bは、複数の平
板部分、複数の曲板部分、あるいはこれらの組み合わせ
により構成されてもよい。
み型導波路の光軸を横切るように光学部品を移動させる
ための溝が導波路基板に設けられるとともに、該光学部
品を支持した状態で溝に沿って移動させるための光スイ
ッチが該導波路基板表面に配置されている。このように
導波路基板において導波路が形成されている面と光スイ
ッチの駆動系等が形成されている面とが異なっているの
で、導波路アレイの集積化を妨げることなく光スイッチ
の形成が可能になる。また、導波路アレイを形成する工
程と溝を形成する工程は別個に実施することができるの
で、集積化された導波路アレイを有する既存の光学機能
デバイスの一部として当該光スイッチ・デバイスを容易
に形成することが可能になる。
バイスの第1実施形態の概略構成を示す平面図である。
バイスの第2実施形態の概略構成を示す平面図である。
の断面構造を示す図である。
て、静電アクチュエータの構成を示す平面図である。
クチュエータの一部断面構造を導波路基板の断面構造と
ともに示す図である。
電アクチュエータの一部断面構造を導波路基板の断面構
造とともに示す図である。
である。
の様子を示す図である。
形状を示す斜視図である。
の構成を示す斜視図である。
波路(コア)、200…静電アクチュエータ(光スイッ
チ)、310…光学部品(ミラー、フィルタ等)、21
0…第1の櫛形電極、220…第2の櫛形電極、230
…櫛形フローティング電極、230a…櫛形電極部、2
30b…板バネ、230c…ベース部、300…支持
部。
Claims (16)
- 【請求項1】 所定の導波路間隔を有する導波路アレイ
が内部に設けられた導波路基板と、 前記導波路アレイを構成する導波路のうち少なくとも一
部の導波路の光軸を横切るよう前記導波路基板表面に設
けられるとともに、該一部の導波路の端面が露出する程
度の深さを有する溝と、 前記導波路基板表面に設けられるとともに、前記溝によ
り規定される空間内に所定の光学部品を保持した状態
で、該溝が伸びる方向に沿って該光学部品を移動させる
光スイッチとを備えた光スイッチ・デバイス。 - 【請求項2】 前記光スイッチは、前記溝の一部を覆っ
た状態で前記光学部品を支持する支持部を有する静電ア
クチュエータを含むことを特徴とする請求項1記載の光
スイッチ・デバイス。 - 【請求項3】 前記光スイッチは、その駆動系として、
前記導波路基板表面に設けられかつ前記導波路アレイに
沿って伸びた第1の櫛形電極と、該導波路アレイに沿っ
て伸びるとともに該第1の櫛形電極に対向するよう前記
導波路基板表面に設けられた第2の櫛形電極と、前記第
1及び第2櫛形電極の間に位置し、前記光学部品を支持
した状態でその一部が前記導波路基板表面から離間して
いる櫛形フローティング電極とを備えたことを特徴とす
る請求項1記載の光スイッチ・デバイス。 - 【請求項4】 前記櫛形フローティング電極は、前記溝
の一部を覆った状態で前記光学部品を支持する支持部を
有することを特徴とする請求項3記載の光スイッチ・デ
バイス。 - 【請求項5】 前記導波路基板上における前記駆動系が
設けられた領域は、前記導波路アレイが伸びる方向と直
交する方向の最大幅が前記導波路アレイを構成する導波
路間の間隔よりも小さいことを特徴とする請求項3記載
の光スイッチ・デバイス。 - 【請求項6】 前記駆動系による前記光学部品の移動量
は50μm以下であり、前記導波路基板上における前記
駆動系が設けられた領域の、前記導波路アレイが伸びる
方向と直交する方向の最大幅は200μm以下であるこ
とを特徴とする請求項3記載の光スイッチ・デバイス。 - 【請求項7】 前記櫛形フローティング電極は、前記第
1及び第2の櫛形電極対する相対的な位置を保持する自
己保持機能を実現するための構造を備えたことを特徴と
する請求項3記載の光スイッチ・デバイス。 - 【請求項8】 前記櫛形フローティング電極は、前記光
学部品を挟む位置に板バネを有し、これら板バネの湾曲
と該板バネそれぞれにおける両端の変形により前記第1
及び第2の櫛形電極対する相対的な位置を保持する自己
保持機能が実現されることを特徴とする請求項3記載の
光スイッチ・デバイス。 - 【請求項9】 前記板バネそれぞれの両端は、蝶番構造
を有することを特徴とする請求項8記載の光スイッチ・
デバイス。 - 【請求項10】 前記板バネは、複数の平板部分、複数
の曲板部分、あるいはこれらの組み合わせにより構成さ
れることを特徴とする請求項8記載の光スイッチ・デバ
イス。 - 【請求項11】 所定方向に沿って伸びた導波路が内部
に設けられるとともに該導波路を横切る溝が設けられた
導波路基板表面に、該溝の一部を覆た状態で該導波路に
沿って伸びた形状を有する光スイッチであって、 前記光スイッチは、前記溝によって規定される空間内に
所定の光学部品を保持した状態で、該溝が伸びる方向に
沿って該光学部品を移動させる駆動系を備え、 前記駆動系は、前記導波路に沿って伸びた第1の櫛形電
極と、前記第1の櫛形電極に対向した状態で前記導波路
に沿って伸びた第2の櫛形電極と、前記第1及び第2櫛
形電極の間に位置し、所定の光学部品を支持した状態で
その一部が前記導波路基板表面から離間している櫛形フ
ローティング電極とを備えた光スイッチ。 - 【請求項12】 前記櫛形フローティング電極は、前記
溝の一部を覆った状態で前記光学部品を支持する支持部
を有することを特徴とする請求項11記載の光スイッ
チ。 - 【請求項13】 前記櫛形フローティング電極は、前記
第1及び第2の櫛形電極対する相対的な位置を保持する
自己保持機能を実現するための構造を備えたことを特徴
とする請求項11記載の光スイッチ。 - 【請求項14】 前記櫛形フローティング電極は、前記
光学部品を挟むよう配置された板バネを有し、これら板
バネの湾曲と該板バネそれぞれにおける両端の変形によ
り前記第1及び第2の櫛形電極対する相対的な位置を保
持する自己保持機能が実現されることを特徴とする請求
項11記載の光スイッチ。 - 【請求項15】 前記板バネそれぞれの両端は、蝶番構
造を有することを特徴とする請求項14記載の光スイッ
チ。 - 【請求項16】 前記板バネは、複数の平板部分、複数
の曲板部分、あるいはこれらの組み合わせにより構成さ
れることを特徴とする請求項14記載の光スイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000306572A JP2002116388A (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | 光スイッチ及びそれを含む光スイッチ・デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000306572A JP2002116388A (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | 光スイッチ及びそれを含む光スイッチ・デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002116388A true JP2002116388A (ja) | 2002-04-19 |
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ID=18787238
Family Applications (1)
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JP2000306572A Pending JP2002116388A (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | 光スイッチ及びそれを含む光スイッチ・デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002116388A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003057569A (ja) * | 2001-06-07 | 2003-02-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光スイッチ及び光スイッチアレイ |
WO2003027751A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Commutateur optique et reseau de commutateurs optiques |
JP2004025437A (ja) * | 2002-05-10 | 2004-01-29 | Xerox Corp | 双安定微小電子機械システムに基づくシステム、その作動方法及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-10-05 JP JP2000306572A patent/JP2002116388A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003057569A (ja) * | 2001-06-07 | 2003-02-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光スイッチ及び光スイッチアレイ |
WO2003027751A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Commutateur optique et reseau de commutateurs optiques |
US6993218B2 (en) | 2001-09-21 | 2006-01-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical switch and optical switch array |
JP2004025437A (ja) * | 2002-05-10 | 2004-01-29 | Xerox Corp | 双安定微小電子機械システムに基づくシステム、その作動方法及びその製造方法 |
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