JP2002110599A - 研磨装置、及びこの研磨装置を用いた研磨方法 - Google Patents
研磨装置、及びこの研磨装置を用いた研磨方法Info
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 214
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 142
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 109
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 97
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 23
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 2
- BHMLFPOTZYRDKA-IRXDYDNUSA-N (2s)-2-[(s)-(2-iodophenoxy)-phenylmethyl]morpholine Chemical compound IC1=CC=CC=C1O[C@@H](C=1C=CC=CC=1)[C@H]1OCCNC1 BHMLFPOTZYRDKA-IRXDYDNUSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた研磨レートの面内均一性が得られる研
磨装置及び研磨方法を提供する。 【解決手段】 研磨パッド１上に、半導体基板２の外周
に沿って且つこの半導体基板２を取囲むようにリング状
のスペーサー３を配置し、研磨パッド１を押圧するリテ
ーナーリング４を、スペーサー３を取囲むように配置す
る。半導体基板２とスペーサー３とは、キャリアヘッド
５により保持され、研磨パッド１に押し付けられる。ス
ペーサー３は、リテーナーリング４で押下された部分の
研磨パッド１の変形を抑える。また、スペーサー３は、
半導体基板２の外周部への研磨液６１の供給を調整す
る。
磨装置及び研磨方法を提供する。 【解決手段】 研磨パッド１上に、半導体基板２の外周
に沿って且つこの半導体基板２を取囲むようにリング状
のスペーサー３を配置し、研磨パッド１を押圧するリテ
ーナーリング４を、スペーサー３を取囲むように配置す
る。半導体基板２とスペーサー３とは、キャリアヘッド
５により保持され、研磨パッド１に押し付けられる。ス
ペーサー３は、リテーナーリング４で押下された部分の
研磨パッド１の変形を抑える。また、スペーサー３は、
半導体基板２の外周部への研磨液６１の供給を調整す
る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特に優れた研磨レートの均一性が得られる研磨装
置及び研磨方法に関する。
係り、特に優れた研磨レートの均一性が得られる研磨装
置及び研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウェハの大口径化に伴い、研磨レートの
均一性が重要視されている。特に、ウェハエッジ部にお
ける研磨レートの均一性向上は、チップの載数を稼ぐた
めにも重要な問題である。しかし、現状はウェハ外周部
に研磨ムラが発生するために、ウェハエッジ部を含めた
場合に良好な面内均一性を得ることは非常に難しい。詳
細については、以下に説明する。
均一性が重要視されている。特に、ウェハエッジ部にお
ける研磨レートの均一性向上は、チップの載数を稼ぐた
めにも重要な問題である。しかし、現状はウェハ外周部
に研磨ムラが発生するために、ウェハエッジ部を含めた
場合に良好な面内均一性を得ることは非常に難しい。詳
細については、以下に説明する。
【０００３】先ず、従来の研磨装置について説明する。
図３は、従来の研磨装置を説明するための断面図であ
る。図３において、参照符号１は研磨パッド、２は半導
体基板、２１は半導体基板２上に形成された研磨対象
膜、４はリテーナーリング、５はキャリアヘッド、５１
はキャリアヘッド５を構成するヘッド本体、５２はヘッ
ド本体５１に固定される金属板、６は研磨液供給部、６
１は研磨液供給部６から供給される研磨液、７はバッキ
ングフィルムを示している。そして、図中の矢印Ａはキ
ャリアヘッド５が半導体基板２を研磨パッド１に押し付
けるための圧力（Down Force）、矢印Ｂはキャリアヘッ
ド５（バッキングフィルム７）が半導体基板２を真空吸
着により保持するための圧力（Back Press）、矢印Ｃは
リテーナーリング４が研磨パッド１を押圧する力（Reta
iner Force）をそれぞれ示している。
図３は、従来の研磨装置を説明するための断面図であ
る。図３において、参照符号１は研磨パッド、２は半導
体基板、２１は半導体基板２上に形成された研磨対象
膜、４はリテーナーリング、５はキャリアヘッド、５１
はキャリアヘッド５を構成するヘッド本体、５２はヘッ
ド本体５１に固定される金属板、６は研磨液供給部、６
１は研磨液供給部６から供給される研磨液、７はバッキ
ングフィルムを示している。そして、図中の矢印Ａはキ
ャリアヘッド５が半導体基板２を研磨パッド１に押し付
けるための圧力（Down Force）、矢印Ｂはキャリアヘッ
ド５（バッキングフィルム７）が半導体基板２を真空吸
着により保持するための圧力（Back Press）、矢印Ｃは
リテーナーリング４が研磨パッド１を押圧する力（Reta
iner Force）をそれぞれ示している。
【０００４】次に、上述した従来の研磨装置を用いて、
以下の研磨条件で研磨を行った（図４参照）。また、Ｃ
ＭＰ装置は、ＥＰＯ−１１２Ｔ（Ｅｂａｒａ社製）を用
いた。ここで、研磨液（スラリー）６１は、ＳＳ２５
を、研磨パッド１は、ＩＣ１４００（ＫＧ製）を用い
た。また、半導体基板２には、直径１２ｉｎｃｈ（３０
０ｍｍ）のシリコンウェハを用い、研磨対象膜２１はＨ
ＤＰ−ＣＶＤ法によって形成されたシリコン酸化膜（以
下、ＨＤＰ酸化膜と称する）である。
以下の研磨条件で研磨を行った（図４参照）。また、Ｃ
ＭＰ装置は、ＥＰＯ−１１２Ｔ（Ｅｂａｒａ社製）を用
いた。ここで、研磨液（スラリー）６１は、ＳＳ２５
を、研磨パッド１は、ＩＣ１４００（ＫＧ製）を用い
た。また、半導体基板２には、直径１２ｉｎｃｈ（３０
０ｍｍ）のシリコンウェハを用い、研磨対象膜２１はＨ
ＤＰ−ＣＶＤ法によって形成されたシリコン酸化膜（以
下、ＨＤＰ酸化膜と称する）である。
【０００５】研磨条件； ＴＴ（Turn Table）回転速度：５０（ｒｐｍ）、ＴＲ
（Top Ring）回転速度：５１（ｒｐｍ）、ＤＦ（Down F
orce）：３５０（Ｐａ×１００）、ＢＰ（Back Pres
s）：２００（Ｐａ×１００）、ＲＦ（Retainer Forc
e）：０〜４００（Ｐａ×１００）、Dress Time：１０
ｓｅｃ、Polish Time：１２０ｓｅｃ。
（Top Ring）回転速度：５１（ｒｐｍ）、ＤＦ（Down F
orce）：３５０（Ｐａ×１００）、ＢＰ（Back Pres
s）：２００（Ｐａ×１００）、ＲＦ（Retainer Forc
e）：０〜４００（Ｐａ×１００）、Dress Time：１０
ｓｅｃ、Polish Time：１２０ｓｅｃ。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図４は、従来の研磨装
置を用いた場合の研磨レートを示す図である。図４にお
いて、Ｘ軸は、半導体基板上の位置を示し、Ｘ軸上の
“０”は半導体基板の中心を示している。また、研磨レ
ートは、半導体基板の最外周３ｍｍを除いた７７点で測
定した。また、Ｙ軸は、各測定点におけるＨＤＰ酸化膜
（研磨対象膜２１）の研磨レート（ｎｍ／ｍｉｎ）を示
している。図４に示すように、従来の研磨装置を用いて
研磨を行うと、研磨レートの均一性が悪かった（均一
性：±２０．２２％）。特に、半導体基板２の外周部
（図中のＧ'−Ｈ'間およびＧ−Ｈ間）において、ＨＤＰ
酸化膜の研磨レートが著しく低下する問題があった。ま
た、この研磨レートの低下は、上記研磨対象膜２１がＨ
ＤＰ酸化膜以外の場合、例えば、研磨対象膜２１がＣ
ｕ，Ｗ，Ａｌ等の金属膜の場合等においても発生してい
た。
置を用いた場合の研磨レートを示す図である。図４にお
いて、Ｘ軸は、半導体基板上の位置を示し、Ｘ軸上の
“０”は半導体基板の中心を示している。また、研磨レ
ートは、半導体基板の最外周３ｍｍを除いた７７点で測
定した。また、Ｙ軸は、各測定点におけるＨＤＰ酸化膜
（研磨対象膜２１）の研磨レート（ｎｍ／ｍｉｎ）を示
している。図４に示すように、従来の研磨装置を用いて
研磨を行うと、研磨レートの均一性が悪かった（均一
性：±２０．２２％）。特に、半導体基板２の外周部
（図中のＧ'−Ｈ'間およびＧ−Ｈ間）において、ＨＤＰ
酸化膜の研磨レートが著しく低下する問題があった。ま
た、この研磨レートの低下は、上記研磨対象膜２１がＨ
ＤＰ酸化膜以外の場合、例えば、研磨対象膜２１がＣ
ｕ，Ｗ，Ａｌ等の金属膜の場合等においても発生してい
た。
【０００７】上記研磨レートの低下は、図３の領域Ｉで
研磨が不安定であるために発生する。詳細には、研磨パ
ッド１は、ポリウレタン等の軟質な材料で製造されてい
るため、リテーナーリング４によって押圧されると、そ
の形状が変形してしまう。この研磨パッド１の変形、す
なわち研磨パッド１のリバウンドによって、半導体基板
２の外周部の研磨レートが低下してしまう。なお、今回
の実験（研磨レート測定）の場合、外周部の研磨レート
が低下したが、研磨レートが高くなる場合もある。ま
た、半導体基板２の外周部には、研磨液供給部６から供
給された研磨液６１が、中心付近と比較して多量に供給
される。これにより、半導体基板２の外周部と研磨パッ
ド１の接触面積が減少するため、半導体基板２の外周部
の研磨レートが低下してしまう。
研磨が不安定であるために発生する。詳細には、研磨パ
ッド１は、ポリウレタン等の軟質な材料で製造されてい
るため、リテーナーリング４によって押圧されると、そ
の形状が変形してしまう。この研磨パッド１の変形、す
なわち研磨パッド１のリバウンドによって、半導体基板
２の外周部の研磨レートが低下してしまう。なお、今回
の実験（研磨レート測定）の場合、外周部の研磨レート
が低下したが、研磨レートが高くなる場合もある。ま
た、半導体基板２の外周部には、研磨液供給部６から供
給された研磨液６１が、中心付近と比較して多量に供給
される。これにより、半導体基板２の外周部と研磨パッ
ド１の接触面積が減少するため、半導体基板２の外周部
の研磨レートが低下してしまう。
【０００８】また、上述のように、半導体基板２の外周
部での研磨レートが低下するため、その部分のチップは
不良となり、半導体基板を大口径化したとしてもチップ
の歩留まりが向上しないという問題があった。
部での研磨レートが低下するため、その部分のチップは
不良となり、半導体基板を大口径化したとしてもチップ
の歩留まりが向上しないという問題があった。
【０００９】ところで、図４のＧ'−Ｇ間のように、半
導体基板の最外周１３ｍｍを除くと、研磨レートの面内
均一性が±８．９３％にまで向上する。すなわち、半導
体基板２の外周部における研磨レートの特性を改善する
ことにより、研磨レートの面内均一性が向上する。
導体基板の最外周１３ｍｍを除くと、研磨レートの面内
均一性が±８．９３％にまで向上する。すなわち、半導
体基板２の外周部における研磨レートの特性を改善する
ことにより、研磨レートの面内均一性が向上する。
【００１０】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたもので、優れた研磨レートの面内均一性が得
られる研磨装置及び研磨方法を提供することを目的とす
る。
になされたもので、優れた研磨レートの面内均一性が得
られる研磨装置及び研磨方法を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決する為の手段】請求項１の発明に係る研磨
装置は、半導体基板を載置する研磨パッドと、前記研磨
パッド上で前記半導体基板の外周に沿って配置され前記
半導体基板を取囲むリング状のスペーサーと、前記半導
体基板と前記スペーサーとを保持して前記研磨パッドに
押し付けるキャリアヘッドと、前記研磨パッド上で前記
スペーサーを取囲むように配置され、前記研磨パッドを
押圧するリテーナーリングと、を備えることを特徴とす
るものである。
装置は、半導体基板を載置する研磨パッドと、前記研磨
パッド上で前記半導体基板の外周に沿って配置され前記
半導体基板を取囲むリング状のスペーサーと、前記半導
体基板と前記スペーサーとを保持して前記研磨パッドに
押し付けるキャリアヘッドと、前記研磨パッド上で前記
スペーサーを取囲むように配置され、前記研磨パッドを
押圧するリテーナーリングと、を備えることを特徴とす
るものである。
【００１２】請求項２の発明に係る研磨装置は、請求項
１に記載の研磨装置において、前記スペーサーは、前記
リテーナーリングで押圧された部分の前記研磨パッドの
変形による影響が前記半導体基板上に現れることを抑制
することを特徴とするものである。
１に記載の研磨装置において、前記スペーサーは、前記
リテーナーリングで押圧された部分の前記研磨パッドの
変形による影響が前記半導体基板上に現れることを抑制
することを特徴とするものである。
【００１３】請求項３の発明に係る研磨装置は、請求項
１または２に記載の研磨装置において、前記研磨パッド
上に研磨液を供給する研磨液供給部を更に備え、前記ス
ペーサーは、前記研磨液供給部から供給された研磨液の
うち、前記半導体基板の外周部への前記研磨液の供給を
調整するものであることを特徴とするものである。
１または２に記載の研磨装置において、前記研磨パッド
上に研磨液を供給する研磨液供給部を更に備え、前記ス
ペーサーは、前記研磨液供給部から供給された研磨液の
うち、前記半導体基板の外周部への前記研磨液の供給を
調整するものであることを特徴とするものである。
【００１４】請求項４の発明に係る研磨装置は、請求項
１から３の何れかに記載の研磨装置において、前記キャ
リアヘッドと、前記半導体基板及び前記スペーサーとの
間に、バッキングフィルムを更に備えることを特徴とす
るものである。
１から３の何れかに記載の研磨装置において、前記キャ
リアヘッドと、前記半導体基板及び前記スペーサーとの
間に、バッキングフィルムを更に備えることを特徴とす
るものである。
【００１５】請求項５の発明に係る研磨装置は、請求項
４に記載の研磨装置において、前記キャリアヘッドは、
ヘッド本体と、このヘッド本体に固定され前記バッキン
グフィルムが取り付けられる金属板と、からなることを
特徴とするものである。
４に記載の研磨装置において、前記キャリアヘッドは、
ヘッド本体と、このヘッド本体に固定され前記バッキン
グフィルムが取り付けられる金属板と、からなることを
特徴とするものである。
【００１６】請求項６の発明に係る研磨装置は、請求項
５に記載の研磨装置において、前記金属板及びこの金属
板に取り付けられたバッキングフィルムは、厚み方向に
連通し前記半導体基板及び前記スペーサーを真空吸着に
より保持する複数の開孔部を有することを特徴とするも
のである。
５に記載の研磨装置において、前記金属板及びこの金属
板に取り付けられたバッキングフィルムは、厚み方向に
連通し前記半導体基板及び前記スペーサーを真空吸着に
より保持する複数の開孔部を有することを特徴とするも
のである。
【００１７】請求項７の発明に係る研磨装置は、請求項
６に記載の研磨装置において、前記半導体基板と前記ス
ペーサーは、それぞれ独立して前記キャリアヘッドに保
持されることを特徴とするものである。
６に記載の研磨装置において、前記半導体基板と前記ス
ペーサーは、それぞれ独立して前記キャリアヘッドに保
持されることを特徴とするものである。
【００１８】請求項８の発明に係る研磨装置は、請求項
１に記載の研磨装置において、前記スペーサーが、ガラ
ス基板であることを特徴とするものである。
１に記載の研磨装置において、前記スペーサーが、ガラ
ス基板であることを特徴とするものである。
【００１９】請求項９の発明に係る研磨装置は、請求項
８に記載の研磨装置において、前記ガラス基板が、Ｓｉ
Ｏ2基板であることを特徴とするものである。
８に記載の研磨装置において、前記ガラス基板が、Ｓｉ
Ｏ2基板であることを特徴とするものである。
【００２０】請求項１０の発明に係る研磨装置は、請求
項８または９に記載の研磨装置において、前記ガラス基
板は、その表面にシリコン酸化膜が形成されたものであ
ることを特徴とするものである。
項８または９に記載の研磨装置において、前記ガラス基
板は、その表面にシリコン酸化膜が形成されたものであ
ることを特徴とするものである。
【００２１】請求項１１の発明に係る研磨装置は、請求
項８から１０の何れかに記載の研磨装置において、前記
スペーサーの幅が、１３ｍｍ以上であることを特徴とす
るものである。
項８から１０の何れかに記載の研磨装置において、前記
スペーサーの幅が、１３ｍｍ以上であることを特徴とす
るものである。
【００２２】請求項１２の発明に係る研磨装置は、請求
項１に記載の研磨装置において、前記スペーサーと前記
半導体基板の厚みが略等しいことを特徴とするものであ
る。
項１に記載の研磨装置において、前記スペーサーと前記
半導体基板の厚みが略等しいことを特徴とするものであ
る。
【００２３】請求項１３の発明に係る研磨装置は、請求
項１２に記載の研磨装置において、前記スペーサーは、
前記半導体基板とともに研磨され、使用に応じて交換さ
れることを特徴とするものである。
項１２に記載の研磨装置において、前記スペーサーは、
前記半導体基板とともに研磨され、使用に応じて交換さ
れることを特徴とするものである。
【００２４】請求項１４の発明に係る研磨方法は、請求
項１から１３の何れかに記載の研磨装置を用いることを
特徴とするものである。
項１から１３の何れかに記載の研磨装置を用いることを
特徴とするものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。
【００２６】図１は、本発明の実施の形態による研磨装
置を説明するための図である。図１において、１は研磨
パッド、２は半導体基板、２１は研磨対象膜、３はスペ
ーサー（ガラス基板）、３１はシリコン酸化膜、４はリ
テーナ−リング、５はキャリアヘッド、５１はヘッド本
体、５２は金属板、６は研磨液供給部、６１は研磨液、
７はバッキングフィルムを示している。また、８は金属
板５２の開孔部５２ａと、バッキングフィルム７の開孔
部７ａとが連通してなる開孔部を示している。
置を説明するための図である。図１において、１は研磨
パッド、２は半導体基板、２１は研磨対象膜、３はスペ
ーサー（ガラス基板）、３１はシリコン酸化膜、４はリ
テーナ−リング、５はキャリアヘッド、５１はヘッド本
体、５２は金属板、６は研磨液供給部、６１は研磨液、
７はバッキングフィルムを示している。また、８は金属
板５２の開孔部５２ａと、バッキングフィルム７の開孔
部７ａとが連通してなる開孔部を示している。
【００２７】研磨パッド１は、半導体基板２を載置する
とともに、その基板を研磨するためのものであり、ポリ
ウレタン等の軟質な材料によって製造されているもので
ある。
とともに、その基板を研磨するためのものであり、ポリ
ウレタン等の軟質な材料によって製造されているもので
ある。
【００２８】半導体基板２は、例えば、シリコン基板、
石英基板、セラミックス基板等の基板である。また、半
導体基板２上には、研磨対象膜２１が形成されている。
ここで、研磨対象膜２１としては、例えば、シリコン酸
化膜等の絶縁膜、Ｃｕ，Ｗ，Ａｌまたはその合金等から
なる金属膜、或いはＴｉＮやＴａＮからなるバリアメタ
ル等である。
石英基板、セラミックス基板等の基板である。また、半
導体基板２上には、研磨対象膜２１が形成されている。
ここで、研磨対象膜２１としては、例えば、シリコン酸
化膜等の絶縁膜、Ｃｕ，Ｗ，Ａｌまたはその合金等から
なる金属膜、或いはＴｉＮやＴａＮからなるバリアメタ
ル等である。
【００２９】また、半導体基板２は、キャリアヘッド５
に真空吸着によって保持される。詳細には、キャリアヘ
ッド５を構成する金属板５２と、この金属板５２に取り
付けられたバッキングフィルム７とを厚み方向に連通す
る複数の開孔部８によって、半導体基板２は所定の圧力
Ｂ（Back Press）でキャリアヘッド５に真空吸着され
る。また、半導体基板２は、上記キャリアヘッド５によ
り所定の圧力Ａ（Down Force）で研磨パッド１に押し付
けられる。
に真空吸着によって保持される。詳細には、キャリアヘ
ッド５を構成する金属板５２と、この金属板５２に取り
付けられたバッキングフィルム７とを厚み方向に連通す
る複数の開孔部８によって、半導体基板２は所定の圧力
Ｂ（Back Press）でキャリアヘッド５に真空吸着され
る。また、半導体基板２は、上記キャリアヘッド５によ
り所定の圧力Ａ（Down Force）で研磨パッド１に押し付
けられる。
【００３０】スペーサー３は、研磨パッド１上で半導体
基板２の外周に沿って配置され、半導体基板２を取囲む
ガラス基板である。ここで、ガラス基板３とは、例えば
ＳｉＯ2（シリカガラス）基板である。また、スペーサ
ー３の表面には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）３１が形
成されている。ここで、スペーサー３がＳｉＯ2基板で
ある場合には、スペーサー３上に上記シリコン酸化膜３
１を形成しなくてもよい。
基板２の外周に沿って配置され、半導体基板２を取囲む
ガラス基板である。ここで、ガラス基板３とは、例えば
ＳｉＯ2（シリカガラス）基板である。また、スペーサ
ー３の表面には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）３１が形
成されている。ここで、スペーサー３がＳｉＯ2基板で
ある場合には、スペーサー３上に上記シリコン酸化膜３
１を形成しなくてもよい。
【００３１】スペーサー３は、その幅Ｄが１３ｍｍ以上
のリング状のものである。ここで、幅Ｄを１３ｍｍ以上
としたのは、図４において、最外周１３ｍｍをカットす
ることにより、研磨レートの面内均一性が向上すること
が示されているからである。
のリング状のものである。ここで、幅Ｄを１３ｍｍ以上
としたのは、図４において、最外周１３ｍｍをカットす
ることにより、研磨レートの面内均一性が向上すること
が示されているからである。
【００３２】また、スペーサー３は、上記半導体基板２
とともに、キャリアヘッド５に真空吸着によって保持さ
れる。詳細には、上記金属板５２とバッキングフィルム
７とを連通する開孔部８によって所定の圧力Ｂで真空吸
着される。ここで、半導体基板２と、スペーサー３と
は、それぞれ独立してキャリアヘッド５に保持される。
すなわち、半導体基板２を吸着するための圧力Ｂと、ス
ペーサー３を吸着するための圧力Ｂとは、図示しない制
御部によって独立して制御される。これにより、半導体
基板２（研磨対象膜２１）の研磨終了後、スペーサー３
をキャリアヘッド５に保持したまま、半導体基板２のみ
を交換することが可能となる。
とともに、キャリアヘッド５に真空吸着によって保持さ
れる。詳細には、上記金属板５２とバッキングフィルム
７とを連通する開孔部８によって所定の圧力Ｂで真空吸
着される。ここで、半導体基板２と、スペーサー３と
は、それぞれ独立してキャリアヘッド５に保持される。
すなわち、半導体基板２を吸着するための圧力Ｂと、ス
ペーサー３を吸着するための圧力Ｂとは、図示しない制
御部によって独立して制御される。これにより、半導体
基板２（研磨対象膜２１）の研磨終了後、スペーサー３
をキャリアヘッド５に保持したまま、半導体基板２のみ
を交換することが可能となる。
【００３３】また、スペーサー３の厚みは、半導体基板
２の厚みと略等しい。ここで、スペーサー３の厚みと
は、図１に示すように、スペーサー３上にシリコン酸化
膜３１が形成されている場合には、スペーサー３とシリ
コン酸化膜３１との合計の厚みを意味する。また、半導
体基板２の厚みとは、半導体基板２と研磨対象膜２１と
の合計の厚みを意味する。これにより、キャリアヘッド
５によって研磨パッド１にそれぞれ押し付けられる半導
体基板２（研磨対象膜２１）の表面と、スペーサー３
（シリコン酸化膜３１）の表面とがほぼ同一平面とな
り、半導体基板２上の研磨対象膜２１が研磨されるとと
もにスペーサー３（シリコン酸化膜３１）の表面が研磨
される。ここで、スペーサー３が、従来の半導体基板２
の外周近傍の研磨レートが不安定な部分（図３に示す領
域Ｉを参照）に対応する。すなわち、スペーサー３は、
リテーナーリング４の押圧された部分の研磨パッド１の
変形（リバウンド）を抑えるものである。
２の厚みと略等しい。ここで、スペーサー３の厚みと
は、図１に示すように、スペーサー３上にシリコン酸化
膜３１が形成されている場合には、スペーサー３とシリ
コン酸化膜３１との合計の厚みを意味する。また、半導
体基板２の厚みとは、半導体基板２と研磨対象膜２１と
の合計の厚みを意味する。これにより、キャリアヘッド
５によって研磨パッド１にそれぞれ押し付けられる半導
体基板２（研磨対象膜２１）の表面と、スペーサー３
（シリコン酸化膜３１）の表面とがほぼ同一平面とな
り、半導体基板２上の研磨対象膜２１が研磨されるとと
もにスペーサー３（シリコン酸化膜３１）の表面が研磨
される。ここで、スペーサー３が、従来の半導体基板２
の外周近傍の研磨レートが不安定な部分（図３に示す領
域Ｉを参照）に対応する。すなわち、スペーサー３は、
リテーナーリング４の押圧された部分の研磨パッド１の
変形（リバウンド）を抑えるものである。
【００３４】また、スペーサー３の厚みは使用（研磨）
に応じて減少するため、例えば、５回の研磨毎のよう
に、定期的にスペーサー３は交換される。ここで、交換
後のスペーサー３上にシリコン酸化膜３１を再度堆積さ
せることにより、このスペーサー３を再利用することが
できる。
に応じて減少するため、例えば、５回の研磨毎のよう
に、定期的にスペーサー３は交換される。ここで、交換
後のスペーサー３上にシリコン酸化膜３１を再度堆積さ
せることにより、このスペーサー３を再利用することが
できる。
【００３５】また、スペーサー３の材質を、研磨対象膜
２１と同一のシリコン酸化膜としているため、スペーサ
ー３（シリコン酸化膜３１）が研磨されても、研磨対象
膜２１の研磨レートに影響を及ぼさない。また、研磨対
象膜２１が金属膜等の場合でもその研磨レートに影響を
及ぼさない。これは、ダミー研磨にシリコン酸化膜が形
成された半導体基板を用いることからも明らかである。
２１と同一のシリコン酸化膜としているため、スペーサ
ー３（シリコン酸化膜３１）が研磨されても、研磨対象
膜２１の研磨レートに影響を及ぼさない。また、研磨対
象膜２１が金属膜等の場合でもその研磨レートに影響を
及ぼさない。これは、ダミー研磨にシリコン酸化膜が形
成された半導体基板を用いることからも明らかである。
【００３６】また、スペーサー３は、研磨液供給部６か
ら研磨パッド１上に供給された研磨液６１のうち、半導
体基板２の外周部への研磨液６１の供給を調整する。す
なわち、従来過剰供給であった半導体基板２の外周部へ
の研磨液６１の供給量が、スペーサー３によって抑えら
れる。
ら研磨パッド１上に供給された研磨液６１のうち、半導
体基板２の外周部への研磨液６１の供給を調整する。す
なわち、従来過剰供給であった半導体基板２の外周部へ
の研磨液６１の供給量が、スペーサー３によって抑えら
れる。
【００３７】リテーナーリング４は、研磨パッド１上で
スペーサー３を囲むように配置され、半導体基板２の飛
び出しを防止するためのものである。また、リテーナー
リング４は、研磨パッド１の表面を、所定の圧力Ｃ（Re
tainer Force）で押圧するものである。
スペーサー３を囲むように配置され、半導体基板２の飛
び出しを防止するためのものである。また、リテーナー
リング４は、研磨パッド１の表面を、所定の圧力Ｃ（Re
tainer Force）で押圧するものである。
【００３８】キャリアヘッド５は、半導体基板２とスペ
ーサー３を保持して、それらを所定の圧力Ａで研磨パッ
ド１に押し付けるものである。キャリアヘッド５は、ヘ
ッド本体５１と、このヘッド本体５１に固定されバッキ
ングフィルム７が取り付けられる金属板５２とからな
る。ここで、金属板５２には、バッキングフィルム７の
開孔部７ａと連通する開孔部５２ａが形成されている。
ーサー３を保持して、それらを所定の圧力Ａで研磨パッ
ド１に押し付けるものである。キャリアヘッド５は、ヘ
ッド本体５１と、このヘッド本体５１に固定されバッキ
ングフィルム７が取り付けられる金属板５２とからな
る。ここで、金属板５２には、バッキングフィルム７の
開孔部７ａと連通する開孔部５２ａが形成されている。
【００３９】研磨液供給部６は、研磨パッド１上に研磨
液６１としてのスラリーを供給するためのノズルであ
る。また、研磨液供給部６により供給された研磨液６１
は、研磨パッド１とリテーナーリング４の間を通って、
研磨パッド１とスペーサー３の間を通った後、半導体基
板２の外周部に供給される。
液６１としてのスラリーを供給するためのノズルであ
る。また、研磨液供給部６により供給された研磨液６１
は、研磨パッド１とリテーナーリング４の間を通って、
研磨パッド１とスペーサー３の間を通った後、半導体基
板２の外周部に供給される。
【００４０】バッキングフィルム７は、キャリアヘッド
５を構成する金属板５２に取り付けられるものである。
また、バッキングフィルム７の表面に、半導体基板２が
真空吸着される。詳細には、バッキングフィルム７に
は、金属板５２に形成された開孔部５２ａと連通する開
孔部７ａが形成されている。そして、この２つの開孔部
７ａ，５２ａからなる開孔部８によって半導体基板２が
真空吸着され、キャリアヘッド５に保持される。
５を構成する金属板５２に取り付けられるものである。
また、バッキングフィルム７の表面に、半導体基板２が
真空吸着される。詳細には、バッキングフィルム７に
は、金属板５２に形成された開孔部５２ａと連通する開
孔部７ａが形成されている。そして、この２つの開孔部
７ａ，５２ａからなる開孔部８によって半導体基板２が
真空吸着され、キャリアヘッド５に保持される。
【００４１】以上説明した研磨装置について要約する
と、研磨パッド１上で半導体基板２を取囲むように半導
体基板２の外周に沿ってリング状のスペーサー３を配置
し、研磨パッド１上でこのスペーサー３を取囲むように
リテーナ−リング４を配置する。そして、ヘッド本体５
１と、バッキングフィルム７が取り付けられる金属板５
２とからなるキャリアヘッド５は、半導体基板２とスペ
ーサー３とを保持してそれらを研磨パッド１に押し付け
る。また、スペーサー３は、ガラス基板であり、より具
体的にはＳｉＯ2基板である。さらに、ガラス基板３の
表面には、シリコン酸化膜３１が形成されている。
と、研磨パッド１上で半導体基板２を取囲むように半導
体基板２の外周に沿ってリング状のスペーサー３を配置
し、研磨パッド１上でこのスペーサー３を取囲むように
リテーナ−リング４を配置する。そして、ヘッド本体５
１と、バッキングフィルム７が取り付けられる金属板５
２とからなるキャリアヘッド５は、半導体基板２とスペ
ーサー３とを保持してそれらを研磨パッド１に押し付け
る。また、スペーサー３は、ガラス基板であり、より具
体的にはＳｉＯ2基板である。さらに、ガラス基板３の
表面には、シリコン酸化膜３１が形成されている。
【００４２】また、本実施の形態による研磨装置は、図
２（ａ）に示すように、半導体基板２とスペーサー３を
キャリアヘッド５（バッキングフィルム６）に取り付け
るための取り付け装置９を更に備えている。ここで、取
り付け装置９は、複数のスペーサー３を垂直方向に重ね
て保管するスペーサー保管部９１と、半導体基板２を保
持する基板保持部９２とからなる。スペーサー保管部９
１は、シリコン酸化膜３１（被研磨面）が下側となるよ
うに、複数のスペーサー３を保管するものである。ま
た、スペーサー保管部９１は、図示しない昇降機構を備
えている。そして、最上のスペーサー３がキャリアヘッ
ド５に取り付けられた後に、その直下にあるスペーサー
３が昇降機構により最上の保管位置まで押し上げられ
る。基板保持部９２は、研磨対象膜２１が下側となるよ
うに半導体基板２を保持するものである。この半導体基
板２は、図示しない搬送装置により上記基板保持部９２
に搬送される。また、図２（ａ）に示すように、上記取
り付け装置９において、スペーサー保管部９１によって
最上位置に保管されるスペーサー３と、基板保持部９２
により保持される半導体基板２とは、ほぼ同じ高さに位
置する。
２（ａ）に示すように、半導体基板２とスペーサー３を
キャリアヘッド５（バッキングフィルム６）に取り付け
るための取り付け装置９を更に備えている。ここで、取
り付け装置９は、複数のスペーサー３を垂直方向に重ね
て保管するスペーサー保管部９１と、半導体基板２を保
持する基板保持部９２とからなる。スペーサー保管部９
１は、シリコン酸化膜３１（被研磨面）が下側となるよ
うに、複数のスペーサー３を保管するものである。ま
た、スペーサー保管部９１は、図示しない昇降機構を備
えている。そして、最上のスペーサー３がキャリアヘッ
ド５に取り付けられた後に、その直下にあるスペーサー
３が昇降機構により最上の保管位置まで押し上げられ
る。基板保持部９２は、研磨対象膜２１が下側となるよ
うに半導体基板２を保持するものである。この半導体基
板２は、図示しない搬送装置により上記基板保持部９２
に搬送される。また、図２（ａ）に示すように、上記取
り付け装置９において、スペーサー保管部９１によって
最上位置に保管されるスペーサー３と、基板保持部９２
により保持される半導体基板２とは、ほぼ同じ高さに位
置する。
【００４３】次に、上記取り付け装置９による半導体基
板２及びスペーサー３の取り付け方法について、簡単に
説明する。先ず、図示しない搬送装置によって、半導体
基板２が基板保持部９２に搬送される。また、スペーサ
ー保管部９１には複数のスペーサー３を積み重ねて保管
しておく。そして、それぞれ連通する金属板５２の開孔
部５２ａと、バッキングフィルム７の開孔部７ａとによ
って構成される開孔部８を、減圧状態にする。次いで、
取り付け装置９を、図２（ａ）に示すように、昇降機構
（図示省略）により上昇させると、図２（ｂ）に示すよ
うに、バッキングフィルム７表面すなわちキャリアヘッ
ド５に、半導体基板２とスペーサー３とが真空吸着によ
り保持される。ここで、半導体基板２を吸着する圧力Ｂ
（Back Press）と、スペーサー３を吸着する圧力Ｂと
は、それぞれ独立して制御される。
板２及びスペーサー３の取り付け方法について、簡単に
説明する。先ず、図示しない搬送装置によって、半導体
基板２が基板保持部９２に搬送される。また、スペーサ
ー保管部９１には複数のスペーサー３を積み重ねて保管
しておく。そして、それぞれ連通する金属板５２の開孔
部５２ａと、バッキングフィルム７の開孔部７ａとによ
って構成される開孔部８を、減圧状態にする。次いで、
取り付け装置９を、図２（ａ）に示すように、昇降機構
（図示省略）により上昇させると、図２（ｂ）に示すよ
うに、バッキングフィルム７表面すなわちキャリアヘッ
ド５に、半導体基板２とスペーサー３とが真空吸着によ
り保持される。ここで、半導体基板２を吸着する圧力Ｂ
（Back Press）と、スペーサー３を吸着する圧力Ｂと
は、それぞれ独立して制御される。
【００４４】次に、上記研磨装置を用いた研磨方法につ
いて説明する。先ず、図２に示すように、上記取り付け
装置９を用いることによって、キャリアヘッド５の金属
板５２に取り付けられたバッキングフィルム７に、半導
体基板２とスペーサー３とを真空吸着により保持する。
この時、半導体基板２とスペーサー３とはそれぞれ独立
した吸着機構によって保持される。さらに、半導体基板
２上に形成された研磨対象膜２１表面と、スペーサー３
に形成されたシリコン酸化膜３１表面とが、ほぼ同一平
面となるように保持される。
いて説明する。先ず、図２に示すように、上記取り付け
装置９を用いることによって、キャリアヘッド５の金属
板５２に取り付けられたバッキングフィルム７に、半導
体基板２とスペーサー３とを真空吸着により保持する。
この時、半導体基板２とスペーサー３とはそれぞれ独立
した吸着機構によって保持される。さらに、半導体基板
２上に形成された研磨対象膜２１表面と、スペーサー３
に形成されたシリコン酸化膜３１表面とが、ほぼ同一平
面となるように保持される。
【００４５】そして、図１に示すように、研磨パッド１
上に研磨液６１を研磨液供給部６により供給する。続い
て、半導体基板２とスペーサー３は、キャリアヘッド５
により所定の圧力Ａ（Down Force）で研磨パッド１に押
し付けられる。それと同時に、所定の圧力Ｃ（Retainer
Force）でリテーナーリング４が研磨パッド１を押圧す
る。これにより、半導体基板２の研磨対象膜２１が研磨
される。この時、半導体基板２上の研磨対象膜２１と同
一平面上にあるスペーサー３（シリコン酸化膜３１）も
研磨される。
上に研磨液６１を研磨液供給部６により供給する。続い
て、半導体基板２とスペーサー３は、キャリアヘッド５
により所定の圧力Ａ（Down Force）で研磨パッド１に押
し付けられる。それと同時に、所定の圧力Ｃ（Retainer
Force）でリテーナーリング４が研磨パッド１を押圧す
る。これにより、半導体基板２の研磨対象膜２１が研磨
される。この時、半導体基板２上の研磨対象膜２１と同
一平面上にあるスペーサー３（シリコン酸化膜３１）も
研磨される。
【００４６】また、研磨終了後は、スペーサー３を保持
したまま、半導体基板２のみを交換する。この半導体基
板２の交換には、上記取り付け装置９は用いず、上記搬
送装置を用いる。また、スペーサー３は、半導体基板２
の研磨対象膜２１とともに研磨されるため、例えば、３
枚の半導体基板２を研磨する毎のように、その使用に応
じて定期的に交換する。
したまま、半導体基板２のみを交換する。この半導体基
板２の交換には、上記取り付け装置９は用いず、上記搬
送装置を用いる。また、スペーサー３は、半導体基板２
の研磨対象膜２１とともに研磨されるため、例えば、３
枚の半導体基板２を研磨する毎のように、その使用に応
じて定期的に交換する。
【００４７】上述した研磨方法によれば、半導体基板２
と、その半導体基板２を取囲むように配置されたスペー
サー３とが同時に研磨される。ここで、スペーサー３
が、リテーナーリング４で押圧された部分の研磨パッド
１の変形（リバウンド）による影響が半導体基板２上に
現れることを抑制する。すなわち、研磨パッド１の変形
を、スペーサー３により押さえ付ける。これとともに、
スペーサー３は、研磨液６１の半導体基板２の外周部へ
の供給量を調整する。すなわち、半導体基板２の外周部
に、一度に多量の研磨液６１が供給されるのを防止す
る。従って、半導体基板２の外周部における研磨レート
の低下を防止できる。このため、研磨レートの面内均一
性は、図４のＧ'−Ｇ間に示すように改善される。
と、その半導体基板２を取囲むように配置されたスペー
サー３とが同時に研磨される。ここで、スペーサー３
が、リテーナーリング４で押圧された部分の研磨パッド
１の変形（リバウンド）による影響が半導体基板２上に
現れることを抑制する。すなわち、研磨パッド１の変形
を、スペーサー３により押さえ付ける。これとともに、
スペーサー３は、研磨液６１の半導体基板２の外周部へ
の供給量を調整する。すなわち、半導体基板２の外周部
に、一度に多量の研磨液６１が供給されるのを防止す
る。従って、半導体基板２の外周部における研磨レート
の低下を防止できる。このため、研磨レートの面内均一
性は、図４のＧ'−Ｇ間に示すように改善される。
【００４８】以上説明したように、本実施の形態による
研磨装置は、研磨パッド１上で半導体基板２の外周に沿
ってリング状のスペーサー３を配置し、そのスペーサー
３を取囲むようにリテーナーリング４を配置した。すな
わち、研磨パッド１上で半導体基板２とリテーナーリン
グ４の間に、リング状のスペーサー３を配置した。
研磨装置は、研磨パッド１上で半導体基板２の外周に沿
ってリング状のスペーサー３を配置し、そのスペーサー
３を取囲むようにリテーナーリング４を配置した。すな
わち、研磨パッド１上で半導体基板２とリテーナーリン
グ４の間に、リング状のスペーサー３を配置した。
【００４９】この研磨装置を用いて研磨を行う際、リテ
ーナーリング４の押圧力による研磨パッド１の変形（リ
バウンド）の影響をスペーサー３で抑えることができる
ため、半導体基板２の外周部における研磨レートが低下
しない。さらに、スペーサー３によって、半導体基板２
の外周部に供給される研磨液６１の量を適量に調整する
ことができるため、外周部における研磨レートが低下し
ない。従って、優れた研磨レートの面内均一性が得られ
る研磨装置、及び研磨方法を提供できる。このため、直
径３００ｍｍの半導体基板２において、その外周部で良
品チップが得られ、歩留まりが向上する。
ーナーリング４の押圧力による研磨パッド１の変形（リ
バウンド）の影響をスペーサー３で抑えることができる
ため、半導体基板２の外周部における研磨レートが低下
しない。さらに、スペーサー３によって、半導体基板２
の外周部に供給される研磨液６１の量を適量に調整する
ことができるため、外周部における研磨レートが低下し
ない。従って、優れた研磨レートの面内均一性が得られ
る研磨装置、及び研磨方法を提供できる。このため、直
径３００ｍｍの半導体基板２において、その外周部で良
品チップが得られ、歩留まりが向上する。
【００５０】なお、本実施の形態においては、直径３０
０ｍｍの半導体基板２を用いたが、半導体基板２の大き
さは任意であり、例えば、直径２００ｍｍ（８ｉｎｃ
ｈ）の半導体基板を用いてもよい。この場合も、基板外
周部における研磨レートの特性を改善できるため、研磨
レートの面内均一性が向上する。
０ｍｍの半導体基板２を用いたが、半導体基板２の大き
さは任意であり、例えば、直径２００ｍｍ（８ｉｎｃ
ｈ）の半導体基板を用いてもよい。この場合も、基板外
周部における研磨レートの特性を改善できるため、研磨
レートの面内均一性が向上する。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板の外周部に
おける研磨レートの低下を防止できる。従って、研磨レ
ートの面内均一性に優れた研磨装置及び研磨方法を提供
することができる。
おける研磨レートの低下を防止できる。従って、研磨レ
ートの面内均一性に優れた研磨装置及び研磨方法を提供
することができる。
【図１】 本発明の実施の形態による研磨装置を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図２】 図１に示した半導体基板及びスペーサーの保
持について説明するための断面図である。
持について説明するための断面図である。
【図３】 従来の研磨装置を説明するための断面図であ
る。
る。
【図４】 従来の研磨装置を用いた場合の、研磨レート
を示す図である。
を示す図である。
１ 研磨パッド、２ 半導体基板（シリコン基板）、３
スペーサー（ガラス基板）、４ リテーナーリング、
５ キャリアヘッド、６ 研磨液供給部、７バッキング
フィルム、７ａ 開孔部、８ 開孔部、９ 取り付け装
置、２１ 研磨対象膜（シリコン酸化膜）、３１ シリ
コン酸化膜、５１ ヘッド本体、５２金属板、５２ａ
開孔部、６１ 研磨液（スラリー）、９１ スペーサー
保管部、９２ 基板保持部、Ａ 圧力（Down Force）、
Ｂ 圧力（Back Press）、Ｃ圧力（Retainer Force）、
Ｉ 領域。
スペーサー（ガラス基板）、４ リテーナーリング、
５ キャリアヘッド、６ 研磨液供給部、７バッキング
フィルム、７ａ 開孔部、８ 開孔部、９ 取り付け装
置、２１ 研磨対象膜（シリコン酸化膜）、３１ シリ
コン酸化膜、５１ ヘッド本体、５２金属板、５２ａ
開孔部、６１ 研磨液（スラリー）、９１ スペーサー
保管部、９２ 基板保持部、Ａ 圧力（Down Force）、
Ｂ 圧力（Back Press）、Ｃ圧力（Retainer Force）、
Ｉ 領域。
Claims (14)
- 【請求項１】 半導体基板を載置する研磨パッドと、 前記研磨パッド上で前記半導体基板の外周に沿って配置
され前記半導体基板を取囲むリング状のスペーサーと、 前記半導体基板と前記スペーサーとを保持して前記研磨
パッドに押し付けるキャリアヘッドと、 前記研磨パッド上で前記スペーサーを取囲むように配置
され、前記研磨パッドを押圧するリテーナーリングと、 を備えることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の研磨装置において、 前記スペーサーは、前記リテーナーリングで押圧された
部分の前記研磨パッドの変形による影響が前記半導体基
板上に現れることを抑制することを特徴とする研磨装
置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の研磨装置にお
いて、 前記研磨パッド上に研磨液を供給する研磨液供給部を更
に備え、 前記スペーサーは、前記研磨液供給部から供給された研
磨液のうち、前記半導体基板の外周部への前記研磨液の
供給を調整するものであることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項４】 請求項１から３の何れかに記載の研磨装
置において、 前記キャリアヘッドと、前記半導体基板及び前記スペー
サーとの間に、バッキングフィルムを更に備えることを
特徴とする研磨装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の研磨装置において、 前記キャリアヘッドは、ヘッド本体と、このヘッド本体
に固定され前記バッキングフィルムが取り付けられる金
属板と、からなることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の研磨装置において、 前記金属板及びこの金属板に取り付けられたバッキング
フィルムは、厚み方向に連通し前記半導体基板及び前記
スペーサーを真空吸着により保持する複数の開孔部を有
することを特徴とする研磨装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の研磨装置において、 前記半導体基板と前記スペーサーは、それぞれ独立して
前記キャリアヘッドに保持されることを特徴とする研磨
装置。 - 【請求項８】 請求項１に記載の研磨装置において、 前記スペーサーが、ガラス基板であることを特徴とする
研磨装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の研磨装置において、 前記ガラス基板が、ＳｉＯ2基板であることを特徴とす
る研磨装置。 - 【請求項１０】 請求項８または９に記載の研磨装置に
おいて、 前記ガラス基板は、その表面にシリコン酸化膜が形成さ
れたものであることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項１１】 請求項８から１０の何れかに記載の研
磨装置において、 前記スペーサーの幅が、１３ｍｍ以上であることを特徴
とする研磨装置。 - 【請求項１２】 請求項１に記載の研磨装置において、 前記スペーサーと前記半導体基板の厚みが略等しいこと
を特徴とする研磨装置。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の研磨装置におい
て、 前記スペーサーは、前記半導体基板とともに研磨され、
使用に応じて交換されることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項１４】 請求項１から１３の何れかに記載の研
磨装置を用いることを特徴とする研磨方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000305232A JP2002110599A (ja) | 2000-10-04 | 2000-10-04 | 研磨装置、及びこの研磨装置を用いた研磨方法 |
| KR1020010031079A KR20020027158A (ko) | 2000-10-04 | 2001-06-04 | 연마 장치 및 이 연마 장치를 이용한 연마 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000305232A JP2002110599A (ja) | 2000-10-04 | 2000-10-04 | 研磨装置、及びこの研磨装置を用いた研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002110599A true JP2002110599A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18786132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000305232A Pending JP2002110599A (ja) | 2000-10-04 | 2000-10-04 | 研磨装置、及びこの研磨装置を用いた研磨方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002110599A (ja) |
| KR (1) | KR20020027158A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260120A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置の保持テーブル機構 |
-
2000
- 2000-10-04 JP JP2000305232A patent/JP2002110599A/ja active Pending
-
2001
- 2001-06-04 KR KR1020010031079A patent/KR20020027158A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260120A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置の保持テーブル機構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020027158A (ko) | 2002-04-13 |
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
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