JP2002109797A - 不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの記録再生装置 - Google Patents
不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの記録再生装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で高集積度の不揮発メモリ及び不揮発性
メモリの記録再生装置を提供する。 【解決手段】 本発明は、ガラス基板４１１上にカルコ
ゲン半導体としてＤＣスパッタ法でＧｅＳｂＴｅ薄膜４
１２を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ド
ライエッチングでＧｅＳｂＴｅを２端子の配線形状とす
る。配線４３１はドックボーン形状とし、この部分が交
番に配置される。以上の形状にＧｅＳｂＴｅを加工後、
ＲＦスパッタ法でＳｉＯ2 薄膜４１３を成膜し、レジス
トを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線
の端子部分４２１，４２２に開口を形成する。最後に、
熱処理によりＧｅＳｂＴｅが相変化し、アモルファス相
から結晶相に変化する。従って、トランジスタ構造を用
いず、レーザビームを走査して反射光光量を検出する方
法でアドレスすることから、ワード・ビット線も不要の
ため、高記録密度の不揮発性メモリを極単純な配線構造
で安価に実現する。
メモリの記録再生装置を提供する。 【解決手段】 本発明は、ガラス基板４１１上にカルコ
ゲン半導体としてＤＣスパッタ法でＧｅＳｂＴｅ薄膜４
１２を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ド
ライエッチングでＧｅＳｂＴｅを２端子の配線形状とす
る。配線４３１はドックボーン形状とし、この部分が交
番に配置される。以上の形状にＧｅＳｂＴｅを加工後、
ＲＦスパッタ法でＳｉＯ2 薄膜４１３を成膜し、レジス
トを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線
の端子部分４２１，４２２に開口を形成する。最後に、
熱処理によりＧｅＳｂＴｅが相変化し、アモルファス相
から結晶相に変化する。従って、トランジスタ構造を用
いず、レーザビームを走査して反射光光量を検出する方
法でアドレスすることから、ワード・ビット線も不要の
ため、高記録密度の不揮発性メモリを極単純な配線構造
で安価に実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性メモリ及
び不揮発性メモリの記録再生装置に関し、特に簡単な構
造で安価な高集積度の不揮発性メモリ及び不揮発性メモ
リの記録再生装置に関する。
び不揮発性メモリの記録再生装置に関し、特に簡単な構
造で安価な高集積度の不揮発性メモリ及び不揮発性メモ
リの記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体メモリには、ＤＲＡＭのよ
うに電源が切れると情報が消失する揮発性メモリと、フ
ラッシュメモリ、強誘電体メモリなど、電源が切れても
情報が消失しない不揮発性メモリがある。
うに電源が切れると情報が消失する揮発性メモリと、フ
ラッシュメモリ、強誘電体メモリなど、電源が切れても
情報が消失しない不揮発性メモリがある。
【０００３】ＤＲＡＭ、強誘電体メモリは、情報を記録
する部分がコンデンサからなり、このコンデンサに貯え
られた電荷の有無もしくは分極の向きにより情報が記録
されるため、一つのメモリセルには最低一つのコンデン
サとトランジスタが必要となる。
する部分がコンデンサからなり、このコンデンサに貯え
られた電荷の有無もしくは分極の向きにより情報が記録
されるため、一つのメモリセルには最低一つのコンデン
サとトランジスタが必要となる。
【０００４】フラッシュメモリは、フローティングゲー
トに電荷が蓄積されるかどうかでトランジスタのコント
ロールゲートのしきい電圧を変化させるので、やはり一
つのメモリセルに最低一つのトランジスタが必要とな
る。
トに電荷が蓄積されるかどうかでトランジスタのコント
ロールゲートのしきい電圧を変化させるので、やはり一
つのメモリセルに最低一つのトランジスタが必要とな
る。
【０００５】また、いずれの構造においてもメモリセル
は、ワード・ビット線により接続されマトリックス状に
配置される。トランジスタのソース・ドレインや、コン
デンサ、またワード・ビット線など金属配線の占有面積
が大きく、従来の素子構造をスケーリングしただけでは
飛躍的な容量の増加は望めない。
は、ワード・ビット線により接続されマトリックス状に
配置される。トランジスタのソース・ドレインや、コン
デンサ、またワード・ビット線など金属配線の占有面積
が大きく、従来の素子構造をスケーリングしただけでは
飛躍的な容量の増加は望めない。
【０００６】例えば、従来のフラッシュメモリセルサイ
ズを縮小する方法が、特開平１１−２２０１１０号公報
や特開平１１−２６５９８６号公報などに開示されてい
る。
ズを縮小する方法が、特開平１１−２２０１１０号公報
や特開平１１−２６５９８６号公報などに開示されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の固体メモリで
は、高い集積度を達成することが困難である。また、ト
ランジスタ構造が必要であることからプロセスが複雑で
あり、ハードディスクなどのディスク系メモリと比べて
記憶容量あたりの価格が非常に高くなっている。
は、高い集積度を達成することが困難である。また、ト
ランジスタ構造が必要であることからプロセスが複雑で
あり、ハードディスクなどのディスク系メモリと比べて
記憶容量あたりの価格が非常に高くなっている。
【０００８】本発明は、上記問題点に鑑みて成されたも
のであり、安価で高集積度の不揮発メモリ及び不揮発性
メモリの記録再生装置を提供することを目的とする。
のであり、安価で高集積度の不揮発メモリ及び不揮発性
メモリの記録再生装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、少なくともアンチモン（Ｓ
ｂ）とテルル（Ｔｅ）とを含む３種類以上の元素を含有
するカルコゲナイド半導体を記録層とし、レーザビーム
加熱による相変化によって記録層の電気抵抗を部分的に
変化させることで情報の記録ドメインとすることを特徴
とする。
に、請求項１記載の発明は、少なくともアンチモン（Ｓ
ｂ）とテルル（Ｔｅ）とを含む３種類以上の元素を含有
するカルコゲナイド半導体を記録層とし、レーザビーム
加熱による相変化によって記録層の電気抵抗を部分的に
変化させることで情報の記録ドメインとすることを特徴
とする。
【００１０】請求項１に記載したようにカルコゲナイド
半導体を記録層とする。カルコゲナイド半導体は、高抵
抗であるアモルファス相と、低抵抗である結晶相の２つ
の安定相を持つ。融点が低いことから比較的簡単な加熱
手段で、結晶・アモルファス相間での相変化が起きる。
例えば、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭな
どの書き換え型の光メモリでは、数十ｍＷクラスの安価
なレーザダイオードで相変化を起こすことにより記録ド
メインとしている。相変化により抵抗値も変化する。例
えば、代表的な相変化材料であるＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜
の場合、実測した抵抗値は、結晶相で１〜１０Ｅ−４Ω
・cmであり、アモルファス相で１０〜５０Ω・cmであ
る。このように、結晶相・アモルファス相間で約６桁と
大きな抵抗差を示す。
半導体を記録層とする。カルコゲナイド半導体は、高抵
抗であるアモルファス相と、低抵抗である結晶相の２つ
の安定相を持つ。融点が低いことから比較的簡単な加熱
手段で、結晶・アモルファス相間での相変化が起きる。
例えば、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭな
どの書き換え型の光メモリでは、数十ｍＷクラスの安価
なレーザダイオードで相変化を起こすことにより記録ド
メインとしている。相変化により抵抗値も変化する。例
えば、代表的な相変化材料であるＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜
の場合、実測した抵抗値は、結晶相で１〜１０Ｅ−４Ω
・cmであり、アモルファス相で１０〜５０Ω・cmであ
る。このように、結晶相・アモルファス相間で約６桁と
大きな抵抗差を示す。
【００１１】本発明によるメモリ素子では、上記特性を
示すカルコゲナイド半導体を記録層とする。カルコゲン
半導体としては、アンチモン（Ｓｂ）とテルル（Ｔｅ）
とを含む材料、例えばＡｇＩｎＳｂＴｅやＧｅＳｂＴｅ
などを用いることができる。レーザビーム加熱で記録層
を局所的に加熱して抵抗変化部分を形成する。
示すカルコゲナイド半導体を記録層とする。カルコゲン
半導体としては、アンチモン（Ｓｂ）とテルル（Ｔｅ）
とを含む材料、例えばＡｇＩｎＳｂＴｅやＧｅＳｂＴｅ
などを用いることができる。レーザビーム加熱で記録層
を局所的に加熱して抵抗変化部分を形成する。
【００１２】図１は、記録方法の説明図である。メモリ
素子は、基板１１上に記録層１２を積層した構成であ
る。図１では、記録層側からレーザを照射した様子を示
すが、基板側から照射しても構わない。レーザビーム１
５の走査に合わせてパワーを多段変調する。図１は３段
変調する場合を示すものである。
素子は、基板１１上に記録層１２を積層した構成であ
る。図１では、記録層側からレーザを照射した様子を示
すが、基板側から照射しても構わない。レーザビーム１
５の走査に合わせてパワーを多段変調する。図１は３段
変調する場合を示すものである。
【００１３】最高パワーＰｗを１とすると、Ｐｅは０．
２〜０．８の範囲とし、Ｐｂは０〜０．５の範囲とす
る。以上の方法によって、記録層の一部分が相変化して
記録ドメイン１３が形成できる。記録層の初期状態が結
晶相であれば、未記録部分の抵抗値Ｒｃ、記録ドメイン
の抵抗値Ｒａとすると、Ｒｃ＜Ｒａの抵抗差を設けるこ
とができる。アモルファス相―結晶相間の相変化は可逆
的であり、記録ドメインの書き換えも可能である。
２〜０．８の範囲とし、Ｐｂは０〜０．５の範囲とす
る。以上の方法によって、記録層の一部分が相変化して
記録ドメイン１３が形成できる。記録層の初期状態が結
晶相であれば、未記録部分の抵抗値Ｒｃ、記録ドメイン
の抵抗値Ｒａとすると、Ｒｃ＜Ｒａの抵抗差を設けるこ
とができる。アモルファス相―結晶相間の相変化は可逆
的であり、記録ドメインの書き換えも可能である。
【００１４】以上の方法により、記録情報に応じてレ−
ザパワーをパルス変調し、ビーム径以下のサブミクロン
オーダーの記録ドメインを形成する。
ザパワーをパルス変調し、ビーム径以下のサブミクロン
オーダーの記録ドメインを形成する。
【００１５】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、レーザビームを走査した際に、記録層中を
流れる電流の変化を検出して記録ドメインを再生するこ
とを特徴とする。
明において、レーザビームを走査した際に、記録層中を
流れる電流の変化を検出して記録ドメインを再生するこ
とを特徴とする。
【００１６】請求項２に記載したように、レーザビーム
加熱によって発生する熱誘起電流を検出して記録ドメイ
ンを再生する。図２は、第一の再生方法である。一定パ
ワーのレーザビーム１５が記録ドメイン１３及び未記録
部分１４を通過する様子を示してしる。未記録部分が結
晶相であり、記録ドメインがアモルファス相である。記
録ドメインの抵抗Ｒａは、未記録部分Ｒｃよりも高い。
従って、熱伝導の違いにより、ビーム通過後の温度勾配
は記録ドメイン△Ｔａよりも未記録部分△Ｔｃが大きく
なり、熱誘起電流はＩａ＜Ｉｃとなる。従って、記録ド
メイン部分では電流変化（△Ｉ）が起こり、この変化を
検出することで記録ドメインを再生する。
加熱によって発生する熱誘起電流を検出して記録ドメイ
ンを再生する。図２は、第一の再生方法である。一定パ
ワーのレーザビーム１５が記録ドメイン１３及び未記録
部分１４を通過する様子を示してしる。未記録部分が結
晶相であり、記録ドメインがアモルファス相である。記
録ドメインの抵抗Ｒａは、未記録部分Ｒｃよりも高い。
従って、熱伝導の違いにより、ビーム通過後の温度勾配
は記録ドメイン△Ｔａよりも未記録部分△Ｔｃが大きく
なり、熱誘起電流はＩａ＜Ｉｃとなる。従って、記録ド
メイン部分では電流変化（△Ｉ）が起こり、この変化を
検出することで記録ドメインを再生する。
【００１７】ＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭのようなデ
ィスク系メモリでは、記録ドメインのサイズが光の回折
限界以下になると再生できない。これに対して、熱誘起
電流の変化は僅かな抵抗変化によっても起こることか
ら、光の回折限界以下にあたる極微小な記録ドメインが
再生できる。
ィスク系メモリでは、記録ドメインのサイズが光の回折
限界以下になると再生できない。これに対して、熱誘起
電流の変化は僅かな抵抗変化によっても起こることか
ら、光の回折限界以下にあたる極微小な記録ドメインが
再生できる。
【００１８】請求項３記載の発明は、請求項２記載の発
明において、記録層は、２端子の配線形状であることを
特徴とする。
明において、記録層は、２端子の配線形状であることを
特徴とする。
【００１９】請求項３に記載したように、記録層の形態
を配線形状とする。配線の両端に電流検出用の端子を設
ける。配線形状とすることによって電流のパスが規定で
き検出感度が向上する。配線幅は０．１〜１０μｍとす
る。
を配線形状とする。配線の両端に電流検出用の端子を設
ける。配線形状とすることによって電流のパスが規定で
き検出感度が向上する。配線幅は０．１〜１０μｍとす
る。
【００２０】請求項４記載の発明は、請求項２記載の発
明において、記録層は、２端子の配線形状であり、配線
幅が周期的に変化していることを特徴とする。
明において、記録層は、２端子の配線形状であり、配線
幅が周期的に変化していることを特徴とする。
【００２１】請求項４に記載したように、記録層は２端
子構造の配線形状とし配線幅を周期的に変化させる。つ
まり、ドックボーン形状とする。反射光をフォトダイオ
ードで検出しながらレーザビームを配線に沿って走査す
ると、配線幅のに応じて反射光量が変化する。光量変化
のタイミングをカウントすることでビーム位置のアクセ
ス信号（アドレス信号）とする。
子構造の配線形状とし配線幅を周期的に変化させる。つ
まり、ドックボーン形状とする。反射光をフォトダイオ
ードで検出しながらレーザビームを配線に沿って走査す
ると、配線幅のに応じて反射光量が変化する。光量変化
のタイミングをカウントすることでビーム位置のアクセ
ス信号（アドレス信号）とする。
【００２２】請求項５記載の発明は、請求項２から４の
いずれか１項に記載の発明において、記録層よりも抵抗
値が小さい低抵抗層を設けたことを特徴とする。
いずれか１項に記載の発明において、記録層よりも抵抗
値が小さい低抵抗層を設けたことを特徴とする。
【００２３】請求項５に記載したように記録層以外に低
抵抗層を設け、図３に示した第２の再生方法で記録ドメ
インを再生する。第一の再生方法と異なる点は、低抵抗
層で電流変化を検出する点である。基板３１、低抵抗層
３２、記録層３３の層構成とする。積層順序を反転させ
ても構わない。低抵抗層としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌな
どの低抵抗金属を単体、もしくは他元素との合金として
用いることができる。
抵抗層を設け、図３に示した第２の再生方法で記録ドメ
インを再生する。第一の再生方法と異なる点は、低抵抗
層で電流変化を検出する点である。基板３１、低抵抗層
３２、記録層３３の層構成とする。積層順序を反転させ
ても構わない。低抵抗層としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌな
どの低抵抗金属を単体、もしくは他元素との合金として
用いることができる。
【００２４】図３は、一定パワーのレーザビーム３６が
記録ドメイン３４及び未記録部分３５を通過する様子を
示してしる。未記録部分が結晶相であり、記録ドメイン
がアモルファス相である。記録層の熱は低抵抗層に伝導
し、レーザの移動に伴って低抵抗層に温度勾配が生じ
る、温度勾配によって熱誘起電流が低抵抗層中を流れ
る。記録ドメインの抵抗Ｒａは、未記録部分Ｒｃよりも
低く、記録層中での熱伝導は記録ドメインＣａよりも未
記録部分Ｃｃで大きい。よって、低抵抗層中の温度勾配
は△Ｔａ＜△Ｔｃとなり、熱誘起電流はＩａ＜Ｉｃとな
る。低抵抗層を流れる電流をモニターし電流変化△Ｉに
より再生する。低抵抗層側で電流を検出する構成によっ
て、素子抵抗を下げることができ、消費電力が低減でき
る。
記録ドメイン３４及び未記録部分３５を通過する様子を
示してしる。未記録部分が結晶相であり、記録ドメイン
がアモルファス相である。記録層の熱は低抵抗層に伝導
し、レーザの移動に伴って低抵抗層に温度勾配が生じ
る、温度勾配によって熱誘起電流が低抵抗層中を流れ
る。記録ドメインの抵抗Ｒａは、未記録部分Ｒｃよりも
低く、記録層中での熱伝導は記録ドメインＣａよりも未
記録部分Ｃｃで大きい。よって、低抵抗層中の温度勾配
は△Ｔａ＜△Ｔｃとなり、熱誘起電流はＩａ＜Ｉｃとな
る。低抵抗層を流れる電流をモニターし電流変化△Ｉに
より再生する。低抵抗層側で電流を検出する構成によっ
て、素子抵抗を下げることができ、消費電力が低減でき
る。
【００２５】請求項６記載の発明は、請求項２から４の
いずれか１項に記載の発明において、記録層よりも抵抗
値が小さい低抵抗層を設け、該記録層に対する接続部を
周期的に設けたチェーン構造とすることを特徴とする。
いずれか１項に記載の発明において、記録層よりも抵抗
値が小さい低抵抗層を設け、該記録層に対する接続部を
周期的に設けたチェーン構造とすることを特徴とする。
【００２６】請求項６に記載したように、記録層と低抵
抗層でチェーン構造を形成する。素子抵抗が低減できる
とともに、素子設計の自由度が大きくなる。
抗層でチェーン構造を形成する。素子抵抗が低減できる
とともに、素子設計の自由度が大きくなる。
【００２７】請求項７記載の発明は、請求項５または６
記載の発明において、記録層と低抵抗層との層間に誘電
体層を設けることを特徴とする。
記載の発明において、記録層と低抵抗層との層間に誘電
体層を設けることを特徴とする。
【００２８】請求項７に記載したように、記録層と低抵
抗層間に層間分離膜を設けた構成としてもよい。層間分
離膜としては、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＺｎＳ・ＳｉＯ2 などの誘電体を用いることができ
る。層間分離膜の膜厚によって、カルコゲン半導体と低
抵抗金属層間の熱伝導を制御し、より微小なドメインを
形成する。
抗層間に層間分離膜を設けた構成としてもよい。層間分
離膜としては、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＺｎＳ・ＳｉＯ2 などの誘電体を用いることができ
る。層間分離膜の膜厚によって、カルコゲン半導体と低
抵抗金属層間の熱伝導を制御し、より微小なドメインを
形成する。
【００２９】請求項８記載の発明は、請求項５から７の
いずれか１項に記載の発明において、記録層と低抵抗層
の層間に、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔ
ａ）、亜鉛（Ｚｎ）の中から選ばれる少なくとも一つの
元素、もしくは、これらの元素の窒素化合物を設けるこ
とを特徴とする。
いずれか１項に記載の発明において、記録層と低抵抗層
の層間に、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔ
ａ）、亜鉛（Ｚｎ）の中から選ばれる少なくとも一つの
元素、もしくは、これらの元素の窒素化合物を設けるこ
とを特徴とする。
【００３０】請求項８に記載したように、記録層と低抵
抗層間に導電性の層を設ける。導電性層の材質をＴｉ
ｎ、ＴａＮ、ＧｅＮなどの窒素化合物とする。このよう
な層を設けることによって、記録層と低抵抗層間での構
成元素の相互拡散が抑制できる。
抗層間に導電性の層を設ける。導電性層の材質をＴｉ
ｎ、ＴａＮ、ＧｅＮなどの窒素化合物とする。このよう
な層を設けることによって、記録層と低抵抗層間での構
成元素の相互拡散が抑制できる。
【００３１】請求項９記載の発明は、少なくともレーザ
光源、レーザ光の集束手段、メモリ素子からの反射光の
検出手段を備える光学ピックアップと、光学ピックアッ
プを走査する走査手段と、メモリ素子に接続された信号
検出手段と、を有することを特徴とする。このような装
置構成によって、前記メモリ素子の記録・再生が可能と
なる。
光源、レーザ光の集束手段、メモリ素子からの反射光の
検出手段を備える光学ピックアップと、光学ピックアッ
プを走査する走査手段と、メモリ素子に接続された信号
検出手段と、を有することを特徴とする。このような装
置構成によって、前記メモリ素子の記録・再生が可能と
なる。
【００３２】請求項１０記載の発明は、請求項９記載の
発明において、レーザ光の集束手段を構成する対物レン
ズは、開口数が０．８以上であることを特徴とする。
発明において、レーザ光の集束手段を構成する対物レン
ズは、開口数が０．８以上であることを特徴とする。
【００３３】請求項１０に記載したように、レーザ光の
集束手段を構成する対物レンズに高ＮＡレンズを使う。
高ＮＡレンズを用いることにより、微小ビームが形成で
き、記録ドメインサイズが縮小できる。また。再生時に
おいては、極微小領域のみ加熱できることからノイズが
低減できる。また、高ＮＡレンズは素子に近接させるこ
とから、記録再生装置の小型化が可能になる。
集束手段を構成する対物レンズに高ＮＡレンズを使う。
高ＮＡレンズを用いることにより、微小ビームが形成で
き、記録ドメインサイズが縮小できる。また。再生時に
おいては、極微小領域のみ加熱できることからノイズが
低減できる。また、高ＮＡレンズは素子に近接させるこ
とから、記録再生装置の小型化が可能になる。
【００３４】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照しながら本
発明の実施形態である不揮発性メモリ及び不揮発性メモ
リの記録再生装置を詳細に説明する。
発明の実施形態である不揮発性メモリ及び不揮発性メモ
リの記録再生装置を詳細に説明する。
【００３５】〈第１の実施例〉図４は、本発明の第１の
実施例を示す図である。４１はメモリ素子の断面構造で
ある。基板としてガラス基板４１１を用いる。ガラス基
板４１１上にカルコゲン半導体としてＤＣスパッタ法に
よりＧｅＳｂＴｅ薄膜４１２を膜厚２００ｎｍで成膜す
る。レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチ
ングの手法を用いて、ＧｅＳｂＴｅを配線形状に加工す
る。
実施例を示す図である。４１はメモリ素子の断面構造で
ある。基板としてガラス基板４１１を用いる。ガラス基
板４１１上にカルコゲン半導体としてＤＣスパッタ法に
よりＧｅＳｂＴｅ薄膜４１２を膜厚２００ｎｍで成膜す
る。レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチ
ングの手法を用いて、ＧｅＳｂＴｅを配線形状に加工す
る。
【００３６】４２はメモリ素子の上方視である。図示の
ように２端子の配線形状とする。４２１、４２２はパッ
ド形状の端子を示し、４２３は配線を示している。
ように２端子の配線形状とする。４２１、４２２はパッ
ド形状の端子を示し、４２３は配線を示している。
【００３７】４３は一部分の拡大図である。配線４３１
は、ドックボーン形状とし、ドックボーン部分が交番に
配置されている。配線幅はＷ１＝０．４μｍとＷ２＝
０．２μｍであり、配線およびドックボーンピッチＰ
Ｌ、ＰＤ＝０．５μｍである。以上の形状にＧｅＳｂＴ
ｅを加工した後にＲＦスパッタ法によって、ＳｉＯ2 薄
膜４１３を膜厚２００ｎｍで成膜する。成膜後レジスト
を塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングの手法を
用いて、配線の端子部分４２１，４２２に開口を形成す
る。最後に、Ｎ2 雰囲気中で３００℃の熱処理を行う。
熱処理によりＧｅＳｂＴｅが相変化し、アモルファス相
から結晶相に変化する。
は、ドックボーン形状とし、ドックボーン部分が交番に
配置されている。配線幅はＷ１＝０．４μｍとＷ２＝
０．２μｍであり、配線およびドックボーンピッチＰ
Ｌ、ＰＤ＝０．５μｍである。以上の形状にＧｅＳｂＴ
ｅを加工した後にＲＦスパッタ法によって、ＳｉＯ2 薄
膜４１３を膜厚２００ｎｍで成膜する。成膜後レジスト
を塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングの手法を
用いて、配線の端子部分４２１，４２２に開口を形成す
る。最後に、Ｎ2 雰囲気中で３００℃の熱処理を行う。
熱処理によりＧｅＳｂＴｅが相変化し、アモルファス相
から結晶相に変化する。
【００３８】４４は記録ドメインの状態を示す。Ｘ方向
では０．２５μｍピッチ、Ｙ方向では０．５μｍでドメ
インを形成する。
では０．２５μｍピッチ、Ｙ方向では０．５μｍでドメ
インを形成する。
【００３９】図５は、記録再生装置を示す概略ブロック
図である。光学ピックアップ５１は、ディスク系メモリ
で用いられるものと基本的構成は同じである。波長が６
５０ｎｍのレーザダイオード５１１、カップリングレン
ズ５１２、ビームスプリッタ５１３、１／４波長板５１
４、開口数（ＮＡ）０．６の対物レンズ５１５よりなる
照射系と、集光レンズ５１６、シリンドリカルレンズ５
１７、フォトダイオード５１８よりなる検出系で構成さ
れる。
図である。光学ピックアップ５１は、ディスク系メモリ
で用いられるものと基本的構成は同じである。波長が６
５０ｎｍのレーザダイオード５１１、カップリングレン
ズ５１２、ビームスプリッタ５１３、１／４波長板５１
４、開口数（ＮＡ）０．６の対物レンズ５１５よりなる
照射系と、集光レンズ５１６、シリンドリカルレンズ５
１７、フォトダイオード５１８よりなる検出系で構成さ
れる。
【００４０】レーザダイオード５１１から出射されたレ
ーザビームは、カップリングレンズ５１２を通過するこ
とで平行光になり、この平行光はビームスプリッタ５１
３、１／４波長板５１４、対物レンズ５１５を通過し、
記録層上にビームスポットを形成する。一方、記録層で
反射された反射光は、再び対物レンズ５１５、１／４波
長板５１４を通過し、ビームスプリッタ５１３に入射す
る。ビームスプリッタ５１３に入射した光は、集光レン
ズ、シリンドリカルレンズ、を経てフォトダイオードで
受光されて反射光強度が検出される。ＧｅＳｂＴｅ配線
がドックボーン形状であることから、図２に示したよう
に配線方向（Ｘ方向）にレーザビームを移動すると、配
線幅に応じて反射光強度が周期的に変化する。また、配
線に対して直行する方向（Ｙ方向）にレーザビームを移
動する場合には、配線の有無で周期的に反射光強度が変
化する。従って、Ｘ―Ｙ方向におけるビーム位置は反射
光の変化をカウントすることによって検知できる。
ーザビームは、カップリングレンズ５１２を通過するこ
とで平行光になり、この平行光はビームスプリッタ５１
３、１／４波長板５１４、対物レンズ５１５を通過し、
記録層上にビームスポットを形成する。一方、記録層で
反射された反射光は、再び対物レンズ５１５、１／４波
長板５１４を通過し、ビームスプリッタ５１３に入射す
る。ビームスプリッタ５１３に入射した光は、集光レン
ズ、シリンドリカルレンズ、を経てフォトダイオードで
受光されて反射光強度が検出される。ＧｅＳｂＴｅ配線
がドックボーン形状であることから、図２に示したよう
に配線方向（Ｘ方向）にレーザビームを移動すると、配
線幅に応じて反射光強度が周期的に変化する。また、配
線に対して直行する方向（Ｙ方向）にレーザビームを移
動する場合には、配線の有無で周期的に反射光強度が変
化する。従って、Ｘ―Ｙ方向におけるビーム位置は反射
光の変化をカウントすることによって検知できる。
【００４１】以上の反射光変化をアクセス信号Ｉ−３と
する。配線方向（Ｘ方向）においては、立ち上がり・立
ち下がりをカウントすることにより、０．２５μｍの分
解能で位置検出ができる。配線に対して垂直方向（Ｙ方
向）においても、立ち上がり・立ち下がりをカウントす
ることにより、０．２５μｍの分解能で位置検出ができ
る。
する。配線方向（Ｘ方向）においては、立ち上がり・立
ち下がりをカウントすることにより、０．２５μｍの分
解能で位置検出ができる。配線に対して垂直方向（Ｙ方
向）においても、立ち上がり・立ち下がりをカウントす
ることにより、０．２５μｍの分解能で位置検出ができ
る。
【００４２】信号検出部５２について説明する。メモリ
素子の一方の端子に直流電源５２１を接続し、ＧｅＳｂ
Ｔｅ配線に一定バイアスを印可する。他方の端子には電
流アンプ５２２を接続する。メモリ素子上をレーザビー
ムが移動すると、熱誘起電流I-1 が媒体中を流れる。電
流アンプは、この電流を増幅して、それに応じた信号Ｉ
−２を出力する。信号Ｉ−２およびピックアップから出
力されるアドレス信号Ｉ−３を受けて信号Ｉ−４を出力
する。
素子の一方の端子に直流電源５２１を接続し、ＧｅＳｂ
Ｔｅ配線に一定バイアスを印可する。他方の端子には電
流アンプ５２２を接続する。メモリ素子上をレーザビー
ムが移動すると、熱誘起電流I-1 が媒体中を流れる。電
流アンプは、この電流を増幅して、それに応じた信号Ｉ
−２を出力する。信号Ｉ−２およびピックアップから出
力されるアドレス信号Ｉ−３を受けて信号Ｉ−４を出力
する。
【００４３】〈第２の実施例〉図６は、本発明の第２の
実施例を示す図である。図６はメモリ素子の構成を示
す。ガラス基板６１１上にＤＣスパッタ法により、Ａｌ
Ｔｉ薄膜６1 ２を膜厚５００ｎｍで成膜する。ＡｌＴｉ
上に誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 ６１３をＲＦスパ
ッタ法を用いて膜厚２０ｎｍで成膜する。ここで、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 の組成は、ＺｎＳ ８０ａｔ％、ＳｉＯ2
２０ａｔ％とする。ＺｎＳ−ＳｉＯ2 上にカルコゲン
半導体としてＧｅＳｂＴｅ ６１４をＤＣスパッタ法に
よって、膜厚２００ｎｍで成膜する。成膜後レジストを
塗布してリソグラフィー・ドライエッチングの手法を用
いて３層まとめて配線形状に加工する。形状は、本発明
の第１の実施例と同じとする。
実施例を示す図である。図６はメモリ素子の構成を示
す。ガラス基板６１１上にＤＣスパッタ法により、Ａｌ
Ｔｉ薄膜６1 ２を膜厚５００ｎｍで成膜する。ＡｌＴｉ
上に誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 ６１３をＲＦスパ
ッタ法を用いて膜厚２０ｎｍで成膜する。ここで、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 の組成は、ＺｎＳ ８０ａｔ％、ＳｉＯ2
２０ａｔ％とする。ＺｎＳ−ＳｉＯ2 上にカルコゲン
半導体としてＧｅＳｂＴｅ ６１４をＤＣスパッタ法に
よって、膜厚２００ｎｍで成膜する。成膜後レジストを
塗布してリソグラフィー・ドライエッチングの手法を用
いて３層まとめて配線形状に加工する。形状は、本発明
の第１の実施例と同じとする。
【００４４】ＧｅＳｂＴｅ上に保護膜としてＳｉＯ2
６１５をＣＶＤ法にて膜厚２００ｎｍで成膜する。ここ
で、成膜温度は４００℃であり、この成膜課程において
ＧｅＳｂＴｅが相変化してアモルファス相から結晶相に
なる。成膜後レジストを塗布してリソグラフィー・ドラ
イエッチングの手法を用いて端子部分を開口６４１す
る。レーザビームは、ガラス基板側から照射し、電流変
化はＡｌＴｉ側にて検出する。記録再生方法は、本発明
の第１の実施例と同様である。
６１５をＣＶＤ法にて膜厚２００ｎｍで成膜する。ここ
で、成膜温度は４００℃であり、この成膜課程において
ＧｅＳｂＴｅが相変化してアモルファス相から結晶相に
なる。成膜後レジストを塗布してリソグラフィー・ドラ
イエッチングの手法を用いて端子部分を開口６４１す
る。レーザビームは、ガラス基板側から照射し、電流変
化はＡｌＴｉ側にて検出する。記録再生方法は、本発明
の第１の実施例と同様である。
【００４５】〈第３の実施例〉図７は、本発明の第３の
実施例を示す図である。７１はメモリ素子の断面形状で
ある。ガラス基板上７１１上に、ＤＣスパッタ法を用い
て、ＡｌＴｉ薄膜７１２を膜厚５００ｎｍで成膜する。
引き続き、ＡｌＴｉ上にＤＣスパッタ法を用いて、Ｔｉ
Ｎ薄膜７１３を膜厚２０ｎｍで成膜する。成膜後、レジ
ストを塗布してリソグラフィー・ドライエッチングの手
法を用いて、ＡｌＴｉ／ＴｉＮを配線形状に加工する。
次に、ＣＶＤ法にによりＳｉＯ2薄膜７１４を成膜し、
エッチバックにより配線被覆部分を除去し、ＡｌＴｉ／
ＴｉＮ配線間をＳｉＯ2 で埋め込む。
実施例を示す図である。７１はメモリ素子の断面形状で
ある。ガラス基板上７１１上に、ＤＣスパッタ法を用い
て、ＡｌＴｉ薄膜７１２を膜厚５００ｎｍで成膜する。
引き続き、ＡｌＴｉ上にＤＣスパッタ法を用いて、Ｔｉ
Ｎ薄膜７１３を膜厚２０ｎｍで成膜する。成膜後、レジ
ストを塗布してリソグラフィー・ドライエッチングの手
法を用いて、ＡｌＴｉ／ＴｉＮを配線形状に加工する。
次に、ＣＶＤ法にによりＳｉＯ2薄膜７１４を成膜し、
エッチバックにより配線被覆部分を除去し、ＡｌＴｉ／
ＴｉＮ配線間をＳｉＯ2 で埋め込む。
【００４６】次に、カルコゲン半導体としてＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ薄膜７１５をＤＣスパッタ法にて、膜厚１００ｎ
ｍで成膜する。その後、Ｎ2 雰囲気中で３００℃の熱処
理を行い、アモルファス相であるＡｇＩｎＳｂＴｅを結
晶相とする。その後、レジストを塗布してリソグラフィ
ー・ドライエッチングの手法を用いて配線形状に加工す
る。加工後に、板厚０．１ｍｍのガラス基板７１６をＵ
Ｖ硬化樹脂で接着する。以上の方法により、ＡｌＴｉと
ＡｇＩｎＳｂＴｅのチェーン構造のメモリ素子を形成す
る。
ｂＴｅ薄膜７１５をＤＣスパッタ法にて、膜厚１００ｎ
ｍで成膜する。その後、Ｎ2 雰囲気中で３００℃の熱処
理を行い、アモルファス相であるＡｇＩｎＳｂＴｅを結
晶相とする。その後、レジストを塗布してリソグラフィ
ー・ドライエッチングの手法を用いて配線形状に加工す
る。加工後に、板厚０．１ｍｍのガラス基板７１６をＵ
Ｖ硬化樹脂で接着する。以上の方法により、ＡｌＴｉと
ＡｇＩｎＳｂＴｅのチェーン構造のメモリ素子を形成す
る。
【００４７】７２はメモリ素子の上方視である。ＡｌＴ
ｉ配線７２１の幅は０．５μｍである。ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ ７２２は、５ｎｍ×５ｎｍの正方形であり、そのピ
ッチは５．２５μｍである。
ｉ配線７２１の幅は０．５μｍである。ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ ７２２は、５ｎｍ×５ｎｍの正方形であり、そのピ
ッチは５．２５μｍである。
【００４８】記録再生装置の基本構成は、本発明の第１
の実施例と同じであるが、対物レンズのＮＡは０．８５
であり、レーザダイオードの発光波長は４０５ｎｍであ
る。レーザビームは、０．１ｍｍ厚のカラス基板７１６
から入射する。また、対物レンズをガラス面から２０μ
ｍの位置に近接させた状態で走査する。ビーム径は直径
０．４１μｍであり、レーザパワーをパルス変調し、
０．１μｍのドメインを、０．２５μｍピッチで形成
し、記録ドメイン７３１とする。
の実施例と同じであるが、対物レンズのＮＡは０．８５
であり、レーザダイオードの発光波長は４０５ｎｍであ
る。レーザビームは、０．１ｍｍ厚のカラス基板７１６
から入射する。また、対物レンズをガラス面から２０μ
ｍの位置に近接させた状態で走査する。ビーム径は直径
０．４１μｍであり、レーザパワーをパルス変調し、
０．１μｍのドメインを、０．２５μｍピッチで形成
し、記録ドメイン７３１とする。
【００４９】７３は上方視の一部分の拡大図でありアド
レス方法を表す。レーザビームは、ＡｇＩｎＳｂＴｅ配
線７３１に対して４５°方向に走査する。走査方向をＸ
方向、それに直交する方向をＹ方向とする。ビームがＸ
方向に移動する場合、ＡｇＩｎＳｂＴｅ配線間のスペー
スを通過する際に反射光が大きく変化する。この様子を
図中にＡ，Ｂ，Ｃで示す。
レス方法を表す。レーザビームは、ＡｇＩｎＳｂＴｅ配
線７３１に対して４５°方向に走査する。走査方向をＸ
方向、それに直交する方向をＹ方向とする。ビームがＸ
方向に移動する場合、ＡｇＩｎＳｂＴｅ配線間のスペー
スを通過する際に反射光が大きく変化する。この様子を
図中にＡ，Ｂ，Ｃで示す。
【００５０】ＡおよびＣのように、ビームが正方形の対
角を横切る場合、反射光変化の周期が最も長くなる。こ
の対角を横切る部分を基準位置とする。基準位置におい
て、反射光変化をカウントすることによって、Ｘ―Ｙ方
向におけるビーム位置を検出する。Ａ―Ｃ間をＹ方向に
ビームを移動する場合には、図中Ｂに示すように反射光
変化の周期が変化する。周期の変化を検出することによ
って、基準位置からＹ方向への距離が検出できる。
角を横切る場合、反射光変化の周期が最も長くなる。こ
の対角を横切る部分を基準位置とする。基準位置におい
て、反射光変化をカウントすることによって、Ｘ―Ｙ方
向におけるビーム位置を検出する。Ａ―Ｃ間をＹ方向に
ビームを移動する場合には、図中Ｂに示すように反射光
変化の周期が変化する。周期の変化を検出することによ
って、基準位置からＹ方向への距離が検出できる。
【００５１】以上のように、上記メモリ構成では、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ配線スペースでの反射率変化を検出してア
ドレス信号とする。この方法によって、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ中に記録ドメイン７３１をＸ―Ｙ方向ともに０．２５
μｍピッチで形成する。記録・再生は、本発明の第１の
実施例と同様の方法にて行う。
ＩｎＳｂＴｅ配線スペースでの反射率変化を検出してア
ドレス信号とする。この方法によって、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ中に記録ドメイン７３１をＸ―Ｙ方向ともに０．２５
μｍピッチで形成する。記録・再生は、本発明の第１の
実施例と同様の方法にて行う。
【００５２】本発明の実施例によれば、従来の固体メモ
リにおける１セルが、１つの記録ドメインに対応し、１
セルのサイズを配線幅程度まで縮小することが可能であ
る。また、第３の実施例に記載されるように、配線構
造、記録・再生方法の工夫により、配線幅以下に記録ド
メインを縮小できる。
リにおける１セルが、１つの記録ドメインに対応し、１
セルのサイズを配線幅程度まで縮小することが可能であ
る。また、第３の実施例に記載されるように、配線構
造、記録・再生方法の工夫により、配線幅以下に記録ド
メインを縮小できる。
【００５３】例えば、一般的なスプリットゲート型のフ
ラッシュメモリでは、ソースをゲートから離して配置し
た非対称なＭＯＳ構造になっている。１セルの形状は、
縦横比が１：４〜６程度の長方形である。０．２５μｍ
幅の配線で接続する場合、１セルのサイズは０．２５×
１〜１．５μｍ程度になる。素子分離領域を含めるとセ
ルサイズはさらに大きくなる。これに対して、例えば、
本発明の第３の実施例に示した素子では、緩いデザイン
ルールのプロセスを用いても０．２５μｍピッチでドメ
イン（１セル）が形成できる。
ラッシュメモリでは、ソースをゲートから離して配置し
た非対称なＭＯＳ構造になっている。１セルの形状は、
縦横比が１：４〜６程度の長方形である。０．２５μｍ
幅の配線で接続する場合、１セルのサイズは０．２５×
１〜１．５μｍ程度になる。素子分離領域を含めるとセ
ルサイズはさらに大きくなる。これに対して、例えば、
本発明の第３の実施例に示した素子では、緩いデザイン
ルールのプロセスを用いても０．２５μｍピッチでドメ
イン（１セル）が形成できる。
【００５４】なお、上述される実施形態は本発明の好適
な実施形態であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲内に
おいて種々変形して実施することが可能である。
な実施形態であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲内に
おいて種々変形して実施することが可能である。
【００５５】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの記録再生装置に
よれば、従来のようにトランジスタ構造を用いず、レー
ザビームを走査して反射光光量を検出する方法でアドレ
スすることから、ワード・ビット線も不要である。従っ
て、高記録密度の不揮発性固体メモリを極単純な配線構
造で安価に実現することができる。
の不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの記録再生装置に
よれば、従来のようにトランジスタ構造を用いず、レー
ザビームを走査して反射光光量を検出する方法でアドレ
スすることから、ワード・ビット線も不要である。従っ
て、高記録密度の不揮発性固体メモリを極単純な配線構
造で安価に実現することができる。
【図１】本発明の記録再生装置による記録方法を示す図
である。
である。
【図２】本発明の記録再生装置による第１の再生方法を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の記録再生装置による第２の再生方法を
示す図である。
示す図である。
【図４】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図５】記録再生装置の概略構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図６】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施例を示す図である。
１１ 基板 １２ 記録層 １３ 記録ドメイン １４ 未記録部分 １５ レーザビーム １６ パワーレベル
Claims (10)
- 【請求項１】 少なくともアンチモン（Ｓｂ）とテルル
（Ｔｅ）とを含む３種類以上の元素を含有するカルコゲ
ナイド半導体を記録層とし、レーザビーム加熱による相
変化によって前記記録層の電気抵抗を部分的に変化させ
ることで情報の記録ドメインとすることを特徴とする不
揮発性メモリ。 - 【請求項２】 前記レーザビームを走査した際に、前記
記録層中を流れる電流の変化を検出して記録ドメインを
再生することを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモ
リ。 - 【請求項３】 前記記録層は、２端子の配線形状である
ことを特徴とする請求項２記載の不揮発性メモリ。 - 【請求項４】 前記記録層は、２端子の配線形状であ
り、配線幅が周期的に変化していることを特徴とする請
求項２記載の不揮発性メモリ。 - 【請求項５】 前記記録層よりも抵抗値が小さい低抵抗
層を設けたことを特徴とする請求項２から４のいずれか
１項に記載の不揮発性メモリ。 - 【請求項６】 前記記録層よりも抵抗値が小さい低抵抗
層を設け、該記録層に対する接続部を周期的に設けたチ
ェーン構造とすることを特徴とする請求項２から４のい
ずれか１項に記載の不揮発性メモリ。 - 【請求項７】 前記記録層と前記低抵抗層との層間に誘
電体層を設けることを特徴とする請求項５または６記載
の不揮発性メモリ。 - 【請求項８】 前記記録層と前記低抵抗層の層間に、ケ
イ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アルミニウム
（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、亜鉛
（Ｚｎ）の中から選ばれる少なくとも一つの元素、もし
くは、これらの元素の窒素化合物を設けることを特徴と
する請求項５から７のいずれか１項に記載の不揮発性メ
モリ。 - 【請求項９】 少なくともレーザ光源、レーザ光の集束
手段、メモリ素子からの反射光の検出手段を備える光学
ピックアップと、 前記光学ピックアップを走査する走査手段と、 前記メモリ素子に接続された信号検出手段と、 を有することを特徴とする不揮発性メモリの記録再生装
置。 - 【請求項１０】 前記レーザ光の集束手段を構成する対
物レンズは、開口数が０．８以上であることを特徴とす
る請求項９記載の不揮発性メモリの記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000294762A JP4157264B2 (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000294762A JP4157264B2 (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002109797A true JP2002109797A (ja) | 2002-04-12 |
| JP4157264B2 JP4157264B2 (ja) | 2008-10-01 |
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|---|---|---|---|
| JP2000294762A Expired - Fee Related JP4157264B2 (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの記録再生装置 |
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|---|---|
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100640002B1 (ko) | 2005-09-06 | 2006-11-01 | 한국전자통신연구원 | 상변화 재료 박막 패터닝 방법 및 이를 이용한 상변화메모리 소자의 제조 방법 |
| JP2007513494A (ja) * | 2003-10-23 | 2007-05-24 | ライニッシュ−ヴェストフェリッシェ・テクニッシェ・ホッホシューレ・アーヘン | 相変化メモリ、相変化メモリアセンブリ、相変化メモリセル、２ｄ相変化メモリセルアレイ、３ｄ相変化メモリセルアレイおよび電子部品 |
| JP2007300091A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-15 | Qimonda Ag | アニーリングによる相変化材料の状態の遷移 |
| JPWO2005076355A1 (ja) * | 2004-02-06 | 2008-01-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 記憶装置 |
| JP2011020448A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Palo Alto Research Center Inc | 画像形成システム |
| US7996735B2 (en) | 2008-08-29 | 2011-08-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US8000126B2 (en) | 2007-01-11 | 2011-08-16 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device with recording layer containing indium, germanium, antimony and tellurium |
| US8319204B2 (en) | 2006-07-21 | 2012-11-27 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| CN103077881A (zh) * | 2012-12-29 | 2013-05-01 | 北京理工大学 | 一种非外延生长半导体的方法 |
| US8513640B2 (en) | 2005-11-21 | 2013-08-20 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
-
2000
- 2000-09-27 JP JP2000294762A patent/JP4157264B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007513494A (ja) * | 2003-10-23 | 2007-05-24 | ライニッシュ−ヴェストフェリッシェ・テクニッシェ・ホッホシューレ・アーヘン | 相変化メモリ、相変化メモリアセンブリ、相変化メモリセル、２ｄ相変化メモリセルアレイ、３ｄ相変化メモリセルアレイおよび電子部品 |
| JP4856953B2 (ja) * | 2004-02-06 | 2012-01-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 記憶装置 |
| JPWO2005076355A1 (ja) * | 2004-02-06 | 2008-01-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 記憶装置 |
| KR100640002B1 (ko) | 2005-09-06 | 2006-11-01 | 한국전자통신연구원 | 상변화 재료 박막 패터닝 방법 및 이를 이용한 상변화메모리 소자의 제조 방법 |
| US8513640B2 (en) | 2005-11-21 | 2013-08-20 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| JP2007300091A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-15 | Qimonda Ag | アニーリングによる相変化材料の状態の遷移 |
| US8319204B2 (en) | 2006-07-21 | 2012-11-27 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US8000126B2 (en) | 2007-01-11 | 2011-08-16 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device with recording layer containing indium, germanium, antimony and tellurium |
| US8132063B2 (en) | 2008-08-29 | 2012-03-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US7996735B2 (en) | 2008-08-29 | 2011-08-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US8040364B2 (en) * | 2009-07-14 | 2011-10-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Latent resistive image layer for high speed thermal printing applications |
| JP2011020448A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Palo Alto Research Center Inc | 画像形成システム |
| CN103077881A (zh) * | 2012-12-29 | 2013-05-01 | 北京理工大学 | 一种非外延生长半导体的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4157264B2 (ja) | 2008-10-01 |
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