JP2002108270A - 映像表示装置 - Google Patents
映像表示装置Info
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- JP2002108270A JP2002108270A JP2000297664A JP2000297664A JP2002108270A JP 2002108270 A JP2002108270 A JP 2002108270A JP 2000297664 A JP2000297664 A JP 2000297664A JP 2000297664 A JP2000297664 A JP 2000297664A JP 2002108270 A JP2002108270 A JP 2002108270A
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- electrodes
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＮＴ型ＦＥＤのようにリブの厚さばらつき
が大きい場合でも、比較的均一な表示が得られ、階調表
示にも適した映像表示装置を提供する。 【解決手段】 画素Ａijに電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］
を与えた際に表示上の最大輝度が得られ、ゲート電極１
３６とカソード電極１３２の間隙が概ねｔ±△ｔ［μ
ｍ］で、画素面積をＳ［ｃｍ2］、プレグレッシブ駆動
でデューティ比をＤr、表示フレーム周波数をＦ［Ｈ
ｚ］、ゲート選択電圧をＶg［Ｖ］、表示階調をＬn、両
電極の交差部で構成される最小駆動単位の平均容量をＣ
f［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／
（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） を満たすように素子構成および駆動条件を設定する。
が大きい場合でも、比較的均一な表示が得られ、階調表
示にも適した映像表示装置を提供する。 【解決手段】 画素Ａijに電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］
を与えた際に表示上の最大輝度が得られ、ゲート電極１
３６とカソード電極１３２の間隙が概ねｔ±△ｔ［μ
ｍ］で、画素面積をＳ［ｃｍ2］、プレグレッシブ駆動
でデューティ比をＤr、表示フレーム周波数をＦ［Ｈ
ｚ］、ゲート選択電圧をＶg［Ｖ］、表示階調をＬn、両
電極の交差部で構成される最小駆動単位の平均容量をＣ
f［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／
（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） を満たすように素子構成および駆動条件を設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２つの電極の交差
部で構成される駆動最小単位によって駆動される表示最
小単位（画素）をＸＹマトリクス状に配置した映像表示
装置に関する。
部で構成される駆動最小単位によって駆動される表示最
小単位（画素）をＸＹマトリクス状に配置した映像表示
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】２つの電極間で駆動最小単位を構成し、
表示最小単位（画素）をＸＹマトリクス状に配置した表
示装置として、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓ
ｃｅｎｃｅ）ディスプレイやＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍ
ｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）が知られている。有機
ＥＬディスプレイは、電極間に有機材料からなるＥＬ層
を形成し、電極間に電圧（または電流）を印加すること
により、ＥＬ層内での正孔・電子の再結合により生成さ
れる励起分子からの光放射を利用するものである。一般
に、ＥＬ層への印加電圧（または印加電流）によりその
輝度を調整する。一方、ＦＥＤは、電子放出カソードか
らの放出電子を発光層（蛍光体）に衝突させることによ
り、発光を得ている。これらのうち、ＦＥＤの構成およ
び従来の駆動方法について、以下に説明する。
表示最小単位（画素）をＸＹマトリクス状に配置した表
示装置として、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓ
ｃｅｎｃｅ）ディスプレイやＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍ
ｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）が知られている。有機
ＥＬディスプレイは、電極間に有機材料からなるＥＬ層
を形成し、電極間に電圧（または電流）を印加すること
により、ＥＬ層内での正孔・電子の再結合により生成さ
れる励起分子からの光放射を利用するものである。一般
に、ＥＬ層への印加電圧（または印加電流）によりその
輝度を調整する。一方、ＦＥＤは、電子放出カソードか
らの放出電子を発光層（蛍光体）に衝突させることによ
り、発光を得ている。これらのうち、ＦＥＤの構成およ
び従来の駆動方法について、以下に説明する。
【０００３】ＦＥＤの構成の一例として、半導体加工技
術により作成された電界放出カソードの一例であるスピ
ント（Ｓｐｉｎｄｔ）型と呼ばれる構成を図５に示す。
この図は１画素分を分かりやすく模式化したものであ
り、実際にはコーン状のエミッタ１０３が１画内に数十
個〜数百個設けられている場合が多い。このＦＥＤにお
いて、ガラス等からなる基板１０１上にはアルミニウム
等の金属からなるカソード電極１０２が蒸着により形成
されており、このカソード電極１０２上にモリブデン等
の金属からなるコーン状のエミッタ１０３が形成されて
いる。カソード電極１０２上のエミッタ１０３が形成さ
れていない部分には、二酸化シリコン（Ｓｉ０2）膜１
０４が形成されており、さらにその上にはゲート電極１
０５が形成されている。そして、ゲート電極１０５およ
び二酸化シリコン膜１０４に設けられた丸い開口部の中
に、コーン状のエミッタ１０３が位置している。
術により作成された電界放出カソードの一例であるスピ
ント（Ｓｐｉｎｄｔ）型と呼ばれる構成を図５に示す。
この図は１画素分を分かりやすく模式化したものであ
り、実際にはコーン状のエミッタ１０３が１画内に数十
個〜数百個設けられている場合が多い。このＦＥＤにお
いて、ガラス等からなる基板１０１上にはアルミニウム
等の金属からなるカソード電極１０２が蒸着により形成
されており、このカソード電極１０２上にモリブデン等
の金属からなるコーン状のエミッタ１０３が形成されて
いる。カソード電極１０２上のエミッタ１０３が形成さ
れていない部分には、二酸化シリコン（Ｓｉ０2）膜１
０４が形成されており、さらにその上にはゲート電極１
０５が形成されている。そして、ゲート電極１０５およ
び二酸化シリコン膜１０４に設けられた丸い開口部の中
に、コーン状のエミッタ１０３が位置している。
【０００４】このエミッタ１０３表面の印加電界を１０
9［Ｖ／ｍ］程度にすると、トンネル効果により、電子
が障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われ
る。これを電界放出（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）
と称し、このようなデバイスを総称して電界放出デバイ
ス（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ）
と呼び、このようなデバイスを用いたディスプレイを総
称して電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）と呼ぶ。
9［Ｖ／ｍ］程度にすると、トンネル効果により、電子
が障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われ
る。これを電界放出（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）
と称し、このようなデバイスを総称して電界放出デバイ
ス（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ）
と呼び、このようなデバイスを用いたディスプレイを総
称して電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）と呼ぶ。
【０００５】このコーン状のエミッタ１０３とエミッタ
１０３間のピッチは１０ミクロン以下とすることがで
き、数万個から数１０万個のエミッタを１枚の基板上に
設けることができる。さらに、ゲート電極１０５とエミ
ッタ１０３のコーンの先端との距離をサブミクロンとす
ることができるため、ゲート電極１０５とエミッタ１０
３との間にわずか数１０［Ｖ］のゲート・エミッタ間電
圧ＶGEを印加することにより、電子をエミッタ１０３か
ら電界放出することができる。この電界放出された電子
は、ゲート１０５電極上に離隔して、正の電圧ＶAが印
加されたアノード電極１０６を対向して設けておくと、
このアノード電極１０６により補集することができる。
１０３間のピッチは１０ミクロン以下とすることがで
き、数万個から数１０万個のエミッタを１枚の基板上に
設けることができる。さらに、ゲート電極１０５とエミ
ッタ１０３のコーンの先端との距離をサブミクロンとす
ることができるため、ゲート電極１０５とエミッタ１０
３との間にわずか数１０［Ｖ］のゲート・エミッタ間電
圧ＶGEを印加することにより、電子をエミッタ１０３か
ら電界放出することができる。この電界放出された電子
は、ゲート１０５電極上に離隔して、正の電圧ＶAが印
加されたアノード電極１０６を対向して設けておくと、
このアノード電極１０６により補集することができる。
【０００６】このときのＦＥＤのアノード電流（ＩA）
一ゲート・エミッタ間電圧（ＶGE）特性の例を図６に示
す。この図に示すように、ゲート・エミッタ間電圧ＶGE
を徐々に上昇させていくと、アノード電流ＩAが流れ始
めるようになる。このアノード電流ＩAが流れ始めるゲ
ート・エミッタ間電圧ＶGEをしきい値電圧ＶTHと呼び、
このときにゲート・エミッタ間の電界が約１０9［Ｖ／
ｍ］程度となるため、エミッタから電子が放出され始め
る。これにより、アノード電流ＩAがアノードに流れ始
める。
一ゲート・エミッタ間電圧（ＶGE）特性の例を図６に示
す。この図に示すように、ゲート・エミッタ間電圧ＶGE
を徐々に上昇させていくと、アノード電流ＩAが流れ始
めるようになる。このアノード電流ＩAが流れ始めるゲ
ート・エミッタ間電圧ＶGEをしきい値電圧ＶTHと呼び、
このときにゲート・エミッタ間の電界が約１０9［Ｖ／
ｍ］程度となるため、エミッタから電子が放出され始め
る。これにより、アノード電流ＩAがアノードに流れ始
める。
【０００７】一般に、ゲート・エミッタ間にはしきい値
電圧ＶTHよりかなり高い図示するＶ op程度の電圧が印加
されており、このときにアノードに電流Ｉ1が流れるよ
うにされている。そして、コーン状のエミッタの１つか
ら得られるアノード電流ＩAは約１マイクロアンペアと
小さい電流であるため、多数のエミッタをアレイ化する
ことにより所望のアノード電流が得られるＦＥＤとする
ことができる。
電圧ＶTHよりかなり高い図示するＶ op程度の電圧が印加
されており、このときにアノードに電流Ｉ1が流れるよ
うにされている。そして、コーン状のエミッタの１つか
ら得られるアノード電流ＩAは約１マイクロアンペアと
小さい電流であるため、多数のエミッタをアレイ化する
ことにより所望のアノード電流が得られるＦＥＤとする
ことができる。
【０００８】この場合、アノードに蛍光体を設けておく
ことにより、エミッタから電界放出された電子が補集さ
れるアノードの蛍光体部分を発光させることができる。
このような原理を利用することにより、ＦＥＤを用いた
画像表示装置（または映像表示装置）とすることができ
る。
ことにより、エミッタから電界放出された電子が補集さ
れるアノードの蛍光体部分を発光させることができる。
このような原理を利用することにより、ＦＥＤを用いた
画像表示装置（または映像表示装置）とすることができ
る。
【０００９】このようなＦＥＤを用いて画素を２次元的
に配列したディスプレイの駆動方法としては、例えば特
開平７−１３５１２号公報に開示されているようなもの
がある。この駆動方法では、図７にＥ11〜Ｅnmとして示
されるＦＥ素子を２次元的に配列し、同図に示す回路構
成を用いて図８に示すような駆動波形をＦＥ素子へ印加
する。
に配列したディスプレイの駆動方法としては、例えば特
開平７−１３５１２号公報に開示されているようなもの
がある。この駆動方法では、図７にＥ11〜Ｅnmとして示
されるＦＥ素子を２次元的に配列し、同図に示す回路構
成を用いて図８に示すような駆動波形をＦＥ素子へ印加
する。
【００１０】この図７に示す駆動回路には、シリアルに
送られてきた映像データとそのデータをシフトするため
のデータシフト用クロックＣＬＫが入力される。この結
果、シフトレジスタ（ＳＲ）１１０から映像データが並
列データとなってラッチ回路（ＬＡＴＣＨ）１１１へ入
力される。ラッチ回路１１１では、図示しない周期のラ
ッチパルスＬＰと同期して、この並列データをラッチす
る。また、ラッチ回路１１１には、図８に示す周期Ｔの
ブランキングパルスＢＮＫが印加される。上記ラッチ回
路１１１でラッチされたゲートデータは、各々ゲートド
ライバ１１２−１〜１１２−ｍに印加される。ゲート電
極１１３−１〜１１３−ｍは各々ストライプ状に形成さ
れており、ゲートドライバ１１２−１〜１１２−ｍは各
々対応するゲート電極（Ｇ1）１１３−１〜ゲート電極
（Ｇm）１１３一ｍをドライブする。
送られてきた映像データとそのデータをシフトするため
のデータシフト用クロックＣＬＫが入力される。この結
果、シフトレジスタ（ＳＲ）１１０から映像データが並
列データとなってラッチ回路（ＬＡＴＣＨ）１１１へ入
力される。ラッチ回路１１１では、図示しない周期のラ
ッチパルスＬＰと同期して、この並列データをラッチす
る。また、ラッチ回路１１１には、図８に示す周期Ｔの
ブランキングパルスＢＮＫが印加される。上記ラッチ回
路１１１でラッチされたゲートデータは、各々ゲートド
ライバ１１２−１〜１１２−ｍに印加される。ゲート電
極１１３−１〜１１３−ｍは各々ストライプ状に形成さ
れており、ゲートドライバ１１２−１〜１１２−ｍは各
々対応するゲート電極（Ｇ1）１１３−１〜ゲート電極
（Ｇm）１１３一ｍをドライブする。
【００１１】このように図７の駆動回路を駆動すること
により、図８に示すブランキングパルスＢＮＫが印加さ
れている期間τ、ラッチ回路１１１の出力が阻止され
る。このため、ブランキングパルスＢＮＫが印加されて
いる期間ゲート電極１１３−１〜１１３−ｍにはゲート
データが印加されなくなる。そして、このゲート電極１
１３−１〜１１３−ｍに印加されるゲートデータは画像
データ（映像データ）とされているため、ゲート電極１
１３−１〜１１３−ｍには図８にＧ1〜Ｇmとして示すよ
うに、ブランキングパルスＢＮＫの印加期間、ブランキ
ングされた画像データが周期Ｔ毎に印加される。
により、図８に示すブランキングパルスＢＮＫが印加さ
れている期間τ、ラッチ回路１１１の出力が阻止され
る。このため、ブランキングパルスＢＮＫが印加されて
いる期間ゲート電極１１３−１〜１１３−ｍにはゲート
データが印加されなくなる。そして、このゲート電極１
１３−１〜１１３−ｍに印加されるゲートデータは画像
データ（映像データ）とされているため、ゲート電極１
１３−１〜１１３−ｍには図８にＧ1〜Ｇmとして示すよ
うに、ブランキングパルスＢＮＫの印加期間、ブランキ
ングされた画像データが周期Ｔ毎に印加される。
【００１２】さらに、この図７に示す駆動回路には、シ
リアルに送られてきた走査データ（カソードデータ）が
シフトレジスタ（ＳＲ）１１４に加えられる。このシフ
トレジスタ１１４には、ラッチパルスＬＰがシフト用ク
ロックとして入力される。上記シフトレジスタ１１４で
ラッチされたカソードデータは、各々カソードドライバ
１１６−１〜１１６−ｎに印加される。カソード電極１
１７−１〜１１７−ｎはゲート電極と略垂直な方向に各
々ストライプ状に形成されており、カソードドライバ１
１６−１〜１１６−ｎは各々対応するカソード電極（Ｋ
1）１１７−１〜（Ｋn）１１７−ｎを図８に示すＫ1〜
Ｋnのようにドライブする。
リアルに送られてきた走査データ（カソードデータ）が
シフトレジスタ（ＳＲ）１１４に加えられる。このシフ
トレジスタ１１４には、ラッチパルスＬＰがシフト用ク
ロックとして入力される。上記シフトレジスタ１１４で
ラッチされたカソードデータは、各々カソードドライバ
１１６−１〜１１６−ｎに印加される。カソード電極１
１７−１〜１１７−ｎはゲート電極と略垂直な方向に各
々ストライプ状に形成されており、カソードドライバ１
１６−１〜１１６−ｎは各々対応するカソード電極（Ｋ
1）１１７−１〜（Ｋn）１１７−ｎを図８に示すＫ1〜
Ｋnのようにドライブする。
【００１３】ところで、上記シフトレジスタ１１４に上
記ブランキングパルスＢＮＫが印加されると共に、パワ
ーサプライ１１８を介してドライブ回路１１６−１〜１
１６−ｎにブランキングパルスＢＬＫが印加される。こ
のため、ドライブ回路１１６−１〜１１６−ｎにはブラ
ンキングパルスＢＮＫが印加されている期間、図８に示
すＶCHレベルのパルスが出力されるようになる。なお、
このＶCHのレベルは、図６に示すように、しきい値電圧
ＶTHより低いレベルであり、また、ブランキングパルス
ＢＬＫのパルス幅はτとされている。
記ブランキングパルスＢＮＫが印加されると共に、パワ
ーサプライ１１８を介してドライブ回路１１６−１〜１
１６−ｎにブランキングパルスＢＬＫが印加される。こ
のため、ドライブ回路１１６−１〜１１６−ｎにはブラ
ンキングパルスＢＮＫが印加されている期間、図８に示
すＶCHレベルのパルスが出力されるようになる。なお、
このＶCHのレベルは、図６に示すように、しきい値電圧
ＶTHより低いレベルであり、また、ブランキングパルス
ＢＬＫのパルス幅はτとされている。
【００１４】そして、ドライブ回路１１６−１〜１１６
−ｎからレベルＶCHのパルスが出力されている期間τの
間に、このパルスによりカソード電極１１７−１〜１１
７−ｎがプリチャージされるようになる。従って、この
カソード電極１１７−１〜１１７−ｎは、予めＶCHのレ
ベルにプリチャージされた後に、印加されるドライブ信
号のレベルまで立ち上がるようにされるため、立ち上が
りに要する時間を短縮することができ、ドライブ周波数
を高速にすることができるようになる。
−ｎからレベルＶCHのパルスが出力されている期間τの
間に、このパルスによりカソード電極１１７−１〜１１
７−ｎがプリチャージされるようになる。従って、この
カソード電極１１７−１〜１１７−ｎは、予めＶCHのレ
ベルにプリチャージされた後に、印加されるドライブ信
号のレベルまで立ち上がるようにされるため、立ち上が
りに要する時間を短縮することができ、ドライブ周波数
を高速にすることができるようになる。
【００１５】このときのドライブパルスは、図８にＫ1
〜Ｋnとして示すように、始めにτの期間だけカソード
をプリチャージするプリチャージパルスが付加されて順
次印加されるパルスとなり、各々パルス幅はＴとされ、
その発生周期はｎＴとなる。
〜Ｋnとして示すように、始めにτの期間だけカソード
をプリチャージするプリチャージパルスが付加されて順
次印加されるパルスとなり、各々パルス幅はＴとされ、
その発生周期はｎＴとなる。
【００１６】このように、特開平７−１３５１２号公報
に開示されている駆動方法は、カソード電極の浮遊容量
によるドライブされたカソード電極の電圧立ち上がり時
間の遅延を改善するためのものである。従って、プリチ
ャージ期間はカソード電極を電圧ＶCHまで上昇させるの
に要する時間以上であれば良く、カソード電極の浮遊容
量に応じて変化させられる。
に開示されている駆動方法は、カソード電極の浮遊容量
によるドライブされたカソード電極の電圧立ち上がり時
間の遅延を改善するためのものである。従って、プリチ
ャージ期間はカソード電極を電圧ＶCHまで上昇させるの
に要する時間以上であれば良く、カソード電極の浮遊容
量に応じて変化させられる。
【００１７】このＦＥＤの階調表示方法としては、電圧
変調階調表示方法と、その変形である電圧値固定パルス
幅変調階調表示方法がある。このうち、電圧変調階調表
示方法とは、図８に示すゲート電圧Ｇ1〜Ｇmを制御する
ことにより、図７に示すエミッタＥi1〜Ｅkmの先端（コ
ーンの先端）とゲート電極Ｋiとの電位差を画素毎に制
御し、その画素毎のゲート・エミッタ間電圧ＶGEによ
り、図６に示す特性に従って引き出されるアノード電流
を制御して、階調表示を行う方法である。
変調階調表示方法と、その変形である電圧値固定パルス
幅変調階調表示方法がある。このうち、電圧変調階調表
示方法とは、図８に示すゲート電圧Ｇ1〜Ｇmを制御する
ことにより、図７に示すエミッタＥi1〜Ｅkmの先端（コ
ーンの先端）とゲート電極Ｋiとの電位差を画素毎に制
御し、その画素毎のゲート・エミッタ間電圧ＶGEによ
り、図６に示す特性に従って引き出されるアノード電流
を制御して、階調表示を行う方法である。
【００１８】また、電圧値固定パルス幅変調階調表示方
法とは、図８に示すのゲート電圧Ｇ 1〜Ｇmのエミッショ
ン電圧を一定（画素毎のゲート・エミッタ間電圧ＶGEが
一定となるので、図６に示す特性に従って引き出される
アノード電流も一定）とし、その電圧の印加時間の幅を
調整することにより、図７に示すエミッタＥi1〜Ｅim毎
にアノード電流を引き出す時間を制御して、階調表示を
行う方法である。さらに、この２つの方法を組み合わせ
ることも可能であり、そのような方法が特開平１１−１
５４３０に示されている。
法とは、図８に示すのゲート電圧Ｇ 1〜Ｇmのエミッショ
ン電圧を一定（画素毎のゲート・エミッタ間電圧ＶGEが
一定となるので、図６に示す特性に従って引き出される
アノード電流も一定）とし、その電圧の印加時間の幅を
調整することにより、図７に示すエミッタＥi1〜Ｅim毎
にアノード電流を引き出す時間を制御して、階調表示を
行う方法である。さらに、この２つの方法を組み合わせ
ることも可能であり、そのような方法が特開平１１−１
５４３０に示されている。
【００１９】このＦＥＤの別の階調表示方法としては、
電流変調階調表示方法と、その変形である電流値固定パ
ルス幅変調階調表示方法がある。このうち、電流変調階
調表示方法とは、図６に示すアノード電流を直接制御す
ることにより、その電流値に比例した輝度を得る方法で
ある。このような電流変調階調表示方法を行うための回
路構成は、例えば図９に示すようなものとなる。図９
は、図５に示したＦＥＤのカソード電極に電流源１２０
を接続した構成となっている。なお、図９の１０７は蛍
光体（発光部）である。そして、このアノード電極１０
６に第１の電圧Ｖ aFを印加し、ゲート電極１０５に第２
の電圧ＶgFを印加する。上記第１の電圧Ｖ aFと第２の電
圧ＶgFとは、 ＶaF＞ＶgF の関係を満たすものとなっている。また、電流源１２０
は電圧制御が可能なものであり、端子１２１を介して印
加される第３の電圧Ｖkに比例して電流値Ｉaが制御され
る構成となっている。この電圧Ｖkを変調することによ
り電流Ｉaを変調して階調表示を得る方法が電流変調階
調表示方式であり、そのような方法が特開平８−２７３
５６０号公報に示されている。
電流変調階調表示方法と、その変形である電流値固定パ
ルス幅変調階調表示方法がある。このうち、電流変調階
調表示方法とは、図６に示すアノード電流を直接制御す
ることにより、その電流値に比例した輝度を得る方法で
ある。このような電流変調階調表示方法を行うための回
路構成は、例えば図９に示すようなものとなる。図９
は、図５に示したＦＥＤのカソード電極に電流源１２０
を接続した構成となっている。なお、図９の１０７は蛍
光体（発光部）である。そして、このアノード電極１０
６に第１の電圧Ｖ aFを印加し、ゲート電極１０５に第２
の電圧ＶgFを印加する。上記第１の電圧Ｖ aFと第２の電
圧ＶgFとは、 ＶaF＞ＶgF の関係を満たすものとなっている。また、電流源１２０
は電圧制御が可能なものであり、端子１２１を介して印
加される第３の電圧Ｖkに比例して電流値Ｉaが制御され
る構成となっている。この電圧Ｖkを変調することによ
り電流Ｉaを変調して階調表示を得る方法が電流変調階
調表示方式であり、そのような方法が特開平８−２７３
５６０号公報に示されている。
【００２０】また、あるアノード電流値Ｉ1を与える電
圧Ｖ1と、アノード電流を０とする電圧Ｖ0の印加時間の
幅の比を変調して階調表示を得る方法が電流値固定パル
ス幅変調階調表示方法であり、そのような方法が特開平
６−２２２７３５号公報に示されている。
圧Ｖ1と、アノード電流を０とする電圧Ｖ0の印加時間の
幅の比を変調して階調表示を得る方法が電流値固定パル
ス幅変調階調表示方法であり、そのような方法が特開平
６−２２２７３５号公報に示されている。
【００２１】なお、この電流源１２０の例としては、特
開平８−２７３５６０号に、図１０に示すようなトラン
ジスタを用いた例が示されている。この図１０におい
て、トランジスタ１２２はＮＰＮ型のトランジスタであ
り、ベース端子１２３が図９に示す端子１２１と接続さ
れ、コレクタ端子１２４が端子１２５を介して図９に示
すカソード電極１０２と接続され、エミッタ端子１２６
が抵抗１２７を介して接地されている。
開平８−２７３５６０号に、図１０に示すようなトラン
ジスタを用いた例が示されている。この図１０におい
て、トランジスタ１２２はＮＰＮ型のトランジスタであ
り、ベース端子１２３が図９に示す端子１２１と接続さ
れ、コレクタ端子１２４が端子１２５を介して図９に示
すカソード電極１０２と接続され、エミッタ端子１２６
が抵抗１２７を介して接地されている。
【００２２】ここで、当該トランジスタ１２２がＯＮに
なったときのベース端子１２３とエミッタ端子１２６と
の間の電位差Ｖbeは約０．６［Ｖ］である。これを利用
すると、上記ベース端子１２３に端子１２１を介した電
圧Ｖbを印加してトランジスタ１２２がＯＮになったと
き、ベース端子１２３とエミッタ端子１２６との間の電
位差は（Ｖb−Ｖbe）となる。従って、抵抗１２７を流
れる電流Ｉeは、当該抵抗１２７の抵抗値をＲとすれ
ば、 Ｉe＝（Ｖb−Ｖbe）／Ｒ となり、ＶbeおよびＲは定数であるので、端子１２１の
電圧Ｖbとエミッタ電流Ｉeは比例する。なお、エミッタ
電流Ｉeとコレクタ電流Ｉcはほぼ等しい。
なったときのベース端子１２３とエミッタ端子１２６と
の間の電位差Ｖbeは約０．６［Ｖ］である。これを利用
すると、上記ベース端子１２３に端子１２１を介した電
圧Ｖbを印加してトランジスタ１２２がＯＮになったと
き、ベース端子１２３とエミッタ端子１２６との間の電
位差は（Ｖb−Ｖbe）となる。従って、抵抗１２７を流
れる電流Ｉeは、当該抵抗１２７の抵抗値をＲとすれ
ば、 Ｉe＝（Ｖb−Ｖbe）／Ｒ となり、ＶbeおよびＲは定数であるので、端子１２１の
電圧Ｖbとエミッタ電流Ｉeは比例する。なお、エミッタ
電流Ｉeとコレクタ電流Ｉcはほぼ等しい。
【００２３】従って、上記図１０に示すトランジスタ１
２２のコレクタ端子１２４を端子１２５を介して図９に
示すカソード電極１０２に接続し、図１０に示す端子１
２１に供給される印加電圧Ｖbを上記図９に示す端子１
２１からの印加電圧Ｖkとすると、図１０に示すコレク
タ端子１２４を流れる電流Ｉc、すなわち前記電界放出
電流Ｉaは上記印加電圧Ｖk、すなわちＶbによって制御
されることになる。
２２のコレクタ端子１２４を端子１２５を介して図９に
示すカソード電極１０２に接続し、図１０に示す端子１
２１に供給される印加電圧Ｖbを上記図９に示す端子１
２１からの印加電圧Ｖkとすると、図１０に示すコレク
タ端子１２４を流れる電流Ｉc、すなわち前記電界放出
電流Ｉaは上記印加電圧Ｖk、すなわちＶbによって制御
されることになる。
【００２４】さらに、ＦＥＤの別な構成例として、特開
平１１−１６２３８３号公報に示されているカーボンナ
ノチューブを用いたＣＮＴ型と称される平面ディスプレ
イの構成を図１１に示す。図１１（ａ）は平面図である
図１１（ｃ）のＡ−Ａ’断面図であり、図１１（ｂ）は
平面図である図１１（ｃ）のＢ−Ｂ’断面図である。ま
た、図１１（ｃ）は、断面図である図１１（ａ〕および
図１１（ｂ）におけるＸ−Ｘ’平面から下を見た状態を
示している。
平１１−１６２３８３号公報に示されているカーボンナ
ノチューブを用いたＣＮＴ型と称される平面ディスプレ
イの構成を図１１に示す。図１１（ａ）は平面図である
図１１（ｃ）のＡ−Ａ’断面図であり、図１１（ｂ）は
平面図である図１１（ｃ）のＢ−Ｂ’断面図である。ま
た、図１１（ｃ）は、断面図である図１１（ａ〕および
図１１（ｂ）におけるＸ−Ｘ’平面から下を見た状態を
示している。
【００２５】この平面ディスプレイの構成は、基板１３
１上に電極配線層１３２（スルーホールを介して電子放
出部１３５と接続され、カソード電極として機能する）
が形成され、この電極配線層１３２上に絶縁膜１３３が
形成されている。その絶縁膜１３３上には、基板側リブ
１３４が所定間隔で配置されている。そして、基板側リ
ブ１３４で挟まれた絶縁膜１３３上に、所定の間隔をあ
けて電子放出部１３５が形成されている。この電子放出
部１３５は、絶縁膜１３３に形成されたスルーホールを
介して電極配線層１３２のいずれかの配線に接続してい
る。また、図１１（ａ）に示すように、基板側リブ１３
４上には、電子制御電極１３６（ゲート電極として機能
する）が形成されている。なお、図１１（ａ）および図
１１（ｂ）は、電子放出部１３５が導電性であることを
想定したものであり、一般的には、図１２に示すように
電子放出部１３５と電極配線層１３２との間に電極（カ
ソード電極として機能）を設ける構成とされる。
１上に電極配線層１３２（スルーホールを介して電子放
出部１３５と接続され、カソード電極として機能する）
が形成され、この電極配線層１３２上に絶縁膜１３３が
形成されている。その絶縁膜１３３上には、基板側リブ
１３４が所定間隔で配置されている。そして、基板側リ
ブ１３４で挟まれた絶縁膜１３３上に、所定の間隔をあ
けて電子放出部１３５が形成されている。この電子放出
部１３５は、絶縁膜１３３に形成されたスルーホールを
介して電極配線層１３２のいずれかの配線に接続してい
る。また、図１１（ａ）に示すように、基板側リブ１３
４上には、電子制御電極１３６（ゲート電極として機能
する）が形成されている。なお、図１１（ａ）および図
１１（ｂ）は、電子放出部１３５が導電性であることを
想定したものであり、一般的には、図１２に示すように
電子放出部１３５と電極配線層１３２との間に電極（カ
ソード電極として機能）を設ける構成とされる。
【００２６】さらに、この基板１３１に対向するよう
に、透明な前面側ガラス基板１３７が配置されている。
この前面側ガラス基板１３７と基板１３１とは、基板側
リブ１３４とこの基板側リブ１３４に直交して並べられ
ている前面リブ１３８とにより、所定の距離だけ離れて
配置されている。また、この前面側ガラス基板１３７と
基板１３１との間の空間１３９は、真空排気されてい
る。そして、前面側ガラス基板１３７の内側表面におい
て前面リブ１３８に挟まれた領域に、蛍光体からなる発
光部１４０がストライプ形状に形成され、その表面にア
ルミニウム膜を蒸着することで形成されたメタルバック
膜１４１（アノード電極として機能する）が形成されて
いる。その発光部１４０を構成する蛍光体としては、Ｃ
ＲＴなどに用いられる、４［ｋｅＶ］〜１０［ｋｅＶ］
と高いエネルギーで加速した電子を衝突させることで発
光する蛍光体が用いられている。
に、透明な前面側ガラス基板１３７が配置されている。
この前面側ガラス基板１３７と基板１３１とは、基板側
リブ１３４とこの基板側リブ１３４に直交して並べられ
ている前面リブ１３８とにより、所定の距離だけ離れて
配置されている。また、この前面側ガラス基板１３７と
基板１３１との間の空間１３９は、真空排気されてい
る。そして、前面側ガラス基板１３７の内側表面におい
て前面リブ１３８に挟まれた領域に、蛍光体からなる発
光部１４０がストライプ形状に形成され、その表面にア
ルミニウム膜を蒸着することで形成されたメタルバック
膜１４１（アノード電極として機能する）が形成されて
いる。その発光部１４０を構成する蛍光体としては、Ｃ
ＲＴなどに用いられる、４［ｋｅＶ］〜１０［ｋｅＶ］
と高いエネルギーで加速した電子を衝突させることで発
光する蛍光体が用いられている。
【００２７】この構成において、メタルバック膜１４１
に正の電位が印加され、電子制御電極１３６に正の電位
が印加された状態で、電極配線層１３２の所定の配線に
負の電位を印加することにより、その配線に接続してい
る電子放出部１３５から電子が放出される。そして、そ
の放出された電子が、その電子放出部１３５に対向する
位置の発光部１４０部分に到達することにより、その発
光部１４０部分が発光することになる。
に正の電位が印加され、電子制御電極１３６に正の電位
が印加された状態で、電極配線層１３２の所定の配線に
負の電位を印加することにより、その配線に接続してい
る電子放出部１３５から電子が放出される。そして、そ
の放出された電子が、その電子放出部１３５に対向する
位置の発光部１４０部分に到達することにより、その発
光部１４０部分が発光することになる。
【００２８】そして、ストライプ状に複数配列された発
光部１４０に対向して、図１１（ｃ）に示すように複数
の電子放出部１３５がマトリクス状に配列されて、平面
ディスプレイが構成されている。また、ある発光部１４
０は赤に発光する蛍光体から構成し、その隣の発光部１
４０は青に発光する蛍光体から構成し、その隣の発光部
１４０は緑に発光する蛍光体から構成すれば、カラー表
示が可能な平面ディスプレイを得ることができる。
光部１４０に対向して、図１１（ｃ）に示すように複数
の電子放出部１３５がマトリクス状に配列されて、平面
ディスプレイが構成されている。また、ある発光部１４
０は赤に発光する蛍光体から構成し、その隣の発光部１
４０は青に発光する蛍光体から構成し、その隣の発光部
１４０は緑に発光する蛍光体から構成すれば、カラー表
示が可能な平面ディスプレイを得ることができる。
【００２９】このＣＮＴ型において、電子放出部１３５
は、以下のようなカーボンナノチューブから構成されて
いる。例えば、カーボンナノチューブの集合体からなる
長さ数［μｍ］から数［ｍｍ］の針形状の柱状グラファ
イトを、例えば導電性接着剤等を用いて所定領域に固定
配置することにより、電子放出部１３５を形成すること
ができる。または、柱状グラファイトのペーストを用い
た印刷によるパターン形成によって電子放出部１３５を
形成することもできる。このとき、柱状グラファイト
は、その長手方向がほぼ発光部１４０の方向に向いてい
るようにした方が好ましいとされている。
は、以下のようなカーボンナノチューブから構成されて
いる。例えば、カーボンナノチューブの集合体からなる
長さ数［μｍ］から数［ｍｍ］の針形状の柱状グラファ
イトを、例えば導電性接着剤等を用いて所定領域に固定
配置することにより、電子放出部１３５を形成すること
ができる。または、柱状グラファイトのペーストを用い
た印刷によるパターン形成によって電子放出部１３５を
形成することもできる。このとき、柱状グラファイト
は、その長手方向がほぼ発光部１４０の方向に向いてい
るようにした方が好ましいとされている。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】上述したＣＮＴ型ＦＥ
Ｄは、従来のＳｐｉｎｄｔ型ＦＥＤと比較して、極めて
低電界で電子放出が起きるという点で注目されている。
しかし、このＣＮＴ型ＦＥＤを従来のＳｐｉｎｄｔ型Ｆ
ＥＤと同様に駆動すると、パネル内の表示均一性にばら
つきが発生することが分かった。
Ｄは、従来のＳｐｉｎｄｔ型ＦＥＤと比較して、極めて
低電界で電子放出が起きるという点で注目されている。
しかし、このＣＮＴ型ＦＥＤを従来のＳｐｉｎｄｔ型Ｆ
ＥＤと同様に駆動すると、パネル内の表示均一性にばら
つきが発生することが分かった。
【００３１】そこで、本願発明者は、ＣＮＴ型ＦＥＤと
Ｓｐｉｎｄｔ型ＦＥＤとの構成を比較して、以下のよう
に原因を推測した。
Ｓｐｉｎｄｔ型ＦＥＤとの構成を比較して、以下のよう
に原因を推測した。
【００３２】従来のＳｐｉｎｄｔ型とＣＮＴ型の２つの
ＦＥＤの構成を比較するための概念図が図１３である。
図１３（ａ）は図５に示したＳｐｉｎｄｔ型を示し、図
１３（ｂ）はＣＮＴ型を示す。図１３（ａ）のＳｐｉｎ
ｄｔ型では、半導体加工技術により直径２［μｍ］程度
の穴を開けてエミッタを形成するので、１画素内に数十
個〜数百個のエミッタを形成することができる。従っ
て、カソード電極１０２とゲート電極１０５との間に印
加した電圧により発生するエミッタ１０３の先端の電界
が、エミッタ穴径のばらつきによりばらついても、１画
素内のエミッタ１０３の平均した特性によって電子を引
き出すことが期待できる。
ＦＥＤの構成を比較するための概念図が図１３である。
図１３（ａ）は図５に示したＳｐｉｎｄｔ型を示し、図
１３（ｂ）はＣＮＴ型を示す。図１３（ａ）のＳｐｉｎ
ｄｔ型では、半導体加工技術により直径２［μｍ］程度
の穴を開けてエミッタを形成するので、１画素内に数十
個〜数百個のエミッタを形成することができる。従っ
て、カソード電極１０２とゲート電極１０５との間に印
加した電圧により発生するエミッタ１０３の先端の電界
が、エミッタ穴径のばらつきによりばらついても、１画
素内のエミッタ１０３の平均した特性によって電子を引
き出すことが期待できる。
【００３３】しかし、図１３（ｂ）のＣＮＴ型では、Ｐ
ＤＰで使われている印刷技術によってリブ１３４を形成
するので、１画素内に１個〜数個のエミッタしか形成す
ることができない。従って、カソード電極１３２とゲー
ト電極１３６との間に印加した電圧により発生する電子
放出部１３５表面の電界は、リブ１３４の高さのばらつ
きによってばらつく。そして、そのばらつきがそのまま
１画素内の電子放出部１３５から引き出される電子のば
らつきとなる。
ＤＰで使われている印刷技術によってリブ１３４を形成
するので、１画素内に１個〜数個のエミッタしか形成す
ることができない。従って、カソード電極１３２とゲー
ト電極１３６との間に印加した電圧により発生する電子
放出部１３５表面の電界は、リブ１３４の高さのばらつ
きによってばらつく。そして、そのばらつきがそのまま
１画素内の電子放出部１３５から引き出される電子のば
らつきとなる。
【００３４】図３は、ＣＮＴ型ＦＥＤのカソード・ゲー
ト間電界と、エミッタから放出される電流密度との関係
を示す図である。この特性に従えば、図１３（ｂ）に示
したＣＮＴ型のリブ１３４の高さが１８［μｍ］のと
き、カソード電極１３２とゲート電極１３６との間に１
８［Ｖ］の電圧を印加すれば、カソード・ゲート間に１
［Ｖ／μｍ］の電界が印加されるので、電子放出部１３
５から約Ｏ．０１［Ａ／ｃｍ2］の電流に相当する電子
が放出される。一方、このリブ１３４の高さが２０μｍ
までばらつくと、カソード・ゲート間に０．９［Ｖ／μ
ｍ］の電界が印加されるので、電子放出部１３５から放
出される電子はその半分以下となってしまう。そして、
画素で表示される輝度はこの電子放出部１３５から放出
される電子量に比例するので、この電流のばらつきが表
示輝度のばらつきとなる。
ト間電界と、エミッタから放出される電流密度との関係
を示す図である。この特性に従えば、図１３（ｂ）に示
したＣＮＴ型のリブ１３４の高さが１８［μｍ］のと
き、カソード電極１３２とゲート電極１３６との間に１
８［Ｖ］の電圧を印加すれば、カソード・ゲート間に１
［Ｖ／μｍ］の電界が印加されるので、電子放出部１３
５から約Ｏ．０１［Ａ／ｃｍ2］の電流に相当する電子
が放出される。一方、このリブ１３４の高さが２０μｍ
までばらつくと、カソード・ゲート間に０．９［Ｖ／μ
ｍ］の電界が印加されるので、電子放出部１３５から放
出される電子はその半分以下となってしまう。そして、
画素で表示される輝度はこの電子放出部１３５から放出
される電子量に比例するので、この電流のばらつきが表
示輝度のばらつきとなる。
【００３５】一般に、大型基板を作製可能なプロセスに
よって得られるリブの厚さばらつきが１０％以内に収ま
ることは期待することができない。さらに、印刷技術を
用いる場合には、隣接する画素間で１０％程度の膜厚の
ばらつきが生じることは、覚悟しなければならない。大
画面にわたって緩やかに変化する輝度むらはあまり気に
ならないが、隣接する画素間では、わずかに輝度が変化
しても気になるものである。上述のように、隣接する画
素で１０％程度のリブ厚ばらつきがあれば、大きな輝度
ばらつきが発生するので、上記パネル内の表示均一性に
ばらつきが生じたと考えられる。
よって得られるリブの厚さばらつきが１０％以内に収ま
ることは期待することができない。さらに、印刷技術を
用いる場合には、隣接する画素間で１０％程度の膜厚の
ばらつきが生じることは、覚悟しなければならない。大
画面にわたって緩やかに変化する輝度むらはあまり気に
ならないが、隣接する画素間では、わずかに輝度が変化
しても気になるものである。上述のように、隣接する画
素で１０％程度のリブ厚ばらつきがあれば、大きな輝度
ばらつきが発生するので、上記パネル内の表示均一性に
ばらつきが生じたと考えられる。
【００３６】すなわち、従来のＣＮＴ型ＦＥＤでは、Ｓ
ｐｉｎｄｔ型ＦＥＤで用いられていたような、カソード
・ゲート間に印加した電圧を制御した階調表示を得る電
圧階調表示方法や、その変形である電圧値固定パルス幅
変調階調表示方法を用いる場合に、予め、各画素のリブ
厚のバラツキを測定し電圧を補正することなく、パネル
内で均一な階調表示を得ることは困難である。
ｐｉｎｄｔ型ＦＥＤで用いられていたような、カソード
・ゲート間に印加した電圧を制御した階調表示を得る電
圧階調表示方法や、その変形である電圧値固定パルス幅
変調階調表示方法を用いる場合に、予め、各画素のリブ
厚のバラツキを測定し電圧を補正することなく、パネル
内で均一な階調表示を得ることは困難である。
【００３７】さらに、本願発明者らは、カソード・ゲー
ト間電圧を一定とし、画素に表示すべき階調に従ってカ
ソードに供給する電流値を制御して階調表示を得る電流
変調階調表示方法や、その変形である電流値固定パルス
幅変調階調表示方法を用いれば、パネル内で均一な階調
表示が得られるか否かを検討したが、必ずしもそうなら
ないことを見い出した。以下に、その理由について説明
する。
ト間電圧を一定とし、画素に表示すべき階調に従ってカ
ソードに供給する電流値を制御して階調表示を得る電流
変調階調表示方法や、その変形である電流値固定パルス
幅変調階調表示方法を用いれば、パネル内で均一な階調
表示が得られるか否かを検討したが、必ずしもそうなら
ないことを見い出した。以下に、その理由について説明
する。
【００３８】図１は、図１１に示したＣＮＴ型ＦＥＤの
構成を示す平面概念図である。図１の電極Ｇ1、Ｇ2、・
・・、Ｇmは、図１１のゲート電極１３６に対応する。
ここではゲート電極を走査側電極とし、走査する順番に
Ｇ1、Ｇ2、・・・、Ｇmで示す。また、電極Ｋ1、Ｋ2、
・・・、Ｋnは、図１１のカソード電極１３２に対応す
る。ここではカソード電極を信号側電極とし、端から順
番にＫ1、Ｋ2、・・・、Ｋnで示す。そして、ゲート電
極Ｇiとカソード電極Ｋjにより制御される画素をＡijで
示す。また、図２は図１の断面図である。
構成を示す平面概念図である。図１の電極Ｇ1、Ｇ2、・
・・、Ｇmは、図１１のゲート電極１３６に対応する。
ここではゲート電極を走査側電極とし、走査する順番に
Ｇ1、Ｇ2、・・・、Ｇmで示す。また、電極Ｋ1、Ｋ2、
・・・、Ｋnは、図１１のカソード電極１３２に対応す
る。ここではカソード電極を信号側電極とし、端から順
番にＫ1、Ｋ2、・・・、Ｋnで示す。そして、ゲート電
極Ｇiとカソード電極Ｋjにより制御される画素をＡijで
示す。また、図２は図１の断面図である。
【００３９】ここで、ゲート電極Ｇ1〜Ｇmとカソード電
極Ｋ1〜Ｋnを等しく０［Ｖ］とし、その後、カソード電
極Ｋ1〜Ｋnと信号側駆動回路との間の配線をオープン状
態として、あるゲート電極Ｇiに選択電圧Ｖgとして＋１
６［Ｖ］を印加し、他のゲート電極Ｇh（ｈ≠ｉ、ｈ＝
１〜ｍ）に非選択電圧ＶNとして０［Ｖ］を印加する。
そして、画素Ａijの電子放出部とゲート電極の距離（以
下、リブ厚みと称する）を２０μｍ、画素Ａik（ｋ≠
ｉ、ｋ＝１〜ｎ）のリブ厚みを１８μｍと仮定した場合
について考える。
極Ｋ1〜Ｋnを等しく０［Ｖ］とし、その後、カソード電
極Ｋ1〜Ｋnと信号側駆動回路との間の配線をオープン状
態として、あるゲート電極Ｇiに選択電圧Ｖgとして＋１
６［Ｖ］を印加し、他のゲート電極Ｇh（ｈ≠ｉ、ｈ＝
１〜ｍ）に非選択電圧ＶNとして０［Ｖ］を印加する。
そして、画素Ａijの電子放出部とゲート電極の距離（以
下、リブ厚みと称する）を２０μｍ、画素Ａik（ｋ≠
ｉ、ｋ＝１〜ｎ）のリブ厚みを１８μｍと仮定した場合
について考える。
【００４０】このとき、画素Ａijにおける電子放出部表
面の電界Ｅijは、 Ｅij≒（カソード・ゲート間電圧）／（画素Ａijのリブ厚み） ＝１６／２０＝０．８［Ｖ／μｍ］ となる。これは、図３に示したＣＮＴ型ＦＥＤのカソー
ド・ゲート間電界−エミッタ放出電流密度特性におい
て、エミッタ（電子放出部）から電子が放出されないし
きい値電界となる。従って、カソード電極Ｋiの電位は
０［Ｖ］のままとなる。
面の電界Ｅijは、 Ｅij≒（カソード・ゲート間電圧）／（画素Ａijのリブ厚み） ＝１６／２０＝０．８［Ｖ／μｍ］ となる。これは、図３に示したＣＮＴ型ＦＥＤのカソー
ド・ゲート間電界−エミッタ放出電流密度特性におい
て、エミッタ（電子放出部）から電子が放出されないし
きい値電界となる。従って、カソード電極Ｋiの電位は
０［Ｖ］のままとなる。
【００４１】一方、画素Ａikにおける電子放出部表面の
電界Ｅikは、Ｅik≒（カソード・ゲート間電圧）／（画
素Ａikのリブ厚み）＝１６／１８＝０．８９［Ｖ／μ
ｍ］となる。これは、図３に示したＣＮＴ型ＦＥＤのカ
ソード・ゲート間電界−エミッタ放出電流密度特性にお
いて、エミッタから電子が放出される電界となる。そこ
で、画素Ａikにおける電子放出部表面から電子が放出さ
れ、電子放出部表面の電界がしきい値電界Ｏ．８［Ｖ／
μｍ］になると、この電子放出部表面からの電子放出が
止まる。
電界Ｅikは、Ｅik≒（カソード・ゲート間電圧）／（画
素Ａikのリブ厚み）＝１６／１８＝０．８９［Ｖ／μ
ｍ］となる。これは、図３に示したＣＮＴ型ＦＥＤのカ
ソード・ゲート間電界−エミッタ放出電流密度特性にお
いて、エミッタから電子が放出される電界となる。そこ
で、画素Ａikにおける電子放出部表面から電子が放出さ
れ、電子放出部表面の電界がしきい値電界Ｏ．８［Ｖ／
μｍ］になると、この電子放出部表面からの電子放出が
止まる。
【００４２】このとき、カソード電極Ｋkの電位Ｖ
Kkは、 ＶKk≒（ゲート電極Ｇiの電位）一しきい値電界×（画素Ａikのリブ厚み） ＝１６−０．８×１８＝１．６［Ｖ］ となる。そして、この間に画素Ａikにおける電子放出部
表面から放出される電子の総電荷量Ｑikは、非選択電圧
を印加したゲート電極Ｇhとカソード電極Ｋkの間の総浮
遊容量、選択電圧を印加したゲート電極Ｇiとカソード
電極Ｋkとの間の浮遊容量、および各電極電位を用い
て、 Ｑik≒（電極Ｇhと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（電極Ｇh電位一電極Ｋk電位 ）＋（電極Ｇiと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（電極Ｇi電位一電極Ｋk電位） ＝（電極Ｇhと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（０−１．６） ＋（電極Ｇiと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（１６−１．６） ＝（電極Ｇhと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（−１．６） ＋（電極Ｇiと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（１４．４） と算出される。
Kkは、 ＶKk≒（ゲート電極Ｇiの電位）一しきい値電界×（画素Ａikのリブ厚み） ＝１６−０．８×１８＝１．６［Ｖ］ となる。そして、この間に画素Ａikにおける電子放出部
表面から放出される電子の総電荷量Ｑikは、非選択電圧
を印加したゲート電極Ｇhとカソード電極Ｋkの間の総浮
遊容量、選択電圧を印加したゲート電極Ｇiとカソード
電極Ｋkとの間の浮遊容量、および各電極電位を用い
て、 Ｑik≒（電極Ｇhと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（電極Ｇh電位一電極Ｋk電位 ）＋（電極Ｇiと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（電極Ｇi電位一電極Ｋk電位） ＝（電極Ｇhと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（０−１．６） ＋（電極Ｇiと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（１６−１．６） ＝（電極Ｇhと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（−１．６） ＋（電極Ｇiと電極Ｋk間の総浮遊容量）×（１４．４） と算出される。
【００４３】ゲート電極Ｇiとカソード電極Ｋk間の総浮
遊容量Ｃikは、 Ｃik≒絶縁膜の誘電率×（電極Ｇiと電極Ｋkの交差面
積）／（画素Ａikのリブ厚み） である。図１において、パネル対角サイズを１０”、ゲ
ート電極数ｍ＝２４０、カソード電極数ｎ＝３２０、画
素を正方形、電極間の間隔Ｄ＝Ｉ＝８０［μｍ］とする
と、ゲート電極幅Ｃ＝カソード電極幅Ｈ≒５５５［μ
ｍ］となる。これに、ゲート電極とカソード電極との重
なり幅（Ａ＋Ｂ）＝（Ｆ＋Ｇ）＝１２０μｍを用いる
と、 （ゲート電極とカソード電極との交差面積）≒（５５
５）2一（５５５−１２０）2 となる。絶縁膜をＳｉＯ2とすると、その比誘電率は２
〜３である。この比誘電率は絶縁膜の作り方によっても
変化するので、これを例えば３とすると、この画素の容
量Ｃは、 Ｃ＝真空の誘電率×３×（ゲート電極とカソード電極の
交差面積）／リプ厚 となり、リブ厚み１８μｍの画素の浮遊容量Ｃ18は約
０．２０［ｐＦ］、リブ厚み２０μｍの画素の浮遊容量
Ｃ20は約０．１８［ｐＦ］となる。
遊容量Ｃikは、 Ｃik≒絶縁膜の誘電率×（電極Ｇiと電極Ｋkの交差面
積）／（画素Ａikのリブ厚み） である。図１において、パネル対角サイズを１０”、ゲ
ート電極数ｍ＝２４０、カソード電極数ｎ＝３２０、画
素を正方形、電極間の間隔Ｄ＝Ｉ＝８０［μｍ］とする
と、ゲート電極幅Ｃ＝カソード電極幅Ｈ≒５５５［μ
ｍ］となる。これに、ゲート電極とカソード電極との重
なり幅（Ａ＋Ｂ）＝（Ｆ＋Ｇ）＝１２０μｍを用いる
と、 （ゲート電極とカソード電極との交差面積）≒（５５
５）2一（５５５−１２０）2 となる。絶縁膜をＳｉＯ2とすると、その比誘電率は２
〜３である。この比誘電率は絶縁膜の作り方によっても
変化するので、これを例えば３とすると、この画素の容
量Ｃは、 Ｃ＝真空の誘電率×３×（ゲート電極とカソード電極の
交差面積）／リプ厚 となり、リブ厚み１８μｍの画素の浮遊容量Ｃ18は約
０．２０［ｐＦ］、リブ厚み２０μｍの画素の浮遊容量
Ｃ20は約０．１８［ｐＦ］となる。
【００４４】このリブ厚のばらつきはパネルによって変
化するが、カソード電極Ｋkにリブ厚み１８μｍの画素
が５０％、リブ厚み２０μｍの画素が５０％存在すると
仮定すると、上記画素Ａikにおける電子放出部表面から
放出される電子の総電荷量Ｑ ikは、 Ｑik≒（Ｏ．８×１２０十０．２０×１１９）×（一
１．６）十（０．２０）×（１４．４）＝７０．１［ｐ
Ｃ］ となる。この浮遊電荷は、カソード電極の外部から電荷
を与えなくとも放出される電荷であり、このことは、あ
る階調レベルの輝度を表示しようとする画素がリブ厚１
８μｍであるか２０μｍであるかによって、その画素で
発光に使われる浮遊電荷が上記値だけ変化することを意
味する。
化するが、カソード電極Ｋkにリブ厚み１８μｍの画素
が５０％、リブ厚み２０μｍの画素が５０％存在すると
仮定すると、上記画素Ａikにおける電子放出部表面から
放出される電子の総電荷量Ｑ ikは、 Ｑik≒（Ｏ．８×１２０十０．２０×１１９）×（一
１．６）十（０．２０）×（１４．４）＝７０．１［ｐ
Ｃ］ となる。この浮遊電荷は、カソード電極の外部から電荷
を与えなくとも放出される電荷であり、このことは、あ
る階調レベルの輝度を表示しようとする画素がリブ厚１
８μｍであるか２０μｍであるかによって、その画素で
発光に使われる浮遊電荷が上記値だけ変化することを意
味する。
【００４５】そこで、この浮遊電荷量が階調表示に使わ
れる電荷に対する比率を見積もったところ、上記条件で
アノード電圧を５［ｋＶ］とすれば、約２％程度である
ことが分かった。これは、上記条件で６４階調以上の表
示をする場合は無視できない値である。また、この浮遊
電荷量は、画素面積×走査電極数に概ね比例するが、階
調表示に必要な電荷は画素面積にしか比例しない。この
ことはＮＴＳＣを表示する場合の走査電極数４８０本で
は上記比率が約４％となり、ＨＤＴＶ規格の走査電極数
７２０本では上記比率は約６％となり、走査電極数が大
きくなるほど上記浮遊電荷による影響が大きくなってい
くことを意味する。
れる電荷に対する比率を見積もったところ、上記条件で
アノード電圧を５［ｋＶ］とすれば、約２％程度である
ことが分かった。これは、上記条件で６４階調以上の表
示をする場合は無視できない値である。また、この浮遊
電荷量は、画素面積×走査電極数に概ね比例するが、階
調表示に必要な電荷は画素面積にしか比例しない。この
ことはＮＴＳＣを表示する場合の走査電極数４８０本で
は上記比率が約４％となり、ＨＤＴＶ規格の走査電極数
７２０本では上記比率は約６％となり、走査電極数が大
きくなるほど上記浮遊電荷による影響が大きくなってい
くことを意味する。
【００４６】本発明はこのような従来技術の課題を解決
するためになされたものであり、ＣＮＴ型ＦＥＤのよう
にリブの厚さばらつきが大きなディスプレイにおいて
も、比較的均一な表示が得られ、階調表示にも適した映
像表示装置を提供することを目的とする。
するためになされたものであり、ＣＮＴ型ＦＥＤのよう
にリブの厚さばらつきが大きなディスプレイにおいて
も、比較的均一な表示が得られ、階調表示にも適した映
像表示装置を提供することを目的とする。
【００４７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の映像表
示装置は、略平行に配列された複数の第１電極と、該第
１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第２電極
と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる駆動最
小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最小単位
群とを備えた映像表示装置において、該表示最小単位部
に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示
上の最大輝度が得られる構成となっており、該駆動最小
単位部における該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ
［μｍ］を平均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞
０）であり、該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］と
し、１表示フレーム時間内で該第１電極の略全てが順次
に駆動走査され、個々の第１電極が駆動走査される時間
を表示フレーム周期で割ることにより得られるデューテ
ィ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表示フレーム周波数をＦ
［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択走査する際に、該第１
電極に印加するゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、該最小駆
動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
示装置は、略平行に配列された複数の第１電極と、該第
１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第２電極
と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる駆動最
小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最小単位
群とを備えた映像表示装置において、該表示最小単位部
に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示
上の最大輝度が得られる構成となっており、該駆動最小
単位部における該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ
［μｍ］を平均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞
０）であり、該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］と
し、１表示フレーム時間内で該第１電極の略全てが順次
に駆動走査され、個々の第１電極が駆動走査される時間
を表示フレーム周期で割ることにより得られるデューテ
ィ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表示フレーム周波数をＦ
［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択走査する際に、該第１
電極に印加するゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、該最小駆
動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００４８】請求項２に記載の映像表示装置は、請求項
１に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
１に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００４９】請求項３に記載の映像表示装置は、略平行
に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂直
な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と該
第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆動
最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像表
示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊ
max［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度
が得られる構成となっており、該表示最小単位の面積を
Ｓ［ｃｍ2］とし、１表示フレーム時間内で該第１電極
の略全てが順次に駆動走査され、個々の第１電極が駆動
走査される時間を表示フレーム周期で割ることにより得
られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表示フレー
ム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択走査する
際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg［Ｖ］と
し、該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際
に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１
×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂直
な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と該
第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆動
最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像表
示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊ
max［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度
が得られる構成となっており、該表示最小単位の面積を
Ｓ［ｃｍ2］とし、１表示フレーム時間内で該第１電極
の略全てが順次に駆動走査され、個々の第１電極が駆動
走査される時間を表示フレーム周期で割ることにより得
られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表示フレー
ム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択走査する
際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg［Ｖ］と
し、該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際
に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１
×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００５０】請求項４に記載の映像表示装置は、請求項
３に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１
×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
３に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１
×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００５１】請求項５に記載の映像表示装置は、略平行
に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂直
な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と該
第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆動
最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像表
示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊ
max［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度
が得られる構成となっており、該駆動最小単位部におけ
る該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ［μｍ］を平
均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞０）であり、該
表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、１表示フレー
ム時間内で該第１電極の略全てが順次に駆動走査され、
個々の第１電極が駆動走査される時間を表示フレーム周
期で割ることにより得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜
１）とし、表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第
１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加するゲー
ト電圧をＶg［Ｖ］とし、表示階調数をＬn［階調］と
し、該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際
に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂直
な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と該
第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆動
最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像表
示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊ
max［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度
が得られる構成となっており、該駆動最小単位部におけ
る該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ［μｍ］を平
均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞０）であり、該
表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、１表示フレー
ム時間内で該第１電極の略全てが順次に駆動走査され、
個々の第１電極が駆動走査される時間を表示フレーム周
期で割ることにより得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜
１）とし、表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第
１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加するゲー
ト電圧をＶg［Ｖ］とし、表示階調数をＬn［階調］と
し、該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際
に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００５２】請求項６に記載の映像表示装置は、略平行
に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂直
な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と該
第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆動
最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像表
示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊ
max［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度
が得られる構成となっており、該表示最小単位の面積を
Ｓ［ｃｍ2］とし、１表示フレーム時間内で該第１電極
の略全てが順次に駆動走査され、個々の第１電極が駆動
走査される時間を表示フレーム周期で割ることにより得
られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表示フレー
ム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択走査する
際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg［Ｖ］と
し、表示階調数をＬn［階調］とし、該最小駆動単位の
平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（Ｆ×０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂直
な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と該
第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆動
最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像表
示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊ
max［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度
が得られる構成となっており、該表示最小単位の面積を
Ｓ［ｃｍ2］とし、１表示フレーム時間内で該第１電極
の略全てが順次に駆動走査され、個々の第１電極が駆動
走査される時間を表示フレーム周期で割ることにより得
られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表示フレー
ム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択走査する
際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg［Ｖ］と
し、表示階調数をＬn［階調］とし、該最小駆動単位の
平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（Ｆ×０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００５３】請求項７に記載の映像表示装置は、略平行
に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂直
な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と該
第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆動
最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像表
示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊ
max［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度
が得られる構成となっており、該駆動最小単位部におけ
る該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ［μｍ］を平
均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞０）であり、該
表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、連続する２つ
の表示フレームにおいて、第１の表示フレームで該第１
電極の略半分が順次に駆動走査され、引き続く第２の表
示フレームで該第１電極の残りの略半分が順次に駆動走
査され、個々の第１電極が駆動走査される時間を表示フ
レーム周期で割ることにより得られるデューティ比をＤ
r（Ｄr＜１）とし、表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］と
し、該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加
するゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、該最小駆動単位の平
均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂直
な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と該
第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆動
最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像表
示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊ
max［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度
が得られる構成となっており、該駆動最小単位部におけ
る該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ［μｍ］を平
均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞０）であり、該
表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、連続する２つ
の表示フレームにおいて、第１の表示フレームで該第１
電極の略半分が順次に駆動走査され、引き続く第２の表
示フレームで該第１電極の残りの略半分が順次に駆動走
査され、個々の第１電極が駆動走査される時間を表示フ
レーム周期で割ることにより得られるデューティ比をＤ
r（Ｄr＜１）とし、表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］と
し、該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加
するゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、該最小駆動単位の平
均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００５４】請求項８に記載の映像表示装置は、請求項
７に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
７に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００５５】請求項９に記載の映像表示装置は、略平行
に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂直
な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と該
第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆動
最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像表
示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊ
max［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度
が得られる構成となっており、該表示最小単位の面積を
Ｓ［ｃｍ2］とし、連続する２つの表示フレームにおい
て、第１の表示フレームで該第１電極の略半分が順次に
駆動走査され、引き続く第２の表示フレームで該第１電
極の残りの略半分が順次に駆動走査され、個々の第１電
極が駆動走査される時間を表示フレーム周期で割ること
により得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表
示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択
走査する際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg
［Ｖ］とし、該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］と
した際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂直
な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と該
第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆動
最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像表
示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊ
max［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度
が得られる構成となっており、該表示最小単位の面積を
Ｓ［ｃｍ2］とし、連続する２つの表示フレームにおい
て、第１の表示フレームで該第１電極の略半分が順次に
駆動走査され、引き続く第２の表示フレームで該第１電
極の残りの略半分が順次に駆動走査され、個々の第１電
極が駆動走査される時間を表示フレーム周期で割ること
により得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表
示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択
走査する際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg
［Ｖ］とし、該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］と
した際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００５６】請求項１０に記載の映像表示装置は、請求
項９に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
項９に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００５７】請求項１１に記載の映像表示装置は、略平
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該駆動最小単位部における
該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ［μｍ］を平均
として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞０）であり、該表
示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、連続する２つの
表示フレームにおいて、第１の表示フレームで該第１電
極の略半分が順次に駆動走査され、引き続く第２の表示
フレームで該第１電極の残りの略半分が順次に駆動走査
され、個々の第１電極が駆動走査される時間を表示フレ
ーム周期で割ることにより得られるデューティ比をＤr
（Ｄr＜１）とし、表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］と
し、該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加
するゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、表示階調数をＬn［階
調］とし、該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とし
た際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（２×Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該駆動最小単位部における
該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ［μｍ］を平均
として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞０）であり、該表
示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、連続する２つの
表示フレームにおいて、第１の表示フレームで該第１電
極の略半分が順次に駆動走査され、引き続く第２の表示
フレームで該第１電極の残りの略半分が順次に駆動走査
され、個々の第１電極が駆動走査される時間を表示フレ
ーム周期で割ることにより得られるデューティ比をＤr
（Ｄr＜１）とし、表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］と
し、該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加
するゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、表示階調数をＬn［階
調］とし、該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とし
た際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（２×Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００５８】請求項１２に記載の映像表示装置は、略平
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該表示最小単位の面積をＳ
［ｃｍ2］とし、連続する２つの表示フレームにおい
て、第１の表示フレームで該第１電極の略半分が順次に
駆動走査され、引き続く第２の表示フレームで該第１電
極の残りの略半分が順次に駆動走査され、個々の第１電
極が駆動走査される時間を表示フレーム周期で割ること
により得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表
示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択
走査する際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg
［Ｖ］とし、表示階調数をＬn［階調］とし、該最小駆
動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（２×Ｆ×０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該表示最小単位の面積をＳ
［ｃｍ2］とし、連続する２つの表示フレームにおい
て、第１の表示フレームで該第１電極の略半分が順次に
駆動走査され、引き続く第２の表示フレームで該第１電
極の残りの略半分が順次に駆動走査され、個々の第１電
極が駆動走査される時間を表示フレーム周期で割ること
により得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表
示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択
走査する際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg
［Ｖ］とし、表示階調数をＬn［階調］とし、該最小駆
動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（２×Ｆ×０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００５９】請求項１３に記載の映像表示装置は、略平
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該駆動最小単位部における
該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ［μｍ］を平均
として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞０）であり、該表
示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、１本の該第２電
極が該第１電極と交差する回数をｍとし、個々の第１電
極が駆動走査される時間を表示フレーム周期で割ること
により得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表
示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択
走査する際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg
［Ｖ］とし、該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］と
した際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該駆動最小単位部における
該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ［μｍ］を平均
として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞０）であり、該表
示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、１本の該第２電
極が該第１電極と交差する回数をｍとし、個々の第１電
極が駆動走査される時間を表示フレーム周期で割ること
により得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表
示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択
走査する際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg
［Ｖ］とし、該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］と
した際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００６０】請求項１４に記載の映像表示装置は、請求
項１３に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
項１３に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００６１】請求項１５に記載の映像表示装置は、略平
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該表示最小単位の面積をＳ
［ｃｍ2］とし、１本の該第２電極が該第１電極と交差
する回数をｍとし、個々の第１電極が駆動走査される時
間を表示フレーム周期で割ることにより得られるデュー
ティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表示フレーム周波数をＦ
［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択走査する際に、該第１
電極に印加するゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、該最小駆
動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１
×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該表示最小単位の面積をＳ
［ｃｍ2］とし、１本の該第２電極が該第１電極と交差
する回数をｍとし、個々の第１電極が駆動走査される時
間を表示フレーム周期で割ることにより得られるデュー
ティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表示フレーム周波数をＦ
［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択走査する際に、該第１
電極に印加するゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、該最小駆
動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１
×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００６２】請求項１６に記載の映像表示装置は、請求
項１５に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１
×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
項１５に記載の映像表示装置であって、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１
×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００６３】請求項１７に記載の映像表示装置は、略平
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該駆動最小単位部における
該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ［μｍ］を平均
として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞０）であり、該表
示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、１本の該第２電
極が該第１電極と交差する回数をｍとし、個々の第１電
極が駆動走査される時間を表示フレーム周期で割ること
により得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表
示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択
走査する際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg
［Ｖ］とし、表示階調数をＬn［階調］とし、該最小駆
動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／
（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該駆動最小単位部における
該第１電極と該第２電極との間隙が、ｔ［μｍ］を平均
として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞０）であり、該表
示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、１本の該第２電
極が該第１電極と交差する回数をｍとし、個々の第１電
極が駆動走査される時間を表示フレーム周期で割ること
により得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表
示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択
走査する際に、該第１電極に印加するゲート電圧をＶg
［Ｖ］とし、表示階調数をＬn［階調］とし、該最小駆
動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／
（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００６４】請求項１８に記載の映像表示装置は、略平
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該表示最小単位の面積をＳ
［ｃｍ2］とし、１本の該第２電極が該第１電極と交差
する回数をｍとし、個々の第１電極が駆動走査される時
間を表示フレーム周期で割ることにより得られるデュー
ティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表示フレーム周波数をＦ
［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択走査する際に、該第１
電極に印加するゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、表示階調
数をＬn［階調］とし、該最小駆動単位の平均容量をＣf
［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／
（Ｆ×０．１×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
行に配列された複数の第１電極と、該第１電極とは略垂
直な方向に配列された複数の第２電極と、該第１電極と
該第２電極との交差部からなる駆動最小単位群と、該駆
動最小単位群に対応する表示最小単位群とを備えた映像
表示装置において、該表示最小単位部に電流密度Ｊma x
［Ａ／ｃｍ2］が与えられた際に、表示上の最大輝度が
得られる構成となっており、該表示最小単位の面積をＳ
［ｃｍ2］とし、１本の該第２電極が該第１電極と交差
する回数をｍとし、個々の第１電極が駆動走査される時
間を表示フレーム周期で割ることにより得られるデュー
ティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、表示フレーム周波数をＦ
［Ｈｚ］とし、該第１電極を選択走査する際に、該第１
電極に印加するゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、表示階調
数をＬn［階調］とし、該最小駆動単位の平均容量をＣf
［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／
（Ｆ×０．１×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする。
【００６５】上記構成によれば、後述する実施の形態に
示すように、電極間距離のばらつきによる表示特性のば
らつきを抑制することが可能である。
示すように、電極間距離のばらつきによる表示特性のば
らつきを抑制することが可能である。
【００６６】請求項１９に記載の映像表示装置は、請求
項１乃至請求項１８のいずれかに記載の映像表示装置で
あって、第１の基板上に、複数の前記第１電極、複数の
前記第２電極、および該第１電極と該第２電極との間の
絶縁層からなる前記駆動最小単位を有し、該第１の基板
と略平行に配置された第２の基板上に、電子加速電極
と、前記表示最小単位を構成する蛍光体とを有し、該駆
動最小単位からの放出電子により該蛍光体を発光せしめ
て映像を表示する装置であり、該電子加速電極にＶ
a［ｋＶ］の電子加速電圧を印加して、該駆動最小単位
からの電子放出による電流密度が該表示最小単位に対し
てＪmax［Ａ／ｃｍ2］となる際に、表示上の最大輝度を
与えるように該第２基板が構成されてなることを特徴と
する。
項１乃至請求項１８のいずれかに記載の映像表示装置で
あって、第１の基板上に、複数の前記第１電極、複数の
前記第２電極、および該第１電極と該第２電極との間の
絶縁層からなる前記駆動最小単位を有し、該第１の基板
と略平行に配置された第２の基板上に、電子加速電極
と、前記表示最小単位を構成する蛍光体とを有し、該駆
動最小単位からの放出電子により該蛍光体を発光せしめ
て映像を表示する装置であり、該電子加速電極にＶ
a［ｋＶ］の電子加速電圧を印加して、該駆動最小単位
からの電子放出による電流密度が該表示最小単位に対し
てＪmax［Ａ／ｃｍ2］となる際に、表示上の最大輝度を
与えるように該第２基板が構成されてなることを特徴と
する。
【００６７】本発明は、電界放出させた電子を蛍光体に
照射する構成の映像表示装置において、特に有効であ
る。
照射する構成の映像表示装置において、特に有効であ
る。
【００６８】請求項２０に記載の映像表示装置は、請求
項１９に記載の映像表示装置であって、前記駆動最小単
位の少なくとも一部が、カーボンナノチューブからなる
電子放出源であることを特徴とする。
項１９に記載の映像表示装置であって、前記駆動最小単
位の少なくとも一部が、カーボンナノチューブからなる
電子放出源であることを特徴とする。
【００６９】本発明は、カーボンナノチューブを用いた
ＦＥＤにおいて特に有効である。
ＦＥＤにおいて特に有効である。
【００７０】請求項２１に記載の映像表示装置は、請求
項１乃至請求項２０のいずれかに記載の映像表示装置で
あって、前記フレーム周波数Ｆ［Ｈｚ］が６０［Ｈｚ］
であることを特徴とする。
項１乃至請求項２０のいずれかに記載の映像表示装置で
あって、前記フレーム周波数Ｆ［Ｈｚ］が６０［Ｈｚ］
であることを特徴とする。
【００７１】本発明は、例えばフレーム周波数が６０
［Ｈｚ］の映像表示装置に適用可能である。なお、６０
Ｈｚは一般的に用いられている周波数であるが、フリッ
カが感じられない周波数（一般的には４０Ｈｚ以上）で
あれば、他の周波数でも適用可能である。
［Ｈｚ］の映像表示装置に適用可能である。なお、６０
Ｈｚは一般的に用いられている周波数であるが、フリッ
カが感じられない周波数（一般的には４０Ｈｚ以上）で
あれば、他の周波数でも適用可能である。
【００７２】請求項２２に記載の映像表示装置は、請求
項１乃至請求項２１のいずれかに記載の映像表示装置で
あって、映像情報信号を、電流振幅値および電流パルス
幅の少なくともいずれか一方により与えることを特徴と
する。
項１乃至請求項２１のいずれかに記載の映像表示装置で
あって、映像情報信号を、電流振幅値および電流パルス
幅の少なくともいずれか一方により与えることを特徴と
する。
【００７３】本発明は、映像情報信号を、電流振幅値お
よび電流パルス幅の少なくともいずれか一方により与え
る映像表示装置において特に有効である。
よび電流パルス幅の少なくともいずれか一方により与え
る映像表示装置において特に有効である。
【００７４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。
いて説明する。
【００７５】例えば、第１の基板上に、複数の第１電
極、複数の第２電極、および第１電極と第２電極との間
を隔てるリブ層（絶縁層、ここでは、図１１（ａ）のよ
うな二酸化シリコン膜は含まれていない）からなる駆動
最小単位を有し、この第１の基板と略平行に配置された
第２の基板上に、電子加速電極と、表示最小単位を構成
する蛍光体とを有し、駆動最小単位からの放出電子によ
り蛍光体を発光せしめて映像を表示する装置であり、電
子加速電極にＶa［ｋＶ］の電子加速電圧を印加して、
駆動最小単位からの電子放出による電流密度が表示最小
単位に対してＪma x［Ａ／ｃｍ2］となる際に、表示上の
最大輝度を与えるように第２基板が構成されており、駆
動最小単位部における第１電極と第２電極との間隙が、
ｔ［μｍ］を平均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞
０）であり、表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、
１表示フレーム時間内で第１電極の略全てが順次に駆動
走査（いわゆるプログレッシブ駆動）され、個々の第１
電極が駆動走査される時間を表示フレーム周期で割るこ
とにより得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、
表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、第１電極を選択
走査する際に、第１電極に印加するゲート電圧をＶ
g［Ｖ］とし、最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とし
た映像表示装置について考える。
極、複数の第２電極、および第１電極と第２電極との間
を隔てるリブ層（絶縁層、ここでは、図１１（ａ）のよ
うな二酸化シリコン膜は含まれていない）からなる駆動
最小単位を有し、この第１の基板と略平行に配置された
第２の基板上に、電子加速電極と、表示最小単位を構成
する蛍光体とを有し、駆動最小単位からの放出電子によ
り蛍光体を発光せしめて映像を表示する装置であり、電
子加速電極にＶa［ｋＶ］の電子加速電圧を印加して、
駆動最小単位からの電子放出による電流密度が表示最小
単位に対してＪma x［Ａ／ｃｍ2］となる際に、表示上の
最大輝度を与えるように第２基板が構成されており、駆
動最小単位部における第１電極と第２電極との間隙が、
ｔ［μｍ］を平均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］（△ｔ＞
０）であり、表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、
１表示フレーム時間内で第１電極の略全てが順次に駆動
走査（いわゆるプログレッシブ駆動）され、個々の第１
電極が駆動走査される時間を表示フレーム周期で割るこ
とにより得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、
表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、第１電極を選択
走査する際に、第１電極に印加するゲート電圧をＶ
g［Ｖ］とし、最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とし
た映像表示装置について考える。
【００７６】この映像表示装置は、図１に示すような電
極構成を有し、ゲート電極Ｇ1〜Ｇmが走査側電極、カソ
ード電極Ｋ1〜Ｋnが信号側電極であるとする。ここで、
ゲート電極Ｇ1〜Ｇmとカソード電極Ｋ1〜Ｋnを等しく０
［Ｖ］とし、その後、カソード電極Ｋ1〜Ｋnと信号側駆
動回路との間の配線をオープン状態として、あるゲート
電極Ｇiに選択電圧Ｖg［Ｖ］を印加し、他のゲート電極
Ｇh（ｈ≠ｉ、ｈ＝１〜ｍ）に非選択電圧ＶNとして０
［Ｖ］を印加する駆動方法を用いた場合について考え
る。
極構成を有し、ゲート電極Ｇ1〜Ｇmが走査側電極、カソ
ード電極Ｋ1〜Ｋnが信号側電極であるとする。ここで、
ゲート電極Ｇ1〜Ｇmとカソード電極Ｋ1〜Ｋnを等しく０
［Ｖ］とし、その後、カソード電極Ｋ1〜Ｋnと信号側駆
動回路との間の配線をオープン状態として、あるゲート
電極Ｇiに選択電圧Ｖg［Ｖ］を印加し、他のゲート電極
Ｇh（ｈ≠ｉ、ｈ＝１〜ｍ）に非選択電圧ＶNとして０
［Ｖ］を印加する駆動方法を用いた場合について考え
る。
【００７７】まず、最大輝度を与えるために必要とされ
る、最小駆動単位（画素）当たりの放出電荷量を見積も
る。上述した通り、加速電極（アノード電極）がＶ
a［ｋＶ］のときに、最大輝度を与える電流密度はＪmax
［Ａ／ｃｍ2］であり、最小表示単位（画素）の面積が
Ｓ［ｃｍ2］であるとしているので、最大輝度を与える
電流Ｉmax［Ａ／最小表示単位］は、 Ｉmax＝Ｊmax×Ｓ［Ａ／最小表示単位］ ・・・（１） と表される。最大輝度を与えるためには、上記Ｉ
maxが、最小駆動単位が走査選択されている期間におい
て発生する必要がある。最小駆動単位が一度に走査選択
されている時間Ｔon［ｓｅｃ．］は、上記デューティー
比Ｄr、上記フレーム周波数Ｆ［Ｈｚ］より、 Ｔon＝Ｄr／Ｆ［ｓｅｃ．］ ・・・（２） と表される。よって、最大輝度を与えるのに必要な電流
を発生させるために必要とされる最小駆動単位あたりの
電荷量Ｑmax［Ｃ／最小表示単位］は、上記式（１）お
よび上記式（２）より、 Ｑmax＝Ｉmax×Ｔon ＝Ｊmax×Ｓ×Ｄr／Ｆ［Ｃ／最小表示単位］ ・・・（３） と表される。
る、最小駆動単位（画素）当たりの放出電荷量を見積も
る。上述した通り、加速電極（アノード電極）がＶ
a［ｋＶ］のときに、最大輝度を与える電流密度はＪmax
［Ａ／ｃｍ2］であり、最小表示単位（画素）の面積が
Ｓ［ｃｍ2］であるとしているので、最大輝度を与える
電流Ｉmax［Ａ／最小表示単位］は、 Ｉmax＝Ｊmax×Ｓ［Ａ／最小表示単位］ ・・・（１） と表される。最大輝度を与えるためには、上記Ｉ
maxが、最小駆動単位が走査選択されている期間におい
て発生する必要がある。最小駆動単位が一度に走査選択
されている時間Ｔon［ｓｅｃ．］は、上記デューティー
比Ｄr、上記フレーム周波数Ｆ［Ｈｚ］より、 Ｔon＝Ｄr／Ｆ［ｓｅｃ．］ ・・・（２） と表される。よって、最大輝度を与えるのに必要な電流
を発生させるために必要とされる最小駆動単位あたりの
電荷量Ｑmax［Ｃ／最小表示単位］は、上記式（１）お
よび上記式（２）より、 Ｑmax＝Ｉmax×Ｔon ＝Ｊmax×Ｓ×Ｄr／Ｆ［Ｃ／最小表示単位］ ・・・（３） と表される。
【００７８】次に、例えば基板上に構成されたリブ厚み
ばらつきを原因として、上記第１電極／第２電極間隔の
ばらつきにより発生する、予期せぬ余分な電荷放出量Ｑ
fを見積る。ここでは、図１のような構成の映像表示装
置において、画素Ａijの第１電極／第２電極間隔（リプ
厚み）が、所望のｔ［μｍ］から△ｔ［μｍ］だけ変化
しているとする。この場合、画素Ａijへの印加電界が所
望の電界から変化して予期せぬ余分な電荷放出が発生
し、電極Ｋjの電位が変化することになる。そのため、
余分な放出電荷量Ｑfは、 Ｑf＝（ＧiとＫjの容量）×（Ｇi電極電位一Ｋj電極電位） ＋Σ（ＧhとＫjの容量）×（Ｇh電極電位一Ｋj電極電位） （ｈ＝１〜（ｉ−１）、（ｉ＋１）〜ｍ） ＝（画素Ａijの容量）×（Ｖg−（±△Ｖj）） ＋Σ（画素Ａhjの容量）×（ＶN一（±△Ｖj）） （ｈ＝１〜（ｉ−１）、（ｉ十１）〜ｍ） ＝（Ｃf十（±△Ｃf））×（Ｖg一（±△Ｖj）） 十Σ（Ｃf十（±△Ｃhf））×（ＶN一（±△Ｖj）） ・・・（４） （ｈ＝１〜（ｉ−１）、（ｉ十１）〜ｍ） となる。なお、上記式（４）中、±△Ｃf、±△Ｖjの
「プラスマイナス」は、着目している画素Ａijにおける
所望リブ厚からのリブ厚の「増減」に対応している。一
方、±△Ｃhfは、画素Ａhj（ｈ＝１〜（ｉ−１）、（ｉ
＋１）〜ｍ）の（ｍ−１）個の各々の画素における、所
望リブ厚からのリブ厚の「増減」によって、その符号が
変わる。画素Ａhj（ｈ＝１〜（ｉ−１）、（ｉ＋１）〜
ｍ）の（ｍ−１）個の画素を考えた場合、一般に、リブ
厚ばらつきはランダムに発生し、そのばらつきの平均値
は概ね±０であることが殆どである。このため、上記式
（４）中の（Ｃf十（±△Ｃf））の値は、ｈ＝１〜（ｉ
−１）、（ｉ十１）〜ｍの範囲でΣを取ると、Ｃfに平
均化されてＣf×（ｍ−１）（ｍはゲートライン数）と
考えることができる。よって、上記式（４）の第２項を Ｃf×ＶN×（ゲートライン数一１） と近似することができる。上記式において、（ゲートラ
イン数一１）としているのは、第２項と第ｉ行とは関係
が無いためである。また、ゲートライン数は、デューテ
ィー比Ｄrから１／Ｄrとなる。さらに、ＶN＝０である
ため、結果として、 Ｑf≒（Ｃf十（±△Ｃf））×（Ｖg一（±△Ｖj）） 十Ｃf×（一（±△Ｖj））×（１／Ｄr一１） ・・・（５） となる。
ばらつきを原因として、上記第１電極／第２電極間隔の
ばらつきにより発生する、予期せぬ余分な電荷放出量Ｑ
fを見積る。ここでは、図１のような構成の映像表示装
置において、画素Ａijの第１電極／第２電極間隔（リプ
厚み）が、所望のｔ［μｍ］から△ｔ［μｍ］だけ変化
しているとする。この場合、画素Ａijへの印加電界が所
望の電界から変化して予期せぬ余分な電荷放出が発生
し、電極Ｋjの電位が変化することになる。そのため、
余分な放出電荷量Ｑfは、 Ｑf＝（ＧiとＫjの容量）×（Ｇi電極電位一Ｋj電極電位） ＋Σ（ＧhとＫjの容量）×（Ｇh電極電位一Ｋj電極電位） （ｈ＝１〜（ｉ−１）、（ｉ＋１）〜ｍ） ＝（画素Ａijの容量）×（Ｖg−（±△Ｖj）） ＋Σ（画素Ａhjの容量）×（ＶN一（±△Ｖj）） （ｈ＝１〜（ｉ−１）、（ｉ十１）〜ｍ） ＝（Ｃf十（±△Ｃf））×（Ｖg一（±△Ｖj）） 十Σ（Ｃf十（±△Ｃhf））×（ＶN一（±△Ｖj）） ・・・（４） （ｈ＝１〜（ｉ−１）、（ｉ十１）〜ｍ） となる。なお、上記式（４）中、±△Ｃf、±△Ｖjの
「プラスマイナス」は、着目している画素Ａijにおける
所望リブ厚からのリブ厚の「増減」に対応している。一
方、±△Ｃhfは、画素Ａhj（ｈ＝１〜（ｉ−１）、（ｉ
＋１）〜ｍ）の（ｍ−１）個の各々の画素における、所
望リブ厚からのリブ厚の「増減」によって、その符号が
変わる。画素Ａhj（ｈ＝１〜（ｉ−１）、（ｉ＋１）〜
ｍ）の（ｍ−１）個の画素を考えた場合、一般に、リブ
厚ばらつきはランダムに発生し、そのばらつきの平均値
は概ね±０であることが殆どである。このため、上記式
（４）中の（Ｃf十（±△Ｃf））の値は、ｈ＝１〜（ｉ
−１）、（ｉ十１）〜ｍの範囲でΣを取ると、Ｃfに平
均化されてＣf×（ｍ−１）（ｍはゲートライン数）と
考えることができる。よって、上記式（４）の第２項を Ｃf×ＶN×（ゲートライン数一１） と近似することができる。上記式において、（ゲートラ
イン数一１）としているのは、第２項と第ｉ行とは関係
が無いためである。また、ゲートライン数は、デューテ
ィー比Ｄrから１／Ｄrとなる。さらに、ＶN＝０である
ため、結果として、 Ｑf≒（Ｃf十（±△Ｃf））×（Ｖg一（±△Ｖj）） 十Ｃf×（一（±△Ｖj））×（１／Ｄr一１） ・・・（５） となる。
【００７９】ここで、上記式（５）の第１項と第２項を
比較する。一般に、印刷法により形成したリブ厚のばら
つきは±１０％程度である。そのため、 Ｃf十（±△Ｃf）：Ｃf≒１＋（±０．１）：１ Ｖg一（±△Ｖj）：一（±△Ｖｊ）≒１−（±０．１）：−（±０．１） である。よって、上記式（５）の第１項と第２項の比率
は、 第１項：第２項≒１：０．１×（１／Ｄr一１） となる。デューティー比Ｄrが１／１００程度のディス
プレイの場合でも、上記式（５）において、第１項：第
２項≒１：１０、Ｄ＝１／１０００となると、第１項：
第２項≒１：１００となる。すなわち、実用的なディス
プレイにおいては、上記式（５）の第２項のみが支配的
となる。
比較する。一般に、印刷法により形成したリブ厚のばら
つきは±１０％程度である。そのため、 Ｃf十（±△Ｃf）：Ｃf≒１＋（±０．１）：１ Ｖg一（±△Ｖj）：一（±△Ｖｊ）≒１−（±０．１）：−（±０．１） である。よって、上記式（５）の第１項と第２項の比率
は、 第１項：第２項≒１：０．１×（１／Ｄr一１） となる。デューティー比Ｄrが１／１００程度のディス
プレイの場合でも、上記式（５）において、第１項：第
２項≒１：１０、Ｄ＝１／１０００となると、第１項：
第２項≒１：１００となる。すなわち、実用的なディス
プレイにおいては、上記式（５）の第２項のみが支配的
となる。
【００８０】これを考慮すると、上記式（５）は、 Ｑf≒Ｃf×（一（±△Ｖj））×（１／Ｄr一１） となる。実用的なディスプレイにおいては、１／Ｄr≫
１であるので、 Ｑf≒Ｃf×（一（±△Ｖj））×（１／Ｄr） ｜Ｑf｜≒Ｃf×△Ｖj／Ｄr ・・・（６） となる。なお、△Ｖｊは、リブ厚ばらつきに起因して生
じる、本来電位が０であるはずのカソード電極の電圧変
位量である。この電圧変位量は、上記
１であるので、 Ｑf≒Ｃf×（一（±△Ｖj））×（１／Ｄr） ｜Ｑf｜≒Ｃf×△Ｖj／Ｄr ・・・（６） となる。なお、△Ｖｊは、リブ厚ばらつきに起因して生
じる、本来電位が０であるはずのカソード電極の電圧変
位量である。この電圧変位量は、上記
【発明が解決しようとする課題】でも述べたように、リ
ブ厚が異常な画素の印加電界が正常な画素の印加電界と
同じになるまで放出された電荷に相当するものである。
そのため、正常なリブ厚ｔを有する画素の印加電界と比
較して、 Ｖg／ｔ＝（Ｖg±△Ｖj）／（ｔ±△ｔ） であり、すなわち、 △Ｖj＝（△ｔ／ｔ）×Ｖg ・・・（７）である。上記
式（７）を上記式（６）に代入すると、リブ厚ばらつき
に起因する余分な電荷量は、 ｜Ｑf｜≒Ｃf×（△ｔ／ｔ）×Ｖg／Ｄr［Ｃ／最小駆動
単位］ ・・・（８）と表される。
ブ厚が異常な画素の印加電界が正常な画素の印加電界と
同じになるまで放出された電荷に相当するものである。
そのため、正常なリブ厚ｔを有する画素の印加電界と比
較して、 Ｖg／ｔ＝（Ｖg±△Ｖj）／（ｔ±△ｔ） であり、すなわち、 △Ｖj＝（△ｔ／ｔ）×Ｖg ・・・（７）である。上記
式（７）を上記式（６）に代入すると、リブ厚ばらつき
に起因する余分な電荷量は、 ｜Ｑf｜≒Ｃf×（△ｔ／ｔ）×Ｖg／Ｄr［Ｃ／最小駆動
単位］ ・・・（８）と表される。
【００８１】ここで、余分な電荷放出量Ｑfは予期せぬ
輝度変化を生じさせるので、Ｑfの絶対値を最大輝度を
与えるために必要な電荷量Ｑmaxよりも十分に小さくす
る（｜Ｑf｜≪Ｑmax）ことが、より高品質の画像を得る
際には必要であることが分かる。
輝度変化を生じさせるので、Ｑfの絶対値を最大輝度を
与えるために必要な電荷量Ｑmaxよりも十分に小さくす
る（｜Ｑf｜≪Ｑmax）ことが、より高品質の画像を得る
際には必要であることが分かる。
【００８２】より具体的には、実質上８階調の表示とな
っている場合、余分な電荷放出による輝度（階調）のず
れが平均の階調間輝度の半分となっていれば、余分な輝
度変化による画像の劣化が目立たない。表示される輝度
は蛍光体に放出される電荷量にほぼ比例すると考えてよ
いため、この場合、 Ｑmax／（８−１）／２≧｜Ｑf｜ となり、上記式（３）および上記式（８）を代入するこ
とにより、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） ・・・（９） となるように素子構成および駆動条件を設定すれば、余
分な輝度変化による画像の劣化が目立たない映像表示装
置が得られることになる。
っている場合、余分な電荷放出による輝度（階調）のず
れが平均の階調間輝度の半分となっていれば、余分な輝
度変化による画像の劣化が目立たない。表示される輝度
は蛍光体に放出される電荷量にほぼ比例すると考えてよ
いため、この場合、 Ｑmax／（８−１）／２≧｜Ｑf｜ となり、上記式（３）および上記式（８）を代入するこ
とにより、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） ・・・（９） となるように素子構成および駆動条件を設定すれば、余
分な輝度変化による画像の劣化が目立たない映像表示装
置が得られることになる。
【００８３】一方、２５６階調の表示となっている場合
にも、余分な電荷放出による輝度（階調）のずれが平均
の階調間輝度の半分となっていれば、余分な輝度変化に
よる画像の劣化が目立たないと考えると、 Ｑmax／（２５６−１）／２≧｜Ｑf｜ となり、上記式（３）および上記式（８）を代入するこ
とにより、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） ・・・（１０） となるように素子構成および駆動条件を設定すれば、余
分な輝度変化による画像の劣化が目立たない映像表示装
置が得られることになる。
にも、余分な電荷放出による輝度（階調）のずれが平均
の階調間輝度の半分となっていれば、余分な輝度変化に
よる画像の劣化が目立たないと考えると、 Ｑmax／（２５６−１）／２≧｜Ｑf｜ となり、上記式（３）および上記式（８）を代入するこ
とにより、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） ・・・（１０） となるように素子構成および駆動条件を設定すれば、余
分な輝度変化による画像の劣化が目立たない映像表示装
置が得られることになる。
【００８４】より一般的には、Ｌn階調の表示を行って
いる場合に、余分な電荷放出による輝度（階調）のずれ
が平均の階調間輝度の半分となっていれば、余分な輝度
変化による画像の劣化が目立たないと考え、 Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）× Ｖg） ・・・（１１） となるように素子構成および駆動条件を設定すればよ
い。さらに、一般に印刷法でリブを形成した場合、本願
発明者らの経験からは、その高さバラツキが±１０％程
度になることが多い。そのため、上記式（９）より、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１×Ｖg） ・・・（１２） とするのが好ましい。上記式（ｌ０）および上記式（１１）より、より好ましく は、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１×Ｖg） ・・・（１３） であり、一般的には Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１×Ｖg） ・・・（１４） とするのが好ましい。
いる場合に、余分な電荷放出による輝度（階調）のずれ
が平均の階調間輝度の半分となっていれば、余分な輝度
変化による画像の劣化が目立たないと考え、 Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）× Ｖg） ・・・（１１） となるように素子構成および駆動条件を設定すればよ
い。さらに、一般に印刷法でリブを形成した場合、本願
発明者らの経験からは、その高さバラツキが±１０％程
度になることが多い。そのため、上記式（９）より、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１×Ｖg） ・・・（１２） とするのが好ましい。上記式（ｌ０）および上記式（１１）より、より好ましく は、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１×Ｖg） ・・・（１３） であり、一般的には Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１×Ｖg） ・・・（１４） とするのが好ましい。
【００８５】以上は、１表示フレーム時間内で、上記第
１電極の略全てが順次に駆動走査される場合（いわゆる
プログレッシブ駆動の場合）である。映像表示装置の駆
動方法としては、さらに、連続する２つの表示フレーム
において、第１の表示フレームで、第１電極の略半分
（例えば奇数行に対応する電極）が順次に駆動走査さ
れ、引き続く第２の表示フレームで、第１電極の残りの
略半分（例えば偶数行に対応する電極）が順次に駆動走
査される場合（いわゆるインターレス駆動の場合）があ
る。このインターレス駆動の場合は、上記（５）式にお
いて、ゲートライン数とデューティー比Ｄrの関係が、
ゲートライン数＝２／Ｄrとなる。すなわち、インター
レス駆動の場合は、上記式（５〕、上記式（６）および
式（８）において１／Ｄrとなっている箇所を、２／Ｄr
とすれば良い。その結果、上記式（９）〜上記式（１
４）は、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） ・・・（９）’ Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） ・・・（１０）’ Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×（△ｔ／ｔ ）×Ｖg） ・・・（１１）’ Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×０．１×Ｖg） ・・・（１２）’ Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×０．１×Ｖg） ・・・（１３）’ Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×０．１×Ｖg ） ・・・（１４）’ となる。すなわち、いわゆるインターレス駆動を行なう
場合には、上記式（９）’〜上記式（１４）’式を満た
すように条件を設定すれば良い。
１電極の略全てが順次に駆動走査される場合（いわゆる
プログレッシブ駆動の場合）である。映像表示装置の駆
動方法としては、さらに、連続する２つの表示フレーム
において、第１の表示フレームで、第１電極の略半分
（例えば奇数行に対応する電極）が順次に駆動走査さ
れ、引き続く第２の表示フレームで、第１電極の残りの
略半分（例えば偶数行に対応する電極）が順次に駆動走
査される場合（いわゆるインターレス駆動の場合）があ
る。このインターレス駆動の場合は、上記（５）式にお
いて、ゲートライン数とデューティー比Ｄrの関係が、
ゲートライン数＝２／Ｄrとなる。すなわち、インター
レス駆動の場合は、上記式（５〕、上記式（６）および
式（８）において１／Ｄrとなっている箇所を、２／Ｄr
とすれば良い。その結果、上記式（９）〜上記式（１
４）は、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） ・・・（９）’ Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） ・・・（１０）’ Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×（△ｔ／ｔ ）×Ｖg） ・・・（１１）’ Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×０．１×Ｖg） ・・・（１２）’ Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×０．１×Ｖg） ・・・（１３）’ Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×０．１×Ｖg ） ・・・（１４）’ となる。すなわち、いわゆるインターレス駆動を行なう
場合には、上記式（９）’〜上記式（１４）’式を満た
すように条件を設定すれば良い。
【００８６】さらに、上記式（５）において、ゲートラ
イン数を１／Ｄrとして求めるのではなく、１本の第２
電極が第１の電極と交差する回数をｍとしてもよい。こ
の場合、上記式（５）、上記式（６）および式（８）に
おいて１／Ｄrとなっている箇所をｍとすれば良い。そ
の結果、上記式（９）〜上記（１４）は、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg×ｍ） ・・・（９）” Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg×ｍ） ・・・（１０）” Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr） ／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg×ｍ） ・・・（１１）” Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１×Ｖg×ｍ） ・・・（１２）” Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１×Ｖg×ｍ） ・・・（１３）” Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１×Ｖg×ｍ ） ・・・（１４）” となる。プログレッシブ駆動およびインターレス駆動の
どちらを行なう場合においても、上記式（９）”〜上記
（１４）”式を満たすように条件を設定すれば良い。
イン数を１／Ｄrとして求めるのではなく、１本の第２
電極が第１の電極と交差する回数をｍとしてもよい。こ
の場合、上記式（５）、上記式（６）および式（８）に
おいて１／Ｄrとなっている箇所をｍとすれば良い。そ
の結果、上記式（９）〜上記（１４）は、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg×ｍ） ・・・（９）” Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg×ｍ） ・・・（１０）” Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr） ／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg×ｍ） ・・・（１１）” Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１×Ｖg×ｍ） ・・・（１２）” Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１×Ｖg×ｍ） ・・・（１３）” Ｃf≦０．５／（Ｌn−１）×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１×Ｖg×ｍ ） ・・・（１４）” となる。プログレッシブ駆動およびインターレス駆動の
どちらを行なう場合においても、上記式（９）”〜上記
（１４）”式を満たすように条件を設定すれば良い。
【００８７】（実施形態１）本実施形態では、電子放出
部をカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）で形成したフィー
ルドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）を用いる。第
１の基板上に、複数の第１電極と複数の第２電極とをリ
ブ層を介して形成する。第１電極および第２電極は、各
々略平行に配列された複数の電極から構成されており、
第１電極の長手方向と第２電極の長手方向は、略垂直と
なっている。第１電極および第２電極の交差部に駆動最
小単位が構成されており、各々、ＣＮＴからなるエミッ
ターと放出電子の通る開口部が形成されている。
部をカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）で形成したフィー
ルドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）を用いる。第
１の基板上に、複数の第１電極と複数の第２電極とをリ
ブ層を介して形成する。第１電極および第２電極は、各
々略平行に配列された複数の電極から構成されており、
第１電極の長手方向と第２電極の長手方向は、略垂直と
なっている。第１電極および第２電極の交差部に駆動最
小単位が構成されており、各々、ＣＮＴからなるエミッ
ターと放出電子の通る開口部が形成されている。
【００８８】電極構成の概念図は図１に示した通りであ
る。上記第１の基板と略平行に配置された第２の基板上
に、電子加速電極と表示最小単位を構成する蛍光体とを
形成し、上記駆動最小単位からの放出電子により蛍光体
を発光せしめて映像を表示する。第１の基板と第２の基
板との間の空間は、封止されて排気されている。
る。上記第１の基板と略平行に配置された第２の基板上
に、電子加速電極と表示最小単位を構成する蛍光体とを
形成し、上記駆動最小単位からの放出電子により蛍光体
を発光せしめて映像を表示する。第１の基板と第２の基
板との間の空間は、封止されて排気されている。
【００８９】パネルサイズは、対角サイズが約５”、第
１基板上のゲート電極数ｍ＝１２０、カソード電極数ｎ
＝１６０、画素を正方形とし、図１において電極間の間
隔Ｄ＝Ｉ＝８０μｍとしている。すなわち、ゲート電極
ピッチＥ＝カソードピッチＪ≒６３５μｍであるため、
ゲート電極幅Ｃ＝カソード電極幅Ｈ≒５５５μｍとな
る。また、ゲート電極とカソード電極の重なり幅（Ａ＋
Ｂ）＝（Ｆ＋Ｇ）＝１２０μｍである。よって、駆動最
小単位を形成するゲート電極とカソード電極の交差部の
面積は、 となる。
１基板上のゲート電極数ｍ＝１２０、カソード電極数ｎ
＝１６０、画素を正方形とし、図１において電極間の間
隔Ｄ＝Ｉ＝８０μｍとしている。すなわち、ゲート電極
ピッチＥ＝カソードピッチＪ≒６３５μｍであるため、
ゲート電極幅Ｃ＝カソード電極幅Ｈ≒５５５μｍとな
る。また、ゲート電極とカソード電極の重なり幅（Ａ＋
Ｂ）＝（Ｆ＋Ｇ）＝１２０μｍである。よって、駆動最
小単位を形成するゲート電極とカソード電極の交差部の
面積は、 となる。
【００９０】ここで、ゲート電極とカソード電極を隔て
るリブの厚みは、概ね２０μｍとなるように形成した
が、±１０％程度の厚みばらつきが存在している。すな
わち、リプ厚ばらつき△ｔ／ｔ≒０．１である。リブ厚
が２０μｍである平均的な駆動最小単位のゲート電極／
カソード電極間の容量Ｃfは、 Ｃf≒（リブ材料の誘電率）×（ゲート電極とカソード
電極の交差する面積）／（リプ厚） となる。本実施形態では、リブ材料（絶縁膜）の比誘電
率がおよそ３となるようにリブを形成している。このと
き、Ｃfは、 Ｃf≒（真空の誘電率）×３×（ゲート電極とカソード電極の交差する面積 ）／リブ厚 ≒８．８５４×１０-12×３×（１．１９×１０-3［ｃｍ2］）／（２０ ［μｍ］）＝０．１５８［ｐＦ］ となる。また、第１基板上の各々の開口部に対応して第
２基板上に蛍光体を形成しており、蛍光体面積Ｓは第１
基板開ロ部の大きさとほぽ同じであり、Ｓ≒１．８９×
１０-3［ｃｍ］としている。
るリブの厚みは、概ね２０μｍとなるように形成した
が、±１０％程度の厚みばらつきが存在している。すな
わち、リプ厚ばらつき△ｔ／ｔ≒０．１である。リブ厚
が２０μｍである平均的な駆動最小単位のゲート電極／
カソード電極間の容量Ｃfは、 Ｃf≒（リブ材料の誘電率）×（ゲート電極とカソード
電極の交差する面積）／（リプ厚） となる。本実施形態では、リブ材料（絶縁膜）の比誘電
率がおよそ３となるようにリブを形成している。このと
き、Ｃfは、 Ｃf≒（真空の誘電率）×３×（ゲート電極とカソード電極の交差する面積 ）／リブ厚 ≒８．８５４×１０-12×３×（１．１９×１０-3［ｃｍ2］）／（２０ ［μｍ］）＝０．１５８［ｐＦ］ となる。また、第１基板上の各々の開口部に対応して第
２基板上に蛍光体を形成しており、蛍光体面積Ｓは第１
基板開ロ部の大きさとほぽ同じであり、Ｓ≒１．８９×
１０-3［ｃｍ］としている。
【００９１】このＦＥＤのカソード・ゲート間電界とエ
ミッタから放出される電流密度特性は、図３に示した特
性である。すなわち、カソード・ゲート間に概ね０．８
［Ｖ／μｍ］程度の電界を印加すると、電子放出部から
電子が放出され始める。このＦＥＤパネルのカソード電
極Ｋ1〜Ｋnの電位を全て０［Ｖ］とし、ゲート電極Ｇ 1
〜Ｇmのうちの１本のゲート電極にのみ順番に電圧Ｖgを
印加して、残りのゲート電極の電位を０［Ｖ］として、
発光するか否かを調べた。この結果、ゲート電圧Ｖgが
１４［Ｖ］において発光する画素は無かったが、Ｖgが
１５Ｖにおいて発光する画素がいくつか観察された。ま
た、電圧Ｖgが１７［Ｖ］において発光しない画素がい
くつか観察されたが、Ｖgが１８［Ｖ］において全ての
画素で発光が観察された。そこで、選択電圧Ｖgを１４
［Ｖ］に設定した。
ミッタから放出される電流密度特性は、図３に示した特
性である。すなわち、カソード・ゲート間に概ね０．８
［Ｖ／μｍ］程度の電界を印加すると、電子放出部から
電子が放出され始める。このＦＥＤパネルのカソード電
極Ｋ1〜Ｋnの電位を全て０［Ｖ］とし、ゲート電極Ｇ 1
〜Ｇmのうちの１本のゲート電極にのみ順番に電圧Ｖgを
印加して、残りのゲート電極の電位を０［Ｖ］として、
発光するか否かを調べた。この結果、ゲート電圧Ｖgが
１４［Ｖ］において発光する画素は無かったが、Ｖgが
１５Ｖにおいて発光する画素がいくつか観察された。ま
た、電圧Ｖgが１７［Ｖ］において発光しない画素がい
くつか観察されたが、Ｖgが１８［Ｖ］において全ての
画素で発光が観察された。そこで、選択電圧Ｖgを１４
［Ｖ］に設定した。
【００９２】駆動方法としては、ゲート電極の選択期間
における最初の期間に、全てのゲート電極とカソード電
極とを０［Ｖ］とする。その後、選択されたゲート電極
にＶ gを印加し、同時に、カソード電極に映像データ信
号を付与する。本実施形態では、電流振幅値と電流パル
ス幅の両者を併用して階調信号とした。このとき、最大
輝度を与える電流密度をＪmax＝１５［ｍＡ／ｃｍ2］、
１画面を書き換えるフレーム周波数を６０［Ｈｚ］、プ
ログレッシブ駆動でデューティ比Ｄr＝１／１２０（ｍ
＝１２０）、表示階調数Ｌn＝８という駆動条件に設定
して表示を行なうと、上記式（９）、（１１）、（１
２）、（１４）、および上記式（９）”、（１１）”、
（１２）”、（１４）”を満たしている。
における最初の期間に、全てのゲート電極とカソード電
極とを０［Ｖ］とする。その後、選択されたゲート電極
にＶ gを印加し、同時に、カソード電極に映像データ信
号を付与する。本実施形態では、電流振幅値と電流パル
ス幅の両者を併用して階調信号とした。このとき、最大
輝度を与える電流密度をＪmax＝１５［ｍＡ／ｃｍ2］、
１画面を書き換えるフレーム周波数を６０［Ｈｚ］、プ
ログレッシブ駆動でデューティ比Ｄr＝１／１２０（ｍ
＝１２０）、表示階調数Ｌn＝８という駆動条件に設定
して表示を行なうと、上記式（９）、（１１）、（１
２）、（１４）、および上記式（９）”、（１１）”、
（１２）”、（１４）”を満たしている。
【００９３】この駆動条件でパネルを表示させると、リ
ブ厚ばらつきによる表示輝度のばらつきはある程度観察
されるものの、階調の反転等、極端な表示階調の変化は
見られなかった。
ブ厚ばらつきによる表示輝度のばらつきはある程度観察
されるものの、階調の反転等、極端な表示階調の変化は
見られなかった。
【００９４】（実施形態２）実施形態１と同じＦＥＤを
用いて、最大輝度を与える電流密度をＪmax＝１５［ｍ
Ａ／ｃｍ2］、１画面を書き換えるフレーム周波数を６
０［Ｈｚ］、インターレス駆動でデューティ比Ｄr＝１
／６０（ｍ＝１２０）、表示階調数Ｌn＝８という駆動
条件に設定して表示を行なうと、上記式（９）’、（１
１）’、（１２）’、（１４）’、および上記式
（９）”、（１１）”、（１２）”、（１４）”を満た
している。
用いて、最大輝度を与える電流密度をＪmax＝１５［ｍ
Ａ／ｃｍ2］、１画面を書き換えるフレーム周波数を６
０［Ｈｚ］、インターレス駆動でデューティ比Ｄr＝１
／６０（ｍ＝１２０）、表示階調数Ｌn＝８という駆動
条件に設定して表示を行なうと、上記式（９）’、（１
１）’、（１２）’、（１４）’、および上記式
（９）”、（１１）”、（１２）”、（１４）”を満た
している。
【００９５】この駆動条件でパネルを表示させると、リ
ブ厚ばらつきによる表示輝度のばらつきはある程度観察
されるものの、階調の反転等、極端な表示階調の変化は
見られなかった。
ブ厚ばらつきによる表示輝度のばらつきはある程度観察
されるものの、階調の反転等、極端な表示階調の変化は
見られなかった。
【００９６】（実施形態３）本実施形態でも、電子放出
部をカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）で形成したフィー
ルドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）を用いる。第
１の基板上に、複数の第１電極と複数の第２電極とをリ
ブ層を介して形成する。第１電極および第２電極は、各
々略平行に配列された複数の電極から構成されており、
第１電極の長手方向と第２電極の長手方向は、略垂直と
なっている。第１電極および第２電極の交差部に駆動最
小単位が構成されており、各々、ＣＮＴからなるエミッ
ターと放出電子の通る開口部が形成されている。
部をカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）で形成したフィー
ルドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）を用いる。第
１の基板上に、複数の第１電極と複数の第２電極とをリ
ブ層を介して形成する。第１電極および第２電極は、各
々略平行に配列された複数の電極から構成されており、
第１電極の長手方向と第２電極の長手方向は、略垂直と
なっている。第１電極および第２電極の交差部に駆動最
小単位が構成されており、各々、ＣＮＴからなるエミッ
ターと放出電子の通る開口部が形成されている。
【００９７】電極構成の概念図は図４に示した通りであ
る。上記第１の基板と略平行に配置された第２の基板上
に、電子加速電極と表示最小単位を構成する蛍光体とを
形成し、上記駆動最小単位からの放出電子により蛍光体
を発光せしめて映像を表示する。第１の基板と第２の基
板との間の空間は、封止されて排気されている。
る。上記第１の基板と略平行に配置された第２の基板上
に、電子加速電極と表示最小単位を構成する蛍光体とを
形成し、上記駆動最小単位からの放出電子により蛍光体
を発光せしめて映像を表示する。第１の基板と第２の基
板との間の空間は、封止されて排気されている。
【００９８】本実施形態では、第２電極をパネルのほぼ
中央部で分割している。上半分の第２電極は図の情報か
ら信号を入力し、下半分の第２電極は図の下方から信号
を入力する。これにより、パネルの上半分と下半分に同
時に映像情報を書き込んで表示することができるため、
デューティ比を倍にすることができる。
中央部で分割している。上半分の第２電極は図の情報か
ら信号を入力し、下半分の第２電極は図の下方から信号
を入力する。これにより、パネルの上半分と下半分に同
時に映像情報を書き込んで表示することができるため、
デューティ比を倍にすることができる。
【００９９】パネルサイズは、対角サイズが約５”、第
１基板上のゲート電極数ｍ＝１２０、カソード電極数ｎ
＝１６０、画素を正方形とし、図４において電極間の間
隔Ｄ＝Ｉ＝８０μｍとしている。すなわち、ゲート電極
ピッチＥ＝カソードピッチＪ≒６３５μｍであるため、
ゲート電極幅Ｃ＝カソード電極幅Ｈ≒５５５μｍとな
る。また、ゲート電極とカソード電極の重なり幅（Ａ＋
Ｂ）＝（Ｆ＋Ｇ）＝１２０μｍである。よって、駆動最
小単位を形成するゲート電極とカソード電極の交差部の
面積は、 となる。
１基板上のゲート電極数ｍ＝１２０、カソード電極数ｎ
＝１６０、画素を正方形とし、図４において電極間の間
隔Ｄ＝Ｉ＝８０μｍとしている。すなわち、ゲート電極
ピッチＥ＝カソードピッチＪ≒６３５μｍであるため、
ゲート電極幅Ｃ＝カソード電極幅Ｈ≒５５５μｍとな
る。また、ゲート電極とカソード電極の重なり幅（Ａ＋
Ｂ）＝（Ｆ＋Ｇ）＝１２０μｍである。よって、駆動最
小単位を形成するゲート電極とカソード電極の交差部の
面積は、 となる。
【０１００】ここで、ゲート電極とカソード電極を隔て
るリブの厚みは、概ね２０μｍとなるように形成した
が、±１０％程度の厚みばらつきが存在している。すな
わち、リプ厚ばらつき△ｔ／ｔ≒０．１である。リブ厚
が２０μｍである平均的な駆動最小単位のゲート電極／
カソード電極間の容量Ｃfは、 Ｃf≒（リブ材料の誘電率）×（ゲート電極とカソード
電極の交差する面積）／（リプ厚） となる。本実施形態では、リブ材料（絶縁膜）の比誘電
率がおよそ３となるようにリブを形成している。このと
き、Ｃfは、 Ｃf≒（真空の誘電率）×３×（ゲート電極とカソード電極の交差する面積 ）／リブ厚 ≒８．８５４×１０-12×３×（１．１９×１０-3［ｃｍ2］）／（２０ ［μｍ］）＝０．１５８［ｐＦ］ となる。また、第１基板上の各々の開口部に対応して第
２基板上に蛍光体を形成しており、蛍光体面積Ｓは第１
基板開ロ部の大きさとほぽ同じであり、Ｓ≒１．８９×
１０-3［ｃｍ］としている。
るリブの厚みは、概ね２０μｍとなるように形成した
が、±１０％程度の厚みばらつきが存在している。すな
わち、リプ厚ばらつき△ｔ／ｔ≒０．１である。リブ厚
が２０μｍである平均的な駆動最小単位のゲート電極／
カソード電極間の容量Ｃfは、 Ｃf≒（リブ材料の誘電率）×（ゲート電極とカソード
電極の交差する面積）／（リプ厚） となる。本実施形態では、リブ材料（絶縁膜）の比誘電
率がおよそ３となるようにリブを形成している。このと
き、Ｃfは、 Ｃf≒（真空の誘電率）×３×（ゲート電極とカソード電極の交差する面積 ）／リブ厚 ≒８．８５４×１０-12×３×（１．１９×１０-3［ｃｍ2］）／（２０ ［μｍ］）＝０．１５８［ｐＦ］ となる。また、第１基板上の各々の開口部に対応して第
２基板上に蛍光体を形成しており、蛍光体面積Ｓは第１
基板開ロ部の大きさとほぽ同じであり、Ｓ≒１．８９×
１０-3［ｃｍ］としている。
【０１０１】このＦＥＤのカソード・ゲート間電界とエ
ミッタから放出される電流密度特性は、図３に示した特
性である。すなわち、カソード・ゲート間に概ね０．８
［Ｖ／μｍ］程度の電界を印加すると、電子放出部から
電子が放出され始める。このＦＥＤパネルのカソード電
極Ｋ1〜Ｋn、Ｋ’1〜Ｋ’nの電位を全て０［Ｖ］とし、
ゲート電極Ｇ1〜Ｇmのうちの１本のゲート電極にのみ順
番に電圧Ｖgを印加して、残りのゲート電極の電位を０
［Ｖ］として、発光するか否かを調べた。この結果、ゲ
ート電圧Ｖgが１４［Ｖ］において発光する画素は無か
ったが、Ｖgが１５Ｖにおいて発光する画素がいくつか
観察された。また、電圧Ｖgが１７［Ｖ］において発光
しない画素がいくつか観察されたが、Ｖgが１８［Ｖ］
において全ての画素で発光が観察された。そこで、選択
電圧Ｖgを１４［Ｖ］に設定した。
ミッタから放出される電流密度特性は、図３に示した特
性である。すなわち、カソード・ゲート間に概ね０．８
［Ｖ／μｍ］程度の電界を印加すると、電子放出部から
電子が放出され始める。このＦＥＤパネルのカソード電
極Ｋ1〜Ｋn、Ｋ’1〜Ｋ’nの電位を全て０［Ｖ］とし、
ゲート電極Ｇ1〜Ｇmのうちの１本のゲート電極にのみ順
番に電圧Ｖgを印加して、残りのゲート電極の電位を０
［Ｖ］として、発光するか否かを調べた。この結果、ゲ
ート電圧Ｖgが１４［Ｖ］において発光する画素は無か
ったが、Ｖgが１５Ｖにおいて発光する画素がいくつか
観察された。また、電圧Ｖgが１７［Ｖ］において発光
しない画素がいくつか観察されたが、Ｖgが１８［Ｖ］
において全ての画素で発光が観察された。そこで、選択
電圧Ｖgを１４［Ｖ］に設定した。
【０１０２】駆動方法としては、ゲート電極の選択期間
における最初の期間に、全てのゲート電極とカソード電
極とを０［Ｖ］とする。その後、選択されたゲート電極
にＶ gを印加し、同時に、カソード電極に映像データ信
号を付与する。本実施形態では、電流振幅値と電流パル
ス幅の両者を併用して階調信号とした。このとき、最大
輝度を与える電流密度をＪmax＝１５［ｍＡ／ｃｍ2］、
１画面を書き換えるフレーム周波数を６０［Ｈｚ］、プ
ログレッシブ駆動でデューティ比Ｄr＝１／６０（ｍ＝
６０）、表示階調数Ｌn＝２５６という駆動条件に設定
して表示を行なうと、上記式（９）〜（１４）、および
上記式（９）”〜（１４）”を満たしている。
における最初の期間に、全てのゲート電極とカソード電
極とを０［Ｖ］とする。その後、選択されたゲート電極
にＶ gを印加し、同時に、カソード電極に映像データ信
号を付与する。本実施形態では、電流振幅値と電流パル
ス幅の両者を併用して階調信号とした。このとき、最大
輝度を与える電流密度をＪmax＝１５［ｍＡ／ｃｍ2］、
１画面を書き換えるフレーム周波数を６０［Ｈｚ］、プ
ログレッシブ駆動でデューティ比Ｄr＝１／６０（ｍ＝
６０）、表示階調数Ｌn＝２５６という駆動条件に設定
して表示を行なうと、上記式（９）〜（１４）、および
上記式（９）”〜（１４）”を満たしている。
【０１０３】この駆動条件でパネルを表示させると、リ
ブ厚ばらつきによる表示輝度のばらつきはある程度観察
されるものの、階調の反転等、極端な表示階調の変化は
見られなかった。
ブ厚ばらつきによる表示輝度のばらつきはある程度観察
されるものの、階調の反転等、極端な表示階調の変化は
見られなかった。
【０１０４】（実施形態４）実施形態２と同じＦＥＤを
用いて、最大輝度を与える電流密度をＪmax＝１５［ｍ
Ａ／ｃｍ2］、１画面を書き換えるフレーム周波数を６
０［Ｈｚ］、インターレス駆動でデューティ比Ｄr＝１
／３０（ｍ＝６０）、表示階調数Ｌn＝２５６という駆
動条件に設定して表示を行なうと、上記式（９）’〜
（１４）’、および上記式（９）”〜（１４）”を満た
している。
用いて、最大輝度を与える電流密度をＪmax＝１５［ｍ
Ａ／ｃｍ2］、１画面を書き換えるフレーム周波数を６
０［Ｈｚ］、インターレス駆動でデューティ比Ｄr＝１
／３０（ｍ＝６０）、表示階調数Ｌn＝２５６という駆
動条件に設定して表示を行なうと、上記式（９）’〜
（１４）’、および上記式（９）”〜（１４）”を満た
している。
【０１０５】この駆動条件でパネルを表示させると、リ
ブ厚ばらつきによる表示輝度のばらつきはある程度観察
されるものの、階調の反転等、極端な表示階調の変化は
見られなかった。
ブ厚ばらつきによる表示輝度のばらつきはある程度観察
されるものの、階調の反転等、極端な表示階調の変化は
見られなかった。
【０１０６】なお、上記実施形態では、第１の電極と第
２の電極の間隙を一定間隔に保つためのリブ層（絶縁
層）を形成しているが、これを設けていない映像表示装
置についても本発明は適用可能である。例えば、表示素
子が有機ＥＬからなる場合には、第１の電極と第２の電
極との間隙は、有機ＥＬ材料自体によって保たれること
になり、この場合にはリブ層は設けられない。一方、Ｆ
ＥＤ、特に、ＣＮＴを用いたＦＥＤにおいては、第１の
電極と第２の電極の間隙を一定に保つためのリブ層が一
般的には必要になるが、このリブ層は必ずしも交差部に
ある必要は無い。リブ層を配置した部分は表示に寄与し
ないため、交差部以外の場所（同一基板の隣接電極間の
抜け部等）に配置する方が好ましい。なお、この場合、
リブ層の一部が実質適に「交差部」にかかることもあ
る。
２の電極の間隙を一定間隔に保つためのリブ層（絶縁
層）を形成しているが、これを設けていない映像表示装
置についても本発明は適用可能である。例えば、表示素
子が有機ＥＬからなる場合には、第１の電極と第２の電
極との間隙は、有機ＥＬ材料自体によって保たれること
になり、この場合にはリブ層は設けられない。一方、Ｆ
ＥＤ、特に、ＣＮＴを用いたＦＥＤにおいては、第１の
電極と第２の電極の間隙を一定に保つためのリブ層が一
般的には必要になるが、このリブ層は必ずしも交差部に
ある必要は無い。リブ層を配置した部分は表示に寄与し
ないため、交差部以外の場所（同一基板の隣接電極間の
抜け部等）に配置する方が好ましい。なお、この場合、
リブ層の一部が実質適に「交差部」にかかることもあ
る。
【０１０７】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１から請求
項１８に記載の本発明によれば、電極間距離のばらつき
による表示特性のばらつきを抑える効果がある。また、
請求項１９記載のように、本発明は、電界放出させた電
子を蛍光体に照射する構成の映像表示装置において特に
有効である。また、請求項２０に記載のように、本発明
は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いたフィール
ドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）のように、リブ
の厚さばらつきが大きなディスプレイにおいて特に有効
である。また、請求項２１に記載のように、本発明は、
例えばフレーム周波数が６０［Ｈｚ］の映像表示装置に
適用することができる。さらに、請求項２２に記載のよ
うに、本発明は、映像情報信号を電流振幅値および電流
パルス幅のうちの少なくとも一方により与える映像表示
装置において特に有効である。
項１８に記載の本発明によれば、電極間距離のばらつき
による表示特性のばらつきを抑える効果がある。また、
請求項１９記載のように、本発明は、電界放出させた電
子を蛍光体に照射する構成の映像表示装置において特に
有効である。また、請求項２０に記載のように、本発明
は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いたフィール
ドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）のように、リブ
の厚さばらつきが大きなディスプレイにおいて特に有効
である。また、請求項２１に記載のように、本発明は、
例えばフレーム周波数が６０［Ｈｚ］の映像表示装置に
適用することができる。さらに、請求項２２に記載のよ
うに、本発明は、映像情報信号を電流振幅値および電流
パルス幅のうちの少なくとも一方により与える映像表示
装置において特に有効である。
【図１】本発明の一実施形態であるＣＮＴ型ＦＥＤの構
成を示す平面概念図である。
成を示す平面概念図である。
【図２】本発明の一実施形態であるＣＮＴ型ＦＥＤの構
成を示す断面念図である。
成を示す断面念図である。
【図３】実施形態で用いたＣＮＴ型ＦＥＤのカソード・
ゲート間電界一エミッタ放出電流特性を示す図である。
ゲート間電界一エミッタ放出電流特性を示す図である。
【図４】本発明の他の実施形態であるＣＮＴ型ＦＥＤの
構成を示す平面概念図である。
構成を示す平面概念図である。
【図５】スピント型ＦＥＤパネルの構成例を示す概念図
である。
である。
【図６】スピント型ＦＥＤパネルの電圧一電流特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図７】スピント型ＦＥＤの回路構成例を示す概念図で
ある。
ある。
【図８】スピント型ＦＥＤの駆動方法を説明するための
タイミング図である。
タイミング図である。
【図９】スピント型ＦＥＤの駆動方法を説明するための
回路構成図である。
回路構成図である。
【図１０】定電流回路の構成例を示す図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、ＣＮＴ型ＦＥＤの構成例
を示す概念図である。
を示す概念図である。
【図１２】（ａ）〜（ｂ）は、ＣＮＴ型ＦＥＤの構成例
を示す概念図である。
を示す概念図である。
【図１３】（ａ）はスピント型ＦＥＤのパネル構成を示
す概念図であり、（ｂ）はＣＮＴ型ＦＥＤのパネル構成
を示す概念図である。
す概念図であり、（ｂ）はＣＮＴ型ＦＥＤのパネル構成
を示す概念図である。
１０１、１３１ 基板 １０２ カソード電極 １０３ コーン状エミッタ １０４ 二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜 １０５ ゲート電極 １０６ アノード電極 １０７ 蛍光体（発光部） １１０、１１４ シフトレジスタ １１１ ラッチ回路 １１２−１〜１１２−ｍ ゲートドライバ １１３−１〜１１３−ｍ ゲート電極 １１６−１〜１１６−ｎ カソードドライバ １１７−１〜１１７−ｎ カソード電極 １１８ パワーサプライ １２０ 電流源 １２１、１２５ 端子 １２２ トランジスタ １２３ ベース端子 １２４ コレクタ端子 １２６ エミッタ端子 １２７ 抵抗 １３２ 電極配線層 １３３ 絶縁膜 １３４ 基板側リブ １３５ 電子放出部 １３６ 電子制御電極 １３７ 前面側ガラス基板 １３８ 前面リブ １３９ 真空空間 １４０ 発光部 １４１ メタルバック膜 Ａij 画素 Ｅ11〜Ｅnm ＦＥ素子 Ｇ1〜Ｇm ゲート電極 Ｋ1〜Ｋn、Ｋ’1〜Ｋ’n カソード電極
Claims (22)
- 【請求項１】 略平行に配列された複数の第１電極と、
該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第２電
極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる駆動
最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最小単
位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該駆動最小単位部における該第１電極と該第２電極との
間隙が、ｔ［μｍ］を平均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］
（△ｔ＞０）であり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 １表示フレーム時間内で該第１電極の略全てが順次に駆
動走査され、個々の第１電極が駆動走査される時間を表
示フレーム周期で割ることにより得られるデューティ比
をＤr（Ｄr＜１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の映像表示装置であっ
て、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項３】 略平行に配列された複数の第１電極と、
該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第２電
極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる駆動
最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最小単
位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 １表示フレーム時間内で該第１電極の略全てが順次に駆
動走査され、個々の第１電極が駆動走査される時間を表
示フレーム周期で割ることにより得られるデューティ比
をＤr（Ｄr＜１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１
×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の映像表示装置であっ
て、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（Ｆ×０．１
×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項５】 略平行に配列された複数の第１電極と、
該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第２電
極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる駆動
最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最小単
位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該駆動最小単位部における該第１電極と該第２電極との
間隙が、ｔ［μｍ］を平均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］
（△ｔ＞０）であり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 １表示フレーム時間内で該第１電極の略全てが順次に駆
動走査され、個々の第１電極が駆動走査される時間を表
示フレーム周期で割ることにより得られるデューティ比
をＤr（Ｄr＜１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 表示階調数をＬn［階調］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項６】 略平行に配列された複数の第１電極と、
該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第２電
極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる駆動
最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最小単
位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 １表示フレーム時間内で該第１電極の略全てが順次に駆
動走査され、個々の第１電極が駆動走査される時間を表
示フレーム周期で割ることにより得られるデューティ比
をＤr（Ｄr＜１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 表示階調数をＬn［階調］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（Ｆ×０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項７】 略平行に配列された複数の第１電極と、
該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第２電
極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる駆動
最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最小単
位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該駆動最小単位部における該第１電極と該第２電極との
間隙が、ｔ［μｍ］を平均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］
（△ｔ＞０）であり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 連続する２つの表示フレームにおいて、第１の表示フレ
ームで該第１電極の略半分が順次に駆動走査され、引き
続く第２の表示フレームで該第１電極の残りの略半分が
順次に駆動走査され、個々の第１電極が駆動走査される
時間を表示フレーム周期で割ることにより得られるデュ
ーティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項８】 請求項７に記載の映像表示装置であっ
て、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項９】 略平行に配列された複数の第１電極と、
該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第２電
極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる駆動
最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最小単
位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 連続する２つの表示フレームにおいて、第１の表示フレ
ームで該第１電極の略半分が順次に駆動走査され、引き
続く第２の表示フレームで該第１電極の残りの略半分が
順次に駆動走査され、個々の第１電極が駆動走査される
時間を表示フレーム周期で割ることにより得られるデュ
ーティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の映像表示装置であっ
て、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）／（２×Ｆ×
０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項１１】 略平行に配列された複数の第１電極
と、該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第
２電極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる
駆動最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最
小単位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該駆動最小単位部における該第１電極と該第２電極との
間隙が、ｔ［μｍ］を平均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］
（△ｔ＞０）であり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 連続する２つの表示フレームにおいて、第１の表示フレ
ームで該第１電極の略半分が順次に駆動走査され、引き
続く第２の表示フレームで該第１電極の残りの略半分が
順次に駆動走査され、個々の第１電極が駆動走査される
時間を表示フレーム周期で割ることにより得られるデュ
ーティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 表示階調数をＬn［階調］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（２×Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項１２】 略平行に配列された複数の第１電極
と、該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第
２電極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる
駆動最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最
小単位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 連続する２つの表示フレームにおいて、第１の表示フレ
ームで該第１電極の略半分が順次に駆動走査され、引き
続く第２の表示フレームで該第１電極の残りの略半分が
順次に駆動走査され、個々の第１電極が駆動走査される
時間を表示フレーム周期で割ることにより得られるデュ
ーティ比をＤr（Ｄr＜１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 表示階調数をＬn［階調］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr 2）
／（２×Ｆ×０．１×Ｖg） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項１３】 略平行に配列された複数の第１電極
と、該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第
２電極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる
駆動最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最
小単位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該駆動最小単位部における該第１電極と該第２電極との
間隙が、ｔ［μｍ］を平均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］
（△ｔ＞０）であり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 １本の該第２電極が該第１電極と交差する回数をｍと
し、 個々の第１電極が駆動走査される時間を表示フレーム周
期で割ることにより得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜
１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の映像表示装置であ
って、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×（△ｔ
／ｔ）×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項１５】 略平行に配列された複数の第１電極
と、該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第
２電極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる
駆動最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最
小単位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 １本の該第２電極が該第１電極と交差する回数をｍと
し、 個々の第１電極が駆動走査される時間を表示フレーム周
期で割ることにより得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜
１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦０．０７１×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１
×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の映像表示装置であ
って、 Ｃf≦０．００２×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／（Ｆ×０．１
×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項１７】 略平行に配列された複数の第１電極
と、該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第
２電極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる
駆動最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最
小単位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該駆動最小単位部における該第１電極と該第２電極との
間隙が、ｔ［μｍ］を平均として概ねｔ±△ｔ［μｍ］
（△ｔ＞０）であり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 １本の該第２電極が該第１電極と交差する回数をｍと
し、 個々の第１電極が駆動走査される時間を表示フレーム周
期で割ることにより得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜
１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 表示階調数をＬn［階調］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／
（Ｆ×（△ｔ／ｔ）×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項１８】 略平行に配列された複数の第１電極
と、該第１電極とは略垂直な方向に配列された複数の第
２電極と、該第１電極と該第２電極との交差部からなる
駆動最小単位群と、該駆動最小単位群に対応する表示最
小単位群とを備えた映像表示装置において、 該表示最小単位部に電流密度Ｊmax［Ａ／ｃｍ2］が与え
られた際に、表示上の最大輝度が得られる構成となって
おり、 該表示最小単位の面積をＳ［ｃｍ2］とし、 １本の該第２電極が該第１電極と交差する回数をｍと
し、 個々の第１電極が駆動走査される時間を表示フレーム周
期で割ることにより得られるデューティ比をＤr（Ｄr＜
１）とし、 表示フレーム周波数をＦ［Ｈｚ］とし、 該第１電極を選択走査する際に、該第１電極に印加する
ゲート電圧をＶg［Ｖ］とし、 表示階調数をＬn［階調］とし、 該最小駆動単位の平均容量をＣf［Ｆ］とした際に、 Ｃf≦｛０．５／（Ｌn−１）｝×（Ｓ×Ｊmax×Ｄr）／
（Ｆ×０．１×Ｖg×ｍ） なる関係を満たすことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項１９】 請求項１乃至請求項１８のいずれかに
記載の映像表示装置であって、 第１の基板上に、複数の前記第１電極、複数の前記第２
電極、および該第１電極と該第２電極との間の絶縁層か
らなる前記駆動最小単位を有し、 該第１の基板と略平行に配置された第２の基板上に、電
子加速電極と、前記表示最小単位を構成する蛍光体とを
有し、 該駆動最小単位からの放出電子により該蛍光体を発光せ
しめて映像を表示する装置であり、 該電子加速電極にＶa［ｋＶ］の電子加速電圧を印加し
て、該駆動最小単位からの電子放出による電流密度が該
表示最小単位に対してＪmax［Ａ／ｃｍ2］となる際に、
表示上の最大輝度を与えるように該第２基板が構成され
てなることを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載の映像表示装置であ
って、 前記駆動最小単位の少なくとも一部が、カーボンナノチ
ューブからなる電子放出源であることを特徴とする映像
表示装置。 - 【請求項２１】 請求項１乃至請求項２０のいずれかに
記載の映像表示装置であって、 前記フレーム周波数Ｆ［Ｈｚ］が６０［Ｈｚ］であるこ
とを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項２２】 請求項１乃至請求項２１のいずれかに
記載の映像表示装置であって、 映像情報信号を、電流振幅値および電流パルス幅の少な
くともいずれか一方により与えることを特徴とする映像
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000297664A JP2002108270A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 映像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000297664A JP2002108270A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 映像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002108270A true JP2002108270A (ja) | 2002-04-10 |
Family
ID=18779747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000297664A Withdrawn JP2002108270A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 映像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002108270A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100466032C (zh) * | 2004-12-23 | 2009-03-04 | 三星Sdi株式会社 | 电子发射显示器以及驱动该电子发射显示器的方法 |
| CN106531044A (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-22 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 显示面板及其闸极驱动电路 |
-
2000
- 2000-09-28 JP JP2000297664A patent/JP2002108270A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100466032C (zh) * | 2004-12-23 | 2009-03-04 | 三星Sdi株式会社 | 电子发射显示器以及驱动该电子发射显示器的方法 |
| CN106531044A (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-22 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 显示面板及其闸极驱动电路 |
| CN106531044B (zh) * | 2015-09-11 | 2019-09-03 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 显示面板及其闸极驱动电路 |
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