JP2002107232A - 半導体素子モジュールの温度検出装置 - Google Patents
半導体素子モジュールの温度検出装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数個の半導体モジュールから構成される電
気回路において、半導体素子ごとの温度を検出する小形
の温度検出装置を提供する。 【解決手段】 半導体素子３Ｔ〜８Ｔとその温度を検出
するためのダイオード３Ｄ〜８Ｄを内蔵した半導体モジ
ュール３〜８を複数個用いて構成される電気回路におい
て、複数個の温度検出用ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄを
直列に接続して１個の定電流回路２ｊから一定電流を供
給するとともに、基準電圧を発生する基準電圧源２ｇ〜
２ｉと、温度検出用ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄの両端
の電圧を基準電圧と比較する比較回路２ｄ〜２ｊとを直
列に接続した回路を、各温度検出用ダイオード４Ｄ、６
Ｄ、８Ｄと並列に接続する。これにより、半導体素子ご
とに定電流回路を設けなくてよいから装置を小型化する
ことができる上に、半導体素子の過温度を半導体素子ご
とにモニターすることができる。
気回路において、半導体素子ごとの温度を検出する小形
の温度検出装置を提供する。 【解決手段】 半導体素子３Ｔ〜８Ｔとその温度を検出
するためのダイオード３Ｄ〜８Ｄを内蔵した半導体モジ
ュール３〜８を複数個用いて構成される電気回路におい
て、複数個の温度検出用ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄを
直列に接続して１個の定電流回路２ｊから一定電流を供
給するとともに、基準電圧を発生する基準電圧源２ｇ〜
２ｉと、温度検出用ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄの両端
の電圧を基準電圧と比較する比較回路２ｄ〜２ｊとを直
列に接続した回路を、各温度検出用ダイオード４Ｄ、６
Ｄ、８Ｄと並列に接続する。これにより、半導体素子ご
とに定電流回路を設けなくてよいから装置を小型化する
ことができる上に、半導体素子の過温度を半導体素子ご
とにモニターすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体モジュールの
温度を検出する装置に関する。
温度を検出する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子とその温度を検出するための
ダイオードとを集積した半導体基板を複数個収納した半
導体モジュールにおいて、各温度検出用ダイオードにそ
れぞれ別個の定電流回路から電源を供給するようにした
半導体モジュールの温度検出装置が知られている（例え
ば、特開平１１−１４２２５４号公報参照）。
ダイオードとを集積した半導体基板を複数個収納した半
導体モジュールにおいて、各温度検出用ダイオードにそ
れぞれ別個の定電流回路から電源を供給するようにした
半導体モジュールの温度検出装置が知られている（例え
ば、特開平１１−１４２２５４号公報参照）。
【０００３】また、半導体素子とその半導体素子の温度
検出用ダイオードとを集積した半導体基板を複数個収納
した半導体モジュールにおいて、各温度検出用ダイオー
ドを並列に接続し、１個の定電流回路から電源を供給す
るようにした半導体モジュールの温度検出装置が知られ
ている（例えば、特開平１０−０３８９６４号公報参
照）。
検出用ダイオードとを集積した半導体基板を複数個収納
した半導体モジュールにおいて、各温度検出用ダイオー
ドを並列に接続し、１個の定電流回路から電源を供給す
るようにした半導体モジュールの温度検出装置が知られ
ている（例えば、特開平１０−０３８９６４号公報参
照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、複数の半導
体素子の温度検出回路とその電源を集積して小型化を図
る場合に、上述した前者の温度検出装置では、半導体素
子の数だけ定電流回路を用意しなければならず、半導体
基板の面積が大きくなるという問題がある。また、後者
の温度検出装置によれば、いずれかの半導体素子が過温
度になっていることは検出できるが、どの半導体素子な
のかを判別することができないという問題がある。
体素子の温度検出回路とその電源を集積して小型化を図
る場合に、上述した前者の温度検出装置では、半導体素
子の数だけ定電流回路を用意しなければならず、半導体
基板の面積が大きくなるという問題がある。また、後者
の温度検出装置によれば、いずれかの半導体素子が過温
度になっていることは検出できるが、どの半導体素子な
のかを判別することができないという問題がある。
【０００５】本発明の目的は、複数個の半導体モジュー
ルから構成される電気回路において、半導体素子ごとの
温度を検出する小形の温度検出装置を提供することにあ
る。
ルから構成される電気回路において、半導体素子ごとの
温度を検出する小形の温度検出装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明の一実施の形態の構
成を示す図１に対応づけて請求項１および２の発明を説
明すると、 （１） 請求項１の発明は、半導体素子３Ｔ〜８Ｔとそ
の温度を検出するためのダイオード３Ｄ〜８Ｄを内蔵し
た半導体モジュール３〜８を複数個用いて構成される電
気回路において、複数個の温度検出用ダイオード４Ｄ、
６Ｄ、８Ｄを直列に接続して１個の定電流回路２ｊから
一定電流を供給するとともに、基準電圧を発生する基準
電圧源２ｇ〜２ｉと、温度検出用ダイオード４Ｄ、６
Ｄ、８Ｄの両端の電圧を基準電圧と比較する比較回路２
ｄ〜２ｊとを直列に接続した回路を、各温度検出用ダイ
オード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄと並列に接続することにより、
上記目的を達成する。 （２） 請求項２の半導体モジュールの温度検出装置
は、定電流回路２ｊ、基準電圧源２ｇ〜２ｉおよび比較
回路２ｄ〜２ｆを同一の半導体基板上に形成するように
したものである。
成を示す図１に対応づけて請求項１および２の発明を説
明すると、 （１） 請求項１の発明は、半導体素子３Ｔ〜８Ｔとそ
の温度を検出するためのダイオード３Ｄ〜８Ｄを内蔵し
た半導体モジュール３〜８を複数個用いて構成される電
気回路において、複数個の温度検出用ダイオード４Ｄ、
６Ｄ、８Ｄを直列に接続して１個の定電流回路２ｊから
一定電流を供給するとともに、基準電圧を発生する基準
電圧源２ｇ〜２ｉと、温度検出用ダイオード４Ｄ、６
Ｄ、８Ｄの両端の電圧を基準電圧と比較する比較回路２
ｄ〜２ｊとを直列に接続した回路を、各温度検出用ダイ
オード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄと並列に接続することにより、
上記目的を達成する。 （２） 請求項２の半導体モジュールの温度検出装置
は、定電流回路２ｊ、基準電圧源２ｇ〜２ｉおよび比較
回路２ｄ〜２ｆを同一の半導体基板上に形成するように
したものである。
【０００７】上述した課題を解決するための手段の項で
は、説明を分かりやすくするために一実施の形態の図を
用いたが、これにより本発明が一実施の形態に限定され
るものではない。
は、説明を分かりやすくするために一実施の形態の図を
用いたが、これにより本発明が一実施の形態に限定され
るものではない。
【０００８】
【発明の効果】（１） 請求項１の発明によれば、半導
体素子ごとに定電流回路を設けなくてよいから装置を小
型化することができる上に、半導体素子の過温度を半導
体素子ごとにモニターすることができる。 （２） 請求項２の発明によれば、請求項１の上記効果
に加え、インバーター制御部と半導体モジュールとの間
のインタフェース回路をまとめて集積することができ、
合理的な装置レイアウトと組立のし易さを達成すること
ができる。
体素子ごとに定電流回路を設けなくてよいから装置を小
型化することができる上に、半導体素子の過温度を半導
体素子ごとにモニターすることができる。 （２） 請求項２の発明によれば、請求項１の上記効果
に加え、インバーター制御部と半導体モジュールとの間
のインタフェース回路をまとめて集積することができ、
合理的な装置レイアウトと組立のし易さを達成すること
ができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明を三相インバーターの電力
変換用半導体モジュールに適用した一実施の形態を説明
する。なお、本発明の半導体モジュールの温度検出装置
は三相インバーターに限定されず、半導体モジュールを
用いるすべての電気回路および装置に適用することがで
きる。
変換用半導体モジュールに適用した一実施の形態を説明
する。なお、本発明の半導体モジュールの温度検出装置
は三相インバーターに限定されず、半導体モジュールを
用いるすべての電気回路および装置に適用することがで
きる。
【００１０】図１は一実施の形態の電気回路図である。
この回路は三相インバーターであり、直流電源Ｐ、Ｎか
ら供給される直流電力を半導体モジュール３〜８により
三相交流電力に変換し、交流電源Ｕ、Ｖ、Ｗから三相交
流モーター９へ供給する。半導体モジュール３〜８には
それぞれ、半導体素子であるＩＧＢＴ（３Ｔ〜８Ｔ）と
そのＩＧＢＴの温度を検出するためのダイオード（３Ｄ
〜８Ｄ）がそれぞれ１個ずつ、同一の半導体基板上に形
成されている。例えば半導体モジュール３には、ＩＧＢ
Ｔ３Ｔと温度検出用ダイオード３Ｄとが同一の半導体基
板上に形成され、内蔵されている。他の半導体モジュー
ル４〜８についても同様である。
この回路は三相インバーターであり、直流電源Ｐ、Ｎか
ら供給される直流電力を半導体モジュール３〜８により
三相交流電力に変換し、交流電源Ｕ、Ｖ、Ｗから三相交
流モーター９へ供給する。半導体モジュール３〜８には
それぞれ、半導体素子であるＩＧＢＴ（３Ｔ〜８Ｔ）と
そのＩＧＢＴの温度を検出するためのダイオード（３Ｄ
〜８Ｄ）がそれぞれ１個ずつ、同一の半導体基板上に形
成されている。例えば半導体モジュール３には、ＩＧＢ
Ｔ３Ｔと温度検出用ダイオード３Ｄとが同一の半導体基
板上に形成され、内蔵されている。他の半導体モジュー
ル４〜８についても同様である。
【００１１】なお、半導体素子と温度検出用ダイオード
とを必ずしも同一基板上に形成する必要はなく、半導体
素子の近くに温度検出用ダイオードを配置して半導体モ
ジュールに内蔵してもよい。
とを必ずしも同一基板上に形成する必要はなく、半導体
素子の近くに温度検出用ダイオードを配置して半導体モ
ジュールに内蔵してもよい。
【００１２】図１では、図面を見やすくするために直流
電源Ｐ側の半導体モジュール３，５，７の接続を省略す
るが、これらの接続は直流電源Ｎ側の半導体モジュール
４，６，８の接続と同様である。
電源Ｐ側の半導体モジュール３，５，７の接続を省略す
るが、これらの接続は直流電源Ｎ側の半導体モジュール
４，６，８の接続と同様である。
【００１３】ＩＧＢＴ３Ｔ〜８Ｔは電流が流れると温度
が上昇する。モーター９の過負荷や装置の故障などによ
りＩＧＢＴ３Ｔ〜８Ｔに過電流が流れると、ＩＧＢＴ３
Ｔ〜８Ｔの温度はさらに上昇し、温度許容値を超えると
ＩＧＢＴ３Ｔ〜８Ｔが破損する。そこで、温度上昇にと
もなって順方向電圧が低下するダイオード３Ｄ〜８Ｄの
性質を利用し、順方向電圧が所定値以下になったらＩＧ
ＢＴ３Ｔ〜８Ｔへの通電を停止することによって、ＩＧ
ＢＴ３Ｔ〜８Ｔの破損を防止する。
が上昇する。モーター９の過負荷や装置の故障などによ
りＩＧＢＴ３Ｔ〜８Ｔに過電流が流れると、ＩＧＢＴ３
Ｔ〜８Ｔの温度はさらに上昇し、温度許容値を超えると
ＩＧＢＴ３Ｔ〜８Ｔが破損する。そこで、温度上昇にと
もなって順方向電圧が低下するダイオード３Ｄ〜８Ｄの
性質を利用し、順方向電圧が所定値以下になったらＩＧ
ＢＴ３Ｔ〜８Ｔへの通電を停止することによって、ＩＧ
ＢＴ３Ｔ〜８Ｔの破損を防止する。
【００１４】インバーター制御部１はインバーター電力
変換部（半導体モジュール３〜８）を制御する回路であ
り、マイクロコンピューターとメモリやＡ／Ｄコンバー
ターなどの周辺部品から構成され、直流電力Ｐ、Ｎを三
相交流電力Ｕ、Ｖ、Ｗに変換するためのＩＧＢＴ３Ｔ〜
８Ｔのスイッチング制御や、ＩＧＢＴ３Ｔ〜８Ｔが過温
度になったときの電力変換停止制御もしくは電流制限な
どを行う。
変換部（半導体モジュール３〜８）を制御する回路であ
り、マイクロコンピューターとメモリやＡ／Ｄコンバー
ターなどの周辺部品から構成され、直流電力Ｐ、Ｎを三
相交流電力Ｕ、Ｖ、Ｗに変換するためのＩＧＢＴ３Ｔ〜
８Ｔのスイッチング制御や、ＩＧＢＴ３Ｔ〜８Ｔが過温
度になったときの電力変換停止制御もしくは電流制限な
どを行う。
【００１５】インタフェース部２はインバーター電力変
換部（半導体モジュール３〜８）とインバーター制御部
１との間に介在し、ＩＧＢＴ４Ｔ、６Ｔ、８Ｔの駆動回
路２ａ〜２ｃと温度検出回路２ｄ〜２ｊとを１枚の半導
体基板上に形成したものである。なお、図１では、図面
を見やすくするために直流電源Ｐ側の半導体モジュール
３，５，７に対するインタフェース部の図示を省略する
が、このインタフェース部は直流電源Ｎ側の半導体モジ
ュール４，６，８のインタフェース部２と同様である。
換部（半導体モジュール３〜８）とインバーター制御部
１との間に介在し、ＩＧＢＴ４Ｔ、６Ｔ、８Ｔの駆動回
路２ａ〜２ｃと温度検出回路２ｄ〜２ｊとを１枚の半導
体基板上に形成したものである。なお、図１では、図面
を見やすくするために直流電源Ｐ側の半導体モジュール
３，５，７に対するインタフェース部の図示を省略する
が、このインタフェース部は直流電源Ｎ側の半導体モジ
ュール４，６，８のインタフェース部２と同様である。
【００１６】駆動回路２ａ〜２ｃは、インバーター制御
部１からのスイッチング信号を増幅し、ＩＧＢＴ４Ｔ、
６Ｔ、８Ｔのベースへ供給する。
部１からのスイッチング信号を増幅し、ＩＧＢＴ４Ｔ、
６Ｔ、８Ｔのベースへ供給する。
【００１７】温度検出回路２ｄ〜２ｊは、比較回路２ｄ
〜２ｆと、基準電源２ｇ〜２ｉと、定電流回路２ｊを備
えている。この実施の形態では、直流電源Ｎ側の半導体
モジュール４，６，８の温度検出用ダイオード４Ｄ、６
Ｄ、８Ｄを直列に接続し、制御電源Ｓから１個の定電流
回路２ｊを介してダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄの直列回
路へ一定電流を供給する。したがって、各ダイオード４
Ｄ、６Ｄ、８Ｄには常に同一の一定電流が流れる。
〜２ｆと、基準電源２ｇ〜２ｉと、定電流回路２ｊを備
えている。この実施の形態では、直流電源Ｎ側の半導体
モジュール４，６，８の温度検出用ダイオード４Ｄ、６
Ｄ、８Ｄを直列に接続し、制御電源Ｓから１個の定電流
回路２ｊを介してダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄの直列回
路へ一定電流を供給する。したがって、各ダイオード４
Ｄ、６Ｄ、８Ｄには常に同一の一定電流が流れる。
【００１８】ダイオード４Ｄの両端には比較回路２ｄと
基準電源２ｇの直列回路を接続し、またダイオード６Ｄ
の両端には比較回路２ｅと基準電源２ｈの直列回路を接
続し、さらにダイオード８Ｄの両端には比較回路２ｆと
基準電源２ｉの直列回路を接続する。
基準電源２ｇの直列回路を接続し、またダイオード６Ｄ
の両端には比較回路２ｅと基準電源２ｈの直列回路を接
続し、さらにダイオード８Ｄの両端には比較回路２ｆと
基準電源２ｉの直列回路を接続する。
【００１９】ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄは、順方向電
流を一定にした場合に、温度が高くなるほど両端に発生
する電圧（以下、端子電圧と呼ぶ）が小さくなるという
特性を有している。したがって、予めダイオード４Ｄ、
６Ｄ、８Ｄの温度に対する端子電圧の特性を測定し、Ｉ
ＧＢＴの破損を防止するために通電を停止すべき温度に
対応する端子電圧（以下、基準電圧と呼ぶ）を決定す
る。そして、その基準電圧を基準電源２ｇ〜２ｉから発
生させ、各比較回路２ｄ〜２ｆにおいて各ダイオード４
Ｄ、６Ｄ、８Ｄの端子電圧と各基準電源２ｇ〜２ｉの基
準電圧とを比較する。ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄの端
子電圧が基準電圧を下回ると、比較回路２ｄ〜２ｉから
過温度を示す信号が出力される。
流を一定にした場合に、温度が高くなるほど両端に発生
する電圧（以下、端子電圧と呼ぶ）が小さくなるという
特性を有している。したがって、予めダイオード４Ｄ、
６Ｄ、８Ｄの温度に対する端子電圧の特性を測定し、Ｉ
ＧＢＴの破損を防止するために通電を停止すべき温度に
対応する端子電圧（以下、基準電圧と呼ぶ）を決定す
る。そして、その基準電圧を基準電源２ｇ〜２ｉから発
生させ、各比較回路２ｄ〜２ｆにおいて各ダイオード４
Ｄ、６Ｄ、８Ｄの端子電圧と各基準電源２ｇ〜２ｉの基
準電圧とを比較する。ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄの端
子電圧が基準電圧を下回ると、比較回路２ｄ〜２ｉから
過温度を示す信号が出力される。
【００２０】ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄのカソードは
それぞれ、信号線Ｘ、Ｙ、Ｚを介して対応する各基準電
源２ｇ〜２ｉの負極に接続されているから、各比較回路
２ｄ〜２ｆによってダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄの端子
電圧を別々にモニターすることができる。これにより、
各ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄに対応するＩＧＢＴ４
Ｔ、６Ｔ、８Ｔの温度を別々にモニターでき、どのＩＧ
ＢＴが温度異常なのかを判別することができる。
それぞれ、信号線Ｘ、Ｙ、Ｚを介して対応する各基準電
源２ｇ〜２ｉの負極に接続されているから、各比較回路
２ｄ〜２ｆによってダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄの端子
電圧を別々にモニターすることができる。これにより、
各ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄに対応するＩＧＢＴ４
Ｔ、６Ｔ、８Ｔの温度を別々にモニターでき、どのＩＧ
ＢＴが温度異常なのかを判別することができる。
【００２１】また、ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄは直列
に接続されているから、各ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄ
には同一の一定電流が流れ、電流の変動に起因する端子
電圧のバラツキはないものと考えることができ、各ＩＧ
ＢＴ４Ｔ、６Ｔ、８Ｔの温度を正確にモニターすること
ができる。
に接続されているから、各ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄ
には同一の一定電流が流れ、電流の変動に起因する端子
電圧のバラツキはないものと考えることができ、各ＩＧ
ＢＴ４Ｔ、６Ｔ、８Ｔの温度を正確にモニターすること
ができる。
【００２２】比較回路２ｄ〜２ｆから過温度信号を受信
したインバーター制御部１は、ＩＧＢＴ３Ｔ〜８Ｔをオ
フして電力変換を停止するか、あるいは出力電流を制限
してＩＧＢＴ３Ｔ〜８Ｔの破損を防止する。
したインバーター制御部１は、ＩＧＢＴ３Ｔ〜８Ｔをオ
フして電力変換を停止するか、あるいは出力電流を制限
してＩＧＢＴ３Ｔ〜８Ｔの破損を防止する。
【００２３】なお、直流電源Ｎ側のＩＧＢＴ４Ｔ、６
Ｔ、８Ｔの温度検出用ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄと、
それらの温度検出回路２ｄ〜２ｊの動作を説明したが、
直流電源Ｐ側のＩＧＢＴ３Ｔ、５Ｔ、７Ｔの温度検出用
ダイオード３Ｄ、５Ｄ、７Ｄと、それらの温度検出回路
（不図示）の動作も同様である。
Ｔ、８Ｔの温度検出用ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄと、
それらの温度検出回路２ｄ〜２ｊの動作を説明したが、
直流電源Ｐ側のＩＧＢＴ３Ｔ、５Ｔ、７Ｔの温度検出用
ダイオード３Ｄ、５Ｄ、７Ｄと、それらの温度検出回路
（不図示）の動作も同様である。
【００２４】このように、半導体素子３Ｔ〜８Ｔとその
温度を検出するためのダイオード３Ｄ〜８Ｄを内蔵した
半導体モジュール３〜８を複数個用いて構成される電気
回路において、複数個の温度検出用ダイオード４Ｄ、６
Ｄ、８Ｄを直列に接続して１個の定電流回路２ｊから一
定電流を供給するとともに、基準電圧を発生する基準電
圧源２ｇ〜２ｉと、温度検出用ダイオード４Ｄ、６Ｄ、
８Ｄの両端の電圧を基準電圧と比較する比較回路２ｄ〜
２ｊとを直列に接続した回路を、各温度検出用ダイオー
ド４Ｄ、６Ｄ、８Ｄと並列に接続するようにしたので、
ＩＧＢＴ４Ｔ、６Ｔ、８Ｔごとに定電流回路を設けなく
てよいから装置を小型化することができる上に、ＩＧＢ
Ｔ４Ｔ、６Ｔ、８Ｔの過温度をＩＧＢＴごとにモニター
することができる。
温度を検出するためのダイオード３Ｄ〜８Ｄを内蔵した
半導体モジュール３〜８を複数個用いて構成される電気
回路において、複数個の温度検出用ダイオード４Ｄ、６
Ｄ、８Ｄを直列に接続して１個の定電流回路２ｊから一
定電流を供給するとともに、基準電圧を発生する基準電
圧源２ｇ〜２ｉと、温度検出用ダイオード４Ｄ、６Ｄ、
８Ｄの両端の電圧を基準電圧と比較する比較回路２ｄ〜
２ｊとを直列に接続した回路を、各温度検出用ダイオー
ド４Ｄ、６Ｄ、８Ｄと並列に接続するようにしたので、
ＩＧＢＴ４Ｔ、６Ｔ、８Ｔごとに定電流回路を設けなく
てよいから装置を小型化することができる上に、ＩＧＢ
Ｔ４Ｔ、６Ｔ、８Ｔの過温度をＩＧＢＴごとにモニター
することができる。
【００２５】また、定電流回路２ｊ、基準電圧源２ｇ〜
２ｉおよび比較回路２ｄ〜２ｆを同一の半導体基板上に
形成するようにしたので、インバーター制御部１と半導
体モジュール３〜８との間のインタフェース回路２をま
とめて集積することができ、合理的な装置レイアウトと
組立のし易さを達成することができる。
２ｉおよび比較回路２ｄ〜２ｆを同一の半導体基板上に
形成するようにしたので、インバーター制御部１と半導
体モジュール３〜８との間のインタフェース回路２をま
とめて集積することができ、合理的な装置レイアウトと
組立のし易さを達成することができる。
【００２６】上述した一実施の形態では、直流電源Ｎ側
の３個の温度検出用ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄを直列
に接続し、それらに１個の定電流回路２ｊから一定電流
を供給し、同様に、直流電源Ｐ側の３個の温度検出用ダ
イオード３Ｄ、５Ｄ、７Ｄを直列に接続し、それらに１
個の定電流回路（不図示）から一定電流を供給する例を
示したが、６個のダイオード３Ｄ〜８Ｄをすべて直列に
接続し、それらに１個の定電流回路から一定電流を供給
するようにしてもよい。
の３個の温度検出用ダイオード４Ｄ、６Ｄ、８Ｄを直列
に接続し、それらに１個の定電流回路２ｊから一定電流
を供給し、同様に、直流電源Ｐ側の３個の温度検出用ダ
イオード３Ｄ、５Ｄ、７Ｄを直列に接続し、それらに１
個の定電流回路（不図示）から一定電流を供給する例を
示したが、６個のダイオード３Ｄ〜８Ｄをすべて直列に
接続し、それらに１個の定電流回路から一定電流を供給
するようにしてもよい。
【００２７】また、上述した一実施の形態では、半導体
素子としてＩＧＢＴを例に上げて説明したが、半導体素
子はＩＧＢＴに限定されず、例えばトランジスター、Ｓ
ＣＲ、ダイオードなどであってもよい。さらに、上述し
た一実施の形態とその変形例では、１個の半導体素子
（ＩＧＢＴ）を内蔵する半導体モジュールを例に上げて
説明したが、２個以上の半導体素子を内蔵する半導体モ
ジュールに対しても本願発明を適用することができる。
素子としてＩＧＢＴを例に上げて説明したが、半導体素
子はＩＧＢＴに限定されず、例えばトランジスター、Ｓ
ＣＲ、ダイオードなどであってもよい。さらに、上述し
た一実施の形態とその変形例では、１個の半導体素子
（ＩＧＢＴ）を内蔵する半導体モジュールを例に上げて
説明したが、２個以上の半導体素子を内蔵する半導体モ
ジュールに対しても本願発明を適用することができる。
【図１】 一実施の形態の電気回路図である。
１ インバーター制御部 ２ インタフェース部 ２ａ〜２ｃ 駆動回路 ２ｄ〜２ｆ 比較回路 ２ｇ〜２ｉ 基準電源 ２ｊ 定電流回路 ３〜８ 半導体モジュール ３Ｄ〜８Ｄ 温度検出用ダイオード ３Ｔ〜８Ｔ ＩＧＢＴ ９ 三相交流モーター
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子とその温度を検出するためのダ
イオードを内蔵した半導体モジュールを複数個用いて構
成される電気回路において、 複数個の前記温度検出用ダイオードを直列に接続して１
個の定電流回路から一定電流を供給するとともに、基準
電圧を発生する基準電圧源と、前記温度検出用ダイオー
ドの両端の電圧を前記基準電圧と比較する比較回路とを
直列に接続した回路を、前記各温度検出用ダイオードと
並列に接続することを特徴とする半導体モジュールの温
度検出装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体モジュールの温度
検出装置において、 前記定電流回路、前記基準電圧源および前記比較回路を
同一の半導体基板上に形成することを特徴とする半導体
モジュールの温度検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000302234A JP2002107232A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 半導体素子モジュールの温度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000302234A JP2002107232A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 半導体素子モジュールの温度検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002107232A true JP2002107232A (ja) | 2002-04-10 |
Family
ID=18783618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000302234A Pending JP2002107232A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 半導体素子モジュールの温度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002107232A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008206321A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 電力変換装置 |
| JP2011133420A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | スイッチ素子の温度検出方法 |
-
2000
- 2000-10-02 JP JP2000302234A patent/JP2002107232A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008206321A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 電力変換装置 |
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