JP2002100473A - 有機発光素子 - Google Patents
有機発光素子Info
- Publication number
- JP2002100473A JP2002100473A JP2001217393A JP2001217393A JP2002100473A JP 2002100473 A JP2002100473 A JP 2002100473A JP 2001217393 A JP2001217393 A JP 2001217393A JP 2001217393 A JP2001217393 A JP 2001217393A JP 2002100473 A JP2002100473 A JP 2002100473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- organic light
- emitting device
- region
- bis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機発光素子の量子効率（エネルギー変換効
率）を低下させずに素子の動作電圧を低下させる。 【解決手段】 本発明の有機発光素子１０は、陽極１
４、陰極１８及び陽極と陰極との間の発光領域１６を含
み、有機発光素子はアニールされている。
率）を低下させずに素子の動作電圧を低下させる。 【解決手段】 本発明の有機発光素子１０は、陽極１
４、陰極１８及び陽極と陰極との間の発光領域１６を含
み、有機発光素子はアニールされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電子素子に関
し、より詳細には有機発光素子に関する。本発明はさら
に有機発光素子のアニール方法に関する。
し、より詳細には有機発光素子に関する。本発明はさら
に有機発光素子のアニール方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】二層有機素子からの効率的なエレクトロ
ルミネセンスが報告された。そのとき以来、有機発光素
子（ＯＬＥＤ）は面積の広いディスプレイを製造する可
能性のため、非常に注目されている。
ルミネセンスが報告された。そのとき以来、有機発光素
子（ＯＬＥＤ）は面積の広いディスプレイを製造する可
能性のため、非常に注目されている。
【０００３】Sheats et al.,による論説で説明されるよ
うに、有機発光素子の基本的な構造は、二つの電極及び
これらの電極の間の有機材料からなる。電子が低仕事関
数陰極から有機材料に注入され、正孔は高仕事関数陽極
から有機材料に注入される。正孔及び電子が有機材料で
結合してルミネセント励起状態を形成する。
うに、有機発光素子の基本的な構造は、二つの電極及び
これらの電極の間の有機材料からなる。電子が低仕事関
数陰極から有機材料に注入され、正孔は高仕事関数陽極
から有機材料に注入される。正孔及び電子が有機材料で
結合してルミネセント励起状態を形成する。
【０００４】有機発光素子（ＯＬＥＤ）は種々の用途に
対して将来性のある技術を呈する。これらの素子は、多
様な発光色、高いエネルギー変換効率、比較的低い動作
電圧を含む重要な利点を提供する。有機発光素子は、一
般的に１０ボルト未満の動作電圧で１００ｃｄ／ｃｍ2
のレベルの輝度の光を生成することができる。
対して将来性のある技術を呈する。これらの素子は、多
様な発光色、高いエネルギー変換効率、比較的低い動作
電圧を含む重要な利点を提供する。有機発光素子は、一
般的に１０ボルト未満の動作電圧で１００ｃｄ／ｃｍ2
のレベルの輝度の光を生成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】公知の有機発光素子に
よって上記の利点をもたらすことができるが、量子効率
を低下させずに素子の動作電圧をさらに低下させる必要
性が依然としてある。有機発光素子の量子効率は、素子
へと運ばれる電荷当たりの放出フォトンの数として定義
することができる。量子効率の低下を伴わない動作電圧
の低下は、有機発光素子を含む素子のエネルギー変換効
率の上昇及び電力消費の低下に直接的に結びつく。エネ
ルギー変換効率が高いと、熱の生成という形態の電力の
損失が低く、したがって素子の過熱が少なくなる。
よって上記の利点をもたらすことができるが、量子効率
を低下させずに素子の動作電圧をさらに低下させる必要
性が依然としてある。有機発光素子の量子効率は、素子
へと運ばれる電荷当たりの放出フォトンの数として定義
することができる。量子効率の低下を伴わない動作電圧
の低下は、有機発光素子を含む素子のエネルギー変換効
率の上昇及び電力消費の低下に直接的に結びつく。エネ
ルギー変換効率が高いと、熱の生成という形態の電力の
損失が低く、したがって素子の過熱が少なくなる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の必要性及
び他の必要性のうちの少なくとも幾つかを満たすことが
できる有機発光素子を提供する。本発明の有機発光素子
の例示的な実施の形態では、動作電圧が低下している。
さらに、本発明の有機発光素子の例示的な実施の形態で
は、エネルギー変換効率が上昇している。
び他の必要性のうちの少なくとも幾つかを満たすことが
できる有機発光素子を提供する。本発明の有機発光素子
の例示的な実施の形態では、動作電圧が低下している。
さらに、本発明の有機発光素子の例示的な実施の形態で
は、エネルギー変換効率が上昇している。
【０００７】本発明の有機発光素子は、アニールした製
造後の有機発光素子からなる。本発明のアニールした有
機発光素子は、陽極、陰極、及び陽極と陰極との間の発
光領域からなる。発光領域は有機発光材料からなる。
造後の有機発光素子からなる。本発明のアニールした有
機発光素子は、陽極、陰極、及び陽極と陰極との間の発
光領域からなる。発光領域は有機発光材料からなる。
【０００８】また、本発明の有機発光素子の実施の形態
は、発光領域に隣接する正孔輸送領域及び／又は電子輸
送領域も含むことができる。
は、発光領域に隣接する正孔輸送領域及び／又は電子輸
送領域も含むことができる。
【０００９】本発明のアニールした有機発光素子は、ア
ニールされる前と比べて性能上の特性が改良されてい
る。特に、アニールした有機発光素子では動作電圧は低
下しているが、量子効率は低下していない。そのため、
アニールした有機発光素子はエネルギー変換効率が上昇
している。
ニールされる前と比べて性能上の特性が改良されてい
る。特に、アニールした有機発光素子では動作電圧は低
下しているが、量子効率は低下していない。そのため、
アニールした有機発光素子はエネルギー変換効率が上昇
している。
【００１０】本発明のアニールした有機発光素子の例示
的な実施の形態では、所与の駆動電流で高い輝度レベル
の光を放出することができる。
的な実施の形態では、所与の駆動電流で高い輝度レベル
の光を放出することができる。
【００１１】また、本発明は有機発光素子のアニール方
法も提供する。この方法の例示的な実施の形態は、有機
発光素子の性能上の特性を向上させるのに有効な温度及
び時間素子を加熱することを含む。
法も提供する。この方法の例示的な実施の形態は、有機
発光素子の性能上の特性を向上させるのに有効な温度及
び時間素子を加熱することを含む。
【００１２】本発明の有機発光素子のアニール方法の例
示的な実施の形態では、アニール前の同じ特性と比べ
て、有機発光素子の動作電圧を低下させ、エネルギー変
換効率を向上させることができる。
示的な実施の形態では、アニール前の同じ特性と比べ
て、有機発光素子の動作電圧を低下させ、エネルギー変
換効率を向上させることができる。
【００１３】本発明の有機発光素子のアニール方法の幾
つかの例示的な実施の形態では、アニールによって所与
の駆動電流での輝度が向上した有機発光素子を得ること
ができる。
つかの例示的な実施の形態では、アニールによって所与
の駆動電流での輝度が向上した有機発光素子を得ること
ができる。
【００１４】本発明は、各々が異なる特性を有し得る複
数の有機発光素子を、異なる素子の特性がより均一にな
るように、即ち均質になるようにアニールする方法をさ
らに提供する。より一貫したデバイスの性能を提供する
ために、より均質な特性を有するアニールした素子を同
じデバイス又は任意で異なるデバイスに使用することが
できる。
数の有機発光素子を、異なる素子の特性がより均一にな
るように、即ち均質になるようにアニールする方法をさ
らに提供する。より一貫したデバイスの性能を提供する
ために、より均質な特性を有するアニールした素子を同
じデバイス又は任意で異なるデバイスに使用することが
できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の好適な実施の形態を図面
を参照にして詳細に説明する。
を参照にして詳細に説明する。
【００１６】本発明は、性能が向上した有機発光素子
（ＯＬＥＤ）を提供する。また、本発明は、有機発光素
子の性能上の特性を向上させるために有機発光素子をア
ニールする方法も提供する。
（ＯＬＥＤ）を提供する。また、本発明は、有機発光素
子の性能上の特性を向上させるために有機発光素子をア
ニールする方法も提供する。
【００１７】本発明のアニールした有機発光素子の例示
的な実施の形態では、動作電圧が低下し、エネルギー変
換効率が上昇している。
的な実施の形態では、動作電圧が低下し、エネルギー変
換効率が上昇している。
【００１８】本発明の発光素子の例示的な実施の形態
は、陽極、陰極及び陽極と陰極との間の発光領域からな
る。発光領域は、広範囲にわたる異なる有機発光材料か
らなってよい。
は、陽極、陰極及び陽極と陰極との間の発光領域からな
る。発光領域は、広範囲にわたる異なる有機発光材料か
らなってよい。
【００１９】本発明の有機発光素子は、製造後の有機発
光素子をアニールすることによって形成される。アニー
ルの結果、アニール前の素子の特性及び性能上の特性に
比べて、素子の特性及び性能上の特性を著しく向上させ
ることができる。
光素子をアニールすることによって形成される。アニー
ルの結果、アニール前の素子の特性及び性能上の特性に
比べて、素子の特性及び性能上の特性を著しく向上させ
ることができる。
【００２０】本発明の有機発光素子のアニール方法の他
の例示的な実施の形態では、各素子の特性及び性能上の
特性に比べてより均一な特性及び性能上の特性を有する
アニールした有機発光素子を形成することができる。
の例示的な実施の形態では、各素子の特性及び性能上の
特性に比べてより均一な特性及び性能上の特性を有する
アニールした有機発光素子を形成することができる。
【００２１】図１は、本発明の有機発光素子（ＯＬＥ
Ｄ）１０の例示的な実施の形態を示す。有機発光素子１
０は、基板１２、基板１２上に位置する陽極１４、陽極
１４上に位置する発光領域１６及び発光領域１６上に位
置する陰極１８からなる。作動中、電界を印加すること
によって正の電荷（正孔）及び負の電荷（電子）がそれ
ぞれ陽極１４及び陰極１８から発光領域１６へ注入され
て再結合し、これによって発光領域１６で発光が起き
る。
Ｄ）１０の例示的な実施の形態を示す。有機発光素子１
０は、基板１２、基板１２上に位置する陽極１４、陽極
１４上に位置する発光領域１６及び発光領域１６上に位
置する陰極１８からなる。作動中、電界を印加すること
によって正の電荷（正孔）及び負の電荷（電子）がそれ
ぞれ陽極１４及び陰極１８から発光領域１６へ注入され
て再結合し、これによって発光領域１６で発光が起き
る。
【００２２】発光領域１６は有機発光材料からなる。適
切な有機発光材料の例を、例えば、金属オキシノイド化
合物、スチルベン化合物、アントラシン化合物、オキサ
ジアゾール金属キレート化合物、ポリフルオレン類、ポ
リフェニレンビニレン類、これらの誘導体及び混合物か
ら選択することができる。他の適切な有機発光材料を以
下に説明する。
切な有機発光材料の例を、例えば、金属オキシノイド化
合物、スチルベン化合物、アントラシン化合物、オキサ
ジアゾール金属キレート化合物、ポリフルオレン類、ポ
リフェニレンビニレン類、これらの誘導体及び混合物か
ら選択することができる。他の適切な有機発光材料を以
下に説明する。
【００２３】さらに発光領域１６は、一つ以上の正孔輸
送材料及び電子輸送材料からなる。
送材料及び電子輸送材料からなる。
【００２４】さらに、以下に説明するように、有機発光
素子１０の実施の形態は、陽極１４と発光領域１６との
間の正孔輸送領域及び陰極１８と発光領域１６との間の
電子輸送領域のうちの少なくとも一つを含むことができ
る。このような正孔輸送領域及び／又は電子輸送領域
は、適切な正孔輸送材料、例えばポリフェニレンビニレ
ン類、ポリチオフェン類、第３芳香族アミン類、インド
ロカルバゾール化合物及び他の物質並びに適切な電子輸
送材料、例えば金属オキシノイド類、トリアジン類、オ
キサジアゾール金属キレート、スチルベン類、ポリフル
オレン類及び他の物質からなることができる。
素子１０の実施の形態は、陽極１４と発光領域１６との
間の正孔輸送領域及び陰極１８と発光領域１６との間の
電子輸送領域のうちの少なくとも一つを含むことができ
る。このような正孔輸送領域及び／又は電子輸送領域
は、適切な正孔輸送材料、例えばポリフェニレンビニレ
ン類、ポリチオフェン類、第３芳香族アミン類、インド
ロカルバゾール化合物及び他の物質並びに適切な電子輸
送材料、例えば金属オキシノイド類、トリアジン類、オ
キサジアゾール金属キレート、スチルベン類、ポリフル
オレン類及び他の物質からなることができる。
【００２５】本発明の有機発光素子１００の他の例示的
な実施の形態を図２に示す。有機発光素子１００は、基
板１１２、基板１１２上に位置する陽極１１４、陽極１
１４上に位置する発光領域１１６、発光領域１１６上に
位置する陰極１１８からなる。この実施の形態では、有
機発光素子１００は、陽極１１４上に位置し正孔輸送材
料（ＨＴＭ）からなる正孔輸送領域１２０及び正孔輸送
領域１２０上に位置し陰極１１８に隣接する、電子輸送
材料（ＥＴＭ）からなる電子輸送領域１２２を含む。正
孔輸送領域１２０及び電子輸送領域１２２のうちの少な
くとも一方が、これら二つの領域の組成に応じて光を放
出する。正孔輸送領域１２０及び電子輸送領域１２２を
形成するのに適した材料の例を、例えば、上に説明した
材料から選択することができる。
な実施の形態を図２に示す。有機発光素子１００は、基
板１１２、基板１１２上に位置する陽極１１４、陽極１
１４上に位置する発光領域１１６、発光領域１１６上に
位置する陰極１１８からなる。この実施の形態では、有
機発光素子１００は、陽極１１４上に位置し正孔輸送材
料（ＨＴＭ）からなる正孔輸送領域１２０及び正孔輸送
領域１２０上に位置し陰極１１８に隣接する、電子輸送
材料（ＥＴＭ）からなる電子輸送領域１２２を含む。正
孔輸送領域１２０及び電子輸送領域１２２のうちの少な
くとも一方が、これら二つの領域の組成に応じて光を放
出する。正孔輸送領域１２０及び電子輸送領域１２２を
形成するのに適した材料の例を、例えば、上に説明した
材料から選択することができる。
【００２６】本発明の有機発光素子２００の他の例示的
な実施の形態を図３に示す。有機発光素子２００は、基
板２１２、基板２１２上に位置する陽極２１４、陽極２
１４上に位置する発光領域２１６、及び発光領域２１６
上に位置する陰極２１８からなる。
な実施の形態を図３に示す。有機発光素子２００は、基
板２１２、基板２１２上に位置する陽極２１４、陽極２
１４上に位置する発光領域２１６、及び発光領域２１６
上に位置する陰極２１８からなる。
【００２７】有機発光素子２００では、発光領域２１６
は、陽極２１４上に位置し正孔輸送材料からなる正孔輸
送領域２２０、陰極２１８に隣接し電子輸送材料からな
る電子輸送領域２２２及び正孔輸送領域２２０上に位置
し正孔輸送材料と電子輸送材料との混合物からなる混合
領域２２４からなる。
は、陽極２１４上に位置し正孔輸送材料からなる正孔輸
送領域２２０、陰極２１８に隣接し電子輸送材料からな
る電子輸送領域２２２及び正孔輸送領域２２０上に位置
し正孔輸送材料と電子輸送材料との混合物からなる混合
領域２２４からなる。
【００２８】有機発光素子２００では、一般的に混合領
域２２４が発光領域の発光部分である。したがって、こ
のような実施の形態では、正孔輸送材料及び電子輸送材
料のうちの一方がエミッタである。他の実施の形態で
は、混合領域２２４は発光ドープ材料をさらに含む。こ
のような実施の形態では、混合領域を形成する正孔輸送
材料と電子輸送材料のうちの少なくとも一方がエミッタ
であってもよい。
域２２４が発光領域の発光部分である。したがって、こ
のような実施の形態では、正孔輸送材料及び電子輸送材
料のうちの一方がエミッタである。他の実施の形態で
は、混合領域２２４は発光ドープ材料をさらに含む。こ
のような実施の形態では、混合領域を形成する正孔輸送
材料と電子輸送材料のうちの少なくとも一方がエミッタ
であってもよい。
【００２９】しかし、有機発光素子２００の他の例示的
な実施の形態では、正孔輸送領域２２０及び電子輸送領
域２２のうちの少なくとも一方によって発光が任意にも
たらされ得ることが考えられる。さらに、有機発光素子
２００のまた他の実施の形態では、正孔輸送領域２２
０、混合領域２２４及び電子輸送領域２２２のうちの二
つ以上によって発光がもたらされ得る。正孔輸送領域２
２０、電子輸送領域２２２及び混合領域２２４を形成す
るのに適した材料の例を、上に説明した材料から選択す
ることができる。混合領域２２４が一つ以上の発光ドー
プ材料からなる実施の形態では、適切な発光ドープ材料
を、例えば蛍光染料又はリン光材料から選択することが
できる。
な実施の形態では、正孔輸送領域２２０及び電子輸送領
域２２のうちの少なくとも一方によって発光が任意にも
たらされ得ることが考えられる。さらに、有機発光素子
２００のまた他の実施の形態では、正孔輸送領域２２
０、混合領域２２４及び電子輸送領域２２２のうちの二
つ以上によって発光がもたらされ得る。正孔輸送領域２
２０、電子輸送領域２２２及び混合領域２２４を形成す
るのに適した材料の例を、上に説明した材料から選択す
ることができる。混合領域２２４が一つ以上の発光ドー
プ材料からなる実施の形態では、適切な発光ドープ材料
を、例えば蛍光染料又はリン光材料から選択することが
できる。
【００３０】本発明の有機発光素子２００の幾つかの例
示的な実施の形態では、正孔輸送領域２２０又は電子輸
送領域２２２の一つだけが混合領域２２４に隣接して形
成される。陽極２１４と混合領域２２４との間に正孔輸
送領域２２０を含むが、混合領域２２４と陰極２１８と
の間に電子輸送領域２２２を含まない有機発光素子２０
０の実施の形態では、混合領域２２４は陰極２１８に接
触する。このような実施の形態では、正孔輸送領域２２
０及び混合領域２２４のうちの少なくとも一方がエミッ
タである。
示的な実施の形態では、正孔輸送領域２２０又は電子輸
送領域２２２の一つだけが混合領域２２４に隣接して形
成される。陽極２１４と混合領域２２４との間に正孔輸
送領域２２０を含むが、混合領域２２４と陰極２１８と
の間に電子輸送領域２２２を含まない有機発光素子２０
０の実施の形態では、混合領域２２４は陰極２１８に接
触する。このような実施の形態では、正孔輸送領域２２
０及び混合領域２２４のうちの少なくとも一方がエミッ
タである。
【００３１】混合領域２２４と陰極２１８との間に電子
輸送領域２２２を含むが陽極２１４と混合領域２２４と
の間に正孔輸送領域２２０を含まない有機発光素子２０
０の他の実施の形態では、混合領域２２４は陽極２１４
に接触する。このような実施の形態では、電子輸送領域
２２２と混合領域２２４のうちの少なくとも一方がエミ
ッタである。
輸送領域２２２を含むが陽極２１４と混合領域２２４と
の間に正孔輸送領域２２０を含まない有機発光素子２０
０の他の実施の形態では、混合領域２２４は陽極２１４
に接触する。このような実施の形態では、電子輸送領域
２２２と混合領域２２４のうちの少なくとも一方がエミ
ッタである。
【００３２】本発明の有機発光素子の幾つかの例示的な
実施の形態では、混合領域２２４、正孔輸送領域２２０
及び電子輸送領域２２２のうちの少なくとも一つが複数
の層からなる。有機発光素子１０及び１００に対しても
多層構造体を形成することもできる。
実施の形態では、混合領域２２４、正孔輸送領域２２０
及び電子輸送領域２２２のうちの少なくとも一つが複数
の層からなる。有機発光素子１０及び１００に対しても
多層構造体を形成することもできる。
【００３３】本発明によると、混合領域２２４の正孔輸
送材料と正孔輸送領域２２０の正孔輸送材料は同じでも
よいし、任意で異なる材料でもよい。同様に、混合領域
２２４の電子輸送材料と電子輸送領域２２２の電子輸送
材料は同じ材料でもよいし、任意で異なる材料でもよ
い。
送材料と正孔輸送領域２２０の正孔輸送材料は同じでも
よいし、任意で異なる材料でもよい。同様に、混合領域
２２４の電子輸送材料と電子輸送領域２２２の電子輸送
材料は同じ材料でもよいし、任意で異なる材料でもよ
い。
【００３４】本発明の有機発光素子の他の例示的な実施
の形態は、基板、基板上に位置する陽極、陽極上に位置
する発光領域、及び発光領域上に位置する陰極からな
る。このような実施の形態では、発光領域は、陽極上に
位置し正孔輸送材料からなる正孔輸送領域、正孔輸送領
域上に位置し有機発光材料からなる発光部分、発光部分
上且つ陰極に隣接して位置し電子輸送材料からなる電子
輸送領域からなる。したがって、本発明の有機発光素子
のこのような実施の形態の構造は、混合領域２２４が発
光部分に代わったことを除いて、図３に示す有機発光素
子２００の構造に類似している。正孔輸送領域、発光部
分及び電子輸送領域を形成するのに適した材料の例を、
上記の材料から選択することができる。
の形態は、基板、基板上に位置する陽極、陽極上に位置
する発光領域、及び発光領域上に位置する陰極からな
る。このような実施の形態では、発光領域は、陽極上に
位置し正孔輸送材料からなる正孔輸送領域、正孔輸送領
域上に位置し有機発光材料からなる発光部分、発光部分
上且つ陰極に隣接して位置し電子輸送材料からなる電子
輸送領域からなる。したがって、本発明の有機発光素子
のこのような実施の形態の構造は、混合領域２２４が発
光部分に代わったことを除いて、図３に示す有機発光素
子２００の構造に類似している。正孔輸送領域、発光部
分及び電子輸送領域を形成するのに適した材料の例を、
上記の材料から選択することができる。
【００３５】本発明の他の例示的な実施の形態では、有
機発光素子は、陽極ではなく陰極が基板に接触する素子
構造からなることができる。このような有機発光素子３
００の例示的な実施の形態を図４に示す。有機発光素子
３００は、基板３１２、基板３１２上に位置する陰極３
１８、陰極３１８上に位置する発光領域３１６及び発光
領域３１６上に位置する陽極３１４からなる。作動中、
電界を印加することによって正電荷（正孔）及び負電荷
（電子）がそれぞれ陽極３１４及び陰極３１８から発光
領域３１６へ注入されて再結合し、発光領域３１６で発
光する。
機発光素子は、陽極ではなく陰極が基板に接触する素子
構造からなることができる。このような有機発光素子３
００の例示的な実施の形態を図４に示す。有機発光素子
３００は、基板３１２、基板３１２上に位置する陰極３
１８、陰極３１８上に位置する発光領域３１６及び発光
領域３１６上に位置する陽極３１４からなる。作動中、
電界を印加することによって正電荷（正孔）及び負電荷
（電子）がそれぞれ陽極３１４及び陰極３１８から発光
領域３１６へ注入されて再結合し、発光領域３１６で発
光する。
【００３６】発光領域３１６は、例えば有機発光素子１
００の発光領域１１６又は有機発光素子２００の発光領
域２１６と同じ構造であってもよい。
００の発光領域１１６又は有機発光素子２００の発光領
域２１６と同じ構造であってもよい。
【００３７】広範囲の波長の光を放出するように、有機
発光素子の実施の形態を製造することができる。発光材
料、正孔輸送材料及び電子輸送材料の適切な組み合わせ
及び混合物を選択することによって、約４００ｎｍ〜約
７００ｎｍの波長の光を有機発光素子から放出すること
ができる。したがって、本発明の有機発光素子は、適切
な材料を選択することによって広範囲にわたる異なる色
の光を放出することができる。発光の色が多様であるた
めに、赤、緑又は青のような幾つかの特定の色の光が所
望される種々の用途で本発明の有機発光素子を使用する
ことができる。
発光素子の実施の形態を製造することができる。発光材
料、正孔輸送材料及び電子輸送材料の適切な組み合わせ
及び混合物を選択することによって、約４００ｎｍ〜約
７００ｎｍの波長の光を有機発光素子から放出すること
ができる。したがって、本発明の有機発光素子は、適切
な材料を選択することによって広範囲にわたる異なる色
の光を放出することができる。発光の色が多様であるた
めに、赤、緑又は青のような幾つかの特定の色の光が所
望される種々の用途で本発明の有機発光素子を使用する
ことができる。
【００３８】種々の発光材料、正孔輸送材料及び電子輸
送材料が当業界で公知であり、また、所望の色の発光を
達成するための材料の組み合わせの選択も公知である。
さらに、所望の色の発光を提供するためのこのような材
料の選択は、当業者によって通常の実験で容易に実施で
きる。
送材料が当業界で公知であり、また、所望の色の発光を
達成するための材料の組み合わせの選択も公知である。
さらに、所望の色の発光を提供するためのこのような材
料の選択は、当業者によって通常の実験で容易に実施で
きる。
【００３９】有機発光素子の実施の形態を交流（ＡＣ）
及び／又は直流（ＤＣ）駆動条件下で作動させることが
できる。以下により詳細に述べるように、作動寿命を長
くするために幾つかの実施の形態ではＡＣ駆動条件が好
ましい。
及び／又は直流（ＤＣ）駆動条件下で作動させることが
できる。以下により詳細に述べるように、作動寿命を長
くするために幾つかの実施の形態ではＡＣ駆動条件が好
ましい。
【００４０】本発明の有機発光素子の異なる部分をより
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００４１】基板１２、１１２、２１２及び３１２は任
意の適切な材料からなってよい。例えば、基板１２、１
１２、２１２及び３１２は、ポリマー成分、ガラス、石
英などからなり得る。適切なポリマー成分として、マイ
ラー（登録商標:MYLAR)のようなポリエステル類、ポリ
カーボネート類、ポリアクリレート類、ポリメタクリレ
ート類、ポリスルホン類などが挙げられるが、これらに
限定しない。これらの種々の材料の混合物を使用するこ
ともできる。例えば、その材料が他の層を有効に支持で
き、素子の機能的な性能に干渉しないならば、他の基板
の材料を選択することもできる。実施の形態では、基板
１２、１１２、２１２及び３１２は光透過材料から形成
されるのが好ましい。
意の適切な材料からなってよい。例えば、基板１２、１
１２、２１２及び３１２は、ポリマー成分、ガラス、石
英などからなり得る。適切なポリマー成分として、マイ
ラー（登録商標:MYLAR)のようなポリエステル類、ポリ
カーボネート類、ポリアクリレート類、ポリメタクリレ
ート類、ポリスルホン類などが挙げられるが、これらに
限定しない。これらの種々の材料の混合物を使用するこ
ともできる。例えば、その材料が他の層を有効に支持で
き、素子の機能的な性能に干渉しないならば、他の基板
の材料を選択することもできる。実施の形態では、基板
１２、１１２、２１２及び３１２は光透過材料から形成
されるのが好ましい。
【００４２】基板１２、１１２、２１２及び３１２の厚
さは、有機発光素子の構造的な要求及びその意図する使
用によって制限される以外、特に制限されない。基板
は、一般的に例えば約２５μｍ〜少なくとも約１０００
μｍの厚さである。
さは、有機発光素子の構造的な要求及びその意図する使
用によって制限される以外、特に制限されない。基板
は、一般的に例えば約２５μｍ〜少なくとも約１０００
μｍの厚さである。
【００４３】基板１２、１１２、２１２及び発光領域３
１６上に形成された陽極１４、１１４、２１４及び３１
４は、それぞれ任意の適切な公知の材料又はこれから開
発される材料からなることができる。例えば、酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）、酸化錫、金及びプラチナのような
正電荷注入電極を使用することができる。陽極に適した
他の材料として、例えば少なくとも約４ｅＶ、好ましく
は約４ｅＶ〜約６ｅＶの仕事関数の導電性炭素、π−共
役ポリマー、例えばポリアニリン、ポリピロールなどが
挙げられるがこれらに限定しない。
１６上に形成された陽極１４、１１４、２１４及び３１
４は、それぞれ任意の適切な公知の材料又はこれから開
発される材料からなることができる。例えば、酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）、酸化錫、金及びプラチナのような
正電荷注入電極を使用することができる。陽極に適した
他の材料として、例えば少なくとも約４ｅＶ、好ましく
は約４ｅＶ〜約６ｅＶの仕事関数の導電性炭素、π−共
役ポリマー、例えばポリアニリン、ポリピロールなどが
挙げられるがこれらに限定しない。
【００４４】陽極１４、１１４、２１４及び３１４は任
意の適切な構造をとることができる。薄い導電層を光透
過性基板、例えば透明又は実質的に透明なガラス板又は
プラスチックフィルム上に被覆することができる。本発
明の有機発光素子の実施の形態は、ガラス板の上に被覆
され酸化錫又は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）から形成さ
れた光透過性陽極からなることができる。また、例えば
約２００Å未満、好ましくは約７５Å〜約１５０Åの厚
さの非常に薄い光透明金属陽極を使用することもでき
る。これらの薄い陽極は、金、パラジウムなどのような
金属からなることができる。さらに、導電性炭素又は上
述の共役ポリマーからなる、例えば５０Å〜約１７５Å
の厚さの透明又は半透明の薄い層を陽極として使用する
こともできる。陽極１４、１１４、２１４及び３１４
（以下により詳細に示すように、陰極１８、１１８、２
１８及び３１８）の他の適切な形態も使用できる。
意の適切な構造をとることができる。薄い導電層を光透
過性基板、例えば透明又は実質的に透明なガラス板又は
プラスチックフィルム上に被覆することができる。本発
明の有機発光素子の実施の形態は、ガラス板の上に被覆
され酸化錫又は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）から形成さ
れた光透過性陽極からなることができる。また、例えば
約２００Å未満、好ましくは約７５Å〜約１５０Åの厚
さの非常に薄い光透明金属陽極を使用することもでき
る。これらの薄い陽極は、金、パラジウムなどのような
金属からなることができる。さらに、導電性炭素又は上
述の共役ポリマーからなる、例えば５０Å〜約１７５Å
の厚さの透明又は半透明の薄い層を陽極として使用する
こともできる。陽極１４、１１４、２１４及び３１４
（以下により詳細に示すように、陰極１８、１１８、２
１８及び３１８）の他の適切な形態も使用できる。
【００４５】陽極１４、１１４、２１４及び３１４の厚
さは約１ｎｍ〜約５００ｎｍで、好ましい厚さの範囲は
陽極の材料の光学定数に依る。陽極の厚さの一つの好ま
しい範囲は、約３０ｎｍ〜約３００ｎｍである。もちろ
ん、この範囲外の厚さも使用できる。
さは約１ｎｍ〜約５００ｎｍで、好ましい厚さの範囲は
陽極の材料の光学定数に依る。陽極の厚さの一つの好ま
しい範囲は、約３０ｎｍ〜約３００ｎｍである。もちろ
ん、この範囲外の厚さも使用できる。
【００４６】発光領域１６、１１６、２１６、３１６
は、有機発光材料を含む任意の適切な公知の又はこれか
ら開発される一つ以上の材料からなることができる。発
光領域１６、１１６、２１６、３１６で利用できる適切
な有機発光材料として、ポリフェニレンビニレン類、例
えばポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ
（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）
１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨＰＰＶ）、ポリ
（２，５−ジアルコキシフェニレンビニレン）（ＰＤＭ
ｅＯＰＶ）及び他の材料が挙げられる。
は、有機発光材料を含む任意の適切な公知の又はこれか
ら開発される一つ以上の材料からなることができる。発
光領域１６、１１６、２１６、３１６で利用できる適切
な有機発光材料として、ポリフェニレンビニレン類、例
えばポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ
（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）
１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨＰＰＶ）、ポリ
（２，５−ジアルコキシフェニレンビニレン）（ＰＤＭ
ｅＯＰＶ）及び他の材料が挙げられる。
【００４７】発光領域１６、１１６、２１６、３１６で
利用できる他の適切な有機発光材料として、ポリフェニ
レン類、例えばポリ（ｐ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ラ
ダー−ポリ−パラ−フェニレン（ＬＰＰＰ）及びポリ
（テトラヒドロピレン）（ＰＴＨＰ）が挙げられる。
利用できる他の適切な有機発光材料として、ポリフェニ
レン類、例えばポリ（ｐ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ラ
ダー−ポリ−パラ−フェニレン（ＬＰＰＰ）及びポリ
（テトラヒドロピレン）（ＰＴＨＰ）が挙げられる。
【００４８】発光領域１６、１１６、２１６、３１６で
利用できるさらに他の適切な例示的な有機発光材料とし
て、ポリフルオレン類、例えばポリ（９，９−ジ−ｎ−
オクチルフルオレン−２，７−ジイル）、ポリ（２，８
−（６，７，１２，１２−テトラアルキルインデノフル
オレン）、また、例えばベルニウスら(Bernius et. a
l.)による"Proceedings of SPIE Conference on Organi
c Light Emitting Materials and Devices III", Denve
r, Colorado, July 1999, Vol. 3797, p.129に記載され
たフルオレン−アミンコポリマー類のようなフルオレン
類を含有するポリマー類も挙げられる。
利用できるさらに他の適切な例示的な有機発光材料とし
て、ポリフルオレン類、例えばポリ（９，９−ジ−ｎ−
オクチルフルオレン−２，７−ジイル）、ポリ（２，８
−（６，７，１２，１２−テトラアルキルインデノフル
オレン）、また、例えばベルニウスら(Bernius et. a
l.)による"Proceedings of SPIE Conference on Organi
c Light Emitting Materials and Devices III", Denve
r, Colorado, July 1999, Vol. 3797, p.129に記載され
たフルオレン−アミンコポリマー類のようなフルオレン
類を含有するポリマー類も挙げられる。
【００４９】発光領域１６、１１６、２１６、３１６で
利用できる有機発光材料の好ましいクラスとして、金属
オキシノイド化合物が挙げられるがこれに限定しない。
例えば、一つの好ましい例として、トリス（８−ヒドロ
キシキノリネート）アルミニウム（Ａｌｑ3）が挙げら
れ、別の好ましい例として、ビス（８−ヒドロキシキノ
ラート）−（４−フェニルフェノラート）アルミニウム
（ＢＡｌｑ）が挙げられる。このクラスの材料の他の例
として、トリス（８−ヒドロキシキノリネート）ガリウ
ム、ビス（８−ヒドロキシキノリネート）マグネシウ
ム、ビス（８−ヒドロキシキノリネート）亜鉛、トリス
（５−メチル−８−ヒドロキシキノリネート）アルミニ
ウム、トリス（７−プロピル−８−キノリノラート）ア
ルミニウム、ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリネート］
亜鉛、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリネー
ト）ベリリウムなどが挙げられ、さらに金属チオキシノ
イド化合物、例えばビス（８−キノリンチオラート）亜
鉛、ビス（８−キノリンチオラート）カドミウム、トリ
ス（８−キノリンチオラート）ガリウム、トリス（８−
キノリンチオラート）インジウム、ビス（５−メチルキ
ノリンチオラート）亜鉛、トリス（５−メチルキノリン
チオラート）ガリウム、トリス（５−メチルキノリンチ
オラート）インジウム、ビス（５−メチルキノリンチオ
ラート）カドミウム、ビス（３−メチルキノリンチオラ
ート）カドミウム、ビス（５−メチルキノリンチオラー
ト）亜鉛、ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリンチオラー
ト］亜鉛、ビス［３−メチルベンゾ｛ｆ｝−８−キノリ
ンチオラート］亜鉛、ビス［３，７−ジメチルベンゾ
｛ｆ｝−８−キノリンチオラート］亜鉛などの金属チオ
キシノイド化合物が挙げられる。好ましい材料は、ビス
（８−キノリンチオラート）亜鉛、ビス（８−キノリン
チオラート）カドミウム、トリス（８−キノリンチオラ
ート）ガリウム、トリス（８−キノリンチオラート）イ
ンジウム及びビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリンチオラ
ート］亜鉛である。
利用できる有機発光材料の好ましいクラスとして、金属
オキシノイド化合物が挙げられるがこれに限定しない。
例えば、一つの好ましい例として、トリス（８−ヒドロ
キシキノリネート）アルミニウム（Ａｌｑ3）が挙げら
れ、別の好ましい例として、ビス（８−ヒドロキシキノ
ラート）−（４−フェニルフェノラート）アルミニウム
（ＢＡｌｑ）が挙げられる。このクラスの材料の他の例
として、トリス（８−ヒドロキシキノリネート）ガリウ
ム、ビス（８−ヒドロキシキノリネート）マグネシウ
ム、ビス（８−ヒドロキシキノリネート）亜鉛、トリス
（５−メチル−８−ヒドロキシキノリネート）アルミニ
ウム、トリス（７−プロピル−８−キノリノラート）ア
ルミニウム、ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリネート］
亜鉛、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリネー
ト）ベリリウムなどが挙げられ、さらに金属チオキシノ
イド化合物、例えばビス（８−キノリンチオラート）亜
鉛、ビス（８−キノリンチオラート）カドミウム、トリ
ス（８−キノリンチオラート）ガリウム、トリス（８−
キノリンチオラート）インジウム、ビス（５−メチルキ
ノリンチオラート）亜鉛、トリス（５−メチルキノリン
チオラート）ガリウム、トリス（５−メチルキノリンチ
オラート）インジウム、ビス（５−メチルキノリンチオ
ラート）カドミウム、ビス（３−メチルキノリンチオラ
ート）カドミウム、ビス（５−メチルキノリンチオラー
ト）亜鉛、ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリンチオラー
ト］亜鉛、ビス［３−メチルベンゾ｛ｆ｝−８−キノリ
ンチオラート］亜鉛、ビス［３，７−ジメチルベンゾ
｛ｆ｝−８−キノリンチオラート］亜鉛などの金属チオ
キシノイド化合物が挙げられる。好ましい材料は、ビス
（８−キノリンチオラート）亜鉛、ビス（８−キノリン
チオラート）カドミウム、トリス（８−キノリンチオラ
ート）ガリウム、トリス（８−キノリンチオラート）イ
ンジウム及びビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリンチオラ
ート］亜鉛である。
【００５０】発光領域１６、１１６、２１６、３１６で
使用できる他の好ましいクラスの有機発光材料は、スチ
ルベン誘導体を含む。好ましいスチルベン誘導体は、
４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニ
ルである。
使用できる他の好ましいクラスの有機発光材料は、スチ
ルベン誘導体を含む。好ましいスチルベン誘導体は、
４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニ
ルである。
【００５１】発光領域１６、１１６、２１６、３１６を
形成するのに適した他のクラスの有機発光材料は、オキ
サジアゾール金属キレート類である。これらの材料とし
て、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェ
ニル−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−
１，３，４−オキサジアゾラート］ベリリウム、ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチ
ル）−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチ
ル）−１，３，４−オキサジアゾラート］ベリリウム、
ビス［５−ビフェニル−２−（２−ヒドロキシフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス
［５−ビフェニル−２−（２−ヒドロキシフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾラート］ベリリウム、ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−
１，３，４−オキサジアゾラート］リチウム、ビス［２
−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−トリル−１，
３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−
ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−トリル−１，３，４−
オキサジアゾラート］ベリリウム、ビス［５−（ｐ−ｔ
−ブチルフェニル）−２−（２−ヒドロキシフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［５−
（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）−２−（２−ヒドロキシフ
ェニル−１，３，４−オキサジアゾラート］ベリリウ
ム、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（３
−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラー
ト］亜鉛、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５
−（４−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジア
ゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニ
ル）−５−（４−フルオロフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾラート］ベリリウム、ビス［５−（４−クロ
ロフェニル）−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−
ヒドロキシフェニル）−５−（４−メトキシフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−
（２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−５−フェニ
ル−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２
−α−（２−ヒドロキシナフチル）−５−フェニル−
１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−
（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−ピリジル−１，
３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−
ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−ピリジル−１，３，４
−オキサジアゾラート］ベリリウム、ビス［２−（２−
ヒドロキシフェニル）−５−（２−チオフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−
（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，
４−チアジアゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−ヒドロ
キシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−チアジア
ゾラート］ベリリウム、ビス［２−（２−ヒドロキシフ
ェニル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−チアジ
アゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニ
ル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾ
ラート］ベリリウムなどが挙げられる。
形成するのに適した他のクラスの有機発光材料は、オキ
サジアゾール金属キレート類である。これらの材料とし
て、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェ
ニル−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−
１，３，４−オキサジアゾラート］ベリリウム、ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチ
ル）−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチ
ル）−１，３，４−オキサジアゾラート］ベリリウム、
ビス［５−ビフェニル−２−（２−ヒドロキシフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス
［５−ビフェニル−２−（２−ヒドロキシフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾラート］ベリリウム、ビス
［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−
１，３，４−オキサジアゾラート］リチウム、ビス［２
−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−トリル−１，
３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−
ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−トリル−１，３，４−
オキサジアゾラート］ベリリウム、ビス［５−（ｐ−ｔ
−ブチルフェニル）−２−（２−ヒドロキシフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［５−
（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）−２−（２−ヒドロキシフ
ェニル−１，３，４−オキサジアゾラート］ベリリウ
ム、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（３
−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラー
ト］亜鉛、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−５
−（４−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジア
ゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニ
ル）−５−（４−フルオロフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾラート］ベリリウム、ビス［５−（４−クロ
ロフェニル）−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−
ヒドロキシフェニル）−５−（４−メトキシフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−
（２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−５−フェニ
ル−１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２
−α−（２−ヒドロキシナフチル）−５−フェニル−
１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−
（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−ピリジル−１，
３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−
ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−ピリジル−１，３，４
−オキサジアゾラート］ベリリウム、ビス［２−（２−
ヒドロキシフェニル）−５−（２−チオフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾラート］亜鉛、ビス［２−
（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，
４−チアジアゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−ヒドロ
キシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−チアジア
ゾラート］ベリリウム、ビス［２−（２−ヒドロキシフ
ェニル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−チアジ
アゾラート］亜鉛、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニ
ル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾ
ラート］ベリリウムなどが挙げられる。
【００５２】発光領域１６、１１６、２１６、３１６で
利用できる他のクラスの適切な有機発光材料は、トリア
ジン類である。
利用できる他のクラスの適切な有機発光材料は、トリア
ジン類である。
【００５３】発光領域１６、１１６、２１６、３１６で
利用できる他のクラスの適切な有機発光材料は、アント
ラシン類である。
利用できる他のクラスの適切な有機発光材料は、アント
ラシン類である。
【００５４】発光領域１６、１１６、２１６、３１６で
利用できる有機発光材料の他の好ましい例として、蛍光
材料、例えばクマリン、ジシアノメチレンピラン、ポリ
メチン、オキサベンズアントラン、キサンテン、ピリリ
ウム、カルボスチル、ペリレンなどが挙げられる。他の
特に好ましいクラスの蛍光材料は、キナクリドン染料で
ある。キナクリドン染料の例として、キナクリドン、２
−メチルキナクリドン、２，９−ジメチルキナクリド
ン、２−クロロキナクリドン、２−フルオロキナクリド
ン、１，２−ベンゾキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル
キナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−メチルキナク
リドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２，９−ジメチルキナク
リドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−クロロキナクリド
ン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−フルオロキナクリドン、
Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，２−ベンゾキナクリドン、な
どが挙げられる。他の好ましいクラスの蛍光材料は、縮
合環蛍光染料である。縮合環蛍光染料の例として、全体
を参照として本明細書中に援用する米国特許第3,172,86
2号に示したようなペリレン、ルブレン、アントラセ
ン、コロネン、フェナントレセン、ピレンなどが挙げら
れる。また、蛍光材料として、ブタジエン類、例えば
１，４−ジフェニルブタジエン及びテトラフェニルブタ
ジエン、スチルベンなどが挙げられる。他の例示的な蛍
光材料を使用することもできる。
利用できる有機発光材料の他の好ましい例として、蛍光
材料、例えばクマリン、ジシアノメチレンピラン、ポリ
メチン、オキサベンズアントラン、キサンテン、ピリリ
ウム、カルボスチル、ペリレンなどが挙げられる。他の
特に好ましいクラスの蛍光材料は、キナクリドン染料で
ある。キナクリドン染料の例として、キナクリドン、２
−メチルキナクリドン、２，９−ジメチルキナクリド
ン、２−クロロキナクリドン、２−フルオロキナクリド
ン、１，２−ベンゾキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル
キナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−メチルキナク
リドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２，９−ジメチルキナク
リドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−クロロキナクリド
ン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−フルオロキナクリドン、
Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，２−ベンゾキナクリドン、な
どが挙げられる。他の好ましいクラスの蛍光材料は、縮
合環蛍光染料である。縮合環蛍光染料の例として、全体
を参照として本明細書中に援用する米国特許第3,172,86
2号に示したようなペリレン、ルブレン、アントラセ
ン、コロネン、フェナントレセン、ピレンなどが挙げら
れる。また、蛍光材料として、ブタジエン類、例えば
１，４−ジフェニルブタジエン及びテトラフェニルブタ
ジエン、スチルベンなどが挙げられる。他の例示的な蛍
光材料を使用することもできる。
【００５５】発光領域１６、１１６、２１６、３１６で
利用できる他の好ましいクラスの有機発光材料は蛍光染
料である。例えば、４−（ジシアノメチレン）−２−Ｉ
−プロピル−６−（１，１，７，７−テトラメチルユロ
リジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）が
挙げられる。
利用できる他の好ましいクラスの有機発光材料は蛍光染
料である。例えば、４−（ジシアノメチレン）−２−Ｉ
−プロピル−６−（１，１，７，７−テトラメチルユロ
リジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）が
挙げられる。
【００５６】発光領域１６、１１６、２１６、３１６で
利用できる他の好ましいクラスの有機発光材料は、ラン
タニド金属キレート錯体、例えばキドら(Kido et. al.)
による"White Light Emitting Organic Electrolumines
cent Device Using Lanthanide Complexes" Jpn.J.App
l.Phys., Vol. 35, pp. L394-L396 (1996)に記載された
ようなトリス（アセチルアセトナート）（フェナントロ
リン）テルビウム、トリス（アセチルアセトナート）
（フェナントロリン）ユーロピウム、トリス（テノイル
トリスフルオロアセトナート）（フェナントロリン）ユ
ーロピウムである。
利用できる他の好ましいクラスの有機発光材料は、ラン
タニド金属キレート錯体、例えばキドら(Kido et. al.)
による"White Light Emitting Organic Electrolumines
cent Device Using Lanthanide Complexes" Jpn.J.App
l.Phys., Vol. 35, pp. L394-L396 (1996)に記載された
ようなトリス（アセチルアセトナート）（フェナントロ
リン）テルビウム、トリス（アセチルアセトナート）
（フェナントロリン）ユーロピウム、トリス（テノイル
トリスフルオロアセトナート）（フェナントロリン）ユ
ーロピウムである。
【００５７】発光領域１６、１１６、２１６、３１６で
利用できる他の好ましいクラスの有機発光材料は、リン
光材料、例えばバルドら(Baldo et. al.)による"Hightl
y Efficient Organic Phosphorescent Emission from O
rganic ElectroluminescentDevices", Letters to Natu
re, Vol. 395, pp. 151-154 (1998)に記載された化合物
のような、強力なスピン軌道結合を誘導する重金属原子
を含有する有機金属化合物である。好ましい例として、
２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチ
ル−２１Ｈ２３Ｈ−フォルピンプラチナ（ＩＩ）（Ｐｔ
ＯＥＰ）及びｆａｃトリス（２−フェニルピリジン）イ
リジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）が挙げられる。
利用できる他の好ましいクラスの有機発光材料は、リン
光材料、例えばバルドら(Baldo et. al.)による"Hightl
y Efficient Organic Phosphorescent Emission from O
rganic ElectroluminescentDevices", Letters to Natu
re, Vol. 395, pp. 151-154 (1998)に記載された化合物
のような、強力なスピン軌道結合を誘導する重金属原子
を含有する有機金属化合物である。好ましい例として、
２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチ
ル−２１Ｈ２３Ｈ−フォルピンプラチナ（ＩＩ）（Ｐｔ
ＯＥＰ）及びｆａｃトリス（２−フェニルピリジン）イ
リジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）が挙げられる。
【００５８】発光領域１６、３１６、正孔輸送領域１２
０、２２０及び混合領域２２４を形成するのに利用でき
る正孔輸送材料並びに発光領域１６、３１６、電子輸送
領域１２２、２２２及び混合領域２２４を形成するのに
利用できる電子輸送材料は、任意の適切な公知の材料又
はこれから開発される材料であってよい。
０、２２０及び混合領域２２４を形成するのに利用でき
る正孔輸送材料並びに発光領域１６、３１６、電子輸送
領域１２２、２２２及び混合領域２２４を形成するのに
利用できる電子輸送材料は、任意の適切な公知の材料又
はこれから開発される材料であってよい。
【００５９】発光領域１６、３１６、正孔輸送領域１２
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる例示的な正
孔輸送材料として、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ
（フェニレンビニレン）、ポリチオフェン、ポリアリー
ルアミン、これらの誘導体、公知の半導体有機材料、ポ
ルフィリン誘導体、例えば１，１０，１５，２０−テト
ラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン銅（Ｉ
Ｉ）、銅フタロシアニン、銅テトラメチルフタロシアニ
ン、亜鉛フタロシアニン、酸化チタンフタロシアニン、
マグネシウムフタロシアニンなどが挙げられる。
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる例示的な正
孔輸送材料として、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ
（フェニレンビニレン）、ポリチオフェン、ポリアリー
ルアミン、これらの誘導体、公知の半導体有機材料、ポ
ルフィリン誘導体、例えば１，１０，１５，２０−テト
ラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン銅（Ｉ
Ｉ）、銅フタロシアニン、銅テトラメチルフタロシアニ
ン、亜鉛フタロシアニン、酸化チタンフタロシアニン、
マグネシウムフタロシアニンなどが挙げられる。
【００６０】発光領域１６、３１６、正孔輸送領域１２
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる好ましいク
ラスの正孔輸送材料は、芳香族第３アミン類である。芳
香族第３アミン類の適切な例として、例えば、ビス（４
−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、１，１−
ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）−４−フェニルシクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−１，１’−
ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−
ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニ
ル−４−４’−ジアミン、これらの混合物などが挙げら
れる。
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる好ましいク
ラスの正孔輸送材料は、芳香族第３アミン類である。芳
香族第３アミン類の適切な例として、例えば、ビス（４
−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、１，１−
ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）−４−フェニルシクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−１，１’−
ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−
ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニ
ル−４−４’−ジアミン、これらの混合物などが挙げら
れる。
【００６１】発光領域１６、３１６、正孔輸送領域１２
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる他のクラス
の芳香族第３アミン類は、多核性芳香族アミン類であ
る。このような多核性芳香族アミン類の例として、例え
ば、Ｎ，Ｎ−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−
トリルアミノ）−４−ビフェニリル］アニリン、Ｎ，Ｎ
−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリルアミ
ノ）−４−ビフェニリル］−ｍ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−
ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリルアミ
ノ）−４−ビフェニリル］−ｐ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−
ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−トリルアミ
ノ）−４−ビフェニリル］アニリン、Ｎ，Ｎ−ビス−
［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−トリルアミノ）−４
−ビフェニリル］−ｍ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ビス−
［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−トリルアミノ）−４
−ビフェニリル］−ｐ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ビス−
［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−クロロフェニルアミ
ノ）−４−ビフェニリル］−ｍ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−
ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−クロロフェニ
ルアミノ）−４−ビフェニリル］−ｍ−トルイジン、
Ｎ，Ｎ−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−クロ
ロフェニルアミノ）−４−ビフェニリル］−ｐ−トルイ
ジン、Ｎ，Ｎ−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ
−トリルアミノ）−４−ビフェニリル］−ｐ−クロロア
ニリン、Ｎ，Ｎ−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−
ｐ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル］−ｍ−クロロ
アニリン、Ｎ，Ｎ−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ
−ｍ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル］−１−アミ
ノナフタレン、これらの混合物などが挙げられる。
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる他のクラス
の芳香族第３アミン類は、多核性芳香族アミン類であ
る。このような多核性芳香族アミン類の例として、例え
ば、Ｎ，Ｎ−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−
トリルアミノ）−４−ビフェニリル］アニリン、Ｎ，Ｎ
−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリルアミ
ノ）−４−ビフェニリル］−ｍ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−
ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリルアミ
ノ）−４−ビフェニリル］−ｐ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−
ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−トリルアミ
ノ）−４−ビフェニリル］アニリン、Ｎ，Ｎ−ビス−
［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−トリルアミノ）−４
−ビフェニリル］−ｍ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ビス−
［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−トリルアミノ）−４
−ビフェニリル］−ｐ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ビス−
［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−クロロフェニルアミ
ノ）−４−ビフェニリル］−ｍ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−
ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−クロロフェニ
ルアミノ）−４−ビフェニリル］−ｍ−トルイジン、
Ｎ，Ｎ−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−クロ
ロフェニルアミノ）−４−ビフェニリル］−ｐ−トルイ
ジン、Ｎ，Ｎ−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ
−トリルアミノ）−４−ビフェニリル］−ｐ−クロロア
ニリン、Ｎ，Ｎ−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−
ｐ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル］−ｍ−クロロ
アニリン、Ｎ，Ｎ−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ
−ｍ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル］−１−アミ
ノナフタレン、これらの混合物などが挙げられる。
【００６２】発光領域１６、３１６、正孔輸送領域１２
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる他のクラス
の正孔輸送材料は、４，４’−ビス（９−カルバゾリ
ル）−１，１’−ビフェニル化合物、例えば４，４’−
ビス（９−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル、
４，４’−ビス（３−メチル−９−カルバゾリル）−
１，１’−ビフェニルなどを含む。
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる他のクラス
の正孔輸送材料は、４，４’−ビス（９−カルバゾリ
ル）−１，１’−ビフェニル化合物、例えば４，４’−
ビス（９−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル、
４，４’−ビス（３−メチル−９−カルバゾリル）−
１，１’−ビフェニルなどを含む。
【００６３】発光領域１６、３１６、正孔輸送領域１２
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる好ましいク
ラスの正孔輸送材料は、インドロカラバゾール類であ
る。
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる好ましいク
ラスの正孔輸送材料は、インドロカラバゾール類であ
る。
【００６４】発光領域１６、３１６、正孔輸送領域１２
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる正孔輸送材
料の他の好ましいクラスはＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
アリールベンジジンからなり、アリールはフェニル、ｍ
−トリル、ｐ−トリル、ｍ−メトキシフェニル、ｐ−メ
トキシフェニル、１−ナフチル、２−ナフチルなどから
選択されてよい。Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリール
ベンジジンの例として、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンがより好ましく、さらにＮ，Ｎ’−ビス
（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，
１’−ビフェニル−４−４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（３−メトキシフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンなどが挙げ
られる。
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる正孔輸送材
料の他の好ましいクラスはＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
アリールベンジジンからなり、アリールはフェニル、ｍ
−トリル、ｐ−トリル、ｍ−メトキシフェニル、ｐ−メ
トキシフェニル、１−ナフチル、２−ナフチルなどから
選択されてよい。Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリール
ベンジジンの例として、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンがより好ましく、さらにＮ，Ｎ’−ビス
（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，
１’−ビフェニル−４−４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（３−メトキシフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンなどが挙げ
られる。
【００６５】発光領域１６、３１６、正孔輸送領域１２
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる好ましい正
孔輸送材料は、ナフチル置換ベンジジン誘導体である。
０、２２０及び混合領域２２４で利用できる好ましい正
孔輸送材料は、ナフチル置換ベンジジン誘導体である。
【００６６】発光領域１６、３１６、電子輸送領域１２
２、２２２及び混合領域２２４を形成するのに利用でき
る電子輸送材料の例を、金属オキシノイド化合物、オキ
サジアゾール金属キレート化合物、トリアジン化合物、
スチルベン化合物から選択することができ、これらの例
は上述されている。
２、２２２及び混合領域２２４を形成するのに利用でき
る電子輸送材料の例を、金属オキシノイド化合物、オキ
サジアゾール金属キレート化合物、トリアジン化合物、
スチルベン化合物から選択することができ、これらの例
は上述されている。
【００６７】発光領域１６、３１６、電子輸送領域１２
２、２２２及び混合領域２２４を形成するのに利用でき
る電子輸送材料の他の例は、ポリフルオレン類、例えば
ポリ（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン−２，７−
ジイル）、ポリ（２，８−（６，７，１２，１２−テト
ラアルキルインデノフルオレン）及びフルオレンアミン
コポリマーのようなフルオレンを含有するコポリマー類
である。例えば、ベルニウスら(Bernius et. al.)によ
る"Proceedings of SPIE Conference on Organic Light
Emitting Materials and Devices III", Denver, Colo
rado, July 1999, Vol. 3797, p.129を参照のこと。
２、２２２及び混合領域２２４を形成するのに利用でき
る電子輸送材料の他の例は、ポリフルオレン類、例えば
ポリ（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン−２，７−
ジイル）、ポリ（２，８−（６，７，１２，１２−テト
ラアルキルインデノフルオレン）及びフルオレンアミン
コポリマーのようなフルオレンを含有するコポリマー類
である。例えば、ベルニウスら(Bernius et. al.)によ
る"Proceedings of SPIE Conference on Organic Light
Emitting Materials and Devices III", Denver, Colo
rado, July 1999, Vol. 3797, p.129を参照のこと。
【００６８】本発明によると、混合領域２２４は、約１
０重量％〜約９０重量％の正孔輸送材料と約９０重量％
〜約１０重量％の電子輸送材料からなることができる。
混合領域２２４は、約２５重量％〜約７５重量％の正孔
輸送材料と約７５重量％〜約２５重量％の電子輸送材料
からなることが好ましい。他の好ましい範囲は、約４０
重量％〜約６０重量％の正孔輸送材料と約６０重量％〜
約４０重量％の電子輸送材料である。
０重量％〜約９０重量％の正孔輸送材料と約９０重量％
〜約１０重量％の電子輸送材料からなることができる。
混合領域２２４は、約２５重量％〜約７５重量％の正孔
輸送材料と約７５重量％〜約２５重量％の電子輸送材料
からなることが好ましい。他の好ましい範囲は、約４０
重量％〜約６０重量％の正孔輸送材料と約６０重量％〜
約４０重量％の電子輸送材料である。
【００６９】本発明によると、実施の形態では、混合領
域は少なくとも一つの発光ドープ材料からなることがで
きる。このような実施の形態では、混合領域２２４は約
１０重量％〜約９０重量％の正孔輸送材料、約９０重量
％〜約１０重量％の電子輸送材料及び約０．１重量％〜
約２５重量％の発光ドープ材料からなることができる。
混合領域２２４は、約２５重量％〜約７５重量％の正孔
輸送材料、約７５重量％〜約２５重量％の電子輸送材料
及び約０．１重量％〜約５重量％の発光ドープ材料から
なるのが好ましい。
域は少なくとも一つの発光ドープ材料からなることがで
きる。このような実施の形態では、混合領域２２４は約
１０重量％〜約９０重量％の正孔輸送材料、約９０重量
％〜約１０重量％の電子輸送材料及び約０．１重量％〜
約２５重量％の発光ドープ材料からなることができる。
混合領域２２４は、約２５重量％〜約７５重量％の正孔
輸送材料、約７５重量％〜約２５重量％の電子輸送材料
及び約０．１重量％〜約５重量％の発光ドープ材料から
なるのが好ましい。
【００７０】上述した任意の適切な且つ例示的な正孔輸
送材料と電子輸送材料との混合物を使用して、混合領域
を形成することができる。
送材料と電子輸送材料との混合物を使用して、混合領域
を形成することができる。
【００７１】任意の適切な公知の方法又はこれから開発
される方法によって、上記の材料のうちの一つを薄い層
に形成することによって、発光領域１６、１１６、２１
６、３１６を含む一つ以上の層を調製することができ
る。この目的に適した方法として、例えば、蒸着及びス
ピンコーティング技術が挙げられる。
される方法によって、上記の材料のうちの一つを薄い層
に形成することによって、発光領域１６、１１６、２１
６、３１６を含む一つ以上の層を調製することができ
る。この目的に適した方法として、例えば、蒸着及びス
ピンコーティング技術が挙げられる。
【００７２】発光領域１６、１１６、２１６、３１６
は、約１０ｎｍ〜約１０００ｎｍの厚さを有し得る。こ
の厚さは約５０ｎｍ〜約２５０ｎｍであるのが好まし
い。発光領域が一つ以上の隣接する層からなる実施の形
態では、各層の厚さは少なくとも約５ｎｍである。
は、約１０ｎｍ〜約１０００ｎｍの厚さを有し得る。こ
の厚さは約５０ｎｍ〜約２５０ｎｍであるのが好まし
い。発光領域が一つ以上の隣接する層からなる実施の形
態では、各層の厚さは少なくとも約５ｎｍである。
【００７３】陰極１８、１１８、２１８、３１８は、例
えば約４．０ｅＶ〜約６．０ｅＶの仕事関数を有する高
仕事関数成分又は例えば約２．５ｅＶ〜約４．０ｅＶの
仕事関数の金属のような低仕事関数成分を含む任意の適
切な金属からなることができる。陰極は、低仕事関数
（約４ｅＶ未満）金属と少なくとも一つの他の金属との
組み合わせからなることができる。第２の即ち他の金属
に対する低仕事関数金属の有効な割合は、約０．１重量
％未満〜約９９．９重量％である。低仕事関数金属の例
として、アルカリ金属類、例えばリチウム又はナトリウ
ム、２Ａ族即ちアルカリ土類金属、例えばベリリウム、
マグネシウム、カルシウム又はバリウム、希土類金属及
びアクチニド族金属を含むＩＩＩ族の金属、例えばスカ
ンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、ユーロ
ピウム、テルビウム又はアクチニウムが挙げられるが、
これらに限定しない。リチウム、マグネシウム及びカル
シウムが、好ましい低仕事関数金属である。
えば約４．０ｅＶ〜約６．０ｅＶの仕事関数を有する高
仕事関数成分又は例えば約２．５ｅＶ〜約４．０ｅＶの
仕事関数の金属のような低仕事関数成分を含む任意の適
切な金属からなることができる。陰極は、低仕事関数
（約４ｅＶ未満）金属と少なくとも一つの他の金属との
組み合わせからなることができる。第２の即ち他の金属
に対する低仕事関数金属の有効な割合は、約０．１重量
％未満〜約９９．９重量％である。低仕事関数金属の例
として、アルカリ金属類、例えばリチウム又はナトリウ
ム、２Ａ族即ちアルカリ土類金属、例えばベリリウム、
マグネシウム、カルシウム又はバリウム、希土類金属及
びアクチニド族金属を含むＩＩＩ族の金属、例えばスカ
ンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、ユーロ
ピウム、テルビウム又はアクチニウムが挙げられるが、
これらに限定しない。リチウム、マグネシウム及びカル
シウムが、好ましい低仕事関数金属である。
【００７４】米国特許第4,885,211号のＭｇ−Ａｇ合金
の陰極は、一つの好ましい陰極の構造である。他の好ま
しい陰極の構造は米国特許第5,429,884号に記載されて
おり、ここで陰極はアルミニウム及びインジウムのよう
な他の高仕事関数金属とのリチウム合金から形成され
る。これらの特許全体を参照として本明細書中に援用す
る。
の陰極は、一つの好ましい陰極の構造である。他の好ま
しい陰極の構造は米国特許第5,429,884号に記載されて
おり、ここで陰極はアルミニウム及びインジウムのよう
な他の高仕事関数金属とのリチウム合金から形成され
る。これらの特許全体を参照として本明細書中に援用す
る。
【００７５】陰極１８、１１８、２１８、３１８の厚さ
は、例えば約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲であり得
る。もちろん、この範囲外の厚さも使用できる。
は、例えば約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲であり得
る。もちろん、この範囲外の厚さも使用できる。
【００７６】本発明の有機発光素子の処理方法の例示的
な実施の形態は、アニールする前の同じ素子の性能上の
特性と比較してアニールした素子の性能上の特性を向上
させるために、例示的な有機発光素子１０、１００、２
００又は３００及び本発明によって形成された他の有機
発光素子のうちの任意の一つをアニールすることからな
る。
な実施の形態は、アニールする前の同じ素子の性能上の
特性と比較してアニールした素子の性能上の特性を向上
させるために、例示的な有機発光素子１０、１００、２
００又は３００及び本発明によって形成された他の有機
発光素子のうちの任意の一つをアニールすることからな
る。
【００７７】本発明の有機発光素子の処理方法の例示的
な実施の形態は、例えば例示的な有機発光素子１０、１
００、２００又は３００のいずれかであり得る製造後の
有機発光素子を提供することからなる。有機発光素子
は、陽極、陰極及び陽極と陰極との間の発光領域からな
る。発光領域は、上述の発光領域１６、１１６、２１
６、３１６の構造又は本発明によって形成した他の構造
のうちのいずれか一つからなる。有機発光素子は、素子
の性能上の特性を向上させるのに有効なアニール温度及
び時間（アニール周期）アニールされる。
な実施の形態は、例えば例示的な有機発光素子１０、１
００、２００又は３００のいずれかであり得る製造後の
有機発光素子を提供することからなる。有機発光素子
は、陽極、陰極及び陽極と陰極との間の発光領域からな
る。発光領域は、上述の発光領域１６、１１６、２１
６、３１６の構造又は本発明によって形成した他の構造
のうちのいずれか一つからなる。有機発光素子は、素子
の性能上の特性を向上させるのに有効なアニール温度及
び時間（アニール周期）アニールされる。
【００７８】一般的に、有機発光素子は、アニールの前
に比べて動作電圧を下げエネルギー変換効率を上げるた
めにアニールされる。本発明の有機発光素子のアニール
方法の例示的な実施の形態では、製造後の有機発光素子
をアニールすることによって、製造後の有機発光素子の
動作電圧が少なくとも約１０％低下する。アニールによ
って、製造後の素子の動作電圧を少なくとも約２０％低
下させるのが好ましく、少なくとも約３０％低下させる
のがより好ましい。
に比べて動作電圧を下げエネルギー変換効率を上げるた
めにアニールされる。本発明の有機発光素子のアニール
方法の例示的な実施の形態では、製造後の有機発光素子
をアニールすることによって、製造後の有機発光素子の
動作電圧が少なくとも約１０％低下する。アニールによ
って、製造後の素子の動作電圧を少なくとも約２０％低
下させるのが好ましく、少なくとも約３０％低下させる
のがより好ましい。
【００７９】動作電圧を低下させることによって、本発
明の有機発光素子の電力消費も低下する。アニールした
有機発光素子の電力消費は、アニールしていない素子に
比べて少なくとも約１０％低い。アニールによって、製
造後の素子の電力消費が少なくとも約２０％低下するの
が好ましく、少なくとも約３０％低下するのがより好ま
しい。
明の有機発光素子の電力消費も低下する。アニールした
有機発光素子の電力消費は、アニールしていない素子に
比べて少なくとも約１０％低い。アニールによって、製
造後の素子の電力消費が少なくとも約２０％低下するの
が好ましく、少なくとも約３０％低下するのがより好ま
しい。
【００８０】有機発光素子のエネルギー変換効率は、素
子への電力の入力に対する光出力の比として定義でき
る。本発明の有機発光素子のアニール方法の例示的な実
施の形態では、製造後の有機発光素子をアニールするこ
とによって、製造後の有機発光素子のエネルギー変換効
率が少なくとも約１０％上昇する。アニールによって製
造後の素子のエネルギー変換効率が少なくとも約２５％
上昇するのが好ましく、少なくとも約４０％上昇するの
がより好ましい。
子への電力の入力に対する光出力の比として定義でき
る。本発明の有機発光素子のアニール方法の例示的な実
施の形態では、製造後の有機発光素子をアニールするこ
とによって、製造後の有機発光素子のエネルギー変換効
率が少なくとも約１０％上昇する。アニールによって製
造後の素子のエネルギー変換効率が少なくとも約２５％
上昇するのが好ましく、少なくとも約４０％上昇するの
がより好ましい。
【００８１】本発明の有機発光素子の処理方法の実施の
形態では、製造後の有機発光素子のアニールを、発光領
域を形成する材料の溶解温度よりも低いアニール温度で
実施する。アニール温度は、発光領域を形成する材料の
うちの少なくとも一つのガラス転移温度よりも低温であ
ることが好ましい。アニール温度は、有機発光素子を形
成する全ての材料のうち最も低いガラス転移温度を有す
る材料のガラス転移温度よりも低温であることがより好
ましい。一般的には、アニール温度は、発光領域の組成
に応じて約５０℃〜約１５０℃である。アニール温度
は、約６０℃〜約１００℃が好ましい。
形態では、製造後の有機発光素子のアニールを、発光領
域を形成する材料の溶解温度よりも低いアニール温度で
実施する。アニール温度は、発光領域を形成する材料の
うちの少なくとも一つのガラス転移温度よりも低温であ
ることが好ましい。アニール温度は、有機発光素子を形
成する全ての材料のうち最も低いガラス転移温度を有す
る材料のガラス転移温度よりも低温であることがより好
ましい。一般的には、アニール温度は、発光領域の組成
に応じて約５０℃〜約１５０℃である。アニール温度
は、約６０℃〜約１００℃が好ましい。
【００８２】アニールの結果、有機発光素子の実質的な
構造上の変化が起こらないように、アニール温度を選択
するのも好ましい。例えば、実質的な構造上の変化と
は、有機発光素子の異なる層の間、例えば混合領域と混
合領域に隣接する領域との間の物質の相互拡散である。
また、アニールした素子の動作電圧がアニール前の素子
の動作電圧よりも事実上高くならないように、アニール
温度を選択する。
構造上の変化が起こらないように、アニール温度を選択
するのも好ましい。例えば、実質的な構造上の変化と
は、有機発光素子の異なる層の間、例えば混合領域と混
合領域に隣接する領域との間の物質の相互拡散である。
また、アニールした素子の動作電圧がアニール前の素子
の動作電圧よりも事実上高くならないように、アニール
温度を選択する。
【００８３】有機発光素子の性能上の特性の所望の改良
を十分に達成するように、有機発光素子のアニール時間
を選択する。一般にアニール温度が上昇すると、所望の
結果を得るためにアニール時間は短縮される。実施の形
態では、アニール時間は約０．１時間〜約１００時間で
ある。アニール時間は約０．２５時間〜約２５時間であ
ることが好ましい。
を十分に達成するように、有機発光素子のアニール時間
を選択する。一般にアニール温度が上昇すると、所望の
結果を得るためにアニール時間は短縮される。実施の形
態では、アニール時間は約０．１時間〜約１００時間で
ある。アニール時間は約０．２５時間〜約２５時間であ
ることが好ましい。
【００８４】また、本発明は、異なる有機発光素子の互
いに対する性能上の特性の均質性を向上させるために、
複数の有機発光素子を処理する方法の例示的な実施の形
態も提供する。例えば、異なる有機発光素子の性能上の
特性を互いに近づける、即ち性能上の特性をより均一に
即ちより均質にするのに有効な温度及び時間、二つ以上
の有機発光素子をアニール処理する。
いに対する性能上の特性の均質性を向上させるために、
複数の有機発光素子を処理する方法の例示的な実施の形
態も提供する。例えば、異なる有機発光素子の性能上の
特性を互いに近づける、即ち性能上の特性をより均一に
即ちより均質にするのに有効な温度及び時間、二つ以上
の有機発光素子をアニール処理する。
【００８５】幾つかの実施の形態では、異なる有機発光
素子が同じアニール室で同時にアニールされる。しか
し、他の例示的な実施の形態では、異なる有機発光素子
を同じアニール室で異なる時間アニールすることもでき
るし、異なるアニール室でアニールすることもできる。
このような前者及び後者の実施の形態では、より均一な
結果を導くために、異なる有機発光素子に使用するアニ
ール条件は一般に同じアニール室でも異なるアニール室
でもほぼ等しい。
素子が同じアニール室で同時にアニールされる。しか
し、他の例示的な実施の形態では、異なる有機発光素子
を同じアニール室で異なる時間アニールすることもでき
るし、異なるアニール室でアニールすることもできる。
このような前者及び後者の実施の形態では、より均一な
結果を導くために、異なる有機発光素子に使用するアニ
ール条件は一般に同じアニール室でも異なるアニール室
でもほぼ等しい。
【００８６】有機発光素子は任意の適切なアニール雰囲
気でアニールされる。例えば、アニール雰囲気は、任意
の適切なガス、例えば窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸
化炭素もしくはこれらの混合物又は素子の性能に悪影響
を及ぼさない任意の他の適切なガスを含み得る。他の適
切なアニール環境は、湿度のない雰囲気、例えば乾燥空
気であり得る。アニール環境の他の例は、圧力が約１０
-2〜約１０-10ｍｍＨｇより低い、好ましくは約１０-3
〜約１０-6ｍｍＨｇより低い真空環境である。
気でアニールされる。例えば、アニール雰囲気は、任意
の適切なガス、例えば窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸
化炭素もしくはこれらの混合物又は素子の性能に悪影響
を及ぼさない任意の他の適切なガスを含み得る。他の適
切なアニール環境は、湿度のない雰囲気、例えば乾燥空
気であり得る。アニール環境の他の例は、圧力が約１０
-2〜約１０-10ｍｍＨｇより低い、好ましくは約１０-3
〜約１０-6ｍｍＨｇより低い真空環境である。
【００８７】例えば、製造後の各有機発光素子の動作電
圧に作用し、また製造後の各有機発光素子のエネルギー
変換効率に作用して異なる有機発光素子の動作電圧及び
／又はエネルギー変換効率が互いに近似する十数％未満
だけ異なるように、二つ以上の有機発光素子をアニール
することができる。例えば、実施の形態では、異なる有
機発光素子の動作電圧及び／又はエネルギー変換効率は
一般に約１５％未満だけ異なる。異なる有機発光素子の
動作電圧及び／又はエネルギー変換効率は、一般に約１
０％未満だけ異なるのが好ましい。
圧に作用し、また製造後の各有機発光素子のエネルギー
変換効率に作用して異なる有機発光素子の動作電圧及び
／又はエネルギー変換効率が互いに近似する十数％未満
だけ異なるように、二つ以上の有機発光素子をアニール
することができる。例えば、実施の形態では、異なる有
機発光素子の動作電圧及び／又はエネルギー変換効率は
一般に約１５％未満だけ異なる。異なる有機発光素子の
動作電圧及び／又はエネルギー変換効率は、一般に約１
０％未満だけ異なるのが好ましい。
【００８８】加熱の速度（即ち、有機発光素子の温度が
所望のアニール温度範囲まで上昇する速度）及び冷却の
速度（即ち、アニール時間後に有機発光素子をアニール
温度から所望のより低い温度、例えば周囲温度に冷却す
る速度）は、素子が割れたりショートしたりするような
損傷を起こさないように十分に低いことが好ましい。有
機発光素子の適切な加熱速度及び冷却速度は、例えば約
０．５℃／分〜約２０℃／分であり、約１℃／分〜約５
℃／分が好ましい。
所望のアニール温度範囲まで上昇する速度）及び冷却の
速度（即ち、アニール時間後に有機発光素子をアニール
温度から所望のより低い温度、例えば周囲温度に冷却す
る速度）は、素子が割れたりショートしたりするような
損傷を起こさないように十分に低いことが好ましい。有
機発光素子の適切な加熱速度及び冷却速度は、例えば約
０．５℃／分〜約２０℃／分であり、約１℃／分〜約５
℃／分が好ましい。
【００８９】
【実施例】本発明の種々の態様をさらに示すために以下
の実施例を提供するが、これらは本発明の範囲を限定し
ようとするものではない。
の実施例を提供するが、これらは本発明の範囲を限定し
ようとするものではない。
【００９０】実施例１ 実施例１は、有機発光素子の動作電圧を低下させること
によってエネルギー変換効率を上昇させるアニールの効
果を証明する。図３に示した構造を使用した。混合領域
２２４は染料ドープ剤をさらに含んだ。ドープ材料を含
有する混合領域を含む有機発光素子は、本明細書中に組
み込まれた米国出願番号第09/606,670号に記載されてい
る。ナフチル置換ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス（８−
ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＡＬＱ3）及びジ
メチルキナクリドン（ＤＭＱ）を、正孔輸送領域２２０
及び混合領域２２４の正孔輸送材料、電子輸送領域２２
２及び混合領域２２４の電子輸送材料、混合領域２２４
の染料ドープ剤にそれぞれ使用した。陽極２１４を酸化
インジウム錫から形成し、陰極２１８をＭｇ：Ａｇから
形成した。
によってエネルギー変換効率を上昇させるアニールの効
果を証明する。図３に示した構造を使用した。混合領域
２２４は染料ドープ剤をさらに含んだ。ドープ材料を含
有する混合領域を含む有機発光素子は、本明細書中に組
み込まれた米国出願番号第09/606,670号に記載されてい
る。ナフチル置換ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス（８−
ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＡＬＱ3）及びジ
メチルキナクリドン（ＤＭＱ）を、正孔輸送領域２２０
及び混合領域２２４の正孔輸送材料、電子輸送領域２２
２及び混合領域２２４の電子輸送材料、混合領域２２４
の染料ドープ剤にそれぞれ使用した。陽極２１４を酸化
インジウム錫から形成し、陰極２１８をＭｇ：Ａｇから
形成した。
【００９１】図５は、アニールの前後に測定した有機発
光素子の電流密度対電圧特性を示す。アニールでは、素
子を約９０℃の温度で約２０時間のアニール時間加熱し
た。アニール後の素子の電流密度対電圧特性がより低電
圧にシフトしたことは、ある電流密度を駆動させるため
に（つまりある輝度を得るために）に必要な動作電圧が
低下したことを証明している。
光素子の電流密度対電圧特性を示す。アニールでは、素
子を約９０℃の温度で約２０時間のアニール時間加熱し
た。アニール後の素子の電流密度対電圧特性がより低電
圧にシフトしたことは、ある電流密度を駆動させるため
に（つまりある輝度を得るために）に必要な動作電圧が
低下したことを証明している。
【００９２】図５に示すように、（ディスプレイに一般
的な約２５０ｃｄ／ｍ2の輝度を得るために）アニール
した有機発光素子を約４ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で作動
させた場合、アニールの結果生じる電圧の低下は約４０
％であった。素子をこの輝度で作動させると、この電圧
の低下によってエネルギー変換効率が約６０％上昇し
た。
的な約２５０ｃｄ／ｍ2の輝度を得るために）アニール
した有機発光素子を約４ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で作動
させた場合、アニールの結果生じる電圧の低下は約４０
％であった。素子をこの輝度で作動させると、この電圧
の低下によってエネルギー変換効率が約６０％上昇し
た。
【００９３】実施例２ 実施例２は、有機発光素子の動作電圧の低下、またエネ
ルギー変換効率の上昇に関する製造後の有機発光素子の
アニールの効果を証明する。実施例２では、有機発光素
子は実施例１で使用したものと同じ一般的な構造であっ
たが、混合領域２２４の染料ドープ剤としてＤＭＱの代
わりにナイルレッド染料を使用した。アニール条件は実
施例１で使用したものと同一であった。実施例１に非常
に類似した有機発光素子の特性の変化が実施例２で起こ
った。
ルギー変換効率の上昇に関する製造後の有機発光素子の
アニールの効果を証明する。実施例２では、有機発光素
子は実施例１で使用したものと同じ一般的な構造であっ
たが、混合領域２２４の染料ドープ剤としてＤＭＱの代
わりにナイルレッド染料を使用した。アニール条件は実
施例１で使用したものと同一であった。実施例１に非常
に類似した有機発光素子の特性の変化が実施例２で起こ
った。
【００９４】実施例３ 実施例３は、有機発光素子の動作電圧を低下させエレク
トロルミネセンス量子効率を上昇させ、またエネルギー
変換効率を上昇させるアニールの効果を証明する。実施
例３では正孔輸送領域２２０の正孔輸送材料が実施例１
で使用したＮＰＢの代わりにインドロカルバゾール化合
物のみからなることを除いて、実施例３の有機発光素子
の構造は実施例１と同様であった。
トロルミネセンス量子効率を上昇させ、またエネルギー
変換効率を上昇させるアニールの効果を証明する。実施
例３では正孔輸送領域２２０の正孔輸送材料が実施例１
で使用したＮＰＢの代わりにインドロカルバゾール化合
物のみからなることを除いて、実施例３の有機発光素子
の構造は実施例１と同様であった。
【００９５】１００℃で２４時間アニールした後、約５
ｍＡ／ｃｍ2の電流密度を駆動させるために（約２５０
ｃｄ／ｍ2の輝度を得るために）必要な駆動電圧は約９
％低下した。同時にこの電流密度で輝度は約１０％上昇
した（即ち、量子効率が約１０％上昇した）。駆動電圧
及びエレクトロルミネセンス効率両者の変化によって、
素子の全体的なエネルギー変換効率がこの輝度レベルで
約２０％上昇した。
ｍＡ／ｃｍ2の電流密度を駆動させるために（約２５０
ｃｄ／ｍ2の輝度を得るために）必要な駆動電圧は約９
％低下した。同時にこの電流密度で輝度は約１０％上昇
した（即ち、量子効率が約１０％上昇した）。駆動電圧
及びエレクトロルミネセンス効率両者の変化によって、
素子の全体的なエネルギー変換効率がこの輝度レベルで
約２０％上昇した。
【００９６】実施例４ 実施例４は、有機発光素子の動作電圧を低下させること
によってエネルギー変換効率を上昇させるアニールの効
果を証明する。図２に示す構造を有する有機発光素子を
試験した。この素子では、インドロカルバゾール化合物
及びトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム
（ＡＬＱ3）を、正孔輸送領域１２０の正孔輸送材料及
び電子輸送領域１２２の電子輸送材料のそれぞれに使用
した。陽極１１２を酸化インジウム錫から形成し、陰極
１１８をＭｇ：Ａｇから形成した。
によってエネルギー変換効率を上昇させるアニールの効
果を証明する。図２に示す構造を有する有機発光素子を
試験した。この素子では、インドロカルバゾール化合物
及びトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム
（ＡＬＱ3）を、正孔輸送領域１２０の正孔輸送材料及
び電子輸送領域１２２の電子輸送材料のそれぞれに使用
した。陽極１１２を酸化インジウム錫から形成し、陰極
１１８をＭｇ：Ａｇから形成した。
【００９７】素子を約１００℃の温度で約２４時間アニ
ールした。アニールの結果、約５ｍＡ／ｃｍ2の電流密
度を駆動させるために（約２５０ｃｄ／ｍ2の輝度を得
るために）必要な駆動電圧は約１５％低下した。この動
作電圧の低下は、この輝度レベルで有機発光素子のエネ
ルギー変換効率が約１７％上昇したことに対応する。
ールした。アニールの結果、約５ｍＡ／ｃｍ2の電流密
度を駆動させるために（約２５０ｃｄ／ｍ2の輝度を得
るために）必要な駆動電圧は約１５％低下した。この動
作電圧の低下は、この輝度レベルで有機発光素子のエネ
ルギー変換効率が約１７％上昇したことに対応する。
【００９８】実施例５ 実施例５は、素子の性能をさらに向上させるためにアニ
ール条件を制御することの重要性を証明する。実施例１
で使用したものと同じ構造を有する有機発光素子を試験
した。有機発光素子を約１００℃の温度で約１４０時間
アニールした。アニールの結果、約４ｍＡ／ｃｍ2の電
流密度を駆動させるために（約２５０ｃｄ／ｍ2の輝度
を得るために）必要な駆動電圧は約２０％上昇した。こ
の上昇は、有機発光素子のエネルギー変換効率が約１７
％低下したことに対応する。
ール条件を制御することの重要性を証明する。実施例１
で使用したものと同じ構造を有する有機発光素子を試験
した。有機発光素子を約１００℃の温度で約１４０時間
アニールした。アニールの結果、約４ｍＡ／ｃｍ2の電
流密度を駆動させるために（約２５０ｃｄ／ｍ2の輝度
を得るために）必要な駆動電圧は約２０％上昇した。こ
の上昇は、有機発光素子のエネルギー変換効率が約１７
％低下したことに対応する。
【００９９】この結果に基づくと、温度及び／又はアニ
ール時間を適切に選択しないと、製造後の有機発光素子
のアニール工程が素子の性能に悪影響を及ぼし得ること
が明らかになった。
ール時間を適切に選択しないと、製造後の有機発光素子
のアニール工程が素子の性能に悪影響を及ぼし得ること
が明らかになった。
【０１００】実施例６ 実施例６は、複数の異なる有機発光素子の素子の性能を
「均質化」するために熱アニールを使用することを証明
する。各々が実施例１で上述した構造を有する三つの異
なる素子Ａ、Ｂ及びＣを試験した。三つの素子の各々
を、同じ製造工程のパラメータを使用して別の真空操業
で製造した。製造後の状態の素子の評価は、三つの素子
の特性にばらつきが見られた。特に、Ａ、Ｂ及びＣの素
子のエネルギー変換効率はそれぞれ約３、３．４及び
３．６ルーメン／ワットであった。素子の特性のばらつ
きは、平均値の３．３３ルーメン／ワットから約±９％
であった。このばらつきのレベルは有機発光素子では一
般的であり、製造工程の条件（例えば、真空レベル、汚
染物質レベル、蒸着速度など）の避けることのできない
わずかな差によるものである。素子をまとめて約１００
℃で約２４時間アニールした後、平均エネルギー変換効
率は約４．９ルーメン／ワットに上昇し、平均値からの
ばらつきは約±３％になった。したがって、実施例６で
は、素子を本発明の方法でアニールすることによって、
異なる有機発光素子の性能上の特性をより均一にできる
ことが分かった。
「均質化」するために熱アニールを使用することを証明
する。各々が実施例１で上述した構造を有する三つの異
なる素子Ａ、Ｂ及びＣを試験した。三つの素子の各々
を、同じ製造工程のパラメータを使用して別の真空操業
で製造した。製造後の状態の素子の評価は、三つの素子
の特性にばらつきが見られた。特に、Ａ、Ｂ及びＣの素
子のエネルギー変換効率はそれぞれ約３、３．４及び
３．６ルーメン／ワットであった。素子の特性のばらつ
きは、平均値の３．３３ルーメン／ワットから約±９％
であった。このばらつきのレベルは有機発光素子では一
般的であり、製造工程の条件（例えば、真空レベル、汚
染物質レベル、蒸着速度など）の避けることのできない
わずかな差によるものである。素子をまとめて約１００
℃で約２４時間アニールした後、平均エネルギー変換効
率は約４．９ルーメン／ワットに上昇し、平均値からの
ばらつきは約±３％になった。したがって、実施例６で
は、素子を本発明の方法でアニールすることによって、
異なる有機発光素子の性能上の特性をより均一にできる
ことが分かった。
【０１０１】本発明のアニールした有機発光素子の性能
上の特性が上述のように向上したことによって、アニー
ルした有機発光素子を使用する種々のデバイスの性能を
向上させることができる。したがって、本発明のアニー
ルした有機発光素子を、向上した性能上の特性から利益
を得る種々の用途で使用することができる。
上の特性が上述のように向上したことによって、アニー
ルした有機発光素子を使用する種々のデバイスの性能を
向上させることができる。したがって、本発明のアニー
ルした有機発光素子を、向上した性能上の特性から利益
を得る種々の用途で使用することができる。
【０１０２】例えば、アニールした有機発光素子のエネ
ルギー変換効率が上昇することで一つ以上のアニールし
た有機発光素子を含むディスプレイの電力消費を減少さ
せることができる。さらに、アニールした有機発光素子
のエネルギー変換効率が高いことは、熱の形態の電力の
損失が減少し、アニールした有機発光素子を含む素子の
過熱が減少することにも関連する。また、本発明のアニ
ールした有機発光素子によって、所与の駆動電流での輝
度を上昇させることもできる。例えば、本発明の有機発
光素子を種々のディスプレイで使用してディスプレイの
性能を向上させることができる。
ルギー変換効率が上昇することで一つ以上のアニールし
た有機発光素子を含むディスプレイの電力消費を減少さ
せることができる。さらに、アニールした有機発光素子
のエネルギー変換効率が高いことは、熱の形態の電力の
損失が減少し、アニールした有機発光素子を含む素子の
過熱が減少することにも関連する。また、本発明のアニ
ールした有機発光素子によって、所与の駆動電流での輝
度を上昇させることもできる。例えば、本発明の有機発
光素子を種々のディスプレイで使用してディスプレイの
性能を向上させることができる。
【０１０３】さらに、複数の異なる有機発光素子の性能
上の特性を、本発明の方法の実施の形態によって均質化
することによって、重要な利益を得る。即ち、アニール
の結果、互いにより一貫した特性を有する複数の有機発
光素子を形成することができる。例えば、複数の素子が
一定のエネルギー変換効率を有することができ、これに
よって素子の性能上の均一性が重要な用途で素子を使用
することができる。より均一な性能を有する有機発光素
子をディスプレイのようなデバイスで使用することがで
き、ディスプレイにより一貫した性能を提供することが
できる。さらに、本発明の有機発光素子を異なるデバイ
ス例えば異なるディスプレイで使用して異なるディスプ
レイ間により一貫した性能を達成することができる。
上の特性を、本発明の方法の実施の形態によって均質化
することによって、重要な利益を得る。即ち、アニール
の結果、互いにより一貫した特性を有する複数の有機発
光素子を形成することができる。例えば、複数の素子が
一定のエネルギー変換効率を有することができ、これに
よって素子の性能上の均一性が重要な用途で素子を使用
することができる。より均一な性能を有する有機発光素
子をディスプレイのようなデバイスで使用することがで
き、ディスプレイにより一貫した性能を提供することが
できる。さらに、本発明の有機発光素子を異なるデバイ
ス例えば異なるディスプレイで使用して異なるディスプ
レイ間により一貫した性能を達成することができる。
【０１０４】本発明の有機発光素子を種々の技術的な用
途で使用することができる。例えば、上述のディスプレ
イのように発光素子を利用する種々の異なるタイプのデ
バイスで素子を使用することができる。例えば、ディス
プレイは自動車のような車両にあってもよいし、コンピ
ュータのモニター、テレビ並びに他の電子デバイス及び
システムにあってもよい。
途で使用することができる。例えば、上述のディスプレ
イのように発光素子を利用する種々の異なるタイプのデ
バイスで素子を使用することができる。例えば、ディス
プレイは自動車のような車両にあってもよいし、コンピ
ュータのモニター、テレビ並びに他の電子デバイス及び
システムにあってもよい。
【図１】本発明の有機発光素子の例示的な実施の形態を
例示する図である。
例示する図である。
【図２】本発明の有機発光素子の他の例示的な実施の形
態を例示する図である。
態を例示する図である。
【図３】本発明の有機発光素子のさらに他の例示的な実
施の形態を例示する図である。
施の形態を例示する図である。
【図４】本発明の有機発光素子のさらに他の例示的な実
施の形態を例示する図である。
施の形態を例示する図である。
【図５】有機発光素子のアニールの前後に測定した、有
機発光素子の電流密度対電圧特性を示すグラフである。
機発光素子の電流密度対電圧特性を示すグラフである。
１０、１００、２００、３００ 有機発光素子 １４、１１４、２１４、３１４ 陽極 １６、１１６、２１６、３１６ 発光領域 １８、１１８、２１８、３１８ 陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゾーラン ディー．ポポヴィク カナダ国 エル５エル ２ズィー８ オン タリオ州 ミシソーガ ソーミル ヴァレ イ ドライブ 3349 (72)発明者 ナン−シン フ カナダ国 エル６エイチ ６ビー４ オン タリオ州 オークビル ファーンリー ク レセント 159 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB06 AB18 CB01 DA01 DB03 EB00 FA03 5F041 AA03 CA45 CA73 FF01
Claims (1)
- 【請求項１】 陽極と、 陰極と、 前記陽極と前記陰極との間に配置され有機発光材料を含
む発光領域と、を含む有機発光素子において、 前記有機発光素子がアニールされた状態にある、 有機発光素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US629163 | 2000-07-31 | ||
| US09/629,163 US6734623B1 (en) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | Annealed organic light emitting devices and method of annealing organic light emitting devices |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100473A true JP2002100473A (ja) | 2002-04-05 |
| JP2002100473A5 JP2002100473A5 (ja) | 2007-09-27 |
| JP4657512B2 JP4657512B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=24521857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001217393A Expired - Lifetime JP4657512B2 (ja) | 2000-07-31 | 2001-07-18 | 有機発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6734623B1 (ja) |
| EP (1) | EP1178546B1 (ja) |
| JP (1) | JP4657512B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059657A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2009016579A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子および製造方法 |
| JP2009135516A (ja) * | 2000-12-15 | 2009-06-18 | Universal Display Corp | 燐光性ドープがされた混合層構造を有する、非常に安定で効率的な有機発光素子 |
| JP2011018922A (ja) * | 2002-10-10 | 2011-01-27 | Cambridge Display Technology Ltd | 光学装置 |
| US8012526B2 (en) | 2005-09-15 | 2011-09-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Electroluminescent element and manufacturing method thereof |
| JP2012049561A (ja) * | 2004-04-12 | 2012-03-08 | Global Oled Technology Llc | 短絡が減少したｏｌｅｄデバイス |
| WO2013094407A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 日東電工株式会社 | トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG2009086778A (en) * | 2000-12-28 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Luminescent device |
| TW518909B (en) * | 2001-01-17 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device and method of manufacturing same |
| EP1399002A4 (en) * | 2001-06-15 | 2007-11-21 | Canon Kk | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE |
| US20030054197A1 (en) * | 2001-09-20 | 2003-03-20 | Raymond Kwong | Annealing modified interface in organic light emitting devices |
| US6759146B2 (en) * | 2001-11-08 | 2004-07-06 | Xerox Corporation | Organic devices |
| US6931132B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-08-16 | Harris Corporation | Secure wireless local or metropolitan area network and related methods |
| US6784017B2 (en) * | 2002-08-12 | 2004-08-31 | Precision Dynamics Corporation | Method of creating a high performance organic semiconductor device |
| TW554641B (en) * | 2002-08-19 | 2003-09-21 | Univ Nat Taiwan | Manufacturing method of organic graded junction |
| ITRM20020513A1 (it) * | 2002-10-10 | 2004-04-11 | Enea Ente Nuove Tec | Metodo di preparazione di materiali organici luminescenti stabilizzati per trattamento termico e materiali cosi' ottenuti. |
| KR101246247B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2013-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치 |
| JP4378186B2 (ja) * | 2004-02-06 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ素子アレイ |
| GB0418019D0 (en) * | 2004-08-12 | 2004-09-15 | Cdt Oxford Ltd | Method of making an optical device |
| KR100699993B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열전사 방법 |
| GB2418062A (en) | 2004-09-03 | 2006-03-15 | Seiko Epson Corp | An organic Field-Effect Transistor with a charge transfer injection layer |
| GB0424294D0 (en) * | 2004-11-03 | 2004-12-01 | Elam T Ltd | Buffer layer |
| JP2006156267A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| US9496499B2 (en) * | 2005-02-22 | 2016-11-15 | Commissariat A L'energie Atomique | Organic light-emitting diode with doped layers |
| US7586247B2 (en) * | 2005-04-18 | 2009-09-08 | Jiahn-Chang Wu | Ballast for light emitting device |
| US7670450B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-03-02 | 3M Innovative Properties Company | Patterning and treatment methods for organic light emitting diode devices |
| US7843060B2 (en) * | 2007-06-11 | 2010-11-30 | Cree, Inc. | Droop-free high output light emitting devices and methods of fabricating and operating same |
| KR20090062602A (ko) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| US20090267891A1 (en) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Bamidele Ali | Virtual paper |
| US20110095271A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Donal Donat Conor Bradley | Hybrid organic light emitting device |
| KR20120093354A (ko) * | 2009-12-15 | 2012-08-22 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자의 제조 방법, 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 |
| US20160293855A1 (en) | 2015-04-06 | 2016-10-06 | Universal Display Corporation | Organic Electroluminescent Materials and Devices |
| US11818949B2 (en) * | 2015-04-06 | 2023-11-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11495749B2 (en) | 2015-04-06 | 2022-11-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11834459B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-12-05 | Universal Display Corporation | Host materials for electroluminescent devices |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334539A (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-02 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Fabrication of poly(p-phenyleneacetylene) light-emitting diodes |
| JPH1140352A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-12 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2000311784A (ja) * | 1999-04-26 | 2000-11-07 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3172862A (en) | 1960-09-29 | 1965-03-09 | Dow Chemical Co | Organic electroluminescent phosphors |
| US4356429A (en) | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
| US4539507A (en) | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
| US4717606A (en) * | 1986-05-21 | 1988-01-05 | Rockwell International Corporation | Method of fabricating a thin film electroluminescent display panel |
| US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
| GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
| JP2815472B2 (ja) | 1990-01-22 | 1998-10-27 | パイオニア株式会社 | 電界発光素子 |
| US5141671A (en) | 1991-08-01 | 1992-08-25 | Eastman Kodak Company | Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors |
| US5150006A (en) | 1991-08-01 | 1992-09-22 | Eastman Kodak Company | Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II) |
| US5151629A (en) | 1991-08-01 | 1992-09-29 | Eastman Kodak Company | Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I) |
| JP2974835B2 (ja) | 1991-09-12 | 1999-11-10 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5429884A (en) | 1992-01-17 | 1995-07-04 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent element |
| EP0569827A2 (en) | 1992-05-11 | 1993-11-18 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescence device |
| US5352906A (en) * | 1993-01-29 | 1994-10-04 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Poly (p-phenyleneneacetylene) light-emitting diodes |
| JP3332491B2 (ja) | 1993-08-27 | 2002-10-07 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| US5593788A (en) | 1996-04-25 | 1997-01-14 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices with high operational stability |
| US5728801A (en) | 1996-08-13 | 1998-03-17 | The Dow Chemical Company | Poly (arylamines) and films thereof |
| US5846666A (en) | 1997-02-27 | 1998-12-08 | Xerox Corporation | Electroluminescent devices |
| US5874804A (en) * | 1997-03-03 | 1999-02-23 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package and method of fabrication |
| US6235414B1 (en) * | 1997-03-11 | 2001-05-22 | The Ohio State University Research Foundation | Color variable bipolar/AC light-emitting devices |
| US5935720A (en) | 1997-04-07 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Red organic electroluminescent devices |
| US5925980A (en) * | 1997-05-01 | 1999-07-20 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device with graded region |
| US5952115A (en) | 1997-10-02 | 1999-09-14 | Xerox Corporation | Electroluminescent devices |
| US5942340A (en) | 1997-10-02 | 1999-08-24 | Xerox Corporation | Indolocarbazole electroluminescent devices |
| US6057048A (en) | 1998-10-01 | 2000-05-02 | Xerox Corporation | Electroluminescent (EL) devices |
| US6392339B1 (en) * | 1999-07-20 | 2002-05-21 | Xerox Corporation | Organic light emitting devices including mixed region |
-
2000
- 2000-07-31 US US09/629,163 patent/US6734623B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-18 JP JP2001217393A patent/JP4657512B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-27 EP EP01118376.1A patent/EP1178546B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-01-16 US US10/347,657 patent/US6743067B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334539A (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-02 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Fabrication of poly(p-phenyleneacetylene) light-emitting diodes |
| JPH1140352A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-12 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2000311784A (ja) * | 1999-04-26 | 2000-11-07 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子の製造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135516A (ja) * | 2000-12-15 | 2009-06-18 | Universal Display Corp | 燐光性ドープがされた混合層構造を有する、非常に安定で効率的な有機発光素子 |
| JP2003059657A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2011018922A (ja) * | 2002-10-10 | 2011-01-27 | Cambridge Display Technology Ltd | 光学装置 |
| JP4746875B2 (ja) * | 2002-10-10 | 2011-08-10 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 光学装置 |
| JP2012049561A (ja) * | 2004-04-12 | 2012-03-08 | Global Oled Technology Llc | 短絡が減少したｏｌｅｄデバイス |
| US8012526B2 (en) | 2005-09-15 | 2011-09-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Electroluminescent element and manufacturing method thereof |
| JP2009016579A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子および製造方法 |
| WO2013094407A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 日東電工株式会社 | トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2013149594A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-08-01 | Nitto Denko Corp | トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1178546A3 (en) | 2006-05-10 |
| US6743067B2 (en) | 2004-06-01 |
| JP4657512B2 (ja) | 2011-03-23 |
| EP1178546A2 (en) | 2002-02-06 |
| US20030132704A1 (en) | 2003-07-17 |
| US6734623B1 (en) | 2004-05-11 |
| EP1178546B1 (en) | 2016-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4657512B2 (ja) | 有機発光素子 | |
| US6392250B1 (en) | Organic light emitting devices having improved performance | |
| US7977862B2 (en) | Organic light emitting devices | |
| Kido et al. | Fabrication of highly efficient organic electroluminescent devices | |
| US6765348B2 (en) | Electroluminescent devices containing thermal protective layers | |
| US6876144B2 (en) | Organic electroluminescent device having host material layer intermixed with luminescent material | |
| US6933522B2 (en) | Organic electroluminescent device and method for producing the same | |
| US6392339B1 (en) | Organic light emitting devices including mixed region | |
| KR101096831B1 (ko) | 유기 전자발광 부품 | |
| JP2006332049A (ja) | 積層型ｏｌｅｄ構造 | |
| US6811896B2 (en) | Organic light emitting device (OLED) with thick (100 to 250 nanometers) porphyrin buffer layer | |
| JP2004063466A (ja) | 電極上に多キャッピング層パッシベーション領域を有する有機発光装置（ｏｌｅｄ） | |
| JP2003151771A (ja) | 有機発光素子 | |
| JPWO2008120714A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2002100478A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| JP2002100482A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| KR100826441B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
| JP2002100479A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| Schwartz et al. | High-efficiency white organic-light-emitting diodes combining fluorescent and phosphorescent emitter systems | |
| Jeong et al. | Four-wavelength white organic light-emitting diodes using 4, 4′-bis-[carbazoyl-(9)]-stilbene as a deep blue emissive layer | |
| KR101101940B1 (ko) | 이중 도핑을 이용한 고효율 진적색 인광 유기발광소자 및 그 제조 방법 | |
| So et al. | Organic Molecular Light-Emitting Materials and Devices | |
| JP2004031211A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| KR100921901B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
| So et al. | 12 Organic Molecular |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051215 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20051215 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060907 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060908 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070815 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070815 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100316 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100405 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100805 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100812 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101115 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101201 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101222 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4657512 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |