JP2002093791A

JP2002093791A - Ｃｖｄ装置及び成膜方法

Info

Publication number: JP2002093791A
Application number: JP2000285523A
Authority: JP
Inventors: Mitsunao Shibazaki; 光直柴崎; Hidenao Suzuki; 秀直鈴木; Kiwamu Tsukamoto; 究塚本
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2000-09-20
Filing date: 2000-09-20
Publication date: 2002-03-29

Abstract

(57)【要約】【課題】所望の組成の薄膜、特に高・強誘電体薄膜
を、被成膜基板との界面から最表面まで一様に形成でき
るＣＶＤ装置及び成膜方法を提供すること。【解決手段】反応容器１と、被成膜基板３を支持する
サセプタ２と、被成膜基板３に原料ガスを供給するガス
供給ヘッド４と、原料ガス供給手段５からの原料ガスを
該ガス供給ヘッド側とベント側に切り換え供給する原料
ガス供給制御手段（開閉弁６、７）を具備するＣＶＤ装
置において、被成膜基板３をガス供給ヘッド４からの原
料ガスが殆ど到達しない待機位置及び成膜に必要な原料
ガスが到達する成膜位置（Ａ位置）に配置可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイスの製
造工程における基板成膜工程に用いるＣＶＤ装置及び成
膜方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種のＣＶＤ装置は、薄膜を形
成させる被成膜基板を反応容器内の原料ガスを噴出する
ガス供給ヘッドに対向する位置に保持し、被成膜基板の
温度及び雰囲気圧力（反応容器内圧力）を成膜に適する
状態に制御する。その状態が安定した段階で原料ガスを
原料ガス制御手段により、ベント（Ｖｅｎｔ）側からガ
ス供給ヘッド側に切り換え、該ガス供給ヘッドから原料
ガスを噴出させ、被成膜基板上に薄膜を形成する。必要
時間経過後、原料ガスをガス供給ヘッド側からベント側
に切り換え、成膜が終了する。

【０００３】被成膜基板に高・強誘電体薄膜を形成する
際、一般に２乃至４種の有機金属化合物を必要とする。
各化合物（原料）が被成膜基板上に薄膜として形成され
る際の反応過程、必要なエネルギーはそれぞれ異なる。
更に、相互反応を有する場合も多々あり、薄膜の組成を
一定にするには各原料ガスの比率だけでなく、濃度及び
供給速度を成膜中は一定に保つ必要がある。

【０００４】従来の技術では、成膜を開始する際に原料
ガスをベント側からガス供給ヘッド側に切り換えると、
ガス供給ヘッドから噴出する原料ガスの濃度は徐々に濃
くなり、所定時間が経過すると一定値に達する。一方、
成膜を終了する際に、原料ガスをガス供給ヘッド側から
ベント側に切り換える場合、ガス供給ヘッドから噴出す
る原料ガスの濃度は徐々に低下する。つまり成膜初期及
び最終段階では原料ガスの流れは過渡的となり、ガス供
給ヘッドから噴出する原料ガス濃度が一定に保たれず、
組成の不均一な薄膜層が形成されてしまう。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、所望の組成の薄膜、特に高・強誘
電体薄膜を、被成膜基板との界面から最表面まで一様に
形成できるＣＶＤ装置及び成膜方法を提供することを目
的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、反応容器と、該反応容器
に配置され被成膜基板を支持するサセプタと、該サセプ
タに対向して配置され被成膜基板に原料ガスを供給する
ガス供給ヘッドと、原料ガス供給手段からの原料ガスを
該ガス供給ヘッド側とベント側に切り換え供給する原料
ガス供給制御手段を具備するＣＶＤ装置において、被成
膜基板をガス供給ヘッドからの原料ガスが殆ど到達しな
い待機位置及び成膜に必要な原料ガスが到達する成膜位
置に配置可能とすることを特徴とする。

【０００７】上記のように、被成膜基板をガス供給ヘッ
ドからの原料ガスが殆ど到達しない待機位置及び成膜に
必要な原料ガスが到達する成膜位置に配置可能とするの
で、成膜しないときは、被成膜基板を待機位置に配置
し、成膜する時はガス供給ヘッドから噴出される原料ガ
スの濃度、速度が安定した状態になった時、被成膜基板
を成膜位置に移動させることができ、また成膜を終了す
る時はガス供給ヘッドから噴出される原料ガスの濃度、
速度が安定した状態で、被成膜基板を待機位置に移動さ
せることができるから、被成膜基板の基板界面から最表
面まで略所望の組成比の成膜が可能なＣＶＤ装置とな
る。

【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
のＣＶＤ装置において、サセプタを昇降させるサセプタ
昇降機構を具備し、該サセプタ昇降機構によりサセプタ
に支持された被成膜基板の位置を待機位置及び成膜位置
に配置することを特徴とする。

【０００９】上記のように、サセプタ昇降機構によりサ
セプタに支持された被成膜基板の位置を待機位置及び成
膜位置に配置することができるので、上記のように被成
膜基板の基板界面から最表面まで略所望の組成比の成膜
が可能なＣＶＤ装置となる。

【００１０】請求項３に記載の発明は、反応容器と、該
反応容器に配置され被成膜基板を支持するサセプタと、
該サセプタに対向して配置され被成膜基板に原料ガスを
供給するガス供給ヘッドと、原料ガス供給手段からの原
料ガスを該ガス供給ヘッド側とベント側へ切り換え供給
する原料ガス供給制御手段を具備するＣＶＤ装置の成膜
方法であって、成膜開始時、被成膜基板を待機位置に待
機させ、原料ガス供給制御手段によりベント側に流して
いた原料ガスをガス供給ヘッド側に切り換えた後、所定
時間が経過したら、該被成膜基板を成膜位置に配置し、
所定時間成膜を行うことを特徴とする。

【００１１】上記のように成膜開始時、被成膜基板を待
機位置に待機させ、原料ガス供給制御手段によりベント
側に流していた原料ガスをガス供給ヘッド側に切り換え
た後、所定時間が経過したら、該被成膜基板を成膜位置
に配置し、所定時間成膜を行うので、ガス供給ヘッドか
ら噴出される原料ガスの濃度、速度が安定した状態で、
被成膜基板に成膜することになり、被成膜基板の基板界
面に略所望の組成比の成膜が可能となる。

【００１２】請求項４に記載の発明は、反応容器と、該
反応容器に配置され被成膜基板を支持するサセプタと、
該サセプタに対向して配置され被成膜基板に原料ガスを
供給するガス供給ヘッドと、原料ガス供給手段からの原
料ガスを該ガス供給ヘッド側とベント側へ切り換え供給
する原料ガス供給制御手段を具備するＣＶＤ装置の成膜
方法であって、成膜終了時、被成膜基板を成膜位置から
待機位置に移動させ、所定時間を経てから原料ガス制御
手段によりガス供給ヘッド側に流れていた原料ガスをベ
ント側に切り換えることを特徴とする

【００１３】上記のように成膜終了時、被成膜基板を成
膜位置から待機位置に移動させ、所定時間を経てから原
料ガス制御手段によりガス供給ヘッド側に流れていた原
料ガスをベント側に切り換えるので、ガス供給ヘッドか
ら噴出される原料ガスの濃度、速度が安定しているうち
に被成膜基板を原料ガスの殆ど到達しない待機位置に移
動させることになり、ガス供給ヘッド側に流れていた原
料ガスをベント側に切り換えることによる原料ガスの濃
度、速度が不安定になる影響を受けることがなく、最表
面近傍も略所望の組成比の成膜が可能となる。

【００１４】請求項５に記載の発明は、反応容器と、該
反応容器に配置され被成膜基板を支持するサセプタと、
該サセプタに対向して配置され被成膜基板に原料ガスを
供給するガス供給ヘッドと、原料ガス供給手段からの原
料ガスを該ガス供給ヘッド側とベント側へ切り換え供給
する原料ガス供給制御手段を具備するＣＶＤ装置の成膜
方法であって、成膜開始時、被成膜基板を待機位置に待
機させ、原料ガス供給制御手段によりベント側に流して
いた原料ガスをガス供給ヘッド側に切り換えた後、所定
時間が経過したら、該被成膜基板を成膜位置に配置し、
所定時間成膜を行い、成膜終了時、被成膜基板を成膜位
置から待機位置に移動させ、所定時間を経てから原料ガ
ス制御手段によりガス供給ヘッド側に流れていた原料ガ
スをベント側に切り換えることを特徴とする。

【００１５】上記のように、成膜開始時、被成膜基板を
待機位置に待機させ、原料ガス供給制御手段によりベン
ト側に流していた原料ガスをガス供給ヘッド側に切り換
えた後、所定時間が経過したら、該被成膜基板を成膜位
置に配置し、所定時間成膜を行い、成膜終了時、被成膜
基板を成膜位置から待機位置に移動させ、所定時間を経
てから原料ガス制御手段によりガス供給ヘッド側に流れ
ていた原料ガスをベント側に切り換えるので、上記請求
項３及び４に記載の発明の両作用により、被成膜基板の
基板界面から膜の最表面まで略所望の組成比の成膜が可
能となる。

【００１６】また、請求項１に記載のＣＶＤ装置におい
て、反応容器内の待機位置に配置されている被成膜基板
の表面より下方に、不活性ガスの導入が可能な不活性ガ
ス導入ポートを設けたことを特徴とする。

【００１７】上記のように、反応容器内の被成膜基板表
面より下方に、不活性ガスの導入が可能な不活性ガス導
入ポートを設けたことにより、該不活性ガス導入ポート
より導入された不活性ガスにより待機位置にある被成膜
基板に到達しようとする原料ガスを排除できるから、被
成膜基板の基板界面から膜の最表面まで略所望の組成比
の成膜が可能となるＣＶＤ装置となる。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明に係るＣＶ
Ｄ装置の構成例を示す図であり、図１は被成膜基板を成
膜位置に配置した状態を、図２は被成膜基板を待機位置
に配置した状態をそれぞれ示す。図において、１は反応
容器であり、該反応容器１内には被成膜基板３を支持す
るサセプタ２が配置されている。なお、該サセプタ２の
内部には図示は省略するが、被成膜基板３を加熱するた
めのヒータを設けている。反応容器１の上部には被成膜
基板３に向けて原料ガスＧを噴出するガス供給ヘッド４
が設けられている。

【００１９】５は原料ガス供給手段であり、該原料ガス
供給手段５には原料ガスをガス供給ヘッド４側（Ｒｕｎ
側）に供給するための開閉弁６とベント（Ｖｅｎｔ）側
に供給するための開閉弁７が接続されている。該開閉弁
６と開閉弁７で原料ガスをガス供給ヘッド４側又はベン
ト側に切り換え供給する原料ガス供給制御手段を構成し
ている。８は反応容器１内に連通する排気口であり、該
排気口８は図示しない真空ポンプ等を具備する排気系に
接続され、反応容器１内の圧力を任意に制御できるよう
になっている。即ち、反応容器１は圧力制御可能な反応
容器である。

【００２０】サセプタ２はサセプタ昇降機構９により昇
降できるようになっている。また、該サセプタ昇降機構
９はダイヤフラム１０で反応容器１の外側に位置するよ
うに隔離されている。１１は被成膜基板３を反応容器１
内に出し入れするためのゲート弁１１であり、１２は被
成膜基板３を搬出入する基板搬出入機構である。

【００２１】従来の技術では、被成膜基板３を図１のＡ
位置、即ち、ガス供給ヘッド４から成膜に必要な流量の
原料ガスが到達する成膜位置に位置させ、原料ガス供給
手段５からの原料ガスをベント側からガス供給ヘッド４
側に切り換え（開閉弁６を開くと共に、開閉弁７を閉じ
る）、成膜を開始し、成膜の終了時には被成膜基板３を
図１のＡ位置に位置させたまま原料ガスをガス供給ヘッ
ド４側からベント側に切り換え（開閉弁６を閉じると共
に、開閉弁７を開く）ていた。

【００２２】本発明ではサセプタ２に支持された被成膜
基板３を昇降機構９により、図２のＢ位置、即ちガス供
給ヘッド４からの原料ガスＧが被成膜基板３に到達し難
い（殆ど到達しない）待機位置に配置し、原料ガス供給
手段５からの原料ガスをベント側からガス供給ヘッド４
側に切り換える（開閉弁６を開くと共に、開閉弁７を閉
じる）。その後、ガス供給ヘッドから噴出される原料ガ
スの濃度、速度が安定した状態になったら、昇降機構９
により被成膜基板３を図２の待機位置（Ｂ位置）から図
１の成膜位置（Ａ位置）に移動させて成膜を行う。

【００２３】また、成膜の終了時には、先ず、被成膜基
板３を図１の成膜位置（Ａ位置）から図２の待機位置
（Ｂ位置）に移動させ、その後、原料ガス供給手段５か
らの原料ガスをガス供給ヘッド４側からベント側に切り
換える（開閉弁６を閉じると共に、開閉弁７を開く）。
なお、反応容器１からの被成膜基板３の搬出入はゲート
弁１１を介して、基板搬出入機構１２によって行う。

【００２４】図３は本発明に係るＣＶＤ装置の他の構成
例を示す図であり、被成膜基板を待機位置に配置した状
態を示す。被成膜基板３が待機位置（Ｂ位置）にある
間、ガス供給ヘッド４からの原料ガスＧが被成膜基板３
上に到達することを極力抑制することが望ましい。その
ため、ここではサセプタ２の下方から不活性ガスＧ１を
導入する不活性ガス導入口１３を設け、サセプタ２の下
方から上方に向かって不活性ガスを流すことにより、被
成膜基板３上に下降しようとする原料ガスを上方に押
し、被成膜基板３上に到達する原料ガスＧを極力抑制し
ている。

【００２５】図４は本発明の成膜方法における成膜タイ
ムチャートを示す図であり、図５は従来の成膜方法にお
ける成膜タイムチャートを示す図である。本発明では図
４に示すように、時刻ｔ１で原料ガス供給手段５からの
原料ガスをベント（Ｖｅｎｔ）側からラン（Ｒｕｎ）側
に切り換え（即ち、開閉弁６を開き、開閉弁７を閉じ
る）た後、時刻ｔ２で被成膜基板３を待機位置（図２又
は図３のＢ位置）から成膜位置（図１のＡ位置）に移動
し、成膜をおこなう。成膜終了時は時刻ｔ３で被成膜基
板３を成膜位置から待機位置に移動し、その後時刻ｔ４
で原料ガス供給手段５からの原料ガスをラン側からベン
ト側に切り換え（即ち、開閉弁６を閉じ、開閉弁７を開
く）る。

【００２６】これに対して、従来の成膜方法では、図５
に示すように、被成膜基板を成膜位置（図１のＡ位置）
に配置し、時刻ｔ１で原料ガス供給手段からの原料ガス
をベント側からラン側に切り換えて成膜を行い、成膜終
了時は時刻ｔ２で原料ガスをラン側からベント側に切り
換えている。即ち、従来の成膜方法では、原料ガスをベ
ント側からラン側に切り換える際、ならびにラン側から
ベント側に戻す際、被成膜基板は成膜位置に配置された
ままである。

【００２７】図１に示す構成のＣＶＤ装置において、原
料ガス供給手段５より供給される原料ガスとして、強誘
電体キャパシタ膜（ＳｒＢｉ₂Ｔａ₂Ｏ₉）の原料である
Ｓｒ（ＤＰＭ）₂、ＢｉＰｈ₃、Ｔａ（ＯＥｔ）₅等をガ
ス化したものを用い、被成膜基板３の表面に強誘電体キ
ャパシタ膜としてＳｒＢｉ₂Ｔａ₂Ｏ₉膜を形成した。そ
して膜厚方向のＢｉ／Ｔａを調査した結果、基板界面か
ら最表面まで所望の略一定値を得た。ＳｒＢｉ₂Ｔａ₂Ｏ
₉膜において、Ｂｉ／Ｔａは強誘電性を得るために重要
な値であり、Ｂｉ／Ｔａが基板界面から最表面まで所望
の略一定値であるということは強誘電体キャパシタ膜と
して優れたものと言える。

【００２８】図６は本発明の成膜方法と従来の成膜方法
により形成したＳｒＢｉ₂Ｔａ₂Ｏ₉膜の膜厚方向の組成
比を示す図である。縦軸は膜組成比を横軸は膜厚方向位
置を示す。本発明の成膜方法による成膜の場合は、図６
の実線に示すように、基板界面から最表面まで略所望の
組成比（Ｂｉ／Ｔａ）で成膜されるのに対して、従来の
成膜方法による成膜の場合は、図６の破線に示すよう
に、基板界面及び最表面、特に基板界面近傍での膜組成
比（Ｂｉ／Ｔａ）が低下する。

【００２９】なお、上記例では強誘電体膜ＳｒＢｉ₂Ｔ
ａ₂Ｏ₉を形成する例を説明したが、本発明は、その他の
強誘電体膜Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃（ＰＺＴ）、（Ｂ
ｉ，Ｌａ）₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂（ＢＬＴ）、高誘電体膜（Ｂｉ，
Ｓｒ）ＴｉＯ₃（ＢＳＴ）、ＳｒＴｉＯ₃（ＳＴＯ）の形
成にも適用できることは当然である。

【００３０】

【発明の効果】以上、説明したように各請求項に記載の
発明によれば、下記のような優れた効果が得られる。

【００３１】請求項１に記載の発明によれば、被成膜基
板をガス供給ヘッドからの原料ガスが殆ど到達しない待
機位置及び成膜に必要な原料ガスが到達する成膜位置に
配置可能とするので、成膜しないときは、被成膜基板を
待機位置に配置し、成膜する時はガス供給ヘッドから噴
出される原料ガスの濃度、速度が安定した状態になった
時、被成膜基板を成膜位置に移動させることができ、ま
た成膜を終了する時はガス供給ヘッドから噴出される原
料ガスの濃度、速度が安定した状態で、被成膜基板を待
機位置に移動させることができるから、被成膜基板の基
板界面から最表面まで略所望の組成比の成膜が可能なＣ
ＶＤ装置を提供できる。

【００３２】請求項２に記載の発明によれば、サセプタ
昇降機構によりサセプタに支持された被成膜基板の位置
を待機位置及び成膜位置に配置することができるので、
上記のように被成膜基板の基板界面から最表面まで略所
望の組成比の成膜が可能なＣＶＤ装置を提供できる。

【００３３】請求項３に記載の発明によれば、成膜開始
時、被成膜基板を待機位置に待機させ、原料ガス供給制
御手段によりベント側に流していた原料ガスをガス供給
ヘッド側に切り換えた後、所定時間が経過したら、該被
成膜基板を成膜位置に配置し、所定時間成膜を行うの
で、ガス供給ヘッドから噴出される原料ガスの濃度、速
度が安定した状態で、被成膜基板に成膜することにな
り、被成膜基板の基板界面に略所望の組成比の成膜が可
能となる。

【００３４】請求項４に記載の発明によれば、成膜終了
時、被成膜基板を成膜位置から待機位置に移動させ、所
定時間を経てから原料ガス制御手段によりガス供給ヘッ
ド側に流れていた原料ガスをベント側に切り換えるの
で、ガス供給ヘッドから噴出される原料ガスの濃度、速
度が安定しているうちに被成膜基板を原料ガスの殆ど到
達しない待機位置に移動させることになり、ガス供給ヘ
ッド側に流れていた原料ガスをベント側に切り換えるこ
とによる原料ガスの濃度、速度が不安定になる影響を受
けることがなく、最表面近傍も略所望の組成比の成膜が
可能となる。

【００３５】請求項５に記載の発明によれば、成膜開始
時、被成膜基板を待機位置に待機させ、原料ガス供給制
御手段によりベント側に流していた原料ガスをガス供給
ヘッド側に切り換えた後、所定時間が経過したら、該被
成膜基板を成膜位置に配置し、所定時間成膜を行い、成
膜終了時、被成膜基板を成膜位置から待機位置に移動さ
せ、所定時間を経てから原料ガス制御手段によりガス供
給ヘッド側に流れていた原料ガスをベント側に切り換え
るので、上記請求項３及び４に記載の発明の両効果によ
り、被成膜基板の基板界面から最表面まで略所望の組成
比の成膜が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＣＶＤ装置の構成例を示す図であ
る。

【図２】本発明に係るＣＶＤ装置の構成例を示す図であ
る。

【図３】本発明に係るＣＶＤ装置の構成例を示す図であ
る。

【図４】本発明の成膜方法における成膜タイムチャート
を示す図である。

【図５】従来の成膜方法における成膜タイムチャートを
示す図である。

【図６】本発明の成膜方法と従来の成膜方法により形成
した膜の膜厚方向の組成比を示す図である。

【符号の説明】

１反応容器２サセプタ３被成膜基板４ガス供給ヘッド５原料ガス供給手段６開閉弁７開閉弁８排気口９昇降機構１０ダイヤフラム１１ゲート弁１２基板搬出入機構１３不活性ガス導入口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者塚本究東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内Ｆターム(参考） 4K030 AA11 BA01 BA04 BA17 BA42 CA04 EA03 FA10 GA02 GA04 KA49 LA15 5F045 AA04 AB31 AC08 AC09 AF10 BB05 CA05 DC63 DP03 EE18 EF20 EM10 5F058 BA11 BC03 BF02 BF22 BG04 BJ02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応容器と、該反応容器に配置され被成
膜基板を支持するサセプタと、該サセプタに対向して配
置され被成膜基板に原料ガスを供給するガス供給ヘッド
と、原料ガス供給手段からの原料ガスを該ガス供給ヘッ
ド側とベント側に切り換え供給する原料ガス供給制御手
段を具備するＣＶＤ装置において、前記被成膜基板を前記ガス供給ヘッドからの原料ガスが
殆ど到達しない待機位置及び成膜に必要な原料ガスが到
達する成膜位置に配置可能とすることを特徴とするＣＶ
Ｄ装置。
【請求項２】請求項１に記載のＣＶＤ装置において、前記サセプタを昇降させるサセプタ昇降機構を具備し、
該サセプタ昇降機構により前記サセプタに支持された被
成膜基板の位置を前記待機位置及び成膜位置に配置する
ことを特徴とするＣＶＤ装置。
【請求項３】反応容器と、該反応容器に配置され被成
膜基板を支持するサセプタと、該サセプタに対向して配
置され被成膜基板に原料ガスを供給するガス供給ヘッド
と、原料ガス供給手段からの原料ガスを該ガス供給ヘッ
ド側とベント側へ切り換え供給する原料ガス供給制御手
段を具備するＣＶＤ装置の成膜方法であって成膜開始
時、前記被成膜基板を待機位置に待機させ、前記原料ガ
ス供給制御手段により前記ベント側に流していた原料ガ
スを前記ガス供給ヘッド側に切り換えた後、所定時間が
経過したら、該被成膜基板を成膜位置に配置し、所定時
間成膜を行うことを特徴とするＣＶＤ装置の成膜方法。
【請求項４】反応容器と、該反応容器に配置され被成
膜基板を支持するサセプタと、該サセプタに対向して配
置され被成膜基板に原料ガスを供給するガス供給ヘッド
と、原料ガス供給手段からの原料ガスを該ガス供給ヘッ
ド側とベント側へ切り換え供給する原料ガス供給制御手
段を具備するＣＶＤ装置の成膜方法であって成膜終了
時、前記被成膜基板を前記成膜位置から前記待機位置に
移動させ、所定時間を経てから前記原料ガス制御手段に
より前記ガス供給ヘッド側に流れていた原料ガスをベン
ト側に切り換えることを特徴とするＣＶＤ装置の成膜方
法。
【請求項５】反応容器と、該反応容器に配置され被成
膜基板を支持するサセプタと、該サセプタに対向して配
置され被成膜基板に原料ガスを供給するガス供給ヘッド
と、原料ガス供給手段からの原料ガスを該ガス供給ヘッ
ド側とベント側へ切り換え供給する原料ガス供給制御手
段を具備するＣＶＤ装置の成膜方法であって成膜開始
時、前記被成膜基板を待機位置に待機させ、前記原料ガ
ス供給制御手段により前記ベント側に流していた原料ガ
スを前記ガス供給ヘッド側に切り換えた後、所定時間が
経過したら、該被成膜基板を成膜位置に配置し、所定時
間成膜を行い、成膜終了時、前記被成膜基板を前記成膜位置から前記待
機位置に移動させ、所定時間を経てから前記原料ガス制
御手段により前記ガス供給ヘッド側に流れていた原料ガ
スをベント側に切り換えることを特徴とするＣＶＤ装置
の成膜方法。