JP2002093782A - エッチング処理装置及びその加熱方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 半導体素子にエッチング等の処理を施す際、
エッチング速度を常に一定の値に維持する方法の中で、
特にエッチング処理装置の加熱方法にかかり、被加熱材
料であるエッチング処理室の内壁を効率良く高温に加熱
するエッチング処理装置及びその加熱方法を提供するこ
とにある。 【解決手段】 ウエハ５にエッチング等のプラズマ処理
を行う際、エッチング等の処理を行う前にエッチングチ
ャンバ８内の石英板（２）１３を、エッチングチャンバ
８の真空外に配置した加熱用ランプ１０によって、１０
０℃以上に加熱する処理を行う。この処理によって、ロ
ット内におけるエッチング初期のエッチング速度の低下
を防止することが可能となり、エッチング速度の変動が
少ない装置を提供することが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はウエハの表面処理装
置にかかわり、特にプラズマを用いてエッチング等の処
理を行なうのに適したエッチング処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体素子の表面を処理する
手段として、半導体素子をプラズマ中でエッチングする
装置が知られている。ここでは、ＥＣＲ(電子サイクロ
トロン共鳴)方式と呼ばれる装置を例に、従来技術を説
明する。この方式では、外部より磁場を印加した処理室
中で電磁波によりプラズマを発生する。磁場により電子
はサイクロトロン運動し、この周波数と電磁波の周波数
を共鳴させることで効率良くプラズマを発生できる。半
導体素子等のウエハに入射するイオンを加速するため
に、ウエハには高周波電圧が印加される。また、プラズ
マとなるプロセスガスには塩素やフッ素などのハロゲン
ガスが使用されている。

【０００３】このような従来のエッチング装置におい
て、半導体素子用ウエハの１ロット（２５枚）のエッチ
ング処理を行う場合、処理ウエハのエッチング速度の変
化を測定すると、ロット初期のエッチングではロット後
期のエッチングと比較してエッチング速度が大きくなる
という問題が発生していた。この原因は、エッチング処
理室の温度がエッチング初期に低いためである。このよ
うな状況のもと、従来のエッチング装置ではロット内の
エッチング速度の変動を低減するため、実際の配線パタ
ーンのウエハを処理する前にダミー放電を行い、エッチ
ング処理室の温度を上昇する方法が用いられていた。し
かし、温度を上昇するための時間を要するという問題が
発生していた。また、エッチング処理室全体を加熱して
一定の温度に保持する方法も用いられていたが、この方
法では容器全体を均一に加熱しなければならないため、
加熱効率が悪く消費電力も大きいという問題があった。

【０００４】エッチング処理室内の部品を加熱するとい
う方法に関し、ランプヒーターを用いて基板を加熱する
方法として基板加熱装置（特開平１０−５６０８号公
報）、急速加熱装置及び方法（特公平６−９３４４０号
公報）および真空処理装置（特願平９−２４１１８５号
公報）がある。しかし、これらの装置で用いられている
加熱方法はランプで被加熱材料を直接加熱する方式であ
り、ランプヒータから照射される光の吸収効率の良い材
料を被加熱材料に接触もしくは接着して加熱するという
方法ではない。その結果、エッチング処理室のプラズマ
に接する真空容器内壁を効率的に加熱することが困難で
あり、加熱に使用するランプの出力を大きくしなければ
ならないという問題が発生していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】真空中の被加熱物を加
熱する際、真空室外部の加熱源に抵抗加熱用のヒーター
を使用して行う方法は困難である。さらにランプヒータ
ーで行う場合、真空処理室全体を加熱するだけの大出力
が必要である。真空処理容器全体を加熱する場合は、効
率良く加熱することが出来ないため、加熱時間の短縮も
困難である。また、ハロゲンランプ等の光で被加熱材料
のみを加熱する場合、石英では光が透過しアルミナ等の
セラミックスでは光が反射してしまう。その結果、被加
熱物のみを効率良く加熱することは困難であり、加熱す
るためには大出力のランプヒーターを要することにな
る。

【０００６】本発明の目的は、特にエッチング処理室の
プラズマに接する内表面の加熱方法にかかるものであ
り、エッチング処理室内の被加熱材料を効率良く高温に
加熱するエッチング処理装置及びその加熱方法を提供す
ることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】エッチング装置の処理室
内に配置している被加熱物の加熱方法には、従来からシ
ースヒーターやランプヒーターが使用され、装置全体を
加熱することで高温に保持するように設計されており、
大電力を要していた。また、ランプヒーターで処理室内
部の被加熱物を加熱する際は、ランプの光が石英の窓を
通過するように設計されており、石英を加熱する構造に
はなっていなかった。すなわち、石英はランプから照射
される光を透過し、なるべく加熱されないことがランプ
ヒーターを用いた加熱装置の特徴であった。エッチング
装置の処理室に関しては、処理室内面に石英やアルミナ
等のセラミックスを使用した装置が多く、処理室内壁を
加熱する際は大出力のランプヒーターが必要である。

【０００８】本発明のエッチング処理装置及びその加熱
方法では、例えばエッチング処理を行う際に生成するプ
ラズマと接する内壁が、石英やアルミナ等のセラミック
スからなるエッチング処理室に、ランプヒータから照射
される光の吸収効率の良い材料を接触もしくは接着す
る。これによって、ランプヒーターからの光の吸収効率
の良い材料に吸収させることで、熱伝導もしくは熱ふく
射によって石英やアルミナ等のセラミックスからなるエ
ッチング処理室のプラズマに接する内壁を加熱すること
が出来る。また、石英やアルミナ等のセラミックスより
ランプヒータから照射される光の吸収効率の良い材料
は、直接プラズマに接することがないため、プラズマに
よる材料の劣化を心配する必要がない。さらに、ランプ
ヒーターはエッチング処理室外部の大気中に配置するこ
とが可能であるため、ランプヒーターの劣化等が発生し
ても交換等で対処することが容易である。

【０００９】本発明によれば、エッチング処理室の内壁
である石英やアルミナ等のアルミナ等のセラミックスを
容易に高温に加熱することが可能である。その結果、ロ
ット内のエッチング速度の変動を低減することが出来る
ため、ダミー放電でエッチング処理室の温度を上昇する
という工程を省略することが可能である。また、エッチ
ング処理室の温度を上昇するために大出力のランプヒー
ターを長時間使用することもなく、効率的にエッチング
処理室内壁を加熱することが可能である。これによっ
て、ロット内のエッチング速度の変動を低減することが
でき、エッチング処理を行う最初のウエハから、一定の
エッチング速度で処理することが可能であり、エッチン
グ処理の生産性を向上することが出来る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図により
説明する。最初に、図１により、エッチング装置を説明
する。図１において、高周波電源１において発せられた
高周波は導波管２に伝送されマッチングボックス１８、
アンテナ２１を介してエッチングチャンバ８に供給され
る。一方、エッチングチャンバ８には、ガス供給系４を
介してハロゲンなどのエッチングガスが導入され、高周
波の導入に伴いこのガスのプラズマ９が発生する。ここ
で発生したプラズマ９により、エッチング電極６上のウ
エハ５に所定のエッチング処理を施すことが出来る。な
お、石英板７の材質は、石英以外にもセラミックスなど
マイクロ波(電磁波)を透過する材料でも代用することが
可能である。

【００１１】エッチングチャンバ８の回りには、磁場コ
イル３が設置されている。磁場コイル３により発生する
磁場強度により、エッチングチャンバ８内には電磁波の
周波数と共鳴を起こすような磁場強度の領域を生成する
ことが出来る。この磁場強度で、プラズマ中の電子のサ
イクロトロン運動が電磁波の周波数と共鳴するため、効
率よく高周波のエネルギーをプラズマに供給することが
可能となり、エッチングチャンバ８に高密度のプラズマ
が生成する。

【００１２】エッチング等の処理を施すウエハ５は、エ
ッチング電極６の上に設置される。ウエハ５に入射する
イオンを加速するために、高周波電源であるＲＦ（Radi
o Frequency)バイアス電源が、エッチング電極６に接続
されている。これによって、エッチングチャンバ８に生
成したプラズマをウエハ５に引き込むことで、エッチン
グ電極６上のウエハ５をエッチングすることが可能とな
り、所望の配線パターンをエッチングすることが出来
る。

【００１３】このエッチング装置でウエハにエッチング
処理を行う場合、エッチングチャンバ８が冷えている時
のエッチング速度と、エッチングチャンバ８に生成した
プラズマ９によって加熱された時のエッチング速度は大
きく異なる。特に、エッチングチャンバ８内の石英板７
の温度によってウエハ５のエッチング速度は大きく異な
る。従って、ウエハ５のエッチング速度を均一にする目
的で、エッチングチャンバ８内の石英板７の温度を高温
で一定に保持することが重要である。すなわち、プラズ
マの生成条件によっても異なるが、実際の配線パターン
のウエハをエッチング処理する前に、ウエハ５〜６枚分
の時間の予備プラズマ処理を行い、生成したプラズマか
らの入熱によりエッチングチャンバ８内の石英板７の温
度を上昇することが必要である。その結果、ウエハ５を
エッチング処理する時間とは別にエッチングチャンバ８
内の石英板７の予備加熱に要する時間が必要となる。

【００１４】次に、本発明の第１の実施例を説明する。
図２は、本発明を適用したプラズマエッチング装置の高
周波導入部の図である。図において、エッチングチャン
バ８内の石英板（２）１３の加熱に加熱用ランプ１０を
用いた例である。加熱用ランプ１０から発せられた光は
ランプ窓１１、石英板７を通過して加熱板１２に到達す
る。加熱板１２はセラミックス（アルミナ）もしくは耐
熱樹脂等の高分子材料から構成されており、加熱用ラン
プ１０から発せられた光は加熱板１２で遮蔽され、光の
エネルギーは加熱板１２に効率良く吸収される。その結
果、加熱用ランプ１０から照射された光によって、加熱
板１２を高温に加熱することが可能である。高温に加熱
された加熱板１２において、加熱用ランプ１０より供給
された熱は加熱板１２内を熱伝導で伝搬し、加熱板１２
全体を高温に加熱し維持することが出来る。その結果、
加熱用ランプ１０から発せられた光により加熱板１２が
加熱されることで、加熱板１２に接触している石英板
（２）１３は熱伝導や熱ふく射によって均一に加熱する
ことが出来る。これらの効果により、エッチングチャン
バ８の石英板（２）１３を高温に加熱することが可能と
なる。その結果、ウエハにエッチング等の処理を施す前
に加熱処理を行うことで、エッチングチャンバ８の石英
板（２）１３を予備加熱しなくても、エッチング処理を
行う最初の１枚目のウエハから一定のエッチング速度で
処理を行うことが出来る。

【００１５】図３は本発明の第２の実施例である。図に
おいて、加熱板１２は石英板（２）１３に接着してお
り、加熱板１２と石英板（２）１３の間の熱伝達は、第
１の実施例よりも効率良くなっている。加熱用ランプ１
０から発せられた光はランプ窓１１、石英板７を通過し
て加熱板１２に到達する。加熱板１２はセラミックス
（アルミナ）もしくは耐熱樹脂等の高分子材料から構成
されており、加熱用ランプ１０から発せられた光は加熱
板１２で遮蔽され、光はこれ以上進行しない構造になっ
ている。加熱板１２は光を遮光するため、加熱用ランプ
１０から照射された光によって、加熱板１２は効率良く
加熱することが可能である。加熱用ランプ１０より供給
された熱は加熱板１２内を熱伝導で伝搬し、加熱板１２
全体を高温に加熱し維持することが出来る。その結果、
加熱用ランプ１０から発せられた光により加熱板１２が
加熱されることで、加熱板１２に接着している石英板
（２）１３は熱伝導によって均一に加熱される。これら
の効果により、エッチングチャンバ８の石英板（２）１
３を高温に加熱することが可能となる。その結果、ウエ
ハにエッチング等の処理を施す際、エッチングチャンバ
８の石英板（２）１３を予備加熱しなくても、エッチン
グ処理を行う最初の１枚目のウエハから一定のエッチン
グ速度で処理を行うことが出来る。

【００１６】図４は本発明の第３の実施例である。図に
おいて、加熱板１２と石英板（２）１３の間の、石英板
（２）１３に高ふく射率材１９を接着することで、加熱
板１２から石英板（２）１３への熱伝達は、第１の実施
例よりも効率良くすることが出来る。加熱用ランプ１０
から発せられた光はランプ窓１１、石英板７を通過して
加熱板１２に到達する。加熱板１２はセラミックス（ア
ルミナ）もしくは耐熱樹脂等の高分子材料から構成され
ており、加熱用ランプ１０から発せられた光は加熱板１
２で遮蔽され、光はこれ以上進行しない構造になってい
る。加熱板１２は光を遮光するため、加熱用ランプ１０
から照射された光によって、加熱板１２は効率良く加熱
することが可能である。加熱用ランプ１０より供給され
た熱は加熱板１２内を熱伝導で伝搬し、加熱板１２全体
を高温に加熱し維持することが出来る。その結果、加熱
用ランプ１０から発せられた光により加熱板１２が加熱
されることで、加熱板１２に接触している石英板（２）
１３の表面の高ふく射率材１９は熱伝導や熱ふく射によ
って均一に加熱される。これらの効果により、エッチン
グチャンバ８の石英板（２）１３を高温に加熱すること
が可能となる。その結果、ウエハにエッチング等の処理
を施す際、エッチングチャンバ８の石英板（２）１３を
予備加熱しなくても、エッチング処理を行う最初の１枚
目のウエハから一定のエッチング速度で処理を行うこと
が出来る。

【００１７】図５は本発明の第４の実施例である。図に
おいて、エッチング処理室内のプラズマに接する表面に
セラミックス板２０を使用した例であり、加熱板１２は
セラミックス板２０に接触している。また、セラミック
ス２０の熱吸収効率は石英より大きい（セラミックスの
ふく射率が石英より大きい）ため、加熱板１２からセラ
ミックス板２０への熱伝達は、第１の実施例よりも効率
良くなっている。加熱用ランプ１０から発せられた光
は、ランプ窓１１、石英板７を通過して加熱板１２に到
達する。加熱板１２に入射した光は熱に変換され、加熱
板１２は効率良く加熱することが可能である。加熱用ラ
ンプ１０より供給された熱は加熱板１２内を熱伝導で伝
搬し、加熱板１２全体を高温に加熱し維持することが出
来る。その結果、加熱用ランプ１０から発せられた光に
より加熱板１２が加熱されることで、加熱板１２に接触
しているセラミックス板２０は熱伝導もしくは熱ふく射
によって均一に加熱される。これらの効果により、エッ
チングチャンバ８の石英板（２）１３を高温に加熱する
ことが可能となる。その結果、ウエハにエッチング等の
処理を施す際、エッチングチャンバ８の石英板（２）１
３を予備加熱しなくても、エッチング処理を行う最初の
１枚目のウエハから一定のエッチング速度で処理を行う
ことが出来る。

【００１８】図６は本発明の第５の実施例である。図に
おいて、加熱板１２はセラミックス板２０に接着してい
る。加熱板１２とセラミックス板２０の間の熱伝達は、
第４の実施例よりも効率良くなっている。加熱用ランプ
１０から発せられた光はランプ窓１１、石英板７を通過
して加熱板１２に到達する。加熱板１２に入射した光は
熱に変換され、加熱板１２は効率良く加熱することが可
能である。加熱用ランプ１０より供給された熱は加熱板
１２内を熱伝導で伝搬し、加熱板１２全体を高温に加熱
し維持することが出来る。その結果、加熱用ランプ１０
から発せられた光により加熱板１２が加熱されること
で、加熱板１２に接着しているセラミックス板２０は熱
伝導によって均一に加熱される。これらの効果により、
エッチングチャンバ８の石英板（２）１３を高温に加熱
することが可能となる。その結果、ウエハにエッチング
等の処理を施す際、エッチングチャンバ８の石英板
（２）１３を予備加熱しなくても、エッチング処理を行
う最初の１枚目のウエハから一定のエッチング速度で処
理を行うことが出来る。

【００１９】図７は本発明の第６の実施例である。図に
おいて、加熱板１２とセラミックス板２０の間の、セラ
ミックス板２０にセラミックスよりふく射率の高い耐熱
樹脂（高分子材料）や溶射膜から成る高ふく射率材１９
を接着することで、加熱板１２とセラミックス板２０の
間の熱伝達は、第４の実施例よりも効率良くなってい
る。加熱用ランプ１０から発せられた光はランプ窓１
１、石英板７を通過して加熱板１２に到達する。加熱板
１２に入射した光は熱に変換され、加熱板１２は効率良
く加熱することが可能である。加熱用ランプ１０より供
給された熱は加熱板１２内を熱伝導で伝搬し、加熱板１
２全体を高温に加熱し維持することが出来る。その結
果、加熱用ランプ１０から発せられた光により加熱板１
２が加熱されることで、加熱板１２に接触しているセラ
ミックス板２０の表面の高ふく射率材１９は熱伝導や熱
ふく射によって均一に加熱される。これらの効果によ
り、エッチングチャンバ８のセラミックス板２０を高温
に加熱することが可能となる。その結果、ウエハにエッ
チング等の処理を施す際、エッチングチャンバ８のセラ
ミックス板２０を予備加熱しなくても、エッチング処理
を行う最初の１枚目のウエハから一定のエッチング速度
で処理を行うことが出来る。

【００２０】図８は本発明の第７の実施例である。図は
第４の実施例における加熱板１２を除去してセラミック
ス板２０に加熱板の効果も与えた例である。これによ
り、加熱用ランプ１０から発せられた光はランプ窓１
１、石英板７を通過してセラミックス板２０に到達す
る。加熱板１２に入射した光は熱に変換され、加熱板１
２は効率良く加熱することが可能である。加熱用ランプ
１０より供給された熱は加熱板１２内を熱伝導で伝搬
し、加熱板１２全体を高温に加熱し維持することが出来
る。これにより、エッチングチャンバ８のセラミックス
板２０を高温に加熱することが可能となる。その結果、
ウエハにエッチング等の処理を施す際、エッチングチャ
ンバ８のセラミックス板２０を予備加熱しなくても、エ
ッチング処理を行う最初の１枚目のウエハから一定のエ
ッチング速度で処理を行うことが出来る。

【００２１】図９は本発明の第８の実施例である。この
場合、加熱板（２）１４はランプ直下にのみ配置してい
るため、石英板（２）１３の外周部を効率的に加熱する
ことが出来る。特に、エッチングチャンバ８内にプラズ
マ９が生成した場合、石英板（２）１３の中央部はプラ
ズマによって加熱することが出来るが、石英板（２）１
３の外周部はプラズマ９によって効率的に加熱すること
が出来ない。本発明の加熱構造とすることで、石英板の
外周部を予め加熱することが可能となり、石英板全体を
効率的に加熱することが可能となる。

【００２２】図１０は本発明の第９の実施例である。こ
の場合、加熱板（２）１４はランプ直下にのみ配置して
いるため、石英板（３）１５の外周部を効率的に加熱す
ることが出来る。また、石英板（３）１５もエッチング
チャンバ８の外周部にのみ配置しており、ランプ直下の
石英板（２）１３を効率的に加熱することが出来る。特
に、エッチングチャンバ８内にプラズマ９が生成した場
合、中央部はプラズマによって加熱することが出来る
が、石英板（２）１３の外周部はプラズマ９によって効
率的に加熱することが出来ない。本発明の加熱構造とす
ることで、石英板（２）１３の外周部を予め加熱するこ
とが可能となる。

【００２３】図１１に本発明の加熱方法で石英板を加熱
した時の、石英板中央部と外周部の加熱特性を示す。途
中に加熱効率の良い加熱板を配置しない場合、ランプか
ら発せられる光はエッチング処理室内に減衰することな
く入射するため、石英板を加熱することは困難である。
ランプの光がエッチング処理室に入射する途中に加熱板
を設置した場合加熱開始後、加熱板に吸収された熱が石
英板に熱伝導や熱ふく射によって伝搬することにより、
約２０分で１００℃以上に加熱することが出来る。この
ランプヒータによる加熱処理をエッチング前に行うこと
で、実際の半導体デバイスを製作するプロセスにおいて
は、プラズマによるウエハを使用した予備加熱を行わな
いでエッチング処理を行っても、ロット内におけるエッ
チング速度の低下は起こらない。その結果、エッチング
処理の生産性を向上することが出来る。

【００２４】このランプヒーターを用いた加熱方法は、
他のプラズマ処理装置（ＣＶＤ装置、スパッタ装置及び
アッシング装置）に使用しても同様の効果を得ることが
可能である。

【００２５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によればエッ
チング処理室の温度を効率的に加熱することが可能とな
り、ロット内のエッチング速度の変動が少ない装置を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例になるエッチング処理装置の構
成図。

【図２】本発明の第１の実施例になるエッチング装置の
構成図。

【図３】本発明の第２の実施例になるエッチング装置の
構成図。

【図４】本発明の第３の実施例になるエッチング装置の
構成図。

【図５】本発明の第４の実施例になるエッチング装置の
構成図。

【図６】本発明の第５の実施例になるエッチング装置の
構成図。

【図７】本発明の第６の実施例になるエッチング装置の
構成図。

【図８】本発明の第７の実施例になるエッチング装置の
構成図。

【図９】本発明の第８の実施例になるエッチング装置の
構成図。

【図１０】本発明の第９の実施例になるエッチング装置
の構成図。

【図１１】本発明の実施例になる石英板の加熱特性。

【符号の説明】

１ 高周波電源 ２ 導波管 ３ 磁場コイル ４ ガス供給系 ５ ウエハ ６ エッチング電極 ７ 石英板 ８ エッチングチャンバ ９ プラズマ １０ 加熱用ランプ １１ ランプ窓 １２ 加熱板 １３ 石英板（２） １４ 加熱板（２） １５ 石英板（３） １７ 誘電体 １８ マッチングボックス １９ 高ふく射率材 ２０ セラミックス板 ２１ アンテナ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三谷 克彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者 縄田 誠 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者 高橋 主人 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者 増田 俊夫 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 Ｆターム(参考） 4K057 DA19 DB06 DD01 DM03 DM29 DM39 DN01 5F004 AA16 BA14 BB29 BB32 CA06

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマ発生装置と、減圧可能な真空容
   器と、真空容器にガスを供給するガス供給装置と、プラ
   ズマ処理を施すウエハを保持するウエハ台と、ウエハ台
   上に支持されたウエハに高周波を印加する装置と、真空
   排気装置より成るエッチング処理装置において、エッチ
   ング処理室のプラズマに接する内表面を、エッチング処
   理室外部に配置したランプヒーターを熱源として加熱す
   ることを特徴とするエッチング処理装置。
2. 【請求項２】 エッチング処理装置において、エッチン
   グ処理室のプラズマに接する内表面の温度を、エッチン
   グ等の処理を行う前に、エッチング処理室外部に配置し
   たランプヒーターにより、１００℃以上に加熱すること
   を特徴とする請求項１記載のエッチング処理装置。
3. 【請求項３】 エッチング処理室のプラズマに接する真
   空容器内壁が石英で構成されているエッチング処理装置
   において、ランプヒータから照射される光の吸収効率の
   良い材料を、エッチング処理室内壁の石英と接触し、光
   の吸収効率の良い材料から熱伝導や熱ふく射によって、
   エッチング処理室内壁材の石英のプラズマに接する内表
   面を加熱することを可能とする請求項２記載のエッチン
   グ処理装置。
4. 【請求項４】 エッチング処理室内壁材の石英に接蝕す
   る加熱板に、ランプヒータから照射される光の吸収効率
   の良い材料にアルミナ等のセラミックスを使用し、アル
   ミナ等のセラミックスを加熱することにより、熱伝導や
   熱ふく射によってエッチング処理室内壁材の石英のプラ
   ズマに接する内表面を加熱することを可能とする請求項
   ３記載のエッチング処理装置。
5. 【請求項５】 エッチング処理室内壁材の石英に接蝕す
   る加熱板に、ランプヒータから照射される光の吸収効率
   の良い材料に耐熱樹脂等の高分子材料を使用し、耐熱樹
   脂等の高分子材料を加熱することにより、熱伝導や熱ふ
   く射によってエッチング処理室内壁材の石英のプラズマ
   に接する内表面を加熱することを可能とする請求項３記
   載のエッチング処理装置。
6. 【請求項６】 エッチング処理室内壁材の石英に、ラン
   プヒータから照射される光の吸収効率の良い材料である
   アルミナ等のセラミックスもしくは高分子材料を接着
   し、アルミナ等のセラミックスもしくは耐熱樹脂等の高
   分子材料を加熱することにより、熱伝導によってエッチ
   ング処理室内壁材の石英のプラズマに接する内表面を加
   熱することを可能とする請求項３記載のエッチング処理
   装置。
7. 【請求項７】 エッチング処理室内壁材のプラズマに接
   する内表面が、アルミナ等のセラミックスで構成されて
   いるエッチング処理装置において、アルミナ等のセラミ
   ックスのプラズマに接しない面を、ランプヒータから照
   射される光の吸収効率の良いアルミナ等のセラミックス
   もしくは耐熱樹脂等の高分子材料と接触し、ランプヒー
   タから照射される光の吸収効率の良い材料を加熱するこ
   とにより、熱伝導や熱ふく射によってエッチング処理室
   内壁材のアルミナ等のセラミックスの、プラズマに接す
   る内表面を加熱することを可能とする請求項２記載のエ
   ッチング処理装置。
8. 【請求項８】 エッチング処理室内壁材のプラズマに接
   する内表面が、アルミナ等のセラミックスで構成されて
   いるエッチング処理装置において、アルミナ等のセラミ
   ックスのプラズマに接しない面を、ランプヒータから照
   射される光の吸収効率の良いアルミナ等のセラミックス
   もしくは耐熱樹脂等の高分子材料と接着し、ランプヒー
   タから照射される光の吸収効率の良い材料を加熱するこ
   とにより、熱伝導によってエッチング処理室内壁材のア
   ルミナ等のセラミックスの、プラズマに接する内表面を
   加熱することを可能とする請求項７記載のエッチング処
   理装置。
9. 【請求項９】 プラズマ発生装置と、減圧可能な真空容
   器と、真空容器にガスを供給するガス供給装置と、プラ
   ズマ処理を施すウエハを保持するウエハ台と、ウエハ台
   上に支持されたウエハに高周波を印加する装置と、真空
   排気装置より成るエッチング処理装置の加熱方法におい
   て、エッチング処理室のプラズマに接する内表面の温度
   を、エッチング等の処理を行う前に、エッチング処理室
   外部に配置したランプヒーターにより、１００℃以上に
   加熱することを特徴とするエッチング処理装置の加熱方
   法。