JP2002093767A - Single wafer cleaning equipment - Google Patents

Single wafer cleaning equipment

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JP2002093767A
JP2002093767A JP2000278069A JP2000278069A JP2002093767A JP 2002093767 A JP2002093767 A JP 2002093767A JP 2000278069 A JP2000278069 A JP 2000278069A JP 2000278069 A JP2000278069 A JP 2000278069A JP 2002093767 A JP2002093767 A JP 2002093767A
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JP
Japan
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wafer
stage
magnet
chamber
center
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000278069A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Okuuchi
茂 奥内
Shigenari Yanagi
繁成 柳
Kazunari Takaishi
和成 高石
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Mitsubishi Materials Silicon Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent contamination with particles caused by rotation. SOLUTION: The single wafer cleaning equipment comprises a disc stage 13 disposed rotatably in horizontal state in a chamber 11 and holding a single wafer 12 on the upper surface thereof, and a nozzle 14 for supplying cleaning liquid onto the surface of the wafer wherein the wafer is cleaned by spreading the cleaning liquid over the entire surface of the wafer with centrifugal force. In this equipment, a bottom plate 11a is formed of a nonmagnetic material, a first central magnet 13a is disposed in the center of the bottom face of the stage, and a plurality of first circumferential magnets 13b are disposed at the circumference of the bottom face. A second central magnet 11b having the same tip polarity as that of the first central magnet is bonded to the upper surface of the bottom plate facing the first central magnet, a drive disc 16 having the same center of rotation as the stage is provided on the outside of the chamber, a plurality of second circumferential magnets 16a having a tip polarity different from that of the first circumferential magnet are provided oppositely to the first circumferential magnets on the upper surface of the disc, and a rotary shaft 17 is bonded to the center of the disc.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
の表面洗浄に用いられる枚葉式ウェーハ洗浄装置に関す
る。更に詳しくは、装置の駆動を起因とする発塵を生じ
させない枚葉式ウェーハ洗浄装置に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a single wafer type wafer cleaning apparatus used for cleaning the surface of a silicon wafer. More specifically, the present invention relates to a single-wafer cleaning apparatus that does not generate dust due to driving of the apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコンウェーハの製造における基本工
程は200以上にもなり、そのうち洗浄工程数は約1/
3を占める。鏡面研磨ウェーハ加工後、酸化、不純物拡
散、イオンインプランテーション、CVD、リソグラフ
ィーなど多くのプロセスの前後にはウェーハ表面から不
純物や微粒子を除去するための洗浄が行われる。そのた
め各工程前後に最も適した洗浄法がそれぞれ開発されて
いる。洗浄は一般的に、化学的洗浄(Chemical Cleanin
g)と機械的洗浄(Mechanical Cleaning)に大別され、
化学的洗浄は洗浄液を用いる湿式洗浄(ウェットクリー
ニング、Wet Cleaning)と洗浄ガスを用いる乾式洗浄
(ドライクリーニング、Dry Cleaning)に大別される。
2. Description of the Related Art The number of basic steps in the production of silicon wafers is over 200, of which the number of cleaning steps is about 1 /.
Occupies three. After the mirror-polished wafer processing, cleaning for removing impurities and fine particles from the wafer surface is performed before and after many processes such as oxidation, impurity diffusion, ion implantation, CVD, and lithography. Therefore, the most suitable cleaning methods before and after each step have been developed. Cleaning generally involves chemical cleaning (Chemical Cleanin
g) and Mechanical Cleaning.
Chemical cleaning is roughly classified into wet cleaning (wet cleaning) using a cleaning solution and dry cleaning (dry cleaning) using a cleaning gas.

【0003】そのうち、湿式洗浄を用いて洗浄効果を高
める1つの方策としてシリコンウェーハを一枚ごとに洗
浄する枚葉式による洗浄装置が提案されている。枚葉式
ウェーハ洗浄装置の概略図を図4に示す。この装置で
は、チャンバ1の底板から所定の間隔をあけたチャンバ
1内部に円板状ステージ3が水平状態で回転可能に設け
られる。この円板状ステージ3は上面に単一のウェーハ
2を保持する。円板状ステージ3上方にはウェーハ2表
面に洗浄液を供給するノズル4が設けられる。ノズル4
はアーム4aを介して洗浄液供給装置に接続される。チ
ャンバ1外部には回転軸6が設けられる。回転軸6はチ
ャンバ1の底板を貫通してステージ3底面中心に固着さ
れる。回転軸6が貫通したチャンバ1の底板の貫通部は
シール部7によりシールされる。
[0003] Among them, a single-wafer type cleaning apparatus for cleaning silicon wafers one by one has been proposed as one measure for improving the cleaning effect by using wet cleaning. FIG. 4 is a schematic diagram of a single wafer cleaning apparatus. In this apparatus, a disk-shaped stage 3 is rotatably provided in a horizontal state inside the chamber 1 at a predetermined distance from the bottom plate of the chamber 1. This disk-shaped stage 3 holds a single wafer 2 on the upper surface. A nozzle 4 for supplying a cleaning liquid to the surface of the wafer 2 is provided above the disk-shaped stage 3. Nozzle 4
Is connected to the cleaning liquid supply device via the arm 4a. A rotating shaft 6 is provided outside the chamber 1. The rotating shaft 6 passes through the bottom plate of the chamber 1 and is fixed to the center of the bottom surface of the stage 3. The through portion of the bottom plate of the chamber 1 through which the rotating shaft 6 has passed is sealed by a seal portion 7.

【0004】このように構成された装置では、チャンバ
1外部に設けられた回転軸6を駆動することにより、シ
ール部7を介してチャンバ1内部のステージ3を水平に
回転させ、ノズル4よりウェーハ2表面に洗浄液を供給
し、この洗浄液をステージ3の回転により生じた遠心力
によりウェーハ2表面全体に均一に行渡らせてウェーハ
を洗浄する。上記枚葉式ウェーハ洗浄装置を用いること
により、複数枚のウェーハを同時に洗浄する装置に比べ
て、洗浄むらを生じない極めて効果的な洗浄ができる。
In the apparatus configured as described above, the stage 3 inside the chamber 1 is horizontally rotated via the seal portion 7 by driving the rotating shaft 6 provided outside the chamber 1, and the wafer 4 is The cleaning liquid is supplied to the surface of the wafer 2 and the cleaning liquid is uniformly spread over the entire surface of the wafer 2 by the centrifugal force generated by the rotation of the stage 3 to clean the wafer. By using the above-mentioned single wafer cleaning apparatus, it is possible to perform extremely effective cleaning without causing cleaning unevenness, as compared with an apparatus for simultaneously cleaning a plurality of wafers.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の枚
葉式ウェーハ洗浄装置では、回転軸とステージとがシー
ル部を介してチャンバの底板を貫通して接続されている
ため、回転軸の駆動により、シール部よりチャンバ内に
パーティクル等の汚染が侵入してウェーハを汚染する問
題があった。本発明の目的は、回転を起因とするパーテ
ィクル等の汚染を防止し得る枚葉式ウェーハ洗浄装置を
提供することにある。
However, in the above-described conventional single wafer type wafer cleaning apparatus, the rotating shaft and the stage are connected through the bottom plate of the chamber through the seal portion, so that the rotating shaft is driven. As a result, there is a problem that contamination such as particles enters the chamber from the seal portion and contaminates the wafer. An object of the present invention is to provide a single-wafer type wafer cleaning apparatus capable of preventing contamination of particles and the like due to rotation.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
図1に示すように、チャンバ11の底板11aから所定
の間隔をあけたチャンバ11内部に水平状態で回転可能
に設けられ上面に単一のウェーハ12を保持する円板状
ステージ13と、ステージ13に保持されたウェーハ1
2に洗浄液を供給するノズル14とを備え、ノズル14
によりウェーハ12表面に供給した洗浄液をステージ1
3の回転により生じた遠心力によりウェーハ12表面全
体に均一に行渡らせてウェーハ12を洗浄するように構
成された枚葉式ウェーハ洗浄装置の改良である。その特
徴ある構成は、チャンバの底板11aが非磁性材料によ
り形成され、ステージ13の底面中心に第1中心磁石1
3aが固着され、ステージ13の底面周縁に複数の第1
周縁磁石13bが配置され、第1中心磁石13aに対向
するチャンバの底板11a上面に第1中心磁石13aと
間隔をあけて第1中心磁石13aの先端極性と同じ先端
極性を有する第2中心磁石11bが固着され、チャンバ
の底板11aから所定の間隔をあけたチャンバ11外部
に水平状態で回転可能にかつステージ13と同一の回転
中心を有する駆動用円板16が設けられ、複数の第1周
縁磁石13bの先端極性と異なる先端極性を有する複数
の第2周縁磁石16aが第1周縁磁石13bに対向して
円板16の上面に設けられ、円板16の中心に円板16
を回転させる回転軸17が固着されたことにある。請求
項1に係る発明では、第1中心磁石13aと第2中心磁
石11bの相互の磁力の反発によりステージ13を浮上
させたので、チャンバ11とステージ13との接触を防
ぐことができる。またチャンバの底板11aを非磁性材
料にして、第1周縁磁石13bと第2周縁磁石16aの
相互の磁力の吸引によりステージ13を回転させるよう
に構成したため、従来のようなシール部が不要となる。
この結果、ステージや回転軸の回転を起因とする発塵が
生じなくなり、ウェーハの汚染を防止することができ
る。
The invention according to claim 1 is
As shown in FIG. 1, a disk-shaped stage 13 is provided rotatably in a horizontal state inside a chamber 11 at a predetermined distance from a bottom plate 11a of the chamber 11 and holds a single wafer 12 on an upper surface; Wafer 1 held in
And a nozzle 14 for supplying a cleaning liquid to the nozzle 2.
Cleaning liquid supplied to the surface of the wafer 12 by the stage 1
This is an improvement of a single wafer cleaning apparatus configured to clean the wafer 12 by uniformly spreading over the entire surface of the wafer 12 by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer 3. The characteristic configuration is that the bottom plate 11 a of the chamber is formed of a non-magnetic material, and the first center magnet 1
3a is fixed, and a plurality of first
A peripheral magnet 13b is arranged, and a second center magnet 11b having the same tip polarity as the tip polarity of the first center magnet 13a is provided on the upper surface of the bottom plate 11a of the chamber facing the first center magnet 13a at an interval from the first center magnet 13a. A driving disk 16 is provided outside the chamber 11 at a predetermined distance from the bottom plate 11a of the chamber so as to be rotatable in a horizontal state and has the same rotation center as the stage 13. A plurality of first peripheral magnets are provided. A plurality of second peripheral magnets 16a having a tip polarity different from that of the tip 13b are provided on the upper surface of the disk 16 so as to face the first peripheral magnet 13b.
The rotation shaft 17 for rotating the shaft is fixed. In the invention according to claim 1, since the stage 13 is floated by the repulsion of the mutual magnetic force between the first center magnet 13a and the second center magnet 11b, the contact between the chamber 11 and the stage 13 can be prevented. Further, the bottom plate 11a of the chamber is made of a non-magnetic material, and the stage 13 is rotated by attracting the mutual magnetic force of the first peripheral magnet 13b and the second peripheral magnet 16a, so that the conventional sealing portion is not required. .
As a result, dust generation due to the rotation of the stage and the rotating shaft does not occur, so that contamination of the wafer can be prevented.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
説明する。図1に示すように、本発明の枚葉式ウェーハ
洗浄装置10では、チャンバ11の底板11aが塩化ビ
ニル樹脂等の合成樹脂からなる非磁性材料により形成さ
れる。底板11aには、洗浄に用いる洗浄液に対する耐
性を付与するため、非磁性材料表面にテトラフルオロエ
チレン(商品名:テフロン)によるコーティングが施さ
れる。チャンバ11内部には底板11aから所定の間隔
をあけて上面に単一のウェーハ12を保持する円板状ス
テージ13が水平状態で回転可能に設けられる。ステー
ジ13の底面中心には第1中心磁石13aが固着され、
ステージ13の底面周縁に複数の第1周縁磁石13bが
配置される。ステージ13の底面図を図2に示す。第1
中心磁石13aの先端極性はN極又はS極のどちらを用
いてもよい。この実施の形態ではN極である。複数の第
1周縁磁石13bは全て同じ先端極性を有する磁石を用
い、N極又はS極のどちらを用いてもよい。この実施の
形態ではN極である。第1周縁磁石13bは磁石の磁力
にもよるが、ステージ13の底面周縁に8個以上の第1
周縁磁石13bを等間隔に配置することが好ましい。こ
の実施の形態では12個等間隔に配置される。
Next, an embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 1, in the single wafer cleaning apparatus 10 of the present invention, the bottom plate 11a of the chamber 11 is formed of a non-magnetic material made of a synthetic resin such as a vinyl chloride resin. The bottom plate 11a is coated with tetrafluoroethylene (trade name: Teflon) on the surface of the non-magnetic material in order to impart resistance to a cleaning solution used for cleaning. Inside the chamber 11, a disk-shaped stage 13 that holds a single wafer 12 on the upper surface at a predetermined interval from the bottom plate 11a is rotatably provided in a horizontal state. A first center magnet 13a is fixed to the center of the bottom surface of the stage 13,
A plurality of first peripheral magnets 13b are arranged on the periphery of the bottom surface of the stage 13. FIG. 2 shows a bottom view of the stage 13. First
Either the N pole or the S pole may be used as the tip polarity of the center magnet 13a. In this embodiment, it is an N pole. As the plurality of first peripheral magnets 13b, magnets having the same tip polarity are all used, and either the N pole or the S pole may be used. In this embodiment, it is an N pole. The first peripheral magnet 13b depends on the magnetic force of the magnet.
It is preferable to arrange the peripheral magnets 13b at equal intervals. In this embodiment, twelve are arranged at equal intervals.

【0008】図1に戻って、第1中心磁石13aに対向
する底板11a上面には第1中心磁石13aと間隔をあ
けて第1中心磁石13aの先端極性と同じ先端極性を有
する第2中心磁石11bが固着される。この実施の形態
ではN極である。第2中心磁石11bの大きさは第1中
心磁石13aの大きさと同様がよく、磁力もほぼ同等が
好ましい。ステージ13の上方には、ステージ13に保
持されたウェーハ12に洗浄液を供給するノズル14が
備えられる。ノズル14にはアーム14aに続いてプー
リー14b、ベルト14c及びモーター14dが接続さ
れる。また、ノズル14は洗浄液供給装置が接続され
る。チャンバ11の外部には、底板11aから所定の間
隔をあけて水平状態で回転可能にかつステージ13と同
一の回転中心を有する駆動用円板16が設けられる。円
板16の上面には複数の第1周縁磁石13bの先端極性
と異なる先端極性を有する複数の第2周縁磁石16aが
第1周縁磁石13bに対向して設けられる。この実施の
形態ではS極である。駆動用円板16の上面図を図3に
示す。第2周縁磁石16aの大きさは第1周縁磁石13
bの大きさと同様がよく、磁力もほぼ同等が好ましい。
また、第2周縁磁石16aの数は回転の制御やステージ
の安定性保持のため、第1周縁磁石13bの数と同数の
磁石を用いる。この実施の形態では12個等間隔に配置
される。円板16の中心には円板16を回転させる回転
軸17が固着される。チャンバ11内で洗浄液と接触す
る第1中心磁石13a、第2中心磁石11b及び第1周
縁磁石13bは磁石を起因とする汚染を防止するため、
各磁石の表面をコーティングするのが好ましい。
Returning to FIG. 1, a second center magnet having the same tip polarity as the tip polarity of the first center magnet 13a is provided on the upper surface of the bottom plate 11a facing the first center magnet 13a at a distance from the first center magnet 13a. 11b is fixed. In this embodiment, it is an N pole. The size of the second center magnet 11b is preferably the same as the size of the first center magnet 13a, and the magnetic force is preferably substantially the same. Above the stage 13, a nozzle 14 for supplying a cleaning liquid to the wafer 12 held on the stage 13 is provided. A pulley 14b, a belt 14c, and a motor 14d are connected to the nozzle 14 following the arm 14a. The nozzle 14 is connected to a cleaning liquid supply device. Outside the chamber 11, there is provided a driving disk 16 rotatable in a horizontal state at a predetermined distance from the bottom plate 11 a and having the same rotation center as the stage 13. A plurality of second peripheral magnets 16a having tip polarities different from those of the first peripheral magnets 13b are provided on the upper surface of the disk 16 so as to face the first peripheral magnet 13b. In this embodiment, it is the south pole. FIG. 3 shows a top view of the driving disk 16. The size of the second peripheral magnet 16a is the first peripheral magnet 13
The size of b is preferably the same, and the magnetic force is preferably substantially equal.
The number of the second peripheral magnets 16a is the same as the number of the first peripheral magnets 13b for controlling the rotation and maintaining the stability of the stage. In this embodiment, twelve are arranged at equal intervals. A rotating shaft 17 for rotating the disk 16 is fixed to the center of the disk 16. The first central magnet 13a, the second central magnet 11b, and the first peripheral magnet 13b that come into contact with the cleaning liquid in the chamber 11 prevent contamination caused by the magnet,
Preferably, the surface of each magnet is coated.

【0009】このように構成された装置では、先ず、ウ
ェーハ12をステージ13の上面に保持する。ウェーハ
12を保持したステージ13はステージの底面中心に配
置された第1中心磁石13aとチャンバ11の底板11
a上面に固着されている第2中心磁石11bとを間隔を
あけて対向するように配置する。第1中心磁石13aの
先端極性と第2中心磁石11bの先端極性は同じ極性を
有するため、間隔をあけて対向するように配置すると、
第1中心磁石13aと第2中心磁石11bは相互の磁力
が反発するため、ステージ13は底板11aとは接触せ
ず、浮上した状態で保持される。第1中心磁石13aと
第2中心磁石11bが対向するようにステージ13を配
置することにより、複数の第1周縁磁石13bと複数の
第2周縁磁石16aも間隔をあけて対向する。第1周縁
磁石13bと第2周縁磁石16aは異なる先端極性を有
するため、相互の磁力が引き合う。ステージ13を浮上
した状態に保持するために反発する磁力である第1中心
磁石13aと第2中心磁石11bは引き合う磁力である
第1周縁磁石13bと第2周縁磁石16aよりも大きい
磁力を有する磁石が用いられる。ステージ13は中心の
磁力だけでなく、周縁の磁力によっても支えられている
ため、常に水平状態に保たれる。
In the apparatus configured as described above, first, the wafer 12 is held on the upper surface of the stage 13. The stage 13 holding the wafer 12 includes a first center magnet 13a disposed at the center of the bottom of the stage and a bottom plate 11 of the chamber 11.
(a) The second center magnet 11b fixed to the upper surface is arranged so as to oppose with an interval. Since the tip polarity of the first center magnet 13a and the tip polarity of the second center magnet 11b have the same polarity, if they are arranged so as to face each other at intervals,
Since the first center magnet 13a and the second center magnet 11b repel each other, the stage 13 is held in a floating state without contacting the bottom plate 11a. By arranging the stage 13 so that the first center magnet 13a and the second center magnet 11b face each other, the plurality of first periphery magnets 13b and the plurality of second periphery magnets 16a also face each other at intervals. Since the first peripheral magnet 13b and the second peripheral magnet 16a have different tip polarities, their mutual magnetic forces attract each other. The first center magnet 13a and the second center magnet 11b, which are magnetic forces repelling to hold the stage 13 in a floating state, have a larger magnetic force than the first peripheral magnet 13b and the second peripheral magnet 16a, which are attractive magnetic forces. Is used. Since the stage 13 is supported not only by the magnetic force at the center but also by the magnetic force at the peripheral edge, the stage 13 is always kept horizontal.

【0010】次いで、回転軸17を駆動して固着してい
る駆動用円板16を回転させる。駆動用円板16の上面
に設けられた第2周縁磁石16aと非磁性材料からなる
チャンバの底板11aを挟んで対向している第1周縁磁
石13bとは、前述の通り、相互の磁力により引きつけ
合っているため、常に同じ位置で固定される。そのた
め、駆動用円板16を回転させることにより、第1周縁
磁石13bが固着している円板状ステージ13も駆動用
円板16の回転と同じ回転をする。これにより、従来チ
ャンバ内に組込まれていた回転機構をチャンバの外部に
設けることができるため、回転を起因とした発塵を防止
できる。次に、ステージ13を回転させながら、ノズル
14によりウェーハ12表面中心部に洗浄液を供給す
る。供給する洗浄液は薬剤や純水である。ウェーハ12
表面に供給された洗浄液はステージ13の回転により生
じた遠心力によりウェーハの径方向に流れ、ウェーハ1
2表面全体に均一に行渡る。均一に洗浄液がウェーハ表
面に行渡るので洗浄むらを生じない極めて効果的な洗浄
ができる。洗浄後は図示しないガス供給手段によりチャ
ンバ内にガスを注入してウェーハ表面を乾燥する。ガス
は不活性ガス、好ましくはN2ガスが挙げられる。使用
された洗浄液やチャンバ内に注入するガスは図示しない
排気・排液手段によりチャンバの外部へ導かれる。
Next, the rotating shaft 17 is driven to rotate the driving disk 16 fixed thereto. As described above, the second peripheral magnet 16a provided on the upper surface of the driving disk 16 and the first peripheral magnet 13b opposed to each other across the bottom plate 11a of the chamber made of a nonmagnetic material are attracted by mutual magnetic force. Because they match, they are always fixed at the same position. Therefore, by rotating the driving disk 16, the disk stage 13 to which the first peripheral magnet 13 b is fixed also rotates in the same manner as the rotation of the driving disk 16. Thus, since the rotation mechanism conventionally incorporated in the chamber can be provided outside the chamber, dust generation due to rotation can be prevented. Next, the cleaning liquid is supplied to the center of the surface of the wafer 12 by the nozzle 14 while rotating the stage 13. The supplied cleaning liquid is a chemical or pure water. Wafer 12
The cleaning liquid supplied to the surface flows in the radial direction of the wafer due to the centrifugal force generated by the rotation of the stage 13, and the wafer 1
2 Evenly spread over the entire surface. Since the cleaning liquid uniformly spreads over the wafer surface, extremely effective cleaning can be performed without causing cleaning unevenness. After the cleaning, gas is injected into the chamber by gas supply means (not shown) to dry the wafer surface. The gas is an inert gas, preferably N 2 gas. The used cleaning liquid and gas to be injected into the chamber are guided to the outside of the chamber by exhaust / drainage means (not shown).

【0011】[0011]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、枚
葉式ウェーハ洗浄装置をチャンバの底板を非磁性材料に
より形成したため、駆動手段に磁力を用いることがで
き、ステージの底面中心に第1中心磁石が、底面周縁に
複数の第1周縁磁石がそれぞれ配置され、第1中心磁石
に対向するチャンバの底板上面に第1中心磁石と間隔を
あけて第1中心磁石と同じ先端極性を有する第2中心磁
石を固着したため、ステージを浮上させた状態に保持す
ることができ、チャンバ外部にステージと同一の回転中
心を有する駆動用円板を設け、第1周縁磁石と異なる先
端極性を有する複数の第2周縁磁石を第1周縁磁石に対
向して円板の上面に設け、円板の中心に回転軸を固着し
たため、ステージがチャンバや回転軸に接触することな
く回転し、また回転軸がチャンバ外部に設置されたた
め、従来のようなシール部が不要となる。この結果、ス
テージや回転軸の発塵が生じなくなり、ウェーハの汚染
を防止することができる。
As described above, according to the present invention, since the bottom plate of the chamber is made of a non-magnetic material in the single wafer cleaning apparatus, magnetic force can be used for the driving means, and the center of the bottom of the stage can be used. The first central magnet has a plurality of first peripheral magnets arranged on the bottom surface periphery, and has the same tip polarity as the first central magnet at an interval from the first central magnet on the upper surface of the bottom plate of the chamber opposed to the first central magnet. Since the second center magnet is fixed, the stage can be held in a floating state, a driving disk having the same rotation center as the stage is provided outside the chamber, and has a tip polarity different from that of the first peripheral magnet. A plurality of second peripheral magnets are provided on the upper surface of the disk so as to face the first peripheral magnet, and the rotating shaft is fixed to the center of the disk, so that the stage rotates without contacting the chamber or the rotating shaft, and rotates. There since installed outside the chamber, the seal portion as in the prior art becomes unnecessary. As a result, no dust is generated on the stage or the rotating shaft, and contamination of the wafer can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の枚葉式ウェーハ洗浄装置の概略図。FIG. 1 is a schematic view of a single wafer cleaning apparatus of the present invention.

【図2】本発明の枚葉式ウェーハ洗浄装置のステージの
底面図。
FIG. 2 is a bottom view of a stage of the single wafer cleaning apparatus of the present invention.

【図3】本発明の枚葉式ウェーハ洗浄装置の駆動用円板
の上面図。
FIG. 3 is a top view of a driving disk of the single wafer processing apparatus of the present invention.

【図4】従来の枚葉式ウェーハ洗浄装置の概略図。FIG. 4 is a schematic diagram of a conventional single wafer cleaning apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 チャンバ 11a 底板 11b 第2中心磁石 12 ウェーハ 13 円板状ステージ 13a 第1中心磁石 13b 第1周縁磁石 14 ノズル 16 駆動用円板 16a 第2周縁磁石 17 回転軸 Reference Signs List 11 chamber 11a bottom plate 11b second center magnet 12 wafer 13 disk stage 13a first center magnet 13b first peripheral magnet 14 nozzle 16 driving disk 16a second peripheral magnet 17 rotating shaft

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高石 和成 埼玉県大宮市北袋町1丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社シリコン研究センター 内 Fターム(参考) 3B201 AA03 AB01 AB34 AB42 BB22 BB92 BB93 CB01  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Kazunari Takaishi 1-297 Kitabukuro-cho, Omiya-shi, Saitama Mitsubishi Materials Silicon Research Center F-term (reference) 3B201 AA03 AB01 AB34 AB42 BB22 BB92 BB93 CB01

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 チャンバ(11)の底板(11a)から所定の間
隔をあけた前記チャンバ(11)内部に水平状態で回転可能
に設けられ上面に単一のウェーハ(12)を保持する円板状
ステージ(13)と、前記ステージ(13)に保持されたウェー
ハ(12)に洗浄液を供給するノズル(14)とを備え、 前記ノズル(14)によりウェーハ(12)表面に供給した洗浄
液を前記ステージ(13)の回転により生じた遠心力により
ウェーハ(12)表面全体に均一に行渡らせてウェーハ(12)
を洗浄するように構成された枚葉式ウェーハ洗浄装置に
おいて、 前記チャンバの底板(11a)が非磁性材料により形成さ
れ、 前記ステージ(13)の底面中心に第1中心磁石(13a)が固
着され、 前記ステージ(13)の底面周縁に複数の第1周縁磁石(13
b)が配置され、 前記第1中心磁石(13a)に対向する前記チャンバの底板
(11a)上面に前記第1中心磁石(13a)と間隔をあけて前記
第1中心磁石(13a)の先端極性と同じ先端極性を有する
第2中心磁石(11b)が固着され、 前記チャンバの底板(11a)から所定の間隔をあけた前記
チャンバ(11)外部に水平状態で回転可能にかつ前記ステ
ージ(13)と同一の回転中心を有する駆動用円板(16)が設
けられ、 前記複数の第1周縁磁石(13b)の先端極性と異なる先端
極性を有する複数の第2周縁磁石(16a)が前記第1周縁
磁石(13b)に対向して前記円板(16)の上面に設けられ、 前記円板(16)の中心に前記円板(16)を回転させる回転軸
(17)が固着されたことを特徴とする枚葉式ウェーハ洗浄
装置。
1. A disk which is provided rotatably in a horizontal state inside said chamber (11) at a predetermined distance from a bottom plate (11a) of the chamber (11) and holds a single wafer (12) on an upper surface. Stage (13), a nozzle (14) for supplying a cleaning liquid to the wafer (12) held on the stage (13), the cleaning liquid supplied to the wafer (12) surface by the nozzle (14) The wafer (12) is spread evenly over the entire surface of the wafer (12) by the centrifugal force generated by the rotation of the stage (13).
In the single wafer cleaning apparatus configured to clean the substrate, a bottom plate (11a) of the chamber is formed of a non-magnetic material, and a first center magnet (13a) is fixed to a center of a bottom surface of the stage (13). A plurality of first peripheral magnets (13
b) is disposed, and the bottom plate of the chamber facing the first center magnet (13a)
(11a) A second center magnet (11b) having the same tip polarity as the tip polarity of the first center magnet (13a) is fixed on the upper surface at an interval from the first center magnet (13a), and a bottom plate of the chamber is provided. A driving disk (16) that is rotatable in a horizontal state and has the same rotation center as the stage (13) is provided outside the chamber (11) at a predetermined interval from (11a), A plurality of second peripheral magnets (16a) having a tip polarity different from the tip polarity of the first peripheral magnet (13b) are provided on the upper surface of the disk (16) in opposition to the first peripheral magnet (13b), A rotation axis for rotating the disk (16) at the center of the disk (16)
A single wafer cleaning apparatus characterized in that (17) is fixed.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004107426A1 (en) * 2003-05-27 2004-12-09 Personal Creation Ltd. Substrate processing apparatus having magnet and processing method
JP2009283632A (en) * 2008-05-21 2009-12-03 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
JP2011143501A (en) * 2010-01-14 2011-07-28 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding device
KR101109075B1 (en) 2009-07-24 2012-01-31 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
CN102371214A (en) * 2010-08-19 2012-03-14 珠海市洁星洗涤科技有限公司 Magnetically driven sealed centrifuge
CN108580133A (en) * 2018-06-01 2018-09-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Coating apparatus mouth gold Wiping mechanism
KR20210039753A (en) * 2019-10-02 2021-04-12 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004107426A1 (en) * 2003-05-27 2004-12-09 Personal Creation Ltd. Substrate processing apparatus having magnet and processing method
JP2009283632A (en) * 2008-05-21 2009-12-03 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
KR101109075B1 (en) 2009-07-24 2012-01-31 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
JP2011143501A (en) * 2010-01-14 2011-07-28 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding device
CN102371214A (en) * 2010-08-19 2012-03-14 珠海市洁星洗涤科技有限公司 Magnetically driven sealed centrifuge
CN108580133A (en) * 2018-06-01 2018-09-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Coating apparatus mouth gold Wiping mechanism
KR20210039753A (en) * 2019-10-02 2021-04-12 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR102363730B1 (en) * 2019-10-02 2022-02-17 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

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