JP2002093734A - 半導体用硼素ドープ材及びその製造方法 - Google Patents
半導体用硼素ドープ材及びその製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 42
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 43
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 17
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003808 methanol extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/2225—Diffusion sources
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光学顕微鏡観察による色ムラやシミ等の変色部
が見られない高品質の半導体用硼素ドープ材を提供す
る。また、変色部発生防止効果の再現性がよい高品質半
導体用硼素ドープ材を容易に製造する方法を提供する。 【解決手段】最大粒子径３０μｍ以下の六方晶窒化硼素
３０〜８０％と最大粒子径１００μｍ以下のムライト７
０〜２０％からなり、光学顕微鏡観察による１００μｍ
をこえる変色部が見られない半導体用硼素ドープ材。最
大粒子径が３０μｍ以下、Ｂ2 Ｏ3 含有量が０．２％以
下、水分含有量が１．０％以下である高珪酸ガラス粉末
６〜２０％と、六方晶窒化硼素粉末３０〜８０％と、α
−アルミナ粉末１４〜５０％とを含む混合粉末を成形
後、温度１４００〜１７００℃でホットプレス焼結して
上記半導体用硼素ドープ材を製造する。
が見られない高品質の半導体用硼素ドープ材を提供す
る。また、変色部発生防止効果の再現性がよい高品質半
導体用硼素ドープ材を容易に製造する方法を提供する。 【解決手段】最大粒子径３０μｍ以下の六方晶窒化硼素
３０〜８０％と最大粒子径１００μｍ以下のムライト７
０〜２０％からなり、光学顕微鏡観察による１００μｍ
をこえる変色部が見られない半導体用硼素ドープ材。最
大粒子径が３０μｍ以下、Ｂ2 Ｏ3 含有量が０．２％以
下、水分含有量が１．０％以下である高珪酸ガラス粉末
６〜２０％と、六方晶窒化硼素粉末３０〜８０％と、α
−アルミナ粉末１４〜５０％とを含む混合粉末を成形
後、温度１４００〜１７００℃でホットプレス焼結して
上記半導体用硼素ドープ材を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用硼素ドー
プ材及びその製造方法に関する。
プ材及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ゲルマニウムやシリコンにＰ
型不純物として硼素をドーピングする際、六方晶窒化硼
素（以下、「ｈＢＮ」という。）を主成分とする半導体
用硼素ドープ材（以下、「ＢＮウェハ」という。）が使
用されている。そのドーピング方法は、まずＢＮウェハ
を酸化雰囲気下９００〜１２００℃で加熱することによ
りＢＮウェハを酸化し、ＢＮウェハ表面に酸化硼素（Ｂ
2 Ｏ3 ）を析出させた後、ＢＮウェハをゲルマニウムや
シリコンの基板と数ｍｍの間隔をおいて対向させ、非酸
化性雰囲気下で再び９００〜１２００℃で加熱し、ＢＮ
ウェハ表面のＢ2Ｏ3 を蒸発させ、ゲルマニウムやシリ
コンの基板表面に堆積させる。次いで、後処理を行って
基板内部に硼素を拡散させるものである。
型不純物として硼素をドーピングする際、六方晶窒化硼
素（以下、「ｈＢＮ」という。）を主成分とする半導体
用硼素ドープ材（以下、「ＢＮウェハ」という。）が使
用されている。そのドーピング方法は、まずＢＮウェハ
を酸化雰囲気下９００〜１２００℃で加熱することによ
りＢＮウェハを酸化し、ＢＮウェハ表面に酸化硼素（Ｂ
2 Ｏ3 ）を析出させた後、ＢＮウェハをゲルマニウムや
シリコンの基板と数ｍｍの間隔をおいて対向させ、非酸
化性雰囲気下で再び９００〜１２００℃で加熱し、ＢＮ
ウェハ表面のＢ2Ｏ3 を蒸発させ、ゲルマニウムやシリ
コンの基板表面に堆積させる。次いで、後処理を行って
基板内部に硼素を拡散させるものである。
【０００３】このドーピング工程で重要なことは、基板
表面にＢ2 Ｏ3 を均一に堆積させることである。そのた
めには、ドーピング中にＢＮウェハの反り等の変形を最
小限に抑制することに加えて、組成をできるだけ均一に
することによりＢＮウェハ表面の酸化状態を均一化する
ことである。また、近年の高集積化、大量生産化に伴
い、ゲルマニウムやシリコンの基板が従来の３〜４イン
チから５インチへ、更には６インチ以上へと大型化する
中、ＢＮウェハも大型化が必要となり、またその要求特
性も一段と厳しくなってきている。
表面にＢ2 Ｏ3 を均一に堆積させることである。そのた
めには、ドーピング中にＢＮウェハの反り等の変形を最
小限に抑制することに加えて、組成をできるだけ均一に
することによりＢＮウェハ表面の酸化状態を均一化する
ことである。また、近年の高集積化、大量生産化に伴
い、ゲルマニウムやシリコンの基板が従来の３〜４イン
チから５インチへ、更には６インチ以上へと大型化する
中、ＢＮウェハも大型化が必要となり、またその要求特
性も一段と厳しくなってきている。
【０００４】このような観点に立ち、特開平１０−３０
３１３７号公報には、ｈＢＮ粉末とアルミナ粉末と高珪
酸ガラス粉末及び／又はシリカ粉末とを含む混合原料の
粒子径とＢ2 Ｏ3 量を制御することによって、大型形状
品にして反り等がなく、しかも肉眼観察によってはムラ
イト偏析による色ムラやシミのない、ＢＮウェハを製造
できたことが記載されている。
３１３７号公報には、ｈＢＮ粉末とアルミナ粉末と高珪
酸ガラス粉末及び／又はシリカ粉末とを含む混合原料の
粒子径とＢ2 Ｏ3 量を制御することによって、大型形状
品にして反り等がなく、しかも肉眼観察によってはムラ
イト偏析による色ムラやシミのない、ＢＮウェハを製造
できたことが記載されている。
【０００５】この先行技術によって、出願当初の目的を
達成することができたが、ＢＮウェハに対する更なる要
求が高まっている今日、上記先行技術を凌ぐ新しい技術
の出現が待たれている。また、上記先行技術において
は、ムライト偏析による色ムラやシミの生成抑止効果の
再現性が、必ずしも十分でなかったことが未解決であっ
た。
達成することができたが、ＢＮウェハに対する更なる要
求が高まっている今日、上記先行技術を凌ぐ新しい技術
の出現が待たれている。また、上記先行技術において
は、ムライト偏析による色ムラやシミの生成抑止効果の
再現性が、必ずしも十分でなかったことが未解決であっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光学
顕微鏡観察による１００μｍをこえる変色部が見られな
い高品質ＢＮウェハを再現性よく提供することである。
本発明の目的は、上記先行技術において、高珪酸ガラス
原料の最大粒子径とＢ2 Ｏ3 含有量と水分含有量を厳格
に制御することによって達成することができる。
顕微鏡観察による１００μｍをこえる変色部が見られな
い高品質ＢＮウェハを再現性よく提供することである。
本発明の目的は、上記先行技術において、高珪酸ガラス
原料の最大粒子径とＢ2 Ｏ3 含有量と水分含有量を厳格
に制御することによって達成することができる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、最
大粒子径３０μｍ以下の六方晶窒化硼素３０〜８０％と
最大粒子径１００μｍ以下のムライト７０〜２０％から
なり、光学顕微鏡観察による１００μｍをこえる変色部
が見られないものであることを特徴とするＢＮウェハで
ある。
大粒子径３０μｍ以下の六方晶窒化硼素３０〜８０％と
最大粒子径１００μｍ以下のムライト７０〜２０％から
なり、光学顕微鏡観察による１００μｍをこえる変色部
が見られないものであることを特徴とするＢＮウェハで
ある。
【０００８】また、本発明は、最大粒子径が３０μｍ以
下、Ｂ2 Ｏ3 含有量が０．２％以下、水分含有量が１．
０％以下である高珪酸ガラス粉末６〜２０％と、六方晶
窒化硼素粉末３０〜８０％と、α−アルミナ粉末１４〜
５０％とを含む混合粉末を成形後、温度１４００〜１７
００℃でホットプレス焼結することを特徴とする上記Ｂ
Ｎウェハの製造方法である。
下、Ｂ2 Ｏ3 含有量が０．２％以下、水分含有量が１．
０％以下である高珪酸ガラス粉末６〜２０％と、六方晶
窒化硼素粉末３０〜８０％と、α−アルミナ粉末１４〜
５０％とを含む混合粉末を成形後、温度１４００〜１７
００℃でホットプレス焼結することを特徴とする上記Ｂ
Ｎウェハの製造方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、更に詳しく本発明について
説明する。
説明する。
【００１０】本発明のＢＮウェハは、光学顕微鏡観察に
よる１００μｍをこえる変色部がみられないものであ
る。ここで、「変色部」とは、光学顕微鏡観察によって
識別できる変色部分であり、ムライト偏析や鉄等の不純
物によってもたらされる色ムラやシミなどである。
よる１００μｍをこえる変色部がみられないものであ
る。ここで、「変色部」とは、光学顕微鏡観察によって
識別できる変色部分であり、ムライト偏析や鉄等の不純
物によってもたらされる色ムラやシミなどである。
【００１１】変色部が目視で確認できる大きさまでにな
ると、ムライト偏析等によってＢ2Ｏ3 源となるｈＢＮ
が少なくなり、基板上に形成されるＢ2 Ｏ3 膜厚が不均
一となる。また、そのようなＢＮウェハを繰り返し使用
すると、Ｂ2 Ｏ3 の生成と蒸発によるｈＢＮの消失量が
正常部と異なるため、ＢＮウェハが均一に消費されず反
り等の変形が大きくなる。
ると、ムライト偏析等によってＢ2Ｏ3 源となるｈＢＮ
が少なくなり、基板上に形成されるＢ2 Ｏ3 膜厚が不均
一となる。また、そのようなＢＮウェハを繰り返し使用
すると、Ｂ2 Ｏ3 の生成と蒸発によるｈＢＮの消失量が
正常部と異なるため、ＢＮウェハが均一に消費されず反
り等の変形が大きくなる。
【００１２】本発明のＢＮウェハは、最大粒子径３０μ
ｍ以下のｈＢＮを３０〜８０％と最大粒子径１００μｍ
以下のムライトを７０〜２０％含有する焼結体で構成さ
れている。ｈＢＮ含有量が３０％未満では、硼素含有量
が少なすぎてＢＮウェハとしては不適切となる。また、
８０％をこえると、ＢＮウェハの酸化時に生成するＢ2
Ｏ3 量が多くなりすぎ、色ムラやシミ等による変色部が
生じやすくなる。その上、ゲルマニウムやシリコンの基
板上に堆積するＢ2 Ｏ3 量も多くなりすぎ好ましくな
い。本発明のＢＮウェハは、ｈＢＮとムライトから構成
されていることが好ましいが、最大１０％までのα−ア
ルミナ等の他成分が含まれていてもよい。
ｍ以下のｈＢＮを３０〜８０％と最大粒子径１００μｍ
以下のムライトを７０〜２０％含有する焼結体で構成さ
れている。ｈＢＮ含有量が３０％未満では、硼素含有量
が少なすぎてＢＮウェハとしては不適切となる。また、
８０％をこえると、ＢＮウェハの酸化時に生成するＢ2
Ｏ3 量が多くなりすぎ、色ムラやシミ等による変色部が
生じやすくなる。その上、ゲルマニウムやシリコンの基
板上に堆積するＢ2 Ｏ3 量も多くなりすぎ好ましくな
い。本発明のＢＮウェハは、ｈＢＮとムライトから構成
されていることが好ましいが、最大１０％までのα−ア
ルミナ等の他成分が含まれていてもよい。
【００１３】また、ＢＮウェハ中のｈＢＮ粒子の最大粒
子径が３０μｍをこえると、酸化が局所的に起こるため
反り等の変形が生じやすくなる。また、ムライト粒子の
最大粒子径が１００μｍをこえると、変色部が多くなり
基板上に堆積するＢ2 Ｏ3 膜厚が不均一となる。
子径が３０μｍをこえると、酸化が局所的に起こるため
反り等の変形が生じやすくなる。また、ムライト粒子の
最大粒子径が１００μｍをこえると、変色部が多くなり
基板上に堆積するＢ2 Ｏ3 膜厚が不均一となる。
【００１４】ｈＢＮ含有量は、原料ＢＮの配合量から算
出するか、Ｘ線回折による標準添加法等によって測定す
ることができる。また、ムライト含有量も、Ｘ線回折に
よる標準添加法等によって測定することができる。さら
には、ｈＢＮ粒子やムライト粒子の最大粒子径は、倍率
１００倍の二次電子像又は反射電子像から測定すること
ができる。
出するか、Ｘ線回折による標準添加法等によって測定す
ることができる。また、ムライト含有量も、Ｘ線回折に
よる標準添加法等によって測定することができる。さら
には、ｈＢＮ粒子やムライト粒子の最大粒子径は、倍率
１００倍の二次電子像又は反射電子像から測定すること
ができる。
【００１５】本発明のＢＮウェハは、高珪酸ガラス粉末
６〜２０％と、ｈＢＮ粉末３０〜８０％と、α−アルミ
ナ粉末１４〜５０％とを含む混合粉末を成形後、温度１
４００〜１７００℃でホットプレス焼結する方法におい
て、高珪酸ガラス粉末として、最大粒子径が３０μｍ以
下、Ｂ2 Ｏ3 含有量が０．２％以下、水分含有量が１．
０％以下であるものを用いることによって製造すること
ができる。
６〜２０％と、ｈＢＮ粉末３０〜８０％と、α−アルミ
ナ粉末１４〜５０％とを含む混合粉末を成形後、温度１
４００〜１７００℃でホットプレス焼結する方法におい
て、高珪酸ガラス粉末として、最大粒子径が３０μｍ以
下、Ｂ2 Ｏ3 含有量が０．２％以下、水分含有量が１．
０％以下であるものを用いることによって製造すること
ができる。
【００１６】ｈＢＮ粉末の最大粒子径は２５μｍ以下で
あることが好ましい。２５μｍをこえると、ＢＮウェハ
中のｈＢＮ粒子の最大粒子径が３０μｍをこえやすくな
る。最大粒子径は小さいほど好ましいが、ｈＢＮは一般
に粒径が小さくなるほどＢ2Ｏ3 含有量が増加するた
め、実用的には最大粒子径０．１μｍ程度までである。
ｈＢＮ粉末中のＢ2 Ｏ3 含有量は１％未満であることが
好ましい。１％以上であると、焼結温度に比較してかな
り低温（４５０℃程度）でＢ2 Ｏ3 を主成分とする多量
の液相を生成し、ムライトやｈＢＮの偏析を生じたり、
液相量が多くなってＢＮウェハに光学顕微鏡観察による
１００μｍ以上の変色部が生じやすくなる。ｈＢＮ粉末
中のＢ2 Ｏ3 含有量は、メタノール抽出法によって測定
することができる。
あることが好ましい。２５μｍをこえると、ＢＮウェハ
中のｈＢＮ粒子の最大粒子径が３０μｍをこえやすくな
る。最大粒子径は小さいほど好ましいが、ｈＢＮは一般
に粒径が小さくなるほどＢ2Ｏ3 含有量が増加するた
め、実用的には最大粒子径０．１μｍ程度までである。
ｈＢＮ粉末中のＢ2 Ｏ3 含有量は１％未満であることが
好ましい。１％以上であると、焼結温度に比較してかな
り低温（４５０℃程度）でＢ2 Ｏ3 を主成分とする多量
の液相を生成し、ムライトやｈＢＮの偏析を生じたり、
液相量が多くなってＢＮウェハに光学顕微鏡観察による
１００μｍ以上の変色部が生じやすくなる。ｈＢＮ粉末
中のＢ2 Ｏ3 含有量は、メタノール抽出法によって測定
することができる。
【００１７】α−アルミナ粉末の最大粒子径は５０μｍ
以下であることが好ましい。５０μｍをこえると、ムラ
イト粒子の最大粒子径が１００μｍをこえやすくなる。
最大粒子径は小さいほど好ましいが、一般に入手できる
α−アルミナ粉末の最大粒子径は０．５μｍ程度までで
ある。
以下であることが好ましい。５０μｍをこえると、ムラ
イト粒子の最大粒子径が１００μｍをこえやすくなる。
最大粒子径は小さいほど好ましいが、一般に入手できる
α−アルミナ粉末の最大粒子径は０．５μｍ程度までで
ある。
【００１８】高珪酸ガラス粉末は、例えばシリカ粉末と
硼酸粉末を遊離Ｂ2 Ｏ3 成分が０．２％以下になる配合
で混合し、９００℃程度で仮焼後、ボールミル、振動ミ
ル、ジェットミル等で粉砕した後、必要に応じて空気分
級等で分級することによって製造することができる。
硼酸粉末を遊離Ｂ2 Ｏ3 成分が０．２％以下になる配合
で混合し、９００℃程度で仮焼後、ボールミル、振動ミ
ル、ジェットミル等で粉砕した後、必要に応じて空気分
級等で分級することによって製造することができる。
【００１９】本発明で用いられる高珪酸ガラス粉末の最
大粒子径は３０μｍ以下である。最大粒子径が３０μｍ
をこえると、焼成によって生成するムライト粒子の最大
粒子径が１００μｍをこえる。最大粒子径は小さいほど
好ましいが、高珪酸ガラスは一般に粒径が小さくなるほ
どＢ2 Ｏ3 含有量や水分含有量が増加するため、最大粒
子径が１μｍであることが好ましい。
大粒子径は３０μｍ以下である。最大粒子径が３０μｍ
をこえると、焼成によって生成するムライト粒子の最大
粒子径が１００μｍをこえる。最大粒子径は小さいほど
好ましいが、高珪酸ガラスは一般に粒径が小さくなるほ
どＢ2 Ｏ3 含有量や水分含有量が増加するため、最大粒
子径が１μｍであることが好ましい。
【００２０】高珪酸ガラス粉末中のＢ2 Ｏ3 含有量は
０．２％以下である。Ｂ2 Ｏ3 含有量が０．２％をこえ
ると、高珪酸ガラスの融点が低下し、更に液相形成時の
粘性も低下するため、ムライト偏析等による変色部を生
じやすくなる。
０．２％以下である。Ｂ2 Ｏ3 含有量が０．２％をこえ
ると、高珪酸ガラスの融点が低下し、更に液相形成時の
粘性も低下するため、ムライト偏析等による変色部を生
じやすくなる。
【００２１】高珪酸ガラス粉末中の水分含有量は１．０
％以下である。水分含有量が１．０％をこえると、上記
過剰Ｂ2 Ｏ3 を含有する場合と同様、高珪酸ガラスの融
点が低下し、また液相形成時の粘性も低下して変色部が
生じやすくなる。変色部の生成には、水分含有量の影響
は著しく大きい。また、Ｂ2 Ｏ3 は吸湿しやすいので、
Ｂ2 Ｏ3 はできるだけ少ないことが好ましい。水分量
は、Ｂ2 Ｏ3 が吸湿した水分量も測定できるように、５
００℃カールフィッシャー法で測定する。
％以下である。水分含有量が１．０％をこえると、上記
過剰Ｂ2 Ｏ3 を含有する場合と同様、高珪酸ガラスの融
点が低下し、また液相形成時の粘性も低下して変色部が
生じやすくなる。変色部の生成には、水分含有量の影響
は著しく大きい。また、Ｂ2 Ｏ3 は吸湿しやすいので、
Ｂ2 Ｏ3 はできるだけ少ないことが好ましい。水分量
は、Ｂ2 Ｏ3 が吸湿した水分量も測定できるように、５
００℃カールフィッシャー法で測定する。
【００２２】ｈＢＮ粉末、α−アルミナ粉末、高珪酸ガ
ラス粉末の混合原料において、ｈＢＮ粉末の割合が３０
％未満では、硼素含有量が少なすぎてＢＮウェハとして
は不適切である。また、８０％をこえると、ＢＮウェハ
の酸化時に生成するＢ2 Ｏ3量が多くなりすぎ、変色部
が生じやすくなる。その上、ゲルマニウムやシリコンの
基板上に堆積するＢ2 Ｏ3 も多くなりすぎる。α−アル
ミナ粉末、高珪酸ガラス粉末の割合は、ムライトが生成
する組成比とすることが最適である。
ラス粉末の混合原料において、ｈＢＮ粉末の割合が３０
％未満では、硼素含有量が少なすぎてＢＮウェハとして
は不適切である。また、８０％をこえると、ＢＮウェハ
の酸化時に生成するＢ2 Ｏ3量が多くなりすぎ、変色部
が生じやすくなる。その上、ゲルマニウムやシリコンの
基板上に堆積するＢ2 Ｏ3 も多くなりすぎる。α−アル
ミナ粉末、高珪酸ガラス粉末の割合は、ムライトが生成
する組成比とすることが最適である。
【００２３】原料粉末は、ボールミル、振動ミル、リボ
ンブレンダー、ヘンシェルミキサー等の一般的な方法で
混合され、成形後、温度１４００〜１７００℃でホット
プレス焼結されて本発明のＢＮウェハが製造される。
ンブレンダー、ヘンシェルミキサー等の一般的な方法で
混合され、成形後、温度１４００〜１７００℃でホット
プレス焼結されて本発明のＢＮウェハが製造される。
【００２４】
【実施例】以下、実施例、比較例をあげて更に具体的に
本発明を説明する。
本発明を説明する。
【００２５】本実験で使用した原料粉末の特性を表１に
示す。ここで、最大粒子径は、マイクロトラック法で粒
度分布を測定した際の９０％粒径（Ｄｐ９０）の値であ
る。高珪酸ガラス粉末は、シリカ粉末と硼酸粉末を遊離
Ｂ2 Ｏ3 含有量が表１になる割合で混合し、温度９００
℃、保持時間１時間で仮焼した後、振動ミルを用い、表
１の最大粒子径に粉砕したものである。
示す。ここで、最大粒子径は、マイクロトラック法で粒
度分布を測定した際の９０％粒径（Ｄｐ９０）の値であ
る。高珪酸ガラス粉末は、シリカ粉末と硼酸粉末を遊離
Ｂ2 Ｏ3 含有量が表１になる割合で混合し、温度９００
℃、保持時間１時間で仮焼した後、振動ミルを用い、表
１の最大粒子径に粉砕したものである。
【００２６】
【表１】
【００２７】実施例１〜３、比較例１〜６ 表１に示す原料粉末を表２に示す割合で配合し、振動ミ
ルにより３時間混合した。この原料粉末を１５５０℃、
１６０ＭＰａの条件でホットプレス焼結を行った後、直
径１２７ｍｍ、厚さ１．５ｍｍのＢＮウェハに加工し
た。
ルにより３時間混合した。この原料粉末を１５５０℃、
１６０ＭＰａの条件でホットプレス焼結を行った後、直
径１２７ｍｍ、厚さ１．５ｍｍのＢＮウェハに加工し
た。
【００２８】得られたＢＮウェハのＸ線回折を行ったと
ころ、全実験例について、ｈＢＮとムライトが明確に同
定された。ついで、ＢＮウェハ中のｈＢＮ含有量は配合
比から、またムライト含有量はＸ線回折による標準添加
法から測定した。また、ＢＮウェハの二次電子像及び反
射電子像（１００倍）を観察し、ｈＢＮ粒子とムライト
粒子の最大粒子径を測定した。
ころ、全実験例について、ｈＢＮとムライトが明確に同
定された。ついで、ＢＮウェハ中のｈＢＮ含有量は配合
比から、またムライト含有量はＸ線回折による標準添加
法から測定した。また、ＢＮウェハの二次電子像及び反
射電子像（１００倍）を観察し、ｈＢＮ粒子とムライト
粒子の最大粒子径を測定した。
【００２９】さらに、ＢＮウェハの変色部を光学顕微鏡
で観察し、１００μｍをこえる色ムラやシミ等の変色部
が見られないものを「○」、見られるものを「×」とし
た。
で観察し、１００μｍをこえる色ムラやシミ等の変色部
が見られないものを「○」、見られるものを「×」とし
た。
【００３０】以上の結果を表２に示す。表２から、実施
例１〜３のＢＮウェハは、１００μｍをこえる変色部が
見られない高品質なものであることがわかる。これに対
し、比較例１〜３、６では変色部が認められた。比較例
４、５では変色部が見られなかったが、ＢＮウェハを１
０５０℃の空気中で加熱したところ、比較例４ではＢ 2
Ｏ3 の析出が多くなりすぎ、変色部が生じ、また比較例
５では、Ｂ2 Ｏ3 の析出が十分でなく、いずれもＢＮウ
ェハとしては不適切なものであった。
例１〜３のＢＮウェハは、１００μｍをこえる変色部が
見られない高品質なものであることがわかる。これに対
し、比較例１〜３、６では変色部が認められた。比較例
４、５では変色部が見られなかったが、ＢＮウェハを１
０５０℃の空気中で加熱したところ、比較例４ではＢ 2
Ｏ3 の析出が多くなりすぎ、変色部が生じ、また比較例
５では、Ｂ2 Ｏ3 の析出が十分でなく、いずれもＢＮウ
ェハとしては不適切なものであった。
【００３１】
【表２】
【００３２】
【発明の効果】本発明のＢＮウェハは、光学顕微鏡観察
による１００μｍをこえる変色部が見られない高品質な
ものであるため、ゲルマニウムやシリコンの基板上に均
一なＢ 2 Ｏ3 膜を堆積させることができる。これは、Ｐ
型不純物として硼素をドーピングする一連の工程で非常
に重要なことであり、今日の要求を十分に満たしている
ものである。
による１００μｍをこえる変色部が見られない高品質な
ものであるため、ゲルマニウムやシリコンの基板上に均
一なＢ 2 Ｏ3 膜を堆積させることができる。これは、Ｐ
型不純物として硼素をドーピングする一連の工程で非常
に重要なことであり、今日の要求を十分に満たしている
ものである。
【００３３】また、本発明のＢＮウェハの製造方法によ
れば、本発明の高品質ＢＮウェハを容易に製造すること
ができる。とくに、高珪酸ガラス粉末の水分含有量を調
節することによって、変色部の発生防止効果の再現性が
良くなった。
れば、本発明の高品質ＢＮウェハを容易に製造すること
ができる。とくに、高珪酸ガラス粉末の水分含有量を調
節することによって、変色部の発生防止効果の再現性が
良くなった。
Claims (2)
- 【請求項１】 最大粒子径３０μｍ以下の六方晶窒化硼
素３０〜８０％と最大粒子径１００μｍ以下のムライト
７０〜２０％からなり、光学顕微鏡観察による１００μ
ｍをこえる変色部が見られないものであることを特徴と
する半導体用硼素ドープ材。 - 【請求項２】 最大粒子径が３０μｍ以下、Ｂ2 Ｏ3 含
有量が０．２％以下、水分含有量が１．０％以下である
高珪酸ガラス粉末６〜２０％と、六方晶窒化硼素粉末３
０〜８０％と、α−アルミナ粉末１４〜５０％とを含む
混合粉末を成形後、温度１４００〜１７００℃でホット
プレス焼結することを特徴とする請求項１記載の半導体
用硼素ドープ材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000279313A JP4394814B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 半導体用硼素ドープ材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000279313A JP4394814B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 半導体用硼素ドープ材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002093734A true JP2002093734A (ja) | 2002-03-29 |
| JP4394814B2 JP4394814B2 (ja) | 2010-01-06 |
Family
ID=18764331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000279313A Expired - Lifetime JP4394814B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 半導体用硼素ドープ材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4394814B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177129A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-08-06 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体用ホウ素ドープ材の製造方法 |
| JP2012160696A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-23 | Hitachi Chem Co Ltd | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 |
| US9040177B2 (en) | 2007-11-09 | 2015-05-26 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Dopant host |
-
2000
- 2000-09-14 JP JP2000279313A patent/JP4394814B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9040177B2 (en) | 2007-11-09 | 2015-05-26 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Dopant host |
| JP2009177129A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-08-06 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体用ホウ素ドープ材の製造方法 |
| JP2012160696A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-23 | Hitachi Chem Co Ltd | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 |
| EP2665089A4 (en) * | 2011-01-13 | 2015-06-03 | Hitachi Chemical Co Ltd | P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING SILICON SUBSTRATE HAVING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR PRODUCING PHOTOVOLTAIC CELL ELEMENT, AND PHOTOVOLTAIC CELL |
| CN105161404A (zh) * | 2011-01-13 | 2015-12-16 | 日立化成株式会社 | p型扩散层形成用组合物、p型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4394814B2 (ja) | 2010-01-06 |
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