JP2002093574A - Electroluminescence device and its manufacturing method - Google Patents

Electroluminescence device and its manufacturing method

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JP2002093574A
JP2002093574A JP2000283089A JP2000283089A JP2002093574A JP 2002093574 A JP2002093574 A JP 2002093574A JP 2000283089 A JP2000283089 A JP 2000283089A JP 2000283089 A JP2000283089 A JP 2000283089A JP 2002093574 A JP2002093574 A JP 2002093574A
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彰男 中村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an EL device and its manufacturing method which can prevent moisture from the outside and inhibit degradation of the EL device over a long period of time by sealing the EL device with a glass substrate and a damp-proof film after producing the EL device by film rolling, and to provide the cheap EL device and its manufacturing method by raising its productivity. SOLUTION: In the electroluminescence device which is laminated to one side surface of a plastics base material 1 one by one with at least, a transparent anode layer 2, a luminescence medium layer 3, and a cathode layer 4, and the above laminated body is covered and sealed with a damp-proof film, a glass substrate 5 is laminated in the other side surface of the above plastics base body.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、情報表示端末など
のディスプレイや面発光光源として幅広い用途が期待さ
れるエレクトロルミネッセンス素子(以下、EL素子と
表記する)に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent device (hereinafter, referred to as an EL device) which is expected to be widely used as a display for an information display terminal or a surface emitting light source.

【0002】[0002]

【従来の技術】EL素子は、広視野角、応答速度が速
い、低消費電力などの利点から、ブラウン管や液晶ディ
スプレイに変わるフラットパネルディスプレイとして期
待されている。
2. Description of the Related Art EL elements are expected to be used as flat panel displays in place of cathode ray tubes and liquid crystal displays because of their advantages such as a wide viewing angle, a high response speed, and low power consumption.

【0003】EL素子は、少なくとも一方が透明な2枚
の電極の間に有機又は無機の発光媒体層を挟持した構造
であり、両電極間に電圧を印可することにより発光媒体
層で発光が生じるものである( 以下、有機の発光媒体層
に電圧を印可する例で説明する) 。
An EL element has a structure in which an organic or inorganic luminescent medium layer is sandwiched between two electrodes, at least one of which is transparent. Light is generated in the luminescent medium layer by applying a voltage between the two electrodes. (Hereinafter, an example in which a voltage is applied to the organic light emitting medium layer will be described).

【0004】EL素子は、発光媒体層や陰極層を大気暴
露させた状態で放置すると、大気中の水分や酸素により
劣化する。一つの具体例として、ダークスポットと呼ば
れる非発光領域が発生し、時間の経過と共に拡大すると
いった現象がある。
When the EL element is left in a state where the light emitting medium layer and the cathode layer are exposed to the air, the EL element is deteriorated by moisture and oxygen in the air. As one specific example, there is a phenomenon that a non-light-emitting area called a dark spot occurs and expands with time.

【0005】この問題を解決する方法として、特開平5
−182759号公報、特開平5−36475号公報等
に記載がある。これらは、透明陽極層を形成したガラス
基板上に発光媒体層、陰極層を真空下で連続成膜し、金
属製やガラス製の封止缶により乾燥窒素雰囲気下でEL
素子を被覆封止する方法である。
As a method for solving this problem, Japanese Patent Application Laid-Open
JP-A-182759 and JP-A-5-36475. In these, a luminescent medium layer and a cathode layer are continuously formed under vacuum on a glass substrate on which a transparent anode layer is formed, and EL is dried under a dry nitrogen atmosphere using a metal or glass sealing can.
This is a method of covering and sealing the element.

【0006】しかし、このようなEL素子を作製するた
めには、真空下でガラス基板を搬送できる複数の真空蒸
着装置および、窒素下封止装置が必要であるため、生産
性が低い、製造コストが高いなどの問題点があった。ま
た、ガラス基板や金属製の封止缶を用いるため、素子を
薄型・軽量化するのに限界があった。
However, in order to manufacture such an EL element, a plurality of vacuum deposition apparatuses capable of transporting a glass substrate under vacuum and a sealing apparatus under nitrogen are required, so that productivity is low and manufacturing cost is low. There was a problem such as high. In addition, since a glass substrate or a metal sealing can is used, there is a limit in reducing the thickness and weight of the element.

【0007】この問題を解決する手段として、プラスチ
ックフィルム上に発光媒体層や陰極層を、蒸着法や印刷
法などにより巻き取り成膜し、耐湿性フィルムでEL素
子を被覆封止する方法が提案されている。これにより、
薄型・軽量のEL素子を低コストで製造することが可能
となる。
As a means for solving this problem, there has been proposed a method in which a light-emitting medium layer and a cathode layer are wound on a plastic film by a vapor deposition method or a printing method, and the EL element is covered and sealed with a moisture-resistant film. Have been. This allows
A thin and lightweight EL element can be manufactured at low cost.

【0008】耐湿性フィルムは、EL光取り出し面と反
対側に配置するために、透光性である必要が無く、特に
耐湿性に優れた金属箔からなる耐湿性フィルムを使用す
ることができる。一方、EL光取り出し面側のプラスチ
ックフィルムは、耐湿性かつ透光性が求められるため、
プラスチックフィルムに透明無機薄膜を蒸着したり、透
明無機薄膜蒸着フィルムをラミネートするといった手法
が取られている。しかし、現状の透明無機薄膜蒸着フィ
ルムでは、長期にわたりEL素子の劣化を抑制すること
はできない。
Since the moisture-resistant film is disposed on the side opposite to the EL light extraction surface, it does not need to be translucent, and a moisture-resistant film made of a metal foil having particularly excellent moisture resistance can be used. On the other hand, since the plastic film on the EL light extraction surface side is required to have moisture resistance and translucency,
A technique of depositing a transparent inorganic thin film on a plastic film or laminating a transparent inorganic thin film deposited film has been adopted. However, the current transparent inorganic thin film deposition film cannot suppress the deterioration of the EL element for a long time.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明では、上記の問
題点を解決するためになされたものであり、その課題と
するところは、フィルム巻き取りによりEL素子を作製
した後に、ガラス基板と耐湿性フィルムにより封止する
ことにより、外部からの水分を遮断でき、長期にわたり
EL素子の劣化を抑制し、かつ生産性を向上させること
により安価なEL素子及びその製造方法を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an EL device by winding a film, and then forming an EL element on the glass substrate. An object of the present invention is to provide an inexpensive EL element and a method of manufacturing the same by sealing the film with a conductive film, which can block moisture from the outside, suppress deterioration of the EL element for a long period of time, and improve productivity.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、まず請求項1においては、プラスチック基材
の一方の面に、少なくとも透明陽極層、発光媒体層、陰
極層が順次積層され、耐湿性フィルムで前記積層体を被
覆封止してなるエレクトロルミネッセンス素子におい
て、前記プラスチック基材の他方の面にガラス基板が積
層されていることを特徴とするエレクトロルミネッセン
ス素子である。また、請求項2においては、前記ガラス
基板が、プラスチック基材と接する面に、取り出し電極
を有し、かつ取り出し電極が前記透明陽極層及び陰極層
に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記
載のエレクトロルミネッセンス素子である。また、請求
項3においては、前記耐湿性フィルムが前記ガラス基板
に熱圧着されていることを特徴とする請求項1、2記載
のエレクトロルミネッセンス素子である。また、請求項
4においては、プラスチック基材の一方の面に、少なく
とも透明陽極層、発光媒体層、陰極層を順次積層する工
程、ガラス基板上に取り出し電極を形成する工程、ガラ
ス基板をプラスチック基材の他方の面に積層する工程、
取り出し電極を透明陽極層および陰極層に電気的に接続
する工程、取り出し電極が形成されたガラス基板と耐湿
性フィルムとを熱圧着することにより被覆封止する工
程、を少なくとも含むことを特徴とするエレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法である。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, at least a transparent anode layer, a luminescent medium layer, and a cathode layer are sequentially laminated on one surface of a plastic substrate. An electroluminescent device comprising the laminate laminated and covered with a moisture-resistant film, wherein a glass substrate is laminated on the other surface of the plastic substrate. Further, in claim 2, the glass substrate has a take-out electrode on a surface in contact with the plastic base material, and the take-out electrode is electrically connected to the transparent anode layer and the cathode layer. An electroluminescent device according to claim 1, wherein According to a third aspect of the present invention, in the electroluminescent device according to the first or second aspect, the moisture-resistant film is thermocompression-bonded to the glass substrate. Further, in claim 4, a step of sequentially laminating at least a transparent anode layer, a luminescent medium layer, and a cathode layer on one surface of a plastic substrate, a step of forming an extraction electrode on a glass substrate, Laminating on the other side of the material,
Electrically connecting the extraction electrode to the transparent anode layer and the cathode layer, and at least covering and sealing by thermocompression bonding the glass substrate and the moisture-resistant film on which the extraction electrode is formed. This is a method for manufacturing an electroluminescence element.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明のEL素子及びその
製造工程の一例を、図1に基づいて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an example of an EL device of the present invention and a manufacturing process thereof will be described with reference to FIG.

【0012】本実施の形態において、プラスチック基材
1としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピ
レン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シ
クロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミ
ド、ポリメチルメタクリレートなどからなる延伸または
未延伸のフィルムやシートを用いることができる。ま
た、これらのプラスチックフィルムに透明陽極層を成膜
する前に、コロナ処理、プラズマ処理、UVオゾン処理
などの表面処理を施しても良い。
In this embodiment, the plastic substrate 1 may be a stretched or unstretched film made of polyethylene terephthalate, polypropylene, polyether sulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, or the like. Sheets can be used. Before forming a transparent anode layer on these plastic films, a surface treatment such as a corona treatment, a plasma treatment, or a UV ozone treatment may be performed.

【0013】まず、プラスチック基材1上に、スパッタ
リング法や真空蒸着法などにより、透明陽極層2を巻き
取り成膜した後に、フォトリソグラフィー法及びウェッ
トエッチング法を用いて、フィルムを巻き取りながら透
明陽極層をパターニングし、陽極引き出し電極2a を兼
ねた透明陽極層2と陰極引き出し電極2bとを形成す
る。もしくは、マスク蒸着により、透明陽極層をパター
ン形成してもよい。
First, a transparent anode layer 2 is wound on a plastic substrate 1 by a sputtering method or a vacuum evaporation method to form a film. Then, the transparent anode layer 2 is transparently wound on the film by a photolithography method and a wet etching method. The anode layer is patterned to form a transparent anode layer 2 also serving as an anode extraction electrode 2a and a cathode extraction electrode 2b. Alternatively, the transparent anode layer may be patterned by mask evaporation.

【0014】本発明における透明陽極層2の材料として
は、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム
亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などを使
用することができる。また、透明陽極層の配線抵抗を低
くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助
電極として、透明陽極層に併設してもよい。
As a material of the transparent anode layer 2 in the present invention, ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, zinc aluminum composite oxide and the like can be used. In addition, in order to reduce the wiring resistance of the transparent anode layer, a metal material such as copper or aluminum may be provided as an auxiliary electrode in addition to the transparent anode layer.

【0015】次に、透明陽極層2の上に発光媒体層3を
巻き取り成膜する。本発明における発光媒体層3は、蛍
光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することが
できる。多層膜で形成する場合の発光媒体層の構成例は
正孔輸送層、電子輸送性発光層または正孔輸送性発光
層、電子輸送層からなる2層構成や正孔輸送層、発光
層、電子輸送層からなる3層構成等がある。さらにより
多層で形成することも可能であり、各層を基板上に順に
成膜する。
Next, the light emitting medium layer 3 is wound on the transparent anode layer 2 to form a film. The light emitting medium layer 3 in the present invention can be formed of a single layer film containing a fluorescent substance or a multilayer film. When the light-emitting medium layer is formed of a multilayer film, examples of the structure of the light-emitting medium layer include a hole transport layer, an electron-transport light-emitting layer or a two-layer structure including a hole-transport light-emitting layer, and an electron-transport layer. There is a three-layer configuration including a transport layer. Further, it is also possible to form a multi-layer, and each layer is sequentially formed on a substrate.

【0016】正孔輸送材料の例としては、銅フタロシア
ニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニン等の金属
フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナク
リドン化合物、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミ
ノフェニル)シクロヘキサン、N,N' −ジフェニル−
N,N' −ビス(3−メチルフェニル)−1,1' −ビ
フェニル−4,4' −ジアミン、N,N' −ジ(1−ナ
フチル)−N,N' −ジフェニル−1,1' −ビフェニ
ル−4,4' −ジアミン等の芳香族アミンなどの低分子
材料や、ポリチオフェン、ポリアニリン等の高分子材
料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正孔
輸送材料の中から選ぶことができる。
Examples of the hole transport material include metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and tetra (t-butyl) copper phthalocyanine, and metal-free phthalocyanines, quinacridone compounds, 1,1-bis (4-di-p-tolyl). Aminophenyl) cyclohexane, N, N'-diphenyl-
N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenyl-1,1 ' It can be selected from low molecular materials such as aromatic amines such as -biphenyl-4,4'-diamine, high molecular materials such as polythiophene and polyaniline, polythiophene oligomer materials, and other existing hole transport materials.

【0017】発光材料の例としては、9,10−ジアリ
ールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレ
ン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジ
エン、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯
体、トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミ
ニウム錯体、ビス(8−キノリノラート)亜鉛錯体、ト
リス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−
5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、
ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラー
ト]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ
−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)
フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリ
ノラート)スカンジウム錯体、ビス〔8−(パラ−トシ
ル)アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、
1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、
ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジ
ヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン
系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンス
ロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系
蛍光体、N,N' −ジアルキル置換キナクリドン系蛍光
体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N' −ジアリール置
換ピロロピロール系蛍光体等の低分子材料や、ポリフル
オレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン
などの高分子材料、その他既存の発光材料を用いること
ができる。
Examples of the light emitting material include 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4 -Methyl-8-quinolinolate) aluminum complex, bis (8-quinolinolate) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolate) aluminum complex, tris (4-methyl-
5-cyano-8-quinolinolate) aluminum complex,
Bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolate) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolate) [4- (4- Cyanophenyl)
Phenolate] aluminum complex, tris (8-quinolinolate) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex,
1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene,
Pentaphenylcyclopentadiene, poly-2,5-diheptyloxy-para-phenylenevinylene, coumarin-based phosphor, perylene-based phosphor, pyran-based phosphor, anthrone-based phosphor, porphyrin-based phosphor, quinacridone-based phosphor, Low molecular materials such as N, N'-dialkyl-substituted quinacridone-based phosphors, naphthalimide-based phosphors, N, N'-diaryl-substituted pyrrolopyrrole-based phosphors, and polymers such as polyfluorene, polyparaphenylenevinylene, and polythiophene Materials and other existing light emitting materials can be used.

【0018】電子輸送材料の例としては、2−(4−ビ
フィニルイル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−
1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナ
フチル)−1,3,4−オキサジアゾール、およびオキ
サジアゾール誘導体やビス(10−ヒドロキシベンゾ
[h]キノリノラート)ベリリウム錯体、トリアゾール
化合物等が挙げられる。
Examples of the electron transporting material include 2- (4-bifinylyl) -5- (4-t-butylphenyl)-
1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, oxadiazole derivatives and bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolate) beryllium complex And triazole compounds.

【0019】発光媒体層3の形成方法としては、低分子
材料の場合は、抵抗加熱法などの真空蒸着法により巻き
取り成膜することができる。また、高分子材料の場合
は、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、グラビア
オフセット、ダイコート、凹版オフセット、ロールコー
トなどの湿式コーティング法を用いて、巻き取り成膜す
ることができる。発光媒体層の膜厚は、単層または積層
により形成する場合においても1000nm以下であ
り、好ましくは50〜150nmである。
As a method of forming the light emitting medium layer 3, in the case of a low molecular material, a film can be formed by winding by a vacuum evaporation method such as a resistance heating method. In the case of a polymer material, the film can be formed by winding using a wet coating method such as flexo, gravure, microgravure, gravure offset, die coating, intaglio offset, and roll coating. The thickness of the light-emitting medium layer is 1000 nm or less, preferably 50 to 150 nm, even when it is formed as a single layer or a stacked layer.

【0020】次に、発光媒体層3の上に、陰極層4を形
成する。陰極層4の材料としては電子注入効率の高い物
質を用いる。具体的にはMg,Al, Yb等の金属単体
を用いたり、発光媒体層と接する界面にLiや酸化L
i,LiF等の化合物を1nm程度挟んで、安定性・導
電性の高いAlやCuを積層して用いる。
Next, the cathode layer 4 is formed on the light emitting medium layer 3. As the material of the cathode layer 4, a substance having a high electron injection efficiency is used. Specifically, a simple metal such as Mg, Al, or Yb may be used, or Li or oxidized L
Al and Cu having high stability and conductivity are laminated and used with a compound such as i, LiF or the like sandwiched by about 1 nm.

【0021】または電子注入効率と安定性を両立させる
ため、仕事関数が低いLi,Mg,Ca,Sr,La,
Ce,Er,Eu,Sc,Y,Yb等の金属1種以上
と、安定なAg,Al,Cu等の金属元素との合金系が
用いられる。具体的にはMgAg,AlLi,CuLi
等の合金が使用できる。
Alternatively, in order to achieve both electron injection efficiency and stability, Li, Mg, Ca, Sr, La, and
An alloy system of one or more metals such as Ce, Er, Eu, Sc, Y, and Yb and stable metal elements such as Ag, Al, and Cu is used. Specifically, MgAg, AlLi, CuLi
And other alloys can be used.

【0022】陰極層4の形成方法としては、材料に応じ
て、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などを
用いて巻き取り成膜することが可能である。また、アル
ミニウム箔などの金属箔をプラスチック基材1上に作製
した発光媒体層3と重ね合せ、ロール間に通し熱圧着す
ることにより両者をラミネートすることも可能である。
巻き取り成膜する場合の陰極の厚さは、10nm〜10
00nm程度が望ましい。金属箔をラミネートする場合
の厚みは、取り扱いが容易な5μm以上が望ましく、さ
らに言えば箔のピンホールを防止するために15μm以
上が好ましい。また、さらに取り扱いを容易にするため
に、金属箔にポリエチレンテレフタレートなどのプラス
チックフィルムを予めEL素子と接する面と反対側の面
にラミネートしておいても良い。
As a method for forming the cathode layer 4, depending on the material, a film can be formed by winding using a resistance heating evaporation method, an electron beam evaporation method, a reactive evaporation method, an ion plating method, a sputtering method, or the like. It is possible. Further, it is also possible to laminate a metal foil such as an aluminum foil by laminating the light emitting medium layer 3 formed on the plastic substrate 1, passing between rolls and thermocompression bonding.
The thickness of the cathode when the film is formed by winding is 10 nm to 10 nm.
About 00 nm is desirable. When the metal foil is laminated, the thickness is desirably 5 μm or more, which is easy to handle, and more preferably, 15 μm or more to prevent pinholes in the foil. Further, in order to further facilitate the handling, a plastic film such as polyethylene terephthalate may be laminated on the metal foil in advance on the surface opposite to the surface in contact with the EL element.

【0023】次に、ガラス基板5上(プラスチック基材
と接する面)に、EL素子給電用の陽極取り出し電極6
aと陰極取り出し電極6bを形成する。取り出し電極の
材料としては、アルミニウム、銅、銀、ニッケル、クロ
ムなどの金属材料、もしくはこれらの金属材料を1 成分
以上含む合金材料、インジウムスズ複合酸化物、インジ
ウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物など
の金属酸化物などを、単独もしくは組み合わせて使用す
ることができる。また、ガラス基板5上にカラーフィル
タを形成し、取り出し電極を有するカラーフィルターと
して使用しても良い。
Next, on the glass substrate 5 (the surface in contact with the plastic substrate), an anode extraction electrode 6 for powering the EL element is provided.
a and the cathode extraction electrode 6b. Materials for the extraction electrode include metal materials such as aluminum, copper, silver, nickel, and chromium, or alloy materials containing at least one of these metal materials, indium tin composite oxide, indium zinc composite oxide, and zinc aluminum composite oxide. Metal oxides such as substances can be used alone or in combination. Further, a color filter may be formed on the glass substrate 5 and used as a color filter having an extraction electrode.

【0024】取り出し電極6a、6bの形成方法として
は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着
法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ
リング法などを用いることができる。また、膜形成時に
マスキングしたり、膜形成後にフォトリソグラフィ・エ
ッチング法やドライエッチング法などを用いて、所定の
パターンに加工することが好ましい。
As a method of forming the extraction electrodes 6a and 6b, a resistance heating evaporation method, an electron beam evaporation method, a reactive evaporation method, an ion plating method, a sputtering method, or the like can be used depending on the material. Further, it is preferable to perform masking at the time of forming the film or to process the film into a predetermined pattern by using a photolithography / etching method, a dry etching method, or the like after the film is formed.

【0025】次に、取り出し電極6a、6bを形成した
ガラス基板5をプラスチック基材1に積層し、ガラス基
板上の陽極取り出し電極6aと陰極取り出し電極6b
を、導電性材料7を介して、EL素子の陽極取り出し電
極2aと陰極取り出し電極2bにそれぞれ電気的に接続
する。この時、ガラス基板5とプラスチック基材1は、
導電性材料7による電気的接続と同時に、接着固定され
る。また、より強固に接着固定するために、ガラス基板
とプラスチック基材との層間や端部などにUV硬化型接
着性樹脂や電子線硬化型接着性樹脂などを塗布し、硬化
させることにより補強しても良い。
Next, the glass substrate 5 on which the extraction electrodes 6a and 6b are formed is laminated on the plastic substrate 1, and the anode extraction electrode 6a and the cathode extraction electrode 6b on the glass substrate are formed.
Are electrically connected to the anode extraction electrode 2a and the cathode extraction electrode 2b of the EL element via the conductive material 7, respectively. At this time, the glass substrate 5 and the plastic substrate 1
At the same time as the electrical connection by the conductive material 7, the adhesive is fixed. In addition, in order to adhere and fix more firmly, UV curable adhesive resin or electron beam curable adhesive resin is applied to the interlayer or between the glass substrate and the plastic substrate, and then reinforced by curing. May be.

【0026】導電性材料7としては、Au、Ag、C
u、Al、Niなどの金属微粒子、SnO2 、In2
3 などの酸化物微粒子、カーボン微粒子、などの導電性
微粒子とポリエステル樹脂、アクリル樹脂、変性ウレタ
ン樹脂、エポキシ樹脂などのバインダー樹脂とを主成分
とする導電性樹脂材料や、アルミニウム、銅、銀などの
金属材料や、錫、鉛、銀などからなる合金材料や、Sn
2 、In2 3 などの金属酸化物、などを単独もしく
は組み合わせて使用することができる。特に、フィルム
基材とガラス基板とを容易に接着固定することができ、
低温度で成形可能な導電性樹脂材料を少なくとも使用す
ることが望ましい。
As the conductive material 7, Au, Ag, C
metal particles such as u, Al, Ni, etc., SnO 2 , In 2 O
Conductive resin materials mainly composed of conductive fine particles such as oxide fine particles and carbon fine particles such as 3 and binder resins such as polyester resin, acrylic resin, modified urethane resin and epoxy resin, aluminum, copper, silver, etc. Metal materials, alloy materials composed of tin, lead, silver, etc., and Sn
Metal oxides such as O 2 and In 2 O 3 can be used alone or in combination. In particular, the film substrate and the glass substrate can be easily bonded and fixed,
It is desirable to use at least a conductive resin material that can be molded at a low temperature.

【0027】導電性材料7の形成方法としては、材料に
応じて、ノズル吐出法やスクリーン印刷法などのコーテ
ィング法や、蒸着法やスパッタ法などの成膜法や、熱圧
着法、はんだ付け、などを用いることができる。例え
ば、ペースト状の導電性樹脂材料の場合は、スクリーン
印刷法などで形成することが可能である。また、金属材
料からなるフィルム電極の場合は、フィルム状の導電性
樹脂材料を介して熱圧着することにより接着することが
できる。
Depending on the material, the conductive material 7 may be formed by a coating method such as a nozzle discharge method or a screen printing method, a film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method, a thermocompression bonding method, a soldering method, or the like. Etc. can be used. For example, in the case of a paste-like conductive resin material, it can be formed by a screen printing method or the like. In the case of a film electrode made of a metal material, it can be bonded by thermocompression bonding via a film-shaped conductive resin material.

【0028】最後に、外部からの水分を遮断し、長期に
わたりEL素子の劣化を抑制するために、耐湿性フィル
ム8を熱圧着することによりEL素子を被覆封止する。
熱圧着する際には、耐湿性フィルムの端部を熱圧着して
も良いし、熱ロール間を通すことにより、耐湿性フィル
ム全体を熱圧着しても良い。
Finally, in order to shut off moisture from the outside and suppress deterioration of the EL element for a long period of time, the EL element is covered and sealed by thermocompression bonding of a moisture-resistant film 8.
When performing thermocompression bonding, the end of the moisture-resistant film may be thermocompression-bonded, or the entire moisture-resistant film may be thermocompression-bonded by passing between heat rolls.

【0029】耐湿性フィルム8は、少なくともバリア層
とシーラント層とを有する必要がある。バリア層として
は、基材に酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化クロム、
酸化マグネシウム等の金属酸化物、弗化アルミニウム、
弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アル
ミニウム、窒化クロムなどの金属窒化物を単層または積
層したフィルムや、アルミニウム、銅、ニッケル、ステ
ンレス、アルミニウム合金などを蒸着したフィルムや、
これら材料の金属箔、合金箔を用いることができる。特
に、ガスバリア性に優れる金属箔や合金箔を用いること
が好ましい。また、製造時の取り扱いを容易にするため
に、基材としてポリエチレンテレフタレート、ナイロン
などのフィルムをラミネートしても良い。
The moisture-resistant film 8 needs to have at least a barrier layer and a sealant layer. As the barrier layer, silicon oxide, aluminum oxide, chromium oxide,
Metal oxides such as magnesium oxide, aluminum fluoride,
A film in which metal fluorides such as magnesium fluoride, metal nitrides such as silicon nitride, aluminum nitride, and chromium nitride are single-layered or laminated; a film in which aluminum, copper, nickel, stainless steel, an aluminum alloy, or the like is deposited;
Metal foils and alloy foils of these materials can be used. In particular, it is preferable to use a metal foil or an alloy foil having excellent gas barrier properties. In addition, a film such as polyethylene terephthalate or nylon may be laminated as a base material in order to facilitate handling during manufacture.

【0030】シーラント層としては、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体などのポ
リオレフィンの酸変性物、エチレン・酢酸ビニル共重合
体の酸変性物、エチレン・ アクリル酸共重合体、エチレ
ン・ メタクリル酸共重合体、アイオノマーなどの熱可塑
性接着性樹脂を用いることができる。
As the sealant layer, acid modified products of polyolefins such as polyethylene, polypropylene, ethylene / propylene copolymer, acid modified products of ethylene / vinyl acetate copolymer, ethylene / acrylic acid copolymer, ethylene / methacrylic acid Thermoplastic adhesive resins such as copolymers and ionomers can be used.

【0031】耐湿性フィルム8を熱圧着する箇所は、プ
ラスチック基材1よりもガラス基板5と行う方が好まし
い。この理由として、プラスチック基材1に熱圧着した
場合、プラスチック基材1の端部から水分が侵入し、素
子が劣化するといった点や、プラスチック基材よりもガ
ラス基板との接着強度が強いといった点や、ガラス基板
に比べ、プラスチック基材上に形成された透明陽極層の
膜強度が弱いといった点、などが挙げられる。
The place where the moisture-resistant film 8 is thermocompression-bonded is preferably made with the glass substrate 5 rather than with the plastic substrate 1. The reason for this is that when thermocompression bonding is performed on the plastic substrate 1, moisture penetrates from the end of the plastic substrate 1 and the element is deteriorated, and the bonding strength with the glass substrate is higher than that of the plastic substrate. And that the film strength of a transparent anode layer formed on a plastic substrate is lower than that of a glass substrate.

【0032】[0032]

【実施例】以下、本発明に係わるEL素子及びその製造
方法を説明する。図1は、本発明のEL素子の断面説明
図である。図2は、比較例のEL素子の断面説明図であ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an EL device according to the present invention and a method for manufacturing the same will be described. FIG. 1 is an explanatory sectional view of an EL device of the present invention. FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view of an EL element of a comparative example.

【0033】[実施例1]まず、プラスチック基材1と
して、ポリエチレンテレフタレートフィルム(100μ
m) を使用し、スパッタリング法で透明陽極層2として
ITO膜(150nm)を巻き取り成膜した(図1
(a)参照)。
Example 1 First, a polyethylene terephthalate film (100 μm) was used as the plastic substrate 1.
m), an ITO film (150 nm) was wound up as a transparent anode layer 2 by sputtering to form a film (FIG. 1).
(A)).

【0034】次に、フォトリソグラフィー法及びウェッ
トエッチング法を用いて、フィルムを巻き取りながら透
明陽極層2をパターニングし、陽極引き出し電極2aを
兼ねた透明陽極層2と陰極引き出し電極2bとを形成し
た(図1(a)参照)。
Next, the transparent anode layer 2 was patterned by using a photolithography method and a wet etching method while winding the film to form a transparent anode layer 2 also serving as an anode extraction electrode 2a and a cathode extraction electrode 2b. (See FIG. 1A).

【0035】次に、発光媒体層3として、ポリ[2−メ
トキシ−5−(2' −エチル−ヘキシロキシ)−1,4
−フェニレンビニレン](MEHPPV)を用い、フィ
ルムを巻き取りながらダイレクトグラビア法により10
0nmの塗膜を形成した。次に、陰極層4として、Mg
Agを2元共蒸着により200nm巻き取り蒸着した
(図1(b)参照)。
Next, poly [2-methoxy-5- (2'-ethyl-hexyloxy) -1,4
-Phenylenevinylene] (MEHPPV) while winding the film to obtain a 10
A 0 nm coating was formed. Next, as the cathode layer 4, Mg
Ag was vapor-deposited to a thickness of 200 nm by binary co-evaporation (see FIG. 1B).

【0036】次に、ガラス基板5上に、スパッタリング
法でITO膜(150nm)を成膜した後に、フォトリ
ソグラフィー法及びウェットエッチング法を用いてIT
O膜をパターニングし、陽極引き出し電極6aと陰極取
り出し電極6bを形成した(図1(c)参照)。
Next, after an ITO film (150 nm) is formed on the glass substrate 5 by a sputtering method, the ITO film is formed by a photolithography method and a wet etching method.
The O film was patterned to form an anode extraction electrode 6a and a cathode extraction electrode 6b (see FIG. 1C).

【0037】次に、ガラス基板5とプラスチック基材1
とを積層した。次に、ガラス基板上に形成した陽極取り
出し電極6aをEL素子の陽極取り出し電極2aに、ま
たガラス基板上に形成した陰極取り出し電極6bをEL
素子の陰極取り出し電極2bにそれぞれ電気的に接続す
るように、変性ウレタン樹脂と銀微粒子からなる導電性
樹脂材料7(スリーボンド社製3320D)をスクリー
ン印刷により200μm形成し、それと同時にプラスチ
ック基材1をガラス基板5に接着固定した。(図1
(c)参照)。
Next, the glass substrate 5 and the plastic substrate 1
And were laminated. Next, the anode extraction electrode 6a formed on the glass substrate is used as the anode extraction electrode 2a of the EL element, and the cathode extraction electrode 6b formed on the glass substrate is used as the EL extraction electrode.
A conductive resin material 7 (3320D manufactured by Three Bond Co., Ltd.) composed of a modified urethane resin and silver fine particles is formed by screen printing to a thickness of 200 μm so as to be electrically connected to the cathode extraction electrode 2b of the element, respectively. The glass substrate 5 was bonded and fixed. (Figure 1
(C)).

【0038】次に、耐湿性フィルム8として、ポリエチ
レンテレフタレート(20μm)、アルミニウム箔(2
0μm)、ポリプロピレンの酸変性物(30μm)を順
にドライラミネートおよび押し出しラミネートした。次
に、乾燥窒素雰囲気中で、EL素子を耐湿性フィルムで
被覆し、耐湿性フィルム端部をガラス基板1と熱圧着す
ることにより封止した(図1(d)参照)。得られたE
L素子を、40℃90%RHの恒温槽で1000時間保
存した結果、発光面積は初期面積の90%であった。
Next, polyethylene terephthalate (20 μm), aluminum foil (2
0 μm) and an acid-modified polypropylene (30 μm) were sequentially laminated by dry lamination and extrusion lamination. Next, the EL element was covered with a moisture-resistant film in a dry nitrogen atmosphere, and the end of the moisture-resistant film was sealed by thermocompression bonding with the glass substrate 1 (see FIG. 1D). E obtained
As a result of storing the L element in a thermostat at 40 ° C. and 90% RH for 1000 hours, the light emitting area was 90% of the initial area.

【0039】[実施例2]実施例1の発光媒体層3を低
分子材料に変えて、実施例1と同様の工程で、ガラス基
板と耐湿性フィルムによりEL素子を被覆封止した。低
分子材料としては、銅フタロシアニン、N,N’−ジ
(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−
ビフェニル−4,4’−ジアミン、トリス(8−キノリ
ノラート) アルミニウム錯体を順に、10nm、40n
m、50nmの膜厚で真空蒸着により形成した。得られ
たEL素子を、40℃90%RHの恒温槽で1000時
間保存した結果、発光面積は初期面積の90%であっ
た。
Example 2 An EL element was covered and sealed with a glass substrate and a moisture-resistant film in the same process as in Example 1 except that the luminescent medium layer 3 of Example 1 was changed to a low molecular material. Examples of low molecular weight materials include copper phthalocyanine, N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl-1,1′-
Biphenyl-4,4'-diamine and tris (8-quinolinolato) aluminum complex were sequentially added at 10 nm and 40 n.
It was formed by vacuum evaporation to a thickness of 50 nm with a thickness of 50 nm. As a result of storing the obtained EL element in a thermostat at 40 ° C. and 90% RH for 1000 hours, the light emitting area was 90% of the initial area.

【0040】[比較例1]実施例1で使用したガラス基
板を貼り合せずに、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム1と耐湿性フィルム8とを熱圧着することにより、E
L素子を被覆封止した(図2参照)。得られたEL素子
を、40℃90%RHの恒温槽で1000時間保存した
結果、EL素子は発光しなくなった。
Comparative Example 1 A polyethylene terephthalate film 1 and a moisture-resistant film 8 were thermocompression-bonded without bonding the glass substrate used in Example 1
The L element was covered and sealed (see FIG. 2). As a result of storing the obtained EL element in a thermostat at 40 ° C. and 90% RH for 1000 hours, the EL element did not emit light.

【0041】[0041]

【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、プラスチ
ック基材の一方の面に、少なくとも透明陽極層、発光媒
体層、陰極層が順次積層され、耐湿性フィルムで前記積
層体を被覆封止してなるエレクトロルミネッセンス素子
において、前記プラスチック基材の他方の面にガラス基
板が積層されていることにより、外部からの水分を遮断
し、長期にわたりEL素子の劣化を抑制し、かつ薄型・
軽量のEL素子を提供することができる。
According to the first aspect of the present invention, at least a transparent anode layer, a luminescent medium layer, and a cathode layer are sequentially laminated on one surface of a plastic substrate, and the laminate is covered and sealed with a moisture-resistant film. In the stopped electroluminescent element, since the glass substrate is laminated on the other surface of the plastic substrate, moisture from the outside is shut off, deterioration of the EL element is suppressed for a long time,
A lightweight EL element can be provided.

【0042】請求項2記載の発明によれば、プラスチッ
クフィルム上の透明陽極層に比べ、膜強度が優れたガラ
ス基板上の取り出し電極からEL素子に給電することが
できるため、請求項1記載の発明の実施形態として好ま
しい。
According to the second aspect of the present invention, power can be supplied to the EL element from an extraction electrode on a glass substrate having a higher film strength than a transparent anode layer on a plastic film. It is preferred as an embodiment of the invention.

【0043】請求項3記載の発明によれば、プラスチッ
クフィルム端部からの水分の侵入を防ぎ、かつ十分な接
着強度が得られるため、請求項1〜3記載の発明の実施
形態として好ましい。
According to the third aspect of the present invention, it is preferable as an embodiment of the first to third aspects of the present invention, since the penetration of moisture from the end of the plastic film is prevented and a sufficient adhesive strength is obtained.

【0044】請求項4記載の発明によれば、請求項1記
載のEL素子を、低コストで製造することができるた
め、請求項1記載の発明の実施形態として好ましい。
According to the fourth aspect of the present invention, since the EL element of the first aspect can be manufactured at low cost, it is preferable as the embodiment of the first aspect of the invention.

【0045】[0045]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のEL素子の断面構造の一例を示す説明
図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a cross-sectional structure of an EL element of the present invention.

【図2】比較例のEL素子の断面構造の一例を示す説明
図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating an example of a cross-sectional structure of an EL element of a comparative example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プラスチック基材 2 透明陽極層 2a 陽極取り出し電極 2b 陰極取りだし電極 3 発光媒体層 4 陰極層 5 ガラス基板 6a ガラス基板上の陽極取り出し電極 6b ガラス基板上の陰極取りだし電極 7 導電性材料 8 耐湿性フィルム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plastic base material 2 Transparent anode layer 2a Anode extraction electrode 2b Cathode extraction electrode 3 Emission medium layer 4 Cathode layer 5 Glass substrate 6a Anode extraction electrode on glass substrate 6b Cathode extraction electrode on glass substrate 7 Conductive material 8 Moisture resistant film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB11 AB13 AB18 BB00 CA06 CB01 DA01 DB03 EA01 EB00 FA02  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3K007 AB11 AB13 AB18 BB00 CA06 CB01 DA01 DB03 EA01 EB00 FA02

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】プラスチック基材の一方の面に、少なくと
も透明陽極層、発光媒体層、陰極層が順次積層され、耐
湿性フィルムで前記積層体を被覆封止してなるエレクト
ロルミネッセンス素子において、前記プラスチック基材
の他方の面にガラス基板が積層されていることを特徴と
するエレクトロルミネッセンス素子。
An electroluminescent device comprising a plastic substrate, on which at least a transparent anode layer, a luminescent medium layer, and a cathode layer are sequentially laminated, and the laminate is covered and sealed with a moisture-resistant film. An electroluminescent device, wherein a glass substrate is laminated on the other surface of a plastic substrate.
【請求項2】前記ガラス基板が、プラスチック基材と接
する面に、取り出し電極を有し、かつ取り出し電極が前
記透明陽極層及び陰極層に電気的に接続されていること
を特徴とする請求項1記載のエレクトロルミネッセンス
素子。
2. The method according to claim 1, wherein the glass substrate has an extraction electrode on a surface in contact with the plastic substrate, and the extraction electrode is electrically connected to the transparent anode layer and the cathode layer. 2. The electroluminescent device according to 1.
【請求項3】前記耐湿性フィルムが前記ガラス基板に熱
圧着されていることを特徴とする請求項1、2記載のエ
レクトロルミネッセンス素子。
3. The electroluminescent device according to claim 1, wherein said moisture-resistant film is thermocompression-bonded to said glass substrate.
【請求項4】プラスチック基材の一方の面に、少なくと
も透明陽極層、発光媒体層、陰極層を順次積層する工
程、ガラス基板上に取り出し電極を形成する工程、ガラ
ス基板をプラスチック基材の他方の面に積層する工程、
取り出し電極を透明陽極層および陰極層に電気的に接続
する工程、取り出し電極が形成されたガラス基板と耐湿
性フィルムとを熱圧着することにより被覆封止する工
程、を少なくとも含むことを特徴とするエレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法。
4. A step of sequentially laminating at least a transparent anode layer, a luminescent medium layer, and a cathode layer on one surface of a plastic substrate, a step of forming an extraction electrode on a glass substrate, and a step of forming a glass substrate on the other side of the plastic substrate. Laminating on the surface of
Electrically connecting the extraction electrode to the transparent anode layer and the cathode layer, and at least covering and sealing by thermocompression bonding the glass substrate and the moisture-resistant film on which the extraction electrode is formed. A method for manufacturing an electroluminescence element.
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