JP2001307871A - Electroluminescent element - Google Patents

Electroluminescent element

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JP2001307871A
JP2001307871A JP2000120582A JP2000120582A JP2001307871A JP 2001307871 A JP2001307871 A JP 2001307871A JP 2000120582 A JP2000120582 A JP 2000120582A JP 2000120582 A JP2000120582 A JP 2000120582A JP 2001307871 A JP2001307871 A JP 2001307871A
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layer
moisture
film
light
flow rate
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Akio Nakamura
彰男 中村
Teruhiko Kai
輝彦 甲斐
Norimasa Sekine
徳政 関根
Takao Minato
孝夫 湊
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an EL element which cuts off moisture from outside, restrains a deterioration of the EL element for long term, and is thin-type, light weight, and low cost. SOLUTION: The EL element coated and sealed the EL element fabricated on a transparent substrate by a moisture proof film 5 with a sealant layer constituted of a thermoplastic adhesive property resin in which a barrier layer and a melt flow rate are 5 (g/10 min) or more and 20 (g/10 min) or less at least, can bury a gap part made by a difference of a grade of a drawer electrode of respective electrodes completely, and does not deteriorate a tensile strength, anti stress cracking nature, a workability or the like.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、情報表示端末など
のディスプレイや面発光光源として幅広い用途が期待さ
れるエレクトロルミネッセンス素子(以下、EL素子と
表記する)に関するものであり、耐湿性に優れたEL素
子を、薄型・軽量・低コストで製造できることを特徴と
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent element (hereinafter, referred to as an EL element) which is expected to be widely used as a display for an information display terminal or a surface emitting light source, and has excellent moisture resistance. It is characterized in that the EL element can be manufactured thinly, lightly and at low cost.

【0002】[0002]

【従来の技術】EL素子は、広視野角、応答速度が速
い、低消費電力などの利点から、ブラウン管や液晶ディ
スプレイに代わるフラットパネルディスプレイとして期
待されている。
2. Description of the Related Art EL elements are expected to be used as flat panel displays in place of cathode ray tubes and liquid crystal displays because of their advantages such as a wide viewing angle, a high response speed, and low power consumption.

【0003】EL素子は、少なくとも一方が透明な2枚
の電極の間に有機又は無機の発光媒体層を挟持した構造
であり、両電極間に有機の発光媒体層の場合は直流を、
無機の発光媒体層の場合は直流又は交流の電圧を印加す
ることにより発光媒体層で発光が生じるものである(以
下、有機の発光媒体層を直流電圧を印加する例で説明す
る)。
An EL element has a structure in which an organic or inorganic light emitting medium layer is sandwiched between two electrodes, at least one of which is transparent.
In the case of an inorganic light emitting medium layer, light emission occurs in the light emitting medium layer by applying a DC or AC voltage (hereinafter, an example in which a DC voltage is applied to an organic light emitting medium layer will be described).

【0004】通常、透光性基板上にITOなどからなる
透明陽極層及び発光媒体層を形成した後、真空蒸着法や
スパッタ法などにより陰極層を成膜する。この陰極層
は、基板上の異物などの影響により、ピンホールなどの
局所的な膜欠陥を生じやすい。
Usually, after forming a transparent anode layer and a light emitting medium layer made of ITO or the like on a light transmitting substrate, a cathode layer is formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method or the like. This cathode layer is liable to cause local film defects such as pinholes due to the influence of foreign substances on the substrate.

【0005】陰極層にこのような膜欠陥が生じると、大
気中の水分が侵入し、EL素子は劣化する。一つの具体
例として、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生
し、時間の経過とともに拡大するという現象がある。
When such a film defect occurs in the cathode layer, moisture in the air penetrates and the EL element is deteriorated. As a specific example, there is a phenomenon that a non-light-emitting area called a dark spot is generated and expands with time.

【0006】この問題を解決する手段として、特許第28
13495 号、特許第2813499 号、特開平7-169567号公報な
どに記載された方法と、特開平6-36878 号公報、特開平
6-223973号公報、特開平6-338393号公報などに記載され
た方法の2例を挙げる。
As means for solving this problem, Patent No. 28
No. 13495, Patent No. 2813499, JP-A-7-169567 and the like, and JP-A-6-36878, JP-A
Two examples of the method described in JP-A-6-223973 and JP-A-6-338393 are given.

【0007】前者は、窒素や不活性ガス雰囲気中で、気
密ケースを透光性基板と密着固定することにより、EL
素子を封止する方法である。
In the former, an EL case is tightly fixed to a light-transmitting substrate in an atmosphere of nitrogen or an inert gas, so that an EL device is used.
This is a method for sealing the element.

【0008】しかし、上記気密ケースは金属やガラス製
であるため、EL素子の総重量の約1/3 〜1/2 をこの気
密ケースが占めてしまうという問題がある。従って、E
L素子を薄型・軽量化するためには、この方法は適さな
い。
However, since the airtight case is made of metal or glass, there is a problem that the airtight case occupies about 1/3 to 1/2 of the total weight of the EL element. Therefore, E
This method is not suitable for reducing the thickness and weight of the L element.

【0009】また、気密ケースを透光性基板に接着する
手段が、光硬化性樹脂を用いているために、光硬化性樹
脂からのアウトガスにより素子が劣化するという問題が
ある。
Further, since the means for adhering the airtight case to the light-transmitting substrate uses a photocurable resin, there is a problem that the element is deteriorated by outgas from the photocurable resin.

【0010】また、製造工程においては、気密ケースに
光硬化性樹脂を塗布する工程、透光性基板と気密ケース
を貼り合せる工程、光硬化性樹脂を硬化させる工程があ
るため、生産性・製造コストの面で問題がある。
In the manufacturing process, there are a step of applying a photocurable resin to the hermetic case, a step of bonding the translucent substrate and the hermetic case, and a step of curing the photocurable resin. There is a problem in cost.

【0011】後者の方法は、素子を一対の耐湿性フィル
ムで挟持して封止する方法であり、主に無機EL素子の
封止に用いられている。耐湿性フィルムは、少なくとも
一方が透光性である必要が有り、無機薄膜を積層したプ
ラスチックフィルムなどが用いられている。
The latter method is a method in which an element is sandwiched between a pair of moisture-resistant films and sealed, and is mainly used for sealing an inorganic EL element. At least one of the moisture-resistant films needs to be translucent, and a plastic film or the like on which an inorganic thin film is laminated is used.

【0012】しかし、この方法を用いて、EL素子を封
止した場合、40℃90%RHの恒温槽中で1000時
間保存すると、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が
拡大し、発光面積が30〜40%(初期面積100)に
減少するといった問題が生じる。この違いは、無機EL
素子は耐湿性フィルム以外にも、発光媒体層である絶縁
層や蛍光体に耐湿処理ができる点にある。
However, when the EL element is sealed by using this method, when the EL element is stored in a thermostat at 40 ° C. and 90% RH for 1000 hours, a non-light-emitting area called a dark spot expands, and the light-emitting area becomes 30 to 90%. There is a problem that it is reduced to 40% (initial area 100). The difference is that inorganic EL
The element has a feature that, in addition to the moisture-resistant film, the insulating layer or the phosphor as the light-emitting medium layer can be subjected to the moisture-resistant treatment.

【0013】EL素子の劣化を完全に抑制するために
は、現状の透光性耐湿性フィルムのバリア性能では不十
分であり、ガラス基板が用いられている。しかしこの場
合、シーラントフィルムとして用いられている熱可塑性
樹脂は、ガラスとの接着性がないため、熱可塑性接着性
樹脂をシーラントとして用いる必要がある。
In order to completely suppress the deterioration of the EL element, the barrier property of the current light-transmitting and moisture-resistant film is insufficient, and a glass substrate is used. However, in this case, since the thermoplastic resin used as the sealant film has no adhesiveness to glass, it is necessary to use the thermoplastic adhesive resin as the sealant.

【0014】また、シーラントフィルムの他の問題点と
しては、熱圧着部に透明陽極層やフィルム電極などの段
差がある場合、段差の隙間部分を完全に埋めることがで
きず、その隙間を通して水分などが侵入し素子を劣化さ
せるという問題点があった。
Another problem with the sealant film is that when there is a step such as a transparent anode layer or a film electrode in the thermocompression-bonded portion, the gap between the steps cannot be completely filled, and moisture or the like passes through the gap. Penetrates and degrades the element.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決するためになされたものであり、その課題とする
ところは、外部からの水分を遮断し、長期にわたりEL
素子の劣化を抑制し、かつ薄型・軽量・低コストのEL
素子を提供することにある。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to block external moisture and maintain EL for a long period of time.
Thin, lightweight, low-cost EL that suppresses element deterioration
It is to provide an element.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、まず請求項1においては、透光性基板上に、
少なくとも透明陽極層、発光媒体層、陰極層を順次積層
し、耐湿性フィルムで被覆封止してなるエレクトロルミ
ネッセンス素子において、耐湿性フィルムが少なくとも
バリア層とJIS K 7210規定のメルトフローレートが5(g/
10min)以上20(g/10min) 以下の熱可塑性接着性樹脂から
なるシーラント層とを含むことを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンス素子である。また、請求項2において
は、請求項1記載の発明を前提とし、バリア層が、金属
箔からなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス
素子である。更に、請求項3においては、請求項1記載
の発明を前提とし、熱可塑性接着性樹脂が、ポリエチレ
ン又はポリプロピレンの酸変性物からなることを特徴と
するエレクトロルミネッセンス素子である。
According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, first, in claim 1, on a light-transmitting substrate,
At least a transparent anode layer, a light-emitting medium layer, and a cathode layer are sequentially laminated, and in an electroluminescent element sealed and covered with a moisture-resistant film, the moisture-resistant film has at least a barrier layer and a JIS K 7210 prescribed melt flow rate of 5 ( g /
And a sealant layer made of a thermoplastic adhesive resin of 10 (min) to 20 (g / 10 min). According to a second aspect, based on the premise of the first aspect, the electroluminescent element is characterized in that the barrier layer is made of a metal foil. Further, a third aspect is based on the premise of the first aspect, wherein the thermoplastic adhesive resin is made of an acid-modified product of polyethylene or polypropylene.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明のEL素子及びその
製造工程の一例を、図1に基づいて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an example of an EL device of the present invention and a manufacturing process thereof will be described with reference to FIG.

【0018】本実施の形態において、透光性基板1とし
てガラスを用いるが、透光性と絶縁性を有し、かつ十分
な耐湿性を有する基板であれば如何なる基板も使用でき
る。例えば、石英基板や樹脂フィルムも用いることがで
きる。
In the present embodiment, glass is used as the light-transmitting substrate 1. However, any substrate can be used as long as it has light-transmitting properties, insulating properties, and sufficient moisture resistance. For example, a quartz substrate or a resin film can be used.

【0019】まず、透光性基板1上に、スパッタリング
法などにより透明陽極層2を形成する。次に、フォトリ
ソグラフィー法及びウエットエッチング法で透明導電膜
をパターニングし、引き出し電極2aを兼ねた透明陽極
層2と陰極用引き出し電極2bとを形成する。
First, a transparent anode layer 2 is formed on a translucent substrate 1 by a sputtering method or the like. Next, the transparent conductive film is patterned by a photolithography method and a wet etching method to form a transparent anode layer 2 also serving as a lead electrode 2a and a cathode lead electrode 2b.

【0020】本発明における透明陽極層の材料として
は、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム
亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などが使
用できる。
As the material of the transparent anode layer in the present invention, ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, zinc aluminum composite oxide and the like can be used.

【0021】次に、発光媒体層3及び陰極層4を順次成
膜する。ここで、陰極層4は、予め形成した陰極用引き
出し電極2bに接続されるように成膜する。
Next, the light emitting medium layer 3 and the cathode layer 4 are sequentially formed. Here, the cathode layer 4 is formed so as to be connected to the cathode lead electrode 2b formed in advance.

【0022】本発明における発光媒体層は、有機物質の
場合、蛍光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成す
ることができる。多層膜で形成する場合の有機発光媒体
層の構成例は正孔注入輸送層、電子輸送性発光層または
正孔輸送性発光層、電子輸送層からなる2層構成や正孔
注入輸送層、発光層、電子輸送層からなる3層構成など
がある。さらにより多層で形成することも可能であり、
各層を基板上に順に成膜する。
In the case of an organic substance, the light emitting medium layer in the present invention can be formed as a single layer film containing a fluorescent substance or a multilayer film. When the organic light emitting medium layer is formed of a multilayer film, examples of the structure of the organic light emitting medium layer include a hole injection transport layer, an electron transport light emitting layer or a hole transport light emitting layer, a two-layer structure including an electron transport layer, and a hole injection transport layer. And a three-layer structure including an electron transport layer. It is also possible to form a more multilayer,
Each layer is sequentially formed on a substrate.

【0023】正孔注入輸送材料の例としては、銅フタロ
シアニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニンなど
の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、
キナクリドン化合物、1,1−ビス(4−ジ−p−トリ
ルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,
1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジ
(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−
ビフェニル−4,4’−ジアミンなどの芳香族アミン系
低分子正孔注入輸送材料やポリチオフェン、ポリアニリ
ンなどの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマ
ー材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことが
できる。
Examples of the hole injecting / transporting material include metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and tetra (t-butyl) copper phthalocyanine, and metal-free phthalocyanines;
Quinacridone compounds, 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,
1'-biphenyl-4,4'-diamine, N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenyl-1,1'-
Select from aromatic amine-based low molecular hole injection / transport materials such as biphenyl-4,4'-diamine, high molecular hole transport materials such as polythiophene and polyaniline, polythiophene oligomer materials, and other existing hole transport materials. Can be.

【0024】発光材料の例としては、9,10−ジアリ
ールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレ
ン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジ
エン、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯
体、トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミ
ニウム錯体、ビス(8−キノリノラート)亜鉛錯体、ト
リス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−
5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、
ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラー
ト]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ
−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)
フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリ
ノラート)スカンジウム錯体、ビス〔8−(パラ−トシ
ル)アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、
1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、
ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジ
ヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン
系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンス
ロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系
蛍光体、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光
体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N’−ジアリール置
換ピロロピロール系蛍光体などの低分子材料や、ポリフ
ルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェ
ンなどの高分子材料、その他既存の発光材料を用いるこ
とができる。
Examples of light emitting materials include 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4 -Methyl-8-quinolinolate) aluminum complex, bis (8-quinolinolate) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolate) aluminum complex, tris (4-methyl-
5-cyano-8-quinolinolate) aluminum complex,
Bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolate) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolate) [4- (4- Cyanophenyl)
Phenolate] aluminum complex, tris (8-quinolinolate) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex,
1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene,
Pentaphenylcyclopentadiene, poly-2,5-diheptyloxy-para-phenylenevinylene, coumarin-based phosphor, perylene-based phosphor, pyran-based phosphor, anthrone-based phosphor, porphyrin-based phosphor, quinacridone-based phosphor, Low-molecular materials such as N, N'-dialkyl-substituted quinacridone-based phosphors, naphthalimide-based phosphors, N, N'-diaryl-substituted pyrrolopyrrole-based phosphors, and polymers such as polyfluorene, polyparaphenylenevinylene, and polythiophene Materials and other existing light emitting materials can be used.

【0025】有機電子輸送材料の例としては、2−(4
−ビフィニルイル)−5−(4−t−ブチルフェニル)
−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−
ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、および浜
田らの合成したオキサジアゾール誘導体(日本化学会
誌、1540頁、1991年)やビス(10−ヒドロキ
シベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム錯体、特開
平7−90260号で述べられているトリアゾール化合
物などが挙げられる。
Examples of the organic electron transporting material include 2- (4
-Bifinylyl) -5- (4-t-butylphenyl)
-1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1-
Naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, oxadiazole derivatives synthesized by Hamada et al. (Journal of the Chemical Society of Japan, p. 1540, 1991) and bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) beryllium complex, The triazole compounds described in Kaihei 7-90260 are exemplified.

【0026】発光媒体層の形成方法は、材料に応じて、
真空蒸着法や、スピンコート、スプレーコート、フレキ
ソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなど
のコーティング法、印刷法を用いることができる。発光
媒体層の膜厚は、単層または積層により形成する場合に
おいても1000nm以下であり、好ましくは50〜1
50nmである。
The method for forming the light-emitting medium layer depends on the material.
A vacuum evaporation method, a coating method such as spin coating, spray coating, flexo, gravure, microgravure, intaglio offset, or a printing method can be used. The thickness of the light-emitting medium layer is 1000 nm or less even when it is formed as a single layer or a stacked layer, and is preferably 50 to 1 nm.
50 nm.

【0027】陰極材料としては電子注入効率の高い物質
を用いる。具体的にはMg,Al,Ybなどの金属単体
を用いたり、発光媒体と接する界面にLiや酸化Li,
LiFなどの化合物を1nm程度挟んで、安定性・導電
性の高いAlやCuを積層して用いる。
As the cathode material, a substance having a high electron injection efficiency is used. Specifically, a single metal such as Mg, Al, or Yb may be used, or Li or Li oxide,
Al and Cu having high stability and conductivity are stacked and used with a compound such as LiF sandwiched by about 1 nm.

【0028】または電子注入効率と安定性を両立させる
ため、仕事関数が低いLi,Mg,Ca,Sr,La,
Ce,Er,Eu,Sc,Y,Ybなどの金属1種以上
と、安定なAg,Al,Cuなどの金属元素との合金系
が用いられる。具体的にはMgAg,AlLi,CuL
iなどの合金が使用できる。
Alternatively, in order to achieve both electron injection efficiency and stability, the work functions of Li, Mg, Ca, Sr, La,
An alloy system of at least one metal such as Ce, Er, Eu, Sc, Y, and Yb and a stable metal element such as Ag, Al, and Cu is used. Specifically, MgAg, AlLi, CuL
An alloy such as i can be used.

【0029】陰極の形成方法は、材料に応じて、抵抗加
熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプ
レーティング法、スパッタリング法を用いることができ
る。陰極の厚さは、10nm〜1000nm程度が望ま
しい。
As a method for forming the cathode, a resistance heating evaporation method, an electron beam evaporation method, a reactive evaporation method, an ion plating method, and a sputtering method can be used depending on the material. The thickness of the cathode is desirably about 10 nm to 1000 nm.

【0030】最後に、外部からの水分を遮断し、長期に
わたりEL素子の劣化を抑制するために、耐湿フィルム
5で被覆封止する。
Finally, in order to block moisture from the outside and suppress deterioration of the EL element for a long period of time, the EL element is covered and sealed with a moisture resistant film 5.

【0031】前記耐湿フィルムは、少なくともバリア層
とJIS K 7210規定のメルトフローレートが5(g/10min)以
上20(g/10min) 以下の熱可塑性接着性樹脂からなるシー
ラント層とを有する。
The moisture-resistant film has at least a barrier layer and a sealant layer made of a thermoplastic adhesive resin having a melt flow rate specified by JIS K 7210 of 5 (g / 10 min) or more and 20 (g / 10 min) or less.

【0032】バリア層は、外部からの水分を遮断する機
能を有する材料からなる薄い層である。材料としては、
金属又は金属酸化物などが挙げられる。
The barrier layer is a thin layer made of a material having a function of blocking moisture from the outside. As a material,
Examples thereof include a metal and a metal oxide.

【0033】また、バリア層の形成方法は、ポリエチレ
ンテレフタレート、ナイロンなどの可撓性のある樹脂フ
ィルムからなる支持体へ蒸着法やコーティング法で形成
しても良いが、バリア性が不十分な場合がある。そこで
バリア層として金属箔を用いる方法を採用することが望
ましい。
The barrier layer may be formed by vapor deposition or coating on a support made of a flexible resin film such as polyethylene terephthalate or nylon. There is. Therefore, it is desirable to adopt a method using a metal foil as the barrier layer.

【0034】金属箔の材料としては、アルミニウム、
銅、ニッケルなどの金属材料や、ステンレス、アルミニ
ウム合金などの合金材料を用いることができるが、加工
性やコストの面でアルミニウムが好ましい。膜厚は、1
μm〜100 μm程度、好ましくは10μm〜50μm程度が
望ましい。また、製造時の取り扱いを容易にするため
に、ポリエチレンテレフタレート、ナイロンなどのフィ
ルムをあらかじめラミネートしておいても良い。
As the material of the metal foil, aluminum,
Metal materials such as copper and nickel, and alloy materials such as stainless steel and aluminum alloy can be used, but aluminum is preferable in view of workability and cost. The film thickness is 1
It is desirable that the thickness is about 100 μm to 100 μm, preferably about 10 μm to 50 μm. Further, a film such as polyethylene terephthalate or nylon may be laminated in advance in order to facilitate handling during manufacture.

【0035】熱可塑性接着性樹脂としては、JIS K 7210
規定のメルトフローレートが5(g/10min)以上20(g/10mi
n) 以下であるもの、更に好ましくは、6(g/10min)以上1
5(g/10min) 以下を用いる。これは、メルトフローレー
トが5(g/10min)以下の樹脂を用いると、各電極の引き出
し電極2a,2bの段差により生じる隙間部2cを完全
に埋めることができず、20(g/10min) 以上の樹脂を用い
ると引っ張り強さや耐ストレスクラッキング性、加工性
などが低下するためである。
As the thermoplastic adhesive resin, JIS K 7210
The specified melt flow rate is 5 (g / 10min) or more and 20 (g / 10mi)
n) The following, more preferably 6 (g / 10min) or more 1
Use 5 (g / 10min) or less. This is because if a resin having a melt flow rate of 5 (g / 10 min) or less is used, it is impossible to completely fill the gap 2c caused by the step between the extraction electrodes 2a and 2b of each electrode, and the resin has a flow rate of 20 (g / 10min). This is because the use of the above-mentioned resin deteriorates tensile strength, stress cracking resistance, workability, and the like.

【0036】熱可塑性接着性樹脂は、上記数値を満たす
ものであれば特に限定されるものではないが、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体
などのポリオレフィンの酸変性物、エチレン・酢酸ビニ
ル共重合体の酸変性物、エチレン・ アクリル酸共重合
体、エチレン・ メタクリル酸共重合体、アイオノマーな
どを用いることができる。特に、EL素子を劣化させる
アウトガス成分が少ないポリエチレン、ポリプロピレン
の酸変性物を用いることが望ましい。
The thermoplastic adhesive resin is not particularly limited as long as it satisfies the above-mentioned values, but it is not limited to acid-modified polyolefins such as polyethylene, polypropylene and ethylene-propylene copolymer, and ethylene-vinyl acetate. An acid-modified polymer, an ethylene / acrylic acid copolymer, an ethylene / methacrylic acid copolymer, an ionomer, or the like can be used. In particular, it is desirable to use an acid-modified product of polyethylene or polypropylene that has a small amount of outgas components that deteriorate the EL element.

【0037】なお、熱可塑性接着性樹脂の厚さは、引き
出し電極2a,2bの段差により異なるが、通常、10
μm〜100μm位である。
The thickness of the thermoplastic adhesive resin varies depending on the level difference between the extraction electrodes 2a and 2b.
It is on the order of μm to 100 μm.

【0038】そして、EL素子を耐湿フィルムで被覆封
止する際には、熱可塑性樹脂層を素子側に配置し、フィ
ルムの端で透光性基板1と熱圧着する。もしくは、熱ロ
ール間を通すことにより、全体を熱圧着しても良い。
When the EL element is covered and sealed with a moisture-resistant film, a thermoplastic resin layer is disposed on the element side, and thermocompression-bonded to the light-transmitting substrate 1 at the end of the film. Alternatively, the whole may be thermocompression-bonded by passing between hot rolls.

【0039】[0039]

【実施例】以下、本発明に係るEL素子及びその製造方
法を説明する。図1は、EL素子の断面説明図である。
また、実施例1〜3及び比較例で得られたEL素子の耐
湿性能の比較を表1にまとめる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an EL device according to the present invention and a method for manufacturing the same will be described. FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view of an EL element.
Table 1 summarizes the comparison of the moisture resistance performance of the EL devices obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example.

【0040】[実施例1]まず、透光性基板1であるガ
ラス上にスパッタリング法で透明陽極層2としてITO
膜を形成した(図1(a)参照)。さらに、透明性と導
電性を向上させるために、空気中230 ℃で1 時間加熱処
理を行い、ITO膜を結晶化した。
Example 1 First, a transparent anode layer 2 was formed on a transparent substrate 1 glass by sputtering as ITO.
A film was formed (see FIG. 1A). Further, in order to improve transparency and conductivity, a heat treatment was performed in air at 230 ° C. for 1 hour to crystallize the ITO film.

【0041】次に、フォトリソグラフィー法及びウェッ
トエッチング法によって、透明陽極層2をパターンニン
グし、引き出し電極2a を兼ねた透明陽極層2と陰極引
き出し電極2bとを形成した(図1(b)参照)。
Next, the transparent anode layer 2 was patterned by photolithography and wet etching to form a transparent anode layer 2 also serving as an extraction electrode 2a and a cathode extraction electrode 2b (see FIG. 1B). ).

【0042】次に、発光媒体層3として、銅フタロシア
ニン、N,N'−ジ(1−ナフチル)-N,N'- ジフェニル-1,1'-
ビフェニル-4,4'-ジアミン、トリス(8- キノリノラー
ト) アルミニウム錯体を順に、10nm、40nm、50nm
の膜厚で真空蒸着により形成した。次に、陰極層4とし
て、MgAgを2元共蒸着により200nm形成した。
Next, copper phthalocyanine, N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenyl-1,1'-
Biphenyl-4,4'-diamine, tris (8-quinolinolate) aluminum complex in order, 10nm, 40nm, 50nm
The film thickness was formed by vacuum evaporation. Next, as the cathode layer 4, MgAg was formed to a thickness of 200 nm by binary co-evaporation.

【0043】次に、耐湿性フィルム5として、ポリエチ
レンテレフタレート(12μm) 、2 軸延伸ナイロン(
15μm) 、アルミニウム箔( 20μm) 、メルトフロ
ーレートが7(g/10min) であるポリプロピレンの酸変性
物( 三井化学QE050)(30μm) を順にドライラミ
ネート及び押し出しラミネートした(図1(c)〜
(e)参照)。
Next, polyethylene terephthalate (12 μm), biaxially stretched nylon (
15 μm), an aluminum foil (20 μm), and an acid-modified product of polypropylene (Mitsui Chemical QE050) (30 μm) having a melt flow rate of 7 (g / 10 min) were sequentially laminated by dry lamination and extrusion lamination (FIG. 1 (c) to FIG. 1 (c)).
(E)).

【0044】次に、乾燥窒素雰囲気中で、EL素子を作
製した基板と耐湿性フィルムを重ね合せ、フィルムの端
で熱圧着し素子を被覆封止した。得られたEL素子を、
40℃90%RHの恒温槽で1000時間保存した結
果、ダークスポットの拡大は観察されなかった。
Next, in a dry nitrogen atmosphere, the substrate on which the EL element was fabricated and the moisture-resistant film were overlaid, and thermocompression-bonded at the end of the film to cover and seal the element. The obtained EL device was
As a result of storing for 1000 hours in a thermostat at 40 ° C. and 90% RH, no enlargement of the dark spot was observed.

【0045】[実施例2]実施例1と同様の工程で作製
したEL素子と、実施例1の耐湿性フィルムで用いたポ
リプロピレン酸変性物をメルトフローレートが6.2(g/10
min)であるポリエチレンの酸変性物( 三井化学NF55
0) に変えて、実施例1と同様の工程でEL素子を被覆
封止した。得られたEL素子を、40℃90%RHの恒
温槽で1000時間保存した結果、ダークスポットの拡
大は観察されなかった。
Example 2 An EL device manufactured in the same process as in Example 1 and a polypropylene acid-modified product used in the moisture-resistant film of Example 1 had a melt flow rate of 6.2 (g / 10
Min) is an acid-modified polyethylene (Mitsui Chemicals NF55
0), and the EL element was covered and sealed in the same steps as in Example 1. As a result of storing the obtained EL element in a thermostat at 40 ° C. and 90% RH for 1000 hours, no enlargement of a dark spot was observed.

【0046】[比較例]実施例1の耐湿性フィルムのポ
リプロピレンの酸変性物を、メルトフローレートが3(g
/10min) のポリプロピレンの酸変性物( 三井化学QF5
00) に変更し、実験例1と同様の工程でEL素子を封
止した。得られたEL素子は、40℃90%RHの恒温
槽で1000時間保存した結果、ダークスポットが拡大
し、発光画素面積が約70%に減少した。
[Comparative Example] An acid-modified polypropylene of the moisture-resistant film of Example 1 was melted at a melt flow rate of 3 (g).
/ 10min) acid-modified polypropylene (Mitsui Chemicals QF5
00), and the EL element was sealed in the same process as in Experimental Example 1. The obtained EL element was stored in a thermostat at 40 ° C. and 90% RH for 1000 hours. As a result, the dark spot was enlarged, and the area of the luminescent pixel was reduced to about 70%.

【0047】[0047]

【表1】 [Table 1]

【0048】*1) Modern Control(MOCON) 社製PERMATRA
N W6 40 ℃ 90RH %*2) 40℃90RH% 恒温槽で1000時間保存、初期発光面積
100に対する相対値
* 1) PERMATRA manufactured by Modern Control (MOCON)
N W6 40 ° C 90RH% * 2) Stored in a constant temperature bath at 40 ° C 90RH% for 1000 hours, relative to the initial light emitting area of 100

【0049】[0049]

【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、透明基板
上に作製したEL素子を、少なくともバリア層とメルト
フローレートが5(g/10min) 以上20(g/10min) 以下であ
る熱可塑性接着性樹脂からなるシーラント層とを有する
防湿フィルムで被覆封止することにより、各電極の引き
出し電極の段差により生じる隙間部を完全に埋めること
ができ、また、引っ張り強さや耐ストレスクラッキング
性、加工性などが低下することがないため、外部からの
水分を遮断し、長期にわたりEL素子の劣化を抑制し、
かつ薄型・軽量・低コストのEL素子を提供することが
できる。 請求項2記載の発明によれば、耐湿性が高く
なるため、請求項1に記載の発明の実施態様として好ま
しい。請求項3記載の発明によれば、EL素子を劣化さ
せるアウトガス成分が少ないため、請求項1に記載の発
明の実施態様として好ましい。
According to the first aspect of the present invention, an EL device manufactured on a transparent substrate is heated at least with a barrier layer and a melt flow rate of 5 (g / 10min) or more and 20 (g / 10min) or less. By covering and sealing with a moisture-proof film having a sealant layer made of a plastic adhesive resin, it is possible to completely fill gaps caused by steps of the extraction electrodes of each electrode, and also to obtain tensile strength and stress cracking resistance, Since the workability and the like do not decrease, moisture from the outside is blocked, and the deterioration of the EL element is suppressed for a long time.
In addition, a thin, lightweight, low-cost EL element can be provided. According to the second aspect of the present invention, since the moisture resistance is increased, it is preferable as an embodiment of the first aspect of the present invention. According to the third aspect of the present invention, since the outgas component that deteriorates the EL element is small, it is preferable as the embodiment of the first aspect of the present invention.

【0050】[0050]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のEL素子の断面構造の一例を示す説明
図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a cross-sectional structure of an EL element of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透光性基板 2 透明陽極層 2a 陽極引き出し電極 2b 陰極引き出し電極 2c 段差隙間部 3 発光媒体層 4 陰極層 5 耐湿性フィルム REFERENCE SIGNS LIST 1 translucent substrate 2 transparent anode layer 2 a anode extraction electrode 2 b cathode extraction electrode 2 c step gap portion 3 light emitting medium layer 4 cathode layer 5 moisture resistant film

フロントページの続き (72)発明者 湊 孝夫 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB11 BB00 CA01 CB01 EA01 FA02 Continuation of the front page (72) Inventor Takao Minato 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan Printing Co., Ltd. F term (reference) 3K007 AB11 BB00 CA01 CB01 EA01 FA02

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】透光性基板上に、少なくとも透明陽極層、
発光媒体層、陰極層を順次積層し、耐湿性フィルムで被
覆封止してなるエレクトロルミネッセンス素子におい
て、前記耐湿性フィルムが、少なくともとバリア層とJI
S K 7210規定のメルトフローレートが5(g/10min)以上20
(g/10min) 以下の熱可塑性接着性樹脂からなるシーラン
ト層を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス
素子。
1. A transparent anode layer on a transparent substrate,
A light-emitting medium layer and a cathode layer are sequentially laminated, and in an electroluminescence device formed by covering and sealing with a moisture-resistant film, the moisture-resistant film has at least a barrier layer and a JI.
SK 7210 prescribed melt flow rate is 5 (g / 10min) or more 20
(g / 10min) An electroluminescent device comprising a sealant layer made of the following thermoplastic adhesive resin.
【請求項2】バリア層が、金属箔からなることを特徴と
する請求項1記載のエレクトロルミネッセンス素子。
2. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the barrier layer is made of a metal foil.
【請求項3】シーラント層が、ポリエチレン又はポリプ
ロピレンの酸変性物からなることを特徴とする請求項1
記載のエレクトロルミネッセンス素子。
3. The method according to claim 1, wherein the sealant layer is made of an acid-modified polyethylene or polypropylene.
The electroluminescent device according to the above.
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