JP2008235193A - Organic electroluminescent device - Google Patents

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Yuichiro Itai
雄一郎 板井
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Fujifilm Corp
富士フイルム株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flexible organic electroluminescent element which remedies lower contrast under a bright environment.
SOLUTION: The organic electroluminescent element includes a flexible substrate, and a lower electrode, an organic compound layer at least containing one light-emitting layer, and a back electrode that are formed on the flexible substrate. The flexible substrate has light impermeability and low light reflectivity, and light is extracted from the back electrode.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機電界発光素子に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescent device. 特に、明るい環境の下でのコントラスト低下が改良された可撓性有機電界発光素子に関する。 In particular, relates to a flexible organic electroluminescent device contrast reduction under bright environment is improved.

電流を通じることによって励起され発光する薄膜材料を用いた有機電界発光素子が知られている。 The organic electroluminescent device using the thin film material that emits light when excited by passing a current is known. 有機電界発光素子は、低電圧で高輝度の発光が得られるために、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、TVモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で幅広い潜在用途を有し、それらの分野でデバイスの薄型化、軽量化、小型化、および省電力のなどの利点を有する。 The organic electroluminescent device, for emitting light of high luminance can be obtained at a low voltage, mobile phone display, a personal digital assistant (PDA), computer displays, automotive information displays, a wide range in a wide range of fields including TV monitor or general illumination, It has potential applications, thinner devices in those areas, lightweight, has the advantage of downsizing, and power saving. このため、将来の電子ディスプレイ市場の主役としての期待が大きい。 For this reason, a large expected as a leading role in the future of electronic display market.
しかしながら、実用的にこれらの分野で従来ディスプレイに代わって用いられるためには、発光輝度と色調、広い使用環境条件下での耐久性、安価で大量生産性など多くの技術改良が課題となっている。 However, in order to be used in place of conventional displays practical in these areas, the emission luminance and color, durability, etc. cheap mass production many technical improvements in a wide use environmental conditions is a challenge there.

一方、プラスチックフィルなどの可撓性基板にもちいた電子ディスプレイが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。 On the other hand, electronic display which uses a flexible substrate such as plastic film has been proposed (e.g., see Patent Document 1.). 該プラスチックフィルムとしてポリクロロトリフルオロエチレン樹脂が電気絶縁性の点から好ましい材料として開示されている。 Polychlorotrifluoroethylene resin is disclosed as the preferred material in terms of electrical insulation as the plastic film.

有機電界発光素子の重要な問題点の一つは、水分や酸素に極めて弱く、具体的には、金属電極と有機層との界面が水分の影響で変質したり、電極が剥離したり、金属電極が酸化して高抵抗化したり、有機材料自体が水分により変質したりというような現象が起こる。 One important problem with organic electroluminescent devices are very sensitive to moisture and oxygen, specifically, or alteration due to the influence the interface moisture between the metal electrode and the organic layer, the electrode is peeled off, metal electrode is oxidized or high resistance, the organic material itself occurs a phenomenon such that the look and altered by moisture. これにより、駆動電圧の上昇、ダークスポット(非発光欠陥)の発生及び成長または発光輝度の減少等が発生し、十分な信頼性を保てない問題があった。 Thus, increase in driving voltage, a decrease in generation and growth or emission luminance of dark spots (non-emitting defect) occurs, there is a problem that does not maintain sufficient reliability.
特にプラスチックフィルなどの可撓性基板は、ガラス基板に比較して水分や酸素に対するバリア性が劣るため、その対策が重要な課題であった。 Particularly flexible substrate such as plastic film, since the barrier property is poor as compared to the glass substrate against moisture and oxygen, a countermeasure is an important issue.
特許文献2には、金属箔の片面もしくは両面に絶縁層を設けた可撓性基板が開示されている。 Patent Document 2, a flexible substrate is disclosed in which a single-sided or double-sided insulating layer of metal foil.

しかしながら、上記の可撓性基板は、表面が鏡面のような高い反射特性を有するため、これらの素子を用いた表示装置を明るい環境の下では作動させると画像濃度およびコントラストが低下する。 However, flexible substrates described above, since the surface has a high reflection characteristic, such as a mirror, actuated causes the image density and contrast is lowered a display device using these devices in bright environments. 特許文献3には光透過性かつ光反射性の可撓性基板を用いたボトムエミッション型表示装置が開示されているが、十分なバリア性を保つことが困難であり、光反射性に関しても外光の影響を十分に防止するのは困難であった。 Although the bottom-emission type display device using a light-transmitting and light-reflecting flexible substrate in Patent Literature 3 discloses, it is difficult to maintain a sufficient barrier property, even outside with respect to the optical reflectivity it has been difficult to sufficiently prevent the influence of light.
特開平5−116254号公報 JP-5-116254 discloses 特開2003−282257号公報 JP 2003-282257 JP 特開2006−235590号公報 JP 2006-235590 JP

本発明の課題は、明るい環境の下でのコントラスト低下が改良された可撓性有機電界発光素子を提供することである。 An object of the present invention is to provide a flexible organic electroluminescent device contrast reduction under bright environment is improved.

本発明の上記課題は、下記の手段によって解決された。 The above object of the present invention has been solved by the following means.
<1> 可撓性基板上に下部電極、少なくとも1層の発光層を含む有機化合物層、および背面電極を有する有機電界発光素子であって、前記可撓性基板が光不透過性かつ低光反射性であり、前記背面電極側より光が取り出されることを特徴とする有機電界発光素子。 <1> lower electrode on a flexible substrate, an organic compound layer including a light emitting layer at least one layer, and an organic electroluminescent device having a back electrode, wherein the flexible substrate is optically opaque and low light is reflective, the organic electroluminescent device, wherein a light is taken out from the back electrode side.
<2> 前記可撓性基板が光不透過層と該光不透過層と前記下部電極の間に光反射防止層とを有することを特徴とする<1>に記載の有機電界発光素子。 <2> The organic electroluminescent device according to the flexible substrate and having a light reflection preventing layer between the lower electrode and the opaque layer and the light-impermeable layer <1>.
<3> 前記光不透過層が金属箔もしくは金属層であることを特徴とする<2>に記載の有機電界発光素子。 <3> The organic electroluminescence device according to <2>, wherein the light impervious layer is a metal foil or a metal layer.
<4> 前記光反射防止層が、光吸収物質もしくは光散乱性物質を含有する層であることを特徴とする<2>または<3>に記載の有機電界発光素子。 <4> the light reflection preventing layer, an organic electroluminescent device as described in, characterized in that a layer containing a light-absorbing substance or light-scattering substance <2> or <3>.
<5> 前記光吸収物質もしくは光散乱性物質が、金属または金属酸化物であることを特徴とする<4>に記載の有機電界発光素子。 <5> the light absorbing material or light-scattering material, the organic electroluminescent device according to <4>, which is a metal or metal oxide.
<6> 前記光反射防止層が、絶縁層であることを特徴とする<2>〜<5>のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 <6> the light reflection preventing layer, an organic electroluminescent device according to any one of <2> to <5>, which is a dielectric layer.
<7> 前記可撓性基板と前記下部電極の間に前記光反射防止層と平坦化層とを有することを特徴とする<1>〜<6>のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 <7> wherein the flexible substrate and characterized by having a said light antireflection layer and the planarization layer between the lower electrode <1> to organic electroluminescent according to any one of <6> element.
<8> 前記光反射防止層が、平坦化層であることを特徴とする<2>〜<6>のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 <8> the light reflection preventing layer, characterized in that it is a flattening layer <2> - The organic electroluminescent device according to any one of <6>.

本発明により、明るい環境の下でのコントラスト低下が改良された可撓性有機電界発光素子が提供される。 The present invention, a flexible organic electroluminescent device contrast reduction is improved under the bright environment is provided. さらに、水分や酸素に対する耐久性が改良された可撓性有機電界発光素子が提供される。 Furthermore, the flexible organic electroluminescent device resistance to moisture and oxygen is improved is provided.

本発明の有機電界発光素子は、可撓性基板上に下部電極、少なくとも1層の発光層を含む有機化合物層、および背面電極を有する有機電界発光素子であって、前記可撓性基板が光不透過性かつ低光反射性であり、前記背面電極側より光が取り出されることを特徴とする。 The organic electroluminescent device of the present invention includes a lower electrode on a flexible substrate, an organic electroluminescent device having an organic compound layer, and a back electrode comprising a light-emitting layer at least one layer, wherein the flexible substrate is light impermeable and low light reflectivity, wherein the light is taken out from the back electrode side.
以下に、1)可撓性基板、2)電極、発光層を含む有機化合物層、および3)封止層について説明する。 Below, 1) a flexible substrate, 2) electrode, an organic compound layer including a light-emitting layer, and 3) the sealing layer will be described.

1. 1. 可撓性基板 本発明における可撓性基板は、光不透過性かつ低光反射性であり、好ましくは、光不透過層と該光不透過層と光反射防止層とを有する。 Flexible substrate in a flexible substrate present invention is a light impermeable and low light reflectivity, preferably, has a light-impermeable layer and the light-impermeable layer and a light reflection preventing layer. さらに好ましくは、前記光不透過層はバリア層であって、有機EL素子を水分や酸素などから保護することが出来る層である。 More preferably, the light-impermeable layer is a barrier layer, a layer capable of protecting the organic EL element such as from moisture or oxygen.
本発明における光不透過層は、金属もしくは金属酸化物を含む層であり、より好ましくは金属箔もしくは金属層である。 Opaque layer in the present invention is a layer containing a metal or metal oxide, more preferably a metal foil or a metal layer.
本発明における光反射防止層は、好ましくは光吸収物質もしくは光散乱物質を含む層である。 Antireflection layer in the present invention is preferably a layer including a light absorbing material or light scattering material. 本発明における光反射防止層は、絶縁層や平坦化層を兼ねることもできる。 Antireflection layer in the present invention can also serve as an insulating layer or a planarization layer.

1)基材 可撓性特性を有する基材の具体的例として、例えば、アルミ箔、亜鉛箔、および鉛箔などの金属箔、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコ−ルカ−ボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ(クロロトリフルオロエチレン)等のプラスチック材料等が挙げられる。 Specific examples of the substrate having 1) substrate flexibility characteristics, for example, a metal foil such as aluminum foil, zinc foil, and lead foil, polyethylene terephthalate - DOO, polybutylene terephthalate - DOO, polyethylene naphthalate - polyester DOO such as polystyrene, polycarbonate - Bonnet - DOO, polyether - Terusuruhon, polyarylate - DOO, Arirujiguriko - Luke - Bonnet - DOO, polyimide, polycycloolefin, norbornene resins, and poly (chlorotrifluoroethylene) plastic such material and the like. プラスチック材料は、無色透明であっても、着色していても、黒色あるいは不透明であっても良い。 The plastic material may be colorless and transparent, be colored or may be black or opaque.
本発明に用いられる基材は、好ましくは、金属箔もしくはプラスチック材料である。 The substrate used in the present invention is preferably a metal foil or plastic material.
金属箔を基材として用いた場合は、基材自体が十分な光不透過性を有し、また、十分な水分や酸素に対するバリア性を有するので、光不透過層もしくはバリア層を特に設ける必要はないが、その表面は高い反射率を有し鏡面となるため光反射防止層を設ける必要がある。 When using a metal foil as the substrate, the substrate itself has a sufficient light-impermeable, also because it has a barrier property against sufficient moisture and oxygen, especially a light-impermeable layer or barrier layer is provided must Although there is no, the surface it is necessary to provide an antireflection layer for the mirror has a high reflectivity.
プラスチック材料を基材として用いた場合は、基材自体の光不透明性が不十分であり、また、水分や酸素に対するバリア性もが十分ではないので、バリア性を有しかつ不透明化する層を設けるのが好ましい。 When using a plastic material as a base material is insufficient light opacity of the substrate itself, but also, since the barrier property against moisture and oxygen also is not sufficient, a layer and opacifying have barrier properties preferably provided. バリア性を有しかつ不透明化する層としては金属もしくは金属酸化物を含む層が好ましい。 As the layer to and opacifying has barrier properties preferably a layer containing a metal or metal oxide. また、金属もしくは金属酸化物を含む層は、その表面が高い反射率を有し鏡面となるため光反射防止層を設けるのが好ましい。 Further, a layer containing a metal or metal oxide, preferably provided with an antireflection layer for the surface of the mirror has a high reflectivity.

基材の厚みは、10μm以上1mm以下が好ましく。 The thickness of the substrate is preferably from 10μm to 1mm. より好ましくは、100μm以上700μm以下である。 More preferably, the 100μm or 700μm or less. 厚過ぎるとフレキシブル性が無くなる点で好ましくなく、薄過ぎると取り扱いが困難になる点で好ましくない。 If too thick is not preferable in terms of flexibility is lost, disadvantages in that is too thin to handle difficult.

基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。 Shape, structure, and size of the substrate are not particularly limited, application of the light emitting element can be appropriately selected depending on the purpose or the like. 一般的には、前記形状としては、フィルム状である。 In general, as the shape, a film shape.

2)光不透過層 基材が金属箔の場合は、上記のように、基材自体が十分な光不透過性とバリア性を有するため、特に設ける必要はない。 2) If the light impermeable layer substrate is a metal foil, as described above, since it has a base material itself is sufficient light impermeable and barrier properties, is not necessary to particularly specify.
プラスチック材料を基材として用いた場合は、上記のように、バリア性を有しかつ不透明性である光不透化層を設けるのが好ましい。 When using a plastic material as a base material, as described above, to dispose a light non vitrified layer is a and opaque barrier properties preferred. バリア性を有しかつ不透明化する層としては金属もしくは金属酸化物を含む層が好ましい。 As the layer to and opacifying has barrier properties preferably a layer containing a metal or metal oxide. 金属もしくは金属酸化物としては、アルミニウム、亜鉛、鉛などの金属、ZrO やTa などの金属酸化物を用いることが出来る。 The metal or metal oxide, aluminum, zinc, metals such as lead, be a metal oxide such as ZrO 2 and Ta 2 O 3 can be. 特に好ましくは、蒸着による設置の容易さからアルミニウムである。 Particularly preferred are aluminum ease of installation due to evaporation.

光不透過層の厚みは、10μm以上1mm以下が好ましく。 The thickness of the opaque layer is preferably 10μm to 1mm. より好ましくは、100μm以上700μm以下である。 More preferably, the 100μm or 700μm or less. 厚過ぎるとフレキシブル性が無くなる点で好ましくなく、薄過ぎると十分な光不透過性とバリア性が得られなくなるので好ましくない。 If too thick is not preferable in terms of flexibility is lost, so sufficient light impermeable barrier property is too thin can not be obtained undesirably.

3)光反射防止層 本発明における光反射防止層は、光吸収性物質もしくは光散乱性物質を含有する層である。 3) anti-reflection layer in the light reflection preventing layer present invention is a layer containing a light absorbing material or light-scattering material. 本発明における光吸収性物質もしくは光散乱性物質としては、金属もしくは金属酸化物を含む層が好ましい。 The light absorbing material or light-scattering material in the present invention, a layer containing a metal or metal oxide. 金属もしくは金属酸化物としては、クロム、酸化クロム、Ni系合金などを用いることが出来る。 The metal or metal oxide, chromium, chromium oxide, or the like can be used Ni-based alloy. 特に好ましくはクロムである。 Particularly preferably chromium.
光反射防止層は、鏡面を形成しないよう設置することが肝要である。 Anti-reflection layer, it is important to be installed so as not to form a mirror surface. 例えば、蒸着方法法によって設置する場合は、蒸着条件を調整して、蒸着物が連続層を形成し、バルクの金属特性を発揮しないように不連続層もしくは不連続の結晶性を有する層となるように設けられる。 For example, when installing the deposition process method, by adjusting the deposition conditions, deposition material forms a continuous layer, the layer having a discontinuous layer or discontinuous crystalline so as not to exert a metal properties of the bulk It is provided so as to. また、これらの光反射防止層は、湿式方法で塗布により設けることも出来る。 These anti-reflection layer can be provided by a coating with a wet method. 膜形成後に表面をエッチング等で粗らすことも可能である。 It is also possible roughening the surface after film formation by etching or the like.

本発明における光反射防止層の厚みは、0.001μm以上100μm以下が好ましく、より好ましくは、0.005μm以上0.1μm以下である。 The thickness of the antireflection layer in the present invention is preferably at least 100μm or less 0.001 [mu] m, and more preferably, 0.1μm or less than 0.005 .mu.m. 厚過ぎるとフレキシブル性が無くなる点で好ましくなく、薄過ぎると十分な光反射防止効果が得られなくなるので好ましくない。 If too thick is not preferable in terms of flexibility is lost, since sufficient anti-reflection effect is too thin can not be obtained undesirably.

3)絶縁層 本発明における基板には、必要に応じて下部電極と面する側に絶縁層を設けることができる。 3) The substrate in the insulating layer present invention, it is possible to provide an insulating layer on the side facing the lower electrode as needed. 絶縁層の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。 As the material of the insulating layer, inorganic substances such as silicon nitride and silicon oxide are preferably used. 該絶縁層は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。 Insulating layer, for example, it can be formed by a high-frequency sputtering method.
本発明における絶縁層の厚みは、0.01μm以上10μm以下が好ましく。 The thickness of the insulating layer in the present invention is preferably 0.01μm or more 10μm or less. より好ましくは、0.1μm以上1μm以下である。 More preferably, the 0.1μm or 1μm or less. 厚過ぎるとフレキシブル性が無くなる点で好ましくなく、薄過ぎると十分な絶縁性が得られなくなるので好ましくない。 If too thick is not preferable in terms of flexibility is lost, since sufficient insulation is too thin can not be obtained undesirably.

本発明における基板には、さらに必要に応じて、ハ−ドコ−ト層、およびアンダ−コ−ト層などを設けてもよい。 The substrate in the present invention may further optionally, ha - Where - coat layer, and the under - co - such as coat layer may be a provided.

2. 2. 電極および有機化合物層 本発明における有機電界発光素子は、発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、ブロック層、電子注入層、および正孔注入層などの従来知られている有機化合物層を有しても良い。 The organic electroluminescent device in the electrode and the organic compound layer present invention, in addition to the light-emitting layer, a hole transport layer, an electron transporting layer, blocking layer, an electron injection layer, and conventionally known organic compound is such as a hole injection layer it may have a layer.

以下、詳細に説明する。 It will be described in detail below.
1)層構成 <電極> 1) layer structure <Electrodes>
本発明の有機電界発光素子の一対の電極は、一方は基板に面した下部電極であり、もう一方は背面電極となる。 A pair of electrodes of the organic electroluminescence device of the present invention, one is the lower electrode facing the substrate, the other is the back electrode. 本発明においては、背面電極側から光が取り出されるが、そのためには背面電極が光透過性であることが好ましい。 In the present invention, the light is taken out from the back electrode side, in order that preferably the back electrode is light transmissive.
<有機化合物層の構成> <Configuration of the organic compound layer>
前記有機化合物層の層構成としては、特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記下部電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。 The layer structure of the organic compound layer is not particularly limited, application of the organic electroluminescent device, can be appropriately selected depending on the intended purpose, the is formed on the on the lower electrode or the upper rear electrode preferable. この場合、有機化合物層は、前記下部電極又は前記背面電極上の前面又は一面に形成される。 In this case, the organic compound layer is formed on the front surface or a surface on the lower electrode or the back electrode.
有機化合物層の形状、大きさ、および厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。 The shape of the organic compound layer, the size, and for such a thickness is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.

具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。 As a specific layer structure, not but include the following to be limited to the present invention these configurations.
・陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、 Anode / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode,
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極、 Anode / hole transporting layer / light emitting layer / blocking layer / electron transport layer / cathode,
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極、 Anode / hole transporting layer / light emitting layer / blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode,
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極、 Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / blocking layer / electron transport layer / cathode,
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極。 Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode.

以下に各層について詳細に説明する。 It will be described in detail each layer below.
2)正孔輸送層 本発明に用いられる正孔輸送層は正孔輸送材を含む。 2) a hole transport layer used in the hole transport layer present invention comprises a hole transporting material. 前記正孔輸送材としては正孔を輸送する機能、もしくは陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているもので有れば特に制限されることはなく用いることが出来る。 The hole function of transporting holes as transporting material, or be particularly limited as long with what has any of the functions of blocking electrons injected from the cathode it can be used without. 本発明に用いられる正孔輸送材としては、低分子正孔輸送材、および高分子正孔輸送材のいずれも用いることができる。 As the hole transporting material used in the present invention, it is possible to use any of low-molecular hole transport material, and a polymeric hole transport material.
本発明に用いられる正孔輸送材の具体例として、例えば以下の材料を挙げることができる。 Specific examples of the hole transporting material used in the present invention, for example, mention may be made of the following materials.

カルバゾ−ル誘導体、トリアゾ−ル誘導体、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、イミダゾ−ル誘導体、ポリアリ−ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリ−ルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾ−ル)誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマ−、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ−、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、及びポリフル Carbazole - Le derivatives, triazole - Le derivatives, oxazole - Le derivatives, oxadiazole - Le derivatives, imidazo - Le derivative, polyarylene - Ruarukan derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, ant - triethanolamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidyne compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N- vinylcarbazole - Le) derivatives , aniline copolymers, thiophene oligomer -, conductive polymer oligomers such as polythiophene -, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, and polyfurfuryl レン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。 Polymeric compounds such as polyalkylene derivatives.
これらは、単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。 These may be used alone or in combination of two or more.

正孔輸送層の厚みとしては、10nm〜200nmが好ましく、20nm〜80nmがより好ましい。 The thickness of the hole transport layer is preferably from 10 nm to 200 nm, 20 nm to 80 nm is more preferable. 前記厚みが、200nmを越えると駆動電圧が上昇することがあり、10nm未満であると該発光素子が短絡することがあるので好ましくない。 Unfavorable the thickness is, sometimes a driving voltage exceeding 200nm increases, since the light emitting element is less than 10nm is sometimes short-circuited.

3)正孔注入層 本発明おいては、正孔輸送層と陽極の間に正孔注入層を設けることができる。 3) Keep the hole injection layer present invention, it is possible to provide a hole injection layer between the hole transporting layer and the anode.
正孔注入層とは、陽極から正孔輸送層に正孔を注入しやすくする層であり、具体的には前記正孔輸送材の中でイオン化ポテンシャルの小さな材料が好適用いられる。 The hole injection layer is a layer to facilitate injection of holes into the hole-transporting layer from the anode, in particular material having small ionization potential is preferably used in the hole transport material. 例えばフタロシアニン化合物、ポルフィリン化合物、及びスターバースト型トリアリールアミン化合物等を挙げることができ、好適に用いることができる。 For example a phthalocyanine compound, a porphyrin compound, and can be exemplified starburst triarylamine compounds, it can be suitably used.
正孔注入層の膜厚は、1nm〜30nmが好ましい。 The thickness of the hole injection layer, 1 nm to 30 nm is preferable.

4)発光層 本発明に用いられる発光層は、少なくとも一種の発光材料を含み、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ホスト材を含んでもよい。 4) the light-emitting layer present invention the light-emitting layer used in comprises at least one light-emitting material, hole transporting material as needed, an electron-transporting material may include a host material.
本発明に用いられる発光材料としては特に限定されることはなく、蛍光発光材料または燐光発光材料のいずれも用いることができる。 It is not particularly limited, as the light emitting material used in the present invention, it is possible to use any of the fluorescent material or phosphorescent material. 発光効率の点から燐光発光材料が好ましい。 Phosphorescent material from the viewpoint of emission efficiency are preferred.

蛍光発光材料としては、例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリデン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、及びポリ The fluorescent material, for example, benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styryl benzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenyl butadiene derivatives, tetraphenyl butadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, oxa diazole derivatives, aldazine derivatives, pyralidine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, styrylamine derivatives, aromatic dimethylidene compounds, 8-quinolinol derivative metal complexes and rare earth various metal complexes represented by complexes, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, and poly ルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。 Polymeric compounds such as fluorene derivatives. これらは1種または2種以上を混合して用いることができる。 These may be used alone or in combination.

燐光発光材料としては特に限定されることはないが、オルトメタル化金属錯体、又はポルフィリン金属錯体が好ましい。 But are not particularly limited as phosphorescent material, the ortho-metalated metal complex or a porphyrin metal complex is preferable.

上記オルトメタル化金属錯体とは、例えば山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」、150頁〜232頁、裳華房社(1982年発行)やH. The above-mentioned orthometal metal complex, for example, Akio Yamamoto "Organometallic Chemistry - Applications based -", 150 pp ~232, Mohanabosha (1982) and H. Yersin著「Photochemistry and Photophisics of Coodination Compounds」、71〜77頁、135〜146頁、Springer−Verlag社(1987年発行)等に記載されている化合物群の総称である。 Yersin al., "Photochemistry and Photophisics of Coodination Compounds", pp. 71-77, pp. 135-146, a Springer-Verlag, Inc. (1987) general term for a group of compounds are described in, or the like. 該オルトメタル化金属錯体を発光材料として発光層に用いることは、高輝度で発光効率に優れる点で有利である。 Be used for the light-emitting layer the ortho-metalated metal complex as a luminescent material is advantageous in that excellent luminous efficiency at high brightness.

上記オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては、種々のものがあり、上記文献にも記載されているが、その中でも好ましい配位子としては、2−フェニルピリジン誘導体、7,8−ベンゾキノリン誘導体、2−(2−チエニル)ピリジン誘導体、2−(1−ナフチル)ピリジン誘導体、及び2−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。 The ligand forming the ortho-metallated metal complex, there are various ones, are described in the literature, preferred ligands include a 2-phenylpyridine derivatives, 7,8 benzoquinoline derivatives, 2- (2-thienyl) pyridine derivatives, 2- (1-naphthyl) pyridine derivatives, and 2-phenylquinoline derivatives. これらの誘導体は必要に応じて置換基を有してもよい。 These derivatives may have substituents, if necessary. また、上記オルトメタル化金属錯体は、上記配位子のほかに、他の配位子を有していてもよい。 Further, the ortho-metalated metal complex, in addition to the above ligands may have additional ligands.

本発明で用いるオルトメタル化金属錯体は、Inorg Chem. Ortho-metalated metal complex used in the present invention, Inorg Chem. ,1991年,30号,1685頁、同1988年,27号,3464頁、同1994年,33号,545頁、Inorg. , 1991, No. 30, pp. 1685, the 1988, No. 27, pp. 3464, the 1994, No. 33, 545 pp., Inorg. Chim. Chim. Acta,1991年,181号,245頁、J. Acta, 1991 years, 181 No., 245 pp., J. Organomet. Organomet. Chem. Chem. ,1987年,335号,293頁、J. , 1987, 335 No., 293 pp., J. Am. Am. Chem. Chem. Soc. Soc. 1985年,107号,1431頁等、種々の公知の手法で合成することができる。 1985, 107 No., can be synthesized by the 1431 pages like, various known methods.
上記オルトメタル化錯体の中でも、三重項励起子から発光する化合物が本発明においては発光効率向上の観点から好適に使用することができる。 Among the ortho-metalated complex compound which emits light from a triplet exciton in the present invention can be suitably used from the viewpoint of luminous efficiency.

また、ポルフィリン金属錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好ましい。 Further, preferably a porphyrin platinum complex in the porphyrin metal complex.
燐光発光材料は1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。 It phosphorescent material may be used alone or in combination of two or more. また、蛍光発光材料と燐光発光材料を同時に用いてもよい。 It may also be used simultaneously fluorescent material and phosphorescent material.

ホスト材とは、その励起状態から、蛍光発光材料または燐光発光材料へエネルギー移動を起こし、その結果、蛍光発光材料または燐光発光材料を発光させる機能を有する材料のことである。 The host material, from its excited state, undergo energy transfer to the fluorescent light emitting material or a phosphorescent material, as a result, is that the material having the function of emitting the fluorescent material or phosphorescent material.

ホスト材としては、励起子エネルギーを発光材料にエネルギー移動させることのできる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的にはカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピ As the host material, particularly limited if the compound that is capable of energy transfer excitons energy into light emission materials are not, it can be appropriately selected depending on the purpose, carbazole derivatives in particular, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidyne compounds, porphyrin compounds, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, Chiopi ンジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾ−ル)誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、及びポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。 Njiokishido derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidene methane derivatives, distyryl pyrazine derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydride such as naphthalene perylene, phthalocyanine derivatives, 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanine, and metal complexes having benzoxazole or benzothiazole distribution various metal complexes polysilane compounds represented by metal complexes having a ligand, poly (N- vinylcarbazole - Le) derivatives, aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive high-molecular oligomers, polythiophene and the like, polyphenylene derivative , polyphenylene vinylene derivatives, and polymer compounds such as polyfluorene derivatives. これらの化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。 These compounds may be used alone or in combination of two or more thereof.
ホスト材の発光層における含有量としては0質量%〜99.9質量%が好ましく、さらに好ましくは0質量%〜99.0質量%である。 Preferably 0 to 99.9% by weight as a content in the light-emitting layer of the host material, more preferably from 0 wt% to 99.0 wt%.

5)ブロック層 本発明においては、発光層と電子輸送層との間にブロック層を設けることができる。 5) In the block layer present invention, it is possible to provide a blocking layer between the light-emitting layer and the electron transport layer. ブロック層とは発光層で生成した励起子の拡散抑制する層であり、また正孔が陰極側に突き抜けることを抑制する層である。 The blocking layer is a diffusion suppressing layer of excitons generated in the light-emitting layer, and also suppresses layer that holes from penetrating to the cathode side.

ブロック層に用いられる材料は、電子輸送層より電子を受け取り、発光層にわたす事のできる材料で有れば特に限定されることはなく、一般的な電子輸送材を用いることができる。 Material used in the blocking layer, receiving electrons from the electron transporting layer is not particularly limited as long a material that can be passed to the light-emitting layer, it is possible to use a general electron transport material. 例えば以下の材料を挙げることができる。 For example it can be mentioned the following materials. トリアゾ−ル誘導体、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマ−、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ−、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合 Triazole - Le derivatives, oxazole - Le derivatives, oxadiazole - Le derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidene methane derivatives, distyryl pyrazine derivatives , heterocyclic tetracarboxylic anhydride such as naphthalene perylene, phthalocyanine derivatives, 8-quinolinol - Le derivative, metal phthalocyanine, and metal complexes Benzookisazo - Le or benzothiazole - various metals Le typified by metal complexes having a ligand complex, aniline copolymers, thiophene oligomer -, conductive polymer oligomers such as polythiophene -, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polymers such as polyfluorene derivatives を挙げることができる。 It can be mentioned. これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。 These may be used alone or in combination of two or more thereof.

6)電子輸送層 本発明においては電子輸送材を含む電子輸送層を設けることができる。 6) In the electron transport layer present invention can be provided an electron transporting layer containing an electron transporting material.
電子輸送材としては電子を輸送する機能、もしくは陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているもので有れば制限されることはなく、前記ブロック層の説明時に挙げた電子輸送材を好適に用いることができる。 Without being limited as long with what has any of the function of transporting electrons, or a function of blocking holes injected from the anode as an electron transporting material, mentioned in the description of the blocking layer and the electron transport material can be suitably used.
前記電子輸送層の厚みとしては、10nm〜200nmが好ましく、20nm〜80nmがより好ましい。 The thickness of the electron transport layer is preferably from 10 nm to 200 nm, 20 nm to 80 nm is more preferable.

前記厚みが、200nmを越えると駆動電圧が上昇することがあり、10nm未満であると該発光素子が短絡することがあり好ましくない。 The thickness, may the drive voltage exceeds 200nm increases, undesirable may be short-circuited light emitting element is less than 10 nm.

7)電子注入層 本発明おいては、電子輸送層と陰極の間に電子注入層を設けることができる。 7) Keep the electron injection layer present invention can be provided an electron injection layer between the electron transport layer and the cathode.
電子注入層とは、陰極から電子輸送層に電子を注入しやすくする層であり、具体的にはフッ化リチウム、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチウム塩、フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属塩、酸化リチウム、酸化アルミニウム、酸化インジウム、又は酸化マグネシウム等の絶縁性金属酸化物等を好適に用いることができる。 The electron injection layer is a layer which makes it easy to inject electrons from the cathode into the electron transport layer, specifically, lithium fluoride, lithium chloride, lithium salt lithium bromide or the like, sodium fluoride, sodium chloride, fluoride alkali metal salts such as cesium, lithium oxide, aluminum oxide, can be suitably used indium oxide, or magnesium oxide the insulating metal oxide.
電子注入層の膜厚は0.1nm〜5nmが好ましい。 The thickness of the electron injection layer 0.1nm~5nm is preferred.

8)有機化合物層の形成方法 前記有機化合物層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、ディッピング、スピンコ−ト法、ディップコ−ト法、キャスト法、ダイコ−ト法、ロ−ルコ−ト法、バ−コ−ト法、又はグラビアコ−ト法等の湿式製膜法いずれによっても好適に製膜することができる。 8) the method of forming the organic compound layer and the organic compound layer, dry film forming method such as vapor deposition or sputtering, dipping, a spin - method, a dip coating - method, a casting method, Daigo - method, a b - Turkey - method, a bar - co - method, a or gravure co - can be preferably film formation by any preparative method, wet film forming method of the.
中でも発光効率、耐久性の点から乾式法が好ましい。 Among these luminous efficiency, a dry method is preferable from the viewpoint of durability.

次に、本発明の有機電界発光素子に用いられる電極について説明する。 Next, a description will be given electrode used in the organic electroluminescence device of the present invention.

9)陽極 本発明に用いられる陽極としては、通常、前記有機化合物層に正孔を供給する陽極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。 9) As an anode for use in an anode present invention generally has a function as an anode supplies holes to the organic compound layer is not particularly limited as to its shape, structure, size, etc. , application of the light-emitting element, depending on the purpose, can be appropriately selected from known electrode.

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられ、仕事関数が4.0eV以上の材料が好ましい。 As the material of the anode include metals, alloys, metal oxides, organic conductive compounds, or preferably include a mixture of these, the work function more materials 4.0eV is preferred. 具体例としては、アンチモンやフッ素等をド−プした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物などが挙げられる。 As a specific example, de with antimony or fluorine - flop tin oxide (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), semiconductive metal such as indium zinc oxide (IZO) oxide, gold, silver, chromium and nickel, mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, copper iodide, inorganic conductive materials such as copper sulfide, polyaniline, polythiophene, polypyrrole - organic conductive materials such as Le, and the like laminates of these and ITO.

陽極は例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。 The anode can be, for example, printing method, co - wet methods such coating method, vacuum deposition method, sputtering method, ion plating - physical methods plating method wherein, CVD, chemical methods such as plasma CVD method, from among such materials it can be formed on the substrate according to the method consideration of the suitability of the. 例えば、陽極の材料として、ITOを選択する場合には、該陽極の形成は、直流あるいは高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング法等に従って行うことができる。 For example, as the material of the anode, when ITO is selected, formation of the anode, the direct-current or high-frequency sputtering, vacuum evaporation, ion plating - can be carried out according to plating method. また陽極の材料として有機導電性化合物を選択する場合には湿式製膜法に従って行うことができる。 Also it can be formed by a wet film-forming method in the case of selecting an organic electroconductive compound as the anode material.

陽極の前記発光素子における形成位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基板上に形成されるのが好ましい。 The formation position of the light emitting element of the anode is not particularly limited, application of the light emitting element, may be suitably selected according to the purpose, preferably formed on the substrate. この場合、該陽極は、前記基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。 In this case, the anode may be formed on the entire surface of one side of the said substrate, or may be formed in a part thereof.

なお、前記陽極のパタ−ニングは、フォトリソグラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよいし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行ってもよい。 Incidentally, pattern of the anode - training is photolithography - may be performed by chemical etching such as, Les - The - may be carried out by physical etching such as, also, vacuum deposition or sputtering using a mask may be carried out by the like may be performed by a lift-off method or a printing method.

陽極の厚みとしては、前記材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm〜50μmであり、50nm〜20μmが好ましい。 The thickness of the anode, said material by may be suitably selected, can not be indiscriminately specified, is usually 10nm~50μm, 50nm~20μm are preferred.
陽極の抵抗値としては、10 Ω/□以下が好ましく、10 Ω/□以下がより好ましい。 The resistivity of the anode is preferably 10 3 Ω / □ or less, more preferably 10 2 Ω / □ or less.
陽極は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。 The anode may be colorless transparent or may be colored transparent.

陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シ−エムシ−刊(1999)に詳述があり、これらを本発明に適用することができる。 The anode sheet "New Development of Transparent Electrode Film", supervised by Yutaka Sawada - Emushi - there are described in detail in published (1999), it is possible to apply these to the present invention. 耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ITOまたはIZOを使用し、150℃以下の低温で製膜した陽極が好ましい。 In the case of using a plastic substrate low in heat resistance, using ITO or IZO, is preferable film anodes at a low temperature of 0.99 ° C. or less.

10)陰極 本発明に用いることの出来る陰極としては、通常、前記有機化合物層に電子を注入する陰極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。 The cathode that can be used in 10) cathode present invention generally has a function as a cathode to inject electrons into the organic compound layer, the shape, structure, structure, size and the like of without application of the light-emitting element, depending on the purpose, it can be appropriately selected from known electrode.

陰極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、仕事関数が4.5eV以下のものが好ましい。 As the cathode material, for example, metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, include a mixture thereof, the work function is preferably the following 4.5 eV. 具体例としてはアルカリ金属(たとえば、Li、Na、K、またはCs等)、アルカリ土類金属(たとえばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、およびイッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。 Specific examples thereof include alkali metals (e.g., Li, Na, K or Cs, etc.,), alkaline earth metal (e.g., Mg, Ca), gold, silver, lead, aluminum, sodium - potassium alloy, lithium - aluminum alloy, magnesium - silver alloy, indium, and rare earth metals such as ytterbium. これらは、単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。 These may be used alone, from the viewpoint of satisfying both stability and electron injection property, it may be suitably used in combination of two or more thereof.

これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ度類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。 Among these, from the viewpoint of electron injecting property, alkali metals and alkaline-earth metals are preferred, from the viewpoint of excellent storage stability, a material containing aluminum as a major component are preferred. アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、又はアルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属との合金若しくは混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。 The materials mainly comprising aluminum mean aluminum alone or an aluminum alloy or a mixture of 0.01 wt% to 10 wt% of an alkali metal or alkaline earth metal (e.g., lithium - aluminum alloy, a magnesium - aluminum alloy, etc. ) refers to.

陰極の材料については、特開平2−15595号公報、特開平5−121172号公報に詳述されていて、これらを本発明に適用することができる。 For the material for the cathode, 2-15595 and JP have been described in detail in JP-A-5-121172, it is possible to apply these to the present invention.

陰極の形成法は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。 The method for forming the cathode is not particularly limited, and may be a known method. 例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。 For example, printing method, co - wet methods such coating method, vacuum deposition method, sputtering method, ion plating - physical methods plating method, CVD, chemical methods such as plasma CVD method, from such with the material it can be formed on the substrate according to the method consideration of the suitability.
例えば、前記陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。 For example, as the material of the cathode, in the case of selecting a metal or the like, it may be formed by simultaneously or successively sputtering one or more kinds thereof.

陰極のパタ−ニングは、フォトリソグラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよいし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行ってもよい。 Cathode pattern - training is photolithography - may be performed by chemical etching such as, Les - The - may be carried out by physical etching such as, also, by vacuum deposition or sputtering using a mask may be performed, it may be performed by a lift-off method or a printing method.

陰極の有機電界発光素子における形成位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、有機化合物層上に形成されるのが好ましい。 The formation position in the organic electroluminescent device of cathode is not particularly limited, application of the light emitting element, may be suitably selected according to the purpose, preferably formed on the organic compound layer. この場合、該陰極は、前記有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。 In this case, the cathode may be formed on all over the organic compound layer, or may be formed in a part thereof.
陰極が上部電極である場合、該陰極側から発光を取り出すためには、該陰極は透明性が高いことが好ましく、その光透過率は、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。 If the cathode is the upper electrode, in order to extract light emission from the cathode side is preferably higher cathode is transparent, the light transmittance is preferably 60% or more, more preferably 70% or more. この透過率は、分光光度計を用いた公知の方法に従って測定することができる。 The transmittance can be measured by a known method using a spectrophotometer.
透明な陰極は、前記陰極の材料を1nm〜10nmの厚みに薄く製膜し、更に前記ITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。 Transparent cathode, the cathode material and thin film formation in a thickness of 1 nm to 10 nm, can be formed by further laminating a transparent conductive material such as the ITO or IZO.
また、陰極と有機化合物層との間に電子注入促進層として、アルカリ金属(たとえば、Li、Na、K、またはCs等)又はアルカリ土類金属(たとえばMg、Ca等)のフッ化物等を0.1nm〜5nmの厚みで挿入するのが好ましい。 Further, as the electron injection promoting layer between the cathode and the organic compound layer, an alkali metal (e.g., Li, Na, K, or Cs) or alkaline earth metal (e.g., Mg, Ca) and fluorides of 0 preferably inserted in a thickness of .1Nm~5nm.
なお、該電子注入促進層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等により形成することができる。 Incidentally, the electron injection promoting layer may, for example, vacuum deposition, sputtering, ion plating - can be formed by a plating method.

3. 3. 封止層 本発明の有機電界発光素子は、封止層を有するのが好ましい。 Sealing the organic electroluminescent device of the present invention preferably has a sealing layer. 本発明に用いられる封止層は、無機封止層および有機封止層の複合層が好ましく、背面電極の上に設けられ、発光素子が水分や酸素等のガスの侵入によって劣化するのを防止する層である。 The sealing layer used in the present invention, prevention is preferred composite layer inorganic sealing layer and an organic encapsulating layer, provided on the back electrode, a light-emitting element from deteriorating by intrusion of moisture or oxygen, such as gas it is a layer that. 無機封止層および有機封止層の複合層が特に好ましい。 Composite layer of inorganic sealing layer and an organic encapsulating layer is particularly preferred.

1)無機封止層 本発明に用いられる無機封止層は、背面電極の上に設けられる絶縁層であって、かつ発光素子が水分や酸素等のガスの侵入によって劣化するのを防止する層である。 1) inorganic sealing layer used in the inorganic sealing layer present invention, an insulating layer is provided on the back electrode, and a layer emitting element can be prevented from deteriorating by intrusion of moisture or oxygen, such as gas it is.
本発明に用いられる無機封止層の素材としては、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素、および炭化珪素が好ましく用いられる。 As a material for the inorganic sealing layer used in the present invention, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, and silicon carbide are preferably used.
本発明に用いられる無機封止層は、CVD法、イオンプレーティング法、スパッタリング法もしくは蒸着法により形成することが出来る。 Inorganic sealing layer used in the present invention, CVD method, ion plating method, can be formed by sputtering or vapor deposition.

本発明に用いられる無機封止層の厚みは、0.01μm〜10μmが好ましい。 The thickness of the inorganic sealing layer used in the present invention, 0.01 to 10 m is preferable. 0.01μmより薄いと絶縁機能および水分やガス防止機能が不十分となるため好ましくない。 Undesirably thin and insulating function and moisture and gas protection than 0.01μm is insufficient.
また、10μmより厚いと製膜に時間がかかり、工程上好ましくない。 Further, it takes time for film thicker than 10 [mu] m, step unfavorable. また膜応力が大きくなる場合があり、膜剥がれ等が生じ好ましくない。 Also there is a case where film stress becomes large, film peeling or the like occurs undesirably. さらに厚い膜を得るには製膜を複数回繰り返すことにより可能である。 To obtain a thicker film is possible by repeating a plurality of times film.

2)有機封止層 本発明における有機電界発光素子は無機封止層と有機封止層の二層の封止層で発光層を含む有機化合物層が水分や酸素などのガス成分による影響から封止されていることを特徴とする。 2) sealing the organic compound is an organic electroluminescent device in the organic encapsulating layer present invention including the light emitting layer with a sealing layer of two layers of inorganic sealing layer and the organic encapsulating layer layer from influence of the gas components such as moisture and oxygen sealed, characterized in that is.
本発明における有機封止層は、無機封止層の上に積層され、無機封止層のピンホールなどの欠陥を補い、封止をより完全なものにする機能を有する。 Organic encapsulating layer in the present invention is laminated on the inorganic sealing layer compensates the defects such as pinholes inorganic sealing layer has a function of sealing a more complete. さらに、フレキシブルな有機電界発光素子として折り曲げられたときの応力を緩和して素子への亀裂発生を防止する機能を有する。 Further has a function of preventing stress cracking of mitigation to element when folded as a flexible organic electroluminescence device.

<素材> <Material>
本発明における有機封止層は、フッ素樹脂を含有する。 Organic encapsulating layer in the present invention contains a fluorine resin. 本発明におけるフッ素樹脂としては、フルオロエチレンポリマーおよびそれと他のコモノマ−とを含む共重合体、あるいは共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体が好ましく、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン及びジクロロジフルオロエチレン、およびこれらを有する子ポリマーが好ましい。 Examples of the fluorine resin in the present invention, fluoroethylene polymers and its other comonomers - and copolymers, or copolymer backbone fluorine-containing copolymer having a cyclic structure containing preferably, for example, polytetrafluoroethylene, chlorotrifluoroethylene, poly-dichloro-difluoroethylene, chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, and copolymers having these is preferred. 特に好ましくは、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)であり、市販のフレキシブルシートをそのまま用いることができる。 Particularly preferred is poly polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), it can be used as a commercially available flexible sheet. 例えば、日東電工(株)製のニトフロンシートを挙げることができる。 For example, a nitrate Freon sheet manufactured by Nitto Denko Corporation.
有機封止層の厚みは特に限定されることはないが、10μm以上1mm以下が好ましい。 The thickness of the organic encapsulating layer is not particularly limited, but is preferably 10μm to 1mm. これよりも薄いと、水分侵入を防止する機能が薄れることになり好ましくない。 When this thickness is smaller than, unfavorably the function of preventing moisture penetration fades. また、これよりも厚いと、電界発光素子自体の厚みが厚くなり、有機電界発光素子の特徴である薄膜性を損なうことになる。 Further, when the thickness is larger than this, the thickness of the electroluminescence element itself is thicker, thereby impairing the film properties which are characteristic of the organic electroluminescence device.

<熱融解性接着剤> <Heat melt adhesive>
本発明における有機封止層は、前記無機封止層の上に熱融解性接着剤(ホットメルト型接着剤)によって熱圧着されて配されるのが好ましい。 Organic encapsulating layer in the present invention, the heat-melting adhesive on the inorganic sealing layer that is disposed being thermocompression bonding by (hot melt adhesive) preferred.

熱融解性接着剤として、従来一般に知られているホットメルト接着剤より温度等が適したものを選んで用いることができるが、エチレン−アクリル酸共重合体またはエチレン−メタクリル酸共重合体であってエチレン含量が85モル%〜99モル%(特に好ましくは88モル%〜97モル%)である共重合体を主成分とするものを好ましく用いることが出来る。 As the thermal melting adhesives, can be used to select what temperature or the like is more suitable hot melt adhesives known in the prior art generally, ethylene - a methacrylic acid copolymer - acrylate copolymer or ethylene ethylene content Te is 85 mol% to 99 mol% (particularly preferably 88 mol% to 97 mol%) can be preferably used as a main component a copolymer is. 勿論、これら両共重合体の混合物であってもよい。 Of course, it may be a mixture of both these copolymers. これら共重合体におけるエチレン含量が85モル%よりも少ないと防湿性の低下傾向を生じ、また99モル%よりも多いとPCTFE層との接着力が乏しくなり実用性を有する複合フィルムを得難くなるので、いずれも好ましくない。 The ethylene content in these copolymers is less than 85 mol% results in reduced tendency of moisture resistance, also becomes difficult to obtain a composite film having a practical adhesion is poor between the large and the PCTFE layer than 99 mol% since, both undesirable. なお、これら両共重合体におけるエチレン含量がこの範囲内である場合、エチレン含量が多いほど(アクリル酸またはメタクリル酸含量が少ないほど)ホットメルト接着剤の防湿性は優れる。 In the case of ethylene content in both these copolymers is in the range, moisture resistance enough ethylene content is larger (smaller the acrylic acid or methacrylic acid content) hot-melt adhesive is excellent.

本発明におけるホットメルト接着剤はこれら共重合体のみで構成してもよいが、これら共重合体に酸化防止剤、充填剤、粘着付与剤、紫外線吸収剤等の添加剤を適量配合したものであってもよい。 Hot-melt adhesives of the present invention may be composed of only these copolymers, but the antioxidant to these copolymers, fillers, tackifiers, and additives such as UV absorbers obtained by appropriate amounts it may be. また、これら共重合体を架橋する場合には、ジアシルパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステル等の有機過酸化物を配合することもできる。 Further, in the case of cross-linking these copolymers, diacyl peroxides, peroxy ketals, hydroperoxides, also be incorporated dialkyl peroxides, organic peroxides such as peroxyesters. この架橋により、ホットメルト接着剤は高温に曝されても軟化および凝集破壊をし難くなり、高温環境下における防湿性がより改善される。 The crosslinking hot melt adhesive even when exposed to high temperature hardly softened and cohesive failure, moisture resistance in a high-temperature environment is further improved.

エチレンを一方の成分とする共重合体、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体あるいはエチレン−エチルアクリレート共重合体は前記した如く既にホットメルト接着剤として用いられているが、本発明に用いる共重合体は酢酸ビニルあるいはエチルアクリレートとは異なるモノマーとエチレンとを共重合させたものであり、従来公知のホットメルト接着剤とは異なるものである。 Copolymers of ethylene with one component, for example, ethylene - vinyl acetate copolymer or ethylene - ethyl acrylate copolymer is used as an already hot melt adhesive as described above, but co-used in the present invention the heavy coalescing are those obtained by copolymerizing a different monomer and ethylene vinyl acetate or ethyl acrylate, is different from the conventional hot melt adhesives. また、エチレン−アクリル酸共重合体をホットメルト接着剤として用いることも前記した如く、特開平2−297893号公報に記載されているが、該公報にはこの共重合体を構成するモノマーの組成比についての言及はない。 The ethylene - also be used acrylic acid copolymer as a hot-melt adhesive as described above, are described in JP-A-2-297893, the composition of the monomers constituting the copolymer is in the publication there is no mention of the ratio. 本発明はエチレン−アクリル酸共重合体における防湿性について研究し、両者の組成比を前記特定範囲にすることにより所期の目的を達成することができたものであり、この点においても従来のホットメルト接着剤とは異なる。 The present invention is an ethylene - studied moisture resistance in acrylic acid copolymers, which both composition ratio was able to achieve the intended purpose by the specific range, conventional in this respect different from the hot-melt adhesive.

<PCTFEフィルムと熱融解性接着剤の積層体> <Laminate of PCTFE film and heat melting adhesive>
本発明に係る有機封止層は、PCTFEフィルムとフィルム状ホットメルト接着剤を重ね合わせ、加熱加圧により両者を接合一体化する方法、あるいはPCTFEフィルムの片面上にホットメルト接着剤成分を溶融押出する方法等により得ることができる。 Organic encapsulating layer according to the present invention superimposes a PCTFE film and a film-shaped hot melt adhesive, a method for integrally joining both by heat and pressure, or PCTFE hot melt adhesive component melt extruded on one side of the film, it can be obtained by a method in which. なお、PCTFE層とホットメルト接着剤層との接合強度向上のために、PCTFE層表面にスパッタエッチング処理(例えば、特公昭53−22108号公報、特公昭56−1337号公報等に開示されている)、プライマー塗布処理のような接着処理を施すこともできる。 Incidentally, for the bonding strength improvement of the PCTFE layer and the hot-melt adhesive layer, sputter etching treatment PCTFE layer surface (e.g., JP-B-53-22108 and JP disclosed in JP-B-56-1337 Publication ), it may be subjected to adhesion treatment such as a primer coating treatment.

また、上記PCTFEフィルムと熱融解性接着剤の少なくとも一方の材料にフィラーを添加することも好ましい。 It is also preferred to add a filler to the at least one material of the PCTFE film and heat melting adhesive.
封止剤に添加されるフィラーとしては、SiO(酸化ケイ素)、SiON(酸窒化ケイ素)またはSiN(窒化ケイ素)等の無機材料もしくはAg、Ni(ニッケル)またはAl(アルミニウム)等の金属材料が好ましい。 As the filler to be added to the sealing agent, SiO (silicon oxide), an inorganic material or Ag such as SiON (silicon oxynitride), or SiN (silicon nitride), a metal material such as Ni (nickel) or Al (aluminum) preferable. フィラーの添加により、封止剤の粘度が上昇し、加工適正が向上し、および耐湿性が向上する。 The addition of the filler increases the viscosity of the sealant, the processing proper is improved, and moisture resistance are improved.

4. 4. 有機EL素子の実施の形態 次に、有機EL素子の実施の形態を具体的に説明する。 Embodiment of the organic EL element will be specifically described an embodiment of the organic EL element.
図1は、本発明による有機EL素子の一例の概略断面図である。 Figure 1 is a schematic sectional view of an example of the organic EL device according to the present invention. 有機EL素子10は、可撓性基板20の上に下部電極、発光層および背面電極を含む有機化合物層30を有する。 The organic EL element 10 has an organic compound layer 30 including the lower electrode, the light emitting layer and a back electrode on a flexible substrate 20.
該有機化合物層30は、具体的には、下部電極(陽極)、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、ブロック層、電子輸送層、電子注入層、および背面電極(陰極)などの積層構造を有する。 Organic compound layer 30, specifically, the lower electrode (anode), a hole injection layer, a hole transport layer, light emitting layer, blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a back electrode (cathode), such as having a laminated structure. 背面電極の上には、無機封止層41および有機封止層42を有する。 On the back electrode, an inorganic sealing layer 41 and the organic encapsulating layer 42. 可撓性基板20は、光不透過性かつ低光反射性であり、背面電極は光透過性である。 The flexible substrate 20 is a light impermeable and low light reflective back electrode is light transmissive. 電極間に電流を通じると発光層で発光し、その光は背面電極を透過して素子の外部に取り出される。 Emits a lead current between the electrodes in the light emitting layer, the light is extracted to the outside of the device is transmitted through the back electrode. 可撓性基板20の下部電極に面する側は低光反射性であり、発光部以外は黒い背景を形成し、発光部と非発光部との境界が鮮明に識別される。 Side facing the lower electrode of the flexible substrate 20 is a low light reflectivity, other than the light-emitting portion forms a black background, the boundary between the light emitting portion and the non-light emitting portion is clearly identified.

図2〜図6は、本発明による有機EL素子に用いることのできる可撓性基板のいくつかの例の概略断面図である。 Figures 2-6 are schematic sectional views showing several examples of the flexible substrate that can be used in the organic EL device according to the present invention.
図2は金属箔等の光不透過性基材21の一面に光反射防止層22を有する可撓性基板である。 Figure 2 is a flexible substrate having an antireflection layer 22 on one surface of a light impermeable substrate 21, such as a metal foil. 該光反射防止層22が絶縁性である場合、この上に下部電極が配置される。 If the light reflection preventing layer 22 is insulative, the lower electrode is disposed on this. 図3は金属箔等の光不透過性基材21の一面に光反射防止層22および絶縁層23を有する可撓性基板である。 Figure 3 is a flexible substrate having a light reflection preventing layer 22 and the insulating layer 23 on one surface of a light impermeable substrate 21, such as a metal foil. 該光反射防止層22が絶縁性が不十分であっても絶縁層23により可撓性基板との電気絶縁性が保たれるので、この上に下部電極が配置される。 Since the light reflection preventing layer 22 is electrically insulating and flexible substrate is maintained by the insulating layer 23 be an insufficient insulating properties, the lower electrode is disposed on this.
図4〜図6は、プラスチック基材を用いた可撓性基板例である。 4 to 6 are flexible substrates example using a plastic substrate. 図4では、プラスチック基材25の一面に光反射防止層22および光不透過層24を有し、他方の面に下部電極が設置される。 In Figure 4, has a light reflection preventing layer 22 and opaque layer 24 on one surface of the plastic substrate 25, the lower electrode is disposed on the other surface. 図5は、プラスチック基材25の一面に光反射防止層22、他方の面に光不透過層24を有する構成で、光反射防止層22を有する面に下部電極が設置される。 5, the light reflection preventing layer 22 on one surface of the plastic substrate 25, a configuration having a light-impermeable layer 24 on the other surface, the lower electrode is placed on a surface having a light reflection preventing layer 22. 図6は、プラスチック基材25の一面に光反射防止層22および絶縁層23を有し、他方の面に光不透過層24を有する構成で、絶縁層23を有する面に下部電極が設置される。 6, has a light reflection preventing layer 22 and the insulating layer 23 on one surface of the plastic substrate 25, a configuration having a light-impermeable layer 24 on the other surface, a lower electrode disposed on a surface of an insulating layer 23 that. 光反射防止層22自体が十分な絶縁性を有する場合は図5の構成、一方、光反射防止層22自体絶縁性が充分でない場合は、図6の構成を用いることが好ましい。 Arrangement of Figure 5 when the antireflection layer 22 itself has a sufficient insulating property, on the other hand, if the light reflection preventing layer 22 itself insulation is not sufficient, it is preferable to use the configuration of FIG.
図7は、下部電極がストライプ電極であって、平坦化層を用いる場合の好ましい構成を示すものである。 7, the lower electrode a stripe electrode, illustrates a preferred configuration of the case of using a planarizing layer. 可撓性基材27(金属箔等の光不透過性基材、または、プラスチック基材)が十分な平坦性を持っていない場合、平坦化層を用いる必要性がある。 A flexible substrate 27 (non-light-transmitting substrate such as a metal foil, or plastic substrate) is not have sufficient flatness, there is a need to use a flattening layer. 図7では、可撓性基板20の一面に平坦化層26を有し、その上に光反射防止層22を有して、さらにその上に下部電極が設置される。 In Figure 7, has a flattening layer 26 on one surface of the flexible substrate 20, the upper has a light reflection preventing layer 22, the lower electrode is placed further thereon. 光反射防止層22自体を平坦化層とすることも可能である。 It is also possible to light anti-reflection layer 22 itself and the planarization layer.

以下に実施例によって、本発明をより具体的に説明するが、本発明は、以下に記載する実施例によって制限されるものではない。 The following examples illustrate the present invention more specifically, but the present invention is not intended to be examples limited are described below.

実施例1 Example 1
1. 1. 有機EL素子の作製<可撓性基板の作製> Preparation of Organic EL elements <Production of flexible substrate>
基材として厚みが200μmのアルミ箔を用い、下記条件で光反射防止層および絶縁層を設け、図3に示す構成の可撓性基板を作製した。 Using an aluminum foil having a thickness of 200μm as a substrate, a light reflection preventing layer and the insulating layer provided under the following conditions to prepare a flexible substrate of the configuration shown in FIG.
可撓性基板真空チャンバー内に導入し、金属クロムターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ(条件:基材温度60℃)により、光反射防止層を可撓性基板上に金属クロムを0.05μm製膜して形成した。 Was introduced into the flexible substrate a vacuum chamber, using a metal chromium target, DC magnetron sputtering: by (Condition substrate temperature 60 ° C.), 0.05 .mu.m made of metal chromium antireflection layer on a flexible substrate It was formed in the film. さらに絶縁層として、RFマグネトロンスパッタ(条件:基材温度50℃)によりSiO を0.05μm製膜して形成した。 As an insulating layer, RF magnetron sputtering: forming the SiO 2 to 0.05μm film forming by (Condition substrate temperature 50 ° C.).

<下部電極> <Lower electrode>
この可撓性基板を真空チャンバー内に導入し、SnO 含有率が10質量%であるITOターゲット(インジウム:錫=95:5(モル比))を用いて、DCマグネトロンスパッタ(条件:基材温度150℃、酸素圧1×10 −3 Pa)により、透明電極としてITO薄膜(厚み0.2μm)を基板上に形成した。 The flexible substrate is introduced into a vacuum chamber, ITO target SnO 2 content is 10 wt% (indium: tin = 95: 5 (molar ratio)) was used, DC magnetron sputtering (conditions: substrate temperature 0.99 ° C., the oxygen pressure 1 × 10 -3 Pa), an ITO thin film (thickness 0.2 [mu] m) was formed on the substrate as a transparent electrode. ITO薄膜の表面抵抗は10Ω/□であった。 The surface resistance of the ITO thin film was 10 [Omega / □.
次に、透明電極を形成した基板を洗浄容器に入れ、IPA洗浄した後、これにUV−オゾン処理を30分行った。 Next, place the substrate formed with the transparent electrode in the cleaning vessel, after IPA washing was performed thereto UV- ozone treatment for 30 minutes.
<有機化合物層> <Organic compound layer>
この透明電極上に正孔注入層として銅フタロシアニンを真空蒸着法にて1nm/秒の速度で蒸着して0.01μm設けた。 Copper phthalocyanine as a hole injection layer on the transparent electrode was deposited at a rate of 1 nm / sec by a vacuum deposition method provided 0.01 [mu] m.

次にこの上に正孔輸送層を設けた。 Then a hole transporting layer thereon. 正孔輸送材としてはN,N'−ジナフチル−N,N'−ジフェニルベンジジン(NPD)を真空蒸着法にて蒸着して0.3μmの正孔輸送層を設けた。 As the hole transporting material is provided N, N'- dinaphthyl -N, of N'- diphenyl benzidine (NPD) was deposited by vacuum vapor deposition 0.3μm a hole transport layer.

この上に燐光発光材料であるトリス(2−フェニルピリジル)イリジウム錯体(Ir(ppy) )、およびホスト化合物として、4,4'−N,N'−ジカルバゾールビフェニル(CBP)を蒸着比5/100で真空蒸着法で共蒸着し0.03μmの発光層を設けた。 This is a phosphorescent material on the tris (2-phenyl) iridium complex (Ir (ppy) 3), and as a host compound, deposition ratio 4,4'-N, N'- dicarbazole biphenyl (CBP) 5 which a light-emitting layer of 0.03μm was co-deposited by vacuum evaporation at / 100.
その上にブロック層を設けた。 It provided blocking layer thereon. ブロック層に用いる電子輸送材としてはアルミニウム(III)ビス(2−メチル−8−キノリナート)4−フェニルフェノレート(Balq )を用い、真空蒸着法にて1nm/秒の速度で蒸着して0.01μmのブロック層を設けた。 An aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) 4-phenylphenolate (Balq 2) as the electron transporting material used for the blocking layer, was deposited at a rate of 1 nm / sec by a vacuum deposition method 0 It provided with a blocking layer of .01μm.
さらにその上に、電子輸送材としてトリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq )を用い、真空蒸着法にて1nm/秒の速度で蒸着して0.04μmの電子輸送層を設けた。 Further thereon, using tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq 3) as an electron transporting material, an electron transporting layer of 0.04μm was deposited at a rate of 1 nm / sec by a vacuum deposition method.

さらにこの上に電子注入層としてLiFを1nm/秒の速度で蒸着して0.002μmの電子注入層を設けた。 Further provided an electron injection layer of 0.002μm, LiF as an electron injection layer was deposited at a rate of 1 nm / sec on this.

<背面電極> <Back electrode>
さらにこの電子注入層上にパターニングしたマスク(発光面積が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、Agを0.015μm蒸着し、透明背面電極を形成した。 Further established a mask (light-emitting area of ​​2 mm × 2 mm) was patterned on the electron injection layer, and 0.015μm deposited Ag, to form a transparent back electrode.
上記下部電極及び上記背面電極より、それぞれアルミニウムのリード線を結線し、発光積層体を形成した。 From the lower electrode and the rear electrode, respectively An aluminum lead wire was connected, to form a light-emitting laminated body.

<無機封止層の形成> <Formation of inorganic sealing layer>
上記発光積層体の背面電極の上に、下記の無機封止層を設けた。 On the back electrode of the light emitting stack was provided an inorganic sealing layer below.
アルバック(株)製CVD製膜装置を用い、製膜速度200nm/分でSiN(1μm)/SiON(3μm)/SiN(1μm)の無機膜5μmを製膜した。 Using steel CVD film forming apparatus ULVAC Corp., was formed an inorganic film 5μm of SiN (1μm) / SiON (3μm) / SiN (1μm) in film forming rate 200 nm / min.

<有機封止層の形成> <Formation of organic encapsulating layer>
厚さ200μmのPCTFEフィルムとホットメルト接着剤として厚さ50μmのエチレン−アクリル酸共重合体(エチレン含量88モル%)フィルムの各1枚を重ね合わせ、温度160℃、圧力5kg/cm の条件で5分間加熱加圧することにより複合フィルムを作製した。 Ethylene thickness 200 [mu] m PCTFE film and a thickness of 50μm as a hot-melt adhesive - acrylic acid copolymer superimposed each one (ethylene content 88 mol%) film, temperature 160 ° C., under a pressure of 5 kg / cm 2 to prepare a composite film by in heating and pressing for 5 minutes.
なお、PCTFEフィルムにおける共重合体フィルム接合面は、雰囲気ガスとしてアルゴンガスを用い、圧力を5×10 −3 Torrとし、13.56MHzの高周波電圧を印可し、放電電力20Watt/cm の条件で2秒間スパッタエッチング処理して用いた。 Incidentally, the copolymer film bonding surface of the PCTFE film, the argon gas used as the atmosphere gas, a pressure of 5 × 10 -3 Torr, and applying a 13.56MHz RF voltage, under the condition of discharge power 20Watt / cm 2 was used and treated for 2 seconds sputter etching.
得られた複合フィルムのホットメルト接着面を上記発光積層体の無機封止層面と向かい合うように配置して、温度を150℃、圧力7kg/cm の条件で、1分間圧着して、本発明の有機電界発光素子1を製作した。 The hot melt adhesive surface of the resulting composite film was arranged to face the inorganic sealing layer surface of the light emitting stack, temperature 0.99 ° C., under a pressure of 7 kg / cm 2, and pressed for 1 minute, the present invention It was manufactured an organic electroluminescent device 1 of the.

比較のために、有機電界発光素子1において、光反射防止層を除いた比較の素子Aを作製した。 For comparison, in the organic electroluminescent element 1 was produced element A comparison excluding the anti-reflection layer.

2. 2. 性能評価 得られた素子サンプルに電流を通じて発光状態を明るい外光の下で観察した。 Light emission was observed state under bright external light through the current performance evaluation resultant device samples. その結果、本発明の素子では未発光部では外光の反射がなく黒色背景を成し、発光部が際立って輝いて観察された。 As a result, in the non-light emitting portion in the device of the present invention forms a without black background reflection of external light was observed shining light emitting portion stands out. 一方、比較サンプルでは、未発光部で外光の反射があって、発光部とのコントラストが低下して、発光領域が曖昧となった。 On the other hand, in the comparative sample, there is a reflection of external light in the non-emitting portion, the contrast between the light emitting portion is reduced, the light emitting area becomes ambiguous.

実施例2 Example 2
実施例1における可撓性基板を下記に変更した。 Changing the flexible substrate in Example 1 below.
基材として厚みが200μmの2軸延伸PETフィルムを用い、下記条件で光反射防止層および光不透過層を設け図4の構成の可撓性基板を作製した。 Using a biaxial oriented PET film having a thickness of 200μm as a base material to prepare a flexible substrate provided Figure 4 constituting the light reflection preventing layer and opaque layer under the following conditions.
PET基板を真空チャンバー内に導入し、金属クロムターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ(条件:基材温度60℃)により、光反射防止層をPET基板上に金属クロム0.05μm製膜して形成した。 The PET substrate was introduced into a vacuum chamber, using a metal chromium target, DC magnetron sputtering: by (Condition substrate temperature 60 ° C.), formed by a light reflection preventing layer was metallic chromium 0.05μm casting on a PET substrate did.
PET基板を真空チャンバー内に導入し、金属アルミターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ(条件:基材温度60℃)により、光不透過層を可撓性基板上に金属アルミ1μm製膜して形成した。 The PET substrate was introduced into a vacuum chamber, using a metal aluminum target, DC magnetron sputtering: by (Condition substrate temperature 60 ° C.), formed by the opaque layer and metal aluminum 1μm film forming on a flexible substrate did.

得られた可撓性基板の光反射防止層および光不透過層を有する面とは反対面に実施例1と同様に下部電極およびその他の機能層等を設けて有機EL素子2を作製した。 Resulting from the surface having the antireflection layer and opaque layer of the flexible substrate is provided in the same manner as in the lower electrode, and other functional layers such as Example 1 on the opposite surface to produce an organic EL element 2.

実施例3 Example 3
実施例1における可撓性基板を下記に変更した。 Changing the flexible substrate in Example 1 below.
基材として厚みが200μmの2軸延伸PETフィルムを用い、一方の面に下記条件で光反射防止層および他方の面に光不透過層を設け図5の構成の可撓性基板を作製した。 Using a biaxial oriented PET film having a thickness of 200μm as a base material to prepare a flexible substrate of a configuration of providing 5. FIG opaque layer anti-reflection layer and the other surface under the following conditions on one surface.
PET基板を真空チャンバー内に導入し、金属クロムターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ(条件:基材温度60℃)により、光反射防止層をPET基板上に金属クロム0.05μm製膜して形成した。 The PET substrate was introduced into a vacuum chamber, using a metal chromium target, DC magnetron sputtering: by (Condition substrate temperature 60 ° C.), formed by a light reflection preventing layer was metallic chromium 0.05μm casting on a PET substrate did.
PET基板を真空チャンバー内に導入し、金属アルミターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ(条件:基材温度60℃)により、光反射防止層と反対面に、光不透過層を可撓性基板上に金属アルミ1μm製膜して形成した。 The PET substrate was introduced into a vacuum chamber, using a metal aluminum target, DC magnetron sputtering: by (Condition substrate temperature 60 ° C.), the surface opposite to the light reflection preventing layer, an opaque layer over a flexible substrate formed by metal aluminum 1μm made film.

得られた可撓性基板の光反射防止層を有する面に実施例1と同様に下部電極およびその他の機能層等を設けて有機EL素子3を作製した。 In the same manner as in Example 1 to the surface having the antireflection layer of the obtained flexible substrate provided with a lower electrode, and other functional layers such as to produce an organic EL element 3.

実施例4 Example 4
実施例1における可撓性基板を下記に変更した。 Changing the flexible substrate in Example 1 below.
基材として厚みが200μmの2軸延伸PETフィルムを用い、一方の面に下記条件で光反射防止層および他方の面に光不透過層および絶縁層を設け図6の構成の可撓性基板を作製した。 Thickness using a biaxial oriented PET film of 200μm as a substrate, the flexible substrate of the light reflection prevention layer and the other surface on the light impermeable layer and of providing 6 an insulating layer composed of the following conditions on one surface It was produced.
PET基板を真空チャンバー内に導入し、金属クロムターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ(条件:基材温度60℃)により、光反射防止層をPET基板上に金属クロム0.05μm製膜して形成した。 The PET substrate was introduced into a vacuum chamber, using a metal chromium target, DC magnetron sputtering: by (Condition substrate temperature 60 ° C.), formed by a light reflection preventing layer was metallic chromium 0.05μm casting on a PET substrate did.
PET基板を真空チャンバー内に導入し、金属アルミターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ(条件:基材温度60℃)により、光反射防止層と反対面に、光不透過層を可撓性基板上に金属アルミ1μm製膜して形成した。 The PET substrate was introduced into a vacuum chamber, using a metal aluminum target, DC magnetron sputtering: by (Condition substrate temperature 60 ° C.), the surface opposite to the light reflection preventing layer, an opaque layer over a flexible substrate formed by metal aluminum 1μm made film.
RFマグネトロンスパッタ(条件:基材温度60℃)により、SiO ターゲットを用いて、光反射防止層の上に絶縁層としてSiO を0.05μm製膜して形成した。 RF magnetron sputtering: by (Condition substrate temperature 60 ° C.), using the SiO 2 target was SiO 2 as an insulating layer on the light reflection preventing layer formed by 0.05μm film formation.

得られた可撓性基板の光反射防止層および絶縁層を有する面に実施例1と同様に下部電極およびその他の機能層等を設けて有機EL素子4を作製した。 The resulting anti-reflection layer of the flexible substrate and similarly the lower electrode and other Example 1 on the surface with an insulating layer of the functional layer or the like is provided to produce an organic EL element 4.

<比較試料B〜Dの作製> <Preparation of comparative sample B~D>
実施例2〜4の光反射防止層を除いた試料を作製した。 Samples were produced, except for the anti-reflection layer of Example 2-4.

<性能評価> <Performance Evaluation>
実施例1と同様に、比較試料B〜D、および実施例2〜4の素子に電流を通じて発光状態を明るい外光の下で観察した。 As in Example 1, was observed emission state under bright external light through the current to the comparative samples B to D, and the device of Example 2-4. その結果、実施例1と同様に、本発明の素子では未発光部では外光の反射がなく黒色背景を成し、発光部が際立って輝いて観察された。 As a result, in the same manner as in Example 1, the non-light emitting portion in the device of the present invention forms a without black background reflection of external light was observed shining light emitting portion stands out. 一方、比較サンプルでは、未発光部で外光の反射があって、発光部とのコントラストが低下して、発光領域が曖昧となった。 On the other hand, in the comparative sample, there is a reflection of external light in the non-emitting portion, the contrast between the light emitting portion is reduced, the light emitting area becomes ambiguous.

本発明の実施の形態に係る有機電界発光素子の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention. 本発明に用いられる可撓性基板実施の形態に係る1例の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of an example of the flexible substrate embodiment for use in the present invention. 本発明に用いられる可撓性基板実施の形態に係る1例の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of an example of the flexible substrate embodiment for use in the present invention. 本発明に用いられる可撓性基板実施の形態に係る1例の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of an example of the flexible substrate embodiment for use in the present invention. 本発明に用いられる可撓性基板実施の形態に係る1例の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of an example of the flexible substrate embodiment for use in the present invention. 本発明に用いられる可撓性基板実施の形態に係る1例の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of an example of the flexible substrate embodiment for use in the present invention. 本発明に用いられる可撓性基板実施の形態に係る1例の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of an example of the flexible substrate embodiment for use in the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10:有機電界発光素子20:可撓性基板30:有機電界発光素子積層体41:無機封止層42:接着剤層21:光不透過基材22:光反射防止層23:絶縁層24:光不透過層25:プラスチック基材26:平坦化層27:可撓性基材 10: The organic electroluminescent device 20: flexible substrate 30: an organic light emitting element laminate 41: inorganic encapsulating layer 42: adhesive layer 21: light-impermeable substrate 22: antireflection layer 23: insulating layer 24: opaque layer 25: the plastic substrate 26: planarization layer 27: flexible substrate

Claims (8)

  1. 可撓性基板上に下部電極、少なくとも1層の発光層を含む有機化合物層、および背面電極を有する有機電界発光素子であって、前記可撓性基板が光不透過性かつ低光反射性であり、前記背面電極側より光が取り出されることを特徴とする有機電界発光素子。 Lower electrode on a flexible substrate, an organic compound layer including a light emitting layer at least one layer, and an organic electroluminescent device having a back electrode, in the flexible substrate is optically opaque and low light reflectivity There, the organic electroluminescent device, wherein a light is taken out from the back electrode side.
  2. 前記可撓性基板が光不透過層と該光不透過層と前記下部電極の間に光反射防止層とを有することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescence device according to claim 1, characterized in that it comprises a light anti-reflection layer between the lower electrode and the flexible substrate and the opaque layer and the light-impermeable layer.
  3. 前記光不透過層が金属箔もしくは金属層であることを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the light impervious layer is a metal foil or a metal layer.
  4. 前記光反射防止層が、光吸収物質もしくは光散乱性物質を含有する層であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の有機電界発光素子。 The light reflection preventing layer, an organic electroluminescent device according to claim 2 or claim 3, characterized in that a layer containing a light-absorbing substance or light-scattering material.
  5. 前記光吸収物質もしくは光散乱性物質が、金属または金属酸化物であることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescence device according to claim 4, wherein the light-absorbing substance or light-scattering material, characterized in that it is a metal or metal oxide.
  6. 前記光反射防止層が、絶縁層であることを特徴とする請求項2〜請求項5のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 The light reflection preventing layer, an organic electroluminescent device according to any one of claims 2 to 5, characterized in that the insulating layer.
  7. 前記可撓性基板と前記下部電極の間に前記光反射防止層と平坦化層とを有することを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 6, characterized in that it comprises a said light antireflection layer and the planarization layer between the flexible substrate and the lower electrode.
  8. 前記光反射防止層が、平坦化層であることを特徴とする請求項2〜請求項6のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 The light reflection preventing layer, an organic electroluminescent device according to any one of claims 2 to 6, characterized in that the flattening layer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8823256B2 (en) 2011-01-25 2014-09-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element and illumination device
JP2018006351A (en) * 2017-09-11 2018-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001527688A (en) * 1996-12-23 2001-12-25 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ The organic light emitting device containing a protective layer
JP2002093574A (en) * 2000-09-19 2002-03-29 Toppan Printing Co Ltd Electroluminescence device and its manufacturing method
JP2003017264A (en) * 2001-04-27 2003-01-17 Canon Inc Electroluminescent element and image display device
JP2003291251A (en) * 2002-04-05 2003-10-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Composite material and method for manufacturing the material
JP2004103334A (en) * 2002-09-06 2004-04-02 Seiko Epson Corp Organic el device and electronic equipment
JP2005119148A (en) * 2003-10-16 2005-05-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd Gas-barrier substrate, substrate for display device, and display device
JP2006032198A (en) * 2004-07-20 2006-02-02 Seiko Epson Corp Barrier rib structure, electro-optical device, color filter, circuit board, and device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001527688A (en) * 1996-12-23 2001-12-25 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ The organic light emitting device containing a protective layer
JP2002093574A (en) * 2000-09-19 2002-03-29 Toppan Printing Co Ltd Electroluminescence device and its manufacturing method
JP2003017264A (en) * 2001-04-27 2003-01-17 Canon Inc Electroluminescent element and image display device
JP2003291251A (en) * 2002-04-05 2003-10-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Composite material and method for manufacturing the material
JP2004103334A (en) * 2002-09-06 2004-04-02 Seiko Epson Corp Organic el device and electronic equipment
JP2005119148A (en) * 2003-10-16 2005-05-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd Gas-barrier substrate, substrate for display device, and display device
JP2006032198A (en) * 2004-07-20 2006-02-02 Seiko Epson Corp Barrier rib structure, electro-optical device, color filter, circuit board, and device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8823256B2 (en) 2011-01-25 2014-09-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element and illumination device
JP2018006351A (en) * 2017-09-11 2018-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting device

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