JP2002082584A - 電子写真装置のクリーニング装置及びクリーニング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光受容部材の表面がムラ削れせず、均一に摩
耗し、現像剤の融着が発生しない電子写真装置のクリー
ニング装置及びクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 Ｒｍａｘ０．５〜４．０なる螺旋状の凹
凸を設けた導電性基板に、感光層を３５μｍ以上５０μ
ｍ以下、光受容部材に平均粒径５〜８μｍの現像剤を現
像、転写材へ転写し、現像剤が転写された後の光受容部
材表面を弾性ゴムブレードでスクレープクリーニングす
る電子写真装置で、表面層の磨耗量が１オングストロー
ム(0.1nm)／１万回転以上１０オングストローム(1nm)／
１万回転以下の範囲で、磨耗に応じて表面自由エネルギ
ーが増加、かつ該ブレードとの摩擦トルクが上昇する様
に構成された事を特徴とする電子写真装置のクリーニン
グ装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子写真装置のクリ
ーニング装置及びクリーニング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真光受容部材に用いる光受容部材
の素材としては、セレン、硫化カドミニウム、酸化亜
鉛、アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）等の
無機材料、或は有機材料等、各種の材料が提案されてい
る。これらのうちでもａ−Ｓｉに代表される珪素原子を
主成分として含む非単結晶質堆積膜、例えば水素及び／
又はハロゲン（例えばフッ素、塩素等）を含む（例えば
水素またはダングリングボンドを補償する）ａ−Ｓｉ等
のアモルファス堆積膜は高性能、高耐久、無公害な光受
容部材として提案され、その幾つかは実用化されてい
る。特開昭５４−８６３４１号公報、ＵＳＰ４，２６
５，９９１号には、光導電層を主としてａ−Ｓｉで形成
した電子写真光受容部材の技術が開示されている。また
特開昭６０−１２５５４号公報には珪素原子を含有する
非晶質シリコンからなる光導電層の表面に炭素及びハロ
ゲン原子を含む表面層が開示されており、更に特開平２
−１１１９６２号公報には、ａ−Ｓｉ：Ｈ又は、ａ−
Ｃ：Ｈ感光層上に表面保護潤滑層を設けた光受容部材が
開示されているが、何れも撥水性や耐磨耗性を向上させ
る技術であり、電子写真プロセスと表面層の削れ性との
関係に関する記載はない。

【０００３】シリコン系非単結晶堆積膜の形成法として
は、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方
法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法
（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方
法（ブラズマＣＶＤ法）等、多数の方法が知られてい
る。中でもプラズマＣＶＤ法、即ち原料ガスを直流又は
高周波（ＲＦ、ＶＨＦ）又は、マイクロ波を利用して発
生させたグロー放電等によって分解し、ガラス、石英、
耐熱性合成樹脂フィルム、ステンレス、アルミニウム等
の所望の基体上に堆積膜を形成する方法は、電子写真用
アモルファスシリコン堆積膜の形成方法等にとどまら
ず、他の用途の堆積膜の形成方法を含め、現在実用化が
非常に進んでおり、そのための装置も各種提案されてい
る。

【０００４】更に、電子写真用光受容部材への適用を鑑
みても近年では膜質及び処理能力の向上に対する要望が
強くなっており様々な工夫も検討されている。

【０００５】特に、高周波電力を用いたプラズマプロセ
スは、放電の安定性が高く酸化膜や窒化膜等の絶縁性材
料の形成にも使用できる等様々な利点により使用されて
いる。

【０００６】光受容部材としては、高速に対応した電子
写真特性の向上が要求されると共に、より精彩な画質を
要求される昨今においては、光受容部材特性の改善はも
とより、現像剤の小粒径化が進められ、コールターカウ
ンター等による重量平均粒径が５〜８μｍであるものが
多く使われている。

【０００７】現像剤も用途によって多種のものがある
が、１成分現像剤がキャリアーの劣化、交換がなく現像
器を小型化できることから、近年採用する機種が増加し
ている。こうした現像剤は磁性体を分散させた樹脂を重
量平均径３〜１５μｍ程度の球形、または不定形に合成
乃至粉砕して分球品と呼ばれる母体を形成し、更に機能
を付加するためにサブミクロンの外添剤と呼ばれる粉体
を表面に添付させる。より具体的には、磁性体としては
マグネタイト、樹脂としてはポリスチレン、ポリエステ
ル、ポリブタジエン、外添剤としてはアルミナ、シリ
カ、チタン酸ストロンチウム等が挙げられる。

【０００８】前記現像剤の融着発生時点のメカニズム
は、外添剤がフィルム状に析出するタイプ、分球品が融
けて付着するタイプの２種類に大別される。

【０００９】ａ−Ｓｉ光受容部材は、表面硬度が高く、
繰り返し使用により光受容部材表面が著しく削れる等の
画像品質低下を引き起こすことはないが、ａ−Ｓｉ光受
容部材の表面にはその製法上、異常成長による突起を有
しているのが現状である。突起の高さは概ね２〜３μの
ものがほとんどであるが、稀に１０μを越えるものもあ
り、そのような突起はブレードにダメージを与えること
がある。特に硬度を高めたブレードは脆いため、プロセ
ススピードが４００ｍｍ／ｓｅｃ以上でダメージを受け
るとブレード欠けが生じることがあった。ブレード欠け
を防止する手段は、突起の高さを５〜６μ以下に制限す
る事であり、特公平０７−０１０４８８記載のような研
磨手段を用いて処理される事が有効である。しかし、現
像剤の融着防止についてはブレード材質の向上を待つ状
況にあった。

【００１０】また、ａ−Ｓｉ光受容部材は特公平７−３
６０８１に記載のようにオゾン生成物や転写等の除去の
為にブレード自身（５〜１０オングストローム(0.5-1n
m)／１万枚）、乃至弾性クリーニングローラなどで表面
摺擦（約２５〜５０オングストローム(2.5-50nm)／１万
枚）してこれらを除去することが行われていた。しか
し、現像剤の小粒径化に伴う融着についての開示が無
く、近年の現像剤の小粒径化、コピースピードの高速化
における現像剤の融着に対しては、更なる品質安定化の
努力が求められている。

【００１１】こうした状況から、高画質対応の高速電子
写真装置に好適なクリーニングシステムが求められてい
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ａ−Ｓｉ系光受容部材
は、一般にクリーニング手段としてクリーニング能力の
高い、ブレード式クリーニング方式が広く用いられてい
る。

【００１３】しかし、この様なブレード式クリーニング
方式は原稿チャートの文字パターンの差によりブレード
面に滞留する現像剤の量に差が生じ受容部材表面層に削
れムラが生ずる場合があり、このような削れムラが発生
した場合、電子写真特性として感度ムラとなり画像の濃
度ムラとして発生する。特に、この現象は現像剤の粒径
が小さいほど顕著である。

【００１４】しかし、近年では画像特性の高画質化が要
求されているのが現状であり、この様な状況下において
現像剤の小粒径化が進んでいる。この現像剤の小粒径化
は画質面では向上する反面、摺擦力が高くなる傾向があ
り、この摺擦力のアップにより、クリーニングブレード
のビビリ等による残留現像剤（トナー）のすり抜けが生
じ、黒スジ状のクリーニング不良が発生する場合があ
る。更に摩擦抵抗が高いと光受容部材とクリーニングブ
レード間で摩擦熱が上昇し、熱定着に用いられる残留現
像剤は、この摩擦熱によって光受容部材の表面に強固に
付着する融着現象が発生する場合がある。特にこの融着
現象は、現像材の小粒径化に比例して顕著になる傾向が
あり初期の段階では画像には影響しない程度の微小なも
のであるが、繰り返しの使用で微小な融着が核となり徐
々に成長し画像に黒スジ状の画像欠陥となる。

【００１５】こうした、削れむらや融着は電子写真装置
のユーザ自身で補修することが困難であり、サービスマ
ン等の作業が必要となり、交換部品代、人件費といった
費用、作業中の電子写真装置の停止による時間損失とい
った課題があった。電子写真装置にとっては典型的な問
題点ではあるが、特に高速機においては、ランニングコ
ストにはね返る重要な問題点である。

【００１６】この様な状況の解決方法として、クリーニ
ングブレードの押し付け圧力を高くする方法や、光受容
部材表面に付着した現像剤を削り取る力を向上させるた
め、弾性ゴムブレードの硬度を高める等の対策が必要で
あるが、ブレードの硬度を高めることは、ブレードの特
性としては、ゴム的状態からガラス状態に近づくため、
材質としては脆くなりブレードの寿命を短くする方向で
あり、これらの方法は光受容部材表面との摩擦力が上昇
する方向である為、かえって表面層のムラ削れが悪化す
る可能性が高い。

【００１７】本発明は、上記のような表面層のむら削れ
による画像均一性の悪化と現像剤の光受容部材への融着
といった問題点を解決する為になされたものであり、そ
の目的とするところは、小粒径の現像剤で現像を行い且
つ、クリーニングローラー等の摺擦手段を設けたクリー
ニング方法で表面層が逐次磨耗する電子写真プロセスに
於いても（１）光受容部材の表面がムラ削れせず均一に
磨耗し、（２）光受容部材への融着物の成長を抑制、乃
至剥離を容易にする事によって、現像剤の融着が発生し
ない電子写真装置のクリーニング装置及びクリーニング
方法を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、電子写真
プロセスと光受容部材の表面層の磨耗量との関係に着目
し、ムラ削れに厳しい電子写真プロセスにおける光受容
部材表面の磨耗による表面性の変化を「制御」させる事
を試みた。

【００１９】コピー枚数が進むに応じて生じる前記むら
削れと融着に対し、コピー枚数に応じて変動する要因の
中から、発生に関わる要因を抽出し、コピー枚数が進む
に応じてその要因の変動を相殺するようにクリーナーの
構成と光受容部材の特性の組み合わせを最適化した。

【００２０】すなわち、コピー枚数が進むに応じて否応
なく磨耗する表面層の微視的物性と巨視的な摩擦トルク
の変動とブレードの光受容部材付着物に対する反撥挙動
を制御することによって、各耐久進行時点に応じて絶え
ず前記問題点を解消させる条件を本発明者らは見出すこ
とを求めた。

【００２１】その結果、本発明の電子写真プロセス及び
本発明の非単結晶質水素化炭素膜（ａ−Ｃ：Ｈ）を光受
容部材の表面層に用いた光受容部材の組み合わせによ
り、ムラ削れせず、クリーニング不良や、融着が発生し
ないように制御させることが可能になった。

【００２２】現像剤の融着発生時点のメカニズムは、外
添剤がフィルム状に析出するタイプ、分球品が融けて付
着するタイプの２種類に大別されるが、本発明の効果は
前者に特に有効である。

【００２３】具体的に本発明は、光受容部材を３００〜
４５０ｍｍ／ｓｅｃにて回転させ、帯電、露光、現像、
転写、クリーニングを順次繰り返す電子写真装置に於い
て、Ｒｍａｘ０．５〜４．０なる螺旋状の凹凸を設けた
導電性基板に、光導電層を３５μｍ以上５０μｍ以下、
光受容部材に平均粒径５〜８μｍの現像剤を現像、転写
材へ転写し、現像剤が転写された後の光受容部材表面を
弾性ゴムブレードでスクレープクリーニングする電子写
真装置でＡ４版の複写工程を転写紙に行った後の磨耗量
が１オングストローム(0.1nm)／１万回転以上１０オン
グストローム(1nm)／１万回転以下の範囲で、磨耗に応
じて表面粗さが減少、かつ表面自由エネルギーが増加、
かつ該ブレードとの摩擦トルクが上昇する様に構成する
電子写真装置を提案するものであり、前記光受容部材が
水素を含む非単結晶ＳｉＣ膜もしくは非単結晶質水素化
炭素膜（ａ−Ｃ：Ｈ）で表面層を構成したものであるこ
と、前記弾性ゴムブレードは温度が１５〜３０℃におけ
る反撥弾性率を５〜１５％、３０〜４５℃における反撥
弾性率を１０〜２０％、ＪＩＳ Ａ硬度（Ｈｓ）を７７
度以上８５度以下の弾性ゴムブレードを設けた構成であ
ること、前記弾性ゴムブレードは温度が１０〜５０℃に
おける反撥弾性率の温度依存性−１％／ｄｅｇ〜＋１％
／ｄｅｇの範囲にあること、前記帯電、露光、現像、転
写、クリーニングを順次繰り返す電子写真装置に於い
て、該弾性ゴムブレードの上流にローラを設けかつ、光
受容部材に現像剤を０．０３〜０．３ｍｇ／ｃｍ² 塗布
する構成であること、前記光受容部材の表面異常成長突
起部分の高さを４．０μｍ以下に研磨処理してから使用
すること、非単結晶質水素化炭素膜の水素量が４１％〜
６０％であることを含む。

【００２４】また本発明は、光受容部材を３００〜４５
０ｍｍ／ｓｅｃにて回転させ、帯電、露光、現像、転
写、クリーニングを順次繰り返す電子写真装置のクリー
ニング方法に於いて、Ｒｍａｘ０．５〜４．０なる螺旋
状の凹凸を設けた導電性基板に、感光層を３５μｍ以上
５０μｍ以下、前記光受容部材に平均粒径５〜８μｍの
現像剤を現像、転写材へ転写し、現像剤が転写された後
の光受容部材表面を弾性ゴムブレードでスクレープクリ
ーニングする電子写真装置で、表面層の磨耗量が１オン
グストローム(0.1nm)／１万回転以上１０オングストロ
ーム(1nm)／１万回転以下の範囲で、前記光受容部材表
面の磨耗による表面性の変化を制御することを特徴とす
る電子写真装置のクリーニング方法を提案するものであ
り、前記光受容部材が水素を含む非単結晶ＳｉＣ膜で表
面層を構成したものであること、前記光受容部材が非単
結晶質水素化炭素膜で表面層を構成したものであるこ
と、前記弾性ゴムブレードは１０〜５０℃における反撥
弾性率の温度依存性−１％／ｄｅｇ〜＋１％／ｄｅｇの
範囲にあること、前記帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを順次繰り返す電子写真装置のクリーニング方法
において、該弾性ゴムブレードの上流にローラを設けか
つ、光受容部材に現像剤を０．０３〜０．３ｍｇ／ｃｍ
² 塗布する構成であること、前記光受容部材の表面異常
成長突起部分の高さを４．０μｍ以下に研磨処理してか
ら使用すること、前記非単結晶質水素化炭素膜の水素量
が４１％〜６０％であることを含む。

【００２５】比較例に用いたクリーニングブレード硬度
は温度が１５〜３０℃における反撥弾性率がおおむね３
０％、３０〜４５℃における反撥弾性率がおおむね６０
％、またＪＩＳ Ａ硬度（Ｈｓ）を６９度以上７７度以
下を用いた。本発明に重要なパラメータである反撥弾性
率については、この値が低いと、光受容部材表面の融着
トナーを拭い取る動きをする為融着解消能力が高い。ま
た、高湿画像流れの防止の為に光受容部材を加温するヒ
ータを設けたシステムにおいてはヒータの通電開始初期
など温度が一定になるまでの時間、光受容部材を加温す
るヒータを設けないシステムにおいては空調、季節変動
による室温変化等に順応しうる反撥弾性率の温度依存性
も重要なパラメータである。

【００２６】ブレードの硬度が８５度を超えるとブレー
ドの材質としては脆くなりブレードの寿命を短くする方
向であり又、ＪＩＳ硬度６９度より低いと、クリーニン
グ性が低下したり、ブレードが捲れてしまい光受容部材
表面にダメージを与えてしまう等の問題が発生する場合
がある。

【００２７】本発明においては、光受容部材に用いる新
たな表面層も提供しており、そのａ−Ｃ：Ｈ膜は膜中に
含まれる水素量がＨ／（Ｃ＋Ｈ）で４１％〜６０％、好
適には４５％〜５５％が効果を高める点で更に適してい
る。水素量が４０％以下だと感度的に電子写真装置に適
さない場合がある。また６０％を越えると膜の緻密化が
損なわれ、機械的強度が損なわれる。

【００２８】更に該表面層は上記、水素量の範囲でＡ４
版の複写工程を転写紙に行った後の磨耗量が１オングス
トローム(0.1nm)／１万回転以上１０オングストローム
(1nm)／１万回転以下の範囲を選択する事により摩擦に
よるブレードのビビリが少なく、ブレード面の部分的な
ストレスが抑えられるため、現像剤の部分的な滞留が緩
和される。その結果、ムラ削れせず均一に表面層が磨耗
する事を見出したものである。

【００２９】本発明に用いる光受容部材の表面層の磨耗
量が、１０オングストローム(1nm)／１万回転より大き
い値になると機械的強度が損なわれる場合があり、１オ
ングストローム(0.1nm)／１万回転より小さい値になる
と表面層が磨耗しにくくなりコロナ放電生成物を削り取
る効果が低減し画像流れが発生する場合がある。

【００３０】本発明の光受容部材に用いる表面層の膜厚
としては表面層の磨耗量と電子写真装置の寿命との関係
から最適な膜厚が決定できるが、一般的には０．０１μ
ｍ〜１０μｍ、好適には０．１μｍ〜１μｍの範囲が望
ましい。表面層の膜厚が０．０１μｍ以下だと機械的強
度が損なわれ、１０μｍ以上になると残留電位が高くな
る場合がある。

【００３１】更に本発明の光受容部材に用いる光導電層
の膜厚としては、一般的には３５μｍ〜５０μｍ、好適
には４０μｍ〜５０μｍの範囲が望ましい。これは金属
導電性基板に対して、ａ−Ｓｉ光受容部材全体の比誘電
率が１０程度と小さく、殊にａ−Ｃ表面層部分は比誘電
率が６程度と小さいため、光受容部材の膜厚が厚いほ
ど、小粒径化した現像剤の付着力を小さくする効果があ
る。光導電層の膜厚が３５μｍ以下だと現像剤の離形性
効果が不十分で、５０μｍ以上になると球状突起が高く
なる場合がある。

【００３２】また、光受容部材の表面粗さも重要なパラ
メータであり、特に限定された表面粗さにおいて、コピ
ー枚数が進むに応じてクリーナーの摩擦トルクと光受容
部材の表面自由エネルギーが連動して変化し、現像剤融
着の発現起因を相殺するよう挙動をとることが見出され
た。

【００３３】以上をまとめると、ａ−ＳｉＣの表面層は
小粒径現像剤によって従来以上に磨耗し、自由エネルギ
ーが悪化し、本来融着するがトルクで剥ぎ取る。ａ−Ｃ
は磨耗が少なく、自由エネルギーがあまり悪化せず、ト
ルクもあがらず融着を剥ぎ取る。どちらにも共通する要
素は反撥弾性の低い、粘性の高いブレードを、欠けさせ
ること無く用いるシステムを提供することが好適である
ことを、本発明者らは見出した。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を詳
細に説明する。

【００３５】「クリーニング装置」図１は本発明の主要
ユニットであるクリーニング装置を拡大した図である。

【００３６】クリーニング手段においては、必要に応じ
て図１のクリーニング装置１０１のように、光受容部材
１００、ウレタンゴムなどからなるクリーニングブレー
ド１０２、シリコンゴム或いはスポンジ、或いは磁性体
等の材料からなるクリーニングローラー１０３、ドクタ
ーローラー１０４、廃トナー溜り１０５、廃トナー搬送
系１０６等からなる。

【００３７】このドクターローラー１０４は必要に応じ
て設置され、ブレード状の形態の場合もある。この場合
は、スクレーパ（又はドクターブレード）と称する。以
下、クリーニング装置の各部材の説明において、単純化
の為にスクレーパについての記載は省略する。

【００３８】１０１はクリーニング装置であり、ウレタ
ンゴムにシリコン化合物を混合する等して、適宜な弾性
や硬度を持たせたクリーニングブレード１０２が設置さ
れている。

【００３９】クリーニングブレード１０２の光受容部材
の回転方向上流側には、クリーニングローラ１０３を有
する。該クリーニングローラ１０３には、主として回収
トナー等の磁性粉体が磁気力により付着コートしてい
る。光受容部材表面には、付着している磁性粉体のコー
ト部が適宜な当接幅（ニップ巾という）で当接し、光受
容部材との所定の相対速度をもって摺擦及び廃トナーの
光受容部材１００へのコーティングを行う。

【００４０】このクリーニングローラー１０３は磁石以
外にも、トナーと逆極性のバイアスを印加した物でもよ
いし、シリコンゴムやスポンジ状の樹脂等からなるロー
ラーでもよい。

【００４１】また、ローラー形状に限らず、ブラシ状の
部材でもよい。ブラシ状の部材としては、使用する光受
容部材の硬度やプロセススピード等により、材質を適宜
選択する事が好ましい。

【００４２】ａ−Ｓｉ系光受容部材等、高硬度な光受容
部材に使用するブラシ材料の一例として、ポリエチレン
やポリスチレン等の化学繊維ブラシ、該化学繊維にカー
ボンを混入し、適宜な導電性を有するようにした導電性
繊維、アモルファス金属の繊維（例：ユニチカ製ボルフ
ァ等）を使用したブラシ等を使用してもよい。

【００４３】「電子写真装置」図２は複写機の画像形成
プロセスの一例を示す概略図である。

【００４４】矢印Ｘ方向に回転する、光受容部材２０１
の周辺には、主帯電器２０２、静電潜像形成部位２０
３、現像器２０４、転写紙供給系２０５、転写帯電器２
０６（ａ）、分離帯電器２０６（ｂ）、クリーナ２０
７、搬送系２０８、除電光源２０９などが配設されてい
る。光受容部材２０１は、必要に応じて面状内面ヒータ
２２５によって温度コントロールをしてもよい。

【００４５】光受容部材２０１は、その表面が主帯電器
２０２により、均一に帯電され画像露光付与手段２０３
により静電潜像が形成される。この静電潜像は、現像剤
（トナー）が塗布された現像器２０４の現像スリーブに
よりトナー像として顕像画化される。

【００４６】一方、転写紙供給系２０５を通って、供給
される転写材Ｐにトナー像が転写供給される。該転写材
Ｐは分離帯電器２０６（ｂ）且つ／又は爪等の分離手段
により、光受容部材２０１から分離され。搬送系２０８
を経由して定着器２２３内の定着ローラー２２４によっ
て、表面のトナー像が定着された後、画像装置外へ排出
される。

【００４７】一方、トナー像転写後の光受容部材２０１
表面は、表面の残トナーや紙粉等の付着物がクリーニン
グ装置２０７内のクリーニングブレード２２０、クリー
ニングローラー（またはブラシ）２２１により除去され
次の画像形成に供される。

【００４８】「限定された弾性ブレードの本発明の効果
のメカニズム」図３は、本発明に用いる限定された条件
の弾性ブレードが、現像剤の融着を防止するメカニズム
を考察したものである。本発明に用いるクリーニングブ
レード硬度は温度が１５〜３０℃における反撥弾性率を
５〜１５％、３０〜４５℃における反撥弾性率を１０〜
２０％、ＪＩＳ Ａ硬度（Ｈｓ）を７７度以上８５度以
下のものであり、図３に示すようにブレード自身の変形
が小さく、現像剤融着部分を拭い取るような挙動を示
す。一方、比較例に用いたクリーニングブレード硬度は
温度が１５〜３０℃における反撥弾性率がおおむね３０
％、３０〜４５℃における反撥弾性率がおおむね６０
％、またＪＩＳ Ａ硬度（Ｈｓ）を６９度以上７７度以
下のものであり、ブレード自身が変形しはね飛んでしま
うものと考える。

【００４９】こうしたメカニズムから、ａ−Ｓｉ光受容
部材特有の異常突起は、現像剤融着に比べはるかに硬い
ために、逆にブレードを欠いてしまう弊害も生じるた
め、本発明では、特公平０７−０１０４８８記載のよう
な光受容部材表面をＲｍａｘ５μｍ以下に研磨処理を併
用するシステムを提供する。

【００５０】比較例に用いたクリーニングブレード硬度
は温度が１５〜３０℃における反撥弾性率がおおむね３
０％、３０〜４５℃における反撥弾性率がおおむね６０
％、またＪＩＳ Ａ硬度（Ｈｓ）を６９度以上７７度以
下を用いた。

【００５１】「本発明に好適なａ−Ｓｉ光受容部材」図
４の（ａ）及び（ｂ）は本発明による光受容部材の模式
的な断面図の一例である。

【００５２】図４（ａ）に示すａ−Ｓｉ系光受容部材
は、アルミニウム等の導電性基体４０１上に少なくとも
シリコン原子を含む非晶質材料で構成された光導電層４
０３を積層し、更に炭素原子と水素原子を含むａ−Ｃ：
Ｈ膜または、ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜からなる表面層４０４を
順次積層された光受容部材である。４０２を感光層と呼
ぶ。

【００５３】図４（ｂ）はａ−ＳｉＣ：Ｈ膜からなる表
面層４０４を有する図４（ａ）の光受容部材に、更に炭
素原子と水素原子を含むａ−Ｃ：Ｈ膜からなる表面層４
０５を積層したものである。前記、ａ−Ｃ：Ｈ膜の水素
量が４１％〜６０％である事が更に好ましい。４０２を
感光層と呼ぶ。導電性基体４０１の表面形状はレーザー
干渉防止など用途に応じて適宜選択されるが、本発明に
おいては図８に示した螺旋状鋸型の表面処理を行った。
この形状の選択により、摩擦トルクの耐久に伴う変化を
制御することが可能となった。

【００５４】プラズマＣＶＤ法による光受容部材の堆積
は公知の手法において、かまわないが、特には、高周波
電源を周波数１ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの高周波電力を供
給し高周波グロー放電を生起させる事が表面層のクリー
ニング性能の向上にとって好ましい。

【００５５】以下、本発明を実施例を用いて具体的に説
明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるもので
はない。

【００５６】

【実施例】（実施例１）プラズマＣＶＤ装置を用いて表
１の条件によりφ８０円筒状導電性基体上に阻止層、光
導電層を積層した後、表２の条件での表面層を０．６μ
ｍ堆積しＡ〜Ｄの光受容部材を製造した。

【００５７】一方、トナーを下記の例の如く製造した。
テレフタル酸６．０ｍｏｌ、ｎ−ドデニセル無水琥珀酸
３．０ｍｏｌ、ビスフェノールＡプロピレンオキサイド
２．２モル付加物１０．０ｍｏｌ、無水トリメリット酸
０．７ｍｏｌ、ジブチルチンオキサイド０．１ｍｏｌを
反応器に入れ、温度計，攪はん棒，コンデンサー，窒素
導入管を取り付け、窒素置換した後、攪はんしながら徐
々に昇温し、１８０℃で５時間反応させ、次いで２００
℃に昇温し、減圧（１５ｈＰａ）して、４時間反応させ
て脱水縮合させ、反応を終了し、ポリエステル樹脂１を
得た。このポリエステル樹脂は、ピーク分子量１０，７
００、ガラス転移点６３℃であった。

【００５８】この、結着樹脂であるポリエステル樹脂１
００質量部と、カーボンブラック顔料５質量部、ジ−ｔ
−ブチルサリチル酸クロム錯体４質量部を、ヘンシェル
ミキサで前混合したのち、１３０℃に設定した二軸押し
出し機によって溶融混練した。混練物を冷却後、ジェッ
ト気流を用いた粉砕機によって微粉砕し、風力分級機を
用いて分級し、重量平均径６．５μｍの分級品を得た。

【００５９】処理無機微粉体（外添剤）を下記のように
して作成した。容器中にトルエン１ｋｇと被処理微粉体
粒子２００ｇを入れ、ミキサーにより攪はんしてスラリ
ーとし、ここに処方量の処理剤を添加し、更にミキサー
で十分に攪はんした。このスラリーをジルコニアボール
をメディアとするサンドミルに３０分間かけた。

【００６０】該スラリーをサンドミルから取り出し、６
０℃で減圧しながらトルエンを除去した後、ステンレス
容器中で攪はんしながら２００〜３００℃で２時間乾燥
した。ここで得られた粉体をハンマミルにて解砕処理を
し、処理無機微粉体を得た。上記の分級品１００質量部
に対し、ヘンシェルミキサで十分攪はんし、上記の無機
微粉体を外添混合し本実施例の現像剤を得た。

【００６１】外添剤の種類、使用する感光体の硬度や画
質などの様々な要因に応じて、外添剤の混入量は適宜調
整する事ができる。この外添剤では、外添量としては、
１〜３０重量部の適宜な範囲で使用した。

【００６２】次いで、前記φ１０８の光受容部材Ａ〜Ｄ
をキヤノン製複写機ＮＰ−６３５０の改造機（プロセス
スピード３８０ｍｍ／ｓｅｃ）に搭載し連続通紙耐久を
７０万回転（Ａ４版４６万枚相当）行いクリーニング性
の評価を行った。尚、弾性ゴムブレード２２０は温度が
１５〜３０℃における反撥弾性率を１２％、３０〜４５
℃における反撥弾性率を１７％、ＪＩＳ Ａ硬度（Ｈ
ｓ）を８１度、反撥弾性の温度依存性が−１％／ｄｅｇ
〜＋１％／ｄｅｇの本発明１のブレードを使用し、ブレ
ード圧を１３ｇｆ／ｃｍにて設置した。又、使用する現
像剤に関しては、現像剤の粒径が６．５μｍのものを使
用した。更に、原稿印字率を１％と極端に低くする事に
より融着が発生し易い条件とした。前記弾性ゴムブレー
ドの上流にはマグネットローラからなるクリーニングロ
ーラを設けることにより、均一に０．０３〜０．０５ｍ
ｇ／ｃｍ²の現像剤を光受容部材に塗布させた。

【００６３】以上の評価で得られた結果を表５、図５に
示す。

【００６４】また耐久後の表面層の磨耗量を表３に示
す。この表面層の磨耗量は耐久前後の表面層膜厚を反射
分光式干渉計（大塚電子（株）製ＭＣＰＤ２０００）に
より測定し、この値から１万回転当りの磨耗量に換算し
たものである。

【００６５】その結果Ｂ，Ｃの光受容部材に於いて５０
万回転の耐久後でもムラ削れによって発生する黒スジ状
の画像欠陥は全くなく、融着に関しても全く発生しなか
った。

【００６６】また、表面自由エネルギーの値は耐久に伴
い増大し、付着しやすい方向に推移してゆくが、同時に
摩擦トルクも上昇しており、ブレードの材質による効果
と相乗して融着を防止していると考えられる。

【００６７】また、光受容部材の表面粗さがＲｍａｘ
０．５〜４．０の範囲で好適であることが確認された。

【００６８】１５℃、６０％ＲＨの環境下で図２の面状
内面ヒータ２２５に対応するヒータを切って同様の評価
を行ったが、ブレード特性の温度依存性が小さいため、
上記と同様の良好な効果が得られた。

【００６９】（ムラ削れ評価方法）以下に、ムラ削れの
評価方法を図２を用いて説明する。

【００７０】現像器２０４位置に於ける暗部電位が４０
０ｖになるように主帯電器２０２の帯電電流量を調整
し、原稿台２１１にベタ黒の縦ラインを設けた原稿２１
２を置き、光受容部材表面の母線方向に於いて常に現像
剤で摺擦される部分と摺擦されない部分を設け耐久を行
った後、現像器２０４位置に於ける暗部電位が４００ｖ
になるように主帯電器２０２の帯電電流量を調整し、原
稿台２１１にベタ白原稿２１２を置き、明部電位が５０
ｖになるようにハロゲンランプ２１０の点灯電圧を調整
した後、反射濃度が０．３の原稿２１２を置く、この時
の電位ムラを測定し、正常部分の電位に対するムラ削れ
した部分の電位が何％変化しているかを評価する。 ○………感度ムラがなく良好な画像。 △………２．５％以下の電位ムラが有るが画像は実用上
問題のないレベル。 ×………２．５％以上の電位ムラが発生し画像にスジ状
の濃度ムラが発生。

【００７１】（融着評価方法）以下に、融着の評価方法
を同じく図２を用いて説明する。

【００７２】現像器２０４位置に於ける暗部電位が４０
０ｖになるように主帯電器２０２の帯電電流量を調整
し、原稿台２１１にベタ白の原稿２１２を置き、明部電
位が５０ｖになるようにハロゲンランプ２１０の点灯電
圧を調整し、Ａ３版のベタ白画像を作成した。この画像
によって現像剤の融着により発生する黒ポチを観察し、
更に顕微鏡により光受容部材表面を観察する。 ○………融着がなく良好な画像。 △………画像には黒ポチは発生しないが顕微鏡観察で１
０μｍ以下の微小な融着が認められる（実用上問題な
し）。 ×………画像上に黒ポチとして発生。

【００７３】（トルク測定方法）耐久の進行に伴って生
じた。光受容部材の回転トルク、すなわちクリーナーと
光受容部材との摩擦トルクについては、Ｔｏｈｎｉｃｈ
ｉ（製）トルクゲージにて、光受容部材回転起動時ｍａ
ｘトルクを測定した。耐久の進行に伴って生じた実施例
１の結果については、図５に示した。

【００７４】（表面粗さ測定方法）光受容部材の表面粗
さは（株）小坂研究所製ＳＥ−３０Ｄを用いて測定し
た。実施例１の結果については、表３に示した。

【００７５】（表面自由エネルギー）耐久の進行に伴っ
て生じた、光受容部材の表面自由エネルギーについて
は、協和界面（株）製 接触角測定機ＣＡ−Ｓ ＲＯＬ
Ｌを用い、評価液体に純水、ヨウ化メチレン、α−ブロ
モナフタレン、解析ソフトには協和界面（株）製 表面
自由エネルギー解析ソフトＥＧ−１１を用いて求めた。
評価液体は上記の物に限らない。双極子成分や水素結合
成分等が適宜ばらけた組合せであればよい。耐久の進行
に伴って生じた実施例１の結果については、図５に示し
た。

【００７６】

【表１】

【００７７】

【表２】

【００７８】

【表３】

【００７９】（比較例１）温度が１５〜３０℃における
反撥弾性率が３０％、３０〜４５℃における反撥弾性率
が６１％、またＪＩＳ Ａ硬度（Ｈｓ）を７５度の弾性
ブレードに換えたことを除けば、実施例１と同様に、光
受容部材Ａ′〜Ｄ′をキヤノン製複写機ＮＰ−６３５０
の改造機に搭載し連続通紙耐久を７０万回転（Ａ４版４
６万枚相当）行いクリーニング性の評価を行った。

【００８０】また、特公平０７−０１０４８８記載のよ
うな研磨装置を用い、具体的には（株）富士フィルム製
ラッピングフィルム（砥粒：ＳｉＣ、アルミナ、酸化
鉄）を用いて、異常成長高さ３μｍ以下になるまで処理
したＡ″〜Ｄ″を作製した。これらを用いて上記と同様
の評価を行った。

【００８１】各光受容部材を以上の評価で得られた結果
を表５に示す。また耐久による各光受容部材の表面層の
磨耗量を表４に示す。

【００８２】その結果、研磨の無いもののみ、７０万回
転耐久によってムラ削れによるスジ状の画像欠陥が発生
した。しかし、融着等は発生し必ずしも良好な画像が得
られなかった。

【００８３】

【表４】

【００８４】

【表５】

【００８５】（実施例２）実施例１と同様に、プラズマ
ＣＶＤ装置を用いて表１の条件によりφ８０円筒行う導
電性基体上に阻止層、光導電層を感光層厚を変化させな
がら積層した後、表６の条件での表面層を０．７μｍ堆
積したＥ〜Ｈの光受容部材を製造した。

【００８６】次いで、光受容部材Ｅ〜Ｈをキヤノン製複
写機ＮＰ−６３５０の改造機（プロセススピード４００
ｍｍ／ｓｅｃ）に搭載し連続通紙耐久を７０万回転（Ａ
４版４６万枚相当）行いクリーニング性の評価を行っ
た。尚、弾性ゴムブレード２２０は温度が１５〜３０℃
における反撥弾性率を８％、３０〜４５℃における反撥
弾性率を１２％、ＪＩＳ Ａ硬度（Ｈｓ）を８１度の物
を使用し又、使用する現像剤に関しては、現像剤の粒径
が７．５μｍのものを使用した。更に原稿印字率を１％
と極端に低くする事により融着が発生し易い条件とし
た。前記弾性ゴムブレードの上流にはマグネットローラ
からなるクリーニングローラを設けることにより、均一
に０．０３〜０．０５ｍｇ／ｃｍ² の現像剤を光受容部
材に塗布させた。

【００８７】以上の評価で得られた結果を表８に示す。

【００８８】その結果、感光層膜厚が３５〜５０μｍの
光受容部材Ｆ，Ｈの光受容部材に於て７０万回転の耐久
後でもムラ削れによって発生するスジ状の画像欠陥は全
くなく、融着も全く発生しなかった。

【００８９】（比較例２）表面粗さを変えたことを除け
ば、実施例２と同様に、光受容部材Ｅ′〜Ｆ′をキヤノ
ン製複写機ＮＰ−６３５０の改造機に搭載し連続通紙耐
久を７０万回転（Ａ４版４６万枚相当）行いクリーニン
グ性の評価を行った。

【００９０】また、クリーニングローラを設けずに、現
像剤塗布量を０．０１〜０．３ｍｇ／ｃｍ² の範囲で不
均一にさせたことを除けば、実施例２と同様にしたＥ″
〜Ｆ″を作製した。これらを用いて上記と同様の評価を
行った。

【００９１】各光受容部材を以上の評価で得られた結果
を表８に示す。また耐久による表面層の磨耗量を表７に
示す。

【００９２】その結果、研磨の無いもののみ、７０万回
転耐久によってムラ削れによるスジ状の画像欠陥が発生
した。しかし、融着等は発生し必ずしも良好な画像が得
られなかった。

【００９３】

【表６】

【００９４】

【表７】

【００９５】

【表８】

【００９６】（実施例３）実施例１と同様の方法で、プ
ラズマＣＶＤ装置を用いて表９の条件でφ８０、Ｒｍａ
ｘ３．０の円筒状導電性基体上に阻止層、光導電層を積
層した後、表１０の条件で表面層を０．６μｍ堆積しＩ
〜Ｌの光受容部材を製造した。更に表面層の水素含有量
を測定するためのサンプルとしてシリコンウエハー上に
も表９の条件でａ−Ｃ：Ｈ表面層サンプルを作成した。

【００９７】この表面層サンプルに対して、ＩＲによる
水素量Ｈ／（Ｃ＋Ｈ）の測定を行った。その結果、表面
層の水素量は、表１１に示した値であった。

【００９８】次いで、この光受容部材Ｉ〜Ｌをキヤノン
製複写機ＮＰ６３５０の改造機（プロセススピード３０
０ｍｍ／ｓｅｃ）に搭載し、実施例１と同様の条件で耐
久評価を行った。この耐久後の表面層の磨耗量を表１１
に示す。

【００９９】以上の評価で得られた結果を表１２及び図
６に示す。

【０１００】その結果、表面層の水素含有量が４１％以
上６０％以下の光受容部材Ｉ，Ｊ，Ｋの光受容部材に於
いて７０万回転の耐久後でもムラ削れによって発生する
スジ状の画像欠陥は全くなく、融着に関しても問題なか
った。

【０１０１】

【表９】

【０１０２】

【表１０】

【０１０３】

【表１１】

【０１０４】（比較例３）温度が１５〜３０℃における
反撥弾性率が３１％、３０〜４５℃における反撥弾性率
が６２％、またＪＩＳ Ａ硬度（Ｈｓ）を７４度の弾性
ブレードに換えたことを除けば、実施例３と同様に、光
受容部材Ｉ′〜Ｌ′をキヤノン製複写機ＮＰ−６３５０
の改造機に搭載し連続通紙耐久を７０万回転（Ａ４版４
６万枚相当）行いクリーニング性の評価を行った。

【０１０５】各光受容部材を以上の評価で得られた結果
を表１２に示す。また耐久による表面層の磨耗量を表１
１に示す。

【０１０６】その結果、磨耗量が１オングストローム
(0.1nm)／１万回転よりも小さく、更に水素含有量が６
０％を超えた値を示すａ−Ｃ：Ｈ膜では、１０万回転耐
久によってムラ削れ、融着、更に画像流れが発生する場
合がある事が判明した。

【０１０７】

【表１２】

【０１０８】

【発明の効果】以上詳述した様に本発明は、光受容部材
を３００〜４５０ｍｍ／ｓｅｃにて回転させ、帯電、露
光、現像、転写、クリーニングを順次繰り返す電子写真
装置に於いて、Ｒｍａｘ０．５〜４．０なる螺旋状の凹
凸を設けた導電性基板に、感光層を３５μｍ以上５０μ
ｍ以下水素を含む非単結晶質ＳｉＣ膜で表面層を構成し
た光受容部材に平均粒径５〜８μｍの現像剤を現像、転
写材へ転写し、現像剤が転写された後の光受容部材表面
を弾性ゴムブレードでスクレープクリーニングし、Ａ４
版の複写工程を転写紙に行った後の磨耗量が１オングス
トローム(0.1nm)／１万回転以上１０オングストローム
(1nm)／１万回転以下の範囲で、磨耗に応じて表面粗さ
が減少、かつ表面自由エネルギーが増加、かつ該ブレー
ドとの摩擦トルクが上昇する様に構成させる事により、
ムラ削れにより発生する画像濃度ムラ及び、現像剤の融
着を防止する事が可能になった。

【０１０９】加えて、光受容部材を３００〜４５０ｍｍ
／ｓｅｃにて回転させ、帯電、露光、現像、転写、クリ
ーニングを順次繰り返す電子写真装置に於いて、プラズ
マＣＶＤ法によって、Ｒｍａｘ０．５〜４．０なる螺旋
状の凹凸を設けた導電性基板に、感光層を３５μｍ以上
５０μｍ以下、水素量が４１％〜６０％である非単結晶
質水素化炭素膜（ａ−Ｃ：Ｈ）で表面層を構成した光受
容部材に平均粒径５〜８μｍの現像剤を現像、転写材へ
転写し、現像剤が転写された後の光受容部材表面を弾性
ゴムブレードでスクレープクリーニングする電子写真装
置でＡ４版の複写工程を転写紙に行った後の磨耗量が１
オングストローム(0.1nm)／１万回転以上１０オングス
トローム(1nm)／１万回転以下の範囲で、磨耗に応じて
表面粗さが減少、かつ表面自由エネルギーが増加、かつ
該ブレードとの摩擦トルクが上昇する様に構成させる事
により、画像流れや画像ボケといった画像欠陥を効果的
に防止することが可能である。

【０１１０】更に、弾性ゴムブレードは温度が１５〜３
０℃における反撥弾性率を５〜１５％、３０〜４５℃に
おける反撥弾性率を１０〜２０％、ＪＩＳ Ａ硬度（Ｈ
ｓ）を７７度以上８５度以下の弾性ゴムブレードを設け
た構成で画像流れや画像ボケといった画像欠陥を防止す
るラチチュードを大幅に広げる事が可能となった。

【０１１１】尚、本発明の主旨の範囲内で適宜、変形組
合せを行う事ができ、上記した各実施例に限定されない
事は言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による、クリーニング装置の一例を示す
模式的断面図である。

【図２】本発明に適用可能な電子写真装置の一例を示す
模式的構成図である。

【図３】本発明に関わるブレード挙動を説明する模式図
である。

【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明に係わる光受容部材
の層構成を示す模式的断面図である。

【図５】本発明に係わる表面自由エネルギーと摩擦トル
クの耐久に伴う変化を示すグラフである。

【図６】本発明に係わる表面自由エネルギーと摩擦トル
クの耐久に伴う変化を示すグラフである。

【図７】ブレード温度と反撥弾性率との関係を示すグラ
フである。

【図８】本発明に係わる光受容部材の導電性基体の表面
処理形状を示す模式的断面図である。

【符号の説明】

１００ 光受容部材 １０１ クリーナー １０２ クリーニングブレード １０３ クリーニングローラ １０４ ドクターローラ １０５ 廃トナー溜り １０６ 廃トナー搬送系 ２０１ 光受容部材 ２０２ 主帯電器 ２０３ 静電潜像形成部位 ２０４ 現像器 ２０６（ａ） 転写紙供給系 ２０６（ｂ） 転写帯電器、分離帯電器 ２０７ クリーナ ２０８ 搬送系 ２０９ 除電光源 ２２４ 定着ローラー ２２５ 面状内面ヒータ ４０１ 導電性基体 ４０２ 感光層 ４０３ 光導電層 ４０４ ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜からなる表面層 ４０５ ａ−Ｃ：Ｈ膜からなる表面層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江原 俊幸 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H005 AA08 CB12 CB13 2H034 BF01 BF03 BF05 2H035 CA07 CB03 CG01 2H068 CA03 DA05 DA12 DA16 DA80 EA24 EA43 FC15

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光受容部材を３００〜４５０ｍｍ／ｓｅ
   ｃにて回転させ、帯電、露光、現像、転写、クリーニン
   グを順次繰り返す電子写真装置に於いて、Ｒｍａｘ０．
   ５〜４．０なる螺旋状の凹凸を設けた導電性基板に、感
   光層を３５μｍ以上５０μｍ以下、前記光受容部材に平
   均粒径５〜８μｍの現像剤を現像、転写材へ転写し、現
   像剤が転写された後の光受容部材表面を弾性ゴムブレー
   ドでスクレープクリーニングする電子写真装置で、表面
   層の磨耗量が１オングストローム(0.1nm)／１万回転以
   上１０オングストローム(1nm)／１万回転以下の範囲
   で、磨耗に応じて表面自由エネルギーが増加、かつ該ブ
   レードとの摩擦トルクが上昇する様に構成された事を特
   徴とする電子写真装置のクリーニング装置。
2. 【請求項２】 前記光受容部材が水素を含む非単結晶Ｓ
   ｉＣ膜で表面層を構成したものである請求項１に記載の
   電子写真装置のクリーニング装置。
3. 【請求項３】 前記光受容部材が非単結晶質水素化炭素
   膜（ａ−Ｃ：Ｈ）で表面層を構成したものである請求項
   １に記載の電子写真装置のクリーニング装置。
4. 【請求項４】 前記弾性ゴムブレードは温度が１５〜３
   ０℃における反撥弾性率を５〜１５％、３０〜４５℃に
   おける反撥弾性率を１０〜２０％、ＪＩＳＡ硬度（Ｈ
   ｓ）を７７度以上８５度以下の弾性ゴムブレードを設け
   た構成である請求項１に記載の電子写真装置のクリーニ
   ング装置。
5. 【請求項５】 前記弾性ゴムブレードは温度が１０〜５
   ０℃における反撥弾性率の温度依存性−１％／ｄｅｇ〜
   ＋１％／ｄｅｇの範囲にある請求項１または２に記載の
   電子写真装置のクリーニング装置。
6. 【請求項６】 前記、帯電、露光、現像、転写、クリー
   ニングを順次繰りかえす電子写真装置に於いて、該弾性
   ゴムブレードの上流にローラを設け且つ、光受容部材に
   現像剤を０．０３〜０．３ｍｇ／ｃｍ² 塗布する構成で
   ある請求項１に記載の電子写真装置のクリーニング装
   置。
7. 【請求項７】 前記光受容部材の表面異常成長突起部分
   の高さを４．０μｍ以下に研磨処理してから使用する請
   求項１記載の電子写真装置のクリーニング装置。
8. 【請求項８】 前記、非単結晶質水素化炭素膜の水素量
   が４１％〜６０％である請求項３に記載の電子写真装置
   のクリーニング装置。
9. 【請求項９】 光受容部材を３００〜４５０ｍｍ／ｓｅ
   ｃにて回転させ、帯電、露光、現像、転写、クリーニン
   グを順次繰り返す電子写真装置のクリーニング方法に於
   いて、Ｒｍａｘ０．５〜４．０なる螺旋状の凹凸を設け
   た導電性基板に、感光層を３５μｍ以上５０μｍ以下、
   前記光受容部材に平均粒径５〜８μｍの現像剤を現像、
   転写材へ転写し、現像剤が転写された後の光受容部材表
   面を弾性ゴムブレードでスクレープクリーニングする電
   子写真装置で、表面層の磨耗量が１オングストローム
   (0.1nm)／１万回転以上１０オングストローム(1nm)／１
   万回転以下の範囲で、前記光受容部材表面の磨耗による
   表面性の変化を制御することを特徴とする電子写真装置
   のクリーニング方法。
10. 【請求項１０】 前記光受容部材が水素を含む非単結晶
    ＳｉＣ膜で表面層を構成したものである請求項９に記載
    の電子写真装置のクリーニング方法。
11. 【請求項１１】 前記光受容部材が非単結晶質水素化炭
    素膜（ａ−Ｃ：Ｈ）で表面層を構成したものである請求
    項９に記載の電子写真装置のクリーニング方法。
12. 【請求項１２】 前記弾性ゴムブレードは温度が１５〜
    ３０℃における反撥弾性率を５〜１５％、３０〜４５℃
    における反撥弾性率を１０〜２０％、ＪＩＳＡ硬度（Ｈ
    ｓ）を７７度以上８５度以下の弾性ゴムブレードを設け
    た構成である請求項９に記載の電子写真装置のクリーニ
    ング方法。
13. 【請求項１３】 前記弾性ゴムブレードは１０〜５０℃
    における反撥弾性率の温度依存性−１％／ｄｅｇ〜＋１
    ％／ｄｅｇの範囲にある請求項９に記載の電子写真装置
    のクリーニング方法。
14. 【請求項１４】 前記帯電、露光、現像、転写、クリー
    ニングを順次繰りかえす電子写真装置のクリーニング方
    法において、該弾性ゴムブレードの上流にローラを設け
    かつ、光受容部材に現像剤を０．０３〜０．３ｍｇ／ｃ
    ｍ²塗布する構成である請求項９に記載の電子写真装置
    のクリーニング方法。
15. 【請求項１５】 前記光受容部材の表面異常成長突起部
    分の高さを４．０μｍ以下に研磨処理してから使用する
    請求項９に記載の電子写真装置のクリーニング方法。
16. 【請求項１６】 前記非単結晶質水素化炭素膜の水素量
    が４１％〜６０％である請求項１１に記載の電子写真装
    置のクリーニング方法。