JP2002077279A - 高周波信号発生装置，データ送信装置および半導体装置 - Google Patents
高周波信号発生装置，データ送信装置および半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で安価な周波数精度に優れた半導体高周
波信号発生装置と、その半導体高周波信号発生装置を利
用した半導体データ送信装置を実現する。 【解決手段】 半導体高周波信号発生器１０は、第１の
信号発生器１１と、第２の信号発生器１２と、温度セン
サー１３と、第１のシングルサイドバンドミキサー１４
とを備えている。半導体高周波信号発生器１０の出力信
号は、高周波信号出力端子１５から取り出す。第２の信
号発生器１２の周波数は、温度センサー１３からの検出
出力、すなわち周囲温度に応じて変化させる。第１のシ
ングルサイドバンドミキサー１４は、第１の信号発生器
１１および第２の信号発生器１２からの両出力信号によ
り駆動する。これにより、第１の信号発生器１１の出力
信号よりも周波数温度依存性が小さい高周波信号を、第
１のシングルサイドバンドミキサー１４の出力として高
周波信号出力端子１５から取り出すことが可能になる。
波信号発生装置と、その半導体高周波信号発生装置を利
用した半導体データ送信装置を実現する。 【解決手段】 半導体高周波信号発生器１０は、第１の
信号発生器１１と、第２の信号発生器１２と、温度セン
サー１３と、第１のシングルサイドバンドミキサー１４
とを備えている。半導体高周波信号発生器１０の出力信
号は、高周波信号出力端子１５から取り出す。第２の信
号発生器１２の周波数は、温度センサー１３からの検出
出力、すなわち周囲温度に応じて変化させる。第１のシ
ングルサイドバンドミキサー１４は、第１の信号発生器
１１および第２の信号発生器１２からの両出力信号によ
り駆動する。これにより、第１の信号発生器１１の出力
信号よりも周波数温度依存性が小さい高周波信号を、第
１のシングルサイドバンドミキサー１４の出力として高
周波信号出力端子１５から取り出すことが可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号発生装
置，データ送信装置および半導体装置に関するものであ
る。
置，データ送信装置および半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】さらに詳述すると、本発明は、高周波信号
発生装置と、その高周波信号発生装置を構成要素とする
データ送信装置と、これら高周波信号発生装置およびデ
ータ送信装置を半導体プロセスで形成した半導体装置に
関する。
発生装置と、その高周波信号発生装置を構成要素とする
データ送信装置と、これら高周波信号発生装置およびデ
ータ送信装置を半導体プロセスで形成した半導体装置に
関する。
【０００３】
【従来の技術】様々な産業分野における種々の通信シス
テム用に数多くの半導体データ送信器が使用されている
が、半導体データ送信器の送信信号の周波数精度は極め
て重要である。ここでいう周波数精度とは、ある基準温
度における周波数の所望値からのずれと、周囲温度が変
化したときの周波数のずれ（以下、周波数温度依存性と
いう）の両方を含んでいる。
テム用に数多くの半導体データ送信器が使用されている
が、半導体データ送信器の送信信号の周波数精度は極め
て重要である。ここでいう周波数精度とは、ある基準温
度における周波数の所望値からのずれと、周囲温度が変
化したときの周波数のずれ（以下、周波数温度依存性と
いう）の両方を含んでいる。
【０００４】例えばＦＤＭＡ（周波数分割多元：Freque
ncy Division Multiple Access）のように、複数のチャ
ンネルが狭い周波数間隔で設定されている通信システム
で使用される半導体データ送信器の周波数精度が、上記
周波数間隔を越えるような低いものであると、受信側に
おいて全く受信できなくなるばかりでなく、他のチャン
ネルの通信を妨害することにもなる。これらの弊害を防
止するためには上記周波数間隔を広げること、換言すれ
ば収容可能なチャンネル数を減らす必要がある。このよ
うにＦＤＭＡ通信システムにおいては、半導体データ送
信器の周波数精度が低いと周波数利用効率が悪くなって
しまう。
ncy Division Multiple Access）のように、複数のチャ
ンネルが狭い周波数間隔で設定されている通信システム
で使用される半導体データ送信器の周波数精度が、上記
周波数間隔を越えるような低いものであると、受信側に
おいて全く受信できなくなるばかりでなく、他のチャン
ネルの通信を妨害することにもなる。これらの弊害を防
止するためには上記周波数間隔を広げること、換言すれ
ば収容可能なチャンネル数を減らす必要がある。このよ
うにＦＤＭＡ通信システムにおいては、半導体データ送
信器の周波数精度が低いと周波数利用効率が悪くなって
しまう。
【０００５】また、単一周波数を用いる比較的簡単な通
信システムにおいても、半導体データ送信器の周波数精
度が低いと、受信側では周波数変動分を見越して受信帯
域を広くとる必要があるため、受信信号のＳ／Ｎ比の劣
化が避けらず、送信出力レベルの所要量の増加や通信可
能距離の短縮等の問題が生じる。
信システムにおいても、半導体データ送信器の周波数精
度が低いと、受信側では周波数変動分を見越して受信帯
域を広くとる必要があるため、受信信号のＳ／Ｎ比の劣
化が避けらず、送信出力レベルの所要量の増加や通信可
能距離の短縮等の問題が生じる。
【０００６】上述した例のように、通信システムにおい
ては、半導体データ送信器の送信信号の周波数精度は極
めて重要である。特に近年にいたり、何れの通信システ
ムにおいても周波数利用効率の向上や、送信出力レベル
の低下や、通信可能距離の増加等が要望されており、送
信信号の周波数精度が従来以上に高い半導体データ送信
器が強く求められるようになってきた。
ては、半導体データ送信器の送信信号の周波数精度は極
めて重要である。特に近年にいたり、何れの通信システ
ムにおいても周波数利用効率の向上や、送信出力レベル
の低下や、通信可能距離の増加等が要望されており、送
信信号の周波数精度が従来以上に高い半導体データ送信
器が強く求められるようになってきた。
【０００７】ところで、半導体データ送信器は、半導体
高周波信号発生器の出力信号を送信データで変調する構
成のものが一般的である。このような構成の半導体デー
タ送信器では、送信信号の周波数精度は半導体高周波信
号発生器の出力信号の周波数精度で支配される。したが
って、周波数精度の高い半導体データ送信器を得るため
には、周波数精度の高い半導体高周波信号発生器をまず
得る必要がある。
高周波信号発生器の出力信号を送信データで変調する構
成のものが一般的である。このような構成の半導体デー
タ送信器では、送信信号の周波数精度は半導体高周波信
号発生器の出力信号の周波数精度で支配される。したが
って、周波数精度の高い半導体データ送信器を得るため
には、周波数精度の高い半導体高周波信号発生器をまず
得る必要がある。
【０００８】周波数精度の高い半導体高周波信号発生器
を得る一例として、半導体高周波信号発生器を恒温槽に
入れることによって信号周波数を周囲温度によらず一定
に維持する方法がある。しかしながら、このような方法
は一般に高価なものとなり、また装置が大型化すること
も避けられず、好ましいものではなかった。
を得る一例として、半導体高周波信号発生器を恒温槽に
入れることによって信号周波数を周囲温度によらず一定
に維持する方法がある。しかしながら、このような方法
は一般に高価なものとなり、また装置が大型化すること
も避けられず、好ましいものではなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】よって本発明の目的
は、上述の点に鑑み、利用範囲が広くて汎用性のある小
型で安価な周波数精度に優れた高周波信号発生装置と、
その高周波信号発生装置を利用した利用範囲が広くて汎
用性のある小型で安価な周波数精度に優れたデータ送信
装置と、これら高周波信号発生装置およびデータ送信装
置を半導体プロセスで形成した半導体装置を提供するこ
とにある。
は、上述の点に鑑み、利用範囲が広くて汎用性のある小
型で安価な周波数精度に優れた高周波信号発生装置と、
その高周波信号発生装置を利用した利用範囲が広くて汎
用性のある小型で安価な周波数精度に優れたデータ送信
装置と、これら高周波信号発生装置およびデータ送信装
置を半導体プロセスで形成した半導体装置を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１に係る本発明は、第１の信号発生手段
と、温度検知手段と、該温度検知手段からの検知出力に
応じて出力周波数が変化する第２の信号発生手段と、前
記第１の信号発生手段および前記第２の信号発生手段の
出力信号により駆動される第１のシングルサイドバンド
混合手段とを具備し、前記第１のシングルサイドバンド
混合手段の出力信号を高周波信号として出力する高周波
信号発生装置であって、前記第１のシングルサイドバン
ド混合手段の出力信号の周波数精度が、前記第１の信号
発生手段固有の周波数精度よりも良くなるように、前記
第２の信号発生手段の周波数温度存在性、および、前記
第１のシングルサイドバンド混合手段の極性を調整した
高周波信号発生装置である。
めに、請求項１に係る本発明は、第１の信号発生手段
と、温度検知手段と、該温度検知手段からの検知出力に
応じて出力周波数が変化する第２の信号発生手段と、前
記第１の信号発生手段および前記第２の信号発生手段の
出力信号により駆動される第１のシングルサイドバンド
混合手段とを具備し、前記第１のシングルサイドバンド
混合手段の出力信号を高周波信号として出力する高周波
信号発生装置であって、前記第１のシングルサイドバン
ド混合手段の出力信号の周波数精度が、前記第１の信号
発生手段固有の周波数精度よりも良くなるように、前記
第２の信号発生手段の周波数温度存在性、および、前記
第１のシングルサイドバンド混合手段の極性を調整した
高周波信号発生装置である。
【００１１】請求項２に係る本発明は、請求項１に係る
高周波信号発生装置と、該高周波信号発生装置の出力信
号を導入する第１のバッファ手段と、該第１のバッファ
手段を制御する第１のコントロール手段とを具備し、前
記第１のバッファ手段の出力信号を送信データ信号とし
て出力するＡＳＫ変調用データ送信装置であって、入力
されたＡＳＫ変調データに応じて前記第１のバッファ手
段の出力レベルを変化させるデータ送信装置である。
高周波信号発生装置と、該高周波信号発生装置の出力信
号を導入する第１のバッファ手段と、該第１のバッファ
手段を制御する第１のコントロール手段とを具備し、前
記第１のバッファ手段の出力信号を送信データ信号とし
て出力するＡＳＫ変調用データ送信装置であって、入力
されたＡＳＫ変調データに応じて前記第１のバッファ手
段の出力レベルを変化させるデータ送信装置である。
【００１２】請求項３に係る本発明は、請求項１に係る
高周波信号発生装置と、第３の信号発生手段と、前記高
周波信号発生装置および前記第３の信号発生手段の出力
信号により駆動される極性切替可能な第２のシングルサ
イドバンド混合手段と、該第２のシングルサイドバンド
混合手段を制御する第２のコントロール手段とを具備し
たＦＳＫ変調用データ送信装置であって、前記第３の信
号発生手段の出力周波数によって周波数偏移量を定め、
入力されたＦＳＫ変調データに応じて前記第２のシング
ルサイドバンド混合手段の極性を切り替えるデータ送信
装置である。
高周波信号発生装置と、第３の信号発生手段と、前記高
周波信号発生装置および前記第３の信号発生手段の出力
信号により駆動される極性切替可能な第２のシングルサ
イドバンド混合手段と、該第２のシングルサイドバンド
混合手段を制御する第２のコントロール手段とを具備し
たＦＳＫ変調用データ送信装置であって、前記第３の信
号発生手段の出力周波数によって周波数偏移量を定め、
入力されたＦＳＫ変調データに応じて前記第２のシング
ルサイドバンド混合手段の極性を切り替えるデータ送信
装置である。
【００１３】請求項４に係る本発明は、請求項１に係る
高周波信号発生装置と、請求項２に係る前記第１のバッ
ファ手段と、請求項２に係る前記第１のコントロール手
段と、請求項３に係る前記第３の信号発生手段と、請求
項３に係る前記第２のシングルサイドバンド混合手段
と、請求項３に係る前記第２のコントロール手段と、第
３のコントロール手段とを具備した、ＡＳＫ変調および
ＦＳＫ変調に共用可能なデータ送信装置であって、前記
第３のコントロール手段をＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号で駆
動し、ＡＳＫ選択時には入力されたＡＳＫ変調データに
応じて前記第１のバッファ手段の出力レベルを変化さ
せ、他方、ＦＳＫ選択時には前記第３の信号発生手段の
出力周波数によって周波数偏移量を定め、入力ＦＳＫ変
調データに応じて前記第２のシングルサイドバンド混合
手段の極性を切り替えるデータ送信装置である。
高周波信号発生装置と、請求項２に係る前記第１のバッ
ファ手段と、請求項２に係る前記第１のコントロール手
段と、請求項３に係る前記第３の信号発生手段と、請求
項３に係る前記第２のシングルサイドバンド混合手段
と、請求項３に係る前記第２のコントロール手段と、第
３のコントロール手段とを具備した、ＡＳＫ変調および
ＦＳＫ変調に共用可能なデータ送信装置であって、前記
第３のコントロール手段をＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号で駆
動し、ＡＳＫ選択時には入力されたＡＳＫ変調データに
応じて前記第１のバッファ手段の出力レベルを変化さ
せ、他方、ＦＳＫ選択時には前記第３の信号発生手段の
出力周波数によって周波数偏移量を定め、入力ＦＳＫ変
調データに応じて前記第２のシングルサイドバンド混合
手段の極性を切り替えるデータ送信装置である。
【００１４】請求項５に係る本発明は、請求項１に係る
前記第１の信号発生手段がＳＡＷ共振子を共振回路とす
る信号発生手段である高周波信号発生装置である。
前記第１の信号発生手段がＳＡＷ共振子を共振回路とす
る信号発生手段である高周波信号発生装置である。
【００１５】請求項６に係る本発明は、請求項２〜請求
項４のいずれかにおいて、請求項１に係る前記第１の信
号発生手段がＳＡＷ共振子を共振回路とする信号発生手
段であるデータ送信装置である。
項４のいずれかにおいて、請求項１に係る前記第１の信
号発生手段がＳＡＷ共振子を共振回路とする信号発生手
段であるデータ送信装置である。
【００１６】請求項７に係る本発明は、請求項１または
請求項５に係る高周波信号発生装置を半導体プロセスに
より形成した半導体装置である。
請求項５に係る高周波信号発生装置を半導体プロセスに
より形成した半導体装置である。
【００１７】請求項８に係る本発明は、請求項２〜請求
項４および請求項６のいずれかに係るデータ送信装置を
半導体プロセスにより形成した半導体装置である。
項４および請求項６のいずれかに係るデータ送信装置を
半導体プロセスにより形成した半導体装置である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の各実施の形態を詳細に説明する。
明の各実施の形態を詳細に説明する。
【００１９】実施の形態１ 図１は、本発明を適用した半導体高周波信号発生器の実
施形態を示す。
施形態を示す。
【００２０】本実施形態による半導体高周波信号発生器
１０は、第１の信号発生器１１と、第２の信号発生器１
２と、温度センサー１３と、第１のシングルサイドバン
ドミキサー１４とを備えている。半導体高周波信号発生
器１０の出力信号は、高周波信号出力端子１５から取り
出す。図１において、第２の信号発生器１２の周波数
は、温度センサー１３からの検出出力、すなわち周囲温
度に応じて変化させる。また、第１のシングルサイドバ
ンドミキサー１４は、第１の信号発生器１１および第２
の信号発生器１２からの両出力信号により駆動する。
１０は、第１の信号発生器１１と、第２の信号発生器１
２と、温度センサー１３と、第１のシングルサイドバン
ドミキサー１４とを備えている。半導体高周波信号発生
器１０の出力信号は、高周波信号出力端子１５から取り
出す。図１において、第２の信号発生器１２の周波数
は、温度センサー１３からの検出出力、すなわち周囲温
度に応じて変化させる。また、第１のシングルサイドバ
ンドミキサー１４は、第１の信号発生器１１および第２
の信号発生器１２からの両出力信号により駆動する。
【００２１】次に、半導体高周波信号発生器１０におけ
る周波数温度依存性の抑制原理を説明する。ここでは、
一例として、第１の信号発生器１１の周波数温度依存性
として、図２に例示した下に凸の周波数特性を想定す
る。図２において、温度Ｔにおける周波数をｆ
11（Ｔ）、ある基準温度Ｔ0における周波数をｆ
11（Ｔ0）、さらに、ｆ11（Ｔ）とｆ11（Ｔ0）の差をΔ
ｆ11（Ｔ）とすると、次の式（１）が成り立つ。
る周波数温度依存性の抑制原理を説明する。ここでは、
一例として、第１の信号発生器１１の周波数温度依存性
として、図２に例示した下に凸の周波数特性を想定す
る。図２において、温度Ｔにおける周波数をｆ
11（Ｔ）、ある基準温度Ｔ0における周波数をｆ
11（Ｔ0）、さらに、ｆ11（Ｔ）とｆ11（Ｔ0）の差をΔ
ｆ11（Ｔ）とすると、次の式（１）が成り立つ。
【００２２】
【数１】 ｆ11（Ｔ）＝ｆ11（Ｔ0）＋Δｆ11（Ｔ） ・・・ （１）
【００２３】一方、第２の信号発生器１２の周波数温度
依存性として、図３に例示した下に凸の周波数特性を想
定する。図３において、温度Ｔにおける周波数をｆ
12（Ｔ）、基準温度Ｔ0における周波数をｆ12（Ｔ0）、
さらに、ｆ12（Ｔ）とｆ12（Ｔ0）の差をΔｆ12（Ｔ）
とすると、次の式（２）が成り立つ。
依存性として、図３に例示した下に凸の周波数特性を想
定する。図３において、温度Ｔにおける周波数をｆ
12（Ｔ）、基準温度Ｔ0における周波数をｆ12（Ｔ0）、
さらに、ｆ12（Ｔ）とｆ12（Ｔ0）の差をΔｆ12（Ｔ）
とすると、次の式（２）が成り立つ。
【００２４】
【数２】 ｆ12（Ｔ）＝ｆ12（Ｔ0）＋Δｆ12（Ｔ） ・・・ （２）
【００２５】次に、第１のシングルサイドバンドミキサ
ー１４が下側波帯動作するように、すなわち第１の信号
発生器１１の周波数ｆ11（Ｔ）と第２の信号発生器１２
の周波数ｆ12（Ｔ）の差成分のみを取り出すように、設
定しておく。すると、第１のシングルサイドバンドミキ
サー１４の出力周波数ｆ14（Ｔ）は、式（１）と式
（２）の差となることから、次の式（３）で与えられ
る。
ー１４が下側波帯動作するように、すなわち第１の信号
発生器１１の周波数ｆ11（Ｔ）と第２の信号発生器１２
の周波数ｆ12（Ｔ）の差成分のみを取り出すように、設
定しておく。すると、第１のシングルサイドバンドミキ
サー１４の出力周波数ｆ14（Ｔ）は、式（１）と式
（２）の差となることから、次の式（３）で与えられ
る。
【００２６】
【数３】 ｆ14（Ｔ）＝ｆ11（Ｔ）−ｆ12（Ｔ） ＝［ｆ11（Ｔ0）−ｆ12（Ｔ0）］＋［Δｆ11（Ｔ）−Δｆ12（Ｔ）］ ・・・ （３）
【００２７】この式（３）において、最初の［ ］で括
られた項は温度に依存しない一定値であるので、温度に
依存する項は２番目の［ ］で括られた項のみとなる。
したがって、予めΔｆ11（Ｔ）を調べておき、Δｆ
12（Ｔ）がΔｆ11（Ｔ）を模倣するように調整すれば、
第１の信号発生器１１の出力信号よりも周波数温度依存
性が小さい高周波信号を、第１のシングルサイドバンド
ミキサー１４の出力として高周波信号出力端子１５から
取り出すことが可能になる。
られた項は温度に依存しない一定値であるので、温度に
依存する項は２番目の［ ］で括られた項のみとなる。
したがって、予めΔｆ11（Ｔ）を調べておき、Δｆ
12（Ｔ）がΔｆ11（Ｔ）を模倣するように調整すれば、
第１の信号発生器１１の出力信号よりも周波数温度依存
性が小さい高周波信号を、第１のシングルサイドバンド
ミキサー１４の出力として高周波信号出力端子１５から
取り出すことが可能になる。
【００２８】なお、上記の例では、第２の信号発生器１
２の周波数温度依存性として、第１の信号発生器１１の
周波数温度依存性と同じ下に凸の特性を想定したが、図
４に示すような上に凸の特性、すなわち第１の信号発生
器１１の周波数温度依存性とは逆向きの温度特性を持つ
ように調整しても良い。この場合には、第１のシングル
サイドバンドミキサー１４が上側波帯動作するように、
すなわち第１の信号発生器１１の周波数ｆ11（Ｔ）と第
２の信号発生器１２の周波数ｆ12（Ｔ）の和成分のみを
取り出すように、設定する。すると、第１のシングルサ
イドバンドミキサー１４の出力周波数ｆ14（Ｔ）は式
（１）と式（２）の和となることから、次の式（４）で
与えられる。
２の周波数温度依存性として、第１の信号発生器１１の
周波数温度依存性と同じ下に凸の特性を想定したが、図
４に示すような上に凸の特性、すなわち第１の信号発生
器１１の周波数温度依存性とは逆向きの温度特性を持つ
ように調整しても良い。この場合には、第１のシングル
サイドバンドミキサー１４が上側波帯動作するように、
すなわち第１の信号発生器１１の周波数ｆ11（Ｔ）と第
２の信号発生器１２の周波数ｆ12（Ｔ）の和成分のみを
取り出すように、設定する。すると、第１のシングルサ
イドバンドミキサー１４の出力周波数ｆ14（Ｔ）は式
（１）と式（２）の和となることから、次の式（４）で
与えられる。
【００２９】
【数４】 ｆ14（Ｔ）＝ｆ11（Ｔ）＋ｆ12（Ｔ） ＝［ｆ11（Ｔ0）＋ｆ12（Ｔ0）］＋［Δｆ11（Ｔ）＋Δｆ12（Ｔ）］ ・・・ （４）
【００３０】したがって、最初の例と同じく、２番目の
［ ］で括られた項のみが温度に依存する。よって、−
Δｆ12（Ｔ）がΔｆ11（Ｔ）を模倣するように調整すれ
ば、第１の信号発生器１１の出力信号よりも周波数温度
依存性が小さい高周波信号を、第１のシングルサイドバ
ンドミキサー１４の出力として高周波信号出力端子１５
から取り出すことができる。
［ ］で括られた項のみが温度に依存する。よって、−
Δｆ12（Ｔ）がΔｆ11（Ｔ）を模倣するように調整すれ
ば、第１の信号発生器１１の出力信号よりも周波数温度
依存性が小さい高周波信号を、第１のシングルサイドバ
ンドミキサー１４の出力として高周波信号出力端子１５
から取り出すことができる。
【００３１】さらに本実施の形態によれば、基準温度Ｔ
0において、第１のシングルサイドバンドミキサー１４
の出力信号周波数ｆ14（Ｔ0）は、第１の信号発生器１
１の出力信号周波数ｆ11（Ｔ0）よりも第２の信号発生
器１２の出力信号周波数ｆ12（Ｔ0）だけ高く、あるい
は低くなる。このことを利用して、第１の信号発生器１
１の出力信号周波数を所望の値に高精度に調整すること
が可能になり、周波数精度が極めて高い半導体高周波信
号発生器を実現できる。
0において、第１のシングルサイドバンドミキサー１４
の出力信号周波数ｆ14（Ｔ0）は、第１の信号発生器１
１の出力信号周波数ｆ11（Ｔ0）よりも第２の信号発生
器１２の出力信号周波数ｆ12（Ｔ0）だけ高く、あるい
は低くなる。このことを利用して、第１の信号発生器１
１の出力信号周波数を所望の値に高精度に調整すること
が可能になり、周波数精度が極めて高い半導体高周波信
号発生器を実現できる。
【００３２】上述した半導体高周波信号発生器１０を構
成する第１の信号発生器１１，温度センサー１３，第１
のシングルサイドバンドミキサー１４，高周波信号出力
端子１５については、特に限定されるべき事項を有する
ものではない。また、第２の信号発生器１２についても
周波数温度依存性を所望の特性に調整できるものであれ
ば良く、特に限定されるべき事項を有するものではない
が、ダイレクト・ディジタル・シンセサイザー（ＤＤ
Ｓ）構成とし、温度センサー１３からの出力に応じて任
意の信号を選択して発生できるようにするのも好適な一
例である。この場合、ＤＤＳに必要なクロック信号とし
て第１の信号発生器１１の出力信号を分周した信号を用
いるようにすれば、クロック用の水晶発振子等が不要と
なるので、小型の半導体高周波信号発生器１０を製造す
るのに有効な手法となる。
成する第１の信号発生器１１，温度センサー１３，第１
のシングルサイドバンドミキサー１４，高周波信号出力
端子１５については、特に限定されるべき事項を有する
ものではない。また、第２の信号発生器１２についても
周波数温度依存性を所望の特性に調整できるものであれ
ば良く、特に限定されるべき事項を有するものではない
が、ダイレクト・ディジタル・シンセサイザー（ＤＤ
Ｓ）構成とし、温度センサー１３からの出力に応じて任
意の信号を選択して発生できるようにするのも好適な一
例である。この場合、ＤＤＳに必要なクロック信号とし
て第１の信号発生器１１の出力信号を分周した信号を用
いるようにすれば、クロック用の水晶発振子等が不要と
なるので、小型の半導体高周波信号発生器１０を製造す
るのに有効な手法となる。
【００３３】以上述べたように、図１に示した構成を有
する半導体高周波信号発生器１０によって、小型で安価
な、且つ周波数精度に極めて優れた半導体高周波信号発
生器の実現が可能になる。
する半導体高周波信号発生器１０によって、小型で安価
な、且つ周波数精度に極めて優れた半導体高周波信号発
生器の実現が可能になる。
【００３４】実施の形態２ 図５は、本発明を適用した半導体データ送信器の第１の
実施形態を示す。本実施形態は、図１に示した半導体高
周波信号発生器１０を利用して構成したものである。
実施形態を示す。本実施形態は、図１に示した半導体高
周波信号発生器１０を利用して構成したものである。
【００３５】図５に示す半導体データ送信器は、ＡＳＫ
（振幅シフトキーイング：Amplitude Shift Keying）用
半導体データ送信器５０であり、実施の形態１（図１参
照）として説明した半導体高周波信号発生器１０と、第
１のバッファ回路５１と、第１のコントロール回路５２
とを備えている。また入出力端子としては、ＡＳＫ変調
データ入力端子５３と、ＡＳＫ変調信号出力端子５４と
を設けてある。
（振幅シフトキーイング：Amplitude Shift Keying）用
半導体データ送信器５０であり、実施の形態１（図１参
照）として説明した半導体高周波信号発生器１０と、第
１のバッファ回路５１と、第１のコントロール回路５２
とを備えている。また入出力端子としては、ＡＳＫ変調
データ入力端子５３と、ＡＳＫ変調信号出力端子５４と
を設けてある。
【００３６】図５においては、半導体高周波信号発生器
１０で駆動される第１のバッファ回路５１の出力レベル
が、ＡＳＫ変調データ入力端子５３に入力されるＡＳＫ
変調データによって、第１のコントロール回路５２を介
して、制御される。
１０で駆動される第１のバッファ回路５１の出力レベル
が、ＡＳＫ変調データ入力端子５３に入力されるＡＳＫ
変調データによって、第１のコントロール回路５２を介
して、制御される。
【００３７】図５に示した半導体データ送信器５０おけ
るＡＳＫ変調の動作原理は、以下の通りである。
るＡＳＫ変調の動作原理は、以下の通りである。
【００３８】いま、２値のＡＳＫ変調を行う場合を想定
する。この場合、第１のバッファ回路５１から２値の出
力レベルを出力できるように設定しておく。例えば２値
のＡＳＫ変調データをＬ1，Ｌ2とし、第１のバッファ回
路５１の２値の出力レベルをＰ1，Ｐ2とすると、ＡＳＫ
変調データのＬ1／Ｌ2に応じて、第１のバッファ回路５
１の出力レベルをＰ1／Ｐ2と切り替える。あるいは、Ａ
ＳＫ変調データのＬ1／Ｌ2に応じて、第１のバッファ回
路５１の出力レベルをＰ2／Ｐ1と切り替えても良い。
する。この場合、第１のバッファ回路５１から２値の出
力レベルを出力できるように設定しておく。例えば２値
のＡＳＫ変調データをＬ1，Ｌ2とし、第１のバッファ回
路５１の２値の出力レベルをＰ1，Ｐ2とすると、ＡＳＫ
変調データのＬ1／Ｌ2に応じて、第１のバッファ回路５
１の出力レベルをＰ1／Ｐ2と切り替える。あるいは、Ａ
ＳＫ変調データのＬ1／Ｌ2に応じて、第１のバッファ回
路５１の出力レベルをＰ2／Ｐ1と切り替えても良い。
【００３９】また、多値のＡＳＫ変調を行う場合は、第
１のバッファ回路５１の出力として多値の出力レベルが
出力できるように設定しておけば良い。例えば４値のＡ
ＳＫ変調の場合には、第１のバッファ回路５１を４値の
出力レベルが出力できるように設定しておく。そして、
４値ＡＳＫ変調データをＬ1，Ｌ2，Ｌ3，Ｌ4とし、第１
のバッファ回路５１の４値の出力レベルをＰ1，Ｐ2，Ｐ
3，Ｐ4とすると、ＡＳＫ変調データのＬ1／Ｌ2／Ｌ3／
Ｌ4に応じて、第１のバッファ回路５１の出力レベル
を、例えばＰ1／Ｐ2／Ｐ3／Ｐ4と切り替える。
１のバッファ回路５１の出力として多値の出力レベルが
出力できるように設定しておけば良い。例えば４値のＡ
ＳＫ変調の場合には、第１のバッファ回路５１を４値の
出力レベルが出力できるように設定しておく。そして、
４値ＡＳＫ変調データをＬ1，Ｌ2，Ｌ3，Ｌ4とし、第１
のバッファ回路５１の４値の出力レベルをＰ1，Ｐ2，Ｐ
3，Ｐ4とすると、ＡＳＫ変調データのＬ1／Ｌ2／Ｌ3／
Ｌ4に応じて、第１のバッファ回路５１の出力レベル
を、例えばＰ1／Ｐ2／Ｐ3／Ｐ4と切り替える。
【００４０】本実施の形態として示したＡＳＫ用半導体
データ送信器５０を構成する第１のバッファ回路５１，
第１のコントロール回路５２，ＡＳＫ変調データ入力端
子５３，ＡＳＫ変調信号出力端子５４については、特に
限定されるべき事項を有するものではない。また、半導
体高周波信号発生器１０については、実施の形態１（図
１参照）で説明した構成のものであれば良い。
データ送信器５０を構成する第１のバッファ回路５１，
第１のコントロール回路５２，ＡＳＫ変調データ入力端
子５３，ＡＳＫ変調信号出力端子５４については、特に
限定されるべき事項を有するものではない。また、半導
体高周波信号発生器１０については、実施の形態１（図
１参照）で説明した構成のものであれば良い。
【００４１】以上述べたように、図５に示したＡＳＫ用
半導体データ送信器５０の構成によって、小型で安価
な、且つ周波数精度に極めて優れたＡＳＫ用半導体デー
タ送信器の実現が可能になる。
半導体データ送信器５０の構成によって、小型で安価
な、且つ周波数精度に極めて優れたＡＳＫ用半導体デー
タ送信器の実現が可能になる。
【００４２】実施の形態３ 図６は、本発明を適用した半導体データ送信器の第２の
実施形態を示す。本実施形態においても、図１に示した
半導体高周波信号発生器１０を利用している。
実施形態を示す。本実施形態においても、図１に示した
半導体高周波信号発生器１０を利用している。
【００４３】図６に示す半導体データ送信器は、ＦＳＫ
（周波数シフトキーイング：Frequency Shift Keying）
用半導体データ送信器６０であり、実施の形態１として
説明した半導体高周波信号発生器１０と、第３の信号発
生器６１と、第２のシングルサイドバンドミキサー６２
と、第２のコントロール回路６３とを備えている。また
入出力端子としては、ＦＳＫ変調データ入力端子６４
と、ＦＳＫ変調信号出力端子６５とを設けてある。
（周波数シフトキーイング：Frequency Shift Keying）
用半導体データ送信器６０であり、実施の形態１として
説明した半導体高周波信号発生器１０と、第３の信号発
生器６１と、第２のシングルサイドバンドミキサー６２
と、第２のコントロール回路６３とを備えている。また
入出力端子としては、ＦＳＫ変調データ入力端子６４
と、ＦＳＫ変調信号出力端子６５とを設けてある。
【００４４】図６において、第２のシングルサイドバン
ドミキサー６２は半導体高周波信号発生器１０と第３の
信号発生器６１の出力信号で駆動され、第２のコントロ
ール回路６３からのコントロール信号によって上側波
帯、あるいは下側波帯のいずれかを選択して出力する構
成としてある。
ドミキサー６２は半導体高周波信号発生器１０と第３の
信号発生器６１の出力信号で駆動され、第２のコントロ
ール回路６３からのコントロール信号によって上側波
帯、あるいは下側波帯のいずれかを選択して出力する構
成としてある。
【００４５】ここで図６の動作原理を説明するために、
ＦＳＫ変調データのレベルＬ1／Ｌ2に応じて、出力周波
数をｆHigh／ｆLowと切り替える２値ＦＳＫを想定す
る。
ＦＳＫ変調データのレベルＬ1／Ｌ2に応じて、出力周波
数をｆHigh／ｆLowと切り替える２値ＦＳＫを想定す
る。
【００４６】この場合、ＦＳＫ変調データのＬ1で上側
波帯、Ｌ2で下側波帯の動作となるように第２のシング
ルサイドバンドミキサー６２を設定しておく。いま、半
導体高周波信号発生器１０の出力信号周波数をｆ10、第
３の信号発生器６１の出力信号周波数をｆ61とすると、
第２のシングルサイドバンドミキサー６２が上側波帯動
作の場合にはｆ10とｆ61の和成分のみが、逆に下側波帯
動作の場合にはｆ10とｆ 61の差成分のみが第２のシング
ルサイドバンドミキサー６２から出力される。
波帯、Ｌ2で下側波帯の動作となるように第２のシング
ルサイドバンドミキサー６２を設定しておく。いま、半
導体高周波信号発生器１０の出力信号周波数をｆ10、第
３の信号発生器６１の出力信号周波数をｆ61とすると、
第２のシングルサイドバンドミキサー６２が上側波帯動
作の場合にはｆ10とｆ61の和成分のみが、逆に下側波帯
動作の場合にはｆ10とｆ 61の差成分のみが第２のシング
ルサイドバンドミキサー６２から出力される。
【００４７】すなわち、第２のシングルサイドバンドミ
キサー６２の出力周波数をｆ62とすると、第２のシング
ルサイドバンドミキサー６２が上側波帯動作の場合に
は、
キサー６２の出力周波数をｆ62とすると、第２のシング
ルサイドバンドミキサー６２が上側波帯動作の場合に
は、
【００４８】
【数５】ｆ62＝ｆ10＋ｆ61 ・・・（５）
【００４９】下側波帯動作の場合には、
【００５０】
【数６】ｆ62＝ｆ10−ｆ61 ・・・（６）
【００５１】となる。したがって、ＦＳＫ変調データの
Ｌ1／Ｌ2に応じて出力周波数がｆ10を中心として±ｆ61
偏移した信号、換言すれば周波数間隔が２×ｆ61である
２値ＦＳＫ信号を得ることができる。
Ｌ1／Ｌ2に応じて出力周波数がｆ10を中心として±ｆ61
偏移した信号、換言すれば周波数間隔が２×ｆ61である
２値ＦＳＫ信号を得ることができる。
【００５２】なお、上記の例では説明を簡略化するため
に２値ＦＳＫを用いて説明したが、第３の信号発生器６
１として複数の周波数を発生するものを用意することに
より、２値以上の多値ＦＳＫ信号を得ることも容易であ
る。例えば４値ＦＳＫを行う場合には、第３の信号発生
器６１に１／３分周器を付加し、ｆ61に加えてｆ61／３
の周波数を生成し、いずれかの周波数を４値ＦＳＫ変調
データに応じて選択できるようにしておけばよい。い
ま、４値ＦＳＫ変調データをＬ1，Ｌ2，Ｌ3，Ｌ4とする
と、第３の信号発生器６１の出力信号周波数として、例
えばＬ1とＬ4で周波数ｆ61を、Ｌ2とＬ3で周波数ｆ61／
３を選択し、且つ、第２のシングルサイドバンドミキサ
ー６２の極性として、例えばＬ1とＬ2で下側波帯動作
を、Ｌ3とＬ4で上側波帯動作を設定する。このようにす
ると、４値ＦＳＫ変調信号のＬ1，Ｌ2，Ｌ3，Ｌ4に応じ
て、それぞれ、ｆ10−ｆ61，ｆ10−ｆ61／３，ｆ10＋Ｌ
61／３，ｆ10＋ｆ61の出力周波数、すなわち周波数間隔
が２×ｆ61／３である４値ＦＳＫ信号を得ることができ
る。
に２値ＦＳＫを用いて説明したが、第３の信号発生器６
１として複数の周波数を発生するものを用意することに
より、２値以上の多値ＦＳＫ信号を得ることも容易であ
る。例えば４値ＦＳＫを行う場合には、第３の信号発生
器６１に１／３分周器を付加し、ｆ61に加えてｆ61／３
の周波数を生成し、いずれかの周波数を４値ＦＳＫ変調
データに応じて選択できるようにしておけばよい。い
ま、４値ＦＳＫ変調データをＬ1，Ｌ2，Ｌ3，Ｌ4とする
と、第３の信号発生器６１の出力信号周波数として、例
えばＬ1とＬ4で周波数ｆ61を、Ｌ2とＬ3で周波数ｆ61／
３を選択し、且つ、第２のシングルサイドバンドミキサ
ー６２の極性として、例えばＬ1とＬ2で下側波帯動作
を、Ｌ3とＬ4で上側波帯動作を設定する。このようにす
ると、４値ＦＳＫ変調信号のＬ1，Ｌ2，Ｌ3，Ｌ4に応じ
て、それぞれ、ｆ10−ｆ61，ｆ10−ｆ61／３，ｆ10＋Ｌ
61／３，ｆ10＋ｆ61の出力周波数、すなわち周波数間隔
が２×ｆ61／３である４値ＦＳＫ信号を得ることができ
る。
【００５３】上述した説明のように、図６の構成によれ
ば、ＦＳＫ変調データ伝送時の周波数間隔は、第３の信
号発生器６１の出力信号周波数ｆ61によって一義的に定
めることが可能である。すなわち、ＦＳＫ変調時の周波
数間隔を、半導体高周波信号発生器１０の出力信号周波
数ｆ10とは全く独立に自由に設定することが可能であ
り、多様なＦＳＫ変調データ伝送システムに対応でき
る。
ば、ＦＳＫ変調データ伝送時の周波数間隔は、第３の信
号発生器６１の出力信号周波数ｆ61によって一義的に定
めることが可能である。すなわち、ＦＳＫ変調時の周波
数間隔を、半導体高周波信号発生器１０の出力信号周波
数ｆ10とは全く独立に自由に設定することが可能であ
り、多様なＦＳＫ変調データ伝送システムに対応でき
る。
【００５４】本実施の形態として示したＦＳＫ用半導体
データ送信器６０を構成する第２のシングルサイドバン
ドミキサー６２，第２のコントロール回路６３，ＦＳＫ
変調データ入力端子６４，ＦＳＫ変調信号出力端子６５
については、特に限定されるべき事項を有するものでは
ない。また、半導体高周波信号発生器１０については、
先に実施の形態１（図１参照）で説明した構成のもので
あれば良い。さらに、第３の信号発生器６１についても
特に限定されるべき事項を有するものではないが、ダイ
レクト・ディジタル・シンセサイザー（ＤＤＳ）構成と
して任意の信号を選択して発生できるように構成するの
も好適な一例である。この場合、ＤＤＳに必要なクロッ
ク信号として、第１の信号発生器１１の出力信号を分周
したものを用いるようにすれば、クロック用の水晶発振
子等が不要となるので、小型のＦＳＫ用半導体データ送
信器を製造するのに有効な手法となる。同様に、半導体
高周波信号発生器１０の構成要素である第２の信号発生
器１２についてもＤＤＳ構成とする場合には、クロック
信号を共用することが可能である。
データ送信器６０を構成する第２のシングルサイドバン
ドミキサー６２，第２のコントロール回路６３，ＦＳＫ
変調データ入力端子６４，ＦＳＫ変調信号出力端子６５
については、特に限定されるべき事項を有するものでは
ない。また、半導体高周波信号発生器１０については、
先に実施の形態１（図１参照）で説明した構成のもので
あれば良い。さらに、第３の信号発生器６１についても
特に限定されるべき事項を有するものではないが、ダイ
レクト・ディジタル・シンセサイザー（ＤＤＳ）構成と
して任意の信号を選択して発生できるように構成するの
も好適な一例である。この場合、ＤＤＳに必要なクロッ
ク信号として、第１の信号発生器１１の出力信号を分周
したものを用いるようにすれば、クロック用の水晶発振
子等が不要となるので、小型のＦＳＫ用半導体データ送
信器を製造するのに有効な手法となる。同様に、半導体
高周波信号発生器１０の構成要素である第２の信号発生
器１２についてもＤＤＳ構成とする場合には、クロック
信号を共用することが可能である。
【００５５】以上述べたように、図６の構成によって、
小型で安価な、且つ周波数精度に極めて優れたＦＳＫ用
半導体データ送信器の実現が可能になる。
小型で安価な、且つ周波数精度に極めて優れたＦＳＫ用
半導体データ送信器の実現が可能になる。
【００５６】実施の形態４ 図７は、本発明を適用した半導体データ送信器の第３の
実施形態を示す。本実施形態は、実施の形態２（図５参
照）および実施の形態３（図６参照）でそれぞれ説明し
た、ＡＳＫ用半導体データ送信器およびＦＳＫ用半導体
データ送信器を合体したものである。
実施形態を示す。本実施形態は、実施の形態２（図５参
照）および実施の形態３（図６参照）でそれぞれ説明し
た、ＡＳＫ用半導体データ送信器およびＦＳＫ用半導体
データ送信器を合体したものである。
【００５７】図７に示す半導体データ送信器は、ＡＳＫ
とＦＳＫの両方で使用できるＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体デ
ータ送信器７０であり、実施の形態１（図１参照）で説
明した半導体高周波信号発生器１０と、第１のバッファ
回路５１と、第３の信号発生器６１と、第２のシングル
サイドバンドミキサー６２と、第１のコントロール回路
５２と、第２のコントロール回路６３と、第３のコント
ロール回路７１とを備えている。また入出力端子とし
て、ＡＳＫ変調データ入力端子５３と、ＦＳＫ変調デー
タ入力端子６４と、ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号入力端子７
２と、ＡＳＫ変調信号出力端子５４と、ＦＳＫ変調信号
出力端子６５とを設けてある。
とＦＳＫの両方で使用できるＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体デ
ータ送信器７０であり、実施の形態１（図１参照）で説
明した半導体高周波信号発生器１０と、第１のバッファ
回路５１と、第３の信号発生器６１と、第２のシングル
サイドバンドミキサー６２と、第１のコントロール回路
５２と、第２のコントロール回路６３と、第３のコント
ロール回路７１とを備えている。また入出力端子とし
て、ＡＳＫ変調データ入力端子５３と、ＦＳＫ変調デー
タ入力端子６４と、ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号入力端子７
２と、ＡＳＫ変調信号出力端子５４と、ＦＳＫ変調信号
出力端子６５とを設けてある。
【００５８】図７において、第３のコントロール回路７
１は、ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号に応じて、例えばＡＳＫ
変調が選択された場合にはＡＳＫ変調に必要な回路ブロ
ックのみをＯＮとし、逆に、ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号に
応じてＦＳＫ変調が選択された場合にはＦＳＫ変調に必
要な回路ブロックのみをＯＮとするように、コントロー
ルする。
１は、ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号に応じて、例えばＡＳＫ
変調が選択された場合にはＡＳＫ変調に必要な回路ブロ
ックのみをＯＮとし、逆に、ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号に
応じてＦＳＫ変調が選択された場合にはＦＳＫ変調に必
要な回路ブロックのみをＯＮとするように、コントロー
ルする。
【００５９】図７に示したＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体デー
タ送信器７０の動作については、ＡＳＫ変調が選択され
た場合は実施の形態２（図５参照）で、また、ＦＳＫ変
調が選択された場合は実施の形態３（図６参照）でそれ
ぞれ説明したものと同様である。ＡＳＫ選択時にはＡＳ
Ｋ変調データに応じたＡＳＫ変調信号がＡＳＫ変調信号
出力端子５４から、またＦＳＫ選択時にはＦＳＫ変調デ
ータに応じたＦＳＫ変調信号がＦＳＫ変調信号出力端子
６５から得られる。
タ送信器７０の動作については、ＡＳＫ変調が選択され
た場合は実施の形態２（図５参照）で、また、ＦＳＫ変
調が選択された場合は実施の形態３（図６参照）でそれ
ぞれ説明したものと同様である。ＡＳＫ選択時にはＡＳ
Ｋ変調データに応じたＡＳＫ変調信号がＡＳＫ変調信号
出力端子５４から、またＦＳＫ選択時にはＦＳＫ変調デ
ータに応じたＦＳＫ変調信号がＦＳＫ変調信号出力端子
６５から得られる。
【００６０】本実施の形態として示したＡＳＫ／ＦＳＫ
用半導体データ送信器７０を構成する第１のバッファ回
路５１，第３の信号発生器６１，第２のシングルサイド
バンドミキサー６２，第１のコントロール回路５２，第
２のコントロール回路６３，第３のコントロール回路７
１，ＡＳＫ変調データ入力端子５３，ＦＳＫ変調データ
入力端子６４，ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号入力端子７２，
ＡＳＫ変調信号出力端子５４，ＦＳＫ変調信号出力端子
６５については、特に限定されるべき事項を有するもの
ではない。また、半導体高周波信号発生器１０について
は、先に実施の形態１（図１参照）で説明した構成のも
のであれば良い。
用半導体データ送信器７０を構成する第１のバッファ回
路５１，第３の信号発生器６１，第２のシングルサイド
バンドミキサー６２，第１のコントロール回路５２，第
２のコントロール回路６３，第３のコントロール回路７
１，ＡＳＫ変調データ入力端子５３，ＦＳＫ変調データ
入力端子６４，ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号入力端子７２，
ＡＳＫ変調信号出力端子５４，ＦＳＫ変調信号出力端子
６５については、特に限定されるべき事項を有するもの
ではない。また、半導体高周波信号発生器１０について
は、先に実施の形態１（図１参照）で説明した構成のも
のであれば良い。
【００６１】以上述べたように、図７の構成によって、
小型で安価な、且つ周波数精度に極めて優れたＡＳＫ／
ＦＳＫ用半導体データ送信器の実現が可能になる。
小型で安価な、且つ周波数精度に極めて優れたＡＳＫ／
ＦＳＫ用半導体データ送信器の実現が可能になる。
【００６２】実施の形態５ 図８は、本発明を適用した半導体データ送信器の第４の
実施形態を示す。本実施形態は、実施の形態４（図７参
照）で説明したＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体データ送信器の
一応用例であり、実施の形態１で説明した半導体高周波
信号発生器１０（図１参照）としてＳＡＷ（表面弾性
波：Surface Acoustic Wave）共振子を共振回路とする
ものを用いている。このＳＡＷ共振子を共振回路とする
半導体高周波信号発生器は、図２に示した下に凸の強い
周波数温度依存性を有しているので、本実施の形態によ
る構成が特に有効となる。
実施形態を示す。本実施形態は、実施の形態４（図７参
照）で説明したＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体データ送信器の
一応用例であり、実施の形態１で説明した半導体高周波
信号発生器１０（図１参照）としてＳＡＷ（表面弾性
波：Surface Acoustic Wave）共振子を共振回路とする
ものを用いている。このＳＡＷ共振子を共振回路とする
半導体高周波信号発生器は、図２に示した下に凸の強い
周波数温度依存性を有しているので、本実施の形態によ
る構成が特に有効となる。
【００６３】図８に示す半導体データ送信器は、ＳＡＷ
共振子使用のＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体データ送信器８０
であり、ＳＡＷ共振子８６を共振回路とする半導体高周
波信号発生器１０と、第４のコントロール回路８１と、
第２のバッファ回路８２と、第３の信号発生器６１と、
第２のシングルサイドバンドミキサー６２とを備えてい
る。また入出力端子として、ＡＳＫ／ＦＳＫ変調データ
入力端子８３と、ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号入力端子７２
と、ＯＮ／ＯＦＦ切替信号入力端子８４と、ＡＳＫ／Ｆ
ＳＫ変調信号出力端子８５とを設けてある。
共振子使用のＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体データ送信器８０
であり、ＳＡＷ共振子８６を共振回路とする半導体高周
波信号発生器１０と、第４のコントロール回路８１と、
第２のバッファ回路８２と、第３の信号発生器６１と、
第２のシングルサイドバンドミキサー６２とを備えてい
る。また入出力端子として、ＡＳＫ／ＦＳＫ変調データ
入力端子８３と、ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号入力端子７２
と、ＯＮ／ＯＦＦ切替信号入力端子８４と、ＡＳＫ／Ｆ
ＳＫ変調信号出力端子８５とを設けてある。
【００６４】図８において、第４のコントロール回路８
１は、実施の形態４（図４参照）で説明した第１のコン
トロール回路５２，第２のコントロール回路６３、およ
び第３のコントロール回路７１がそれぞれ有していたコ
ントロール機能を統合したものであり、ＡＳＫ／ＦＳＫ
変調データ，ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号、およびＯＮ／Ｏ
ＦＦ切替信号の入力信号に応じて、ＡＳＫ／ＦＳＫ用半
導体データ送信器８０の動作をコントロールする。
１は、実施の形態４（図４参照）で説明した第１のコン
トロール回路５２，第２のコントロール回路６３、およ
び第３のコントロール回路７１がそれぞれ有していたコ
ントロール機能を統合したものであり、ＡＳＫ／ＦＳＫ
変調データ，ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号、およびＯＮ／Ｏ
ＦＦ切替信号の入力信号に応じて、ＡＳＫ／ＦＳＫ用半
導体データ送信器８０の動作をコントロールする。
【００６５】また図８においては、入力端子の数を削減
するために、ＡＳＫ変調データとＦＳＫ変調データの両
方の入力端子を共通化し、ＡＳＫ／ＦＳＫ変調データ入
力端子８３としてある。さらに出力端子の数を削減する
ために、第２のバッファ回路８２を設け、ＡＳＫ選択時
には半導体高周波信号発生器１０の出力信号を、ＦＳＫ
選択時には第２のシングルサイドバンドミキサー６２の
出力信号を入力できるようにしてある。このような構成
により、ＡＳＫ変調信号出力端子とＦＳＫ変調信号出力
端子を、ＡＳＫ／ＦＳＫ変調信号出力端子８５として共
通化できる。また、ＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体データ送信
器８０の不使用時に電流を消費しないように、ＯＮ／Ｏ
ＦＦ切替信号入力端子８４を設けてある。
するために、ＡＳＫ変調データとＦＳＫ変調データの両
方の入力端子を共通化し、ＡＳＫ／ＦＳＫ変調データ入
力端子８３としてある。さらに出力端子の数を削減する
ために、第２のバッファ回路８２を設け、ＡＳＫ選択時
には半導体高周波信号発生器１０の出力信号を、ＦＳＫ
選択時には第２のシングルサイドバンドミキサー６２の
出力信号を入力できるようにしてある。このような構成
により、ＡＳＫ変調信号出力端子とＦＳＫ変調信号出力
端子を、ＡＳＫ／ＦＳＫ変調信号出力端子８５として共
通化できる。また、ＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体データ送信
器８０の不使用時に電流を消費しないように、ＯＮ／Ｏ
ＦＦ切替信号入力端子８４を設けてある。
【００６６】図８に示したＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体デー
タ送信器８０の動作については、ＡＳＫ変調が選択され
た場合は実施の形態２（図５参照）で、また、ＦＳＫ変
調が選択された場合は実施の形態３（図６参照）でそれ
ぞれ説明したものと同様である。そして、ＡＳＫ選択時
にはＡＳＫ変調データに応じたＡＳＫ変調信号が、ＦＳ
Ｋ選択時にはＦＳＫ変調データに応じたＦＳＫ変調信号
が、ＡＳＫ／ＦＳＫ変調信号出力端子８５から得られ
る。
タ送信器８０の動作については、ＡＳＫ変調が選択され
た場合は実施の形態２（図５参照）で、また、ＦＳＫ変
調が選択された場合は実施の形態３（図６参照）でそれ
ぞれ説明したものと同様である。そして、ＡＳＫ選択時
にはＡＳＫ変調データに応じたＡＳＫ変調信号が、ＦＳ
Ｋ選択時にはＦＳＫ変調データに応じたＦＳＫ変調信号
が、ＡＳＫ／ＦＳＫ変調信号出力端子８５から得られ
る。
【００６７】なお、ＳＡＷ共振子８６を共振回路とする
半導体高周波信号発生器１０は、前述のように図２に示
した下に凸の強い周波数温度依存性を有しているもの
の、周波数の精度は元来高いものである。したがって、
本実施の形態によって周波数温度依存性も補正されるの
で、広い温度範囲にわたって、周波数精度が非常に高い
半導体高周波信号発生器８０を実現することが可能にな
る。
半導体高周波信号発生器１０は、前述のように図２に示
した下に凸の強い周波数温度依存性を有しているもの
の、周波数の精度は元来高いものである。したがって、
本実施の形態によって周波数温度依存性も補正されるの
で、広い温度範囲にわたって、周波数精度が非常に高い
半導体高周波信号発生器８０を実現することが可能にな
る。
【００６８】以上のように、図８の構成によって小型で
安価な、且つ周波数精度に極めて優れたＳＡＷ共振子を
共振回路とするＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体データ送信器の
実現が可能になる。
安価な、且つ周波数精度に極めて優れたＳＡＷ共振子を
共振回路とするＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体データ送信器の
実現が可能になる。
【００６９】他の実施の形態 これまで説明した実施の形態１〜４は、半導体プロセス
により形成した半導体高周波信号発生器および半導体デ
ータ送信器に関するものであったが、ディスクリート部
品を用いて、同様の機能を果たす高周波信号発生器およ
びデータ送信器を構成し得ることは勿論である。
により形成した半導体高周波信号発生器および半導体デ
ータ送信器に関するものであったが、ディスクリート部
品を用いて、同様の機能を果たす高周波信号発生器およ
びデータ送信器を構成し得ることは勿論である。
【００７０】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、利用
範囲が広くて汎用性のある、小型で安価な周波数精度に
極めて優れた高周波信号発生装置、および、この高周波
信号発生装置を備えたデータ送信装置、ならびに、これ
ら高周波信号発生装置，データ送信装置を半導体プロセ
スで形成した半導体装置を実現することができる。
範囲が広くて汎用性のある、小型で安価な周波数精度に
極めて優れた高周波信号発生装置、および、この高周波
信号発生装置を備えたデータ送信装置、ならびに、これ
ら高周波信号発生装置，データ送信装置を半導体プロセ
スで形成した半導体装置を実現することができる。
【図１】実施の形態１を示すブロック図である。
【図２】実施の形態１で使用される第１の信号発生器１
１の周波数温度依存性の一例を示す線図である。
１の周波数温度依存性の一例を示す線図である。
【図３】実施の形態１で使用される第２の信号発生器１
２の周波数温度依存性の一例を示す線図である。
２の周波数温度依存性の一例を示す線図である。
【図４】実施の形態１で使用される第２の信号発生器１
２の周波数温度依存性の他の一例を示す線図である。
２の周波数温度依存性の他の一例を示す線図である。
【図５】実施の形態２を示すブロック図である。
【図６】実施の形態３を示すブロック図である。
【図７】実施の形態４を示すブロック図である。
【図８】実施の形態５を示すブロック図である。
１０ 半導体高周波信号発生器 １１ 第１の信号発生器 １２ 第２の信号発生器 １３ 温度センサー １４ 第１のシングルサイドバンドミキサー １５ 高周波信号出力端子 ５０ ＡＳＫ用半導体データ送信器 ５１ 第１のバッファ回路 ５２ 第１のコントロール回路 ５３ ＡＳＫ変調データ入力端子 ５４ ＡＳＫ変調信号出力端子 ６０ ＦＳＫ用半導体データ送信器 ６１ 第３の信号発生器 ６２ 第２のシングルサイドバンドミキサー ６３ 第２のコントロール回路 ６４ ＦＳＫ変調データ入力端子 ６５ ＦＳＫ変調信号出力端子 ７０ ＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体データ送信器 ７１ 第３のコントロール回路 ７２ ＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号入力端子 ８０ ＳＡＷ共振子使用ＡＳＫ／ＦＳＫ用半導体デー
タ送信器 ８１ 第４のコントロール回路 ８２ 第２のバッファ回路 ８３ ＡＳＫ／ＦＳＫ変調データ入力端子 ８４ ＯＮ／ＯＦＦ切替信号入力端子 ８５ ＡＳＫ／ＦＳＫ変調信号出力端子 ８６ ＳＡＷ共振子 Ｔ 温度 Ｔ0 ある基準温度 ｆ11（Ｔ） 温度Ｔにおける第１の信号発生器１１の
周波数 ｆ11（Ｔ0） ある基準温度Ｔ0における第１の信号発
生器１１の周波数 Δｆ11（Ｔ） 温度Ｔにおけるｆ11（Ｔ）とｆ11（Ｔ
0）の差 ｆ12（Ｔ） 温度Ｔにおける第２の信号発生器１２の
周波数 ｆ12（Ｔ0） ある基準温度Ｔ0における第２の信号発
生器１２の周波数 Δｆ12（Ｔ） 温度Ｔにおけるｆ12（Ｔ）とｆ12（Ｔ
0）の差 ｆ14（Ｔ） 温度Ｔにおける第１のシングルサイドバ
ンドミキサー１４の出力周波数 ｆ14（Ｔ0） ある基準温度Ｔ0における第１のシング
ルサイドバンドミキサー１４の出力周波数 Ｌ1 ＡＳＫ、あるいはＦＳＫ変調データ Ｌ2 ＡＳＫ、あるいはＦＳＫ変調データ Ｌ3 ＡＳＫ、あるいはＦＳＫ変調データ Ｌ4 ＡＳＫ、あるいはＦＳＫ変調データ Ｐ1 第１のバッファ回路５１のＡＳＫ変調時の出力
レベル Ｐ2 第１のバッファ回路５１のＡＳＫ変調時の出力
レベル Ｐ3 第１のバッファ回路５１のＡＳＫ変調時の出力
レベル Ｐ4 第１のバッファ回路５１のＡＳＫ変調時の出力
レベル ｆHigh ２値ＦＳＫにおける高い側の周波数 ｆLow ２値ＦＳＫにおける低い側の周波数 ｆ10 半導体高周波信号発生器１０の出力信号周波数 ｆ61 第３の信号発生器６１の出力信号周波数 ｆ62 第２のシングルサイドバンドミキサー６２の出
力周波数
タ送信器 ８１ 第４のコントロール回路 ８２ 第２のバッファ回路 ８３ ＡＳＫ／ＦＳＫ変調データ入力端子 ８４ ＯＮ／ＯＦＦ切替信号入力端子 ８５ ＡＳＫ／ＦＳＫ変調信号出力端子 ８６ ＳＡＷ共振子 Ｔ 温度 Ｔ0 ある基準温度 ｆ11（Ｔ） 温度Ｔにおける第１の信号発生器１１の
周波数 ｆ11（Ｔ0） ある基準温度Ｔ0における第１の信号発
生器１１の周波数 Δｆ11（Ｔ） 温度Ｔにおけるｆ11（Ｔ）とｆ11（Ｔ
0）の差 ｆ12（Ｔ） 温度Ｔにおける第２の信号発生器１２の
周波数 ｆ12（Ｔ0） ある基準温度Ｔ0における第２の信号発
生器１２の周波数 Δｆ12（Ｔ） 温度Ｔにおけるｆ12（Ｔ）とｆ12（Ｔ
0）の差 ｆ14（Ｔ） 温度Ｔにおける第１のシングルサイドバ
ンドミキサー１４の出力周波数 ｆ14（Ｔ0） ある基準温度Ｔ0における第１のシング
ルサイドバンドミキサー１４の出力周波数 Ｌ1 ＡＳＫ、あるいはＦＳＫ変調データ Ｌ2 ＡＳＫ、あるいはＦＳＫ変調データ Ｌ3 ＡＳＫ、あるいはＦＳＫ変調データ Ｌ4 ＡＳＫ、あるいはＦＳＫ変調データ Ｐ1 第１のバッファ回路５１のＡＳＫ変調時の出力
レベル Ｐ2 第１のバッファ回路５１のＡＳＫ変調時の出力
レベル Ｐ3 第１のバッファ回路５１のＡＳＫ変調時の出力
レベル Ｐ4 第１のバッファ回路５１のＡＳＫ変調時の出力
レベル ｆHigh ２値ＦＳＫにおける高い側の周波数 ｆLow ２値ＦＳＫにおける低い側の周波数 ｆ10 半導体高周波信号発生器１０の出力信号周波数 ｆ61 第３の信号発生器６１の出力信号周波数 ｆ62 第２のシングルサイドバンドミキサー６２の出
力周波数
Claims (8)
- 【請求項１】 第１の信号発生手段と、温度検知手段
と、該温度検知手段からの検知出力に応じて出力周波数
が変化する第２の信号発生手段と、前記第１の信号発生
手段および前記第２の信号発生手段の出力信号により駆
動される第１のシングルサイドバンド混合手段とを具備
し、前記第１のシングルサイドバンド混合手段の出力信
号を高周波信号として出力する高周波信号発生装置であ
って、 前記第１のシングルサイドバンド混合手段の出力信号の
周波数精度が、前記第１の信号発生手段固有の周波数精
度よりも良くなるように、前記第２の信号発生手段の周
波数温度存在性、および、前記第１のシングルサイドバ
ンド混合手段の極性を調整したことを特徴とする高周波
信号発生装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の高周波信号発生装置
と、該高周波信号発生装置の出力信号を導入する第１の
バッファ手段と、該第１のバッファ手段を制御する第１
のコントロール手段とを具備し、前記第１のバッファ手
段の出力信号を送信データ信号として出力するＡＳＫ変
調用データ送信装置であって、 入力されたＡＳＫ変調データに応じて前記第１のバッフ
ァ手段の出力レベルを変化させることを特徴とするデー
タ送信装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の高周波信号発生装置
と、第３の信号発生手段と、前記高周波信号発生装置お
よび前記第３の信号発生手段の出力信号により駆動され
る極性切替可能な第２のシングルサイドバンド混合手段
と、該第２のシングルサイドバンド混合手段を制御する
第２のコントロール手段とを具備したＦＳＫ変調用デー
タ送信装置であって、 前記第３の信号発生手段の出力周波数によって周波数偏
移量を定め、入力されたＦＳＫ変調データに応じて前記
第２のシングルサイドバンド混合手段の極性を切り替え
ることを特徴とするデータ送信装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の高周波信号発生装置
と、請求項２に記載の前記第１のバッファ手段と、請求
項２に記載の前記第１のコントロール手段と、請求項３
に記載の前記第３の信号発生手段と、請求項３に記載の
前記第２のシングルサイドバンド混合手段と、請求項３
に記載の前記第２のコントロール手段と、第３のコント
ロール手段とを具備した、ＡＳＫ変調およびＦＳＫ変調
に共用可能なデータ送信装置であって、 前記第３のコントロール手段をＡＳＫ／ＦＳＫ選択信号
で駆動し、ＡＳＫ選択時には入力されたＡＳＫ変調デー
タに応じて前記第１のバッファ手段の出力レベルを変化
させ、他方、ＦＳＫ選択時には前記第３の信号発生手段
の出力周波数によって周波数偏移量を定め、入力ＦＳＫ
変調データに応じて前記第２のシングルサイドバンド混
合手段の極性を切り替えることを特徴とするデータ送信
装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の前記第１の信号発生手
段がＳＡＷ共振子を共振回路とする信号発生手段である
ことを特徴とする高周波信号発生装置。 - 【請求項６】 請求項２〜請求項４のいずれかにおい
て、 請求項１に記載の前記第１の信号発生手段がＳＡＷ共振
子を共振回路とする信号発生手段であることを特徴とす
るデータ送信装置。 - 【請求項７】 請求項１または請求項５に記載の高周波
信号発生装置を半導体プロセスにより形成したことを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 請求項２〜請求項４および請求項６のい
ずれかに記載のデータ送信装置を半導体プロセスにより
形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000258005A JP2002077279A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 高周波信号発生装置，データ送信装置および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000258005A JP2002077279A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 高周波信号発生装置，データ送信装置および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002077279A true JP2002077279A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18746378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000258005A Withdrawn JP2002077279A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 高周波信号発生装置，データ送信装置および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002077279A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227686A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 無線装置、無線通信システム、モジュール、送信方法、および受信方法 |
| KR101329607B1 (ko) * | 2006-08-09 | 2013-11-15 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 이동체 통신 시스템 |
-
2000
- 2000-08-28 JP JP2000258005A patent/JP2002077279A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101329607B1 (ko) * | 2006-08-09 | 2013-11-15 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 이동체 통신 시스템 |
| JP2008227686A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 無線装置、無線通信システム、モジュール、送信方法、および受信方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071106 |