JP2002076860A - Variable delay circuit, its setting method and semiconductor test device - Google Patents
Variable delay circuit, its setting method and semiconductor test deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、可変遅延回路の遅
延量を自走発振ループ法により測定するにあたり、吸い
込み現象による影響を回避する技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for avoiding the influence of a suction phenomenon when measuring the delay amount of a variable delay circuit by a free-running oscillation loop method.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路の動作試験を行うための
半導体試験装置は、検査対象の半導体集積回路の各外部
端子(ピン)から出力された信号どうしを同期して取り
出すために、可変遅延回路を備えている。2. Description of the Related Art A semiconductor test apparatus for performing an operation test of a semiconductor integrated circuit includes a variable delay circuit for synchronizing and extracting signals output from external terminals (pins) of a semiconductor integrated circuit to be inspected. It has.
【0003】ここで、図4を参照して、従来の可変遅延
回路の構成について簡単に説明する。図4は、従来例の
可変遅延回路の構成を説明するための回路図である。図
4に示すように、従来例の可変遅延回路は、入力端子2
0と出力端子21との間に、n段(nは2以上の整数)
の遅延部1a、1b及び1nを直列に接続して設けてい
る。Here, the configuration of a conventional variable delay circuit will be briefly described with reference to FIG. FIG. 4 is a circuit diagram for explaining the configuration of a conventional variable delay circuit. As shown in FIG. 4, the conventional variable delay circuit has an input terminal 2
N stages (n is an integer of 2 or more) between 0 and the output terminal 21
Of delay units 1a, 1b and 1n are connected in series.
【0004】各段の遅延部1a〜1nは、それぞれ信号
を通過させる通過経路2と、信号を遅延させる遅延経路
3a、3b及び3nと、通過経路2又は遅延経路3a〜
3nに信号を選択的に伝搬させるセレクタ4とにより構
成されている。各遅延経路3a〜3nには、それぞれゲ
ート素子3が設けられている。そして、各遅延部1a〜
1nは、ゲート素子3の数を互いに異ならせることによ
って、遅延部ごとに互いに異なる遅延時間を生じさせ
る。[0004] The delay units 1a to 1n at each stage include a pass path 2 for passing a signal, delay paths 3a, 3b and 3n for delaying a signal, and a pass path 2 or a delay path 3a to 3n.
3n, and a selector 4 for selectively transmitting a signal to 3n. A gate element 3 is provided on each of the delay paths 3a to 3n. Then, each of the delay units 1a to 1a
1n makes the number of gate elements 3 different from each other, thereby causing different delay times for each delay unit.
【0005】さらに、図4に示すように、従来例の可変
遅延回路は、設定遅延時間と、各遅延部1a〜1nのう
ち遅延経路3a〜3nに信号を伝搬させる遅延部の組合
せとを対応づけて格納するリニアライズメモリ5を備え
ている。したがって、このリニアライズメモリ5へ所望
の設定遅延時間を入力することにより、リニアライズメ
モリ5において、その設定遅延時間に対応した、遅延部
1a〜1nの組み合わせを得ることができる。Further, as shown in FIG. 4, the conventional variable delay circuit corresponds to a set delay time and a combination of delay units for transmitting signals to delay paths 3a to 3n among delay units 1a to 1n. A linearization memory 5 for storing the data is also provided. Therefore, by inputting a desired set delay time to the linearize memory 5, a combination of the delay units 1a to 1n corresponding to the set delay time can be obtained in the linearize memory 5.
【0006】また、従来例の可変遅延回路は、n段目の
遅延部1nの直後に、パルス幅成形回路6を備えてい
る。このパルス幅成形回路6は、例えば、図5の(A)
に示す回路構成を有している。そして、この回路構成に
より、図5の(B)のタイミングチャートに示すよう
に、入力信号inが入力されると、その反転信号Aと遅
延信号Bとを生成する。そして、反転信号Aと遅延信号
BとのANDとして信号Cを生成する。さらに、この信
号Cの第一遅延信号D及び第二遅延信号Eを生成する。
そして、信号C、第一及び第二遅延信号D及びEのOR
として、出力信号outを生成する。このようにすれ
ば、n段目の遅延部1nの出力信号のパルス幅が変動し
た場合においても、一定のパルス幅の出力信号を出力す
ることができる。The conventional variable delay circuit includes a pulse width shaping circuit 6 immediately after the n-th stage delay unit 1n. This pulse width shaping circuit 6 is, for example, as shown in FIG.
The circuit configuration shown in FIG. Then, according to this circuit configuration, when the input signal in is input, as shown in the timing chart of FIG. 5B, an inverted signal A and a delayed signal B thereof are generated. Then, a signal C is generated as an AND of the inverted signal A and the delayed signal B. Further, a first delay signal D and a second delay signal E of the signal C are generated.
And the OR of the signal C, the first and second delayed signals D and E
To generate the output signal out. By doing so, even when the pulse width of the output signal of the delay unit 1n at the n-th stage changes, an output signal having a constant pulse width can be output.
【0007】ところで、各遅延部1a〜1nの遅延経路
3a〜3n上のゲート素子3により生じる遅延時間は、
ゲート素子3によってばらつきがある。このため、リニ
アライズメモリ5に、遅延回路の組合せと遅延時間とを
対応づけて設定するためには、各組み合わせにおける遅
延時間を実際に測定する必要がある。By the way, the delay time generated by the gate element 3 on the delay paths 3a to 3n of each of the delay units 1a to 1n is:
There is variation depending on the gate element 3. Therefore, in order to set the combination of the delay circuit and the delay time in the linearize memory 5 in association with each other, it is necessary to actually measure the delay time in each combination.
【0008】なお、この遅延時間の測定は、予め可変遅
延回路を最初に使用する前に行う必要がある。さらに、
ゲート素子3による遅延時間は、環境温度によって変動
する。このため、可変遅延回路の設置条件が変わった場
合にも、改めて遅延時間を測定する必要が生じることが
ある。It is necessary to measure the delay time before using the variable delay circuit for the first time. further,
The delay time due to the gate element 3 varies depending on the environmental temperature. Therefore, even when the installation condition of the variable delay circuit changes, it may be necessary to measure the delay time again.
【0009】遅延時間の測定は、自走ループ発振状態下
で行われる。そのために、この従来例の可変遅延回路に
おいては、出力端子21から出力される信号を、一段目
の遅延部1aへ入力するループ回路を形成している。こ
こでは、出力端子21から出力される信号は、出力端子
21の直前で分岐して取り出され、OR回路8及びフリ
ップフロップ9を経て、一段目の遅延部1aへ入力され
る。The measurement of the delay time is performed under a free-running loop oscillation state. Therefore, in the conventional variable delay circuit, a loop circuit for inputting a signal output from the output terminal 21 to the first-stage delay unit 1a is formed. Here, the signal output from the output terminal 21 is branched and taken out immediately before the output terminal 21, and is input to the first-stage delay unit 1a via the OR circuit 8 and the flip-flop 9.
【0010】自走ループ発振状態下の遅延時間は、ルー
プ回路上に設けた周波数カウンタ7によって、自走ルー
プ発振の周期(すなわち周波数の逆数)を測定すること
により、正確に測定することができる。そして、このよ
うにして測定された遅延時間は、遅延時間の短い順に、
その遅延時間を生じさせた際の遅延部の組合せと対応づ
けられて、リニアライズメモリへ格納される。The delay time in the free-running loop oscillation state can be accurately measured by measuring the free-running loop oscillation cycle (ie, the reciprocal of the frequency) using a frequency counter 7 provided on the loop circuit. . And the delay time measured in this way is
The data is stored in the linearization memory in association with the combination of the delay units when the delay time is generated.
【0011】なお、遅延部の組合せには、遅延時間の短
い順に、設定値が与えられる。そして、所望の遅延時間
をリニアライズメモリ5へ入力すると、その遅延時間に
最も近い、測定された遅延時間に対応する設定値が得ら
れる。そして、この設定値によって、各遅延部1a〜1
nのセレクタ4がそれぞれ制御され、各遅延部1a〜1
nにおいて、それぞれ通過経路2又は遅延経路3a〜3
nが選択される。The set values are given to the combinations of the delay units in ascending order of the delay time. When a desired delay time is input to the linearization memory 5, a set value corresponding to the measured delay time, which is closest to the delay time, is obtained. Then, depending on the set value, each of the delay units 1a to 1
n selectors 4 are respectively controlled, and each of the delay units 1a to 1
n, the passing path 2 or the delay paths 3a-3
n is selected.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体検査
装置内その他の装置内においては、通常、可変遅延回路
の周囲に種々の回路が設けられている。そして、これら
種々の回路の中には、特定の動作周波数で動作している
回路が含まれることが多い。例えば、特定のクロック周
波数で動作する論理回路が、可変遅延回路の近くに設置
されていることがある。By the way, in a semiconductor inspection apparatus and other apparatuses, various circuits are usually provided around a variable delay circuit. These various circuits often include a circuit operating at a specific operating frequency. For example, a logic circuit operating at a specific clock frequency may be installed near the variable delay circuit.
【0013】そして、可変遅延回路の遅延時間を測定す
る際の自走ループ発振の周波数が、論理回路のクロック
周波数やその倍数値に近い場合、自走ループ発振の周波
数が、このクロック周波数や倍数値になってしまう、い
わゆる吸い込み現象が発生する。When the frequency of the free-running loop oscillation when measuring the delay time of the variable delay circuit is close to the clock frequency of the logic circuit or a multiple thereof, the frequency of the free-running loop oscillation becomes equal to this clock frequency or a multiple thereof. A so-called suction phenomenon, which results in a numerical value, occurs.
【0014】ここで、図6を参照して、吸い込み現象に
ついて説明する。図6は、吸い込み現象を説明するため
のグラフであり、このグラフの横軸は設定値を表し、縦
軸は自走ループ発振時の周期を表している。そして、グ
ラフ中の実線Iは、吸い込み現象が発生した場合の自走
ループ発振の周期を表している。また、グラフ中の破線
IIは、吸い込み現象が未発生時の自走ループ発振の周期
を表している。Here, the suction phenomenon will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a graph for explaining the suction phenomenon. The horizontal axis of this graph represents a set value, and the vertical axis represents a period during self-running loop oscillation. The solid line I in the graph represents the cycle of the free-running loop oscillation when the suction phenomenon occurs. Also, the broken line in the graph
II represents the cycle of the free-running loop oscillation when the suction phenomenon has not occurred.
【0015】図6に示す例では、可変遅延回路の近く
に、周期T0又はその倍数で動作する論理回路等の回路
がある場合を示す。この場合、周期T0の近傍で吸い込
み現象が発生する。すなわち、周期T0の前後ΔTの範
囲の周期T1から周期T2の範囲で、本来破線IIで示さ
れる自走ループ発振周期が、実線Iで示すようにずれて
周期T0となっている。In the example shown in FIG. 6, there is shown a case where a circuit such as a logic circuit operating at the period T0 or a multiple thereof is located near the variable delay circuit. In this case, a suction phenomenon occurs near the period T0. In other words, the self-running loop oscillation cycle originally indicated by the broken line II is shifted from the cycle T1 to the cycle T2 in the range of ΔT before and after the cycle T0 to become the cycle T0 as shown by the solid line I.
【0016】このため、例えば、設定値Bの場合の測定
結果は、本来の自走ループ発振周期t2ではなく、周期
T0となってしまう。また、例えば、設定値Cの場合の
測定結果も、本来の自走ループ発振周期t1ではなく、
周期T0となってしまう。このように、自走ループ発振
周期が周期T0にずれてしまうと、正確な遅延時間を測
定することが困難となるという問題が生じる。For this reason, for example, the measurement result in the case of the set value B is not the original free-running loop oscillation period t2 but the period T0. Also, for example, the measurement result in the case of the set value C is not the original free-running loop oscillation period t1, but
The period becomes T0. As described above, when the free-running loop oscillation cycle is shifted to the cycle T0, there is a problem that it is difficult to accurately measure the delay time.
【0017】なお、自走ループ発振周期が周期T0から
離れている場合には、吸い込み現象は発生しない。例え
ば、設定値A及設定値Dの場合には、本来の自走ループ
発振周期を測定することができる。When the self-running loop oscillation cycle is apart from the cycle T0, the suction phenomenon does not occur. For example, in the case of the set value A and the set value D, the original free-running loop oscillation cycle can be measured.
【0018】本発明は、上記の問題を解決すべくなされ
たものであり、可変遅延回路の遅延時間の測定にあた
り、吸い込み現象による影響を回避することができる可
変遅延回路及びその設定方法の提供を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and provides a variable delay circuit capable of avoiding the influence of a suction phenomenon in measuring the delay time of the variable delay circuit, and a method of setting the variable delay circuit. Aim.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、本発明の請求項1に係る可変遅延回路によれば、入
力端子と出力端子との間に、互いに異なる遅延時間を生
じさせる複数段の遅延部を直列に設け、各遅延部のうち
遅延時間を生じさせる遅延部の組合せと、遅延時間との
対応づけを格納するメモリを備え、出力端子から出力さ
れる信号を、一段目の遅延部へ入力するループ回路を備
えた可変遅延回路であって、メモリに対応づけを設定す
るため、遅延部の組合せによる遅延時間を自走ループ発
振状態で測定する際に、自走ループ発振の周期がこの可
変遅延回路の近くに設けられた電気回路の動作周期の倍
数周期の近傍となる場合、この自走ループ発振の周期
を、倍数周期の近傍以外の周期へシフトさせるための遅
延時間を生じさせるオフセット部を、遅延部に直列に接
続して設けた構成としてある。According to a first aspect of the present invention, there is provided a variable delay circuit comprising: a plurality of input terminals each having a different delay time between an input terminal and an output terminal; A stage delay unit is provided in series, and a memory for storing a combination of a delay unit that generates a delay time among the delay units and a correspondence with the delay time is provided. A variable delay circuit having a loop circuit for inputting to a delay unit.When a delay time due to a combination of the delay units is measured in a free-running loop oscillation state in order to set a correspondence with a memory, the free-running loop oscillation When the period is near a multiple period of the operation period of the electric circuit provided near the variable delay circuit, a delay time for shifting the period of the self-running loop oscillation to a period other than the vicinity of the multiple period is set. Cause The offset portion is a structure in which connected in series to the delay unit.
【0020】このように、本発明の可変遅延回路によれ
ば、オフセット部により遅延時間を追加することによ
り、自走ループ発振の周期をシフトさせる。このため、
吸い込み現象が発生する自走ループ発振の周期を避け
て、自走ループ発振させることができる。その結果、吸
い込み現象の影響を受けずに、自走ループ発振の周期を
測定して、遅延時間を求めることができる。そして、オ
フセット部による遅延時間分を差し引いた遅延時間が、
可変遅延回路の遅延時間となる。As described above, according to the variable delay circuit of the present invention, the cycle of the free-running loop oscillation is shifted by adding the delay time by the offset unit. For this reason,
The self-running loop oscillation can be performed while avoiding the cycle of the self-running loop oscillation in which the suction phenomenon occurs. As a result, the delay time can be obtained by measuring the cycle of the free-running loop oscillation without being affected by the suction phenomenon. Then, the delay time obtained by subtracting the delay time due to the offset unit is:
This is the delay time of the variable delay circuit.
【0021】また、請求項2記載の発明によれば、オフ
セット部を、信号を通過させる通過経路と、信号を遅延
させる遅延経路と、通過経路又は遅延経路に信号を選択
的に伝搬させるセレクタとにより構成してある。このよ
うな構成により、吸い込み現象を回避するためにオフセ
ット分の遅延時間を追加する場合にのみ遅延経路に信号
を伝搬させ、それ以外の場合には、通過経路に信号を伝
搬させることができる。そして、可変遅延回路としての
使用時二は、オフセット部の通過経路に信号を伝搬させ
ることができる。According to the second aspect of the present invention, the offset section includes a pass path for passing a signal, a delay path for delaying a signal, and a selector for selectively transmitting a signal to the pass path or the delay path. It is constituted by. With such a configuration, a signal can be propagated through the delay path only when a delay time corresponding to the offset is added in order to avoid a suction phenomenon, and otherwise, a signal can be propagated through the pass path. Then, when used as a variable delay circuit, the signal can be propagated through the passing path of the offset unit.
【0022】また、請求項3記載の発明によれば、オフ
セット部における遅延経路を複数設けた構成としてあ
る。このように、オフセット部の遅延回路を複数設けれ
ば、オフセット部の一つの遅延経路による遅延時間を追
加した場合の自走ループ発振の周期が、他の吸い込み現
象の影響を受ける周期と重なる場合に、オフセット部の
他の遅延経路を選択することにより、吸い込み現象の影
響を避けることができる。According to the third aspect of the present invention, a plurality of delay paths are provided in the offset section. As described above, if a plurality of delay circuits of the offset unit are provided, the cycle of the free-running loop when the delay time due to one delay path of the offset unit is added overlaps with the cycle affected by the other suction phenomenon. In addition, by selecting another delay path of the offset section, the influence of the suction phenomenon can be avoided.
【0023】また、本発明の請求項4記載の可変遅延回
路の設定方法によれば、遅延部を複数段直列に設けた可
変遅延回路において、遅延部の組合せと遅延時間とを対
応づけて設定するために、遅延時間を自走ループ発振状
態で測定するにあたり、自走ループ発振の周期が、当該
可変遅延回路の近くに設けられた電気回路の動作周期の
倍数周期の近傍となる場合、遅延時間が既知の遅延経路
を遅延部に直列に接続することにより、この自走ループ
発振の周期を、その倍数周期の近傍以外の周期へシフト
させる方法としてある。Further, according to the variable delay circuit setting method of the present invention, in a variable delay circuit in which a plurality of delay units are provided in series, a combination of the delay units is set in association with the delay time. In order to measure the delay time in the free-running loop oscillation state, when the free-running loop oscillation cycle is close to a multiple cycle of the operation cycle of the electric circuit provided near the variable delay circuit, the delay By connecting a delay path with a known time in series to the delay unit, the cycle of this free-running loop oscillation is shifted to a cycle other than the multiple cycle.
【0024】このように、本発明の可変遅延回路の設定
方法によれば、遅延経路を追加することにより、自走ル
ープ発振の周期をシフトさせる。このため、吸い込み現
象が発生する自走ループ発振の周期を避けて、自走ルー
プ発振させることができる。その結果、吸い込み現象の
影響を受けずに、自走ループ発振の周期を測定して、遅
延時間を求めることができる。そして、オフセット部に
よる遅延時間分を差し引いた遅延時間が、可変遅延回路
の遅延時間となる。そして、求められた遅延時間と、そ
の遅延時間となる遅延部の組み合わせとを対応づけて設
定することができる。As described above, according to the variable delay circuit setting method of the present invention, the cycle of the free-running loop oscillation is shifted by adding a delay path. For this reason, the free-running loop oscillation can be performed while avoiding the cycle of the free-running loop oscillation in which the suction phenomenon occurs. As a result, the delay time can be obtained by measuring the cycle of the free-running loop oscillation without being affected by the suction phenomenon. Then, the delay time obtained by subtracting the delay time by the offset unit becomes the delay time of the variable delay circuit. Then, the determined delay time can be set in association with the combination of the delay units serving as the delay time.
【0025】また、請求項5記載の半導体試験装置によ
れば、検査対象の半導体集積回路の各外部端子から出力
された信号どうしを同期して取り出すための可変遅延回
路を備えた、半導体集積回路の動作試験を行うための半
導体試験装置であって、可変遅延回路は、入力端子と出
力端子との間に、それぞれ信号を通過する経路と信号を
遅延させる経路とを有し、互いに異なる遅延時間を生じ
させる複数段の遅延部を直列に設け、各前記遅延部のう
ち遅延時間を生じさせる遅延部の組合せと、遅延時間と
の対応づけを格納するメモリを備え、出力端子から出力
される信号を、一段目の遅延部へ入力するループ回路を
備え、メモリに対応づけを設定するため、遅延部の組合
せによる遅延時間を自走ループ発振状態で測定する際
に、自走ループ発振の周期がこの可変遅延回路の近くに
設けられた電気回路の動作周期の倍数周期の近傍となる
場合、この自走ループ発振の周期を、倍数周期の近傍以
外の周期へシフトさせるための遅延時間を生じさせるオ
フセット部を、遅延部に直列に接続して設けた構成とし
てある。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit having a variable delay circuit for synchronizing and extracting signals output from respective external terminals of a semiconductor integrated circuit to be inspected. A variable delay circuit having a path for passing a signal and a path for delaying a signal between an input terminal and an output terminal, and different delay times from each other. And a memory for storing a combination of a combination of delay units for generating a delay time among the delay units and a delay time, and a signal output from an output terminal. Is provided to the first-stage delay unit, and when the delay time due to the combination of the delay units is measured in the free-running loop oscillation state, the self-running loop oscillation When the period is near a multiple period of the operation period of the electric circuit provided near the variable delay circuit, a delay time for shifting the period of the self-running loop oscillation to a period other than the vicinity of the multiple period is set. The offset section to be generated is provided in series with the delay section.
【0026】このように、本発明の半導体試験装置によ
れば、可変遅延回路のオフセット部により遅延時間を追
加することにより、自走ループ発振の周期をシフトさせ
る。このため、吸い込み現象が発生する自走ループ発振
の周期を避けて、自走ループ発振させることができる。
その結果、吸い込み現象の影響を受けずに、自走ループ
発振の周期を測定して、遅延時間を求めることができ
る。そして、オフセット部による遅延時間分を差し引い
た遅延時間が、可変遅延回路の遅延時間となる。そし
て、求められた遅延時間と、その遅延時間となる遅延部
の組み合わせとを対応づけて設定することができる。As described above, according to the semiconductor test apparatus of the present invention, the cycle of the free-running loop oscillation is shifted by adding the delay time by the offset section of the variable delay circuit. For this reason, the free-running loop oscillation can be performed while avoiding the cycle of the free-running loop oscillation in which the suction phenomenon occurs.
As a result, the delay time can be obtained by measuring the cycle of the free-running loop oscillation without being affected by the suction phenomenon. Then, the delay time obtained by subtracting the delay time by the offset unit becomes the delay time of the variable delay circuit. Then, the determined delay time can be set in association with the combination of the delay units serving as the delay time.
【0027】[0027]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。先ず、図1を参照して、
本実施形態の可変遅延回路の構成について説明する。こ
の可変遅延回路は、検査対象の半導体集積回路の各外部
端子から出力された信号どうしを同期して取り出すため
に、半導体検査装置(ICテスタ)に設けられている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, referring to FIG.
The configuration of the variable delay circuit according to the present embodiment will be described. This variable delay circuit is provided in a semiconductor inspection device (IC tester) in order to synchronously extract signals output from external terminals of a semiconductor integrated circuit to be inspected.
【0028】図1は、本実施形態の可変遅延回路の構成
を説明するための回路図である。図1に示す可変遅延回
路においても、従来例と同様、入力端子20と出力端子
21との間に、n段(nは2以上の整数)の遅延部1
a、1b及び1nを直列に接続して設けている。FIG. 1 is a circuit diagram for explaining the configuration of the variable delay circuit according to the present embodiment. In the variable delay circuit shown in FIG. 1, similarly to the conventional example, n stages (n is an integer of 2 or more) of delay units 1 are provided between an input terminal 20 and an output terminal 21.
a, 1b and 1n are connected in series and provided.
【0029】また、設定遅延時間と、各遅延部1a〜1
nのうち遅延経路3a〜3nに信号を伝搬させる遅延部
の組合せとを対応づけて格納するリニアライズメモリ
5、及び、パルス幅成形回路6を備えている。さらに、
本実施形態の可変遅延回路も、従来例と同様、この可変
遅延回路においては、出力端子21から出力される信号
を、一段目の遅延部1aへ入力するループ回路を形成し
ている。そして、自走ループ発振の周波数を測定する周
波数カウンタ7を備えている。Further, the set delay time and each of the delay units 1a to 1
and a pulse width shaping circuit 6 for storing a combination of delay units for transmitting signals to the delay paths 3a to 3n of the n. further,
The variable delay circuit of the present embodiment also forms a loop circuit for inputting a signal output from the output terminal 21 to the first-stage delay unit 1a, similarly to the conventional example. Further, a frequency counter 7 for measuring the frequency of the free-running loop oscillation is provided.
【0030】ところで、この自走ループ発振の周波数
が、論理回路のクロック周波数やその倍数値に近い場
合、上述したように、吸い込み現象が発生する。そこ
で、本実施形態では、この吸い込み現象を回避するため
に、遅延部1a〜1nに直列に接続したオフセット部1
0を設けている。When the frequency of the free-running loop oscillation is close to the clock frequency of the logic circuit or a multiple thereof, a suction phenomenon occurs as described above. Therefore, in the present embodiment, in order to avoid this suction phenomenon, the offset unit 1 connected in series to the delay units 1a to 1n.
0 is provided.
【0031】このオフセット部10は、信号を通過させ
る通過経路12と、信号を遅延させる第一遅延経路13
1及び第二遅延経路132と、通過経路、第一遅延経路
又は第二遅延経路に信号を選択的に伝搬させるセレクタ
14とにより構成されている。本実施形態では、この第
一遅延経路131は、例えば3nsの遅延時間を発生さ
せ、第二遅延回路132は、例えば6nsの遅延時間を
発生させるものとする。The offset unit 10 includes a passing path 12 for passing a signal and a first delay path 13 for delaying a signal.
It comprises a first and a second delay path 132 and a selector 14 for selectively transmitting a signal to a pass path, a first delay path or a second delay path. In the present embodiment, the first delay path 131 generates a delay time of, for example, 3 ns, and the second delay circuit 132 generates a delay time of, for example, 6 ns.
【0032】そして、自走ループ発振の周期がこの可変
遅延回路の近くに設けられた電気回路の動作周期の倍数
周期の近傍となる場合に、セレクタ14により、このオ
フセット部10の第一又は第二遅延経路131又は13
2を選択する。その結果、遅延時間を追加することによ
り、この自走ループ発振の周期を、倍数周期の近傍以外
の周期へシフトさせることができる。なお、オフセット
部10の遅延経路の遅延時間は、吸い込み現象を惹き起
こす動作周期及びその倍数周期と不一致の遅延時間とす
ると良い。When the cycle of the free-running loop oscillation is close to a multiple cycle of the operation cycle of the electric circuit provided near the variable delay circuit, the selector 14 controls the first or the second of the offset section 10 by the selector 14. Two delay paths 131 or 13
Select 2. As a result, by adding a delay time, the cycle of the self-running loop oscillation can be shifted to a cycle other than the vicinity of a multiple cycle. Note that the delay time of the delay path of the offset unit 10 may be a delay time that does not coincide with an operation cycle causing a suction phenomenon and a multiple cycle thereof.
【0033】次に、図2を参照して、オフセット部10
による自走ループ発振周期のシフトについて説明する。
図2のグラフの横軸は設定値を表し、縦軸は自走ループ
発振時の周期を表している。そして、グラフ中の実線I
は、オフセット部10において、通過経路12に信号を
伝搬した場合の設定値とループ周期との関係を示してい
る。また、グラフ中の実線IIは、オフセット部10にお
いて、第一遅延経路131に信号を伝搬した場合の設定
値とループ周期の関係を示している。また、グラフ中の
実線IIIは、オフセット部10において、第二遅延経路
132に信号を伝搬した場合の設定値とループ周期との
関係を示している。Next, referring to FIG.
The shift of the free-running loop oscillation period due to the above will be described.
The horizontal axis of the graph in FIG. 2 represents a set value, and the vertical axis represents a cycle during self-running loop oscillation. And the solid line I in the graph
Shows the relationship between the set value and the loop cycle when the signal is propagated to the passing path 12 in the offset unit 10. A solid line II in the graph indicates a relationship between a set value and a loop cycle when a signal is propagated to the first delay path 131 in the offset unit 10. The solid line III in the graph indicates the relationship between the set value and the loop period when the signal is propagated to the second delay path 132 in the offset unit 10.
【0034】そして、図2では、周期T01及び周期T
02において、吸い込み現象が発生している。このよう
な周期としては、可変遅延回路の近傍にクロック周期4
nsで動作する論理回路がある場合、その倍数の周期の
うちの、例えば、20nsが周期T01に該当し、24
nsが周期T02に該当する例が挙げられる。そこで、
自走ループ周期を測定する際には、この吸い込み現象が
発生する周期T01及び周期T02の近傍を避けて、図
2のグラフ中の太線IVに示すように、実線I、II及びII
Iを乗り換えて測定を行う。In FIG. 2, the period T01 and the period T
At 02, a suction phenomenon has occurred. As such a cycle, a clock cycle of 4 near the variable delay circuit is used.
In the case where there is a logic circuit operating at ns, for example, 20 ns of the multiple period corresponds to the period T01, and
ns corresponds to the period T02. Therefore,
When measuring the self-running loop cycle, avoiding the vicinity of the cycle T01 and the cycle T02 in which the suction phenomenon occurs, as shown by the thick line IV in the graph of FIG. 2, the solid lines I, II, and II
Change I and measure.
【0035】図2に示す例では、当初は、オフセット部
10において通過経路12を選択し、実線I上の自走ル
ープ発振周期を測定する。例えば、設定値Aにおいて
は、実線I上で周期を測定している。そして、実線I上
で周期が長くなると、実線Iが周期T02に近づく。こ
のため、吸い込み現象の影響を避けるため、設定値Bに
おいて周期をシフトさせる。設定値Bにおいては、実線
IIが周期T01の近傍であるため、実線III上にシフト
させる。この場合、オフセット部10において、セレク
タ14により第二遅延経路132を選択し、この第二遅
延経路132に信号を伝搬させる。その結果、例えば、
設定値Cにおいては、実線III上で正確な周期を測定す
ることができる。In the example shown in FIG. 2, at first, the passing section 12 is selected in the offset section 10, and the self-running loop oscillation period on the solid line I is measured. For example, for the set value A, the period is measured on the solid line I. Then, when the period becomes longer on the solid line I, the solid line I approaches the period T02. Therefore, in order to avoid the influence of the suction phenomenon, the cycle is shifted at the set value B. For the set value B, the solid line
Since II is near the period T01, it is shifted on the solid line III. In this case, in the offset unit 10, the selector 14 selects the second delay path 132 and propagates the signal to the second delay path 132. As a result, for example,
At the set value C, an accurate period can be measured on the solid line III.
【0036】さらに、実線III上で周期が長くなると、
実線IIIが周期T01に近づく。このため、吸い込み現
象の影響を避けるため、設定値Dにおいて、実線II上へ
周期を再びシフトする。この場合、オフセット部10に
おいてセレクタ14により第一遅延経路131を選択
し、この第一遅延経路131に信号を伝搬させる。その
結果、例えば、設定値Eにおいては、実線II上で正確な
周期を測定することができる。なお、この場合、設定値
Dにおいて、実線I上へ周期をシフトさせても良い。Further, when the period becomes longer on the solid line III,
The solid line III approaches the period T01. Therefore, in order to avoid the influence of the suction phenomenon, the cycle is shifted again to the solid line II at the set value D. In this case, the selector 14 selects the first delay path 131 in the offset unit 10 and propagates the signal to the first delay path 131. As a result, for example, for the set value E, an accurate period can be measured on the solid line II. In this case, the cycle of the set value D may be shifted to the solid line I.
【0037】さらに、実線II上で周期が長くなると、実
線IIが周期T02に近づく。このため、吸い込み現象の
影響を避けるため、設定値Fにおいて、実線I上へ周期
を再びシフトする。この場合、オフセット部10におい
てセレクタ14により通過経路12を選択し、この通過
経路12に信号を伝搬させる。その結果、例えば、設定
値Gにおいては、実線I上で正確な周期を測定すること
ができる。Further, when the period becomes longer on the solid line II, the solid line II approaches the period T02. Therefore, in order to avoid the influence of the suction phenomenon, the cycle is shifted to the solid line I again at the set value F. In this case, the selector 14 selects the passing path 12 in the offset unit 10 and propagates the signal to the passing path 12. As a result, for example, for the set value G, an accurate period can be measured on the solid line I.
【0038】このようにして測定された遅延時間は、遅
延時間の短い順に、その遅延時間を生じさせた際の遅延
部の組合せと対応づけられて、リニアライズメモリへ格
納される。その際、オフセット部による遅延時間分を差
し引いた遅延時間が、可変遅延回路の遅延時間となる。
そして、遅延部の組合せには、遅延時間の短い順に、設
定値が与えられ、設定時間と、遅延部の組合せとが設定
される。The delay times measured in this way are stored in the linearization memory in ascending order of the delay time in association with the combination of the delay units that caused the delay time. At this time, the delay time obtained by subtracting the delay time by the offset unit becomes the delay time of the variable delay circuit.
Then, a set value is given to the combination of the delay units in ascending order of the delay time, and the set time and the combination of the delay units are set.
【0039】その結果、所望の遅延時間をリニアライズ
メモリ5へ入力すると、その遅延時間に最も近い、測定
された遅延時間に対応する設定値が得られる。そして、
この設定値によって、各遅延部1a〜1nのセレクタ4
がそれぞれ制御され、各遅延部1a〜1nにおいて、そ
れぞれ通過経路2又は遅延経路3a〜3nが選択され
る。As a result, when a desired delay time is input to the linearization memory 5, a set value corresponding to the measured delay time, which is closest to the delay time, is obtained. And
Depending on the set value, the selector 4 of each of the delay units 1a to 1n
Are respectively controlled, and the passing path 2 or the delay paths 3a to 3n are selected in the respective delay units 1a to 1n.
【0040】なお、吸い込み現象を避けるためのオフセ
ット部による遅延経路の選択方法は、図2の太線IVに示
す例に限定されない。例えば、図3に示すようにシフト
させこともできる。図3のグラフも、図2のグラフと同
様に、横軸は設定値を表し、縦軸は自走ループ発振時の
周期を表している。The method of selecting a delay path by the offset unit for avoiding the suction phenomenon is not limited to the example shown by the thick line IV in FIG. For example, it can be shifted as shown in FIG. In the graph of FIG. 3, similarly to the graph of FIG. 2, the horizontal axis represents the set value, and the vertical axis represents the cycle at the time of self-running loop oscillation.
【0041】そして、グラフ中の実線Iは、オフセット
部10において、通過経路12に信号を伝搬した場合の
設定値とループ周期との関係を示している。また、グラ
フ中の実線IIは、オフセット部10において、第一遅延
経路131に信号を伝搬した場合の設定値とループ周期
の関係を示している。また、グラフ中の実線IIIは、オ
フセット部10において、第二遅延経路132に信号を
伝搬した場合の設定値とループ周期との関係を示してい
る。The solid line I in the graph indicates the relationship between the set value and the loop period when the signal is propagated through the passing path 12 in the offset unit 10. A solid line II in the graph indicates a relationship between a set value and a loop cycle when a signal is propagated to the first delay path 131 in the offset unit 10. The solid line III in the graph indicates the relationship between the set value and the loop period when the signal is propagated to the second delay path 132 in the offset unit 10.
【0042】ただし、図3に示す例では、第一遅延経路
131による遅延時間を1nsとし、第二遅延経路13
2による遅延時間を2nsとする。すなわち、オフセッ
ト部10により追加される遅延維持間を、動作周期の倍
数周期の間隔(例えば4ns)よりも十分に短い周期と
している。However, in the example shown in FIG. 3, the delay time of the first delay path 131 is 1 ns, and the second delay path 13
2 is 2 ns. In other words, the delay maintenance interval added by the offset unit 10 is set to a period sufficiently shorter than the interval (for example, 4 ns) of a multiple period of the operation period.
【0043】そして、図3では、太線IVで示すように、
自走ループ周期が吸い込み現象が発生する周期T01に
近づくと、実線I、実線II及び実線IIIへ順次に周波数
をシフトさせて、吸い込み現象の影響を回避している。
すなわち、図3のAで示す部分で、実線Iから実線IIへ
周波数をシフトさせ、さらに、図3のBで示す部分で、
実線IIから実線IIIへ周波数シフトさせている。このよ
うにシフトさせることによっても、吸い込み現象の影響
を受けることを避けることができる。In FIG. 3, as indicated by the thick line IV,
When the self-running loop period approaches the period T01 in which the suction phenomenon occurs, the frequency is sequentially shifted to the solid line I, the solid line II, and the solid line III to avoid the influence of the suction phenomenon.
That is, the frequency is shifted from the solid line I to the solid line II in the portion indicated by A in FIG. 3, and further, in the portion indicated by B in FIG.
The frequency is shifted from solid line II to solid line III. Such shifting can also avoid the influence of the suction phenomenon.
【0044】上述した実施の形態においては、本発明を
特定の条件で構成した例について説明したが、本発明
は、種々の変更を行うことができる。例えば、上述した
実施の形態においては、入力端子20と出力端子21と
の間にオフセット部10を設けた例について説明した
が、本発明では、出力端子21の手前で分岐後、OR回
路8に入力するまでの、ループ回路部分上にオフセット
部10を設けても良い。In the above-described embodiment, an example has been described in which the present invention is configured under specific conditions. However, the present invention can be variously modified. For example, in the above-described embodiment, an example in which the offset unit 10 is provided between the input terminal 20 and the output terminal 21 has been described. However, in the present invention, after branching before the output terminal 21, the OR circuit 8 An offset unit 10 may be provided on the loop circuit until input.
【0045】[0045]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、遅延経路を追加することにより、自走ループ発
振の周期をシフトさせる。このため、吸い込み現象が発
生する自走ループ発振の周期を避けて、自走ループ発振
させることができる。その結果、吸い込み現象の影響を
受けずに、自走ループ発振の周期を測定して、遅延時間
を求めることができる。そして、オフセット部による遅
延時間分を差し引いた遅延時間が、可変遅延回路の遅延
時間となる。そして、求められた遅延時間と、その遅延
時間となる遅延部の組み合わせとを対応づけて設定する
ことができる。As described above, according to the present invention, the period of the free-running loop oscillation is shifted by adding a delay path. For this reason, the free-running loop oscillation can be performed while avoiding the cycle of the free-running loop oscillation in which the suction phenomenon occurs. As a result, the delay time can be obtained by measuring the cycle of the free-running loop oscillation without being affected by the suction phenomenon. Then, the delay time obtained by subtracting the delay time by the offset unit becomes the delay time of the variable delay circuit. Then, the determined delay time can be set in association with the combination of the delay units serving as the delay time.
【図1】実施形態のタイミング補正回路の構成を説明す
るための回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram illustrating a configuration of a timing correction circuit according to an embodiment.
【図2】実施形態におけるオフセットの切替の一例を説
明するためのグラフである。FIG. 2 is a graph for explaining an example of switching of an offset in the embodiment.
【図3】実施形態におけるオフセットの切替の他の例を
説明するためのグラフである。FIG. 3 is a graph for explaining another example of offset switching in the embodiment.
【図4】従来例のタイミング補正回路の構成を説明する
ための回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a configuration of a conventional timing correction circuit.
【図5】(A)は、従来例のタイミング補正回路を構成
するパルス幅成形回路を説明するための回路図であり、
(B)は、パルス幅成形回路の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。FIG. 5A is a circuit diagram for explaining a pulse width shaping circuit constituting a conventional timing correction circuit;
(B) is a timing chart for explaining the operation of the pulse width shaping circuit.
【図6】従来例のタイミング補正回路における吸い込み
現象を説明するためのグラフである。FIG. 6 is a graph for explaining a suction phenomenon in a conventional timing correction circuit.
1a、1b、1n 遅延部 2 通過経路 3 ゲート 3a、3b、3n 遅延経路 4 セレクタ 5 リニアライズメモリ 6 パルス幅成形回路 7 周波数カウンタ 8 ORゲート 9 フリップフロップ 10 オフセット部 12 通過経路 14 セレクタ 20 入力端子 21 出力端子 131 第一遅延経路 132 第二遅延経路 1a, 1b, 1n Delay section 2 Passing path 3 Gate 3a, 3b, 3n Delay path 4 Selector 5 Linearize memory 6 Pulse width shaping circuit 7 Frequency counter 8 OR gate 9 Flip-flop 10 Offset section 12 Passing path 14 Selector 20 Input terminal 21 output terminal 131 first delay path 132 second delay path
Claims (5)
信号を通過する経路と信号を遅延させる経路とを有し、
互いに異なる遅延時間を生じさせる複数段の遅延部を直
列に設け、 各前記遅延部のうち遅延時間を生じさせる遅延部の組合
せと、遅延時間との対応づけを格納するメモリを備え、 前記出力端子から出力される信号を、一段目の遅延部へ
入力するループ回路を備えた可変遅延回路であって、 前記メモリに前記対応づけを設定するため、前記遅延部
の組合せによる遅延時間を自走ループ発振状態で測定す
る際に、前記自走ループ発振の周期がこの可変遅延回路
の近くに設けられた電気回路の動作周期の倍数周期の近
傍となる場合、この自走ループ発振の周期を、前記倍数
周期の近傍以外の周期へシフトさせるための遅延時間を
生じさせるオフセット部を、前記遅延部に直列に接続し
て設けたことを特徴とする可変遅延回路。An input terminal and an output terminal each have a path for passing a signal and a path for delaying a signal,
A plurality of delay units for generating delay times different from each other are provided in series, and a memory for storing a correspondence between a combination of delay units for generating delay time among the delay units and a delay time is provided; A variable delay circuit comprising a loop circuit for inputting a signal output from the first stage to a first-stage delay unit, wherein the self-propelled loop includes a delay time by a combination of the delay units in order to set the association in the memory. When measuring in an oscillation state, if the cycle of the free-running loop oscillation is close to a multiple cycle of the operation cycle of an electric circuit provided near the variable delay circuit, the cycle of the free-running loop oscillation is A variable delay circuit, comprising: an offset unit for generating a delay time for shifting to a period other than the multiple period, in series with the delay unit.
セレクタとにより構成したことを特徴とする請求項1記
載の可変遅延回路。2. The apparatus according to claim 1, wherein the offset unit includes a pass path for passing a signal, a delay path for delaying a signal, and a selector for selectively propagating a signal to the pass path or the delay path. The variable delay circuit according to claim 1.
を複数設けたことを特徴とする請求項2記載の可変遅延
回路。3. The variable delay circuit according to claim 2, wherein a plurality of said delay paths in said offset section are provided.
路において、遅延部の組合せと遅延時間とを対応づけて
設定するために、遅延時間を自走ループ発振状態で測定
するにあたり、 前記自走ループ発振の周期が、当該可変遅延回路の近く
に設けられた電気回路の動作周期の倍数周期の近傍とな
る場合、遅延時間が既知の遅延経路を前記遅延部に直列
に接続することにより、この自走ループ発振の周期を、
前記倍数周期の近傍以外の周期へシフトさせることを特
徴とする可変遅延回路の設定方法。4. In a variable delay circuit having a plurality of delay units connected in series, a delay time is measured in a free-running loop oscillation state in order to set a combination of delay units and a delay time in association with each other. When the cycle of the free-running loop oscillation is close to a multiple cycle of the operation cycle of the electric circuit provided near the variable delay circuit, a delay path with a known delay time is connected in series to the delay unit. , The cycle of this self-running loop oscillation
A method of setting a variable delay circuit, wherein the variable delay circuit is shifted to a period other than the vicinity of the multiple period.
から出力された信号どうしを同期して取り出すための可
変遅延回路を備えた、半導体集積回路の動作試験を行う
ための半導体試験装置であって、 前記可変遅延回路は、入力端子と出力端子との間に、そ
れぞれ信号を通過する経路と信号を遅延させる経路とを
有し、互いに異なる遅延時間を生じさせる複数段の遅延
部を直列に設け、 各前記遅延部のうち遅延時間を生じさせる遅延部の組合
せと、遅延時間との対応づけを格納するメモリを備え、 前記出力端子から出力される信号を、一段目の遅延部へ
入力するループ回路を備え、 前記メモリに前記対応づけを設定するため、前記遅延部
の組合せによる遅延時間を自走ループ発振状態で測定す
る際に、前記自走ループ発振の周期がこの可変遅延回路
の近くに設けられた電気回路の動作周期の倍数周期の近
傍となる場合、この自走ループ発振の周期を、前記倍数
周期の近傍以外の周期へシフトさせるための遅延時間を
生じさせるオフセット部を、前記遅延部に直列に接続し
て設けたことを特徴とする半導体試験装置。5. A semiconductor test apparatus for performing an operation test of a semiconductor integrated circuit, comprising a variable delay circuit for synchronously extracting signals output from respective external terminals of a semiconductor integrated circuit to be inspected. The variable delay circuit has a path for passing a signal and a path for delaying a signal between an input terminal and an output terminal, and a plurality of delay units that generate different delay times are serially connected. A memory that stores a combination of a delay unit that generates a delay time among the delay units and a correspondence with the delay time, and inputs a signal output from the output terminal to the first-stage delay unit A loop circuit for setting the association in the memory, when measuring the delay time due to the combination of the delay units in a free running loop oscillation state, the cycle of the free running loop oscillation is variable. When the cycle of the free-running loop oscillation is near a multiple cycle of the operation cycle of the electric circuit provided near the extension circuit, an offset causing a delay time for shifting the cycle of the free-running loop oscillation to a cycle other than the multiple cycle. A semiconductor testing device, wherein a section is provided in series with the delay section.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000264025A JP2002076860A (en) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | Variable delay circuit, its setting method and semiconductor test device |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008294782A (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Yokogawa Electric Corp | Variable delay circuit and semiconductor test apparatus |
JP2013192204A (en) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk | Multi-bit delta-sigma time digitizer circuit, and method of calibrating the same |
-
2000
- 2000-08-31 JP JP2000264025A patent/JP2002076860A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008294782A (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Yokogawa Electric Corp | Variable delay circuit and semiconductor test apparatus |
JP2013192204A (en) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk | Multi-bit delta-sigma time digitizer circuit, and method of calibrating the same |
US8779951B2 (en) | 2012-02-16 | 2014-07-15 | Semiconductor Technology Academic Research Center | Multi-bit delta-sigma time digitizer circuit and calibration method thereof |
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