JP3633605B2 - Semiconductor device and speed selection method used therefor - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置及びそれに用いるスピード選別方法に関し、特にLSI(大規模集積回路)のスピード選別の方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、LSIのクロック周波数は加速度をつけて増してきており、1GHzを越えようとしている。一方、LSIを測定するLSIテスタはLSIの通常でのクロック周波数で測定することはもはやできなくなっている。これは性能的に測定できないという理由のほかに、LSIテストにかかる費用を削減するという必要もあって、安価で低性能なLSIテスタを使用するケースも多い。
【0003】
一般に、LSIテスタでの測定は低周波数での動作確認による不良選別であり、AC的なスピード選別はされない。ここで、スピードとはLSIの動作可能周波数のことである。また、動作可能周波数をテストし、LSIの選別を行うことを、以下ではスピード選別と呼ぶことにする。LSIはその製造工程でのわずかな製造誤差によってゲート素子等のスピードが大きく変わることがある。したがって、上記のようなハイスペックな性能を目指すLSIではスピード選別が必要になってきている。
【0004】
スピード選別は別途行われ、その第一の方法はLSIを実際に使用する状況と同じ環境で試験する方法である。プリント基板やコンピュータ装置に実装して測定をすることになる。
【0005】
第2の方法では実際にLSIのスピードそのものを測定しないが、相関のある回路の性能からLSI全体の性能を推測する方法である。この方法はLSIテスタレベルで測定することも可能である。
【0006】
一般には、図4に示すように、奇数段のNAND(ナンド)回路31〜3n[n=2m+1]をリング上に接続したリングオシレータ(Ring Oscillator)の周波数測定がその推測に利用される。このリングオシレータの発振周波数を測定することで、1段あたりのゲート素子のスピードを測定することができる。この値からLSIの動作周波数を推測する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来のLSIのスピード選別方法では、第1の方法の場合、まず実装するためにLSIをパッケージに組立てるコストが発生するので、スピード選別で不良となったLSIの組立て費用は無駄になる。
【0008】
また、装置やプリント基板での評価環境を整えるのにもコストが発生するとともに、その測定装置の使用費や人件費も発生し、これらは最終的にLSIや装置の価格に反映されるので価格が高くなる。
【0009】
一方、第2の方法の場合の問題はリングオシレータの周波数とLSI性能との相関が完全にはとれないことである。LSI性能はクリティカルパスと呼ばれる特定の回路間の遅延によってほぼ決まる。クリティカルパスを構成するゲート素子(インバータやNAND回路等)が位置的にLSIの中でばらけている場合にはゲート素子間を長い配線で接続することになる。
【0010】
これに対し、リングオシレータはサイズの制約等もあり、配線がほぼ無い状態で構成されることが多い。0.18um/0.15umルールと通称される微細加工製造プロセスでは配線の遅延がゲート素子遅延とくらべて無視できない値になってきている。
【0011】
したがって、リングオシレータの周波数測定から算出されるゲート素子遅延とクリティカルパスの遅延との相関は精度が高いとは言えない。また、精度を高くするようにリングオシレータを設計することも難しい。
【0012】
そこで、本発明の目的は上記の問題点を解消し、LSIテスタレベルで、LSIの性能を調べることができる半導体装置及びそれに用いるスピード選別方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体装置は、伝送路を介して互いに接続される第1及び第2の半導体集積回路からなる半導体装置であって、前記伝送路からの出力を保持する入力バッファと、前記入力バッファの出力を前記伝送路へ負帰還させる信号線と、前記信号線の信号と前記伝送路への入力信号とのうちの一方を選択して前記伝送路に出力するセレクタとを前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの一方に備え、
前記伝送路からの出力を保持する入力バッファと、前記入力バッファの出力と前記伝送路への入力信号とのうちの一方を選択して前記伝送路に出力するセレクタとを前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの他方に備え、
前記伝送路の入力側及び出力側に各々配置されかつ動作可能周波数テスト時に入力信号をスルーするように各々に印加される共通のクロック信号が設定されてなる第1及び第2のフリップフロップからなり、
前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの一方の入力バッファの出力を前記伝送路を介して前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの他方に負帰還させてリングオシレータを構成している。
【0014】
すなわち、本発明の半導体集積回路は、クリティカルパスを利用してリングオシレータを構成することを特徴としている。クリティカルパス・リングオシレータの発振周波数を外部から測定することは、通常のリングオシレータの測定と同じく容易に可能であり、周波数の測定から当該回路のスピードを算出するのも容易に可能である。
【0015】
しかも、当該回路はLSI全体の性能を決定するクリティカルパスであり、その性能を高精度で測定することが可能になる訳である。これによって、LSIテスタレベルで、LSIの性能を調べることが可能になる。第1のフリップフロップと第2のフリップフロップとの距離が離れている場合には信号FBに中継バッファを必要最小限挿入することになるが、クリティカルパスに対して本回路の挿入で与える性能遅延をきわめて小さく、無視できる範囲にする必要がある。
【0016】
測定に高性能/高価なLSIテスタは必要なく、周波数カウンタさえあればよい。また、LSIテスタレベルで、ウェハテストでも測定可能なので、スピード不良品をパッケージ組立てすることもなくなり、装置上での選別についても必要なくなるので、さらなるコストダウンを図ることが可能となる。よって、LSIテスタレベルで、LSIのスピード選別が可能となる手段が提供可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施例による半導体集積回路の構成を示す回路図である。図1において、本発明の一実施例による半導体集積回路はLSI内のクリティカルパスを構成するロジック回路(logic)3と、それをはさんだ前後のフリップフロップ回路(以下、F/Fとする)2,4と、F/F4の出力からF/F2の入力に負帰還する信号配線FBと、セレクタ(SEL)1とから構成されている。F/F2,4は2層のスキャンクロックSC1,SC2を持つタイプのフリップフロップで構成され、各々共通のクロックCLKが印加されている。
【0018】
この図1を参照して本発明の一実施例による半導体集積回路の動作について説明する。ここで、図1の点線部以外のところは通常のロジック回路であり、LSIの性能を決定づけるクリティカルパスと呼ばれる信号経路を表している。点線部が本発明の一実施例で追加された回路であり、クリティカルパスの中に挿入する形で回路を構成している。
【0019】
本発明の一実施例がターゲットとするのはスピード選別である。当該テスト時の動作を以下説明する。まず、信号ENに適切レベルを与え、セレクタ1の入力が信号FBを選択するようにする。
【0020】
F/F2,4の2相スキャンクロックSC1,SC2をF/F2,4がスルーになるように設定する。2相スキャンクロックSC1,SC2で動作するF/F2,4は、例えばLSSD(level sensitive scan design)等が知られている。
【0021】
このように、F/F2,4がスルーになるように設定することで、上記の回路ではF/F2からF/F4まで信号がスルーで通るようになる。さらに,信号FBを介してF/F4の出力をF/F2に負帰還することで、クリティカルパスでリングオシレータ構成を組むことが可能となる(以下、クリティカルパス・リングオシレータと呼ぶことにする)。
【0022】
この場合、リング内の論理は反転論理(図1ではF/F4の出力部に○印をつけることで示している)である必要がある。このクリティカルパス・リングオシレータは自励発振する。
【0023】
スピード選別以外のテストや通常動作の時は信号ENに適切レベルを与え、セレクタ1が入力側を選択するように切替えることで、F/F4の出力がF/F2に負帰還する負帰還パスをカットする。
【0024】
クリティカルパス・リングオシレータの発振周波数を外部から測定することは、通常のリングオシレータの測定と同じく容易に可能であるので、周波数の測定から当該回路のスピードを算出するのも容易に可能である。しかも、当該回路はLSI全体の性能を決定するクリティカルパスであり、その性能を高精度で測定することが可能になる訳である。
【0025】
これによって、LSIテスタレベルで、LSIの性能を調べることが可能になる。F/F2とF/F4との距離が離れている場合には、信号FBに中継バッファを必要最小限挿入することになるが、クリティカルパスに対して本回路の挿入で与える性能遅延をきわめて小さく、無視することができる範囲にする必要がある。
【0026】
したがって、測定に高性能/高価なLSIテスタは必要なく、周波数カウンタさえあればよい。また、LSIテスタレベルで、ウェハテストでも測定可能なので、スピード不良品をパッケージ組立てすることもなくなり、装置上での選別についても必要なくなるので、さらなるコストダウンを図ることができる。
【0027】
図2は本発明の他の実施例による半導体集積回路の構成を示す回路図である。図2において、本発明の他の実施例による半導体集積回路は図1に示す本発明の一実施例による半導体集積回路の構成とほぼ同じであるが、F/F5をたたくクロックCLK1とF/F6をたたくクロックCLK2とが異なる多層クロックであることが異なる。異相クロック間でも、本発明の一実施例による半導体集積回路と同様の回路で、周波数の測定が可能である。
【0028】
図3は本発明の別の実施例による半導体装置の構成を示す回路図である。図3において、本発明の別の実施例による半導体装置は本発明の他の実施例をLSI間に拡張したものである。
【0029】
すなわち、セレクタ11とF/F12,15と出力バッファ13と入力バッファ14とからなるLSI1と、セレクタ23とF/F22,24と出力バッファ25と入力バッファ21とからなるLSI2とをLSI間伝送路101,102で接続した構成に本発明の他の実施例を適用したものである。
【0030】
この場合、測定対象はクリティカルパスではなく、LSI間線路(LSI間伝送路101,102)となる。復路にも入/出力バッファを用意する必要があるので、図3に示すように、往路及び復路の回路構成を同じにすれば、片側の伝送遅延は往復分の1/2と簡単に算出することができる。
【0031】
もちろん、LSI間伝送の遅延測定の場合にはLSIテスタレベルでは測定できず、プリント板実装時での測定となる点は上記と異なるが、上記と同様の回路構成で、LSI1,2内だけでなく、LSI間の遅延も測定可能であることを示している。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、信号経路を表すクリティカルパスを含む半導体集積回路において、そのクリティカルパスを利用してリングオシレータを構成することによって、LSIテスタレベルで、LSIの性能を調べることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による半導体集積回路の構成を示す回路図である。
【図2】本発明の他の実施例による半導体集積回路の構成を示す回路図である。
【図3】本発明の他の実施例による半導体装置の構成を示す回路図である。
【図4】従来例によるリングオシレータの構成を示す回路図である。
【符号の説明】
1,11,23 セレクタ
2,4,12,15,
22,24 フリップフロップ
3 ロジック回路
13,25 出力バッファ
14,21 入力バッファ
101,102 LSI間伝送路[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device and a speed selection method used therefor , and more particularly, to a speed selection method for an LSI (Large Scale Integrated circuit).
[0002]
[Prior art]
In recent years, the clock frequency of LSIs has increased with an acceleration, and is about to exceed 1 GHz. On the other hand, LSI testers that measure LSIs can no longer measure at the normal clock frequency of LSIs. In addition to the reason that it cannot be measured in terms of performance, there is a need to reduce the cost of LSI testing, and in many cases, an inexpensive and low-performance LSI tester is used.
[0003]
In general, the measurement by the LSI tester is a defect selection by an operation check at a low frequency, and an AC speed selection is not performed. Here, the speed is an operable frequency of the LSI. Further, testing the operable frequency and selecting the LSI is hereinafter referred to as speed selection. In LSI, the speed of gate elements and the like may vary greatly due to slight manufacturing errors in the manufacturing process. Therefore, speed selection is required for LSIs aiming at high-spec performance as described above.
[0004]
Speed selection is performed separately, and the first method is to test in the same environment as the situation where LSI is actually used. Measurement is performed by mounting on a printed circuit board or a computer device.
[0005]
In the second method, the LSI speed itself is not actually measured, but the overall LSI performance is estimated from the correlated circuit performance. This method can also be measured at the LSI tester level.
[0006]
In general, as shown in FIG. 4, frequency measurement of a ring oscillator in which odd-numbered
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional LSI speed selection method described above, in the case of the first method, the cost of assembling the LSI into a package for mounting is first generated, so that the assembly cost of the LSI that has become defective in the speed selection is wasted.
[0008]
In addition, there is a cost in preparing the evaluation environment for equipment and printed circuit boards, and there are also costs for using the measuring equipment and labor costs, which are ultimately reflected in the price of LSIs and equipment. Becomes higher.
[0009]
On the other hand, the problem with the second method is that the frequency of the ring oscillator and the LSI performance cannot be completely correlated. LSI performance is almost determined by a delay between specific circuits called a critical path. When the gate elements (inverters, NAND circuits, etc.) constituting the critical path are dispersed in the LSI, the gate elements are connected by a long wiring.
[0010]
In contrast, ring oscillators are often configured with almost no wiring due to size restrictions and the like. In a microfabrication manufacturing process commonly referred to as a 0.18 um / 0.15 um rule, the delay of wiring has become a value that cannot be ignored compared with the delay of a gate element.
[0011]
Therefore, the correlation between the gate element delay calculated from the ring oscillator frequency measurement and the critical path delay cannot be said to be highly accurate. It is also difficult to design a ring oscillator to increase accuracy.
[0012]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor device that can solve the above-described problems and can examine the performance of an LSI at the LSI tester level and a speed selection method used therefor.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
A semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device including first and second semiconductor integrated circuits connected to each other via a transmission line, and includes an input buffer that holds an output from the transmission line, A signal line for negatively feeding back an output to the transmission line; and a selector for selecting one of a signal on the signal line and an input signal to the transmission line and outputting the selected signal to the transmission line. In one of the semiconductor integrated circuits,
An input buffer that holds an output from the transmission line, and a selector that selects one of the output of the input buffer and an input signal to the transmission line and outputs the selected signal to the transmission line. In the other of the semiconductor integrated circuits,
The first and second flip-flops are arranged on the input side and the output side of the transmission line, respectively, and a common clock signal applied to each of them is set so as to pass through the input signal during the operable frequency test. ,
The output of one input buffer of the first and second semiconductor integrated circuits is negatively fed back to the other of the first and second semiconductor integrated circuits via the transmission path to form a ring oscillator. ing.
[0014]
That is, the semiconductor integrated circuit of the present invention is characterized in that a ring oscillator is configured using a critical path. Measuring the oscillation frequency of the critical path / ring oscillator from the outside is as easy as measuring a normal ring oscillator, and the speed of the circuit can be easily calculated from the measurement of the frequency.
[0015]
Moreover, the circuit is a critical path that determines the performance of the entire LSI, and the performance can be measured with high accuracy. This makes it possible to examine the performance of the LSI at the LSI tester level. When the distance between the first flip-flop and the second flip-flop is long, the minimum necessary number of relay buffers are inserted into the signal FB, but the performance delay caused by the insertion of this circuit into the critical path Must be very small and negligible.
[0016]
A high-performance / expensive LSI tester is not required for measurement, and only a frequency counter is required. Further, since it can be measured even at a wafer test at the LSI tester level, it is not necessary to assemble a package with a defective speed, and it is not necessary to select on the apparatus, so that it is possible to further reduce the cost. Therefore, it is possible to provide a means that enables LSI speed selection at the LSI tester level.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. 1, a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention includes a logic circuit (logic) 3 constituting a critical path in an LSI, and flip-flop circuits (hereinafter referred to as F / F) 2 before and after the
[0018]
The operation of the semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, portions other than the dotted line portion in FIG. 1 are normal logic circuits, and represent signal paths called critical paths that determine the performance of the LSI. A dotted line portion is a circuit added in one embodiment of the present invention, and the circuit is configured to be inserted into a critical path.
[0019]
One embodiment of the present invention targets speed sorting. The operation during the test will be described below. First, an appropriate level is given to the signal EN so that the input of the
[0020]
The two-phase scan clocks SC1 and SC2 of F / F2 and 4 are set so that F / F2 and 4 are through. As the F /
[0021]
Thus, by setting the F /
[0022]
In this case, the logic in the ring needs to be inverted logic (indicated in FIG. 1 by marking the output part of F / F4 with a circle). This critical path / ring oscillator oscillates by itself.
[0023]
For tests other than speed selection and normal operation, an appropriate level is given to the signal EN, and the
[0024]
Since it is possible to measure the oscillation frequency of the critical path ring oscillator from the outside as easily as the normal ring oscillator measurement, it is also possible to easily calculate the speed of the circuit from the frequency measurement. Moreover, the circuit is a critical path that determines the performance of the entire LSI, and the performance can be measured with high accuracy.
[0025]
This makes it possible to examine the performance of the LSI at the LSI tester level. When the distance between F / F2 and F / F4 is long, a relay buffer is inserted into the signal FB as much as necessary, but the performance delay caused by the insertion of this circuit to the critical path is extremely small. Need to be in a range that can be ignored.
[0026]
Therefore, a high-performance / expensive LSI tester is not required for measurement, and only a frequency counter is required. Further, since it can be measured even at a wafer test at the LSI tester level, it is not necessary to assemble a package with a defective speed, and it is not necessary to select on the apparatus, so that further cost reduction can be achieved.
[0027]
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention. In FIG. 2, the semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention has substantially the same configuration as that of the semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention shown in FIG. 1, but the clocks CLK1 and F / F6 that tap F / F5 are used. Is different from the clock CLK2 in that it is a multi-layer clock. Even between different-phase clocks, the frequency can be measured with a circuit similar to the semiconductor integrated circuit according to the embodiment of the present invention.
[0028]
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention. In FIG. 3, a semiconductor device according to another embodiment of the present invention is obtained by extending another embodiment of the present invention between LSIs.
[0029]
That is, an
[0030]
In this case, the measurement target is not a critical path but an inter-LSI line (
[0031]
Of course, in the case of delay measurement of transmission between LSIs, it cannot be measured at the LSI tester level, and the measurement at the time of mounting on a printed board is different from the above. In other words, the delay between LSIs can also be measured.
[0032]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, in a semiconductor integrated circuit including a critical path representing a signal path, a ring oscillator is configured using the critical path, thereby checking the LSI performance at the LSI tester level. There is an effect that can be.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a ring oscillator according to a conventional example.
[Explanation of symbols]
1,11,23
22, 24 Flip-
Claims (6)
前記伝送路からの出力を保持する入力バッファと、前記入力バッファの出力と前記伝送路への入力信号とのうちの一方を選択して前記伝送路に出力するセレクタとを前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの他方に有し、
前記伝送路の入力側及び出力側に各々配置されかつ動作可能周波数テスト時に入力信号をスルーするように各々に印加される共通のクロック信号が設定されてなる第1及び第2のフリップフロップからなり、
前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの一方の入力バッファの出力を前記伝送路を介して前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの他方に負帰還させてリングオシレータを構成することを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device including first and second semiconductor integrated circuits connected to each other via a transmission line, an input buffer for holding an output from the transmission line, and an output of the input buffer to the transmission line Of the first and second semiconductor integrated circuits, a signal line to be fed back and a selector for selecting one of the signal on the signal line and an input signal to the transmission path and outputting the selected signal to the transmission path On one side,
An input buffer that holds an output from the transmission line, and a selector that selects one of the output of the input buffer and an input signal to the transmission line and outputs the selected signal to the transmission line. The other of the semiconductor integrated circuits,
The first and second flip-flops are arranged on the input side and the output side of the transmission line, respectively, and a common clock signal applied to each of them is set so as to pass through the input signal during the operable frequency test. ,
The output of one input buffer of the first and second semiconductor integrated circuits is negatively fed back to the other of the first and second semiconductor integrated circuits via the transmission path to form a ring oscillator. A semiconductor device.
前記伝送路からの出力を保持する入力バッファと、前記入力バッファの出力と前記伝送路への入力信号とのうちの一方を選択して前記伝送路に出力するセレクタとを前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの他方に有し、
前記伝送路の入力側及び出力側に各々配置されかつ動作可能周波数テスト時に入力信号がスルーするように各々に印加される独立のクロック信号が設定されてなる第1及び第2のフリップフロップからなり、
前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの一方の入力バッファの出力を前記伝送路を介して前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの他方に負帰還させてリングオシレータを構成することを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device including first and second semiconductor integrated circuits connected to each other via a transmission line, an input buffer for holding an output from the transmission line, and an output of the input buffer to the transmission line Of the first and second semiconductor integrated circuits, a signal line to be fed back and a selector for selecting one of the signal on the signal line and an input signal to the transmission path and outputting the selected signal to the transmission path On one side,
An input buffer that holds an output from the transmission line, and a selector that selects one of the output of the input buffer and an input signal to the transmission line and outputs the selected signal to the transmission line. The other of the semiconductor integrated circuits,
The first and second flip-flops are arranged on the input side and the output side of the transmission line, respectively, and are set with independent clock signals applied to the input signals so that the input signals pass through during the operable frequency test. ,
The output of one input buffer of the first and second semiconductor integrated circuits is negatively fed back to the other of the first and second semiconductor integrated circuits via the transmission path to form a ring oscillator. A semiconductor device.
前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの一方において、前記伝送路からの出力を保持する入力バッファの出力を信号線によって前記伝送路へ負帰還させ、前記信号線の信号と前記伝送路への入力信号とのうちの一方をセレクタで選択させて前記伝送路に出力し、
前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの他方において、前記伝送路からの出力を保持する入力バッファの出力と前記伝送路への入力信号とのうちの一方をセレクタで選択させて前記伝送路に出力し、
前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの一方の入力バッファの出力を前記伝送路を介して前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの他方に負帰還させてリングオシレータを構成し、
前記半導体装置は、前記伝送路の入力側及び出力側に各々配置されかつ動作可能周波数テスト時に入力信号をスルーするように各々に印加される共通のクロック信号が設定されてなる第1及び第2のフリップフロップからなることを特徴とするスピード選別方法。 A speed selection method for a semiconductor device comprising first and second semiconductor integrated circuits connected to each other via a transmission line,
In one of the first and second semiconductor integrated circuits, the output of the input buffer that holds the output from the transmission path is negatively fed back to the transmission path through a signal line, and the signal on the signal line and the transmission path Select one of the input signals to the selector and output to the transmission line,
In the other of the first and second semiconductor integrated circuits, one of the output of the input buffer holding the output from the transmission path and the input signal to the transmission path is selected by a selector and the transmission is performed. Output to the road,
The output of one input buffer of the first and second semiconductor integrated circuits is negatively fed back to the other of the first and second semiconductor integrated circuits via the transmission path to form a ring oscillator. ,
The semiconductor devices are arranged on the input side and the output side of the transmission line, respectively, and a common clock signal applied to each is set so as to pass through the input signal during an operable frequency test. Speed selection method characterized by comprising flip-flops .
前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの一方において、前記伝送路からの出力を保持する入力バッファの出力を信号線によって前記伝送路へ負帰還させ、前記信号線の信号 と前記伝送路への入力信号とのうちの一方をセレクタで選択させて前記伝送路に出力し、
前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの他方において、前記伝送路からの出力を保持する入力バッファの出力と前記伝送路への入力信号とのうちの一方をセレクタで選択させて前記伝送路に出力し、
前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの一方の入力バッファの出力を前記伝送路を介して前記第1及び第2の半導体集積回路のうちの他方に負帰還させてリングオシレータを構成し、
前記半導体装置は、前記伝送路の入力側及び出力側に各々配置されかつ動作可能周波数テスト時に入力信号をスルーするように各々に印加される共通のクロック信号が設定されてなる第1及び第2のフリップフロップからなることを特徴とするスピード選別方法。 A speed selection method for a semiconductor device comprising first and second semiconductor integrated circuits connected to each other via a transmission line,
In one of the first and second semiconductor integrated circuits, the output of the input buffer that holds the output from the transmission path is negatively fed back to the transmission path through a signal line, and the signal on the signal line and the transmission path Select one of the input signals to the selector and output to the transmission line,
In the other of the first and second semiconductor integrated circuits, one of the output of the input buffer holding the output from the transmission path and the input signal to the transmission path is selected by a selector and the transmission is performed. Output to the road,
The output of one input buffer of the first and second semiconductor integrated circuits is negatively fed back to the other of the first and second semiconductor integrated circuits via the transmission path to form a ring oscillator. ,
The semiconductor devices are arranged on the input side and the output side of the transmission line, respectively, and a common clock signal applied to each is set so as to pass through the input signal during an operable frequency test. Speed selection method characterized by comprising flip-flops .
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JP2003337159A JP2003337159A (en) | 2003-11-28 |
JP3633605B2 true JP3633605B2 (en) | 2005-03-30 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3633605B2 (en) |
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JP4893052B2 (en) | 2006-03-24 | 2012-03-07 | 日本電気株式会社 | Receiver circuit and receiver circuit test method |
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2003
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