JP2002076833A

JP2002076833A - 弾性表面波装置

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Publication number: JP2002076833A
Application number: JP2000264455A
Authority: JP
Inventors: Yoshifumi Yamagata; 佳史山形
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-08-31
Filing date: 2000-08-31
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】良好な減衰特性を有するフィルタを実現する
ことが可能な優れた弾性表面波装置提供すること。【解決手段】圧電基板上に複数のＩＤＴ電極を接続し
た梯子型回路を形成してなるフィルタ素子の複数個をパ
ッケージ内に収容するとともに、各フィルタ素子の接地
電極のそれぞれをパッケージの複数箇所に形成した接地
電極に接続した弾性表面波装置であって、パッケージの
複数箇所に形成した接地電極どうしをインダクタンス素
子を介して接続した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の移動
体通信機器に用いられる弾性表面波フィルタ等の弾性表
面波装置に関し、特に、複数のフィルタ素子を１つのパ
ッケージ内に収容して成る弾性表面波装置に関する。

【０００２】

【従来技術とその課題】電波を利用する電子機器のフィ
ルタ，遅延線，発振器等の電子部品として多くの弾性表
面波装置が用いられている。特に小型・軽量でかつフィ
ルタとしての急峻遮断性能が高い弾性表面波フィルタ
は、移動体通信分野において、携帯端末装置のＲＦ段及
びＩＦ段のフィルタとして多用されるようになって来て
おり、低損失でかつ通過帯域外の遮断特性が優れた、高
い減衰特性と広い帯域幅を有する弾性表面波フィルタが
要求されている。

【０００３】今までに、弾性表面波フィルタとしては、
電極構成の観点から、梯子型，トランスバーサル型，縦
モード結合共振器型等種々のものが実用化されている
が、これらの中でも梯子型弾性表面波フィルタは、低損
失でかつ良好な通過帯域近傍の遮断特性を有し、高周波
化による電極微細化に伴う耐電力面での信頼性も高く、
非常に有望視されている。

【０００４】また最近では、携帯電話のマルチメディア
化及びデュアルバンド化等の高機能化が著しいが、これ
らに伴う携帯電話の大型・重量化はできるだけ避けるの
が望ましいため、搭載される部品には小型・軽量化がま
すます要求されている。例えば、携帯電話の主要部品で
ある弾性表面波フィルタにおいては、弾性表面波フィル
タの重量に占める大部分がセラミックパッケージであ
る。このため、１つのパッケージに複数のフィルタを搭
載し、小型化と軽量化を実現しようとする取り組みが始
まっている。

【０００５】ところで、各フィルタには入出力電極とグ
ランド電極（接地電極）があり、これら電極をパッケー
ジ内の端子に割当てる必要があるが、少なくとも入出力
電極の一方は共通化できないため、残るグランド端子を
共通化することで端子数の不足を補っている。

【０００６】しかしながら、従来、グランド端子を共通
化しようとすると、フィルタの中心周波数より低周波側
の減衰量が劣化してしまうという問題があった。以下、
その問題について詳細に説明する。

【０００７】図９に従来の弾性表面フィルタの構造を示
す。図９（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ、その上視
図（平面図）、Ｚ−Ｚ’断面図、下視図（底面図）であ
る。パッケージ３内に、梯子型回路を形成した２つの弾
性表面波チップ２ａ，２ｂが、シリコーン樹脂もしくは
銀ペースト等の接着材３０でパッケージ３の底面に固着
搭載され、弾性表面波チップの電極とパッケージの電極
とがボンディングワイヤ５で導通接続されている。実際
には、シールリング４の上に金属リッドを溶着して密閉
封止するが、便宜上、図９（ａ），（ｂ）において金属
リッドを省略してある。

【０００８】パッケージ３は３つのセラミックシート３
ａ，３ｂ，３ｃから形成されており、３ａは弾性表面波
チップを実装する層、３ｂはボンディングワイヤを接続
する電極を設けた層、そして３ｃはボンディングワイヤ
のループ高さに見合った空間を確保するための層であ
る。

【０００９】図１０にこれら層に形成された電極を示
す。図１０（ａ）はセラミックシート３ｂ上面の電極パ
ターンを、図１０（ｂ）はセラミックシート３ａ上面の
電極パターンを上からみた様子を示し、図１０（ｃ）は
セラミックシート３ａ下面の様子を示す底面図である。

【００１０】弾性表面波チップ２ａの入力端子を接続す
る電極６は、６ｂ，６ｃ，６ｄのシート上電極と、これ
らを相互に接続するキャスタレーション電極６ａ，６ｅ
とからなる。キャスタレーション電極６ａはセラミック
シート３ｂの側面に、キャスタレーション電極６ｅはセ
ラミックシート３ａの側面に形成されている。弾性表面
波チップ２ａの出力端子を接続する電極７は、同様に７
ａ〜７ｅからなる。弾性表面波チップ２ｂについても同
様に、入力端子を接続する電極８は８ａ〜８ｅからな
り、出力電極を接続する電極９は９ａ〜９ｅからなる。

【００１１】また、弾性表面波チップ２ａ及び２ｂのグ
ランド電極はそれぞれ２つに分離されており、グランド
電極１０及び１１にボンディングワイヤで接続されてい
る。グランド電極１０はシート上電極１０ｂ，１０ｃと
キャスタレーション電極１０ａ，１０ｅからなる。グラ
ンド電極１１についても同様に、１１ａ，１１ｂ，１１
ｃ，１１ｅで構成されている。（すなわち、シート上電
極１１ｂ，１１ｃとキャスタレーション電極１１ａ，１
１ｅからなる。）グランド電極１０と１１は両チップに
おいて共用化されており、電極数が不足するのを補って
いる。キャスタレーション電極１０ａはセラミックシー
ト３ｂの側面に、キャスタレーション電極１０ｅはセラ
ミックシート３ａの側面に形成されている。また、グラ
ンド電極１０と１１はセラミックシート３ａ上のベタ電
極３１を介して接続されている。

【００１２】この弾性表面波フィルタの等価回路は図１
３のようになる。図中１５，１６は弾性表面波チップ２
ａ，２ｂをそれぞれ表し、５個の共振子を梯子型に構成
したフィルタである。１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂ
はボンディングワイヤ及び電極のインダクタンスを、１
９ａ，１９ｂ，２０ａ，２０ｂは弾性表面波チップの接
地端子からパッケージグランド電極までのボンディング
ワイヤのインダクタンス、２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２
２ｂはパッケージ電極のインダクタンスを表している。
２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂはそれぞれ、図９のパ
ッケージ電極６，７，８，９に相当する端子を表してい
る。

【００１３】弾性表面波チップ２ａ，２ｂのグランド電
極は２つに分割されており（図１３に示したようにＢ，
Ｂ’点のことである）、ＢとＢ’点を接続することによ
り生じる減衰特性の劣化を防止している。これは、Ｂ及
びＢ’点はパッケージ電極のインダクタンス２１ａ，２
１ｂ及び２２ａ，２２ｂの存在により真のグランドとな
っていないため、２４ａ−Ａ−Ｂ−Ｂ’−Ａ’−２４ｂ
という信号経路ができるためである。

【００１４】しかしながら、この場合もＢ点−Ｂ’点間
の電気的分離は不充分であり、先に図１０（ｂ）におい
て示したように、セラミックシート３ｂ上の電極３１に
より接続されている。また、Ｃ点とＣ’点は真のグラン
ドではないため、新たにＡ−Ｂ−Ｃ−Ｃ’−Ｂ’−Ａ’
という信号経路が存在している。

【００１５】図１２は、上記弾性表面波フィルタの伝送
特性を示しており、図１２（ａ），（ｂ）はそれぞれ、
弾性表面波チップ２ａ，２ｂの伝送特性を示す。ここ
で、通過帯域が２６ａ，２６ｂ、減衰域が２７ａ，２７
ｂであり、両フィルタとも図中の減衰域２７ａ，２７ｂ
の要求減衰量−３５ｄＢ以上を得ることができていな
い。

【００１６】逆に、この減衰特性を劣化させる信号経路
を発生させないようにした改善させた従来の弾性表面波
フィルタの構造図を図１１に示す。この場合、ベタ電極
３１は３１ａと３１ｂの２つに分断されており、この等
価回路は図１５のようになる。しかしながら、この場合
には弾性表面波フィルタ２ａと２ｂが干渉し、図１４に
示す伝送特性となり、やはり要求される減衰量が確保す
ることはできていない。すなわち、今度はＡ−Ｂ−Ｄ−
Ｅ−Ｅ’−Ｄ’−Ｂ’−Ａ’という信号経路が新たに発
生する。これもパッケージ電極のインダクタンス２１，
２２が存在して、Ｂ及びＢ’点、Ｄ及びＤ’点が真のグ
ランドでないためである。

【００１７】そこで本発明は、上記諸問題を解消するこ
とができ、良好な減衰特性を有するフィルタを実現する
ことが可能な優れた弾性表面波装置提供することを目的
とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に複数のＩ
ＤＴ電極を接続した梯子型回路を形成してなるフィルタ
素子の複数個をパッケージ内に収容するとともに、各フ
ィルタ素子の接地電極のそれぞれを前記パッケージの複
数箇所に形成した接地電極に接続した弾性表面波装置で
あって、前記パッケージの複数箇所に形成した接地電極
どうしをインダクタンス素子を介して接続したことを特
徴とする。

【００１９】また、圧電基板上に複数のＩＤＴ電極を接
続した梯子型回路を複数領域に備えたフィルタ素子をパ
ッケージ内に収容するとともに、各梯子型回路の接地電
極のそれぞれを前記パッケージの複数箇所に形成した接
地電極に接続した弾性表面波装置であって、前記パッケ
ージの複数箇所に形成した接地電極どうしをインダクタ
ンス素子を介して接続したことを特徴とする。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を模式的
に図示した図面に基づいて詳細に説明する。

【００２１】図１は本発明の弾性表面波フィルタ１の構
造を表す図である。図１（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれ
ぞれ上視図（平面図）、Ｈ−Ｈ’断面図、下視図（底面
図）である。なお、既に説明した構成要素と同一構成要
素については、その一部について符号及び説明を省略す
る。

【００２２】図１に示すように、本発明の従来と異なる
点は、接地電極であるグランド電極１０と１１の間にイ
ンダクタンス素子１４を形成したことである。図２にそ
の電極構造を示す。図２（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれ
ぞれ、セラミックシート３ｂ上面の電極パターン、セラ
ミックシート３ａ上面の電極パターン、セラミックシー
ト３ａ下面の電極パターンである。

【００２３】このように、インダクタンス素子１４をグ
ランド電極１０，１１間に挿入することにより、複数の
フィルタ素子の減衰特性を図７（ａ），（ｂ）のように
改善することが可能となった。これは、インダクタンス
素子を挿入することにより、グランド電極１０，１１を
開放と短絡の中間の状態にすることができるためであ
る。

【００２４】すなわち、図３に示す概略等価回路図を用
いて説明すると、一方のフィルタ素子の２つの信号経路
Ａ―Ｂ−Ｃ−Ｃ’−Ｂ’―Ａ’とＡ−Ｂ−Ｄ−Ｅ―Ｅ’
―Ｄ’―Ｂ’―Ａ’とを通る信号を、インダクタ素子２
３で調整することにより、減衰特性を良好なものにする
ことができる。このことは、他方のフィルタ素子につい
ても同様の信号経路であるので、電気特性を良好にでき
る。

【００２５】また、圧電基板上にＩＤＴ電極の複数を直
列および並列に接続した複数の梯子型回路を構成してな
る弾性表面波チップ（フィルタ素子）を１つのパッケー
ジに搭載した弾性表面波フィルタにおいて、各梯子型回
路の少なくとも２つに分離して形成されたグランド電極
が、パッケージ内の少なくとも２つに分離して形成され
たグランド電極と接続手段を介して各々接続された場合
で、複数の梯子型回路で共有されたパッケージ内のグラ
ンド電極間にインダクタンス素子を形成しても良い。こ
れによれば、２以上のチップを載置したパッケージサイ
ズに比べ、チップ載置の精度マージンが小さくできるこ
とにより、パッケージサイズを小さくすることができ
る。

【００２６】また、チップとパッケージの接続手段がボ
ンディングワイヤーであることにより、その長さを調整
することで電気特性を調整することが可能となり、良好
なフィルタ特性を提供することができる。

【００２７】また、その接続手段がバンプであっても良
く、その場合、バンプの形成数により電気特性を調整す
ることが可能となり、良好なフィルタ特性を提供するこ
とができる。

【００２８】また、前記インダクタンス素子は、一般的
なチップインダクダ等を用いても良いが、パッケージ内
の電極パターンであることにより、なおいっそうパッケ
ージサイズを小さくすることができ、かつ、良好なフィ
ルタ特性を提供することができる。

【００２９】また、ＳＡＷ装置用の圧電基板として、３
６°±３°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶、
４２°±３°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結
晶、６４°±３°ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム単結
晶、４１°±３°ＹカットＸ伝搬リチウム単結晶、４５
°±３°ＸカットＺ伝搬四ホウ酸リチウム単結晶は電気
機械結合係数が大きく、かつ、周波数温度係数が小さい
ため圧電基板として好ましい。圧電基板の厚みは０．１
ｍｍ〜０．５ｍｍ程度がよく、０．１ｍｍ未満では圧電
基板がもろくなり、０．５ｍｍ超では材料コストと部品
寸法が大きくなり、使用できない。

【００３０】また、ＩＤＴ電極および反射器は、Ａｌも
しくはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｔｉ系）からな
り、蒸着法、スパッタ法、またはＣＶＤ法などの薄膜形
成法により形成する。電極厚みは０．１μｍ〜０．５μ
ｍ程度とすることがＳＡＷ装置としての特性を得るうえ
で好適である。

【００３１】さらに、本発明に係るＳＡＷ装置の電極お
よび圧電基板上のＳＡＷ伝搬部にＳｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ
Ｎｘ、Ａｌ２Ｏ３を保護膜として形成して、導電性異物
による通電防止や耐電力向上を行ってもかまわない。

【００３２】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の変更は何ら差し支えない。

【００３３】

【実施例】本発明に係る梯子型弾性表面波フィルタを具
体的に試作した実施例について説明する。まず、圧電基
板上に複数のＩＤＴ電極を接続した梯子型回路を形成し
てなるフィルタ素子の複数個をパッケージ内に収容し、
各フィルタ素子の接地電極をパッケージの複数箇所に形
成した接地電極に接続した弾性表面波装置において、パ
ッケージの複数箇所に形成した接地電極どうしをインダ
クタンス素子を介して接続した弾性表面波フィルタにつ
いて説明する。

【００３４】４２°ＹカットＬｉＴａＯ3単結晶の圧電
基板上に、Ａｌ（９８ｗｔ％）−Ｃｕ（２ｗｔ％）によ
る微細電極パターンを形成した。パターン作製には、縮
小投影露光機（ステッパー）、およびＲＩＥ（Ｒｅａｃ
ｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）装置によりフォト
リソグラフィを行なった。

【００３５】基板材料をアセトン・ＩＰＡ等によって超
音波洗浄し、有機成分を落とした。次に、クリーンオー
ブンによって充分に基板乾燥を行なった後、電極の成膜
を行なった。電極成膜には、スパッタリング装置を使用
し、Ａｌ−Ｃｕの材料を成膜した。電極膜厚は約０．２
μｍとした。

【００３６】次に、レジストを約０．５μｍ厚みにスピ
ンコートし、縮小投影露光装置（ステッパー）により、
所望のパターニングを行なった。ステッパーにはパター
ニングの原版となるレチクルが必要であるが、これは、
ステッパー自身の光学系にて像を１／５に縮小投影する
ため、実際のパターンの５倍サイズでかまわない。この
ため、逆に従来のコンタクトアライナーに比べると、５
倍の解像度が得られる。

【００３７】次に、現像装置にて不要部分のレジストを
アルカリ現像液で溶解させ、所望パターンを表出した
後、ＲＩＥ装置により、Ａｌ−Ｃｕ電極のエッチングを
行ない、パターンニングを終了した。

【００３８】この後、上記電極の所定領域上に保護膜を
作製した。すなわち、ＳｉＯ2をスパッタリング装置に
て成膜し、その後、フォトリソグラフィによってレジス
トのパターニングを行ない、ＲＩＥ装置等でワイヤボン
ディング用窓開け部のエッチングを行ない、保護膜パタ
ーンを完成した。

【００３９】次に、基板をダイシング線に沿ってダイシ
ング加工を施し、チップごとに分割した。そして、各チ
ップをダイボンド装置にてピックアップし、シリコーン
樹脂を主成分とする樹脂を用いパッケージ内に接着し
た。この後、約１６０℃の温度において乾燥・硬化させ
た。パッケージは３ｍｍ角の積層構造のものを用いた。

【００４０】次に、３０μｍφＡｕワイヤをパッケージ
の電極部とチップ上のＡｌ電極パッド上にボールボンデ
ィングした後、リッドをパッケージにかぶせ、封止機に
て溶接封止して完成した。なお、チップ上のグランド電
極は各々分離して配線し、Ａｕボールボンディングにて
パッケージ上のグランド電極にボンディングした。

【００４１】梯子型弾性表面波チップを構成する弾性表
面波共振子は、くし状電極の対数（本数の１／２）が４
０〜１２０対、交差幅が１０〜３０λ（λは弾性表面波
の波長）で、弾性表面波の波長λは直列と並列で違えて
あるが概略２μｍとした。ここで、反射電極本数は直列
共振子、並列共振子とも２０本である。構成の概要は図
１〜３に示す通りであり、図３に示すように、両弾性表
面波チップは直列共振子が３個、並列共振子が２個で構
成される２．５段Ｔ型とした。

【００４２】また、図２に示すパッケージ電極とした。
ここで、インダクタンス素子１４をグランド電極１０，
１１間に形成した。このインダクタンス素子はパッケー
ジ電極と同じタングステン電極で形成しており、電極幅
は０．０３ｍｍ、厚み１３μｍ、長さ２.５ｍｍで、イ
ンダクタンス値は２．８ｎＨであった。このインダクタ
ンス素子の電極幅を１．２４ｍｍとした場合は、インダ
クタンス値は０．５ｎＨであった。

【００４３】図７，８は、本発明を用いて弾性表面波フ
ィルタを作製した場合の特性図であって、それぞれ図
（ａ）はフィルタ１、図（ｂ）はフィルタ２の特性を示
している。図７はインダクタンス値０．５ｎＨの場合の
伝送特性例であり、図８はインダクタンス値２．８ｎＨ
の場合の伝送特性例である。この場合の測定器にはネッ
トワークアナライザ（アジレントテクノロジー社製８
７５３Ｄ）を用いＳ２１の測定をした。フィルタ特性測
定には専用のテストフィクスチャを用いた。

【００４４】かくして、本発明の弾性表面波フィルタで
は、グランド電極間にインダクタンス素子を挿入したの
で、良好な減衰特性を実現することができた。

【００４５】図４に本発明に係る弾性表面波フィルタの
他の実施例を示す。すなわち、圧電基板上に複数のＩＤ
Ｔ電極を接続した梯子型回路を複数領域に備えたフィル
タ素子をパッケージ内に収容し、各梯子型回路の接地電
極を前記パッケージの複数箇所に形成した接地電極に接
続し、パッケージの複数箇所に形成した接地電極どうし
をインダクタンス素子を介して接続した。

【００４６】この例では２つの弾性表面波チップを１つ
のチップで構成したものである。この場合の電極幅は
０．０３ｍｍ、厚み１５μｍ、長さは１．８ｍｍで作製
した。さらに、図５に示すように、パッケージのグラン
ド電極１２，１３を追加し、合計４つのグランド電極と
した。インダクタンス素子は１４ａ〜ｄの４つの部分に
分かれており、図６に示す等価回路の２３ａ〜ｄのイン
ダクタンスに相当する。

【００４７】図６（ａ）に示す等価回路は図３の実施例
と異なるが、図６（ｂ）に抜き出したインダクタンスの
部分に△−Ｙ変換すれば、図６（ｄ）のようになり、素
子値は異なるものの同じ回路で表すことができる。すな
わち、グランド電極１０，１１間にインダクタンス素子
を挿入した形になる。

【００４８】かくして、この実施例においても上記実施
例と同様な作用効果を奏することができた。

【００４９】なお、本実施形態では、チップとパッケー
ジの接続手段がボンディングワイヤーとし、その長さを
調整することで電気特性を調整可能とした例を示した
が、その接続手段はバンプでも良く、その場合、バンプ
の形成数により電気特性を調整可能となり、良好なフィ
ルタ特性を提供することができる。

【００５０】また、インダクタンス素子は、一般的なチ
ップインダクタ等を用いても良いが、パッケージ内の電
極パターンであることにより、なおいっそうパッケージ
サイズを小さくすることができ、かつ、良好なフィルタ
特性を提供することができる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の梯子型回路で共有されたパッケージ内のグランド
電極間にインダクタンス素子を形成したので、中心周波
数より低周波側の減衰特性が劣化することなく、複数の
フィルタを１つのパッケージに搭載した弾性表面波フィ
ルタを実現した。

【００５２】また、複数の梯子型回路で共有されたパッ
ケージ内のグランド電極間にインダクタンス素子を形成
したので、２以上のチップ（フィルタ素子）を載置した
パッケージサイズに比べ、チップ載置の精度マージンが
小さくできることにより、パッケージサイズを小さく
し、例えば携帯電話等の機器のサイズ縮小に大いに貢献
できる。

【００５３】また、チップとパッケージの接続手段がボ
ンディングワイヤーであることにより、その長さを調整
することで電気特性を調整可能となり、良好なフィルタ
特性を提供することができる。

【００５４】また、その接続手段がバンプとしても良
く、その場合、バンプの形成数により電気特性を調整可
能となり、良好なフィルタ特性を提供することができ
る。

【００５５】また、インダクタンス素子は、一般的なチ
ップインダクタ等を用いても良いが、パッケージ内の電
極パターンであることにより、なおいっそうパッケージ
サイズを小さくすることができ、かつ、良好なフィルタ
特性を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る弾性表面波フィルタを説明する図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は
（ａ）のＨ−Ｈ’線断面図である。

【図２】本発明に係る弾性表面波フィルタのパッケージ
側電極の構造を説明する図であり、（ａ），（ｂ）はそ
れぞれ平面透視図、（ｃ）は底面図である。

【図３】本発明に係る弾性表面波フィルタの等価回路を
示す回路図である。

【図４】本発明に係る他の弾性表面波フィルタを説明す
る図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）
は（ａ）のＩ−Ｉ’線断面図である。

【図５】本発明に係る他の弾性表面波フィルタのパッケ
ージ側電極の構造を説明する図であり、（ａ），（ｂ）
はそれぞれ平面透視図、（ｃ）は底面図である。

【図６】（ａ）は本発明に係る他の弾性表面波フィルタ
の等価回路を示す図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、インダ
クタンス素子を付加した部分の等価回路図である。

【図７】（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明に係る弾性表
面波フィルタの伝送特性を示す図である。

【図８】（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明に係る他の弾
性表面波フィルタの伝送特性を示す図である。

【図９】従来の弾性表面波フィルタを説明する図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は（ａ）
のＺ−Ｚ’線断面図である。

【図１０】従来の弾性表面波フィルタのパッケージ側電
極構造を示す図であり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ平面
透視図、（ｃ）は底面図である。

【図１１】従来の弾性表面波フィルタのパッケージ側電
極構造を示す図であり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ平面
透視図、（ｃ）は底面図である。

【図１２】（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の弾性表面波
フィルタの伝送特性を示す図である。

【図１３】従来の弾性表面波フィルタの等価回路を示す
図である。

【図１４】（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の弾性表面波
フィルタの伝送特性を示す図である。

【図１５】従来の弾性表面波フィルタの等価回路を示す
図である。

【符号の説明】

１：弾性表面波フィルタ２：弾性表面波チップ３：パッケージ４：シールリング５：ボンディングワイヤ６，２４ａ：フィルタ１入力電極７，２４ｂ：フィルタ１出力電極８，２５ａ：フィルタ２入力電極９，２５ｂ：フィルタ２出力電極１０〜１３：グランド電極１４：インダクタンス素子１５：フィルタ１１６：フィルタ２１７，１８：ボンディングワイヤ及び電極のインダクタ
ンス１９，２０：ボンディングワイヤのインダクタンス２１，２２，２３：電極のインダクタンス２６ａ，２６ｂ：通過帯域２７ａ，２７ｂ：減衰域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板上に複数のＩＤＴ電極を接続し
た梯子型回路を形成してなるフィルタ素子の複数個をパ
ッケージ内に収容するとともに、各フィルタ素子の接地
電極を前記パッケージの複数箇所に形成した接地電極に
接続した弾性表面波装置であって、前記パッケージの複
数箇所に形成した接地電極どうしをインダクタンス素子
を介して接続したことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】圧電基板上に複数のＩＤＴ電極を接続し
た梯子型回路を複数領域に備えたフィルタ素子をパッケ
ージ内に収容するとともに、各梯子型回路の接地電極を
前記パッケージの複数箇所に形成した接地電極に接続し
た弾性表面波装置であって、前記パッケージの複数箇所
に形成した接地電極どうしをインダクタンス素子を介し
て接続したことを特徴とする弾性表面波装置。