JP2002076830A - Surface acoustic wave device and its manufacturing method - Google Patents

Surface acoustic wave device and its manufacturing method

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JP2002076830A
JP2002076830A JP2000253885A JP2000253885A JP2002076830A JP 2002076830 A JP2002076830 A JP 2002076830A JP 2000253885 A JP2000253885 A JP 2000253885A JP 2000253885 A JP2000253885 A JP 2000253885A JP 2002076830 A JP2002076830 A JP 2002076830A
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JP
Japan
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piezoelectric substrate
melt resin
base substrate
acoustic wave
substrate
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JP2000253885A
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Japanese (ja)
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Reiko Kobayashi
玲子 小林
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave device and its manufacturing method to enhance the workability and stably obtain the product with high quality. SOLUTION: An interdigital electrode 30 and a terminal electrode 31 are formed on one side of a piezoelectric substrate 29 and after the terminal electrode 31 of the piezoelectric substrate 29 and a conductor pattern of a base substrate 33 are connected via a bump 32, the piezoelectric substrate 29 is sealed to the base substrate 33 via a polyamide hot melt resin 35.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えばテレビジ
ョン受信機のような映像用機器の周波数フィルタ等に用
いられる弾性表面波装置及びその製造方法の改良に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device used for a frequency filter or the like of a video device such as a television receiver and an improvement of a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように、弾性表面波装置は、圧電
体上に形成された金属薄膜からなる櫛歯状電極(ID
T:Inter Digital Transducer)により、電気信号と弾
性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)との変換
を行ない、信号を送受信するデバイスである。
2. Description of the Related Art As is well known, a surface acoustic wave device is a comb-shaped electrode (ID) formed of a metal thin film formed on a piezoelectric body.
A device that converts an electric signal into a surface acoustic wave (SAW) and transmits / receives a signal by using an Inter Digital Transducer (T).

【0003】そして、この弾性表面波装置は、従来よ
り、例えば弾性表面波フィルタ、弾性表面波素子、遅延
回路等として幅広く使用され、特に、近年では、薄型化
・小型化が可能であるというメリットから、テレビジョ
ン受信機等の映像用機器の分野に、弾性表面波フィルタ
が広く採用されてきている。
[0003] This surface acoustic wave device has been widely used, for example, as a surface acoustic wave filter, a surface acoustic wave element, a delay circuit, and the like. Particularly, in recent years, there is an advantage that it can be made thinner and smaller. Therefore, surface acoustic wave filters have been widely used in the field of video equipment such as television receivers.

【0004】ところで、この分野の弾性表面波フィルタ
は、従来より、リードフレームを使用したSIP(Sing
le Inline Package)等のような、回路基板に挿入実装
するタイプのものが主流となっている。
Meanwhile, a surface acoustic wave filter in this field has conventionally been provided with a SIP (Singing) using a lead frame.
le Inline Package) and the like, which are inserted and mounted on a circuit board, have become mainstream.

【0005】これに対し、映像用機器にあっては、今
後、小型化・低価格化に向けて両面回路基板の導入が検
討されており、これに伴なって、弾性表面波フィルタと
しても回路基板に面実装するタイプのものが望まれてい
る。
On the other hand, in the case of video equipment, introduction of a double-sided circuit board has been studied in order to reduce the size and cost, and accordingly, a circuit as a surface acoustic wave filter has been developed. A type that is surface-mounted on a substrate is desired.

【0006】なお、従来のリードフレームを使用したタ
イプの変形として、DIP(DoubleInline Package)の
足を曲げてJリードとした構造のものもあるが、これ
は、パッケージの厚みを薄くすることができないという
欠点がある。
As a modification of the conventional type using a lead frame, there is a structure in which a leg of a DIP (Double Inline Package) is bent to form a J-lead. However, this cannot reduce the thickness of the package. There is a disadvantage that.

【0007】要するに、弾性表面波装置は、将来的にカ
ード内に収まる厚さにすることを目指しており、DIP
タイプの面実装品では、この目標を達成することが困難
となっている。
[0007] In short, the surface acoustic wave device aims to have a thickness that can be accommodated in the card in the future.
This type of goal is difficult to achieve with surface mount types.

【0008】そこで、現在では、圧電性基板上に櫛歯状
電極を形成してなる弾性表面波素子を、平板状のベース
基板にフェイスダウンボンディングし、これを保護部材
で覆う構造とすることにより、弾性表面波装置をより一
層薄型化するようにした、いわゆるフリップチップ実装
が行なわれている。
Therefore, at present, a surface acoustic wave element formed by forming a comb-shaped electrode on a piezoelectric substrate is face-down bonded to a flat base substrate, and this is covered by a protective member. So-called flip-chip mounting has been performed to further reduce the thickness of the surface acoustic wave device.

【0009】図3(a)〜(f)は、このフリップチッ
プ実装により弾性表面波装置を製造する方法を示してい
る。まず、図3(a)に示すように、圧電性基板11の
一方の面上に、アルミニウム(Al)等の金属薄膜によ
って櫛歯状電極12と端子電極13とを形成した後、図
3(b)に示すように、端子電極13上にバンプ14を
付着する。
FIGS. 3A to 3F show a method of manufacturing a surface acoustic wave device by this flip chip mounting. First, as shown in FIG. 3A, a comb-shaped electrode 12 and a terminal electrode 13 are formed on one surface of a piezoelectric substrate 11 by using a thin metal film such as aluminum (Al), and then, as shown in FIG. As shown in b), a bump 14 is attached on the terminal electrode 13.

【0010】そして、図3(c)に示すように、圧電性
基板11の櫛歯状電極12及び端子電極13の形成され
ている面を、ベース基板15に面対向させ、図3(d)
に示すように、バンプ14とベース基板15に形成され
た図示しない導電パターンとを接続して、ここに、弾性
表面波素子16が構成される。
Then, as shown in FIG. 3C, the surface of the piezoelectric substrate 11 on which the comb electrodes 12 and the terminal electrodes 13 are formed is opposed to the base substrate 15, and FIG.
As shown in FIG. 2, the bumps 14 are connected to conductive patterns (not shown) formed on the base substrate 15 to form a surface acoustic wave element 16.

【0011】その後、図3(e)に示すように、略箱状
に形成されたキャップ17の開口部に接着剤18を塗布
し、図3(f)に示すように、キャップ17をその内部
に圧電性基板11を収容するようにベース基板15に接
着して、ここに、圧電性基板11がベース基板15とキ
ャップ17とにより密閉封止される。
Thereafter, as shown in FIG. 3 (e), an adhesive 18 is applied to the opening of the cap 17 formed in a substantially box shape, and as shown in FIG. The piezoelectric substrate 11 is adhered to the base substrate 15 so as to accommodate the piezoelectric substrate 11, and the piezoelectric substrate 11 is hermetically sealed by the base substrate 15 and the cap 17.

【0012】また、図4(a)〜(g)は、フリップチ
ップ実装により弾性表面波装置を製造する他の方法を示
している。まず、図4(a)に示すように、圧電性基板
19の一方の面上に、櫛歯状電極20と端子電極21と
を形成した後、図4(b)に示すように、圧電性基板1
9の外周に沿って櫛歯状電極20及び端子電極21を取
り囲むように、環状のダム22を形成する。
FIGS. 4A to 4G show another method of manufacturing a surface acoustic wave device by flip-chip mounting. First, as shown in FIG. 4A, after a comb-shaped electrode 20 and a terminal electrode 21 are formed on one surface of a piezoelectric substrate 19, as shown in FIG. Substrate 1
An annular dam 22 is formed so as to surround the comb-tooth electrode 20 and the terminal electrode 21 along the outer periphery of 9.

【0013】そして、図4(c)に示すように、端子電
極21上にバンプ23を付着し、図4(d)に示すよう
に、圧電性基板19の櫛歯状電極20及び端子電極21
の形成されている面を、ベース基板24に面対向させ、
図4(e)に示すように、バンプ23とベース基板24
に形成された図示しない導電パターンとを接続して、こ
こに、弾性表面波素子25が構成される。
Then, as shown in FIG. 4 (c), a bump 23 is attached on the terminal electrode 21, and as shown in FIG. 4 (d), the comb-shaped electrode 20 and the terminal electrode 21 of the piezoelectric substrate 19 are formed.
Is formed to face the base substrate 24,
As shown in FIG. 4E, the bump 23 and the base substrate 24
Is connected to a conductive pattern (not shown) formed on the surface of the substrate to form a surface acoustic wave element 25.

【0014】この場合、ダム22は、ベース基板24に
密接されており、これによって、圧電性基板19の櫛歯
状電極20及び端子電極21は、圧電性基板19自体
と、ダム22と、ベース基板24とによって密閉封止さ
れる。
In this case, the dam 22 is in close contact with the base substrate 24, so that the comb-shaped electrodes 20 and the terminal electrodes 21 of the piezoelectric substrate 19 are connected to the piezoelectric substrate 19 itself, the dam 22 and the base. It is hermetically sealed with the substrate 24.

【0015】その後、図4(f)に示すように、圧電性
基板19側からエポキシ樹脂26を流し込み、圧電性基
板19とベース基板24とを一体化させるように固め
る。この場合、上記ダム22によって、エポキシ樹脂2
6が櫛歯状電極20及び端子電極21に流れ込むことが
防止されている。
Thereafter, as shown in FIG. 4F, an epoxy resin 26 is poured from the piezoelectric substrate 19 side, and the piezoelectric substrate 19 and the base substrate 24 are solidified so as to be integrated. In this case, the dam 22 causes the epoxy resin 2
6 is prevented from flowing into the comb-shaped electrode 20 and the terminal electrode 21.

【0016】そして、エポキシ樹脂26が固化された
後、ベース基板24の端部からはみだしたばり部分27
や、ベース基板24の裏面に回り込んだ不要部分28等
を除去し、ここに、図4(g)に示すように、圧電性基
板19がベース基板24とエポキシ樹脂26とにより密
閉封止される。
After the epoxy resin 26 is solidified, the protruding portion 27 protruding from the end of the base substrate 24 is formed.
In addition, unnecessary portions 28 and the like that have wrapped around the back surface of the base substrate 24 are removed, and the piezoelectric substrate 19 is hermetically sealed with the base substrate 24 and the epoxy resin 26 as shown in FIG. You.

【0017】しかしながら、まず、図3に示した弾性表
面波装置の製造方法では、個片であるキャップ17の取
り扱いや、キャップ17またはベース基板15に接着剤
18を塗布する作業等が非常に煩わしいとともに、接着
剤18の塗布状態によっては密閉封止されない不良品が
発生する可能性が高いという問題が生じている。
However, first, in the method of manufacturing the surface acoustic wave device shown in FIG. 3, handling of the cap 17, which is an individual piece, and applying the adhesive 18 to the cap 17 or the base substrate 15 are very troublesome. At the same time, there is a problem that a defective product that is not hermetically sealed is likely to be generated depending on the application state of the adhesive 18.

【0018】また、図4に示した弾性表面波装置の製造
方法では、ベース基板19にダム22を形成する工程、
ばり部分27や不要部分28等を除去する工程等が増え
るとともに、ダム22の高さとバンプ23の高さとのバ
ランスをとるのが難しく、品質管理が困難であるという
問題が生じている。
Further, in the method of manufacturing the surface acoustic wave device shown in FIG.
The number of steps for removing the burrs 27 and the unnecessary portions 28 and the like increase, and it is difficult to balance the height of the dam 22 and the height of the bumps 23, which causes a problem that quality control is difficult.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
弾性表面波装置の製造方法では、工程数が多くかつ煩雑
で作業性も悪く、製品の品質も低下し易いという問題を
有している。
As described above, the conventional method of manufacturing a surface acoustic wave device has a problem that the number of steps is large, the operation is complicated, the workability is poor, and the quality of the product is liable to deteriorate. I have.

【0020】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、作業性を向上させ、しかも高品質の製品
を安定に得ることを可能とした極めて良好な弾性表面波
装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, and has an extremely good surface acoustic wave device which can improve workability and can stably obtain a high quality product, and a method of manufacturing the same. The purpose is to provide.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】この発明に係る弾性表面
波装置は、一方の面に櫛歯状電極及び端子電極が形成さ
れた圧電性基板と、この圧電性基板の端子電極にバンプ
を介して接続される導電パターンの形成されたベース基
板と、圧電性基板をベース基板に封止するポリアミド系
のホットメルト樹脂とを備えるようにしたものである。
A surface acoustic wave device according to the present invention comprises a piezoelectric substrate having a comb-shaped electrode and a terminal electrode formed on one surface, and a bump provided on the terminal electrode of the piezoelectric substrate. A base substrate having a conductive pattern formed thereon and a polyamide hot melt resin for sealing the piezoelectric substrate to the base substrate.

【0022】また、この発明に係る弾性表面波装置の製
造方法は、圧電性基板の一方の面に櫛歯状電極及び端子
電極を形成する第1の工程と、この第1の工程の後、圧
電性基板の端子電極とベース基板の導電パターンとをバ
ンプを介して接続する第2の工程と、この第2の工程の
後、ポリアミド系のホットメルト樹脂を介して圧電性基
板をベース基板に封止する第3の工程とを経るようにし
たものである。
Further, according to a method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, a first step of forming a comb-shaped electrode and a terminal electrode on one surface of a piezoelectric substrate, and after the first step, A second step of connecting the terminal electrodes of the piezoelectric substrate to the conductive patterns of the base substrate via bumps; and, after the second step, the piezoelectric substrate is connected to the base substrate via a polyamide-based hot melt resin. The third step of sealing is performed.

【0023】さらに、この発明に係る弾性表面波装置の
製造方法は、圧電性基板の一方の面に櫛歯状電極及び端
子電極を形成する第1の工程と、この第1の工程の後、
圧電性基板の一方の面の所定位置に吸音材を形成する第
2の工程と、この第2の工程の後、圧電性基板の端子電
極とベース基板の導電パターンとをバンプを介して接続
する第3の工程と、この第3の工程の後、ポリアミド系
のホットメルト樹脂を介して圧電性基板をベース基板に
封止する第4の工程とを経るようにしたものである。
Further, in the method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, a first step of forming a comb-like electrode and a terminal electrode on one surface of a piezoelectric substrate, and after the first step,
A second step of forming a sound absorbing material at a predetermined position on one surface of the piezoelectric substrate, and after the second step, connecting the terminal electrodes of the piezoelectric substrate to the conductive patterns of the base substrate via bumps. The third step and, after the third step, a fourth step of sealing the piezoelectric substrate to the base substrate via a polyamide hot melt resin.

【0024】上記のような構成及び方法によれば、ポリ
アミド系のホットメルト樹脂により圧電性基板をベース
基板に封止するようにしている。このポリアミド系のホ
ットメルト樹脂35は、熱によって、その流動性を制御
することが可能な樹脂である。このため、例えば、シー
ト状に固化したポリアミド系のホットメルト樹脂を、圧
電性基板の櫛歯状電極及び端子電極の形成されていない
面に乗せ、熱により流動性を制御しながら溶解させる
と、ホットメルト樹脂が圧電性基板の周縁からベース基
板上に垂れ下がり、この状態で固化させることにより圧
電性基板とベース基板とを一体化させることができる。
According to the above configuration and method, the piezoelectric substrate is sealed to the base substrate with a polyamide hot melt resin. This polyamide-based hot melt resin 35 is a resin whose fluidity can be controlled by heat. For this reason, for example, when a polyamide-based hot melt resin solidified in a sheet shape is placed on the surface of the piezoelectric substrate on which the comb-shaped electrodes and terminal electrodes are not formed, and melted while controlling the fluidity by heat, The hot melt resin hangs down from the periphery of the piezoelectric substrate onto the base substrate, and is solidified in this state, whereby the piezoelectric substrate and the base substrate can be integrated.

【0025】このとき、圧電性基板の周縁からベース基
板上に垂れ下がるときの、ホットメルト樹脂の流動性を
熱制御することにより、従来のように、圧電性基板上に
ダムを形成しなくても、ホットメルト樹脂が櫛歯状電極
及び端子電極にまで流れ込まないようにすることがで
き、ダムを形成する工程が必要なくなる。また、このポ
リアミド系のホットメルト樹脂は、従来のエポキシ樹脂
のように、固化された後に、ばり部分やベース基板に回
り込んだ不要部分等が発生せず、ばり部分や不要部分を
除去する工程が必要がなくなる。
At this time, by controlling the fluidity of the hot melt resin when it hangs down from the peripheral edge of the piezoelectric substrate onto the base substrate, it is possible to eliminate the need for forming a dam on the piezoelectric substrate as in the conventional case. In addition, the hot melt resin can be prevented from flowing into the comb-shaped electrode and the terminal electrode, and the step of forming a dam is not required. In addition, this polyamide-based hot-melt resin is a process of removing the burrs and unnecessary portions after the solidification, as in a conventional epoxy resin, without generating any burrs or unnecessary portions wrapping around the base substrate. Is no longer necessary.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して詳細に説明する。まず、図1(a)
に示すように、圧電性基板29の一方の面上に、櫛歯状
電極30と端子電極31とを形成した後、図1(b)に
示すように、端子電極31上に金属製のバンプ32をボ
ンディングまたはスクリーン印刷等にて形成する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. First, FIG.
As shown in FIG. 1, after a comb-shaped electrode 30 and a terminal electrode 31 are formed on one surface of a piezoelectric substrate 29, a metal bump is formed on the terminal electrode 31 as shown in FIG. 32 is formed by bonding or screen printing or the like.

【0027】そして、図1(c)に示すように、圧電性
基板29の櫛歯状電極30及び端子電極31の形成され
ている面を、ベース基板33に面対向させ、図1(d)
に示すように、バンプ32とベース基板33に形成され
た図示しない導電パターンとを接続して、ここに、弾性
表面波素子34が構成される。
Then, as shown in FIG. 1C, the surface of the piezoelectric substrate 29 on which the comb-shaped electrodes 30 and the terminal electrodes 31 are formed is made to face the base substrate 33, and FIG.
As shown in (1), the bump 32 and the conductive pattern (not shown) formed on the base substrate 33 are connected, and the surface acoustic wave element 34 is formed here.

【0028】その後、図1(e)に示すように、ポリア
ミド系のホットメルト樹脂35によって、圧電性基板2
9とベース基板33とを一体化させるように固める。こ
のポリアミド系のホットメルト樹脂35は、熱によっ
て、その流動性を制御することが可能な樹脂である。
After that, as shown in FIG. 1E, the piezoelectric substrate 2 is
9 and the base substrate 33 are solidified so as to be integrated. This polyamide-based hot melt resin 35 is a resin whose fluidity can be controlled by heat.

【0029】この場合、例えば、シート状に固化したポ
リアミド系のホットメルト樹脂35を、図1(d)に示
す状態の圧電性基板29の、櫛歯状電極30及び端子電
極31の形成されていない面に乗せ、熱により流動性を
制御しながら溶解させる。すると、ホットメルト樹脂3
5が、圧電性基板29の周縁からベース基板33上に垂
れ下がり、この状態で固化させることにより、図1
(e)に示すように、圧電性基板29とベース基板33
とを一体化させることができる。
In this case, for example, a hot melt resin 35 made of a polyamide solidified in a sheet shape is formed on the piezoelectric substrate 29 in the state shown in FIG. And dissolve it while controlling the fluidity by heat. Then, hot melt resin 3
5 hangs down from the periphery of the piezoelectric substrate 29 onto the base substrate 33 and is solidified in this state.
As shown in (e), the piezoelectric substrate 29 and the base substrate 33
Can be integrated.

【0030】このとき、圧電性基板29の周縁からベー
ス基板33上に垂れ下がるときの、ホットメルト樹脂3
5の流動性を熱制御することにより、従来のように、圧
電性基板19上にダム22を形成しなくても、ホットメ
ルト樹脂35が櫛歯状電極30及び端子電極31にまで
流れ込まないようにすることができ、ダム22を形成す
る工程が必要なくなる。
At this time, when the hot melt resin 3 hangs down from the peripheral edge of the piezoelectric substrate 29 onto the base substrate 33.
By controlling the fluidity of the piezoelectric element 5 by heat, the hot melt resin 35 is prevented from flowing into the comb-shaped electrode 30 and the terminal electrode 31 even if the dam 22 is not formed on the piezoelectric substrate 19 as in the related art. Therefore, the step of forming the dam 22 is not required.

【0031】また、このポリアミド系のホットメルト樹
脂35のように、熱によって流動性が制御できる樹脂を
用いることにより、従来のエポキシ樹脂26のように、
固化された後に、ばり部分27やベース基板24に回り
込んだ不要部分28等が発生せず、ばり部分27や不要
部分28を除去する工程が必要がなくなる。
Also, by using a resin whose fluidity can be controlled by heat, such as the polyamide hot melt resin 35, the conventional epoxy resin 26
After the solidification, the burrs 27 and the unnecessary portions 28 wrapping around the base substrate 24 are not generated, and the step of removing the burrs 27 and the unnecessary portions 28 is not required.

【0032】さらに、このポリアミド系のホットメルト
樹脂35は、接着効果があり、しかも吸水率が低いとい
う性質を有するので、圧電性基板29を良好に密閉封止
することが可能である。
Further, since the polyamide-based hot melt resin 35 has an adhesive effect and a property of low water absorption, the piezoelectric substrate 29 can be sealed and sealed well.

【0033】なお、圧電性基板29をベース基板33上
に封止する際に、圧電性基板29の櫛歯状電極30及び
端子電極31の形成されていない面を、全てポリアミド
系のホットメルト樹脂35で覆う必要はない。つまり、
少なくとも圧電性基板29の周囲とベース基板33とが
ホットメルト樹脂35によって接続されていれば良いも
ので、圧電性基板29の櫛歯状電極30及び端子電極3
1の形成されていない面は、露出されていても良い。
When the piezoelectric substrate 29 is sealed on the base substrate 33, the surface of the piezoelectric substrate 29 on which the comb-shaped electrodes 30 and the terminal electrodes 31 are not formed is entirely made of a polyamide hot melt resin. It is not necessary to cover with 35. That is,
It is sufficient that at least the periphery of the piezoelectric substrate 29 and the base substrate 33 are connected by the hot melt resin 35, and the comb-shaped electrode 30 and the terminal electrode 3 of the piezoelectric substrate 29
The surface where 1 is not formed may be exposed.

【0034】また、図2は、上記圧電性基板29の外周
部分に、弾性表面波を吸収するための吸音材36を形成
した状態を示している。すなわち、先に図4に示した従
来の弾性表面波装置の製造方法では、ダム22に弾性表
面波の吸音機能を持たせることも行なわれている。とこ
ろが、ダム22は、エポキシ樹脂26が電極20,21
に流れ込むことを阻止する役目があるため、圧電性基板
19の外周に沿って環状に形成される必要がある。
FIG. 2 shows a state in which a sound absorbing material 36 for absorbing surface acoustic waves is formed on the outer peripheral portion of the piezoelectric substrate 29. That is, in the conventional method of manufacturing the surface acoustic wave device shown in FIG. 4, the dam 22 is also provided with a surface acoustic wave sound absorbing function. However, the dam 22 has a structure in which the epoxy resin 26 has the electrodes 20 and 21.
Therefore, the piezoelectric substrate 19 needs to be formed in an annular shape along the outer periphery of the piezoelectric substrate 19 because it serves to prevent the piezoelectric substrate 19 from flowing into the piezoelectric substrate 19.

【0035】これに対し、ポリアミド系のホットメルト
樹脂35を用いて、ダム22を不要とすることにより、
吸音材36を圧電性基板29上の必要な部分にのみ形成
すればよいようになり、このような点でも、作業の簡略
化及び品質の向上を図ることができるようになる。
On the other hand, by using the polyamide-based hot melt resin 35 and making the dam 22 unnecessary,
It is only necessary to form the sound absorbing material 36 only on a necessary portion on the piezoelectric substrate 29. In such a point, the operation can be simplified and the quality can be improved.

【0036】この場合、吸音材36は、図1(a)に示
すように、圧電性基板29上に櫛歯状電極30及び端子
電極31を形成した後に形成され、その後、図1(b)
に示すように、端子電極31上にバンプ32が形成され
る。
In this case, the sound absorbing material 36 is formed after the comb-shaped electrode 30 and the terminal electrode 31 are formed on the piezoelectric substrate 29 as shown in FIG. 1A, and thereafter, as shown in FIG.
As shown in FIG. 5, a bump 32 is formed on the terminal electrode 31.

【0037】なお、この発明は上記した実施の形態に限
定されるものではなく、この外その要旨を逸脱しない範
囲で種々変形して実施することができる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified and implemented without departing from the scope of the invention.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
作業性を向上させ、しかも高品質の製品を安定に得るこ
とを可能とした極めて良好な弾性表面波装置及びその製
造方法を提供することができる。
As described in detail above, according to the present invention,
It is possible to provide a very good surface acoustic wave device which can improve workability and stably obtain a high-quality product, and a method for manufacturing the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明に係る弾性表面波装置及びその製造方
法の実施の形態を説明するために示す図。
FIG. 1 is a view for explaining an embodiment of a surface acoustic wave device and a method of manufacturing the same according to the present invention.

【図2】同実施の形態における吸音材の配置を説明する
ために示す平面図。
FIG. 2 is a plan view shown for explaining the arrangement of the sound absorbing material in the embodiment.

【図3】従来の弾性表面波装置の製造方法を説明するた
めに示す図。
FIG. 3 is a view for explaining a method of manufacturing a conventional surface acoustic wave device.

【図4】従来の弾性表面波装置の他の製造方法を説明す
るために示す図。
FIG. 4 is a view for explaining another method for manufacturing a conventional surface acoustic wave device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…圧電性基板、 12…櫛歯状電極、 13…端子電極、 14…バンプ、 15…ベース基板、 16…弾性表面波素子、 17…キャップ、 18…接着剤、 19…圧電性基板、 20…櫛歯状電極、 21…端子電極、 22…ダム、 23…バンプ、 24…ベース基板、 25…弾性表面波素子、 26…エポキシ樹脂、 27…ばり部分、 28…不要部分、 29…圧電性基板、 30…櫛歯状電極、 31…端子電極、 32…バンプ、 33…ベース基板、 34…弾性表面波素子、 35…ホットメルト樹脂、 36…吸音材。 Reference Signs List 11: piezoelectric substrate, 12: comb-shaped electrode, 13: terminal electrode, 14: bump, 15: base substrate, 16: surface acoustic wave element, 17: cap, 18: adhesive, 19: piezoelectric substrate, 20 ... comb-shaped electrode, 21 ... terminal electrode, 22 ... dam, 23 ... bump, 24 ... base substrate, 25 ... surface acoustic wave element, 26 ... epoxy resin, 27 ... burr, 28 ... unnecessary part, 29 ... piezoelectric Substrate, 30: Comb-shaped electrode, 31: Terminal electrode, 32: Bump, 33: Base substrate, 34: Surface acoustic wave element, 35: Hot melt resin, 36: Sound absorbing material.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一方の面に櫛歯状電極及び端子電極が形
成された圧電性基板と、この圧電性基板の端子電極にバ
ンプを介して接続される導電パターンの形成されたベー
ス基板と、前記圧電性基板を前記ベース基板に封止する
ポリアミド系のホットメルト樹脂とを具備してなること
を特徴とする弾性表面波装置。
A piezoelectric substrate having a comb-shaped electrode and a terminal electrode formed on one surface; a base substrate having a conductive pattern connected to the terminal electrode of the piezoelectric substrate via a bump; A surface acoustic wave device comprising: a polyamide-based hot melt resin for sealing the piezoelectric substrate to the base substrate.
【請求項2】 前記ホットメルト樹脂は、前記圧電性基
板の他方の面を全て覆い、該圧電性基板の周縁から前記
ベース基板上に達していることを特徴とする請求項1記
載の弾性表面波装置。
2. The elastic surface according to claim 1, wherein the hot melt resin covers the entire other surface of the piezoelectric substrate, and extends from a peripheral edge of the piezoelectric substrate onto the base substrate. Wave device.
【請求項3】 圧電性基板の一方の面に櫛歯状電極及び
端子電極を形成する第1の工程と、この第1の工程の
後、前記圧電性基板の端子電極とベース基板の導電パタ
ーンとをバンプを介して接続する第2の工程と、この第
2の工程の後、ポリアミド系のホットメルト樹脂を介し
て前記圧電性基板を前記ベース基板に封止する第3の工
程とを経ることを特徴とする弾性表面波装置の製造方
法。
3. A first step of forming a comb-like electrode and a terminal electrode on one surface of a piezoelectric substrate, and after the first step, a terminal pattern of the piezoelectric substrate and a conductive pattern of a base substrate. Through a bump, and after this second step, a third step of sealing the piezoelectric substrate to the base substrate via a polyamide-based hot melt resin. A method for manufacturing a surface acoustic wave device.
【請求項4】 前記第3の工程は、シート状に固化した
前記ポリアミド系のホットメルト樹脂を前記圧電性基板
の他方の面に乗せ、該ホットメルト樹脂を熱により流動
性を制御しながら溶解させることにより、前記ホットメ
ルト樹脂を前記圧電性基板の周縁からベース基板上に垂
れ下がらせることを特徴とする請求項3記載の弾性表面
波装置の製造方法。
4. The third step comprises placing the polyamide-based hot melt resin solidified in a sheet shape on the other surface of the piezoelectric substrate, and melting the hot melt resin while controlling the fluidity by heat. The method of manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 3, wherein the hot-melt resin is caused to hang down from a peripheral edge of the piezoelectric substrate onto the base substrate.
【請求項5】 圧電性基板の一方の面に櫛歯状電極及び
端子電極を形成する第1の工程と、この第1の工程の
後、前記圧電性基板の一方の面の所定位置に吸音材を形
成する第2の工程と、この第2の工程の後、前記圧電性
基板の端子電極とベース基板の導電パターンとをバンプ
を介して接続する第3の工程と、この第3の工程の後、
ポリアミド系のホットメルト樹脂を介して前記圧電性基
板を前記ベース基板に封止する第4の工程とを経ること
を特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
5. A first step of forming a comb-like electrode and a terminal electrode on one surface of a piezoelectric substrate, and after the first step, a sound absorption at a predetermined position on one surface of the piezoelectric substrate. A second step of forming a material, a third step of connecting a terminal electrode of the piezoelectric substrate and a conductive pattern of the base substrate via a bump after the second step, and a third step After,
And a fourth step of sealing the piezoelectric substrate to the base substrate via a polyamide-based hot-melt resin.
【請求項6】 前記第4の工程は、シート状に固化した
前記ポリアミド系のホットメルト樹脂を前記圧電性基板
の他方の面に乗せ、該ホットメルト樹脂を熱により流動
性を制御しながら溶解させることにより、前記ホットメ
ルト樹脂を前記圧電性基板の周縁からベース基板上に垂
れ下がらせることを特徴とする請求項5記載の弾性表面
波装置の製造方法。
6. In the fourth step, the polyamide-based hot melt resin solidified into a sheet is placed on the other surface of the piezoelectric substrate, and the hot melt resin is melted while controlling fluidity by heat. The method of manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 5, wherein the hot-melt resin is caused to hang down from a peripheral edge of the piezoelectric substrate onto the base substrate.
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