JP2002076320A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JP2002076320A JP2002076320A JP2000257465A JP2000257465A JP2002076320A JP 2002076320 A JP2002076320 A JP 2002076320A JP 2000257465 A JP2000257465 A JP 2000257465A JP 2000257465 A JP2000257465 A JP 2000257465A JP 2002076320 A JP2002076320 A JP 2002076320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- solid
- shunt wiring
- insulating film
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 101150000715 DA18 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100219325 Phaseolus vulgaris BA13 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線の伝搬遅延を防止して良好な伝搬特性を
有すると共に、安定して歩留まり良く製造することが可
能な構造の固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 画素がマトリクス状に配置され、各画素
列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタ
が設けられ、垂直転送レジスタの転送電極11A,11
Bにシャント配線14が接続され、シャント配線14が
平坦に形成されている固体撮像素子を構成する。
有すると共に、安定して歩留まり良く製造することが可
能な構造の固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 画素がマトリクス状に配置され、各画素
列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタ
が設けられ、垂直転送レジスタの転送電極11A,11
Bにシャント配線14が接続され、シャント配線14が
平坦に形成されている固体撮像素子を構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、転送レジスタに接
続してシャント配線を形成して成る固体撮像素子に係わ
る。
続してシャント配線を形成して成る固体撮像素子に係わ
る。
【0002】
【従来の技術】固体撮像素子例えばCCD固体撮像素子
において、垂直転送クロックの伝搬遅延を抑制する目的
で、転送電極に接続してシャント配線を設けている構成
が採用されている。
において、垂直転送クロックの伝搬遅延を抑制する目的
で、転送電極に接続してシャント配線を設けている構成
が採用されている。
【0003】従来、このシャント配線を形成する方法と
しては、転送電極上に絶縁膜を熱酸化法や化学的気相成
長(CVD)法等により形成し、絶縁膜にコンタクトホ
ールを形成した後にシャント配線の材料を堆積させる方
法が採られていた。
しては、転送電極上に絶縁膜を熱酸化法や化学的気相成
長(CVD)法等により形成し、絶縁膜にコンタクトホ
ールを形成した後にシャント配線の材料を堆積させる方
法が採られていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この形
成方法によれば、シャント配線が下地の形状の影響をま
ともに受けて、シャント配線の断面形状が起伏に富んだ
ものとなる。シャント配線が起伏に富んだ形状である場
合、湾曲部分の配線抵抗が高くなり、固体撮像素子の駆
動周波数が高くなるにつれて配線の伝搬特性が悪化す
る。
成方法によれば、シャント配線が下地の形状の影響をま
ともに受けて、シャント配線の断面形状が起伏に富んだ
ものとなる。シャント配線が起伏に富んだ形状である場
合、湾曲部分の配線抵抗が高くなり、固体撮像素子の駆
動周波数が高くなるにつれて配線の伝搬特性が悪化す
る。
【0005】また、製造プロセスの安定性という観点か
ら考えると、起伏のある場所へ成膜した場合には、膜の
密着性が場所によって変わってしまうため、場所によっ
て膜厚が変わったり、膜が剥がれやすくなったりすると
いった問題が生じる。さらには、配線のマイグレーショ
ン耐性も悪化するという問題がある。
ら考えると、起伏のある場所へ成膜した場合には、膜の
密着性が場所によって変わってしまうため、場所によっ
て膜厚が変わったり、膜が剥がれやすくなったりすると
いった問題が生じる。さらには、配線のマイグレーショ
ン耐性も悪化するという問題がある。
【0006】さらに、シャント配線とコンタクトさせな
い転送電極は異なる相の駆動クロックが印加される異相
電極であるが、この異相電極とシャント配線との間に
は、上述の熱酸化又はCVD法により形成された薄い絶
縁膜しか存在しない。このため、異相電極間の容量が大
きくなって、配線の伝搬特性を悪化させてしまう。
い転送電極は異なる相の駆動クロックが印加される異相
電極であるが、この異相電極とシャント配線との間に
は、上述の熱酸化又はCVD法により形成された薄い絶
縁膜しか存在しない。このため、異相電極間の容量が大
きくなって、配線の伝搬特性を悪化させてしまう。
【0007】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、配線の伝搬遅延を防止して良好な伝搬特性を有
すると共に、安定して歩留まり良く製造することが可能
な構造の固体撮像素子を提供するものである。
いては、配線の伝搬遅延を防止して良好な伝搬特性を有
すると共に、安定して歩留まり良く製造することが可能
な構造の固体撮像素子を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、画素がマトリクス状に配置され、各画素列毎に蓄積
された信号電荷を転送する垂直転送レジスタが設けら
れ、垂直転送レジスタの転送電極にシャント配線が接続
され、このシャント配線が平坦に形成されているもので
ある。
は、画素がマトリクス状に配置され、各画素列毎に蓄積
された信号電荷を転送する垂直転送レジスタが設けら
れ、垂直転送レジスタの転送電極にシャント配線が接続
され、このシャント配線が平坦に形成されているもので
ある。
【0009】上述の本発明の構成によれば、シャント配
線が平坦に形成されていることにより、配線形状による
抵抗値の上昇を抑えることができ、シャント配線を低抵
抗化することができる。
線が平坦に形成されていることにより、配線形状による
抵抗値の上昇を抑えることができ、シャント配線を低抵
抗化することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明は、画素がマトリクス状に
配置され、各画素列毎に蓄積された信号電荷を転送する
垂直転送レジスタが設けられ、垂直転送レジスタの転送
電極にシャント配線が接続され、シャント配線が平坦に
形成されている固体撮像素子である。
配置され、各画素列毎に蓄積された信号電荷を転送する
垂直転送レジスタが設けられ、垂直転送レジスタの転送
電極にシャント配線が接続され、シャント配線が平坦に
形成されている固体撮像素子である。
【0011】図1は、本発明の一実施の形態のCCD固
体撮像素子の概略構成図(平面図)を示す。本実施の形
態はフレームインターライン型のCCD固体撮像素子に
本発明を適用した場合である。このCCD固体撮像素子
は、4相による駆動がなされ、2層の転送電極(例えば
多結晶シリコン層)を有するものである。図1中垂直方
向Vが垂直転送レジスタの転送方向であり、水平方向H
が水平転送レジスタの転送方向となる。
体撮像素子の概略構成図(平面図)を示す。本実施の形
態はフレームインターライン型のCCD固体撮像素子に
本発明を適用した場合である。このCCD固体撮像素子
は、4相による駆動がなされ、2層の転送電極(例えば
多結晶シリコン層)を有するものである。図1中垂直方
向Vが垂直転送レジスタの転送方向であり、水平方向H
が水平転送レジスタの転送方向となる。
【0012】このCCD固体撮像素子1は、画素に対応
してフォトダイオードから成るセンサ部2が多数マトリ
クス状に配置され、各センサ部2列の一側に垂直方向V
にCCD構造の垂直転送レジスタ10が設けられてい
る。垂直転送レジスタ10には、それぞれ4相駆動の1
相に対応し、2層の多結晶シリコン層から成る転送電極
11(11A,11B)が形成されている。
してフォトダイオードから成るセンサ部2が多数マトリ
クス状に配置され、各センサ部2列の一側に垂直方向V
にCCD構造の垂直転送レジスタ10が設けられてい
る。垂直転送レジスタ10には、それぞれ4相駆動の1
相に対応し、2層の多結晶シリコン層から成る転送電極
11(11A,11B)が形成されている。
【0013】また、全体を遮光膜3が覆っており、セン
サ部2上には図中鎖線で示すように遮光膜3に矩形の開
口3aが形成されて、センサ部2に光が入射するように
なっている。
サ部2上には図中鎖線で示すように遮光膜3に矩形の開
口3aが形成されて、センサ部2に光が入射するように
なっている。
【0014】各センサ部2の図中右側(場合によっては
左側でもよい)にはチャネルストップ領域(図示せず)
が形成され、センサ部2を挟んでその反対側には読み出
し領域が形成される。
左側でもよい)にはチャネルストップ領域(図示せず)
が形成され、センサ部2を挟んでその反対側には読み出
し領域が形成される。
【0015】そして、各転送電極11(11A,11
B)には、例えばアルミやタングステン等の低抵抗の金
属配線から成るシャント配線14がコンタクト部15を
介して接続されている。このシャント配線14は、垂直
方向Vに直線状のパターンに形成されている。これによ
り、転送電極11A,11Bの配線抵抗をシャント配線
14により低減することができるため、伝搬遅延を抑制
して、高速転送を行うことが可能になる。
B)には、例えばアルミやタングステン等の低抵抗の金
属配線から成るシャント配線14がコンタクト部15を
介して接続されている。このシャント配線14は、垂直
方向Vに直線状のパターンに形成されている。これによ
り、転送電極11A,11Bの配線抵抗をシャント配線
14により低減することができるため、伝搬遅延を抑制
して、高速転送を行うことが可能になる。
【0016】図1に示すように、コンタクト部15は、
平面上斜めに並んだ配置となっており、垂直転送レジス
タ10がH方向に1つずれた場合、コンタクト部15は
転送電極1つ分だけV方向にずれる。
平面上斜めに並んだ配置となっており、垂直転送レジス
タ10がH方向に1つずれた場合、コンタクト部15は
転送電極1つ分だけV方向にずれる。
【0017】下層の第1層の転送電極11Aには第2相
のクロック信号φV2或いは第4相のクロック信号φV
4が、上層の第2層の転送電極11Bには第1相のクロ
ック信号φV1或いは第3相のクロック信号φV3が、
それぞれ所定のシャント配線14を介して供給される。
のクロック信号φV2或いは第4相のクロック信号φV
4が、上層の第2層の転送電極11Bには第1相のクロ
ック信号φV1或いは第3相のクロック信号φV3が、
それぞれ所定のシャント配線14を介して供給される。
【0018】ここで、図4を用いて、従来のシャント配
線の形成方法を説明する。図4A〜図4Cは、図1に示
す平面構成を有するCCD固体撮像素子を従来の製法に
より形成する場合の工程図を示す。まず、図4Aに示す
ように、半導体基板4上に薄いゲート絶縁膜5を介し
て、第1層の転送電極11A及び第2層の転送電極11
Bを形成し、その後転送電極11A,11Bの表面を覆
うように絶縁膜31を成膜する。この絶縁膜31は、例
えば転送電極11A,11Bの多結晶シリコン層の表面
の熱酸化により、また例えばCVD法による絶縁膜の成
膜により、形成することができる。
線の形成方法を説明する。図4A〜図4Cは、図1に示
す平面構成を有するCCD固体撮像素子を従来の製法に
より形成する場合の工程図を示す。まず、図4Aに示す
ように、半導体基板4上に薄いゲート絶縁膜5を介し
て、第1層の転送電極11A及び第2層の転送電極11
Bを形成し、その後転送電極11A,11Bの表面を覆
うように絶縁膜31を成膜する。この絶縁膜31は、例
えば転送電極11A,11Bの多結晶シリコン層の表面
の熱酸化により、また例えばCVD法による絶縁膜の成
膜により、形成することができる。
【0019】次に、絶縁膜31に第1層の転送電極11
Aに達するコンタクトホールを形成する。このとき、図
示しない断面において、第2層の転送電極11Bに達す
るコンタクトホールも形成する。その後、これらコンタ
クトホールを埋めるように、全面的にアルミニウムやタ
ングステン等低抵抗の金属膜を成膜し、所定のパターン
にパターニングしてシャント配線14を形成する。コン
タクトホール内にもシャント配線14の材料が埋められ
てコンタクト部15が形成される。次に、図4Bに示す
ように、シャント配線14を覆って絶縁膜(層間絶縁
膜)32を形成する。
Aに達するコンタクトホールを形成する。このとき、図
示しない断面において、第2層の転送電極11Bに達す
るコンタクトホールも形成する。その後、これらコンタ
クトホールを埋めるように、全面的にアルミニウムやタ
ングステン等低抵抗の金属膜を成膜し、所定のパターン
にパターニングしてシャント配線14を形成する。コン
タクトホール内にもシャント配線14の材料が埋められ
てコンタクト部15が形成される。次に、図4Bに示す
ように、シャント配線14を覆って絶縁膜(層間絶縁
膜)32を形成する。
【0020】続いて、絶縁膜32上にアルミニウムやタ
ングステン膜を所定のパターンに形成して遮光膜3を形
成する。次に、図4Cに示すように、遮光膜3を覆って
絶縁膜32を形成する。
ングステン膜を所定のパターンに形成して遮光膜3を形
成する。次に、図4Cに示すように、遮光膜3を覆って
絶縁膜32を形成する。
【0021】図4Cに示すように、この製法によりシャ
ント配線14を形成した場合、シャント配線14の形状
が下地の影響をまともに受け、起伏に富んだものとなっ
てしまう。このように起伏に富んだシャント配線14
は、部分的に抵抗が高くなり、固体撮像素子を高い駆動
周波数で動作させるときに、伝搬遅延の問題を生じるも
のである。また、段差部でのカバレージが悪いために、
マイグレーションによる配線の断線という問題も考えら
れる。
ント配線14を形成した場合、シャント配線14の形状
が下地の影響をまともに受け、起伏に富んだものとなっ
てしまう。このように起伏に富んだシャント配線14
は、部分的に抵抗が高くなり、固体撮像素子を高い駆動
周波数で動作させるときに、伝搬遅延の問題を生じるも
のである。また、段差部でのカバレージが悪いために、
マイグレーションによる配線の断線という問題も考えら
れる。
【0022】これに対して、本実施の形態のCCD固体
撮像素子1では、図2に示すようにシャント配線14等
が平坦化された断面構造を有しているため、従来製法に
よる問題点が解消される。
撮像素子1では、図2に示すようにシャント配線14等
が平坦化された断面構造を有しているため、従来製法に
よる問題点が解消される。
【0023】続いて、図3を参照して本実施の形態にお
けるシャント配線14の形成方法を説明する。図3A〜
図3Cは、図1に示す平面構成及び図2に示す断面構成
を有する本実施の形態のCCD固体撮像素子を製造する
工程図を示す。まず、半導体基板4上にゲート絶縁膜5
を介して、第1層の転送電極11A及び第2層の転送電
極11Bを順次形成するところまでは従来製法と同様で
ある。続いて、図3Aに示すように、転送電極11A,
11Bを覆って、その上に絶縁膜6を厚く形成する。
けるシャント配線14の形成方法を説明する。図3A〜
図3Cは、図1に示す平面構成及び図2に示す断面構成
を有する本実施の形態のCCD固体撮像素子を製造する
工程図を示す。まず、半導体基板4上にゲート絶縁膜5
を介して、第1層の転送電極11A及び第2層の転送電
極11Bを順次形成するところまでは従来製法と同様で
ある。続いて、図3Aに示すように、転送電極11A,
11Bを覆って、その上に絶縁膜6を厚く形成する。
【0024】そして、この絶縁膜6を、例えばCMP
(化学的機械的研磨)法により、表面を平坦化する。そ
の後、従来製法と同様に絶縁膜6にコンタクトホールを
形成し、コンタクトホールを埋めるように低抵抗の金属
膜を形成し、所定のパターンにパターニングしてシャン
ト配線14を形成する。尚、このとき、必要に応じて、
シャント配線26の表面を研磨等により平坦化してもよ
い。
(化学的機械的研磨)法により、表面を平坦化する。そ
の後、従来製法と同様に絶縁膜6にコンタクトホールを
形成し、コンタクトホールを埋めるように低抵抗の金属
膜を形成し、所定のパターンにパターニングしてシャン
ト配線14を形成する。尚、このとき、必要に応じて、
シャント配線26の表面を研磨等により平坦化してもよ
い。
【0025】次に、図3Bに示すように、このシャント
配線14を覆って、絶縁膜(層間絶縁膜)7を形成す
る。
配線14を覆って、絶縁膜(層間絶縁膜)7を形成す
る。
【0026】続いて、絶縁膜7上に所定のパターンに遮
光膜3を形成する。さらに、図3Cに示すように遮光膜
3を覆って絶縁膜8を形成する。
光膜3を形成する。さらに、図3Cに示すように遮光膜
3を覆って絶縁膜8を形成する。
【0027】このようにして、平坦なシャント配線14
を有し、図1及び図2に示した構成のCCD固体撮像素
子1を製造することができる。シャント配線14や遮光
膜3の高さは、従来製法の場合とほぼ同等であり、シャ
ント配線14及び遮光膜3が平坦に形成される。また層
間の絶縁膜7も平坦に形成される。従って、シャント配
線14の断線や遮光膜3の亀裂等の発生を防止すること
ができ、安定に歩留まり良くCCD固体撮像素子1を製
造することができる。
を有し、図1及び図2に示した構成のCCD固体撮像素
子1を製造することができる。シャント配線14や遮光
膜3の高さは、従来製法の場合とほぼ同等であり、シャ
ント配線14及び遮光膜3が平坦に形成される。また層
間の絶縁膜7も平坦に形成される。従って、シャント配
線14の断線や遮光膜3の亀裂等の発生を防止すること
ができ、安定に歩留まり良くCCD固体撮像素子1を製
造することができる。
【0028】尚、図3で図示しないセンサ部2において
は、絶縁膜6を平坦化する工程と、遮光膜3を成膜する
工程との間に、センサ部2上にある絶縁膜6及び絶縁膜
7をエッチング等により掘る工程を設ける。この工程に
よって、例えばセンサ部2上にある絶縁膜6及び絶縁膜
7を一部除去する。或いは、センサ部2上にある絶縁膜
6及び絶縁膜7を全部除去して、その後センサ部2上に
薄い絶縁膜を形成する。これにより、センサ部2上にあ
る絶縁膜を薄くすることができ、この後に形成される遮
光膜3はセンサ部2付近では低く形成されるため、従来
の構成と同様に光の漏れ込みによるスミアの発生を防止
することができる。
は、絶縁膜6を平坦化する工程と、遮光膜3を成膜する
工程との間に、センサ部2上にある絶縁膜6及び絶縁膜
7をエッチング等により掘る工程を設ける。この工程に
よって、例えばセンサ部2上にある絶縁膜6及び絶縁膜
7を一部除去する。或いは、センサ部2上にある絶縁膜
6及び絶縁膜7を全部除去して、その後センサ部2上に
薄い絶縁膜を形成する。これにより、センサ部2上にあ
る絶縁膜を薄くすることができ、この後に形成される遮
光膜3はセンサ部2付近では低く形成されるため、従来
の構成と同様に光の漏れ込みによるスミアの発生を防止
することができる。
【0029】上述の本実施の形態によれば、シャント配
線14が平坦に形成されているため、薄い部分や段切れ
の発生がなくシャント配線14の膜厚をほぼ一定とする
ことができ、シャント配線14の抵抗を低減することが
できる。これにより、垂直転送レジスタ10の伝搬遅延
を抑制することができる。
線14が平坦に形成されているため、薄い部分や段切れ
の発生がなくシャント配線14の膜厚をほぼ一定とする
ことができ、シャント配線14の抵抗を低減することが
できる。これにより、垂直転送レジスタ10の伝搬遅延
を抑制することができる。
【0030】また、シャント配線14と転送電極11
A,11Bとが絶縁膜6を介して上下に離れて形成され
るため、異相配線間の容量が低減される。これによって
も、垂直転送レジスタ10の伝搬遅延を抑制することが
できる。
A,11Bとが絶縁膜6を介して上下に離れて形成され
るため、異相配線間の容量が低減される。これによって
も、垂直転送レジスタ10の伝搬遅延を抑制することが
できる。
【0031】従って、固体撮像素子1の駆動をさらに高
速化したり、大面積の固体撮像素子1を構成することが
できるようになる。
速化したり、大面積の固体撮像素子1を構成することが
できるようになる。
【0032】また、シャント配線14が平坦化されてい
ることにより、シャント配線14のカバレージを均一に
することができるので、マイグレーションによる配線の
断線を抑えることができる。従って、シャント配線14
を設けた固体撮像素子を安定して歩留まり良く製造する
ことができる。
ることにより、シャント配線14のカバレージを均一に
することができるので、マイグレーションによる配線の
断線を抑えることができる。従って、シャント配線14
を設けた固体撮像素子を安定して歩留まり良く製造する
ことができる。
【0033】尚、上述の実施の形態では、転送電極を2
層、転送クロックを4相として説明したが、転送電極に
関しては3層あるいはそれ以上の多層でもよく、転送ク
ロックに関しては2相以上の多相であれば、同様に本発
明を適用することができる。
層、転送クロックを4相として説明したが、転送電極に
関しては3層あるいはそれ以上の多層でもよく、転送ク
ロックに関しては2相以上の多相であれば、同様に本発
明を適用することができる。
【0034】また、固体撮像素子は上述のフレームイン
ターライン型に限定されるものではなく、インターライ
ン型でもよい。さらに、シャント配線の構造に関して
も、例えば転送チャネルのポテンシャルシフトを低減す
る目的で転送電極とシャント配線との間に例えば緩衝層
(バッファ層)を設けた構造であってもよい。
ターライン型に限定されるものではなく、インターライ
ン型でもよい。さらに、シャント配線の構造に関して
も、例えば転送チャネルのポテンシャルシフトを低減す
る目的で転送電極とシャント配線との間に例えば緩衝層
(バッファ層)を設けた構造であってもよい。
【0035】本発明は、上述の実施の形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
【0036】
【発明の効果】上述の本発明によれば、シャント配線を
平坦に形成することにより、配線抵抗の低減と異相間容
量の低減を図り、垂直転送レジスタの伝搬遅延を抑制す
ることができる。従って、固体撮像素子の駆動をさらに
高速化したり、大面積の固体撮像素子を構成することが
できるようになる。
平坦に形成することにより、配線抵抗の低減と異相間容
量の低減を図り、垂直転送レジスタの伝搬遅延を抑制す
ることができる。従って、固体撮像素子の駆動をさらに
高速化したり、大面積の固体撮像素子を構成することが
できるようになる。
【0037】また本発明によれば、シャント配線の形成
工程において、マイグレーションによる配線の断線を抑
えることができる。従って本発明により、固体撮像素子
を安定して歩留まり良く製造することができる。
工程において、マイグレーションによる配線の断線を抑
えることができる。従って本発明により、固体撮像素子
を安定して歩留まり良く製造することができる。
【図1】本発明の一実施の形態のCCD固体撮像素子の
概略構成図(平面図)である。
概略構成図(平面図)である。
【図2】図1のA−A´における断面図である。
【図3】A〜C 図1のCCD固体撮像素子の製造工程
を示す工程図(断面図)である。
を示す工程図(断面図)である。
【図4】A〜C 従来製法の製造工程を示す工程図(断
面図)である。
面図)である。
1 CCD固体撮像素子、2 センサ部、3 遮光膜、
4 半導体基板、5 ゲート絶縁膜、6,7,8,3
1,32,33 絶縁膜、10 垂直転送レジスタ、1
1,11A,11B 転送電極、14 シャント配線、
15 コンタクト部
4 半導体基板、5 ゲート絶縁膜、6,7,8,3
1,32,33 絶縁膜、10 垂直転送レジスタ、1
1,11A,11B 転送電極、14 シャント配線、
15 コンタクト部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 5/335 Fターム(参考) 4M118 AA10 AB01 BA10 BA12 BA13 CA02 CB14 DA18 DB08 EA01 FA06 FA50 GB11 5C024 CX00 GY05 GZ00 JX25 5F033 HH08 HH19 JJ08 JJ19 KK04 QQ37 QQ48 RR04 VV00 XX01 XX02 XX08
Claims (1)
- 【請求項1】 画素がマトリクス状に配置され、各画素
列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタ
が設けられ、 上記垂直転送レジスタの転送電極にシャント配線が接続
され、 上記シャント配線が平坦に形成されていることを特徴と
する固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000257465A JP2002076320A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000257465A JP2002076320A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002076320A true JP2002076320A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18745918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000257465A Pending JP2002076320A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002076320A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009266844A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-12 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器の製造方法 |
JP2010183107A (ja) * | 2010-05-10 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法 |
US8883542B2 (en) | 2004-07-29 | 2014-11-11 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method and drive method thereof, and camera |
-
2000
- 2000-08-28 JP JP2000257465A patent/JP2002076320A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8883542B2 (en) | 2004-07-29 | 2014-11-11 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method and drive method thereof, and camera |
JP2009266844A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-12 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器の製造方法 |
US7977140B2 (en) | 2008-04-21 | 2011-07-12 | Sony Corporation | Methods for producing solid-state imaging device and electronic device |
JP2010183107A (ja) * | 2010-05-10 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7105867B2 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
CN104701334A (zh) | 采用深沟槽隔离的堆叠图像传感器的制作方法 | |
JPH05206437A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
KR100632335B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 | |
JP4482982B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2002076320A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2878546B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP3270254B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH08111521A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2714000B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP3426935B2 (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | |
JP4196778B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
CN101887902B (zh) | 固体摄像器件和摄像装置 | |
JP2738679B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH01241863A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP3158284B2 (ja) | 電荷転送装置及び固体撮像装置 | |
JP2508507B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2005333089A (ja) | 半導体装置、固体撮像素子、半導体装置の製造方法、固体撮像素子の製造方法 | |
JP2004128301A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2002134734A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2002110959A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPH02260542A (ja) | 電荷転送素子の製造方法 | |
JPH06334164A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH11204772A (ja) | 電荷転送装置 | |
JP2003243641A (ja) | 固体撮像装置 |