JP2002076320A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線の伝搬遅延を防止して良好な伝搬特性を
有すると共に、安定して歩留まり良く製造することが可
能な構造の固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 画素がマトリクス状に配置され、各画素
列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタ
が設けられ、垂直転送レジスタの転送電極１１Ａ，１１
Ｂにシャント配線１４が接続され、シャント配線１４が
平坦に形成されている固体撮像素子を構成する。
有すると共に、安定して歩留まり良く製造することが可
能な構造の固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 画素がマトリクス状に配置され、各画素
列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタ
が設けられ、垂直転送レジスタの転送電極１１Ａ，１１
Ｂにシャント配線１４が接続され、シャント配線１４が
平坦に形成されている固体撮像素子を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、転送レジスタに接
続してシャント配線を形成して成る固体撮像素子に係わ
る。
続してシャント配線を形成して成る固体撮像素子に係わ
る。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子例えばＣＣＤ固体撮像素子
において、垂直転送クロックの伝搬遅延を抑制する目的
で、転送電極に接続してシャント配線を設けている構成
が採用されている。
において、垂直転送クロックの伝搬遅延を抑制する目的
で、転送電極に接続してシャント配線を設けている構成
が採用されている。
【０００３】従来、このシャント配線を形成する方法と
しては、転送電極上に絶縁膜を熱酸化法や化学的気相成
長（ＣＶＤ）法等により形成し、絶縁膜にコンタクトホ
ールを形成した後にシャント配線の材料を堆積させる方
法が採られていた。
しては、転送電極上に絶縁膜を熱酸化法や化学的気相成
長（ＣＶＤ）法等により形成し、絶縁膜にコンタクトホ
ールを形成した後にシャント配線の材料を堆積させる方
法が採られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この形
成方法によれば、シャント配線が下地の形状の影響をま
ともに受けて、シャント配線の断面形状が起伏に富んだ
ものとなる。シャント配線が起伏に富んだ形状である場
合、湾曲部分の配線抵抗が高くなり、固体撮像素子の駆
動周波数が高くなるにつれて配線の伝搬特性が悪化す
る。
成方法によれば、シャント配線が下地の形状の影響をま
ともに受けて、シャント配線の断面形状が起伏に富んだ
ものとなる。シャント配線が起伏に富んだ形状である場
合、湾曲部分の配線抵抗が高くなり、固体撮像素子の駆
動周波数が高くなるにつれて配線の伝搬特性が悪化す
る。
【０００５】また、製造プロセスの安定性という観点か
ら考えると、起伏のある場所へ成膜した場合には、膜の
密着性が場所によって変わってしまうため、場所によっ
て膜厚が変わったり、膜が剥がれやすくなったりすると
いった問題が生じる。さらには、配線のマイグレーショ
ン耐性も悪化するという問題がある。
ら考えると、起伏のある場所へ成膜した場合には、膜の
密着性が場所によって変わってしまうため、場所によっ
て膜厚が変わったり、膜が剥がれやすくなったりすると
いった問題が生じる。さらには、配線のマイグレーショ
ン耐性も悪化するという問題がある。
【０００６】さらに、シャント配線とコンタクトさせな
い転送電極は異なる相の駆動クロックが印加される異相
電極であるが、この異相電極とシャント配線との間に
は、上述の熱酸化又はＣＶＤ法により形成された薄い絶
縁膜しか存在しない。このため、異相電極間の容量が大
きくなって、配線の伝搬特性を悪化させてしまう。
い転送電極は異なる相の駆動クロックが印加される異相
電極であるが、この異相電極とシャント配線との間に
は、上述の熱酸化又はＣＶＤ法により形成された薄い絶
縁膜しか存在しない。このため、異相電極間の容量が大
きくなって、配線の伝搬特性を悪化させてしまう。
【０００７】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、配線の伝搬遅延を防止して良好な伝搬特性を有
すると共に、安定して歩留まり良く製造することが可能
な構造の固体撮像素子を提供するものである。
いては、配線の伝搬遅延を防止して良好な伝搬特性を有
すると共に、安定して歩留まり良く製造することが可能
な構造の固体撮像素子を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、画素がマトリクス状に配置され、各画素列毎に蓄積
された信号電荷を転送する垂直転送レジスタが設けら
れ、垂直転送レジスタの転送電極にシャント配線が接続
され、このシャント配線が平坦に形成されているもので
ある。
は、画素がマトリクス状に配置され、各画素列毎に蓄積
された信号電荷を転送する垂直転送レジスタが設けら
れ、垂直転送レジスタの転送電極にシャント配線が接続
され、このシャント配線が平坦に形成されているもので
ある。
【０００９】上述の本発明の構成によれば、シャント配
線が平坦に形成されていることにより、配線形状による
抵抗値の上昇を抑えることができ、シャント配線を低抵
抗化することができる。
線が平坦に形成されていることにより、配線形状による
抵抗値の上昇を抑えることができ、シャント配線を低抵
抗化することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、画素がマトリクス状に
配置され、各画素列毎に蓄積された信号電荷を転送する
垂直転送レジスタが設けられ、垂直転送レジスタの転送
電極にシャント配線が接続され、シャント配線が平坦に
形成されている固体撮像素子である。
配置され、各画素列毎に蓄積された信号電荷を転送する
垂直転送レジスタが設けられ、垂直転送レジスタの転送
電極にシャント配線が接続され、シャント配線が平坦に
形成されている固体撮像素子である。
【００１１】図１は、本発明の一実施の形態のＣＣＤ固
体撮像素子の概略構成図（平面図）を示す。本実施の形
態はフレームインターライン型のＣＣＤ固体撮像素子に
本発明を適用した場合である。このＣＣＤ固体撮像素子
は、４相による駆動がなされ、２層の転送電極（例えば
多結晶シリコン層）を有するものである。図１中垂直方
向Ｖが垂直転送レジスタの転送方向であり、水平方向Ｈ
が水平転送レジスタの転送方向となる。
体撮像素子の概略構成図（平面図）を示す。本実施の形
態はフレームインターライン型のＣＣＤ固体撮像素子に
本発明を適用した場合である。このＣＣＤ固体撮像素子
は、４相による駆動がなされ、２層の転送電極（例えば
多結晶シリコン層）を有するものである。図１中垂直方
向Ｖが垂直転送レジスタの転送方向であり、水平方向Ｈ
が水平転送レジスタの転送方向となる。
【００１２】このＣＣＤ固体撮像素子１は、画素に対応
してフォトダイオードから成るセンサ部２が多数マトリ
クス状に配置され、各センサ部２列の一側に垂直方向Ｖ
にＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ１０が設けられてい
る。垂直転送レジスタ１０には、それぞれ４相駆動の１
相に対応し、２層の多結晶シリコン層から成る転送電極
１１（１１Ａ，１１Ｂ）が形成されている。
してフォトダイオードから成るセンサ部２が多数マトリ
クス状に配置され、各センサ部２列の一側に垂直方向Ｖ
にＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ１０が設けられてい
る。垂直転送レジスタ１０には、それぞれ４相駆動の１
相に対応し、２層の多結晶シリコン層から成る転送電極
１１（１１Ａ，１１Ｂ）が形成されている。
【００１３】また、全体を遮光膜３が覆っており、セン
サ部２上には図中鎖線で示すように遮光膜３に矩形の開
口３ａが形成されて、センサ部２に光が入射するように
なっている。
サ部２上には図中鎖線で示すように遮光膜３に矩形の開
口３ａが形成されて、センサ部２に光が入射するように
なっている。
【００１４】各センサ部２の図中右側（場合によっては
左側でもよい）にはチャネルストップ領域（図示せず）
が形成され、センサ部２を挟んでその反対側には読み出
し領域が形成される。
左側でもよい）にはチャネルストップ領域（図示せず）
が形成され、センサ部２を挟んでその反対側には読み出
し領域が形成される。
【００１５】そして、各転送電極１１（１１Ａ，１１
Ｂ）には、例えばアルミやタングステン等の低抵抗の金
属配線から成るシャント配線１４がコンタクト部１５を
介して接続されている。このシャント配線１４は、垂直
方向Ｖに直線状のパターンに形成されている。これによ
り、転送電極１１Ａ，１１Ｂの配線抵抗をシャント配線
１４により低減することができるため、伝搬遅延を抑制
して、高速転送を行うことが可能になる。
Ｂ）には、例えばアルミやタングステン等の低抵抗の金
属配線から成るシャント配線１４がコンタクト部１５を
介して接続されている。このシャント配線１４は、垂直
方向Ｖに直線状のパターンに形成されている。これによ
り、転送電極１１Ａ，１１Ｂの配線抵抗をシャント配線
１４により低減することができるため、伝搬遅延を抑制
して、高速転送を行うことが可能になる。
【００１６】図１に示すように、コンタクト部１５は、
平面上斜めに並んだ配置となっており、垂直転送レジス
タ１０がＨ方向に１つずれた場合、コンタクト部１５は
転送電極１つ分だけＶ方向にずれる。
平面上斜めに並んだ配置となっており、垂直転送レジス
タ１０がＨ方向に１つずれた場合、コンタクト部１５は
転送電極１つ分だけＶ方向にずれる。
【００１７】下層の第１層の転送電極１１Ａには第２相
のクロック信号φＶ２或いは第４相のクロック信号φＶ
４が、上層の第２層の転送電極１１Ｂには第１相のクロ
ック信号φＶ１或いは第３相のクロック信号φＶ３が、
それぞれ所定のシャント配線１４を介して供給される。
のクロック信号φＶ２或いは第４相のクロック信号φＶ
４が、上層の第２層の転送電極１１Ｂには第１相のクロ
ック信号φＶ１或いは第３相のクロック信号φＶ３が、
それぞれ所定のシャント配線１４を介して供給される。
【００１８】ここで、図４を用いて、従来のシャント配
線の形成方法を説明する。図４Ａ〜図４Ｃは、図１に示
す平面構成を有するＣＣＤ固体撮像素子を従来の製法に
より形成する場合の工程図を示す。まず、図４Ａに示す
ように、半導体基板４上に薄いゲート絶縁膜５を介し
て、第１層の転送電極１１Ａ及び第２層の転送電極１１
Ｂを形成し、その後転送電極１１Ａ，１１Ｂの表面を覆
うように絶縁膜３１を成膜する。この絶縁膜３１は、例
えば転送電極１１Ａ，１１Ｂの多結晶シリコン層の表面
の熱酸化により、また例えばＣＶＤ法による絶縁膜の成
膜により、形成することができる。
線の形成方法を説明する。図４Ａ〜図４Ｃは、図１に示
す平面構成を有するＣＣＤ固体撮像素子を従来の製法に
より形成する場合の工程図を示す。まず、図４Ａに示す
ように、半導体基板４上に薄いゲート絶縁膜５を介し
て、第１層の転送電極１１Ａ及び第２層の転送電極１１
Ｂを形成し、その後転送電極１１Ａ，１１Ｂの表面を覆
うように絶縁膜３１を成膜する。この絶縁膜３１は、例
えば転送電極１１Ａ，１１Ｂの多結晶シリコン層の表面
の熱酸化により、また例えばＣＶＤ法による絶縁膜の成
膜により、形成することができる。
【００１９】次に、絶縁膜３１に第１層の転送電極１１
Ａに達するコンタクトホールを形成する。このとき、図
示しない断面において、第２層の転送電極１１Ｂに達す
るコンタクトホールも形成する。その後、これらコンタ
クトホールを埋めるように、全面的にアルミニウムやタ
ングステン等低抵抗の金属膜を成膜し、所定のパターン
にパターニングしてシャント配線１４を形成する。コン
タクトホール内にもシャント配線１４の材料が埋められ
てコンタクト部１５が形成される。次に、図４Ｂに示す
ように、シャント配線１４を覆って絶縁膜（層間絶縁
膜）３２を形成する。
Ａに達するコンタクトホールを形成する。このとき、図
示しない断面において、第２層の転送電極１１Ｂに達す
るコンタクトホールも形成する。その後、これらコンタ
クトホールを埋めるように、全面的にアルミニウムやタ
ングステン等低抵抗の金属膜を成膜し、所定のパターン
にパターニングしてシャント配線１４を形成する。コン
タクトホール内にもシャント配線１４の材料が埋められ
てコンタクト部１５が形成される。次に、図４Ｂに示す
ように、シャント配線１４を覆って絶縁膜（層間絶縁
膜）３２を形成する。
【００２０】続いて、絶縁膜３２上にアルミニウムやタ
ングステン膜を所定のパターンに形成して遮光膜３を形
成する。次に、図４Ｃに示すように、遮光膜３を覆って
絶縁膜３２を形成する。
ングステン膜を所定のパターンに形成して遮光膜３を形
成する。次に、図４Ｃに示すように、遮光膜３を覆って
絶縁膜３２を形成する。
【００２１】図４Ｃに示すように、この製法によりシャ
ント配線１４を形成した場合、シャント配線１４の形状
が下地の影響をまともに受け、起伏に富んだものとなっ
てしまう。このように起伏に富んだシャント配線１４
は、部分的に抵抗が高くなり、固体撮像素子を高い駆動
周波数で動作させるときに、伝搬遅延の問題を生じるも
のである。また、段差部でのカバレージが悪いために、
マイグレーションによる配線の断線という問題も考えら
れる。
ント配線１４を形成した場合、シャント配線１４の形状
が下地の影響をまともに受け、起伏に富んだものとなっ
てしまう。このように起伏に富んだシャント配線１４
は、部分的に抵抗が高くなり、固体撮像素子を高い駆動
周波数で動作させるときに、伝搬遅延の問題を生じるも
のである。また、段差部でのカバレージが悪いために、
マイグレーションによる配線の断線という問題も考えら
れる。
【００２２】これに対して、本実施の形態のＣＣＤ固体
撮像素子１では、図２に示すようにシャント配線１４等
が平坦化された断面構造を有しているため、従来製法に
よる問題点が解消される。
撮像素子１では、図２に示すようにシャント配線１４等
が平坦化された断面構造を有しているため、従来製法に
よる問題点が解消される。
【００２３】続いて、図３を参照して本実施の形態にお
けるシャント配線１４の形成方法を説明する。図３Ａ〜
図３Ｃは、図１に示す平面構成及び図２に示す断面構成
を有する本実施の形態のＣＣＤ固体撮像素子を製造する
工程図を示す。まず、半導体基板４上にゲート絶縁膜５
を介して、第１層の転送電極１１Ａ及び第２層の転送電
極１１Ｂを順次形成するところまでは従来製法と同様で
ある。続いて、図３Ａに示すように、転送電極１１Ａ，
１１Ｂを覆って、その上に絶縁膜６を厚く形成する。
けるシャント配線１４の形成方法を説明する。図３Ａ〜
図３Ｃは、図１に示す平面構成及び図２に示す断面構成
を有する本実施の形態のＣＣＤ固体撮像素子を製造する
工程図を示す。まず、半導体基板４上にゲート絶縁膜５
を介して、第１層の転送電極１１Ａ及び第２層の転送電
極１１Ｂを順次形成するところまでは従来製法と同様で
ある。続いて、図３Ａに示すように、転送電極１１Ａ，
１１Ｂを覆って、その上に絶縁膜６を厚く形成する。
【００２４】そして、この絶縁膜６を、例えばＣＭＰ
（化学的機械的研磨）法により、表面を平坦化する。そ
の後、従来製法と同様に絶縁膜６にコンタクトホールを
形成し、コンタクトホールを埋めるように低抵抗の金属
膜を形成し、所定のパターンにパターニングしてシャン
ト配線１４を形成する。尚、このとき、必要に応じて、
シャント配線２６の表面を研磨等により平坦化してもよ
い。
（化学的機械的研磨）法により、表面を平坦化する。そ
の後、従来製法と同様に絶縁膜６にコンタクトホールを
形成し、コンタクトホールを埋めるように低抵抗の金属
膜を形成し、所定のパターンにパターニングしてシャン
ト配線１４を形成する。尚、このとき、必要に応じて、
シャント配線２６の表面を研磨等により平坦化してもよ
い。
【００２５】次に、図３Ｂに示すように、このシャント
配線１４を覆って、絶縁膜（層間絶縁膜）７を形成す
る。
配線１４を覆って、絶縁膜（層間絶縁膜）７を形成す
る。
【００２６】続いて、絶縁膜７上に所定のパターンに遮
光膜３を形成する。さらに、図３Ｃに示すように遮光膜
３を覆って絶縁膜８を形成する。
光膜３を形成する。さらに、図３Ｃに示すように遮光膜
３を覆って絶縁膜８を形成する。
【００２７】このようにして、平坦なシャント配線１４
を有し、図１及び図２に示した構成のＣＣＤ固体撮像素
子１を製造することができる。シャント配線１４や遮光
膜３の高さは、従来製法の場合とほぼ同等であり、シャ
ント配線１４及び遮光膜３が平坦に形成される。また層
間の絶縁膜７も平坦に形成される。従って、シャント配
線１４の断線や遮光膜３の亀裂等の発生を防止すること
ができ、安定に歩留まり良くＣＣＤ固体撮像素子１を製
造することができる。
を有し、図１及び図２に示した構成のＣＣＤ固体撮像素
子１を製造することができる。シャント配線１４や遮光
膜３の高さは、従来製法の場合とほぼ同等であり、シャ
ント配線１４及び遮光膜３が平坦に形成される。また層
間の絶縁膜７も平坦に形成される。従って、シャント配
線１４の断線や遮光膜３の亀裂等の発生を防止すること
ができ、安定に歩留まり良くＣＣＤ固体撮像素子１を製
造することができる。
【００２８】尚、図３で図示しないセンサ部２において
は、絶縁膜６を平坦化する工程と、遮光膜３を成膜する
工程との間に、センサ部２上にある絶縁膜６及び絶縁膜
７をエッチング等により掘る工程を設ける。この工程に
よって、例えばセンサ部２上にある絶縁膜６及び絶縁膜
７を一部除去する。或いは、センサ部２上にある絶縁膜
６及び絶縁膜７を全部除去して、その後センサ部２上に
薄い絶縁膜を形成する。これにより、センサ部２上にあ
る絶縁膜を薄くすることができ、この後に形成される遮
光膜３はセンサ部２付近では低く形成されるため、従来
の構成と同様に光の漏れ込みによるスミアの発生を防止
することができる。
は、絶縁膜６を平坦化する工程と、遮光膜３を成膜する
工程との間に、センサ部２上にある絶縁膜６及び絶縁膜
７をエッチング等により掘る工程を設ける。この工程に
よって、例えばセンサ部２上にある絶縁膜６及び絶縁膜
７を一部除去する。或いは、センサ部２上にある絶縁膜
６及び絶縁膜７を全部除去して、その後センサ部２上に
薄い絶縁膜を形成する。これにより、センサ部２上にあ
る絶縁膜を薄くすることができ、この後に形成される遮
光膜３はセンサ部２付近では低く形成されるため、従来
の構成と同様に光の漏れ込みによるスミアの発生を防止
することができる。
【００２９】上述の本実施の形態によれば、シャント配
線１４が平坦に形成されているため、薄い部分や段切れ
の発生がなくシャント配線１４の膜厚をほぼ一定とする
ことができ、シャント配線１４の抵抗を低減することが
できる。これにより、垂直転送レジスタ１０の伝搬遅延
を抑制することができる。
線１４が平坦に形成されているため、薄い部分や段切れ
の発生がなくシャント配線１４の膜厚をほぼ一定とする
ことができ、シャント配線１４の抵抗を低減することが
できる。これにより、垂直転送レジスタ１０の伝搬遅延
を抑制することができる。
【００３０】また、シャント配線１４と転送電極１１
Ａ，１１Ｂとが絶縁膜６を介して上下に離れて形成され
るため、異相配線間の容量が低減される。これによって
も、垂直転送レジスタ１０の伝搬遅延を抑制することが
できる。
Ａ，１１Ｂとが絶縁膜６を介して上下に離れて形成され
るため、異相配線間の容量が低減される。これによって
も、垂直転送レジスタ１０の伝搬遅延を抑制することが
できる。
【００３１】従って、固体撮像素子１の駆動をさらに高
速化したり、大面積の固体撮像素子１を構成することが
できるようになる。
速化したり、大面積の固体撮像素子１を構成することが
できるようになる。
【００３２】また、シャント配線１４が平坦化されてい
ることにより、シャント配線１４のカバレージを均一に
することができるので、マイグレーションによる配線の
断線を抑えることができる。従って、シャント配線１４
を設けた固体撮像素子を安定して歩留まり良く製造する
ことができる。
ることにより、シャント配線１４のカバレージを均一に
することができるので、マイグレーションによる配線の
断線を抑えることができる。従って、シャント配線１４
を設けた固体撮像素子を安定して歩留まり良く製造する
ことができる。
【００３３】尚、上述の実施の形態では、転送電極を２
層、転送クロックを４相として説明したが、転送電極に
関しては３層あるいはそれ以上の多層でもよく、転送ク
ロックに関しては２相以上の多相であれば、同様に本発
明を適用することができる。
層、転送クロックを４相として説明したが、転送電極に
関しては３層あるいはそれ以上の多層でもよく、転送ク
ロックに関しては２相以上の多相であれば、同様に本発
明を適用することができる。
【００３４】また、固体撮像素子は上述のフレームイン
ターライン型に限定されるものではなく、インターライ
ン型でもよい。さらに、シャント配線の構造に関して
も、例えば転送チャネルのポテンシャルシフトを低減す
る目的で転送電極とシャント配線との間に例えば緩衝層
（バッファ層）を設けた構造であってもよい。
ターライン型に限定されるものではなく、インターライ
ン型でもよい。さらに、シャント配線の構造に関して
も、例えば転送チャネルのポテンシャルシフトを低減す
る目的で転送電極とシャント配線との間に例えば緩衝層
（バッファ層）を設けた構造であってもよい。
【００３５】本発明は、上述の実施の形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
【００３６】
【発明の効果】上述の本発明によれば、シャント配線を
平坦に形成することにより、配線抵抗の低減と異相間容
量の低減を図り、垂直転送レジスタの伝搬遅延を抑制す
ることができる。従って、固体撮像素子の駆動をさらに
高速化したり、大面積の固体撮像素子を構成することが
できるようになる。
平坦に形成することにより、配線抵抗の低減と異相間容
量の低減を図り、垂直転送レジスタの伝搬遅延を抑制す
ることができる。従って、固体撮像素子の駆動をさらに
高速化したり、大面積の固体撮像素子を構成することが
できるようになる。
【００３７】また本発明によれば、シャント配線の形成
工程において、マイグレーションによる配線の断線を抑
えることができる。従って本発明により、固体撮像素子
を安定して歩留まり良く製造することができる。
工程において、マイグレーションによる配線の断線を抑
えることができる。従って本発明により、固体撮像素子
を安定して歩留まり良く製造することができる。
【図１】本発明の一実施の形態のＣＣＤ固体撮像素子の
概略構成図（平面図）である。
概略構成図（平面図）である。
【図２】図１のＡ−Ａ´における断面図である。
【図３】Ａ〜Ｃ 図１のＣＣＤ固体撮像素子の製造工程
を示す工程図（断面図）である。
を示す工程図（断面図）である。
【図４】Ａ〜Ｃ 従来製法の製造工程を示す工程図（断
面図）である。
面図）である。
１ ＣＣＤ固体撮像素子、２ センサ部、３ 遮光膜、
４ 半導体基板、５ ゲート絶縁膜、６，７，８，３
１，３２，３３ 絶縁膜、１０ 垂直転送レジスタ、１
１，１１Ａ，１１Ｂ 転送電極、１４ シャント配線、
１５ コンタクト部
４ 半導体基板、５ ゲート絶縁膜、６，７，８，３
１，３２，３３ 絶縁膜、１０ 垂直転送レジスタ、１
１，１１Ａ，１１Ｂ 転送電極、１４ シャント配線、
１５ コンタクト部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA10 BA12 BA13 CA02 CB14 DA18 DB08 EA01 FA06 FA50 GB11 5C024 CX00 GY05 GZ00 JX25 5F033 HH08 HH19 JJ08 JJ19 KK04 QQ37 QQ48 RR04 VV00 XX01 XX02 XX08
Claims (1)
- 【請求項１】 画素がマトリクス状に配置され、各画素
列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタ
が設けられ、 上記垂直転送レジスタの転送電極にシャント配線が接続
され、 上記シャント配線が平坦に形成されていることを特徴と
する固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000257465A JP2002076320A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000257465A JP2002076320A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002076320A true JP2002076320A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18745918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000257465A Pending JP2002076320A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002076320A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009266844A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-12 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器の製造方法 |
| JP2010183107A (ja) * | 2010-05-10 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法 |
| US8883542B2 (en) | 2004-07-29 | 2014-11-11 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method and drive method thereof, and camera |
-
2000
- 2000-08-28 JP JP2000257465A patent/JP2002076320A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8883542B2 (en) | 2004-07-29 | 2014-11-11 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method and drive method thereof, and camera |
| JP2009266844A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-12 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器の製造方法 |
| US7977140B2 (en) | 2008-04-21 | 2011-07-12 | Sony Corporation | Methods for producing solid-state imaging device and electronic device |
| JP2010183107A (ja) * | 2010-05-10 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法 |
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